3

BLOQUE
La escala macroscópica
de los materiales
Propiedades macroscópicas
 13
CAPÍTULO

Propiedades mecánicas
de los materiales
Elasticidad

RECURSOS DIGITALES

Nota 13.1. Anelasticidad

Nota 13.2. Relaciones ingenieriles-reales
Nota 13.3. El insólito caso de las gomas

Adenda: Ensayos mecánicos (I):

Determinación de constantes
elásticas mediante ultrasonidos
Capítulo 13 Propiedades mecánicas de los materiales. Elasticidad

Nota 13.1 cado y la deformación resultante, situación que a menudo se

denomina histéresis. Este desfase puede estar causado por
cierta deformación plástica (permanente), o si el esfuerzo es
Anelasticidad demasiado pequeño para ello, por determinados fenómenos
difusivos, magnéticos o térmicos.
Un material se dice perfectamente elástico cuando satisface
la ley de Hooke: σ = E ε , siendo s el esfuerzo aplicado, E el Centrándonos en el último de los casos, los efectos tér-
módulo de Young y e la deformación. En esta expresión es- micos son consecuencia del hecho de que si un sólido es so-
tán implícitas tres condiciones que definen el comportamien- metido a un esfuerzo elástico de compresión, su temperatura
to de un sólido perfectamente elástico: (1) la deformación aumentará instantáneamente (y disminuirá, si el esfuerzo es
para cada esfuerzo aplicado es reversible y posee un único de tracción). La variación de temperatura entre la situación
valor de equilibrio, (2) el valor del equilibrio se obtiene ins- comprimida y traccionada se verá algo contrarrestada debi-
tantáneamente, y (3) la respuesta es lineal. do a la interacción con el entorno (con el que puede haber
intercambio calorífico). La respuesta al esfuerzo se lleva a
Un metal que se comporta de un modo idealmente elás-
cabo, pues, en dos etapas: una prácticamente instantánea,
tico debe obedecer la ley de Hooke, y una muestra de dicho
consistente en la deformación del material, y otra que lleva
material, sometida a esfuerzos cíclicos dentro del régimen
cierto tiempo, consistente en el intercambio calorífico con el
elástico, debería deformarse rápidamente, una y otra vez, sin
entorno. Si la muestra está sometida a esfuerzos alternos de
pérdida alguna de energía (exceptuando la parte insignifican-
tracción y compresión, la deformación se retrasará respecto
te cedida al aire del entorno por rozamiento con el mismo).
al esfuerzo, a menos que la frecuencia sea lo suficientemente
Los metales reales, sin embargo, no se comportan de esta
rápida para que el calor no tenga tiempo de fluir por conduc-
manera ideal, tal como lo demuestra el hecho, por ejemplo,
ción, o tan lenta que la temperatura de la muestra pueda estar
de que las ondas sonoras son atenuadas (es decir, pierden
en constante equilibrio con la del entorno. La cantidad de
energía) a medida que se propagan a través de una muestra
energía que es convertida en calor es igual al área encerra-
metálica. Si este es el caso, el material se dice anelástico; sus
da por el bucle que dibuja la curva de esfuerzo-deformación
deformaciones son reversibles, pero varían con el tiempo (y
(Figura 1)
a veces, ni siquiera son lineales).
Para que un material sea considerado anelástico basta
con que no satisfaga la condición (2) anteriormente mencio-
nada, esto es, la deformación no desaparece instantáneamen-
te cuando se anula el esfuerzo, sino que el material tarda un
tiempo finito en recuperar completamente sus dimensiones
originales. (Un fenómeno que se denomina relajación de
carga.)
Aun cuando esfuerzo y deformación guarden relaciones
lineales, para un material anelástico la ley de Hooke ∼
ha de
∼
modificarse del modo siguiente: σ = E ε , siendo E el mó-
dulo∼de Young complejo del material. El carácter complejo
de E se traduce en un retraso entre la respuesta del material
(deformación) y el estímulo
∼
que la causa (esfuerzo). Puede
comprobarse que si E = E ʹ − iE ʹʹ , el retraso d viene dado por
tan δ = E ʹʹ E ʹ .
El grado de anelasticidad varía grandemente de un mate- Figura 1
rial a otro, aunque en todos los casos puede entenderse como
la existencia de cierta «fricción interna» que convierte la La variación de esta área con la frecuencia se muestra
energía vibratoria en calor. Además, no faltan aplicaciones esquemáticamente en la Figura 2 y depende de la naturaleza
que sacan provecho de ella, como, por ejemplo, la amorti- y geometría de la muestra.
guación de las perniciosas vibraciones resonantes o forzadas Los efectos termoelásticos pueden también presentarse
en piezas sometidas a vibración continua, o la sonoridad de como resultado de la heterogeneidad del material o del es-
los instrumentos musicales. fuerzo. Un ejemplo de la primera situación lo constituye una
©  Ediciones Paraninfo

Estudios minuciosos han demostrado que existen mu- muestra policristalina en la que los cristales vecinos tienen
chos procesos que pueden causar «fricción interna» y, por diferentes propiedades elásticas en la dirección del esfuerzo,
ende, anelasticidad o pérdida de energía. En general, todos lo que se traducirá en diferentes cambios adiabáticos de tem-
ellos tienen como resultado un desfase entre el esfuerzo apli- peratura. Como ejemplo de la segunda situación cabe citar

94
 La escala macroscópica de los materiales Bloque 3

σ = s (1 + e )

Para la deformación real, el cambio de longitud será

medido en pequeños incrementos, ΔL1 , ΔL2 , ΔL3 …, y las
longitudes instantáneas serán L1, L2, L3, etc. La deformación
total en un instante dado se calculará, pues, como

ΔL1 ΔL2 ΔL3 ... ΔL

ε= + + + =∑ i
L1 L2 L3 i Li
Figura 2
Si los ΔLi se hacen tan pequeños que puedan conside-
rarse infinitesimales, el sumatorio anterior puede sustituirse
una muestra sometida a flexión, en la que una parte se calien-
por una suma integral, de modo que la deformación total se
ta por efecto de la compresión, en tanto que la otra se enfría
calcularía como:
por efecto de la tracción.
L
dL ⎛L⎞
ε =⌠
⎮ = ln ⎜ ⎟
⌡L L ⎝ L0 ⎠
Nota 13.2 0

Relaciones ingenieriles-reales y como L = L0 + ΔL y e = ΔL L0 , resulta que

El esfuerzo real es simplemente el cociente entre la carga

mecánica aplicada (fuerza), F, y el área real en cada instante ⎛L⎞ ⎛ L0 + ΔL ⎞
ε = ln ⎜ ⎟ = ln ⎜ ⎟ = ln (1 + e )
de la sección transversal, A (en lugar de su valor original A0): ⎝ L0 ⎠ ⎝ L0 ⎠

σ =F A

De este modo, igualando el valor de F en las definiciones Nota 13.3

ingenieril y real, los esfuerzos ingenieril y real estarán rela-
cionados por
El insólito caso de las gomas
⎛ A0 ⎞ La mayoría de los materiales cuando son rápidamente com-
σ A = sA0 ⇒ σ = s ⎜ ⎟ (1)
⎝ A⎠ primidos se calientan, y cuando son expandidos, se enfrían.
El efecto es particularmente notorio en los gases, pero tam-
Si suponemos además que, pese a la deformación, el vo- bién sucede con líquidos y sólidos cuando éstos son defor-
lumen del material se conserva, es decir, que el material es mados elásticamente. No debe confundirse este hecho con
incompresible (lo que limita el rango de validez de las rela- el calentamiento asociado a la llamada deformación plástica
ciones que se obtendrán), se verificará la siguiente relación: (permanente) de un sólido, durante la cual aproximadamen-
te un 95 % del trabajo realizado para deformarlo se traduce
en calor. El efecto al que aquí nos referimos se presenta en
A0 L0 = AL deformaciones reversibles (esto es, elásticas) y es debido ex-
clusivamente a cambios en la entropía del sistema.
De este modo, Dado que la deformación es elástica, es también rever-
sible, por lo que podemos considerar que el trabajo reali-
A0 L L0 + ΔL zado W se invierte íntegramente en producir un incremento
= = = 1+ e
©  Ediciones Paraninfo

A L0 L0 de la energía libre ΔG (energía de deformación). Como

ΔG = ΔH − T ΔS y ΔH = ΔU − PΔV , resulta entonces que

Así pues, llevando este resultado a la Expresión (1), se

ΔG = ΔU − PΔV − T ΔS
llega a que

95
Capítulo 13 Propiedades mecánicas de los materiales. Elasticidad
En los materiales cristalinos sucede que tanto la varia-
ción de volumen como la variación de entropía asociadas a
la deformación son insignificantes, por lo que la energía de
deformación consistirá casi enteramente en un aumento de la
energía interna, ΔU , almacenada en los enlaces interatómi-
cos tensionados. La elasticidad así resultante se caracterizará
por un elevado valor del módulo elástico.
Por el contrario, las pequeñas fuerzas necesarias para
estirar una goma raramente modifican su energía interna y
son insuficientes para cambiar el volumen, de modo que la
expresión de ΔG se reduce a
ΔG = −T ΔS
Así pues, el comportamiento de la goma elástica tiene
su origen en el incremento de energía libre asociado con la
variación de entropía, ΔS . Como esta, pese a no ser despre-
ciable, no tomará nunca valores muy elevados, la elasticidad
resultante se caracterizará por un relativamente bajo módulo
elástico, pero también por una impresionante capacidad de
recuperación elástica.
Las macromoléculas de una goma elástica se encuentran
en su estado inicial enrolladas, entremezcladas de una forma
totalmente caótica y desordenada. Cuando la goma se estira,
los polímeros se desenrollan y alinean, y adoptan un estado
más ordenado, por lo que puede decirse que la entropía del
sistema habrá disminuido. Si el estiramiento es adiabático
(esto es, si está imposibilitado el intercambio térmico con
el entorno), la disminución de entropía se traducirá en una
disminución de la temperatura. Así pues, al estirar una goma,
esta se calienta, y al liberarla, se enfría. Pero también suce-
de lo contrario: si se calienta la goma, esta se contraerá, y
si se enfría, se dilatará. Es desde luego un comportamiento
intrigante, porque los gases exhiben justo el comportamiento
opuesto: al calentarse se dilatan y al enfriarse se contraen (y
al expandirse se enfrían, y al contraerse se calientan).
Más sorprendente es aún que el comportamiento anóma-
lo de las gomas se traduce en que el módulo elástico aumenta
con la temperatura.
Supongamos un elastómero que es estirado a una tem-
peratura y presión (T y P) constantes. ¿Cómo variarán estas
magnitudes a medida que el material es deformado? Si Δx
representa el estiramiento, puede decirse que
ΔG ΔH ΔS
= −T
Δx Δx Δx
¿Qué puede decirse acerca de cada uno de los miembros
de esta nueva expresión? El primer término, ΔG Δx , repre-
senta el trabajo realizado sobre el material por unidad de lon-
96
gitud estirada, y si Δx se hiciera infinitesimalmente pequeño,
entonces este cociente representaría la fuerza aplicada.
Si la deformación sucede sencillamente por la reorienta-
ción y estiramiento de las cadenas, sin cambios microestruc-
turales fundamentales (tales como los de la cristalización),
la entalpía interna H no cambiará a medida que el material
se deforma. De este modo, el segundo término, ΔH Δx , se
anulará. Respecto al último término, tal como hemos dicho,
el estiramiento del material hace disminuir S, por lo tanto,
ΔS Δx será negativo y positivo el producto −T ΔS Δx . Así, a
medida que T aumenta, mayor será el cociente ΔG Δx , que
está relacionado con la fuerza aplicada. Si la T y la P son
constantes durante la deformación, para conseguir una deter-
minada extensión Δx se requerirá una fuerza mayor a tem-
peraturas más altas que a temperaturas más bajas. Desde el
punto de vista macroscópico, esto será percibido como que
el módulo elástico aumenta con la temperatura.
Adenda
Ensayos mecánicos (I):
Determinación de constantes elásticas
mediante ultrasonidos
En los fluidos, el sonido viaja como una onda de presión,
por la cual las moléculas del fluido se desplazan en un mo-
vimiento de vaivén en la misma dirección en que se pro-
paga la onda (Figura 1a). Este tipo de ondas se denominan
longitudinales. Sin embargo, en los medios sólidos, capaces
de soportar tanto esfuerzos normales como tangenciales, no
solo pueden propagarse las ondas longitudinales, sino tam-
bién las denominadas ondas transversales. En estas últimas,
los átomos del sólido se desplazan (oscilan) en una dirección
que es perpendicular a la de propagación de la propia onda
(Figura 1b).
Las velocidades de dichas ondas son diferentes para cada
material. Esto es así porque la masa y distribución de los áto-
mos constituyentes varían de un medio a otro y, sobre todo,
porque la fortaleza de los enlaces que los mantienen unidos
también varía en los distintos materiales. Por todo ello, es
lógico pensar que han de existir relaciones que liguen la ve-
locidad del sonido con las constantes elásticas del material,
que como hemos visto, dependen claramente de la fortaleza
de los enlaces interatómicos. Puede demostrarse que las ve-
locidades de las ondas longitudinales ( v SL ) y transversales
( v ST ) en un determinado sólido vienen dadas por:
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E (1 − υ ) E
v SL = ≈
δ (1 + υ )(1 − 2υ ) δ
 La escala macroscópica de los materiales Bloque 3

(a)

(b)

Figura 1

de ultrasonidos (ondas sonoras de frecuencia superior a los

E G
v ST = = 20 kHz) como el de la Figura 2, capaz de enviar pulsos lon-
2δ (1 + υ ) δ gitudinales o transversales y detectar sus ecos (reflexiones)
de las caras posteriores de la muestra. Empleando una mues-
donde E es el módulo de Young, υ es el coeficiente de tra de caras planoparalelas de espesor conocido, d, es fácil
Poisson, G, el módulo de cizalladura, y d, la densidad del calcular la velocidad de propagación del sonido, determinan-
material. Resolviendo estas ecuaciones para υ , E y G , se do el tiempo transcurrido (t) desde que se emitió el pulso
obtiene: hasta que se detectó su eco, tras de lo cual el sonido habrá
recorrido una distancia igual a 2d. La velocidad se calcularía
2 entonces como vS = 2d t .
1
2 − ( v ST v SL )
υ= 2 Para obtener unas medidas precisas, resulta imprescin-
1 − ( v ST v SL ) dible calibrar la base de tiempos del dispositivo, para lo que
se requiere una muestra patrón, de dimensiones conocidas
y en la que las velocidades del sonido se conocen con gran
precisión.
E = 2δ vST2 (1 + υ ) ≈ δ vSL2

G = δ v ST2

Así pues, determinando experimentalmente los valores

de d, v SL y v ST , podremos conocer los valores de las cons-
tantes elásticas anteriores.
El método más simple para medir la velocidad del soni- Figura 2
do (longitudinal o transversal) es empleando un generador
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97
 14
CAPÍTULO

Propiedades mecánicas
de los materiales
Plasticidad

RECURSOS DIGITALES

Nota 14.1. Definiciones del límite elástico

Nota 14.2. L a fractura desde un punto
de vista atómico
Nota 14.3. O tras ecuaciones de
endurecimiento
Nota 14.4. C riterio de Considère
Nota 14.5. Esfuerzo requerido para
curvar una línea de dislocación
Nota 14.6. E sfuerzo requerido para que
una dislocación atraviese una
partícula

Adenda: Ensayos mecánicos (II): Ensayos

de tracción, compresión,
flexión y dureza
Capítulo 14 Propiedades mecánicas de los materiales. Plasticidad

Nota 14.1 corte de dicha recta con la gráfica. Dicho valor representa el
límite elástico convencional (Figura 1b).
Definiciones del límite elástico Por último, para aquellos materiales que presentan entre
la zona elástica y la plástica una zona de fluencia oscilan-
te (Figura 2), se definen dos límites elásticos calificados de
Dado que la mayoría de los materiales presentan una tran-
«aparentes»: el límite elástico aparente superior y el límite
sición gradual del comportamiento elástico al plástico que
elástico aparente inferior, ya que en la mencionada zona de
hace difícil discernir cuándo termina la zona de deformación
fluencia el esfuerzo varía entre dichos puntos.
elástica y cuándo comienza la de deformación plástica, la
determinación del límite elástico de un material no es una
cuestión elemental. En consecuencia, el final de la zona elás-
tica puede definirse de diversos modos.
Una definición operativa puede ser la siguiente: el límite
elástico es el mayor esfuerzo que el material puede soportar
sin que al retirar la carga quede constancia de deformación
permanente en el mismo. Para atender a esta definición, la
determinación del límite elástico requeriría efectuar una lar-
ga serie de cargas y descargas sucesivas, lo que además de
ser bastante tedioso, resulta poco preciso, ya que vendrá li-
mitado por la sensibilidad con que pueden medirse las defor-
Figura 2
maciones. La sensibilidad en la medida de las deformaciones
suele ser del orden de 10-4.
Una definición más práctica es la correspondiente al de- Nota 14.2
nominado límite elástico proporcional, que es el mayor es-
fuerzo que aún sigue siendo proporcional a la deformación. La fractura desde un punto
Puede obtenerse observando cuándo la curva del ensayo se
desvía del tramo recto inicial, lo que es posible solo cuando
de vista atómico
la diferencia entre las zonas elástica y plástica resulte evi-
Es posible estimar teóricamente la resistencia a la fractura
dente, o bien, empleando algoritmos numéricos que evalúen
de un material sometido a tracción, basándonos en la varia-
el cambio de pendiente (Figura 1a).
ción de la fuerza que se requiere para separar una pareja de
átomos vecinos. La Figura 1 representa, precisamente, la
curva fuerza aplicada frente a distancia. (Nótese que dicha
(a) (b)
curva es justamente la opuesta a la representada en la Figu-
ra 13.5, porque allí se describía la fuerza de atracción entre
los dos átomos considerados, que es igual en magnitud, pero
de sentido opuesto, a la que se requiere para separarlos). Para
simplificar el cálculo, aproximaremos la curva real por dos
líneas rectas, tal como se muestra en la Figura 1.

Figura 1

Cuando la transición entre una zona y otra se efectúa de

modo muy suave, que es lo que habitualmente ocurre, resulta
útil la definición del límite elástico convencional (o también,
esfuerzo de cedencia), según la cual esta magnitud se corres-
ponde con el valor del esfuerzo necesario para producir una
©  Ediciones Paraninfo

pequeña deformación plástica (típicamente, igual a 0.002,

esto es, del 0.2 %). Suele adoptarse el criterio de trazar una
línea recta paralela al tramo elástico desde un valor de defor-
mación de 0.002 y leer el valor del esfuerzo en el punto de Figura 1

100
 La escala macroscópica de los materiales
La energía requerida para alejar dos átomos desde su po-
sición de equilibrio y separarlos una distancia infinita será
igual al producto de la fuerza por la distancia sobre la que
ha de actuar dicha fuerza. Esta energía se corresponde con
el área bajo la curva entre r0 (la distancia de equilibrio) y
el infinito, que, en primera aproximación, podemos suponer
igual al área del triángulo representado en la figura, esto es,
E = ΔFmáx ⋅ Δr
Por otra parte, como cada enlace simple átomo-átomo
tiene asociado un área transversal r02 , el esfuerzo local máxi-
2
mo será ΔFmáx r0 . Por tanto
esfuerzo ΔF r 2
E= = máx 0
deformación Δr r0
que podemos reescribir como
ΔFmáx
Δr =
E r0
Sustituyendo ahora esta expresión en la de la energía E,
resulta
2
E=
( ΔFmáx )
E r0
Considerando que el máximo de la curva representa el
punto de rotura del enlace, podemos estimar ΔFmáx como
σ F r02 , donde σ F es la resistencia a la fractura. (Se está asu-
miendo con ello que el esfuerzo microscópico es el mismo que
el esfuerzo macroscópico, medible en una en una experiencia
real.) De este modo, es posible estimar la energía necesaria
para romper un enlace entre dos átomos, E, a través de:
σ F2 3
E= r0
E presentada de Ludwik, (2), suponen que la capacidad de en-
Ahora, incluyamos en nuestra argumentación la energía
superficial. La energía requerida para separar los dos áto-
mos es exactamente igual a la que poseen los dos átomos
separados, en sus nuevas superficies. Si g es la energía libre
©  Ediciones Paraninfo
superficial, medida en J·m-2, como cada átomo ocupa un área
r02 , entonces la energía extra superficial se calculará como
E = 2γ r02
Bloque 3
Igualando ahora las dos expresiones de E obtenidas, se
llega a que:
σ F2 3
2γ r02 = r0
E
Y despejando,
2γ E
σF =
r0
Nota 14.3
Otras ecuaciones de endurecimiento
Si un material metálico ha sido sometido a una deforma-
ción previa (a baja temperatura), su límite elástico se verá
incrementado por un factor que depende, precisamente, de la
cantidad de deformación previa, e0. En este caso, los datos
obtenidos en la zona de deformación plástica uniforme del
ensayo de tracción de dicho material no ajustan bien con la
ecuación de Hollomon (14.3), sino que se rigen mejor por
esta otra expresión (que aquí llamaremos ecuación de Hollo-
mon con deformación previa):
σ = k ⋅ (ε 0 + ε ) n (1)
Una expresión alternativa, no basada en la de Hollomon,
también para modelar el efecto de endurecimiento por defor-
mación de materiales metálicos, es la conocida como ecua-
ción de Ludwik:
σ = σ LE + k ⋅ ε n (2)
en la que σ LE representa el límite elástico del material. Esta
ecuación desprecia la zona elástica, lo que para materiales
con amplias zonas de comportamiento plástico, no resulta
nada descabellado.
Las expresiones de Hollomon, (14.3) y (1), y la aquí
durecimiento del material no se agota nunca. Estudios ex-
perimentales recientes, sin embargo, parecen señalar que el
endurecimiento puede llegar a saturarse para deformaciones
extraordinariamente severas. Para modelar este comporta-
miento Voce propuso la siguiente expresión:
σ = σ S − a exp ( −bε )
donde σ S representa en valor de saturación, y los parámetros
a y b son constantes características del material.
101
Capítulo 14 Propiedades mecánicas de los materiales. Plasticidad

Figura 1

En la Figura 1 se representan conjuntamente los cuatro puesto que, de acuerdo con la Expresión (1), la pendiente en
modelos del comportamiento plástico mencionados. este punto es σ M (1 + eM ) .

Nota 14.4
Criterio de Considère
Teniendo en cuenta las definiciones de las deformaciones in-
genieril ( de = dL L0 ) y real ( dε = dL L ), podemos encontrar
una interesante relación, por medio de un sencillo ejercicio
de diferenciación. A saber,

dσ dσ de dσ dL L0 dσ L dσ
= = = = (1 + e )
dε de d ε de dL L de L0 de Figura 1

La construcción de Considère es válida para todos los ma-

puesto que, por definición, e = ( L − L0 ) L0 = L L0 − 1 .
teriales y es particularmente útil para comparar la influencia de
Sabemos, además, que la deformación plástica no unifor- variables como el límite elástico y el ritmo de endurecimien-
me comienza, de acuerdo con la Expresión (14.11), cuando to por deformación en la zona de deformación uniforme. Las
dσ dε = σ , así pues, figuras siguientes ilustran dos casos extremos especialmente
útiles. La Figura 2 muestra las construcciones de Considère
dσ σ para materiales que tienen ritmos de endurecimiento simila-
= M (1)
de 1 + eM

Esta ecuación permite una interpretación geométrica

bastante interesante, pues hace posible la determinación del
punto de máxima carga (σ M , comienzo de formación del
cuello), y con ello, el valor del exponente de endurecimien-
to (a través de la Expresión (14.12)). En la Figura 1 se ha
representado la curva de esfuerzo-deformación en términos
del esfuerzo real frente a la deformación ingenieril (la repre-
©  Ediciones Paraninfo

sentación obtenida se denomina construcción de Considère).

En dicha representación, la línea tangente a la curva s-e
trazada desde el punto A, para el que e = −1 , tendrá como
punto de tangencia precisamente el punto de máxima carga, Figura 2

102
 La escala macroscópica de los materiales
res, pero diferentes límites elásticos. Se puede comprobar que
la deformación uniforme, y por tanto también la deformabili-
dad, disminuye al aumentar el límite elástico.
Por el contrario, la Figura 3 muestra las construcciones de
Considère para materiales que tienen el mismo límite elástico,
pero diferentes ritmos de endurecimiento. La deformabilidad,
medida a partir de la deformación uniforme, aumenta con el
ritmo de endurecimiento por deformación. Naturalmente, en la
práctica, los materiales difieren tanto en límite elástico como
en ritmo de endurecimiento, pero puede predecirse de todo
esto que las condiciones ideales de conformado se cumplirían
cuando el material tuviera un límite elástico bajo (para que
de este modo las cargas de conformación se puedan mantener
también bajas), y, además, un alto ritmo de endurecimiento
por deformación (para que la zona de deformación uniforme
se amplíe, y con ello, también la deformabilidad).
Figura 3
Nota 14.5
Esfuerzo requerido para curvar una línea
de dislocación
En el Capítulo 7 ya vimos que toda dislocación comportaba
una energía elástica adicional por unidad de longitud, Ed, que
podía estimarse como Ed ≈ G b 2 J/m. Debido a ello, siem-
pre existirá una tendencia a que la dislocación se haga lo
más corta posible, para minimizar así dicha energía extra.
Así pues, las dislocaciones se comportan como cintas elás-
ticas, que tienden a ser tan rectilíneas como sea posible, y a
contraerse y desaparecer, si forman lazos cerrados. Solo bajo
la acción de fuerzas se mantendrán curvadas, tal como se
esquematiza en la Figura 1.
©  Ediciones Paraninfo
Figura 1
Bloque 3
Para que la longitud de una dislocación se vea incremen-
tada en la cantidad ds, debe realizarse sobre ella un trabajo
igual a Ed ⋅ ds . Podemos entender que este trabajo está pro-
ducido por una fuerza de tracción T que se desplaza una
distancia ds , y de aquí que T = Ed . (Nótese que, dimensio-
nalmente, J m = N⋅ m m = N ). Por tanto, puede considerarse
que la dislocación está sometida a una tensión lineal T igual
a G b 2 . (El concepto de tensión lineal a lo largo de una línea
es completamente análogo al de tensión superficial de una
superficie, con la salvedad de que el primero tiene dimensio-
nes de fuerza, y el segundo, de fuerza/longitud).
Un cálculo sencillo permite determinar la fuerza normal
por unidad de longitud, f , que es necesario aplicar para cur-
var una dislocación hasta formar un arco de radio r, tal como
se muestra en la Figura 2.
Figura 2
La tensión lineal de la dislocación producirá una fuerza
que tenderá a enderezar la dislocación, por lo que esta solo
permanecerá curvada si un esfuerzo de cizalladura τ produ-
ce una fuerza igual en módulo, pero opuesta. Las componen-
tes verticales de las fuerzas que actúan sobre un segmento de
dislocación (dl) cumplirán:
τ bdl = 2T sen ( dθ 2)
siendo b el módulo del vector de Burgers (el desplazamiento
que sufre la dislocación al actuar t).
Para valores pequeños de dθ , podemos tomar
sen ( dθ 2 ) ≈ dθ 2 y como, por definición de radián,
dθ dl = 1 r , obtenemos que el esfuerzo necesario para man-
tener curvada la dislocación valdrá:
T Gb
τ= =
br r
Como, además, f = τ b (Ejercicio resuelto 14.8), se llega
a que
f ≈ G b2 r
Este mismo resultado se obtiene para cualquier tipo de
dislocación: de cuña, de tornillo o incluso mixta (mezcla de
ambas).
103
Capítulo 14 Propiedades mecánicas de los materiales. Plasticidad

Nota 14.6 donde r es el radio medio de las partículas, y b represen-

ta el módulo del vector de Burgers, pero también indica el
deslizamiento que el paso de la dislocación ocasiona en la
Esfuerzo requerido para que partícula cuando la atraviesa. La Figura 1 representa el corte
una dislocación atraviese una partícula de una partícula por una dislocación que la atraviesa y le
provoca un deslizamiento de magnitud dada por el módulo
Para que una dislocación pueda atravesar una partícula a la
del vector de Burgers, b.
que se enfrenta, la fuerza necesaria que debe actuar sobre
la dislocación debe ser igual o superior a la resistencia que
opone la partícula a ser atravesada. Si la distancia media en-
tre partículas es ℓ , y como consecuencia de un sobreesfuer-
zo tangencial aplicado Δτ DC , la dislocación se desplaza una
distancia b, la fuerza que esta siente habrá de ser Δτ DC ⋅ bℓ ,
donde b representa el módulo del vector de Burgers. Esta
fuerza debe ser igual a la resistencia interna de la partícu-
la, que puede estimarse como el producto γ E ⋅ rE , donde γ E
y rE representan los valores efectivos de la energía interfi-
cial y del radio de la partícula, respectivamente. Nótese que
el producto γ E ⋅ rE tiene dimensiones de fuerza. La energía
interficial efectiva γ E tiene en cuenta todos los fenómenos Figura 1
de distorsión elástica y creación de nuevas interficies que la
presencia de la partícula y el corte de la misma introducen
Así pues, como Δτ DC ⋅ b ℓ = rE ⋅ γ E , sustituyendo la expre-
(deformación elástica por la diferencia de volumen genera-
sión de rE y despejando, obtenemos:
da por los átomos precipitados, efecto sobre el avance de
la dislocación del diferente módulo y el diferente parámetro
de red entre la matriz y el precipitado, así como la creación r 2γ E2
Δτ DC =
de nuevas superficies tras el corte de la partícula). El radio ℓ G b3
efectivo rE corresponde al que aparenta tener la partícula (la
perturbación elástica que la partícula introduce hace que la
dislocación sienta su presencia mucho más lejos, como si su Adenda
radio fuera mayor).
Podemos calcular este radio efectivo teniendo en cuenta Ensayos mecánicos (II):
que la energía que cuantifica el efecto perturbador de la par- Ensayos de tracción, compresión,
tícula puede calcularse de dos modos. Por un lado, mediante flexión y dureza.
el producto ( 2π rE ) aG b2 , donde ( 2π rE ) representa el perí-
metro efectivo de una partícula situada en el plano de desli- Los ensayos de tracción, compresión y flexión, cuyo objeti-
zamiento y aG b 2 , la energía elástica por unidad de longitud vo es de la determinación de la curva s-e y de las magnitu-
asociada a ese perímetro (recuerde que las unidades de G b 2 des que de esta pueden extraerse, se llevan a cabo mediante
son de energía por unidad de longitud y a es una constante un equipo denominado máquina universal de ensayos. La
adimensional). Por otro lado, la misma energía puede calcu- naturaleza particular del ensayo de dureza exige un equipo
larse como el producto ( 4π r 2 ) γ E , donde ( 4π r 2 ) representa diferente denominado durómetro.
el área de la interficie exterior de la partícula, y γ E es la
energía interficial efectiva que antes introdujimos. De este
A. Máquina universal de ensayos
modo, se cumplirá que
Este equipo consta principalmente de un marco rígido y dos
vigas horizontales móviles (al menos una de ellas), también
(2π r ) 2G b = (4π r )γ
2
E
2 2
E de alta rigidez, que se separan o acercan según los requeri-
mientos del ensayo. Entre dichas vigas se sitúa la muestra
donde, por simplicidad, se ha considerado a = 2 . Despejan- a ensayar, con los accesorios necesarios, ya sean mordazas,
do se obtiene que platos, mandriles, etc. (Figura 1a). El movimiento de las vi-
©  Ediciones Paraninfo

gas puede ser realizado por un dispositivo electromecánico

consistente en un motor eléctrico y un par de guías en forma
r 2γ E
rE = de husillo (Figura 1b). La electrónica de control regula la
G b2 fuerza ejercida por el motor, tomando como realimentación

104
 La escala macroscópica de los materiales
los datos proporcionados por una célula de carga, así como el
desplazamiento relativo entre las vigas, con la información
proporcionada por un sensor de desplazamiento. La fuer-
za ejercida se traducirá en un esfuerzo aplicado a la mues-
tra, y el desplazamiento de las vigas, en deformación de la
muestra. Los equipos suelen tener dos modos principales de
trabajo: control de la fuerza ejercida, o control del desplaza-
miento de las vigas.
(a) (b)
Figura 1
B. Ensayo de tracción
Este ensayo, quizá el más extendido, consiste sencillamente
en someter a una muestra a un esfuerzo axial lentamente cre-
ciente. La aparente sencillez se ve contrariada por la diver-
sidad de normas internacionales y por la heterogeneidad de
las normas de un mismo país, dirigidas a diferentes familias
de materiales (por ejemplo, UNE-EN ISO 6 892 para metales
o UNE-EN ISO 527 y UNE EN ISO 53 510 para materiales
poliméricos). Las principales condiciones de ensayo que re-
gulan las normas son:
1. Temperatura. Como no podía ser de otra manera,
dada la repercusión que la temperatura tiene en el
comportamiento de los materiales, debe considerarse
siempre la temperatura a la que se realiza el ensayo:
temperatura ambiente o elevada temperatura. (Para
este último caso se debe incorporar un horno que ro-
dea a la muestra y regula su temperatura.)
2. Tipo de control. También se permite regular las con-
diciones del ensayo mediante el control de la veloci-
dad de deformación o el control de la velocidad de
carga (si bien este último aparece como un método
©  Ediciones Paraninfo
a extinguir en futuras revisiones de la norma de ma-
teriales metálicos, y no se contempla para materiales
poliméricos). Con ello se permite establecer un ritmo
de deformación o un ritmo de incremento del esfuer-
Bloque 3
zo (ingenieril) aplicado durante el ensayo. Tal vez lo
que no resulte tan lógico, como podrá comprobar el
lector que revise las normas, es la falta de coherencia
en las magnitudes a aplicar a las variables de con-
trol, o en el propio tipo de control a aplicar, según las
zonas de la curva o las variables del ensayo que se
pretendan determinar, lo que hace que en un mismo
ensayo deban emplearse diferentes ritmos o incluso
modos de control (siempre con transiciones graduales
entre los mismos).
Por otra parte, el control de la carga aplicada
(kN/s) resulta fácil para las máquinas de ensayo, pero
controlar la velocidad de deformación no lo es tanto.
Esto último puede hacerse a partir de la velocidad a la
que se separan las vigas de la máquina, pero las defor-
maciones de todas las piezas intermedias (que no son
infinitamente rígidas en comparación con el material
a ensayar) se estarían incluyendo. Para evitar este
problema suele emplearse un extensómetro adosado
a la probeta, que permite determinar exactamente la
deformación de la denominada zona calibrada de la
probeta (L0, la zona que abarca el extensómetro). Esto
permite evitar errores, como los debidos a la falta de
suficiente rigidez de la máquina, en la determinación
de la deformación en la curva s-e.
3. Forma de la probeta. Las distintas normas estable-
cen la forma (barras de sección circular o rectangu-
lar, perfiles, chapas finas, tubos, varillas, alambres,
películas, etc.) y las correspondientes dimensiones
de las probetas (Figura  2). Estas tienen sus extre-
mos con mayores secciones resistentes, y en el cen-
tro una zona rebajada que será en la que se produzca
la deformación al realizar el ensayo. En general, las
dimensiones deben ser de tipo proporcionado o de
dimensiones prefijadas. La proporcionalidad de las
probetas metálicas, en general, quiere decir que debe
cumplirse que L0, la zona calibrada, debe correspon-
der a L0 = 5.65 S0 , siendo S0 la sección de la probe-
ta. Las dimensiones para los materiales poliméricos
suelen venir prefijadas en la norma, obteniéndose las
probetas por moldeo, inyección o mecanizado, gene-
ralmente con secciones rectangulares.
Figura 2
105
Capítulo 14 Propiedades mecánicas de los materiales. Plasticidad
Con todo ello, la realización del ensayo (Figura 3a) con-
siste en:
1. Colocación y fijación de la probeta por la mordaza in-
ferior de la máquina (de las que existen varios tipos y
cuya finalidad es evitar el deslizamiento de la probeta
al incrementar la carga).
2. Acercamiento de la mordaza superior y fijación de la
parte superior de la probeta.
3. Posible colocación del extensómetro.
4. Puesta en marcha del ensayo según las condiciones
prefijadas en el controlador.
El ensayo termina al romper la probeta o al alcanzarse el
límite prefijado de alguna variable monitorizada por el con-
trolador. Los datos de fuerza y desplazamiento (proceden-
tes de la célula de carga y el extensómetro incorporados en
el equipo) son almacenados, y procesados para obtener los
correspondientes valores de esfuerzo y deformación con los
que se representará la curva s-e del material.
(a) (b) (c)
Figura 3
C. Ensayo de compresión
Este ensayo resulta muy semejante al de tracción, con la
principal diferencia de que la carga se aplica en sentido
contrario, comprimiendo al material (Figura 3b). Tiene su
principal campo de aplicación en aquellos materiales cuya
deformación a tracción es limitada, en general los denomi-
nados materiales frágiles, y que por el contrario permiten a
compresión mayores rangos de deformación para la determi-
nación de la curva s-e.
En el caso de metales se rige principalmente por las nor-
mas ASTM E 9-89a para temperatura ambiente y ASTM
E209 para elevada temperatura. Para materiales poliméricos
se aplica, entre otras, la norma UNE EN ISO 604 para termo-
plásticos y termoestables y la UNE 53 536 para elastómeros.
En ellas se esclarece la importancia de la temperatura del
ensayo, y a diferencia del ensayo de tracción, solo se permite
control por velocidad de deformación, con o sin extensóme-
tro, en este último caso controlando según el desplazamiento
de las vigas y platos de compresión de la máquina de ensa-
yos. De nuevo, se establecen las dimensiones de las probe-
106
tas, en general cilíndricas, que en caso de muestras delgadas
pueden requerir de soportes laterales que eviten su deforma-
ción lateral.
Para evitar rozamiento y aparición de esfuerzos en el
contacto probeta-plato, el ensayo debe realizarse tras la ade-
cuada lubricación de los platos de compresión. Debe además
prestarse especial atención al alineamiento de la probeta con
los platos. El ensayo se prolonga hasta la rotura del material
(por aparición de grietas y caída de la resistencia, o por esta-
llido de la muestra), o hasta haber alcanzado una situación de
inestabilidad que complicaría la interpretación de los resul-
tados (por ejemplo por falta de axialidad o por abarrilamien-
to de la zona central debido al rozamiento). Para materiales
dúctiles el ensayo termina al alcanzarse un punto preestable-
cido de parada, pues los modos de fallo anteriores podrían
no tener lugar.
D. Ensayo de flexión
Consiste en someter a una muestra apoyada en dos puntos a
una carga que produzca su flexión, Figura 3c. Dicha carga
en general se aplica en un punto central, aunque puede apli-
carse en dos simultáneamente. La flexión provoca esfuerzos
de compresión en la parte cóncava de la muestra deformada
y de tracción en la parte convexa, mayores cuanto más ale-
jadas del eje central de la probeta. Dado que la resistencia a
tracción suele ser menor que a compresión en la mayoría de
los materiales, el ensayo de flexión debería arrojar resultados
semejantes al de tracción, a no ser porque en el ensayo de
tracción se somete a la máxima carga de tracción a toda la
sección de la muestra (en consecuencia la fuerza aplicada en
este ensayo llega a ser mayor).
Las consideraciones operativas contempladas en la Nor-
ma (por ejemplo, UNE EN ISO 178 para materiales poli-
méricos, o la Norma de doblado UNE EN ISO 7 438 para
metales) resultan similares a las mencionadas en los anterio-
res ensayos, debiendo por tanto considerarse la temperatura
del ensayo, la velocidad de desplazamiento o aplicación de
carga y la forma de las probetas, así como la disposición del
ensayo (en tres o cuatro puntos, dos de apoyo y uno o dos
de aplicación de la carga). Para el caso de materiales dúcti-
les, como muchos metales, el ensayo que se emplea es el de
doblado, en el que la muestra no llega a romper, sino que el
ensayo se detiene al alcanzarse un determinado ángulo de
doblado. Debe destacarse también que la geometría del en-
sayo da lugar a expresiones de s y e algo más complejas que
en los ensayos anteriores, si bien la interpretación de la curva
obtenida es la misma.
©  Ediciones Paraninfo
E. Ensayo de dureza
Este ensayo es bien distinto de los anteriores, y está diseñado
para proporcionar el valor de la dureza del material, que se
define como el valor de la carga aplicada por un penetrador,
 La escala macroscópica de los materiales
dividido entre el área de la huella provocada. El anterior es
el caso, entre otros, de los ensayos de dureza Brinell y Vic-
kers, pero no de la variante Rockwell, donde la dureza se
mide según la profundidad alcanzada por el penetrador en
el material.
El durómetro (Figura 4) consta de una plataforma con
movimiento vertical para acercar la muestra al penetrador.
Una vez posicionada, y habiendo seleccionado el tipo de en-
sayo a realizar, se aplica una determinada carga. En los duró-
metros más antiguos, las diferentes cargas se aplican gracias
a un sistema de contrapesos. En los actuales, se utiliza un
sistema de aplicación de carga en lazo cerrado, consistente
en un motor que aplica una carga que es constantemente eva-
luada y corregida gracias a una célula de carga incorporada
en el equipo. Así se eliminan los errores potenciales asocia-
dos a los durómetros con tecnología de peso muerto. Para los
ensayos Brinell y Vickers, el equipo dispone de un juego de
lentes que se sitúa automáticamente sobre la pequeña huella
realizada, apareciendo esta mostrada en una pantalla. Se mi-
den entonces las dimensiones de la huella y el controlador
del equipo devuelve como resultado el valor de la dureza. En
el ensayo Rockwell, el valor de la dureza es calculado auto-
máticamente a partir de la profundidad final del penetrador
en la muestra.
Figura 4
La norma UNE-EN ISO 6 506 para dureza Brinell, UNE-
EN ISO 6 507 para dureza Vickers y UNE-EN ISO 6 508
para dureza Rockwell regulan la temperatura del ensayo, los
tipos de penetradores, las cargas a aplicar, los tiempos de
aplicación de la carga, la velocidad de descenso del penetra-
dor, el nivel de preparación de la superficie a ensayar, el es-
pesor mínimo de la muestra y la zona de la muestra a ensayar
(alejada de los bordes de la misma o de huellas anteriores).
En concreto, en el ensayo de dureza Brinell se debe em-
©  Ediciones Paraninfo
plear como penetrador una bola de 1, 2.5, 5 o 10 mm de
diámetro de metal duro. Las fuerzas aplicadas, habitualmen-
te durante un tiempo de 10 a 15 s, son tales que el valor de
la llamada relación fuerza-diámetro o constante de ensayo,
Bloque 3
(1/9.807)·(F/D2), resulte ser 1, 2.5, 5, 10, 15 o 30. Según lo
anterior, las fuerzas se sitúan entre 9.807 y 29 420 N, o lo
que resulta equivalente, las cargas varían entre 1 y 3 000 kgf.
Esta relación fuerza-diámetro es útil para saber si es posi-
ble comparar valores obtenidos con distintos penetradores
o distintas cargas, ya que solo serán comparables aquellos
valores obtenidos con igual relación. Uno de los principales
inconvenientes de este método es que para que sea válido,
el diámetro de la huella provocada debe estar comprendido
entre 0.24 y 0.6 veces el diámetro del penetrador. Si esto no
sucede, deben cambiarse las condiciones de ensayo.
El ensayo de dureza Vickers puede aplicarse a materiales
más duros que los ensayados mediante Brinell, al realizarse
con un penetrador de diamante con forma de pirámide cuyas
caras forman un ángulo de 136º. Las fuerzas aplicadas va-
rían entre 0.09807 y 0.9807 N para ensayos de microdurezas,
entre 1.961 y 29.42 N para ensayos de dureza de baja carga,
y entre 49.03 y 980.7 N para los ensayos de dureza, propia-
mente dicha. (Las cargas equivalentes resultan entre 0.01 y
0.1 kgf para la microdureza, entre 0.2 y 3 kgf para la dureza
a baja carga, y ente 5 y 100 kgf para la dureza). Las cargas se
aplican también durante un tiempo de 10 a 15 s. A diferencia
de la dureza Brinell, la forma del penetrador asegura siempre
la posible comparación entre diversas medidas.
Por último, el ensayo de dureza Rockwell es el más fácil
de realizar, pues no se hace necesario medir la huella genera-
da. La propia máquina de ensayo controla el desplazamiento
vertical del penetrador y, en función del mismo, estable-
ce la dureza del material. En este ensayo, un penetrador
de metal duro, esférico con dos posibles diámetros (1.588
o 3.175 mm), o de diamante con forma de cono con 120º
y un radio de curvatura de 0.2 mm en la punta, aplica una
Figura 5
107
Capítulo 14 Propiedades mecánicas de los materiales. Plasticidad

precarga (F0) sobre la muestra, durante un tiempo inferior a
3 s (Figura 5). Esta precarga puede ser de 29.42 o 98.07 N,
lo que equivale a 3 o 10  kgf, dependiendo de si el ensayo
se utiliza para medir propiedades superficiales o de todo el
material. Con ello se evita la preparación tan exhaustiva de
la superficie de la muestra, como sí se exige en los méto-
dos anteriores. Posteriormente, la precarga se incrementa
hasta la carga final (F0+F1): 147.1, 294.2 o 441.3 N (15, 30
o 45 kgf) para la menor de las precargas, y 588.4, 980.7 o
1 471 N (60, 100 o 150 kgf) para la precarga mayor, que se
aplica durante 4 s, para volver a disminuir la carga hasta el
valor de la precarga (F0). Las distintas combinaciones de tipo
de penetrador, precarga y carga dan lugar a distintas escalas
de dureza Rockwell.
La posición del penetrador en el momento en que se retira
la carga, y permanece solo la precarga, es la que determinará
la dureza del material. Para establecer la escala de medida
(completamente arbitraria) se considera una pequeña distan-
cia de 0.2 mm, contada a partir de la posición del penetrador
al aplicar la precarga inicial (0.1 mm para ensayos de dureza
superficial). Si en su posición final, tras retirar la carga, el pe-
netrador llega a 0.2 mm, eso equivale a una dureza cero del
material; en cambio, si el descenso del penetrador fuese de
0 mm, la dureza se consideraría 100 (cuando el penetrador
usado es cónico) o 130 (si es esférico). La escala resulta de
interpolar linealmente entre dichos valores.
La Figura 6 resume los ensayos de dureza descritos.

Figura 6

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108
 15
CAPÍTULO

Propiedades mecánicas
de los materiales
Termofluencia y viscoelasticidad

RECURSOS DIGITALES

Nota 15.1. M ecanismos de termofluencia

difusiva
Nota 15.2. Superplasticidad
Nota 15.3. M ecanismos de termofluencia
dislocacional
Nota 15.4. Superaleaciones
Nota 15.5. L os modelos de Maxwell,
de Kelvin-Voigt y Zener
Nota 15.6. La silly putty

