APELLIDOS Y NOMBRES: MATRICULA:

López Lazo Bruno Eduardo 17190158

CURSO: TEMA:
Circuitos electrónicos 1 Transistor bipolar NPN
características básicas
INFORME FECHAS: MODULO
Previo REALIZADO ENTREGADO
NUMERO:
20/05/19 27/05/19
5

GRUPO: 1 PROFESOR:
Lunes
Russell Córdova Ruiz
10am-12pm
 EL TRANSITOR BIPOLAR NPN.
CARACTERISTICAS BASICAS
I.OBJETIVOS
.Verificar las condiciones de un transmisor bipolar PNP.

.Comprobar las características de Funcionamiento de un transistor bipolar NPN.

II.EQUIPOS Y MATERIALES
.Osciloscopio

.Fuente de poder DC

.Multímetro

.Cables de conexión diversos

.01 Transitor 2N4646 O 2N9304

.Resistores

.Condensadores

.Potenciómetro

III. INORME PREVIO

1. Indicar y explicar cada una de las especificaciones de funcionamiento
de un transistor bipolar.

Composición del transistor

El transistor es un dispositivo de tres terminales, a diferencia del

diodo que solo tiene dos terminales. El transistor consiste en dos
terminales del material de tipo P y uno de tipo N (transistores PNP) o dos
terminales del material de tipo N y uno de tipo P (transistores NPN), como
muestra la figura 1.1.

Figura 1.1
 Las tres capas o secciones diferentes se identifican como EMISOR,
BASE Y COLECTOR. El emisor, capa de tamaño medio con altos niveles
de dopaje diseñado para emitir portadores, electrones (NPN) o huecos
(PNP), al colector por medio de la base. La base, con una contaminación
baja al igual que el tamaño de su capa, diseñada para dejar pasar los
portadores que inyecta el emisor hacia el colector. El colector, capa
grande con niveles de dopaje medios, diseñada para colectar o recibir los
portadores.

Operación del transistor

Una explicación sencilla pero efectiva de la operación de un

transistor npn se lleva a cabo utilizando la técnica del diagrama de barrera
de potencial de la figura 1.2. Este método ilustra de manera simplificada
la operación básica de un transistor bipolar. Cuando la unión base –
emisor se polariza en directo y la unión base – colector en inverso, los
electrones que dejan el material N del emisor sólo ven una barrera de
potencial pequeña en la unión np. Como la barrera de potencial es
pequeña, muchos de los electrones tienen la suficiente energía para llegar
al tope de ella. Una vez en el tope, los electrones se mueven fácilmente a
través del material P (base) a la unión pn (base-colector).

Figura 1.2

Cuando se acercan a esta unión, los electrones se encuentran bajo

la influencia de la fuente de tensión positiva y se mueven con mucha
rapidez conforme descienden en la barrera de potencial. Si se reduce la
polarización en directa de la unión base – emisor, aumenta la altura de la
barrera de potencial. A los electrones que dejan el emisor les será más
difícil alcanzar el tope. Los electrones que lo alcanzan son aquellos con
mayor cantidad de energía, y los que alcanzaran el colector. Por tanto,
una reducción en la polarización en directo provoca que la corriente a
través del transistor se reduzca en forma considerable. Por otra parte, al
incrementar la polarización en directo de la unión base – emisor reduce la
carrera de potencial y se permite el flujo de un mayor número de
electrones a través del transistor.

El nombre de transistor bipolar se debe a que en el funcionamiento del

transistor existen dos corrientes, la de portadores mayoritarios y minoritario, ya
que se polariza en directa la entrada y en inversa la salida, este es el motivo
por el cual se llama bipolar.
2. De los manuales, obtener los datos de los transistores bipolares:
2N3904, AC123, 25C784Y, TR59 Y 2N2222.

I) 2N3904

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS:

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.31 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 135 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS:

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 300 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Empaquetado / Estuche: TO92

II) AC127
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS:

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.34 W

Tensión colector-base (Vcb): 32 V
Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS:

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 1.5 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 140 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Empaquetado / Estuche: TO1

III) 2N2222
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS:

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS:

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 250 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Empaquetado / Estuche: TO18

3. Realizar el análisis teórico de los circuitos mostrados. Determinar el

punto de operación del circuito del experimento

IV.PROCEDIMIENTO

1. Considerando los valores nominales de los componentes utilizados,

realizar la simulación del circuito mostrado en la figura 5.1. Considere
todos los casos indicados en el paso 3.Llenar os valores correspondientes
en las tablas 5.2, 5.3, 5.4 5.5.

