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Tema 1-cuantica
Problemas del texto tomo 3 de alonso-finn
Tomo3-alonso-finn: 2.12,2.14, 2.41,2.24,2.6, 2.18, 2.27, 2.34, 2.23
Tema 3: solidos
1. El níquel posee una red de Bravais cubica centrada en las caras. Si los átomos de níquel de
las caras son reemplazados por átomos de aluminio se obtiene una aleación de níquel-
aluminio. Hallar la composición, o formula química, de esta aleación, la red de esta
aleación y la base para describir esta estructura cristalina.
2. Considere que los átomos son esferas rígidas. ¿Cuál es la fracción máxima del volumen
total que ocupan dichas esferas en un cristal cubico centrado en el cuerpo y en cristal
cubico centrado en las caras?
E (k ) E0 e ik . m
m
Determine la energía de fermi para este metal y compárelo con el resultado para
electrones libres
2. La banda prohibida( o “gap”) del silicio varia con la temperatura de la forma siguiente:
T2
E g 1.17eV 4.73 x10 4 , T en kelvin
T 636
Encuentre la concentración de electrones en la banda de conducción para Si intrínseco a
77 K si a 300 K la concentración de electrones era 1.05x10 10 cm-3
4. Calcule el ancho de la región de carga espacial para la juntura del problema anterior para
un voltaje aplicado de -10V, 0V, y -0.3V. La constante dieléctrica del material es de 11.9.
5. 6.24, 6.35, 6.30 de alonso-finn tomo m3
me
6. si la mobilidad del Si es de 1400cm 2V 1 s 1 y la masa efectiva 0.33 ,
m
calcule el tiempo libre medio de los electrones entre colisiones
7. Una barra de silicio intrinseco tiene una longitud de 1 cm y un diametro de 1
mm. A temperatura ambiente la concentración intrinseca de silicio es de 1.5 x
10 16 m-3. Las movilidades de electrones y huecos son 0.13 m2V-1s-1 y
0.05 m2V-1s-1 respectivamente. Calcule la conductividad del silicio y la
resistencia electrica de la barra.
2.
a. Escriba la ecuación de Schrödinger para las 5 regiones mostradas en la figura.
b. Resuelva las ecuaciones diferenciales derivadas del punto anterior y escriba las
funciones de onda en cada región. Considere que la partícula incide desde la
derecha con una energía E (E < E0).
c. Calcule las condiciones de continuidad para las diferentes partes de la función
de onda en los puntos x = a+b, a
d. Discuta, con base en la ecuación de Schrödinger, la situación siguiente: una
partícula se encuentra inicialmente en la región (2), ¿es posible que existan
estados estacionarios(energías cuánticas discretas) para esta partícula?
segundo parcial
tercer parcial
Y llegue a una ecuacion de segundo grado para las frecuencias angulares w, explique
que significa cada solucion de esta ecuacion.
8.
a. Un fotón incide sobre un material dieléctrico a la temperatura de 300 K. Discuta que
ocurre cuando dicho fotón choca con un fonón del material.
b. Explique en detalle cómo se forman las bandas de energía a partir de los átomos, y
uniendo N átomos en una red cristalina, mencione la relación entre el número de
átomos y el número de estados de energía
c. A partir de los resultados para una caja cuántica, explique cual es el nivel de Fermi para
un metal. Tenga en cuenta que hay N atomos en la caja y hay N estados en la banda.
cuarto parcial
me
B. si la mobilidad del Si es de 1400cm 2V 1 s 1 y la masa efectiva 0.33 , calcule
m
el tiempo libre medio de los electrones entre colisiones
14. A. Considere una juntura p-n. Explique las corrientes, de electrones y huecos,
que se producen en la juntura en equilibrio, sin polarización, debido a los
procesos de generación y recombinación. Explique y escriba la condición de
equilibrio para las corrientes.
B. explique como funciona un laser basado en una juntura p-n. Tenga en
cuenta la emisión estimulada, las caracteristicas de los espejos, la inversión de
población, la zona activa
16. Un cristal formado por iones de átomos A, B, y C tiene una estructura como se
indica en la figura adjunta (tipo rutilo): la celda convencional tiene párametros
a=b=0.459nm, c=0.396nm, con iones A en los vértices, iones B en el interior de
la celda, y C en la mitad de las caras, como se indica en la figura.
a) Describir la estructura como red de Bravais más base átomos, indicar la red
de bravais y las posiciones de los atomos en la base.
c) Dar la red reciproca.
d) hallar la densidad de masa de este compuesto si las masas de los átomos son
para A, 137 uma, para B, 48 uma, y para C, 16 uma.
17. A. Considere una juntura p-n. Explique las corrientes, de electrones y huecos,
que se producen en la juntura en equilibrio, sin polarización, debido a los
procesos de generación y recombinación. Explique y escriba la condición de
equilibrio para las corrientes.
B. con base en las corrientes definidas en el numeral anterior, explique la teoria
del diodo de juntura, de la expresion para la corriente en funcion del voltaje
aplicado.
18. Una barra de silicio intrinseco tiene una longitud de 1 cm y un diametro de 1
mm. A temperatura ambiente la concentración intrinseca de silicio es de 1.5 x
10 16 m-3. Las movilidades de electrones y huecos son 0.13 m2V-1s-1 y
0.05 m2V-1s-1 respectivamente. Calcule la conductividad del silicio y la
resistencia electrica de la barra.