INSTITUTO SUPERIOR TECNOLOGICO

TSA’CHILA.

CARRERA: TECNOLOGIA ELECTRICA

MODULO: ELECTRONICA DE POTENCIA

NOMBRES: DIEGO PEÑA

PROFESOR: ING. BAUTISTA JUAN

TEMA: DIODOS DE POTENCIA, TRANSISTORES DE POTENCIA, IGBTS,

GTO, SCR

SANTO DOMINGO 03 DE JUNIO 2019

 INTRODUCCIÓN

Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación de

la corriente eléctrica a través de él en un solo sentido.

Un diodo de potencia es un dispositivo de unión PN de dos terminales, por lo general

una unión PN está formada por aleación, difusión y crecimiento epitaxial.

Cuando el potencial del ánodo es positivo con respecto al cátodo, se dice que el diodo
tiene polarización directa o positiva y el diodo conduce. Un diodo en conducción tiene
una caída de voltaje directa relativamente pequeña a través de sí mismo, por proceso
de manufactura o temperatura. Cuando el potencial del cátodo es positivo con
respecto al ánodo, se dice que el diodo tiene polarización inversa.

Tipos de diodos de potencia

Las características de los diodos prácticos difieren de las de los diodos ideales. El
tiempo de recuperación inversa tiene un papel importante, especialmente en las
aplicaciones de interrupción de alta velocidad.

Los diodos de potencia se pueden clasificar en 3 categorías:

-DIODOS ESTANDAR O DE USO GENERAL.

-DIODOS DE RECUPERACION RAPIDA.

-DIODOS SCHOTTKY.
Diodos de uso general:

Los diodos de rectificación de uso general tienen un tiempo de recuperación inversa

relativamente alto, típicamente de 25 microsegundos, y se utilizan en aplicaciones de
baja velocidad en las que el tiempo no es crítico como rectificadores de diodos o
convertidores a baja frecuencia.

Diodos de recuperación rápida:

Los diodos de recuperación rápida tienen un tiempo de recuperación bajo, por lo

general 5 microsegundos. Se utilizan en circuitos convertidores cd-cd y cd-ca, en los
que la velocidad de recuperación es a menudo de importancia crítica.

Diodos Schottky:

En un diodo Schottky se puede eliminar el problema de almacenamiento de carga de

una unión PN. Esto se lleva a cabo estableciendo una barrera de potencial con un
contacto entre un metal y un semiconductor. Sobre el material de tipo n se deposita
una capa de metal. La barrera de potencial simula el comportamiento de la unión PN.
La acción rectificadora solo depende de los portadores mayoritarios, y como resultado
no existen portadores minoritarios en exceso para recombinar. El efecto de
recuperación se debe únicamente al auto capacitancia de la unión semiconductora.

CARACTERIZACIÓN ESTÁTICA DEL DIODO

En el modelo simplificado del diodo se asume que este queda polarizado a partir de
una cierta tensión positiva entre ánodo y cátodo, y esta tensión, que suele tomarse de
VF = 0,7V, para diodos de silicio, se mantiene invariable independientemente de la
corriente que circula por él. En la práctica la caída de tensión del diodo depende, en
primer lugar, del tipo de diodo y, además, de la corriente que circule por él. Para
confirmar este resultado se comprobará experimentalmente la tensión umbral a la que
el diodo comienza a conducir y su caída directa en conducción para diferentes
corrientes.

CARACTERIZACIÓN DINAMICA DEL DIODO

El paso del estado de conducción al de corte no se realiza instantáneamente.

 TRANSISTORES DE POTENCIA

El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico al de los

transistores normales, teniendo como características especiales las altas tensiones e
intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.

Existen tres tipos de transistores de potencia:

 bipolar.
 unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).
 IGBT.

TRANSISTOR BIPOLAR DE POTENCIA:

Un transistor bipolar está formado por dos uniones pn en contraposición.

