Panel fotovoltaico

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Art�culo principal: Energ�a solar fotovoltaica

Una instalaci�n de paneles solares en Canterbury (Nuevo Hampshire, Estados Unidos)

Estaci�n de carga para autom�viles el�ctricos alimentada por energ�a solar mediante
paneles instalados en la cubierta
Los paneles o m�dulos fotovoltaicos �llamados com�nmente paneles solares, aunque
esta denominaci�n abarca adem�s otros dispositivos� est�n formados por un conjunto
de c�lulas fotovoltaicas que producen electricidad a partir de la luz que incide
sobre ellos mediante el efecto fotoel�ctrico.

Los paneles fotovoltaicos, en funci�n del tipo de c�lula que los forman, se dividen
en:

Cristalinas
Monocristalinas: se componen de secciones de un �nico cristal de silicio (Si)
(reconocibles por su forma circular u octogonal, donde los 4 lados cortos, si se
puede apreciar en la imagen, se aprecia que son curvos, debido a que es una c�lula
circular recortada).
Policristalinas: cuando est�n formadas por peque�as part�culas cristalizadas.
Amorfas: cuando el silicio no se ha cristalizado.
Su efectividad es mayor cuanto mayor son los cristales, pero tambi�n su peso,
grosor y costo. El rendimiento de las primeras puede alcanzar el 22 %1? mientras
que el de las �ltimas puede no llegar al 10 %, sin embargo su costo y peso es muy
inferior.

El costo de los paneles fotovoltaicos se ha reducido de forma constante desde que

se fabricaron las primeras c�lulas solares comerciales2? y su coste medio de
generaci�n el�ctrica ya es competitivo con las fuentes de energ�a convencionales en
un creciente n�mero de regiones geogr�ficas, alcanzando la paridad de red.3?4?

�ndice
1 Historia
2 Las distintas generaciones de c�lulas fotovoltaicas
2.1 Breve introducci�n sobre la f�sica de los semiconductores
2.2 Las cuatro generaciones de c�lulas fotovoltaicas
3 Principio de funcionamiento
3.1 Principios te�ricos de funcionamiento
3.2 Fotogeneraci�n de portadores de carga
3.3 Separaci�n de los portadores de carga
3.4 Generaci�n de corriente en una placa convencional
3.5 La uni�n p-n
4 Factores de eficiencia de una c�lula solar
4.1 Punto de m�xima potencia
4.2 Eficiencia en la conversi�n de energ�a
4.3 Factor de llenado
4.4 TONC
5 Potencia y costes
6 Conectores
7 Usos de los paneles fotovoltaicos
7.1 Lista de aplicaciones
7.2 Panel de alta concentraci�n
8 V�ase tambi�n
9 Referencias
10 Enlaces externos
Historia
James Van Allen (en el centro) con una r�plica del propulsor que lanz� el Explorer
1 en el a�o 1958
V�ase tambi�n: Anexo:Cronolog�a del desarrollo de las c�lulas solares
El t�rmino fotovoltaico proviene del griego f??:phos, que significa �luz� y
voltaico, que proviene del campo de la electricidad, en honor al f�sico italiano
Alejandro Volta, (que tambi�n proporciona el t�rmino voltio a la unidad de medida
de la diferencia de potencial en el Sistema Internacional de medidas). El t�rmino
fotovoltaico se comenz� a usar en Inglaterra desde el a�o 1849.

El efecto fotovoltaico fue reconocido por primera vez en 1839 por el f�sico franc�s
Becquerel, pero la primera c�lula solar no se construy� hasta 1883. Su autor fue
Charles Fritts, quien recubri� una muestra de selenio semiconductor con un pan de
oro para formar el empalme. Este primitivo dispositivo presentaba una eficiencia de
solo un 1 %. En 1905 Albert Einstein dio la explicaci�n te�rica del efecto
fotoel�ctrico. Russell Ohl patent� la c�lula solar moderna en el a�o 1946, aunque
Sven Ason Berglund hab�a patentado, con anterioridad, un m�todo que trataba de
incrementar la capacidad de las c�lulas fotosensibles.

La era moderna de la tecnolog�a de potencia solar no lleg� hasta 1954 cuando los
Laboratorios Bell, descubrieron, de manera accidental, que los semiconductores de
silicio dopado con ciertas impurezas, eran muy sensibles a la luz.

Estos avances contribuyeron a la fabricaci�n de la primera c�lula solar comercial

con una conversi�n de la energ�a solar de, aproximadamente, el 6 %. La URSS lanz�
su primer sat�lite espacial en 1957, y los EE. UU. un a�o despu�s. En el dise�o de
este se usaron c�lulas solares creadas por Peter Iles en un esfuerzo encabezado por
la compa��a Hoffman Electronics.

