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SEMICONDUCTORES

Son materiales que presentan unas características intermedias entre los conductores y los aislantes. En
condiciones normales son aislantes y no dejan pasar la corriente eléctrica, pero bajo ciertas
circunstancias, si reciben energía externa, pueden pasar a ser conductores. Los materiales
semiconductores pueden ser intrínsecos o extrínsecos.

Semiconductores intrínsecos

Los principales materiales que presentan propiedades semiconductoras son elementos simples, como el
silicio (Si) y el germanio (Ge).

Estos elementos son tetravalentes, es decir, tienen cuatro electrones de valencia, y forman enlaces
covalentes en los que comparten estos electrones con los átomos vecinos. El enlace covalente mantiene
«anclados» a los electrones e impide su desplazamiento, por lo que da lugar a materiales que no pueden
conducir la corriente eléctrica.

Formación de enlaces covalentes en átomos de silicio, un material semiconductor intrínseco

Sin embargo, los enlaces covalentes de los elementos mencionados anteriormente no son muy fuertes,
y se pueden romper con facilidad si se aporta una pequeña cantidad de energía (con calor, luz o
aplicando un voltaje). En esas condiciones, los electrones que formaban los enlaces quedan «libres», y el
material podrá conducir la corriente eléctrica gracias a ellos. Este tipo de conducción se denomina
conducción intrínseca y es necesario aportar energía al semiconductor para que se produzca.

Aunque los primeros componentes electrónicos se fabricaron con germanio, en la actualidad el

semiconductor más utilizado es el silicio, debido a sus mejores características y a su capacidad para
soportar mejor altas temperaturas. En los últimos años, el desarrollo de la electrónica ha llevado a la
obtención de materiales compuestos con propiedades semiconductoras, como el arseniuro de galio
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(GaAs) o el fosfuro de indio (InP). No obstante, su uso es limitado, y el silicio es, sin duda, el
semiconductor más importante.

Semiconductores extrínsecos

Los semiconductores intrínsecos presentan una conductividad muy baja, por lo que se han buscado
métodos para aumentar su valor. Esto ha dado lugar al desarrollo de los semiconductores extrínsecos.

También podemos conseguir que un material semiconductor se convierta en conductor aportándole las
cargas eléctricas necesarias para que pueda conducir la corriente eléctrica. Esto se logra introduciendo
impurezas en el material, mediante un proceso denominado dopado, y en este caso hablamos de
conducción extrínseca.

Si en un material hay un exceso de cargas negativas (electrones), muchas de ellas no podrán encontrar
pareja para formar el enlace. Como consecuencia, estos electrones «de sobra» se situarán libremente
alrededor de los átomos y podrán moverse con facilidad.

Este exceso de cargas negativas se consigue introduciendo impurezas con más electrones de valencia
que el material semiconductor base. Estas impurezas se denominan impurezas donadoras, y el material
obtenido, semiconductor tipo N.

Por ejemplo, el silicio (que tiene cuatro electrones de valencia) se dopa con pequeñas cantidades de
fósforo, arsénico o antimonio (que tienen cinco electrones de valencia y, por tanto, un electrón de más).
Los electrones sobrantes quedan libres y se encargan de conducir la corriente eléctrica.

De forma análoga, también se puede introducir un exceso de cargas positivas en el material. En este
caso se produce un defecto de electrones o, dicho de otra forma, un exceso de huecos (entendiendo por
hueco la ausencia del electrón que compensa la carga positiva).

La presencia de estos huecos también facilita la conducción de la corriente eléctrica, pues tienden a
«captar» electrones y permiten el desplazamiento de estos.

El exceso de cargas positivas se consigue introduciendo impurezas con menos electrones de valencia
que el material semiconductor base. Estas son impurezas aceptadoras, y el material obtenido se
denomina semiconductor tipo P.

El silicio se dopa con impurezas de boro, galio o indio (que tienen tres electrones de valencia y, por
tanto, un electrón de menos).

