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Este aviso fue puesto el 31 de octubre de 2015.
Semiconductor (abreviadamente, SC) es un elemento que se comporta como un conductor
o como un aislante dependiendo de diversos factores, por ejemplo: El campo
el�ctrico o magn�tico, la presi�n, la radiaci�n que le incide, o la temperatura del
ambiente en el que se encuentre.1? Los elementos qu�micos semiconductores de la
tabla peri�dica se indican en la tabla adjunta.
Silicio purificado
Elemento Grupos Electrones en
la �ltima capa
Cd 12 2 e-
Al, Ga, B, In 13 3 e-
Si, C, Ge 14 4 e-
P, As, Sb 15 5 e-
Se, Te, (S) 16 6 e-
El elemento semiconductor m�s usado es el silicio2?, seguido del germanio, aunque
presentan un id�ntico comportamiento las combinaciones de elementos de los grupos
12 y 13 con los de los grupos 16 y 15 respectivamente (Ga As, P In, As Ga Al, Te
Cd, Se Cd y S Cd). Posteriormente se ha comenzado a emplear tambi�n el azufre. La
caracter�stica com�n a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio
una configuraci�n electr�nica s�p�.
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�ndice
1 Tipos de semiconductores
1.1 Semiconductores intr�nsecos
1.2 Semiconductores extr�nsecos
1.2.1 Semiconductor tipo N
1.2.2 Semiconductor tipo P
2 Referencias
3 V�ase tambi�n
4 Enlaces externos
5 Semiconductores y electr�nica
Tipos de semiconductores
Semiconductor intr�nseco
En 1727 Stephen Gray descubri� la diferencia entre conductores y aislantes.
Despu�s, el 1821, Georg Simon Ohm publica las leyes que llevan su nombre y que
describen la proporcionalidad entre el corriente y el voltaje a un conductor y
tambi�n es posible determinar la conductividad el�ctrica de cualquier objeto.
Semiconductores intr�nsecos
Son los cristales de silicio o germanio que forma una estructura tetra�drica
similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus �tomos, en la figura
representados en el plano por simplicidad.
El proceso inverso tambi�n se produce, de modo que los electrones pueden caer desde
el estado energ�tico correspondiente en la banda de conducci�n a un hueco en la
banda de valencia, liberando as� energ�a. Este fen�meno se conoce como
"recombinaci�n". A una determinada temperatura, las velocidades de creaci�n de
pares e-h, y de recombinaci�n se igualan, de modo que la concentraci�n global de
electrones y huecos permanece constante. Sea "n" la concentraci�n de electrones
(cargas negativas) y "p" la concentraci�n de huecos (cargas positivas), se cumple
entonces que:3?
ni = n = p
donde ni es la concentraci�n intr�nseca del semiconductor, funci�n exclusiva de la
temperatura y del elemento en cuesti�n. La densidad o concentraci�n intr�nseca de
portadores es muy baja. 3?
Semiconductores extr�nsecos
Si a un semiconductor intr�nseco, como el anterior, se le a�ade un peque�o
porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el
semiconductor se denomina extr�nseco, y se dice que est� dopado. Las impurezas
deber�n formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente
�tomo de silicio.3?
Semiconductor tipo N
Semiconductor tipo P
Cuando se a�ade el material dopante libera los electrones m�s d�bilmente vinculados
de los �tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambi�n conocido como
material aceptor y los �tomos del semiconductor que han perdido un electr�n son
conocidos como huecos.
As� los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha
desplazado por la red, un prot�n del �tomo situado en la posici�n del hueco se ve
"expuesto" y en breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un
n�mero suficiente de aceptores son a�adidos, los huecos superan ampliamente la
excitaci�n t�rmica de los electrones. As�, los huecos son los portadores
mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los
materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro
(B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural.
Referencias
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Servicios: Equipos de tecnolog�a b�sica en audio y video. M�xico Digital
Comunicaci�n S.A. de C.V. Consultado el 10 de febrero de 2018.
Gil, Jos� Moreno; Minassian, M�ximo Romero (2009-11). Reglamento de eficiencia
energ�tica en instalaciones de alumbrado exterior : y sus instrucciones t�cnicas
complementarias EA-01 a EA-07. Editorial Paraninfo. ISBN 9788428332019. Consultado
el 10 de febrero de 2018.
Collantes, Daniel Pardo; Vega, Luis Alberto & Bail�n (2006). Fundamentos de
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