Beruflich Dokumente
Kultur Dokumente
3o Ano
Eletrônica de Potência
Grupo 2
Discentes: Docente:
Adilson J. Chijua
Eliseu A. Adamuge
Manuel J. Baptista
Manuel N. F. Machava
Mauro M. Jotamo
3o Ano
Eletrônica de Potência
Grupo 2
Discentes: Docente:
Adilson J. Chijua
Eliseu A. Adamuge
Índice
1. Introdução ...........................................................................................................................1
1.1. Objectivo geral..............................................................................................................1
1.2. Objectivos específicos ...................................................................................................1
2. Conceitos fundamentais .......................................................................................................2
2.1. Díodo Características construtivas .................................................................................2
2.1.1. Díodo de junção PN...................................................................................................2
2.2. Modo de operação e curvas caraterísticas de um díodo de potência ...............................2
2.2.1. Junção PN diretamente polarizada .............................................................................3
2.2.2. Junção PN inversamente polarizada ...........................................................................3
2.2.3. Associação de díodos.................................................................................................5
2.2.3.1. Díodos associados em série ................................................................................5
2.2.3.2. Díodos associados em paralelo ...........................................................................6
2.3. Tipos dedíodos de potência ...........................................................................................7
2.4. Parâmetros de operação de díodos .................................................................................7
2.5. Aplicações dedíodos .....................................................................................................9
2.6. Exemplo de um Dados de catalogo do Fabricante ..........................................................9
2.6.1. Características ...........................................................................................................9
2.6.2. Dados mecânicos .......................................................................................................9
2.6.3. Códigos/opções de embalagem: .................................................................................9
2.6.4. Mesa de peças ...........................................................................................................9
2.6.5. Classificação máxima absoluta ................................................................................ 10
2.6.7. Características eléctricas .......................................................................................... 11
2.6.8. Dimensão do pacote em mm polegadas.................................................................... 11
2.6.9. Características típicas .............................................................................................. 12
3. Transístor Efeito de Campo (FET) ..................................................................................... 13
3.1. Transístor Efeito de Campo de Junção (JFET) ............................................................. 13
3.1.1. Características físicas e construtivas ..................................................................... 14
3.1.2. Modo de operação e curvas características ........................................................... 15
3.1.3. Símbolos básicos ................................................................................................. 16
ELECTRONICA DE POTÊNCIA I
Diodos E Transistor De Efeito De Campo
ELECTRONICA DE POTÊNCIA II
Diodos E Transistor De Efeito De Campo
Índice de figura
Índice de Tabelas
Tabela 1: Mesa de peças ..............................................................................................................9
Tabela 2:Classificação máxima absoluta ................................................................................... 10
Tabela 3:Características térmicas .............................................................................................. 10
Tabela 4:Características eléctricas ............................................................................................. 11
Tabela 5: Dados de catálogo do fabricante [Fonte : boylestad, 2004] ......................................... 23
ELECTRONICA DE POTÊNCIA IV
Diodos E Transistor De Efeito De Campo
1. Introdução
O presente trabalho fala sobre díodos de potência e transístores de efeito de campo (FET), que
são dispositivos construídos na base de materiais semicondutores. Esses dispositivos são
utilizados nos circuitos de electrónica de potência aplicados em sistemas de comando eléctrico e
controlo automático. Em relação aos dispositivos supracitados ao longo do desenvolvimento
deste trabalho, encontram-se destacados temas tais como: características construtivas; parâmetros
de operação; dados dos catálogos, entre outros, que devem proporcionar um conhecimento sólido
sobre esses dois dispositivos.
Electronica de Potência 1
Diodos E Transistor De Efeito De Campo
2. Conceitos fundamentais
Um material semicondutor que sofreu o processo de dopagem (adição de impurezas) é chamado
material extrínseco. Existem dois tipos de materiais extrínsecos, que são: tipo N e tipo P.
Electronica de Potência 2
Diodos E Transistor De Efeito De Campo
Sob condições de polarização inversa, uma pequena corrente reversa (também conhecida como
corrente de fuga) na faixa de micro a miliampères flui e esta corrente de fuga aumenta
lentamente em amplitudes com a tensão inversa até que se atinja a tensão de avalanche, ou
tensão Zener.
A figura 4a) mostra a curva características, Tensão e Corrente (V-I), em regime permanente de
um díodo. Para maioria dos propósitos práticos um díodo pode ser considerado uma chave ideal
em que a diferenca de tensão entre o ânodo e cátodo é nula.
