Noawronn. NOMBRE:, 1, (8 puntos). La conductividad de una barra de GaAs tipo na 300K es 0,2 a ee centracién de electrones, huecos e impurezas donoras. Calcule la posicién del nivel con respecto al borde inferior de la banda de conduccién (Ec — Er). Asuma la movilidiad! pendiente de la concentracién de impurezas. 1, = 8800 cm?/V.s, jp = 400 cm/V-s, Eg = eV, n; = 1,8 10% cm Tabla para preguntas 3 y 4. | Concentracién de impurezas | Movilidad de electrones | Movilidad de huecos fem] [em*/V.s} [em?/V.s} Puro intrinseco 1350 480 10” 1120 450. L To" 700 300 StLicto (Si) a 300 K: Eg = 1,17 eV, n; = 15+ 10 om, x, =% =15 ps. (14 puntos). Encuentre la posicién del nivel de Fermi con respecto al borde de valencia (Er — Ey) para una muestra de silicio a 300 K dopado con 1 aceptoras. Calcule el valor del campo eléctrico cuando los huecos se muev. cs el voltaje requerido para alcanzar ese campo eléctrico en una regién velocidad de arrastre de los electrones en ese campo y en cudnto tiempo los electrones recorren esa regign? (1.8 puntos), Una unién pn tiene una seccién transversal A = 0,001 cm?, Na = 10° cm=3 en cllado p y Np = 10”” cm~ cn ladon. T=300 K, ks = €9 = UA y nj =15*10" co u {a corriente de saturacién inversa de electrones Trnz la de huecos Jy y la corriente de satu inversa total I. La eficiencia de inyeccién de huecos es Isp /J,. Calcule la eficiencia de is de huecos. ey = 8,854 + 10-4 C2/N cm?= ys OFS a ” Leer be ea - fe [Ep— Ep | — g0255 fr v2xo" = Cigeeeeea 1,6 Xtwo®e ae) 247 7 | aon = 1 Loe + Ae ta = 9 0ess( pu Ler, 5 fare = Grd23022 c =e y cf 6,866 2h oO em > | Meher auf