Adenda: E
 nsayos mecánicos (III): Ensayo
de termofluencia y ensayo de
medida de la viscosidad
Capítulo 15 Propiedades mecánicas de los materiales. Termofluencia y viscoelasticidad
Nota 15.1
Mecanismos de termofluencia difusiva
A. Mecanismo de Nabarro-Herring
Consideremos un grano con forma cúbica en un policristal
que se deforma a alta temperatura bajo la acción de esfuerzos
de tracción (Figura 15.7). Estos esfuerzos consiguen que el
grano se alargue y que las caras horizontales se vean some-
tidas a esfuerzos de tracción, y las verticales, a esfuerzos de
compresión. A la temperatura T, la concentración de vacan-
tes en equilibrio en el cristal, C0 , será:
C0 ∝ exp ( − q (kBT ) )
siendo q la energía necesaria para crear una vacante.
En las caras sometidas a tracción, con mayor volumen
asociado a cada átomo y una consiguiente menor energía
de activación para la generación de vacantes, se inducirá la
generación de vacantes extras. Cada vez que se genera una
vacante extra en una cara sometida a un esfuerzo de tracción,
s, se realiza un trabajo igual a Ωσ , siendo Ω el volumen
atómico. (Simplificadamente: si r0 representa el radio ató-
mico, el trabajo realizado para generar cada vacante es igual
al producto de la fuerza que actúa sobre el átomo que será
desalojado para formar la vacante, σ ⋅ (2r0 ) 2 , por la distancia
que se desplaza dicho átomo, (2r0), lo que da σ ⋅ 8r03 ≈ σ Ω .)
Así pues, la concentración de vacantes, C+ , en las caras
sometidas a un esfuerzo de tracción, será mayor que C0 y
vendrá dada por:
⎛ q − Ωσ ⎞ ⎛ Ωσ ⎞
C+ = exp ⎜ − ⎟ = C0 exp ⎜ ⎟ flujo de átomos asociado alargan el cristal en la dirección de
⎝ k BT ⎠ ⎝ kBT ⎠
De este modo, la energía necesaria para crear las vacan-
tes en las caras bajo esfuerzo de tracción s será algo menor
( q − Ωσ ) .
Mediante un razonamiento similar, la energía para crear
una vacante en una cara sometida a un esfuerzo de compresión,
−σ , sufre un incremento desde el valor q a ( q + Ωσ ) . Con-
secuentemente, la concentración de vacantes, C− , en una cara
sometida a compresión será menor que C0 , y vendrá dada por
⎛ q + Ωσ ⎞ ⎛ −Ωσ ⎞
C− = exp ⎜ − ⎟ = C0 exp ⎜
⎟
⎝ kBT ⎠ ⎝ kBT ⎠
Dado que, bajo estas condiciones, la concentración de
vacantes no será uniforme en el cristal, se originarán flujos
110
de vacantes desde regiones con concentración superior a la
de equilibrio, C+ , a regiones con concentración inferior a la
de equilibrio, C− , es decir, desde las regiones sometidas a
tracción hacia las regiones a compresión.
Si la distancia media que ha de recorrer una vacante es ℓ ,
el gradiente de concentración de vacantes vendrá dado por:
C+ − C− C0 ⎛ ⎛ Ωσ ⎞ ⎛ Ωσ ⎞ ⎞ 2C0 ⎛ Ωσ ⎞
= ⎜ exp ⎜ ⎟ − exp ⎜ − ⎟⎟ = senh ⎜ ⎟
ℓ ℓ ⎝ ⎝ B ⎠ k T k T
⎝ B ⎠⎠ ℓ ⎝ kBT ⎠
Y, como el valor de ( Ωσ (kBT ) )  1, es posible efectuar
la siguiente aproximación: sen h ( Ωσ (kBT )) ≈ ( Ωσ (kBT )) ,
por lo que
C+ − C− 2C0 Ωσ
≈ ⋅
ℓ ℓ k BT
Conocido el gradiente de concentración, el flujo neto de
vacantes J V (esto es, el número de vacantes que atraviesan
una sección de área unidad por unidad de tiempo) se puede
obtener con ayuda de la primera ley de Fick,
2C0 Ωσ
JV = DV ⋅ (1)
ℓ k BT
donde DV es el coeficiente de difusión de las vacantes. (Para
expresarlo en función del coeficiente de autodifusión atómi-
co debe tenerse en cuenta que la difusión de vacantes será
más fácil que la autodifusión, tanto más, cuantas más vacan-
tes existan, de acuerdo con: DV = DAD (C0Ω) .)
El flujo de vacantes dado por la Expresión (1) y el contra-
la tracción. En la unidad de tiempo, las fronteras a tracción
se alejan una distancia J V Ω , de modo que el ritmo de termo-
fluencia estacionaria, ε⋅ S , vendrá dado por:
JV Ω DAD Ωσ
ε⋅ S = ∝ 2
D D k BT
donde D es el diámetro de grano medio (se ha tomado ℓ ≈ D ).
(Piense en la coherencia dimensional de la ecuación ante-
rior: el flujo de vacantes multiplicado por el volumen de
las vacantes da como resultado una distancia por unidad de
tiempo, que es la velocidad a la que se alejan las fronteras
a tracción. Para calcular la velocidad de deformación debe
©  Ediciones Paraninfo
dividirse por una distancia inicial, para lo que se ha elegido
el tamaño del grano).
Además, la dependencia térmica de ε⋅ está gobernada
S
ampliamente por la del término DAD, que es, como sabemos,
 La escala macroscópica de los materiales
del tipo Arrhenius, con energía de activación E AD (siendo
EAD = QAD N A ). Con todo, el ritmo de deformación se ex-
presará como:
K1σ∼F Ω DA0D ⎛ σ ⎞ ⎛ − EAD ⎞
ε⋅S = 2 ⎜ ∼ ⎟ exp ⎜ ⎟ (2)
D kBT ⎝ σ F ⎠ ⎝ k BT ⎠
donde K1 es una constante adimensional (≈ 10 ). La forma
de la Expresión (2) es consistente con la ley potencial de la
termofluencia (15.3), con m = 1.
B. Mecanismo de Coble
Pero las vacantes pueden también moverse desde las caras
sometidas a esfuerzos de tracción hasta los que están someti-
das a compresión, no a través del volumen del grano, sino a
lo largo de los límites de grano (de hecho, esta será la princi-
pal vía de difusión cuando las temperaturas son bajas, ya que
el proceso exige una energía de activación menor). Conside-
remos entonces la transferencia de vacantes a lo largo de una
estrecha región adyacente al límite de grano, de espesor d.
Así la difusión tomará ahora un valor diferente (respecto al
mecanismo de Nabarro-Herring debe considerarse ahora un
área de transferencia de vacantes multiplicada por el factor
δ D . Bajo estas circunstancias, la Expresión (2) debe modi-
ficarse, y el ritmo de termofluencia quedará como:
K 2σ∼F Ω δ DLG
0
⎛σ ⎞ ⎛ − 12 EAD ⎞
ε⋅ S = ⎜ ∼ ⎟ exp ⎜ ⎟
D3kBT ⎝σF ⎠ ⎝ k BT ⎠
donde K2 es una constante ( ∼ 40 ), y DLG0
es el coeficiente de
la difusividad a través de los límites de grano, cuya energía
de activación viene a ser ELG ≈ 12 EAD .
Nota 15.2
Superplasticidad
La superplasticidad es la propiedad que exhiben algunos
materiales policristalinos (típicamente metales, pero tam-
bién algunos cerámicos) que se caracteriza por mostrar una
inusual capacidad de deformación, típicamente entre el 200
y 1 000 %, cuando son sometidos a esfuerzo.
Esta propiedad se aprovecha para la fabricación de piezas
con geometrías complicadas. Los métodos de conformado
superplástico (ver Figura1) guardan una fuerte similitud con
©  Ediciones Paraninfo
los de termoconformado o de moldeo por soplado emplea-
dos en los termoplásticos. La característica común en todos
ellos es que una lámina de metal es obligada a ajustarse a un
molde por el efecto de aire a presión. Aunque este es un mé-
Bloque 3
todo común en el conformado de termoplásticos, no ha sido
hasta época reciente cuando se ha aplicado de forma habitual
a los metales. Esto es así, porque los metales exhiben super-
plasticidad solo bajo condiciones muy específicas de tamaño
de grano, de ritmo de deformación y de temperatura.
Figura 1
La más importante de estas exigencias es el ritmo de de-
formación; los requerimientos para el esfuerzo aplicado, el
tamaño de grano y la temperatura son los necesarios para
conseguir el ritmo de deformación adecuado.
El lento ritmo de deformación empleado en el procesado
superplástico puede compararse con el resultante de la de-
formación por termofluencia. En relación al valor del coefi-
ciente de la ley potencial de termofluencia, para los metales
es típicamente m = 4 , mientras que para los vidrios y termo-
plásticos, m ≈ 1 . Ahora bien, para metales con un tamaño de
grano extremadamente pequeño (<10 mm) y deformados a
un ritmo muy lento (aproximadamente de 10-3 s-1) entonces
m cobra valores en torno a 0.5. (El ritmo de 10-3 s-1 es muy
lento; compárese, por ejemplo, con el ritmo de deformación
habitual en los procesos de laminación capaz de proporcio-
nar reducciones de espesor de 0.1 s-1.)
Para conseguir este comportamiento cuasiviscoso, el me-
canismo de deformación parece ser el de deslizamiento de
los límites de grano, donde tanto mecanismos difusionales
como dislocacionales se ven involucrados.
Las aleaciones superplásticas más empleadas son de base
aluminio, magnesio, níquel y titanio, y son utilizadas para
fabricar productos tan diversos como carcasas de cámaras
y portátiles, paneles de puertas para vehículos, etc… Estas
aleaciones tienen algunas ventajas sobre sus rivales plásti-
cas, como por ejemplo el hecho de que con ellas se puedan
conformar piezas con secciones muy profundas, esquinas
muy vivas, o muy buenas tolerancias y acabados superficia-
les, sin que aparezcan los problemas asociados a la recupe-
ración elástica (spring back) de los procesos de conformado
en frío y, lo que no es menos importante, a un coste más bajo.
Sin embargo, como son fabricadas por superplasticidad, las
temperaturas de servicio tienen que estar muy por debajo de
aquellas en las que los mecanismos superplásticos pueden
volver a activarse, esto es,  0.5 TF . La temperatura ambien-
te no es problema para las aleaciones superplásticas de base
aluminio, magnesio, níquel o titanio.
111
Capítulo 15 Propiedades mecánicas de los materiales. Termofluencia y viscoelasticidad
Nota 15.3
Mecanismos de termofluencia
dislocacional
A altas temperaturas, la concentración de vacantes en equili-
brio térmico llega a ser suficientemente alta como para que el
proceso de escalada de dislocaciones, controlado en última
instancia por la difusión atómica, pueda transcurrir de forma
continuada. De este modo, el endurecimiento asociado a la
deformación, provocado por la generación de dislocaciones
que quedan inmovilizadas por los obstáculos, se ve contra-
rrestado por el ablandamiento asociado a la recuperación,
gracias a los procesos de escalada que liberan a las disloca-
ciones inmovilizadas. Aun cuando los mecanismos de des-
lizamiento y escalada de dislocaciones están acoplados, el
proceso en su conjunto suele estar controlado por el proceso
de escalada, que es el que suele poseer menor velocidad.
Un posible mecanismo que trata de explicar cómo fun-
ciona el proceso es el sugerido por Hazzdeline. Según este
mecanismo, F fuentes de dislocaciones por unidad de volu-
men emiten dislocaciones circulares (lazos de dislocaciones)
que se deslizan una distancia ℓ sobre su plano de desliza-
miento. Tras recorrer dicha distancia, estas interaccionan con
otras dislocaciones similares emitidas por otras fuentes en
planos de deslizamiento paralelos, pero separados vertical-
mente una distancia h. La emisión continua de dislocacio-
nes desde las fuentes (es decir, el continuo deslizamiento) es
dependiente de la velocidad de aniquilación de las disloca-
ciones externas. La aniquilación se lleva a cabo mediante la
interacción con dislocaciones de otras fuentes, por la escala-
da de una distancia h.
Parejas de dislocaciones de signo contrario, del tipo ┴ ┬,
provenientes de distintas fuentes pero deslizando en planos
paralelos, puede escalar y aniquilarse mutuamente. La ani-
quilación también podría producirse sin que las líneas de las
dislocaciones, tras la escalada de una distancia menor que h,
llegaran a situarse en el mismo plano; sería necesario enton-
ces la adición de átomos de soluto (o lo que es equivalente,
eliminación de vacantes) en los planos atómicos que las se-
paran. Por otra parte, un lazo de dislocación que sufre el pro-
ceso anteriormente descrito en un punto del mismo, puede
que en el extremo opuesto se encuentre con otra dislocación
también de signo contrario, pero resultando la pareja del tipo
┬
, pudiendo ambas desaparecer por la adición de vacantes
┴
(es decir, por la eliminación de átomos de soluto) entre sus
planos respectivos. Por tanto, estos procesos pueden invo-
lucrar transferencia de masa desde un lado del lazo al otro.
La velocidad de deformación asociada con todo este pro-
ceso puede ser descrita de modo convencional como:
112
ε⋅ = δ d bvd
donde δ d es la densidad de dislocaciones y vd es la veloci-
dad de deslizamiento de las dislocaciones (mayor que la ve-
locidad de escalada ve ). (Trate de entender el significado de
esta ecuación: la velocidad de deformación es directamente
proporcional a la densidad de dislocaciones, a la distancia
que desliza cada dislocación en cada salto, y a la velocidad
con que se produce el deslizamiento).
La escalada y el deslizamiento están acoplados y puede
demostrarse que las respectivas velocidades están relaciona-
das mediante ve = ( h ℓ ) vd , donde se ha asumido que ℓ > h .
La densidad de dislocaciones se obtiene multiplicando F por
el diámetro medio del lazo dislocacional ( ∼ ℓ ) y por el nú-
mero de lazos por fuente, lo que puede demostrarse que es
proporcional a ℓ h , así:
Fℓ 3
ε⋅ ∼ ve
h2
Además, F multiplicado por el volumen de cada fuente
−1
( ≈ π ℓ 2 h ) es constante, o lo que es lo mismo ℓ ≈ ( Fh ) 2 . Por
tanto:
ve
ε⋅ ∼ 7 1
h F2
2
La escalada de dislocaciones estará controlada por una
distribución de esfuerzos similar a la que controla la termo-
fluencia difusiva (Nota 15.1). De este modo, como la trans-
ferencia de masa ocurre por difusión en volumen, ve vendrá
dada por:
σΩ
ve ∼ DAD (T )
k BT
donde DAD (T ) es la difusividad para la autodifusión. Así, la
velocidad de termofluencia secundaria, ε⋅ S , resulta
DAD (T ) σ Ω
ε⋅ S ∝
h 2 F 2 k BT
7 1
La distancia h se piensa que es inversamente proporcional
©  Ediciones Paraninfo
al esfuerzo. A tenor de ello, por conveniencia expresaremos
esta dependencia como h ∝ r0 (σ∼F σ ) , siendo r0 el radio ató-
mico y σ∼F , la resistencia ideal a la fractura del material. De
este modo, si F se supone independiente del esfuerzo,
 La escala macroscópica de los materiales
9 la temperatura de trabajo entran en juego otras propiedades
D (T )σ∼ Ω ⎛ σ ⎞
2
ε⋅S ∝ AD 7 1 F ⎜ ∼ ⎟
r02 F 2 k BT ⎝ σ F ⎠
e introduciendo la dependencia térmica de DAD (T ) , se ob-
tiene finalmente:
0 ∼
9
D σF Ω ⎛ σ ⎞ ⎛ − E AD ⎞
2
ε⋅S = K3 AD
⎜ ∼ ⎟ exp ⎜ ⎟ bases no es nada casual. Los tres sistemas tienen puntos de
r0 F k BT ⎝ σ F ⎠ ⎝ k BT ⎠
7 1
2 2
donde K3 es una constante adimensional. La expresión ante-
rior coincide formalmente con una ley potencial, con un ex-
ponente m de valor 4.5, y QC ≈ QAD = EAD ⋅ N AV . No obstante,
los valores de los exponentes observados experimentalmente
suelen ser más altos. Una justificación teórica que explica-
se estos valores más altos exigiría establecer más detallada-
mente cómo operan el mecanismo de escalada; detalles que
no son bien conocidos. De hecho, no existe por el momento
ninguna teoría universalmente aceptada que dé cuenta, de
manera natural y no artificiosa, de exponentes de valor su-
perior a 5.
Nota 15.4
Superaleaciones
En muchos procesos industriales, la consecución de un ma-
yor rendimiento está ligada al empleo de mayores tempera-
turas de trabajo. Equipos como hornos, reactores, motores de
combustión, turbinas de vapor, etc. son más eficientes cuanto
mayor es su temperatura de funcionamiento. De este modo,
se ha planteado reiteradamente la necesidad de desarrollar
materiales capaces de trabajar en estas condiciones de ele-
vada temperatura.
Hasta los años 30 del siglo xx, los aceros inoxidables eran
los materiales metálicos con las mejores prestaciones para su
uso a elevadas temperaturas. Pero el requerimiento de tem-
peraturas de funcionamiento cada vez más altas hizo que
pronto este material dejase de ser adecuado, y comenzasen a
desarrollarse aleaciones específicas para estas aplicaciones,
que la comunidad metalúrgica denominó superaleaciones.
Pero, ¿qué se entiende por superaleación? La definición
más aceptada es que son aleaciones capaces de trabajar a
temperaturas superiores a 540 ºC (= 1 000 ºF). Esto no sig-
nifica simplemente que su resistencia a tracción siga siendo
elevada a estas temperaturas, sino que va mucho más allá.
©  Ediciones Paraninfo
A temperaturas de trabajo ordinarias (< 0.4·TF), los mate-
riales suelen describirse por lo que podríamos denominar
propiedades «a corto plazo», como son el límite elástico o
la resistencia a tracción. Sin embargo, a medida que se eleva
Bloque 3
cuya dependencia del tiempo es cada vez mayor, como es el
caso de la termofluencia, fatiga, oxidación o corrosión. Por
tanto, para que un material pueda considerarse superalea-
ción ha de poder trabajar prolongadamente a temperaturas
superiores a 540 ºC.
Hay tres tipos principales de superaleaciones: de base
Ni, de base Fe-Ni y de base Co. La elección de estas tres
fusión elevados y poseen estructura CCC a temperatura am-
biente, lo que les proporciona buena capacidad de deforma-
ción y de disolver elevados porcentajes de elementos como
Cr, Mo o W.
Las superaleaciones deben sus buenas propiedades a
alta temperatura a la combinación de diversos factores. En
el caso de las de base Ni y de las base Fe-Ni, la elevada
resistencia mecánica se debe, principalmente a la presencia
de precipitados ordenados y muy estables con la temperatu-
ra, denominados γʹ (Ni3(Al,Ti)) y γʹʹ (Ni3Nb). Para dificul-
tar la coalescencia de estos precipitados, que se ve activada
con la temperatura, se les añade Re. Además, contribuye a
la resistencia mecánica la presencia de carburos, carbonitru-
ros y/o boruros y, en menor medida, el endurecimiento por
solución sólida proporcionado por elementos como Mo, W,
Ta y el propio Re. Algunas aleaciones de base Ni basan su
resistencia en la dispersión de óxidos (ODS, del inglés Oxide
Dispersion Strengthened) como el Y2O3, en lugar de en la
presencia de las fases γʹ y/o γʹʹ precipitadas (en ocasiones,
pueden combinarse ambos tipos de refuerzo). El refuerzo de
las superaleaciones de base Co, por el contrario, está basado
fundamentalmente en la presencia de una elevada cantidad
de carburos.
La mayoría de las superaleaciones contienen además im-
portantes cantidades de Cr, para mejorar su resistencia a la
corrosión. No obstante, en los últimos años, y por motivos
económicos, se ha ido reduciendo el contenido de Cr, a la
vez que se ha incrementado el de Al. Así se logra mantener la
misma resistencia a la oxidación, aunque no sucede lo mis-
mo con otros tipos de corrosión.
Las superaleaciones de base Ni son las que, en general,
permiten alcanzar las mejores prestaciones, sobre todo, las
preparadas mediante técnicas de solidificación dirigida. Para
las aplicaciones a temperaturas «más bajas» (entre unos 540
y 700 ºC), suelen preferirse las de base Fe-Ni, por presentar
suficientes prestaciones para un coste muy inferior. Las de
base Co suelen ser las empleadas para el caso de permanen-
cia prolongada a muy alta temperatura, pero sin que se nece-
siten requisitos resistentes muy severos.
El desarrollo de las superaleaciones ha estado muy
influenciado por una aplicación en concreto, los turbo-
rreactores. Estos motores tienen unas condiciones de funcio-
namiento muy severas que pocos materiales pueden soportar.
113
Capítulo 15 Propiedades mecánicas de los materiales. Termofluencia y viscoelasticidad
Las temperaturas de sus componentes pueden superar am-
pliamente los 1 000 ºC, pueden sufrir fatiga, y piezas como
los álabes están sometidas a elevadas cargas centrífugas que
junto con la temperatura puede activar su fallo por termo-
fluencia. Todo ello sin olvidar que por ellos circulan aire y
gases de combustión a muy elevada temperatura. Para que
estos equipos consigan mayores empujes, se se ha ido in-
crementando su temperatura de funcionamiento y, por tanto,
los requerimientos exigidos a los materiales con los que se
construyen. De hecho, los turborreactores son un claro ejem-
plo de mejora de las prestaciones gracias al avance que se ha
producido en la Ciencia e Ingeniería de Materiales. O dicho
de otro modo, sin el desarrollo de las superaleaciones, los
aviones no volarían tan rápido.
Nota 15.5
Los modelos de Maxwell,
de Kelvin-Voigt y Zener
A. El modelo de Maxwell
La ecuación diferencial que rige este modelo es la siguiente:
d ε 1 dσ σ
= +
dt E dt η
que tendrá diferentes soluciones dependiendo de las condi-
ciones de carga. Analizaremos a continuación los dos posi-
bles escenarios:
a)  Ensayo de fluencia: Esfuerzo constante ( σ = σ 0 )
Bajo esta imposición, dσ dt = 0 , por lo que la ecuación
diferencial se simplifica a
σ0
dε = dt
η
que puede integrarse fácilmente (entre los límites σ 0 E y ε ,
por un lado, y 0 y t, por otro) para dar
σ0 σ0
ε (t ) = + t
E η
lo que quiere decir que la deformación crece linealmente con
el tiempo (aun cuando el esfuerzo aplicado no cambie), es
decir, se describe un comportamiento de fluencia, pero que
114
no es de tipo viscoelástico, ya que para que lo fuera ε⋅ debe-
ría variar con el tiempo.
Si en un cierto instante t1 liberamos el sistema (se anula el
esfuerzo aplicado), entonces el muelle se contraerá hasta que
su deformación sea nula. En cambio, el amortiguador, por
su propia naturaleza, quedará deformado permanentemente.
Así, pues la deformación irreversible del sistema será igual a
ε irrev = σ 0 t1 η
b)  Ensayo de relajación: Deformación constante (ε = ε 0 )
Puesto que ahora dε dt = 0 , entonces la ecuación dife-
rencial se simplifica a
1 dσ σ
0= +
E dt η
Reorganizando para reagrupar variables, obtenemos
dσ E
=− dt
σ η
Integrando ahora entre los límites σ 0 = E ε 0 y σ (a la
izquierda de la igualdad) y entre 0 y t (a la derecha de la
igualdad), obtenemos:
ln (σ σ 0 ) = − E t η
Y tomando exponenciales, obtenemos finalmente:
σ (t ) = E ε 0 exp ( − E t η )
La expresión anterior predice un decaimiento exponen-
cial del esfuerzo, fenómeno que se denomina relajación de
esfuerzos.
Si el sistema es liberado en el instante t1 (anterior a la re-
lajación completa del muelle por la continuada deformación
del amortiguador), el muelle se contraerá perdiendo toda la
deformación que tenía en ese instante, esto es, σ (t1 ) E =
ε 0 exp ( −E t1 η ) . Dado que el amortiguador no puede con-
traerse y volver a su estado original, su deformación será
permanente, de modo que la deformación irreversible del
sistema será igual a
©  Ediciones Paraninfo
ε irrev = ε 0 ⎡⎣1 − exp ( − E t1 η )⎤⎦
 La escala macroscópica de los materiales Bloque 3

B. El modelo de Kelvin-Voigt C. El modelo de Zener (Sólido Lineal Estándar)

La ecuación diferencial de partida es ahora La ecuación diferencial que ahora rige el comportamiento es
la siguiente:
dε
σ = Eε +η dε E2 ⎛ η dσ ⎞
dt = ⎜ + σ − E 1ε ⎟
dt η ( E 1 + E 2 ) ⎝ E 2 dt ⎠
Analizaremos a continuación las dos posibles condicio-
nes de carga:
a)  Ensayo de fluencia: Esfuerzo constante (σ = σ 0 )
a)  Ensayo de fluencia: Esfuerzo constante (σ = σ 0 ) Dado que dσ dt = 0 , la ecuación diferencial se transfor-
Reagrupando variables obtenemos ma en:

dε E2
dt dε = dt
= (σ 0 − E 1ε ) η (E 1 + E 2 )
η σ0 − Eε

Por integración (entre 0 y t, y entre 0 y e ) obtenemos Integrando (entre σ 0 (E 1 + E 2 ) y e, el primer término, y

entre 0 y t, el segundo) se obtiene:
t 1 ⎛ σ 0 − Eε ⎞
=− ln ⎜ ⎟
η E ⎝ σ0 ⎠ ⎛ σ 0 − E 1ε ⎞ E 1E 2
ln ⎜ ⎟=− t
σ
⎝ 0 − E σ
1 0 ( E 1 + E )
2 ⎠ η ( E 1 +E2)

Tomando exponenciales y reagrupando, se transforma en:

Tomando exponenciales y reorganizando, se obtiene, fi-
σ ⎡ ⎛ E t ⎞⎤ nalmente:
ε (t ) = 0 ⎢1 − exp ⎜ − ⎟ ⎥
E ⎣ ⎝ η ⎠⎦
σ0 ⎡ E2 ⎛ E1E 2 ⎞⎤
ε (t ) = ⎢1 − exp ⎜ − t ⎟⎥
lo que describe un incremento exponencial de la deforma-
E1 ⎢⎣ E1 + E 2 ⎝ η ( E1 + E 2 ) ⎠ ⎥⎦
ción desde el valor inicial 0 hasta σ 0 E , valor alcanzado tras
un tiempo de relajación o retardo τ = η E . Si en el instante t1 el sistema es liberado, entonces el
Si en el instante t1 el sistema es liberado, entonces el muelle que se encuentra solo en un lado contraerá a todo el
muelle contraerá a todo el sistema hasta que la deformación sistema hasta que la deformación total sea nula. Esta retrac-
total sea nula. Esta retracción obedecerá a la ecuación (resol- ción (a la que puede preceder la recuperación elástica parcial
viendo la ecuación diferencial de partida con s = 0): de ambos muelles, siempre que el muelle situado en serie
con el amortiguador esté sometido a esfuerzo en el instante
ε (t > t1 ) = ε (t1 )exp ( − E (t − t1 ) η ) t1) obedecerá a la siguiente expresión, que se obtiene resol-
viendo la ecuación diferencial de partida con s = ds /dt = 0:
Así pues, toda la deformación es reversible, aunque no de
manera instantánea. ⎛ E 1E 2 (t − t1 ) ⎞
ε (t > t1 ) = ε (t1 ) exp ⎜ − ⎟
b)  Ensayo de relajación: Deformación constante ( ε = ε 0 ) ⎝ η ( E1 + E 2 ) ⎠
Si dε dt = 0 , entonces la ecuación diferencial se simpli-
fica a: b)  Ensayo de relajación: Deformación constante ( ε = ε 0 )
Si dε dt = 0 , entonces la ecuación diferencial se simpli-
σ = E ε0 fica a:

lo que describe un comportamiento perfectamente elástico. E2 ⎛ η dσ

©  Ediciones Paraninfo

⎞
0= ⎜ + σ − E 1ε 0 ⎟
No obstante, realmente no es posible considerar la imposi- η (E 1 + E 2 ) ⎝ E 2 dt ⎠
ción de una deformación instantánea en el sistema de Kel-
vin-Voigt, ya que la respuesta característica del sistema es
una respuesta retardada. que se reescribe como

115
Capítulo 15 Propiedades mecánicas de los materiales. Termofluencia y viscoelasticidad

nipona de los países productores. El material está constituido

η dσ
+ σ = E 1ε 0 principalmente por un 65 % en masa de PDMS (polidime-
E 2 dt tilsiloxano) de alta masa molecular, y por un 4 % en masa
de ácido bórico, que es el responsable de los enlaces cruza-
Y reagrupando variables, dos dinámicos y no estables presentes entre las cadenas. El
tiempo de relajación del PDMS, tsolid, es relativamente alto,
dσ E pues el reordenamiento de estas cadenas resulta difícil. Por
= 2 dt otra parte, los enlaces cruzados del ácido bórico le confieren
E 1ε 0 − σ η
al material un comportamiento propio de un sólido elásti-
co. Al mismo tiempo, estos enlaces del ácido bórico tienen
Integrando (entre (E 1 + E 2 )ε 0 y s, el primer término, y un tiempo de permanencia, telast, relativamente bajo, lo que
entre 0 y t, el segundo) se obtiene: permite al material llegar a fluir bajo las condiciones ade-
cuadas. Según esto, para escalas de tiempo mayores que telast,
⎛ E 1ε 0 − σ ⎞ E2 es decir, para velocidades de deformación bajas, el material
ln ⎜ ⎟=− t
E ε − ( E + E ) ε η se comportará como un fluido polimérico de alta masa mole-
⎝ 1 0 1 2 0 ⎠
cular, consecuente con la presencia de PDMS, mientras que
para escalas de tiempo menores que telast, es decir, para alta
Tomando exponenciales y reorganizando, se obtiene, fi- velocidad de deformación, el comportamiento será el de un
nalmente: sólido elástico.
En la práctica, lo anterior se traduce en que para veloci-
⎡ ⎛ E ⎞⎤ dades de deformación moderadas, como la que se puede im-
σ (t ) = ε 0 ⎢ E 1 + E 2 exp ⎜ − 2 t ⎟ ⎥
⎣ ⎝ η ⎠⎦ poner al tratar de moldear el material, el comportamiento es
semejante al de la plastilina (Figura 1a). Sin embargo, si se
espera el tiempo suficiente, y la fuerza de la gravedad actúa
Si en el instante t1 el sistema es liberado, entonces el lentamente, la forma dada al material se deshará, esparcién-
muelle contraerá a todo el sistema hasta que la deformación dose y fluyendo como un líquido (Figura 1b-f). El cambio de
total sea nula. Esta retracción obedecerá a la ecuación: comportamiento resulta radical si el material se arroja con-
tra el suelo, pues entonces la alta velocidad de deformación
⎛ E 1E 2 (t − t1 ) ⎞ hace que se ponga de manifiesto el comportamiento elástico,
ε (t > t1 ) = ε (t1 ) exp ⎜ − ⎟
⎝ η (E 1 + E 2 ) ⎠ y la Silly Putty rebotará como un sólido elástico. Si la ve-
locidad de deformación es todavía más elevada, el material
llegará a romperse, como consecuencia de la incapacidad de
las cadenas poliméricas de reacomodarse tan rápidamente,
Nota 15.6 debido a la presencia de los enlaces cruzados.

La silly putty
El material polimérico denominado comercialmente Silly
Putty (en castellano a veces llamado gomaboba o boligo-
ma) es un excelente ejemplo de la complejidad del compor-
tamiento de los materiales y, en concreto, de la influencia de
la velocidad de deformación a la que se ven sometidos. La
velocidad de deformación debe siempre compararse con el
tiempo de relajación del material, y ello determinará si dicha
velocidad es baja o alta.
Este material polimérico fue inventado en Estados Uni-
dos en la década de 1940 mientras se buscaban sustitutos al
caucho, interrumpidos los suministros debido a la invasión Figura 1
©  Ediciones Paraninfo

116
 La escala macroscópica de los materiales
Adenda
Ensayos mecánicos (III):
Ensayo de termofluencia y ensayo
de medida de la viscosidad
La diferente naturaleza de los ensayos tratados en esta aden-
da conlleva la necesidad de realizarlos en equipos muy es-
pecíficos. En el ensayo de termofluencia el objetivo final es
someter a la muestra a un esfuerzo de tracción o compresión,
por lo que ha de llevarse a cabo con una máquina con ca-
racterísticas propias, pero en cierto modo semejante a una
máquina universal de ensayos. Por el contrario, para la deter-
minación de la viscosidad se han desarrollado diferentes mo-
dalidades de ensayos que se traducen en otros tantos equipos
para implementarlos.
A. Ensayos de termofluencia
El estudio de la termofluencia de los materiales se lleva a
cabo, generalmente, con una configuración de esfuerzo
uniaxial a tracción, si bien son posibles otras configuraciones
para esfuerzos de compresión y de flexión. En la Figura  1
puede ver una vista general, y un detalle de la zona de las
mordazas y el horno, con una probeta colocada para su ensa-
yo, en un equipo con configuración uniaxial. Según la Norma
UNE-EN ISO 124 aplicable a materiales metálicos a tracción,
el ensayo consiste en calentar una probeta hasta una tempe-
ratura determinada y, manteniendo dicha temperatura, some-
terla a un esfuerzo ingenieril o un esfuerzo real de tracción
axial constante. Antes de aplicar la carga, la probeta debe ha-
ber permanecido al menos 1 hora a la temperatura escogida.
Durante el ensayo, se mide, con ayuda de un extensómetro,
la deformación en función del tiempo transcurrido, hasta un
determinado alargamiento o hasta la rotura de la muestra. La
aplicación de la carga debe realizarse sin impacto, pero alcan-
zándose la carga preestablecida del modo más rápido posible.
La carga suele obtenerse mediante un juego de pesas que «es-
tira» la muestra calentada por el horno circundante.
©  Ediciones Paraninfo
Figura 1
Bloque 3
Los pasos para la realización de un ensayo serán semejan-
tes a los del ensayo de tracción descrito en el capítulo anterior,
si bien los ensayos de termofluencia, de duración muy supe-
rior a los de tracción, podrán ser ininterrumpidos o interrum-
pidos cada cierto intervalo de tiempo. En el primer caso, se
realizará un registro continuo del alargamiento si se pretende
obtener una curva de fluencia en función del tiempo, o una
medición final si solo se pretende obtener el alargamiento para
una duración de ensayo especificada. En el segundo caso, se
debe seleccionar un número de interrupciones periódicas en
las que se enfría la muestra, se mide su deformación y vuelve
a calentarse para continuar el ensayo, para así poder posterior-
mente interpolar la curva de fluencia en función del tiempo.
En general, y de acuerdo a la Norma UNE-EN ISO 124,
la forma de las probetas es cilíndrica (aunque también podrán
tener sección cuadrada o rectangular), con sus extremos con
mayores secciones resistentes, y en el centro una zona rebaja-
da que será en la que se produzca la deformación al realizar el
ensayo. Las dimensiones serán proporcionales, y en concreto,
para materiales metálicos debe cumplirse una relación similar
a la del ensayo de tracción, cumpliendo L0, la zona calibrada,
que L0 ≥ 5.65 S0 , siendo S0 la sección de la probeta.
B. Ensayos de medida de la viscosidad
El estudio de la viscosidad de distintos materiales puede rea-
lizarse de muy diversas maneras. Baste como ejemplo que la
Norma UNE 43-725, para la determinación de la viscosidad
dinámica de vidrios, define el modo de determinarla median-
te viscosímetros de rotación, de elongación de una fibra, por
flexión de una barra o de penetración de una varilla.
Respecto al primero de los modos, incluso se definen dos
tipos de viscosímetros de rotación: los de crisol fijo e inmersor
giratorio (tipo Searle) y los de crisol giratorio regulable (tipo
Couette), que en ambos casos pueden trabajar a frecuencia de
rotación fija o a par fijo (Figura 2). Los crisoles e inmersores
suelen realizarse de un metal noble de base platino, que resista
la temperatura del vidrio fundido. En ambos casos, el conjunto
se rodea de un horno eléctrico que alcance la temperatura ne-
cesaria para fundir el vidrio (alrededor de 1 400 ºC).
Figura 2
117
Capítulo 15 Propiedades mecánicas de los materiales. Termofluencia y viscoelasticidad

El ensayo en sí consiste en fundir partículas de vidrio
mayores de 3 mm y, en un fundido libre de burbujas, se mide
el par necesario para mantener unas revoluciones en el in-
mersor o en el crisol, o las revoluciones obtenidas al aplicar
un par fijo. El valor de la viscosidad se obtendrá según:
T
η= f
n
gráfica. En éstos, se mide el flujo obtenido (masa/tiempo)
al someter al material a distintas presiones y obligarlo a pa-
sar a través de determinadas orificios o hileras, todo ello a
una temperatura constante. A partir de la medida del flujo se
calcula, mediante ecuaciones indicadas en la Norma, la ve-
locidad de cizalla y la viscosidad aparente para cada presión.

siendo f el coeficiente del campo de flujo (que depende de

la forma geométrica del campo de flujo, y que en general se
determina para cada viscosímetro empleando líquidos patrón
con comportamiento newtoniano), T el par aplicado y n la
frecuencia de rotación.
Pero los viscosímetros de rotación presentan aún más
variedades: de cono y plato con gradientes de cizalla eleva-
dos, de disco o de bola funcionando a velocidad específica,
de husillo de disco funcionando a diferentes velocidades, o
de paleta funcionando a una velocidad específica (Figura 3).
Estas son las variedades que pueden emplearse para la de-
terminación de la viscosidad de pinturas y barnices (Norma
UNE EN-ISO 2 884), de utilidad para conocer la resistencia
ofrecida por el material para su aplicación con brocha, rodi-
llo o pulverización. También se utilizan viscosímetros de ro-
tación para la determinación de la viscosidad de polímeros/
resinas en estado líquido, en emulsión o en dispersión (UNE
EN-ISO 3 219). En general, estos viscosímetros consisten en
dos superficies rígidas, simétricas y coaxiales, entre las que
se sitúa el fluido cuya viscosidad se pretende determinar. La
determinación se basa en el par aplicado y las revoluciones
obtenidas.
Figura 4
La lista de Normas aplicables a distintos tipos de mate-
riales, y la definición de diferentes tipos de viscosímetros
se hace bastante extensa: como ejemplo, los viscosímetros
capilares fabricados con vidrios de borosilicato (Figura 5),
de los que existen multitud de variedades, pueden emplearse
por ejemplo para la determinación de la viscosidad cinemá-
tica de productos petrolíferos (UNE 400 313); también para
la determinación de la viscosidad de polímeros (resinas de
PVC, PE, PP, PC, poliéster y metacrilato de metilo) en solu-
ción diluida (UNE EN-ISO 1 628). Estas medidas consisten
en conocer el tiempo que el material tarda en fluir por grave-
dad por el viscosímetro, y a partir de dicho tiempo, calcular,
con ecuaciones dependientes de la forma del viscosímetro, la
viscosidad cinemática, definida como la viscosidad dividida
por la densidad.

Figura 3

Pero el estudio de la viscosidad en otros tipos de mate-

riales conlleva al uso de otros aparatos de medida. Por ejem-
plo, las pastas de PVC pueden estudiarse en viscosímetros
tipo Severs (Norma UNE 53 461, Figura 4) para obtener una
viscosidad aparente en función de una velocidad de cizalla,
con resultados normalmente representados en forma de una Figura 5
©  Ediciones Paraninfo

118
 16
CAPÍTULO

Propiedades mecánicas
de los materiales
Fallo mecánico

RECURSOS DIGITALES

Nota 16.1. L ongitud de fibra crítica y

resistencia a tracción
Nota 16.2. V alores críticos de la teoría
de Griffith
Nota 16.3. C erámicas tenaces
Nota 16.4. P arámetros de extrapolación
Nota 16.5. L a regla de Palgrem-Miner
Nota 16.6. R ecetas para combatir
la fatiga

Adenda: E
 nsayos mecánicos (IV):
Ensayo de impacto, ensayo
de tenacidad a la fractura y
ensayo de fatiga
Capítulo 16 Propiedades mecánicas de los materiales. Fallo mecánico

Nota 16.1 La fibra se hallará en equilibrio cuando la fuerza de trac-

ción que soporta se iguale a la fuerza ejercida por la interficie
con la matriz. Esto es,
Longitud de fibra crítica y resistencia
a tracción
(esfuerzo de tracción) ×
Para estimar la longitud crítica que determina la rotura o no × (área de la sección transversal de la fibra) =
de las fibras embebidas en una matriz, vamos a considerar
el sistema matriz-fibra de la Figura  1a. Cuando el sistema = (esfuerzo tangencial promedio) ×
se ve sometido a un esfuerzo de tracción s (Figura 1b), la × (área superficial de la fibra)
matriz transmite un esfuerzo tangencial a la fibra a través de
toda la interficie cilíndrica fibra-matriz. Llamaremos esfuer- De este modo,
zo tangencial interficial, τ i , a este esfuerzo cuyo valor varía
con la distancia, tal como se representa en la Figura 1c. Por
otro lado, el esfuerzo de tracción que soporta la fibra, σ ( f ) , σ ( f ) (π D2 4) = τ iπ Dx
consecuencia del esfuerzo tangencial que actúa sobre esta, se
representa en la Figura 1d. donde τ i indica valor medio. Despejando ahora el valor de
x, se obtiene
(a)
Dσ ( f )
x=
4τ i

El valor de la distancia crítica, xc, se consigue imponien-

(b) do que σ ( f ) =σ F( f ) ,

Dσ F( f )
xc =
4τ i

de donde, finalmente, dado que la longitud crítica es igual a

(c)
dos veces la distancia crítica, entonces

Dσ F( f )
ℓc =
2τ i
(d)

Figura 1 Si las fibras tienen longitud inferior a ℓ c no llegarán a

romper; ni soportarán la carga máxima que son capaces de
soportar, porque serán arrancadas de la matriz. Por otro lado,
La longitud de fibra crítica, ℓ c , será aquella para la cual
si las fibras son mayores que ℓ c , la longitud extra es esen-
el esfuerzo soportado por la fibra sea el máximo posible,
cialmente inútil (siempre que las fibras estén distribuidas ho-
σ F( f ) , esto es, su resistencia a la fractura. Debido a la simetría
mogéneamente de modo que cubran todo el material).
del sistema, solo necesitamos considerar la mitad del mismo,
tal como se muestra en la Figura 2. Calculemos ahora la resistencia a la tracción de un mate-
rial híbrido con refuerzo de fibras discontinuas. Sea cual sea
la longitud de la fibra, la resistencia a la tracción del material
híbrido se calculará como:
©  Ediciones Paraninfo

σ F = σ F( f )φ f + σ F( m)φm

donde φ f y φm son respectivamente las fracciones volumé-

Figura 2 tricas de fibra y matriz. Pero el valor de σ F( f ) variará depen-

120
 La escala macroscópica de los materiales
diendo de la longitud de la fibra. Podemos suponer que el
esfuerzo crece linealmente desde ambos extremos de la fibra,
tal y como se representa en la Figura 3:
Figura 3
Así, cuando las fibras tienen exactamente la longitud crí-
tica ( ℓ = ℓc ), el esfuerzo promedio que actúa sobre cada fibra
será σ F( f ) = 12 σ F( f ) , por lo que
σ F = 12 σ F( f )φ f + σ F( m)φm
Por otro lado, si ℓ < ℓ c , entonces a partir de la anterior
definición de ℓ c , σ F( f ) = 2τ i ℓc D , por lo que el esfuerzo pro-
medio será σ ( f ) = τ i ℓc D , y de aquí que
τ i lc
σF = φ f + σ F( m )φm
D
Y, por último, si ℓ > ℓc , y todo el exceso de longitud so-
bre ℓ c en el centro de la fibra soporta el máximo esfuerzo,
entonces σ ( f ) = (1 − ℓc (2ℓ) )σ F( f ) , por lo que
⎛ lc ⎞
σ F = σ F( f ) ⎜1 − (m)
⎟ φ f + σ F φm
⎝ 2l ⎠
Nota 16.2
Valores críticos de la teoría de Griffith
Supongamos una lámina de material frágil, de espesor e, que
alberga en su interior una grieta plana y elíptica de longitud
2ℓ , tal como se muestra en la Figura 1. La lámina se halla
sometida a un esfuerzo de tracción en dirección perpendicu-
lar al eje de la grieta.
©  Ediciones Paraninfo
Bloque 3
Figura 1
Podemos estimar que en el proceso de formación de la
grieta se libera la energía de deformación en un entorno cir-
cular, resaltado en la figura, cuyo volumen puede estimarse
en el valor 2πℓ 2e . Debe entenderse que la formación de la
grieta es algo energéticamente favorable para el material so-
metido a esfuerzo, de ahí que se hable de que el material
libera energía en este proceso. Sabemos que la energía de
deformación elástica por unidad de volumen viene dada por
σ 2 (2E ) , que cuantifica el área que queda debajo de la zona
elástica de la curva de tracción. Por lo tanto, la reducción
de energía de deformación al formarse la grieta será igual a
− πℓ 2eσ 2 E (recuerde que el material considerado es frágil
y, por tanto, se supone que ninguna parte del mismo alcanza
el régimen plástico).
Simultáneamente, debe tenerse en cuenta que para la
creación de la superficie de la grieta deben romperse enlaces
(precisamente, de la mayor o menor fortaleza de éstos de-
penderá la tenacidad a la fractura del material). Dado que el
área total de la grieta es aproximadamente 2ℓ e + 2ℓe = 4ℓ e ,
y si el material posee una energía superficial efectiva g, la
creación de estas interficies supondrá una energía extra de
+ 4ℓ eγ . Por lo tanto, la energía total que interviene en la for-
mación de la grieta, ET , se calculará como:
ET = − π ℓ 2 e σ 2 E + 4 ℓ eγ
El planteamiento de esta expresión no es diferente al que
ya se hizo para el estudio de la nucleación en el Capítulo 8, y
se debe modificar ligeramente cuando las grietas son super-
ficiales o tienen diferente geometría a la aquí considerada.
La gráfica de la Figura 2 muestra cómo influyen las distintas
contribuciones energéticas.
121
Capítulo 16 Propiedades mecánicas de los materiales. Fallo mecánico
Figura 2
El criterio para determinar cuándo se producirá la rotu-
ra supone considerar la transición del estado no-roto a roto,
con la consiguiente disminución continua de la energía del
sistema. Cuando la grieta está a punto de crecer, el ritmo de
disminución de la energía de deformación elástica compensa
exactamente al ritmo con el que la energía superficial au-
menta. Para determinar los valores críticos de s  y ℓ se ha de
establecer que dET dℓ = 0 . De aquí, resulta 2π ℓσ 2 E = 4γ ,
y el valor del esfuerzo crítico ( σ * ) a partir del cual se produ-
ce la inestabilidad de la grieta vendrá dado por
σ * = 2E γ (π ℓ )
Alternativamente, para cualquier valor de esfuerzo, s,
la grieta será inestable si excede en tamaño del valor crítico
( ℓ * ), dado por
ℓ * = 2E γ (πσ 2 )
Cuando el material es frágil el desarrollo anterior es
correcto, pero cuando el material es dúctil es obvio que no
bastaría con considerar la energía superficial asociada a la
creación de la grieta, sino que también debería tenerse en
cuenta la energía de la deformación plástica que tiene lugar
en la punta de la grieta, y que de algún modo impide su avan-
ce. Es posible tener en cuenta este aspecto, manteniendo la
teoría original de Griffith, sustituyendo la variable g por una
gE, que aúne tanto el efecto superficial como el plástico. Así
pues, de modo general, para materiales frágiles y dúctiles,
las expresiones críticas se reescriben como:
σ* = 2 E γ E (πℓ )
ℓ * = 2E γ E (πσ 2 )
122
Nota 16.3
Cerámicas tenaces
Los materiales cerámicos tienen elevadas resistencias a la ciza-
lladura y baja ductilidad, por lo que son inherentemente resis-
tentes a la compresión, pero aparentemente débiles a la tracción.
Esta debilidad, no obstante, no proviene de razones intrínsecas,
sino de la presencia de irregularidades geométricas, que consti-
tuyen concentradores de esfuerzos que aceleran la rotura. Dada
su carencia de ductilidad, no es posible la absorción de la ener-
gía de deformación plástica, y una grieta, una vez creada, puede
crecer espontáneamente cuando el esfuerzo crítico es sobrepa-
sado. Si no existen arañazos u otros defectos, la resistencia a
la tracción debería igualar a la de compresión. Con objeto de
aumentar la tenacidad de la pieza, quizá la solución más simple
sea sobredimensionar su geometría, pero también se han ensa-
yado otras soluciones y estas son las que nos interesan.
A. Compresión inducida
Un procedimiento para mejorar el comportamiento a trac-
ción consiste en inducir esfuerzos de compresión en el mate-
rial. El hormigón pretensado es un buen ejemplo. Durante la
fabricación de piezas de este material híbrido se insertan en
la masa de hormigón, todavía fresca, unas varillas de acero
que se mantienen a esfuerzos de tracción. Una vez que el
hormigón ha fraguado, las varillas son liberadas y al relajar-
se mantienen en un estado de compresión permanente a la
pieza, que entonces es capaz de soportar mayores esfuerzos
de tracción durante su servicio.
La inducción de esfuerzos de compresión también es una
técnica que se aplica a los vidrios, a los denominados vi-
drios templados. En este caso, los esfuerzos de compresión
se localizan en la superficie de la pieza, impidiendo así el
inicio y propagación de grietas. Para conseguirlo, la pieza de
vidrio es calentada a una temperatura suficientemente alta,
posteriormente es enfriada rápidamente, por exposición a
un flujo de aire, o, más rápidamente aún, por inmersión en
un baño de aceite. Con ello, la superficie se enfría rápida-
mente y se contrae, volviéndose más rígida. Como el centro
del material todavía se mantiene caliente, puede reajustarse
para acomodar las contracciones superficiales. Pero cuando
el centro también se enfría, se contrae, generándose esfuer-
zos de compresión en la superficie (y esfuerzos de tracción
en el centro). Controlando las variables del procesado, los
esfuerzos de compresión superarán a los de tracción (si fuese
al contrario el vidrio se rompería), y la resistencia global del
vidrio se verá grandemente incrementada.
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B. Cerámicas de alta tecnología
Pero las soluciones actuales para aumentar la tenacidad
de los materiales cerámicos son mucho más sofisticadas y
 La escala macroscópica de los materiales
consisten, en esencia, en introducir un mecanismo capaz de
absorber energía que sustituya al de deformación dúctil, es
decir, en aumentar la deformación aparente antes de que la
fractura se complete. Ello puede conseguirse por dos vías:
(1) produciendo microagrietamientos de la matriz, y (2) au-
mentando la tenacidad del material mediante transformación
de fase.
En la primera vía, el mecanismo se basa en la formación
de microgrietas, capaces de interactuar con una grieta en
propagación y hacerla puntirroma, lo que detiene su avance,
y en definitiva, aumenta la tenacidad del material. Para ello,
se requiere disponer de la energía necesaria para crear las su-
perficies internas de las microgrietas. El modus operandi es
bastante complejo, porque a menudo implica la intervención
de una transformación de fase con cambio de volumen apa-
rejado, que es el causante del microagrietamiento, tal como
se esquematiza en la Figura 1.
Figura 1
El principal inconveniente de esta vía de aumento de la te-
nacidad es que se realiza a expensas de la resistencia del ma-
terial, que se ve mermada, pues las microgrietas introducidas
tienen este pernicioso efecto secundario. En cualquier caso,
el efecto neto es que el área bajo la curva de esfuerzo-defor-
mación aumenta, esto es, aumenta la tenacidad del material.
En la segunda vía, el aumento de la tenacidad se consi-
gue por la intervención de una transformación de fase, sin
la aparición de microgrietas. Un caso típico lo constituye el
uso de partículas de ZrO2 (circona) en una matriz también
cerámica (por ejemplo, de alúmina, Al2O3). La circona sufre
varias transformaciones de estructura cristalina a medida que
se enfría: de cúbica pasa a tetragonal, y después de tetrago-
nal a monoclínica. Esta última etapa es una transformación
de tipo martensítico que lleva asociado un cambio de volu-
©  Ediciones Paraninfo
men. Como en el caso de la martensita de los aceros, esta
transición de fase sucede por desplazamientos atómicos de
cizalladura. Por lo tanto, la aplicación de grandes esfuerzos
tangenciales al sistema bifásico durante el proceso de frac-
Bloque 3
tura, induce la transformación martensítica. La expansión
de volumen asociada induce esfuerzos de compresión que
endurecen el material en la vecindad de la punta de la grieta,
frenando su propagación (ver Figura 2).
Figura 2
Además, las deformaciones de cizalladura producidas
aumentan el área bajo la curva esfuerzo-deformación, au-
mentado la tenacidad del material. La ventaja de este segun-
do método para aumentar la tenacidad es que, a diferencia
del anterior, no tiene ningún efecto negativo sobre la resis-
tencia del material. Baste considerar que la tenacidad a la
fractura de un sistema cerámico bifásico Al2O3-ZrO2 puede
llegar a ser de hasta 15 o 20 MPa·m1/2, frente a 1 MPa·m1/2
que es el valor característico de los vidrios de ventana, y a
los 50 MPa·m1/2 de la mayoría de los aceros.
Otros sistemas cerámicos que se aprovechan de los me-
canismos de mejora de la tenacidad descritos son las TZP
(del inglés, Tetragonal Zirconia Policrystals) y las PSZ
(Partially Stabilized Zirconia) que también pueden alcanzar
valores de KIc en el rango de los 15 o 20 MPa·m1/2.
Nota 16.4
Parámetros de extrapolación
Un modo de efectuar predicciones de vida frente a termofluen-
cia (por lo general, tiempos de rotura, aunque también niveles
de deformación para tiempos fijos) es mediante la realización
de ensayos de corta duración a temperaturas mayores que la
de interés. En estos ensayos acelerados se asume que el meca-
nismo de termofluencia no cambia, y que, por tanto, este no es
función de la temperatura ni del tiempo, dentro de los límites
estudiados. Los resultados de estos ensayos se parametrizan
mediante parámetros de extrapolación.
Se han propuesto distintas estrategias que conducen a di-
ferentes parámetros. Quizá los dos más difundidos sean los
denominados parámetros de Orr-Sherby-Dorn y de Larson-
Miller. Aunque estos parámetros son propuestas semiem-
123
Capítulo 16 Propiedades mecánicas de los materiales. Fallo mecánico
píricas, sin un fundamento teórico sólido que las avale, es
posible esbozar teóricamente las pistas que parecen sugerir-
los. Para ello, supondremos que los tiempos de rotura por
termofluencia pueden expresarse por medio de un cierto fac-
tor del tipo Arrhenius, pero en el que tanto el factor preexpo-
nencial, A*, como la energía de activación, QC*, pudieran ser
dependientes del esfuerzo. Matemáticamente:
1 tR = A* ⋅exp ( −QC* ( RT ) ) (1)
El que A* pueda ser función del esfuerzo no nos debe
resultar extraño, pues eso es lo que suponían Expresiones
como (15.3), (15.4) y (15.5) para la velocidad de deforma-
ción secundaria. Sin embargo, el que QC* pueda depender de
s sí resulta más extraño, porque ello contradice lo que sostu-
vimos en el Capítulo 15 acerca de la energía de activación de
la velocidad de deformación de termofluencia estacionaria.
No obstante, las complejidades asociadas con los fenómenos
de formación de microporos que acontecen durante la rotura
por termofluencia, probablemente justifican que la energía
de activación que caracteriza el proceso pueda depender del
nivel de esfuerzo aplicado.
Con todo, tomando logaritmos decimales en la Expresión
(1), se obtiene
QC *
− log tR = log A* − L (2)
RT
donde L = log e .
En primer lugar consideraremos que QC* = constante,
pero que A* = A* (σ ) . Si definimos el parámetro de Orr-Sher-
by-Dorn, POSD, como POSD (σ ) = − log A* , entonces, despe-
jando de la Expresión (2) se obtiene que
POSD (σ ) = log tR − C1 T (3)
siendo C1 = LQC * R . (El lector puede comprobar que se lle-
garía a un resultado similar partiendo de algunas de las Ex-
presiones (15.3), (15.4) o (15.5) en lugar de la Expresión (2)).
* *
Suponiendo ahora que QC = QC (σ ) y que A* es cons-
tante, entonces, si definimos el parámetro de Larson-Miller,
PLM, como PLM (σ ) = LQC * (σ ) R , despejando de la Expre-
sión (2) se obtiene que
PLM (σ ) = T [log tR + C2 ] (4)
donde C2 = log A* .
La Figura 1 muestra una representación esquemática del
tiempo de rotura por termofluencia, tR, frente a 1/T, de acuer-
do con las Expresiones (3) y (4).
124
(a) (b)
Figura 1
Aunque los dos parámetros resultan útiles en la práctica
y, aparentemente, igualmente válidos, su capacidad predicti-
va suele ser bastante restringida. En efecto, las incertidum-
bres asociadas con el uso de parámetros de extrapolación
suelen ser tales que, por lo general, la predicción solo resulta
fiable si los tiempos de rotura predichos son inferiores a tres
veces la duración del ensayo más largo del que se dispone in-
formación experimental fiable. Para afinar más la predicción
se requieren métodos y algoritmos mucho más sofisticados.
La determinación de las constantes C1 y C2 puede no re-
sultar directa. Como se desprende de los gráficos anteriores,
la pendiente de las rectas de la Figura 1a permite obtener el
valor de C1 para el POSD, y la intersección con el eje Y de la
Figura 1b, el valor de C2 para el PLM. Esto se realiza a partir
de experiencias donde se obtiene el tiempo de rotura para
distintos esfuerzos aplicados en ensayos realizados a ciertas
temperaturas. Estos mismos datos son posteriormente repre-
sentados en ejes log tR vs. 1/T, dando lugar a las mismas
curvas que las mostradas en la Figura 1, y a partir de ellas
se obtiene el valor de las constantes C1 o C2. La asunción de
un valor común de estas constantes para diversos materiales
permite la representación conjunta de curvas correspondien-
tes a los parámetros y la comparación directa entre los di-
versos materiales, si bien el uso de valores particulares para
cada material mejora la capacidad de predicción del método.
Nota 16.5
La regla de Palgrem-Miner
Supongamos un material sometido a la secuencia de esfuer-
zos cíclicos siguiente: n1 ciclos de amplitud de esfuerzo σ 1 ,
n2 ciclos de amplitud σ 2 , …, y nz ciclos de amplitud σ z . La
pregunta es ¿cuál será la vida frente a fatiga, N, de una pieza
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sometida a esta secuencia de ciclos?
Para responder a esta pregunta, en 1924 Palgrem propuso
la hipótesis de la acumulación lineal del daño, según la cual
el daño que un material sufre bajo la acción de una determi-
 La escala macroscópica de los materiales
nada amplitud de esfuerzo cíclico, σ , es directamente pro-
porcional al número de ciclos actuantes, n. Si D representa
al daño producido, entonces D ∝ n ⋅ σ . De este modo, el
daño crítico para que se produzca la rotura, Dc , habrá de ser
proporcional al producto N f ⋅ σ , siendo N f su vida frente
a fatiga para dicho nivel de esfuerzo σ . Con todo, el daño
parcial se expresará como D ∝ n ⋅ σ ∝ ( n N f ) Dc .
Aplicando esta idea a una secuencia de ciclos, como la
mencionada anteriormente, Palgrem concluyó que la rotura
se produciría cuando la suma de los daños parciales igualara
al daño crítico, esto es,
∑D = Di c
i
es decir,
n va en sus características a fatiga. Cualquier entalla o discon-
∑ Ni Dc = Dc
i fi
donde ni es el número de ciclos actuantes para una amplitud
de esfuerzo σ i , y N fi la vida frente a fatiga (número máxi-
mo de ciclos) que el material tendría sometido a ese esfuerzo
σ i , actuando aisladamente. Simplificando, obtenemos
ni
∑N =1
i fi
que es la ampliamente utilizada regla de Palgrem-Miner,
pues aunque inicialmente propuesta por Palgrem, fue Miner
quien la popularizó en 1945.
Aunque en la actualidad se sabe que esta regla no es rigu-
rosamente exacta, se ha revelado difícil de mejorar emplean-
do procedimientos simples. Los métodos de la Mecánica de
la Fractura proporcionan una alternativa, pero son comple-
jos y caen más allá del objetivo de este libro.
En realidad, es sorprendente (¡y una suerte!) que la regla
de Palgrem-Miner funcione tan bien como lo hace. El cre-
cimiento de una grieta producida por fatiga bajo esfuerzos
cíclicos de amplitud constante es bien sabido que es no lineal
(el ritmo de crecimiento de la grieta aumenta continuamen-
te). También se sabe ahora que el orden en el que se suceden
los ciclos de esfuerzos de diferente amplitud puede afectar
al crecimiento de la grieta. Pero a pesar de estas complica-
ciones, la regla de Palgrem-Miner proporciona un método
útil para estimar la vida frente a fatiga de un componente
sometido a esfuerzos de distintas amplitudes.
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Bloque 3
Nota 16.6
Recetas para combatir la fatiga
El complejo comportamiento a fatiga de los materiales es
sensible a muchas variables. Una de estas es el nivel de es-
fuerzo medio (como ya mencionamos en el Apartado 16.3.1,
ver Figura 16.23), pero también lo son el diseño geométrico,
el acabado superficial, los posibles tratamientos superficia-
les, sin olvidar el entorno de trabajo. Así pues, son muchos
los factores que influyen en la resistencia a la fatiga, y solo
un control adecuado conducirá a un aumento de dicha resis-
tencia. Veamos algunas de estas recetas.
A.  Evitar los concentradores de esfuerzo
El diseño de una pieza puede tener una influencia significati-
tinuidad geométrica puede actuar como un concentrador de
esfuerzos y como lugar preferente de nucleación de grietas.
(Así pues, cobran especial relevancia elementos tales como
acanaladuras, orificios, ranuras de chaveta y roscas, entre
otros.) Cuanto más aguda es la discontinuidad (o sea, cuanto
menor es el radio de curvatura), más intensa es la concentra-
ción de esfuerzos. La probabilidad de rotura por fatiga puede
ser reducida evitando (cuando es posible) estas irregulari-
dades estructurales, es decir, realizando modificaciones en
el diseño para eliminar cambios bruscos en el contorno que
conduzcan a cantos vivos, o lo que es equivalente, exigiendo
superficies redondeadas con radios de acuerdo grandes.
B.  Evitar las superficies rugosas
Al margen de cuestiones de diseño, se ha observado que la
vida frente a fatiga es especialmente sensible a las condi-
ciones y configuración de la superficie de la pieza. Ello es
debido a que, en muchas situaciones comunes, son las super-
ficies externas las que soportan los mayores esfuerzos. Por
consiguiente, la mayoría de las grietas que producen fractura
por fatiga se originan en la superficie, concretamente en con-
centradores de esfuerzos.
Y siendo la superficie externa un elemento tan decisivo,
conviene tener presente que durante las operaciones de me-
canizado, se producen inevitablemente pequeñas rayaduras
y surcos en la superficie de la pieza por acción de la herra-
mienta de corte. Estas marcas superficiales pueden limitar la
vida frente a fatiga, por lo que mejorando el acabado super-
ficial mediante pulido se puede aumentar significativamente
la vida frente a fatiga.
125
Capítulo 16 Propiedades mecánicas de los materiales. Fallo mecánico
C. Introducir esfuerzos de compresión
superficiales
Pero existe un método todavía más efectivo para aumentar
la resistencia frente a fatiga, y es mediante la introducción
de esfuerzos residuales de compresión dentro de una capa
delgada superficial. Ello se debe a que cualquier esfuerzo
externo de tracción es parcialmente contrarrestado por el
esfuerzo residual de compresión. El efecto neto es que se
reduce la probabilidad de nucleación de la grieta y, por tanto,
de la rotura por fatiga.
En los materiales dúctiles, los esfuerzos residuales de
compresión son comúnmente introducidos de forma mecá-
nica mediante deformación plástica localizada dentro de una
región externa superficial. Industrialmente, esto se realiza
mediante un proceso denominado granallado o perdigonado
(shot peening, en inglés), por el cual pequeñas y duras partí-
culas, con diámetros entre 0.1 y 1.0 mm, son proyectadas a
gran velocidad contra la superficie a tratar. La deformación
resultante induce esfuerzos de compresión hasta una profun-
didad que varía entre ¼ y ½ del valor del diámetro de las
partículas.
Pero esta no es la única forma de inducir esfuerzos resi-
duales de compresión en la superficie externa. Los procesos
de cementación y nitruración no solo consiguen endurecer
una fina capa (de espesor en torno al milímetro) de la super-
ficie de la pieza, sino que, además, mejoran las propiedades
frente a fatiga debido a los esfuerzos residuales de compre-
sión originados.
D.  Mitigar la influencia del medio
El medio puede afectar al comportamiento frente a fatiga
de los materiales. Hay dos tipos de fatiga propiciados por el
medio: la fatiga térmica y la fatiga con corrosión.
La fatiga térmica se induce normalmente a temperaturas
elevadas debido a esfuerzos térmicos fluctuantes; no es nece-
sario que estén presentes esfuerzos mecánicos de origen ex-
terno. La causa de estos esfuerzos térmicos es la restricción
a la dilatación o contracción que normalmente ocurren en
piezas estructurales sometidas a variaciones de temperatura.
La fatiga con corrosión ocurre por acción de un esfuer-
zo cíclico y ataque químico simultáneo. Lógicamente los
medios corrosivos tienen una influencia negativa y reducen
la vida frente a fatiga, incluso la atmósfera normal afecta a
algunos materiales. Como consecuencia pueden producirse
pequeñas fisuras o picaduras que se comportarán como con-
centradoras de esfuerzos originando grietas. La velocidad de
propagación también aumenta en el medio corrosivo, puesto
que también se corroerá el interior de la grieta produciendo
nuevos concentradores de esfuerzo.
126
Adenda
Ensayos mecánicos (IV):
Ensayo de impacto, ensayo de tenacidad
a la fractura y ensayo de fatiga
El denominado ensayo de impacto consiste esencialmente en
medir la energía absorbida por una muestra que se rompe
cuando es golpeada por un péndulo muy pesado. Por otra
parte, el ensayo de tenacidad a la fractura y el ensayo de
fatiga se llevan a cabo, generalmente, con máquinas univer-
sales de ensayo, aparentemente iguales a las empleadas para
los ensayos descritos en el Capítulo 14, pero con la electró-
nica de control adaptada para la aplicación de cargas de la
forma específica que requieren estos ensayos.
A. Ensayos de impacto
Se incluyen en este grupo, también denominados ensayos de
flexión por choque, aquellos ensayos en los que se mide la
capacidad de un material para deformarse y romperse ante la
aplicación de una carga súbita (un impacto). Según la defini-
ción anterior, el ensayo es semejante al ensayo de tracción,
salvo en el modo en que se aplica la carga, que resulta triaxial
y no uniaxial, y que no se aplica de manera lenta y creciente,
sino de forma súbita (entre 100 y 10 000 veces más rápido que
en un ensayo de tracción), con velocidades de deformación
alrededor de 102 - 103 s-1.
Esta importante diferencia obliga a emplear un máquina
de ensayo conceptualmente completamente diferente a la del
ensayo de tracción. De modo genérico, constan de un pén-
dulo, con una maza de masa y geometría especificada por
Norma (distintas según el tipo de material a ensayar), y con
una pérdida despreciable de energía potencial en una osci-
lación libre (Figura 1). El ensayo consiste en romper, de un
solo golpe, una muestra situada en la trayectoria del péndu-
lo. Conocida la altura inicial desde la que parte el péndulo,
si determinamos la altura final que alcanza tras romper la
muestra, la diferencia de energía potencial nos determina la
energía empleada en romper la muestra. Dicha diferencia de
energía no debe superar, según Norma, el 80 % de la energía
inicial del péndulo.
Existen, no obstante, alternativas para la aplicación rápi-
da de cargas, como una masa en caída libre y no a través de
un péndulo, ensayo regulado por Normas bien diferentes a
los anteriores.
Volviendo a las máquinas de péndulo, destacan principal-
mente dos ensayos según la disposición de la muestra. En el
ensayo Charpy (UNE-EN ISO 148-1 para materiales metáli-
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cos) la muestra se sostiene horizontalmente por sus dos ex-
tremos y es golpeada en el centro de la misma, mientras que
en el ensayo Izod (ASTM E-23 para materiales metálicos o,
por ejemplo, UNE-EN ISO 180 para poliméricos) la muestra
 La escala macroscópica de los materiales
se sostiene verticalmente por uno de sus extremos quedando
libre el otro, sobre el que golpea el péndulo.
Figura 1
Las principales condiciones del ensayo que regulan las
normas son:
1. Geometría del ensayo. Las normas especifican tanto
la geometría de la máquina de ensayo, como la de las
probetas. Las dimensiones normalizadas de las pro-
betas son 55 mm de longitud y sección cuadrada de
10 mm de lado, aunque con variaciones según el tipo
de ensayo. Para el ensayo Charpy, las probetas deben
tener una entalla en el punto medio de su longitud
que ayude a su rotura al ser golpeadas por el péndulo
(por el lado opuesto al de la entalla). En el ensayo
Izod, la entalla se encuentra ligeramente desplazada
respecto al punto medio, y se golpea por el mismo
lado de la entalla. En los ensayos Charpy la entalla
es generalmente de dos formas posibles, en U o en V,
mientras que en los ensayos Izod la entalla será en V,
con geometrías bien definidas por la Norma.
2. Temperatura del ensayo. Dada la gran influencia
de la temperatura en la capacidad de los materiales
para absorber energía, el control de la temperatura
de las probetas es de suma importancia. Por ejemplo,
en la UNE-EN ISO 148-1, se especifica que no de-
ben transcurrir más de 5 s desde el instante en que
la probeta se saca del medio de calentamiento o de
©  Ediciones Paraninfo
enfriamiento, y el instante en que es golpeada por el
péndulo.
En lo referente al informe de resultados del ensayo, se es-
pecificará junto a las condiciones del mismo (principalmente
Bloque 3
temperatura y energía inicial del péndulo), la energía absor-
bida en la rotura, y opcionalmente, un estudio de la superficie
de rotura de las muestras. En el caso de materiales metálicos,
el informe puede incluir la medición de la expansión late-
ral de la sección de rotura de la muestra, inicialmente con
geometría rectangular (no es cuadrada a causa de la entalla
realizada) y que se deformará hasta un aspecto trapezoidal,
tanto más marcado cuanto mayor sea la absorción de energía
en la rotura (y por tanto la tenacidad del material).
El informe puede incluir igualmente un estudio cuantita-
tivo del aspecto de la superficie de rotura, basado en la norma
ASTM E23, aunque ya normalizado según Normas UNE-EN,
que permite estimar el porcentaje de rotura por cizallamiento
(dúctil y de aspecto mate) o por clivaje (frágil y de aspecto
brillante). A este respecto, la zona central de la superficie de
la muestra presenta, salvo en un caso extremo de alta ductili-
dad, características propias de una rotura frágil, mientras que
el perímetro resulta con rotura por cizallamiento. La subjeti-
vidad de esta medida, incluso cuando se realiza por medio de
análisis de imagen, hace que no sea muy precisa.
Es también destacable, como resultado opcional del en-
sayo, el trazado de la curva energía absorbida frente a la
temperatura del ensayo, que permitirá la identificación de la
temperatura de transición dúctil-frágil. A partir de la curva
obtenida, la temperatura de transición se puede definir según
alguno de los criterios especificados en la Norma (que varía
dependiendo del tipo del material). Estos criterios pueden
ser la temperatura a la que: (1) se absorbe una determinada
energía; (2) se alcanza un determinado porcentaje de energía
absorbida respecto al máximo medido a altas temperaturas,
en general del 50 %; (3) se produce un determinado porcen-
taje de rotura por cizallamiento, de nuevo de forma genérica
del 50 %, o (4) se alcanza una determinada magnitud de ex-
pansión lateral.
B. Ensayos de tenacidad a la fractura
Otro aspecto importante en la fractura de los materiales, y
que ha sido objeto de normalización (UNE-EN ISO 12 737
y ASTM E399 para materiales metálicos), es el factor de in-
tensidad de esfuerzos en el extremo de una grieta o fisura so-
metida a un desplazamiento en modo de apertura (modo 1).
Dicha magnitud se denomina K1 (con unidades de MPa·m1/2),
y se corresponde con la magnitud del campo elástico de es-
fuerzos en el extremo de la grieta. En concreto, se busca co-
nocer el valor crítico de dicha magnitud, K1c, para el que se
produce una importante extensión de la fisura a medida que
aumenta la carga. Para la determinación de esta magnitud,
denominada tenacidad a la fractura del material (o resisten-
cia del material a la extensión de una fisura) se emplea una
probeta con una muesca, que es prefisurada por fatiga, y que
luego se somete a un aumento lento de esfuerzo bajo condi-
ciones de deformación plana (espesor de la muestra grande)
127
Capítulo 16 Propiedades mecánicas de los materiales. Fallo mecánico
y poca deformación plástica en la punta de la grieta. En el
ensayo se registra la fuerza aplicada frente al desplazamiento
de la apertura de la muesca, y el valor de KIc se determina,
mediante ecuaciones especificadas en la Norma, a partir de
la fuerza correspondiente a una importante extensión aparen-
te de la fisura (del 2 % aproximadamente) sin ser necesario
un importante incremento del esfuerzo.
El ensayo propiamente dicho puede realizarse mediante
flexión de una probeta (lo que produce tracción en la fisu-
ra) o mediante tracción de probetas denominadas compactas
(Figura 2). En ambos casos debe cumplirse, midiendo tras la
rotura de la probeta, que el espesor de la probeta, la longitud
de la fisura y la del ligamento (zona contigua a la fisura) sean
/
superiores a 2.5·(K1c sLE-CONV)2, por lo que, a priori, y hasta
determinar el valor de K1c, no puede garantizarse que el en-
sayo vaya a ser válido.
Figura 2
C. Ensayos de fatiga
Otro aspecto importante en relación con la rotura de los ma-
teriales, es la capacidad de estos de soportar cargas cíclicas
sin romperse. En los ensayos para medir dicha capacidad, la
aplicación de la carga puede ser de diversos modos, mediante:
flexión rotativa, flexión plana, tracción-compresión, o torsión.
En todos los casos, sobre el material actúa un esfuerzo varia-
ble que, tras un determinado número de ciclos a determinar en
el ensayo, puede provocar la rotura del material como conse-
cuencia de la aparición de una fisura que se irá propagando por
la sección resistente hasta mermar la resistencia de la muestra
y provocar el fallo final.
Una máquina universal de ensayos convenientemente
instrumentada puede aplicar cualquiera de los tipos de carga
de las anteriormente descritas, excepto la flexión rotativa,
que habrá de llevarse a cabo con un equipo específico (Fi-
gura 3).
Los ensayos de fatiga pueden realizarse mediante control
de la carga aplicada, o del esfuerzo o la deformación a la
que se somete a la muestra en cada ciclo. La Norma UNE
7 118 especifica la ejecución de este tipo de ensayos en mate-
riales metálicos, si bien pueden también consultarse normas
128
más modernas como la ASTM E466. La carga alterna que
se aplica a la muestra, en el caso de control por carga, puede
entenderse como una carga media y una fluctuación con va-
lores positivos y negativos sobre dicho valor medio. En un
ensayo para determinar los ciclos que soporta un material sin
romperse (su límite a fatiga), se fija una carga media (que
podrá ser cero, una carga de tracción o una de compresión)
que habrá de especificarse como condición del ensayo, y se
ensayan diversas muestras con diferentes esfuerzos fluctuan-
tes hasta determinar aproximadamente el esfuerzo límite
que produce rotura para un determinado número de ciclos (a
modo orientativo, 107 para materiales férreos y 3·107 para no
férreos). Tres o cuatro ensayos suelen ser suficientes para la
determinación con precisión aceptable del límite de fatiga,
siempre que se parta de un conocimiento previo aproximado
de su valor. Deberá prestarse especial cuidado para evitar
esfuerzos de doblado al colocar las muestras entre las mor-
dazas de sujeción. Para este fin se han desarrollado diversos
modos de sujeción. El resultado del ensayo se presenta en
forma de una curva denominada curva de fatiga o de Wöhler,
donde se representa el valor de la fluctuación sobre el esfuer-
zo medio frente al número de ciclos que soporta el material.
Figura 3
Los ensayos, sin embargo, no siempre se prolongan hasta
la rotura final de la muestra, sino que el criterio de fallo pue-
de ser la presencia de una grieta observable a determinados
aumentos, o sencillamente puede detenerse el ensayo tras un
determinado número de ciclos.
La geometría recomendada de las muestras de ensayo in-
cluye secciones circulares y rectangulares, con una zona de
rotura rebajada sobre los extremos en los que se amordaza
la muestra, y amplio radio de acuerdo. Para asegurar la rotu-
ra en la zona adecuada se recomienda una sección rebajada
cuatro veces menor que en los extremos, y una longitud de
la misma de dos a tres veces su diámetro. En caso de cargas
de compresión, dicha longitud no debe superar el doble del
diámetro, para así evitar problemas de doblado. En cuanto
a la frecuencia de aplicación de las cargas, el rango típico
©  Ediciones Paraninfo
para la realización de los ensayos, de 10-2 a 102 Hz, suele ser
adecuado para que la frecuencia no afecte al límite de fatiga
de la mayoría de los materiales ingenieriles.
 17
CAPÍTULO

