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b. Repita la parte (a) utilizando el modelo aproximado del diodo y compare los
resultados.
c. Repita la parte (a) utilizando el modelo ideal del diodo y compare los resultados.
a)
𝐸
𝐼𝐷 =
𝑅
8𝑉
𝐼𝐷 =
0.33𝑘Ω
𝐼𝐷 = 24.24𝑚𝐴
𝑉𝐷 = 0.92𝑉
𝑉𝑅 = 𝐸 − 𝑉𝐷
𝑉𝑅 = 8𝑉 − 0.92𝑉
𝑉𝑅 = 7.08𝑉
b)
𝑉𝐷 = 0.7𝑉
𝑉𝑅 = 𝐸 − 𝑉𝐷
𝑉𝑅 = 8 − 0.7𝑉
𝑉𝑅 = 7.3𝑉
c)
𝑉𝐷 = 0
𝑉𝑅 = 𝐸 − 𝑉𝐷
𝑉𝑅 = 8 − 0𝑉
𝑉𝑅 = 8𝑉
Para (a) y (b), los niveles de voltaje de los diodos son bastante cercanos. Los
niveles de la parte (c) están razonablemente cerca pero como se esperaba
debido al nivel de voltaje aplicado E.
2. a. Con las características de la figura 2.147b, determine ID y VD para el circuito de
la figura 2.148.
a)
𝑉𝐷 = 5𝑉
𝐸
𝐼𝐷 =
𝑅
5𝑉
𝐼𝐷 =
2.2𝑘Ω
𝐼𝐷 = 2.27𝑚𝐴
b)
𝑉𝐷 = 5𝑉
𝐸
𝐼𝐷 =
𝑅
5𝑉
𝐼𝐷 =
0.47𝑘Ω
𝐼𝐷 = 10.64𝑚𝐴
c)
𝑉𝐷 = 5𝑉
𝐸
𝐼𝐷 =
𝑅
5𝑉
𝐼𝐷 =
0.18𝑘Ω
𝐼𝐷 = 27.78𝑚𝐴
Los valores resultantes del voltaje en el diodo son bastante cercanos, mientras que las
corrientes del diodo se extienden de 2 mA a 22,5 mA.
Datos:
𝐸 = 7𝑉
𝑅 =? [𝑂ℎ𝑚𝑠]
Solución:
𝐴 = (0.7,10 ) 𝐵 = (7,0)
𝑚 = −1.6
𝐸
𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑉𝐷 = 0 𝐼𝐷 = 11.2 𝑚𝐴 =
𝑅
Calculamos la Resistencia
𝐸
𝐼𝐷 = 11.2 𝑚𝐴 =
𝑅
7𝑉
𝑅= = 𝟎. 𝟔𝟐𝟓 [𝑲Ω]
11.2 𝑚𝐴
Solución
Datos:
𝐸 = 30 𝑉
𝑅 = 2.2[𝑲Ω]
a) 𝑰𝑫 = 𝑰𝑹
𝑳. 𝑽. 𝑲
−30 𝑉 + 0.7 𝑉 + 𝑰𝑹 𝑅 = 0
29.3 𝑉
𝑰𝑹 = = 13.318 [𝑚𝐴]
2.2 [𝑲Ω]
𝑽𝑫 = 𝟎. 𝟕 [𝑽]
𝑽𝑹 = 𝑰 𝑹 ∗ 𝑹
𝑽𝑹 = 𝟐𝟗. 𝟎𝟑 [𝑽]
b) 𝑰𝑫 = 𝑰𝑹