Electronica de Potência 3
Diodos E Transistor De Efeito De Campo
As curvas em 4 podem ser expressas pela equação conhecida como equação Shockly, que é dada
por:
𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 (ℯ 𝑛𝑉𝑇 − 1) (Equação 1)
𝐕𝐃 é a tensão do díodo, com o ânodo positivo em relação ao cátodo dado em Volt, [V];
𝐾𝑇
𝑉𝑇 = (Equação 2)
𝑞
As curvas características do dodío da figura 4 podem ser divididas em três regiões: região de
polarização directa, onde 𝑉𝐷 > 0; região de polarização inversa, onde 𝑉𝐷 < 0; região de ruptura
reversa, onde 𝑉𝐷 < −𝑉𝑍𝐾 .
Electronica de Potência 4
Diodos E Transistor De Efeito De Campo
Figura 5:Dois díodos conectados em série com polarização reversa. Fonte: MUHAMMED, 1999
Com vista a corrigir a diferenças da tensão reversa, notável na figura 5(b), força-se uma divisão
de tensão igual através da conexão de duas resistências com cada díodo e consequentemente as
correntes de fuga para cada díodo serão diferentes como mostra a figura 6(b).
Electronica de Potência 5
Diodos E Transistor De Efeito De Campo
Figura 6:Diodos conectados em série com as curvas características de divisão de tensão de regime permanente. Fonte:
MUHAMMED, 1999
Electronica de Potência 6
Diodos E Transistor De Efeito De Campo
Tensão directa (VD) – é a tensão sobre o díodo na polarização directa. Sempre que VD
não é informado, assume-se seu valor como sendo igual a 𝑉𝛾 (0,3V no caso de Germano
e 0,7V para Silício).
O 𝑉𝛾 é a tensão na qual o díodo começa a conduzir a corrente. A tensão directa VD é
normalmente maior ou igual ao 𝑉𝛾.
Tensão de pico inversa (PIV) – o valor nominal da tensão de pico inversa (peak inverse
voltage) é a tensão inversa máxima que se pode ligar nos terminais do dispositivo sem
que haja uma roptura. Caso se exceda o valor da tensão de pico reversa nominal, o
dispositivo começará a conduzir na direcção inversa podendo assim danificar o
dispositivo. Os valores nominais da PIV vão de dezenas a milhares de volts, dependendo
do tipo de dispositivo. Os valores nominais da PIV são também denominados tensão de
roptura (breackdown voltage – V(BK)).
Corrente directa média máxima (𝑰𝒇(𝒂𝒗𝒈)𝒎𝒂𝒙 ) – a corrente directa média máxima é a
corrente máxima que um díodo pode aguentar com segurança quando estiver
directamente polarizado. Os díodos de potência estão disponíveis na praça com valores
nominais que vão de alguns poucos a centenas de amperes. Se a utilização de um díodo
deve atender a critérios econômicos, é preciso operá-lo perto de seu valor de corrente
directa máxima.
Electronica de Potência 7
Diodos E Transistor De Efeito De Campo
Com base no seu tempo de recuperação os díodos podem ser classificados como:
Esses tempos vão da faixa dos microssegundos, nos díodos de junção PN, a várias centenas de
nanossegundos em díodos de recuperação rápida, como o Shottky. Os díodos de recuperação
rápida com 𝒕𝒓𝒓 baixos são utilizados em aplicações de alta frequência, tais como inversores,
fontes de alimentação de funcionamento contínuo entre outros.
Electronica de Potência 8
Diodos E Transistor De Efeito De Campo
2.6.1. Características
Velocidade de comutação rápida
Alta fiabilidade
Alta condutância
Usado para aplicações de comutação de uso geral
Electronica de Potência 9
Diodos E Transistor De Efeito De Campo
Electronica de Potência 10
Diodos E Transistor De Efeito De Campo
VR = 75V IR 5.0 𝜇𝐴
Capacitância de VR = 0, f=1 MHz CD 4 p𝐴
díodo
Tempe de IF = 10mA até IR trr 4 ns
recuperação = 1mA, VR = 6V,
reversa RL = 100Ω
Electronica de Potência 11
Diodos E Transistor De Efeito De Campo
Figura 10:Corrente de avanço vs Tensão de avanço Figura 11:Corrente inversa vs Tensão inversa
Electronica de Potência 12
3. Transístor Efeito de Campo (FET)
Os Transístores efeito de campo (FET - Field Effect Transistor) são dispositivos unipolares
de três terminais controlados por tensão, isto é, o seu parâmetro de controlo é o campo
eléctrico. Em outras palavras o FET controla uma corrente principal (corrente de dreno) a
partir de uma tensão (tensão porta fonte). Portanto estes transístores apresentam apenas um e
único tipo de portadores de carga, que são Lacunas (P) ou electrão livre (N).
