UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL DEL TACHIRA

NUCLEO DE MATERIALES Y PROCESOS ( Preparado por Hector Aguilar )

PROGRAMACION DE CIENCIA DE LOS MATERIALES 1ER PARCIAL

0. INTRODUCCION : ( PROPIEDADESDesempeño, microestructura, Composición, Síntesis y procesamiento )

1. INTRODUCCIÓN AL ESTUDIO DE LAS PROPIEDADES DE LOS MATERIALES

 Clasificación de las propiedades: Físicas ; Químicas ; Mecánicas ; Tecnológicas
 Clasificación de los materiales con relación a sus propiedades

2. ESTRUCTURA ATOMICA

3. ENLACES ATOMICOS
 Enlaces primarios: Iónico ; Covalente ; Metálico
 Enlaces secundarios: Fuerzas de Van Der Waals ; Dipolos ; Puentes de hidrogeno ; Otros.
 Enlaces mixtos
 Distancia de equilibrio y Factores que afectan la distancia de equilibrio.
 Relación entre las propiedades de los materiales y el enlace atómico.
 Clasificación de los materiales con relación al tipo de enlace predominante:
Cerámicos ; Metales ; Polímeros

4. ESTADO SOLIDO
 Tipos de sólidos
 Sólidos Cristalinos:Cristales Iónicos ; Cristales Covalentes ; Cristales Metálicos ; Cristales Moleculares
 Sólidos Amorfos
 Comportamiento Isotrópico y comportamiento Anisotrópico

5. ESTRUCTURAS CRISTALINAS
 Definición de cristal ; Celdas unitarias
 Sistemas cristalinos ( Redes de Bravais )
 Parámetros de red
 Numero de coordinación

6. SISTEMAS CRISTALINOS DE LOS METALES

 Estudio de las celdas: BCC ; FCC ; HCP.
 Alotropía y polimorfismo

7. IDENTIFICACION DE PUNTOS, DIRECCIONES Y PLANOS EN LAS CELDAS UNITARIAS (INDICES DE MILLER)

 Densidad lineal atómica
 Densidad planar atómica
 Planos y direcciones compactas

8. DEFECTOS CRISTALINOS
 Defectos puntuales
 Defectos lineales
 Defectos de superficie
 Defectos volumétricos
: Intersticio y vacancia
: Dislocación de borde y dislocación de tornillo
: Limites de grano y superficie del material.
: Sólidos amorfos

9. DESLIZAMIENTO :
 Teoría del deslizamiento.
 Sistemas de deslizamiento
 Materiales mono cristalinos y materiales policristalinos
 Relación entre defectos cristalinos y propiedades ( Mecanismos de endurecimiento )
 Ley de Schmid
 Relación entre estructura cristalina y propiedades

1
 IMAGENES DE ALGUNOS PROCESOS DE MANUFACTURA

e)
PROCESOS DE DEFORMACION PLASTICA
a) Laminado b) Forja c) Extrusión d) Trefilado e) Doblado de láminas

PROCESOS DE MECANIZADO PROCESO DE SOLDADURA POR FUSION

a) Torneado b) Taladrado c y d) Fresado

PROCESO DE FUNDICION Y COLADA

2
3
4
 ENLACES ATOMICOS

Fig . 1 Enlace atómico entre átomos de cloro y sodio. La transferencia de un electrón desde el Na al Cl crea un
catión ( Na+ ) y un anión ( Cl - ). El enlace iónico se establece debido a la atracción electrostática entre los
iones de carga opuesta.

Fig . 2 El enlace covalente requiere que los electrones sean compartidos entre los átomos, de manera que
cada uno obtenga estructura de capa llena. En la figura se representa la estructura tetraédrica de la sílice
( SiO2 ), que presenta uniones covalentes entre los átomos de silicio y de oxigeno.

Fig . 3 La unión metálica se constituye cuando los átomos ceden sus electrones de valencia, los cuales forman
un mar de electrones.

5
 ENLACES ATOMICOS (Enlaces mixtos)

(a)

(b)

Fig . 4 Enlace mixto, covalente – secundario. ( a ) Los átomos de cloro unidos a la cadena polimérica tienen
carga negativa, y los átomos de hidrógeno están cargados positivamente. Las cadenas se hallan débilmente
unidas por enlaces de Van der Waals, pero los átomos dentro de la molécula, o grupo de átomos, están unidos
por fuertes enlaces covalentes o iónicos. ( b ) Cuando se aplica una fuerza al polímero, los enlaces de Van der
Waals se rompen y las cadenas se deslizan una sobre la otra.

DISTANCIA DE EQUILIBRIO

Fig . 5 Fuerza/ distancia de separación, Fig . 6 Energía/ distancia de separación,

para un par de iones de carga opuesta. La para un par de iones de carga opuesta. En
distancia interiónica de equilibrio es ao . la distancia interiónica de equilibrio, ao, la
energía potencial neta es mínima.