𝑳. 𝑽. 𝑲
−30 𝑉 + 0 𝑉 + 𝑰𝑹 𝑅 = 0
30 𝑉
𝑰𝑹 = = 13.636 [𝑚𝐴]
2.2 [𝑲Ω]
𝑽𝑫 = 𝟎[𝑽]
𝑽𝑹 = 𝑰 𝑹 ∗ 𝑹
𝑽𝑹 = 𝟑𝟎 [𝑽]
b)
19.3𝑉
𝐼= = 0.965𝐴
20Ω
c)
10𝑉
𝐼= = 1𝐴
10Ω
6. Determine 𝑽𝒐 e 𝑰𝑫 para las redes de la figura 2.151
a)
𝑉𝑜 = −4.3𝑉
|𝑉𝑜 | 4.3𝑉
𝐼𝑅 = 𝐼𝐷 = = = 1.955𝑚𝐴
𝑅 2.2𝐾Ω
b)
8𝑉 − 0.7𝑉
𝐼𝐷 = = 1.24𝑚𝐴
1.2𝐾Ω + 4.7𝐾Ω
𝑉𝑜 = 𝑉4.7𝑘Ω + 𝑉𝐷 = (1.24𝑚𝐴)(4.7𝐾Ω) + 0.7𝑉 = 6.53𝑉
𝑉 ′ = 𝐼𝑅 = (1.915𝑚𝐴)(4.7𝐾Ω) = 9𝑉
𝑉𝑜 = 𝑉 ′ − 2𝑉 = 9𝑉 − 2𝑉 = 7𝑉
𝑉𝑡ℎ = 𝐼. 𝑅
𝑉𝑡ℎ = (10𝑚𝐴)(2.2𝑘)
𝑉𝑡ℎ = 22𝑉
𝑅𝑡ℎ = 2.2𝑘
22𝑉 − 0.7𝑉
𝐼𝑑 =
2.2𝑘 + 1.2𝑘
𝐼𝑑 = 6.26𝑚𝐴
𝑉𝑜 = 𝐼𝑑. 𝑅
𝑉𝑜 = (6.26𝑚𝐴)(1.2𝑘)
𝑉𝑜 = 7.51𝑉
b)
20𝑉 + 5𝑉 − 0.7𝑉
𝐼𝑑 =
6.8𝑘
𝐼𝑑 = 3.58𝑚𝐴
𝑉𝑜 − 0.7𝑉 + 5𝑉 = 0
𝑉𝑜 = −4.3𝑉
9. Determine Vo1 y Vo2 para las redes de la figura 2.154.
a)
𝑉𝑜1 = 12𝑉 − 0.7𝑉
𝑉𝑜1 = 11.3𝑉
𝑉𝑜2 = 0.3𝑉
b)
𝑉𝑜1 = −10𝑉 + 0.3𝑉 + 0.7𝑉
𝑉𝑜1 = −9𝑉
𝑉𝑜2 = −6.6𝑉
4.1𝑚𝐴
𝐼𝑑 =
2
𝐼𝑑 = 2.05𝑚𝐴
𝑉𝑜 = 20𝑉 − 0.7𝑉
𝑉𝑜 = 19.3𝑉
b)
15𝑉 + 5𝑉 − 0.7𝑉
𝐼𝑑 =
2.2𝑘
𝐼𝑑 = 8.77𝑚𝐴
𝑉𝑜 = 15𝑉 − 0.7𝑉
𝑉𝑜 = 14.3𝑉
*11. Determine Vo e I para las redes de la figura 2.156
𝑉𝑜 = 12𝑉 + (0.553𝑚𝐴)(4.7𝑘Ω)
𝑉𝑜 = 14.6𝑉
19.3𝑉
𝐼1𝑘Ω =
1𝑘Ω
𝐼1𝑘Ω = 19.3𝑚𝐴
0.7𝑉 − 0.3𝑉
𝐼0.47𝐾Ω =
0.47𝑘Ω
0.5𝑉
𝐼0.47𝐾Ω =
0.47𝑘Ω
𝐼0.47𝐾Ω = 0.851𝑚𝐴
𝐼𝐷 = 𝐼1𝑘Ω − 𝐼0.47𝐾Ω
𝐼𝐷 = 19.3𝑚𝐴 − 0.851𝑚𝐴
2𝑘Ω(9.3V)
𝑉0 =
3𝑘Ω
𝑉0 = 6.2𝑉
6.2𝑉
𝐼2𝑘Ω =
2𝑘Ω
𝐼2𝑘Ω = 3.1𝑚𝐴
𝐼2𝑘Ω
𝐼𝐷 =
2𝑘Ω
3.1𝑚𝐴
𝐼𝐷 =
2𝑘Ω
𝐼𝐷 = 1.55𝑚𝐴
14. Determine Vo para la red de la figura 2.39 con 0 V en ambas entradas.
No se tiene el voltaje necesario para el funcionamiento de los diodos por los cual no
