LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II (EE-442M)

(FIEE-UNI: Ciclo académico: 2019-1)

INFORME PREVIO No.1 “Amplificador Multietapa”

Marino Peña, Renato Alonso

20162093I
rmarinop@uni.pe

Abstract—In this laboratory, we are going to prove 2. Amplificador Darlington

multistage amplifiers, the purpose of using these amplifiers is
to have a bigger gain than using a simple amplifier with just
one transistor, the temperature is also a factor that makes the
circuits to work bad or have less gain than in a normal state,
causes the output signal to have electric noise too
Keywords—multistage amplifiers, temperature, gain,noise
Es un circuito que tiene una ganancia igual al
cuadrado de un solo transistor, teniendo así una
mayor señal a la salida de este conjunto de
transistores, se usa mucho en circuitos de
potencia
Figura 2. Amplificador darlington

I. INTRODUCCION
En el presente informe se presentará una explicación
teórica a partir de simulaciones de los circuitos que se van a
probar en el laboratorio a realizarse, se vera como la
ganancia de un amplificador multietapa o amplificador lineal
es mayor cuando se le agregan mas transistores al sistema,
como la resistencia de entrada aumenta con la adición de
dichos transistores y por último la respuesta en frecuencia del
circuito con una alimentación pequeña a frecuencia pequeña
y media

II. FUNDAMENTO TEORICO 3. Amplificador diferencial

A. Amplificador multietapa Es un circuito que amplifica la diferencia
de las entradas y suprime las que son comunes a
Se dice que un amplificador es multietapa, cuando se
ellas, se usa mucho en circuitos analógicos para
utilizan dos o más transistores para aumentar la ganancia que
disminuir el ruido en diferentes configuraciones
se requiere, también si es que se quiere que la impedancia de
entrada crezca, para que no se necesite una corriente muy Figura 3. Amplificador diferencial
grande de entrada, hay tres tipos de configuraciones de
amplificadores multietapa muy usados, estos son:
1. Amplificador cascode
Estos amplificadores se hacen con dos
transistores o tres, se usa mucho cuando se
quiere usar uno en base común y otro en emisor
común; por esto es que se usa un seguidor
emisor para que sea más fácil de seguir
poniendo mas transistores, su impedancia de
entrada así se vuelve más grande
Figura 1. Amplificador cascode

978-1-5386-5447-7/18/$31.00 ©2018 IEEE

 III. PREGUNTAS DE LA GUIA DE LABORATORIO B. Para la primera estapa Q1-Q2 del circuito en estudio,
En esta sección se responderán las preguntas de la guía, escriba la ecuacion dI2/dT, tal que Ic2=f(ICBO,VBE) y
la cual hace énfasis en el diseño del circuito y los resultados considerando que los BJT son de silicio
teóricos a partir de simulaciones o a partir de cálculos hechos Se toman los transistores a los que se quiere analizar,
y luego digitados en este informe. Las simulaciones que se estos son Q1 y Q2, como se muestra en la figura:
presentaran se hicieron en Multisim y Lt SPICE.
Figura 5. Primera etapa Q1-Q2
A. Detallar las condiciones para los que un BJT y/o FET
puede operar en baja frecuencia
Para que estos tipos de transistores pueda trabajar en baja
frecuencia, los zeros en la función de transferencia de
Laplace, debe ser lo más cercano a cero, pero sin serlo.
Por ejemplo, en un BJT, en el análisis de baja frecuencia,
solo se analiza el sistema con respecto a un solo capacitor,
exceptuando a los de entrada y salida; si particularmente es
de emisor común, se analizará el capacitor que está en
paralelo a la resistencia estabilizadora, esto se muestra a
continuación:
Figura 4. Configuración emisor común de un BJT

Se hacen los cálculos correspondientes, considerando la

temperatura, formando la función dependiente del voltaje
En el análisis Ac este circuito será:
base-emisor y de la corriente de fuga.
Figura 5. Análisis AC del emisor común
En el transistor Q1 ocurre lo siguiente:

