Curso en

Modalidad
Semipresencial

UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE EL SALVADOR

Escuela de Ingeniería Eléctrica
MEBLEC: Modalidad de Enseñanza B-Learning Constructivista
Cuestionario de Guía de Aprendizaje 1
“Teoría de los Semiconductores”

Nombre de Estudiante:_____Carlos Jose Rodriguez Martinez _________

MISIÓN INSTITUCIONAL
Formar profesionales con Alto Sentido
Crítico y Ético, con capacidad de Autoformación y
con las Competencias Técnico-Científicas requeridas
para Resolver Problemas mediante Soluciones
enfocadas al Desarrollo Social y Respetuosas del
Medio Ambiente

VISIÓN INSTITUCIONAL
Constituirse en modelo de calidad, diversidad de
servicios, pertinencia social e innovación, ubicándose a
nivel nacional como líder en educación semipresencial y
respeto al medio ambiente

VALORES INSTITUCIONAL
Excelencia, Perseverancia, Innovación
Respeto, Responsabilidad, Solidaridad

1
 Sección A
ÍNDICE

Pag.

Introducción
……………………………………………………………………………..………………..… 3

Objetivos
……………………………………………………………………………………………………. 4

Cuestionario ………………………………………………………………………………. 5 – 14

Conclusiones ………………………………………………………………………………… 15

Fuentes de consulta …………………………………………………………………… 16

2
 Sección B
INTRODUCCIÓN

La polarización del bjt se realiza mediante tensión continua y consiste en preparar el

transistor para que trabaje en la región activa dentro de un circuito en el cual se le
quiere utilizar, se busca que a través del colector circule una cantidad de corriente
IC, y a su vez se obtenga una tensión entre el colector y el emisor VCE para esa
cantidad de corriente IC, a esto se le llama obtener el punto de operación o punto Q
del transistor. La corriente IC va depender de la corriente en la base IB que exista en
la malla de entrada, esto porque IC=β*IB, la VCE dependerá de la malla de salida del
circuito, para ver esto será de utilidad uso de las curvas características y la ecuación
de recta de carga.

Para realizar los circuitos de polarización del bjt es importante tener en cuenta
siempre las siguientes características vistas anteriormente que son IC=β*IB, IE=IC+IB
pero para los cálculos se asume que IE≈IC esto porque IB es muy pequeña en
comparación con IC, y además que la tensión base emisor VBE=0,7V.

Cuando se tiene un circuito ya polarizado y se quiere conocer su punto Q, se hace lo

sigue, a partir de la malla de entrada se puede calcular la corriente de la base IBQ, de
la malla de salida se obtiene la ecuación de la recta de carga, esta recta de carga se
traza sobre la curva característica de salida, donde se intercepten la recta de carga
con la curva correspondiente a IBQ será el punto de operación del bjt, para conocer el
valor de la corriente de colector en el punto Q se traza a partir del punto de
intercepción una paralela al eje de VCE donde corte esta al eje IC ese será el valor de
la ICQ, para conocer el valor de la tensión colector emisor en el punto Q se traza a
partir del punto de intercepción una paralela al eje de IC donde corte esta al eje
VCE ese será el valor de la VCEQ.

3
 Sección C
OBJETIVOS

1) Explicar y Resolver problemas tipos de las diferentes configuraciones de

polarización para Emisor, Base y Colector común.

2) Demostrar, a través del programa Proteus de simulación, la independencia del

factor de ganancia β.

4
 Sección D
CONTESTACIÓN DEL CUESTIONARIO

1) Para la Fig. 5, utiliza la RB que nos dan y dibuja el punto Q de operación en las gráficas
de salida utilizadas en esta guía.

2) Escribe las conclusiones que se obtienen de las figuras 6,7 y 8 de esta guía.

