ÍNDICE

Pág.
Cap. 4. Transístor de efeito de campo ................................................................................ 4.1

4.1 Introdução ...................................................................................................................... 4.1

4.2 Transistor de efeito de campo de junção JFET .......................................................... 4.1

4.3 Transistor de efeito de campo de isolante MOSFET ................................................. 4.7

4.3.1 Princípio de funcionamento........................................................................................ 4.7

4.3.2 O canal. A tensão de limiar ...................................................................................... 4.12

4.3.3 Característica estacionária tensão-corrente .......................................................... 4.20

4.3.4 Regime variável. ........................................................................................................ 4.22

Capítulo 4. Transístor de efeito de campo

4.1 Introdução

Os transístores de efeito de campo foram teoricamente desenvolvidos antes dos transistores

bipolares, no entanto dificuldades de índole tecnológica atrasaram o seu desenvolvimento
laboratorial. O princípio de funcionamento consiste no controlo de uma carga móvel
associada a uma camada muito fina de semicondutor, designada por canal, à custa de um
campo eléctrico perpendicular à camada e que é criado por um terminal designado por porta
(gate, na designação anglo-saxónica). Nas extremidades do canal existem dois contactos
metálicos associados a dois terminais designados por dreno (drain) e fonte (source). Os
transístores de efeito de campo de isolante desenvolveram-se rapidamente, aproveitando o
facto de o dióxido de silício estabilizar o silício, tornando-o resistente ao ambiente, e reduzir o
número de estados em superfície. É hoje o componente mais comercializado, tendo atingido
densidades de 109 componentes por pastilha. Graças à miniaturização é possível obter canais
com dimensões da ordem do centésimo do mícron, facto que conduz à manifestação de efeitos
quânticos interessantes que estão fora do âmbito desta disciplina. Os transístores de efeito de
campo (Field Effect Transistor) são de dois tipos: de junção (JFET) e de metal-isolante-
semicondutor (MISFET). Estes últimos utilizam normalmente o dióxido de silício como
isolante e o silício como semicondutor, designando-se então por MOSFET. O dispositivo mais
próximo do JFET é o MESFET que utiliza materiais compostos da família do GaAs. Devido à
sua rapidez têm aplicações no domínio das micro-ondas. Embora mais rápidos que os
dispositivos de silício graças à maior mobilidade dos electrões (no GaAs cerca de 8 vezes
superior à do silício), a integração nestes materiais encontra-se em níveis muito inferiores
(cerca de 105 transístores/ pastilha). Além de não possuir um óxido nativo estável, tal como o
SiO2 está para o Si, apresenta problemas associados aos contactos. Os FET apresentam
vantagens sobre os transístores bipolares, nomeadamente correntes de comando mais baixas,
melhor resposta em frequência, menor ruído e melhor comportamento térmico. As principais
desvantagens são as menores transcondutâncias associadas, como veremos adiante.

4.2 Transistor de efeito de campo de junção JFET

É constituído por um cristal único no qual a zona do meio, o canal, tem impurezas de
substituição de tipo diferente ao das zonas extremas muito mais dopadas.

- 4.1 -
A Fig.4.1 representa um transístor JFET de canal n com estrutura simétrica. Neste caso
existem duas portas iguais, que estarão ligadas ao mesmo potencial. Na hipótese de depleção
total e em equilíbrio termodinâmico tem-se
2εVc 0 N A 1
xn = (4.1)
q ND ( N A + ND )

G1

IG1
UGS1
UDS
p+
xp
xn
IS ID
n
S 2a p

p+

IG2 – dadores ionizados

UGS2
– dadores ionizados
G2
U GS 1 = U GS 2 = U DS = 0

- Fig.4.1 -
Representação esquemática de um JFET

Quando U DS = 0 e U GS < 0, a largura da região de transição aumenta, uma vez que a junção
pn fica polarizada inversamente. A largura da zona de transição será constante ao longo do
canal e dada por

xn = A VC1 = A VC 0 − U GS (4.2)

Se U GS for suficientemente negativo, o canal fica estrangulado. Designa-se por tensão de

estrangulamento, VCP , a tensão tal que

xn' = A VCP = a (4.3)

sendo 2a a distância entre as duas junções pn em equilíbrio termodinâmico (Fig.4.1).

Quando U DS > 0 , os pontos do canal junto ao dreno ficam mais inversamente polarizados, o

que faz com que a largura do canal deixe de ser uniforme. A influência de U DS > 0 pode ser
descrita por um aumento da resistência do canal. Assim enquanto a inclinação das

- 4.2 -
características para U DS U GS for independente de U DS , o valor da resistência equivalente
depende apenas da tensão na porta, diminuindo com o aumento desta. Para elevados valores
de U DS , torna-se dependente também da tensão de dreno, aumentando à medida que esta
aumenta. Uma vez que a largura do canal não é constante (Fig.4.2), a densidade de corrente
tem, tal como E , duas componentes, uma segundo x e outra segundo y. As equipotenciais
passam a ser função de x e de y, também. Na medida em que as equipotenciais possam ser
consideradas planos perpendiculares a y, a análise que temos vindo a fazer pode tomar-se
como uma boa aproximação. Embora seja na aproximação unidimensional que nos iremos
situar, deveremos ter sempre presente que essa não é seguramente uma boa aproximação
quando o canal se aproxima do estrangulamento do lado do dreno.

