UNIVERSIDAD NACIONAL

MAYOR DE SAN MARCOS

Universidad del Perú, DECANA DE AMÉRICA

FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA

ESCUELA ACADEMICO PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

TEMA:

MEMORIA SRAM

ALUMNOS: Picón Ramírez Edgar Pablo

CODIGO: 16190080

CURSO: Laboratorio de Sistema digitales

PROFESOR: Ing. Guillermo Tejada Muñoz

TABLA DE CONTENIDO:

Página

RESUMEN Y OBJETIVOS DEL EXPERIMENTO 1

DESARROLLO DEL EXPERIMENTO 2

CONCLUSIÓN 12
RESUMEN Y OBJETIVOS DEL EXPERIMENTO

El presente trabajo desarrolla la parte experimental de la clase sobre memoria SRAM, se espera
analizar el proceso tanto de escritura y lectura en este dispositivo y comprobar con la parte teórica. Así
mismo se adicionan elementos para un mejor resultado un ejemplo de esto son los búferes sobre el
cual hablaremos más adelante.

Se comienza por implementar el circuito de la guía y reconocer la función de cada elemento

así como también los pines de los integrados, primero se grabaran los datos luego se visualizaran
cambiando direcciones de forma manual y por ultimo con la ayuda de un contador.

1
DESARROLLO DEL EXPERIMENTO:

Análisis de circuito:

Para el análisis del circuito mostrado es necesario conocer en primer lugar la función que
cumple cada pin de los circuitos integrados; para esto, será necesario revisar el Data Sheet de cada C.I.
, luego de conocer la función de cada pin será necesario separar por bloques el circuito para de esta
manera facilitar el análisis.

2
Mediante el siguiente cuadro se pasará a detallar cada zona delineada de color rojo:

I A0-A10: Líneas de dirección.

II I/O0-7: Pines que funcionan como entrada o salida de datos (tamaño de la

palabra).

/CS: Chip selector; sirve para habilitar o deshabilitar la memoria.

III /OE: Output enable; si esta en 0 entonces los pines I/O funcionan como salida
de datos; si esta en 1 funcionan como entrada de datos.

/WE: Write enable; si esta en 1 lógico la memoria entonces solo nos permitirá
leer, si esta en 0 lógico la memoria servirá para el almacenamiento de datos.

IV Vcc: Pin de alimentación a la memoria ( 4.5V- 5.5V)

GND: tierra (0V)

En el circuito integrado encontraremos los pines distribuidos de la siguiente manera:

3
Ahora se presenta al C.I. 74LS244, que se utiliza en el circuito; más adelante se detallará la función
que cumple en dicho circuito.

Ahora se empieza con el análisis por bloques del circuito:

Se empezará con el análisis de la selección de líneas de direcciones:

4
 Para el circuito solo se necesitará 4 direcciones puesto que se quiere guardar la palabra
“HOLA”, esto entonces significa que los demás pines de dirección se pondrán en 0 lógico (tierra).

Ahora se explicará los pines de control de la memoria:

SW1 Cuando está en ON la memoria cumplirá la función de guardar la

información, esto indicaría que los pines I/O funcionarán como ingreso de
datos.

5
 Cuando está en OFF la memoria nos mostrará la información antes
guardada, entonces los pines I/O funcionarán como salida de datos.

SW2 Para el caso de la experiencia es necesario que el SW2 este en ON,

entonces la memoria funcionará en todo momento.

PTO. 1 El punto también servirá para controlar a los buffers del C.I 74LS244.

Ahora se explicará la función del circuito 74LS244:

6
 74LS244 El bloque de buffers se activará cuando el punto 1 está en 0 lógico
ACTIVADO
Entonces se “escribirá” en la memoria, es decir esta dejará pasar los
estados del juego resistencias que se muestran en la figura.

74LS244 El bloque de buffers se desactivará cuando el pto.1 está en 1 lógico,

DESACTIVADO entonces “bloqueará” el paso de los estados que se presentan en el
juego de resistencias.

Ahora se mostrará el funcionamiento del display (no menos importante):

El display nos mostrará los datos así guardemos o leamos la información, esto es importante ya que
indicará si la información que estamos guardando es correcta.

ESCRITURA Y LECTURA:

7
Para el caso donde se almacenara la palabra HOLA y luego se la visualiza:

Primero se debe entender el siguiente diagrama:

 Pines de dirección: se necesita 4 direcciones de la memoria (4 Bytes), en cada una de estas se

almacenara una letra.

Dirección Palabra letra

A1 A0 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0

0 0 x 1 1 1 0 1 1 0 H

0 1 x 0 1 1 1 1 1 1 O

1 0 x 0 1 1 1 0 0 0 L

1 1 x 1 1 1 0 1 1 1 A

*se pone una x en D7 ya que este bit no se utiliza para formar letras en el display.

