UNIVERSIDAD TÉCNICA DE AMBATO

FACULTAD DE INGENIERÍA EN SISTEMAS, ELECTRÓNICA E INDUSTRIAL

PERÍODO ACADÉMICO: OCTUBRE/2016 - MARZO/2017

UNIVERSIDAD TÉCNICA DE AMBATO

Facultad de Ingeniería en Sistemas, Electrónica e Industrial

“Consulta”

Tema: Conexión base – común, colector – común

Carrera: Ingeniería Industrian en Procesos de

Automatización

Área Académica: Mecánica

Ciclo Académico y Paralelo: 4to “B”

Alumno: Santamaria Manobanda Christian Sebastián

Módulo y Docente: Electrónica Industrial Básica –

Ing. Pérez Víctor
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Conexión Base – Común

En la configuración base común la entrada es por el emisor, y la salida por el

colector como se muestra en la siguiente figura:

Presenta las siguientes características:

 Alta ganancia de Voltaje.

 Ganancia de corriente menor a 1.

 No inversión de voltaje en la salida.

 Inversión de Corriente en la salida.

 Impedancia de entrada pequeña.

 Impedancia de salida grande.

Un transistor en configuración base común se usa en aplicaciones VHF (very high

frequency) y UHF (ultra high frequency), ya que presenta una respuesta excelente
a altas frecuencias, esto debido a que no se ve afectado por el efecto Miller, ya que
presenta una baja realimentación de la salida a la entrada. Además en la
configuración compuesta cascode se usa un base común precedido de un emisor
común, para tener los beneficios de la alta impedancia del emisor común, y la buena
respuesta en frecuencia del base común.

Las polarizaciones que se usan en un base común son la polarización estabilizado

en emisor, polarización por divisor de voltaje, y polarización por realimentación de
colector y de emisor. Polarización fija y polarización por realimentación de colector
no se usan ya que corto circuitan la entrada en el base común. El
modelo híbrido exacto de un transistor bjt en base común es el siguiente:
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Se puede observar que ahora todos los parámetros híbridos, tiene el subíndice b,
además de que la fuente de corriente ahora depende de la corriente de
emisor. Ahora el modelo híbrido de emisor común también puede ser usado para
analizar un base común, el modelo híbrido de emisor común configurado para base
común es el siguiente:

En donde lo único que se hizo fue reacomodar el circuito, de tal manera que la
entrada sea ahora el emisor, el común sea la base, y la salida sea el colector. Ahora
la relación de parámetros entre un base común y un emisor común es la siguiente:
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Ejemplos
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Conexión Colector – Común

Otro tipo de configuración básica de un transistor es la de colector común. A esta

configuración se la suele llamar seguidor de emisor. Con este tipo de circuitos no
vamos a conseguir una amplificación de tensión, pero son muy buenos
amplificadores de la corriente y de ahí viene su utilidad.

La entrada de señal se produce por la base y la salida por el emisor, en vez de por
el colector como en el resto de los circuitos. El terminal común para la entrada y la
salida es el colector, como su nombre indica. Si la unión base emisor está polarizada
directamente, el transistor va a conducir, mientras que si está inversamente
polarizada no lo hará.

Este tipo de circuitos tiene un comportamiento muy bueno frente a las variaciones
de temperatura y es debido a que tiene conectada una resistencia, RE. El problema
que pueden tener este tipo de circuitos es que disipan mucha potencia. Como en
esta configuración se produce una ampliación de corriente, la corriente de salida es
muy grande y al trabajar siempre en la región activa podemos disipar mucha
potencia; este efecto se corrige poniendo una resistencia entre el colector y la fuente
de alimentación.

La característica más importante de esta configuración es que ofrece una "alta

impedancia" (o resistencia) de entrada y una baja impedancia de salida. La corriente
de entrada va a ser muy pequeña, mientras que la de salida puede llegar a ser muy
grande.

Esta característica influye totalmente en las aplicaciones que damos a este circuito:
se usa como adaptador de impedancias, es decir, cuando queramos obtener una
baja impedancia de salida.
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Sabemos que la tensión que apliquemos no va a variar al ser igual la de entrada

que la de salida. Sin embargo, vamos a obtener una gran amplificación de la
intensidad.

Ejemplos

Bibliografía
Braun, Ernest; MacDonald, Stuart (1982). Revolution in miniature: the history and impact of semiconductor
electronics (en inglés) (2nd ed. edición). Cambridge [etc.]: Cambridge University Press.
p. 45. ISBN 0521247012. Consultado el 7 de marzo de 2016.