Transistores

Transistor de unión Bipolar (BJT).

El transistor de unión bipolar (también conocido por sus siglas BJT) se trata de un dispositivo
electrónico sólido, formado por 2 uniones PN próximas entre ellas que permite controlar el paso
de la corriente a través de sus terminales. Se le llama bipolar porque la conducción es debida al
desplazamiento de portadores de 2 polaridades (huecos: positivos; electrones: negativos). Este
tipo de dispositivo es utilizado para un gran número de aplicaciones, principalmente en
electrónica analógica y digital con tecnología TTL o BICMOS, a pesar de tener una gran
limitación debido a su impedancia de entrada muy baja.

Su composición está basada en 2 uniones PN en un cristal semiconductor, separados por una

fina franja, delimitando dentro del mismo 3 regiones:

Emisor:que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un
metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.
Tipo P.

Base:la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Tipo N.

Colector:de extensión mucho mayor. Tipo P

  Funcionamiento

En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la

base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base,
porque es muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector.

El transistor de unión bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo

simétrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje
de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. La falta de simetría es
principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector. La unión colector-base
está polarizada en inversa durante la operación normal. Pequeños cambios en la tensión aplicada
entre los terminales base-emisor genera que la corriente que circula entre el emisor y el colector
cambie significativamente. Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensión o corriente
de entrada. Los BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente controladas por tensión,
pero son caracterizados más simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente, o
por amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la base.

 REGIONES OPERATIVAS DEL TRANSISTOR

Los transistores de unión bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas principalmente
por la forma en que son polarizados:

1. Región activa en cuanto a la polaridad: Cuando un transistor no está ni en su región de

saturación ni en la región de corte entonces está en una región intermedia, la región
activa. En esta región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la
corriente de base (Ib), de β (ganancia de corriente), y de las resistencias que se
encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta región es la más importante si lo
que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de señal.

2. Región inversa: Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo

activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las
regiones del colector y emisor intercambian roles.

3. Región de corte: Un transistor está en corte cuando la corriente del colector=corriente

del emisor=0. En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el
voltaje de alimentación del circuito. De forma simplificada, se puede decir que el la
unión CE se comporta como un circuito abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es
cero.

4. Región de saturación: Un transistor está saturado cuando: corriente del colector ≈

corriente de emisor = corriente máxima, (Ic ≈ Ie = Imáx). En este caso la magnitud de la
corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de las resistencias
conectadas en el colector o el emisor o en ambos. Cuando el transistor esta en
saturación, la relación lineal de amplificación Ic=β·Ib no se cumple. De forma
simplificada, se puede decir que la unión CE se comporta como un cortocircuito, ya que
la diferencia de potencial entre C y E es muy próxima a cero.

Como se puede ver, la región activa es útil para la electrónica analógica (especialmente útil para
amplificación de señal) y las regiones de corte y saturación, para la electrónica digital,
representando el estado lógico alto y bajo, respectivamente.
Transistor de efecto de campo (MOSFET).

ESTRUCTURA.

Con una operación y estructura completamente distintas al transistor bipolar de unión, el

transistor MOSFET fue creado al colocar una capa aislante en la superficie de un semiconductor
y luego colocando un electrodo metálico de puerta sobre el aislante. Se utilizó silicio cristalino
para el semiconductor base, y una capa de dióxido de silicio creada a través de oxidación
térmica, como aislante. El MOSFET de silicio no generaba trampas de electrones localizados
entre la interfaz, entre el silicio y la capa de óxido nativo, y por este motivo se veía libre de la
dispersión y el bloqueo de portadores que limitaba el desempeño de los transistores de efecto de
campo anteriores.
CURVA CARACTERISTICA.
REGIONES DE OPERACION

Para un transistor NMOS de enriquecimiento se tienen las siguientes regiones:

Corte (Cuando VGS < Vth)

Donde Vth es la tensión de umbral del transistor

De acuerdo con el modelo básico del transistor, en esta región el dispositivo se encuentra
apagado. No hay conducción entre la fuente y el drenador, de modo que el MOSFET se
comporta como un interruptor abierto.

Un modelo más exacto considera el efecto de la energía térmica descrita por la distribución de
Boltzmann para las energías de los electrones, en donde se permite que los electrones con alta
energía presentes en la fuente ingresen al canal y fluyan hacia el drenador. Esto ocasiona una
corriente subumbral, que es una función exponencial de la tensión entre puerta-fuente.

Región lineal u óhmica (Cuando VGS > Vth y VDS < (VGS – Vth))

Al polarizarse la puerta con una tensión mayor que la tensión de umbral, se crea una región de
agotamiento en la región que separa la fuente y el drenador. Si esta tensión crece lo suficiente,
aparecerán portadores minoritarios (huecos en PMOS, electrones en NMOS) en la región de
agotamiento, que darán lugar a un canal de conducción. El transistor pasa entonces a estado de
conducción, de modo que una diferencia de potencial entre drenador y fuente dará lugar a una
corriente. El transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensión de puerta.

