Universidad Nacional Autónoma de México

Facultad de Ingeniería
Física de semiconductores
Profesora: Dra. Fátima Moumtadi
Grupo:2
Tarea de Semiconductores: Ejercicios de Tema 4
Alumno: Flores Vázquez Pedro Hugo
Juntura P-N en condición electrostática.

1)Un diodo semiconductor de Silicio está dopado con 𝑁 = 5𝑥10 , 𝑦 𝑐𝑜𝑛 𝑁 = 3𝑥10 , la permitividad
relativa del silicio intrínseco es de 𝜖 = 11.5,y la permitividad del vacío es de 𝜖 = 8.854𝑥10 .Hallar la longitud de
la región vacía:

A)En el lado N.

B)En el lado P.

C)La total.

A la temperatura ambiente de 300𝐾 ° hay 𝑛 = 1𝑥10 , portadores en la banda de conducción/𝑐𝑚 en el Silicio intrínseco.

Datos:
 1
𝑁 = 5𝑥10
𝑐𝑚
1
𝑁 = 3𝑥10
𝑐𝑚
𝜖 = 11.5

𝐹
𝜖 = 8.854𝑥10
𝑐𝑚
Ecuaciones utilizadas
𝑛
Φ(𝑥 ) = (60[𝑚𝑉])𝑙𝑜𝑔
1𝑥10
𝑛
Φ(𝑥 ) = (−60[𝑚𝑉])𝑙𝑜𝑔
1𝑥10
𝑞 = (1.6𝑥10 [𝐶])

Φ = Φ −Φ

2Φ 𝜖 𝑁
𝑥 = ∗
𝑞 𝑁 (𝑁 + 𝑁 )

𝑁
𝑥 =𝑥
𝑁

𝑥 =𝑥 +𝑥

Desarrollo

A)En el lado N.

Queda de la siguiente manera:

𝑁
Φ = Φ(𝑥 ) = (60[𝑚𝑉])𝑙𝑜𝑔
1𝑥10
Sustituyendo queda:

3𝑥10
Φ = Φ(𝑥 ) = (60[𝑚𝑉])𝑙𝑜𝑔 = 0.388[𝑉]
1𝑥10

B)En la lado P.

Queda de la siguiente manera:

𝑁
Φ =Φ 𝑥 = (−60[𝑚𝑉])𝑙𝑜𝑔
1𝑥10
Sustituyendo queda:

5𝑥10
Φ =Φ 𝑥 = (−60[𝑚𝑉])𝑙𝑜𝑔 = −0341[𝑉].
1𝑥10

Potencial de barrera se define :

Φ = Φ − Φ = 0.388 − (−0.341) [𝑉] = 0.729[𝑉]

Para posteriormente obtener 𝑥 , recordando que 𝜖 = 𝜖 ∗ 𝜖

2Φ 𝜖 𝑁
𝑥 = ∗
𝑞 𝑁 (𝑁 + 𝑁 )

Sustituyendo queda:

2(0.729[𝑉]) (11.5)(8.85𝑥10 )[𝐹/𝑐𝑚] 5𝑥10

𝑥 = ∗
(1.6𝑥10 [𝐶]) 3𝑥10 (3𝑥10 + 5𝑥10 )

𝑥 = 6.6455𝑥10 [𝑐𝑚] = 6.6455𝑥10 [𝑚]

Por lo que:

𝑁
𝑥 =𝑥
𝑁

Sustituyendo queda:

3𝑥10
𝑥 = (6.6455𝑥10 [𝑚]) = 3.9873𝑥10 [𝑚]
5𝑥10

C)La total

𝑥 =𝑥 +𝑥

Quedando de la siguiente manera:

𝑥 = 6.6455𝑥10 [𝑚] + 3.9873𝑥10 [𝑚] = 4.6518𝑥10 [𝑚]

Juntura P-N en condición electrostática

2)Considerando el mismo diodo del problema 1, calcula en el centro de la juntura:

A)El campo eléctrico en V/cm.

B)El potencia eléctrico en mV.