En la fig. 6 que, la recta intercepta varias curvas de IB y para cada uno de estos puntos Q corresponde
un valor diferente de VCE, al ir disminuyendo RB el punto Q se mueve de 3 a 1 y por consiguiente VCE
se acerca a su punto de saturación de 0.2 voltios como lo dice la fig. 1 de esta guía manteniendo fijo
VCC y RC.
En la figura 7 variamos RC donde R1>R2>R3, el punto Q se mueve así para la misma IB y VCC
En la figura 8 Si RC se mantiene fija y VCC varía el punto se mueve.
En conclusión, el punto Q de operación en un transistor es de vital importancia porque de acuerdo a
su ubicación se pueden producir distorsiones cuando estos son utilizados como amplificadores

5
 3) Para el problema 1 de esta guía en la parte “c” dice que el valor de 0.7 voltios en la base
lo confirma el valor de VCEQ, explique esta aseveración.

Para este circuito en donde el emisor está directamente a tierra, tenemos:

VB = VBE = 0.7 voltios por estar en la zona activa ya que VCEQ calculado lo confirma.

VC = VCEQ = 6.83 Voltios

VBC = VB – VC = 0.7V – 6.83V = - 6.13 voltios. El signo negativo es correcto porque esta unión
trabaja con polarización inversa.

4) De que otra manera se podía calcular VE en el problema 2, demuéstrelo.

VE = IERE

VCE = VC – VE o sea,

VC = VCE + VE o también:

VC = VCC - ICRC

El voltaje de base se determina así:

VB = VCC – IB RB o también:

VB = VBE + VE

5) Investigue y explique porque la adición de RE en el circuito de polarización de la figura

10 proporciona estabilidad de la polarización.

El aumento de voltaje en RE provoca que disminuya el voltaje entre base-emisor y esto a su vez
disminuye la IB lo que provoca una reducción de IC y esto compensa su subida, en consecuencia,
manteniéndola estable ante variaciones de la temperatura.

6) En el ejemplo numérico 3, explica y profundiza más porque los valores para el método
exacto difieren que para el método aproximado.

Los resultados son bastante diferentes, aproximadamente el 30% de diferencia debido a que la
premisa βRE ≥ 10RB2 no se cumple en este caso.

6
 7) ¿Qué concluye al observar los puntos Q en la figura 7 y la 8?

Variando RC donde R1>R2>R3 el punto Q se mueve menos que si RC se mantiene fija y VCC varia

8) A parte de las conclusiones que se dan para el circuito modelado en Proteus de la figura
1, que otras conclusiones darías.

Si se nota el transistor siempre estuvo operando en la región activa en vista que V CE nos muestra
valores característicos para esta región.
Podríamos decir que un valor de β para Q1 sería 92 y un valor dado por el fabricante anda por 100.

9) Escriba las ventajas y desventajas de las diferentes polarizaciones a que hace alusión
esta guía de aprendizaje.

Circuito de polarización fija

El circuito de polarización fija ofrece una introducción relativamente directa y simple al análisis de la
polarización en de transistores.
Aunque la red utilice un transistor npn, las ecuaciones y los cálculos se pueden aplicar con facilidad
a la configuración con transistor pnp, con el solo hecho de cambiar todas las direcciones de corriente
y los voltajes de polarización.

Circuito de polarización estabilizado en el emisor

La red de polarización contiene un resistor en el emisor para mejorar el nivel de estabilidad respecto
al de la configuración de polarización fija.
La mejor estabilidad se demostro a través de un ejemplo numérico.
El análisis se lleva a cabo examinando en primer lugar la malla base-emisor, y posteriormente
utilizando los resultados para investigar la malla colector-emisor.

Circuito de Polarización por Divisor de Voltaje

Si se analiza sobre una base exacta la sensibilidad a los cambios en beta, resulta ser muy pequeña.
Si los parámetros del circuito se eligen adecuadamente, los niveles resultantes de 1 CQ y de V CEQ
pueden ser casi totalmente independientes de beta.

7
 10) Para la figura 9, repite todos los cálculos, pero para VCC 18 voltios y β=90.