Saturación o activa (Cuando VGS > Vth y VDS > (VGS – Vth )).

Al aplicar una tensión de drenador más alta, los electrones son atraídos con más fuerza hacia el
drenador y el canal se deforma.

Cuando la tensión entre drenador y fuente supera cierto límite, el canal de conducción bajo la
puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del drenador y desaparece. La corriente que
entra por el drenador y sale por la fuente no se interrumpe, ya que es debida al campo eléctrico
entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales.

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO
Se coloca una capa de material dieléctrico (SiO2) sobre un sustrato de silicio, y luego una capa
de metal o silicio poli cristalino. Debido al dieléctrico, esta estructura funciona de manera
similar a un condensador plano. Al aplicar un potencial a la estructura MOS modificamos la
distribución de las cargas en el semiconductor. Se considera un semiconductor de tipo P con
densidad de aceptores NA. Una tensión positiva VGB entre la compuerta y la tierra (sustrato)
creará una región de agotamiento debido a los huecos positivamente cargados, que son repelidos
por el aislante de compuerta y semiconductor, de esta manera queda expuesta una región libre
de portadores, en esta zona se encuentran los iones de los átomos aceptores con carga negativa.
A la vista de esto, se deduce que para VGB elevadas, habrá una alta concentración de portadores
negativos que formaran la región de inversión situada entre el semiconductor y el aislante, como
se ve en la figura. Esta estructura MOS descrita hasta aquí es la base de funcionamiento de los
MOSFET.

IGBT

Estructura
Esta formado por obleas dopadas de tipo N y de Tipo P formando cuatro capas de unión PN que
reduce la resistividad haciendo menor la caída de tensión en la conducción, pero a diferencia del
tiristor este se puede controlar totalmente en el momento del encendido y el apagado. Su
construcción es similar a la de un MOSFET con la diferencia de que el material de partida es de
tipo P y no N.

La P adicional hace que cuando esta en corte no haya inyección de huecos entre la unión PN en
la N (esto se produce cuando esta polarizado directamente) por lo que la capacidad de soportar
tensión solo depende de la capa N.

Al utilizar el principio de los FET en el circuito de excitación y una estructura bipolar en el de

potencia se reduce mucho la superficie de silicio necesaria. Esta unión PN también conforma un
tiristor parasito el cual si es activado puede destruir el IGBT.

CURVA CARACTERISTICA.

Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa que no existe
ningún voltaje aplicado al gate. Si un voltaje VGS es aplicado al gate, el IGBT enciende
inmediatamente, la corriente ID es conducida y el voltaje VDS se va desde el valor de bloqueo
hasta cero. LA corriente ID persiste para el tiempo tON en el que la señal en el gate es aplicada.
Para encender el IGBT, la terminal drain D debe ser polarizada positivamente con respecto a la
terminal S. LA señal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado al gate G. Este
voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15, puede causar que el
tiempo de encendido sea menor a 1 s, después de lo cual la corriente de drain iD es igual a la
corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene
así por una señal de voltaje en el gate. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la
disipación de potencia en el gate es muy baja.

EL IGBT se apaga simplemente removiendo la señal de voltaje VG de la terminal gate. La

transición del estado de conducción al estado de bloqueo puede tomar apenas 2 micro segundos,
por lo que la frecuencia de conmutación puede estar en el rango de los 50 kHz.

EL IGBT requiere un valor límite VGS(TH) para el estado de cambio de encendido a apagado y
viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VDS cae a un valor bajo
cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido se mantiene bajo, el gate debe tener
un voltaje arriba de 15 V, y la corriente iD se autolimita.

El IGBT se aplica en controles de motores eléctricos tanto de corriente directa como de

corriente alterna, manejados a niveles de potencia que exceden los 50 kW.

Aplicaciones Mosfet.

La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS,

consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios. Las aplicaciones de
MOSFET discretos más comunes son: • Resistencia controlada por tensión. • Circuitos de
conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc). • Mezcladores de frecuencia, con
MOSFET de doble puerta.

Aplicaciones BJT

la más usada es el uso del transistor NPN como interruptor electrónico, para este
funcionamiento, el transistor debe de operar en las zonas llamadas corte y saturación.

Aplicaciones IGBT

El IGBT es un dispositivo electrónico que generalmente se aplica a circuitos de

potencia. Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión

Se usan en los Variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en maquinas

eléctricas y convertidores de potencia que nos acompañan cada día y por todas
partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso: Automóvil, Tren, Metro,
Autobús, Avión, Barco, Ascensor, Electrodoméstico, Televisión, Domótica, Sistemas
de Alimentación Ininterrumpida o SAI (en Inglés UPS), etc..

CONVERTIDORES DC-DC POR TROCEADORES:

CONVERTIDORES ELEVADORES.

Generalmente los sistemas alimentados por baterías necesitan apilar varias baterías en serie para
aumentar la tensión. Sin embargo a veces no es posible conectar varias baterías en serie por
razones de peso o espacio. Los convertidores Boost pueden incrementar el voltaje y reducir el
número de pilas.

