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EL42A - Circuitos Electrónicos

Clase No. 17: Circuitos Amplificadores Lineales (5)

Patricio Parada
pparada@ing.uchile.cl

Departamento de Ingeniería Eléctrica


Universidad de Chile

8 de Octubre de 2009

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Contenidos

Configuraciones para Amplificadores MOSFET


Configuración de Fuente Común
Configuración de Drenaje Común
Configuración de Compuerta Común
Aplicaciones en Circuitos Integrados

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Amplificador de Fuente Común con Resistencia en la Fuente I

▶ Al igual que en el caso del amplificador bipolar con emisor común, el


amplificador de fuente común tiene problemas de inestabilidad con
respecto a los parámetros del transistor.
▶ La combinación de la curva de carga con la característica del transistor
nos permite definir que el punto de operación del circuito es

𝑉𝐷𝑆𝑄 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝑅𝐷 𝐾𝑛 (𝑉𝐺𝑆𝑄 − 𝑉𝑡 )2

𝑅2
donde 𝑉𝐺𝑆𝑄 = 𝑉𝐷𝐷 .
𝑅1 + 𝑅2

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Amplificador de Fuente Común con Resistencia en la Fuente II

▶ La sensibilidad del punto de operación con respecto de los parámetros


del transistor es fácil de calcular:
∂𝑉𝐷𝑆𝑄 2
= −𝑅𝐷 𝑉𝑂𝑉 (1)
∂𝐾𝑛
∂𝑉𝐷𝑆𝑄
= 2𝐾𝑛 𝑅𝐷 𝑉𝑂𝑉 . (2)
∂𝑉𝑡
▶ Para mejorar la condición de estabilidad del punto de operación del
circuito, que es que ambas derivadas sean lo más pequeñas posibles,
uno puede incorporar la resistencia 𝑅𝑆 entre fuente y tierra.
▶ La incorporación de esta resistencia hace relevante la consideración del
efecto substrato (body effect), pues el terminar del cuerpo del
transistor estará a una tensión distinta a la fuente.
▶ Nuestro análisis despreciará este efecto por el momento.

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Amplificador de Fuente Común con Resistencia en la Fuente III

▶ En la figura mostramos el
circuito de fuente común
modificado.
▶ Para determinar la ganancia de
voltaje del circuito utilizaremos
el modelo para pequeña señal
asociado al NMOS.
▶ Incluiremos el efecto Early
modelado mediante la resistencia
𝑟𝑜 entre D y S.

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Amplificador de Fuente Común con Resistencia en la Fuente IV

Podemos plantear 4 ecuaciones para determinar 𝑉𝑜 en función de 𝑉𝑖 :

𝑉𝑖 = 𝑉𝐺𝑆 + 𝑉𝑆
𝑉𝑜 = 𝑉𝐷𝑆 + 𝑉𝑆
𝑉𝑆 𝑉𝐷
=−
𝑅𝑆 𝑅𝐷
𝑉𝐷𝑆 𝑉𝑆
𝑔𝑚 𝑉𝐺𝑆 + =
𝑟𝑜 𝑅𝑆

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Amplificador de Fuente Común con Resistencia en la Fuente V

▶ Combinando las ecuaciones obtenemos


𝑉𝑜 − 𝑉𝑆 1
𝑔𝑚 (𝑉𝑖 − 𝑉𝑆 ) + =− 𝑉𝑜 .
𝑟𝑜 𝑅𝐷
▶ Reordenando términos
( )
𝑅𝑆 1 𝑅𝑆 1
𝑔𝑚 + + + = −𝑔𝑚 𝑉𝑖 .
𝑅𝐷 𝑟𝑜 𝑅𝐷 𝑟𝑜 𝑅𝐷

1 1 1
▶ Recordando que + = , tenemos
𝑟𝑜 𝑅𝐷 𝑟𝑜 ∥ 𝑅𝐷

𝑔𝑚 (𝑟𝑜 ∥ 𝑅𝐷 )
𝐴𝑣 = − . (4)
𝑅𝑆 𝑟𝑜 ∥ 𝑅𝐷
1+
𝑅𝐷 1/𝑔𝑚 ∥ 𝑟𝑜

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Amplificador de Fuente Común con Resistencia en la Fuente VI

▶ En el caso que 𝑟𝑜 → ∞, la expresión se simplifica aun más,


considerando que

𝑟𝑜 ∥ 𝑅𝐷 → 𝑅𝐷
𝑟𝑜 ∥ 1/𝑔𝑚 → 1/𝑔𝑚 .

