UNIVERSIDAD DISTRITAL FRANCISCO JOSÉ DE CALDAS

FACULTAD DE INGENIERÍA
INFORME DE LABORATORIO ELECTRÓNICA II

TRANSISTOR EN ALTA FRECUENCIA,

FRECUENCIA SUPERIOR DE CORTE(𝒇𝑯 )

I. INTRODUCCIÓN TEÓRICA

En la determinación de la ganancia en voltaje de los amplificadores con transistores, se

supuso que la ganancia era independiente de la frecuencia de entrada. Sin embargo, los BJT

y los FET tienen capacitancias internas pequeñas, lo que da como resultado que la ganancia

en corriente de los BJT y la transconductancia de los FET dependan de la frecuencia y

disminuyan con la frecuencia de la señal de entrada. Las capacitancias internas establecen

el límite superior de frecuencia en los amplificadores de transistores. Los amplificadores

reales a menudo se conectan a la fuente de señal de entrada y al resistor de carga mediante

capacitores de acoplamiento que bloquean con eficacia las señales de baja frecuencia. Los

capacitadores también se emplean para desviar eficazmente los resistores, con el propósito

de aumentar la ganancia en voltaje de señal pequeña. Por consiguiente, el desempeño de los

amplificadores depende de la frecuencia de la señal de entrada y, en general, las

especificaciones de diseño dan la ganancia en voltaje para un intervalo de frecuencia

específico, conocido como ancho de banda. Normalmente. los amplificadores exhiben la

característica de pasabajas o de pasabanda. A bajas frecuencias, usualmente menores que

𝑓𝐿 = 1.5 kHz, los capacitores internos, que tienen un valor entre 1 a 10 pF, tienen una

reactancia del orden de 10 MR y, en esencia, son circuitos abiertos. Es así como el

comportamiento del circuito queda determinado por los capacitores de desvío y de

acoplamiento en la región de baja frecuencia. A altas frecuencias (mayores que 𝑓𝐻 > 15 kHz),

los capacitores de desvío y de acoplamiento, que tienen valores del orden de 10 p,F, tienen

una reactancia del orden de 1Ω y, en esencia, son cortocircuitos. Por consiguiente, el

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comportamiento del circuito está determinado solamente por los capacitores internos de los

transistores.

Modelo BJT de alta frecuencia:

En la obtención del modelo BJT de señal pequeña se supuso que las uniones base-emisor y

colector-emisor tienen capacitancias. Un modelo que incluya tales capacitancias representará

la característica en frecuencia de los BJT. En la figura 1(a) se muestra un modelo π de alta

frecuencia de señal pequeña que incluye capacitancias y resistencias parásitas. Las

resistencias rb, rc y re son las resistencias parásitas conectadas en serie con la base, el

colector y el emisor, respectivamente. Los valores característicos de estas resistencias son

rb = 50Ω a 500Ω, rc = 20Ω a 500Ω y re = 1Ω a 3Ω. El valor de 𝑟𝜇 es muy grande (por lo

general, de 10 MΩ).

Figura 1. Modelo π de alta frecuencia de señal pequeña de un BJT

Análisis en alta frecuencia:

La Respuesta en alta frecuencia de circuitos con transistores está fijada por los

condensadores internos y las constantes de tiempo asociadas. En general, se hará la

suposición de que la respuesta en frecuencia viene fijada por un POLO DOMINANTE. De

esta manera, el análisis en alta frecuencia se reduce al cálculo de la frecuencia de corte

superior asociada a este polo dominante. El cálculo del polo dominante se realizará aplicando

el MÉTODO DE LAS CONSTANTES DE TIEMPO.

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1
𝑓𝐻 =
2𝜋 ∗ ∑𝑖 𝜏𝑖

Donde 𝜏𝑖 es la contante de tiempo (Tao) de cada uno de los capacitores que actúan en la alta

frecuencia.

II. DESARROLLO DISEÑO

1. Polarizar el transistor para un RB elevado, montar el diseño obtenido en configuración EC

(para buen fT y hfe según curvas hojas de datos)

Al observar la hoja de datos para el CA3086, nos dice que para tener un buen producto de

ancho de banda y un buen hfe, la corriente de colector debe encontrarse entre 4mA y 6mA

(Ver gráficas, Anexo 1).

Para efectos de esta práctica se escogerá un valor de 5mA.

Entonces nuestro diseño en polarización fija tendrá: Vcc=12, Ic=5mA, β=100.

Asumimos RC=RE para que 𝑉𝑅𝐶 = 𝑉𝑅𝐸 = 𝑉𝐶𝐸 .

𝑉𝑅𝑐 4𝑉
𝑅𝑐 = = = 800𝛺
5𝑚𝐴 5𝑚𝐴

De la ecuación estática de entradas, sabemos que:

𝑉𝑐𝑐 = 𝑅𝐶 ∗ 𝐼𝐵 + 𝑉𝑏𝑒 + 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐶

𝐼𝑐 ≈ 𝐼𝐶

5𝑚𝐴
12𝑉 = (𝑅𝐵 ) ( ) + 0.7 + (800𝛺)(5𝑚𝐴)
100

𝑅𝐵 = 146𝐾𝛺
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Figura 2. Diseño polarización fija

En alta frecuencia tendríamos:

Para ganancia de corriente se tiene una Rs grande caso contrario de la ganancia de voltaje

que se tiene una Rs pequeña, aproximadamente de 50Ω.

26𝑚𝑉 26𝑚𝑉
ℎ𝑖𝑒 = = = 520𝛺
𝐼𝑏 50𝑢𝐴

Aplicando Miller:

−ℎ𝑓𝑒 ∗ 𝑅𝐿
𝐶𝑢1 = 𝐶𝑢 (1 − 𝐴𝑣) = (0.58𝑝𝐹) (1 − ( )) = 131.61𝑝𝑓
ℎ𝑖𝑒

𝐶𝑢2 ≈ 0

𝐶𝑖 = 𝐶𝜋 + 𝐶𝑢1 = 132.21 𝑝𝐹

Para ganancia de corriente:

𝑅𝑒𝑞𝑢𝑖𝑣𝑎𝑒𝑛𝑡𝑒1 = 𝑅𝑒𝑞𝑢1 = ℎ𝑖𝑒 𝑙𝑙 𝑅𝑔 = 342𝛺

𝜏 = 𝑅𝑒𝑞𝑣 ∗ 𝐶𝑖 = 45.024𝑛𝑆
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1
𝐹𝐻 = = 3.53𝑀ℎ𝑧
2𝜋𝜏

Para Ganancia de voltaje:

𝑅𝑒𝑞𝑢𝑖𝑣𝑎𝑒𝑛𝑡𝑒1 = 𝑅𝑒𝑞𝑢1 = ℎ𝑖𝑒 𝑙𝑙 𝑅𝑔 ≈ 50𝛺

𝜏 = 𝑅𝑒𝑞𝑣 ∗ 𝐶𝑖 = 6.61𝑛𝑆

1
𝐹𝐻 = = 24𝑀ℎ𝑧
2𝜋𝜏

III. DESARROLLO GUIA

IV. CONCLUSIONES

Anexos:

1.
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Bibliografía y referencias:

Circuitos Microelectrónicos análisis y diseño, RASHID, páginas 209-211