Interpretación del Modelo y Resultados del

Diodo Semiconductor
Walter Arias Florez, Carlos Andres Posada Chica
Facultad de Ingeniería, Universidad de Antioquia
Medellín, Colombia
walter.ariasf@udea.edu.co
carlos.posadac@udea.edu.co

Abstract - En este artículo se presenta el estudio del modelo del diodo semiconductor mediante los
software de multifisica, Comsol ver 5.3, FlexPDE y ElmerFEM,

I. INTRODUCCIÓN de frontera y eliminar de esta manera la

discontinuidad, y hacer que la ecuación
Se partirá del estudio del modelo del
diferencial exista por fuera del dominio, se dice
diodo semiconductor propuesto por la librería de
también que es débil (Weak) ya que la solución en
modelos de Comsol, (Pagina 492), para
el volumen ocupado por estas “Celdas” no es
compararlo luego con el modelo resuelto
exactamente el mismo que al estudiar el problema
mediante el software de FlexPDE y con los
de manera más matemática pero permite aplicar
resultados anteriores llevar el modelo al software
de manera más directa las condiciones de borde
libre Elmer Multifísica.
para la solución de la ecuación diferencial.
Es por este motivo que muchos software
II. MARCO TEÓRICO
utilizan el método de las Weak Boundaries
Para comprender completamente el Condition para dar una solución a problemas con
modelo del Diodo semiconductor se deben geometrías bien definidas, utilizando para la
estudiar cuidadosamente una serie de conceptos solución de la ecuación diferencial elementos
fundamentales, los cuales se exponen a finitos aplicados a los diferenciales de volumen
continuación. del cuerpo estudiado y como elementos de borde
por fuera del sólido las llamadas “Celdas
A. Weak Boundaries Conditions. Fantasma”.
Existen dos formas de pensar a la hora de
B. Multiplicadores de Lagrange.
resolver ecuaciones diferenciales, la forma fuerte
(Strong) y la forma débil (Weak como se llamara
Los multiplicadores de Lagrange
de ahora en adelante), La forma Strong es la más
llamados así en honor a Joseph Louis Lagrange,
familiar de las dos y de mucha utilidad cuando
Es un procedimiento para encontrar los mínimos
todas las derivadas existen pero pierde eficacia
y máximos en un problema de múltiples variables
cuando las derivadas no existen en un punto
y restricciones, ampliamente utilizado en
asintótico o cuando se acerca a regiones de
problemas de optimización donde se tienen
frontera donde existen discontinuidades, por esta
múltiples variables y restricciones, el método se
razón se es más utilizado el pensamiento de la
describe a continuación.
Weak Boundary Condition, que aunque en
principio es menos intuitivo resulta ser más
Sea, f(x, y ) una función abierta n-dimensional (x
general para la solución de las ecuaciones
𝝐 Rn ) sujeta a gk(x) = c restricciones con k= 1, 2
diferenciales pues involucra integrales.
, 3 … s, siendo c una constante, si las restricciones
Para el estudio de cuerpos con volúmenes
se satisfacen, entonces.
finitos el objetivo es utilizar unas celdas llamadas
“Celdas fantasma” las cuales se agregan a la
cuadrícula en las regiones de frontera por fuera del
sólido, las propiedades de estas “celdas” se
establecen para generar los efectos de la condición
ℎ(𝑥, 𝑥) = 𝑥 − ∑𝑥
𝑥=1 𝑥𝑥 𝑥𝑥
(1) 𝑥 = 𝑥 ∗ 𝑥ℎ ∗ 𝑥𝑥

Se busca ahora una aproximación para que Δn sea

əℎ
se busca un extremo para h, = 0, lo que es apenas apreciable en la concentración de
ə𝑥𝑥 portadores minoritarios diferente a las
equivalente a. condiciones de equilibrio U = 0, esto es, Δn = 𝝐U,
donde 𝝐 es el tiempo de vida de los portadores
𝑥 minoritarios, Al expandir U, nos queda que.
ə𝑥 ə𝑥𝑥
=∑ 𝑥𝑥
ə𝑥𝑥 ə𝑥𝑥 𝑥𝑥 𝑥𝑥 ∗ 𝑥0
𝑥=1 𝑥= = =
𝑥 𝑥 ∗ 𝑥0
𝑥𝑥 − 𝑥0 𝑥0
C. Shockley-Read-Hall Recombination
𝑥𝑥 (𝑥−𝑥1 ) + 𝑥𝑥 (𝑥 − 𝑥1 )
La generación y recombinación de
n1 y p1 dependen de las características del centro
portadores son el mayor parámetro a hora de
estudiar el modelo de juntura np, pues gobierna las de recombinación.
características y el rendimiento de la juntura, está
recombinación se estudia en materiales con D. Ecuación de continuidad.
impurezas o dopados, ya sea tipo n o tipo p y se
estudia mediante el modelo Shockley-Read-Hall o En el equilibrio térmico g = r por lo tanto las
SRH model. ecuaciones de continuidad exigen que Jn y Jp sean
Para la generación y recombinación de
constantes en x, siendo x cualquier punto, y
portadores no se estudia únicamente la
conservación del momento y la energía sino que además que el valor de esa constante sea 0, es
también se debe tener en cuenta la entropía del decir Jp(x)=0 y Jn(x)=0 para cualquier x.
proceso. J= Jp + Jn = 0, pues de lo contrario saldría calor
constantemente como ocurre en una resistencia
k - k’ = g, que es una expresión para la
conservación del momento del cristal, que parte
De la ecuación de Maxwell
de la ley de Bragg para la difusión inelástica
donde la magnitud de k cambia, pero solo en una
cantidad referida en el espacio de los momentos.

