Sesión número 1.

Comunicación Serial. Es el proceso de envío de datos de un bit a la vez, de forma

secuencial, sobre un canal de comunicación o un bus.
Tiene la ventaja frente a la comunicación en paralelo que no es necesario una gran
cantidad de líneas de transmisión, sin embargo en este tipo de comunicación existen
problemas como la interferencia o diafonía que consiste en la perturbación
electromagnética producida en un canal de comunicación por el acoplamiento de este
con otro u otros vecinos.

Bus SPI. Es un estándar para controlar casi cualquier dispositivo electrónico digital que
acepte un flujo de bits serie regulado por un reloj (comunicación sincrónica)

El SPI es un protocolo síncrono. La sincronización y la transmisión de datos se

realizan por medio de 4 señales:

 SCLK (Clock): Es el pulso que marca la sincronización. Con cada pulso de este
reloj, se lee o se envía un bit. También llamado TAKT (en alemán).
 MOSI (Master Output Slave Input): Salida de datos del Master y entrada de datos
al Esclavo. También llamada SIMO.
 MISO (Master Input Slave Output): Salida de datos del Esclavo y entrada al
Master. También conocida por SOMI.
 SS/Select: Para seleccionar un Esclavo, o para que el Master le diga al Esclavo
que se active. También llamada SSTE.
Sesión Número 2.

Transistor. Es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar

una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
Para entender su funcionamiento es necesario mencionar a:

Dopaje. Es el proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor

extremadamente puro (Usualmente Silicio) con el fin de cambiar sus propiedades
eléctricas. Existen dos tipos de materiales dopantes:

1. Materiales tipo N (Negativo). Es un material que permite la “aparición” de

electrones libres. En la imagen podemos observar el dopaje de silicio por fósforo.
Observación. Se puede entender como la

2. Materiales tipo P (Positivo). Se llama así al material que tiene átomos de

impurezas que permiten la formación de huecos (de ahí que se denominen P o
positivos) sin que aparezcan electrones asociados a los mismos, como ocurre al
romperse una ligadura.
Unión PN. Esta unida por la unión metalúrgica de dos cristales. Para comprenderlo, es
necesario comprender:
1. Barrera interna de potencial. Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión
de electrones del cristal n al p (Je).
Observación. Recordar que el campo eléctrico “apunta” al menor potencial.

A medida que progresa el proceso de difusión, la zona de carga espacial va

incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unión. Sin
embargo, la acumulación de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona
p, crea un campo eléctrico (E) que actuará sobre los electrones libres de la zona n con una
determinada fuerza de desplazamiento, que se opondrá a la corriente de electrones y
terminará deteniéndolos.
Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensión entre
las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V en el caso del silicio.

2. Polarización Directa de la unión PN.

Se produce cuando se conecta el polo positivo de una batería a la parte P de la unión P -
N y el negativo a la N. En estas condiciones podemos observar que:

 El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos
electrones se dirigen hacia la unión p-n.
 El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es
equivalente a decir que empuja los huecos hacia la unión p-n.
 Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor que la
diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n,
adquieren la energía suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales
previamente se han desplazado hacia la unión p-n.

2. Polarización inversa de la unión PN. En esta situación el funcionamiento es como

el de un diodo.
En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el polo positivo a la
zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensión en dicha zona hasta
que se alcanza el valor de la tensión de la batería

Sesión Número 3.

Bluetooth HC 05.

VCC ->A 5V del Arduino GND->GND Arduino TXD-> Pin 10 RXD->Pin 11

El pin TX(Transmitir) va conectado al R(Recibido) del Arduino mientras que el RX se

conecta con el T de éste.
El botón sirve para entrar al modo de configuración (Uso de los comandos AT)

).
Para entrar el modo de configuración es necesario desconectar la entrada a tierra y
volver a conectar mientras aplastas el pulsador (Tiene que dejar de parpadear tan
constantemente la luz).

Cuándo parpadea significa que está en modo usuario.

Tener en cuenta que para ver el valor se usa el signo de interrogación mientras que para
cambiarlo debemos usar el igual (Asignación).
Para cambiar la contraseña y el nombre del usuario es necesario usar una nueva librería
“#include<SoftwareSerial.h>” la cual será colocada para poder usar el comando
SoftwareSerial que define una estructura (Mi Bluetooth).