2. Verificar el estado operativo del transistor, usando la función

ohmímetro del multímetro. Llene la tabla 5.1

Tabla 5.1
Resistencia Directa Inversa
Base – Emisor 2.792 2.791
Base – Colector 3.782 3.48
Colector - Emisor 683.807 683.593
3. Implementar el Circuito de la figura 5.1

Entonces el voltaje de salida será la suma de los voltajes de C1 y C2.

De los manuales tenemos para el transistor 2N3904 (NPN-Si):

 Por ser de Silicio: (VBE Activa)

𝑉𝐵𝐸 = 0,6𝑣

 Ganancia de corriente: (β)

𝛽 = 200

TABLA 2.

Valores(R1=56KΩ) Ic (mA) Ib (μA) Β Vce (v) Vbe (v) Ve (v)

Teóricos 9.281 46.405 200 0,677 0.6 2.052

 del circuito equivalente hallamos Rb y Vbb

𝑽𝒄𝒄 × 𝑹𝟐 12 × 22𝑘
𝑽𝒃𝒃 = = = 3.385𝑣
𝑹𝟏 + 𝑹𝟐 56𝑘 + 22𝑘
𝑹𝟏 × 𝑹𝟐 56𝑘 × 22𝑘
𝑹𝒃 = = = 15.795𝑘Ω
𝑹𝟏 + 𝑹𝟐 56𝑘 + 22𝑘
 hallar Ib (analizando la entrada)
 𝑽 − 𝑽𝑩𝑬 3.385 − 0.6
𝑰𝒃 = = = 46.405µ𝐴
𝑹𝒃 + (𝜷 + 𝟏)𝑹𝒆 15.795𝑘 + (200 + 1)220
 hallar Ic

𝑰𝒄 = 𝑰𝒃 × 𝜷 = 46.576µ × 200 = 9.281𝑚𝐴

 hallar Ve (𝑰𝑬 ≅ 𝑰𝑪 )

𝑽𝒆 = (𝑰𝑪 + 𝑰𝒃 )𝑹𝒆 = (9.315𝑚)220 = 2.052𝑣

 hallara VCE (Analizando la salida )

𝑽𝒄𝒆 = 𝑽𝒄𝒄 − 𝑰𝒄 (𝑹𝒄 + 𝑹𝒆 ) = 12 − 9.281𝑚(1000 + 220) = 0.677𝑣

TABLA 3.

Valores(R1=68KΩ) Ic (mA) Ib (μA) β Vce Vbe Ve (v.)

(v.) (v.)
Teóricos 7.669 38.345 200 1.696 0.6 2.052

 del circuito equivalente hallamos Rb y Vbb

𝑽𝒄𝒄 × 𝑹𝟐 12 × 22𝑘
𝑽𝒃𝒃 = = = 2.933𝑣
𝑹𝟏 + 𝑹𝟐 68𝑘 + 22𝑘

𝑹𝟏 × 𝑹𝟐 68𝑘 × 22𝑘
𝑹𝒃 = = = 16.622𝑘Ω
𝑹𝟏 + 𝑹𝟐 68𝑘 + 22𝑘

 hallar Ib (analizando la entrada )

𝑽 − 𝑽𝑩𝑬 2.933 − 0.6

𝑰𝒃 = = = 38.345µ𝐴
𝑹𝒃 + (𝜷 + 𝟏)𝑹𝒆 16.622𝑘 + (200 + 1)220
 hallar Ic

𝑰𝒄 = 𝑰𝒃 × 𝜷 = 38.345µ × 200 = 7.669𝑚𝐴

 hallar Ve

𝑽𝒆 = (𝑰𝑪 + 𝑰𝒃 )𝑹𝒆 = (7.669𝑚 + 38.345𝜇)220 = 2.052𝑣

 hallara VCE (Analizando la salida )

𝑽𝒄𝒆 = 𝑽𝒄𝒄 − 𝑰𝒄 (𝑹𝒄 + 𝑹𝒆 ) = 12 − 9.281𝑚(1000 + 220) = 1.696𝑣

TABLA Nº05

 Para P=100 kΩ y 𝑹𝒆 = 𝟎

Al estar unidas en serie las resistencias R1 y P1, hallaremos su resistencia

equivalente:
𝑅1′ = 𝑅1 + 𝑃1 → 𝑅1′ = 56𝐾 + 100𝑘 → 𝑹′𝟏 = 𝟏𝟓𝟔𝑲𝜴

Hallando los siguientes valores:

𝑽𝒄𝒄 × 𝑹𝟐 12 × 22𝑘
𝑽𝒃𝒃 = ′ = = 1.483𝑣
𝑹𝟏 + 𝑹𝟐 156𝑘 + 22𝑘
 𝑹′𝟏 × 𝑹𝟐 156𝑘 × 22𝑘
𝑹𝒃 = = = 19.281𝑘Ω
𝑹′𝟏 + 𝑹𝟐 156𝑘 + 22𝑘
𝑽 − 𝑽𝑩𝑬 1.483 − 0.6
𝑰𝒃 = = = 45.796µ𝐴
𝑹𝒃 19.281𝑘
𝑰𝒄 = 𝑰𝒃 × 𝜷 = 45.796µ × 200 = 9.159𝑚𝐴
𝑽𝒄 = 𝑽𝒄𝒄 − 𝑰𝒄 (𝑹𝒄 ) = 12 − 9.159𝑚(1000) = 2.841𝑣
 Para P=250 kΩ y 𝑹𝒆 = 𝟎

Al estar unidas en serie las resistencias R1 y P1, hallaremos su resistencia

equivalente:
𝑅1′ = 𝑅1 + 𝑃1 → 𝑅1′ = 56𝐾 + 250𝑘 → 𝑹′𝟏 = 𝟑𝟎𝟔𝑲𝜴
Hallando los siguientes valores:
𝑽𝒄𝒄 × 𝑹𝟐 12 × 22𝑘
𝑽𝒃𝒃 = ′ = = 0.805𝑣
𝑹𝟏 + 𝑹𝟐 306𝑘 + 22𝑘
𝑹𝟏 × 𝑹𝟐 306𝑘 × 22𝑘
𝑹𝒃 = = = 20.524𝑘Ω
𝑹𝟏 + 𝑹𝟐 306𝑘 + 22𝑘
𝑽𝒃𝒃 − 𝑽𝑩𝑬 0.805 − 0.6
𝑰𝒃 = = = 9.988µ𝐴
𝑹𝒃 20.524𝑘
𝑰𝒄 = 𝑰𝒃 × 𝜷 = 9.988µ × 200 = 1.998𝑚𝐴
𝑽𝒄 = 𝑽𝒄𝒄 − 𝑰𝒄 (𝑹𝒄 ) = 12 − 1.998𝑚(1000) = 10.002𝑣
 Para P=500 kΩ y 𝑹𝒆 = 𝟎

Al estar unidas en serie las resistencias R1 y P1, hallaremos su resistencia

equivalente:
𝑅1′ = 𝑅1 + 𝑃1 → 𝑅1′ = 56𝐾 + 500𝑘 → 𝑹′𝟏 = 𝟓𝟓𝟔𝑲𝜴
Hallando los siguientes valores:
𝑽𝒄𝒄 × 𝑹𝟐 12 × 22𝑘
𝑽𝒃𝒃 = ′ = = 0.457𝑣
𝑹𝟏 + 𝑹𝟐 556𝑘 + 22𝑘
𝑹𝟏 × 𝑹𝟐 556𝑘 × 22𝑘
𝑹𝒃 = = = 21.163𝑘Ω
𝑹𝟏 + 𝑹𝟐 556𝑘 + 22𝑘
𝑽𝒃𝒃 − 𝑽𝑩𝑬 0.457 − 0
𝑰𝒃 = = = 21.594µ𝐴
𝑹𝒃 21.163𝑘
𝑰𝒄 = 𝑰𝒃 × 𝜷 = 21.594µ × 200 = 4.319𝑚𝐴
𝑽𝒄 = 𝑽𝒄𝒄 − 𝑰𝒄 (𝑹𝒄 ) = 12 − 4.319𝑚(1000) = 7.681𝑣

 Para P= 1MΩ y 𝑹𝒆 = 𝟎

Al estar unidas en serie las resistencias R1 y P1, hallaremos su resistencia

equivalente:
𝑅1′ = 𝑅1 + 𝑃1 → 𝑅1′ = 56𝐾 + 1000𝑘 → 𝑹′𝟏 = 𝟏𝟎𝟓𝟔𝑲𝜴
Hallando los siguientes valores:
𝑽𝒄𝒄 × 𝑹𝟐 12 × 22𝑘
𝑽𝒃𝒃 = ′ = = 0.2449𝑣
𝑹𝟏 + 𝑹𝟐 1056𝑘 + 22𝑘
𝑹𝟏 × 𝑹𝟐 1056𝑘 × 22𝑘
𝑹𝒃 = = = 21.551𝑘Ω
𝑹𝟏 + 𝑹𝟐 1056𝑘 + 22𝑘
𝑽𝒃𝒃 − 𝑽𝑩𝑬 0.2449 − 0
𝑰𝒃 = = = 11.364µ𝐴
𝑹𝒃 21.551𝑘
𝑰𝒄 = 𝑰𝒃 × 𝜷 = 11.364µ × 200 = 2.273𝑚𝐴
𝑽𝒄 = 𝑽𝒄𝒄 − 𝑰𝒄 (𝑹𝒄 ) = 12 − 2.273𝑚(1000) = 9.727𝑣