UNIVERSIDAD TÉCNICA DE AMBATO

Facultad de Ingeniería en Sistemas, Electrónica e Industrial

Tema:

Practica no 1 dispositivos semiconductores”

Carrera:

Ingeniería Industrial en procesos de automatización

Unidad de Organización Curricular:

Profesional

Ciclo Académico y Paralelo:

Quinto “A”

Alumnos participantes:

Paucar Gallo Erick Darío

Sánchez Mera Alan Jhoel

Módulo y Docente:

Electrónica de Potencia. Ing. Franklin Salazar

TEMA

PRACTICA No 1 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES”

OBJETIVOS

OBJETIVO GENERAL

 Descubrir el funcionamiento de un diodo semiconductor e interpretar su curva

característica

OBJETIVOS ESPECIFICOS

 Identificar las terminales de distintos tipos de diodos mediante el multímetro

 Determinar el estado del diodo (conducción) aplicando las polarización directa
e inversa
 Construir la curva característica (real) de los diodos semiconductores

INTRODUCCION

Unas cuantas décadas que han seguido a la introducción del transistor, hacia finales de los años
cuarenta, han sido testigos de un cambio asombroso en la industria de la electrónica. La
miniaturización que se ha lograda nos ha dejado sorprendidos de sus alcances. Sistemas
completos aparecen ahora sobre una oblea de silicio, miles de veces más pequeña que un solo
elemento de las redes iniciales. El tipo más simple de dispositivo constituido como un
semiconductor es el diodo que desempeña un papel importante en los sistemas electrónicos;
Con sus características que son muy similares a la de un interruptor, aparece en una amplia
variedad de aplicaciones que van desde las más sencillas a las más complejas.

El diodo semiconductor se forma uniendo un material tipo P con uno tipo N, construidos de la
misma base: germanio (Ge) o silicio (Si), mediante técnicas especiales. En el momento en que
son unidos los dos materiales, los electrones y los huecos en la región de la unión se combinan,
dando por resultado una falta de portadores en la región cercana a la unión. A esta región de
iones positivos y

negativos descubiertos se le llama región de agotamiento o de empobrecimiento, o barrera de

unión, debido a la disminución de portadores en ella.

En la figura 1, se muestra el símbolo y el aspecto físico de un diodo rectificador, la flecha que

simboliza el ánodo representa la dirección del "flujo convencional de corriente y el cátodo se
identifica con una banda en los diodos pequeños.
La aplicación de un voltaje a través de sus terminales permite tres posibles polarizaciones: Sin
polarización (VD=0); Polarización directa (VD>0) y Polarización inversa (VD<0 .)

Un diodo semiconductor tiene polarización inversa cuando se asocia el material tipo P a un

potencial negativo y el material tipo N a un potencial positivo.

La polarización directa se da cuando se aplica un voltaje positivo al material tipo P y un potencial

negativo al material tipo N.

A la corriente que existe bajo las condiciones de polarización inversa se le llama corriente de
saturación inversa (IS). Mediante el empleo de la física del estado sólido se ha llegado a
encontrar que la corriente a través del diodo semiconductor es una función del voltaje aplicado
entre sus terminales, de la siguiente manera:

ID: es la corriente en el diodo, medida en amperes. IS: es el valor de la corriente de saturación

inversa, es del orden de los nanoamperes o de microamperes. K: es una constante que depende
también del material del dispositivo, 11600/η con η=1 para Ge y η=2 para Si. T: es la temperatura
ambiente expresada en °K, (°K = °C + 273).

MATERIALES Y METODOLOGIA

EXPERIMENTACION

MATERIAL

 4 Diodo de Silicio IN4001 o IN4004

 4 Diodos Zener a 9 volts.
 2 Diodos de Germanio 0A90.
 4 LED de diferente color
 1 Resistor de 220 Ω a ½ W
 1 Resistor de 1 kΩ a ½ W
 1 Resistor variable de 10 k Ω
DESARROLLO EXPERIMENTAL
EXPERIMENTO 1. IDENTIFICACIÓN DE TERMINALES Y PRUEBA DE DIODOS.

a) Por observación, identifique el Ánodo y Cátodo de los distintos diodos que está
utilizando, dibuje y anote sus observaciones.
Silicio IN4001 o IN4004.
 b) Empleando un “MULTIMETRO ANALÓGICO”, como primera prueba, en la función de
“OHMS” compruebe el inciso anterior, conectando el ohmetro en los extremos del
diodo en polarización directa y polarización inversa, como se indica en la figura 1,
reportando en cada caso la resistencia medida:

