FINFET

INTRODUCCION A LOS
FINFET
El término FINFETdescribe un transistorde doblepuertaplanoconstruidosobreunsustrato deSOI,basadoeneldiseñodeuntransistorde unasola
puerta.
Las características importantes de FINFET es que el canal conductor está envuelto por un fin delgado
de silicio, que forma el cuerpo del dispositivo
El grosor del FIN determina la longitud efectiva del canal del dispositivo.
 HISTORIA DEL
FINFET
• FINFET es un diseño de transistor
desarrollado por primera vez por
Chenming Hu y sus colegas en la
Universidad de California en Berkeley,
que trata de superar los peores tipos de
SCE (efecto de canal corto).
• Originalmente, FINFET fue desarrollado
para su uso en Silicon-On-Insulator
(SOI).
• Los FINFET SOI con óxido grueso en la parte
superior de el FIN se denominan "Doble
Puerta" y los que tienen óxido delgado en
la parte superior y en los lados se llaman
FINFET "Triple-Puerta“.
 MODO DE
OPERACIÓN

• La disposición eléctrica básica y

el modo de funcionamiento de
un FINFET no difieren de un
FET tradicional.
• Hay una fuente y un contacto de
drenaje, así como una puerta
para controlar el flujo de corriente.
• A diferencia del MOSFET plano, la
fuente y el drenaje b / w del canal
se construyen como una barra 3D
en la parte superior del sustrato de
Si y se llama FIN.
CONTINUACION………
Luego, el electrodo de la puerta se
enrolla alrededor del canal, de modo
que se pueden formar varios
electrodos de la puerta en cada lado, lo
que conduce a la reducción de las
corrientes de fuga y una corriente de
excitación mejorada.
 “FINS”
• El FIN se utiliza para formar el canal
elevado.
• Como el canal es muy delgado, la
puerta tiene un grancontrolsobrelos
operadoresdentrodeél,pero cuandoel
dispositivoestáencendido,la formalimita
la corrientea travésde éla unnivelbajo.
• El grosor del FIN (medido en la
dirección de la fuente al drenaje)
determina la longitud efectiva del
dispositivo.
 EFECTODECANALCOR
TO
• Es un efecto mediante el cual
un MOSFET en el que la
longitud del canal es del
mismo orden de magnitud que
los anchos de la capa de
agotamiento de las uniones
fuente y drenaje, se comporta
de manera diferente a los
otros MOSFET.
• Amedidaquesereducela longituddel
canal‘l’para aumentartantola
velocidaddeoperacióncomoel
número de componentes por chip,
se produceel lamadoSCE
(EFECTODECANALCORTO).
 ATRIBUTOSDELEFECTODEC
ORTO CANAL
• Limitación impuesta a las
características de deriva de
electrones en el canal.

• Modificación de la tensión
de umbral (efecto de canal
corto (SCE))
Effective
channel
ANCHO
(W)=(Tfin+(2*Hfin))

Effective
channel
LARGO
(Leff)=(Lgate+(2*Lext))
 VENTAJASDELFIN
FET

• Mayor madurez
tecnológica que la
DG planar.

• Suprimido efecto de
canal corto (SCE)

• Mejor en conducción
actual.

• Mas Compacto

• Bajo costo
 DESVENTAJASDELFIN
FET

• Movilidad
reducida para
los electrones.

• Mayor resistencia
de fuente y
drenaje.

• Poca fiabilidad
 ACTUALIZACIONES SOBRE
FINFET

• En el New York Times, el 4 de

mayo de 2011, se publicó que
INTEL usará FINFET durante
aproximadamente 22 nm.
• Según diversas fuentes, la forma
FINFET de INTEL tiene una forma
inusual de un triángulo en lugar de
un rectángulo porque el triángulo
tiene una alta resistencia
estructural, una mayor relación de
área a volumen, lo que aumenta
el rendimiento de conmutación.
 COMENTARIO
Los transistores FinFET se
inventan para un mejor control de
la puerta. En tecnología
submicrónica, el canal cercano a
20nm se vuelve estrecho y la
tensión de suministro también
disminuye, como resultado, sin
que se forme un canal de control
de puerta o podemos decir que
las fugas aumentan, por lo que
se inventó FinFET. Tiene varias
puertas rodeadas alrededor del
canal. Es un dispositivo no
planificador. Este tipo de
estructura ayudará a mejorar
varios efectos de canal corto
como DIBLy también mantendrá
la relación Ion / Iof .