La primera nave espacial que us� paneles solares fue el sat�lite norteamericano
Vanguard 1, lanzado en marzo de 1958.5? Este hito gener� un gran inter�s en la
producci�n y lanzamiento de sat�lites geoestacionarios para el desarrollo de las
comunicaciones, en los que la energ�a provendr�a de un dispositivo de captaci�n de
la luz solar. Fue un desarrollo crucial que estimul� la investigaci�n por parte de
algunos gobiernos y que impuls� la mejora de los paneles solares.

En 1970 la primera c�lula solar con heteroestructura de arseniuro de galio (GaAs) y

altamente eficiente se desarroll� en la extinta URSS por Zhor�s Alfi�rov y su
equipo de investigaci�n.

La producci�n de equipos de deposici�n qu�mica de metales por vapores org�nicos o

MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition), no se desarroll� hasta los a�os
1980, limitando la capacidad de las compa��as en la manufactura de c�lulas solares
de arseniuro de galio. La primera compa��a que manufactur� paneles solares en
cantidades industriales, a partir de uniones simples de GaAs, con una eficiencia de
AM0 (Air Mass Zero) del 17 % fue la norteamericana ASEC (Applied Solar Energy
Corporation). La conexi�n dual de la celda se produjo en cantidades industriales
por ASEC en 1989, de manera accidental, como consecuencia de un cambio del GaAs
sobre los sustratos de GaAs a GaAs sobre sustratos de germanio.

El dopaje accidental de germanio (Ge) con GaAs como capa amortiguadora cre�
circuitos de voltaje abiertos, demostrando el potencial del uso de los sustratos de
germanio como otros celdas. Una celda de uniones simples de GaAs lleg� al 19 % de
eficiencia AM0 en 1993. ASEC desarroll� la primera celda de doble uni�n para las
naves espaciales usadas en los EE. UU., con una eficiencia de un 20 %
aproximadamente.

Estas celdas no usan el germanio como segunda celda, pero usan una celda basada en
GaAs con diferentes tipos de dopaje. De manera excepcional, las c�lulas de doble
uni�n de GaAs pueden llegar a producir eficiencias AM0 del orden del 22 %. Las
uniones triples comienzan con eficiencias del orden del 24 % en 2000, 26 % en 2002,
28 % en 2005, y han llegado, de manera corriente al 30 % en 2007. En 2007, dos
compa��as norteamericanas, Emcore Photovoltaics y Spectrolab, producen el 95 % de
las c�lulas solares del 28 % de eficiencia.

Las distintas generaciones de c�lulas fotovoltaicas

El esquema de la figura corresponde a las diferencias de energ�a que hay entre las
bandas de valencia y las bandas de conducci�n en tres tipos distintos de
materiales. Dicha diferencia condiciona la conductividad el�ctrica de los mismos.
Breve introducci�n sobre la f�sica de los semiconductores
En una muestra de metal, los electrones exteriores de sus �tomos, denominados
electrones de valencia pueden moverse libremente. Se dice que est�n deslocalizados
en regiones del espacio que ocupan toda la red cristalina, como si de una malla se
tratase. En t�rminos energ�ticos esto quiere decir que los electrones de la �ltima
capa del �tomo ocupan niveles de energ�a altos que les permite escaparse del enlace
que les une a su �tomo.

El conjunto de estos niveles, muy pr�ximos unos de otros, forman parte de la

llamada banda de conducci�n (BC). Esta banda est� formada, adem�s, por niveles de
energ�a vac�os y es, precisamente, la existencia de estos niveles vac�os la que
permite que los electrones puedan saltar a ellos cuando se les pone en movimiento,
al aplicar un campo el�ctrico. Precisamente esta circunstancia permite que los
metales sean conductores de la electricidad. Los dem�s electrones del �tomo, con
energ�as menores, forman la banda de valencia (BV). La distancia entre ambas
bandas, en t�rminos de energ�a, es nula. Ambas bandas se solapan de manera que los
electrones de la BV con m�s energ�a se encuentran, tambi�n, en la BC.

En las sustancias aislantes, la BC est� completamente vac�a porque todos los

electrones, incluidos los de la �ltima capa, est�n ligados al �tomo, tienen una
energ�a m�s baja, y por lo tanto se encuentran en la banda de valencia, y adem�s la
distancia entre las bandas (se denomina a esta distancia energ�tica banda
prohibida, o gap) es bastante grande, con lo que les es muy dif�cil saltar a la BC.
Como la BV est� llena, los electrones no pueden moverse y no puede haber corriente
el�ctrica al aplicar un voltaje entre los extremos del aislante.

En los semiconductores, las bandas de valencia y conducci�n presentan una situaci�n

intermedia entre la que se da en un conductor y la que es normal en un aislante. La
BC tiene muy pocos electrones. Esto es debido a que la separaci�n que hay entre la
BV y la BC no es nula, pero s� peque�a. As� se explica que los semiconductores
aumentan su conductividad con la temperatura, pues la energ�a t�rmica suministrada
es suficiente para que los electrones puedan saltar a la banda de conducci�n,
mientras que los conductores la disminuyen, debido a que las vibraciones de los
�tomos aumentan y dificultan la movilidad de los electrones.