Propiedades eléctricas
de los materiales
Bandas y conductores

RECURSOS DIGITALES

Nota 17.1. V elocidad de arrastre

Nota 17.2. L a ecuación del transporte
de carga
Nota 17.3. E l efecto Hall
Nota 17.4. U n poco de estadística cuántica
Nota 17.5. U n planteamiento alternativo
del modelo cuántico de
conducción
Nota 17.6. M asas efectivas de los
electrones
Nota 17.7. C onductividad eléctrica en
corriente alterna
Nota 17.8. R esistividad de sistemas
multifásicos

Adenda: Determinación de resistividades

eléctricas
Capítulo 17 Propiedades eléctricas de los materiales. Bandas y conductores
Nota 17.1
Velocidad de arrastre
En su intento por explicar la ley de Ohm, Drude necesita-
ba justificar por qué los electrones de un metal, arrastrados
por efecto de un campo eléctrico, se movían con velocidad
constante. Debido al campo aplicado, cada electrón libre del
metal debía sentir una fuerza igual a −eE0 , de modo que para
que el movimiento pudiera ser a velocidad constante, cada
electrón debería sentir, además, alguna otra fuerza que con-
trarrestase a la primera. Drude imaginó que dicha fuerza pro-
venía del efecto de frenado de las continuas colisiones que
los electrones experimentaban con los iones del cristal. El
resultado era que los electrones eran desplazados en la direc-
ción del campo, y sentido opuesto, a una velocidad constante
que llamó velocidad de arrastre o velocidad de deriva, vd .
Es posible deducir, de un modo aparentemente sencillo,
una expresión para la velocidad de arrastre. Si acepta el he-
cho (completamente cierto) de que podemos definir t como
el tiempo medio entre colisiones y también como el tiempo
medio transcurrido desde la última colisión de cualquier
electrón, la demostración siguiente le parecerá sencilla: en
cualquier instante, cada electrón tendrá, superpuesto a su
movimiento errático, una velocidad adicional en la dirección
de la fuerza eléctrica que ha adquirido desde su última coli-
sión. Si el campo eléctrico está dirigido en el sentido de las x
negativas, la ecuación de movimiento del electrón será:
eE 0
vx (t ) = vx (0) + t negativo de las x, el electrón se moverá arrastrado en el sen-
me
donde t comienza a contar tras la última colisión, y el factor
eE0 me corresponde a la aceleración que imprime el campo.
Admitiendo que cada choque es lo suficientemente eficaz
como para restaurar el equilibrio térmico de la partícula in-
mediatamente después, tomando valores medios en la expre-
sión anterior, obtenemos:
eE 0
vx (t ) = vx (0) + t dt
me
donde el valor medio de la velocidad vx de un electrón es pre-
cisamente la velocidad de arrastre, vd, el tiempo medio trans-
currido desde su última colisión es t, y el valor medio de la
velocidad inicial con la que partía el electrón tras su última
colisión es cero, pues podemos suponer que tendrá una direc-
ción completamente aleatoria. De este modo, la velocidad de
arrastre debida al campo puede calcularse sencillamente como
e E 0τ
vd = (1)
me
130
Decíamos que la anterior demostración es «aparente-
mente» sencilla. La sencillez se esfuma si reflexionamos
sobre la equivalencia de las dos definiciones dadas para t.
Quizá esa equivalencia le parezca contraintuitiva, y le satis-
faga más la siguiente deducción, muy extendida en los libros
de texto, pero incorrecta. Tras cada colisión, el electrón parte
con una velocidad inicial nula, pero adquiere una velocidad
adicional que es igual a la aceleración por el tiempo. Como
el tiempo entre colisiones es t, la velocidad final adquiri-
da justo antes de la segunda colisión será eE 0τ me . Esto
quiere decir que la velocidad media entre colisiones (que
identificaremos con la velocidad de arrastre) será igual a
1
2
(0 + eE0τ me ) = 12 eE0τ me , lo cual es falso. No es fácil des-
cubrir dónde se encuentra escondido el error de la deducción
anterior, que parece formalmente correcta. El fallo radica en
que implícitamente se supone que entre todas las colisiones
media siempre un tiempo t. Si no le convence este argumen-
to, consuélese pensando que el propio Drude, en su trabajo
original, cometió el mismo error.
Cabe aún hacer una demostración cuyo poder de con-
vicción disipa todas las dudas. Se trata de suponer que el
movimiento del electrón es similar al de una masa arrastrada
a través de un medio viscoso, que termina moviéndose con
velocidad constante (la llamada velocidad límite). La fuerza
«viscosa» que sentiría cada electrón, como consecuencia de
las continuas colisiones, puede expresarse como −γ v , donde
g es una constante a determinar y v una velocidad del elec-
trón. (Nótese que la fuerza viscosa siempre actúa en sentido
contrario al de la velocidad del electrón.) De esta forma, su-
poniendo que el campo eléctrico está dirigido en el sentido
tido opuesto. Por tanto, aplicando la segunda ley de Newton
a un electrón libre arbitrario se obtendrá que:
dv
eE0i − γ v i = me i
dt
es decir,
dv
eE0 − γ v = me (2)
siendo me la masa del electrón. El lector puede comprobar,
por sustitución, que la solución de la ecuación diferencial
anterior es de la forma:
v = vd ⎡⎣1 − exp ( −γ t me )⎤⎦ (3)
©  Ediciones Paraninfo
donde vd es cierta velocidad constante, cuyo significado se
entiende bien al percatarnos de que en el límite t → ∞ , su-
cede que v → vd (velocidad límite). El periodo transitorio
que transcurre hasta que la velocidad adquiere el valor esta-
 La escala macroscópica de los materiales Bloque 3

cionario vd debe ser extremadamente pequeño; de lo contra-

rio, no podría haber sido ignorado por la ley de Ohm.
Es posible conocer el valor de la constante γ . Se sabe que
una vez alcanzado el estado estacionario, entonces dv dt = 0 ,
esto es, la velocidad ya no cambia y vale vd . De este modo,
la ecuación diferencial (2) se simplifica a la sencilla ecua-
ción algebraica siguiente:
Figura 1
eE0 = γ vd
rían los portadores de corriente en un tiempo t. De la misma
forma, el producto v t A representaría un volumen en el que
de donde, despejando, se obtiene que todos los portadores contenidos lograrían salir de él en un
tiempo t.
eE 0 Si la barra contiene n portadores de conducción por uni-
γ=
vd dad de volumen, entonces, v t An representa el número de
portadores que atraviesan una sección transversal (de área
A) en un tiempo t. Si cada portador posee una carga q, en-
Llamamos ahora la atención sobre el hecho de que el
tonces qvAn representa la cantidad de carga que atraviesa
cociente me γ , que aparece dentro de la exponencial en la
dicha sección por unidad de tiempo, lo que coincide con la
Expresión (3), debe tener dimensiones de tiempo, para que
definición formal de la intensidad de corriente, I, por tanto,
el argumento de la exponencial resulte adimensional. De este
modo, es razonable definir el parámetro τ como
I = qvAn
me me vd
τ= = (4) Y por consiguiente, la densidad de corriente, J, esto es, la
γ eE0
intensidad por unidad de área, quedaría como

y que denominaremos tiempo de relajación. (Una detenida re-

J = qnv
flexión nos convencerá de que podemos reinterpretar τ como
el lapso de tiempo promedio que transcurre entre dos colisio-
nes consecutivas del electrón con los iones del cristal. Piense
que aumentar la frecuencia de colisión equivaldría a aumentar
la viscosidad del supuesto medio.) Despejando vd , obtenemos Nota 17.3

e E 0τ El efecto Hall
vd =
me
Resulta fácil entender cómo surge el efecto Hall (transver-
sal). La aplicación de un campo magnético provoca sobre los
que coincide con la Expresión (1). portadores de corriente de un conductor una fuerza (la fuerza
de Lorentz) dirigida a lo largo del eje Y, y cuyo módulo viene
dado por FL = qvB0 sen θ , siendo θ el ángulo que forman
v y B 0 (Figura 1). Dicha fuerza obliga a los portadores de
Nota 17.2 corriente a desviarse haciendo que su trayectoria se curve
hacia uno de las caras laterales del conductor, donde se irá
La ecuación del transporte de carga acumulando carga. De este modo, una de las caras latera-
les quedará cargada negativamente, mientras que la opuesta
Consideremos una barra de conductor de sección transver- quedará con un déficit de carga negativa, esto es, quedará
sal A que está siendo atravesada por una corriente eléctrica cargada positivamente. Esta segregación de cargas (polari-
(Figura 1). zación) producirá una diferencia de potencial (la tensión de
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Supongamos, además, que la velocidad con la que se Hall, VH ) que inducirá la generación de un campo eléctrico
mueven los portadores de carga (electrones, si se trata de un transversal (EH ), cuya fuerza ( FE ) contrarrestará a la de Lo-
metal, iones si se trata de un electrolito) es v. Si esto es así, rentz ( FL ) de modo que la trayectoria de los portadores ya
el producto vt representaría la distancia media que recorre- no se verá desviada.

131
Capítulo 17 Propiedades eléctricas de los materiales. Bandas y conductores
Figura 1
Para que las cargas no se desvíen, la fuerza eléctrica de-
bida a EH que siente el electrón debe ser igual y opuesta a la
fuerza de Lorentz producida por B0 , es decir:
qE H − qvB0 = 0 (1)
(tenga en cuenta que q puede ser positiva o negativa).
Como, de acuerdo con la Expresión (17.9), la densidad
de corriente J = qnv , teniendo en cuenta la Expresión (1)
resulta que J = qn E H B 0 . Como EH = VH c , considerando
la expresión anterior, la tensión de Hall se calcula, teniendo
en cuenta que el flujo de carga es igual a la intensidad por
unidad de superficie ( J = I (cd ) ), como:
J B0 I B0
VH = c E H = c = del material, pero independientemente de ello, debe dismi-
qn qnd
y el denominado coeficiente Hall como:
1 VH d
RH ≡ =
qn I B 0
Obsérvese que tanto VH como RH dependen del signo de q.
Así pues, el efecto Hall es un efecto que resulta especialmente
útil para la determinación no solo del signo de la carga de los
portadores de corriente, sino también de su concentración.
Nota 17.4
Un poco de estadística cuántica
¿Cómo se redistribuyen los electrones a medida que aumen-
tan su energía? Dado que los niveles permitidos de energía
están tan próximos unos a otros que pueden considerarse que
132
forman una banda continua, los cálculos pueden hacerse su-
poniendo que la energía es una variable continua y no dis-
creta (en la práctica esto supone que los muy complicados
sumatorios que pudieran aparecer se sustituirán por integra-
les, siempre más sencillas). Para la descripción de cómo se
distribuyen los electrones en el eje de energías, se introducen
dos funciones especiales: la función densidad de estados y la
función de Fermi-Dirac.
A. La densidad de estados electrónicos, D(E)
Esta función especifica el número de estados por unidad de
intervalo de energía, es decir, D(E)dE representa el número
de estados con energías comprendidas entre E y E + dE.
Puede demostrarse (vea el Apéndice B, si está interesado)
que la densidad de estados de los electrones se calcula del
siguiente modo:
3
Vm 2 1
D ( E ) = 8 2 π 3e E 2
h
siendo me la masa del electrón, h la constante de Planck y V
el volumen de la muestra considerada. La expresión anterior
quiere decir que D(E) crece parabólicamente con la energía
(como se aprecia en la Figura 1). Esta es la razón por la que
en la Figura 17.10, el espaciado entre niveles energéticos ini-
cialmente va disminuyendo a medida que E aumenta.
1
Sin embargo, la dependencia D ( E ) ∝ E 2 no es correcta
para todo el intervalo de energías de una banda. La forma
concreta de D ( E ) dependerá del tipo de estructura cristalina
nuir a cero en el borde superior de la banda, tal como mues-
tra la Figura 1:
Figura 1
No obstante, como en la mayoría de los conductores el
nivel de Fermi suele estar situado a la izquierda (a menores
energías) del valor máximo de D ( E ) , podemos asumir que
la ecuación anterior es una excelente aproximación.
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B. La función de Fermi-Dirac, f (E)
Dicha función (llamada también función de ocupación) es-
pecifica, para una determinada temperatura, la probabili-
 La escala macroscópica de los materiales Bloque 3

dad de que un estado electrónico de energía E esté ocupado.

Si E1 = EF + 7kBT ⇒
Cálculos teóricos señalan que:
1 1
⇒ f ( E1 ) = = ≈ 0.001
1 exp ( 7kBT (kBT ) ) + 1 exp ( 7 ) + 1
f (E) = (1)
⎛ E − EF ⎞
exp ⎜ ⎟ +1
⎝ k BT ⎠
Si E2 = EF − 7kBT ⇒
A T = 0 K, la función anterior se simplifica a: 1 1
⇒ f ( E2 ) = = ≈ 0.999
exp ( −7kBT (kBT ) ) + 1 exp ( −7 ) + 1
⎧ 1 si E < EF
⎪
f ( E ) = ⎨ 12 si E = EF
⎪ 0 si E > E Quizá se esté preguntando por qué no adoptar para los
⎩ F
electrones una distribución dada por el factor de Maxwell-
lo que describe una transición abrupta de 1 a 0, centrada en Boltzmann, f = exp ⎡⎣−E ( kBT )⎤⎦ , que tantas otras veces he-
el valor EF. Esto es así porque a T = 0 K los electrones llenan mos utilizado refiriéndonos a los átomos. La culpa la tiene el
todos los estados posibles hasta EF. Realmente el valor de ½ principio de exclusión, al que no deben obedecer los átomos,
no se deduce de la Expresión (1), se trata de una imposición pero sí los electrones.
conveniente.
La transición de 1 a 0 se va suavizando a medida que C. Cálculo de la energía de Fermi
aumenta T, pero sigue siendo rápida. Para una cierta tempe-
ratura T dada, basta con que nos alejemos una cantidad de De las definiciones anteriores se desprende que el producto
energía ( 7k BT ), a derecha y a izquierda de EF, para que poda- f ( E )D ( E ) representará el número de estados ocupados por
mos considerar que f vale ya 0 ó 1. Veamos algunos cálculos: unidad de intervalo de energía. Gráficamente:
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Figura 2

133
Capítulo 17 Propiedades eléctricas de los materiales. Bandas y conductores

Y para resaltar aún más el resultado, puede acudirse a Con esto, la expresión de D(E) dada en el apartado A,
esta otra gráfica: puede expresarse como

1
3 E2
D (E) = N 3 (2)
2 EF 2

D. Cálculo de la fracción de electrones

excitados térmicamente
Para calcular el número de electrones excitados por efecto de
la temperatura, esto es, el número de electrones que tienen
energía mayor que EF debemos calcular la integral:

∞
⌠
N excitados = ⎮⎮ f ( E )D ( E )dE
⌡EF

Ahora bien, cuando un electrón inicialmente en un nivel

de energía por debajo de EF promociona hacia niveles su-
periores, deja un estado vacío, que posibilita la movilidad
de electrones con energías próximas a ese nivel. Por tanto,
podemos estimar el número real de los electrones que ad-
quieren movilidad en la banda, N*, como 2 veces el número
de electrones excitados. Teniendo esto en cuenta e introdu-
ciendo las correspondientes expresiones de f (E) y D(E), Ex-
presiones (1) y (2), se obtiene:

∞
N* ⎛ ⌠
E2
1
⎞
− 32 ⎮
= 2 ⎜ 2 ( EF ) ⎮
3
dE ⎟
N ⎣( E − EF ) ( kBT )⎤⎦ + 1 ⎠
⎮ exp ⎡
⎝ ⌡EF

Esta integral no tiene solución analítica y ha de resolver-

Figura 3
se numéricamente (corresponde al tipo denominado integral
incompleta de Fermi-Dirac).
En una muestra de metal con N electrones de valencia, en
No obstante, es posible llegar a un resultado aproxima-
el cero absoluto, todos los estados correspondientes a niveles
do. Basta recordar que la densidad de estados representa el
de energía inferior o igual a la energía de Fermi (EF) estarán
número de estados por unidad de intervalo de energía. De
ocupados, y los estados de niveles superiores, todos vacíos.
este modo, si asumimos que el número de electrones excita-
Por lo tanto, a 0 K se cumplirá:
dos térmicamente se extiende en un intervalo de energías de
anchura k BT centrado en EF , y que la densidad de estados
3
E
⌠ F
E
⌠ F 8 2 π me 2 V ⌠ EF 12 es aproximadamente constante en dicho intervalo y toma el
N = ⎮⎮ f ( E )D ( E )dE = ⎮⎮ 1⋅ D ( E )dE = 3
⎮ E dE
valor D ( EF ) , entonces su producto, kBT ⋅ D ( EF ) , debe dar-
⌡0 ⌡0 h ⎮
⌡0
nos el número de estados, esto es, el número de electrones
excitados. Con todo:
e integrando, se obtiene:
1
N * kBT ⋅ D ( EF ) 3 EF 2 3kB
22 22
≈ = kBT ⋅ 3 = T
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22 22
hh ⎛⎛33NN⎞⎞33
hh ⎛⎛33nn⎞⎞ 33
N N 2 EF 2 2EF
EEFF == ⎜⎜ ⎟⎟ ⇒ ⇒ EEFF == ⎜⎜ ⎟⎟
88mme e⎝⎝ππVV⎠⎠ 88mme e⎝⎝ππ ⎠⎠

que evaluada para EF = 7 eV y kBT = 0.026 eV (temperatura

siendo n = N V , la concentración de electrones de valencia. ambiente), arroja el valor 0.006 = 0.6 %, una fracción ciertamen-

134
 La escala macroscópica de los materiales Bloque 3

te pequeña. Más importante aún es el hecho de que N * N ∝ T ;

una dependencia que resultará de sumo interés en el Capítulo
22 para explicar la pequeña contribución de los electrones a la
capacidad térmica de los materiales conductores.

E. C
 álculo de la fracción de electrones
que participan en la conducción
Vamos a calcular ahora la fracción de electrones que ver-
daderamente participan en la conducción eléctrica, N C N .
Siguiendo una estrategia similar a la seguida en el apartado
anterior, podemos estimar el valor de NC a través del produc-
to de D ( EF ) , la densidad de estados, y ΔE , la cantidad de Figura 1
energía media que el campo transmite a un electrón en un
tiempo t, es decir, entre dos sucesos de dispersión consecu- Si nos quedamos exclusivamente con el punto final de
tivos, esto es, NC = D ( EF ) ⋅ ΔE . Ahora bien, este modo de cada vector (su afijo), a la temperatura de 0 K, el resultado
razonar no discrimina si los electrones han sido excitados será un enjambre de puntos con forma de esfera de radio
en tal o cual dirección. En el caso térmico esto era perti- vF, la llamada esfera de Fermi (Figura  2). Para cualquier
nente, pero no ahora, donde solo nos interesa contabilizar otra temperatura, la situación será bastante similar; los úni-
aquellos electrones que han adquirido una velocidad paralela cos puntos que habrán cambiado serán los que conforman
al campo aplicado. Por ello, se ha de multiplicar por el factor la superficie de la esfera, que por esta razón será difusa, y
1/3, para considerar únicamente una de las tres direcciones no perfectamente perfilada (esto es consecuente con la Fi-
espaciales. Matemáticamente, podemos expresarlo como gura 17.10b).
NC = 13 ⋅ D (EF ) ⋅ ΔE . Además, la energía puesta en juego, se
calculará como ΔE = fuerza × distancia = eE0 ⋅ ℓ x , siendo ℓ x
el recorrido libre medio de los electrones en la dirección del
campo, que se supone es la x. De este modo, teniendo en
cuenta la Expresión (2), se obtiene

N C eE 0 ℓ x
=
N 2 EF

que evaluada para E 0 = 5 ⋅103 V m = 5 ⋅103 N C , EF = 7eV y

ℓ x = 10−6 m , arroja un valor de 3.57·10-4, esto es, tan solo, un
0.036 %. Esto representa una fracción de orden similar a la
de los electrones excitados térmicamente a temperatura am-
biente. Aunque, a diferencia de N*, el número de electrones
excitados térmicamente, el número de electrones de conduc-
ción, NC, no varía con la temperatura.
Nota 17.5
Un planteamiento alternativo
del modelo cuántico de conducción
Supongamos que para un conductor podemos conocer los
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Figura 2
Fíjese que existirán tantos electrones con cierta vx > 0
que con la misma vx < 0 , y lo mismo para las otras dos com-
ponentes, es decir, habrá un mismo número de electrones
viajando en un sentido que en el otro. Si sumamos las veloci-
dades de todos los electrones, la velocidad media resultante
sería cero, lo que significa que no habrá desplazamiento neto
alguno, ni corriente eléctrica asociada.
Cuando se aplica un campo eléctrico al conductor (su-
pongamos, que dirigido en la dirección X y con sentido
negativo), cada electrón experimentará una fuerza −eE 0 y

vectores velocidad de todos los electrones del gas electró- sufrirá una aceleración en la dirección de dicha fuerza. El
nico en un instante determinado. Supongamos, además, que efecto de este campo sobre la esfera será desplazarla (como
representamos esos vectores velocidad con un origen común un todo) en el sentido del campo, exactamente la cantidad vd,
en un sistema de ejes como el que se muestra la Figura 1. que es la velocidad de arrastre del modelo de Drude.

135
Capítulo 17 Propiedades eléctricas de los materiales. Bandas y conductores
Figura 3
En esta nueva situación, existirán más electrones viajan-
do en sentido contrario al del campo, que en su sentido. Esto
implica que habrá un flujo neto de corriente. Sin embargo, si
se mantiene el campo, el desplazamiento de la esfera no pa-
raría de aumentar como consecuencia de la aceleración que
imprime el campo. Esto no sucede debido a que los puntos de
la superficie de la esfera desplazados en la dirección X (que
representan velocidades próximas a vF ) son dispersados por
los defectos del cristal. Esta dispersión no solo reducirá el
módulo de la velocidad de los electrones, sino que puede
cambiarla de signo. Esto puede representarse gráficamente
como se muestra en la Figura  3: existirá un equilibrio di-
námico entre los electrones que están siendo continuamente
acelerados en la dirección de la fuerza eléctrica y los que se
ven retrodispersados en el sentido contrario, como resultado
del cual, la esfera se desplaza una cantidad constante, vd.
Es posible calcular el número de electrones que sufren
esta dispersión como consecuencia de la aceleración del
campo (los contenidos en la zona sombreada de rosa en la
Figura 3), esto es, el número de electrones que participan en
la conducción eléctrica. Si llamamos NC a este número y N
al total de electrones, entonces:
⎛ 1V ⎞
NC = N ⎜ 3 cáscara ⎟
⎝ Vesfera ⎠
donde Vcáscara representa el volumen de una cáscara esférica
de radio exterior vF y espesor vd (aproximamos el volumen
sombreado de rosa en la Figura  3 por 1/3 del volumen de
la mencionada cáscara), y Vesfera es el volumen total de la
esfera. De este modo
⎛ 13 ( 4π vF2 ) vd ⎞ ⎛v ⎞
NC = N ⎜ 4 3
π v
⎟ = N ⎜ vd ⎟
⎝ 3 F ⎠ ⎝ F⎠
136
Así, pues, teniendo en cuenta que vd vF  1 y que, por
tanto, vF + vd ≈ vF , la densidad de corriente en la dirección
del campo se calculará como:
NC N ( vd vF ) N ne 2τ
J =e vF = e vF = e vd = envd = E0
V V V me
que coincide con la expresión de Drude.
Nota 17.6
Masas efectivas de los electrones
A. El concepto
La aceleración que adquieren los electrones dentro del cris-
tal no es solamente debida a la fuerza externa que imprime
el campo eléctrico aplicado. A ella también contribuyen las
fuerzas de interacción con los iones de la red, y en menor
medida, con el resto de los electrones. Ambas interacciones
son de naturaleza extremadamente compleja y difíciles de
describir matemáticamente (no hablamos exclusivamente
de la interacción eléctrica, sino también de la interacción
«puramente cuántica», consecuencia de que el electrón tiene
carácter ondulatorio). Para poder seguir tratando al electrón
como una partícula y así poder aplicar la Segunda Ley de
Newton sería obligatorio conocer, sin embargo, la expresión
de todas las fuerzas que actúan sobre el electrón, esto es
⋅
Fext + Fiones + Felect = mev
Una forma de solventar este inconveniente consiste en
introducir la denominada masa efectiva, me*, que se define
como:
⋅
Fext = me* v
⋅
donde Fext es la fuerza externa y v es la aceleración real de-
bida tanto a Fext como a la interacción con la red y con el res-
to de los electrones. (Digamos que nuestra ignorancia sobre
los términos Fiones y Felect se enmascara en el término me*).
De este modo no podemos esperar que me* sea igual a la masa
del electrón me, ni siquiera que sea una constante; variará con
la dirección cristalográfica a la que se refiera.
Las masas efectivas pueden ser mayores o menores que
©  Ediciones Paraninfo
me, pero también infinitas. La explicación es sencilla en to-
dos los casos. Una masa efectiva menor que me se presenta
cuando la fuerza ejercida por el campo y las fuerzas internas
del cristal tienen la misma dirección y sentido. Una masa
 La escala macroscópica de los materiales
efectiva mayor que me representa una situación en la que
la fuerza que ejerce el campo eléctrico sobre el electrón es
mayor que la acción de las fuerzas internas del cristal, que
en este caso actúan en sentido opuesto. Cuanto más intensas
sean las fuerzas internas respecto a la acción del campo, tan-
to mayor será la masa efectiva. Una masa efectiva infinita
representaría que el electrón no puede moverse, como con-
secuencia de que la acción del campo eléctrico se ve exac-
tamente contrarrestada por la acción de las fuerzas internas
del cristal.
B. Medida experimental
Consideremos un conductor situado en el seno de un cam-
po magnético, B0 , perpendicular a una cara del material, tal
como se muestra en la Figura 1.
Figura 1
Como consecuencia de la fuerza de Lorentz, el movi-
miento errático (térmico) de los electrones se verá pertur-
bado y ahora describirán trayectorias circulares en un plano
perpendicular a B0 , es decir, paralelo a la mencionada cara
del material. (Además, puede existir cierta componente ver-
tical de la velocidad que produce un ascenso de tipo helicoi-
dal, que no tendremos en cuenta en esta discusión). El valor
de la fuerza de Lorentz se calcula como evB0 , donde v es la
velocidad del electrón y B0 es el módulo del campo magné-
tico aplicado. Igualando esta fuerza a la centrípeta corres-
pondiente a un movimiento circular de radio r, obtenemos:
me*v 2
= evB0
r co dirigido en el sentido de las x negativas, la segunda ley de
de donde
eB0 r
v=
me*
Si denominamos ωc a la frecuencia angular de dicho mo-
vimiento circular (frecuencia angular ciclotrónica), como
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v = ωc r , resultará que
eB0
ωc = (1)
me*
Bloque 3
(Note que la frecuencia ωc resulta ser independiente de r
y v.)
Si aplicamos además un campo eléctrico polarizado cir-
cularmente con frecuencia próxima ωc (típicamente en el
rango del GHz) sobre el material, sus electrones absorberán
la energía de dicho campo, siendo acelerados a velocidades
mayores por lo que trazarán circunferencias de radios cre-
cientes (sin cambiar su frecuencia de movimiento circular).
Pero los electrones terminarán perdiendo la velocidad adqui-
rida tras sucesivas colisiones, reiniciando de nuevo el proce-
so de aceleración.
Obviamente, la absorción será mucho menor si la fre-
cuencia del campo no coincide con la ciclotrónica (la razón
es que no se produce entonces el fenómeno físico denomi-
nado resonancia). Esto nos brinda una ayuda excelente para
acotar el valor de ωc : variando la frecuencia del campo eléc-
trico (o variando B 0 ) estaremos seguro de haber localizado
ωc cuando observemos un pico de absorción. A partir de este
ωc experimental, podemos calcular me* con la Expresión (1).
Nota 17.7
Conductividad eléctrica en corriente
alterna
Supongamos un material conductor por el que circula una
corriente eléctrica alterna provocada por un campo eléc-
trico alterno cosenoidal con frecuencia angular ω , tal que
E (t ) = E 0 m ⋅ cos(φ + ωt ) , siendo φ cierto desfase inicial. Los
electrones sentirán una fuerza de arrastre debido a la acción
del campo (en su misma dirección, pero en sentido contra-
rio, debido al signo negativo de la carga del electrón) y, de
acuerdo con la discusión de la Nota 17.1, sentirán además
una fuerza de rozamiento viscoso dada por FR = −(me τ )v ,
ocasionada por las continuas colisiones que sufren los elec-
trones con los defectos de la estructura cristalina. Así pues,
para un electrón del conductor, que se mueve y acelera en el
sentido de las x positivas, bajo la acción de un campo eléctri-
Newton se expresará como:
dv m
me = − e v + eE
dt τ
Dado que el campo varía periódicamente en el tiempo, la
solución de esta ecuación diferencial es bastante más senci-
lla de obtener si se trabaja con números complejos. No de-
bemos perder de vista que solo la parte real es la que tiene
sentido físico.
Es fácil entender que en notación compleja el campo
eléctrico alterno puede expresarse como:
137
Capítulo 17 Propiedades eléctricas de los materiales. Bandas y conductores

∼ ∼
E (t ) = Re ⎡⎣E (t ) ⎤⎦ = Re ⎡⎣E 0 exp(iωt ) ⎤⎦ la denominada conductividad eléctrica compleja. Podemos
encontrar las partes real e imaginaria de esta conductividad
multiplicando y dividiendo por el complejo conjugado del
Recuerde que exp(iα ) = cos(α ) + i sen (α ) . denominador, de modo que:
De manera similar, podemos ensayar soluciones para
v(t ) de la forma: σ cc (1 − iωτ ) σ cc σ ωτ
σ∼ca = = − i cc
v(t ) = Re [∼v(t )] = Re [v∼0 exp(iωt )]
(1 + iωτ ) ⋅ (1 − iωτ ) 1 + ω 2τ 2 1 + ω 2τ 2

Reescribiendo la ecuación diferencial en notación com- Observe que cuando la frecuencia tiende a cero, la con-
pleja ductividad compleja se vuelve real, recuperándose el resul-
tado de Drude para corriente continua.
dv∼ m ∼ Ahora bien, ¿cómo debemos entender el hecho de que la
me = − e v∼ + eE conductividad sea un número complejo? ¿Es completamente
dt τ
superflua la parte imaginaria? Para responder a estas cuestio-
∼ nes vamos a expresar la conductividad compleja en notación
Y sustituyendo en ella las expresiones de E y v∼ , obtene- exponencial (polar), tal que:
mos la sencilla expresión siguiente
σ cc
m σ∼ca = exp (i atan(−ωτ ) )
∼
iω me v∼0 = − e v∼0 + eE0 1 + ω 2τ 2
τ

donde los factores exponenciales exp(iωt ) se han cancelado. donde hemos hecho∼uso de la propiedad 2 2
de los números com-
(Fíjese en la importante simplificación que hemos consegui- plejos según la cual z = a + ib = a + b exp (i atan(b a) ) . Para
abreviar, escribiremos ∼
σ ca = s ⋅ exp (iθ ) , y del mismo modo,
do: una ecuación diferencial se ha transformado en una sim- ∼
ple ecuación algebraica; a ello se debe nuestro interés por E = E exp( iφ ) , siendo tanto s como E números reales. Por
0 0m
∼ 0m
trabajar con números complejos.) Reagrupando términos: consiguiente, podemos decir que E = E 0m exp( iφ ) ⋅ exp( iωt ) = E 0m exp (i(φ + ω
∼ .
E = E 0m exp(iφ ) ⋅ exp(iωt ) = E 0m exp (i(φ + ωt ) )
∼ e ∼ eτ ∼ Con esta notación, la ley de Ohm extendida quedará
v0 = E0 = E0 como:
m 1 τ + iω
e ( m 1 + iωτ
) e ( )
∼ ∼
J = σ∼caE = s ⋅ exp(iθ ) ⋅E 0m exp (i(φ + ωt ) ) = s ⋅ E 0m ⋅ exp (i(φ + θ + ωt ) )
Como por otro lado, la densidad de corriente compleja, ∼ ∼
∼ ∼ J = σ∼caE = s ⋅ exp(iθ ) ⋅E 0m exp (i(φ + ωt ) ) = s ⋅ E 0m ⋅ exp (i(φ + θ + ωt ) )
J∼(t ) , puede definirse como J (t ) = J0 exp(iωt ) . Y extendiendo
la Expresión (17.9) al campo complejo, J∼ = env∼ , y de aquí
∼
que J∼0 = env∼0 , por lo que podemos escribir: Sí nos quedamos ahora con la parte real de J , que es la
única que tiene sentido físico, obtenemos
∼ e 2 nτ ∼ σ cc ∼ ∼
J0 = E0 = E0 J = Re ⎣⎡J ⎦⎤ = s ⋅ E0m ⋅ cos (φ + θ + ωt )
me (1 + iωτ ) (1 + iωτ )
De esta ecuación aprendemos que el valor de J po-
donde σ cc = e 2 nτ me es la conductividad del modelo de Dru- drá oscilar entre los valores − s ⋅ E 0m y + s ⋅ E0m , al variar el
de para corriente continua. De este modo, la ley de Ohm ex- tiempo. Pero nos da una información adicional: puesto que
tendida a complejos se expresará como: ∼
E = E 0m exp (i(φ + ωt ) ) , eso equivale a decir que la parte real
∼ ∼ ∼ ∼ del campo se expresa como E = E 0m cos (φ + ωt ) . La diferen-
J 0 exp(iωt ) = σ∼caE0 exp(iωt ) ⇒ J = σ∼ca E cia en el argumento del coseno es la clave: nos informa que J
está desfasada (retrasada) un ángulo q respecto de E. Esa es
la información adicional que nos aporta el carácter complejo
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siendo
de la conductividad.
σ cc
σ∼ca = Para calcular la potencia media disipada en forma de calor
(1 + iωτ ) por unidad de volumen debemos proceder con cautela, puesto

138
 La escala macroscópica de los materiales Bloque 3

que solo las partes reales pueden producir efecto Joule. Re-
Vα Vβ
cordando que PV = σ E 2 = J ⋅ E , ahora escribiremos: φα = y φβ =
Vtotal Vtotal
∼ ∼ ∼ ∼ .
PV = Re ⎡⎣J ⎤⎦ ⋅ Re ⎡⎣E ⎤⎦ = Re ⎡⎣σ∼E ⎤⎦ ⋅ Re ⎡⎣E ⎤⎦
siendo, naturalmente, φα + φβ = 1 .
Y para el cálculo de las partes reales, recurriremos a la
siguiente propiedad de los complejos: la parte real de un nú- La resistencia eléctrica de una barra de esta mezcla, de
mero complejo es igual a la mitad de la suma de dicho núme- sección transversal A y longitud L, será
ro y su complejo conjugado. Además, se ha de tener presente
que el conjugado de un producto es igual al producto de los ρL
conjugados. De este modo, Rbarra = (1)
A
∼ ∼
PV = Re ⎡⎣σ∼E ⎤⎦ ⋅ Re ⎡⎣E ⎤⎦ = 1
2 (σ∼E∼ + σ∼ E∼ ) ⋅ (E∼ + E∼ ) =
* * 1
2
*
Tal como se ilustra en la Figura 1, la barra puede con-
∼∼ ∼∼ ∼ ∼ ∼ ∼ siderarse imaginariamente dividida en un conjunto de N fi-
= 14 (σ∼EE + σ∼EE * + σ∼ E ⋅ E + σ∼ E E ) =
* * * * *

bras paralelas de longitud L y de pequeña sección transversal

= 14 (σ∼ E02m exp(2iω ) + σ∼E02m + σ∼ *E 02m + σ∼ *E 02m exp(−2iω ) ) = (A/N).
= 14 E02m (σ∼ exp(2iω ) + σ∼ + σ∼ * + σ∼ * exp(−2iω ) )

donde el superíndice * designa complejo conjugado.

Para calcular ahora el promedio temporal, debemos inte-
grar en un periodo T = 2π ω . En esas integrales, los factores
exp(±2iω ) se anulan, con lo cual:

σ cc
PV = 14 E 02m (σ∼ + σ∼ * ) = 12 E 02m Re [σ∼ ] = 12 E 02m σ∼ cos θ = 12 E 02m
1 + ω 2τ 2

de modo que solo la parte real de σ∼ contribuye a la potencia

media. Figura 1
Digamos, por último, que la resistividad compleja (inver-
sa de la conductividad) se expresará como: Cada fibra poseerá un cierto volumen de a en serie con
un cierto volumen de b. La longitud de fibra a será φα L y la
ρ∼ca = ρcc (1 + iωτ ) de fibra b, φ β L . La resistencia de estas dos contribuciones
estará dada por
Y la potencia media
ρα φα L ρ β φβ L
E02m R fibra = +
PV = AN AN
2 ρcc (1 + ω 2τ 2 )

Como la barra completa consta de N fibras en paralelo,

siendo ρ cc la resistividad del material medida con corriente
supuestamente iguales en cuanto a la cantidad de fase a y b
continua.

1 1 1 1 N A
= + + ⋅⋅⋅ + = =
Nota 17.8 Rbarra R1 R2 RN R fibra ( ραφα + ρβ φβ ) L

Resistividad de sistemas multifásicos

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de donde se obtiene, por comparación con la Expresión (1),

que
Consideremos primeramente una mezcla de dos fases, a y
b, uniformemente distribuidas. Sean fa y fb las fracciones
ρ = ρα φα + ρ β φβ
volumétricas de a y b, respectivamente. Esto es,

139
Capítulo 17 Propiedades eléctricas de los materiales. Bandas y conductores
En consecuencia, la resistividad eléctrica de un material
bifásico es una combinación lineal de las fracciones volumé-
tricas de ambas fases.
Es claro que el resultado anterior puede extenderse a sis-
temas de más de dos fases. Si n es el número de fases pre-
sentes, entonces:
n
ρ = ∑ ρiφi
i =1
siendo φi y ρi , respectivamente, la fracción volumétrica y la
resistividad de la fase i.
Adenda
Determinación de resistividades
eléctricas
Las resistividades eléctricas no pueden determinarse direc-
tamente; lo que se puede medir son resistencias eléctricas,
y a partir de ellas han de calcularse las resistividades. El
problema es que medir resistencias eléctricas no siempre es
una tarea simple. Existen dos métodos, que analizaremos a
continuación, ambos requieren el empleo de voltímetros y
amperímetros de precisión.
A. Método de dos puntas
Cuando las resistencias a medir tienen valores intermedios
(entre unas decenas de W y unos pocos de MW), el proble-
ma es relativamente sencillo y basta aplicar el denominado
método de dos puntas. Este consiste en situar la resistencia a
medir entre dos electrodos conectados a un circuito de me-
dida consistente en una fuente de tensión y un amperímetro
(esto es, un ohmímetro), como se representa en la Figura 1:
Figura 1
Como puede verse, al circuito de medida propiamente
dicho se han añadido las resistencias rA y rB de los cables que
140
necesariamente han de unir el instrumento con la muestra.
Dichas resistencias deben ser bien conocidas, y no pueden
ignorarse, salvo cuando R  rA + rB , porque entonces, la me-
dida que proporciona el ohmímetro ( R + rA + rB ) se aproxi-
mará al valor de R, que es el objetivo a medir. Si este fuera el
caso, conocida la lectura del amperímetro (I), y la tensión de
la fuente (V0), la resistencia se calcula como:
V0
R=
I
B. Método de cuatro puntas
El problema se complica cuando se desean medir resisten-
cias eléctricas muy pequeñas (del orden de mW o incluso
mW). En estos casos, será necesario tener en cuenta tanto las
resistencias de los cables como los habituales potenciales de
contacto que se establecen al poner en contacto dos metales
distintos. El método de las dos puntas se vuelve claramente
insuficiente.
Un método alternativo, ideado para solucionar este pro-
blema, se ilustra esquemáticamente en la Figura  2, y es el
recogido por las normas ASTM B193-02 y UNE 21 354. El
montaje hace uso de dos circuitos vinculados. Por uno de
ellos (el exterior, que lleva intercalado un amperímetro) se
hace circular una corriente eléctrica. Por el otro circuito (el
interior, al que se conecta un voltímetro de alta resistencia
interna), prácticamente no circula corriente y es el encargado
de la medida de la tensión.
Figura 2
Debido a la elevada resistencia interna del voltímetro
( rvoltímetro > 10 M Ω ), prácticamente toda la corriente circula
por el circuito exterior y no hay caída de tensión en rA y rB .
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Las fuentes de potencial ε A y ε B modelan los potenciales de
contacto. Las resistencias eléctricas de los cables del circuito
exterior, rC y rD , no tienen influencia alguna en la medida
de la tensión.
 La escala macroscópica de los materiales Bloque 3

La tensión medida por el voltímetro será:
ΔV+ = ε A + I ⋅ R − ε B (1)
El subíndice (+) indica que la corriente circula en el sen-
tido indicado en la Figura 2; el subíndice (–) indica que el
sentido de la corriente se ha invertido, invirtiendo la fuente,
pero sin alterar el resto del circuito. En este caso, la tensión
medida por el voltímetro sería:
ΔV− = ε A − I ⋅ R − ε B (2)
Restando las Expresiones (1) y (2), obtenemos:
ΔV+ − ΔV− = 2I ⋅ R
Por lo tanto, efectuando dos medidas con sentidos de
corriente invertidos, podemos eliminar simultáneamente el
efecto de las resistencias de los cables y el de los potenciales
de contacto. En esto reside la eficacia del método. Despejan-
do R, se obtiene finalmente:
Digamos, por último, que tanto en el método de dos pun-
tas como en el de cuatro, el montaje puede complicarse para
ganar en precisión. Este es el objetivo de diseños como el
denominado puente de Wheastone, o más complejos aún
como el puente Kelvin. Estos equipos suelen proporcionar
directamente el valor de la resistencia medida (por ello se
denominan ohmímetros), y no los valores de tensiones e in-
tensidad de corriente.
Resuelto el problema de las medidas de resistencias eléc-
tricas, abordemos ahora el segundo de los problemas: cómo
determinar a partir de la medida de resistencia el valor de la
resistividad eléctrica. La respuesta depende de la geometría,
por ello abordaremos tres casos.
C. Resistividad de una muestra unidimensional
Imaginemos una muestra cilíndrica de área transversal A,
cuya resistividad es ρ . La implementación del método de
cuatro puntas consiste en este caso en inyectar en un pun-
to de la muestra una corriente I, y extraer, por otro punto
a cierta distancia, dicha corriente, tal como se indica en la
Figura 4.

ΔV+ − ΔV−
R=
2I

En la Figura 3 se muestran dos instrumentos válidos para

la implementación del método de dos (multímetro digital,
Figura 3a), y cuatro (ohmímetro, Figura 3b) puntas. Figura 4

Supongamos que la caída de tensión entre dos electro-

(a)
dos, situados entre los puntos de inyección y extracción de
corriente y separados una distancia s, es ΔV . Por la defi-
nición de resistividad, dicha diferencia de potencial puede
expresarse como:

s
ΔV = I ⋅ ρ
A

De este modo, ΔV+ = I ρ s A sería la tensión medi-

da cuando la corriente se inyecta en un cierto sentido, y
(b) ΔV− = − I ρ s A la tensión cuando la corriente circula en sen-
tido contrario. Restando ambas expresiones, y despejando ρ
obtenemos:

A ΔV+ − ΔV−
ρ= ⋅
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s 2I

Esta expresión nos permite determinar el valor de ρ , con

Figura 3 la ventaja de que la medición no está afectada por los efectos

141
Capítulo 17 Propiedades eléctricas de los materiales. Bandas y conductores
de los potenciales de contacto o por la resistencia no nula de
los cables. Solo la distancia s entre los electrodos de medi-
ción y el área transversal A del alambre son relevantes.
Si el equipo de medida empleado proporcionara direc-
tamente el valor de la resistencia eléctrica (como es el caso
de los ohmímetros), entonces si R+ y R- fueran los valores
de resistencia medidos con ambos sentidos de corriente, la
resistividad de calcularía como
A R+ + R−
ρ= ⋅ inyección y los puntos de medición son a = s y b = 2s, de
s 2
expresión que se obtiene de la anterior, teniendo en cuenta
que R+ = ΔV+ I y R− = −ΔV− I .
D. Resistividad de una muestra bidimensional
(lámina)
Imaginemos una muestra plana de extensión infinita, cuyo
espesor es t y su resistividad es ρ . Supongamos que en un
punto de la muestra se inyecta una corriente I, como se indi-
ca en la Figura 5.
Figura 5
Por simetría podemos suponer que la corriente se distri-
buye uniformemente en todas las direcciones de la mues-
tra, extendiéndose hasta el infinito. Si dR es la resistencia
eléctrica del anillo de espesor dr, entonces se cumplirá que
dV = I ⋅ dR , siendo dV la diferencia de potencial que se esta-
blece entre sus bordes. Apelando a la definición de r, resulta:
dr
dR = ρ
(2π r )t
Por tanto, la diferencia de potencial entre dos puntos se-
parados una distancia dr, y a una distancia r del punto de
inyección, resulta ser:
ρ dr
dV = I
2π t r
142
A partir de la expresión anterior, la diferencia de poten-
cial entre dos puntos que están alineados con el punto de
inyección y a distancias a y b será:
ρ
ΔV1 = I ln (b a )
2π t
Adoptando una disposición conveniente, como la mos-
trada en la Figura 6, entonces las distancias entre el punto de
modo que entonces b a = 2 . (Nótese que los dos electrodos
exteriores son los que inyectan y extraen la corriente; los dos
interiores son los destinados a la medida de la tensión. La
distancia entre electrodos es única e igual a s, que es tal que
s  t , siendo t el espesor de la lámina.)
Figura 6
Supongamos, además, que por un segundo punto de la
muestra alejado del punto de inyección una distancia 3s,
como se ilustra en la Figura 6, se extrae la misma corriente I.
De igual modo, la diferencia de potencial debida a este elec-
trodo entre dos puntos alejados de él nuevamente distancias
a = s y b = 2s, vendrá ahora dada por
ρ
ΔV2 = − I ln ( b a )
2π t
Apelando ahora al principio de superposición, la diferen-
cia de potencial cuando los dos electrodos están presentes
será:
ρ ρ ρ
ΔV = ΔV1 − ΔV2 = I ln ( 2 ) + I ln ( 2 ) = I ln ( 2 )
2π t 2π t πt
Por lo tanto, en una geometría plana y con electrodos
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equidistantes y separados una distancia s  t , la resistividad
de la muestra puede determinarse por medio de la expresión:
 La escala macroscópica de los materiales Bloque 3

⎛ π t ⎞⎛ ΔV ⎞
ρ =⎜ ⎟⎜ ⎟
⎝ ln 2 ⎠⎝ I ⎠

Nótese que la distancia s no interviene en el cálculo de ρ ,

aunque debe cumplirse que s  t para que valga la supo-
sición de geometría plana. Otra condición implícita en este
método es que las dimensiones de la paca plana, d1 × d 2 ,
deben ser mucho mayores que la distancia entre los elec-
trodos. Si esto no se cumple, debe usarse un coeficiente de
corrección por dimensión finita, que complica la expresión
anterior.
Para evitar el efecto de la conductividad finita de los ca- Figura 7
bles de conexión y de los potenciales de contacto, tal como
se procedió en el caso anterior, habrá que efectuar dos me- La resistencia eléctrica de una cáscara semiesférica de
didas con sentidos de corriente invertidos. En este caso, la radio r y espesor dr, se calcula como
expresión final resulta ser:
dr
dR = ρ
⎛ π t ⎞ ⎛ ΔV+ − ΔV− ⎞ 2π r 2
ρ =⎜ ⎟⎜ ⎟
⎝ ln 2 ⎠ ⎝ 2I ⎠
de aquí que la diferencia de potencial entre dos puntos adya-
centes y separados una distancia infinitesimal dr será:
Si el equipo de medida empleado proporcionara direc-
tamente el valor de la resistencia eléctrica, entonces igual-
mente se efectuarían dos medidas, con sentidos de corrientes ρ dr
dV = I ⋅ ⋅
invertidos. Los valores de resistencia obtenidos, R+ y R-, se 2π r 2
sustituirían en una expresión similar a la anterior, esto es,
Supondremos ahora una disposición de electrodos simi-
lar a la utilizada en el caso anterior, y que se representa en la
⎛ π t ⎞ ⎛ R+ + R− ⎞
ρ =⎜ ⎟⎜ ⎟ Figura 8. (Nótese que los dos exteriores son los que inyectan
⎝ ln 2 ⎠ ⎝ 2 ⎠ y extraen la corriente; los dos interiores son los destinados
a la medida de la tensión. La distancia entre electrodos es
única e igual a s.)
(Recuérdese que R+ = ΔV+ I y R− = −ΔV− I ).

E. R
 esistividad de una muestra
tridimensional (bloque)
El método de las cuatro puntas también puede usarse para
estimar la resistividad de una muestra tridimensional sufi-
cientemente grande. Este es el caso en que las dimensiones
de la muestra son mucho mayores que la distancia de separa-
ción entre los electrodos. Un ejemplo sería la medición de la
conductividad de un bloque de metal.
Suponiendo que en un punto de la superficie del bloque
se inyecta una corriente I, podemos suponer que esta se ex-
tiende por todo el bloque a través de una esfera expansiva
(Figura 7). Figura 8
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143
Capítulo 17 Propiedades eléctricas de los materiales. Bandas y conductores

La diferencia de potencial entre dos puntos situados res- y de aquí que

pecto al punto de inyección a distancias a=s y b=2s, respec-
tivamente, será igual a: ρ = 2π s ( ΔV I )

ρ ⎛1 1⎞ ρ 1 Y empleando, como antes, un proceso de doble medida

ΔV1 = I ⋅ ⋅⎜ − ⎟ = I ⋅ ⋅
2π ⎝ a b ⎠ 4π s con sentido de corriente invertido:

Un razonamiento similar nos llevaría a la expresión ho- ⎛ ΔV+ − ΔV− ⎞

ρ = 2π s ⎜ ⎟
móloga pero referida al electrodo de extracción: ⎝ 2I ⎠

ρ 1 que en función de las resistencias, R+ y R-, quedaría como:

ΔV1 = − I ⋅ ⋅
4π s
⎛ R+ + R− ⎞
ρ = 2π s ⎜ ⎟
Apelando ahora al principio de superposición, en la dis- ⎝ 2 ⎠
posición real con los dos electrodos la diferencia de poten-
cial entre los dos puntos interiores será:

ρ 1
ΔV = ΔV1 − ΔV2 = I ⋅ ⋅
2π s

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144
 18
CAPÍTULO

Propiedades eléctricas
de los materiales
Semiconductores

RECURSOS DIGITALES

Nota 18.1. O btención de un monocristal

de silicio
Nota 18.2. Impurezas intencionadas
Nota 18.3. E stadística de portadores
Nota 18.4. G rado de ionización de
impurezas
Nota 18.5. L a relación de Einstein

Adenda: Tecnología de fabricación

de un dispositivo
semiconductor
Capítulo 18 Propiedades eléctricas de los materiales. Semiconductores

Nota 18.1 do de extracción de Czochralski, y se consigue mediante el

dispositivo representado en la Figura 2.
Obtención de un monocristal de silicio
Debido al amplio uso del Si como material de base para la
fabricación de la gran mayoría de los actuales dispositivos
electrónicos, resulta interesante conocer el origen del Si
monocristalino. Aunque el Si es el segundo elemento en
abundancia en la corteza terrestre, y aparece en numerosos
compuestos, sobre todo en la sílice (SiO2 impuro) y en los si-
licatos (Si + O + otros elementos), nunca se encuentra como
elemento puro en la naturaleza.
El paso inicial en la producción de silicio de calidad ade-
cuada para los dispositivos debe implicar la separación del
Si partiendo de sus compuestos, y la posterior purificación
del material obtenido. Los ingeniosos procesos de separa-
ción y purificación que se han desarrollado están resumidos
en la Figura 1:

Figura 1
Se comienza por producir silicio de baja pureza, calen-
tando en un horno eléctrico sílice y carbón. El carbono esen-
cialmente extrae el oxígeno del SiO2 impuro (es decir, reduce
el SiO2), dejando Si impuro. El siguiente paso consiste en
clorar este Si impuro para obtener SiCl4 o SiHCl3, ambos
en estado líquido a temperatura ambiente. Aunque a primera
vista parezca extraño, el proceso de licuefacción constituye
una operación muy ingeniosa. Mientras que los sólidos son
de muy difícil purificación, para purificar líquidos se dispo-
ne de una gran cantidad de procedimientos estándares. Tras
múltiples destilaciones y otros métodos de purificación de
líquidos, se llega a un SiCl4 (o un SiHCl3) ultrapuro. Por úl-
timo, al reducir químicamente el haluro de alta pureza, se lo-
gra el silicio elemental ultrapuro deseado (con un coeficiente
de impurezas inferior a 10–11). Esto se consigue, por ejemplo,
calentando SiCl4 en una atmósfera de hidrógeno:
SiCl4 +2H2 → 4HCl + Si
Figura 2
En este proceso, se coloca el silicio policristalino ultra-
puro en un crisol de sílice y se calienta en una atmósfera
inerte para formar una colada. Luego se fija un pequeño cris-
tal individual, o cristal «semilla», de Si en el extremo de una
varilla metálica, con la cara normal a la base cuidadosamente
alineada a lo largo de una dirección predeterminada (típi-
camente una dirección 111 o 100 ), y se sumerge en la
colada. Una vez alcanzado el equilibrio térmico se reduce la
temperatura de la masa en la vecindad del cristal semilla, con
lo que el silicio de la colada comienza a solidificarse sobre
esa semilla, y el material que se va añadiendo lo hace como
una extensión estructuralmente perfecta del cristal semilla.
Después se gira lentamente el cristal semilla y se va separan-
do de la colada; esto permite que cada vez mayor cantidad de
silicio se solidifique en la parte inferior del cristal que se va
formando. Se obtienen así bloques cilíndricos de monocris-
tales de silicio llamados lingotes.

Aunque el silicio obtenido en el proceso de separación El máximo ritmo de crecimiento del cristal estará con-
y purificación que acabamos de describir es ultrapuro, no trolado por el ritmo de pérdida de calor, P0 (en vatios) que
constituye un monocristal, sino que está en un estado poli- fluye desde la superficie del monocristal al silicio fundido.
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cristalino. Por lo tanto, se requiere un procesamiento adicio- Esta pérdida de calor será compensada con el calor latente
nal para formar los grandes monocristales que se utilizan en de cristalización, ΔH S . Si un disco de espesor x y área trans-
la fabricación de los dispositivos. El método habitual para versal A cristaliza en un tiempo dt, entonces el balance de
obtener grandes monocristales de Si es el denominado méto- energía exige que:

146
 La escala macroscópica de los materiales
P0 dt = ΔH S δ Adx
siendo d la densidad del silicio sólido. De este modo, el rit-
mo máximo de extracción del monocristal vendrá dado por:
dx P0
=
dt ΔH S δ A
lo que demuestra que el área transversal del lingote de mo-
nocristal (es decir, su diámetro) puede controlarse por medio
del ritmo de extracción. Típicamente, los ritmos de creci-
miento varían entre 10-4 y 10-2 mm·s-1.
El cilindro de silicio monocristalino se corta con una sie-
rra de diamante para obtener obleas o láminas cilíndricas que
después de pulidas, tienen un espesor de 0.1 a 0.2 mm. Para
separar los circuitos individuales, la oblea se divide en pe-
queños chips, por un proceso parecido al cortado del vidrio.
Estas plaquitas o chips semiconductores constituyen el mate-
rial de partida de los circuitos integrados (Figura 3).
Figura 3
Si lo que se desea producir son películas de silicio amor-
fo, el proceso de purificación es el mismo, pero no es nece-
sario crecerlo mediante ningún método. Si lo que se necesita
es una capa muy fina (entre 20-30 mm de grosor), basta con
depositar el silicio purificado mediante un gas reactivo, ha-
bitualmente el SiH4 (tetrahidruro de silicio), sobre un soporte
de vidrio o una lámina flexible de PVC. Se pueden recubrir
así superficies extensas de hasta varios metros cuadrados
válidas para muy diferentes productos, especialmente, pa-
neles solares para conversión fotovoltaica. Aunque resultan
más económicas que las mono o policristalinas. el princi-
pal inconveniente de estas películas de silicio hidrogenado
©  Ediciones Paraninfo
(como también se las conoce) es que se degradan con mu-
cha facilidad. La degradación que sufren, denominada efecto
Staebler-Wronski, es responsable de la merma de hasta un
20 % de la eficiencia inicial durante las primeras horas de su
Bloque 3
exposición a la luz natural. Esta rápida degradación se pue-
de revertir mediante un calentamiento, en ausencia de luz, a
150 ºC.
Nota 18.2
Impurezas intencionadas
Cantidades extremadamente pequeñas de átomos de impu-
reza pueden tener un efecto decisivo en las propiedades de
los semiconductores. Por esta razón, la pureza constitutiva
de los semiconductores debe ser controlada con mucho cui-
dado. Se sobreentiende que la pureza citada se refiere a las
impurezas no intencionadas.
Sin embargo, para alterar las propiedades eléctricas del
material semiconductor se le agregan deliberadamente áto-
mos de impurezas, denominados dopantes, en proporciones
tales como, por ejemplo, de un átomo de impureza por cada
108 átomos de anfitrión. Este proceso de incorporación de
átomos de impurezas, denominado dopado, se realiza habi-
tualmente por difusión a alta temperatura, pero también por
medio de técnicas más sofisticadas como la implantación
iónica.
En la técnica de dopado por difusión, la región del se-
miconductor que va a ser dopada se expone a una atmósfera
que contiene vapor del átomo dopante. Como la temperatura
es suficientemente alta, los átomos penetran en el material
mediante difusión. Eligiendo conveniente la temperatura y el
tiempo, se controla la profundidad a la que llegan los átomos
de impurezas.
Si una superficie cristalina se expone a una atmósfera do-
pante, se cumplirá (recuerde la Adenda del Capítulo 7):
⎡ ⎛ x ⎞⎤
C ( x, t ) = CS ⎢1 − ζ ⎜ ⎟⎥
⎣ ⎝ 2 Dt ⎠⎦
donde C representa la concentración de átomos dopantes (en
número/m3), CS es la concentración en la superficie (en nú-
mero/m3), D es la difusividad, parámetro que depende de la
temperatura, de la naturaleza del sustrato y del tipo de do-
pante (m2/s), t es el tiempo de exposición (s), x es la distan-
cia, medida desde la superficie (m), y z es la función error.
El perfil de concentración aproximado aparece representado
en la Figura 1 para un instante dado.
En la técnica de implantación iónica, los átomos dopantes
son ionizados para que de esta forma puedan ser acelerados en
un campo eléctrico. Cuando han alcanzado gran velocidad son
dirigidos hacia la zona a dopar, donde recorren cierta distancia
hasta que la pérdida de energía provocada por las colisiones
con los átomos del sustrato los acaba deteniendo. Debido a su
147
Capítulo 18 Propiedades eléctricas de los materiales. Semiconductores

Nota 18.3
Estadística de portadores

A. La función de ocupación
Como se vio en el capítulo anterior, la función de Fermi-
Dirac, f ( E ) , especifica, en condiciones de equilibrio, la
probabilidad de que un estado permitido de energía E esté
ocupado por un electrón. Ya vimos que su expresión venía
dada por
Figura 1 −1
⎡ ⎛ E − EF ⎞⎤
f ( E ) = ⎢1 + exp ⎜ ⎟⎥
alta energía cinética tienen gran poder de penetración. Varian- ⎣ ⎝ k BT ⎠⎦
do esta energía cinética inicial, puede controlarse la profundi-
dad que alcanzarán las impurezas. El proceso debe realizarse Lógicamente, la probabilidad de que un estado no esté
también a alta temperatura para que se puedan restituir los ocupado se calculará como 1 − f ( E ) .
«destrozos» que provoca el bombardeo. La expresión matemática de la función de Fermi-Dirac
Las ventajas de la implantación iónica son su preciso resulta demasiado compleja a la hora de efectuar cálculos
control de impurezas y la relativamente baja temperatura integrales. Por ello, nos interesaría conocer bajo qué con-
requerida. La implantación iónica se rige por la siguiente diciones podría simplificarse. Analizaremos dos situaciones
ecuación: (Figura 1):
(a) Si E ≥ EF + 3kBT , la exponencial tomará valores
ϕ ⎡ ⎛ x − R ⎞2 ⎤ mucho mayores que 1, por lo que
p
C ( x) = exp ⎢ − ⎜ ⎟ ⎥
2π (ΔRp ) ⎢ ⎝ 2(ΔRp ) ⎠ ⎥
⎣ ⎦ −1
⎡ ⎛ E − EF ⎞ ⎤ ⎛ EF − E ⎞
f ( E ) = ⎢ 1 + exp ⎜ ⎟ ⎥ ≈ exp ⎜ ⎟ (1)
donde C es la concentración de átomos dopantes (número/m3), ⎣ ⎝ k BT ⎠ ⎦ ⎝ k BT ⎠
ϕ es la dosis de bombardeo (número/m2), DRp es la desvia-
ción estándar del perfil de impurezas (m), Rp es la posición (b) Si E ≤ EF − 3kBT , la exponencial toma valores mu-
del dopado máximo (m), y x es la distancia, medida desde la cho menores que 1. Teniendo en cuenta, además, que
superficie (m). (1 + x)−1 ≈ 1 − x si x  1, entonces podremos aproximar:
Conviene notar que tanto DRp como Rp son funciones del
voltaje de aceleración, del tipo de ion que se implanta y de −1
⎡ ⎛ E − EF ⎞ ⎤ ⎛ E − EF ⎞
la orientación cristalina del sustrato. El perfil obtenido me- f ( E ) = ⎢1 + exp ⎜ ⎟ ⎥ ≈ 1 − exp ⎜ ⎟ (2)
diante esta técnica en un instante arbitrario se muestra en la ⎣ ⎝ k BT ⎠ ⎦ ⎝ k BT ⎠
Figura 2.

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Figura 2 Figura 1

148
 La escala macroscópica de los materiales Bloque 3

Utilizaremos estas dos aproximaciones más adelante; por (Es esta simetría la que hace especialmente ventajosa la in-
ahora, los límites en las que han sido obtenidas nos servirán troducción del concepto de hueco.)
de base para una definición (Figura 2): un semiconductor se
dice «no degenerado» cuando su nivel de Fermi, EF, es tal que

EV + 3kBT ≤ EF ≤ EC − 3kBT

fuera de este rango se dice «degenerado» (en el mismo sen-

tido que lo era el gas de electrones de un conductor). Simpli-
ficadamente, un semiconductor degenerado lo es porque está
fuertemente dopado.

Figura 3

C. Concentración de portadores
Nuestro objetivo ahora es deducir expresiones que permi-
tan conocer las concentraciones de los portadores. Dado que
DC ( E )dE representa el número de estados de energía entre E
y E + dE en la BC, el producto f ( E )DC ( E )dE representará el
número de electrones entre E y E + dE . Por lo tanto, la con-
centración de electrones en la BC completa vendrá dada por

1⌠∞
n= ⎮ f ( E ) DC ( E )dE
V ⌡EC

Figura 2 Un razonamiento similar, pero considerando ahora

DV ( E ) y la probabilidad de ocupación de un hueco como
Se entiende que para un semiconductor tipo n (que tendrá la probabilidad de no ocupación por un electrón, conduce a:
el EF por encima de la mitad del intervalo prohibido) que es E
no degenerado, será válida la aproximación (1). Del mismo 1 ⌠⎮ V
p= DV ( E ) [1 − f ( E ) ] dE
modo, para un semiconductor tipo p (que tendrá el EF por V ⎮⌡−∞
debajo de la mitad del intervalo prohibido) que es no dege-
nerado, será válida la aproximación (2). Sustituyendo ahora la expresión de DC ( E ) , y la aproxi-
mación (1) de la función f(E), obtenemos, por un lado:
B. Las densidades de estado ∞
* 32 ⌠
Basándonos en las expresiones que se obtuvieron en la Nota n = 8 2 π (me3) ⎮ ( E − EC ) 2 exp ⎛⎜ EF − E ⎞⎟ dE =
1

17.4, podemos decir que la densidad de estados de la BC, h ⎮ ⎝ k BT ⎠

⌡EC
DC ( E ) , se calculará como: ∞
3 ⌠
* 3 (m* ) 2 ⎛ E − EC ⎞⎮ 1 ⎛ E − EC ⎞
V (m ) 2 1 = 8 2 π e3 exp ⎜ F ⎟ ( E − EC ) 2 exp ⎜ − ⎟ d ( E − EC )
DC ( E ) = 8 2 π 3
e
( E − EC ) 2
E ≥ EC h ⎝ k BT ⎠ ⎮ ⎝ k BT ⎠
h ⌡0

(Nótese que además de cambiar el origen de energías, hemos Y por otro lado, sustituyendo la expresión de DV ( E ) y
introducido el concepto de masa efectiva.) teniendo en cuenta la aproximación (2), se obtiene
La situación es completamente simétrica para los huecos E V
de la BV (Figura 3), de modo que la densidad de estados de ⌠
(mh* ) ⎮
3
2
⎛ E − EF ⎞ 1
p = 8 2π ( EV − E ) exp ⎜ ⎟ dE =
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la BV, D V ( E ) , se calculará como:

2

h3 ⎮ ⎝ k BT ⎠
⌡−∞
3 0
*
V (m ) 2 1 3 ⌠
DV ( E ) = 8 2 π h
( EV − E ) 2
E ≤ EV (m* ) 2 ⎛ E − EF ⎞ ⎮ 1 ⎛ E − EV ⎞
3
h = 8 2 π h3 exp ⎜ V ⎟ ( EV − E ) 2 exp ⎜ ⎟ d ( E − EV )
h ⎝ k BT ⎠ ⎮ ⎝ k BT ⎠
⌡−∞

149
 Capítulo 18 Propiedades eléctricas de los materiales. Semiconductores

Realizando ahora unos cambios de variables oportunos: válida tanto para semiconductores intrínsecos como extrín-
x = ( E − EC ) (kBT ) para el cálculo de n, y x = ( E − EV ) (kBT ) secos. El valor de ni puede calcularse a partir de la expresión
para el cálculo de p, las integrales anteriores resultan ser de anterior considerando el caso intrínseco
la forma:
3 3
* * 4
E ⎞
⎛ ⎛ 2π kB me ⎞ 2 ⎛ me mh ⎞ 32
∞ 0 ni = NC ⋅ NV ⋅ exp ⎜ − IP ⎟ = 2 ⎜ 2
⎟ ⎜ ⋅ ⎟ T ⋅e
⌠
⎮
⌠
x exp(− x)dx = ⎮ − x exp( x)dx = π 2 ⎝ 2k B T ⎠ ⎝ h ⎠ ⎝ me me ⎠
⌡0 ⌡−∞
3 3
* * 4
⎛ E ⎞ ⎛ 2π kB me ⎞ 2 ⎛ me mh ⎞ 32 ⎛ E ⎞
ni = NC ⋅ NV ⋅ exp ⎜ − IP ⎟ = 2 ⎜ ⎟ ⎜ ⋅ ⎟ T ⋅ exp ⎜ − IP ⎟
Con ello, se llega a que: ⎝ 2 k T
B ⎠ ⎝ h 2
m
⎠ ⎝ e e⎠ m ⎝ 2k BT ⎠

⎛ E − EC ⎞ de donde se obtiene la Expresión (18.4).

n = NC exp ⎜ F ⎟ (3a)
⎝ k BT ⎠
E. Posición del nivel de Fermi
La forma de estas ecuaciones puede simplificarse de forma
⎛ E − EF ⎞ considerable. Consideremos un semiconductor intrínseco;
p = NV exp ⎜ V ⎟ (3b)
⎝ k BT ⎠ sabemos entonces que n = p = ni y EF = Ei . Imponiendo
estas condiciones a las Expresiones (3a) y (3b), obtenemos:

donde
⎛ E − EC ⎞
ni = NC exp ⎜ i ⎟
3
⎝ k BT ⎠
⎛ 2π me*k BT ⎞ 2

NC = 2 ⎜ ⎟ (3c)
⎝ h2 ⎠
⎛ E − Ei ⎞
ni = NV exp ⎜ V ⎟
⎝ k BT ⎠
3

⎛ 2π mh* k BT ⎞ 2
NV = 2 ⎜ ⎟ (3d)
⎝ h2 ⎠ Despejando NC y NV

⎛ E − Ei ⎞
NC = ni exp ⎜ C ⎟ (4a)
D. Ley de acción de masas ⎝ k BT ⎠
Multiplicando las Expresiones (3a) y (3b), obtenemos:
⎛ E − EV ⎞
⎛ E − EC ⎞ ⎛ EV − EF ⎞ ⎛ EV − EC ⎞ NV = ni exp ⎜ i ⎟ (4b)
n ⋅ p = NC NV ⋅ exp ⎜ F ⎟ ⋅ exp ⎜ ⎟ = NC ⋅ NV ⋅ exp ⎜ ⎟ ⎝ k BT ⎠
⎝ k BT ⎠ ⎝ kBT ⎠ ⎝ k BT ⎠

⎛ E − EC ⎞ ⎛ EV − EF ⎞ ⎛ EV − EC ⎞ Y sustituyendo, de nuevo, estas expresiones en las Ex-

p⎜ F ⎟ ⋅ exp ⎜ ⎟ = NC ⋅ NV ⋅ exp ⎜ ⎟ presiones (3a) y (3b), se obtiene finalmente que:
⎝ k B T ⎠ ⎝ B k T ⎠ ⎝ k BT ⎠

⎛ E − Ei ⎞
La diferencia EV − EC = − ( EC − EV ) = − EIP , por tanto, la n = ni exp ⎜ F ⎟ (5a)
expresión anterior puede escribirse como: ⎝ k BT ⎠

⎛ E ⎞ ⎛ E − EF ⎞
n ⋅ p = NC ⋅ NV ⋅ exp ⎜ − IP ⎟ p = ni exp ⎜ i ⎟ (5b)
⎝ k BT ⎠ ⎝ k BT ⎠
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Así pues, vemos que el producto n·p no depende de la donde Ei representa el nivel de Fermi intrínseco y EF el ni-
posición del nivel de Fermi (que es lo que puede variar por vel de Fermi extrínseco. Estas ecuaciones son válidas para
efecto del dopado); solo depende del valor de EIP y de la tem- cualquier semiconductor no degenerado, en condiciones de
peratura. La expresión anterior, por tanto, es absolutamente equilibrio.

150
 La escala macroscópica de los materiales Bloque 3

Despejando EF de las Expresiones (5a) y (5b) se obtiene Esta expresión se diferencia de la función de Fermi-Di-
rac por el factor ½ que figura en el denominador. Este factor
EF = Ei + kBT ln ( n ni ) (6a) obedece al hecho de que los niveles de energía que intro-
ducen las impurezas en el intervalo prohibido solo pueden
albergar un electrón y no dos, como los niveles de las BV
EF = Ei − kBT ln ( p ni ) (6b) y BC.
A partir de la expresión anterior, podemos conocer la
que nos da la posición del nivel de Fermi para un semicon- probabilidad de que una impureza esté ionizada, P, pues ló-
ductor sea del tipo que sea (extrínseco o intrínseco), en fun- gicamente P = 1 − P ' . De este modo,
ción del nivel de Fermi intrínseco.
Nos faltaría, por último, encontrar una expresión que 1 1
P =1− =
nos dé la dependencia térmica del nivel de Fermi intrínseco. ⎛ E − EF ⎞ ⎛ EF − Ed ⎞
Igualando las dos expresiones obtenidas de NV, Expresiones 1 + 12 exp ⎜ d ⎟ 1 + 2exp ⎜ ⎟
⎝ k BT ⎠ ⎝ k BT ⎠
(3d) y (4b), se obtiene:
3 3 3

⎛ 2π mh* kB ⎞ 2 32 * * 4
⎛ 2π kB me ⎞ 2 ⎛ me mh ⎞ 32De este ⎛ Ei − EV ⎞
⎛ EIP ⎞ la concentración
2⎜ ⎟ T = 2⎜ ⎟ ⎜ ⋅ ⎟ T ⋅ exp ⎜ − modo, ⎟ exp ⎜ ⎟
de impurezas donantes
⎝ h
2
⎠ ⎝ h
2
⎠ ⎝ me me ⎠ ionizadas se calculará
⎝ 2k BT ⎠ como:
⎝ k BT ⎠

Nd
3 3 3

⎛ 2π mh* kB ⎞ 2 32 * * 4
⎛ 2π kB me ⎞ 2 ⎛ me mh ⎞ 32 ⎛ E ⎞ ⎛ E − EV ⎞ N d+ = N d ⋅ P =
⎜ 2 ⎟ T = 2⎜ 2
⎟ ⎜ ⋅ ⎟ T ⋅ exp ⎜ − IP ⎟ exp ⎜ i ⎟ ⎛ E − Ed ⎞
⎝ h ⎠ ⎝ h m
⎠ ⎝ e e⎠ m ⎝ 2 k T
B ⎠ ⎝ k BT ⎠ 1 + 2exp ⎜ F ⎟
⎝ k BT ⎠
que se simplifica a:
que coincide con la Expresión (18.5a).
3

⎛ E − EV − 12 EIP ⎞ ⎛ mh* ⎞ 4 Si las impurezas son aceptoras debemos razonar de modo

exp ⎜ i ⎟=⎜ * ⎟
k BT similar. La probabilidad de que una impureza esté ionizada
⎝ ⎠ ⎝ me ⎠
coincide ahora con la probabilidad de que el estado Ea (ini-
cialmente vacío) esté ocupado. Si llamamos P a esta proba-
y que puede reescribirse como: bilidad, entonces:

1 3 ⎛ m* ⎞ 1
Ei = EV + EIP + kBT ln ⎜ h* ⎟ P=
⎛ E − EF ⎞
2 4 ⎝ me ⎠ 1 + 2exp ⎜ a ⎟
⎝ k BT ⎠

De nuevo, esta expresión coincidiría con la función de

Nota 18.4
Grado de ionización de impurezas
Supongamos primeramente un semiconductor dopado con
impurezas donantes. La probabilidad de que una impureza
donante no esté ionizada, Pʹ , es equivalente a la probabi-
lidad de que un estado de la BC no esté ocupado por un
electrón que procede de un nivel de impureza donante. Em-
pleando la expresión de la función de Fermi-Dirac, evaluada
para la energía Ed obtenemos que
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Fermi-Dirac evaluada para la energía Ea de no ser por el fac-
tor 2 que aparece en el denominador. Este factor se debe a
una sutileza que los físicos llaman degeneración del espín
y que, simplificadamente se traduce en que el estado vacío
puede ser ocupado de dos modos: por un electrón con espín
hacia arriba o por un electrón con espín hacia abajo. Conoci-
da esta probabilidad, la concentración de impurezas acepto-
ras ionizadas se calcularía como:
Na
N a− = N a ⋅ P =
⎛ E − EF ⎞
1 + 2exp ⎜ a ⎟
⎝ k BT ⎠

1
P' =
⎛ E − EF ⎞
1 + 12 exp ⎜ d ⎟ Sucede, además, que para muchos semiconductores tí-
⎝ k BT ⎠
picos (Si, Ge y GaAs, entre otros) la BV es el resultado del

151
Capítulo 18 Propiedades eléctricas de los materiales. Semiconductores

solapamiento de dos bandas, por lo que realmente existe una

⎛ μ ⎞ ⎛ μ ΔE ⎞
mayor densidad de niveles (el doble, podemos suponer). Te- n ∝ exp ⎜ − e ΔV ⎟ ∝ exp ⎜ − e ⎟ (1)
niendo esto en cuenta: ⎝ De ⎠ ⎝ De e ⎠

Na donde ΔV = ΔE e es la energía correspondiente a la dife-

N a− = N a ⋅ P =
⎛ E − EF ⎞ rencia de ΔV , siendo e la carga del electrón. Comparando
1 + 4exp ⎜ a ⎟ la Expresión (1) con la expresión de Maxwell-Boltzmann:
⎝ k BT ⎠
⎛ ΔE ⎞
expresión que coincide con la Expresión (18.5b). n ∝ exp ⎜ − ⎟
⎝ kBT ⎠

resulta que
Nota 18.5 μe 1
=
eDe k BT
La relación de Einstein
de donde
Como demuestran las Expresiones (18.20), en los semicon-
ductores es posible que estén simultáneamente presentes los k BT De
mecanismos de arrastre y de difusión de portadores. Particu- =
e μe
larizando dichas expresiones para el caso de una sola dimen-
sión resulta:

J e = eμe nE0 + eDe

dn Adenda
dx
Tecnología de fabricación
dp
de un dispositivo semiconductor
J h = eμh pE0 + eDh
dx La tecnología de los circuitos integrados comprende el con-
junto de reglas, normas, requisitos, materiales y procesos
Es de esperar que las constantes que caracterizan las co- que, aplicados en una secuencia determinada, permiten obte-
rrientes de arrastre ( μe ) y de difusión ( De ) guarden algún ner como producto final un circuito integrado. Esta tecnolo-
tipo de relación. Esto se debe a que ambos mecanismos pro- gía es muy compleja y supone conocer, entre otros aspectos:
ceden del efecto de las colisiones de los portadores con los
mismos defectos de la red cristalina. A. Purificación de un monocristal
En condiciones de equilibrio térmico, Je = 0 , con lo que: El silicio (vea la Figura 1) es un elemento muy abundante
en la corteza terrestre. Desgraciadamente casi no se encuen-
dn μe dn μ tra en estado puro, sino formando compuestos (silicatos). La
+ nE 0 = 0 ⇒ = − e E 0 dx sílice (arena) es la principal fuente de la que se obtiene el
dx De n De
silicio. El proceso no es sencillo y no solo hay que liberarlo
del oxígeno, hay que purificarlo hasta nivel de ultrapureza y
cuya solución es de la forma: fundirlo para solidificarlo en forma amorfa o monocristalina.
(La Nota 18.1 da cuenta de todo este proceso.)
⎛ μ ⎞
n ∝ exp ⎜ − e ⌠
⎮ E 0 dx ⎟
⎝ De ⌡ ⎠

Como ⌠ E0 dx = ΔV , es decir, la diferencia de potencial

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⌡
electrostático, se tiene que

Figura 1

152
 La escala macroscópica de los materiales
B. Epitaxia
La epitaxia o crecimiento epitaxial es un proceso que consis-
te en hacer crecer un cristal semiconductor sobre otro cristal
semiconductor que actúa de soporte, obteniendo un cristal
único que asegura la continuidad de la red cristalina.
Para que este procedimiento resulte posible, es necesa-
rio: (1) que las redes cristalinas de ambos materiales sean
del mismo tipo, por ejemplo, cristales cúbicos, y (2) que los
parámetros cristalinos o distancias entre dos átomos conse-
cutivos, sean parecidos.
Estas condiciones son geométricas, pero no materiales. Es
decir, la epitaxia puede aplicarse a cristales semiconductores
de materiales distintos (por ejemplo, silicio y arsénico), siem-
pre que se cumplan las condiciones citadas anteriormente.
Esta técnica es naturalmente la base de la fabricación de las
heteroestructuras semiconductoras. Pero en el caso del silicio,
que es el material más utilizado en los circuitos integrados,
la epitaxia consiste, esencialmente, en depositar una lámina
de silicio monocristalino, sobre otra lámina también de silicio
monocristalino, siguiendo la estructura cristalina que sirve de
sustrato a esta capa. Se podría pensar que esta operación no
tiene interés y que solamente puede servir para aumentar el
espesor de la lámina de silicio. Pero realmente es interesante
ya que, por lo general, la epitaxia se emplea para depositar
sobre la superficie de silicio otro tipo de silicio. Por ejemplo,
puede depositarse silicio n sobre un sustrato p o, en otros ca-
sos, silicio n– (poco dopado), sobre silicio n+ (muy dopado).
La primera de estas epitaxias se utiliza, sobre todo, para la
fabricación de circuitos integrados con transistores bipolares.
Actualmente se emplean preferentemente tres modalidades:
1. Epitaxia en fase vapor, VPE (vapor phase epitaxy).
El material a depositar se transporta en forma de va-
por desde el soporte de material al sustrato.
2. Epitaxia en fase líquida, LPE (liquid phase epita-
xy). Una solución saturada del material que se desea
crecer se pone en contacto con un sustrato monocris-
talino de dicho material y se enfría lentamente.
3. Epitaxia por haces moleculares, MBE, (molecular
beam epitaxy) consiste en el crecimiento epitaxial
de películas semiconductoras por reacción de haces
moleculares de los elementos constituyentes con la
superficie de un sustrato cristalino, a una temperatura
adecuada y en una cámara de ultra vacío. Las ele-
vadas exigencias tecnológicas de este procedimiento
(técnica de ultra alto vacío, equipo de control nece-
sario, etc.) no permitió el desarrollo de este procedi-
miento hasta la década de 1970.
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C. Oxidación
El silicio, principal componente de los circuitos integrados,
es un elemento de gran actividad química cuando se calien-
Bloque 3
ta. Por consiguiente, si una superficie de silicio, calentada a
unos 1 200 ºC, se expone a una pequeña cantidad de vapor
de agua, el oxígeno que esta contiene reacciona con el silicio
puro, formándose una película de dióxido de silicio SiO2 (sí-
lice). Esta película protege eficazmente al silicio contra los
efectos de la atmósfera circundante e impide la penetración
de impurezas en los cristales de silicio activo.
El oxígeno del vapor de agua solamente penetra superfi-
cialmente en la red cristalina del silicio, y la capa de dióxido
de silicio que se forma tiene un espesor de aproximadamente
1 mm.
Resolviendo las ecuaciones de Fick de la difusión se ob-
tiene para la dependencia del espesor del óxido crecido dóx
respecto del tiempo t, la siguiente expresión:
A⎡ t +τ ⎤
d óx (t ) = ⎢ 1+ 2 − 1⎥
2⎣ A / 4B ⎦
donde A y B son coeficientes que dependen de la tempera-
tura de oxidación (mediante factores de Arrhenius), y t un
parámetro que tiene en cuenta los efectos del óxido inicial
presente (óxido nativo).
D. Fotograbado o fotolitografía
Existen ciertos barnices, denominados fotorresinas, que son
sensibles a las radiaciones ultravioletas. Estos barnices son so-
lubles en un disolvente adecuado, pero se vuelven insolubles
cuando han recibido cierta cantidad de radiación ultravioleta.
La técnica del fotograbado se compone de varias etapas
(Figura 2):
1. Sobre la capa de dióxido de silicio que recubre el si-
licio activo se deposita una capa de fotorresina y es
iluminada por la radiación ultravioleta que atraviesa
una máscara (masking), que es un cliché fotográfico
con zonas transparentes y zonas opacas. La superficie
expuesta a la radiación ultravioleta corresponderá a
la radiación que atravesó las zonas transparentes de
la máscara.
2. Las zonas de fotorresina que han sido activadas por
la luz UV se vuelven insolubles en el disolvente, pero
no las zonas que no fueron iluminadas, que sí serán
disueltas y eliminadas.
3. El ataque (etching) con un ácido (por ejemplo, ácido
clorhídrico) solamente afectará al óxido de silicio de
las zonas descubiertas, que corresponden a las partes
opacas de la máscara. De esta forma, quedan zonas o
ventanas de material semiconductor para su posterior
dopado por los procedimientos que se estudiarán a
continuación. Cumplida su misión, la fotorresina es
eliminada con un disolvente apropiado.
153
Capítulo 18 Propiedades eléctricas de los materiales. Semiconductores
Figura 2
La principal ventaja del procedimiento de fotograbado
es que, con los medios actuales, resulta de gran precisión; se
pueden formar ventanas de dimensiones del orden de 1 mm.
Por otra parte, este procedimiento permite realizar, en la mis-
ma lámina de semiconductor y en un solo paso, ventanas de
distintos elementos (diodos, transistores, etc.).
E. Dopado
Consiste en la introducción de las impurezas en el sustrato
semiconductor por acción difusiva. Puede ser de dos tipos:
por difusión o por implantación iónica (vea la Nota 18.2).
Las impurezas solo podrán penetrar en el sustrato a través de
las ventanas previamente creadas (no pueden atravesar los
«muros» de SiO2).
F. Metalización
La operación de metalización es muy útil para unir los di-
ferentes elementos constituyentes de un circuito integrado.
Se realiza a partir de la evaporación de un metal en un vacío
elevado, tecnología que se engloba dentro de las conocidas
como deposición física en fase vapor (PVD en sus siglas en
inglés).
Se utiliza una cámara hermética de alto vacío; en el ex-
tremo superior se coloca un filamento de wolframio en el
cual se depositan hilos doblados, de aluminio o de oro. En la
parte inferior de la cámara están las obleas de semiconduc-
tor, previamente dopadas y protegidas por una pieza móvil
que puede accionarse exteriormente a la cámara, por medio
de un campo magnético.
En el interior de la cámara se realiza vacío para que nin-
guna molécula gaseosa influya sobre la proyección del vapor
metálico, y se calienta suavemente el filamento de wolfra-
mio hasta llegar a la fusión de los hilos metálicos doblados
que, de esta manera, forman gotas sobre el filamento. Se re-
154
tira a continuación la pieza de protección de las obleas de
semiconductor. Después, se aumenta la temperatura del fila-
mento: entonces, el metal fundido se evapora y se proyecta
rápidamente sobre los circuitos.
Por lo general, durante esta operación se cubre unifor-
memente toda la superficie del metal y, después, debe recu-
rrirse al proceso de fotograbado descrito anteriormente, para
quitar la mayor parte del material depositado. Tras ello, las
obleas son inspeccionadas para detectar posibles defectos
(Figura 3).
Figura 3
Entre el gran número de metales investigados para con-
seguir contactos con los cristales semiconductores de silicio,
el aluminio es el más idóneo y empleado, debido a que forma
contactos de baja resistencia óhmica tanto con silicio de tipo
p como de tipo n. Los contactos silicio/aluminio se realizan
eliminando el dióxido de silicio nativo y permitiendo de esta
forma que la película de metal depositada quede en íntimo
contacto con la superficie del silicio cristalino. Esto se consi-
gue por los procedimientos de difusión y fotograbado expli-
cados anteriormente.
En la denominada tecnología MOS (metal-óxido-semi-
conductor), el metal es a menudo sustituido por silicio po-
licristalino (denominado también polisilicio). Este material
tiene muchas ventajas, sobre todo porque puede soportar
altas temperaturas, lo que facilita el recocido después de las
operaciones de ataque e implantación.
G. Soldadura por ultrasonidos
Este procedimiento se realiza en frío, apoyando un hilo de
aluminio sobre la zona metalizada del circuito integrado
(que lleva una capa de aluminio). La pieza que apoya este
©  Ediciones Paraninfo
hilo está unida a un generador de ultrasonidos, y se hace vi-
brar a una frecuencia muy elevada. La vibración provoca la
variación rápida de la presión de apoyo, al mismo tiempo
que unas ondas ultrasónicas transversales mueven el conjun-
 La escala macroscópica de los materiales Bloque 3

to. Este sistema asegura una verdadera y eficiente soldadura

del hilo sobre la capa metálica sólida.
La vibración ultrasónica actúa como lo haría un pequeño
martillo que golpeara muchas veces por segundo (antigua
técnica de termocompresión).
Esta técnica ya se empleaba hace algunos años para la
fijación de los hilos de conexión de los transistores de poten-
cia. Recientemente ha sido perfeccionada para poder aplicar-
la en los hilos de conexión más finos que se emplean en los
circuitos integrados.

H. Encapsulado
La operación siguiente es la soldadura de cada uno de los cir-
cuitos obtenidos anteriormente en la cápsula que debe pro-
tegerle de los agentes exteriores. En todas ellas, la primera
operación a realizar es la fijación a una lámina metálica, me-
diante soldadura, del trocito de silicio que constituye el cir-
cuito integrado. Para ello, en caliente, el trocito de silicio es
presionado sobre la placa metálica, o bien se interpone una
fina lámina de oro entre el silicio y el metal, de modo que la
fusión de la mezcla eutéctica oro-silicio, asegura la soldadura
del cristal a la cápsula. Luego, se unen las zonas metalizadas
del chip a los hilos de conexión de la cápsula. Finalmente, el
circuito integrado se cierra en el interior de un recinto estanco
mediante una cavidad sellada con vidrio o cerámica, o con una
envoltura de plástico inyectado (Figura 4). Figura 4
©  Ediciones Paraninfo

155
 19
CAPÍTULO

Propiedades eléctricas
de los materiales
Aislantes

RECURSOS DIGITALES

Nota 19.1. E l campo local de Lorentz

Nota 19.2. P olarizabilidad electrónica
Nota 19.3. P olarizabilidad iónica
Nota 19.4. ¿ Por qué se alinean los
dipolos con el campo?
Nota 19.5. L a ley de Langevin
Nota 19.6. C onstante dieléctrica
compleja
Nota 19.7. L a tangente de pérdidas
Nota 19.8. L a ley de Curie-Weiss
Nota 19.9. C aracterización dieléctrica

Adenda: Condensadores eléctricos

Capítulo 19 Propiedades eléctricas de los materiales. Aislantes

Nota 19.1 a la esfera es suficientemente extensa y está suficientemente

alejada, puede ser considerada como un continuo, y su efecto
puede modelarse a través de una polarización P . Esta pola-
El campo local de Lorentz rización generará una densidad de carga en la superficie de
la esfera (cuyo interior supondremos ahora vacío) que tendrá
Si colocamos un dieléctrico en el seno de un campo eléctrico
un valor igual a P·cosq, donde q es el ángulo entre P y la
se producirá una polarización que convertirá a los átomos o
normal a la superficie esférica. Integrando sobre la superfi-
iones en dipolos. Sabemos que el campo eléctrico en el inte-
cie, el campo efectivo en el centro de la esfera debido a la
rior del dieléctrico viene dado por E = E 0 + EM . Sin embargo,
carga superficial se puede demostrar que vale P (3ε 0 ) , de
el campo que siente cada dipolo en el interior del dieléctrico,
modo que Eresto = P (3ε 0 ) . De este modo, la expresión obte-
el campo local, también difiere del campo interno, E , puesto
nida por Lorentz para el campo local es la siguiente:
que este solo representa una media macroscópica del campo
eléctrico en el interior del material. El campo E puede servir
de punto de partida para el cálculo del campo local, pero este E loc = E + E esfera + E resto = E + P (3ε 0 )
debe incluir además el efecto debido a los dipolos que son ve-
cinos al dipolo considerado, cuyo campo resulta más intenso o bien
por su mayor proximidad, y siendo rigurosos, debería excluir-
se además, el campo que crea el propio dipolo considerado. E loc = E 0 + E M + P (3ε 0 )
El primer tratamiento de este espinoso problema se debe
a Lorentz, quien sugirió que el dieléctrico que rodeaba a un puesto que E = E 0 + E M .
dipolo determinado podía descomponerse en dos partes: (1)
una esfera, centrada en el dipolo, de radio igual a muchos
espaciados atómicos y (2) la región exterior a la esfera (Fi-
gura1). De este modo, un dipolo situado en el centro de la
Nota 19.2
esfera sentirá el efecto de los siguientes campos superpues-
tos: el campo medio macroscópico, E , el campo debido a Polarizabilidad electrónica
los dipolos contenidos en la esfera excluido el que ocupa el
Supondremos que un átomo consiste en una esfera unifor-
punto central, Eesfera , y el campo debido al resto del material,
me de carga negativa (–Q) de radio R, en cuyo centro se
Eresto . Matemáticamente:
halla una carga puntual positiva (+Q). Si dicho átomo se en-
cuentra sometido a un campo eléctrico, Eloc , este inducirá
Eloc = E + Eesfera + E resto un momento dipolar en el átomo, debido al desplazamiento
relativo, d, entre el centro geométrico de la nube de carga
negativa, que seguiremos suponiendo esférica, y el centro de
la carga positiva (Figura 1).