Por otro lado la conservación de la energía

adquiere la forma Ee - Eh = ΔE, ΔE es una
condición inevitable pues se refiere a la energía
que hace falta para la recombinación y la que se Asumimos que en semiconductor todas las
libera en la generación, se asocia también a la
energía externa aplicada al sistema proveniente de variaciones de carga, excepto los portadores de
Va. huecos y electrones son invariantes en el tiempo,
reemplazamos J y D.
Para continuar con el estudio del modelo SRH se
deben tener en cuenta las relaciones r y g de
recombinación y generación respectivamente y la
recombinación neta U (diferencia entre las
relaciones de generación y regeneración) en
términos de la densidad de portadores n, que para Se separa la ecuación para obtener un par de
un material dopado tipo p, nh es mayor que ne. ecuaciones de continuidad y como se mencionó
previamente estas densidades de corriente cuando
son positivas significan recombinación y cuando
son negativas significan generación, teniendo esto
en cuenta se llega a.
En nuestro caso U = RSRH
E. El Diodo Semiconductor(Modelo tomado
de COMSOL).
Generalmente un diodo semiconductor consta de
dos regiones principales las cuales son, la región
de concentración de electrones tipo N y
análogamente una región de concentración de
huecos tipo P, para su modelamiento se utilizan
las ecuaciones de maxwell y algunas conjeturas de
Boltzmann, con algunas consideraciones como la
ausencia de campos magnéticos y una densidad de
estados constantes con lo que se llega a las 3
ecuaciones básicas de los semiconductores, las
cuales son:
Puede expresar las densidades de corriente de
electrones y huecos, Jn y Jp, en términos de su
potencial eléctrico(ψ),la concentración de
electrones y huecos( n) y (P) de la siguiente forma:
A continuación interpretaremos de una manera
más específica las ecuaciones anteriores:
Ecuación de Poisson
La ecuación de Poisson es esencialmente la
tercera ecuación de Maxwell (3). Introduciendo la
relación entre el desplazamiento eléctrico y el
campo eléctrico.
donde representa el tensor de permitividad y
relacionando el campo eléctrico con el potencial
electrostático por:
resultando en la forma bien conocida de las
ecuaciones de Poisson
Además, la densidad de carga espacial se puede
expresar en términos de las tasas fijas (iones de
impureza) ( son
las concentraciones de donante y receptor,
respectivamente) y las cargas móviles (los
portadores) p - n:
Si asumimos una permitividad escalar
homogénea, obtenemos la forma final de la
ecuación de Poisson en el modelado de
dispositivos semiconductores:
2. Ecuaciones de continuidad
Las ecuaciones de continuidad se derivan de
manera directa de la primera ecuación de Maxwell
(1). La aplicación del operador de divergencia en
esta ecuación resulta en:
Ahora, dividimos la densidad de corriente de
conducción en un componente causado por
agujeros y un componente para los electrones
. Además, suponemos que las cargas fijas N en
el semiconductor son variables en el tiempo.
Sustituyendo estas condiciones en la ecuación
anterior da:

