INTRODUCCION AL DIODO

CONCEPTOS Y DEFINICIÓN
 El diodo es un componente electrónico semiconductor de dos terminales, el
cual permite o no la circulación de la corriente eléctrica atreves de él,
dependiendo de ciertas condiciones
 Un diodo al ser un semiconductor a la vez es el resultado de la unión de
otros dos semiconductores: el semiconductor tipo “p” (donde los portadores
mayoritarios y abundantes son los huecos o protones) y semiconductor tipo
“n” (donde los portadores mayoritarios son los electrones)
 El diodo a diferencia de otros componentes, como ser: resistores,
capacitores o bobinas es un elemento no lineal.

SIMBOLOGÍA
El diodo está representado por el símbolo:

Donde P: material tipo “p” (huecos) ubicado en el ánodo

N: material tipo “n” (electrones) ubicado en el cátodo

CURVA CARACTERÍSTICA DEL DIODO:

La siguiente grafica nos indica por qué el diodo es un elemento no lineal, nos
indica también la tensión de ruptura y corriente máxima que el vendedor indicara a
la hora de la compra del componente, esto debe tomarse muy en cuenta para
evitar la destrucción del diodo.
FUNCIONAMIENTO DEL DIODO
Para que un diodo entre en funcionamiento dependerá de cómo se lo polarice.
APLICACIÓN
Comúnmente el diodo es usado como rectificador, el cual es una parte de un
proceso en el que se quiere transformar corriente alterna (ca) en corriente
continua (cd). Y el rectificador es una primera parte de este proceso de
transformación.
Existen dos tipos de rectificadores. A continuación se los mostrara detalladamente:
Rectificador de media onda

Puede observarse que la señal de entrada es totalmente alterna, sin embargo a la

salida se lo observa con menos cantidad de alterna y ya una parte de continua.

Rectificador de onda completa

Puede observarse que la señal de entrada es totalmente alterna, sin embargo a la

salida se lo observa con menos cantidad de alterna y ya una parte de continua.
 EL DIODO IMPATT

Un diodo IMPATT es una forma de diodo de alta potencia utilizado en la

electrónica de alta frecuencia y dispositivos de microondas. Ellos funcionan a
frecuencias entre aproximadamente 3 y 100 GHz o más. Estos diodos se utilizan
en una variedad de aplicaciones de los sistemas de radar de baja potencia a las
alarmas. Un gran inconveniente de la utilización de diodos IMPATT es el alto nivel
de ruido de fase que generan. Esto es consecuencia de la naturaleza estadística
del proceso de avalancha. Sin embargo, estos diodos son excelentes generadores
de microondas para muchas aplicaciones.

ESTRUCTURA

En la figura 1 tenemos la estructura básica de un Diodo Impatt recordando que en

los dispositivos prácticos pueden ocurrir muchas variaciones.

Fig 1 Estructura básica de un diodo Impatt

En el fondo podemos decir que se trata de una unión PN pero un poco más
sofisticada por las regiones intermediarias lo que no nos deja sin embargo de
poder clasificar el dispositivo como un diodo.
El símbolo + empleado en la figura significa que se trata de una región
semiconductora que tiene un grado de dopaje un poco mayor que las regiones
normales.
Vemos entonces que, gracias a estas regiones existe un campo eléctrico un poco
más intenso en la región N para confinar el fenómeno de la avalancha en una
región menor del componente.
La región marcada con “I” indica un semiconductor intrínseco que tiene una baja
densidad de carga. Este sector del componente funciona prácticamente como un
aislante hasta el momento en que los portadores de carga son inyectados venidos
de otras regiones.
 Fig 2 Estructura de un diodo Impatt en la práctica.

Las dimensiones muy pequeñas de esta estructura le permiten operar en

frecuencias tan altas como 100 GHz.