Figura 1

Si fijamos el sistema de referencia en el centro geomé-

Figura 1 trico de la nube electrónica, podemos calcular la distancia
a la que se sitúa el núcleo, imponiendo que este se halla en
©  Ediciones Paraninfo

Considerando que la región esférica contiene dipolos si- equilibrio de dos fuerzas de sentido opuesto: (1) la debida a
guiendo un ordenamiento cúbico, Lorentz demostró que el la presencia del campo externo ( = QEloc ) y (2) la fuerza de
campo que actúa en el centro de la esfera debido a todos ellos atracción de Coulomb que ejerce la carga eléctrica negati-
es nulo, esto es, que Eesfera = 0 . Dado que la región exterior va efectiva q contenida en una esfera interior de radio d (la

158
 La escala macroscópica de los materiales Bloque 3

carga negativa restante no ejerce efecto alguno, pues queda

compensada de acuerdo con el teorema de Gauss). a b
E p (r ) = − +
rm rñ
El equilibrio de las dos fuerzas mencionadas impone que:

Qq El parámetro m toma valores próximos a 1 y ñ toma

QE loc =
4πε 0 d 2 valores entre 6 y 12 (entonces pusimos n, pero ahora nos
interesa escribir ñ para evitar confusiones). Para un sólido
La carga efectiva q puede calcularse como el producto iónico, el primer sumando corresponde exactamente a la
del volumen encerrado ( 43 πd 3 ) por la densidad volumétrica expresión de la energía potencial de Coulomb, por tanto,
a = − z1 z2e2 (4πε 0 r ) , siendo − z1e y z 2 e las cargas del anión y
de carga de la nube electrónica ( Q 43 πR 3 ). Esto es,
del catión, respectivamente. De este modo:
3
4πd 3 3Q ⎛d ⎞
q= = Q⎜ ⎟ z1 z2e 2 b
3 4πR 3
⎝R⎠ E p (r ) = − +
4πε 0 r r ñ
Por tanto:
El coeficiente b puede determinarse sabiendo que a la
Qq Qd 2 3
4πε 0 R distancia de enlace r = r0 , ∂E p ∂ r ha de valer cero (condi-
QEloc = = ⇒ d= Eloc ción de mínimo). De aquí,
4πε 0 d 2 4πε 0 R3 Q

z1 z2e 2 r0 ñ −1
El momento dipolar inducido será, pues b=
4πε 0 ñ

pind = Qd = 4πε 0 R3Eloc

y, por tanto,
por lo que la polarizabilidad electrónica será entonces:
( ze) 2 ⎡ r0 ñ −1 1 ⎤
E p (r ) = ⎢ ñ − ⎥ (1)
4πε 0 ⎣ ñr r⎦
33
πε0 R
⇒ ααe e==44πε
ppindind==ααe eEElocloc ⇒ 0R

Digamos, por último, que es posible abordar este mismo
problema desde un punto de vista cuántico. No obstante, el
problema no es sencillo ni siquiera para los átomos más sim-
ples. Partiendo del conocimiento de las funciones de onda de
los electrones que constituyen el átomo o ion considerado, y
aplicando lo que en teoría cuántica se denomina método de
perturbaciones, es posible obtener una fórmula general para
la polarizabilidad electrónica bastante más compleja y sutil.
Lo más interesante del resultado mecanocuántico, que aquí ni
siquiera expondremos, es que el comportamiento del átomo
queda descrito como un conjunto de osciladores clásicos, lo
que resulta muy conveniente a la hora de calcular la polariza-
bilidad electrónica en presencia de campos eléctricos alternos.
donde se ha supuesto, además, que z1 = z2 = z .
La acción de un campo eléctrico, Eloc , provocará un des-
plazamiento relativo de los iones. Si el campo no es muy
intenso, el desplazamiento, x, será pequeño. Como conse-
cuencia de este desplazamiento se originará una fuerza de
recuperación elástica F = kx , siendo k la constante elástica
del enlace, que compensará a la fuerza eléctrica que provo-
ca la deformación, F = ( ze)Eloc . Igualando tendremos que
kx = ( ze)Eloc y, por tanto, el momento dipolar inducido
p = ( ze) x = ⎡⎣( ze)2 k ⎤⎦ Eloc
Y como p = α i Eloc , se concluye que

α i = ( ze) 2 k
Nota 19.3
Polarizabilidad iónica Para hallar la constante elástica k debemos recordar que la
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energía potencial almacenada por un resorte de constante k,

En el Capítulo 13 se mostró que la energía de enlace entre que ha sido deformado una cantidad x, vale 12 kx 2 . Así pues,
dos átomos depende de la distancia que los separa, de acuer-
do con la Expresión (13.13): E p (r0 + x) − E p (r0 ) = 12 kx 2

159
Capítulo 19 Propiedades eléctricas de los materiales. Aislantes

y de aquí, siendo p, el momento dipolar.

Por otro lado, la energía potencial del dipolo (Ep) cuando
∂ 2 E p (r0 + x) este forma un ángulo q con la dirección del campo puede
k= calcularse como el trabajo necesario para girar un ángulo q a
∂ x2
un dipolo, inicialmente paralelo al campo, esto es:

Como, a partir de la Expresión (1), ⌠

θ
⌠
θ
E p = ⎮⎮ τ dϑ = ⎮⎮ p Eloc sen ϑ dϑ = p Eloc − p Eloc cosθ (1)
⌡0 ⌡0
( ze)2 ⎡ r0 ñ−1 1 ⎤
E p (r0 + x) = ⎢ ñ
− ⎥
4πε 0 ⎣ ñ(r0 + x) r0 + x ⎦ por lo que la energía potencial será mínima cuando el dipolo
se alinea con el campo (θ = 0 ), y máxima cuando se alinea
diferenciando dos veces respecto a x, se llega a que con él, pero en sentido opuesto (θ = π ).
Como solo interesan las variaciones de energía potencial,
( ze) 2 ⎛ ñ − 1 ⎞ el primer sumando de la Expresión (1), que es constante,
k ⎜ ⎟ puede ignorarse, de modo que el valor relevante es:
4πε 0 ⎝ r03 ⎠
E p = − p Eloc cosθ
donde se ha tenido en cuenta que x  r0 . Llevando finalmen-
te este valor a la expresión de α i , se obtiene: que se puede expresar en forma vectorial como:

4πε 0 r03 E p = − p ⋅ Eloc

αi =
ñ −1

Nota 19.4
¿Por qué se alinean los dipolos
con el campo?
Un dipolo eléctrico en el seno de un campo eléctrico, Eloc ,
experimenta un par de fuerzas que tiende a alinearlo con la
dirección del campo, tal como se muestra en la Figura 1.
Nota 19.5
La ley de Langevin
Sobre un dipolo situado en el seno de un campo eléctrico
Eloc , actúan un par de fuerzas, cuyo momento tiende a orien-
tarlo en la dirección del campo. Sin embargo, esta tendencia
estará contrarrestada por la agitación térmica de los átomos o
moléculas del medio. Para cada campo y temperatura tendre-
mos una orientación media, resultado del compromiso entre
ambas tendencias contrapuestas.
La energía de un dipolo en un campo eléctrico Eloc es

E p = − p ⋅ E loc = − p E loc cos θ

La polarización del medio material se calculará como

P = n p (cos θ ) , donde n es el número de dipolos por unidad
de volumen y p (cos θ ) es el valor medio de la componente
del momento dipolar en la dirección del campo. De acuerdo
con la Física Estadística clásica, en estado de equilibrio tér-
mico, este valor medio se ha de calcular como:
Figura 1
π
⌠ ⎛ p Eloc cos θ ⎞
©  Ediciones Paraninfo

El módulo del momento del par de fuerzas, t, puede cal- ⎮ exp ⎜ ⎟ cos θ d Ω
⌡0 ⎝ k BT ⎠
cularse como sigue: (cos θ ) = π
⌠ ⎛ p Eloc cos θ ⎞
⎮ exp ⎜ ⎟ dΩ
τ = F (d sen θ ) = qEloc (d sen θ ) = (qd )Eloc sen θ = p Eloc sen θ ⌡0 ⎝ k BT ⎠

160
 La escala macroscópica de los materiales Bloque 3

donde exp ( p E cosθ (kBT ) ) representa la probabilidad de En el límite cuando u → 0 , esto es, para campos débiles
que un dipolo esté orientado según un ángulo sólido com- y temperaturas no muy bajas, podemos aproximar la función
prendido entre Ω y Ω+dΩ (ver Figura 1). de Langevin por los primeros términos de su desarrollo de
Taylor:

u u 3 ...
(u) ≈ − +
3 45

Reteniendo únicamente los términos de primer orden

(que son los dominantes para u  1), obtenemos:

u np 2
P ≈ np = Eloc
3 3kBT

Figura 1
El área sombreada de la figura corresponde al ángulo só-
lido elemental d Ω = 2π sen θ dθ = −2π d (cos θ ) .
Con todo, la integración de la integral anterior para ob-
tener el valor de P conduce a la siguiente función, conocida
como ley de Langevin:
esto es, la polarización resulta ser directamente proporcio-
nal al campo e inversamente proporcional a la temperatura.
(Como veremos en el Capítulo 20, esta fórmula es análoga a
la expresión de la ley de Curie para los materiales paramag-
néticos.)
En el otro límite, cuando u → ∞ , esto es, para campos
muy intensos y/o temperaturas bajas, entonces

⎛ 1⎞
P = n p ⎜ cotgh u − ⎟ = n p (u ) exp(u ) + exp( −u )
⎝ u⎠ coth(u ) = →1
exp(u ) − exp( −u )

siendo n el número de dipolos por unidad de volumen, p el

momento dipolar medio de todos dipolos, u = p Eloc (kBT )
y (u ) = coth(u ) − 1 u , la denominada función de Langevin. 1 u→0
En la Figura 2 se representa la curva P ( np ) frente a u.
y, por consiguiente, (u) →1, por lo que la polarización ten-
derá a su valor de saturación

P ≈ np

en cuyo caso, todos los momentos dipolares eléctricos de los

átomos o moléculas estarán rigurosamente orientados en la
dirección del campo.

Nota 19.6
Constante dieléctrica compleja
Figura 2
Consideraremos primeramente un átomo aislado. Un campo
Como puede verse en la gráfica, para valores de u peque- eléctrico alterno E 0 (t ) ejercerá sobre el átomo una fuerza
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ños, el comportamiento es lineal (con pendiente 13 ), mientras periódica que desplazará también periódicamente al centro
que para valores grandes de u la polarización tiende a un geométrico de la nube electrónica desde su posición de equi-
valor de saturación (igual a 1). Vamos a demostrar estos lí- librio (supondremos que el núcleo permanece inmóvil). A
mites. este desplazamiento forzado, x(t ) , se opondrá la acción de la

161
Capítulo 19 Propiedades eléctricas de los materiales. Aislantes

fuerza de restitución elástica del enlace, que es proporcional

d 2 Pe d Pe na q 2
al desplazamiento, esto es, k x , así como el amortiguamiento + 2γ + ω0
ʹ 2
Pe = E (3)
debido a la pérdida de energía por radiación que experimen- dt 2 dt m
tan los electrones acelerados, esto es β dx dt (con b constan-
te), de modo que la ecuación que describe la vibración será: con
na q 2
d 2 x(t ) dx(t ) ω0ʹ2 = ω02 −
m +β + k x(t ) = qE 0 (t ) (1) 3mε 0
dt 2 dt

La Expresión (3) es equivalente a la de un oscilador ar-

donde m representa la masa de todos los electrones que cons- mónico forzado amortiguado. Se trata de un problema bien
tituyen la nube, q la carga de todos ellos (en valor absoluto) estudiado, que para campos eléctricos senoidales de frecuen-
y el factor k es la constante elástica del enlace que liga a los ∼ ∼
cia angular w, descritos por E = Em exp(iω t ) , admite solu-
electrones con el núcleo. Tal como se describió en la Nota ciones del tipo:
19.2, suponiendo un átomo perfectamente esférico de radio
R, con una carga electrónica q repartida uniformemente den- ∼ ∼
tro de dicha esfera, la separación de equilibrio entre los cen- Pe = Pm exp(iω t )
tros geométricos del núcleo y de la nube, x, provocada por el
∼
campo vendrá dada por: siendo Pm un número complejo tal que:

q2 x ∼ na q 2 m ∼
qE = = kx Pm = E (4)
4πε 0 R3 ω0ʹ2 − ω 2 + 2iγω m

de donde Si admitimos que la polarización electrónica es la úni-

ca presente, a partir de la Expresión (19.14b), según la cual
q2 P = ε 0 (ε r − 1) E , la constante dieléctrica del material (que
k=
4πε 0 R3 admitimos pueda ser compleja) vendrá dada por:

∼ ∼
La Expresión (1) se puede considerar válida para cual- Pe (ω ) Pm (ω )
ε∼r (ω ) = 1 + ∼ =1+ ∼ (5)
quier átomo de un sólido si sustituimos E 0 por Eloc , el cam- ε 0E ε 0Em
po eléctrico local que verdaderamente actúa sobre un átomo
del sólido. Entonces, de acuerdo con la definición de polari- Sustituyendo la Expresión (4) en (5), se obtiene final-
zación electrónica, si na es la concentración de átomos: mente:

Pe (t ) = na pe (t ) = na qx(t ) na q 2
ε∼r (ω ) = 1+
mε 0 (ω0ʹ2 − ω 2 + i 2γω )
expresión que nos permite reescribir la Expresión (1) tal
como sigue:
Esta ecuación permite calcular la constante dieléctrica
compleja debida a la polarización electrónica del medio.
d 2Pe d Pe 2 na q 2 Multiplicando el numerador y el denominador de la fracción
+ 2γ + ω P
0 e = Eloc (2)
dt 2 dt m por el complejo conjugado del denominador, se obtienen las
componentes real e imaginaria de ε∼r (ω ) :
donde ω0 = k m es la denominada frecuencia angu-
lar natural de la oscilación y γ = β 2m es la constante de na q 2 (ω ʹ2 − ω 2 )
ε rʹ (ω ) = 1+ ⋅ 2 02 2 (6a)
amortiguamiento. (Advierta que tanto ω0 como γ tienen di- mε 0 (ω0ʹ − ω ) + 4γ 2ω 2
mensiones de s-1.)
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De acuerdo con la expresión de Lorentz para el campo

local, Expresión (19.17), Eloc = E + Pe 3ε 0 , siendo E el cam- na q 2 2γω
po macroscópico en el interior del dieléctrico. Llevando esta ε rʹʹ(ω ) = ⋅ 2 (6b)
mε 0 (ω0 − ω 2 )2 + 4γ 2ω 2
ʹ
expresión a la Expresión (2) obtenemos nuevamente:

162
 La escala macroscópica de los materiales Bloque 3

De este resultado se deduce que la constante dieléctri-
ca posee dos componentes, una en fase con el campo (parte
real) y otra en cuadratura, esto es, desfasada 90º (parte ima-
ginaria). En la Figura 1 se muestra la variación con la fre-
cuencia de los valores de ε rʹ (ω ) y ε rʹʹ(ω ) de acuerdo con las
Expresiones (6). La variación de la parte real en la Figura 1a,
y la de la parte imaginaria en la Figura 1b.
(a)
vibrará en torno a la dirección del campo, pero luego, me-
diante interacciones con los átomos de su entorno, se relaja-
rá y acabará orientándose de nuevo en su dirección inicial.)
Pese a la naturaleza distinta del fenómeno, las expresiones
matemáticas resultantes vuelven a resultar parecidas si se re-
interpretan convenientemente los términos que intervienen.
Así pues, es posible establecer una expresión simplifica-
da que de alguna manera englobe todos los distintos meca-
nismos de polarización presentes en el material. Suponiendo
que cada uno de estos mecanismos consta de una frecuencia
característica (ω ʹj ) y un factor de amortiguamiento ( γ j ) pro-
pios, la expresión es de la forma:

fj
ε∼r (ω ) = 1 + ∑
j ω ʹj − ω 2 + i 2γω
2

de donde

f j (ω ʹj 2 − ω 2 )
ε rʹ (ω ) = 1 + ∑ (7a)
j (ω ʹj 2 − ω 2 )2 + 4γ 2j ω 2

(b)
f j ωγ j
ε rʹʹ(ω ) = ∑ (7b)
j (ω ʹj 2 − ω 2 )2 + 4γ 2j ω 2

donde el subíndice j recorre los distintos mecanismos de po-

larización, y los coeficientes fj, denominados intensidades
de oscilación, son definidos como f j = n j q 2j m j ε 0 . Las Ex-
presiones (19.39) se obtienen a partir de las Expresiones (7)
Figura 1
sin más que tener en cuenta que la relación entre frecuencia
angular y natural viene dada por ω = 2πυ .
Según se observa en esta figura, la variación de ε rʹʹ pasa
por un máximo cuando la frecuencia de la excitación coin-
cide con ω0ʹ , siendo esta frecuencia muy próxima a la fre-
cuencia natural de oscilación ω0 . Dado que la masa de los Nota 19.7
electrones es muy pequeña, el valor de la frecuencia ω0ʹ es
muy elevado y generalmente está en el margen derecho del La tangente de pérdidas
espectro visible o en el ultravioleta próximo. A bajas fre-
cuencias ( ω = ω0ʹ ), el valor de ε rʹ es 1 + na q (ε 0 mω0ʹ2 ) . Vimos en el Capítulo 17 que la potencia disipada por efecto
Joule por unidad de volumen venía dada por PV = σ E 2 = JE ,
Hasta aquí hemos supuesto que solo la polarización elec-
donde J representa una densidad de corriente y E el campo
trónica contribuía a la constante dieléctrica. Un análisis si-
eléctrico que provocaba la corriente. Para reescribir esta ex-
milar al realizado pero basado en la polarización iónica es
presión en notación compleja (fasorial), resulta útil recordar
algo más tedioso, pero demuestra que las Expresiones (6)
que la parte real de un número complejo puede escribirse
siguen siendo válidas, sin más que sustituir m y q por la masa
como la mitad de la suma de dicho complejo y su conjugado
de los iones y la carga de éstos, respectivamente. Obviamen- ∼ ∼
(que indicaremos por un *). De esta manera, si J y E son,
te los valores de ω0ʹ y γ también serán distintos. Dichas
respectivamente, las expresiones complejas de la densidad
ecuaciones, sin embargo, no son válidas para el mecanismo
de corriente y del campo aplicado, entonces:
de polarización orientacional, pues aunque también existirá
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dependencia con la frecuencia, la naturaleza es bien distinta ∼ ∼ ∼ ∼ ∼ ∼ ∼ ∼ ∼ ∼ ∼

y obedece a un fenómeno de relajación. (En esencia, el fenó- PV = Re ⎡⎣ J ⎤⎦⋅ Re ⎡⎣E ⎤⎦ = 12 ( J + J *) ⋅ 12 (E + E *) = 14 ( J ⋅ E + J ⋅ E * + J
meno de relajación consiste en lo siguiente:∼cuando∼un dipo- (1)
1 ∼ ∼* 1 ∼ ∼* 1 ∼ ∼ ∼ ∼ * ∼* ∼ ∼ * ∼ *
P = Re ⎡ J ⎤ ⋅ Re ⎡
lo permanente se orienta en la dirección del campo, el dipolo
V ⎣ ⎦ ⎣ E ⎤
⎦ = 2 ( J + J ) ⋅ 2 ( E + E ) = 4 ( J ⋅ E + J ⋅ E + J ⋅ E + J ⋅ E )

163
 Capítulo 19 Propiedades eléctricas de los materiales. Aislantes

Consideraremos ahora que el campo eléctrico alterno el número de dipolos por unidad de volumen, n, disminuye
∼
viene dado por E = Em exp(iωt ) y que la densidad de corrien- al aumentar la temperatura debido a la dilatación térmica,
te corresponde a la densidad de corriente de desplazamiento. podremos suponer que
Extendiendo a notación compleja la definición de la densi-
dad de corriente de desplazamiento, Expresión (19.35), se nα
obtiene: = 3 − β (T − TC )
ε0
∼
∼ dE
Jd = ε 0ε∼r siendo TC el denominado punto ferroeléctrico de Curie y b
dt
una constante del mismo orden de magnitud que el coefi-
ciente de dilatación térmica (~ 10-5 a 10-6 K-1). Sustituyendo
donde ε∼r = ε rʹ − iε rʹʹ es la constante dieléctrica compleja. Te- esta expresión en la de Clausius-Mossotti,
∼
niendo en cuenta la expresión de E y ε∼r , operando obtene-
mos:
ε r −1
1 − 13 β (T − TC ) =
∼ dE
∼ εr + 2
Jd = ε 0ε∼r = iωε 0 (ε rʹ − iε rʹʹ) Em exp(iωt ) = ωε 0 Em ( iε rʹ + ε rʹʹ) exp(iωt )
dt
Y de aquí
iωε 0 (ε rʹ − iε rʹʹ) Em exp(iωt ) = ωε 0 Em ( iε rʹ + ε rʹʹ) exp(iωt )
3 − 23 β (T − TC )
εr =
Sustituyendo las expresiones de J∼d y E∼ en la Expresión 3 β (T − TC )
1

(1), se obtiene
Y como β (T − TC )  1 , entonces
∼ ∼ ∼ ∼ ∼ ∼ ∼ ∼
PV = 14 ( J d ⋅ E + J d ⋅ E * + J d * ⋅ E + J d * ⋅ E * ) =
= 14 (ωε 0E m2 ( iε rʹ + ε rʹʹ) exp(2iωt ) + 3 9 C
εr ≈ = =
1
3 β (T − TC ) β (T − TC ) T − TC
+ ωε 0Em2 ( iε rʹ + ε rʹʹ) + ωε 0Em2 ( −iε rʹ + ε rʹʹ) +
+ ωε 0Em2 ( iε rʹ + ε rʹʹ) exp(−2iωt ) )
que es la ley de Curie-Weiss, Expresión (19.46), válida para
T > TC .
Teniendo en cuenta que los términos exponenciales
complejos exp(±2iωt ) se promedian a cero en un periodo
de tiempo T = 2π ω , el promedio temporal de la potencia Nota 19.9
media por unidad de volumen resultará:
Caracterización dieléctrica
PV = 12 ωε 0Em2 ε rʹʹ
A. Medida de la rigidez dieléctrica
Y recordando que ε rʹʹ = ε r sen δ
Generalmente, la ruptura se presenta como un fenómeno es-
tadístico aleatorio, lo que significa que las medidas del po-
PV = 12 ωε 0E m2 ε r sen δ = πυε 0ε rE m2 sen δ tencial de ruptura (y a partir de él, del campo de ruptura o
rigidez) no son repetitivas, aunque la probabilidad de que
ocurra la ruptura transcurrido un cierto tiempo t aplicando
un voltaje constante aumenta a medida que crece la tensión
Nota 19.8 aplicada. Esta cierta aleatoriedad obliga a realizar un gran
número de experiencias de ruptura para obtener la distri-
La ley de Curie-Weiss bución estadística del voltaje de ruptura, esto es, la gráfica
N R = N R (V , t ) donde NR es el número de sucesos de ruptura
©  Ediciones Paraninfo

El término adimensional (nα ε 0 ) en la ecuación de Clau- observados en la muestra polarizada al voltaje V, durante un
sius-Mossotti, Expresión (19.33), necesariamente ha de tiempo t. Normalmente, este tipo de experiencias se realiza
cumplir que (nα ε 0 ) < 3 , ya que si (nα ε 0 ) ≥ 3 llevaría a un sobre una misma muestra, depositando sobre ella electro-
absurdo o exigiría que ε r < 0 , valor nunca observado. Como dos, denominados no cortocircuitantes (consulte la Adenda

164
 La escala macroscópica de los materiales
de este capítulo), cuyo espesor es menor de unos 1 000 Å
(Figura 1a). En estas condiciones, cada evento de ruptura
dieléctrica provoca una evaporación del metal del electrodo
alrededor del punto de ruptura, evitando el contacto eléctrico
entre electrodo y sustrato metálico (Figura 1b).
Figura 1
Esta técnica permite hacer cientos de pruebas sobre una
misma muestra. Inicialmente, se obtienen voltajes de ruptura
bajos, ya que las primeras descargas se producen en los lla-
mados puntos débiles del material. Una vez que desaparecen
los puntos débiles, el voltaje de ruptura aumenta y se puede
decir entonces que el voltaje de ruptura VR es el característi-
co del material (Figura 2).
Figura 2
Los experimentos de ruptura se realizan en la actualidad
mediante equipos informatizados que aplican automática-
mente un voltaje creciente hasta que se produce la descar-
ga, registrando el valor del potencial en el momento de la
©  Ediciones Paraninfo
Figura 3
Bloque 3
ruptura y reanudando de nuevo el ciclo. Se consigue así una
distribución del número de sucesos de ruptura en función
del voltaje de ruptura y/o del tiempo durante el que se aplica
dicho voltaje, que suele representarse como un histograma
(Figura 3). A partir de este gráfico se calculan los parámetros
estadísticos de interés, a saber: valor más probable, valor
medio, dispersión, etc., del voltaje de ruptura.
B. Medida de la constante dieléctrica
La determinación experimental de la constante dieléctrica
de un material se realiza generalmente a través de medidas
de la capacidad. Esto exige la utilización de muestras de
geometría muy bien definida. La opción más adecuada es
emplear un condensador de láminas plano-paralelas, ya que
en este caso el campo eléctrico es constante a través de todo
el dieléctrico. Conocida la capacidad del condensador, C x , la
constante dieléctrica se calcula sencillamente a través de la
Expresión (19.9), Cx = ε r ε 0 A d , donde ε 0 es la permisividad
eléctrica del vacío, ε r es la constante dieléctrica del material
entre las placas, A es el área superficial de una placa y d la
distancia que separa las placas. (Cuando el espesor del die-
léctrico sea comparable a las dimensiones geométricas de los
electrodos es preciso utilizar un anillo de guarda, con objeto
de evitar el denominado efecto de borde.)
Para campos estáticos o de frecuencias bajas, basta co-
locar las placas al dieléctrico (que en general serán deposi-
ciones metálicas y no chapas) y efectuar la medida con un
capacímetro de precisión para corriente continua.
Sin embargo, para la medida de la constante dieléctri-
ca de un material sometido a campos eléctricos alternos de
media o alta frecuencia, las técnicas de resonancia son las
más indicadas. (Los métodos más recientes de detección de
la frecuencia natural de oscilación se pueden considerar va-
riaciones de estas técnicas.) La Figura 4 muestra un esquema
de un circuito resonante para la medida de Cx (y a través de
ella determinar el valor de er).
Figura 4
Como se ve, se trata simplemente de un circuito oscilante
LC, acoplado inductivamente a un oscilador de frecuencia
conocida. El circuito LC incluye un condensador variable,
C, y el condensador de la muestra a medir, Cx. La estrategia
de medida consiste en la detección del pico de resonancia
mediante el voltímetro V conectado en paralelo al circuito.
165
Capítulo 19 Propiedades eléctricas de los materiales. Aislantes

La resonancia se produce cuando la frecuencia angular na-
−1
tural de oscilación del circuito, ωN = ( L (C + Cx )) 2 , coincide
con la frecuencia angular del oscilador, ω0 . De este modo si
logramos situar al sistema en condición de resonancia, po-
dremos calcular el valor de Cx a partir de
técnicas de pulverización catódica o con pinturas conducto-
ras (plata, oro, etc.). Los condensadores preparados de esta
manera se introducen de uno en uno en un circuito puente
de histéresis como el representado esquemáticamente en la
Figura 6.

1
Cx = −C
ω02 L

Esto se consigue variando la capacidad del condensa-

dor C, primeramente, con el interruptor S abierto, y luego,
con el interruptor cerrado, con objeto de incluir el efecto del
condensador Cx. Operativamente hablando, la resonancia se
detecta por un aumento de la intensidad que circula por el
circuito. La Figura 5 muestra el pico de intensidad a la fre-
cuencia de resonancia.
Figura 6

En dicha figura, Cx es la capacidad del condensador pro-

blema, y C es un condensador de referencia sin apenas pér-
didas dieléctricas. El circuito se alimenta con una fuente de
tensión alterna de 50 ó 60 Hz. En estas condiciones las car-
gas almacenadas en Cx y C serán prácticamente las mismas,
esto es:

Q = VxCx = CV

Figura 5
de donde

Obviamente, cuanto más agudo es el pico, con mayor

precisión se determinará ω0 . En este sentido, se define el Vx = (C Cx )V
factor Q como el cociente:
Si, con ayuda de un osciloscopio, se representan las seña-
ω0 les Vx frente a V, si el material dieléctrico no es ferroeléctrico,
Q= el resultado será una línea recta (Figura 7a), cuya pendiente
Δω
permite obtener el valor de Cx, conocido el valor de C.
En cambio, si el dieléctrico es ferroeléctrico, al represen-
donde ω0 es la frecuencia angular del pico de resonancia y tar nuevamente las señales Vx frente a V aparece un ciclo de
Δω = ω1 − ω2 es la anchura del pico cuando la intensidad es
histéresis como el de la Figura 7b.
½ del valor máximo (Figura 5). Cuanto mayor es Q, con más
precisión se efectuará la medida. Pero el interés del factor Q
reside en el hecho de es posible determinar con él las pérdi-
(a) (b)
das dieléctricas, ya que puede demostrarse que tan δ = 1 Q .

C. Curva de histéresis
Una de las posibles maneras de determinar si un material
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cristalino es ferroeléctrico es la siguiente. Se cortan unas

láminas delgadas del cristal, a analizar en direcciones per-
pendiculares a los ejes cristalográficos, y se depositan sobre
las caras de dichas láminas electrodos metálicos mediante Figura 7

166
 La escala macroscópica de los materiales Bloque 3

Como P = Q A = Vx Cx A y E = Vx d , donde d es el es- tros más característicos de un condensador son su capaci-

pesor del dieléctrico, resulta entonces que a partir de las Fi-
guras 7, las correspondientes curvas P vs. E resultan con la
misma forma que las anteriores.
dad, la tangente del ángulo de pérdidas, la corriente de fuga,
el voltaje de trabajo y el margen de frecuencias en el que
se pueden utilizar. Los valores típicos de algunos de estos
parámetros para las distintas clases de condensadores se dan
en la tabla siguiente:

Adenda
Tipo tan d Voltaje
Margen capacidad
Condensadores eléctricos condensador (a 103 Hz) máximo
Papel 500 pF a 10 mF 7·10–3 0.1 a 1.5 kV
Un condensador (o capacitor, por influencia del inglés) es
Papel (en 0.1 a 100
un dispositivo eléctrico capaz de almacenar energía en forma 1 000 pF a 50 mF 2·10–3
aceite) kV
de campo eléctrico. Está formado por un par de superficies
conductoras, generalmente en forma de láminas o placas, se- Poliestireno 500 pF a 10 mF 10–4 1kV
paradas por un material dieléctrico. Cuando las placas son Mylar 8·10 100 a 600 V
5 000 pF a 1 mF –3
sometidas a una diferencia de potencial, adquieren una de-
terminada carga eléctrica, de igual magnitud pero de distinto Mica 1 pF a 0.1 mF 5·10–4 1 a 75 kV
signo, de modo que la carga neta total es cero. En este senti- Cerámico
do, un condensador no acumula carga, aunque sí la segrega, 1 pF a 10–3 mF 1·10–3 6 kV
(baja e)
y por ello sí almacena energía en forma de campo eléctrico.
Cerámico
Aunque lo que almacena un condensador es energía 1 000 pF a 0.1 mF 10–2 100V
(alta e)
eléctrica y no carga, solemos decir que está cargado cuando
almacena la máxima cantidad de energía que es capaz de Electrolítico 1 mF a 0.1 F 10–1 500 V
almacenar, y que se puede calcular sencillamente mediante
E = 12 CV 2 .
El comportamiento de un condensador inserto en un
circuito depende de si la corriente que circula por este es
continua o alterna. En un circuito de corriente continua, el
condensador permite el paso de la corriente hasta que se
carga; una vez cargado actúa como un circuito abierto. En
cambio, si la corriente es alterna, un condensador permite
siempre el paso de corriente (aunque introduce un desfase
entre tensión e intensidad), se carga durante un periodo y se
descarga en el siguiente.
Esta disparidad de comportamiento hace de los con-
densadores unos elementos potencialmente interesantes en
multitud de aplicaciones como: baterías (por su cualidad de Figura 1.
almacenar energía), memorias binarias (por la misma cua-
lidad; el estado cargado puede representar un «1», el estado
descargado un «0»), filtros eléctricos (por su capacidad de B. Condensadores de papel
eliminar ciertas frecuencias, consecuencia del desfase que
Los condensadores de papel se fabrican enrollando alterna-
introducen entre tensión e intensidad), adaptadores de impe-
tivamente hojas de papel y de lámina metálica (normalmente
dancias (mediante resonancia con otros componentes a una
aluminio). El papel y una sustancia impregnante, a menudo
frecuencia dada), o estabilizadores de tensión, entre otras.
aceite de parafina, constituyen el dieléctrico (Figura 2).
En los condensadores de papel metalizado, la lámina me-
A. Dispositivos discretos
tálica se sustituye por una deposición de metal (normalmente
Las características más significativas de un condensador vie- aluminio) sobre una de las superficies del papel. Ello reduce
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nen determinadas por las propiedades de su material dieléc- el volumen del condensador a la mitad aproximadamente.
trico. Así, los condensadores se clasifican en diversos tipos, Pero la principal cualidad de estos condensadores es su ca-
dependiendo de la naturaleza de su dieléctrico: de papel, de rácter no cortocircuitante. Cuando por sobrecarga se supera
plástico, de mica, electrolíticos, etc. (Figura 1). Los paráme- la rigidez del dieléctrico, el papel se rompe por algún punto

167
Capítulo 19 Propiedades eléctricas de los materiales. Aislantes

E. Condensadores cerámicos
Los condensadores cerámicos (Figura 3) se dividen en dos
clases: de baja y de alta constante dieléctrica. Los de baja
constante dieléctrica (típicamente, er = 10) poseen también
un valor pequeño de tan δ , por lo que pueden utilizarse has-
ta frecuencias altas. Por el contrario, los de alta constante
dieléctrica (a menudo superior a 1 000) poseen también un
valor elevado de tan δ (aproximadamente 10 veces supe-
rior a los anteriores). Por tanto, este tipo de condensadores,
normalmente basados en materiales ferroeléctricos, se suele
Figura 2 utilizar en aplicaciones de más baja frecuencia y en aquellas
situaciones en las que el valor de la capacidad no sea crítico.
Debido a la simplicidad, a su bajo precio y pequeño tamaño,
provocando normalmente un cortocircuito de la deposición los condensadores cerámicos están siendo utilizados cada
metálica. La alta densidad de corriente que llega a circular vez más en aplicaciones que no requieran grandes capaci-
por esta zona llega a fundirla, neutralizando el cortocircuito dades (por debajo de 0.01 mF) y donde el valor exacto de la
y reparando el condensador (aunque con una pérdida insig- capacidad no sea muy crítico.
nificante, pero acumulativa, de área útil).
La calidad de este tipo de condensadores está muy con-
dicionada por la calidad del papel. Actualmente se producen
papeles de gran calidad, eliminando las perniciosas partícu-
las metálicas que pudiera contener la pulpa del papel me-
diante centrifugadoras, y tratando las aguas de procesado
para eliminar partículas iónicas y minerales. Los condensa-
dores de papel son de bajo coste y se pueden utilizar cuando
los valores de la tan δ y de la tolerancia de su capacidad no
sean parámetros críticos.
Figura 3
C. Condensadores de película polimérica
Los condensadores de película polimérica metalizada son
relativamente modernos ya que su fabricación requería pro- F. Condensadores electrolíticos
ducir láminas de termoplástico suficientemente finas y de Los condensadores electrolíticos (Figura 4) se caracterizan
alta calidad. Estos condensadores, que utilizan termoplásti- principalmente por su gran capacidad por unidad de volu-
cos tales como el poliestireno, el mylar, el teflón, etc., poseen men y en este sentido son insustituibles. Su estructura básica
pérdidas dieléctricas (tan δ ) y corrientes de fuga muy bajas. consiste en dos electrodos metálicos inmersos en un líquido
Sin embargo, son bastante más caros que los de papel, por lo conductor o electrolito que, en algunos casos, puede ser sóli-
que se reservan para aplicaciones en circuitos resonantes en do. Sobre uno de los electrodos metálicos se forma anódica-
las que se exijan corrientes de fuga muy pequeñas. mente el dieléctrico que suele ser Al2O3 en los condensadores
electrolíticos de aluminio y Ta2O5 en los de tantalio.
D. Condensadores de mica
Los condensadores de mica, a pesar de ser de los más anti-
guos, aún se siguen utilizando debido a las excelentes propie-
dades dieléctricas de la mica, como su constante dieléctrica
relativamente alta (alrededor de 8), valor bajo de la tan δ y
su elevada rigidez dieléctrica. Además, la mica es fácilmente
exfoliable en láminas muy finas, soporta altas temperaturas
y no se degrada ni por oxidación, ni corrosión. Un conden-
sador de este tipo se compone de una serie de capas alternas
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de metal y laminillas de mica. Estos condensadores tienen

un precio elevado por lo que solo se utilizan en aplicaciones
específicas de alta frecuencia o voltajes muy elevados. Figura 4

168
 La escala macroscópica de los materiales
La gran capacidad por unidad de volumen de los con-
densadores electrolíticos se debe a varios factores. Para
empezar, la constante dieléctrica de los óxidos anódicos es
relativamente alta, por ejemplo 27, en el caso del Ta2O5. En
segundo lugar, la capa de óxido anódico tiene un espesor
finísimo (entre 1 000 y 2 000 Å) por lo que está libre de los
defectos estructurales que debilitan a los materiales masivos.
Estas finas capas de óxido anódico son capaces de soportar
campos eléctricos del orden de 109 V·m–1. En tercer lugar,
el ánodo metálico de los condensadores tiene una estructura
muy porosa que proporciona una elevada superficie específi-
ca. Un serio inconveniente de esta tecnología es la escasez de
minerales que contienen tantalio. El interés reciente por un
mineral llamado coltán reside precisamente en su contenido
en tantalio. El coltán es una variedad mineral mezcla (en so-
lución sólida) de otros dos minerales: la columbita (óxido de
niobio, hierro y magnesio) y la tantalita (óxido de tantalio,
hierro y manganeso). Quizá se ha exagerado la importancia
del coltán en la industria electrónica (sobre todo para la fa-
bricación de teléfonos móviles). La realidad es que los con-
densadores de tantalio están siendo rápidamente sustituidos
por otro tipo de condensadores cerámicos, equiparables en
características funcionales, pero mucho más económicos.
Mención aparte merecen cierto tipo de condensadores
electrolíticos que consiguen altísimas capacidades. Son los
denominados supercondensadores, que trataremos como una
categoría especial.
G. Supercondensadores
Los supercondensadores, también conocidos como con-
densadores electroquímicos de doble capa o simplemente
EDLC, por sus siglas en inglés, son dispositivos electroquí-
micos con una capacidad eléctrica miles de veces mayor que
la de los condensadores electrolíticos de alta capacidad. Los
EDLC comerciales de mayor tamaño poseen capacidades
eléctricas tan elevadas como 5 000 F, alcanzando densidades
de energía de hasta 10 Wh/kg (Figura 5).
©  Ediciones Paraninfo
Figura 5
Bloque 3
El primer supercondensador fue patentado por el ingenie-
ro eléctrico H. E. Becker para la General Electric en 1957,
y se basaba en el principio de aumento del área de las pla-
cas sustituyendo la interfaz cerámica o polimérica entre las
placas con un material poroso de carbono en una disolución
electrolítica, produciendo un enorme aumento del área de las
placas y, por tanto, de la capacidad del condensador. El prin-
cipal problema de los primeros diseños residía en la enorme
resistencia interna. A finales de la década de los ochenta del
siglo pasado, se desarrolló el primer supercondensador de 1 F,
una meta que durante mucho tiempo se había considerado
inalcanzable. A principios de la década de los noventa, unas
compañías rusas presentaron el primer supercondensador
que superaba los 100 F.
El primer éxito para obtener supercondensadores renta-
bles fue gracias al uso de dióxido de rutenio por Conway y
sus colaboradores en 1991, ya que fue el primer supercon-
densador que presentó una baja resistencia interna.
Actualmente los supercondensadores comerciales son de
base carbono con un electrolito de metal alcalino o alcalino-
térreo (Figura 6). Los principales productores son Panasonic
y Maxwell Technologies, que diseñan supercondensadores de
1 500 y 3 000 F, con un peso entre 1.5 y 3 kg (Figura 7). Estos
dispositivos generaron un gran interés debido a su aplicación
en automóviles híbridos o eléctricos, pero también para su
uso en sistemas de energía solar y energía eólica.
Figura 6
El poderoso desarrollo que han experimentado estos sis-
temas ha ido ligado a una mejor compresión de en qué se
basa el enorme valor de las capacidades alcanzadas. Aunque
todavía no está perfectamente establecido, todo parece indi-
car que el fenómeno de la supercapacidad (o pseudocapaci-
dad) es diferente al de la capacidad convencional.
169
Capítulo 19 Propiedades eléctricas de los materiales. Aislantes
Figura 7. Imagen cortesía de Maxwell Technologies,
http://www.maxwell.com.
Como hemos visto en este capítulo, en un condensador
ordinario, el almacenamiento de energía está asociado a la
acumulación de carga eléctrica entre las láminas del conden-
sador gracias al medio dieléctrico. Sin embargo, la acumu-
lación de carga en los supercondensadores, principalmente
en los de carbono con disolución electrolítica de un metal,
parece ser debida a una deficiencia electrónica producto de
la interacción de los iones metálicos con el medio de carbo-
no. Esto hace que la supercapacidad sea un fenómeno de-
pendiente de la tensión. Sin embargo, los rangos de tensión
en que son utilizados los supercondensadores permiten su
manejo como un condensador convencional con un valor
alto de capacitancia. Solo el futuro nos dirá dónde están los
límites de esta nueva tecnología.
H. Dispositivos integrados
En los circuitos integrados también son inevitables los con-
densadores. Suelen utilizarse dos tipos de condensadores:
los que forman parte integrante del circuito, en cuyo caso
el dieléctrico es de óxido de silicio, o los denominados con-
densadores de película fina, generalmente con dieléctrico de
óxido de tantalio, y que se utilizan en los circuitos integrados
de tipo híbrido (es decir, los que no están fabricados en un
único monocristal de silicio).
Los condensadores con óxido de silicio de los circuitos
integrados tienen la constitución que se muestra en la Figu-
ra 8. La placa inferior está formada por una capa de silicio
de tipo n+. Una capa fina de óxido de silicio constituye el
dieléctrico. La placa superior metálica del condensador se
deposita al mismo tiempo que las interconexiones del circui-
to integrado, mediante la evaporación de aluminio.
170
Figura 8
Son varios los inconvenientes de los condensadores con
dieléctrico de óxido de silicio, pero el principal es debido a
que la constante dieléctrica del SiO2 es tan solo de alrede-
dor de 4, por lo que las capacidades alcanzables no serán
muy grandes. Aparte de ello, el coeficiente de temperatura,
es decir, la variación relativa de la capacidad por grado de
temperatura, es un poco alto para los condensadores con die-
léctrico de óxido de silicio. Por tanto, en aplicaciones don-
de se requiera una capacidad alta y, sobre todo, cuando sea
necesario un valor constante con la temperatura, se utiliza
el dieléctrico de óxido de tantalio que tiene una constante
dieléctrica de alrededor de 27.
La estructura de los condensadores de película delgada
con Ta2O5, obtenida por lo general por oxidación anódica de
tantalio previamente depositado por pulverización catódica
(sputtering), se muestra en la Figura 9.
Figura 9
En la práctica, y debido también al pequeño espesor y
alta rigidez dieléctrica de los óxidos anódicos, se consiguen
con el Ta2O5 densidades de capacidad en estructuras planas
de hasta 0.20 mF/cm2, alrededor de un orden de magnitud
más elevadas que con los condensadores de óxido de silicio.
Otra ventaja del tántalo es que las resistencias en tecnología
híbrida de capa fina y las interconexiones del circuito inte-
grado también se pueden fabricar a partir de este material.
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 20
CAPÍTULO

Propiedades magnéticas
de los materiales

RECURSOS DIGITALES

Nota 20.1. Relaciones giroscópicas

Nota 20.2. Cuantización de momentos
angulares y magnéticos
Nota 20.3. Campo magnético interior
de un solenoide
Nota 20.4. Permeabilidad diamagnética
Nota 20.5. Permeabilidad
paramagnética de Pauli
Nota 20.6. Deducción de la ley
paramagnética de Curie
Nota 20.7. La ley de Curie-Weiss
Nota 20.8. Obtención de curvas de
magnetización
Nota 20.9. Almacenamiento magnético
de información

Adenda: A
 lmacenamiento de
energía magnética por
superconducción
Capítulo 20 Propiedades magnéticas de los materiales
Nota 20.1
Relaciones giroscópicas
La relación que liga el momento dipolar magnético orbital
de un electrón con el momento angular de su movimiento
orbital en torno al núcleo puede deducirse clásicamente. En
efecto, consideremos un electrón, masa me y carga –e, que se
mueve con velocidad v en un círculo de radio r en torno al
núcleo atómico, como se muestra en la Figura 1.
Figura 1
El momento angular orbital del electrón tiene dirección
perpendicular al plano de la figura anterior, y su módulo:
Le = mevr
Por otra parte, el momento dipolar magnético orbital,
mLe , se ha de calcular como el producto de la corriente por el
área del círculo que describe el electrón, es decir:
m Le = I ⋅ A = I ⋅ π r 2
Si t es el tiempo que tarda el electrón en completar una
revolución (periodo), la intensidad de corriente (carga que
pasa por un punto en la unidad de tiempo) será igual a e τ .
Como el periodo t es igual a la distancia 2π r dividida por la
velocidad v, la intensidad se expresará como
I=
e
=
ev
τ 2π r
Y el momento magnético será, por tanto,
ev evr
mLe = π r2 =
2π r 2
Teniendo en cuenta que Le = me vr , resulta que el módulo
del momento magnético orbital cumplirá que:
172
e
mL e = Le
2me
que vectorialmente se expresa como:
e
mL e = − Le
2me
La ecuación anterior representa la relación clásica entre
el momento magnético y el momento angular, y recibe el
nombre de relación giroscópica. En la teoría cuántica del
átomo, esta relación sigue siendo válida para el momento
orbital, pero no para el momento magnético de espín. Para
el espín electrónico, el momento magnético es el doble del
previsto por la ecuación anterior, de modo que la expresión
correcta es:
e
m Se = Se
me
Y vectorialmente
e
m Se = − Se
me
El factor extra 2 es un resultado de la teoría cuántica que
no tiene explicación en la teoría clásica; por tanto, la imagen
de que el espín representa el giro del electrón sobre sí mismo
puede ser muy atractiva, pero no es correcta.
También es un hecho exclusivamente cuántico el que el
módulo y la orientación de los momentos dipolares magné-
ticos estén cuantizados, esto es, que solo puedan tomar un
conjunto de valores restringidos, múltiplos enteros de ciertas
cantidades (cuantos). Desde el punto de vista de la Física
Clásica, esto sería algo sencillamente inconcebible.
Nota 20.2
Cuantización de momentos angulares
y magnéticos
La discusión del comportamiento magnético, incluso de ma-
nera cualitativa, requiere cierta familiaridad con la manera
en que interaccionan y se combinan los momentos orbital
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y de espín de los electrones individuales en un átomo. El
asunto es suficientemente complejo como para que nuestro
propósito aquí sea solo resumir los puntos más importantes,
sin tratar de justificarlos.
 La escala macroscópica de los materiales Bloque 3

A. Números cuánticos atómicos de la corteza de un átomo. Para encontrar la configuración

electrónica de un átomo basta conocer su número atómico
El estudio cuántico de los átomos demuestra que los movi-
(el número de electrones de que consta su corteza en estado
mientos de los electrones alrededor del núcleo puede carac-
fundamental) y seguir el orden de llenado que recuerda el
terizarse por cuatro números cuánticos: n, l, ml y ms. Cada
diagrama de Moeller (Figura 1):
combinación de cuatro de estos números identifica plena-
mente a uno (y solo uno) de los electrones que constituyen el
átomo. Dependiendo del valor de los tres primeros números
diremos que el electrón se mueve en uno u otro orbital (el
orbital viene a ser la región del espacio en la que se halla
confinado el electrón).
La energía de un determinado electrón está determinada
en gran manera por el número cuántico principal, n; que es
un número entero que toma valores de 1 en adelante (siendo
n = 1 el que hace referencia al valor más pequeño de ener-
gía). El valor de n da cuenta del tamaño del orbital; mayor
cuanto más alto es el valor de n.
Para un n dado, el momento angular orbital de un elec-
trón está caracterizado por el número cuántico secundario,
azimutal u orbital, l, que puede tomar valores enteros que
van desde 0 hasta ( n − 1). Además, l también da cuenta de
la forma del orbital al que pertenece el electrón. La forma
del orbital se identifica normalmente con las letras s, p, d y
Figura 1
f. Así, un orbital de tipo s corresponde a un valor l = 0 , el
orbital tipo p al valor, l = 1, el d a l = 2 , el f a l = 3 . Dado
que l puede tomar valores desde 0 a ( n − 1), el nivel n = 1 Sin embargo, la configuración obtenida mediante el dia-
contiene solo orbitales s, el nivel n = 2 contiene orbitales s y grama de Moeller describe el orden de llenado, pero no el or-
p, el n = 3 contiene orbitales s, p y d, etc. den en que se pierden (arrancan) los electrones de un átomo
cuando este se ioniza. Para conocer la configuración electró-
El momento angular de los electrones conlleva un mo-
nica de un átomo ionizado, siempre se ha de partir de la con-
mento dipolar magnético orbital, pero a diferencia de lo que
figuración electrónica convenientemente ordenada, y a partir
cabe esperar de la física clásica, en presencia de un campo
de ella, eliminar cuantos electrones requiera la ionización.
magnético B 0 , este dipolo solo podrá disponerse en un nú-
mero limitado de orientaciones con respecto a B 0 . Estas po-
sibles orientaciones se describen por los valores del número B. M
 omentos angular y magnético
cuántico magnético, ml; que también es un número entero que de un electrón
puede tomar los valores –l, …, 0, …, +l. (Por tanto, la energía Ya hemos dicho que el número cuántico l determina el mo-
de un determinado electrón no solo dependerá de los valores mento dipolar magnético orbital de un electrón, pero ¿de qué
de n y l, sino también, aunque en menor medida, de ml.) modo? La Física Cuántica nos demuestra que un electrón
Además de n, l y ml , el electrón exhibe un momento dipo- con número cuántico secundario l, tendrá un momento angu-
lar magnético intrínseco (que podemos suponer debido a una lar que viene dado por
rotación sobre sí mismo). Sorprendentemente, en presencia
de un campo magnético, la dirección de este dipolo solo pue- Le = Le =  l (l + 1) (1a)
de ser paralela o antiparalela a la dirección del campo. El
cuarto número cuántico, que llamaremos número cuántico
de espín, ms, solo puede tomar dos valores: ± 12 , y es el encar- siendo  = h 2π , y h la constante de Planck.
gado de describir el momento dipolar magnético intrínseco Vemos, a partir de esta expresión, que para un orbital de
de cada electrón. Del mismo modo que ml tomaba los valores tipo s (por lo que l = 0 ), el momento angular orbital será 0, lo
comprendidos entre –l y +l, por similitud, diremos que ms que quiere decir que los electrones situados en orbitales tipo
puede tomar los valores –s y +s, con la diferencia de que s s no contribuirán al momento dipolar magnético orbital, que,
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=1/2 siempre. como vimos en la Nota 20.1, será proporcional a Le . En cam-

Digamos, por último, que la configuración electrónica bio, los electrones ubicados en orbitales tipo p ( l = 1 ) tendrán
de un átomo es una forma de describir cómo se distribuyen un momento angular orbital Le =  2 , por lo que contribui-
(y qué números cuánticos poseen) los distintos electrones rán con un momento magnético orbital no nulo.