Datos:

𝑞 = (1.6𝑥10 [𝐶])

1
𝑁 = 3𝑥10
𝑐𝑚

𝑥 = 6.6455𝑥10 [𝑐𝑚] = 6.6455𝑥10 [𝑚]

𝜖 = 11.5

𝐹
𝜖 = 8.854𝑥10
𝑐𝑚
Φ = 0.388[𝑉]
Ecuaciones que se utilizan:

𝑞𝑁 𝑥
𝐸(0) = −
𝜖

𝑞𝑁
Φ(0) = Φ − (𝑥 )
2𝜖

A)

𝑞𝑁 𝑥
𝐸(0) = −
𝜖

Sustituyendo queda:

(1.6𝑥10 [𝐶])(3𝑥10 )(6.6455𝑥10 [𝑐𝑚]) 𝑉

𝐸(0) = − = −31327.91[ ]
𝐹 𝑚
(11.5) 8.854𝑥10
𝑐𝑚

B)

𝑞𝑁
Φ(0) = Φ − (𝑥 )
2𝜖

Sustituyendo queda:

(1.6𝑥10 [𝐶])(3𝑥10 )
Φ(0) = 0.388[𝑉] − (6.6455𝑥10 [𝑐𝑚]) = 0.388[V] − 0.104[V] = 0.284[V]
𝐹
2(11.5) 8.854𝑥10
𝑐𝑚

Polarización en inversa y la capacitancia asociada.

.
3)Un fabricante de diodos utiliza 𝑁 = 𝑦𝑁 = , y mide experimentalmente un campo máximo en el centro
de la unión de 4.5𝑥10 .

A)Calcula el voltaje máximo en inversa que puede aplicarse al diodo. Es decir, su voltaje de ruptura.

B)Suponga que el diodo se somete a un voltaje pico repetitivo en inversa de 120[V].¿Se dañaría el dispositivo?.

.
El silicio intrínseco tiene 𝜀 = 104.48𝑥10 𝑦𝑛 =

Datos:

𝑞 = (1.6𝑥10 [𝐶])

3𝑥10
𝑁 =
𝑐𝑚
4.5𝑥10
𝑁 =
𝑐𝑚
𝜀 = 104.48𝑥10

1.1𝑥10
𝑛 =
𝑐𝑚
𝑉
𝐸 = 4.5𝑥10 .
𝑐𝑚
A)Desarrollo:

𝑞𝑁 𝑥 ( )
𝐸 = 𝐸(0) = − (1)
𝜖

2𝜖𝑁 Φ 𝑉
𝑥 ( ) = ∗ 1− (2)
𝑞𝑁 (𝑁 + 𝑁 ) Φ

Cálculo de Φ :

𝑁
Φ = (60𝑚𝑉)𝑙𝑜𝑔
𝑛

Sustituyendo queda:

3𝑥10
Φ = (60𝑚𝑉)𝑙𝑜𝑔 = 0.448[𝑉]
1𝑥10

𝑁
Φ = (−60𝑚𝑉)𝑙𝑜𝑔
𝑛

Sustituyendo queda:

4.5𝑥10
Φ = (−60𝑚𝑉)𝑙𝑜𝑔 = −0.339[𝑉]
1𝑥10

Φ = Φ − Φ = 0.448 − (−0.339) [𝑉] = 0.787[𝑉]

Entonces:

2𝜖𝑁 Φ 𝑉
𝑥 ( ) = ∗ 1−
𝑞𝑁 (𝑁 + 𝑁 ) Φ

Sustituyendo la primera parte :

𝐹 4.5𝑥10
2𝜖𝑁 Φ 2(104.48𝑥10 )( )0.787[𝑉]
𝑐𝑚 𝑐𝑚
= = 7.1155𝑥10 [𝑐𝑚]
𝑞𝑁 (𝑁 + 𝑁 ) 3𝑥10 3𝑥10 4.5𝑥10
(1.6𝑥10 [𝐶])( )( + )
𝑐𝑚 𝑐𝑚 𝑐𝑚
Quedando así:

𝑉
𝑥 ( ) = 7.1155𝑥10 [𝑐𝑚] ∗ 1 −
0.787[𝑉]

Sustituyendo 2 en 1 queda:
 𝑞𝑁 𝑉
𝐸 =− ∗ 7.1155𝑥10 [𝑐𝑚] ∗ 1 −
𝜖 0.787[𝑉]

Sustituyendo valores:

3𝑥10
(1.6𝑥10 [𝐶])(( ) 𝑉
𝐸 =− 𝑐𝑚 ∗ 7.1155𝑥10 [𝑐𝑚] ∗ 1 −
𝐹 0.787[𝑉]
(104.48𝑥10 )
𝑐𝑚

𝑉
𝐸 = −32689.89 ∗ 1 −
0.787[𝑉]

Despejando a 𝑉 :

𝑉
𝐸 4.5𝑥10
𝑉 = 1− ∗ (0.787[𝑉]) = 𝑉 = 1− 𝑐𝑚 ∗ (0.787[𝑉]) = −148.34[𝑉]
32689.89 32689.89

B)

Como|−120 [𝑉]| < |−148.34[𝑉]|, 𝑒𝑙 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜 𝑛𝑜 𝑠𝑒 𝑑𝑎ñ𝑎

Polarización en inversa y la capacitancia asociada.

