1.1 ¿Qué es electrónica de potencia?

Electrónica de potencia se puede definir como las aplicaciones de la electrónica de estado

sólido para el control y la conversión de la energía eléctrica.

1.2 ¿Cuáles son los diversos tipos de tiristores?

Los tiristores se pueden dividir en once tipos: a) tiristor conmutado forzado, b) tiristor
conmutado por línea, e) tiristor de abertura de compuerta (GTO, de sus siglas en inglés gate-
turn-off thyristor), d) tiristor de conducción inversa (RCT, de sus siglas en inglés reverse-
conducting thyristor), e) tiristor de inducción estática (SITR, de sus siglas en inglés static
induction thyristor), f) tiristor de abertura de compuerta asistida (GATT, de sus siglas en inglés
gate-assisted turn-off thyristor), g) rectificador fotoactivado controlado de silicio (LASCR, de sus
siglas en inglés light-activated silicon-controlled rectifier (LASCR), h) tiristor abierto por MOS
(MTO, por sus siglas en inglés MOS turn-off), i) tiristor abierto por emisor (ETO, por sus siglas en
inglés emitter turn-off), j) tiristor conrnutado por compuerta integrada (IGCT, por sus siglas en
inglés integrated gate-commutated thyristor) y k) tiristores controlados por MOS (MCT, por sus
siglas en inglés MOS-controlled thyristor).

1.3 ¿Qué es un circuito de conmutación?

Es un circuito electrónico que controla el paso de los electrones.

1.4 ¿Cuáles son las condiciones para que conduzca un tiristor?

El tiristor conduce siempre que la terminal del ánodo tenga mayor potencial que el cátodo.

1.5 ¿Cómo se puede abrir un tiristor?

Un tiristor que conduce se puede apagar haciendo que el potencial del ánodo sea igualo
menor que el potencial del cátodo.

1.6 ¿Qué es una conmutación de línea?

Los tiristores conmutados por línea se apagan (o desactivan o bloquean) debido a la naturaleza
senoidal del voltaje de entrada.

1.7 ¿Qué es una conmutación forzada?

Los tiristores de conmutación forzada se apagan con un circuito adicional, llamado circuito de
conmutación.

1.8 ¿Cuál es la diferencia entre un tiristor y un TRIAC?

Las características de los TRIAC se parecen a las de dos tiristores conectados en paralelo
inverso, que sólo tienen una terminal de compuerta. El flujo de corriente por un TRIAC se
puede controlar en cualquier dirección.

1.9 ¿Cuál es la característica de control de un GTO?

Los GTO y los SITH son tiristores de auto abertura. Se encienden (activan o desbloquean)
aplicando un pulso positivo corto a las compuertas, y se apagan por aplicación de pulso
negativo corto a las compuertas. No requieren circuito alguno de conmutación.
1.10 ¿Cuál es la característica de control de un MTO?

Un MTO [3] es una combinación de un GTO y un MOSFET. Su estructura es parecida a la de un

GTO y conserva las ventajas del GTO de alto voltaje (hasta 10 kV) y alta corriente (hasta 4000
A). Los MTO se pueden usar en aplicaciones de gran potencia, que van desde 1 hasta 20 MVA.

1.11 ¿Cuál es la característica de control de un ETO?

El ETO tiene dos compuertas: una compuerta normal para abertura y una con una serie de
MOSFET para cerrado. Se han demostrado ETO con capacidad de corriente hasta de 4kA y
capacidad de voltaje hasta de 6kV.

1.12 ¿Cuál es la característica de control de un IGCT?

El IGCT se enciende aplicando a su compuerta la corriente de cerrado. El IGCT se apaga por

medio de una tarjeta de circuito activador de compuerta, de varias capas, que puede
suministrar un pulso de abertura de subida rápida (es decir, una corriente de 4kA/J-us con sólo
20 V de voltaje entre compuerta y cátodo).

1.13 ¿Cuál es el tiempo de abertura de un tiristor?

El tiempo de abertura se define como el intervalo de tiempo entre el instante en el que la

corriente principal baja a cero después de una interrupción externa del circuito de voltaje
principal, y el instante cuando el tiristor es capaz de sostener un voltaje principal de respaldo
especificado sin encenderse.

1.14 ¿Qué es un convertidor?

Se puede considerar que un convertidor es una matriz de conmutación.

1.15 ¿Cuál es el principio de la conversión de ca-cd?

Un convertidor monofásico con dos tiristores conmutados naturales. El valor promedio del
voltaje de salida Va se puede controlar variando el tiempo de conducción de los tiristores, o el
ángulo a de retardo de disparo. La entrada podría ser una fuente monofásica o trifásica. Estos
convertidores se llaman también rectificado res controlados.

1.16 ¿Cuál es el principio de la conversión de ca-ca?

Estos convertidores se usan para obtener un voltaje variable de ca, Va, con una fuente fija de
ca y un convertidor monofásico con un TRIAC. El voltaje de salida se controla variando el
tiempo de conducción de un TRIAC, o el ángulo de retardo de disparo a. Estas clases de
convertidores de voltaje también se llaman controladores de voltaje de ca.

1.17 ¿Cuál es el principio de la conversión de cd-cd?