funcionan y el Vo=0
15. Determine Vo para la red de la figura 2.39 con 10 V en ambas entradas.
Vo = 10 − 0,7
Vo = 9,3
Vo = 0.7V
𝑉𝑜 = 10𝑉
𝑉𝑜 = −4,3𝑉
𝑉𝑜 = 0𝑉 − 0,7𝑉
𝑉𝑜 = −0,7𝑉
𝑉𝑜 = +10 𝑉
Dado que todos los terminales del sistema están a 10 V, no se puede establecer la
diferencia requerida de 0,7 V a través de cualquiera de los diodos. Por lo tanto, ambos
diodos están "desconectados" y Vo = +10 V según lo establecido por el suministro de
10 V conectado a la resistencia de 1 kΩ
𝑉𝑜 = 5 𝑉 − 0.3 𝑉
𝑉𝑜 = 4.7 𝑉
El diodo Si requiere más voltaje de terminal que el diodo Ge para encenderse. Por lo
tanto, con 5 V en ambos terminales de entrada, suponga que el diodo Si está
"apagado" y el diodo Ge "encendido".
22. Suponiendo un diodo ideal, trace vi, vd e id para el rectificador de media onda de
la figura 2.163. La entrada es una forma de onda senoidal con una frecuencia de 60
Hz.
𝑉𝑑𝑐 = 0.318 𝑉𝑚
𝑉𝑑𝑐
𝑉𝑚 =
0.318
2𝑉
𝑉𝑚 = 𝑉
0.318
𝑉𝑚 = 6.28 𝑉
𝑉𝑚
𝐼𝑚 =
𝑅
6.28
𝐼𝑚 =
2.2 𝐾𝛺
𝐼𝑚 = 2.85 𝑚𝐴
23. Repita el problema 22 con un diodo de silicio (VK = 0.7 V)
24. Repita el problema 22 con una carga de 6.8 k aplicada como se muestra en la
figura 2.164. Trace vL e iL.
𝑉10𝑘 = 0.7 𝑉
𝑉0 = 0.7 𝑉
−10 + 0.7 + 1𝑘 𝐼 = 0
−9.3 + 1𝑘 𝐼 = 0
1𝑘 𝐼 = 9.3
9.3
𝐼=
1𝑘
𝐼 = 9.3 𝑚𝐴
27.- a. Dada 𝑷𝒎𝒂𝒙 = 𝟏𝟒 𝒎𝑾 para cada uno de los diodos de la figura 2.167,
determine los valores nominales de corriente máxima de cada diodo (utilizando el
modelo equivalente aproximado).
b)
4.7𝑘 ∗ 56𝑘
4.7𝑘 + 56𝑘
= 4.34𝑘
𝑉𝑅 = 160 𝑉 − 0.7 𝑉
𝑉𝑅 = 159.3
159.3 𝑉
𝐼𝑚𝑎𝑥 =
4.34𝑘
𝐼𝑚𝑎𝑥 = 36.71 𝑚𝐴
c)
𝐼𝑚𝑎𝑥
𝐼𝑑𝑖𝑜𝑑𝑒 =
2
36.71 𝑉
𝐼𝑑𝑖𝑜𝑑𝑒=
2
𝑰𝒅𝒊𝒐𝒅𝒆= 𝟏𝟖. 𝟑𝟔 𝒎𝑨
a)
𝑉𝑀 = √2(120 𝑉) = 169.7 𝑉
𝑉𝑖 = 𝑉𝑖 − 2𝑉𝐷
𝑉𝑖 = 169 𝑉 − 2(0.7 𝑉)
𝑉𝑖 = 168.3 𝑉
𝑉𝑑𝑐 = 0.636(168.3 𝑉)
𝑉𝑑𝑐 = 107.4 𝑉
b)
𝑃𝐼𝑉 = 𝑉𝑖 + 𝑉𝐷
𝑃𝐼𝑉 = 169 𝑉
c)
𝑉𝑖
𝐼𝐷(𝑚𝑎𝑥) =
𝑅
168.3 𝑉
𝐼𝐷(𝑚𝑎𝑥) =
1𝑘
𝐼𝐷(𝑚𝑎𝑥) = 168.3 𝑚𝐴
d)
𝑃𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐷 𝐼𝐷
𝑃𝑚𝑎𝑥 = (0.7 𝑉)(168.3 𝑚𝐴)