Para obtener dos ecuaciones de continuidad
tenemos que definir la interacción entre los
electrones y agujeros Esto se modela mediante la
generación de portadores y la función de
recombinación r (n; p). Si esta función es positiva
significa recombinación y si es generación
negativa. No explicamos los distintos modelos.
para r (n; p), pero pueden derivarse utilizando el
conocimiento de la física del estado sólido. Tenga
en cuenta que los electrones y los orificios vienen
en pares, lo que significa que cuando, por ejemplo,
un electrón recombinante, induce
automáticamente La generación de un agujero.
Si tenemos un modelo para la función de
recombinación y generación r (n; p), podemos
dividir la ecuación anterior en una Ecuación de
continuidad para electrones y una para agujeros,
como sigue:
3.ecuaciones de corrientes transporte
Las ecuaciones de las densidades de corrientes
para un material semiconductor se componen de 2
partes, las densidades de corrientes por
desplazamiento y difusión, a continuación,
trataremos de dilucidar cada una de estas para una
mayor comprensión.
Las densidades de corriente por desplazamiento
son producto de la acción de un campo eléctrico
sobre el material, la podemos visualizar sobre
la cantidad de electrones por unidad de volumen,
es decir, la densidad de electrones “n”, por lo tanto
la cantidad de carga que se moverá en el campo
eléctrico en una sección del material es:
El volumen de dicha sección será
por lo que ecuación anterior
queda:
y por definición la densidad de corriente es:
Con lo que resulta que
Además, sabemos que la velocidad de deriva para
electrones y huecos es respectivamente:
Y utilizando la definición del campo eléctrico
como se llega finalmente a las densidades de
corriente por desplazamiento para electrones y
huecos de la siguiente forma:
para las densidades de corriente por difusión,
antes que nada deberá existir un voltaje externo
que disminuya la energía potencial de barrera, es
decir, que se contraponga al campo eléctrico
generado en la región de agotamiento del diodo,
con lo cual se tendrán portadores mayoritarios con
mayor energía que la energía de barrera
y con ello los transportadores de carga se pueden
dar como efecto térmico y se podrá modelar ahora
sí como una difusión de carga que se transportan
hacia donde hay menos concentración de carga,
matemáticamente esto quiere decir que:
Para que la expresión anterior tenga validez para
todo material semiconductor, se le tiene que
agregar una constante de difusión “D”, que será
propia de cada material, entonces si tomamos en
cuenta que dicha constante aplica tanto para
electrones como huecos obtenemos lo siguiente:
El modelo de comsol consta de una fuente Vac de
5Vpp, una frecuencia de 10KHz conectada en
serie con el diodo, y una resistencia de 100 Kohm
entre el cátodo del diodo y tierra.

Polarización directa del diodo, Va = 5V

Si multiplicamos las expresiones anteriores por la

carga elemental del electrón (-e), resulta las
densidades de corriente por difusión las cuales
son:

Figura 1, Concentración de electrones a 5V

Uniendo las densidades de corriente por difusión

y desplazamiento se llega finalmente a:

Si analizamos dicha densidad de corriente en la

polarización directa del diodo, se observa que esta
favorece a las densidades de corrientes de
difusión, además el aporte de las densidades de
Figura 2, Concentración de “Huecos” a 5V
corriente por desplazamiento es muy pequeño por
lo que la densidad de corriente se puede aproximar
a:

Para el caso de la polarización inversa las

densidades de corriente por difusión son las que
prácticamente desaparecen con lo que se
favorecen las densidades de corrientes por
desplazamiento con lo cual la densidad de
corriente queda: Figura 3, Potencial eléctrico a 5V

Polarización inversa, Va= -5V

III. RESULTADOS

A. COMSOL
 Figura 7, Malla creada con GMSH
Figura 4, Concentración de electrones a -5V
Para exportar la malla que se genera, la cual tiene
extensión .msh se debe hacer en el formato
adecuado de lo contrario no podrá ser importada
por Elmer multifásicas, la ruta es, File>Export, y
se muestra el siguiente menú

Figura 5, Concentración de “Huecos” a -5V

Figura 8, Menú de exportación

En “Tipo:” se debe buscar la opción “Mesh -

gmsh MSH (*.msh)”, dar click en guardar y se
despliega el siguiente menú.

Figura 6, Potencial eléctrico a -5V

ELMER Multifisicas

Para hacer la migración al Elmer, creamos la

geometría del diodo semiconductor mediante el
software de GMSH en su versión 4.2.3, el
resultado fue el siguiente

Figura 9, Version de salida

En las opciones de formato, se tienen varias, pero

la que Elmer soporta es Versión 2 ASCII, damos
click en “OK” y la malla está ahora configurada
para ser utilizada por ELMER.
Ya en el software de elmer, hacemos click en
File>Open, y buscamos la ruta donde guardamos
nuestra malla, se ve de la siguiente manera.