En general, los semiconductores extrínsecos presentan una conductividad eléctrica mayor que la de los
semiconductores intrínsecos. Por este motivo, en la fabricación de dispositivos electrónicos se utilizan
principalmente semiconductores extrínsecos (silicio tipo P y silicio tipo N).

Semiconductor extrínseco de tipo N

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Semiconductor extrínseco de tipo P

3.0. TIPO N Y TIPO P

Cuando al dopar introducimos átomos con tres electrones de

valencia en un elemento de átomos con cuatro estamos formando
un semiconductor tipo P, viniendo su nombre del exceso de carga
aparentemente positiva (porque los átomos siguen siendo neutros,
debido a que tienen igual número de electrones que de protones)
que tienen estos elementos. Estos átomos "extraños" que hemos
añadido se recombinan con el resto pero nos queda un hueco libre
que produce atracción sobre los electrones que circulan por
nuestro elemento. También se produce una circulación de estos
huecos colaborando en la corriente.

Sin embargo, si los átomos añadidos tienen cinco electrones en su

última capa el semiconductor sedenomina de tipo N, por ser
potencialmente más negativo que uno sin dopar. En este tipo de
materiales tenemos un quinto electrón que no se recombina con
los demás y que, por tanto, está libre y vaga por el elemento
produciendo corriente. Para hacerse una idea de las cantidades que
entran en juego en esto del dopaje se podría decir que se introduce
un átomo extraño por cada doscientos millones de átomos del
semiconductor.

Hasta ahora hemos descrito la corriente eléctrica como el paso de

electrones de un lado a otro pero ha llegado el momento de aumentar este concepto. Como hemos
visto la aparición de un hueco produce el movimiento de un electrón hacia él dejando de nuevo un
hueco al que irá otro electrón. Este movimiento puede verse desde dos puntos de vista. El primero es el
del electrón moviéndose de derecha a izquierda, el segundo sería el del hueco desplazándose de
izquierda a derecha. Pues bien, no es correcto ni uno ni otro, sino los dos a la vez. Hay que pensar que
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tan importante es un movimiento como el otro, y que la corriente eléctrica hemos de concebirla como la
suma de los dos. Como veremos, en unos casos será más importante, cuantitativamente hablando, la
corriente creada por el movimiento de los electrones y, sin embargo, en otros lo será la creada por los
huecos. Se ha adoptado por convenio que la corriente eléctrica lleva el sentido de los huecos, es decir,
cuando seguimos el sentido de los electrones la corriente es negativa y positiva en caso contrario.

Debemos dividir a los semiconductores en dos grupos: intrínsecos y extrínsecos. Los semiconductores
extrínsecos son aquellos a los que se les ha dopado de alguna forma, produciendo así un semiconductor
tipo P o del tipo N. Y los intrínsecos son los que no han sufrido ninguna clase de dopaje

Puesto que el paso de electrones a través de cualquier material siempre produce calor nos va a ser
imposible separar los efectos producidos por el dopaje y el aumento de temperatura en un
semiconductor; así que ambos efectos se suman y la circulación de electrones y huecos va a ser mayor.

3.1. Portadores mayoritarios y minoritarios

No está completa nuestra explicación sin comentar brevemente lo que se conoce con el nombre de
portadores mayoritarios y minoritarios.

Cuando existe corriente dentro de un material hemos visto que es debida a electrones moviéndose
hacia un lado y a huecos desplazándose en sentido contrario. Pero las cantidades de unos y otros no
tienen por qué ser iguales ni parecidas, esto depende del material por el que circule la corriente.
Llamamos portadores mayoritarios a quien contribuya al paso de la corriente en mayor medida y,
obviamente, los minoritarios serán aquellos que lo hagan en menor medida.

Si tenemos un material tipo N por el que circula corriente, los portadores mayoritarios serán los
electrones que le sobran por el dopaje junto con los electrones que saltan debido al calor y los
portadores minoritarios serán los huecos producidos al marcharse los electrones de su sitio. Por el
contrario, en un semiconductor tipo P los portadores mayoritarios serán los huecos que tiene en exceso
por el dopaje más los huecos que se producen por efecto del calor, mientras que los portadores
minoritarios serán los electrones que han saltado de su sitio.