Un convertidor de cd a cd se llama también recortador de picos, o regulador de conmutación,

y en la figura 1.14 se ve un recortador de transistor. El voltaje promedio de salida Va se
controla haciendo variar el tiempo de conducción t del transistor Q1. Si T es el periodo de
recorte, entonces t1 = BT. A B se le llama ciclo de trabajo del recortador.

1.18 ¿Cuál es el principio de la conversión cd-ca?

A un convertidor de cd a ca se le llama también inversor. Si los transistores MI y M2 conducen

durante medio período, y M3 YM4 conducen durante la otra mitad, el voltaje de salida es
alterno. El valor del voltaje se puede controlar variando el tiempo de conducción de los
transistores.

1.19 ¿Cuáles son los pasos que intervienen en el diseño del equipo electrónico de potencia?

El diseño de un equipo de electrónica de potencia se puede dividir en cuatro partes:

1. Diseño de los circuitos de potencia.

2. Protección de los dispositivos de potencia.

3. Determinación de la estrategia de control

4. Diseño de los circuitos lógicos y de compuerta

1.20 ¿Cuáles son los efectos periféricos del equipo electrónico de potencia?

Armónicas de corriente y voltaje en el sistema de suministro y en la salida de los convertidores.

Esas armónicas pueden causar problemas de distorsión del voltaje de salida, generación de
armónicas en el sistema de suministro e interferencia con los circuitos de comunicación y
señalización.

1.21 ¿Cuáles son las diferencias en las características de control entre los GTO y los tiristores?

Los GTO y los SITH son tiristores de auto abertura. Se encienden (activan o desbloquean)
aplicando un pulso positivo corto a las compuertas, y se apagan por aplicación de pulso
negativo corto a las compuertas. No requieren circuito alguno de conmutación.

El tiristor conduce siempre que la terminal del ánodo tenga mayor potencial que el cátodo.

1.22 ¿Cuáles son las diferencias en las características de control entre los tiristores y los
transistores?

Los transistores son dispositivos controlados, y los tiristores son dispositivos parcialmente
controlados.

1.23 ¿Cuáles son las diferencias en las características de control entre los BJT y los MOSFET?

1.24 ¿Cuál es la característica de control de un IGBT?

Los IGBT son transistores de potencia de voltaje controlado. En forma inherente, son más
rápidos que los BJT, pero no tan rápidos como los MOSFET. Sin embargo, ofrecen
características muy superiores de activación y de salida que las de los BJT. Los IGBT son
adecuados para alto voltaje, gran corriente y frecuencias hasta de 20 kHz, y se consiguen hasta
para 1700 IV y 2400 A.

1.25 ¿Cuál es la característica de control de un MCT?

Un MCT se puede "encender" con un pulso pequeño de voltaje negativo a la compuerta MOS
(con respecto a su ánodo), y se puede "apagar" con un pequeño pulso de voltaje positivo. Es
como un GTO, excepto que la ganancia de abertura es muy alta. Los MCT se consiguen hasta
4500 V, 250 A.
1.26 ¿Cuál es la característica de control de un SIT?

Un SIT es un dispositivo de alta potencia y alta frecuencia. En esencia, es la versión del tubo de
vacío tríodo, en estado sólido, y se parece a un transistor de unión de efecto de campo (JFET,
por sus siglas en inglés junction field-effect transistor). Tiene posibilidades de poco ruido, poca
distorsión y alta potencia en alta audiofrecuencia. Los tiempos de cerrado y abertura son muy
cortos, de unos 20 us .La característica de cerrado normal y el alto límite de caída en estado
cerrado limita sus aplicaciones para conversiones generales de potencia. La capacidad de
corriente de los SIT puede ser hasta de 1200 V, 300 A, Y la velocidad de conmutación puede ser
hasta de 100 kHz. Los SIT son más adecuados para aplicaciones de gran potencia en alta
frecuencia (por ejemplo, amplificadores de audio, VHF/UHF (muy alta frecuencia/ultra alta
frecuencia) y de microondas.

1.27 ¿Cuáles son las diferencias entre los BJT y los IGBT?

Los IGBT son transistores de potencia de voltaje controlado. En forma inherente, son más
rápidos que los BJT, pero no tan rápidos como los MOSFET. Sin embargo, ofrecen
características muy superiores de activación y de salida que las de los BJT.

1.28 ¿Cuáles son las diferencias entre los MCT y los GTO?

Los MTO se pueden usar en aplicaciones de gran potencia, que van desde 1 hasta 20 MVA. Un
ETO es un híbrido de MOS y GTO, que combina las ventajas tanto del GTO como del MOSFET.
El ETO tiene dos compuertas: una compuerta normal para abertura y una con una serie de
MOSFET para cerrado. Se han demostrado ETO con capacidad de corriente hasta de 4kA Y
capacidad de voltaje hasta de 6kV.

1.29 ¿Cuáles son las diferencias entre los SITH y los GTO?

Los GTO y los SITH son tiristores de auto abertura. Se encienden (activan o desbloquean)
aplicando un pulso positivo corto a las compuertas, y se apagan por aplicación de pulso
negativo corto a las compuertas. No requieren circuito alguno de conmutación. Los GTO son
muy atractivos para la conmutación forzada de convertidores, y se consiguen hasta para 6000
V Y 6000 A. Se espera que los SITH, cuyas capacidades pueden alcanzar 1200 V Y300 A, se
apliquen en convertidores de potencia intermedia y frecuencias de varios cientos de
kilohertzios, más allá del intervalo de frecuencias de los GTO.