Realización de la simulación en Comsol

Para iniciar la simulación en Comsol seleccionamos Asistente de modelo->2D dimensión-

>Semiconductor->Estacionario y finalmente Aceptar.

Ahora para importar la geometría del semiconductor con la que vamos a trabajar, nos
ubicamos en geometría click derecho y seleccionamos Insertar secuencia, donde se abrirá un
explorador en el que seleccionaremos el archivo con la geometría (.mph).

Cargado la geometría nos ubicamos en cada elemento de este y damos click en Construir a
cada uno; en este punto veremos cómo se verá en la interfaz como se va creando cada
elemento.

En la parte de Definiciones globales->Parámetros definimos en Nombre 𝑉0 y en Expresión

colocamos 0[V].

Luego pasaremos a la parte de Materiales donde seleccionaremos Semiconductor->Si-silicon y

veremos cómo carga las propiedades del material.

Nos ubicamos ahora en Semiconductor->Modelo de material semiconductor donde damos click

derecho y seleccionamos Modelo de movilidad Arora este se utiliza para simular la movilidad
dependiente de dopaje en Si y tiene en cuenta la dispersión de los portadores por iones de
impurezas cargadas que conduce a una degradación de la movilidad del portador (dispersión
de impurezas ionizadas). Este modelo depende de la temperatura.
Ahora nos ubicamos nuevamente en Modelo de material semiconductor->Modelo de movilidad
y cambiamos la movilidad de los electrones y los huecos por la de Movilidad de electrones,
Arora y Movilidad de huecos, Arora.

Lo siguiente es dar click derecho en Semiconductor->Dopaje->Modelo de Dopaje Analítico en

donde seleccionaremos en Todos los dominios y cambiamos el tipo de Impurezas a Dopaje
donante (tipo-n) y en Concentración de donante colocamos el valor de 1e15 [1/cm^3]; lo cual
corresponde al dopaje en general del material.

Nuevamente creamos otro Modelo de dopaje analítico pero este es para la unión entre el
cátodo y el material. Para este caso seleccionamos en Todos los dominios y cambiaremos la
Distribución a Casilla, la cual ya tiene seleccionada la distribución Gaussiana y definiremos en
Región uniforme->Posición base ubicándonos en 𝑟0 = −7[𝑢𝑚] → 𝑌 y en Región uniforme-
>Ancho damos el valor 𝑊 = 5[𝑢𝑚]. Esto nos indica que el comportamiento en la unión entre
cátodo y el material se modela con una distribución Gaussiana, además las medidas anteriores
corresponden a la ubicación en la que está el cátodo en el eje de coordenadas del gráfico.
Ahora cambiamos el Tipo de impurezas a Dopaje donante (tipo-n) y en Concentración de
donante colocamos el valor de 2e17 [1/cm^3]. Finalmente la Concentración de dopaje en el
fondo la cambiamos por Concentración de donante (semi/adm1).
Ahora creamos otro Modelo de dopaje analítico pero para la unión entre el ánodo y el
material. Nuevamente seleccionaremos para Todos los dominios y le daremos una distribución
Gaussiana como en el anterior. Esta vez en Región uniforme->Ancho solo damos el valor 𝑊 =
2[𝑢𝑚]; lo cual corresponde a la ubicación del ánodo en figura del gráfico de Comsol. Ahora
cambiamos el Tipo de impurezas a Dopaje aceptor (tipo p) y en Concentración de donante
colocamos el valor de 1e17 [1/cm^3]. Finalmente la Concentración de dopaje en el fondo la
cambiamos por Concentración de donante (semi/adm1). Vemos que en esta unión entre el
ánodo y el material ya el dopaje es de los huecos.
Luego de haber definido los dopajes, tipo n y p, seguimos a definir los contactos (ánodo y
cátodo), en este caso para definir el ánodo damos click derecho en Semiconductor->Contacto
metálico y en el grafico derecho de la interfaz seleccionamos con el click el borde
correspondiente al ánodo. Y en Voltaje colocamos el parámetro definido inicialmente 𝑉0.

Y para el cátodo creamos nuevamente Contacto metálico y seleccionamos el borde

correspondiente. En el Voltaje lo dejamos por defecto.

Ahora para la simulación nos ubicamos en Estudio->Paso 1: Estacionario->Extensiones del

estudio y habilitamos Barrido auxiliar, donde le daremos en el icono de Agregar y
seleccionaremos el parámetro 𝑉0 que declaramos inicialmente y luego damos click en el icono
de Intervalo, en el cual daremos el tiempo de simulación Iniciar: 0, Paso: 0.05 y Parar: 3, y click
en Agregar.

Finalmente nos ubicamos nuevamente en Estudio damos click derecho y seleccionamos

Obtener valor inicial. De esta forma obtenemos los siguiente gráficos:
 Concentración de electrones

Resultado: toda la región roja es el material del tipo n, la región azul es ausencia de electrones(
electrones libre); y las partes sombreadas son las uniones con el anado y catodo (arriba-abajo)

Grafica en estado inicial en tiempo cero, cero potencial, materail tipo n

Concentración de huecos
 Este grafico representa los huecos, dopaje tipo p; contrario al grafico anterior, partes
sombreada uniones

Ahora podemos obtener otro grafico en el podemos observar mejor los resultados, nos
ubicamos en Resultados damos click derecho y seleccionamos Grupo grafico 2D, ahora damos
click derecho sobre Grupo grafico 2D, que se creó, y seleccionamos Superficie; luego en
Expresión damos click en el icono de Reemplazar expresión y seguimos la ruta Modelo-
>Componente->Semiconductor->Concentración de portador->semi.Ndoping, finalmente click
en Grafico.
Concentración de dopante signado
La caída representa la región de agotamiento

Simulación diodo
Huecos: lo amarilla es el región de agotamiento; lo cual perturba su alrededor; las líneas azules
con forma de onda se debe al potencial ya que el voltaje entre anodo catodo es senoidal
Esta grafica representa el potencial, mirar foto

Onda rectificadora