173
Capítulo 20 Propiedades magnéticas de los materiales
Como hemos dicho, la orientación del momento angu-
lar respecto del campo aplicado también está cuantizada, y
viene determinada por el número cuántico ml . La relación
es directa en este caso: la componente del momento angular
orbital en la dirección del campo magnético aplicado, que
denotaremos por Lze , se calcula como:
Lze = ml (1b)
Una conclusión importante que podemos extraer compa-
rando las Expresiones (1a) y (1b) es que la componente del
momento angular orbital en la dirección del campo aplicado
es siempre menor que el módulo de dicho momento angular,
ya que ml < l (l + 1) . Esto significa que el vector momento
angular orbital nunca puede apuntar directamente en la di-
rección del campo, y en su lugar precesa en un cono alrede-
dor de dicha dirección. Este fenómeno de precesión es una
característica exclusivamente cuántica.
Por ejemplo, para un orbital d ( l = 2 ), las 5 posibles com-
ponentes del momento angular orbital sobre la dirección del
campo (eje Z) son +2 , + , 0 y − y −2 , como se muestra
en la Figura 2.
Figura 2
La magnitud del momento angular de espín de un elec-
trón individual se calcula a través de una relación similar a
la Expresión (1a)
Se = Se =  s(s + 1) =  3 2
(la última igualdad es consecuencia de que s = 12 , siempre).
De modo similar, la componente de este momento angular de
espín en la dirección del campo aplicado viene dada por la
relación equivalente a la Expresión (1b):

S ze = ms = ±
2 angular total de un electrón, Je = Se + Le , y su momento di-
174
que solo admite los valores reseñados puesto que ms = ± 12 .
De nuevo, vemos que la componente a lo largo de la direc-
ción del campo aplicado es más pequeña que el módulo del
momento angular de espín. Por lo tanto, tampoco el vector
momento angular de espín puede ser paralelo a la dirección
del campo, sino que precesa en torno a la dirección del cam-
po, describiendo un cono.
Lógicamente sería deseable poder describir el momento
angular total de cada electrón individual, resultante de la suma
de las contribuciones orbital y de espín. Esto es posible com-
binando los números cuánticos l y s mediante la definición de
un número cuántico j tal que j = l + s = l + 12 . Asociado a este
j, se define también, y por semejanza, el número cuántico m j
como un entero que varía entre − j y + j . Esta definición del
número j hace posible que el módulo del momento angular
total del electrón (orbital+espín) pueda calcularse de modo
semejante al anteriormente descrito, esto es:
Je = Je =  j ( j + 1)
y su componente en la dirección del campo magnético apli-
cado, que denotaremos por Jze , como:
J ze = m j
Para terminar, nos falta establecer qué relaciones ligan a
los momentos angulares con los momentos dipolares mag-
néticos. Para simplificar, solo nos referiremos al momento
dipolar magnético total. El módulo del momento dipolar
magnético asociado con J, se calcula como:
e
mj = mj = g Je = g μ B j ( j + 1)
2me
donde μ B = e (2me ) es el magnetón de Bohr, y g es el de-
nominado factor de desdoblamiento de Landé. Si el electrón
siguiera un movimiento orbital puro, g = 1 ; en cambio, si el
movimiento fuera de rotación puro (espín), entonces g = 2 .
En cualquier otra situación, g tomará un valor intermedio
entre 1 y 2.
Además, la componente del momento dipolar magnético
en la dirección del campo magnético aplicado, m j z , se calcu-
la como:
e
mj z = g Jze = g μ B m j
2me
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Fíjese, que como consecuencia de que el factor g para el
espín y para la órbita no tienen el mismo valor, el momento
 La escala macroscópica de los materiales Bloque 3

polar magnético total, m j e = 2ms e + ml e , no tendrán la misma

J = J =  J ( J + 1)
dirección.
J z = M J
C. M
 omentos angular y magnético
de un átomo Por otro lado, el módulo del momento magnético dipolar
Los electrones de la corteza de un átomo tenderán a ocupar de todo el átomo y su componente en la dirección del campo
los estados de menor energía, pero respetando el principio de magnético aplicado se calcularán como:
exclusión de Pauli, es decir, garantizando que solo existe un
electrón con los mismos valores de n, l, ml, y ms. 2
mJ = mJ = g J = g μ B J ( J + 1) (2a)
El estado fundamental de un átomo (el de mínima ener- 2me
gía) se determina combinando los números cuánticos de los
electrones individuales de acuerdo con un conjunto de ins-
trucciones conocidas como las reglas de Hund. Resumida- 2
m Jz = g Jz = g μ B M J (2b)
mente, estas reglas dicen: 2me
(1) Dentro de un mismo subnivel, los espines de los elec-
trones se distribuyen de modo que exista el mayor nú- donde el factor de Landé se calcula ahora por medio de la
mero posible de espines desapareados sin que se viole expresión:
el principio de Pauli (es decir, solo dos electrones por
cada valor de ml ). Haciendo ms = + 12 o ms = − 12 para
cada electrón, según la dirección de su espín, se calcu- 3 S ( S + 1) − L( L + 1)
g= + (2c)
la entonces el número cuántico del momento angular 2 2 J ( J + 1)
de espín atómico, S = ∑ ms . Lo que dice esta regla
se puede resumir en que los espines electrónicos se Nótese que de acuerdo con la Expresión (2b) la compo-
disponen de tal modo que S sea máximo. nente del momento magnético atómico total a lo largo del
(2) Los electrones con espines asignados de acuerdo con eje del campo aplicado (que es lo que determina el cambio
la Expresión (1) se distribuyen entre los valores po- de energía en presencia de un cambio magnético) es una fun-
sibles de ml de manera que L = ∑ ml sea máximo. L ción de los números cuánticos S, L y J, y no de solo J, debido
es el número cuántico del momento angular orbital a la presencia de g. Ello significa que los vectores momento
atómico. angular atómico, J , y momento dipolar magnético, mJ , no
De modo similar al número cuántico j de cada electrón in- son paralelos. Esto se ve más claramente en la Figura 3.
dividual, con ayuda de las reglas anteriores calcularemos un
número cuántico compuesto, que llamaremos número cuán-
tico del momento angular atómico y que designaremos por
J. Este J tomará valores enteros comprendidos entre L − S
y L + S . El estado fundamental, el de menos energía, vendrá
dado por J = L − S para una capa que está llena a menos de
la mitad y por J = L + S para una capa que está llena a más
de la mitad. Matemáticamente, podemos escribir:

⎧ L−S si f oc < 50%

J =⎨
⎩ L+S si f oc ≥ 50%

(Este modo de operar responde a un hecho físico cono-

cido como acoplamiento espín-órbita, que es consecuencia
de la interacción de intercambio.) Asociado a J, se define el Figura 3
número cuántico M J , como un entero que puede tomar los
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valores comprendidos entre − J y + J . El momento angular orbital L (suma de todos los momen-
Con todo, el módulo del momento angular total atómi- tos angulares orbitales electrónicos) y el de espín S (suma de
co, y su componente a lo largo de la dirección del campo se todos los momentos angulares de espín electrónicos) se aco-
calcularán como: plan para dar lugar al momento angular total J . De modo

175
Capítulo 20 Propiedades magnéticas de los materiales
similar, el momento dipolar magnético orbital total, mL , y el
momento dipolar magnético de espín total, mS , se acoplan
para dar el momento dipolar magnético total mJ . Como la
constante de proporcionalidad que relaciona L con mL es
solo la mitad de la constante que relaciona S con mS , el mo-
mento dipolar magnético total, mJ , no tendrá exactamente la
misma dirección que J . Como L y S precesan rápidamente
en torno a J , también lo harán mL y mS , lo que provoca que
mJ también precesará en torno a J , a la misma velocidad.
De este modo, la componente mJ perpendicular a − J será en
promedio cero, y la componente paralela a − J permanecerá
constante con magnitud mJ z .
Nota 20.3
Campo magnético interior
de un solenoide
Consideremos un material en forma de cilindro que está
magnetizado uniformemente en la dirección paralela al eje
del cilindro, con una magnetización M por unidad de volu-
men, tal como muestra la Figura 1:
Figura 1
Esto significa que los dipolos magnéticos atómicos o mo-
leculares están orientados paralelamente al eje, por tanto, las
corrientes electrónicas que los generan serán perpendicula-
res a dicho eje. En la Figura 2 se puede ver que las corrientes
internas tienden a cancelarse entre sí, debido a los efectos
contrarios de las corrientes adyacentes. Aun cuando supon-
gamos que la cancelación es completa dentro del material,
de modo que no haya una corriente neta interior, no sucede
lo mismo en su superficie, en donde subsistirá una corriente
neta equivalente Isup.
Figura 2
176
Existe una relación entre la corriente superficial equiva-
lente en el cuerpo magnetizado y la magnetización. Si A es el
área de la sección transversal del cilindro y l su longitud, su
volumen es lA y, por tanto, su momento magnético total será
MlA. Como, por otro lado, el momento magnético total puede
calcularse como IsupA, podemos concluir que M l = I sup , y que
la corriente superficial por unidad de longitud (Imag = Isup  l), /
que llamaremos corriente de magnetización (para distinguir-
la de la corriente debida a flujo de cargas) es precisamente M.
Aunque este resultado ha sido obtenido para una geometría
particular, resulta ser de validez general.
Consideremos nuevamente un cuerpo cilíndrico, pero
ahora situado dentro de un solenoide largo que es recorrido
por una corriente I. El campo magnético que produce el so-
lenoide magnetiza el cilindro, y da lugar en él a una corriente
superficial de magnetización en la misma dirección que I.
Como ya hemos visto, la corriente superficial de magnetiza-
ción por unidad de longitud es Imag = M. Si el solenoide tiene
nv vueltas por unidad de longitud, el sistema solenoide-cilin-
dro magnetizado sería equivalente a un solo solenoide que
llevase una corriente por unidad de longitud igual a nv I + Imag
o nv I + M. Esta corriente solenoidal efectiva da lugar a un
campo magnético resultante, B, paralelo al eje del cilindro.
Un solenoide largo con nv espiras por unidad de longitud y
recorrido por una intensidad I crea un campo magnético en
su interior cuya inducción magnética se calcula como:
B 0 = μ 0 nv I
donde m0 es la permeabilidad del vacío. Esta expresión pue-
de deducirse a partir de la ley de Ampère si suponemos que
el solenoide es muy largo comparado con el radio de sus
espiras, que el campo en el interior del solenoide es aproxi-
madamente uniforme y paralelo al eje, y que el campo fuera
del solenoide es nulo. Con estas consideraciones podemos
aplicar la ley de Ampère que dice que la circulación del cam-
po magnético a lo largo del camino cerrado elegido es igual
al producto de la intensidad que atraviesa dicho camino ce-
rrado I multiplicada por μ0 , esto es,
 B 0 ⋅ dl = μ0 I
∫
Consideremos el camino cerrado ABCD representado en
la Figura 3.
La circulación es la suma de cuatro contribuciones, una
por cada lado:
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⌠ B C D A
∫ ∫ ∫ ∫
⎮ B 0 ⋅ dl = A B 0 ⋅ dl + B B 0 ⋅ dl + C B 0 ⋅ dl + D B 0 ⋅ dl = B 0 d

⌡ 
(1) (2) (3) (4)
 La escala macroscópica de los materiales
Figura 3
Examinaremos ahora cada una de las contribuciones a la
circulación. Las integrales (1) y (3), correspondientes a los
lados AB y CD son nulas, ya que o bien B 0 y dl son per-
pendiculares, o bien B 0 es nulo (exterior del solenoide). La
integral (4), correspondiente al lado DA, vale también cero
puesto que el campo en el exterior al solenoide es cero. Por
último, la integral (2), valdrá B0 d , siendo d la longitud de
dicho lado BC, puesto que el campo es constante y paralelo
a dicho lado.
Por otro lado, la corriente que atraviesa el camino cerra-
do ABCD se puede calcular fácilmente: si tenemos nv espiras
por unidad de longitud, en la distancia d habrá nv d espiras.
Como cada espira transporta una corriente de intensidad I, la
corriente que atraviesa el camino cerrado ABCD será nv d I .
Así pues, de la ley de Ampére obtenemos que B0 d = μ0 nv d I ,
y de aquí que B0 = μ0 nv I .
¿Cómo cambia la situación si dentro del solenoide tene-
mos un material y no el vacío? En este caso, el cálculo del
campo magnético total B en el cilindro se realiza sustituyen-
do el producto nvI por la corriente total por unidad de longi-
tud, esto es,
B = μ 0 ( nv I + M ) ⇒ B = B 0 + μ 0M
y en términos vectoriales:
B = B 0 + μ 0M
Nota 20.4
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Permeabilidad diamagnética
Se comprueba experimentalmente que cuando una partícula
de masa m y carga q se mueve con velocidad v en el seno de
Bloque 3
un campo magnético B 0 experimenta una fuerza magnética
( Fm ) en dirección perpendicular a v y de módulo Fm = qvB0 ,
que actúa como fuerza centrípeta (Figura 1).
Figura 1
Como resultado, la partícula describe una circunferencia
de radio r tal que
v2 qB0 v
qvB0 = m ⇒ =
r m r
y como la velocidad de rotación resulta ser ω = v r , se tiene
que
qB0
ω=
m
Algo similar le sucede a los electrones atómicos cuando
se aplica un campo magnético B 0 , con la diferencia de que
estos ya estaban inicialmente girando alrededor del núcleo.
En ausencia de campo magnético aplicado, la ecuación diná-
mica que han de satisfacer los electrones de la corteza ató-
mica es:
v2
F0 = me = meω 2 r
r
siendo F0 la fuerza atractiva que ejerce el núcleo (fuerza de
Coulomb), r el radio de giro (la distancia al núcleo), v la ve-
locidad lineal del electrón y w su velocidad angular.
Si aplicamos ahora un campo magnético, B 0 , de modo
que su dirección sea perpendicular al plano de la órbita del
electrón considerado, el electrón sentirá, además de la fuerza
F0 , una fuerza adicional de Lorentz, FL = evB0 = eω rB0 , en
dirección radial. Esta nueva situación llevará a un pequeño
incremento de la velocidad angular, Δω . Este incremento
puede calcularse imponiendo la nueva ecuación dinámica:
F0 + FL = Fcentrípeta
me rω 2 + eωrB0 = me r (ω + Δω)2
177
Capítulo 20 Propiedades magnéticas de los materiales

de donde, despreciando el término (Δω )2 por ser muy pe- y, por tanto, la permeabilidad relativa resulta:
queño, resulta
M Ze2 R 2 n
eB μ r = 1 + μ0 = 1 − μ0
Δω = 0 B0 6 me
2me

De este sencillo tratamiento se infieren dos importantes

De este modo, podemos decir que el efecto del campo
magnético es equivalente a superponer, al movimiento nor-
mal de los electrones, otro movimiento circular en un pla-
no perpendicular al campo magnético, de radio r y periodo
T = 2π Δω . Si tenemos en cuenta que este movimiento elec-
trónico tiene un efecto magnético que puede considerarse
equivalente al de una espira circular por la que circula una
intensidad de corriente I = e T = eΔω 2π , el momento mag-
nético inducido, que designaremos por m D (D de diamagnéti-
co) se expresará como:
puntos: el primero es que el diamagnetismo no depende de
la temperatura, hecho que se comprueba experimentalmente;
el segundo que el diamagnetismo tiene una magnitud relati-
vamente débil. Sustituyendo valores, la magnetización típica
de los materiales diamagnéticos resulta ser MD ~ 10–28 nB0,
mientras que la magnetización paramagnética típica (a tem-
peratura ambiente) es de MP ~ 10–25 nB0, es decir, unas 1 000
veces mayor. Esto quiere decir que, en la mayoría de los
materiales, el efecto diamagnético quedará completamente
enmascarado.

⎛ Δω ⎞ ⎛ e2 r 2 ⎞
⎟ (π r ) = ⎜
2
mD = IA = e ⎜ ⎟ B0 (1)
⎝ 2π ⎠ ⎝ 4me ⎠ Nota 20.5
Antes de terminar debemos aclarar el significado de r. Permeabilidad paramagnética de Pauli
Este parámetro representa la distancia del electrón al centro
de giro (núcleo). Pero, obviamente, no todos los electrones de Para obtener la permeabilidad relativa debida al paramag-
la corteza electrónica están a la misma distancia del núcleo. netismo de electrones libres hay que hacer algunas consi-
Suponiendo un átomo con simetría esférica, puede demos- deraciones estadísticas y recordar algunos conceptos que se
trarse que la distancia cuadrática media de sus electrones al introdujeron en la Nota 17.4. En particular, conviene recordar
2
eje de giro que pasa por el núcleo, r 2 , viene dada por 23 R , el concepto de densidad de estados electrónicos, D ( E ) , que
siendo R el radio del átomo. Luego, en rigor, debería ser esta representaba el número de niveles por intervalo de energía.
distancia la que figurara en la Expresión (1), de modo que Teniendo esto presente, podemos decir que el número de elec-
podríamos reescribirla como: trones que verán incrementada o disminuida su energía por la
acción de un campo magnético, B0, se puede estimar como:
⎛ e2 R 2 ⎞
mD = ⎜ ⎟ B0 1
D ( EF ) × ΔE = 12 D ( EF ) ×m JzB0
⎝ 6 me ⎠ 2

siendo D ( EF ) la densidad de estados evaluada a la energía

que, vectorialmente, resulta:
⎛ e2 R 2 ⎞
mD = − ⎜ ⎟ B0
⎝ 6 me ⎠
donde el signo negativo indica que este momento magnético
es antiparalelo al campo aplicado. Trasladando este resulta-
do a todo el material, este se magnetiza en dirección opuesta
al campo aplicado. Si n es el número de átomos por unidad
de volumen y Z el número de electrones implicados por áto-
mo, entonces la magnetización se calculará como
de Fermi, y m JzB0 la energía magnética ganada o perdida por
los electrones por acción del campo magnético. (Fíjese que
el producto de D ( EF ) y m JzB0 representa el número de elec-
trones afectados. El factor ½ sirve para tener en cuenta solo a
los electrones cuyos espines están orientados paralelamente
o antiparalelamente, que antes de la aplicación del campo
estarían igualados en número).
Si la concentración de electrones de valencia es n, enton-
ces el número de electrones alineados paralelamente con el
campo se calcularía como:
n D ( EF )m JzB0
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n↑ = +
2 2V
Ze2 R 2 n
MD = − B0
6 me
siendo V el volumen de la muestra.

178
 La escala macroscópica de los materiales Bloque 3

Igualmente, la concentración de los alineados antipara- Nota 20.6

lelamente,
Deducción de la ley paramagnética
n D ( EF )m JzB0 de Curie
n↓ = −
2 2V
Dado que la teoría de Langevin describía correctamente el
comportamiento de los materiales paraléctricos (vea la Nota
Por tanto, la diferencia resulta: 19.5), resulta tentador extenderla a la descripción de los ma-
teriales paramagnéticos. Hay que asumir para ello que los
D ( EF )m JzB 0 dipolos magnéticos no interactúan entre sí y que se encuen-
n↑ − n↓ =
V tran orientados aleatoriamente como resultado de la agita-
ción térmica, lo que constituyen hipótesis bastante sensatas.
Siguiendo un razonamiento análogo al desarrollado en la
y teniendo en cuenta la Expresión (2) de la Nota 17.4, parti-
Nota 19.5, pero basado ahora en una distribución de dipolos
cularizada para el valor E = EF , se tiene que:
magnéticos en el seno de un campo magnético B0 , se llega a
un resultado completamente similar:
D ( EF ) 3n
=
V 2 EF ⎡ ⎛ mB ⎞ k T ⎤
MP = nm ⎢coth ⎜ 0 ⎟ − B ⎥ = nm (u ) (1)
⎣ ⎝ k BT ⎠ mB 0 ⎦
de modo que
donde MP es la magnetización paramagnética, u = mB0 kBT
3nm JzB0 y (u ) = coth(u ) − 1 u es la denominada función de Lange-
n↑ − n↓ = vin, cuyo desarrollo de Taylor es:
2 EF

u u 3 ...
Debe señalarse que la energía magnética, m JzB0 , resulta (u) ≈ − +
3 45
ser muy pequeña comparada con la energía de Fermi, EF.
Consecuentemente, solo una exigua fracción del número de
electrones de valencia en un metal se alineará con el campo, Reteniendo únicamente los términos de primer orden
por lo que el fenómeno que de ello se desprenda resultará ser (que son los dominantes para u  1, esto es, campos débiles
también muy débil. y temperaturas no muy bajas):
Y dado que cada electrón contribuye con un momento
magnético m, la magnetización vendrá dada por
nm u nm 2B0
MP ≈ = (2)
2
3 3k BT
⎛ 3nm ⎞
M P = (n↑ − n↓ )m Jz = ⎜ Jz
⎟ B0
⎝ 2 EF ⎠ O sea, la magnetización es proporcional al campo aplica-
do e inversamente proporcional a la temperatura; un hecho
Por otro lado, como de acuerdo con la Expresión (20.11), ampliamente probado experimentalmente (la ley de Curie).
MP = ( μr − 1) B0 μ0 , se deduce que Así, la susceptibilidad paramagnética se expresa como

3n mJz2 μ0 MP μ'0 nm 2 C
μr = 1 + χ m = μ'0 = = (3)
2 EF B0 3kBT T

Y como para los espines electrónicos, mJz = μ B (pues donde C es la llamada constante de Curie.
g = 2 y M J = 12 ), se obtiene finalmente que: Cuando los campos son muy intensos y las temperaturas
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bajas ( u → ∞ ), entonces las Expresiones (2) y (3) no son

válidas. En ese caso, coth(u) →1 y (u) →1 , por lo que la
3n μ B 2 μ0
μr = 1 + magnetización tenderá a su valor de saturación MP → nm .
2 EF En este caso, todos los momentos magnéticos de los átomos

179
Capítulo 20 Propiedades magnéticas de los materiales

estarán rigurosamente orientados en la dirección del campo. En el caso de campos débiles y temperaturas no muy ba-
Esto también es un hecho verificado experimentalmente. jas (es decir, para u  1), la función de Brillouin se puede
Ahora bien, este razonamiento clásico no es del todo aproximar a
correcto, pues estamos suponiendo que los momentos di-
polares magnéticos pueden adoptar cualquier orientación J +1
respecto a la dirección de B0 , lo que no es factible desde (u ) ≈ u + ...
3J
el punto de vista cuántico. La teoría cuántica afirma que la
componente del momento dipolar magnético de los átomos
en la dirección del campo magnético aplicado, m Jz , solo pue- Por lo que la magnetización se expresaría como:
de tomar una serie de (2 J + 1) valores, que vienen dados por
mJz = g μ B M J , donde el número cuántico M J solo puede to- ⎛ J +1 ⎞ ⎛ J + 1 g μB JB0 ⎞ ng 2 μB2 J ( J + 1)B0
mar los valores J, J − 1 , …, − J . Teniendo esto en cuenta, el MP ≈ ng μB J ⎜ u ⎟ = ng μB ⎜ ⎟=
⎝ 3J ⎠ ⎝ 3 k BT ⎠ 3kBT
valor medio de la proyección del momento magnético sobre
la dirección del campo se puede calcular mediante: (5)
⎛ J +1 ⎞ ⎛ J + 1 g μB JB0 ⎞ ng 2 μB2 J ( J + 1)B0
M ≈ ng μB J ⎜ u ⎟ = ng μB ⎜ ⎟=
M J =+ J
⎛ g μ BPB0 ⎞ ⎝ 3J ⎠ ⎝ 3 k BT ⎠ 3kBT
g μ B ∑ M J exp ⎜ MJ ⎟
m Jz =
M J =− J ⎝ k BT ⎠
M J =+ J
Y la susceptibilidad
⎛ g μ BB 0 ⎞
∑ ⎜ k T J⎟
exp M
M J =− J ⎝ B ⎠ M μ ng 2 μB2 J ( J + 1) C
χ m = μ'0 P = 0 = (6)
B0 3kBT T
Nótese que las habituales integrales para efectuar un
promedio integral, se sustituyen ahora por sumatorios, dado que es nuevamente la ley de Curie. Fíjese que podríamos
que los valores posibles son ahora discretos. Aun así, el de- haber obtenido las Expresiones (5) y (6) a partir de sus co-
nominador sigue teniendo la misma función: normalizar. El rrespondientes clásicas, (2) y (3), sin más que sustituir m por
cálculo, no obstante, de estos sumatorios es bastante más la-
mJ = g μ B J ( J + 1) , que es la expresión del módulo del mo-
borioso que el cálculo integral, por lo que solo mostraremos mento magnético cuántico, pero ¿cómo saberlo de antema-
la solución que es: no? Piense que las Expresiones (1) y (4) no coinciden.
mJz = g μ B J (u ) Para campos intensos y temperaturas muy bajas ( u → ∞ ),
entonces coth ( (2 J + 1)u 2 J ) → 1 y coth ( u 2 J ) → 1, por lo
que (u) → 1 y la magnetización alcanza el valor de satura-
en la que
ción, que ahora resulta ser
g μ B J B0
u=
k BT M P → ng μ B J

2J + 1 ⎛ 2J + 1 ⎞ 1 ⎛ u ⎞
Nota 20.7
(u ) = coth ⎜ u⎟ − coth ⎜ ⎟
2J ⎝ 2J ⎠ 2J ⎝ 2J ⎠
La ley de Curie-Weiss
es la denominada función de Brillouin. ¿Cómo modelar la dependencia térmica de la susceptibilidad
de un material ferromagnético? Para empezar, sabemos que
La magnetización paramagnética se calculará pues, para
a temperaturas superiores a cierta temperatura crítica, que
campos intensos y/o temperaturas bajas, como:
denominamos temperatura de Curie (TC), el comportamien-
to del material es esencialmente paramagnético, así pues,
MP = n mJz = ng μ B J (u ) (4) para temperaturas suficientemente altas podemos suponer
válida la ley de Curie, esto es,
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Cuando J → ∞ , la Expresión (4) se transforma en la ex-

presión clásica de Langevin, dada por la Expresión (1). En μ0 M C
efecto, si J → ∞ , entonces coth (u 2 J ) ≈ 2 J u + ..., por lo χm = = (1)
B0 T
que (u) → coth (u ) − 1 u = (u) .

180
 La escala macroscópica de los materiales Bloque 3

Ahora bien, las similitudes terminan ahí. Cuando se apli- A. Principio de medida
ca un campo magnético B0 a un material ferromagnético, se
El método más extendido para la medida del ciclo de his-
origina en este una magnetización, M , que, a diferencia de lo
téresis de los materiales se basa en la medida de la tensión
que ocurría en los paramagnéticos verdaderos, dará lugar al
inducida en un circuito cuando varía en el tiempo la magneti-
llamado campo de Weiss, BW . Dicho campo es directamente
zación de un material. Supongamos que tenemos una mues-
proporcional a la magnetización, esto es, BW = λ μ0M , siendo
tra de material ferromagnético en forma de barra de sección
l una constante independiente de la temperatura. Así pues, el A, sobre la que se ha arrollado una bobina de N espiras (pri-
campo en el interior del material se regirá por la Expresión
mario), que se conecta a una fuente de tensión. Aislado del
(20.13):
primero, disponemos un segundo arrollamiento (secundario)
que se conecta a un voltímetro (Figura 1).
Bloc = B0 + μ0M + BW

Bloc = B0 + μ0 (1 + λ )M

Sustituyendo B 0 , por la expresión de Bloc , en la Expre-

sión (1), obtenemos:

μ 0M C
=
B0 + μ0M (1 + λ ) T
Figura 1
de donde, reordenando,
El flujo magnético que atraviesa las bobinas (y la mues-
tra) será:
μ 0M C
=
B0 T − C (λ + 1)
Φ = NAB (1)

Por lo que, la susceptibilidad se expresará como: siendo B el campo en el interior del solenoide.
Este flujo magnético se puede hacer variar, haciendo que
C la tensión eléctrica aplicada a la bobina más interna (pri-
χm =
T − C (λ + 1) mario) varíe en el tiempo. Entonces, en virtud de la ley de
inducción electromagnética de Faraday, si el flujo magnéti-
co varía en el tiempo, se inducirá una tensión en el circuito
que coincide con la ley de Curie-Weiss, Expresión (20.26) secundario, Vs, también variable, que será proporcional a la
sin más que definir TC = C (λ + 1) . derivada temporal del flujo magnético:

dΦ(t ) dB (t )
Vs (t ) = − = − NA
Nota 20.8 dt dt

Obtención de curvas de magnetización de donde

La caracterización de un material magnético se lleva a cabo Vs (t )

dB (t ) = − dt
mediante la medición de la variación de su magnetización M NA
(o la polarización magnética, que se define como J = μ0M)
con el campo magnético aplicado B0. Así pues, integrando la expresión de arriba conseguimos
Las curvas más importantes son la curva de histéresis y
la curva de conmutación. Estas curvas tienen la misma de- 1
B (t ) ∝ Vs (t )
©  Ediciones Paraninfo

finición básica para los materiales magnéticamente duros y NA

blandos, pero la información práctica que se extrae a partir
de ellas es diferente, debido a las diferencias de las aplica- que nos da el valor de B (campo en el interior del material).
ciones potenciales de los materiales implicados. Por otro lado, el campo magnético aplicado B0 se determina

181
Capítulo 20 Propiedades magnéticas de los materiales
sabiendo que B0 (t ) = μ0 nv I (t ) , siendo I (t ) la intensidad que
recorre la primera bobina y nv es el número de vueltas (espi-
ras) de que consta la bobina. La representación en ejes B vs.
B0 da lugar a la curva de histéresis buscada.
B. Dispositivo experimental de medida
En esencia, consta de dos circuitos: el primario y el secunda-
rio. Un esquema para la medida del ciclo de histéresis de un
material podría ser como el mostrado en la Figura 2:
Figura 2
El circuito primario aplica al solenoide magnetizante
una tensión alterna producida por un generador de funcio-
nes y un amplificador. El campo magnético generado por el
solenoide será proporcional a la intensidad que circula por
el mismo ( B0 (t ) = μ0 nv I (t ) ). Dicha intensidad, I (t ) , es re-
gistrada por un osciloscopio a través de la caída de potencial
en una resistencia de valor conocido, conectada en serie con
este circuito primario.
El circuito secundario consta fundamentalmente de una
pequeña bobina arrollada sobre el solenoide magnetizante
(bobina de lectura o secundaria).
Dado que el campo magnético en el interior de la muestra
viene dado por la expresión siguiente:
B = B 0 + μ0M
entonces, el flujo magnético F que aparece en la Expre-
sión (1) y que traviesa la bobina de lectura secundaria ten-
drá dos contribuciones: la debida a la magnetización de la
muestra, Φ M = NAM μ0 M , y la debida al campo aplicado,
Φ 0 = NAbobinaB0 , siendo AM el área de la sección de la mues-
tra y Abobina el área de la sección transversal de la bobina de
lectura.
Para el trazado de la curva de histéresis solo necesitamos
la contribución de Φ M . Para poder eliminar Φ 0 , se conecta
en el circuito secundario una segunda bobina en serie. En
182
esta segunda bobina (llamada de compensación) no se in-
troduce la muestra y está diseñada de tal forma que recoge
solo el flujo Φ0. Esto quiere decir que la muestra sobresale
del solenoide magnetizante. Sobre la parte de la muestra cu-
bierta por el solenoide se dispone la bobina de lectura, sobre
el extremo de la muestra que no cubre el solenoide magneti-
zante, se arrolla la bobina de compensación. De esta forma,
la tensión inducida en el circuito secundario será solo pro-
porcional a la magnetización de la muestra.
La integración temporal de la señal de tensión recogida
por el circuito secundario se realiza electrónicamente me-
diante un circuito integrador. Si representamos en abscisas la
caída de potencial en la resistencia del primario (proporcio-
nal al campo magnético aplicado) y en ordenadas, la tensión
de salida del integrador (proporcional a la magnetización),
se obtiene el ciclo de histéresis del material.
C. Curva de histéresis
La medida del ciclo de histéresis se realiza variando el cam-
po magnético hasta el valor máximo accesible. A partir de
los datos se obtendrán los valores de la magnetización de
saturación, la magnetización remanente y del campo coerci-
tivo del material.
Una vez medido el ciclo de histéresis del material, se re-
duce lentamente el campo aplicado, con el fin de desmagne-
tizar la muestra.
D. Curva de conmutación
Otra forma de caracterizar un material ferromagnético, par-
tiendo de un estado desmagnetizado, consiste en realizar
varios ciclos de histéresis con amplitudes crecientes. La re-
presentación del valor máximo de magnetización frente al
campo máximo de cada ciclo constituye la llamada curva de
conmutación (M máx vs. B0máx ). Bajo ciertas circunstancias,
especialmente a bajas frecuencias, esta curva suele coincidir
con la curva de primera magnetización.
E. El problema de la geometría
Debido a los efectos de desmagnetización en muestras de
circuito abierto, la relación intrínseca entre M y B0 depende
de la forma de la muestra: B0 generalmente no es uniforme
dentro de la muestra y la M efectiva es difícil de evaluar (el
problema es más importante en materiales magnéticos du-
ros). Las condiciones de circuito cerrado pueden conseguir-
se si la muestra tiene geometría toroidal (lo que no siempre
es posible), una solución que es conocida como anillo de
Rowland (Figura 3a). Otra alternativa, que es la forma habi-
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tual en la que resuelven los equipos comerciales de medida,
consiste en cerrar los extremos de la muestra a través de un
yugo fabricado con un material de alta permeabilidad mag-
nética (Figura 3b).
 La escala macroscópica de los materiales
(a) (b)
Figura 3
La mayoría de las normas internacionales recomiendan
métodos de medida basados en circuitos cerrados. La Figu-
ra 4 muestra esquemáticamente el aspecto de un moderno
equipo de medida (normalmente, denominado permeágra-
fo). En la La Figura 4a se puede observar la fuente de po-
tencia y la unidad de control. El yunque, en cuyo entrehierro
central se coloca la muestra a analizar, rodeada del solenoide
de medida, se muestra en la Figura 4b.
(a) (b)
Figura 4
Nota 20.9
Almacenamiento magnético
de información
En la actualidad, los medios de almacenamiento magnéticos
se utilizan ampliamente para almacenar datos informáticos
(discos duros, principalmente), señales de audio y vídeo, etc.
Se trata de un tipo de memoria no volátil, es decir, no pere-
cedera.
La técnica de almacenamiento magnético consiste en
«escribir» o «grabar» diferentes patrones de magnetización
que representan «ceros» y «unos» en un material magnetiza-
ble. La información es leída y escrita empleando cabezas de
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lectura y escritura (que pueden ser la misma). Estas cabezas
de lectura y escritura detectan y modifican la magnetización
del material inmediatamente debajo de él. Cada una de las
dos posibles orientaciones magnéticas representa un «0» o
Bloque 3
un «1». Las cabezas de lectura-escritura operan muy cerca (a
menudo decenas de nanómetros) sobre la superficie magnéti-
ca (Figura 1). Las cabezas no llegan a estar en contacto físico
con la superficie del plato gracias a un «colchón de aire».
La superficie magnética está conceptualmente dividida
en muchas pequeñas regiones magnéticas de tamaño sub-
micrométrico, normalmente denominadas dominios (aunque
no coincidan con los dominios magnéticos físicos, en senti-
do riguroso), cada una de los cuales tiene una magnetización
uniforme. Debido a la naturaleza policristalina del material
magnético, cada una de estas regiones magnéticas se com-
pone de unos pocos cientos de granos magnéticos monodo-
minios de 10 nm de tamaño típico. Cada región magnética
forma un dipolo magnético que genera un campo magnético.
En las antiguas unidades de disco duro (HDD), las regio-
nes estaban orientadas horizontalmente, paralelamente a la
superficie del disco, pero en los dispositivos modernos, la
orientación es perpendicular, para aumentar así la densidad
de dominios magnéticos.
Figura 1
Para que el almacenamiento de los datos sea fiable, el
material de grabación necesita resistir la auto-desmagneti-
zación causada por la influencia de los dominios vecinos.
Los dominios magnéticos demasiado próximos entre sí, en
un material no demasiado duro magnéticamente, se degra-
darán con el tiempo debido a la tendencia a la rotación del
momento magnético de uno o más dominios para cancelar
estas fuerzas. Los dominios giran a una orientación a medio
camino entre la de sus dos vecinos, aliviando las tensiones
magnéticas, pero debilitando la legibilidad del dominio. Los
discos duros antiguos empleaban óxido de hierro (III) como
material magnético, pero los discos actuales emplean una
aleación de base cobalto.
Los primeros discos duros utilizaban una bobina tanto
para magnetizar la región como para leer su campo magné-
tico remanente, haciendo uso en ambos casos del principio
de inducción electromagnética. Las versiones posteriores de
cabezas inductivas han cambiado su diseño. A medida que
aumentaba la densidad de datos, se hizo necesario emplear
cabezas de lectura de magnetorresistividad, en las que la re-
183
Capítulo 20 Propiedades magnéticas de los materiales
sistencia eléctrica del material del cabezal cambia en función
del campo magnético que ejerce la superficie magnética. El
desarrollo posterior hizo uso de la espintrónica, empleando
estructuras compuestas con magnetorresistividad gigante.
En la actualidad, los elementos de lectura y escritura son in-
dependientes, pero están muy próximos, en el extremo de
un brazo actuador. El elemento de lectura es típicamente
magnetorresistivo mientras que el elemento de escritura es
típicamente de película delgada inductiva (en esencia, una
bobina).
Adenda
Almacenamiento de energía magnética
por superconducción
A. Principio de funcionamiento
Si un anillo de material superconductor en estado conductor
(es decir, por encima de su Tc ) se coloca en el seno de un
campo magnético uniforme y se enfría hasta llevarlo al es-
tado superconductor (SC), se originan en él unas corrientes
eléctricas que fluyen en direcciones opuestas en las superfi-
cies internas y externas del anillo, tal como se muestra en la
Figura 1a. Estas corrientes provocan la exclusión del cam-
po del propio material del anillo (efecto Meissner), pero no
afecta al campo dentro del orificio del anillo.
Si eliminamos el campo magnético aplicado, la corriente
en la superficie externa del anillo desaparecerá, pero la corrien-
(a)
(b)
Figura 1
184
te en la superficie interna persistirá, en principio indefinida-
mente. Se dice entonces que el anillo SC ha atrapado el campo
magnético en el orificio, como se muestra en la Figura 1b.
Para aumentar la capacidad de almacenamiento, los siste-
mas reales no emplean un único anillo, sino toda una bobina
(Figura 2). Debido a las fuerzas magnéticas que ha de sopor-
tar la bobina, tendentes a expandirla, esta debe estar perma-
nentemente sometida a esfuerzos de compresión por medio
de zunchos laterales y de discos de contención por arriba y
por abajo. En este sentido, la geometría toroidal es de gran
ayuda pues puede ayudar a disminuir las fuerzas magnéticas
que ha de soportar la bobina, permitiendo reducir así el ta-
maño de la estructura mecánica de soporte.
Figura 2
B. S
 istemas de almacenamiento
de energía magnética
Cualquiera de los sistemas descritos anteriormente consti-
tuye lo que se ha venido en llamar Sistemas de Almacena-
miento de Energía Magnética por Superconducción, más
conocidos por sus siglas inglesas SMES (de Superconduc-
ting Magnetic Energy Storage). Así pues, de forma genérica,
podemos definir un SMES como un sistema de almacena-
miento de energía en forma del campo magnético creado por
una corriente continua que circula por un anillo, toroide o
bobina de material en estado superconductor.
Un sistema SMES típico está constituido por cuatro com-
ponentes: (i) un anillo o bobina superconductora, (ii) un sis-
tema electrónico de potencia que lo carga o descarga, (iii) un
sistema de refrigeración criogénico y (iv) una estructura de
soporte y contención.
Una vez que la bobina superconductora ha sido cargada,
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la corriente ya no disminuye puesto que no hay pérdidas por
efecto Joule y la energía magnética por ella generada podrá
ser almacenarse indefinidamente, y extraída (entregada a la
red) cuando sea requerido.
 La escala macroscópica de los materiales
Para extraer la energía de la bobina se ha de interrumpir
la corriente que circula por ella, abriendo y cerrando repeti-
damente un conmutador de estado sólido del sistema de elec-
trónica de potencia. Debido a su alta inductancia, la bobina
se comporta como una fuente de corriente que puede utili-
zarse para cargar un condensador que proporciona una entra-
da de tensión continua a un inversor que produce la tensión
alterna requerida, que puede ser volcada a la red eléctrica.
El rendimiento neto de estos sistemas supera a veces
el 95 %; valor muy elevado si se compara con el de otros
sistemas de almacenamiento de energía. En el cálculo del
rendimiento de estos dispositivos ha de tenerse en cuenta
que si bien las pérdidas por efecto Joule son prácticamente
nulas, no lo es el consumo eléctrico de los equipos de crio-
genización. Este problema se mitiga con el aumento de la
temperatura crítica del material superconductor de la bobina,
y se reduciría enormemente si dispusiésemos de materiales
SC que trabajasen a temperatura ambiente (uno más de los
alicientes que impulsan este campo de investigación).
La construcción de electroimanes superconductores, no
obstante, no es una tarea sencilla. Una de las dificultades se-
rias e inesperadas con que se toparon los constructores de
este tipo de electroimanes fue la degradación de los cables
superconductores en los solenoides. Resulta que los valo-
res de las corrientes críticas de cables cortos son mayores
que los de los cables largos del mismo material. Debido a
ello, cuando la intensidad de la corriente es casi dos veces
menor que los valores críticos esperados, pueden empezar
a producirse caídas esporádicas del estado superconductor
en algunas zonas, que se calientan rápidamente por efecto
Joule. Ello produce una rápida caída en cadena de la su-
perconductividad en toda la bobina. Al mismo tiempo, la
energía almacenada en el campo magnético se transforma
en calor, y el gas criogenizado (helio) empieza a evaporarse
rápidamente, aumentando la presión en el recipiente que lo
contiene (criostato), pudiendo incluso producir una violenta
explosión.
¿Cómo evitar esta desagradable situación? Naturalmente,
se puede trabajar con corrientes menos intensas y aumentar
el volumen y la masa de la bobina para conseguir la misma
intensidad de campo magnético. Pero esta no es la solución
deseable. Afortunadamente, se ha descubierto que a la degra-
dación del cable disminuye si este se recubre por cualquier
metal de baja resistividad. Con este fin un haz de alambres
superconductores se embute en una matriz de cobre o alumi-
nio, tal como se aprecia en la Figura 3, mostrando porciones
de cables superconductores de NbTi.
Con este sistema el efecto de degradación prácticamente
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no existe. Si un punto cualquiera de la bobina pasa del esta-
do superconductor al estado normal, la corriente sigue circu-
lando a través del recubrimiento metálico, el calor se disipa
pronto y el estado superconductor se restablece.
Bloque 3
Figura 3. Imagen cortesía de Luvata, http://www.luvata.com/
Products/Special-Products/Superconductors/.
En realidad todo eso no es tan fácil. Sobre la estabilidad,
como ya se dijo, influyen no solo las propiedades de los su-
perconductores mismos, sino también, y en grado considera-
ble, las condiciones de la extracción del calor y la resistencia
mecánica de las bobinas. Incluso un desplazamiento insig-
nificante de los conductores debido a un golpe o a la acción
de las fuerzas magnéticas puede provocar un fuerte efecto
de degradación. Por eso los solenoides superconductores, en
particular los grandes, tienen que proveerse de dispositivos
de protección para la extracción rápida de la energía acumu-
lada y la desviación automática de la corriente en el circuito
superconductor.
C. Aplicaciones potenciales
Debido a la energía consumida por el sistema de refrige-
ración y a los elevados costes de los materiales supercon-
ductores, los SMES se utilizan para el almacenamiento de
energía de corta duración, siendo su aplicación más común
la neutralización de las caídas de tensión y de los microcor-
tes en las redes públicas de distribución de electricidad para
mejorar la calidad de la señal. Para estos desempeños son
válidos equipos de SMES de 1 MW·h (unidad de energía),
pero ya están en fase de prueba SMES mayores con energías
de almacenamientos de aproximadamente 20 MW·h, capaz
de proporcionar 40 MW de potencia durante 30 minutos o 10
MW de potencia durante 2 horas.
Del mismo modo que los condensadores se caracterizan
por su parámetro de capacidad, las bobinas se caracterizan
por su autoinductacia, L, que se calcula como L = μ0 nv A ,
siendo A su sección transversal y nv el número de espiras por
unidad de longitud. Si dentro de la bobina se halla un mate-
rial de permeabilidad relativa μr ) entonces L = μ0 μ r nv A . La
energía almacenada por una bobina recorrida por una intensi-
dad I se calcula como E = 12 LI 2 .
185
Capítulo 20 Propiedades magnéticas de los materiales

D. V
 entajas sobre otros métodos
de almacenamiento de energía
Hay varias razones para el uso de SMES frente a otros mé-
todos de almacenamiento de energía. La ventaja más impor-
tante de las SMES es que el tiempo de recarga es bastante
corto. Pero tampoco debe ignorarse el hecho de que la ener-
gía está disponible casi instantáneamente y puede ser su-
ministrada una elevadísima energía en un breve período de
tiempo. Otros métodos de almacenamiento de energía, tales
como el hidrobombeado o la compresión de aire, resultan
más lentos debido al tiempo que consume la conversión de
la energía mecánica almacenada en electricidad (lo que re-
duce notablemente su eficiencia). Otra ventaja es que el ren-
dimiento de la conversión es mayor que en otros métodos
de almacenamiento, debido a que la las pérdidas por efecto
Joule son casi nulas. Además, las partes principales de un
SMES no son móviles, de lo que resulta una alta fiabilidad.
Los únicos competidores serios de los SMES son los sis-
temas de almacenamiento de energía eléctrica mediante su-
percondensadores (vea la Adenda del Capítulo 19), aunque
estos actualmente están más limitados que los SMES, por su Figura 4. Imagen cortesía de Bruker EST
todavía escaso desarrollo. (prototipo de almacenamiento magnético SC).

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186
 21
CAPÍTULO

Propiedades ópticas
de los materiales

RECURSOS DIGITALES

Nota 21.1. El misterio del avance

en línea recta
Nota 21.2. Las leyes de la óptica
geométrica
Nota 21.3. Índice de refracción complejo
Nota 21.4. Los modelos ópticos de
Drude y Lorentz
Nota 21.5. Caracterización de
propiedades ópticas
Nota 21.6. Dispositivos visualizadores

Adenda: S
 istemas generadores de luz
Capítulo 21 Propiedades ópticas de los materiales

Nota 21.1
El misterio del avance en línea recta
En sus estudios sobre la luz, Newton estuvo barajando dos
modelos plausibles: una descripción ondulatoria y otra corpus-
cular. Con el paso de los años se fue inclinando cada vez más
por la descripción corpuscular, abandonando definitivamente
la descripción ondulatoria. La razón fundamental que lo llevó a
esta conclusión era la dificultad teórica de explicar cómo la luz,
entendida como fenómeno ondulatorio, podía propagarse en lí-
nea recta, tal como la experiencia demostraba. Lo que sigue es
una explicación cualitativa y simple de este hecho.
Supongamos que una onda plana se propaga (con su vec-
tor campo eléctrico perpendicular al plano del dibujo, vea la Figura 1
Figura 1) a través de un medio constituido por partículas car-
gadas que pueden actuar como fuentes reemisoras (es decir, y emiten en todas las direcciones. Si la materia es densa, en
agentes dispersores). Pensemos, en principio, que solo tene- cualquier punto de su línea, como el R, las ondas secundarias
mos partículas a lo largo de la fila ABCD. Cada una de ellas se superponen con otras ondas con diferentes fases, aniquilán-
comenzará a vibrar con cierto retraso respecto a la anterior, dose mutuamente, y tampoco saldrá luz en esa dirección.
dando lugar a frentes circulares, que llegarán en fase al punto
P, por lo que serán tangentes en dicho punto. Análogamente,
los átomos de la fila FG producen sus ondas tangentes y en Nota 21.2
fase en Q, con lo cual el frente de ondas resultante se man-
tiene plano en la línea PQ y avanza en la dirección inicial. Las leyes de la óptica geométrica
Pero además de la luz que va hacia delante, las partículas
reemisoras la envían en todas las otras direcciones, incluso La experiencia indica que, como se muestra en la Figura 1, una
hacia atrás, por ejemplo en el sentido DM. No obstante, en onda que se propaga por el medio 1, cuando alcanza la super-
un punto como el M estas ondas no pasan en fase, puesto que ficie plana AB que separa los medios 1 y 2, se desdobla en dos
la fase de cada una de ellas depende de la distancia a M de frentes de ondas: uno se transmite al medio 2 y otro se refleja
la partícula que la originó. Es decir, el retraso temporal que en el medio 1. Éstos constituyen los rayos refractado y refle-
se produce entre las ondas emitidas por los puntos A y B, por jado, respectivamente. Cuando la dirección de incidencia (ca-
ejemplo, imposibilita que lleguen a estar en fase en la trayec- racterizada por el ángulo θi) no es perpendicular a la superficie
toria con sentido opuesto al de la luz incidente (AM). De este AB, la experiencia muestra que los rayos refractado y reflejado
modo, si la densidad de partículas es grande, la amplitud pro- forman con la normal a la superficie, N, unos ángulos θ r y θ rʹ ,
medio en M será nula, por lo que no habrá onda de retroceso. respectivamente.
Consideremos ahora la columna AN perpendicular a la di- Experimentalmente, se ha comprobado que se cumplen
rección AP. En esta columna todas las partículas vibran en fase las siguientes leyes:

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Figura 1

188
 La escala macroscópica de los materiales Bloque 3

1. Las direcciones de incidencia, refracción y reflexión

θ i = θ rʹ
se encuentran en un mismo plano, normal a la super-
ficie de separación de los medios.
que es la ley de la reflexión.
2. El ángulo de incidencia es igual al de reflexión: θ i = θ rʹ
Dividiendo la primera relación entre la segunda tenemos
3. La ley de Snell, sen θi sen θr = n 21 , siendo n21 el de-
nominado índice de refracción del medio 2 con rela-
ción al medio 1, cuyo valor numérico depende de la sen θi c1
= = n21
naturaleza de la onda y de las propiedades de los dos sen θ r c2
medios.
Estas tres leyes pueden justificarse por vía teórica. Con- que es la denominada ley de Snell.
sidérense dos rayos incidentes paralelos, R1 y R2 (Figura 2).
El rayo R1 incide en la superficie de separación en el punto
A, y R2 en B ʹ .
Nota 21.3
Índice de refracción complejo
Consideremos un material caracterizado por un índice de re-
fracción n, una permisividad dieléctrica e, una conductividad
eléctrica s, y una permeabilidad magnética m. Supongamos
que dicho material está siendo atravesado por una onda elec-
tromagnética plana de frecuencia angular w que avanza en la
dirección Z, y que está polarizada linealmente de modo que
las componentes eléctrica y magnética vibran en las direc-
Figura 2 ciones X e Y, respectivamente. A partir de las ecuaciones de
Maxwell puede demostrarse que las ecuaciones que gobier-
Como la situación geométrica es la misma en A y B ʹ , nan las evoluciones de esta onda electromagnética, a través
concluimos que los rayos refractados R1ʹ y R2ʹ , así como los de un material como el descrito, son las dos siguientes:
reflejados R1ʹʹ y R2ʹʹ , son también paralelos.
Consideremos ahora los siguientes frentes de onda: AB, ∂B y ∂Ex
en la onda incidente, AʹB ʹ , en la onda refractada, y AʹʹB ʹ , =− (1a)
∂t ∂z
en la reflejada. Supongamos, además, que t es el tiempo que
tarda la onda S en pasar de B a B ʹ a lo largo del rayo R2 con
velocidad v1. En el mismo tiempo, la onda refractada S ʹ se
mueve a lo largo de R1ʹ de A a Aʹ con velocidad c2, y la onda ∂By ∂E x
reflejada S ʹʹ se mueve a lo largo de R1ʹʹ de A a Aʹʹ con veloci- − = μσ Ex + με (1b)
∂z ∂t
dad c1. De este modo, BBʹ = c1t , AAʹ = c2t y AAʹʹ = c1t , y de la
geometría de la figura,
El problema matemático es bastante más sencillo de re-
solver si se opera con magnitudes complejas. Por este moti-
BBʹ c1t vo, ensayaremos soluciones de la forma:
sen θi = =
ABʹ ABʹ
∼ ∼ ⎛ ⎛ n ⎞⎞
E x (t , z ) = E0 x exp ⎜ iω ⎜ t − z ⎟ ⎟
AAʹ c2t ⎝ ⎝ c ⎠⎠
sen θr = =
ABʹ ABʹ

AAʹʹ c1t ∼ ∼ ⎛ ⎛ n ⎞⎞
sen θ rʹ = = B y (t , z ) = B0 y exp ⎜ iω ⎜ t − z ⎟ ⎟
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ABʹ ABʹ ⎝ ⎝ c ⎠⎠

Comparando la primera y tercera de las anteriores rela- (Téngase presente que el cociente c n representa la veloci-
ciones, se llega a que sen θ i = sen θ rʹ , de donde dad de propagación de la onda en el material.)

189
Capítulo 21 Propiedades ópticas de los materiales

La ventaja de emplear la notación compleja reside en el Y despejando n se obtiene la siguiente relación:

hecho de que las ecuaciones diferenciales (1) se transforman
en sencillas ecuaciones algebraicas, pues n = c με − i μσ ω (3a)

∂ n ∂ o bien, considerando la Expresión (21.1)

≡ −iω y ≡ iω
∂z c ∂t

Y con ello: n = μr ε r − i μrσ (ε 0ω ) (3b)

∼ n∼ (Recuerde que ε r = ε ε 0 y μr = μ μ0 .)
iω B y = iω E x (2a)
c Las Expresiones (3) no son completamente generales;
sabemos que bajo la acción de campos eléctricos y magnéti-
cos, la descripción rigurosa de las propiedades del material
(permisividad eléctrica, permeabilidad magnética y con-
n∼ ∼ ductividad eléctrica) exige emplear cantidades complejas.
iω B y = ( μσ + iωμε ) E x (2b) En la Tabla siguiente se muestra la expresión del índice de
c
refracción complejo, ñ, para diferentes modelos de material
de creciente dificultad: desde el más simple, en el que todos
Este par de ecuaciones constituye un sistema de ecuacio- los parámetros son reales, hasta el más completo, en el que
nes homogéneo. Es sabido, que este tipo de sistemas posee todos son complejos. Nótese que hasta la Expresión (3b) he-
∼ ∼ ∼
una solución, además de la trivial Ex = By = 0 , solo si el de- mos venido llamando al índice de refracción genéricamente
terminante de la matriz de coeficientes se anula, esto es: n; ahora, para enfatizar su carácter complejo, le llamaremos
ñ. Las expresiones de la Tabla se han obtenido teniendo en
cuenta que la raíz cuadrada de un número complejo expresa-
iω n c iω ∼
=0 do en forma cartesiana se calcula como:
μσ + iωμε iω n c
⎛ x2 + y 2 + x x 2 + y 2 − x ⎞⎟
Desarrollando el determinante, obtenemos: x + iy = ± ⎜ + i sgn( y )
⎜ 2 2 ⎟
⎝ ⎠

n2 2 ∼
− 2
ω − iω ( μσ + iωμε ) = 0 y teniendo en cuenta que solo estamos interesados en el valor
c
positivo de la raíz.

Propiedades del material Índice de refracción complejo

2
2 μr ⎛ σ ⎞
ñ= ε r2 + ⎜ ⎟ + εr
2 ⎝ ε 0ω ⎠
Modelo I
2
ε r , s, μ r 2 μr 2 ⎛ σ ⎞
−i ε +⎜
r ⎟ − εr
2 ⎝ ε 0ω ⎠

2
2μr ⎛ σ ⎞
ñ= ε rʹ2 + ⎜ ε rʹʹ + ⎟ + ε rʹ
2 ⎝ ε 0ω ⎠
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Modelo II
2
ε r = ε rʹ − iε rʹʹ , s, μr 2μr 2 ⎛ σ ⎞
−i ε rʹ + ⎜ ε rʹʹ + ⎟ − ε rʹ
2 ⎝ ε 0ω ⎠

190
 La escala macroscópica de los materiales Bloque 3

Propiedades del material Índice de refracción complejo

2 2
2μr ⎛ σ ʹʹ ⎞ ⎛ σʹ ⎞ ⎛ σ ʹʹ ⎞
ñ= ⎜ ε rʹ − ⎟ + ⎜ ε rʹʹ + ⎟ + ⎜ ε rʹ − ⎟
2 ⎝ ε 0ω ⎠ ⎝ ε 0ω ⎠ ⎝ ε 0ω ⎠
Modelo III
2 2
ε r = ε rʹ − iε rʹʹ , σ = σ ʹ − iσ ʹʹ , 2μr ⎛ σ ʹʹ ⎞ ⎛ σʹ ⎞ ⎛ σ ʹʹ ⎞
μr −i ⎜ ε rʹ − ⎟ + ⎜ ε rʹʹ + ⎟ − ⎜ ε rʹ − ⎟
2 ⎝ ε 0ω ⎠ ⎝ ε 0ω ⎠ ⎝ ε 0ω ⎠

2 2
2 2 2 ⎛ σ ʹʹ ⎞ ⎛ σʹ ⎞ ⎛ σ ʹʹ ⎞ ⎛ σʹ ⎞
ñ= μrʹ + μrʹʹ ⋅ ⎜ ε rʹ − ⎟ + ⎜ ε rʹʹ + ⎟ + μ rʹ ⎜ ε rʹ − ⎟ − μ rʹʹ ⎜ ε rʹʹ + ⎟
Modelo IV 2 ⎝ ε 0ω ⎠ ⎝ ε 0ω ⎠ ⎝ ε 0ω ⎠ ⎝ ε 0ω ⎠
ε r = ε rʹ − iε rʹʹ , 2 2
σ = σ ʹ − iσ ʹʹ , 2 ⎛ σ ʹʹ ⎞ ⎛ σʹ ⎞ ⎛ σ ʹʹ ⎞ ⎛ σʹ ⎞
μr = μrʹ − iμrʹʹ −i μrʹ2 + μrʹʹ2 ⋅ ⎜ ε rʹ − ⎟ + ⎜ ε rʹʹ + ⎟ − μ rʹ ⎜ ε rʹ − ⎟ + μ rʹʹ ⎜ ε rʹʹ + ⎟
2 ⎝ ε 0ω ⎠ ⎝ ε 0ω ⎠ ⎝ ε 0ω ⎠ ⎝ ε 0ω ⎠

Las anteriores ecuaciones son válidas siempre que las σ cc

«constantes» del material (dependientes de la frecuencia) se σ∼ =
1 + iωτ
hayan determinado para la misma frecuencia.