Lo interesante de los semiconductores es que su peque�a conductividad el�ctrica es

debida tanto a la presencia de electrones en la BC, como a que la BV no est�
totalmente llena.

Las cuatro generaciones de c�lulas fotovoltaicas

Barra de silicio policristalino

C�lula solar monocristalina durante su fabricaci�n

La primera generaci�n de c�lulas fotovoltaicas consist�an en una gran superficie de
cristal simple. Una simple capa con uni�n diodo p-n, capaz de generar energ�a
el�ctrica a partir de fuentes de luz con longitudes de onda similares a las que
llegan a la superficie de la Tierra provenientes del Sol. Estas c�lulas est�n
fabricadas, usualmente, usando un proceso de difusi�n con obleas de silicio. Esta
primera generaci�n (conocida tambi�n como c�lulas solares basadas en oblea) son,
actualmente, (2007) la tecnolog�a dominante en la producci�n comercial y
constituyen, aproximadamente, el 86 % del mercado de c�lulas solares terrestres.

La segunda generaci�n de materiales fotovoltaicos se basan en el uso de dep�sitos

epitaxiales muy delgados de semiconductores sobre obleas con concentradores. Hay
dos clases de c�lulas fotovoltaicas epitaxiales: las espaciales y las terrestres.
Las c�lulas espaciales, usualmente, tienen eficiencias AM0 (Air Mass Zero) m�s
altas (28-30 %), pero tienen un costo por vatio m�s alto. En las terrestres la
pel�cula delgada se ha desarrollado usando procesos de bajo coste, pero tienen una
eficiencia AM0 (7-9 %), m�s baja, y, por razones evidentes, se cuestionan para
aplicaciones espaciales.

Las predicciones antes de la llegada de la tecnolog�a de pel�cula delgada apuntaban

a una considerable reducci�n de costos para c�lulas solares de pel�cula delgada.
Reducci�n que ya se ha producido. Actualmente (2007) hay un gran n�mero de
tecnolog�as de materiales semiconductores bajo investigaci�n para la producci�n en
masa. Se pueden mencionar, entre estos materiales, al silicio amorfo, silicio
monocristalino, silicio policristalino, telururo de cadmio y sulfuros y seleniuros
de indio. Te�ricamente, una ventaja de la tecnolog�a de pel�cula delgada es su masa
reducida, muy apropiada para paneles sobre materiales muy ligeros o flexibles.
Incluso materiales de origen textil.

La llegada de pel�culas delgadas de Ga y As para aplicaciones espaciales

(denominadas c�lulas delgadas) con potenciales de eficiencia AM0 por encima del 37
% est�n, actualmente, en estado de desarrollo para aplicaciones de elevada potencia
espec�fica. La segunda generaci�n de c�lulas solares constituye un peque�o segmento
del mercado fotovoltaico terrestre, y aproximadamente el 90 % del mercado espacial.

La tercera generaci�n de c�lulas fotovoltaicas que se est�n proponiendo en la

actualidad (2007) son muy diferentes de los dispositivos semiconductores de las
generaciones anteriores, ya que realmente no presentan la tradicional uni�n p-n
para separar los portadores de carga fotogenerados. Para aplicaciones espaciales,
se est�n estudiando dispositivos de huecos cu�nticos (puntos cu�nticos, cuerdas
cu�nticas, etc.) y dispositivos que incorporan nanotubos de carbono, con un
potencial de m�s del 45 % de eficiencia AM0. Para aplicaciones terrestres, se
encuentran en fase de investigaci�n dispositivos que incluyen c�lulas
fotoelectroqu�micas, c�lulas solares de pol�meros, c�lulas solares de nanocristales
y c�lulas solares de tintas sensibilizadas.

Una hipot�tica cuarta generaci�n de c�lulas solares consistir�a en una tecnolog�a

fotovoltaica compuesta en las que se mezclan, conjuntamente, nanopart�culas con
pol�meros para fabricar una capa simple multiespectral. Posteriormente, varias
capas delgadas multiespectrales se podr�an apilar para fabricar las c�lulas solares
multiespectrales definitivas. C�lulas que son m�s eficientes, y baratas. Basadas en
esta idea, y la tecnolog�a multiuni�n, se han usado en las misiones de Marte que ha
llevado a cabo la NASA. La primera capa es la que convierte los diferentes tipos de
luz, la segunda es para la conversi�n de energ�a y la �ltima es una capa para el
espectro infrarrojo. De esta manera se convierte algo del calor en energ�a
aprovechable. El resultado es una excelente c�lula solar compuesta. La
investigaci�n de base para esta generaci�n se est� supervisando y dirigiendo por
parte de la DARPA para determinar si esta tecnolog�a es viable o no. Entre las
compa��as que se encuentran trabajando en esta cuarta generaci�n se encuentran
Xsunx, Konarka Technologies, Inc., Nanosolar, Dyesol y Nanosys.