▶ Luego
𝑔𝑚 𝑅𝐷
𝐴𝑣 = − . (5)
1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑆
▶ Es evidente, en ambos casos, que la incorporación de la resistencia 𝑅𝑆
tiene un costo operacional en términos de una menor ganancia de
amplificación.
▶ En general, el término 𝑔𝑚 𝑅𝑆 >> 1, por lo que la ganancia 𝐴𝑣 tiende
asintóticamente a
𝑅𝐷
𝐴𝑣 → − .
𝑅𝑆

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Amplificador de Fuente Común con Resistencia en la Fuente VII

▶ La disminución de la ganancia de voltaje


del amplificador puede ser
contrarrestada incluyendo un
condensador 𝐶𝑆 en paralelo a 𝑅𝑆 .
▶ De esta forma se logra estabilizar el
punto de operación y tener una “buena”
ganancia de voltaje.
▶ Una solución más sofisticada considera
estabilizar la corriente utilizando una
fuente de corriente 𝐼𝑄 en el terminal de
fuente.

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Amplificador de Drenaje Común
▶ La configuración de drenaje común toma su salida del terminal de
fuente en lugar del drenado.
▶ Recibe el nombre de seguidor de fuente, porque su ganancia de
voltaje es cercana a 1.
▶ La configuración típica es

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Amplificador de Drenaje Común: Análisis AC I

▶ Nos concentraremos en el análisis AC, tal como lo hicimos con el


amplificador de fuente común.

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Amplificador de Drenaje Común: Análisis AC II

▶ Tenemos
𝑅1 ∥ 𝑅2
𝑉in = 𝑉𝑖
𝑅𝑆𝑖 + 𝑅1 ∥ 𝑅2
𝑉in = 𝑉𝑔𝑠 + 𝑉𝑜 ⇒ 𝑉𝑔𝑠 = 𝑉in − 𝑉𝑜
𝑉𝑜 = 𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠 (𝑟𝑜 ∥ 𝑅𝑆 ).

▶ Por lo tanto,
𝑟𝑜 ∥ 𝑅𝑆 𝑅1 ∥ 𝑅2
𝑉𝑜 = 1 𝑉𝑖 (6)
𝑔𝑚+ 𝑟𝑜 ∥ 𝑅𝑆 𝑅𝑆𝑖 + 𝑅1 ∥ 𝑅2
| {z }
𝐴𝑣𝑜

▶ La ganancia de voltaje total del amplificador es siempre menor que 1,


lo que es consistente con el resultado para amplificadores bipolares de
colector común.
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Ejemplo

Ejemplo de Diseño

Diseñe un circuito seguidor de fuente


utilizando un PMOS mejorado, y
siguiente las siguientes
especificaciones:
▶ 𝑉𝑆𝐷𝑄 = 10 V
▶ 𝐼𝐷𝑄 = 2,5 mA
▶ 𝑅𝑖 = 50 kΩ
▶ 𝐴𝑣 = 0,90.
El PMOS tiene 𝑉𝑡𝑝 = −2 V,
𝑘𝑝′ = 40 𝜇A/V2 y 𝜆 = 0. En el
circuito 𝑉𝐷𝐷 = 20 V y 𝑅𝑠𝑖 = 4 kΩ.

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Solución I

▶ Comenzamos diseñando la polarización del circuito:

𝑉𝐷𝐷 = 𝑅𝑆 𝐼𝐷𝑄 + 𝑉𝑆𝐷𝑄


𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝑆𝐷𝑄 20 − 10
⇒ 𝑅𝑆 = = = 4 kΩ.
𝐼𝐷𝑄 0,0025

▶ La ganancia de voltaje es

𝑔𝑚 𝑅𝑆 𝑅1 ∥ 𝑅2
𝐴𝑣 =
1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑆 𝑅𝑆𝑖 + 𝑅1 ∥ 𝑅2

pero 𝑅𝑖 = 𝑅1 ∥ 𝑅2 , por lo tanto

𝑅𝑆𝑖 + 𝑅𝑖
𝑔𝑚 = ( 𝑅𝑖 ) = 8,68 mA/V.
𝑅𝑆 𝐴𝑣 − (𝑅𝑆𝑖 + 𝑅𝑖 )