Las partes real e imaginaria de esta expresión se determi-

Nota 21.4 nan multiplicando numerador y denominador por el comple-
jo conjugado de este último. De esta forma:
Los modelos ópticos de Drude y Lorentz
σ cc σ (1 − iωτ ) σ cc σ ωτ
En todos los casos nos limitaremos a proponer las ecuacio- σ∼ = = cc 2 2
= 2 2
− i cc 2 2
1 + iωτ 1+ ω τ 1+ ω τ 1+ ω τ
nes que permiten calcular los índices n y k . A partir de ellos,
el coeficiente de absorción se determina con la Expresión
(21.20) De modo que si σ∼ = σ ʹ − iσ ʹʹ , entonces

α = 2ωk c σ cc
σʹ=
1 + ω 2τ 2
(Recuerde que ω = 2πυ .) σ ccωτ
σ ʹʹ =
Y la reflectividad, que será descrita en el apartado 5, a 1 + ω 2τ 2
través de la Expresión de Beer (21.36):
Tomando ahora las expresiones para n y k del Modelo III
(n − 1) 2 + k 2 de la tabla de la Nota 21.3, con ε rʹ = ε r y ε rʹʹ = 0 , se obtiene:
R=
(n + 1) 2 + k 2
2 2
2μr ⎛ σ ʹʹ ⎞ ⎛ σ ʹ ⎞ ⎛ σ ʹʹ ⎞
n= ⎜εr − ⎟ +⎜ ⎟ + ⎜ε − ⎟
2 ⎝ ε 0ω ⎠ ⎝ ε 0ω ⎠ ⎝ r ε 0ω ⎠
A. Modelo de Drude
De acuerdo con este modelo, para describir el comporta-
©  Ediciones Paraninfo

2 2
miento óptico de un conductor hay que suponerle una cons- 2μr ⎛ σ ʹʹ ⎞ ⎛ σ ʹ ⎞ ⎛ σ ʹʹ ⎞
k= ⎜εr − ⎟ +⎜ ⎟ − ⎜ε − ⎟
tante dieléctrica ε r (real), permeabilidad relativa μ r (real) 2 ⎝ ε 0ω ⎠ ⎝ ε 0ω ⎠ ⎝ r ε 0ω ⎠
y una conductividad dependiente de la frecuencia, que de
acuerdo con la Expresión (21.23) vendrá dada por:

191
 Capítulo 21 Propiedades ópticas de los materiales

En el caso de que ε r  σ ʹ (ε 0ω ) , lo que sucede para fre- B. Modelo de Lorentz

cuencias muy altas (en el rango visible), las expresiones an- Supondremos que el comportamiento óptico del material se
teriores se simplifican bastante: describe bien a través de una permeabilidad magnética relati-
va real μ r , una conductividad eléctrica nula (aislante perfec-
σ ʹʹ σ ccτ to) y una constante
σ ccτ dieléctrica dadaω p2por la Expresión (21.29):
n ≈ ε r μr 1− = ε r μr 1− ≈ ε μ
r r 1 − = ε μ
r r 1 −
ε r ε 0ω ε r ε 0 (1 + ω 2τ 2 ) ε r ε 0 (ω 2τ 2 ) ω 2f
∼
εr = 1+ ∑ 2 j
2
j ω j − ω + iωγ j

σ ccτ σ ccτ ω p2
1− ≈ ε r μr 1− = ε r μr 1− donde las ω j son las frecuencias características (de resonan-
ε r ε 0 (1 + ω 2τ 2 ) ε r ε 0 (ω 2τ 2 ) ω2
cia) del material.
Multiplicando y dividiendo cada fracción contenida en
k ≈0 el sumatorio por el complejo conjugado del denominador
obtenemos:
con ω p2 = σ cc (ε 0ε rτ ) , siendo ω p = 2πυ p la denominada fre-
cuencia angular umbral o de corte. f j (ω 2j − ω 2 − iωγ j )
ε∼r = 1 + ∑ 2
Las dependencias con la frecuencia de los parámetros j (ω 2
− ω 2 ) + ω 2γ 2j
j
ópticos n, k , a y R correspondientes a un material conduc-
tor, de acuerdo con el modelo de Drude se muestran en la
De modo que
Figura 1. (Para realizar la representación se ha considerado
una frecuencia de corte de 1.7·1015 Hz.).
f j (ω 2j − ω 2 )
ε rʹ = 1 + ∑ 2
j (ω 2
j − ω 2 ) + ω 2γ 2j

f j ωγ j
ε rʹʹ = ∑ 2
j (ω 2
j − ω 2 ) + ω 2γ 2j

Tomando ahora las expresiones para n y k del Modelo II

de la tabla de la Nota 21.3, con σ = 0 , se obtiene:

2 μr
n= ε rʹ2 + ε rʹʹ2 + ε rʹ
2

2 μr
k= ε rʹ2 + ε rʹʹ2 − ε rʹ
2

La variación con la frecuencia de los parámetros ópticos

n, k , a y R para un hipotético material aislante con dos fre-
cuencias características que obedece al modelo de Lorentz
se representa en la Figura 2. (Las frecuencias características
Figura 1 consideradas son 3·1016 Hz y 6·1016 Hz).
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192
 La escala macroscópica de los materiales Bloque 3

2 2
2 μr ⎛ σ ʹʹ ⎞ ⎛ σʹ ⎞ ⎛ σ ʹʹ ⎞
n= ⎜ ε rʹ − ⎟ + ⎜ ε rʹʹ + ⎟ + ⎜ ε rʹ − ⎟
2 ⎝ ε 0ω ⎠ ⎝ ε 0ω ⎠ ⎝ ε 0ω ⎠

2 2
2 μr ⎛ σ ʹʹ ⎞ ⎛ σʹ ⎞ ⎛ σ ʹʹ ⎞
k= ⎜ ε rʹ − ⎟ + ⎜ ε ʹʹ + ⎟ − ⎜ε ʹ − ⎟
2 ⎝ ε 0ω ⎠ ⎝ r ε 0ω ⎠ ⎝ r ε 0ω ⎠

La variación con la frecuencia de los parámetros ópticos

n, k , a y R para un hipotético material con dos frecuencias
características que obedece el modelo de Drude-Lorentz se
representa en la Figura 3. (Las frecuencias características
consideradas son, de nuevo, 3·1016 Hz y 6·1016 Hz).

Figura 2

C. Modelo de Drude-Lorentz
Un modelo aún más satisfactorio surge de combinar los dos
anteriores. Así pues, consideraremos ahora un material cuyo
comportamiento óptico se describe mediante una permeabili-
dad relativa μ r (real), una constante dieléctrica ε∼r (compleja),
y una conductividad eléctrica σ∼ también compleja. Emplean-
do los resultados obtenidos en los dos modelos anteriores:

σ cc
σʹ=
1 + ω 2τ 2

σ ccωτ Figura 3
σ ʹʹ =
1 + ω 2τ 2
A modo de resumen:
f j (ω 2j − ω 2 )
ε rʹ = 1 + ∑ 2
General
j (ω 2
j − ω 2 ) + ω 2γ 2j
2 2
2 μr ⎛ σ ʹʹ ⎞ ⎛ σʹ ⎞ ⎛ σ ʹʹ ⎞
n= ⎜ ε rʹ − ⎟ + ⎜ ε ʹʹ + ⎟ + ⎜ε ʹ − ⎟
f j ωγ j 2 ⎝ ε 0ω ⎠ ⎝ r ε 0ω ⎠ ⎝ r ε 0ω ⎠
ε rʹʹ = ∑ 2
j (ω − ω 2 ) + ω 2γ 2j
2
j
2 2
2 μr ⎛ σ ʹʹ ⎞ ⎛ σʹ ⎞ ⎛ σ ʹʹ ⎞
k= ⎜ ε rʹ − ⎟ + ⎜ ε rʹʹ + ⎟ − ⎜ ε rʹ −
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⎟
Tomando ahora las expresiones para n y k del Modelo III 2 ⎝ ε 0ω ⎠ ⎝ ε 0ω ⎠ ⎝ ε 0ω ⎠
de la tabla de la Nota 21.3, se obtiene:

193
Capítulo 21 Propiedades ópticas de los materiales

Modelo de Drude
una sustancia ópticamente inactiva, pero también podría ser
sólida. Básicamente consta de dos prismas de Nicol (un tipo
σ cc de filtro polarizador fabricado con calcita). Al igual que en
ε rʹ = ε r σʹ= microscopía óptica con luz polarizada (descrita al final de
1 + ω 2τ 2
esta misma nota), a los filtros empleados en los polarímetros
ε rʹʹ = 0 σ ccωτ
σ ʹʹ = se les llama polarizador (al que permanece fijo) y analizador
1 + ω 2τ 2 (al que puede ser girado a voluntad). De hecho, el modo de
proceder es muy similar. El haz de luz monocromático pro-
Modelo de Lorentz cedente de la fuente de iluminación (hoy en día suelen ser
LEDs), previamente polarizado por el polarizador, se hace
f j (ω 2j − ω 2 ) incidir sobre la muestra de interés. Tras ser atravesada por él,
ε rʹ = 1 + ∑ 2 el haz de luz polarizada se hace pasar por el analizador, que
j (ω 2
j − ω 2 ) + ω 2γ 2j σʹ = 0 inicialmente se coloca formando 90º con el polarizador. Si la
muestra es ópticamente inactiva, el sensor de luz del equipo
f j ωγ j σ ʹʹ = 0
ε rʹʹ = ∑ no detectará ninguna señal, todo lo contrario de si la muestra
2 2
j (ω 2
j −ω ) +ω γ 2 2
j
es activa. En este caso, el equipo, si es automático, procede
a girar el analizador hasta encontrar el ángulo para el cual la
intensidad de luz detectada es la máxima. Ese será el ángulo
Modelo de Drude-Lorentz
que la sustancia activa ha girado el plano de polarización. La
medición del ángulo de giro de la luz ofrece información va-
f j (ω 2j − ω 2 ) liosa acerca de la estructura química, la quiralidad y la con-
ε rʹ = 1+ ∑ σ cc
2 2 σʹ= centración de estas sustancias activas en la muestra. Permite
j (ω 2
j −ω ) +ω γ 2 2
j 1 + ω 2τ 2
medir, por ejemplo, la concentración de azúcar en un refres-
σ ωτ co, la presencia de sustancias ácido ascórbico, testosterona,
f j ωγ j σ ʹʹ = cc 2 2
ε rʹʹ = ∑ 2
1+ ω τ drogas, aditivos alimenticios, esencias para perfumes, etc.
j (ω 2
j − ω 2 ) + ω 2γ 2j
B. Fotómetros
Los fotómetros y reflectómetros son equipos que se encuen-
tran agrupados dentro de los denominados espectrofotó-
Nota 21.5 metros. Los primeros miden la transmisividad de la luz de
un determinado medio, y los segundos sirven para medir la
Caracterización de propiedades ópticas reflectividad. Ambos equipos miden y relacionan la intensi-
dad incidente con la de la luz transmitida o reflejada por la
A lo largo de este capítulo se ha introducido un buen número muestra, en función de la frecuencia de la fuente de luz. El
de magnitudes que caracterizan el comportamiento óptico de equipo debe ser calibrado con patrones adecuados según la
los materiales. Para todas ellas se dispone de equipos de me- frecuencia con la que se trabaje. Un esquema típico de uno
dida, o instrumentos ópticos, que procesando ondas de luz de estos equipos se muestra en la Figura 1. El haz monocro-
permiten conocer su valor. Entre estos instrumentos se inclu- mático seleccionado se divide en dos haces con intensidades
yen: interferómetros, para el estudio de la interferencia de las iguales; uno de ellos incide sobre la muestra, y mediante de-
ondas luminosas; fotómetros, para la medida de la intensidad tectores se evalúa la luz transmitida (o reflejada). El equipo
de la luz; polarímetros, para la medida de la rotación de luz debe operar en vacío para realizar medidas con longitudes
polarizada; reflectómetros, para la medida de la reflectivi- de onda por debajo de 190  nm, ya que el aire comienza a
dad de una determinada superficie; o refractómetros, para absorber la luz a partir de dicha longitud de onda.
la medida del índice de refracción de los materiales. Aquí
solo detallaremos brevemente algunos de los instrumentos
mencionados, además de analizar la técnica de microscopía
óptica de luz polarizada.

A. Polarímetros
©  Ediciones Paraninfo

Un polarímetro es un instrumento que mide el ángulo de ro-

tación que una muestra ópticamente activa provoca en un haz
de luz polarizada. La muestra suele ser un líquido disuelto en
Figura 1

194
 La escala macroscópica de los materiales Bloque 3

Los fotómetros, en una versión con menor precisión que

los de laboratorio, se han convertido en equipos de uso cotidia-
no. Son usados para determinar la correcta exposición en foto-
grafía, viniendo incorporado en la mayor parte de las cámaras
fotográficas actuales. Los reflectómetros por su parte también
tienen múltiples aplicaciones asociadas como por ejemplo el
caracterizar objetivamente el color de una superficie.

C. Refractómetros
Los refractómetros se emplean para medir el índice de re-
fracción de un medio. Su método de medida puede basarse,
si se dispone de muestra suficiente para obtener de la misma
un prisma, en el estudio de los ángulos de incidencia y trans-
misión de la luz a través del mismo (Figura 2). Variando el
ángulo de incidencia hasta obtener un ángulo de transmisión
mínimo respecto a este, el valor del ángulo de transmisión
puede relacionarse con el índice de refracción mediante una
sencilla fórmula que considera la geometría del prisma:

Figura 3
sen ( 12 (δ mín + α ) )
n=
sen ( 12 α )
D. Microscopía con luz polarizada
Además de los equipos mencionados anteriormente, mere-
ce la pena también analizar ciertas técnicas de microscopía
óptica, como la luz polarizada, que puede servir para iden-
tificar fácilmente los materiales ópticamente activos. El mi-
croscopio puede ser de luz transmitida o reflejada (los más
habituales en Ciencia e Ingeniería de Materiales, y que ya
fueron brevemente descritos en el Capítulo 1), y debe con-
tar con dos filtros polarizadores. Como puede observar en
la Figura 4, el primero de ellos, denominado polarizador,
se coloca entre la fuente de luz y el objetivo, mientras que
Figura 2 el segundo, analizador, se sitúa entre el objetivo y el ocular
(por donde miramos). Normalmente el polarizador está fijo,
Si no se dispone de muestra suficiente, sobre una muestra y el analizador tiene posibilidad de ser girado. Con esta dis-
plana puede medirse el ángulo de reflexión total (cuando no posición, la muestra es iluminada con luz polarizada, gracias
haya luz transmitida), y el índice de refracción no es más
que el sen-1Q, siendo Q el ángulo mínimo para que la luz
transmitida sea cero. Esta variante se emplea también para la
determinación del índice de refracción de muestras en esta-
do líquido y gaseoso. Si se necesita una medida mucho más
precisa del índice de refracción, se requiere del empleo de
métodos interferométricos.
Ahora bien, hemos visto en este capítulo la importancia
de conocer el índice de refracción de una sustancia, por po-
derse determinar a partir de él muchas características. Pero
hay otras muchas en las que quizá no haya pensado, y es que
esta medida vale para determinar la pureza de una muestra
©  Ediciones Paraninfo

(una piedra preciosa por ejemplo), determinación aproxi-

mada del contenido de alcohol en licores, identificación de
aceites, el estado de maduración de la fruta (Figura 3), etc. Figura 4

195
Capítulo 21 Propiedades ópticas de los materiales
al polarizador. Posteriormente dicho haz polarizado incide
sobre la muestra, que lo refleja y envía hacia el analizador,
antes de llegar a nuestros ojos.
Si iluminamos con luz polarizada una fase ópticamente
no activa, la reflexión producida también estará polarizada
en el mismo plano que la luz incidente. Si el analizador se
coloca perpendicularmente al polarizador, el usuario no ob-
servará nada, la imagen se extingue. Con la misma posición
a 90º entre polarizador y analizador, una fase ópticamente
activa sí sería visible, ya que el giro que produce en el plano
de polarización hace que dicho plano ya no sea perpendicular
al analizador. En consecuencia, se produce una disminución
en la intensidad de la luz observada, pero no la extinción de
esta (Figura 5). Por tanto, este modo de observación puede
emplearse para destacar, y así poder identificar, fases anisó-
tropas presentes en una muestra que, en muchas ocasiones,
pasan completamente desapercibidas. A modo de ejemplo,
en la Figura 5a se observa una muestra de escoria, proceden-
te de la fabricación de acero, observada con campo claro. La
observación de la misma zona con luz polarizada, Figura 5b,
revela la presencia de una matriz isótropa sobre la que se
distribuyen fases anisótropas
(a)
(b)
Figura 5
196
Además de permitir obtener imágenes vistosas, la luz po-
larizada permite revelar la estructura de granos en materiales
policristalinos ópticamente activos, con la ventaja de que no es
necesario atacar las muestras para observarlas con esta técnica.
Nota 21.6
Dispositivos visualizadores
En los últimos años hemos ido disfrutando de un impara-
ble avance técnico en los dispositivos visualizadores, entre
otros, pantallas de ordenadores y televisores. Hemos pasado
de un mercado con la única opción de los tubos de rayos
catódicos (CRT), presente desde la década de 1930, a la apa-
rición, desde finales del pasado siglo, de pantallas de plas-
ma, LCD, LED, o lo que ya es una realidad con tecnologías
OLED, pantallas 3D, etc.
El principal atractivo de estas nuevas tecnologías ha sido
una importante disminución del grosor de las pantallas y,
en consecuencia, la posibilidad de fabricar pantallas planas
mucho mayores sin la profundidad a la que obligaba la tec-
nología CRT. Además, actualmente se consigue una exce-
lente calidad (resolución, luminosidad, contraste y refresco
de imagen) que con creces supera a los viejos dispositivos.
En las pantallas CRT, tres haces de electrones (uno por
color: verde, azul y rojo) se dirigen a la pantalla, y cada píxel
de la misma se ilumina cuando el haz electrónico adecuado
lo alcanza, de acuerdo al patrón de la imagen que debe for-
marse (el efecto se denomina cátodoluminiscencia). Cuando
se mira la pantalla se ve directamente la superficie donde
se crea la imagen, formada por 625 líneas (en el caso del
sistema PAL) que se barren a un ritmo que llegó en diversas
marcas comerciales hasta 200 Hz. (En realidad, la frecuencia
de 25 imágenes/s siempre se mantuvo, pero cada imagen era
recreada 4 veces en los televisores de 100 MHz u 8 veces,
en los de 200 Hz. Normalmente, en cada recreación se alte-
raba el orden de barridos de las líneas; trucos para mejorar
la persistencia en nuestra retina. Los primeros televisores
realmente solo construían 25 imágenes por cada segundo.)
También se genera la imagen en la propia superficie ex-
terior de las pantallas de plasma, que constan de muchas cel-
das tricolores (unos 1 920  × 1 080 píxeles en las pantallas
mayores) con una mezcla de neón y xenón, situadas entre
dos paneles de cristal (Figura 1). El gas de las celdas, junto
al Hg presente en las mismas, se convierte eléctricamente en
plasma, provocándose, cuando la imagen lo requiere, radia-
ción UV (algo similar a lo que ocurre en las lámparas fluo-
©  Ediciones Paraninfo
rescentes que puede estudiar en la Adenda de este capítulo).
Esta radiación UV incide sobre una sustancia fosforescente
en las paredes de la celda, que emite luz hacia el espectador.
Las principales ventajas de la tecnología del plasma son que
 La escala macroscópica de los materiales
cada píxel es iluminado individualmente, consiguiéndose
una imagen muy brillante, mayor número de colores y más
reales, contraste altísimo, y un gran ángulo de visión. Sin
embargo, no todo fue sencillo; no fue fácil alcanzar una bue-
na definición de los tonos negros, y una eficiencia energética,
que a causa de la tensión necesaria entre las placas, unos
175 V en sus comienzos, daba lugar a un elevado consumo
eléctrico y generación de calor. Son varias las marcas comer-
ciales que dejaron su producción con anterioridad a 2010, si
bien otras siguen apostando por esta tecnología.
Figura 1
Pero las pantallas de plasma han tenido un serio compe-
tidor: la tecnología LCD. La posibilidad de fabricar con esta
tecnología pantallas de gran tamaño ha hecho que la tecno-
logía de plasma haya ido perdiendo terreno.
En los LCD (Figura 2), basados en una tecnología de pro-
yección (la imagen no se genera directamente en la pantalla),
una luz de fondo atraviesa una matriz de cristales líquidos
y filtros de color (píxeles). La tensión aplicada orienta el
cristal líquido y permite controlar la cantidad de luz verde,
roja o azul que sale a través del vidrio frontal hacia el es-
pectador. Para poder funcionar, necesitan una fuente de luz
que interactúe con los píxeles. En los LCD originales la ilu-
minación se hacía desde atrás, mediante una serie de tubos
fluorescentes de cátodos fríos (tecnología CCFL) de escasos
milímetros de diámetro. Una ventaja de esta tecnología es
que los píxeles LCD pueden ser menores que los de plasma.
©  Ediciones Paraninfo
En general, y aunque las nuevas generaciones mejoran con
creces a las anteriores, el que la luz se genere en el fondo, y
su difícil bloqueo total por el cristal líquido, no permite ob-
tener negros tan puros como en el plasma. Además, este tipo
Bloque 3
de pantallas no permiten una adecuada visión desde ángulos
extremos.
Figura 2
Dentro de la gama de televisores LCD, se encuentran
desde 2004 los televisores LED, que son, sin dudas, un tipo
de televisor LCD y no una categoría aparte como los de plas-
ma. En los LED sus pantallas son iluminadas desde atrás con
lámparas LED, resultando televisores que consumen menos
energía, con una vida útil mayor, sin necesidad de uso de
Hg y más finos que los LCD tradicionales. La resolución de
estas pantallas llega a 3 840 × 2 160 píxeles en los modelos
mayores, con velocidades de refresco de 1 000 Hz.
A su vez los LED se dividen en varios tipos, y quizá el
más extendido sea el de tecnología Edge LED, donde se usan
LED esparcidos en la parte trasera del panel pero solo en
los bordes, consiguiéndose un grosor muy reducido. La luz
de los LEDs se distribuye entonces por todo el panel por
medio de difusores. El inconveniente de este sistema es que
el negro no es perfecto y que la retroiluminación puede no
ser uniforme en todas las zonas, si bien las nuevas versiones
corregirán, sin dudas, estas deficiencias.
Por último, en la tecnología OLED (Organic LED), los
píxeles emiten luz directamente. Por eso, respecto a los LCD
posibilitan un rango más grande de colores y contraste. Los
OLED no necesitan una iluminación trasera, es decir, un ele-
mento OLED apagado realmente no produce luz (el negro es
negro) y no consume energía (el mismo principio usado por
las pantallas de plasma, solo que esta tecnología no es tan
eficiente en el consumo de energía). Así, los OLED mues-
tran imágenes con menos potencia de luz. Por otra parte, la
emisión de luz por el propio material orgánico, un material
polimérico, permite que el diseño de las pantallas sea mucho
más simple. La Figura 3 muestra el esquema de un píxel de
una pantalla OLED.
197
Capítulo 21 Propiedades ópticas de los materiales
Figura 3
Adenda
Sistemas generadores de luz
A. Las lámparas incandescentes
La invención de la lámpara incandescente (Figura 1) se atri-
buye a Thomas Edison, quien en 1879 logró definitivamente
un diseño con una vida útil comercializable. No obstante, la
autoría del invento es hoy objeto de controversia. En cual-
quier caso, desde su invención, el diseño de las lámparas in-
candescentes ha ido acumulando mejoras, al tiempo que ha
ido tropezando con otras aparentemente insalvables. Incluso
con la tecnología actual, las lámparas incandescentes se con-
sideran poco eficientes, ya que aproximadamente el 95 % de
la electricidad que consumen se transforma en calor y solo
el 5 % restante es convertido en luz. Esta ineficiencia se debe
a su propio principio de funcionamiento, la incandescencia,
y es la causa por la que una directiva europea de eficiencia
energética obliga a su definitiva retirada (excepto en ciertas
aplicaciones específicas) en el periodo transitorio que va de
2009 a 2016. Finalizado dicho periodo, ya no podrán fabri-
carse, ni importarse desde otros países.
Para que un metal pueda emitir luz en el espectro visi-
ble, debe encontrarse a una temperatura de unos 2 000 ºC o
superior. Si se quiere diseñar un filamento metálico para una
bombilla, habrá que pensar en un metal que soporte tales
temperaturas sin llegar a fundir. La temperatura de fusión del
wolframio (3 886 ºC) supera con creces ese nivel, por lo que
es un buen candidato.
Hay un segundo aspecto a tener en cuenta: se debe evitar
que el filamento metálico entre en contacto con el oxígeno del
aire. A las elevadas temperaturas de trabajo, las reacciones de
oxidación se ven tan favorecidas que en poco tiempo converti-
rían todo el filamento en óxido, volviéndose frágil y quebradi-
zo. Una forma sencilla de impedirlo es haciendo vacío dentro
de la ampolla de vidrio completamente hermética (Figura 1).
198
Figura 1
Existe un problema adicional que afecta a la durabilidad
del filamento. Incluso a la temperatura de 2 000 ºC, muy ale-
jada del punto de fusión del wolframio, parte del filamen-
to se sublima, condensándose en las partes más frías de la
lámpara. Este fenómeno se agrava con la temperatura. Entre
1 700 y 2 500  ºC, la velocidad de sublimación crece en un
factor de 106. El problema no solo implica que el vidrio de la
ampolla acabará ennegreciendo por los átomos de metal de-
positado, sino que la espiral de wolframio adelgazará de ma-
nera no uniforme. Esto se debe a la existencia de pequeñas
irregularidades iniciales en la sección del filamento, debidas
al propio proceso de fabricación. Aquellas zonas más estre-
chas (las más resistivas) alcanzarán mayor temperatura, por
lo que sublimarán a mayor ritmo y perderán masa más rápi-
damente. El adelgazamiento producido conllevará un nuevo
aumento de la resistividad que incrementará nuevamente la
temperatura. Este círculo vicioso conducirá finalmente a la
rotura del filamento por ese punto.
Así pues, el aumento de la temperatura disminuye la vida
de la bombilla. Se trata de un desagradable inconveniente,
porque sería deseable elevar todo lo posible la temperatura
del filamento, y con ello aumentar la luminosidad y el rendi-
miento de la bombilla. Esto es así porque la energía irradiada
es proporcional a la potencia cuarta de la temperatura abso-
luta, por tanto, si la temperatura aumenta, también lo hace la
proporción de luz aprovechable.
Se han propuesto muchas soluciones para aumentar si-
multáneamente la temperatura y la vida de la lámpara; por
ejemplo, llenar la ampolla de la bombilla con nitrógeno o
gases nobles a presión elevada. Al igual que el vacío, estos
©  Ediciones Paraninfo
gases no reaccionan con el filamento, pero a diferencia de
aquel, el aumento de presión que introducen supone un im-
pedimento para la sublimación.
 La escala macroscópica de los materiales
El funcionamiento de las luces halógenas (que también
son incandescentes) es más sofisticado aún. En esencia, si se
introduce en la lámpara un halógeno, por ejemplo yodo (aun-
que todos los halógenos se comportan de forma similar), los
átomos de wolframio, al abandonar el filamento caliente, se
transforman en las partes más frías de la lámpara en yoduro
de wolframio, según la reacción:
W + I2 → WI2
Este yoduro se deposita por tanto en las paredes de la
ampolla, pero es volátil y cuando alcanza una temperatura
de 250 ºC, se evapora, pudiendo llegar de nuevo al filamen-
to, donde, debido a la alta temperatura, es descompuesto, de
acuerdo con la reacción:
W + I2 ← W I2
Esto ocurre especialmente en las partes más calientes del
mismo, que son precisamente las más delgadas. El resultado
es una reparación de dicha zona. Este proceso de transporte
es continuo y evita en gran medida la pérdida de masa. Un
mecanismo de autorreparación en toda regla. (Fíjese que la
clave de este proceso es que el equilibrio W + I2 ↔ W I2 se
desplaza hacia la derecha o hacia la izquierda, dependiendo
de si la temperatura es baja o alta.)
Las luces halógenas (Figura  2) trabajan cientos de ho-
ras con temperaturas en el filamento de 2 700 ºC. Necesitan
un contenedor más resistente (vidrio de sílice o similar) que
soporte el calor generado, garantizando a la vez una tempe-
ratura elevada en las paredes internas y una distancia entre la
pared y el filamento, lo más pequeña posible. El rendimiento
que se obtiene es superior al de las bombillas normales, lle-
gando incluso a duplicarse su potencia lumínica.
Figura 2
Sin embargo, las lámparas halógenas son más exigentes;
©  Ediciones Paraninfo
se deterioran con los enfriamientos bruscos, la falta de ven-
tilación y cualquier orientación durante su uso que no sea
la prevista en su diseño. Además de lo anterior, no puede
tocarse el vidrio con las manos desnudas. El simple sudor y
Bloque 3
la grasa de los dedos quedan adheridos a la superficie mer-
mando la capacidad de evacuación térmica de esas zonas.
El aumento de temperatura que esto acarrea tiene un doble
efecto. Por un lado, impide que el W llegue a formar WI2,
interrumpiendo el ciclo regenerador del filamento. Por otra
parte, produce la desvitrificación del vidrio de cuarzo, que
se fragiliza.
No terminan aquí las opciones de la incandescencia. Se
han desarrollado, por ejemplo, versiones híbridas entre las
incandescentes originales y las halógenas (Figura 3): el vi-
drio de la ampolla externa es vidrio sódico-cálcico, en su
interior hay vacío; la ampolla interna es de vidrio de síli-
ce pura, con halógeno en su interior. La ganancia de rendi-
miento y la ventaja de emplear un casquillo convencional no
parecen haber inclinado la balanza frente al sobrecosto del
dispositivo.
Figura 3
B. Los tubos fluorescentes
Tras algunos titubeos de anteriores investigadores e invento-
res, Edmund Germer, Friedrich Meyer y Hans Spanner pro-
pusieron en 1926 un nuevo método para generar luz. La idea
fue patentada al año siguiente y adquirida por la empresa
estadounidense General Electric que la explotó comercial-
mente desde 1938. Desde entonces, los principios de funcio-
namiento se han mantenido inalterados, salvo las tecnologías
de fabricación y materias primas usadas, que se han traduci-
do en un abaratamiento continuo.
Un tubo fluorescente es un sistema de iluminación con-
sistente en una lámpara de vapor de mercurio a baja presión.
Su gran ventaja frente a las lámparas incandescentes es su
mayor eficiencia energética.
Está formada por un tubo de vidrio revestido interior-
mente con una sustancia fluorescente. Este tubo alberga en
su interior una pequeña cantidad de mercurio y un gas inerte
(generalmente argón o neón) a una presión más baja que la
presión atmosférica. En cada uno de los extremos del tubo
se encuentran sendos filamentos de wolframio. El circuito
se completa con un interruptor térmico (llamado cebador) y
una bobina (llamada a veces balasto.)
199
Capítulo 21 Propiedades ópticas de los materiales
La luz es emitida por los átomos de mercurio vaporiza-
dos, pero estos emiten radiación ultravioleta, que gracias al
recubrimiento del interior del tubo (fotoluminiscente), es
convertida a radiación en el rango visible. La necesidad de
usar un elemento tan contaminante como el Hg, proviene de
que es un metal cuyos átomos son muy eficientes emisores
de luz UV.
Simplificadamente, el funcionamiento es el siguiente:
cuando encendemos una lámpara fluorescente conectada a
la red doméstica de corriente alterna, la corriente eléctrica
circula por el circuito eléctrico representado en la Figura 4,
incluida la bobina y el cebador (no circula a través del tubo
porque su resistencia eléctrica es demasiado elevada). En
una de sus múltiples variantes, el cebador es un interruptor
térmico constituido por una lámina bimetálica en el seno de
un gas inerte. En el mismo momento en que el cebador re-
cibe tensión, se genera en el gas de su interior un arco que
aumenta su temperatura y la de la laminilla bimetálica que
contiene. Cuando esta se calienta, se curva por dilatación
diferencial, y cierra el circuito, permitiendo el paso de una
corriente eléctrica de mayor intensidad a través de todo el
circuito, lo que provocará el fuerte calentamiento de los fila-
mentos de wolframio, que emitirán electrones por termoemi-
sión. Esto ioniza el gas noble del interior del tubo y lo lleva
a un estado de plasma, que hace disminuir fuertemente su
resistencia eléctrica. Transcurridos unos instantes, el ceba-
dor, que dejará de recibir corriente por tener mayor resisten-
cia que el gas del interior del tubo, se enfría, por lo que las
laminillas se separan e interrumpen el calentamiento de los
filamentos. La corriente que circula se ve forzada entonces a
circular a través del tubo, lo que provoca una fuerte caída de
la tensión de la bobina. Esto induce en esta una fuerza con-
traelectromotriz muy intensa que se descarga a través del gas
ionizado del tubo. Aquí está la clave: los iones acelerados
del gas, chocan con los átomos de mercurio, que se exci-
tan, y luego se desexcitan emitiendo radiación ultravioleta,
que es convertida en radiación visible por el recubrimiento
Figura 4
200
fotoluminiscente. El proceso subsiguiente consiste en la re-
petición de la carga y descarga de la bobina a través del tubo,
siguiendo la frecuencia de la corriente alterna. Esta frecuen-
cia es lo suficientemente rápida para que apenas se perciba
un parpadeo (sí se percibe a veces cierto zumbido, originado
por la bobina).
En la mayoría de las lámparas, el recubrimiento lumi-
niscente suele ser un halofosfato de calcio, de composición
aproximada Ca10F2P6O24, con cerca del 20 % de los iones
F- sustituidos por Cl-. Además intervienen iones Sb3+, que
proporcionan luz azul, e iones Mn2+ que proporcionan luz
rojo-anaranjada. Variando la proporción de iones Mn2+ se
puede alterar la tonalidad.
Si el tubo se fabrica con vidrio de sílice y no se recubre
de estas sustancias luminiscentes (Figura 5), entonces produ-
ce directamente luz UV, como la empleada en los centros de
bronceado, como fuente germicida y también para el curado
de polímeros.
Figura 5
Se han diseñado muchos circuitos diferentes para hacer
funcionar las lámparas fluorescentes. Las lámparas fluores-
centes pueden funcionar directamente desde una alimen-
tación de corriente continua, siempre que la tensión sea lo
suficientemente alta para iniciar un arco. Para operar en co-
rriente continua, el cebador debe invertir la polaridad de la
alimentación a la lámpara cada vez que se inicia, para evitar
que el mercurio se acumule en un extremo del tubo.
©  Ediciones Paraninfo
 La escala macroscópica de los materiales
C. Las lámparas fluorescentes compactas
La lámpara fluorescente compacta (CFL, de Compact Fluo-
rescent Lamp) aprovecha la tecnología de los tradicionales
tubos fluorescentes pero rediseñando sus elementos de modo
que puedan sustituir a las lámparas incandescentes, sin cam-
bios en la armadura de instalación y con menor consumo
(Figura 6).
Figura 6
Como la luminosidad emitida por un fluorescente depen-
de de la superficie emisora (de la longitud y diámetro de los
tubos en lo anteriormente descrito), en el caso de las lám-
paras compactas esta superficie se ha incrementado todo lo
posible doblando, de diversos modos, el tubo emisor.
Pero no todo han sido adaptaciones triviales; también fue
necesario mejorar la técnica de la iluminación fluorescente,
aumentando los rendimientos luminosos de 40-50 lúmenes/W
a unos 80 lúmenes/W, y además cambiar los antiguos ceba-
dores y bobinas (estabilizadores electromagnéticos) por ver-
siones electrónicas, más ligeras y más eficaces, que logran
reducir considerablemente el parpadeo. La mejora técnica
es tan significativa, que también la tecnología tradicional de
luminarias de tubos fluorescentes se ha beneficiado de ella.
La Figura 7 muestra un dispositivo cebador-estabilizador de
tipo electromagnético (que incluye transformador, bobina, in-
terruptor, etc.) de uso típico para tubos fluorescentes, y debajo
otro de tipo electrónico, incorporado por las modernas lámpa-
ras fluorescentes compactas.
En comparación con las lámparas incandescentes, las
CFL tienen una vida útil mayor y consumen menos ener-
gía eléctrica para producir la misma iluminación, aunque
su coste es superior. Además han resuelto un inconveniente
estético: si las lámparas incandescentes producían una luz
©  Ediciones Paraninfo
demasiado rojiza (pobre en frecuencias azules) y la luz de los
tubos fluorescentes resultaba algo azulada, las lámparas fluo-
rescentes compactas tienen una amplia gama de tonalidades
(temperatura del color).
Bloque 3
Figura 7
D. Iluminación LED
En el presente capítulo hemos analizado los diodos semicon-
ductores emisores de luz, más conocidos como LEDs. Desde
el principio, la gran eficacia de estos dispositivos, su bajo
consumo y su reducido tamaño resultaron características
muy atractivas para ser aprovechadas en la iluminación de
propósito general. Pero la iluminación necesita normalmente
luz blanca. Los LEDs emiten luz en una banda de frecuen-
cias muy estrecha. Para emitir luz blanca es preciso com-
binar LEDs de luz roja, verde y azul, o usar una sustancia
luminiscente para convertir parte de la luz a otros colores, al
estilo de cómo operan los tubos fluorescentes.
Obviamente, la opción más atractiva (por su mayor ren-
dimiento y simplicidad) es la primera. El primer método
(LED RGB) usa múltiples LEDs, cada uno emitiendo en
frecuencias diferentes (rojo, verde y azul), pero con rangos
solapados, para formar el amplio espectro de la luz blanca.
La ventaja de este método es que la intensidad de cada LED
puede ser variada para «ajustar» el color de la luz emitida.
La mayor desventaja es su alto coste de producción. Durante
algún tiempo el problema técnico fue encontrar un forma de
producir luz azul (ya se disponía de LEDs verdes, rojos y
ámbar). Tras décadas de intensa investigación, lo consiguió
la compañía japonesa Nichia Chemical en 1994, empleando
201
Capítulo 21 Propiedades ópticas de los materiales
como material GaN. Superada esta barrera, el camino hacia
el LED blanco estaba despejado.
El segundo método, denominado LED de fósforo con-
vertido (pcLED), usa un LED de alta frecuencia (usualmente
azul o ultravioleta) en combinación con una sustancia lumi-
niscente (fósforo) que absorbe dicha luz y la reemite en un
espectro más amplio de frecuencias. Las principales ventajas
son el bajo coste de producción y la alta reproducibilidad
cromática. La clara desventaja con respecto al método LED
RGB es la imposibilidad para cambiar dinámicamente el co-
lor de la luz y el hecho de que la conversión que realiza la
sustancia luminiscente reduce la eficiencia del dispositivo.
Pese a ello, el menor coste de esta tecnología ha pesado fuer-
temente y la ha convertido en la más utilizada en la actuali-
dad para aplicaciones de iluminación general.
Otros inconvenientes generales son la necesidad de em-
plear tensiones continuas y pequeñas, lo que implica la nece-
sidad de incorporar circuitos rectificadores que proporcionen
202
una salida de corriente continua regulada y de baja tensión.
Además, un problema todavía no satisfactoriamente resuel-
to es la degradación de los LEDs por funcionamiento bajo
temperaturas superiores a las convenidas. Por esta razón, las
lámparas LED incluyen típicamente elementos de disipación
de calor, tales como aletas de refrigeración.
Para alcanzar una intensidad luminosa similar a las de
lámparas incandescentes o fluorescentes compactas, las lám-
paras LED se componen normalmente de agrupaciones de
LEDs, en mayor o menor número, según la intensidad lu-
minosa deseada. Las lámparas de LED tienen una vida útil
larga y una gran eficiencia energética.
Actualmente las lámparas LED se usan para todo tipo de
aplicaciones: desde el alumbrado decorativo hasta el ilumina-
do público de calles, avenidas y jardines. La ventaja princi-
pal es el considerable ahorro energético que se consigue con
ellas, pero además, su arranque instantáneo, su resistencia a
los encendidos y apagados continuos, y su mayor vida útil.
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 22
CAPÍTULO

Propiedades térmicas
de los materiales

RECURSOS DIGITALES

Nota 22.1. Vibraciones térmicas de una

red unidimensional
Nota 22.2. Cálculo del coeficiente de
dilatación lineal
Nota 22.3. Las vitrocerámicas
Nota 22.4. Modelo cuántico de Einstein
para la capacidad térmica
Nota 22.5. Modelo cuántico de Debye
para la capacidad térmica
Nota 22.6. Deducción teórica de la ley
de Wiedeman-Franz
Nota 22.7. Caracterización de
propiedades térmicas

Adenda: R
 efrigeración magnética
Capítulo 22 Propiedades térmicas de los materiales

Nota 22.1 Esta ecuación tiene una solución (compleja) de la forma:

Vibraciones térmicas de una red un = u0 exp (i(ωt + kna) ) (2)

unidimensional
donde el término kna expresa la fase de cada átomo. Susti-
Consideremos una red lineal de átomos, esto es, una fila de tuyendo le Expresión (2) en (1), y simplificando, obtenemos
átomos idénticos, de masa M y equiespaciados una distancia
a, unidos por enlaces que pueden considerarse muelles de −M ω 2 = β [exp(ika) + exp(−ika) − 2] = −4β sen 2 ( 12 ka)
constante elástica b. En la situación inicial, en la que todos
los átomos están ubicados en sus posiciones de equilibrio,
la posición del n-ésimo átomo respecto del origen se calcu- de donde
lará como xn = na . Por efecto de la temperatura, todos los
átomos se desplazarán de sus puntos de equilibrio a lo largo ω = 2 β M sen( 12 ka )
del eje X (vibran), alterando la distancia interatómica inicial
Llamaremos un al desplazamiento del n-ésimo átomo respec-
Con esta ecuación pueden calcularse las frecuencias de
to de su posición de equilibrio inicial (Figura 1).
vibración permitidas en la red (no todas son posibles). Ob-
Dado que el problema es suficientemente complejo, sim- sérvese que w toma su valor máximo para k = π a . La Figu-
plificaremos suponiendo que, durante las vibraciones, cada ra 2 muestra la variación de w en función de k.
átomo interactúa únicamente con sus dos vecinos inmedia-
tos. Puesto que, en la Figura 1, la separación entre los áto-
mos n-ésimo y (n+1)-ésimo ha aumentado en (un +1 − un ) , el
n-ésimo átomo sentirá una fuerza elástica, dirigida hacia la
derecha y ejercida por el (n+1)-ésimo átomo, dada por

β (un +1 − un )

Análogamente, como consecuencia de que la distancia

entre los átomos (n –1)-ésimo y n-ésimo ha aumentado, el n-
ésimo átomo sentirá otra fuerza, dirigida hacia la izquierda,
debida al (n –1)-ésimo átomo, dada por
Figura 2
β (un − un −1 )
La existencia de una frecuencia máxima significa que
Por consiguiente, la ecuación de movimiento del n-ésimo existe un límite superior o frecuencia umbral para las ondas
átomo habrá de ser elásticas (esto es, sonoras) en un sólido. No obstante, este
límite, es del orden de 1015 Hz para la mayoría de los mate-
d 2un riales, por lo que está más allá de las frecuencias ultrasónicas
M = β (un+1 − un ) − β (un − un−1 ) alcanzables de manera práctica.
dt 2
Hemos considerado la situación más sencilla posible, en la
que se simplifica a que todos los átomos eran idénticos. Consideremos ahora una
red compuesta por dos tipos de átomos, de masas M1 y M2, dis-
puestos alternadamente de modo que la separación interatómi-
d 2un ca inicial es a y el periodo espacial de la red es 2a (Figura 3).
M = β (un+1 + un −1 − 2un ) (1)
dt 2 Un cristal iónico estaría bien representado por una red
típica de este tipo. Un cálculo similar al realizado anterior-
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Figura 1

204
 La escala macroscópica de los materiales Bloque 3

Figura 3

mente demuestra que las frecuencias permitidas estarán aho-
ra dadas por
⎛ 1 1 ⎞ ⎛ 1
2
1 ⎞ 4sen (ka) 2
ω2 = β ⎜ + ⎟±β ⎜ + ⎟ −
⎝ M1 M 2 ⎠ ⎝ M1 M 2 ⎠ M 1M 2
La expresión no solo es más compleja; hay importantes
diferencias. Ahora existen dos valores de w para cada valor
de k, como se ilustra en la Figura 4a. Los valores superiores
de w constituyen la denominada rama óptica, y los inferiores
constituyen la rama acústica del espectro de frecuencias de
la red. En la rama acústica los dos tipos de iones oscilan en
fase, mientras que en la rama óptica tienen un desfase de p.
La situación real es todavía más compleja puesto que am-
bas ramas (acústica y óptica) pueden corresponder a vibra-
ciones longitudinales o transversales (respecto a la dirección
de propagación), por lo que existirán dos modos transver-
sales correspondientes a las dos direcciones independientes
de vibración. En consecuencia, por cada valor de k habrá 6
valores posibles de w(k), como se muestra en la Figura 4b.
Nota 22.2
Cálculo del coeficiente
de dilatación lineal
Supongamos dos átomos vecinos de un sólido, entre los que
existe una interacción elástica. Si r0 es la distancia interató-
mica de equilibrio y en un determinado instante, la distancia
real entre esos dos átomos es r, el desplazamiento producido
será x = r − r0 . Obviamente x ha de ser un número muy pe-
queño. En términos de x, asumiendo que los átomos vibran
como si se tratasen de osciladores armónicos simples (lo que
es equivalente a suponer que la interacción entre átomos es
elástica lineal), la energía potencial del sistema podría apro-
ximarse por un término cuadrático ax 2 . En la realidad, los
átomos no son exactamente armónicos, por lo que al término
ax 2 habrá que restarle un término corrector con potencias
superiores (bx3 + cx4 ) :
E p ( x) = ax2 − (bx3 + cx4 )
siendo a, b, y c todos positivos. Dado que x es un número
pequeño, el término entre paréntesis será ciertamente menor
que el término principal cuadrático.
El desplazamiento promedio puede calcularse, en prime-
ra aproximación, utilizando el factor de Boltzmann; esto es,
asumiremos que la probabilidad de que el desplazamiento
sea x, a la temperatura T, viene dada por:

f ( x) = k exp ( − E p ( x) kBT )

siendo k una constante. El valor medio de x se calculará en-

tonces como:

+∞
Figura 4 ⌠
⎮
⎮
x exp ( − E p ( x) k BT ) dx
⌡−∞
El análisis se complica matemáticamente cuando se con- x= +∞
⌠
sideran redes bidimensionales o tridimensionales, pero las ⎮
⎮
exp ( − E p ( x) k BT ) dx
©  Ediciones Paraninfo

consecuencias son similares. ⌡−∞

205
Capítulo 22 Propiedades térmicas de los materiales

De aquí se desprende una importante consecuencia: si Nota 22.3

la energía potencial fuera completamente elástica (esto es,
b = c = 0 ), entonces x = 0 , ya que
Las vitrocerámicas
+∞
⌠
El material con el que ha se ha de fabricar la encimera de
⎮ x n exp ( −ax 2 k BT ) dx = 0
⎮
⌡−∞
una cocina, Figura 1, debe reunir un conjunto de propiedades
deseables. Los puntos de calor deben estar muy localizados,
así que el material no debe ser buen conductor térmico en las
para cualquier valor de n impar, y en especial para n = 1, direcciones laterales, o el calor se dispersaría a la periferia,
como es el caso. pero sí debe ser buen conductor en la dirección perpendicular
Sin embargo, si la energía potencial tiene términos a la placa, para que el recipiente se caliente adecuadamente.
inelásticos ( b ≠ 0 y/o c ≠ 0 ), entonces, como x es suficien- Si el material que recubre el quemador es mal conductor,
temente pequeño, podemos proceder a hacer algunas aproxi- debe tener poco espesor, para permitir la suficiente transfe-
maciones. El denominador, por ejemplo, puede aproximarse rencia de calor. El material debe ser tal que, además, soporte
del siguiente modo: las siguientes inclemencias:
a) el choque térmico, por si se derrama alguna sustancia
⌠
+∞
⌠
+∞
π kBT fría sobre él
⎮ exp ( − E p ( x) kBT ) dx ≈⎮⎮ exp ( − ax 2 kBT ) dx =
⎮
⌡−∞
⎮
⌡−∞ a b) los esfuerzos térmicos inducidos debidos a los gra-
dientes de temperatura en los bordes de los puntos de
calor
y el numerador
c) el impacto de un objeto que caiga sobre él desde apro-
ximadamente un metro de altura.
⎡ bx3 cx 4 ⎤
x exp ( − E p ( x) kBT ) ≈ x exp ( − ax 2 kBT ) ⎢1 + + ⎥
⎣ kBT kBT ⎦

desarrollando en serie el término inelástico. En este caso,

cuando el primer y tercer término del corchete se multiplican
por la x inicial, resultan funciones impares y, por tanto, se
anularán al integrar. Resulta entonces

+∞
b ⌠
3b π
⎮
⎮ x 4 exp ( − ax 2 k BT ) dx =
k BT
5 − 32
⎮
⌡−∞ 4 a 2 ( k BT )

Figura 1
por lo que
¿Cómo debería ser el coeficiente de dilatación? Debería
3b ser tan pequeño como fuera posible, pues la resistencia al
x = 2 k BT
4a choque térmico se mejora reduciendo las deformaciones y
disminuyendo los gradientes térmicos. Todo ello se consigue
mejorando la conductividad. El vidrio de sílice tiene un bajo
y el coeficiente de dilatación lineal coeficiente de dilatación y una conductividad térmica no de-
masiado pequeña, pero, desgraciadamente, son demasiado
1 d x 3k Bb frágiles.
αL = =
r0 dT 4a 2 r0 La solución es una cerámica basada en silicato de alumi-
nio-litio (LAS) que cristaliza con estructura hexagonal y es
por tanto anisótropa. Los coeficientes de dilatación térmica
son +6.5·10-6 K-1 a lo largo de cualquier dirección transversal
©  Ediciones Paraninfo

y de –2.0·10-6 K-1 en dirección longitudinal. Sí, negativa; a

medida que la sección del prisma hexagonal se amplía, los
átomos se empaquetan mejor, lo que resulta en que la altura

206
 La escala macroscópica de los materiales Bloque 3

del prisma mengua. Este curioso comportamiento concede a ∞

⎛ hυ nhυ ⎞ ⎛ hυ ⎞ ∞
un trozo policristalino de LAS un coeficiente de dilatación ∑ ( n + 1
2 ) hυ A exp ⎜ − − ⎟ A exp ⎜− ⎟∑(
n=0 ⎝ 2k BT k BT ⎠ ⎝ 2k BT ⎠ n = 0
prácticamente nulo. Otros problemas adicionales surgen en E= =
la fabricación de dicho material, ya que en las dimensiones
∞
⎛ hυ nhυ ⎞ ⎛ hυ
∑ A e x p ⎜ − − ⎟ A exp ⎜ −
requeridas resulta imposible con las técnicas convencionales. n=0 ⎝ 2 k B T k B T ⎠ ⎝ 2 k BT
Así que el material es primeramente preparado como un vi-
hυ ∞ ⎛ −nhυ ⎞ ∞
⎛ −nhυ ⎞ ⎛ ∞
drio y conformado en forma de lámina∞ con ayuda de rodillos ⎛ hυ nhυ ⎞ ∑
⎛ hυ ⎞ k T 1exp ⎜∞ ⎟ h υ ∑ n exp
⎛ −nhυ ⎞k T
⎜ ⎟ ⎜ ∑ ne
(n + 12 )hυun
(laminación en caliente). Entonces∑mediante A exp
tratamien-
⎜− − ∞ ⎜2
A exp − n=0 ⎟ ∑ ⎝ (nB ⎛+ 2⎠)+hhυυ exp ⎝ ⎟ B ⎠⎛= hυhυ⎜ 1 ⎞+ ∞n =0
⎟ = nh
n = 0⎜
υ ⎞
to térmico se provoca la cristalización
E = n = 0 con la orientación ⎝ 2kde BT k BT ⎠
= ∑⎝
(n +∞2k12 B)T
hυ⎠⎛ A
n−=exp
0 υ ⎜⎞−
nh − ⎝ k B⎛T
∞ ⎟− n⎠hA= ⎞ ⎜ − ⎜ 2 ⎟ ∑∞(n +
υexp
∑ ⎛ hυ ⎞ 2 k T k T ⎝ 2k B⎜⎜T ⎠ n = 0∑ e
∞
las celdillas hexagonales aleatoriamente distribuidas. ⎛ hυ nhυ ⎞ E= n=0 exp ⎜ ⎝
∞⎟ B
⎛ −∑ e x
B p
nhυ ⎞ k= T ⎜⎠ ⎟
∑ A exp ⎜ − Si −los ⎟ A exn∞=p0 ⎜ − ⎝ ⎛k BT⎟ ∑ hυ⎠ e x p nhυ
⎜ n=0
⎞ ⎟ ⎝ B ⎠ ⎛⎝ hυ n =⎞0 ∞
cristales son suficientemente pequeños npueden
=0
absorber
⎝ 2k BT losk BT ⎠ ∑ ⎝A ex2pk B⎜T− ⎠ n = 0 − ⎝ k BT ⎟ ⎠ A exp ⎜ − ⎟∑
cambios de forma anisótropos sin inducir esfuerzos grandes∞ n=0 ⎝ 2 k BT k BT ⎠ ⎝ 2 k BT ⎠ n =
hυ ∞
entre los cristales con diferentes orientaciones.
⎛ −nhυ ⎞ ⎛ −nhυ ⎞ ⎛ ∞
⎛ − nhυ ⎞ ⎞
∑ exp ⎜ También ⎟ hυel ∑ n exp ⎜ ⎟ hυ ∞ ⎜ ⎛∑ − nhnυexp ⎞ ⎜ ∞ ⎟⎟
⎛ −nhυ ⎞ ⎛ ∞
pequeño tamaño de los cristales confiere ⎝ k BT ⎠
2 ∞n = 0 resistencia. n =0 ⎝ k BT ⎠ ∑⎜exp 1 ⎜n =0 ∞⎟ ⎝ hkυBT∑⎠n⎟exp ⎜ ⎜ ∑ n exp
= ∞ + ⎛ ∞ hυ nhυ ⎞ =2 hnυ= 0⎜⎛ +h⎝υk∞ B⎞T ⎠ ⎛⎝ −knh ⎟
Tυ ⎞⎠ 1
n + 1
) hυ A exp − − A
∑exp ⎜⎛ −2 nhυ ⎟⎞ ⎜ 2kexTp ⎜⎛ −knhTυ⎟⎟⎞ = ∞ ⎜⎜ 2 2k T ⎟e∑
( exp − ( n
⎛+− nh2υ ⎞
+ ) h
1n = 0 ⎟
υ exp ⎜ B
⎟ = hυ ⎜ n
+ ∞ = 0