Entonces, analizando solo el capacitor de abajo, se

obtendría:

Ahora calculamos en Q2 y reemplazamos para hallas la

función pedida:

En donde si el zero que se observa se hace más pequeño,

se obtendría un trabajo a frecuencias mucho mas bajas, esto
aumentando la resistencia estabilizadora.
También para que puedan operar a bajas frecuencias, se
debe ver que la temperatura no varié mucho con la Derivamos respecto a la temperatura y reemplazamos
temperatura ambiental, esto con la finalidad de que se los valores de resistencia
cumpla lo expuesto arriba.
También los transistores deben estar correctamente
polarizados en su zona lineal.
C. Fundamente las razones por los que se diseña la
ganancia y otros parámetros de un amplificador
independiente hfe, hie, etc; del BJT por ejemplo
La ganancia de un transistor se diseña independiente de
hfe porque esta varía según sea la corriente que le pongamos
y a que temperatura está el sistema, a la vez también se pone
independiente de hie porque este también depende de la
temperatura, por ejemplo a temperatura ambiente, hie es
igual a 26 mV entre Ib, pero ni bien la temperatura crece, hie
también es por esto que se usa su equivalente que es la
transconductancia y así no tener estos problemas si varia la
temperatura.
gm= hfe hie ()
D. Diseñe el circuito amplificador ARGOS I
Se implemento el circuito diseñado en la plataforma de
simulación Lt SPICE, el circuito se observa a continuación:
Figura 6. Circuito implementado en Lt SPICE
E. Simule el circuito y grafique los principales parametros
del amplificador
El circuito se simulo en Lt SPICE y en multisim, los
principales parámetros son el voltaje de salida de todo el
sistema y los diagramas de bode: amplitud y fase del sistema
completo, estos se hicieron en Lt SPICE y se muestran a
continuación:
Figura 7. Diagrama de bode (amplitud y fase) en Lt
SPICE
Como se logra observar, en ganancia va a tener una
frecuencia de corte inferior de 65 Hz lo que es pequeño
considerando la frecuencia de la tensión alterna de entrada
Ahora la señal de salida será la siguiente:
Figura 8. Salida del circuito del laboratorio
Se nota que la onde ha aumentado de 10 mV a
aproximadamente 3 V, obteniendo algo muy grande a partir
de algo muy pequeño y esto es a lo que nos referimos cuando
se dice que se multiplican ganancias, al estar multiplicadas,
pueden generar esta transformación de la onda de entrada en
una de salida mucho mayor.
F. Comprobar que las junturas Base.Emisor trabajan en el
regimen lineal y de minima distorsion armónica, basado
en los diagramas de bode del circuito ARGOS I
obtenidos de la simulacion
Como se ve en los diagramas que están en la parte
superior, el diagrama de amplitud salió casi recto con
diferencias pequeñas, esto quiere decir que el diodo se
comportó de forma lineal y no afecto en el circuito restando
o sumando a la señal entrante; por lo tanto, el valor que dio
fue siempre constante, esto también se ve en el simulador.
G. Presente los diagramas de bode obtenidos de la
simulacion
Según lo que se pide, se simularon todos los diagramas
de bode especificando puntos para saber exactamente que
valores están en dichos puntos, ya que en el programa en el
que se hizo, no especifica muy bien esta parte.
El programa de simulación que se uso fue el de multisim
1. V2/V1
Diagrama de magnitud
 Diagrama de fase
Diagrama de fase

2. V6/V1
Diagrama de magnitud

4. V9/V1
Diagrama de magnitud

Diagrama de fase Diagrama de fase

5. V12/V9
3. V7/V6
Diagrama de magnitud
Diagrama de magnitud
 Diagrama de fase 7. V16/V12
Diagrama de magnitud

Diagrama de fase

6. V15/V12
Diagrama de magnitud

Diagrama de fase 8. V16/V1

Diagrama de magnitud

Diagrama de fase

REFERENCES
[1] Rashid, “Circuitos microelectronicos” Thomson editores,USA, vol. 1,
2000