Principio de funcionamiento
Principios te�ricos de funcionamiento
Algunos de los fotones, que provienen de la radiaci�n solar, impactan sobre la
primera superficie del panel, penetrando en este y siendo absorbidos por materiales
semiconductores, tales como el silicio o el arseniuro de galio.
Los electrones, part�culas subat�micas que forman parte del exterior de los �tomos,
y que se alojan en orbitales de energ�a cuantizada, son golpeados por los fotones
(interaccionan) liber�ndose de los �tomos a los que estaban originalmente
confinados.
Esto les permite, posteriormente, circular a trav�s del material y producir
electricidad. Las cargas positivas complementarias que se crean en los �tomos que
pierden los electrones, (parecidas a burbujas de carga positiva) se denominan
huecos y fluyen en el sentido opuesto al de los electrones, en el panel solar.

Se ha de comentar que, as� como el flujo de electrones corresponde a cargas reales,

es decir, cargas que est�n asociadas a desplazamiento real de masa, los huecos, en
realidad, son cargas que se pueden considerar virtuales puesto que no implican
desplazamiento de masa real.

Representaci�n de la diferencia de potencial, o voltaje de corriente con respecto

al tiempo en corriente continua
Un conjunto de paneles solares transforman la energ�a solar (energ�a en forma de
radiaci�n y que depende de la frecuencia de los fotones) en una determinada
cantidad de corriente continua, tambi�n denominada DC (acr�nimo del ingl�s Direct
Current y que corresponde a un tipo de corriente el�ctrica que se describe como un
movimiento de cargas en una direcci�n y un solo sentido, a trav�s de un circuito.
Los electrones se mueven de los potenciales m�s bajos a los m�s altos).

Opcionalmente:

La corriente continua se lleva a un circuito electr�nico conversor (inversor) que

transforma la corriente continua en corriente alterna, (AC) (tipo de corriente
disponible en el suministro el�ctrico de cualquier hogar) de 120 o 240 voltios.
La potencia de AC entra en el panel el�ctrico de la casa.
La electricidad generada se distribuye, casi siempre, a la l�nea de distribuci�n de
los dispositivos de iluminaci�n de la casa, ya que estos no consumen excesiva
energ�a, y son los adecuados para que funcionen correctamente con la corriente
generada por el panel.
La electricidad que no se usa se puede enrutar y usar en otras instalaciones.
Fotogeneraci�n de portadores de carga
Cuando un fot�n llega a una pieza de silicio, pueden ocurrir tres acontecimientos:

El fot�n puede pasar a trav�s del material de silicio sin producir ning�n efecto;
esto ocurre, generalmente, para fotones de baja energ�a.
Los fotones pueden ser reflejados al llegar a la superficie del panel, y son
expulsados de este.
El fot�n es absorbido por el silicio, en cuyo caso puede ocurrir:
Generar calor
Producir pares de electrones-huecos, si la energ�a del fot�n incidente es m�s alta
que la m�nima necesaria para que los electrones liberados lleguen a la banda de
conducci�n.
N�tese que si un fot�n tiene un n�mero entero de veces el salto de energ�a para que
el electr�n llegue a la banda de conducci�n, podr�a crear m�s de un �nico par
electr�n-hueco. No obstante, este efecto no es significativo, de manera usual, en
las c�lulas solares. Este fen�meno, de m�ltiplos enteros, es explicable mediante la
mec�nica cu�ntica y la cuantizaci�n de la energ�a.

Cuando se absorbe un fot�n, la energ�a de este se comunica a un electr�n de la red

cristalina. Usualmente, este electr�n est� en la banda de valencia, y est�
fuertemente vinculado en enlaces covalentes que se forman entre los �tomos
colindantes. El conjunto total de los enlaces covalentes que forman la red
cristalina da lugar a lo que se llama la banda de valencia. Los electrones
pertenecientes a esa banda son incapaces de moverse m�s all� de los confines de la
banda, a no ser que se les proporcione energ�a, y adem�s una energ�a determinada.
La energ�a que el fot�n le proporciona es capaz de excitarlo y promocionarlo a la
banda de conducci�n, que est� vac�a y donde puede moverse con relativa libertad,
usando esa banda, para desplazarse, a trav�s del interior del semiconductor.

El enlace covalente del cual formaba parte el electr�n, tiene ahora un electr�n
menos. Esto se conoce como hueco. La presencia de un enlace covalente perdido
permite a los electrones vecinos moverse hacia el interior de ese hueco, que
producir� un nuevo hueco al desplazarse el electr�n de al lado, y de esta manera, y
por un efecto de traslaciones sucesivas, un hueco puede desplazarse a trav�s de la
red cristalina. As� pues, se puede afirmar que los fotones absorbidos por el
semiconductor crean pares m�viles de electrones-huecos.

Un fot�n solo necesita tener una energ�a m�s alta que la necesaria para llegar a
los huecos vac�os de la banda de conducci�n del silicio, y as� poder excitar un
electr�n de la banda de valencia original a dicha banda.

