Engenharia Eléctrica

Eletrônica de Potência
Díodo e Transistores de Efeito de Campo (FET)
Discentes:
Adil dos Santos Docente:
Adilson J. Chijua MSc. Eng.º Anacleto Albino
Eliseu A. Adamuge
Manuel J. Baptista
Manuel N. F. Machava
Mauro M. Jotamo

Songo, Abril de 2019

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 1. Introdução

1.1. Objectivo geral

• Falar sobre os díodos de potência e transistores de efeito de campo
1.2. Objectivos específicos
• Apresentar os conceitos fundamentas sobre diodos e transistores de efeito de
campo
• Explicar através de diagramas e curvas caraterísticas a operação de um diodo de
potência e de um transistor de efeito de campo
• Descrever as aplicações e as vantagens e desvantagens
• Apresentar exemplo de um catálogo de díodo de potência e transistor de efeito de
campo

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 2. Díodo de potência
2.1. Construção e Modo de Funcionamento 2.2. Curva característica

a) b)

a) Junção PN diretamente
polarizada

b) Junção PN inversamente
polarizada

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 2.3. Parâmetros de funcionamento e Aplicações de díodos de potência

2.3.1. Parâmetros de funcionamento 2.3.2. Aplicações de díodos de potência

• Tensão directa (VD);

• Retificadores (meia onda e onda completa);
• Tensão de pico inversa (PIV);
• Multiplicadores de tensão;
• Corrente directa média máxima
• Limitadores de tensão,
(𝐼𝑓 𝑎𝑣𝑔 𝑚𝑎𝑥 );
• Grampeadores CC;
• Corrente máxima da junção (𝐼𝐹𝑆𝑀 )
• Instrumentos de medida, etc
• Tempo de recuperação reverso (𝑡𝑟𝑟 )

• Temperatura máxima da junção (𝑇𝑗(𝑚𝑎𝑥) )

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2.4. Exemplos de dados de catalogo do fabricante
2.4.1. Características

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 Dimensão do pacote em mm polegadas

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2.5 Transístor efeito de Campo (FET)

Transístor Efeito de Campo (FET)

Características físicas e construtivas

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 Transístor Efeito de Campo (FET)

Modo de operação e curvas características

Símbolos básicos

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2.6. Parâmetros de Operações

• 𝐼𝐷𝑆𝑆 - corrente máxima que o JFET pode produzir, na qual ocorre o

estrangulamento do canal quando 𝑉𝐺𝑆 = 0.
• 𝑉𝑃𝑂 – tensão máxima de saturação ou de estrangulamento (pinch-off).
• 𝑉𝑃 – tensão na qual ocorre o corte do dispositivo.
• 𝐵𝑉𝐷𝑆𝑆 – tensão de ruptura do dispositivo para 𝑉𝐺𝑆 .

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2.7. Polarização do JFET

Pode-se definir 3 tipos básicos de polarização do JFETs:

• Polarização Fixa;
• Autopolarização;
• Polarização por Divisor de Tensão.

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 2.8. Vantagens e Desvantagens FETs

2.8.1. Vantagens
• Impedância de entrada elevada;
• Relativamente imune à radiação;
• Possui melhor estabilidade térmica.
• Ganho de tensão Menor;
• Portador de Carga, lacunas ou electrões livre;
• Maior estabilidade.
2.8.2. Desvantagens
• Banda de ganho relativamente pequena
• Maior risco de dano quando manuseado.

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13
 3. Conclusão

Findo o trabalho cuja vocação era abordar sobre díodos de potência e FETs e tendo
alcançado os objectivos específicos identificados na introdução do mesmo, chegou – se
às seguintes conclusões:
Os díodos de potenciais diferem dos díodos de junção devido a capacidade muito maior
de potência.
Os díodos de potência são classificados em três categorias definidas pelo seu tempo de
recuperação reversa.
O transístor de efeito de campo é uma aplicação das combinações de matérias
semicondutores, que possibilita a existência de três pinos.
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 4. Recomendações

Concluído o trabalho e em função das limitações faciadas pelo grupo é oportuno

deixar as seguintes recomendações aos leitores.

1. Leitura dos livros MUHAMMED E ASHFAQ.

2. Utilização de softwares de simulação aplicando díodos e FETs.

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