6
Fig . 7 La distancia de separación de equilibrio para átomos o iones, corresponde a la mínima energía de
átomos o iones, además la fuerza neta entre la atracción y repulsión de los átomos o iones es nula.

RELACION ENTRE ENLACE ATOMICO Y PROPIEDADES

TABLA Nº 1 Algunas propiedades de los materiales asociadas con el tipo de enlace atómico

ENLACE SECUNDARIO
PROPIEDADES ENLACE IONICO ENLACE COVALENTE ENLACE METALICO
(Van der Waals)
Especialmente
No direccional,
No direccional, direccional,
determina
determina determina
Estructurales estructuras de alta Análogo al metálico
estructuras de alta estructuras de baja
coordinación y alta
coordinación coordinación y baja
densidad
densidad
Resistente, cristales Resistencia
Resistentes y de
de gran dureza, no variable, presentan Baja resistencia,
Mecánicas gran dureza, muy
presentan por lo general cristales blandos
poca ductilidad
ductilidad ductilidad
Medianamente alto Alto punto de Punto de fusión Bajo punto de
punto de fusión, fusión, bajo variable, alto fusión, alto
Térmicas
bajo coeficiente de coeficiente de coeficiente de coeficiente de
dilatación dilatación dilatación dilatación
Aisladores
moderados, Aisladores en el Conductores por
Eléctricas conducción por estado sólido y transporte de Aisladores
transporte iónico en líquido electrones
el estado líquido.

7
 ESTRUCTURAS CRISTALINAS

Celda unitaria

Fig. 8 Una red cristalina es un arreglo periódico de

puntos reticulares que definen un espacio. La celda
unitaria (cubo en negrita) es una subdivisión de la
red que sigue conservando las características de la
red.

Puntos reticulares

Fig. 9 Los catorce principales tipos de celdas unitarias, o redes de Bravais,

agrupados en siete sistemas cristalinos.

8
 TABLA Nº 2 Características de los siete sistemas cristalinos

Fig. 10 Definición de parámetros de red

y su uso en tres sistemas cristalinos

ANALISIS DE ESTRUCTURAS CRISTALINAS

Fig . 11 Disposición de empaquetamiento iónico en el NaCl. Seis iones de Cl- se pueden empaquetar en torno
a un ion de sodio. Para cada ion en esta estructura, el número de coordinación, NC, es 6 ; esto es,
cada uno tiene 6 vecinos inmediatos.

(a) (b) (c)

Fig. 12 Celdillas unidad BCC : ( a ) de posiciones atómicas; ( b ) celdilla unidad aislada; ( c ) vista del plano
diagonal AEGC.

9
 (a) (b) (c)

Fig. 13 Celdillas unidad FCC : ( a ) de posiciones atómicas; ( b ) celdilla unidad aislada; ( c ) vista del plano
diagonal AEFB

a a

c c

a
(a) (b) (c)

Fig. 14 Celdillas unidad HCP : ( a ) y ( b ); ( c ) Celda unidad de esferas sólidas.

TABLA Nº 3 Selección de propiedades físicas de algunos metales

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 INDICES DE MILLER (I.M)

DESIGNACION DE COORDENADAS CRISTALOGRAFICAS DE PUNTOS EN EL SISTEMA CUBICO

Se localizan estableciendo un sistema coordenado derecho y las distancias se miden en términos del parámetro
de red ( a ) , en cada una de las coordenadas X. Y y Z. Ej. 1

DESIGNACION DE DIRECCIONES CRISTALOGRAFICAS EN EL SISTEMA CUBICO

Para los cristales cúbicos los índices de las direcciones cristalográficas son las componentes vectoriales de las
mismas resueltas a lo largo de cada eje en un sistema coordenado predeterminado.
Los I.M. Se expresan como [u v w] Donde u, v y w son las componentes vectoriales reducidas a los enteros más
pequeños. Los índices negativos se representan con un guión en la parte superior del mismo. Ej. 2

NOTA:
 Existen grupos de direcciones equivalentes, sus índices particulares dependen de la ubicación del sistema de
referencia. Los grupos de direcciones equivalentes se denominan familia de direcciones y se designan por
<u v w>, donde u, v y w, son los Índices de Miller de cualquier miembro de la familia. Ej. 3

DESIGNACION DE PLANOS CRISTALOGRAFICOS EN CELDAS UNITARIAS CUBICAS

Para identificar los índices de planos cristalográficos, se establece un sistema coordenado cuyo origen no lo
contenga el plano; se identifican los puntos en los cuales el plano intercepta a los ejes coordenados; se calculan
los recíprocos de los puntos anteriores; Se eliminan las fracciones, sin reducir a los mínimos enteros. Los I. M.
Se expresan como (h k l). Los Índices negativos se representan igual que en las direcciones. Ej. 4

