TAREA-TRANSISTOR MOS

JAIME EDUARDO GONZALEZ ROSAS

Benemérita Universidad Autónoma de Puebla (BUAP)
jimigonra@hotmail.com

Resumen - Este trabajo consta de verificar lo visto en clase transistor, en cada una de las regiones de
comparando la teoría con la simulación tratando que lo funcionamiento
relacionado sea lo mas parecido posible.

Palabras claves - transistor MOS- son dispositivos de efecto IV. DESARROLLO

de campo que utilizan un campo eléctrico para crear una canal
de conducción. En esta tarea tenemos que selecciona un punto o una de
las curvas desarrolladas anteriormente en clase ya con
Tensión - Para lograr que una lámpara como la de la figura se un nuevo valor de W y L propuesto.
encienda, debe circular por los cables a los cuales está
conectada, una corriente eléctrica.

corriente - La corriente eléctrica es una corriente o flujo de

electrones que atraviesa un material. Algunos materiales como
los “conductores” tienen electrones libres que pasan con
facilidad de un átomo a otro.

I. INTRODUCCIÓN
Determinando un nuevo VGS y VDS al obtener estos
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales: el drenador
(D, drain), la puerta (G, gate), el surtidor o fuente (S, source) y el valores recurrimos a las formulas vistas en clase para
sustrato (B, bulk). La corriente en el interior del dispositivo puede determinar ID.
ser en forma de electrones o huecos, fluye desde la fuente hasta el
drenador, y es controlada por la puerta. El terminal de sustrato se
utiliza para fijar la tensión umbral del transistor, mediante la
aplicación de una tensión constante.

II. CUERPO DEL INFORME

Cuando se aplica una tensión positiva al terminal de

puerta de un MOSFET tipo N, se crea un V. RESULTADOS
campo eléctrico bajo la capa de óxido que incide Para comprobar de mejor forma nuestros resultados
perpendicularmente sobre la superficie del utilizamos un programa para simular las formulas
semiconductor. Este campo atrae a los electrones hacia nuestra valores son:
la superficie bajo el óxido, repeliendo los
huecos hacia el sustrato. Si el campo eléctrico es muy Lineal:
intenso se logra crear en dicha superficie una • VGS=1.2
región muy rica en electrones, denominada canal N, que • VDS=0.6
permite el paso de corriente de la fuente al Saturación:
drenador; cuanto mayor sea la tensión de puerta mayor • VGS=1.2
será el campo eléctrico y, por tanto, la carga • VDS=2.5
en el canal. Una vez creado el canal, la corriente se Valores comunes:
origina aplicando una tensión en el drenador • K=57.3
positiva respecto a la de la fuente. • W=150u
• L=1u
• VTH= 0.6155718
Para el prime caso que la región lineal
III. OBJETIVO

El modelo del transistor MOS: ecuaciones que describen

el comportamiento en continua del
 VII. REFERENCIAS

https://unicrom.com/transistor-mosfet/
http://hispavila.com/wp-
content/uploads/2015/08/transistor_mos_cap4.pdf.

Para el prime caso que la región de saturación

VI. CONCLUSIONES Y
RECOMENDACIONES

En estas simulaciones y cálculos nos pudimos dar

cuenta que los valores son un aproximado y que en
ninguna de las 2 regiones aparece un valor exacto si no
es una aproximación.

También nos percatamos que la región de corte no

aparece en la simulación por este motivo decidí no
incluirlo en este reporte.