𝑃𝑚𝑎𝑥 = 117.81 𝑚𝑊
Positivo Negativo
𝑉𝑖 = −2𝑉𝑜 − 𝑉𝑜 𝑉𝑜 = −100
𝑉𝑜 = −100
𝑃𝐼𝑉 ≥ 𝑉𝑚 = 100
Positivo Negativo
2.2𝐾 ∗ 𝑉𝑖 2.2𝐾 ∗ 𝑉𝑖
Vo= = 50𝑉 Vo = 2.2𝐾+ = 50𝑉
2.2𝐾+ 2,2𝐾 2,2𝐾
𝑉𝐶𝐷 = 31,8𝑉
31. Trace vo para la red de la figura 2.170 y determine el voltaje de cd disponible.
Positivo
2.2𝐾 (2,2𝐾)
2,2𝐾 𝐼𝐼 2,2𝐾 = = 1,1𝐾
2.2𝐾 + 2,2𝐾
𝑉𝑖 = 2,2𝑘𝑖 + 1,1𝑘𝑖
𝑉𝑖
I=
2,2𝑘+1,1𝑘
𝐼 = 51,5𝑚𝐴
𝑉2,2 = 113,33 𝑉
𝑉𝑜 = 𝑉2,2 = 56,67𝑉
Vcd
𝑉𝐶𝐷 = 2(0,318)56,67
𝑉𝐶𝐷 = 36,04
32. Determine Vo para cada una de las redes de la figura 2.171 con la entrada
mostrada.
Diodo de silicio.
𝑉𝑂 = 𝑉𝑖
𝑉𝑂 = 0𝑉
𝑉𝑂 − 0.7𝑉 + 20𝑉 = 0
𝑉𝑂 = 0.7𝑉 − 20𝑉
𝑉𝑂 = −19.3𝑉
Diodo ideal
𝑉𝑂 = 𝑉𝑖 − 5𝑉
𝑉𝑂 = 5𝑉 − 5𝑉
𝑉𝑂 = 0𝑉
𝑉𝑂 = 𝑉𝑖 − 5𝑉
𝑉𝑂 = −20𝑉 − 5𝑉
𝑉𝑂 = −25𝑉
33. Determine Vo para cada una de las redes de la figura 2.172 con la entrada
mostrada.
a) Figura a
1.2𝑘Ω(10𝑉 − 0.7𝑉)
𝑉0 =
1.2𝐾Ω + 2.2𝐾Ω
𝑉0 = 3.8𝑉
𝑉𝑂 = 10𝑉 + 5𝑉 − 0.7𝑉
𝑉𝑂 = 14.3𝑉
Análisis por semiciclo negativo, diodo abierto.
𝑉𝑂 = 𝑉𝑖
𝑉𝑂 = 0𝑉
34. Determine Vo para cada una de las redes de la figura 2.173 con la entrada
mostrada.
a) Figura a
b) Figura b
𝑉𝑂 = −𝑉𝑖 = −5𝑉
𝑉𝑂 = 5𝑉
35. Determine 𝑽𝑶 para cada una de las redes de la figura 2.174 con la entrada
mostrada
a) Figura a
Analizando el semiciclo positivo
𝑉𝑂 − 0.7𝑉 − 4𝑉 = 0
𝑉𝑂 = 0.7𝑉 + 4𝑉
𝑉𝑂 = 4.7𝑉
Analizando el Semiciclo negativo
𝑉𝑂 = 𝑉𝑖
𝑉𝑂 = 8𝑉
Onda Resultante:
b) Figura b
𝑉𝑂 = 𝑉𝑖 − 4𝑉
𝑉𝑖 = 0
𝑉𝑂 = −4𝑉
𝑉𝑂 + 4𝑉 + 8𝑉 = 0
𝑉𝑂 = −12𝑉
Onda Resultante:
𝑉𝑅 4𝑉
𝑖𝑅 = = = 0.4𝑚𝐴
𝑅 10𝐾Ω
𝑉𝑅 −2𝑉
𝑖𝑅 = = = −0.2𝑚𝐴
𝑅 10𝐾Ω
Onda Resultante:
SUJETADORES
37. Trace 𝑽𝑶 para cada una de las Redes de la Figura. Con la entrada
mostrada.
