BPW 21

Silizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich BPW 21

Silicon Photodiode for the visible spectral range

fmo06011
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale Features

● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 350 nm bis 820 nm
● Angepaßt an die Augenempfindlichkeit (Vλ)
● Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich
TO-5)
● Especially suitable for applications from
350 nm to 820 nm
● Adapted to human eye sensitivity (Vλ)
● Hermetically sealed metal package (similar
to TO-5)

Anwendungen Applications
● Belichtungsmesser für Tageslicht ● Exposure meter for daylight
● Für Kunstlicht mit hoher Farbtemperatur in ● For artificial light of high color temperature in
der Fotografie und Farbanalyse photographic fields and color analysis

Typ Bestellnummer
Type Ordering Code
BPW 21 Q62702-P885

Semiconductor Group 1 1998-11-13

 BPW 21

Grenzwerte
Maximum Ratings

Bezeichnung Symbol Wert Einheit

Description Symbol Value Unit
Betriebs- und Lagertemperatur Top; Tstg – 40 ... + 80 °C
Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom TS 235 °C
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3 s)
Sperrspannung VR 10 V
Reverse voltage
Verlustleistung, TA = 25 °C Ptot 250 mW
Total power dissipation

Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)

Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)

Bezeichnung Symbol Wert Einheit

Description Symbol Value Unit
Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V S 10 (≥ 5.5) nA/lx
Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit λS max 550 nm
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit λ 350 ... 820 nm
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
Bestrahlungsempfindliche Fläche A 7.34 mm2
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen L×B 2.73 × 2.73 mm × mm
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area L×W
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober- H 1.9 ... 2.3 mm
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel ϕ ± 55 Grad
Half angle deg.

Semiconductor Group 2 1998-11-13

 BPW 21

Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)

Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) (cont’d)

Bezeichnung Symbol Wert Einheit

Description Symbol Value Unit
Dunkelstrom
Dark current
VR = 5 V IR 2 (≤ 30) nA
VR = 10 mV IR 8 (≤ 200) pA
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 550 nm Sλ 0.34 A/W
Spectral sensitivity
Quantenausbeute, λ = 550 nm η 0.80 Electrons
Quantum yield Photon
Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix VO 400 (≥ 320) mV
Open-circuit voltage
Kurzschlußstrom, Ev = 1000 Ix ISC 10 µA
Short-circuit current
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes tr, tf 1.5 µs
Rise and fall time of the photocurrent
RL = 1 kΩ; VR = 5 V; λ = 550 nm; Ip = 10 µA
Durchlaßspannung, IF = 100 mA, E = 0 VF 1.2 V
Forward voltage
Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 C0 580 pF
Capacitance
Temperaturkoeffizient von VO TCV – 2.6 mV/K
Temperature coefficient of VO
Temperaturkoeffizient von ISC TCI – 0.05 %/K
Temperature coefficient of ISC
Rauschäquivalente Strahlungsleistung NEP 7.2 × 10– 14 W
Noise equivalent power √Hz
VR = 5 V, λ = 550 nm
Nachweisgrenze, VR = 5 V, λ = 550 nm D* 1 × 1012 cm · √Hz
Detection limit W

Semiconductor Group 3 1998-11-13

 BPW 21

Relative spectral sensitivity Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Total power dissipation

Srel = f (λ) Open-circuit voltage VO = f (Ev) Ptot = f (TA )

Dark current Capacitance Dark current

IR = f (VR) C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0 IR = f (TA), VR = 5 V

Directional characteristics Srel = f (ϕ)

Semiconductor Group 4 1998-11-13

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