VCC = 18 V, RC = 2.2 kΩ, RB = 240 kΩ, β=90

Aplicando la LVK para malla de entrada:

VCC – IBRB – VBE = 0

Despejando IB:

VCC − VBE 18V−0.7V

IBQ = = = 72.08 µA
RB 240 kΩ

Para encontrar la corriente de colector utilizamos la expresión de ganancia de corriente en función de

β:

ICQ = βIBQ = (90) x (72.08 µA) = 6.4872 mA

Aplicando la LVK para malla de salida:

VCC – ICRC – VCE = 0

Despejando VCE:

VCEQ = VCC – ICRC = 18V – (6.4872mA) x (2.2 kΩ) = 3.72816 Voltios.

VBC = VB – VC = 0.7V – 3.72816 V = - 3.02816 voltios.

8
 11) Para la figura 10, repita todos los cálculos para VCC = +16V y β=90

VCC = 16 voltios; RB=430 kΩ; RC=2 kΩ; RE=1 kΩ; β=90;

VCC −VBE 16V−0.7V

IB = = = 29.36 µA
RB +(β+1)RE 430kΩ+(90+1)1kΩ

IC = βIB = (90) (29.36 µA) = 2.6424 mA

VCE = VCC – IC(RC+RE) = 16V – 2.6424 mA(2kΩ+1kΩ) = 8.0728 Voltios

VC = VCC - ICRC = 16V – 2.6424 mA(2kΩ) = 10.7152 Voltios

VE = VC – VCE = 10.7152V – 8.0728 V = 2.6424 voltios.

VB = VBE + VE = 0.7V + 2.6424 V = 3.3424 voltios.

VBC = VB – VC = 3.3424 V – 10.7152 V = -7.3728 voltios.

9
 12) Para la figura 11, repita todos los cálculos para VCC = +20V y β=90

Método Exacto:

VCC = 20 voltios; RB1=82 kΩ; RB2=22 KΩ; RC=5.6 kΩ; RE=1.2 kΩ; β=90;

RTH = RB1//RB2 = 82KΩ//22kΩ = 17.35 kΩ

RB2 VCC 22kΩ(20v)

ETh = = = 4.23 Voltios
RB1 +RB2 82kΩ+22kΩ

ETh −VBE 4.23V−0.7V

IB = = = 27.89 µA
RTh +(β+1)RE 17.35 kΩ+(91)1.2KΩ

ICQ = βIB = (90) (27.89 µA) = 2.5101 mA

Luego:

VCQ = VCC – IC(RC + RE) = 20v – (2.5101 mA)(5.6kΩ + 1.2kΩ) = 2.93 Voltios.

Con Método Aproximado:

VB = ETh = 4.23 voltios

Luego, VE = VB – VBE = 4.23v – 0.7v = 3.53 voltios.

VE 3.53v
ICQ ≈ IE = = = 2.94 mA a diferencia de los 2.5101 mA con el método exacto.
RE 1.2kΩ

Ahora:

VCQ = VCC – IC(RC + RE) = 20v – (2.94 mA)(5.6kΩ + 1.2kΩ) = 8.00 Voltios, a diferencia de los 3.53
voltios en el método exacto.

Los resultados son bastante diferentes, aproximadamente el 30% de diferencia en vista que la premisa
βRE ≥ 10RB2 no se cumple en este caso.

10
 13) Para la figura 13, repita todos los cálculos para VEE = -18V y β=50

Para la Fig. 13, RB= 240 kΩ, RE= 2 kΩ, VEE= -18 voltios, β=50

Despejando la corriente de base y sustituyendo valores:

VEE −VBE 18V−0.7V

IB = R = 240kΩ+(51)(2kΩ) = 50.58 µA
B +(β+1)RE

Luego,

IC = βIB, sustituyendo valores:

IC = (50) 50.58 µA = 2.592 mA

-VEE + IERE + VCE = 0

Pero, IE = (β+1) IB

Sustituyendo esta última expresión en la anterior:

-VEE + (β+1) IBRE + VCE = 0 y despejando el voltaje colector-emisor:

VCEQ = VEE – (β+1) IBRE y sustituyendo valores:

VCEQ = 18V – (51) (50.58 µA) (2kΩ) = 12.84 Voltios

Calculando la corriente de emisor:

IE = (β+1) IB = (50+1) (50.58 µA) = 2.57 mA

11
 14) Para la figura 14, repita todos los cálculos para VCC = +12V, VEE= -6V y β=90

RE = 1.2kΩ; VEE = -6 voltios; VCC = 12 voltios; RC =2.4kΩ; β=90;

Aplicando Kirchhoff a la entrada:

-VEE + IERE + VBE = 0

Despejando IE:

VEE − VBE 6V− 0.7V

IE = = = 4.41 mA
RE 1.2kΩ

Para la salida:

VCC – ICRC – VCB = 0; despejando VCB y considerando IC≈IE:

VCB = VCC – ICRC = 12V – (4.41mA) (2.4kΩ) = 1.416 voltios.

Para encontrar IB:

IC 4.41 mA
IB = = = 49 µA
β 90

12
 15) Para la figura 15, repita todos los cálculos para VCC = +18V, VEE= -15V y β=90

VCC = +18 voltios; VEE = -15 voltios; RB1=8.2 kΩ; RB2=2.2 KΩ; RC=2.7 kΩ; RE=1.8 kΩ; β=90;

a) VC b) VB:

La resistencia y voltaje Thevenin se calcula para la red de entrada:

RTh = RB1//RB2 = 8.2kΩ//2.2kΩ = 1.73kΩ

Para el ETh:
RB1

+
I1 +
VCC RB2
ETh
-
-
VEE
+
-

Vcc−(−VEE ) Vcc+VEE 18v+15v

I1 = =R = = 3.17 mA
RB1 + RB2 B1 + RB2 8.2kΩ+2.2kΩ

Luego la red de entrada puede ser redibujada así:

RTh B
Q1
IB

VBE
E
ETh
RE

VEE -20V

13
Aplicando Kirchhoff a esta red:

-ETh – IBRTh – VBE – IERE + VEE = 0 y sustituyendo IE = (β+1)IB y Despejando IB tenemos:

VEE −ETh −VBE
IB = RTh +(β+1)RE

Sustituyendo valores en la expresión anterior:

IB = 35.39µA

Con el valor anterior encontramos la corriente de colector con la expresión de ganancia de corriente
propia de esta configuración para luego calcular el voltaje de colector:

IC = βIB = 120(35.39µA) = 4.25 mA

Luego:

VC = VCC – ICRC, sustituyendo valores en esta última expresión:

VC = 8.52 voltios.

Para calcular el voltaje de base:

VB = ETh – IBRTh, y sustituyendo valores:

VB = -(11.53 V) – (35.39 µA)(1.73 kΩ)

VB = -11.46 voltios.

14
 Sección E
CONCLUSIONES

• El transistor típicamente trabaja en las zonas activa, corte y saturación.

• Si deseamos diseñar un sencillo circuito de amplificación con un transistor

debemos hacerlo operar en la región activa.

• Las ecuaciones con las que se trabaja y con la curva característica de salida con
las que se pueden resolver y diseñar este tipo de circuitos para la polarización
del bjt mediante divisor de tensión en la región activa, esta forma de proceder al
hacer que se cumpla la condición se le conoce como la forma aproximada vista
en la clase teórica de esta cátedra.

• En resumen, lo que se busca al polarizar el bjt es un nivel fijo para la corriente

del colector ICQ, así como también un nivel fijo para la tensión colector emisor
VCEQ, en el cual opere el transistor.

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 Sección F
FUENTES DE CONSULTA

1) Boylestad, Robert L.; Nashelsky, Louis; “Electrónica: Teoría de Circuitos”; Sexta Edición;
Editorial Prentice-Hall; México, 1997.

2) Apuntes e Interpretaciones del Tutor de la asignatura.

3) http://jorgemendozapua.blogspot.com/2007/09/polarizacion-del-bjt.html

4) http://mrelbernitutoriales.com/polarizacion-del-bjt/

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