UDS IG

y
xn (y)

IS a n ID
S D
L

(a)

y
V = const. xn(y)
Vn . . .
V4
V3
J V2
V1

(b)
- Fig.4.2 –
U DS < 0 e U GS < 0
(a) O canal no JFET (b) Superfícies equipotenciais no JFET

- 4.3 -
Num tratamento unidimensional

Vc1 ( y ) xn ( y )
= (4.3)
VCP a

Para os sentidos referenciados na Fig.4.1, e desprezando as correntes na junção de Si

polarizada inversamente (corrente de porta), tem-se

dVc1 ( y )
J D ≅ −σ E y = σ (4.4)
dy

Admitindo o semicondutor fortemente extrínseco σ ≅ qμn N D . É-se assim conduzido a

ID = JDS ( y) (4.5)

onde S ( y ) é a secção transversal do canal condutor, dada por

S ( y ) = 2 ⎡⎣ a − xn ( y ) ⎤⎦ b (4.6)

sendo b a dimensão do canal na direcção normal à figura. Substituindo (4.4) e (4.6) em (4.5)

⎡ x ( y ) ⎤ dVc1 ( y )
I D = 2abσ ⎢1 − n (4.7)
⎣ a ⎥⎦ dy
Tendo em conta (4.3) obtém-se
⎡ V ( y ) ⎤ dVc1 ( y )
I D = 2abσ ⎢1 − c1 ⎥ (4.8)
⎢⎣ VCP ⎥⎦ dy

Desprezando as quedas de tensão óhmicas nos contactos metálicos do dreno e da fonte e

destes até ao canal, obtém-se

y = 0 ⇒ Vc1 ( y = 0) = VC 0 − U GS , U GS < 0 (4.9a)

y = L ⇒ Vc1 ( y = L) = VC 0 + U DS − U GS , U GS < 0 (4.9b)

Por modificação de variáveis é-se conduzido a

⎛ V ( y) ⎞
d ⎜ c1 ⎟
⎡ Vc1 ( y ) ⎤ ⎝ VCP ⎠
I D = 2abσ VCP ⎢1 − ⎥ (4.10)
⎢⎣ VCP ⎥⎦ dy

Integrando entre y = 0 e y = L

ab ⎡V + U − U VC 0 − U GS 2 ⎛ VC 0 + U DS − U GS ⎞
3/ 2
2 ⎛ VC 0 − U GS ⎞ ⎤
3/ 2

I D = 2σ VCP ⎢ C0 DS GS
− − ⎜ ⎟ + ⎜ ⎟ ⎥ (4.11)
L ⎢⎣ VCP VCP 3⎝ VCP ⎠ 3 ⎝ VCP ⎠ ⎥⎦

- 4.4 -
Usando (4.11) para a situação de estrangulamento, o que, contudo, sabemos não ser uma boa
aproximação, tem-se para corrente de saturação

ab ⎡ V −U 1 2 ⎛ VC 0 − U GS ⎞ ⎤
3/ 2

I Dsat = 2σ VCP ⎢ − C0 GS
+ + ⎜ ⎟ ⎥ (4.12)
L ⎢⎣ VCP 3 3 ⎝ VCP ⎠ ⎥⎦

A corrente de saturação representa assim o valor máximo que se pode obter para a corrente,
fixado um valor para a tensão U GS . Corresponde a uma saturação de corrente. Verifica-se na

pratica que, para um dado valor de U GS , a corrente aumenta para além do valor de I Dsat . A

análise desta zona não pode ser unidimensional, uma vez que as equipotenciais se afastam
muito de planos perpendiculares a y. O ponto onde se dá o estrangulamento aproxima-se da
fonte à medida que aumenta U DS . É este encurtamento do canal que é responsável pelo
aumento da corrente nessa zona, designada por zona de saturação. O início desta zona
corresponde a VC 0 − U GS + U DS = VCP , o que substituído em (4.12) conduz a

ab ⎡U 2 2 ⎛ U DS ⎞ ⎤
3/ 2

I Dsat = 2σ VCP ⎢ DS
− + ⎜1 − ⎟ ⎥ (4.13)
L ⎢⎣ VCP 3 3 ⎝ VCP ⎠ ⎥⎦

No plano ( I D ,U DS ) corresponde à linha a tracejado da Fig.4.3. De salientar, que nos

transístores bipolares a designação de saturação não tem qualquer equivalência com aquela
que nos FET é designada por saturação. Aqui trata-se de uma saturação em corrente. Nos
transístores bipolares tratava-se de uma saturação em tensão.

ID

UGS1
UGS2
UGS3
ΔU GS = U GS 1 − U GS 2 = U GS 2 − U GS 3
= U GS 3 − U GS 4 = …
ΔU GS > 0

UDS
- Fig.4.3 -
Características estacionárias I D = I D (U DS , U GS ) .

- 4.5 -
Na Fig.4.3 é visível a zona de disrupção, resultante do aumento do campo eléctrico junto do
dreno, que é onde a polarização inversa é mais intensa. Dá-se para valores de U DS tanto

menores quanto mais negativo for U GS . Na característica pode verificar-se também que para

igual variação ΔU GS entre as características, as variações ΔI Dsat são tanto maiores quanto

menor U GS . Para U DS < 0 a junção do lado do dreno fica cada vez mais positiva, não

existindo estrangulamento do dreno. No 3º quadrante as características não saturam, devendo

ter-se em atenção que a corrente de porta e a potência não deverão exceder o máximo. As
características no 1º e 3º quadrantes não são simétricas!

O que foi dito para um JFET de canal n é válido par um JFET de canal p, se trocarmos os
electrões por buracos. As equações serão igualmente válidas se trocarmos os sentidos à
corrente e os sentidos às tensões, ou, o que é equivalente, se nas equações substituirmos
U GS e U DS , respectivamente, por U SG e U SD . Os símbolos dos transístores JFET estão
representados na Fig.4.4. O sentido da seta no terminal da porta corresponde ao sentido de p
para n.
D D D

G G G1 G2

S S S

(a) (b) (c)

- Fig.4.4 -
Simbologia
(a) canal n (b) canal p (c) dupla porta, canal n

A variação com a temperatura nos JFET é devida a três factores, a designar

• Variação da queda de tensão na zona de transição com T

N AND W
VC 0 = U T ln 2
= U T ( ln N A N D − ln N C NV ) + G (4.14)
ni q

onde N C , NV ∝ T 3/ 2 . Como N C , NV N A , N D , a tensão VC 0 decresce com a temperatura.