11
NOTAS.
 Los I.M. de un plano y sus negativos identifican el mismo plano. Ej. 5
 En el sistema cúbico si una dirección tiene los mismos I.M. que un plano, ambos son perpendiculares. Ej. 6
 Los planos de una familia representan grupos de planos equivalentes y se identifican por { h k l }. Ej. 7

DESIGNACION DE DIRECCIONES CRISTALOGRAFICAS EN EL SISTEMA HEXAGONAL

Para el sistema hexagonal, debido a su geometría particular se establece un sistema de coordenadas de tres
ejes, dos en el plano basal y uno vertical o un sistema de cuatro ejes, tres en el plano basal, donde uno de
ellos es redundante o transformación lineal de los otros dos y un cuarto eje vertical. Ej. 8
En el caso de tres ejes el procedimiento es el mismo utilizado en el sistema cúbico, se determinan las
componentes vectoriales de las direcciones resueltas a lo largo de cada eje y reducidas a los mínimos enteros.
Se expresan como [ u´ v ´w´ ].
En el caso de cuatro ejes, los I.M. de las direcciones cristalográficas son las componentes vectoriales de las
direcciones resueltas a lo largo de cada eje coordenado y reducidos a los mínimos enteros. Se expresan como
[u v t w]. Donde:
u = 1/3 ( 2u´ - v´ ) ; v = 1/3 (2v´ - u´ ) ; t = - 1/3 ( u´ + v´ ) ; w = w´ t=-(u+v)
u´ , v´ y w´ son los índices de Miller en el sistema de tres ejes.
Los índices negativos se representan igual que en el sistema cúbico. Ej. 9

DESIGNACION DE PLANOS EN EL SISTEMA HEXAGONAL

Se establece un sistema de coordenadas de cuatro ejes, cuyo origen no lo contenga el plano; se hallan los
puntos de intersección del plano con los ejes; se calculan los recíprocos de los puntos anteriores; se eliminan las
fracciones sin reducir a los mínimos enteros. Los I.M se expresan como ( h k i l). Donde, i = - (h + k).
Los I.M. negativos se representan igual que en el sistema cúbico. Ej.10

12
13
14
15
 DEFECTOS CRISTALINOS

Fig. 15 DEFECTOS PUNTUALES: ( a ) vacancia ; ( b ) átomo intersticial ; ( c ) y ( d ) átomo sustitucional ;

( d ) defecto Frenkel ( vacancia – intersticial ) en cristales iónicos ; ( f ) defecto Schottky ( doble vacancia ) en
cristales iónicos. Todos estos defectos alteran el arreglo perfecto de las redes cristalinas.

(a) (b) (c)

Fig. 16 DEFECTO LINEAL: Dislocación de borde. El defecto es representado por el borde de una sección de
un plano extra de átomos, indicado con una flecha en la figura ( a); ( b ) y ( c ) definición de vector de Burgers
(b).

Fig. 17 DEFECTO LINEAL: Dislocación de tornillo.

El vector de Burgers es paralelo a la línea de
dislocación CO.

16
 Límite o Fig. 18 DEFECTO SUPERFICIAL: Los átomos cerca
borde de de las fronteras de los tres granos no tienen un
grano espaciamiento o arreglo de equilibrio.

TEORIA DE DESLIZAMIENTO



Fig. 19 Deslizamiento de un plano de átomos

sobre otro plano de átomos adyacente. Este
proceso, que involucra un alto esfuerzo, es
necesario para deformar plásticamente
( permanentemente ) un cristal perfecto.





  

 

Fig. 20 La alternativa de bajo esfuerzo para

deformar plásticamente un cristal supone el
movimiento de una dislocación a lo largo del
plano de deslizamiento.

 

17
Fig. 21 Otra representación de bajo esfuerzo, en esta se explica que cuando se aplica un esfuerzo cortante a
la dislocación ( a ) los átomos se desplazan haciendo que la dislocación se mueva un vector de Burgers en la
dirección de deslizamiento ( b ). Un movimiento continuo de la dislocación finalmente causará un escalón ( c ) y
deformación permanente del cristal.

RELACION ENTRE DEFECTOS CRISTALINOS Y PROPIEDADES

(MECANISMOS DE ENDURECIMIENTO)

Fig. 22 Un átomo de impurezas genera un

campo de deformaciones en una red
cristalina, dificultando el movimiento de las
dislocaciones.

18
 LEY DE SCHMID

Fig. 23 Relación entre el esfuerzo de tracción uniaxial que actúa sobre un monocristal cilíndrico de metal puro y
el esfuerzo cortante o de cizalladura resultante que actúa en un sistema de deslizamiento del interior del
cilindro.

TABLA Nº 4 Sistemas de deslizamiento a temperatura ambiente y esfuerzo cortante critico para algunos
monocristales de metal puro.

19
TABLA Nº 5 Principales sistemas de deslizamiento observados en algunas estructuras cristalinas.

RELACION ENTRE ESTRUCTURA CRISTALINA Y PROPIEDADES

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