Comunicações ópticas

Lista 6

Transmissores

1) Um laser de GaAs tem uma região ativa com um material que possui um gap de 2.3 x 10-19 J. Calcular o
comprimento de onda de emissão e determinar a largura de linha em Hz sabendo que a largura espectral é de
0.1 nm.

2) Um laser semicondutor tem um ganho óptico máximo gmáx = 2000 m-1. A atenuação do material
semicondutor é de 600 m-1.

a) Se os coeficientes de reflexão dos espelhos da cavidade são: R1 = R2 = 0.35, qual é o mínimo valor do
comprimento da cavidade que deve ser utilizado para ter um laser?

b) Se o comprimento da cavidade é de L = 475 m e R1 = R2 = R, qual é o mínimo valor de R?

3) A região ativa de um laser de InGaAsP ( ~ 1.3 m) tem um comprimento de 250 m. Achar o ganho da
região ativa (gm) necessário para o laser conseguir chagar ao limiar. Assuma que a perda interna é 30 cm-1, o
índice modal é 3.3, e o fator de confinamento vale 0.4.

4) Os lasers semicondutores e os LEDs são utilizados em sistemas de comunicações ópticas. Qual dessas
fontes ópticas é melhor para sistemas de longa distancia? Porque?

5) Os modos longitudinais de um laser semicondutor emite a um c de onda de 1.1 m estão separados por 0.8
nm. O índice de refração do semicondutor é n = 3.6.

a) Achar o comprimento da cavidade óptica.

b) Se o coeficiente de perda do semicondutor é 1000 dB/m, qual é o mínimo ganho necessário parta ter um
laser?

6) Um laser de InGaAsP de 250 m de comprimento tem uma perda interna de 40 cm-1. O laser é monomodo
com um índice modal de 3.3 e um índice de grupo igual a 3.4. Calcular o tempo de vida dos fótons. Qual é o
limiar da população de elétrons? Considere que G = GN (N – N0) com GN = 6 x 103 s-1 e N0 = 108.

7) Achar o limiar de corrente para o laser semicondutor do problema anterior considerando que o tempo de
vida dos portadores é de 2 ns. Que potência é emitida por uma das faces quando o laser trabalha duas vezes
acima do limiar?

8) Considere que o laser do problema 6) trabalha duas vezes acima do limiar. Calcular a eficiência quântica
diferencial e a eficiência quântica externa do laser. Qual é a eficiência do dispositivo se a voltagem externa é
1.5 V? Considere que a eficiência quântica é 90 %.

9) Seja um diodo emissor de luz que irradia em 1.3 m. Qual é a altura do gap de energia do material
semicondutor utilizado?

10) Um laser de AsGa emite em 850 nm sendo que seus modos longitudinais estão separados por 280 Ghz.
Sabendo que o índice de refração do meio é de 3.6, calcular o comprimento da cavidade óptica e a quantidade
de modos longitudinais irradiados.

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11) Um diodo laser é construído com uma cavidade óptica de 50 m de comprimento e largura de 15 m. Na
condição de temperatura ambiente, o coeficiente de atenuação do meio óptico é de 10 cm-1 e a corrente de
limiar é de 50 mA. Os espelhos em cada extremidade apresentam um coeficiente de reflexão igual a 0.4.
Assumindo que praticamente toda a corrente está concentrada na região da cavidade, calcular o coeficiente de
ganho para garantir o funcionamento do laser no regime contínuo.

12) Sejam dois diodos laser, um de GaAsAl com temperatura característica igual a 150 K, e outro de In Ga
AsP, com esse parâmetro igual a 55 K. Comparar os valores das correntes de limiar de ambos os dispositivos
para T = 20 oC e T = 60 oC.

13) Calcular a frequência (em GHz) e o tempo de relaxação das oscilações para o laser do problema 6)
considerando que o mesmo está trabalhando duas vezes acima do limiar. Considere Gp = -4 x 104 1/s, onde Gp
é a derivada de G em relação a P (Resp = 2/p).

14) A curva característica P-I para um laser semicondutor é dada pelo seguinte gráfico:

P (mW)

10 20 30 40 50 60 I (mA)

Assumir que o laser é polarizado com uma corrente de 25 mA e que a frequência de modulação do sinal está
dentro da banda do laser.

a) Se a corrente de modulação tem um valor de picos de 10 mA:

i) Desenhe a corrente de entrada e a potência da saída como função do tempo.

ii) O laser comporta-se como um dispositivo linear para essa corrente de modulação?

b) Se agora a corrente de modulação tem um valor de pico de 20 mA:

i) Desenhe a corrente de entrada e a potência de saída como função do tempo.

ii) Nesse caso, o laser comporta-se como um dispositivo linear? Porque?

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15) Um diodo laser de GaAlAs tem uma cavidade de comprimento 500 m com um coeficiente de absorção
de 10 cm-1. As faces em cada extremo, sem camada refletora, têm uma refletividade de 0.32.

a) Qual é o limiar de ganho necessário para ter laser?

b) Se agora um dos extremos da cavidade tem uma camada refletora e a refletividade é de 90 %, qual é o limiar
de ganho nesse caso?

c) Se a eficiência quântica interna é 0.65, qual é a eficiência quântica diferencial nos casos a) e b)?

16) O band gap de energia para GaAs levemente dopado (a temperatura ambiente é 1.43 eV. Quando o material
é fortemente dopado, as transições laser envolvem estados que reduzem o gap em 8 %. Qual é a diferença de
comprimento de onda na emissão da luz entre o caso do material levemente dopado e o fortemente dopado?

17) Um laser semicondutor de GaAs com uma cavidade de 500 m de comprimento tem uma perda de 20 cm-
1
. A eficiência quântica diferencial do dispositivo é 45 %. Calcular a eficiência quântica interna do laser. O
índice de refração do GaAs e 3.6.

18) Um laser de GaAs tem uma região ativa com um gap de 1.43 eV. Estimar o comprimento de onda de
emissão e a largura de linha em Hz se a mesma tem 0.1 nm.

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