ELECTRÓNICA DE POTENCIA.

M.C. Guillermo Eduardo Méndez Zamora.

Práctica 5. Transistores de potencia.

Objetivo. Conocer las características y análisis del funcionamiento de transistores
de potencia BJT y MOSFET en la aplicación de distintas configuraciones. Además
de la aplicación de circuitos de protección para transistores por efectos de carga
inductiva.

Material y Equipo.

 1 Protoboard
 1 Un motor de DC (12, 24 36 u otro voltaje).
 1 Un relevador o contactor.
 Cables caimán-caimán varios.
 2 Transistores BJT(TIP 41 y TIP42)
 2 Transistores con encapsulado Darlington (TIP 122)
 2 Transistores con encapsulado Darlington (TIP 127)
 1 Transistor MOSFET (IRFz44)
 4 Diodos de uso general (1n400x) varios.
 Resistencias (Varios valores)
 1 Osciloscopio
 1 Multímetro digital
 1 USB (para guardar archivos e imágenes)

Elaboración de la Práctica:
Preguntas:
1. ¿Qué es un transistor Bipolar BJT?
2. ¿Cuáles son las diferencias entre los BJT NPN y PNP?
3. ¿Cuáles son las regiones de operación de los BJT?
4. ¿Qué es la beta (𝛽) y cuál es la diferencia con la beta forzada (𝛽𝐹 ) de los
BJT?
5. Mencione algunas ventajas y desventajas de los BJT.
6. ¿Qué es un MOSFET?
7. ¿Qué diferencia existe entre los MOSFET de tipo decremental e
incremental?
8. ¿Qué es el voltaje de estrechamiento y voltaje umbral de los MOSFET?
9. ¿Por qué los MOSFET no requieren voltaje negativo en la compuerta para
entrar en corte?
10. Mencione algunas ventajas y desventajas de los MOSFET.
Parte 1.- Activación de elementos electromecánicos como relevadores y/o
contactores con transistores.

Proceder a Implementar el circuito con transistor BJT (TIP41) que se muestra en la

Figura 1 Para la activación de la bobina de un relevador o contactor siguiendo los
pasos siguientes.

1.- Para iniciar la conexión, identificar cuál de los pines del relevador o contactor
es la bobina (use el multímetro y tome fotografía para evidencia de reporte).

2.-Identificar la corriente necesaria para activar la bobina del relevador o contactor,

si no se conoce por la hoja de datos, alimentar la bobina con el voltaje nominal y
medir la corriente DC.

3.- Elegir un voltaje para la fuente DC de la base de 5v y determinar el valor de la

resistencia 𝑅𝐵 si se requiere que el transistor trabaje en la región de saturación
con un ODF (factor de sobresaturación) definido por los integrantes del equipo.

4.- Calcular el valor de potencia absorbida por el resistor 𝑅𝐵 y la potencia del

Transistor. (Tomar foto del circuito real)

Figura 1. Circuito convertidor BJT para la activación de un relevador.

5.- Medir los voltajes y corrientes 𝑉𝐵𝐸 , 𝑉𝐶𝐸 , 𝐼𝐵 𝑒 𝐼𝐶 en encendido y apagado (ambas
posiciones de S1). Con las mediciones calcular la potencia absorbida por el
transistor. Comparar en una tabla los valores teóricos y medidos.

6.- Mediante el osciloscopio realizar la medición en el colector, con y sin el diodo

𝐷1 (Guardar imágenes) cuando se realiza la conmutación manual (con S1) de
conducción y apagado.

7.- Implementar el circuito con transistor MOSFET que se muestra en la Figura 2

Para la activación de la bobina del relevador o contactor. Observe en la hoja de
datos del MOSFET que ya se tiene implementado un diodo zener para protección
del transistor.

8.- Elegir un voltaje para la fuente DC (V1) y determinar el valor de las resistencias
𝑅1 𝑦 𝑅2 para el divisor de voltaje si se requiere que el voltaje en 𝑅2 supere el
voltaje umbral del transistor MOSFET para que existe una corriente en el drenaje.

Figura 2. Circuito con transistor MOSFET para activar relevador.

9.- Medir el voltaje VDS y corriente ID en el MOSFET cuando esta encendido y

apagado (ambas posiciones S1). ¿Qué diferencia tienen estos voltajes respecto al
BJT ( 𝑉𝐶𝐸 𝑒 𝐼𝐶 ) de la figura 1?

Parte 2.-. Configuración Push-pull / medio puente para el control de giro en

ambos sentidos de un motor de DC.

1.- Implementar el circuito que se muestra en la Figura 3. (Tome foto del circuito
implementado)

2.- Calcular las resistencias de base de ambos transistores para que funcionen en
la región de saturación.

3.- Medir la corriente del motor con el multímetro en serie de la unión de emisores
a la terminal del motor. ¿Qué sucede con la corriente cuando se realiza la
conmutación manual de S1? Comparar en una tabla los valores calculados y
medidos.
 Figura 3. Configuración push-pull

4.- ¿Que sucede si se remplaza el switch S1 por la conexión de las bases con las
resistencias a tierra? Explique la respuesta.

Parte 3.-. Configuración Puente H para el control de giro en ambos sentidos

de un motor de DC.

1.- Implementar el circuito que se muestra en la Figura 5. (Tome foto del circuito
implementado).

2.- Calcular el valor de las resistencias de base para que los transistores trabajen
en la región de saturación.

3.- Realizar las combinaciones de la Tabla 1 e indicar que resultado se observa

en el motor.
Tabla 1. Posibles combinaciones de entrada al puente H.

Valor de las entradas ¿Qué resultado se observa en el motor? Consumo de corriente [A]

A=0v , B=0v

A=5v , B=0v

A=0v , B=5v

A=5v , B=5v
4.- Comparar los valores de corriente medidos con respecto a los obtenidos por la
configuracion push-pull de la parte 3 de la practica.

Figura 4. Configuración de puente H transistores NPN y PNP.

Parte 4.-.Incremento gradual de la intensidad luminosa de una lámpara LED

con MOSFET en estado permanente.

1.- Implementar el circuito de la Figura 6. (Tomar foto del circuito implementado).

2.- Calcular el valor de la resistencia R1 para variar el voltaje desde cero hasta el
umbral máximo del MOSFET (el umbral máximo se obtiene de la hoja de datos)
cuando se modifica el valor del potenciómetro.

3.- Medir las corrientes de drenaje cuando 𝑉𝐺𝑆 = 0v, 𝑉𝐺𝑆 = 2 𝑣, 𝑉𝐺𝑆 = 3 𝑣 y
𝑉𝐺𝑆 = 4𝑣.

Figura 5. Control de intensidad de una lámpara LED.

Bibliografía.

 Electrónica de potencia. Hart Daniel. Ed. Pearson Educación.

 Electrónica de potencia, circuitos, dispositivos y aplicaciones, M. H. Rashid ,

Prentice Hall.