4)Un diodo semiconductor tiene en su juntura área de 15𝜇𝑚𝑥15𝜇𝑚. Un cálculo previo sin polarización revela que la
longitud en la zona vacía, en lado P, es de 𝑥 (0) = 0.355 𝜇𝑚, y un potencial de contacto Φ = 585𝑚𝑉.Ausmiendo una
juntura uniformemente dopada(m=1/2), calcula:

A)La capacitancia sin tensión aplicada en , si su lado P está dopado con 𝑁 = .

B)La capacitancia inversa en ,aplicar -35[V].

C)La capacitancia inversa total en femtofarads(fF), al aplicar -35 V. 1fF=10 𝐹.

Datos:

𝑞 = (1.6𝑥10 [𝐶])

Φ = 0.585[𝑉]

de 𝑥 (0) = 0.355 𝜇𝑚

1𝑥10
𝑁 =
𝑐𝑚

A)

𝑞𝑁 𝑥 (0)
𝐶 =
2Φ

Sustituyendo:

1𝑥10
(1.6𝑥10 [𝐶])( )(0.355𝑥10 [𝑐𝑚] ) 𝐹
𝐶 = 𝑐𝑚 = 4.8547𝑥10
2(0.585[𝑉]) 𝑐𝑚
B)

𝐶
𝐶 =
𝑉
1−
Φ

Sustituyendo para 𝑉 = −30[𝑉]

𝐹
4.8547𝑥10 𝐹
𝐶 = 𝑐𝑚 = 6.2245𝑥10
−35 𝑐𝑚
1−
0.585

C)

𝐶 _ =𝐶𝐴

𝐴 = 2.25𝑥10 [𝑐𝑚 ]

Sustituyendo queda:

𝐶 _ = (6.2245𝑥10 )(2.25𝑥10 [𝑐𝑚 ])=1.4005𝑥10 𝐹

Polarización en directa y la capacitancia asociada.

5)Un diodo presenta una capacitancia en inversa sin polarización de 𝐶 = .Las dimensiones de sus lados dopados son
𝑊 = 4.5𝜇𝑚 𝑦𝑊 = 6 𝜇𝑚, y además las concentraciones de impurezas son 𝑁 = y𝑁 = . Calcula:

A)El valor máximo de la capacitancia de vaciamiento en femtofarads.

B)El tiempo de transición que le toma electrones en cruzar el lado N.

C)La capacitancia de difusión a una 𝐼 = 3.5𝑚𝐴.

El coeficiente de difusión es 𝐷 = , y la sección transversal es de 10𝜇𝑚𝑥10𝜇𝑚.

Desarrollo:

A)

𝐶 = √2𝐶 ∗ 𝐴

Sustituyendo:

5𝑛𝐹
𝐶 = √2( . ) ∗ (1𝑥10 [𝑐𝑚 ]) = 7.0710𝑥10 [𝐹]
𝑐𝑚
B)

(𝑊 )
𝜏 =
2𝐷

𝑊 = 4.5𝜇𝑚 = 0.00045 𝑐𝑚

18𝑐𝑚
𝐷 =
𝑠
Sustituyendo queda:
 (0.00045 𝑐𝑚 )
𝜏 = = 5.625𝑥10 [𝑠]
18𝑐𝑚
2( )
𝑠
C)
𝜏
𝐶 = 𝐼
𝑉

Sustituyendo queda:

5.625𝑥10 [𝑠]
𝐶 = (3.5𝑥10 [𝐴]) = 7.875𝑥10 𝐹
25𝑥10 [𝑉]

Polarización en directa y la capacitancia asociada

6)Un diodo con un dopado tal que 𝑁 ≪ 𝑁 , ,tiene un coeficiente de difusión para huecos.𝐷 = 125 , y una longitud
física en su lado N de 𝑊 = 3.5𝜇𝑚.Determina el rango dinámico de la capacitancia de fusión en picofarads, considerando
una variación 𝑖 de 2mA a 75 mA, 1𝑝𝐹 = 10 𝐹.

Desarrollo

(𝑊 )
𝜏 =
2𝐷

Sustituyendo queda:

(0.00035[𝑐𝑚])
𝜏 = = 9.810 [𝑠]
𝑐𝑚
2(125 )
𝑠

𝜏
𝐶 = 𝐼
𝑉

Sustituyendo queda:

9.8𝑥10 [𝑠]
𝐶 = 2𝑥 [𝐴] = 78.4[𝑝𝐹]
0.025[𝑉]

9.8𝑥10 [𝑠]
𝐶 = 75𝑥 [𝐴] = 2940[𝑝𝐹]
0.025[𝑉]

Rango dinámico

78.4[𝑝𝐹] ≤ 𝐶 2940[𝑝𝐹]