Deste modo, a largura da região de transição diminui com a temperatura, e, portanto, a
largura do canal aumenta com a temperatura.

- 4.6 -
• Variação das mobilidades com a temperatura
O aumento da temperatura conduz a uma diminuição da mobilidade e, portanto, da
condutividade do canal.
• Variação da geração e da recombinação na zona de transição
Os efeitos (i) e (ii) compensam-se. É possível por escolha adequada da polarização fazer
com que os três efeitos se cancelem, ou que sejam minimizados, de modo a ter uma
estabilidade térmica elevada para os transístores JFET.

4.3 Transistor de efeito de campo de isolante MOSFET

Num dispositivo de canal n o MOSFET é formado por um monocristal, no qual existe uma
zona de tipo p, o substrato, e duas zonas dopadas com dadores, de tal modo que N D NA ,
separadas por parte do substrato. Sobre cada zona de tipo n são estabelecidos os contactos
óhmicos. São os terminais do dreno e da fonte. Sobre o cristal entre essas duas zonas é
depositado um isolante, ao qual está também ligado um contacto metálico, designado por
porta. A primeira diferença com o JFET é que, devido à presença do isolante, a corrente de
gate é sempre desprezável, independentemente da polaridade da tensão U GS . A estrutura
básica está representada na Fig.4.5. A espessura do óxido d pode variar de centenas de Å a
alguns microns, a distância do dreno à fonte L é da ordem da dezena de mícron e o
comprimento dos eléctrodos é da ordem do milímetro. Existe um quarto terminal designado
por substrato (bulk, na designação anglo-saxónica), que na maioria dos casos está ligado à
fonte, mas que noutros casos permite que se estabeleça uma diferença de potencial entre esses
dois terminais. Analogamente ao JFET, o que for dito para um MOS de canal n é válido par
um MOS de canal p, se trocarmos os electrões por buracos. As equações serão igualmente
válidas se nas equações substituirmos U GS e U DS , respectivamente, por U SG e U SD .

4.3.1 Princípio de funcionamento

Com o terminal da gate em aberto, não haverá condução entre os terminais do dreno e da
fonte. Com efeito, qualquer que seja a polaridade de U DS , existe sempre no percurso uma
junção inversamente polarizada. De salientar que não se trata da mesma situação que no
transístor bipolar, uma vez que para estes a base é estreita e no FET a zona entre o dreno e a
fonte é suficientemente extensa para que a interacção entre as junções pn seja desprezável.

- 4.7 -
 UDS

UGS G
metal
IG
S D

IS ID
Isolante d

n+ n+

2n xp
L
UBS
p

- Fig.4.5 -
Representação esquemática de um MOSFET

Quando a porta se torna positiva, haverá um campo eléctrico dirigido do metal para o
semicondutor, dando origem à acumulação de carga negativa no semicondutor que se estende
junto à superfície de separação óxido-semicondutor, mas que penetra em profundidade pelo
semicondutor. A carga associada é da responsabilidade de electrões e de impurezas
aceitadoras ionizadas que ocupam uma zona depleta muito maior que a associada à camada de
electrões. Os electrões acumulados podem dar origem a uma zona com condutividade
elevada. Diz-se então que existe um canal de tipo n. A aplicação de uma tensão entre o dreno
e a fonte faz agora aparecer uma corrente no circuito exterior. Tal como no caso do JFET, a
corrente de dreno está associada à presença de uma tensão aplicada à porta. No caso do JFET
a tensão de porta faz aparecer um campo eléctrico que de certa forma modela a geometria do
canal. No MOSFET o campo eléctrico faz variar a condutividade do canal. Consideremos
duas situações

• U DS U GS

Nestas condições U GS ≅ U GD , logo o canal apresenta as mesmas características do lado da

fonte e do lado do dreno. Ou seja, o canal é uniforme, as equipotenciais são planos
perpendiculares a y e a relação I D (U DS ) é linear, com uma inclinação que representa o

inverso da resistência do canal. Esta é no entanto modelada pela tensão U GS , sendo tanto

menor quanto mais positiva for a tensão U GS . A situação está representada na Fig.4.6.

- 4.8 -
 UDS

UGS ID
ID

n+ n+
UGS = const.

UDS

- Fig.4.6 -
Canal e característica estacionária tensão-corrente para U DS U GS

• U DS ≈ U GS

Para tensões U DS da ordem de grandeza de U GS ou maiores, o canal aparece com largura

variável na direcção longitudinal (direcção y) e a relação corrente-tensão deixa de ser linear.
A situação está esquematicamente representada na Fig.4.7.
UDS

UGS
ID
ID

n+ n+
UGS = const.

UDS

- Fig.4.7 -
Canal e característica estacionária tensão-corrente para U DS ≅ U GS

À medida que U DS aumenta, a inclinação da curva diminui, até que o canal estrangula no lado
do dreno fazendo com que a corrente de dreno se mantenha praticamente constante com
sucessivos aumentos de U DS . Na realidade, e tal como se viu para o JFET, a corrente continua
a aumentar com a tensão aplicada entre o dreno e a fonte mas de forma muito menos
acentuada. De realçar que o estrangulamento do canal não deve ser entendido como o
anulamento da corrente, como uma imagem clássica poderia fazer supor, mas antes a entrada

- 4.9 -
na saturação. Significa que a condutividade do canal desde o ponto de estrangulamento até ao
dreno é muito baixa e que, por isso mesmo, para que se possa garantir uma corrente finita

( J = σ E ) , o campo eléctrico deve ser muito intenso na vizinhança do dreno. A situação está
representada esquematicamente na Fig.4.8.
UDS

UGS
ID
ID
UGS = const.

n+ n+

UDS

- Fig.4.8 -
Canal e característica estacionária tensão-corrente para U DS > U DSmin = U GS − U GSlim

Se designarmos por tensão de limiar U GSlim a tensão mínima a aplicar à porta para fazer

aparecer o canal e se admitirmos que o canal desaparece no dreno, então para que a corrente
de dreno iguale a corrente de saturação deverá ser superior a U DS , tal que min