E =∑ n=0
k T
⎝ ∑B
k
B
T
⎠= ⎝ ⎛ −Bnh
⎜ ∑ υ⎠ nx⎞=p0 ⎜ k T∞ ⎟ ⎟⎟ ⎛ −⎝nhkυBT⎞ ⎠ = ⎜ 2
n=0 ⎝ B ⎠⎛
∞
hυ
n=0 ⎝ B ⎠
nhυ ⎞ ∑ exp ⎝ ⎜ ⎛ n = 0 h⎟υ ⎝⎞ ∞B ∑⎠e⎛x⎠p−⎜nhυ ⎞ ⎟ ⎜⎜ ∑ exp
n = 0 A ex⎝p k− T k T
Nota 22.4 ∑ A exp ⎜ − 2k T − k T ⎟ ⎜ B ⎠ ⎟∑e n =x0p
⎜ ⎝ B⎟ ⎠ ⎝ n=0

n=0 ⎝ B B ⎠ ⎝ 2 k BT ⎠ n = 0 ⎝ k BT ⎠
Modelo cuántico de Einstein
hυ ∞ ⎛ −nhυ ⎞ ∞
hυ ∑ n exp ⎜
⎛ −nhυ ⎞ ⎛ ∞
n exp ⎜
⎛ − nhυ ⎞ ⎞
∑ exp ⎜
para la capacidad térmica 2 n =0 ⎝ kBT ⎟⎠ k BT ⎠
⎟ ⎜ ∑
1 n =0
⎟⎟
k BT ⎠ ⎟
= ∞ + ∞ n =0 ⎝ = hυ ⎜ + ∞ ⎝
⎛ −nhυ ⎞ ⎛ −nhυ ⎞ ⎜2 ⎛ − nhυ ⎞ ⎟
Einstein supuso que un sólido cristalino∑ exp
está formado
⎜ ⎟por N ∑ ex p ⎜ ⎟ ⎜⎜ ∑ exp ⎜ ⎟ ⎟⎟
átomos vibrando independiente en las ntres =0 ⎝ k BT ⎠ con n = 0
direcciones ⎝ k BT ⎠ ⎝ n=0 ⎝ k BT ⎠ ⎠
una frecuencia constante, e igual para todos, υ E . A diferen-
cia de un oscilador clásico, un oscilador cuántico no puede haciendo x = hυ k T , resulta
B
poseer cualquier energía, sino solo un conjunto de valores
∞
permitidos que vienen dados por ⎛ ⎞
⎜ 1 ∑ n exp ( −nx ) ⎟
E = hυ ⎜ + n =∞0 ⎟
En = ( 12 + n)hυ ⎜2
⎜
⎝
∑ exp ( −nx ) ⎟⎟⎠
n =0

con n = 0, 1, 2…
¿Cuál será la energía promediada en el tiempo de un áto- Y teniendo en cuenta que
mo determinado?, o lo que es equivalente: ¿cuál es la energía ∞
media de todos los átomos del conjunto en un instante dado? ∑ n exp ( −nx ) d ⎡ ∞
Suponiendo válida la ley de distribución de Boltzmann, ⎤
n=0
= ⎢ln ∑ n exp ( −nx )⎥
∞
dx ⎣ n =0 ⎦
∑ exp ( −nx )
f MB ( E ) = A exp(− E k BT ) n=0

Y que
la energía media se calculará mediante la suma:
∞
1
∞ ∑ n exp ( −nx ) = 1 − exp ( − x )
∑E n f MB ( En ) n =0

E= n=0
∞ entonces
∑f MB ( En ) ⎛1 d ⎡ ⎛ 1 ⎞⎤ ⎞
n=0
E = hυ ⎜ − ⎢ln ⎜⎜ ⎟⎟ ⎥ ⎟ =
⎝ 2 dx ⎣⎢ ⎝ 1 − exp ( − x ) ⎠ ⎦⎥ ⎠
Habitualmente hemos empleado integrales para calcular ⎛ 1 (1 − exp ( − x ) ) ⎞
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valores medios, pero ahora debemos sustituir las integrales = hυ ⎜ + exp ( − x ) ⎟ =

2
por sumatorios, pues los niveles no están suficientemente 2 (1 − exp ( − x ) )
⎝ ⎠
juntos para poder considerar la distribución como un con-
tinuo. Así, ⎛1 1 ⎞
= hυ ⎜ + ⎟
⎝ 2 exp ( x ) − 1 ⎠

207
Capítulo 22 Propiedades térmicas de los materiales

de donde resulta, por tanto,
⎛1 1 ⎞
E = hυ ⎜ + ⎟ (1)
⎝ 2 exp ( hυ k BT ) − 1 ⎠
A temperaturas bajas, es decir, hυ  k BT , la exponencial
del denominador es muy grande ( exp ( hυ kBT )  1 ) por lo
que la energía media será aproximadamente igual a 12 hυ .
A temperaturas elevadas, es decir, cuando hυ  k BT , la
exponencial puede desarrollarse como 1 + hυ kBT , de forma
que la energía media es aproximadamente k BT . Este es el lí-
mite clásico; las cantidades hυ , son ahora pequeñas compa-
radas con la energía media del oscilador. La energía puede
variar de forma continua, y es entonces independiente de la
frecuencia de oscilación, tal como considera la Física Clásica.
Volviendo a nuestro problema, Einstein asumió que un
sólido cristalino podía considerarse formado por N átomos
vibrando en las tres direcciones del espacio, con una fre-
cuencia constante e igual para todos, υ E . Tomando la Ex-
presión (1), la energía vibratoria de la red con N átomos que
vibran con frecuencia υ E será
⎛1 1 ⎞
U = 3NE = 3NhυE ⎜ + ⎟ dinal y dos transversales), este resultado puede inferirse del
⎝ 2 exp ( hυE kBT ) − 1 ⎠
Con ayuda de TE = hυ E k B la denominada temperatura
característica de Einstein, cuyo valor se ajusta a partir de
los resultados experimentales, la expresión anterior puede
rescribirse como:
ondas elásticas en el material, que representan vibraciones
colectivas de todos los átomos. Estas ondas elásticas (como
las del sonido) se propagan a través del cristal a la velocidad
del sonido. Sabido es que cualquier onda (por complicada
que sea) puede considerarse formada por la superposición
de ondas armónicas elementales (su espectro) a través del
denominado desarrollo de Fourier. Cada una de estas ondas
armónicas puede considerarse generada por la vibración de
un oscilador ficticio, que vibra con su misma frecuencia. El
primer problema de Debye era, pues, encontrar el espectro
de frecuencias, D (υ ) , donde D (υ )dυ representa el número
de frecuencias de vibración permitidas entre υ y υ + dυ .
El problema es muy complejo, pero Debye lo simplificó
tratando al sólido como un medio continuo en vibración. So-
bre la base de esta aproximación, encontró que el número de
ondas armónicas con frecuencia υ era:
4π Vυ 3
N (υ ) = (1)
v3s
(vs es la velocidad del sonido en ese medio).
Salvo un factor 3, que se justifica por la existencia de tres
formas diferentes de polarización de las ondas (una longitu-
que se obtiene en el Apéndice B, apartado 2.5. En efecto,
partiendo de:
3 3
4π V (2mE ) 2 4π V (2mE ) 2
N (E) = 3× =
3h3 h3

⎛1 1 ⎞ y como según la definición del momento lineal (cantidad de

U = 3NkBTE ⎜ + ⎟ movimiento)
⎝ 2 exp (TE T ) − 1 ⎠

1 h hυ
La capacidad térmica molar a volumen constante se cal- p = (2mE ) 2 = =
culará, entonces: λ vs

2
⎛ ∂U ⎞ ⎛ TE ⎞ exp (TE T ) que sustituida en la ecuación anterior permite obtener la
c=⎜ ⎟ = 3R ⎜
⎝ ∂T ⎠V T
⎟
⎝ ⎠ ( exp (TE T ) − 1)
2 Expresión (1). Por tanto, la densidad de estados, es decir,
el número de frecuencias de vibración permitidas entre υ y
υ + dυ sería

Nota 22.5 dN (υ ) 12π Vυ 2

D (υ ) ≡ =
dυ v3s
Modelo cuántico de Debye
para la capacidad térmica
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Debye postuló también la existencia de una frecuencia

El modelo de Debye (1912) presupone que las vibraciones máxima de oscilación, υ M , porque el número total de osci-
atómicas no son independientes unas de otras, sino que están ladores no debería ser superior a 3N (N átomos vibrando en
acopladas y coordinadas de tal forma que originan complejas tres dimensiones). De esta forma,

208
 La escala macroscópica de los materiales Bloque 3

A temperaturas altas, cuando x es pequeño, el integrando

4π Vυ M3
3N = en la Expresión (2) se reduce a x2dx y, por lo tanto, la energía
v3s térmica media del sistema resulta 3RT, lo que al diferenciar
da el valor de Dulong-Petit de 3R para la capacidad térmica
Considerando la energía media de acuerdo al modelo molar.
cuántico de Einstein (Nota 22.4) como A bajas temperaturas, cuando x es grande podemos ha-
cer la aproximación de que el límite superior de la integral en
la Expresión (2) se haga infinito. La integral toma entonces
⎛1 1 ⎞ hυ
E = hυ ⎜ + ⎟≈ el valor 4π 4 15 . Diferenciando, obtenemos para la capaci-
⎝ 2 exp ( hυ k B T ) − 1 ⎠ exp ( hυ k BT ) − 1 dad térmica molar

3
la energía térmica media de un mol del sistema se calcularía 4π 2 R ⎛ T ⎞ –1 –1
c≈ ⎜ ⎟ J·mol K
como: 5 ⎝ TD ⎠

υM
⌠
U = ⎮⎮ E (υ )D (υ ) dυ = De manera que a temperaturas bajas la capacidad térmica
⌡0
molar debería decrecer como T 3, lo que se conoce con el
12π V ⌠ M
υ
hυ 3 nombre de Ley T-cubo de Debye. Nótese que a 0 K la capa-
= ⎮ dυ = cidad térmica molar es nula.
v3s ⎮
⎮
⌡0 exp ( hυ k BT ) − 1
υM
9 N A ⌠⎮ hυ 3
= 3
dυ
υ M
⎮
⎮
⌡0 exp ( hυ k BT ) − 1 Nota 22.6
expresión que puede simplificarse si hacemos x = hυ k BT Deducción teórica de la ley
y definiendo la denominada temperatura característica de de Wiedeman-Franz
Debye, TD, como la temperatura a la cual la energía térmica
media clásica de un oscilador cumple que kBTD = hυM , lo De la teoría cinética de los gases se sabe que la conductivi-
que implica dad térmica de un gas ideal se expresa por:

1 1 1 1
1 c 2
⎛⎛ 33NN ⎞⎞3 3 hhvvs s⎛⎛ 33NN ⎞⎞3 3 κ= vτ (1)
kkBTT
B DD==hh
υυMM ==hhvv ⎜
ss ⎜ ⎟⎟ ⇒
⇒ TT
DD== ⎜⎜ ⎟⎟ 3 Vm
⎝⎝44ππVV⎠⎠ kkB B ⎝⎝44ππVV⎠⎠

donde c es el calor molar del gas, Vm su volumen molar, v la

De este modo, se obtiene finalmente para la energía tér- velocidad media de sus moléculas y t el semiperiodo medio
mica media del sistema entre colisiones. (Es interesante comprobar que la Expresión
(1) es dimensionalmente correcta).
T T
9 RT 4 ⌠⎮ D x3 Vamos a despreciar la contribución fonónica a la con-
U= 3
dx (2) ductividad térmica, esto es, supondremos que la conducción
TD ⌡0 exp( x) − 1
⎮
del calor es, por completo, responsabilidad de los electrones.
Podemos aplicar este resultado al «gas de electrones libres»
Y para la capacidad térmica molar: contenido en un mol de metal monovalente, considerando
que el calor molar de dicho gas viene descrito por:
3 T T
⌠ D
⎛T ⎞ exp( x) x 4
c = 9R ⎜ ⎟ ⎮
dx 9 k B2T
⎝ TD ⎠
⎮
⎮
( exp( x) − 1)
2
ce ≈ NA
⌡0
2 EF

La temperatura de Debye divide aproximadamente la y que los electrones viajan con una velocidad media igual a
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escala de temperaturas en dos zonas, la superior, en la que la velocidad de Fermi, v = vF , que se obtiene de la expresión
los osciladores se comportan según la mecánica clásica y la EF = 12 me vF2 , donde EF es la energía de Fermi del metal y
zona de baja temperatura, en donde los efectos cuánticos son que me es la masa del electrón. Con todo, la Expresión (1)
importantes. quedaría

209
Capítulo 22 Propiedades térmicas de los materiales

de calor conocida (Q), en condiciones adiabáticas. La razón

1 ⎛ 9 N A kB2T ⎞ ⎛ 2EF ⎞ 3τ N AkB2T
κ= ⎜ ⎟⎜ ⎟τ = entre el calor suministrado y el incremento de temperatu-
3Vm ⎝ 2 EF ⎠⎝ me ⎠ Vm me ra observado es la capacidad térmica (Figura 1). La energía
suministrada se calcula como el producto de la potencia W
Teniendo en cuenta que la conductividad eléctrica, tal por el tiempo durante el que se produce la transferencia, Δt ,
como vimos en el Capítulo 17, Expresión (17.10), se expre- esto es, Q = W ⋅ Δt . Las condiciones adiabáticas se consiguen
saba como por medio de alto vacío (para eliminar la conducción y la
convección) y mediante una pantalla adiabática (para mini-
e2τ N A mizar las pérdidas por radiación). Esto último exige contro-
σ= lar electrónicamente la temperatura de esta pantalla de modo
me Vm
que en todo instante sea igual a la del recipiente calorimétri-
co que contiene a la muestra.
Resulta que el cociente κ (σ T ) resulta ser constante e
igual a:

κ 3kB2
L≡ ≈ ≈ 2.23 ⋅10−8 W Ω K −2
σ T e2

que es la conocida ley de Wiedemann-Franz. La constante

L se denomina constante de Lorenz. Razonamientos más ri-
gurosos conducen a un valor más cercano al hallado experi-
mentalmente de 2.45 ⋅10−8 W Ω K −2 .
Esta ley se cumple a temperatura ambiente y superiores.
En este rango, L no depende ni del tipo de metal, ni de la
temperatura. Sin embargo, en la región de temperaturas in-
termedias (entre las criogénicas y la ambiente), L depende Figura 1
del tipo de metal y de la temperatura, ya que los tiempos
característicos de los electrones libres para la κ y σ no son
La capacidad térmica C de la muestra se obtiene efectuan-
iguales, como se ha supuesto en la deducción. Esta igualdad
do el paso al límite cuando ΔT → 0 , del cociente W Δt ΔT .
solo se cumple exactamente a temperaturas elevadas.
Matemáticamente,

Nota 22.7
Caracterización de propiedades térmicas
Describiremos brevemente los principales métodos de medi-
da de la capacidad térmica y la conductividad térmica. Todos
los métodos que analizaremos pueden considerarse como
clásicos, aunque algunos no hace mucho tiempo que fueron
desarrollados.
A. Medida de capacidad térmica específica
Los principales métodos de medida son la calorimetría adia-
bática, la calorimetría modulada y la calorimetría diferencial
de barrido. Analizaremos a continuación cada uno de ellos.
W Δt
C = lím
ΔT → 0 ΔT
Este método posee alta sensibilidad y precisión y se uti-
liza en la medida tanto de sólidos (generalmente en forma de
polvo), como de líquidos.
Calorimetría modulada
La calorimetría modulada fue desarrollada en la década de
los 60 del siglo pasado y ha resultado muy útil en el estudio
preciso de las transformaciones de fase de segundo orden.
Este método consiste en calentar la muestra con una fuen-
te periódica, de forma que produzca una variación de tem-
peratura de la muestra también periódica. Si con el método
anterior lo importante era aplicar un pulso de calor finito y
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Calorimetría adiabática asegurar que no se perdiera nada de él, ahora lo importante

Este método utiliza la idea más simple e intuitiva de capaci- es dar un pulso tan rápido que el sistema no tenga tiempo de
dad térmica. Mide el incremento de temperatura (DT) que se intercambiar calor con el baño térmico. En cierto modo, es
produce en un recinto cuando se le suministra una cantidad como si el sistema fuera adiabático.

210
 La escala macroscópica de los materiales
Para muestras sólidas, el dispositivo más simple de un
calorímetro capaz de implementar la técnica modulada es el
formado por una muestra M en forma de placa y cuya capa-
cidad y resistencia térmicas son C y R, respectivamente (el
concepto de resistencia térmica es el análogo al de la resis-
tencia eléctrica). Sobre una cara de la muestra se hace inci-
dir una potencia W oscilatoria de frecuencia w y en la cara
opuesta se mide la amplitud ΔT0 de la oscilación de la tem-
peratura mediante un termopar de capacidad térmica muy
pequeña. Por la cara del termopar, la muestra está acoplada
térmicamente a una fuente térmica, F, por medio de una re-
sistencia térmica R0, de capacidad térmica despreciable. El
valor de w se ha de escoger de modo que se cumpla que:
(1) ωCR0  1 , que asegura que durante cada ciclo las pérdi-
das de calor son despreciables, y (2) ωCR  1 , que asegura
la ausencia de gradientes térmicos dentro de la muestra. De
este modo, la capacidad térmica de la muestra puede obte-
nerse mediante la expresión:
W
C=
ω ΔT0
Generalmente, para minimizar la contribución de la ca-
pacidad térmica de los sensores, el flujo de calor alternativo
se consigue irradiando con luz modulada sobre la cara pinta-
da con una capa muy absorbente (Figura 2).
Figura 2
Empleando la técnica adecuada en cada caso es posible
medir calores específicos con un error del orden del 0.2 %
a bajas y moderadas temperaturas, no superior al 1 % en el
rango hasta 1 000 K, y del 2 % hasta 2 000 K.
Calorimetría diferencial de barrido (DSC)
Aunque no fue así en sus comienzos, la calorimetría dife-
rencial de barrido (DSC) constituye hoy día una verdadera
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técnica calorimétrica cuantitativa, aunque menos precisa que
la técnica anterior. Su fundamento consiste en medir la po-
tencia que en cada instante se suministra a la muestra para
que la temperatura de esta varíe con el tiempo a un ritmo
Bloque 3
constante. En la Figura 3 se representa un esquema de un
DSC comercial. Mediante un programador de temperatura se
modifica la temperatura, T2, de la célula de medida, CM (que
contiene a la muestra M), y la T1 de referencia CR (célula
referencia) a ritmo constante. La diferencia de potencia W1 y
W2 que hay que suministrar a cada celda, es proporcional a
la capacidad térmica de la muestra. Al tratarse de un método
dinámico, resulta mucho menos preciso que el adiabático y
no resulta aconsejable para muestras que presenten transfor-
maciones de fase en las que la conductividad térmica varíe
muy apreciablemente.
Figura 3
B. Medida de la conductividad térmica
Los métodos más usuales para la medida de la conductividad
térmica k son los denominados estacionarios. En ellos la con-
ductividad térmica se mide a partir del gradiente estacionario
de temperatura que se establece en la muestra cuando una po-
tencia constante y conocida se aplica a una parte de ella.
Actualmente, los métodos estacionarios se pueden clasi-
ficar en: a) método de calentamiento directo, y b) método de
flujo de calor unidimensional. El primero es aplicable solo
con muestras de material conductor eléctrico, puesto que la
potencia es generada en la propia muestra por efecto Joule.
El segundo engloba a las modalidades axial y radial, que
como indican sus nombres se diferencian en el tipo de sime-
tría del flujo de calor estacionario Q, dentro de la muestra.
El método más ampliamente usado es el denominado
de flujo axial con placa caliente de guarda (Figura 4), que
permite minimizar las pérdidas laterales de calor y, por tan-
to, cumplir la condición de flujo de calor axial dentro de la
muestra M. En este método se escogen las potencias W y W ʹ
de modo que el gradiente vertical de temperatura de la placa
de guarda sea el mismo que el de la muestra M; así puede
asegurarse la inexistencia de conducción lateral de calor. La
conductividad térmica se obtiene entonces a partir de la ex-
presión:
211
Capítulo 22 Propiedades térmicas de los materiales
Wz
κ=
A(T1 − T2 )
donde A representa la superficie de la muestra perpendicu-
lar al flujo de calor y z la distancia entre los dos puntos de
medida.
Figura 4
Uno de los principales objetivos del desarrollo de nue-
vos métodos de medida de propiedades térmicas es la im-
plementación de métodos de alta velocidad y de métodos
que generen un suficiente número de datos para determinar
simultáneamente varias propiedades a partir de un único ex-
perimento. Ello solo puede lograse con el uso de métodos de
medida no estacionarios. En esta línea, se han desarrollado
dos tipos de métodos no estacionarios: a) los métodos de ca-
lentamiento periódico (de ondas de temperatura), y b) los
métodos pulsatorios.
Entre las técnicas referidas a los métodos pulsatorios
ha ganado interés el denominado análisis por pulso láser
(laser flash analysis), usado para medir la difusividad tér-
mica (el cociente D = κ (δ c) ). Un pulso de energía laser
calienta una cara de una muestra plano-paralela (Figura 5),
como consecuencia, la temperatura en la cara opuesta subirá.
Cuanto más alta es la difusividad térmica, más rápidamente
la energía alcanza la otra cara. En un sistema adiabático, la
difusividad térmica monodimensional se calcula a partir del
incremento de temperatura a través de la expresión:
d2
D = 0.14
t1/2
donde d es el espesor de la muestra, y t1/2 el tiempo a la mitad
del máximo del pulso.
212
Figura 5
Adenda
Refrigeración magnética
Nuestra sociedad es claramente dependiente de los sistemas
de refrigeración, no solo para la conservación de alimentos,
sino también para el acondicionamiento de la temperatura
interior de edificios y vehículos. El problema es que los sis-
temas actuales de refrigeración, basados en la compresión-
expansión de un gas, rara vez superan el 20 % de eficiencia.
Aunque los clorofluorocarbonos (CFCs) e hidroclorofluoro-
carbonos (HCFCs) ya no se usan como fluidos de trabajo,
por su probada capacidad de destruir la capa de ozono, los
sustitutos propuestos no son completamente inocuos. Los
actualmente empleados hidrofluorocarbonos (HFCs), sin Cl
en su composición, no deterioran la capa de ozono, pero sí
contribuyen al efecto invernadero, y más dañinamente que el
CO2. La solución a todos estos problemas pasa por encontrar
un modo alternativo de conseguir la refrigeración, y en esta
línea parece despuntar la refrigeración magnética.
Este método de refrigeración está basado en el efecto
magnetocalórico (abreviadamente, MCE, su acrónimo in-
glés), descubierto en 1881 por el físico alemán E. Warburg.
Este fenómeno consiste en el cambio de temperatura que
sufren ciertos materiales, denominados magnetocalóricos,
cuando son sometidos a un campo magnético. Todos los ma-
teriales ferromagnéticos presentan esta peculiaridad, por lo
que todos ellos son buenos candidatos (metales de transición
y lantánidos). No obstante, los materiales que inicialmente
fueron estudiados eran sales paramagnéticas, como el nitrato
de cerio y magnesio.
Básicamente, el MCE se debe a que cuando uno de estos
materiales se somete a un campo magnético, sus momentos
dipolares magnéticos se alinean con el campo externo apli-
©  Ediciones Paraninfo
cado (Figura 1) y, como consecuencia, la entropía magnética
disminuye. Si dicho proceso tiene lugar en condiciones adia-
 La escala macroscópica de los materiales
báticas (sin intercambio de calor con el entorno y, por tanto,
sin que la entropía total del sistema varíe) la reducción de la
entropía magnética se compensa con un incremento de tem-
peratura (aumento de la entropía térmica). Al retirar o dismi-
nuir el campo magnético aplicado, los dominios magnéticos
se desalinean respecto de la dirección del campo magnético,
aumentando la entropía magnética, y disminuyendo su tem-
peratura.
Figura 1
Ahora bien, ¿cuándo es más efectivo este fenómeno? La res-
puesta podrá darla usted mismo tras leer el siguiente apartado.
A. Aspectos termodinámicos
Puede demostrarse que el efecto magnetocalórico de un ma-
terial, esto es, la variación adiabática de su temperatura, pue-
de calcularse mediante la ecuación:
⌠
B0 f
T ⎛ ∂M ⎞
ΔT = −⎮ ⎜ ⎟ d B0
⌡B0 i P ⎝ ∂T ⎠B0
C
donde T es la temperatura absoluta, B0 es el campo magnéti-
co aplicado, CP es la capacidad térmica del material magné-
tico (refrigerante), y M es la magnetización del refrigerante.
Resulta claro que cuanto mayor sea el campo aplicado,
más elevada sea la temperatura a la que se encuentre el ma-
terial y menor sea su capacidad calorífica, mayor será la di-
ferencia de temperatura que es capaz de producir. Además,
interesará que la variación de la magnetización con la tem-
peratura sea la mayor posible, y eso se produce en el entorno
de la temperatura de Curie del material. A temperaturas muy
por debajo de TC, la agitación térmica es muy pequeña y para
alinear los dominios magnéticos se requieren campos exter-
nos muy elevados. Si la temperatura es muy superior a TC, el
©  Ediciones Paraninfo
material está en estado paramagnético. Pero en el entorno de
TC, la aplicación de un campo exterior relativamente débil es
suficiente como para que, unido al campo interior, se consiga
vencer a la agitación térmica.
Bloque 3
B. Breve historia de la refrigeración magnética
La aplicación del MCE como medio para enfriar era cono-
cida desde hace tiempo. En concreto, en 1926 y 1927, P.
Debye y W.F. Giauque propusieron de modo independiente
sendos sistemas para alcanzar temperaturas bajo el punto de
ebullición del He (–269 ºC o 4 K), temperatura por debajo
de la cual no resultaba fácil refrigerar en aquel entonces. De
hecho, la refrigeración magnética ha sido empleada para en-
friar elementos por debajo de 1 K. El escollo, no obstante,
seguía siendo su aplicación a temperatura ambiente, ya que
la disminución de temperatura lograda era de apenas unos
pocos grados, lo que a temperatura ambiente resultaba ca-
rente de interés.
Se fueron dando algunos pasos en la buena dirección,
como supuso el empleo de gadolinio (Gd) y algunas de sus
aleaciones como material magnetocalórico. Su uso se justifi-
ca por su relativamente baja CP (230 J/kg·K), y, sobre todo,
por tener una TC de 292 K, muy próxima a la temperatura
ambiente. No obstante, la baja disminución de temperatura
que seguía consiguiéndose a temperatura ambiente (3-4 K
por tesla de campo aplicado) hacía necesario del empleo de
imanes superconductores, en lugar de imanes permanentes
como sería deseable, para aplicar campos magnéticos muy
intensos y así mejorar la diferencia de temperatura. De nue-
vo se estaba en un punto muerto, ya que al ser tan baja la
temperatura crítica de los superconductores conocidos, el
uso del Gd a temperatura ambiente era en la práctica muy
poco efectivo.
La inflexión, comparable en importancia al propio des-
cubrimiento del MCE, se produjo en 1997 cuando K.A.
Gschneidner Jr. y V.K. Pecharsky (del AMES Lab, EEUU)
desarrollaron el primer material que podía funcionar eficaz-
mente como refrigerador magnético a temperatura ambien-
te, y sin la necesidad de emplear imanes superconductores.
La clave estaba en que estos materiales presentan transfor-
maciones de fase de segundo orden sin histéresis térmica o
magnética. Este material es el Gd5Si2Ge2, que tiene una TC
de 276 K, y un poder refrigerante del orden del doble que el
del Gd. La gran novedad no fue el material en sí, sino el des-
cubrimiento de un amplio abanico de aleaciones con MCE
a temperatura ambiente desconocidos hasta entonces. Estos
materiales se denominan materiales con efecto magnetoca-
lórico gigante (GMCE materials, en inglés). Como ejemplo,
en el compuesto anterior puede sustituirse Si por Ge, dando
lugar a la familia de compuestos Gd5(SixGe1-x)4, en los que
la TC depende de x, variando entre –133 K, para x = 0.23, y
276 K, para x = 0.5. Teniendo esto en cuenta, en principio,
sería posible diseñar el material específico capaz de trabajar
a la temperatura que se requiera.
Pese a los pocos años transcurridos, otros muchos materiales
han tomado el relevo del Gd5(SixGe1-x)4; entre ellos cabe des-
tacar los compuestos MnAs1-xSbx, MnAs1-xPx, La(Fe1-xSix)13,
213
Capítulo 22 Propiedades térmicas de los materiales

FeRh, o las aleaciones MnFe(P,As), que son las primeras ba-

sadas en elementos abundantes en la corteza terrestre y, por
tanto, mucho más económicas. El desarrollo de todos estos
materiales es lo que ha posibilitado que hoy en día podamos
hablar de los sistemas de refrigeración magnética domés-
ticos e industriales como una realidad inminente. También
es de destacar la irrupción en este campo de los materiales
moleculares, como el acetato de galodinio tetrahidrato, que
se están empleando con éxito para la refrigeración a tempe-
raturas criogénicas.

C. Refrigeradores magnéticos
En la actualidad, existen muchas empresas y equipos de in-
vestigación trabajando en este campo. Aunque en los últimos
años han sido propuestos muchos prototipos diferentes, todos
ellos se basan en un esquema de funcionamiento común (Fi-
gura 2), cuyas etapas pueden relacionarse, con fines didácti-
cos, con las de un sistema de refrigeración convencional. En
una primera etapa, el material magnetocalórico se introduce
en el seno de un campo, lo que produce el alineamiento de
sus dipolos y, consecuentemente, su calentamiento. Pos-
teriormente, sin retirar el campo magnético, el material es
enfriado hasta la temperatura ambiente mediante un inter-
cambio con el aire del exterior. La siguiente fase consiste en
la anulación brusca del campo magnético, produciéndose el
desalineamiento de los dipolos y el enfriamiento del material
magnetocalórico. Este se pone entonces en contacto con un
fluido térmico al que enfría, y que sirve de enlace con el en-
torno/objeto que se desea enfriar. El proceso se repite, cuan-
tas veces sea necesario para conseguir reducir la temperatura
del entorno/objeto hasta el valor deseado.
Al inicio de esta adenda mencionamos la baja eficiencia
(< 20 %) y el uso de gases de efecto invernadero como las
principales desventajas de los sistemas de refrigeración basa-
dos en ciclos de compresión-expansión de gases. En cambio,
los prototipos actuales de refrigeración magnética, permiten
Figura 2
alcanzar eficiencias de hasta el 60 %, lo que equivale a decir
que el refrigerador magnético consume, aproximadamen-
te, un tercio de electricidad menos que uno convencional.
Además, el fluido que se emplea para el transporte térmico
entre el material magnetocalórico y el entorno que se desea
enfriar es completamente inocuo, usándose generalmente
una mezcla de agua y etanol (para conseguir un punto de
solidificación lo suficientemente bajo). Pero estas dos impor-
tantes ventajas no son las únicas. A ellas se han de unir otras
como que el diseño de los equipos es más sencillo y robusto,
los costes de mantenimiento más bajos, que no se utilizan
fluidos a presión (por lo que se reducen las pérdidas de re-
frigerante a la atmósfera) y, lo que no es menos importante,
los equipos producen mucho menos ruido (o casi ninguno)
durante su funcionamiento.

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214
 23
CAPÍTULO

Propiedades químicas
de los materiales

RECURSOS DIGITALES

Nota 23.1. Deducción de la ecuación

de Nernst
Nota 23.2. Prevención de la corrosión
a través del diseño
Nota 23.3. Matemáticas de la oxidación
Nota 23.4. Ensayos de corrosión

Adenda: Importancia socioeconómica

de la corrosión
Capítulo 23 Propiedades químicas de los materiales

Nota 23.1 RT
E =E o− ln Q
nF
Deducción de la ecuación de Nernst
En química, el producto de concentraciones, Q, de cualquier que es la expresión de la denominada ecuación de Nernst.
reacción reversible, como por ejemplo, aA + bB cC + dD , Un resultado similar se obtendría si en lugar de conside-
se calcula a través de: rar la reacción que transcurre en un electrodo, se considera la
reacción global de la pila. En ese caso, escribiríamos:
[C ]c ⋅ [ D ]d
Q=
[ A]a ⋅ [ B ]b RT
o
Epila = E pila − ln Q
nF
Si la reacción transcurre en condiciones de equilibrio,
el producto de concentraciones coincide con la denominada
constante de equilibrio, habitualmente denotada por K. Ob-
viamente, ambas magnitudes han de estar relacionadas. La
relación que las liga es la siguiente:
Nota 23.2
Prevención de la corrosión a través
⎛ ΔG ⎞ del diseño
Q = K exp ⎜ ⎟
⎝ RT ⎠
Este capítulo ha centrado su atención sobre el papel de los
materiales y su selección al combatir la corrosión en diferen-
Por otra parte, el potencial del electrodo se relaciona con
tes entornos. Pero tales consideraciones llegarán a anularse
la variación de energía libre que este experimenta mediante
si el diseño estructural no está hecho para evitar la corrosión.
la Expresión (23.10):
Algunos ejemplos simples ilustrando tanto prácticas de dise-
ño recomendadas como no recomendadas se muestran en la
ΔG = −n ⋅ E ⋅ F Figura 1. En la primera de las imágenes, la ausencia de pro-
tección superior y drenaje, puede hacer que se retenga agua,
De modo que la ecuación anterior quedará como favoreciendo algún tipo de corrosión electroquímica. En el
segundo ejemplo el diseño inadecuado hace que la corrosión
por erosión en la pared de la tubería que recibe el flujo sea
⎛ −n ⋅ E ⋅ F ⎞
Q = K exp ⎜ ⎟ más que probable. La suciedad acumulada en el tercero de
⎝ RT ⎠ los casos puede dar lugar a corrosión en hendiduras, al igual
que los casos en que las soldaduras de la última imagen se
Tomando logaritmos y reordenando han realizado sin la adecuada prevención.

−n ⋅ E ⋅ F
ln Q − ln K =
RT

Despejando ahora el potencial

RT RT
E= ln K − ln Q
nF nF

Si el equilibrio se obtuvo en las condiciones estándares,

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entonces el término ( RT nF)ln K coincide con el potencial

estándar de electrodo, E o , de modo que Figura 1

216
 La escala macroscópica de los materiales
Nota 23.3
Matemáticas de la oxidación
La oxidación es un proceso en el que el oxígeno reacciona
químicamente con una superficie metálica para producir un
óxido metálico. El crecimiento del óxido se produce habi-
tualmente por la difusión de los átomos de oxígeno o del
metal, o de ambos, a través del óxido recién formado.
Para aumentar el espesor de la capa de óxido ya presente
se supone que al menos se han de suceder estas tres etapas:
(1) el oxígeno tiene que alcanzar la superficie del óxido, (2)
el oxígeno, probablemente en forma atómica, debe difundir-
se a través de la capa completa de óxido para llegar a la inter-
ficie metal/óxido, y (3) ha de tener lugar la reacción química
entre el metal y el oxígeno para dar lugar al óxido.
Considerando solo el transporte y reacción en el sólido,
los pasos (2) y (3) pueden ser modelados por:
⎛ C − Ci ⎞
J2 = D ⎜ 0 ⎟
⎝ δ ⎠
y ferencial que se ha de resolver se simplifica a:
J 3 = kCi
La expresión del flujo de masa J 2 está basada en la pri-
mera ley de Fick, siendo D la difusividad del oxígeno en el
óxido, d el espesor de óxido en cualquier instante, y C0 y Ci
las concentraciones de oxígeno en la masa de gas y en la
interficie gas/óxido, respectivamente.
El ritmo de la reacción química en la interficie es pro-
porcional a la concentración Ci, de modo que el flujo J 3 re-
presenta la cantidad de óxido formado por unidad de tiempo
y unidad de área. En estado estacionario, el crecimiento del
óxido se llevará a cabo cumpliendo que J 2 = J 3 . Con esto,
una simple manipulación algebraica nos permite obtener
C0
Ci =
1 + kδ D
Pero J 3 es también proporcional al ritmo con el que crece
el óxido, esto es,
⎛ dδ ⎞
J 3 = N0 ⎜ ⎟
⎝ dt ⎠
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donde (dδ dt ) es el ritmo del crecimiento del óxido, y N0 es
el número de moléculas oxidantes incorporadas por unidad
de volumen del óxido ( N 0 ≈ 10 28 m-3, una concentración ató-
mica típica en los sólidos). Por lo tanto,
Bloque 3
dδ kCi kC0
= =
dt N 0 N 0 (1 + kδ D )
Dos importantes casos extremos pueden ser aducidos
para simplificar esta ecuación diferencial. En el primer
caso, la difusión de oxígeno a través del óxido es rápida (D
grande), pero la reacción con el metal es lenta (k pequeña).
Debido a que la oxidación es limitada o restringida por la
velocidad de la reacción química interficial, hablaremos en
este caso de crecimiento de óxido limitado por el ritmo de la
reacción. En este régimen, 1 > kδ D , y la integración directa
de ecuación diferencial simplificada, nos lleva a
δ (t ) = (C0 k N 0 ) t
que expresa un ritmo de crecimiento lineal con el tiempo.
En el otro extremo, la difusión del oxígeno a través del
óxido es lenta (D pequeña), pero cuando alcanza la interfi-
cie, la reacción con el metal es muy rápida (k grande). En
este caso decimos que el crecimiento está limitado por la
difusión. Ahora, se cumplirá que 1 < kδ D , y la ecuación di-
dδ C0 D
=
dt N 0δ
que es de variables separables y fácilmente resoluble. Por
integración directa obtenemos:
δ (t ) = 2C0 D t N 0
que representa un crecimiento parabólico.
Pese a la sencillez de estos modelos, el ajuste con los datos
experimentales es razonablemente bueno, si bien otros mode-
los de crecimiento han de considerarse en muchas ocasiones.
Nota 23.4
Ensayos de corrosión
La finalidad principal de los ensayos de corrosión es la de
predecir el comportamiento de un material frente a las con-
diciones de servicio, no obstante también son útiles para el
estudio de los mecanismos de corrosión.
Los ensayos de corrosión pueden clasificarse en ensa-
yos químicos y ensayos electroquímicos. En las secciones
siguientes describiremos brevemente algunos de los princi-
pales ensayos de cada categoría. Según el lugar donde se
217
Capítulo 23 Propiedades químicas de los materiales
llevan a cabo, los ensayos de corrosión pueden ser de dos
tipos: los realizados en planta y los realizados en laborato-
rio. Siempre son preferibles los ensayos en la propia planta,
pero si esto no es posible, han de realizarse necesariamente
en el laboratorio, procurando, en la medida de lo posible, que
las principales variables (temperatura, velocidad, aireación,
condiciones químicas, etc.) se asemejen a las de la planta.
A. Ensayos químicos
Ensayos de exposición a la atmósfera
Los ensayos de resistencia a la corrosión atmosférica (en
planta o en laboratorio) son particularmente importantes,
ya que son muchas las estructuras metálicas expuestas a las
inclemencias atmosféricas. Para su realización, las probetas
de ensayo se disponen habitualmente inclinadas 45º, para
permitir el desagüe del agua que pueda condensarse en su
superficie, y fijadas a soportes mediante algún material no
metálico para evitar introducir posibles efectos galvánicos.
La determinación de la velocidad de corrosión se realiza me-
diante la medición de la pérdida de masa de las muestras
después de un cierto período de exposición.
Ensayos en cámara de niebla salina
En estos ensayos de laboratorio, el material es sometido a
la acción de la «niebla» producida por pulverización de una
disolución salina. Este tipo de ensayos permite clasificar a
los distintos metales en función de su resistencia a la corro-
sión en atmósferas marinas. No obstante, los resultados de-
ben considerarse con precaución, puesto que los ensayos no
reproducen todos los factores que intervienen en la realidad.
La composición del líquido a pulverizar puede ser muy
diversa, aunque generalmente se emplea una disolución de
cloruro sódico del 3 al 5 %. La relativamente rápida corro-
sión que causa la niebla salina puede explicarse por la facili-
dad con que el oxígeno llega a la capa de líquido en contacto
con el metal.
Para realizar ensayos de corrosión simulando las condi-
ciones ambientales de atmósferas industriales suele realizarse
un ensayo similar al indicado anteriormente, pero empleando
atmósferas de SO2 en lugar de disoluciones salinas.
Ensayos de inmersión completa o parcial
Este tipo de ensayos, que se realizan a menudo en labora-
torios industriales, proporcionan datos bastante reproduci-
bles y de ellos puede extraerse información muy relevante,
principalmente de la tendencia a la picadura de las muestras.
Además de la forma y acabado superficial de las muestras,
otros factores intervienen de forma decisiva en los resultados
de estos ensayos: la temperatura, la agitación del fluido, la
aireación, la profundidad de inmersión de las muestras, el
218
tiempo de permanencia en el medio corrosivo y el tipo de
medio corrosivo, entre otros.
Mediante observación al microscopio de una sección
transversal de las probetas se determina la forma de las pica-
duras. La densidad, tamaño y profundidad de estas se deter-
mina, bien por un procedimiento informatizado de análisis
de imagen, o por comparación con una serie de patrones.
Además se mide la pérdida de masa de las muestras una vez
terminado el ensayo.
Ensayos de inmersión alternada
En este tipo de ensayos de laboratorio, las probetas se so-
meten alternativamente a períodos de inmersión en el medio
corrosivo y de secado al aire. Debe regularse la temperatura
del ensayo así como la frecuencia de las inmersiones, con
objeto de garantizar que las probetas se sequen completa-
mente durante los periodos de secado.
Ensayos de corrosión bajo esfuerzos
Este ensayo de laboratorio se realiza aplicando un esfuerzo
de tracción a las muestras y empleando una disolución en
ebullición de cloruro de magnesio concentrada en torno al
40 %, y acidificada o no con ácido clorhídrico hasta un de-
terminado pH. El esfuerzo puede aplicarse directamente a la
probeta mediante palanca, muelle o carga colgante.
Ensayos de fatiga con corrosión
La acción simultánea de una carga mecánica fluctuante y de
un medio corrosivo puede estudiarse en el laboratorio con
los aparatos clásicos de flexión alternada, añadiéndoles los
dispositivos necesarios para someter las probetas a la acción
de un agente agresivo, líquido o gaseoso. Los resultados ob-
tenidos en estos ensayos se suelen expresar en una represen-
tación semilogarítmica, con la carga en el eje vertical (en
escala normal), y el número de ciclos transcurridos hasta la
rotura en el eje horizontal (en escala logarítmica). Sobre la
misma gráfica, se representa también la curva correspon-
diente al ensayo de fatiga realizado al aire, sin el medio agre-
sivo. De la comparación de ambas curvas se puede inferir la
influencia del fenómeno corrosivo.
Ensayos de corrosión intergranular
Los ensayos químicos de corrosión intergranular están orien-
tados a evaluar la susceptibilidad de cierto tipo de materiales
(por ejemplo, los aceros inoxidables austeníticos) a este tipo
de ataque. Se emplean para controlar un material en su es-
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tado de recepción, para evaluar la bondad de un tratamiento
térmico y para comprobar la efectividad de la estabilización
con titanio o niobio, o de la reducción del contenido de car-
bono de su composición.
 La escala macroscópica de los materiales
En dichos ensayos se analiza la microestructura que pre-
senta el material tras el ensayo, la pérdida de masa de las
muestras tras cierto tiempo de inmersión en disoluciones
ácidas, o el comportamiento de las probetas ante un ensayo
de plegado.
B. Ensayos electroquímicos
Estos ensayos se realizan mediante dispositivos denominados
potenciostatos, capaces de aplicar tensiones o intensidades,
fijas o variables, a probetas del material a ensayar (electrodos
de trabajo). La corriente se aplica con ayuda de electrodos au-
xiliares de platino o de grafito de alta densidad, y se mide la
respuesta, en intensidad o potencial, mediante electrodos de
referencia. Son varias las modalidades que se practican:
Medida del potencial de corrosión
La medida del potencial de corrosión de un material metáli-
co en una determinada disolución es el ensayo electroquími-
co más simple que puede realizarse. Generalmente se emplea
el electrodo de referencia de hidrógeno o el de calomelanos
para medidas en laboratorio, y el de calomelanos o el de co-
bre/sulfato de cobre para medidas en campo.
Medida electroquímica de la intensidad de corrosión
El cálculo de la velocidad de corrosión de un determinado
proceso puede realizarse mediante la Ley de Faraday (Ex-
presión (23.13)), una vez conocida la corriente de corrosión.
En ausencia de influencias externas, cualquier metal
sumergido en un medio corrosivo tiene un potencial carac-
terístico que se conoce como potencial de corrosión, Ecorr .
Externamente se puede actuar sobre el sistema imponiéndole
un potencial y haciendo que varíe la intensidad o viceversa.
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Figura 1
En la Figura 1 puede verse que, aplicando una determi-
nada polarización h, para el cálculo de la corriente de co-
Bloque 3
rrosión Jcorr (y a partir de ella, de la velocidad de corrosión)
solo se necesita conocer el potencial de corrosión y una de
las curvas de polarización, la anódica o la catódica. (Se ha
supuesto la misma pendiente, con distinto signo, a las curvas
de polarización anódica y catódica.)
Dichas curvas corresponden a las ecuaciones:
J A = J corr exp(η β ʹ) (1)
JC = Jcorr exp(−η β ʹʹ) (2)
que pueden reordenarse como:
η = β A ( log ( J A ) − log ( Jcorr ) )
η = −βC ( log ( JC ) − log ( Jcorr ) )
donde h es la polarización o diferencia entre el potencial im-
puesto al metal y el de corrosión, β A = 2.3β ʹ y βC = 2.3β ʹʹ
son denominadas constantes anódica y catódica de Tafel (el
valor de 2.3 proviene de ln(10)), Jcorr es la corriente de co-
rrosión, y JA y JC son las respectivas corrientes anódica y
catódica de polarización.
En el potencial de corrosión, los procesos de oxidación y
de reducción se compensan, luego:
J A = JC = Jcorr
por lo que externamente no se aprecia ninguna corriente, ya
que JA y JC son de distinto signo. La intensidad medida neta,
Jmed = JA + JC , será nula, por lo que la Jcorr no puede medirse.
Cuando se rompe el equilibrio, la intensidad total será:
Jmed = J A + JC = Jcorr ( exp(η β ʹ) − exp(−η β ʹʹ) )
De esta ecuación se desprende que para polarizaciones
suficientemente grandes, y dependiendo del signo de h, se
anulan una u otra exponencial, y la Jmed vendrá dada por las
Expresiones (1) o (2), pudiéndose por tanto obtener una es-
timación de Jcorr.
La obtención de forma práctica de una representación
gráfica de la intensidad medida (Jmed) frente a la polarización
(h) se realiza mediante el potenciostato.
Supongamos que tenemos una probeta de hierro corro-
yéndose en una disolución, con un potencial de corrosión de
200 mV. Si mediante el potenciostato se hace que tenga un
potencial de –800 mV en lugar de su potencial de corrosión,
219
Capítulo 23 Propiedades químicas de los materiales
fluirá entonces una corriente entre ella y el electrodo auxi-
liar, corriente que puede medirse. Dicha corriente sería la
que fluiría entre un ánodo y un cátodo, situados en la superfi-
cie del metal, si su potencial de corrosión fuese de –800 mV.
Aplicando diferentes potenciales y midiendo las respectivas
corrientes se obtiene el resultado mostrado en la Figura 2.
Figura 2
AB es la curva experimental de polarización catódica y
CD la anódica. La corriente medida en cada punto de estas
curvas es la diferencia entre las corrientes catódica y anódica
reales. Como cabía esperar, en el potencial de corrosión no
se tiene corriente medida, al ser JA = JC. Al alejarse del poten-
cial de corrosión las curvas experimentales coinciden con las
verdaderas, al ser despreciable una de estas frente a la otra.
El llamado Método de Tafel de medida de la intensidad
de corrosión se basa en el hecho de que fuera de la región del
potencial de corrosión las curvas de polarización experimen-
tal y verdadera coinciden (Figura 2). El segmento casi recti-
líneo de la curva de la Figura 2 recibe el nombre de región de
Tafel, y a su pendiente (casi constante), pendiente de Tafel.
Prolongando este segmento hasta la intersección con el po-
tencial de corrosión se determina la intensidad de corrosión.
Ensayos de corrosión intergranular
El llamado ensayo EPR (Electrochemical Potentiokinetic
Reactivation) consiste en un pasivado de un acero inoxida-
ble austenítico a un potencial de 200 mV con respecto al
potencial del electrodo de calomelanos saturado, durante 2
minutos, seguido de un barrido decreciente de potenciales
hasta llegar al potencial de corrosión. Durante este barrido
de potenciales (proceso de reactivación), las zonas con ca-
restía de cromo se corroen preferentemente.
La susceptibilidad a la corrosión intergranular se evalúa
mediante el factor Pa, que se define como:
220
Q
Pa =
GBA
siendo Q el área bajo la curva de polarización obtenida, y
el parámetro GBA se calcula de acuerdo con la expresión
GBA = S ⋅ (5.09544 ⋅ 10−3 ⋅ exp(0.34696 ⋅ D) ) , donde S es el
área del electrodo de trabajo (en mm2) y D, el tamaño de
grano del metal, según la norma ASTM.
Ensayos de corrosión por picaduras
Los ensayos electroquímicos de medida de la susceptibilidad
a la corrosión por picaduras son muy diversos, aquí solo nos
referiremos a uno de ellos.
El ensayo potenciodinámico (denominado de polariza-
ción cíclica) consiste en la aplicación a la probeta del ma-
terial a ensayar, partiendo del potencial de corrosión, de un
barrido de potenciales, en el sentido de potenciales más no-
bles. Una vez sobrepasados el potencial de nucleación de pi-
caduras y una determinada densidad de corriente, se invierte
la dirección del barrido de potencial hasta repasivar el acero
o llegar al potencial de corrosión.
Adenda
Importancia socioeconómica
de la corrosión
Probablemente, la primera imagen que acude a nuestra men-
te al hablar de corrosión es la de «herrumbre», característica
de los materiales basados en hierro. Sin embargo, la corro-
sión es causa frecuente de degradación de la mayor parte de
los materiales fabricados por el hombre (no solo metálicos).
La producción de los materiales y la mejora de sus propieda-
des mecánicas han hecho posible su uso en las aplicaciones
más variadas; desgraciadamente, el desarrollo de materiales
va acompañado, paralelamente, de un aumento en lo que
cada año se ha de pagar para paliar esta «enfermedad». Para
tener una idea de lo que la corrosión puede suponer, basta
considerar que aproximadamente entre un 10 y un 25 % de
la producción anual de acero es destruida por la corrosión,
y que en los países industrializados se destina entre un 2 y
un 6 %, e incluso más en algunos casos, del producto inter-
no bruto (PIB) para prevenir y mitigar dicho problema. Por
tanto, la corrosión de los materiales constituye quizá el des-
pilfarro más grande en que incurre la civilización moderna.
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Lo más lamentable es que entre un 20 y un 25 % de estas
pérdidas podría ahorrarse si se aplicasen los conocimientos
que actualmente ya se tienen sobre corrosión y protección.
 La escala macroscópica de los materiales
Las pérdidas económicas que acompañan a la corrosión
pueden ser directas, cuando la pieza corroída requiere ser
reemplazada, o indirectas, debidas a paradas en procesos
para efectuar reparaciones, a pérdidas de producto, a pérdi-
das de eficiencia en instalaciones o al sobredimensionado de
piezas como método de prevención de una corrosión que se
da por segura.
Este aspecto económico de la corrosión, si bien de mu-
chísima importancia, no es el único; la corrosión también
tiene un aspecto social. La corrosión forma parte de nuestra
vida más allá de lo que pensamos, aunque sus efectos no
son siempre visibles. Por ejemplo, la posible corrosión de
implantes metálicos colocados en nuestro cuerpo, o la rotura
de tuberías de agua y la aparición de humedad y goteras,
son consecuencias que no se dejan esperar (Figura 1a). La
aparición de manchas de herrumbre en las estructuras de
hormigón, o incluso la inhabilitación del mismo debido a la
corrosión de las varillas interiores de acero, es otra conse-
cuencia visible y peligrosa de la corrosión (Figura 1b).
Figura 1
Los problemas derivados de la corrosión pueden impac-
tar en el agotamiento de las reservas naturales a partir de las
cuales se obtienen los materiales tecnológicos y de construc-
ción, así como en la seguridad humana y pérdida de vidas,
como consecuencia de fallos fatales en los materiales. Las
consecuencias medioambientales tampoco deben ignorarse,
en 1999, el buque Erika provocó el derrame de 20 000 tone-
ladas de crudo frente a las costas de Bizcaia; y no es poca
la contaminación de aguas naturales y suelo con productos
químicos y combustibles como resultado de las roturas por
corrosión. Por tanto, no solo el costo económico de la corro-
sión es elevado, sino el costo social asociado a la ignorancia
de cómo y cuándo puede ocurrir la corrosión, y el modo de
prevenirla o evitarla.
La corrosión puede ocurrir en prácticamente todos los
materiales, especialmente metales, expuestos al menos a la
humedad (Figura 2). En la práctica, existen diferentes mane-
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Bloque 3
ras de prevenirla, entre las cuales la más común en la vida
diaria es el aislamiento del material mediante el empleo de
pinturas, resinas, depósitos metálicos o recubrimientos di-
versos. Estos recubrimientos se utilizan para aislar el metal
del medio agresivo, si bien su efecto no es permanente y
requieren de un mantenimiento programado.
Figura 2
En definitiva, la corrosión está ligada, tanto en lo coti-
diano como en la industria, a problemas económicos y de
seguridad, siendo los ingenieros los encargados en muchos
casos de minimizar los riesgos de este importante fenómeno.
Sin embargo, la corrosión no es el único fenómeno que
puede ocurrir en los materiales y más concretamente los
metales. Sin bien la corrosión podría ser el peor mal de los
materiales, la pasivación podría ser uno de los más grandes
beneficios. Curioso que ambos procesos compartan la misma
naturaleza.
La humanidad ha sido capaz de desarrollar una civiliza-
ción basada en los metales, primeramente porque muchos de
estos materiales son estables en diversos ambientes, y en se-
gundo lugar, porque se ha descubierto el medio para estabi-
lizar a aquellos que no lo son. La razón para esta estabilidad
innata se debe a la formación de una finísima película que se
forma protegiendo la superficie del material, aislándola del
ambiente corrosivo.
Cuando ocurre la pasivación, bajo ciertas condiciones,
los metales son inmunes al ataque por corrosión. El silicio,
aluminio, hierro y níquel son susceptibles de pasivarse en
determinadas composiciones y condiciones ambientales, y si
dicha pasivación ocurre espontáneamente al aire, el empleo
del metal podrá garantizarse más fácilmente.
Hay que resaltar, por último, que no existen «buenos»
o «malos» materiales, este concepto debe ir más allá de la
resistencia a la corrosión. Debe considerarse, por tanto, que
algunos son aptos y otros no para ciertas funciones y para
tolerar las solicitaciones a que son sometidos.
221