Algunas aplicaciones que usan convertidores Boost son vehículos híbridos (por ejemplo el
Toyota Prius) y sistemas de alumbrado.

CONVERTIDORES REDUCTORES-ELEVADORES

La principal aplicación de un convertidor reductor/elevador es en fuentes de energía CC

reguladas, donde puede preferirse una salida de polaridad negativa respecto de la terminal
común del voltaje de entrada, y donde el voltaje de salida puede ser más alto o más bajo que el
voltaje de entrada.

INVERSORES:

Un inversor simple consta de un oscilador que controla a un transistor, el cual se utiliza para
interrumpir la corriente entrante y generar una onda rectangular.

Esta onda rectangular alimenta a un transformador que suaviza su forma, haciéndola parecer un
poco más una onda senoidal y produciendo la tensión de salida necesaria. La forma de onda de
salida de la tensión de un inversor ideal debería ser sinusoidal. Una buena técnica para lograr
esto es utilizar la técnica de PWM logrando que la componente principal senoidal sea mucho
más grande que las armónicas superiores.

Los inversores más modernos han comenzado a utilizar formas más avanzadas de transistores o
dispositivos similares, como los tiristores, los triac , IGBT y MOSFETS.
La Fig. 1 muestra un inversor monofásico VSI (Voltage Source Inverter) acoplado a la red
eléctrica a través de una bobina de acople (Lr). El inversor está compuesto por un bus DC y un
puente H de dos ramas. Cada rama contiene dos interruptores que conmutan de acuerdo a la
estrategia de control, para este artículo se considera un control de banda de histéresis de
corriente. Cada interruptor del puente H está compuesto por un IGBT (Q1, Q2, Q3 y Q4) y un
diodo en antiparalelo (D1, D2, D3 y D4). El disparo de los interruptores se realiza mediante
señales digitales en las puertas G1, G2, G3, y G4. El inversor convierte la tensión DC del bus de
continua en corriente alterna AC inyectando corriente a la red eléctrica.

La tensión de red eléctrica se modela mediante la fuente Vred. La carga de la red eléctrica se
modela mediante la resistencia Rc y la inductancia Lc. La fuente Vred debe suministrar a la
carga las corrientes necesarias para satisfacer sus necesidades energéticas. Para la resistencia
Rc, la fuente debe suministrar una corriente que esté en fase con la tensión Vred (corriente
activa). Mientras que para la inductancia Lc, la fuente debe suministrar una corriente que está en
cuadratura con Vred (corriente reactiva). Cuando se cierra el interruptor Qred, el inversor se
conecta a la red inyectando corriente. El inversor puede inyectar corriente activa o corriente
reactiva o una combinación de ambas. Normalmente, los inversores conectados a la red eléctrica
deben inyectar corriente activa. Sin embargo, para algunas aplicaciones, deben inyectar
corriente reactiva (en este caso el inversor funciona como compensador de potencia reactiva).
Cuando el inversor inyecta corriente, el inversor debe suplir parte de las necesidades energéticas
de la carga disminuyendo las corrientes suministradas por la red eléctrica. Para este artículo, se
considera el caso para el control de banda de histéresis de corriente en el que el inversor debe
inyectar corriente reactiva a la red. La inyección de otras corrientes (activas, no fundamentales y
desequilibradas) puede extrapolarse fácilmente mediante la siguiente explicación.

Cada interruptor está compuesto por un IGBT y un diodo en antiparalelo. Debido a las
características de los semiconductores de cada interruptor, los IGBTs permiten la circulación de
corriente de arriba hacia abajo y los diodos permiten la conducción de corriente de abajo hacia
arriba, ver Fig. 1. La circulación de corriente a través de los IGBTs se da cuando tienen señal en
la puerta, los IGBTs de una misma rama no deben estar cerrados simultáneamente porque
pondrían en corto al bus DC. La circulación de corriente a través de los diodos se da cuando los
diodos se polarizan directamente y los IGBTs no tienen señal en la puerta. En la Fig. 1 se
ilustran las referencias para: el voltaje para la fuente (Vred), la bobina (Lr) y el bus DC (Vdc)\
también muestra la referencia para la corriente del inversor (entrando al nodo a del inversor).
EN FUNCIÓN DE LAS CARACTERÍSTICAS DE LA SEÑAL DE ENTRADA LOS
INVERSORES SE CLASIFICAN EN:

 Aimentadosen tensión o alimentados en corriente. Si la fuente de entrada tiene un

comportamiento aproximadamente equivalente al de una fuente de tensión ideal se dice
que el inversor está alimentado en tensión. Si la fuente de entrada se puede aproximar
mediante una fuente de corriente se dice que el inversor está alimentado en corriente.
Las características eléctricas y la configuración de la etapa de potencia varían
notablementeentre estos dos tipos de inversores.
 Otra clasificación de los inversores puede hacerse en función del número de fases de la
señal de salida, de este modo cabe distinguir entre: inversores monofásicos e inversores
trifásicos.