U DSmin = U GS − U GD = U GS − U GSlim (4.15)

uma vez que nessa situação se tem U GD = U GSlim . Na literatura anglo-saxónica é usual designar

a tensão de limiar por VT , do termo anglo-saxónico threshold, que significa limiar. Deste

modo se U GS = VT , a corrente será nula mesmo com U DS > 0. A zona da característica,

representada nas figuras 4.6 e 4.7, correspondentes a U DS < U DS min

designa-se por zona de não

saturação. É usualmente designada na literatura da especialidade por zona de tríodo. A

analogia resulta de os tríodos serem válvulas de vazio com três terminais onde à custa da
tensão na grelha se consegue controlar a corrente que flui entre o ânodo e o cátodo. Contudo,
a designação não nos parece particularmente feliz, uma vez que nos tríodos a característica
I (U ) tem a concavidade para cima enquanto que nos FET a concavidade é para baixo, além de
que a característica passa pela origem no FET, enquanto que no tríodo existe corrente para
tensão ânodo-cátodo nula, dependendo da temperatura a que está o cátodo.

- 4.10 -
Os valores de U DS > 0 estão usualmente limitados pelos fenómenos de disrupção. Estes
podem ser de três tipos:

(i) Disrupção do canal

Verifica-se para correntes de saturação elevadas e está associada ao efeito de
multiplicação em avalanche;

(ii) Disrupção do dreno

É da responsabilidade da disrupção da zona vizinha do dreno devido a polarizações
inversas cada vez mais elevadas. Domina sobre a anterior para correntes de saturação
baixas, uma vez que não tem a ver com o número de portadores existentes no canal;

(iii) Disrupção do isolante

Devido às dimensões da camada de óxido, o campo eléctrico nessa zona é muito
intenso. O máximo valor admissível para o campo eléctrico no isolante (designado por
rigidez dieléctrica do material) não deve em caso algum ser excedido, senão provoca a
disrupção do dieléctrico. Trata-se de uma limitação física, uma vez que a entrada nesta
zona danifica irremediavelmente o dispositivo.

• U DS < 0

No caso do canal existir, ou seja se U GS > VT , ter-se-á sempre U GD > VT , ou seja o canal
nunca estrangula no lado do dreno. A situação está representada de forma esquemática na
Fig.4.9.

UDS

UGS
ID
ID
UDS

n+ n+

p
UGS

- Fig.4.9 -
Canal e característica estacionária tensão-corrente para U DS < 0 e U GS > U GSlim

- 4.11 -
A corrente tem assim uma variação monotónica com a tensão, ou seja, I D cresce sempre

com U DS . A corrente deverá ser assim limitada pelo circuito exterior para que não seja

excedida a potência máxima associada ao dispositivo. As características neste quadrante são

pois muito diferentes das do 1º quadrante, podendo aparecer mesmo um conjunto de curvas
correspondentes a U GS < VT e que não apareciam no 1º quadrante, pois estão relacionadas
com a abertura do canal do lado do dreno.

Os fenómenos descritos podem resumir-se no gráfico da Fig.4.10 que representa as

características estacionárias de tensão-corrente I D = I D (U DS )U num transístor MOSFET.
GS

ID
U GS 0 ≤ VT
U GS 4 > U GS 3 > U GS 2 > U GS1 > VT
UGS4
UGS3
UGS1

UGS2

UDS
UGS0

UGS0
UGS4

- Fig.4.10 -
Características estacionárias tensão-corrente num MOSFET

Como se vê o valor de VT é extremamente importante na caracterização destes dispositivos e o

seu controlo é feito tecnologicamente. Pode considerar-se independente da polarização. De
facto, como veremos mais adiante, depende da tensão aplicada entre a fonte e um quarto
terminal, o substrato, devido à carga da região depleta existente no substrato.

4.3.2 O canal. A tensão de limiar

Como atrás referido a existência do canal está associada à presença de um campo eléctrico
dirigido no óxido do metal para o semicondutor. Os portadores móveis (electrões) resultam
das minorias do substrato e dos gerados por acção do campo no plano de separação óxido-

- 4.12 -
-semicondutor. O campo eléctrico é inerente ao dispositivo, como em qualquer junção, mas
pode também ser imposto exteriormente. A influência da formação do canal pelo campo
exterior é dada através de U GS . O campo inerente ao dispositivo tem a ver com as cargas
existentes na superfície de separação entre os vários materiais, ou dito de outra forma, está
associado às diferenças de potencial de contacto das heterojunções metal-óxido e óxido-
semicondutor. Analisemos duas situações: U GS = 0 e U GS ≠ 0.

• Equilíbrio termodinâmico (U GS = 0 )

Vamos admitir que além desta condição, se verifica que a diferença de potencial de contacto
metal-semicondutor é nula (VMS = 0) , que a carga no óxido é nula (Qox = 0) e que as cargas

na superfície de separação óxido-semicondutor são nulas (QOS = 0).

W
Óxido
Metal Semicondutor

≈ ≈
WC0

Wi0
WF WF0
WV0
WCM
-a 0
x

- Fig.4.11 -
Diagrama de bandas na situação de equilíbrio termodinâmico com VMS = 0; QOX = 0; QOS = 0

O diagrama de bandas de energia é o representado na Fig.4.11, onde se pode ver que não
existem encurvamentos, uma vez que não existem cargas localizadas. O nível de Fermi é o
mesmo para todos os materiais, uma vez que é apenas função da temperatura.

Consideremos agora VMS ≠ 0. O estabelecimento de um campo eléctrico entre o metal e o

semicondutor faz com que as bandas encurvem. Consideremos sem perda de generalidade que
VMS > 0. O andamento da densidade de carga está representado na Fig.4.12. De realçar que no
metal as cargas localizam-se em superfície, no óxido não existem cargas e no semicondutor as
cargas penetram até uma profundidade d. O resultado é semelhante ao já obtido para a zona de
carga espacial de uma junção: a carga penetra mais na zona menos dopada.

- 4.13 -
 ρ
Metal Óxido Semicondutor

+Q
-Q

d
x
-a
−qN A−

- Fig.4.12 -
Distribuição da densidade de carga em equilíbrio termodinâmico com VMS > 0

A expressão do campo é obtida por integração da distribuição de carga. No metal é nulo, no

isolante é uma constante e no semicondutor tem uma variação linear, de acordo com

qN A
E S = E S0 − x (4.16)
εS
onde ES0 , representa o campo eléctrico na superfície de separação entre o óxido e o

semicondutor, do lado do semicondutor ou seja em x = 0+. É obtido através da condição de

fronteira E (d ) = 0
qN Ad
E S0 = (4.17)
εS
E
Metal Óxido Semicondutor
E0X

ES 0

x
-a d

- Fig.4.13 -
Distribuição do campo eléctrico equilíbrio termodinâmico com VMS > 0

Por outro lado, devido à continuidade do campo de deslocamento

DOX ( x = 0− ) = DS ( x = 0+ ) ⇒ ε OX EOX ( x = 0− ) = ε S ES ( x = 0+ ) (4.18)

ε OX
ES 0 = E (4.19)
ε S OX
de (4.17) e (4.19) obtém-se

- 4.14 -
 EOX
d= ε OX (4.20)
qN A

A distribuição do campo eléctrico em equilíbrio termodinâmico está representada na Fig.4.13.

A variação do potencial obtém-se por integração da distribuição do campo eléctrico.
Admitindo nulo o potencial no interior do semicondutor tem-se

• x ≥ 0:
qN A 2 qN A 2
VS ( x) = ES0 (d − x) − d + x (4.21)
2ε S 2ε S

donde se obtém VS (d ) = 0 e

qN A 2 d
φS = VS (0) = d = ES 0 (4.22)
2ε S 2

• −a ≤ x ≤ 0 :

VOX ( x) = VMS − EOX ( x + a ) (4.23)

onde a é a espessura do óxido e

VOX (0) = VMS − EOX a (4.24)

• x ≤ −a :

VM ( x) = VMS = const (4.25)

V ( x) está representada na Fig.4.14.

Metal Óxido V Semicondutor

VMS
V0X
φS

x
-a d

- Fig.4.14 -
Distribuição do potencial em equilíbrio termodinâmico com VMS > 0

Calculemos como exemplo o valor de d, isto é da profundidade de penetração da carga no

semicondutor, para o seguinte conjunto de valores

- 4.15 -
 N A = 1020 m −3 ; VMS = 0,85 V ; a = 1μ m; ε OX = 3,95ε 0 ; ε S = 12ε 0

A partir da expressão de VMS resultante de (4.17), (4.19), (4.21) e (4.24)

qN A qN A 2
VMS = da + d (4.26)
ε OX 2ε S

obtém-se d = 1, 6μ m. Por substituição em (4.17), (4.19), (4.21) e (4.24) obtém-se

VOX = 0,67V ; φS = 0,18V ; EOX = 6,67 kV / cm; ES0 = 2, 2kV / cm.

A Fig.4.15 traduz o andamento das bandas de energia para a situação estudada, utilizando as
relações (4.21) a (4.26) e tendo em conta que

WC ( x) = WC0 − qV ( x) (4.27a)

WV ( x) = WV0 − qV ( x) (4.27b)

De realçar que o encurvamento obtido na vizinhança da superfície de separação óxido-

-semicondutor mostra que aí o semicondutor é menos do tipo p (ou mais do tipo n) do que
para elevados valores de x no substrato. Ou seja VMS > 0 favorece o aparecimento de um canal
de tipo n.
W

Óxido

Metal Semicondutor

≈ ≈
WC0

Wi0
WF0
WV0

-a
x
0 d

- Fig.4.15 -
Bandas de energia no metal-óxido-semicondutor em equilíbrio termodinâmico com VMS > 0

Juntando à condição VMS ≠ 0, as condições QOX ≠ 0 e QOS ≠ 0, obtêm-se, por via análoga,
resultados idênticos aos descritos. O sentido do campo associado às cargas pode no entanto

- 4.16 -
conduzir a um encurvamento oposto ao representado na Fig.4.15, o que traduziria uma
acumulação de buracos na zona do substrato próximo do óxido. É uma situação que não
interessa, uma vez que como vimos essa situação levaria à existência de uma junção sempre
inversamente polarizada qualquer que fosse a polaridade da tensão aplicada entre o dreno e a
fonte e, consequentemente, a uma corrente de dreno desprezável. A estatística clássica (como
aproximação da estatística de FD) dá-nos o valor da densidade de electrões (buracos) em
termos da distância da banda de condução (valência) ao nível de Fermi

( )
− WC −WF0 / kT
n = NC e (4.28a)

(WV −WF0 ) / kT
p = NV e (4.28b)

O valor máximo da concentração de electrões quando o encurvamento das bandas é o

indicado na Fig.4.15 dá-se para x = 0, ou seja, na superfície de separação óxido-
-semicondutor. Por convenção, admite-se que o aparecimento do canal se dê quando o
semicondutor for aí tão do tipo n, quanto é do tipo p no interior do substrato suficientemente
afastado da interface óxido-semicondutor. O correspondente valor da diferença de potencial
de contacto, que designaremos por φSinv , é dado por

φS = =
(
2ΔW 2 Wi0 − WF0 p)
= 2U T ln 0 (4.29)
inv
q q ni

Para N A = 1020 m −3 e ni = 1016 m −3 tem-se, considerando T = 300 K , φSinv = 0, 48V .

• Tensão aplicada exteriormente (U GS ≠ 0, U DS = 0, U BS = 0 )

Admitamos que VMS = 0, QOS = QOX = 0. A tensão aplicada distribui-se pelo óxido e pelo
semicondutor de tal modo que

U GS = VOX + φS (4.30)

Sendo QS a carga induzida no substrato semicondutor pela tensão U GS . É dada pela soma da

carga móvel associada aos electrões, Qn , com a carga fixa associada às impurezas ionizadas,

QB .

QS = Qn + QB (4.31)

- 4.17 -
As cargas Qn , QB e QS são definidas por unidade de área. A relação (4.31) pressupõe que já

exista carga móvel, isto é canal, caso contrário, QS = QB . Sendo COX a capacidade do óxido
por unidade de área , tem-se

QS
VOX = − (4.32)
COX

sendo COX = ε OX / a. Se admitirmos que essa heterojunção pode ser assumida como

fortemente assimétrica com N D+ N A− , a diferença de potencial de contacto entre o óxido e o

semicondutor, φS , permite-nos tirar, de forma aproximada, a largura da região depleta a partir

da expressão

2ε S φS
d= (4.33)
qN A−

Se adicionalmente admitirmos que, para φS < φSinv , toda a carga induzida por U GS contribui

para a carga depleta QB e que, para φS > φSinv , a tensão contribui para a carga no canal Qn

2ε S φSinv
d max (4.34)
qN A−

A tensão U GS associada ao aparecimento do canal, por definição U GSlim , é assim dada por

QB
U GSlim = − + φSinv (4.35)
COX

onde QB = −qN A− d max . A partir de U GSlim , admitiremos que toda a carga induzida pertence ao

canal e será constituída por electrões, ou seja

QB Q
U GS = − + φSinv − n (4.36)
COX COX

A situação encontra-se descrita na Fig.4.16. A equação (4.36) permite determinar o valor de

Qn para uma dada tensão acima do limiar, conhecidos U GSlim e COX .

- 4.18 -
 ρ

Metal Óxido Semicondutor

+Q Qn + Q B + Q = 0
QB

x
-a dmax

Qn

-Fig.4.16-
Distribuição de carga para U GS > U GS
lim

Admitamos agora que além de U GS ≠ 0, U DS = 0 e U BS = 0 se tem VMS ≠ 0, QOS ≠ 0 e QOX ≠ 0.

Esta situação faz com que as bandas se encontrem já encurvadas, mesmo considerando
U GS = 0. Podemos definir uma grandeza, que designaremos por tensão porta-fonte de bandas

direitas U GSBD , como a tensão que é necessário aplicar para colocar as bandas direitas, ou seja,

para contrariar os efeitos acumulados de VMS , QOS e QOX . Teremos assim

QOS QOX
U GSBD = −VMS − − (4.37)
COX COX

A tensão porta-fonte de limiar, ou seja, a tensão porta-fonte necessária para que o canal se
forme, será assim dada por

QB Q Q Q
U GSlim = U GSBD − + φSinv = −VMS − OS − OX − B + φSinv (4.38)
COX COX COX COX

Como se vê de (4.38) a tensão de limiar pode ser controlada tecnologicamente, podendo

tomar valores positivos e negativos. Se o canal existir em equilíbrio termodinâmico, ou seja se
a sua existência for garantida pelas propriedades intrínsecas do material e pelo dispositivo, o
canal diz-se de empobrecimento ou depleção. Caso contrário, é necessário a actuação da porta
através da aplicação de uma tensão U GS ≠ 0 para fazer aparecer o canal e este diz-se de

enriquecimento ou reforço. Os MOSFET de canal n com U GSlim < 0 são de depleção e os com

U GSlim > 0 são de reforço. Nos MOSFET de canal p define-se U SGlim . Os transístores com

U SGlim < 0 são de depleção e os com U SGlim > 0 são de reforço. Os símbolos utilizados para os

- 4.19 -
vários MOSFET estão representados na Fig.4.17. No caso de existir um terminal de substrato
(B) é possível criar uma tensão entre a fonte e o substrato (U SB ) . Esta tensão deve ter a

polaridade tal que a junção pn que lhe está associada esteja polarizada inversamente, caso
contrário existe uma corrente transversal ao canal que é importante e deixa de se poder
considerar que I D = I S . A tensão U GSlim é ainda dada por (4.38), mas a carga fixa no canal é

agora dada para um canal n por

2ε S qN A−
QB = −
COX2 (
U SB + φSinv )
(4.39)

Em (4.39) verifica-se que se U SB > 0 , a carga fixa na zona de depleção aumenta, atrasando a

formação do canal. O seu efeito é portanto aumentar o valor da tensão U GSlim . Inverter a

polaridade desta tensão conduz ao problema atrás referido (polarização directa da junção pn
associada), além do facto de uma tensão directa numa junção poder assumir um leque de
valores muito restrito. O controlo da tensão de limiar seria desse modo desprezável.

D D D D
reforço depleção reforço depleção

G G G G

S S S S

Canal n Canal p

-Fig.4.17-
Simbologia

4.3.3 Característica estacionária tensão-corrente

Consideremos um transístor MOSFET de canal n de enriquecimento. Na Fig.4.5 representam-

-se os sentidos convencionados como positivos. Seja S ( y ) a secção do canal normal à
direcção y. A dimensão do canal segundo a direcção x, que designaremos por xC , é função da
coordenada y. Teremos assim

S ( y ) = xC ( y )b (4.40)
sendo b a dimensão segundo z.

- 4.20 -
A corrente de dreno é dada por

∫ ( J , −uˆ ) dS = ∫
xC ( y )
ID = y qbn( x, y ) μn ( x, y ) dV dy
( x, y )
dx (4.41)
0
S ( y)

onde se considerou J = σ E = −σ gradV e σ = σ ( x, y ) = qn( x, y ) μn ( x, y ) . Se admitirmos que

V ( x, y ) ≅ V ( y ) , o que se revela uma má aproximação à medida que nos aproximamos da

situação de estrangulamento do canal no dreno, tem-se

xC ( y )
I D = b dVdy( y ) ∫ qn( x, y ) μn ( x, y )dx = −bμn*Qn ( y ) dVdy( y ) (4.42)
0

onde se considerou

xC ( y )
∫
0
qn( x, y ) μ n ( x, y )dx = − μ n*Qn ( y ) (4.43)

Qn ( y ) em (4.42) e (4.43) representa a carga por unidade de área no canal, que é função da

coordenada y e μn* representa a mobilidade eficaz de electrões no canal, que suporemos

independente do ponto do canal. De (4.42) e (4.43) tem-se

μn* U DS
I D = −b
L ∫
0
Qn ( y )dV ( y ) (4.44)

De (4.31) tem-se
Qn ( y ) = QS ( y ) − QB ( y ) (4.45)

Sendo QS ( y ) e QB ( y ) a carga móvel e a carga fixa no canal, respectivamente. São dadas por

QS ( y ) = −COX ⎡⎣U GS − U GSBD − φS ( y ) ⎤⎦ = −COX ⎡⎣U GS − U GSBD − φSinv − V ( y ) ⎤⎦ (4.46)

QB ( y ) = − 2qε S N A− ⎡⎣φSinv + V ( y ) ⎤⎦ (4.47)

Como hipótese simplicativa, consideraremos a carga fixa no canal como independente de y e

dada por

QB ( y ) = − 2qε S N A−φSinv (4.48)

Substituindo (4.45), (4.46), (4.47) e (4.48) em (4.44) obtém-se

- 4.21 -
 COX ⎡ ⎤
( )
2
U DS
I D = bμn* ⎢ GS
U − U GSlim U DS − ⎥ (4.49)
L ⎣ 2 ⎦

A equação (4.49) traduz a relação tensão-corrente no MOSFET na zona de não saturação.

Esta situação só é válida longe do estrangulamento do canal do lado do dreno. Para a situação
U DS U GS − U GSlim pode ser simplificada, obtendo-se

I D = bμn*
COX
L
(
U GS − U GSlim U DS ) (4.50)

A situação descrita por (4.50) corresponde a um canal de largura constante e associado a uma
resistência dada por
L
Rcanal = (4.51)
(
bμ COX U GS − U GSlim
*
n )
A entrada na saturação corresponde ao estrangulamento do canal junto ao dreno, ou seja para

U DS = U DSsat = U GS − U GSlim (4.52)

Substituindo (4.52) em (4.49) obtém-se a relação tensão-corrente para o MOSFET na zona de

saturação

bμn*COX
( )
2
I D = I Dsat = U GS − U GSlim (4.53)
2L

O valor de I Dsat corresponde ao máximo da função I D (U DS ) dado por (4.49). A característica

estacionária I D (U DS )UGS está representada na Fig.4.10. A Fig.4.18 representa a característica

estacionária I D (U GS )U DS . Assim, para U GS < U GSlim o transistor está ao corte. Atendendo ao

sinal de U GS o transistor é de empobrecimento na Fig.4.18(a) e de depleção na Fig.4.18(b).

Para U GS < U DS1 + U GSlim o transistor está na saturação, sendo a relação quadrática e dada por

A
( )
2
ID = U GS − U GSlim (4.54)
2

Quando U GS > U DS1 + U GSlim o transistor está na não saturação, sendo a relação linear e dada

por:

⎡ 2
⎤
( )
U DS
I D = A ⎢ U GS − U GSlim U DS1 − 1
⎥ (4.55)
⎢⎣ 2 ⎥⎦

- 4.22 -
 U DS1 U DS1
ID ID

Não
Saturação

Saturação
Saturação

corte corte

U GSlim UGS U GSlim UGS

(a) (b)
-Fig.4.18-
Característica estacionária I D = I D (U GS )U .
DS

4.3.4 Regime variável

Vamos admitir que as variações das grandezas envolvidas são suficientemente lentas para que
possam ser consideradas como uma sucessão de estados estacionários. Usando o
desenvolvimento em série em torno do ponto de funcionamento em repouso I D0 , U DS0 e U GS0

e considerando apenas o 1º termo do desenvolvimento

⎛ ∂I D ⎞ ⎛ ∂I D ⎞
I D = I D0 + ⎜ ⎟ ( U GS − U GS0 + ⎜) ⎟ (
U DS − U DS0 + ... ) (4.56)
⎝ ∂U GS ⎠ PFR ⎝ ∂U DS ⎠ PFR

A não consideração dos restantes termos do desenvolvimento impõe que as variações tenham
amplitudes muito pequenas centradas em torno do ponto de funcionamento em repouso.
Dizem-se por isso incrementais. Designa-se por transcondutância o parâmetro que representa
a variação da corrente com a tensão porta-fonte. É dada por

⎛ ∂I D ⎞
gm = ⎜ ⎟ (4.57)
⎝ ∂U GS ⎠ PFR

Designa-se por condutância dreno-fonte a grandeza dada por

⎛ ∂I D ⎞
g DS = ⎜ ⎟ (4.58)
⎝ ∂U DS ⎠ PFR

Substituindo (4.57) e (4.58) em (4.56) obtém-se

- 4.23 -
 ΔI D = g m ΔU GS + g DS ΔU DS (4.59)

O esquema incremental do transístor MOSFET pressupõe como atrás foi referido que as
grandezas variáveis sejam de pequena amplitude para que as relações entre as grandezas
envolvidas sejam lineares. Representando as grandezas variáveis por letras e índices
minúsculos, a equação (4.59) tomará o aspecto seguinte

id = g mu gs + g ds uds (4.60)

Apliquemos essas equações ao MOSFET em cada uma das zonas de funcionamento. Assim
para a zona de não saturação tem-se

b *
gm = μnCOX U DS (4.61)
L

g ds =
b *
L
(
μnCOX U GS − U GSlim − U DS ) (4.62)

A equação (4.61) mostra que a transcondutância na zona de não saturação cresce linearmente
com a tensão dreno-fonte. Na zona de saturação tem-se

gm =
b *
L
(
μnCOX U GS − U GSlim ) (4.63)

g ds = 0 (4.64)

A condutância dreno-fonte é nula uma vez que nesta zona de funcionamento, e na

aproximação feita, a corrente é independente da tensão aplicada entre o dreno e a fonte. A
equação (4.63) pode tomar a forma seguinte

I Dsat
gm = (4.65)
(U GS − U GSlim )
Se compararmos a transcondutância do TBJ, dada por (3.49), com a do MOSFET, dada por
(4.65), vemos que os valores assumidos para as mesmas correntes, isto é para I C ≅ I Dsat , são

bastante diferentes. Assim, e admitindo que se tem normalmente (U GS − U GSlim ) da ordem do

Volt, verifica-se que g m TBJ g m MOS . Esta é uma vantagem dos transístores bipolares face aos

MOS. O modelo incremental para o transístor na zona de saturação está representado na

Fig.4.19.

- 4.24 -
 id
G D

gmugs
ugs
uds

S
-Fig.4.19-
Modelo incremental do MOSFET na zona de saturação

Num transístor real a corrente na zona de saturação depende no entanto da tensão U DS . Com
efeito, o aumento desta tensão faz com que o ponto de estrangulamento do canal se aproxime
da fonte, levando a uma diminuição do comprimento efectivo do canal. É essa diminuição que
é responsável pelo aumento da corrente. O efeito pode ser modelizado, tal como o efeito de
Early nos bipolares, por uma resistência rds em paralelo com a fonte de corrente controlada

g mu gs . Nessas condições, a relação estacionária (4.53) toma a forma

I D = I Dsat (1 + λU DS ) (4.66)

Nessas condições a transcondutância dreno-fonte não é nula mas é dada por

g ds = I DS λ = rds−1 (4.67)

Em muitas aplicações o terminal do substrato ou corpo está ligado à fonte. Nessas condições o
substrato não tem função nenhuma e pode ser ignorado. Nos circuitos integrados, o substrato
é geralmente comum para vários transístores e liga-se por isso ao pólo negativo da bateria (ou
ao pólo positivo da bateria no caso dos transístores de canal p). Estabelece-se, como referido
em 4.3.2, uma diferença de potencial entre a fonte e o substrato que altera a tensão gate-fonte
de limiar. Qualquer variação de U BS provocará uma variação em I D . Ou seja, a tensão de
substrato passa a controlar a corrente de dreno. Este efeito designa-se por efeito de corpo. No
modelo incremental este efeito é tido em linha de conta considerando uma fonte de corrente
controlada g msb usb em paralelo com a fonte de corrente g mu gs . O modelo incremental do

MOSFET na zona de saturação entrando em conta com estes efeitos está representado na
Fig.4.20.

- 4.25 -
 G D

gmugs g msb usb

rds
ugs

-Fig.4.20-
Modelo incremental do MOSFET na zona de saturação
(efeito do encurtamento do canal e efeito de corpo)

Para frequências elevadas teremos de considerar as ligações capacitivas entre os diferentes

terminais do MOS (Fig.4.21). Em regime variável existe uma corrente de porta constituída
pela corrente de deslocamento resultante do acoplamento capacitivo entre o metal da porta e o
canal. Este acoplamento é maior nos transístores de reforço, porque neste caso se estende ao
dreno e à fonte.

G Cgd
D

gmugs
Cgs

-Fig.4.21-
Modelo incremental do MOSFET na zona de saturação (altas frequências)

As capacidades diferenciais podem ser obtidas a partir da carga por unidade de área no canal
Qn ( y )

Qn ( y ) = COX ⎡U GS − U GS − V ( y ) ⎤ (4.68)
⎣ lim ⎦

A equação (4.68) é equivalente a (4.45), admitindo que até ao limiar a tensão U GS contribui
para a carga fixa e a partir daí contribui apenas para a carga móvel. A corrente de dreno é
dada por

dV ( y )
I D = −bμn*Qn ( y ) (4.69)
dy

De (4.69) resulta

- 4.26 -
 y V ( y)

I D ∫ dy = ∫ COX μ n*b ⎡⎣(U GS + VK ) − V ( y ) ⎤⎦ dV ( y ) (4.70)

0 0

Obtendo-se após simples manipulação de (4.70)

2
V ( y ) = U GSE ± U GS
2
− ID y (4.71)
E
A
sendo A = COX bμn* e U GSE = U GS − U GSlim . A carga total por unidade de comprimento é dada por

y=L

Qtotal = ∫ Q ( y)dy
y =0
n (4.72)

Entrando em conta com (4.68), (4.71) e (4.72) obtém-se

A ⎡⎛ 2 2 LI D ⎞
3/ 2
⎤
Qtotal =− COX ⎢⎜ U GSE − ⎟ − U GSE ⎥
3
(4.73)
3I D ⎢⎣⎝ A ⎠ ⎥⎦

Usando a expressão da corrente até à saturação mostra-se que

Qtotal
2
= COX L 2
3
U GDE
3
(
− U GS E
) (4.74)
3 (
U GDE − U GS E
2
)
onde U GDE = U GSE − U DS . A carga por unidade de área é dada por Qtotal / L , pelo que as

capacidades diferenciais associadas ao transistor são dadas por

Cgs =
1 ∂Qtotal 1 ∂Qtotal 2
= = COX
U GSE U GSE + 2U GDE ( ) (4.75)
L ∂U GS L ∂U GSE 3 ( )
2
U GSE + U GDE

Cgd =
1 ∂Qtotal 1 ∂Qtotal 2
= = COX
U GDE U GDE + 2U GSE ( ) (4.76)
L ∂U GD L ∂U GDE 3 ( )
2
U GSE + U GDE

Na zona de saturação a corrente e a carga total por unidade de comprimento são dadas por

I D = I DS = AU GS
2
E
/(2 L) (4.77)

2
Qtotal = COX LU GSE (4.78)
3

Obtendo-se Cgs = 2 3 COX e Cgd = 0.

- 4.27 -