3.2. Unión P-N

Llegados a este punto, cualquiera con un poco de curiosidad se habrá hecho la siguiente pregunta: ¿Qué
ocurriría si se juntase un trozo de material tipo P con un trozo de material tipo N? Pues bien, esta
pregunta ya se la hizo alguien hace unos cuantos años y dio origen a lo que hoy día se conoce como
unión P-N.

De nuevo, como electrónicos que somos, solamente nos interesa algo muy concreto de esta unión, lo
cual no es otra cosa que su comportamiento de cara al paso de corriente eléctrica.

Supongamos, primeramente, que hemos unido por las buenas un trozo de material tipo P con uno tipo
N; ¿Qué ocurre?, pues que los electrones que le sobran al material tipo N se acomodan en los huecos
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que le sobran al material tipo P. Pero, ¡ojo!, no todos los de un bando se pasan al otro, solamente lo
hacen los que están medianamente cerca de la frontera que los separa. A esto se le llama
recombinación

Y ¿Por qué solo unos pocos? Pues porque el hecho de que se vayan los electrones con los huecos es
debido a la atracción mutua que existe entre ellos ya que poseen cargas opuestas; sin embargo, una vez
que se han pasado cierta cantidad de electrones al otro bando comienza a haber una concentración de
electrones mayor de lo normal, lo que provoca que estos empiecen a repelerse entre ellos. Por tanto, se
llega a un equilibrio al haberse ido los suficientes electrones para apaciguar la atracción hueco-electrón
inicial pero no tantos como para llegar a repelerse entre ellos.

Una vez alcanzado este equilibrio se dice que se ha creado una barrera de potencial. Una barrera de
potencial es simplemente una oposición a que sigan pasando los electrones y huecos de un lado a otro.
Esta situación permanecerá inalterable mientras no hagamos nada externo para modificarla, es decir,
compensar el efecto de esa barrera de potencial con otro potencial aportado por nosotros, por ejemplo,
conectándolo a una batería.

3.3 Polarización directa e inversa

Existen dos formas de conectar una batería a una unión P-N. Primero conectar el borne positivo de la
batería con el material tipo P y el borne negativo con el material tipo N y la otra conectar el borne
positivo con el material tipo N y el borne negativo con el tipo P. A la primera de ellas se la denomina
polarización directa y a la segunda polarización inversa. Veamos qué ocurre en cada una de ellas. Al
polarizar directamente una unión P-N el polo negativo de la batería está inyectando electrones al
material N, mientras que el polo positivo recibe electrones del lado P creándose así una corriente
eléctrica. Con esta batería hemos conseguido vencer el obstáculo que se había creado debido a la
barrera de potencial existente entre ambos materiales. De nuevo los electrones y los huecos pueden
pasar libremente a través de la frontera.

Sin embargo, al polarizar inversamente una unión P-N no se crea una corriente en sentido opuesto sino
que, curiosamente, no hay corriente alguna. Esto es por que los huecos libres del tipo P se recombinan
con los electrones que proceden del polo negativo de la batería, y los electrones libres del tipo N son
absorbidos por ésta, alejándose tanto huecos como electrones de la unión, en vez de vencer nuestra
barrera de potencial ésta se ha hecho más grande y no existe corriente; aunque, para ser exactos, sí
existe una corriente y esta es la producida por los portadores minoritarios, pero es demasiado pequeña
e inapreciable.
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UNIVERSIDAD MAYOR REAL Y PONTIFICIA

DE SAN FRANCISCO XAVIER DE CHUQUISACA

Facultad de tecnología
Carrera.- Ing. Mecánica

Materia.- ELT - 343

Tema.- semiconductores

Universitario.- Miguel Darling Ecos Gutiérrez

Docente.- Juan simón Torres

Sucre-Bolivia
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