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UNIVERSIDAD NACIONAL JOSE FAUSTINO

SANCHEZ CARRION
ESCUELA ACADEMICA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRÓNICA

DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
(LABORATORIO)

TEMA:
SEMICONDUCTORES

DOCENTE:
LUIS FERNANDEZ

ALUMNO:
OBISPO GALICIA MICHAEL ARTURO

HUACHO
2019
LA ESTRUCTURA ATOMICA:

la estructura molecular en el ámbito de la electrónica nos centramos en las partículas


que contienen cargas positivas (protón), y negativas (electrón) y también neutrones
donde cada elemento contiene distintas propiedades químicas y se aprovechara de sus
propiedades para su mejor uso .

EL DIAGRAMA DE BANDAS:

A temperatura ambiente algunos electrones tienen energía suficiente para saltar a la


banda de conducción y moverse por ella generando corriente eléctrica. Es un
semiconductor.

GERMANIO:

DIAMANTE:
GRAFITO:

LA REPRESENTACION DEL GERMANIO:

El germanio es un semimetal que conserva el brillo de la


temperatura ordinarias es resistente a los ácidos y álcalis,
este semimetal es una importante ya que es un
semiconductor utilizado en transistores y foto detectores.
En el campo se puede utilizar en la fibra óptica,
amplificadores de guitarras, óptica de inflarojos,
microscopio.,etc

MOVIMIENTO DE CARGAS POR UN CAMPO ELECTRICO:


Una partícula con carga cuando es colocado en un campo eléctrico experimenta la
acción de una fuerza, si la fuerza eléctrica es la única fuerza significa que se activa
sobre la partícula y adquiere una aceleración.
SEMICONDUCTORES INTRINSECOS:
Este es hecho solo de un único tipo de átomo, se denomina semiconductor intrínseco.
Los más empleados son el germanio y el silicio (este material es el más usado por ser
muy abundante y poner trabajar a temperaturas mayores que el germanio.
EN RESUMEN TIENEN Igual número de huecos y de electrones

SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS:
Son 2 semiconductores que están dopados, esto es que tienen impurezas EN P Y N

-SEMICONDUCTOR TIPO N:
Es el que está impurificado con impurezas "Donadoras", que son impurezas pentavalentes.
Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n, reciben el nombre de
"portadores mayoritarios", mientras que a los huecos se les denomina "portadores minoritarios".

Los electrones libres de la figura circulan hacia el extremo izquierdo del cristal, donde entran al
conductor y fluyen hacia el positivo de la batería.

-SEMICONDUCTOR TIPO P:
Es el que está impurificado con impurezas "Aceptoras", que son impurezas trivalentes. Como el
número de huecos supera el número de electrones libres, los huecos son los portadores
mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios.

En el circuito hay también un flujo de portadores minoritarios. Los electrones libres dentro del
semiconductor circulan de derecha a izquierda. Como hay muy pocos portadores minoritarios,
su efecto es casi despreciable en este
circuito.
EQUILIBRIO DIFUSION CAMPO PARA HUECOS:

Los huecos se han movido en difusión (el


mismo fenómeno que la difusión de electrones).

EQUILIBRIO DIFUSION CAMPO PARA ELECTRONES:


ECUACION DE CONTINUIDAD:

LA ecuación de continuidad expresa una ley de conservación (leyes físicas) de forma


matemática, ya sea de forma integral o de forma diferencial.

La velocidad de un fluido en movimiento puede cambiar.


Su masa permanece constante, por ende el volumen que ocupe no cambia.
La velocidad del fluido es mayor en aquellas zonas donde el área es menor.

DOPAJE DE ELEMENTOS:
es el proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor
con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del
tipo de semiconductores a dopar.
Para los semiconductores del grupo IV como silicio, germanio y carbono de silicio, los
dopantes más comunes son elementos del grupo iii o del grupo v. boro, arsénico,
fosforo, y ocasionalmente galio, son utilizados para dopar al silicio.

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