 Habilitar memoria: dicha señal tiene que mantenerse en bajo durante todo el proceso, caso
contrario la memoria no estará en funcionamiento.
 𝑅/𝑊 ̅ : esta señal va permutando su estado lógico de alto a bajo y de bajo a alto. Y de acuerdo
a la siguiente imagen se puede notar que cada letra luego de ser escrita (WRITE, señal en bajo)
es leída (READ, señal en alto).

1. Se habilita la memoria, para esto se cierra SW2 poniendo la entrada /CS a un estado bajo.
2. Como SW1 está inicialmente abierto, /OE está en estado bajo y la memoria en modo lectura.

8
 Es en este instante cuando en el display se aprecia lo siguiente, esto se puede definir como la
información inicial que posee la memoria en la dirección 00 (A1=0 y A0=0), lo cual en realidad
puede ser cualquier combinación de bits. Para nuestro caso:

3. Para ingresar una letra, en este caso la H en la dirección 00, se procede a realizar un arreglo en
el juego de resistencias de tal manera que:

D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0

1 1 1 0 1 1 0

Seguidamente se cierra el SW1, ahora /WE está en esta bajo (/OE en estado alto) se habilitan
los búferes y la memoria pasa a modo escritura. De esta manera se guardó la letra H.
Si nuevamente se pone /OE en esta bajo (/WE en estado alto y los búferes en estado Hi Z) se
puede leer esta misma letra en la dirección 00.

9
4. Para ingresar una letra, en este caso la O en la dirección 01, primero ponemos A1=0 y A0=1 y
se procede a realizar un arreglo en el juego de resistencias de tal manera que:

D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0

0 1 1 1 1 1 1

Seguidamente se cierra el SW1, ahora /WE está en esta bajo (/OE en estado alto) se habilitan
los búferes y la memoria pasa a modo escritura. De esta manera se guardó la letra O.
Si nuevamente se pone /OE en esta bajo (/WE en estado alto y los búferes en estado Hi Z) se
puede leer esta misma letra en la dirección 01.

10
5. Para guardar la letra L en la dirección 10, primero ponemos A1=1 y A0=0 y se procede a
realizar un arreglo en el juego de resistencias de tal manera que:

D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0

0 1 1 1 0 0 0

Seguidamente se cierra el SW1, ahora /WE está en esta bajo (/OE en estado alto) se habilitan
los búferes y la memoria pasa a modo escritura. De esta manera se guardó la letra L.
Si nuevamente se pone /OE en esta bajo (/WE en estado alto y los búferes en estado Hi Z) se
puede leer la letra L en la dirección 10.

11
6. Para guardar la letra A en la dirección 11, ponemos A1=1 y A0=1, y se procede a realizar un
arreglo en el juego de resistencias de tal manera que:

D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0

1 1 1 0 1 1 1

Seguidamente se cierra el SW1, ahora /WE está en esta bajo (/OE en estado alto) se habilitan
los búferes y la memoria pasa a modo escritura. De esta manera se guardó la letra A.
Si nuevamente se pone /OE en esta bajo (/WE en estado alto y los búferes en estado Hi Z) se
puede leer la letra A en la dirección 11.

12
Así en cada una de las cuatro direcciones ya se encuentran los respectivos bytes, y si se desea leer la
palabra HOLA simplemente se tiene ingresar las direcciones en orden ascendente.

Para lograr que la aparición de las letras sea “automática” se acondiciona un contador que controle el
bus de direcciones.

En este caso se usó un contador implementado con 2 flip flops JK de flanco negativo y con el
generados de señales usado como clock.

*no es aconsejable dejar las entradas CLEAR Y SET al aire, por lo que se debe conectar a fuente.
La frecuencia del generador es 1Hz.

CONCLUSIÓNES:

 Usamos búferes triestado para controlar las entradas “D0 – D7” durante el ciclo de escritura.
 La memoria Sram son volátiles y al cortar a la energía obteníamos salidas aleatorias en el
display.
 Se concluyó el experimento demostrando y explicando el funcionamiento de la memoria
SRAM6116 de manera satisfactoria, teniendo como prueba de esta experiencia que los
resultados obtenidos gracias a una buena teoría fueron precisos, con su respectiva explicación
y detallado orden; además estos resultados teóricos se compararon con los obtenidos en el
laboratorio mediante la LECTURA y ESCRITURA de la palabra HOLA, eso garantiza que el
funcionamiento del circuito funciona de manera óptima. Finalmente, no se presentaron
mayores inconvenientes en la experiencia y por tanto, el objetivo de comprobar el
funcionamiento del ciclo de escritura y lectura de la SRAM6116 fue realizado sin problemas.
 El display en todo momento se mantuvo funcionando y representa una ayuda para la realización
del experimento.

13