Figura 10, Software elmer con la geometría de

GMSH

Lo primero es configurar el modelo,

Model>Setup, en este menú seleccionamos la
extensión del postfile como case.ep que es el tipo
Figura 12, Materiales
de archivo de Elmer Post

Figura 13, Banco de materiales

Continuamos con las condiciones de frontera,

Model>BoundaryCondition, aca ponemos el
potencial al que se va someter la juntura
Figura 11, Setup del Modelo
Polarización directa Va 5Vdc
Luego, se agregan los materiales a la región N y a
la región P, elmer cuenta con un banco de
materiales, de los cuales seleccionaremos el silicio
con permitividad relativa de 12 y el vidrio con
permitividad relativa de 4.7
Model>Material>Add

Figura 14, Potencial eléctrico Elmer 5V
Polarización inversa.
Figura 15, Potencial eléctrico polarización
inversa.
IV. ANÁLISIS DE LOS RESULTADOS.
En la figura 1, se aprecia que la concentración de
electrones en el ánodo es menor que la
concentración de electrones en el cátodo, esto se
debe al hecho de que se polarizo de manera directa
el diodo y muchos de ellos lograron pasar la
barrera de potencial, concentrándose en el cátodo
podríamos hacer el análogo de que se comportara
como fuente de alimentación para la resistencia,
mientras que en la figura 2 se observa la
concentración de Huecos, que es mayor en el
ánodo que en cátodo lo que favorece la el
transporte de los portadores de carga.
En la figura número 3, podemos ver la
distribución del potencial a lo largo del diodo
semiconductor polarizado de manera directa, y
como se esperaba existe una zona intermedia
donde este potencial se hace menor que en las
conexión de ánodo y cátodo.
En la figura número 4, se polariza el diodo de
manera inversa con 5Va, la concentración de
electrones es máxima en el cátodo, y
prácticamente nula en el ánodo, esto es porque en
la polarización inversa se favorecen las corrientes
por desplazamiento mientras que las corrientes
por difusión desaparecen, estas corrientes por
desplazamiento son muy pequeñas, aportan muy
poco, pero por esta razón la concentración de
electrones no es nula en el ánodo.
En la figura 5, se observa la concentración de
huecos y se puede apreciar esa barrera de
potencial aumentada, que hace que desaparezcan
las corrientes por difusión encargadas del
transporte de carga.
En la figura 6, el potencial eléctrico se reparte en
el cátodo pero no puede pasar a la región del
ánodo, en está el potencial es prácticamente nulo.
En la figura 14, correspondiente al software de
Elmer se corrobora el comportamiento y por tanto
se verifica la validez del modelo migrado, en esta
imagen que se refiere al diodo polarizado de
manera directa, el potencial eléctrico se reparte
por toda la juntura, supera el potencial de barrera
y por esta razón alcanza a cruzar de uno de los
materiales dopados al otro, en este modelo el
cátodo se conecta directamente a un potencial de
0V por esta razón no se percibe la concentración
de electrones en el cátodo, bastaría con agregar
una resistencia para ver este comportamiento.
En la figura 15, cuando se polariza de manera
inversa se ve que el potencial solo se reparte en la
región del cátodo y no logra superar la barrera de
potencial por este motivo no se transporta carga
hacia la región del ánodo.
V. CONCLUSIONES.
Comprendimos el modelo físico-matemático del
diodo por medio de bandas de energía y el análisis
de las densidades de corrientes(difusión y
desplazamiento), y las aplicaciones que este tiene
dependiendo del voltaje externo aplicado, es decir
polarización directa (comportamiento similar a un
conductor) y en polarización
inversa(comportamiento similar a un aislante).
Existe siempre una dificultad a la hora de aplicar
un modelo físico-matemático que requiere un
conocimiento muy amplio de geometrías y
materiales, por lo que se hace necesario siempre
una trabajo interdisciplinario que agrega
dificultad a un trabajo de carácter investigativo
como el propuesto para el curso, este tipo de
trabajo nos sirve como preámbulo para el curso de
“Materiales en Ingeniería” donde se estudian a
profundidad y se ahonda en estas características.

Las condiciones de frontera son muy importante

para modelar de manera correcta el diodo-
semiconductor pues el transporte de carga se debe
confinar en los materiales de manera organizada,
se puede hacer una analogía con el pastor que
transporta un rebaño de un corral a otro, de no
hacerse estas condiciones la carga podría pasar al
espacio por fuera de los semiconductores llevando
a resultados erróneos que difieren de la realidad
del dispositivo.

Aterrizar el modelo de Electrones-Huecos, siendo

los segundos una seudoparticula, hace necesario
un análisis de recombinación de cargas, de estos
análisis existen tres principales, “Recombinación
directa”, “Recombinación de Auger” y
“Recombinación Shockley-Read-Hall”, siendo
esta última la estudiada en el modelo de Comsol y
que intentamos recrear en ELMER.

VI. REFERENCIAS

[1] Lluis Prat Viñas, Josep Calderer

Cardona, Dispositivos electrónicos y fotónicos:
fundamentos, ediciones UPC
[2] A. Mauri, A. Bortolossi, G. Novielli, R.
Sacco, 3D FINITE ELEMENT MODELING OF
CURRENT DENSITIES IN SEMICONDUCTOR
TRANSPORT WITH IMPACT IONIZATION, 11
de Diciembre de 2014.