Electronica de Potência 13
A figura 12 mostra a estrutura física de um FET (canal n) com os seus respectivos terminais:
Onde:
O dreno e a fonte estão conectados aos extremos do canal principal e a porta estas conectadas
as duas camadas que se encontram nas partes laterais. Na ausência de um potencial aplicado,
Electronica de Potência 14
ao JFET possui duas junções p-n não polarizadas. O resultado e uma região de depleção em
cada junção, semelhante a uma região de díodo não polarizado.
A região de depleção não possui portadores livres e, não permite, a condução através da
região. Portanto, fisicamente podem ser encontrados dois tipos de JFET: JFET-Canal N e
JFET Canal-P (figura 13).
O objetivo é controlar a corrente 𝐼𝐷 que circula entre a fonte e o dreno. Isto pode ser feito
aplicando-se uma tensão na porta. (𝑉𝐷 ou 𝑉𝐷𝑆 ), surge uma corrente 𝐼𝐷 , como indica a figura
13. Com o potencial de porta igual a zero (𝑉𝐺 = 0 ou 𝑉𝐺𝑆 = 0), aplicando-se uma tensão
entre o dreno e a fonte. A dopagem da região da porta é muito maior do que a do canal, desta
forma a região de depleção (região de carga espacial) será muito maior do lado do canal.
Se a tensão de porta for aumentada, aumenta a polarização reversa o que faz a região de carga
espacial avançar mais no canal até fechá-lo totalmente A tensão de porta que provoca o
fechamento total do canal é chamada de tensão de pinçamento (pinch-off em inglês), 𝑉𝑃𝑂 ,
sendo uma quantidade negativa no caso de canal N e positiva para o canal P. Agora
consideremos 𝑉𝐺𝑆 = 0 e apliquemos uma tensão entre dreno e fonte com a polaridade
indicada na figura .
Quando corrente 𝑉𝐷𝑆 varia inicialmente com o 𝑉𝐷𝑆 pequeno o canal praticamente não se
altera e dentro de certos limites o dispositivo se comporta como uma resistência. À medida
que 𝑉𝐷𝑆 aumenta, a corrente de dreno aumenta provocando uma queda de tensão ao longo do
canal que faz com que o estreitamento não seja uniforme. Na figura a corrente de dreno
provoca entre o ponto A e a fonte uma tensão 𝑉𝐴 e entre o ponto B e a fonte uma tensão 𝑉𝐵
estando claro que 𝑉𝐴 > 𝑉𝐵 .
Estas tensões são aplicadas na junção de forma reversa e no ponto onde a tensão reversa é
maior a região de carga espacial avança mais no canal,isto é, o estreitamento é maior próximo
do dreno.
Electronica de Potência 15
O estreitamento é máximo quando a tensão de dreno for igual à tensão de pinçamento em
modulo. Se a tensão de dreno aumentar mais ainda, as regiões de carga espacial não se
tocam, ao invés disso o estreitamento aumenta ao longo do canal conforme figura e a
corrente de dreno se mantém aproximadamente constante em 𝐼𝐷𝑆𝑆 , isto é, o dispositivo passa
a se comportar como uma fonte de corrente constante.
Onde:
𝐼𝐷𝑆𝑆 é a corrente de curto circuito entre dreno e fonte ou drain-source shorted current
e corresponde à corrente máxima de dreno que o JFET pode produzir
Canal N canal P
Figura 14: representação simbólica do JFET de canal N e canal P
Electronica de Potência 16
3.1.4. Parâmetros de Operações
𝐼𝐷𝑆𝑆 - corrente máxima que o JFET pode produzir, na qual ocorre o estrangulamento
do canal quando 𝑉𝐺𝑆 = 0.
𝑉𝑃𝑂 – tensão máxima de saturação ou de estrangulamento (pinch-off).
𝑉𝑃 – tensão na qual ocorre o corte do dispositivo.
𝐵𝑉𝐷𝑆𝑆 – tensão de ruptura do dispositivo para 𝑉𝐺𝑆 .
Polarização Fixa;
Autopolarização;
Polarização por Divisor de Tensão.
2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) equacao de shockley (Equacao 3)
𝑉𝑝
Onde:
𝐼𝐷 - corrente no dreno;
𝑉𝐺𝑆 - tensao na porta ( variavel de controle).