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Solución II

▶ Pero 𝑔𝑚 = 2 𝐾𝑝 𝐼𝐷𝑄 , por lo que

1 ′𝑊 𝑔2
𝑘𝑝 = 𝑚
2 𝐿 4𝐼𝐷𝑄
𝑊 𝑔𝑚2
⇒ =
𝐿 2𝐼𝐷𝑄 𝑘𝑝′
= 376,7.
▶ Con este valor podemos calcular 𝑉𝑆𝐺𝑄 , que al final nos servirá para
determinar 𝑅1 y 𝑅2 :
𝐼𝐷𝑄 = 𝐾𝑝 (𝑉𝑆𝐺𝑄 − 𝑉𝑡𝑝 )2
{
+1,424
𝑉𝑆𝐺𝑄 =
+2,576
▶ Elegimos la segunda raíz porque 𝑉𝑆𝐺𝑄 > ∣𝑉𝑡𝑝 ∣ para que el transistor
esté encendido.
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Solución III

▶ Finalmente, determinaremos 𝑅1 y 𝑅2 :
𝑅1 𝑅𝑖
𝑉𝐷𝐷 = 𝑉𝐷𝐷 = 𝑅𝑆 𝐼𝐷𝑄 + 𝑉𝑆𝐺𝑄
𝑅1 + 𝑅2 𝑅2
𝑅𝑖 𝑉𝐷𝐷
𝑅2 =
𝑅𝑆 𝐼𝐷𝑄 + 𝑉𝑆𝐺𝑄
= 79,5 kΩ.

▶ 𝑅1 lo calculamos reemplazando en
( )−1
1 1
𝑅1 = −
𝑅1 ∥ 𝑅2 𝑅2
= 134,7 kΩ

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Resistencias de Entrada y Salida

▶ Para determinar las resistencias de entrada y salida podemos utilizar el


siguiente circuito para pequeña señal:

▶ Resulta directo ver que, aunque la impedancia de entrada del


MOSFET es idealmente infinita, la resistencia de entrada es

𝑅𝑖 = 𝑅1 ∥ 𝑅2 . (7)

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Resistencias de Entrada y Salida II
▶ La resistencia de salida la podemos calcular a partir del siguiente
circuito:

▶ Podemos plantear LCK en el colector:


𝑉𝑥 𝑉𝑥
𝐼𝑥 = + − 𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠 .
𝑟𝑜 𝑅𝑠
▶ Notamos que 𝑉𝑔𝑠 = −𝑉𝑜 , por lo que
1
𝑅𝑜 = ∥ 𝑅𝑠 ∥ 𝑟𝑜 . (8)
𝑔𝑚
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Configuración de Compuerta Común I
▶ Consideremos el circuito donde el terminal compuerta es común a la
entrada y salida.

▶ La polarización del transistor se hace en forma directa mediante la


fuente de corriente 𝐼𝑄 .
▶ La resistencia 𝑅𝐺 protege la compuerta del MOSFET, evitando la
acumulación de carga electrostática.
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Configuración de Compuerta Común II
▶ El condensador 𝐶𝐺 permite que la compuerta tenga la misma tierra
que la señal 𝑣𝑖 .
▶ El circuito equivalente para pequeña señal es el siguiente

▶ Vemos que

𝑉𝑜 = −𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠 (𝑅𝐷 ∥ 𝑅𝐿 )

𝑉𝑖 = 𝐼𝑖 𝑅𝑆𝑖 − 𝑉𝑔𝑠 .
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Configuración de Compuerta Común III
▶ Pero 𝐼𝑖 = −𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠 . Luego
𝑉𝑖
𝑉𝑔𝑠 = −
1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑆𝑖
▶ La ganancia de amplificación de voltaje es
𝑉𝑜 𝑔𝑚 𝑅𝐷 ∥ 𝑅𝐿
𝐴𝑣 = = . (9)
𝑉𝑖 1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑆𝑖
▶ La ganancia de corriente se puede determinar del siguiente circuito

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Configuración de Compuerta Común IV
▶ La corriente 𝐼𝑜 se puede determinar del divisor de corriente en la carga:
𝑅𝐷
𝐼𝑜 = − 𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠 .
𝑅𝐷 + 𝑅𝐿
▶ En la fuente (S) tenemos
𝑉𝑔𝑠
𝐼𝑖 + 𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠 + =0
𝑅𝑆𝑖
▶ Despejando obtenemos
𝑅𝑆𝑖
𝑉𝑔𝑠 = −𝐼𝑖 .
1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑆𝑖
▶ Finalmente, la ganancia de corriente es
𝐼𝑜 𝑅𝐷 𝑔𝑚 𝑅𝑆𝑖
𝐴𝑖 = = . (10)
𝐼𝑖 𝑅𝐷 + 𝑅𝐿 1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑆𝑖
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Resistencia de Entrada y Salida

▶ Resulta directo ver que


𝑉𝑔𝑠
𝑅𝑖 = −
𝐼𝑖
▶ Pero 𝐼𝑖 = −𝑔𝑚 𝑉𝑔𝑠 . Luego

1
𝑅𝑖 = . (11)
𝑔𝑚
▶ La resistencia de salida la podemos determinar directamente, ya que
𝑉𝑔𝑠 = 0, por lo que
𝑅𝑜 = 𝑅𝐷 . (12)

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Amplificador NMOS Integrados

▶ Vamos a considerar una aplicación bastante frecuente de encontrar en


amplificadores implementados mediante circuitos integrados.
▶ En todas estas aplicaciones veremos que el circuito amplificador tiene
una carga activa, esto es, la carga del circuito es un transistor.
▶ Estudiaremos tres tipos de amplificadores con cargas activas:
▶ Amplificadores NMOS con carga mejorada.
▶ Amplificadores NMOS con carga empobrecida.
▶ Amplificadores NMOS con carga PMOS.

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Amplificadores NMOS con Carga Mejorada I

▶ En el circuito distinguiremos dos


elementos:
▶ El transistor amplificador o driver, 𝑀𝐷
▶ El transistor carga o load 𝑀𝐿 .
▶ Podemos ver inmediatamente que el
transistor 𝑀𝐿 está saturado porque

𝑣𝐺𝑆𝐿 = 𝑣𝐷𝑆𝐿 > 𝑣𝐷𝑆𝐿 (sat) = 𝑣𝐺𝑆𝐿 −𝑉𝑡𝐿 .

▶ Ello simplifica la expresión de la


corriente 𝑖𝐷𝐿 :

𝑖𝐷𝐿 = 𝐾𝑛𝐿 (𝑣𝐺𝑆𝐿 − 𝑉𝑡𝐿 )2 (13)

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Amplificadores NMOS con Carga Mejorada II

▶ El driver del circuito se rige por las expresiones habituales de


voltaje-corriente:
{
𝐾𝑛𝐷 [2(𝑣𝐺𝑆𝐷 − 𝑉𝑡𝐷 )𝑣𝐷𝑆𝐷 − 𝑣𝐷𝑆𝐷 2 ] 𝑣𝐷𝑆𝐷 < 𝑣𝐷𝑆𝐷 (sat).
𝑖𝐷𝐷 = 2
𝐾𝑛𝐷 (𝑣𝐺𝑆𝐷 − 𝑉𝑡𝐷 ) 𝑣𝐷𝑆𝐷 ≥ 𝑣𝐷𝑆𝐷 (sat).
(14)
▶ La curva de carga se puede obtener del loop de carga:

𝑉𝐷𝐷 = 𝑣𝐷𝑆𝐿 + 𝑣𝐷𝑆𝐷

▶ Como 𝑖𝐷𝐿 = 𝑖𝐷𝐷 = 𝑖𝐷 , y 𝑣𝐷𝑆𝐿 = 𝑣𝐺𝑆𝐿 , podemos escribir



𝑖𝐷
𝑣𝐷𝑆𝐿 = + 𝑉𝑡𝐿 . (15)
𝐾𝑛𝐿

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Amplificadores NMOS con Carga Mejorada III

▶ Luego, la curva de carga es



𝑖𝐷
𝑣𝐷𝑆𝐷 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝑡𝐿 − . (16)
𝐾𝑛𝐿
▶ Los cortes de la curva de carga con los ejes se producen en

𝑖𝐷 = 0 :𝑣𝐷𝑆𝐷 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝑡𝐿


𝑣𝐷𝑆𝐷 = 0 :𝑖𝐷 (max) = 𝐾𝑛𝐿 (𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝑡𝐿 )2 .

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Amplificadores NMOS con Carga Mejorada IV

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Amplificadores NMOS con Carga Mejorada V
▶ La curva de transferencia de voltaje puede ser utilizada para ver las
características de amplificación del circuito completo:

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