El espectro de frecuencia solar es muy parecido al espectro del cuerpo negro cuando
este se calienta a la temperatura de 6000 K y, por tanto, gran cantidad de la
radiaci�n que llega a la Tierra est� compuesta por fotones con energ�as m�s altas
que la necesaria para llegar a los huecos de la banda de conducci�n. Ese excedente
de energ�a que muestran los fotones, y mucho mayor de la necesaria para la
promoci�n de electrones a la banda de conducci�n, ser� absorbido por la c�lula
solar y se manifestar� en un apreciable calor (dispersado mediante vibraciones de
la red, denominadas fonones) en lugar de energ�a el�ctrica utilizable.

Separaci�n de los portadores de carga

Hay dos modos fundamentales para la separaci�n de portadores de carga en una c�lula
solar:

movimiento de los portadores, impulsados por un campo electrost�tico establecido a

trav�s del dispositivo.
difusi�n de los portadores de carga de zonas de alta concentraci�n de portadores a
zonas de baja concentraci�n de portadores (siguiendo un gradiente de potencial
el�ctrico).
En las c�lulas de uni�n p-n, ampliamente usadas en la actualidad, el modo que
predomina en la separaci�n de portadores es por la presencia de un campo
electrost�tico. No obstante, en c�lulas solares en las que no hay uniones p-n
(t�picas de la tercera generaci�n de c�lulas solares experimentales, como c�lulas
de pel�cula delgada de pol�meros o de tinta sensibilizada), el campo el�ctrico
electrost�tico parece estar ausente. En este caso, el modo dominante de separaci�n
es mediante la v�a de la difusi�n de los portadores de carga.

Generaci�n de corriente en una placa convencional

Esquema el�ctrico
Los m�dulos fotovoltaicos funcionan, como se ha dejado entrever en el anterior
apartado, por el efecto fotoel�ctrico. Cada c�lula fotovoltaica est� compuesta de,
al menos, dos delgadas l�minas de silicio. Una dopada con elementos con menos
electrones de valencia que el silicio, denominada P y otra con elementos con m�s
electrones que los �tomos de silicio, denominada N.

Aquellos fotones procedentes de la fuente luminosa que proviene del sol, que
presentan energ�a adecuada, inciden sobre la superficie de la capa P, y al
interactuar con el material liberan electrones de los �tomos de silicio los cuales,
en movimiento, atraviesan la capa de semiconductor, pero no pueden volver. La capa
N adquiere una diferencia de potencial respecto a la P. Si se conectan unos
conductores el�ctricos a ambas capas y estos, a su vez, se unen a un dispositivo o
elemento el�ctrico consumidor de energ�a que, usualmente y de forma gen�rica se
denomina carga, se iniciar� una corriente el�ctrica continua.

Este tipo de paneles producen electricidad en corriente continua y aunque su

efectividad depende tanto de su orientaci�n hacia el sol como de su inclinaci�n con
respecto a la horizontal, se suelen montar instalaciones de paneles con orientaci�n
e inclinaci�n fija, por ahorros en mantenimiento. Tanto la inclinaci�n como la
orientaci�n, al sur, se fija dependiendo de la latitud y tratando de optimizarla al
m�ximo usando las recomendaciones de la norma ISO correspondiente.

La uni�n p-n
La c�lula solar m�s usual est� fabricada en silicio y configurada como un gran �rea
de uni�n p-n. Una simplificaci�n de este tipo de placas puede considerarse como una
capa de silicio de tipo n directamente en contacto con una capa de silicio de tipo
p. En la pr�ctica, las uniones p-n de las c�lulas solares, no est�n hechas de la
manera anterior, m�s bien, se elaboran por difusi�n de un tipo de dopante en una de
las caras de una oblea de tipo p, o viceversa.

Si la pieza de silicio de tipo p es ubicada en �ntimo contacto con una pieza de

silicio de tipo n, tiene lugar la difusi�n de electrones de la regi�n con altas
concentraciones de electrones (la cara de tipo n de la uni�n) hacia la regi�n de
bajas concentraciones de electrones (cara tipo p de la uni�n).

Cuando los electrones se difunden a trav�s de la uni�n p-n, se recombinan con los
huecos de la cara de tipo p. Sin embargo, la difusi�n de los portadores no continua
indefinidamente. Esta separaci�n de cargas, que la propia difusi�n crea, genera un
campo el�ctrico provocado por el desequilibrio de las cargas parando,
inmediatamente, el flujo posterior de m�s cargas a trav�s de la uni�n.

El campo el�ctrico establecido a trav�s de la creaci�n de la uni�n p-n crea un

diodo que permite el flujo de corriente en un solo sentido a trav�s de dicha uni�n.
Los electrones pueden pasar del lado de tipo p hacia el interior del lado n, y los
huecos pueden pasar del lado de tipo n hacia el lado de tipo p. Esta regi�n donde
los electrones se han difundido en la uni�n se llama regi�n de agotamiento porque
no contiene nada m�s que algunos portadores de carga m�viles. Es tambi�n conocida
como la regi�n de espacio de cargas.

