5.610  6.

12
% VB  x100%  9.091%
5.610
14.40  15.10
% I C  x100%  4.861%
14.40
2.272  2.342
% I B  x100%  3.081%
2.272
15.089  14.84
%VC  x100%  1.650%
15.089
10.179  9.414
%VCE  x100%  7.515%
10.179
4.910  5.431
% VE  x100%  10.611%
4.910
0.700  0.661
% VBE  x100%  5.900%
0.661
V.1 Describa al transistor bipolar como semiconductor y describa su principio de
funcionamiento.

El transistor es un componente electrónico semiconductor que tiene la

función de amplificar, controlar, conmutar o rectificar impulsos eléctricos.
Transistor es una contracción de las palabras en inglés transfer que
significa transferencia, y resistor que indica resistencia, por lo tanto, se
refiere a un dispositivo que transfiere o controla la resistencia eléctrica.

Funcionamiento:

Para que un transistor pueda funcionar correctamente, se tienen que

cumplir una serie de condiciones, como que:

 El espesor de la base sea muy pequeño

 El emisor esté mucho más dopado que la base
 Esté bien polarizado, es decir a las tensiones adecuadas.

Un transistor puede tener 3 estados posibles en su trabajo dentro de un

circuito:

- En activa : deja pasar más o menos corriente (corriente variable).

- En corte: no deja pasar la corriente (corriente cero).

- En saturación: deja pasar toda la corriente (corriente máxima).

V.2 Describa las principales variables eléctricas del transistor bipolar y las principales
relaciones entre

estas.

Fuente de voltaje: Suministra voltaje a todo el circuito eléctrico.

Voltaje de la base: Voltaje que se mide en la base.

VB  VE  VBE

Voltaje del emisor: Voltaje que se mide en el emisor.

VE  I E RE

Voltaje del colector: Voltaje que se mide en el colector.

VC  VCC  IC RC

Voltaje Base-Emisor: En el caso de los transistores de silicio, esta variable

puede valer 0.7 V.

VBE  0.7 V

Voltaje Colector-Emisor: Voltaje que se mide entre el colector y emisor.

VCE  VCC  IC ( RE  RC )

Intensidad de corriente de la base: Intensidad de corriente que transita por

la base.

VB  VBE
IB 
RB  (   1) RE

Intensidad de corriente del emisor: Intensidad de corriente que transita por

el emisor.

VE
IE 
RE

Intensidad de corriente del colector: Intensidad de corriente que transita por

el colector.

IC   I B

Como vemos en las formulas presentadas anteriormente se pueden

reemplazar en función de las otras según los que uno quiera hallar.
Además, la corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la
corriente base-emisor (control de corriente), o por la tensión base-emisor
(control de voltaje). Esto es debido a la relación tensión-corriente de la unión
base-emisor, la cual es la curva tensión-corriente exponencial usual de una
unión PN .

Por ende, se pueden tomar la siguiente aproximación.

I E  IC

Parámetro α
El parámetro α de un transistor indica la relación de semejanza que se
produce en la corriente de colector y las variaciones de las corrientes del
emisor.
Ganancia de corriente o parámetro β de un transistor
La circunstancia de que una pequeña corriente de base controle las
corrientes de emisor y colector mucho más elevadas, indica la capacidad
que posee un transistor para conseguir una ganancia de corriente. Así, la
ganancia de corriente de un transistor es la relación que existe entre la
variación o incremento de la corriente de colector y la variación de la
corriente base.

Relación entre los parámetros α y β

Combinando las expresiones de los parámetros anteriores: α = IC/IE y β =
IC/IB y teniendo en cuenta la relación existente entre las diferentes
corrientes que se dan en el transistor IE = IC+IB, se pueden encontrar las
expresiones matemáticas que relacionen ambos parámetros, tal como se
indica a continuación.