c) Figura a
Analizando el semiciclo negativo
𝑉𝑖 − 𝑉𝑐 − 0.7𝑉 = 0
20 − 𝑉𝑐 = 0
−𝑉𝑐 = −20 + 0.7
𝑉𝑐 = 19.3
𝑉𝑂 = −0.7𝑉
Analizando el Semiciclo positivo
𝑉𝑂 − 𝑉𝑖 − 𝑉𝑐 = 0
𝑉𝑂 = 20𝑉 + 19.3𝑉
𝑉𝑂 = 39.3𝑉
Onda Resultante:
d) Figura b
38. Trace 𝑽𝑶 para cada una de las redes de la siguiente figura con la entrada
mostrada. ¿Sería una buena aproximación considerar que el diodo es ideal en ambas
configuraciones? ¿Por qué?
a)
Analizando el semiciclo negativo
𝑉𝑂 = −0.7𝑉
120𝑉 − 0.7𝑉 − 𝑉𝑐 = 0
𝑉𝐶 = 120𝑉 − 0.7𝑉
𝑉𝑐 = 119.3𝑉
120𝑉 + 𝑉𝑐 − 𝑉𝑂 = 0
𝑉𝑂 = 120𝑉 + 𝑉𝑐
𝑉𝑂 = 239.3𝑉
Onda resultante:
Figura b)
Analizando el semi-ciclo positivo
𝑉𝑂 − 0.7𝑉 − 20𝑉 = 0
𝑉𝑂 = 20.7𝑉
120𝑉 − 𝑉𝑂 − 𝑉𝑐 = 0
𝑉𝐶 = 120𝑉 − 𝑉𝑂
𝑉𝑐 = 99.3𝑉
120𝑉 + 𝑉𝑐 + 𝑉𝑂 = 0
𝑉𝑂 = −120𝑉 − 𝑉𝑐
𝑉𝑂 = −219.3𝑉
Onda resultante:
Si sería una buena aproximación realizar los cálculos utilizando diodos ideales
ya que los valores solo variarían en 0,7V que es el voltaje en el cual el diodo de
silicio conduce.
a) Calcule 5t.
c) Trace𝑽𝑶 .
a) 5𝑡 = 5(𝑅)(𝐶)
5𝑡 = (5)(50𝐾Ω)(0,1𝑢𝐹)
5𝑡 = 28𝑚𝑠.
1 1
b) 𝑇 = 𝑓 = 1𝐾𝐻𝑧 = 1𝑚𝑠
𝑇
5𝑡 ≫
2
5t es mucho mayor que la mitad del periodo por tanto se garantizará que el
capacitor esté cargado durante todo el periodo.
𝑉𝑂 − 0.7𝑉 + 2𝑉 = 0
𝑉𝑂 = 0.7𝑉 − 2𝑉
𝑉𝑂 = −1.3𝑉
10𝑉 − 𝑉𝑂 − 𝑉𝑐 = 0
𝑉𝐶 = 10𝑉 − 𝑉𝑂
𝑉𝑐 = 11.3𝑉
10𝑉 + 𝑉𝑐 + 𝑉𝑂 = 0
𝑉𝑂 = − 𝑉𝑐 − 10𝑉
𝑉𝑂 = −21.3𝑉
Onda resultante:
40. Diseñe un sujetador para que realice la función indicada en la figura 2.179.
Se utilizará un 𝑉𝑖 = 20𝑉 y un diodo ideal como se observa en el circuito para
obtener la forma de onda que se requiere.
41. Diseñe un sujetador para que realice la función indicada en la figura 2.180
C3
3.5uF
D3 R3
3.8k
1N4001
BAT3
2V
𝑉𝑚 = 120 𝑣𝑟𝑚𝑠
𝑉𝑚 = √2*120
𝑣𝑚 = 169.28 𝑣
𝑉𝑐 − 𝑣𝑚 − 𝑉𝑚 = 0
𝑉𝑐 = 2𝑉𝑚
𝑣𝑐 = 339.4𝑣
48. Determine los valores nominales de PIV requeridas de los diodos de la figura
2.118 en función del valor pico del voltaje secundario Vm
El PIV para cada diodo es de 2Vm
𝑃𝐼𝑉 = 2(1.414)(𝑉𝑟𝑚𝑠)