UNIVERSIDAD NACIONAL TECNOLOGICA DE LIMA SUR

Facultad de Ingeniería Electrónica y Telecomunicaciones

TEMA:

“Curvas Del Transistor Bipolar”

CURSO : Circuitos Electrónicos l

DOCENTE : Ing. Modesto Alarcón More

ALUMNO :
Huamani Pérez, Jonathan Efraín
Cusacani Guerrero, Juan
Rosales Veliz, Yovani
Huamani Mallma, Erasmo
Jara Quispe Ricardo

CICLO : Vll

Lima, Villa el Salvador

2019
 OBJETIVOS
 Graficar la curva característica de entrada de un transistor bipolar, a partir de valores
medidos.
 Graficar la familia de curvas características de salida de un transistor bipolar, a partir
de valores medidos.

PROCEDIMIENTO
1. Para el transistor NPN (2N2222A), identifique sus terminales (emisor, base,
colector) y con la utilización del multímetro realice la prueba del estado de este.

2. Busque el datasheet del transistor NPN (2N2222A) y en la siguiente tabla anote el

valor correspondiente a cada parámetro proporcionado en la hoja de
especificaciones del fabricante.

Máxima Corriente de Colector (ICMAX): Si se supera esta 0.8 A

corriente los diodos internos sufren daños.
Factor de Amplificación o Ganancia (HFE ó Beta): Este factor 190 h FE
indica la cantidad de veces que se amplifica la corriente de base.
Máximo Voltaje Colector Emisor (VCEMAX): Similar al voltaje 40v
de ruptura en los diodos, pasado de este límite sufre daños
internamente el transistor.
Máximo Voltaje Base Emisor (VBEMAX): Es el máximo voltaje 6v
que se puede aplicar a la unión base emisor.
Máxima Potencia de Disipación (PD): En general depende del .500W
tipo de empaque utilizado.

3. Monte el circuito de la Figura 1.

 4. Ajuste el potenciómetro (RV1) para obtener los valores de corriente de base
(IB =microamperios) que se indican en la siguiente tabla y complétela.

IB (uA) Nominal 5 ─ 10 16 ─ 25 30 ─ 50 120 ─ 200

IB (uA) Real 8uA 23.3uA 40uA 130.4u A
VBE (Voltios) 0.6v 0.62v 0.64v 0.67v

5. Graficar los valores obtenidos en la tabla del punto anterior, en los ejes de IB
Vs VBE (Curva característica de entrada del transistor NPN).

6. Monte el circuito de la Figura 2.

Figura 2
 7. Para el circuito de la Figura 2, ajuste el voltaje de la fuente “VCC” para que el
Voltaje Colector─Emisor (VCE) tome cada uno de los valores indicados para cada
valor de corriente de base (IB), si es necesario ajuste el voltaje de la fuente “VBB”

8. para mantener IB constante, anotando el valor correspondiente de IC (Corriente

colector), llenando la siguiente tabla.

VCE IB0 = 0uA IB1 = 10uA IB2 = 20uA IB3 = 30uA IB4 = 40uA IB5 = 50uA
(Voltios) Ic0 (mA) Ic1 (mA) Ic2 (mA) Ic3 (mA) Ic4 (mA) Ic5 (mA)
0V 0 1.18 2.96 2.37 4.74 2.38
1V 0 2.25 4.50 5.95 8.48 10.4
2V 0 2.27 4.53 6.05 8.57 10.5
3V 0 2.29 4.57 6.10 8.64 10.5
4V 0 2.31 4.66 6.14 8.73 10.6
5V 0 2.34 4.68 6.18 8.81 10.7
6V 0 2.36 4.72 6.25 8.98 10.8
7V 0 2.39 4.76 6.30 9.00 10.9
8V 0 2.41 4.80 6.39 9.06 11
9V 0 2.43 4.84 6.45 9.14 11.1
10V 0 2.45 4.89 6.50 9.25 11.3
11V 0 2.47 4.92 6.57 9.32 11.3
12V 0 2.49 4.97 6.61 9.40 11.4

CONCLUSIONES:

 Al ser β variable, sobre todo con la temperatura, es necesario dotar al

transistor de circuitos de polarización capaces de compensar dichas
variaciones.
 La polarización por realimentación de colector, a la de emisor, presenta la
ventaja de que el transistor no puede llegar a saturarse.
 La polarización universal es la más adecuada cuando el transistor ha de
trabajar en la región activa.
 Se deben tener en cuenta las aproximaciones realizadas en los cálculos para
que las desviaciones de las condiciones de trabajo sean mínimas.
 Se recomienda utilizar las reglas de redondeo para los cálculos de los circuitos
del transistor para evitar que los valoren no varíen mucho en relación con los
datos obtenidos a través de la práctica.