TECNOLOGIA EN SU PROCESO DE FABRICACION

Los dispositivos semiconductores de empaque pueden ser un proceso

desafiante. Esto es particularmente cierto para los diodos IMPATT debido a las
frecuencias de microondas que se utilizan y los niveles de potencia involucrados.
Para permitir que los dispositivos IMPATT funcionen satisfactoriamente, los
dispositivos se montan en paquetes donde el calor se puede transferir lejos de las
áreas activas de los dispositivos lo más rápido posible. Con este fin, los
dispositivos a menudo se montan en lo que se puede denominar una moda al
revés donde las capas activas están más cerca del disipador de calor
proporcionado por el paquete.
A menudo, el paquete es de formato coaxial, por lo que las propiedades correctas
de la línea de transmisión se presentan a la señal de RF, que puede ser de
muchas decenas de GHz. Como resultado, el paquete es a menudo bastante
intrincado y, por consiguiente, muy caro, especialmente cuando se utilizan
frecuencias muy altas. Como los dispositivos IMPATT se usan a menudo en
cavidades de guía de ondas que proporcionan el circuito resonante, los diodos a
menudo se montan en paquetes que se pueden montar fácilmente en guías de
onda.
Los materiales más comúnmente utilizados para los dispositivos IMPATT son el
Arseniuro de Silicio y Galio, pero también se pueden usar otros materiales como el
Germanio y el Fosfuro de Indio o el Arseniuro de Galio y Aluminio.
FUNCIONAMIENTO

El funcionamiento básico del componente se produce en dos áreas básicas.

La primera es la región de avalancha o inyección donde se generan los portadores
de corriente (electrones o lagunas). La segunda es la región de impulso a través
de la cual los portadores de carga pasan llevando un cierto tiempo.
Este tiempo de tránsito es fundamental para el funcionamiento del dispositivo ya
que llevan el circuito a una especie de resonancia generando la señal en la
frecuencia deseada.
En la operación normal el diodo Impatt se polariza en sentido inverso de tal forma
que alcanza la tensión de ruptura inversa de la unión PN.
El campo eléctrico en la función PNPO producido por regiones P y N altamente
dopadas es muy fuerte.
Esto significa que la tensión aparece en una región bastante estrecha que hace
que los portadores sean acelerados mucha intensidad.
Cuando estos portadores colisionan con la estructura cristalina del material,
liberan más portadores de carga que también son acelerados y que a su vez
también chocan con tomos de la estructura cristalina liberando más portadores en
un efecto en avalancha.
El resultado final de la aplicación de la tensión mínima de ruptura con la liberación
de una cierta cantidad de portadores de carga, la disminución de la resistencia del
componente. Tenemos entonces una región de resistencia negativa fundamental
para que ocurra la oscilación.
Recordamos que en la región de resistencia negativa un aumento de la tensión
provoca una reducción de la corriente.
Sin embargo, en el diodo Impatt este efecto no ocurre con la corriente que polariza
el componente directamente, sino sobre la tensión alternada que, generada por las
diferencias de fase que ocurren con el movimiento de los portadores de carga en
ondas dentro del propio componente.
Esto significa que cuando una señal AC, aplicada a este componente, los picos de
corriente quedan 180 grados desfasados de los picos de tensión.
Este desfase es el resultado de dos retrasos que ocurren en el componente: el
primero derivado de la inyección de cargas y el otro derivado del tiempo de
tránsito.

En la figura 3 vemos lo que ocurre con las señales en el diodo Impatt en vista de lo
que hablamos.
 Campo
eléctrico

Generación de
portadores

Corriente
externa

Cuando la tensión aumenta a punto de ocurrir la ruptura inversa de la unión la

producción de portadores de cara no ocurre inmediatamente, pero se retrasa. Esto
ocurre porque esta producción de portadores no depende sólo del campo eléctrico
presente, sino también del número de portadores que estén presentes.
Después de que el campo eléctrico pasa del valor de pico el número de portadores
continúa creciendo alcanzando un máximo de 90 grados después del pico de
tensión de entrada.
Cuando el campo se convierte en negativo el proceso de generación de
portadores para y la corriente comienza a caer.
Sin embargo, después de su creación los portadores de carga empiezan a
atravesar la región N + estableciendo así la corriente externa.
Ver por los gráficos que, mientras la corriente tarda un tiempo corto para fluir por
la región de aceleración la tensión se mantiene por más tiempo.
Se observa que este desfase hace que al aplicar una tensión al componente la
corriente quedar fuera de fase. Así, si la tensión correcta es aplicada al
componente entra en oscilación pudiendo generar señales de frecuencias muy
altas.

APLICACIONES

La posibilidad de utilizar este componente para generar señales en el rango de

microondas de 3 a 100 GHz con mucha facilidad sin la necesidad de muchos
componentes lo hace ideal para aplicaciones en alarmas, radares, equipos de
telecomunicaciones que operen en esta banda de frecuencias.
Para polarizar el diodo Impatt en el punto de funcionamiento normalmente se
requieren tensiones en el rango de 75 a 150 voltios.
Un punto importante que debe ser llevado en su aplicación es el alto nivel de ruido
que aparece junto a la señal debido al proceso de avalancha que ocurre en el
componente.