Factores de eficiencia de una c�lula solar

Punto de m�xima potencia
Una placa o c�lula solar puede operar en un amplio rango de voltajes e intensidades
de corriente. Esto puede lograrse variando la resistencia de la carga, en el
circuito el�ctrico, por una parte, y por la otra variando la impedancia de la
c�lula desde el valor cero (valor de cortocircuito) a valores muy altos (circuito
abierto) y se puede determinar el punto de potencia m�xima te�rica, es decir, el
punto que maximiza V y tiempo frente a I, o lo que es lo mismo, la carga para la
cual la c�lula puede entregar la m�xima potencia el�ctrica para un determinado
nivel de radiaci�n.

El punto de potencia m�xima de un dispositivo fotovoltaico var�a con la iluminaci�n

incidente. Para sistemas bastante grandes se puede justificar un incremento en el
precio con la inclusi�n de dispositivos que midan la potencia instant�nea por
medida continua del voltaje y la intensidad de corriente (y de ah� la potencia
transferida), y usar esta informaci�n para ajustar, de manera din�mica, y en tiempo
real, la carga para que se transfiera, siempre, la m�xima potencia posible, a pesar
de las variaciones de luz, que se produzcan durante el d�a.

Eficiencia en la conversi�n de energ�a

La eficiencia de una c�lula solar ( {\displaystyle \eta } \eta , "eta"), es el
porcentaje de potencia convertida en energ�a el�ctrica de la luz solar total
absorbida por un panel, cuando una c�lula solar est� conectada a un circuito
el�ctrico. Este t�rmino se calcula usando la relaci�n del punto de potencia m�xima,
Pm, dividido entre la luz que llega a la celda, irradiancia (E, en W/m�), bajo
condiciones est�ndar (STC) y el �rea superficial de la c�lula solar (Ac en m�).

{\displaystyle \eta ={\frac {P_{m}}{E\times A_{c}}}} \eta = \frac{P_{m}}{E \times

A_c}
La STC especifica una temperatura de 25 �C y una irradiancia de 1000 W/m� con una
masa de aire espectral de 1,5 (AM 1,5). Esto corresponde a la irradiaci�n y
espectro de la luz solar incidente en un d�a claro sobre una superficie solar
inclinada con respecto al sol con un �ngulo de 41,81� sobre la horizontal.

Esta condici�n representa, aproximadamente, la posici�n del sol de mediod�a en los

equinoccios de primavera y oto�o en los estados continentales de los EE. UU. con
una superficie orientada directamente al sol. De esta manera, bajo estas
condiciones una c�lula solar t�pica de 230 cm� (6 pulgadas de ancho), y de una
eficiencia del 16 %, aproximadamente, se espera que pueda llegar a producir una
potencia de 4,4 W.

Factor de llenado
Otro t�rmino para definir la eficacia de una c�lula solar es el factor de llenado o
fill factor (FF), que se define como la relaci�n entre el m�ximo punto de potencia
dividido entre el voltaje en circuito abierto (Voc) y la corriente en cortocircuito
Isc:

{\displaystyle FF={\frac {P_{m}}{V_{oc}\times I_{sc}}}={\frac {\eta \times

A_{c}\times E}{V_{oc}\times I_{sc}}}} FF = \frac{P_{m}}{V_{oc} \times I_{sc}} =
\frac{\eta \times A_c \times E}{V_{oc} \times I_{sc}}
TONC
Temperatura de Operaci�n Nominal de la C�lula, definida como la temperatura que
alcanzan las c�lulas solares cuando se somete al m�dulo a una irradiancia de 800
W/m� con distribuci�n espectral AM (Air Mass) 1,5 G, la temperatura ambiente es de
20 �C y la velocidad del viento de 1 m/s.

Potencia y costes

Cronolog�a de las eficiencias de conversi�n logradas en c�lulas solares

fotovoltaicas (fuente: National Renewable Energy Laboratory de Estados Unidos)

Evoluci�n del precio de las c�lulas fotovoltaicas de silicio cristalino (en $/Wp)
entre 1977 y 2015 (fuente: Bloomberg New Energy Finance)
El par�metro estandarizado para clasificar su potencia se denomina potencia pico, y
se corresponde con la potencia m�xima que el m�dulo puede entregar bajo unas
condiciones estandarizadas, que son:

Radiaci�n de 1000 W/m�

Temperatura de c�lula de 25 �C (no temperatura ambiente).
En un d�a soleado, el Sol irradia alrededor de 1 kW/m� a la superficie de la
Tierra. Considerando que los paneles fotovoltaicos actuales tienen una eficiencia
t�pica entre el 12 %-25 %, esto supondr�a una producci�n aproximada de entre 120-
250 W/m� en funci�n de la eficiencia del panel fotovoltaico.