Polarización Directa
 Polarización inversa

EXPERIMENTO 2. CURVA CARACTERISTICA DE UN DIODO SEMICONDUCTOR.

a) Arme el circuito que se muestra en la figura 2, utilizando un diodo de Silicio,
Verificando que los instrumentos se conecten en la polaridad indicada.

b) Partiendo de cero volts, aumente gradualmente la tensión de la fuente V1 en

incrementos de 0.1 volts hasta que el diodo alcance su voltaje de conducción, anote
los valores de VD e ID, en la tabla 1.
 VD (mV) ID (uA)
0.1 100 0.306
0.2 200 2.47
0.3 300 17.5
0.4 400 121.2
0.5 500 837.84
0.6 600 5770
0.7 700 38880

c) Invierta la polaridad del diodo y repita el inciso anterior.

VD (mV) ID (nA)
0. -100 -45.57
1
0.2 -200 -52.25
0. -300 -53.30
3
0.4 -400 -53.54
0. -500 -53.66
5
0.6 -600 -53.76
0. -700 -53.8
7
d) Realice el procedimiento del inciso b, con una de carga RL de 1 KΩ, como se muestra
en la figura 3, mida el voltaje del diodo VD, la corriente ID, registre sus datos en la
tabla 2
 VD (mV) ID (uA)
0.1 99.68 319.18
nA
0.2 197.62 2.36
0.3 286.52 13.43
0.4 352.05 48.01
0.5 393.96 106.63
0.6 420.33 179.63
0.7 439.54 260.34

e) Repita el inciso b y c, empleando el Diodo Emisor de Luz (LED), como se muestra en la

figura 3 y anote las mediciones en la tabla 4

POLARIZACIÓN DIRECTA

MV MA
0,1 100 13,87
0,2 200 0
0,3 300 0
0,4 400 0,055
0,5 499,99 0
0,6 599,99 0,111
0,7 699,99 0
POLARIZACIÓN INVERSA

MV PA
0,1 -100 -100,1
0,2 -200 -200,2
0,3 -300 -300,3
0,4 -400 -400,4
0,5 -499,99 -500,4
0,6 -599,99 -
6000,509
0,7 -699,99 -700,69
f) Construya las gráficas de la curva característica de los diodos en polarización directa
con los valores obtenidos de las tablas anteriores.

POLARIZACIÓN DIRECTA

g) Arme el circuito de la figura 4, utilizando un diodo de Germanio

EXPERIMENTO 3. CARACTERIZACIÓN DE UN DIODO ZENER EN
POLARIZACIÓN INVERSA.
a) Seleccione el diodo Zener de 10 volts y construya el circuito que se muestra
en la figura 5.

b) Partiendo de 0 volts, realice incrementos de voltaje en la fuente V1 hasta

alcanzar los 15 volts, y obtenga los valores VAB indicados en la parte superior
de la tabla 4 y anote los valores de la corriente ID correspondiente a cada
voltaje VAB indicado.

Fuente Vab
0 21.996 nV
1 999.990 mV
2 2.000 V
3 3.000 V
4 4.000 V
5 5.000 V
6 6.000 V
7 7.000 V
8 8.000 V
9 9.000 V
10 9.750 V
11 9.752 V
12 9.754 V
13 9.756 V
 14 9.758 V
15 9.760 V

c) Partiendo de 0 volts, realice incrementos de voltaje en la fuente V1 hasta

alcanzar los 15 volts, y obtenga los valores ID indicados en la parte media de
la tabla 4 y anote los valores de voltaje VAB correspondiente a cada valor de
la corriente ID indicado.

Fuente ID
0 21.99600 pA
1 10.19200 Na
2 20.42800 Na
3 30.64200 Na
4 40.85600 Na
5 51.07000 Na
6 61.28400 Na
7 71.49800 Na
8 81.71200 Na
9 91.83800 Na
10 250.13800 Ua
11 1.24800 Ma
12 2.24600 Ma
13 3.24400 Ma
14 4.24200 Ma
15 5.24000 Ma
EXPERIMENTO 4. CARACTERIZACIÓN DE UN DIODO ZENER EN
POLARIZACIÓN DIRECTA
a) Arme el circuito como se muestra en la figura 5.

b) Partiendo de 0 volts, realice incrementos de voltaje en la fuente V1 hasta

alcanzar los 15 volts, obtenga los valores VAB indicados en la parte superior de
la tabla 5, anote los valores de corriente ID correspondiente a cada valor de
voltaje VAB indicado y obtenga el valor de la resistencia del diodo RZ.

