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SANCHEZ CARRION
ESCUELA ACADEMICA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRÓNICA
DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
(LABORATORIO)
TEMA:
SEMICONDUCTORES
DOCENTE:
LUIS FERNANDEZ
ALUMNO:
OBISPO GALICIA MICHAEL ARTURO
HUACHO
2019
LA ESTRUCTURA ATOMICA:
EL DIAGRAMA DE BANDAS:
GERMANIO:
DIAMANTE:
GRAFITO:
SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS:
Son 2 semiconductores que están dopados, esto es que tienen impurezas EN P Y N
-SEMICONDUCTOR TIPO N:
Es el que está impurificado con impurezas "Donadoras", que son impurezas pentavalentes.
Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n, reciben el nombre de
"portadores mayoritarios", mientras que a los huecos se les denomina "portadores minoritarios".
Los electrones libres de la figura circulan hacia el extremo izquierdo del cristal, donde entran al
conductor y fluyen hacia el positivo de la batería.
-SEMICONDUCTOR TIPO P:
Es el que está impurificado con impurezas "Aceptoras", que son impurezas trivalentes. Como el
número de huecos supera el número de electrones libres, los huecos son los portadores
mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios.
En el circuito hay también un flujo de portadores minoritarios. Los electrones libres dentro del
semiconductor circulan de derecha a izquierda. Como hay muy pocos portadores minoritarios,
su efecto es casi despreciable en este
circuito.
EQUILIBRIO DIFUSION CAMPO PARA HUECOS:
DOPAJE DE ELEMENTOS:
es el proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor
con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del
tipo de semiconductores a dopar.
Para los semiconductores del grupo IV como silicio, germanio y carbono de silicio, los
dopantes más comunes son elementos del grupo iii o del grupo v. boro, arsénico,
fosforo, y ocasionalmente galio, son utilizados para dopar al silicio.