Físicamente, el transistor está consitutído por tres regiones semiconductoras
denominadas emisor, base y colector. Existen 2 tipos de transistores bipolares, los
denominados NPN y PNP:

El emisor en un transistor NPN es la zona semiconductora más fuertemente dopada

con donadores de electrones, siendo su ancho intermedio entre el de la base y el
colector. Su función es la de emitir electrones a la base. La base es la zona más estrecha
y se encuentra débilmente dopada con aceptores de electrones. El colector es la zona
más ancha, y se encuentra dopado con donadores de electrones en cantidad
intermedia entre el emisor y la base.
CONDICIONES DE FUNCIONAMIENTO:

Las condiciones normales de funcionamiento de un transistor NPN se dan cuando el

diodo B-E se encuentra polarizado en directa y el diodo B-C se encuentra polarizado en
inversa. En esta situación gran parte de los electrones que fluyen del emisor a la base
consiguen atravesar ésta, debido a su poco grosor y débil dopado, y llegar al colector.

El transistor posee tres zonas de funcionamiento:

ZONA DE SATURACION:

El diodo colector está polarizado directamente y es transistor se comporta como una

pequeña resistencia. En esta zona un aumento adicionar de la corriente de base no
provoca un aumento de la corriente de colector, ésta depende exclusivamente de la
tensión entre emisor y colector. El transistor se asemeja en su circuito emisor-colector
a un interruptor cero.

ZONA ACTIVA:

En este intervalo el transistor se comporta como una fuente de corriente , determinada

por la corriente de base. A pequeños aumentos de la corriente de base corresponden
grandes aumentos de la corriente de colector, de forma casi independiente de la
tension entre emisor y colector. Para trabajar en esta zona el diodo B-E ha de estar
polarizado en directa, mientra que el diodo B-C, ha de estar polarizado en inversa.

ZONA DE CORTE:

El hecho de hacer nula la corriente de base, es equivalente a mantener el circuito base

emisor abierto, en estas circunstancias la corriente de colector es prácticamente nula y
por ello se puede considerar el transistor en su circuito C-E como un interruptor
abierto.

CIRCUITO DE POLARIZACION DE EMISOR:

CIRCUITO DE POLARIZACION DE BASE:

 TRANSISTOR UNIPOLAR O FET

Son un dispositivo unipolar, ya que la corriente existe tanto en forma de electrones

como de huecos. En un FET de canal n, la corriente se debe a electrones, mientras que
en un FET de canal p, se debe a huecos. Ambos tipos de FET se controlan por una
tensión entre la compuerta y la fuente.

Los símbolos ilustrados se refieren al transistor de efecto de campo de juntura. Los TEC
a y b han sido indicados como tipos N y P de acuerdo al empleo de los materiales tipo
N y P en la fabricación de estos dispositivos.

TRANSISTORES IGBT

Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La tensión de

control de puerta es de unos 15V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de
potencia aplicando una señal eléctrica de entrada muy débil en la puerta.

Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La tensión de

control de puerta es de unos 15V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de
potencia aplicando una señal eléctrica de entrada muy débil en la puerta.

CARACTERISTICAS:

El IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 20 kHz y ha sustituido

al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y media energía como
fuente conmutada, control de la tracción en motores y cocina de inducción. Grandes
módulos de IGBT consisten en muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden
manejar altas corrientes del orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de
6.000 voltios.
Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington híbrido. Tiene la capacidad de
manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para
mantenerse en conducción. Sin embargo las corrientes transitorias de conmutacion de
la base pueden ser igualmente altas. En aplicaciones de electrónica de potencia es
intermedio entre los tiristores y los mosfet. Maneja más potencia que los segundos
siendo más lento que ellos y lo inverso respecto a los primeros.

Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La tensión de

control de puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de
potencia aplicando una señal eléctrica de entrada muy débil en la puerta.

FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR IGBT

Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa que no

existe ningún voltaje aplicado al gate. Si un voltaje VGS es aplicado al gate, el IGBT
enciende inmediatamente, la corriente ID es conducida y el voltaje VDS se va desde el
valor de bloqueo hasta cero. LA
corriente ID persiste para el
tiempo tON en el que la señal en
el gate es aplicada. Para encender
el IGBT, la terminal drain D debe ser
polarizada positivamente con
respecto a la terminal S. LA señal
de encendido es un voltaje positivo
VG que es aplicado al gate G. Este
voltaje, si es aplicado como un
pulso de magnitud aproximada
de 15, puede causar que el tiempo
de encendido sea menor a 1 s,
después de lo cual la corriente de
drain iD es igual a la corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez
encendido, el dispositivo se mantiene así por una señal de voltaje en el gate. Sin
embargo, en virtud del control de voltaje la disipación de potencia en el gate es muy
baja.

CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN IGBT