UNIVERSIDAD TÉCNICA DE AMBATO

FACULTAD DE INGENIERÍA EN SISTEMAS, ELECTRÓNICA E INDUSTRIAL

CARRERA DE INGENIERÍA INDUSTRIAL
SEPTIEMBRE 2018 – FEBRERO 2018
AMBATO-ECUADOR

1. PRÁCTICA ELECTRÓNICA DE POTENCIA

Nombre:

1. Objetivo
El objetivo de la práctica se puede hacer uso de MicroCap o Proteus el cual lo pueden
obtener en el siguiente enlace http://www.spectrum-soft.com/demodownnew.shtm, esta
vez en su versión de simulador de circuitos analógicos, analizando un conocido
montaje: el amplificador en emisor común basado en un transistor npn.
También podemos utilizer los simuldores de los laboratorios de la Universidad en este
caso tenemos el Lab Industrial 1 y 2.

2. Material necesario
La práctica se desarrollará en los laboratorios comentados, no siendo necesario ningún
material para su desarrollo.

3. Conocimientos previos
Para el desarrollo de la práctica, se suponen en el alumno conocimientos básicos del
montaje en emisor común, del circuito de polarización básico con 4 resistencias, y del
modelo de pequeña señal del mismo.

4. Realización de la práctica
Para la realización de la práctica, trabajaremos con el circuito de la figura 1:

Lo primero que se hará será determinar el punto de polarización, para lo que habrá que
ejecutar una simulación en modo transitorio, y observar el resultado (Numeric Output) de las
tensiones de polarización así como las corrientes básicas.
Se comprobará cómo la presencia del circuito de entrada, de salida, y el condensador de
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cortocircuito de la resistencia de emisor, no influyen en dicho punto de polarización.

Tras esto, se realizará un estudio de la ganancia del amplificador en función de la frecuencia,

con los valores del enunciado. Para ello, se hará una simulación AC variando la frecuencia
de la onda de entrada entre 100Hz y 100MHz, representando la magnitud (en decibelios)
y la fase de la onda de salida. Mediremos tanto la ganancia a frecuencias medias (valor
máximo de ganancia del amplificador) como las frecuencias máxima y mínima (cuando la
caída respecto al máximo es 3dB).

A continuación, se procederá a estudiar la influencia de cada uno de los parámetros del

circuito en la ganancia y ancho de banda del amplificador. Para ello, se ejecutarán varias
simulaciones en modo AC, variando (stepping) los siguientes parámetros:
• Valor de Ci, entre 50n y 500n, con pasos de 50n.
• Valor de R2, entre 10k y 40k, con pasos de 3k.
• Valor de Ce, entre 50n y 500n, con pasos de 50n
• Valor del parámetro Bf entre 100 y 300, con pasos de 20
• Valor de la capacidad CJC del transistor, entre 10p y 100p, con pasos de 10p

Posteriormente, se simulará el circuito en modo transitorio, y se observará qué sucede

con la salida al aumentar la amplitud de la onda de entrada, inicialmente a 10mV, hasta
100mV. Calcular la distorsión (en %) producida por el 2º armónico en ambos casos.

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Cuestiones previas
Entregar antes del comienzo de la práctica

NOMBRE:

1. Calcular teóricamente el punto de polarización del transistor en el circuito. Para ello, usar
el circuito simplificado de la figura. Determinar Vc, Ve, Vb, Ic e Ib, suponiendo que el
transistor está en activa (βf=250; VBE=0.65V, Vcc=10V). Escribir las ecuaciones, no sólo
el resultado...

2. Comentar la influencia de los diferentes parámetros del circuito en las magnitudes

fundamentales del mismo (aumenta/disminuye la ganancia, aumenta/disminuye la
frecuencia inferior de corte, aumenta/disminuye la frecuencia superior de corte, no
tiene influencia, cambia el punto de polarización...)
• Subir R2
• Subir Re
• Subir Ce
• Subir Ci
• Subir Co
• Usar un transistor con un βf distinto

3. Calcular el punto de polarización del circuito suponiendo ahora que βf=0.1. ¿A qué
conclusión se llega?

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SIMULADORES DE AYUDA.

http://www.docircuits.com/circuit-editor/2162/basic-pnp-transistor

https://www.electronica-pt.com/componentes-eletronicos/transistor-tipos/simulador-transistor

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Resultados de la simulación
Guardar para futuras consultas

1. Resultados de la polarización:

VBE VCE VBC Ic Ib

2. Gráfica aproximada de ganancia en función de la frecuencia

3. Valores de interés:
Av fmin fmax

4. Variación de parámetros:
a. Variando Ci, varía entre y

b. Variando R2, varía entre y

c. Variando CE, varía entre y

d. Variando Bf, varía entre y

e. Variando CJC, varía entre y

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5. Aspecto de la simulación transitoria cuando la amplitud de la entrada es 0.01v:

6. Aspecto cuando la amplitud de la entrada es 0.1V:

7. Contenido de 2º armónico en ambos casos: