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3. La conducción en semiconductores 7
4. Unión PN. 11
5. Tipos de diodos. --
Lección 4. La conducción en semiconductores. Unión PN. 1
Para cualquier temperatura por encima de los cero grados, siempre existen
algunos pocos o muchos (dependiendo de aquélla) enlaces covalentes incompletos.
Los electrones que han roto sus enlaces no están confinados en la región donde se
encontraban éstos, sino que son libres de moverse por todo el cristal. A temperatura
ambiente ( ∼ 300 K), los pocos electrones que han roto sus enlaces lo hacen como
consecuencia de la agitación térmica.
Electrón de
conducción
Electrón de
hueco valencia
+4 +4 +4
Si Si Si
Los otros portadores de carga están asociados con los electrones de valencia
que permanecen en sus enlaces. Un enlace roto representa una región localizada del
espacio con un exceso de carga positiva. Esta región de carga positiva ( +qe) se
denomina hueco porque aparece como consecuencia de un defecto o una vacante en
la estructura de enlaces. No es evidente que un hueco se pueda mover en el
n = p ≡ ni
Este electrón sobrante del átomo pentavalente no ejerce ninguna función sobre
el enlace covalente, es decir, no contribuye a mantener unido el cristal y estará
débilmente unido al átomo de forma que la energía requerida para liberarlo es mucho
menor que la necesaria para romper un enlace covalente.
Tipo N : n > p
⇒ np = ni
2
Tipo P : p > n
ND + p = N A + n
σ = q( µ n n + µ p p)
σ = q ( µ n + µ p ) ni
Semiconductor
extrínseco
Semiconductor
intrínseco
∂n ∂p
J nd = qDn ; J pd = −qD p
∂x ∂x
Dn Dp kT
= = = VT
µn µp q
∂p
J px = qpµ p E x − qD p
∂x
∂n
J nx = qnµ n E x + qDn
∂x
Dp a 300 K (cm2/s) 48 13
εr 16 12