Electronica de Potência 17
3.1.5.1. Polarização Fixa
Caracteriza-se pela presença de uma fonte DC fixa dedicada a polarização da porta (G). É
tipo mais simples de polarização do JFET. Pode ser solucionada tanto pelo método
matemático quanto pelo método gráfico (curva de transferência).
Uma vez que os capacitores são “circuitos abertos” em análise DC, podemos eliminá-los do
circuito para determinar a polarização. A determinação da equacao de 𝑉𝐺𝑆 , pode ser feita
através da análise de malha do circuito da figura 16:
A solução matemática pode ser encontrada simplesmente aplicando a equação acima à Eq. de
Shockley:
2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝑝
Electronica de Potência 18
A interseção entre as curvas determina o ponto de operação do JFET, também chamado de
ponto quiescente (Q). A partir do ponto Q encontra-se o valor de 𝐼𝐷𝑄 .
3.1.5.2. Autopolarização
Electronica de Potência 19
Figura 17:Autopolarização [Fonte : boylestad, 2004]
2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝑝
A resolução pelo método gráfico, consiste simplesmente em traçar a curva de 𝑉𝐺𝑆 sobre a
curva de transferência do JFET, previamente esboçada. A 𝑉𝐺𝑆 neste caso é uma reta 𝑉𝐺𝑆 =
−𝑅𝑆 𝐼𝐷 , cuja inclinação é dada por 𝑅𝑆 . Para traça-la basta determinar 2 pontos (figura 19):
Se 𝐼𝐷 = 0, entao 𝑉𝐺𝑆 = 0
Se 𝐼𝐷 = 𝐼𝑎𝑟𝑏𝑖𝑡𝑟𝑎𝑟𝑖𝑜 , entao 𝑉𝐺𝑆 = 𝑅𝑆 𝐼𝑎𝑟𝑏𝑖𝑡𝑟𝑎𝑟𝑖𝑜
Electronica de Potência 20
3.1.5.3. Polarização por Divisor de Tensão
Caracteriza-se por fixar a polarização do gate sem a necessidade de uma fonte dedicada e de
forma mais independente dos parâmetros de saída do JFET. Através dessa configuração é
possível ajustar o ponto de operação do JFET sem variar a resistência 𝑅𝑆 , como ocorre na
autopolarização.
𝑅2
𝑉𝐺 = 𝑉𝐷𝐷 (𝑅 ) , por outro lado, 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆 , logo : 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑅𝑆 𝐼𝐷
1 +𝑅2
Outro ponto notável da reta descrita pode ser obtido fazendo-se 𝑉𝐺𝑆 = 0, oque resulta em 𝐼𝐷 =
𝑉𝐺
𝑅𝑆
Electronica de Potência 21
3.1.6. Vantagens e Desvantagens FETs
3.1.6.1. Vantagens
Impedância de entrada elevada;
Relativamente imune à radiação;
Produz menos ruído;
Possui melhor estabilidade térmica.
Ganho de tensão Menor;
Portador de Carga, lacunas ou electrões livre;
A tensão é o seu elemento de controlo;
Maior estabilidade;
Maior tamanho em relação ao BJT
3.1.6.2. Desvantagens
Banda de ganho relativamente pequena
Maior risco de dano quando manuseado.
Limitador de corrente
Electronica de Potência 22
3.1.8. Dados do Catalogo do Fabricante
Electronica de Potência 23
4. Conclusão
Findo o trabalho cuja vocação era abordar sobre díodos de potência e FETs e tendo alcançado
os objectivos específicos identificados na introdução do mesmo, chegou – se às seguintes
conclusões: Os díodos de potenciais diferem dos díodos de junção devido a capacidade muito
maior de potência. Os díodos de potência são classificados em três categorias definidas pelo
seu tempo de recuperação reversa. O transístor de efeito de campo é uma aplicação das
combinações de matérias semicondutores, que possibilita a existência de três pinos.
Electronica de Potência 24
5. Recomendações
Concluído o trabalho e em função das limitações faciadas pelo grupo é oportuno deixar as
seguintes recomendações aos leitores.
Electronica de Potência 25
6. Bibliografia
[1] FLOYD, THOMAS L. Dispositivos electrónicos. 8ª ed. PEARSON EDUCACIÓN,
México, 2008
[2] ASHFAQ, Ahmed. Electrónica de Potência. Ed. Afiliada, 2000, São Paulo.
Electronica de Potência 26