Por otra parte, est�n produci�ndose grandes avances en la tecnolog�a fotovoltaica y

ya existen paneles experimentales con rendimientos superiores al 40 %.6?

El coste de las c�lulas solares de silicio cristalino ha descendido desde 76,67

$/Wp en 1977 hasta aproximadamente 0,36 $/Wp en 2014.7?8? Esta tendencia sigue la
llamada ley de Swanson, una predicci�n similar a la conocida ley de Moore, que
establece que los precios de los m�dulos solares descienden un 20 % cada vez que se
duplica la capacidad de la industria fotovoltaica.9?

En 2011, el precio de los m�dulos solares se hab�a reducido en un 60 % desde el

verano de 2008, colocando a la energ�a solar por primera vez en una posici�n
competitiva con el precio de la electricidad pagado por el consumidor en un buen
n�mero de pa�ses soleados,10? Se ha producido una dura competencia en la cadena de
producci�n, y asimismo se esperan mayores ca�das del coste de la energ�a
fotovoltaica en los pr�ximos a�os, lo que supone una creciente amenaza al dominio
de las fuentes de generaci�n basadas en las energ�as f�siles.11? Conforme pasa el
tiempo, las tecnolog�as de generaci�n renovable son generalmente m�s baratas,12?13?
mientras que las energ�as f�siles se vuelven m�s caras.

En 2011, el coste de la fotovoltaica hab�a ca�do bastante por debajo del de la

energ�a nuclear, y se espera que siga cayendo:14?

Para instalaciones a gran escala, ya se han alcanzado precios por debajo de 1 $/W.
Por ejemplo, en abril de 2012 se public� un precio de m�dulos fotovoltaicos a 0,60
�/W (0,78 $/W) en un acuerdo marco de 5 a�os.15?

En algunas regiones, la energ�a fotovoltaica ha alcanzado la paridad de red, que se

define cuando los costes de producci�n fotovoltaica se encuentran al mismo nivel, o
por debajo, de los precios de electricidad que paga el consumidor final (aunque en
la mayor parte de las ocasiones todav�a por encima de los costes de generaci�n en
las centrales de carb�n o gas, sin contar con la distribuci�n y otros costes
inducidos).

M�s generalmente, es evidente que, con un precio de carb�n de 50 $/tonelada, que

eleva el precio de las plantas de carb�n a 5 cent./kWh, la energ�a fotovoltaica
ser� competitiva en la mayor parte de los pa�ses. El precio a la baja de los
m�dulos fotovoltaicos se ha reflejado r�pidamente en un creciente n�mero de
instalaciones, acumulando en todo 2011 unos 23 GW instalados ese a�o. Aunque se
espera cierta consolidaci�n en 2012, debido a recortes en el apoyo econ�mico en los
importantes mercados de Alemania e Italia, el fuerte crecimiento muy probablemente
continuar� durante el resto de la d�cada. De hecho, ya en un estudio se mencionaba
que la inversi�n total en energ�as renovables en 2011 hab�a superado las
inversiones en la generaci�n el�ctrica basada en el carb�n.14?

Conectores

Conectores fotovoltaicos MC4: conectores de corriente continua resistentes al agua

El MC4 es un conector de un solo contacto, utilizado de forma generalizada para
paneles fotovoltaicos. Tiene 4 mm de di�metro de pin de contacto.

Los conectores MC4 permiten que se puedan crear f�cilmente cadenas de paneles,
juntando a mano los conectores de paneles adyacentes, aunque requiere una
herramienta para desconectarlos, a fin de segurar que no se desconectan
accidentalmente cuando se tira de ellos.

Los MC4 y productos compatibles son universales en el mundo solar hoy en d�a,
equipando a la inmensa mayor�a de paneles solares producidos a partir de 2011.

Originalmente preparados para 600 V, las versiones actuales est�n capacitadas para
1500 V, lo que permite que se creen cadenas de paneles a�n mayores.

Usos de los paneles fotovoltaicos

V�ase tambi�n: Fotovoltaica integrada en edificios
Deben su aparici�n a la industria aeroespacial, y se han convertido en el medio m�s
fiable de suministrar energ�a el�ctrica a un sat�lite o a una sonda en las �rbitas
interiores del sistema solar, gracias a la mayor irradiaci�n solar sin el
impedimento de la atm�sfera y a su alta relaci�n potencia a peso.

En el �mbito terrestre, este tipo de energ�a se usa para alimentar innumerables

aparatos aut�nomos, para abastecer refugios o casas aisladas de la red el�ctrica y
para producir electricidad a gran escala a trav�s de redes de distribuci�n. Debido
a la creciente demanda de energ�as renovables, la fabricaci�n de c�lulas solares e
instalaciones fotovoltaicas ha avanzado considerablemente en los �ltimos a�os.16?
17?18? Experimentalmente tambi�n han sido usados para dar energ�a a veh�culos
solares, por ejemplo en el World Solar Challenge a trav�s de Australia. Muchos
yates y veh�culos terrestres los usan para cargar sus bater�as de forma aut�noma,
lejos de la red el�ctrica.