VAB [V] 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 1

ID [mA] 0 0 0 0 0 1.495 4.467 9.448
Rz [Ω] 0 0 0 0 0 334.44 134.31 105.84
EXPERIMENTO 5. CARACTERICAS DEL DIODO DE GERMANIO EN FRECUENCIAS
ALTAS
a) Utilice el diodo de Germanio y construya el circuito que se muestra en la figura
6.

b) Ajuste la salida del generador a una señal senosoidal de 5 Vpp, partiendo de

10 Hz, realice incrementos en la frecuencia hasta un máximo de 20 MHz.
c) Con el osciloscopio, observe y registre el voltaje pico de la señal de salida
obtenida en la resistencia, realice 10 lecturas a diferentes frecuencias.

Lectura 1: Lectura 2:

Lectura 3: Lectura 4:
 Lectura 5: Lectura 6:

Lectura 7: Lectura 8:

Lectura 9: Lectura 10:

d) Remplace el diodo de germanio por el diodo de Silicio y repita los incisos b y c,
anote sus observaciones para cada caso.
 CUESTIONARIO

1.- ¿Qué son los materiales semiconductores intrínsecos y extrínsecos?

Semi conductor intrínsecos

Es un semiconductor puro. A temperatura ambiente se comporta como un aislante porque solo
tiene unos pocos electrones libres y huecos debidos a la energía térmica.
Semi conductor extrínsecos
Es el que está impurificado con impurezas "Donadoras", que son impurezas pentavalentes. Como
los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n, reciben el nombre de "portadores
mayoritarios", mientras que a los huecos se les denomina "portadores minoritarios".
2.- ¿Qué significa polarización directa y polarización inversa de un diodo?
Polarización directa
Es cuando la corriente que circula por el diodo sigue la ruta de la flecha (la del diodo), o sea del
ánodo al cátodo. En este caso la corriente atraviesa el diodo con mucha facilidad comportándose
prácticamente como un corto circuito.

Polarización inversa
Es cuando la corriente en el diodo desea circular en sentido opuesto a la flecha (la flecha del
diodo), o sea del cátodo al ánodo. En este caso la corriente no atraviesa el diodo, y se comporta
prácticamente como un circuito abierto [1].
3.- ¿Cuál es la importancia de los semiconductores?
Son elementos, como el germanio y el silicio, que a bajas temperaturas son aislantes. Pero a
medida que se eleva la temperatura o bien por la adicción de determinadas impurezas resulta
posible su conducción. Su importancia en electrónica es inmensa en la fabricación de
transistores, circuitos integrados.
4.- Mencione tres ventajas de los dispositivos semiconductores.
 Los dispositivos hechos con material semiconductores suelen conocerse como
componentes de estado sólido. Estos componentes son más robustos que los tubos de
vacío que se construían de vidrio, metal y materiales cerámicos.
 Los dispositivos semiconductores operan con voltajes muy pequeños.
 El pequeño tamaño de los dispositivos semiconductores los hace muy apropiados para
uso en equipo portátil, además de que son mucho más económicos que los tubos de
vacío.
5.- Explique qué pasa si se aumenta el voltaje de polarización inversa a un diodo
semiconductor y se tiene una sobrecarga.
Si se aumenta el voltaje el diodo llega a si tensión inversa de ruptura, la cual es la máxima tensión
en sentido inverso que puede soportar un diodo sin entrar en conducción; esta tensión para un
diodo rectificador es destructiva, por ello cuando se diseña un circuito siempre se utiliza un factor
de seguridad que no está determinado, sino que depende del diseñador.
6.- Investigue cuatro tipos de diodos y describa el funcionamiento brevemente.
Diodo Zener: Es un tipo especial de diodo, que siempre se utiliza polarizado inversamente. Hay
que recordar que los diodos comunes, como el diodo rectificador (en donde se aprovechan sus
características de polarización directa y polarización inversa), conducen siempre en el sentido de
la flecha.

Diodo LED: Es un dispositivo semiconductor que emite luz incoherente de espectro reducido
cuando se polariza de forma directa la unión PN en la cual circula por él una corriente eléctrica.
Este fenómeno es una forma de electroluminiscencia, el LED es un tipo especial de diodo que
trabaja como un diodo común, pero que al ser atravesado por la corriente eléctrica, emite luz, este
dispositivo semiconductor está comúnmente encapsulado en una cubierta de plástico de mayor
resistencia que las de vidrio que usualmente se emplean en las lámparas incandescentes.
Diodo Schottky o diodo de barrera Schottky: llamado así en honor del físico alemán Walter H.
Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rápidas entre los
estados de conducción directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeños de 5 mm de
diámetro) y muy bajas tensiones umbral (también conocidas como tensiones de codo, aunque en
inglés se refieren a ella como "knee", o sea, de rodilla).

