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BLD Serie de transistor / TRANSISTORES DE LA SERIE BLD BLD128D

● características: Soportar alta velocidad de conmutación de acuerdo con amplia área de funcionamiento seguro RoHS especificación

● TURAS : ■ CAPACIDAD DE ALTA TENSIÓN ■ Conmutación de alta velocidad ■ WIDE SOA ■ Conforme con RoHS
● aplicación: lámpara de ahorro de energía electrónica balasto electrónico de potencia de conmutación transformador de alimentación

● licación: ■ lámpara de fluorescencia ■ balasto electrónico ■ Transformador electrónico

■ INTERRUPTOR DE MODO DE ALIMENTACIÓN

● (Calificaciones Máximo Tc = 25 ° C )

● Absolutos máximos ( Tc = 25 ° C ) SOT-82

parámetros símbolo unidad

PARÁMETROS VALOR
SÍMBOLO calificaciones UNIDAD

Colector - voltaje de base

V CBO 700 V
Tensión colector-base
El colector - emisor de voltaje
V CEO 400 V
Colector-emisor Voltaje
Un emisor - voltaje de base
V EBO 9 V
Voltaje emisor-base
La corriente de colector
yo C 5.0 la
corriente de colector

disipación de potencia colector

PC 70 W
La disipación de potencia total

La temperatura máxima de funcionamiento

Tj 150 °C
Temperatura de la unión

temperatura de almacenamiento
Tstg --65-150 °C
Temperatura de almacenamiento

● Características eléctricas ( Tc = 25 ° C )

● Características electrónicas ( Tc = 25 ° C )
nombre del parámetro símbolo Condiciones de prueba mínimo máximo unidad

CARACTERÍSTICAS SÍMBOLO CONDICIÓN DE PRUEBA MIN MAX UNIDAD

Colector - fuera de la base actual

yo CBO V CB = 700V 100 μA
Colector-base de corte actual
Colector - emisor de corriente
yo CEO V CE = 400V, I B = 0 250 μA
Colector-emisor de corte actual
El colector - emisor de voltaje
V CEO yo C = 10 mA, yo B = 0 400 V
Colector-emisor Voltaje
Un emisor - voltaje de base
V EBO yo E = 1 mA, yo C = 0 9 V
Emisor -Base Voltaje

electrodo de tensión de saturación emisor - colector yo C = 1.0A, me B = 0.2A 0.5

VCEsat V
Colector-emisor Saturación Voltae yo C = 4.0A, me B = 1.0A 1.5
Un emisor - tensión de saturación de bases
Vbesat yo C = 1.0A, me B = 0.2A 1.5 V
Base-emisor Voltaje de saturación

V CE = 5V, me C = 10mA 7
factor de amplificación de corriente
h FE V CE = 5V, me C = 1.0A 10 40
DC ganancia de corriente
V CE = 5V, me C = 4.0A 5
El tiempo de almacenamiento
tS 1.5 4.0
Tiempo de almacenamiento V CC = 5V, me C = 0.5A
μs
Tiempo de caída (UI9600)
tF 0.8
Tiempo caer
Una función de caída de tensión directa del diodo
vf yo F = 2.0A 1.5 V
Diodo de tensión directa

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SOA (DC) ordenador personal α Tj

Ic (A) %

110
ES / B

ptot

0.1

0.01
Tj (℃)
Vce (v) 0 50 100 150 200
1 10 100 1000

h FE - ic h FE - ic
hFE hFE

Tj = 125 ℃ Tj = 125 ℃

Tj = 25 ℃ Tj = 25 ℃

Tj = - 40 ℃ Tj = - 40 ℃

Vce = 1.5V Vce = 5V

20 40 60 80 100 120
110100 110100
Ic (A) Ic (A)
0.01 0.1 1 10 0.01 0.1 1 10

VCES - Ic EMG - Ic
VCES (v) EMG (v) 0

hFE = 5
hFE = 5

110

110 Tj = - 40 ℃
Tj = 125 ℃
Tj = 25 ℃
Tj = - 40 ℃

0.1
Tj = 25 ℃ Tj = 125 ℃

0.01 0.1
Ic (A) Ic (A)
0.01 0.1 1 10 0.01 0.1 1 10

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SOT-82 Tamaño del paquete mecánico

SOT-82 MECÁNICO DE DATOS

Unidad: mm / UNIDAD : mm

símbolo / SÍMBOLO min / min Valor típico / nom Max / máx

la 7.4 7.8

B 10.5 11.1

b 0.7 0.9

b1 0.49 0.75

C 2.4 2.7

c1 1.0 1.3

D 15.4 16

e 2.2

e3 4.15 4.65

F 3.8

H 2.54

H2 2.15

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