Entre los a�os 2001 y 2012 se ha producido un crecimiento exponencial de la

producci�n de energ�a fotovoltaica, dobl�ndose aproximadamente cada dos a�os.19? Si
esta tendencia contin�a, la energ�a fotovoltaica cubrir�a el 10 % del consumo
energ�tico mundial en 2018, alcanzando una producci�n aproximada de 2200 TWh,20? y
podr�a llegar a proporcionar el 100 % de las necesidades energ�ticas actuales en
torno al a�o 2027.21?

Programas de incentivos econ�micos, primero, y posteriormente sistemas de

autoconsumo fotovoltaico y balance neto sin subsidios, han apoyado la instalaci�n
de la fotovoltaica en un gran n�mero de pa�ses, contribuyendo a evitar la emisi�n
de una mayor cantidad de gases de efecto invernadero.22?

Lista de aplicaciones

Edificios dotados de paneles solares fotovoltaicos, en el marco del proyecto

Beddington Zero Energy Development (BedZED) en Sutton (Londres, Reino Unido).
Centrales conectadas a red para suministro el�ctrico.
Sistemas de autoconsumo fotovoltaico.
Electrificaci�n de pueblos en �reas remotas (electrificaci�n rural).
Suministro el�ctrico de instalaciones m�dicas en �reas rurales.
Corriente el�ctrica para viviendas aisladas de la red el�ctrica.
Sistemas de comunicaciones de emergencia.
Estaciones repetidoras de microondas y de radio.
Sistemas de vigilancia de datos ambientales y de calidad del agua.
Faros, boyas y balizas de navegaci�n mar�tima.
Bombeo para sistemas de riego, agua potable en �reas rurales y abrevaderos para el
ganado.
Balizamiento para protecci�n aeron�utica.
Sistemas de protecci�n cat�dica.
Sistemas de desalinizaci�n.
Veh�culos de recreo.
Se�alizaci�n ferroviaria.
Sistemas de carga para los acumuladores de barcos.
Postes de SOS (Tel�fonos de emergencia en carretera).
Parqu�metros.
Veh�culos el�ctricos:
Aire acondicionado.
Recargas de las bater�as, tanto en las estaciones de recarga, como a bordo.23?
Panel de alta concentraci�n
Art�culo principal: Energ�a solar fotovoltaica de concentraci�n
Fruto de un convenio de colaboraci�n firmado por la Universidad Polit�cnica de
Madrid (UPM), a trav�s de su Instituto de Energ�a Solar, la empresa Guascor Fot�n y
el Instituto para la Diversificaci�n y Ahorro de la Energ�a, organismo del
Ministerio de Industria, Turismo y Comercio espa�ol, se ha realizado la primera
instalaci�n solar de alta concentraci�n de silicio en explotaci�n comercial de
Europa.
Se trata de una instalaci�n solar fotovoltaica que, frente a una convencional,
utiliza una extraordinaria reducci�n de silicio y convierte la luz solar en energ�a
el�ctrica con muy alta eficiencia. Esta tecnolog�a surge como forma de aprovechar
al m�ximo el potencial del recurso solar y evitar por otra parte la dependencia del
silicio, cada vez m�s escaso y con un precio cada vez mayor debido al aumento de la
demanda por parte de la industria solar.

Desde los a�os 1970 se han realizado investigaciones sobre la tecnolog�a de

concentraci�n fotovoltaica de manera que ha mejorado su eficiencia hasta conseguir
superar a la fotovoltaica tradicional. No fue hasta 2006-2007 que las tecnolog�as
de concentraci�n pasaron de estar reducidas al �mbito de la investigaci�n y empezar
a conseguir los primeros desarrollos comerciales. En 2008 el ISFOC (Instituto de
Sistemas Solares Fotovoltaicos de Concentraci�n) puso en marcha en Espa�a una de
las mayores de este tipo a nivel mundial, conectando a la red 3 MW de potencia. En
este proyecto participaron varias empresas que utilizaban diversas tecnolog�as de
concentraci�n fotovoltaica (CPV).

Algunas de estas tecnolog�as utilizan lentes para aumentar la potencia del sol que
llega a la c�lula. Otras concentran con un sistema de espejos la energ�a del sol en
c�lulas de alta eficiencia para obtener un rendimiento m�ximo de energ�a. Algunas
empresas como SolFocus ya han empezado a comercializar la tecnolog�a CPV a gran
escala y est�n desarrollando proyectos en Europa y EE. UU. que superan los 10 MW en
2009.

La tecnolog�a de concentraci�n fotovoltaica se dibuja como una de las opciones m�s

eficientes en producci�n energ�tica a menor coste para zonas de alta radiaci�n
solar como son los pa�ses mediterr�neos, las zonas del sur de EE. UU., M�xico o
Australia, entre otras.