FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y

ELECTRÓNICA
Carrera de Ingeniería Electrónica y Control

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA

PRÁCTICA N°3
1. TEMA
ANÁLISIS E IMPLEMENTACIÓN DE CIRCUITOS DE DISPARO

2. OBJETIVOS

2.1. Diseñar e implementar circuitos para la generación de señales de control utilizando la

técnica de modulación de ancho de pulso (PWM) para el disparo de dispositivos
semiconductores de potencia.

3. MARCO TEÓRICO
La tecnología en el desarrollo de circuitos integrados ha tenido un enorme progreso
logrando características de versatilidad, confiabilidad, tamaño reducido, sencillez en su
uso, etc., facilitando el diseño y la implementación de circuitos para el control de
sistemas electrónicos de potencia, un ejemplo es la técnica PWM estudiada
anteriormente.

La generación de señales PWM de período y relación de trabajo variable no solamente

se las puede obtener a través de microcontroladores o sistemas embebidos, sino
también de manera analógica, es decir que se emplear amplificadores operacionales,
compuertas lógicas y otros chips digitales para generar ondas PWM, las cuales pueden
o no estar sincronizadas con la red.

Por ejemplo, para la generación de PWM no sincronizado con la red es común utilizar
el integrado LM555 en modo a estable.

Período: 2019-A
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Sin embargo, la sincronización con la red es muy importante cuando se desea disparar
semiconductores de potencia en intervalos de tiempo específicos con respecto al voltaje
sinusoidal de la red eléctrica.
Por ejemplo, para generar una señal PWM se tiene los circuitos de rampa lineal
sincronizada con la red (Figura 1) y rampa cosenoidal (Figura 2).
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Figura 1. PWM con rampa lineal sincronizada con la red

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Figura 2. PWM con rampa cosenoidal sincronizada con la red

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4. TRABAJO PREPARATORIO
4.1. Leer, analizar y asimilar la información proporcionada en el marco teórico de la
presente hoja guía. El instructor evaluará sobre la temática.

4.2. Realizar el diseño (justificar mediante las ecuaciones correspondientes paso a

paso) y simular en PSPICE los siguientes circuitos.
a) Circuito de generación de PWM sincronizado con la red con la técnica de rampa
lineal con relación de trabajo variable de 0.1 a 0.9 (Circuito de Figura 1).
b) Circuito de generación de PWM sincronizado con la red con la técnica de rampa
cosenoidal con relación de trabajo variable de 0.1 a 0.9. (Circuito de Figura 2).
NOTA: La simulación deben presentar las formas de onda de voltaje en los
numerales 1, 2, 3, 4, 5 y 6 marcados
c) Diseñar y traer implementado en protoboard dos circuitos: el circuito de
generación de PWM no sincronizado con la red utilizando el integrado LM555
con ancho de pulso variable de 0.1 a 0.9 y frecuencias de switcheo de 1 [kHz]
y 10 [kHz] y el circuito generador PWM de la Figura 1. (Si dispone de dos
protoboards, el preferible traer armado los circuitos de manera individual)

5. EQUIPO Y MATERIALES

 Computador con el software de programación

 Fuentes de poder.
 Osciloscopio
 Puntas de prueba de Voltaje

6. PROCEDIMIENTO
6.1. Para el circuito de generación de PWM no sincronizado con la red utilizando el
integrado LM555, verificar el funcionamiento del circuito para dos valores de
relación de trabajo a las frecuencias especificadas. Tomar formas de onda para la
relación de trabajo solicitada por el instructor.

6.2. Poner en funcionamiento el circuito de generación de señal PWM sincronizada con

la red indicado en la Figura 1. Tomar formas de onda para la relación de trabajo
solicitada por el instructor.
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7. INFORME
7.1. Presentar las formas de onda obtenidas, analizar y comentar los resultados.

7.2. Consultar y presentar el esquemático del circuito de disparo para un SCR mediante
el uso de un optotriac.

7.3. Consultar y presentar el esquemático del circuito de disparo para un TRIAC

mediante el uso de un optotriac.

7.4. Consultar la razón por la cual se recomienda usar optonands para aislar señales de
control que cambian de estado a frecuencias elevadas. Consultar además un
circuito de aislamiento de una señal de control usando un optoacoplador optonand
para el disparo de un Mosfet o IGBT.

7.5. Conclusiones y recomendaciones.

7.6. Referencias.

8. REFERENCIAS
[1] Electrónica de Potencia, Mohan, 3ra edición.

Elaborado por: Ing. Nataly Pozo Viera, M.Sc.

Revisado por: MSc. Pablo Rivera PhD.

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