Diodo Rectificador: Son circuitos que sirven para convertir la corriente alterna (como la de los
enchufes de tu casa) en corriente directa (como la de las baterías). En general, casi todos los
aparatos eléctricos funcionan con corriente directa y, dado que en las casas solo hay corriente
alterna, es necesario convertirla a corriente directa para que funcionen los equipos. Esta
conversión se hace internamente en los aparatos y ahí es donde se utilizan los diodos
rectificadores.

7.- Describa el comportamiento de un diodo ideal

El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulación de corriente entre sus
terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido contrario. El
funcionamiento del diodo ideal es el de un componente que presenta resistencia nula al paso de
la corriente en un determinado sentido, y resistencia infinita en el sentido opuesto.
8.- Explique cómo afecta la temperatura a un material semiconductor.

Aumenta la conductividad al producirse espontáneamente pares electrón-hueco. Los electrones

de la banda de valencia al aumentar la temperatura pueden adquirir la energía suficiente para
saltar a la banda de conducción. Al existir mayor número de electrones/huecos, aumenta la
capacidad para transmitir una corriente eléctrica.
9.- Explique que es la región ZENER

Es la zona operativa de un diodo Zener, una vez que se llega a un determinado voltaje, llamado
voltaje o tensión de Zener (Vz), el aumento del voltaje (siempre negativamente) es muy pequeño,
pudiendo considerarse constante. Para este voltaje, la corriente que atraviesa el diodo Zener,
puede variar en un gran rango de valores. A este rango se le llamara Región Zener.
10.- ¿Qué es resistencia estática y resistencia dinámica?

Resistencia estática: Mide la oposición que presenta el diodo al paso de la corriente continua
(CC). A partir de la ley de Ohm, la resistencia estática de un diodo se expresa en la forma
siguiente:
Restática = V/I.
Resistencia dinámica: se define como la oposición que presenta el diodo al paso de una señal
alterna o variable en el tiempo.
11.- Describa la electroluminiscencia en un LED

Electroluminiscencia en un LED: La electroluminiscencia se da cuando, estimulados por un

diferencial de voltaje en directo sobre sus terminales, las cargas eléctricas negativas (electrones)
y las cargas eléctricas positivas (huecos) son atraídas a la zona de conjunción donde se combinan
entre sí, dando como resultado la liberación de energía en forma de fotones. Esto da como
resultado una generación de luz mucho más eficiente ya que la conversión energética de da con
mucho menos pérdida en forma de calor como ocurre con bombillas regulares con resistencias.
12.- Cuáles son las diferencias entre un diodo de germanio y un diodo de silicio.

Los diodos de silicio tienen un voltaje de polarización directa de 0,7 voltios. Una vez que el
diferencial de voltaje entre el ánodo y el cátodo alcanza los 0,7 voltios, el diodo empezará a
conducir la corriente eléctrica a través de su unión pn, sin embargo, los diodos de germanio, tienen
una tensión de polarización directa de 0,3 voltios.
Debido a que el silicio es relativamente fácil y barato de obtener y procesar, los diodos de silicio
son más frecuentes que los diodos de germanio. El germanio es un material poco común que se
encuentra generalmente junto con depósitos de cobre, de plomo o de plata. Debido a su rareza, el
germanio es más caro, por lo que los diodos de germanio son más difíciles de encontrar (y a veces
más caros) que los diodos de silicio.
13.- Explique la respuesta de conducción de corriente de un semiconductor sujeto a
frecuencias altas.

La juntura de todo diodo (NP), posee una capacidad eléctrica en picofaradios, esta capacidad es
más alta en diodos de baja frecuencia y mucho más baja en altas frecuencias.
El espesor de las uniones tiene que ver con su velocidad. Los diodos normales lentos, poseen en
realidad tres capas, no solo la P y N. Entre ambas hay un tercero denominada I (de semiconductor
intrínseco, es decir sin dopaje). El espesor de dicha capa es tanto mayor cuanto más elevada sea
la tensión inversa que tiene que poder soportar. Así pues, lo diodos más rápidos, no pueden
soportar tensiones inversas elevadas.
Hay otras tecnologías de fabricación que proporcionan mayor rapidez, como los diodos
Epitaxiales y los de unión Schottky. Con todos ellos es difícil conseguir tensiones inversas
elevadas, pero son muy útiles rectificando tensiones bajas