Universidad Tecnológica de Panamá

Facultad de Ingeniería Mecánica

Licenciatura en Ingeniería Mecánica
Circuitos electrónicos I
Instructora: Luzmila Lan
LABORATORIO N°1: CARACTERÍSTICAS DEL DIODO

Brenda G. Avilés
4-777-430

Brendagabriela19@hotmail.com

Jonathan Nash
8-894-276

Jonhynash1695@live.com

Tadeo Bethancourt
8-882-2290

Tadeo0394@gmail.com

José Luis Maure

8-889-1008

Jose.maure07@gmail.com

Andrés Quintero
8-900-196
Andres.quintero.23@hotmail.com

Resumen. El diodo es un componente electrónico de dos terminales que tiene la función de solo dejar pasar
la corriente en una sola dirección. La conductividad de este es menor a la de un conductor, pero mayor a la
de un aislante. El diodo se puede considerar como el dispositivo electrónico de característica i-v no lineal
más básico y fundamental. Tiene la particularidad que dependiendo de la diferencia de potencial se
comportará de forma distinta la curva característica del mismo (I vs V). Por debajo de cierta diferencia de
potencial se comporta como un circuito abierto, mientras que por encima de esta se comporta como un
circuito cerrado con una resistencia eléctrica muy pequeña. Son llamados rectificadores, debido a que tienen
la capacidad de eliminar las partes negativas de las señales, así iniciando el proceso para convertir la
corriente alterna en una continua. Existen muchos tipos de diodos, siendo los más conocidos y los más
utilizados los rectificadores, los zeners y los diodos emisores de luz (LEDs), entre otros.

Descriptores. Circuito, curva del diodo, osciloscopio, potenciómetro.

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Introducción.

Un diodo es un componente eléctrico de dos terminales que permite la circulación de la corriente eléctrica
a través de él en un solo sentido. Existen dos tipos de diodos comunes: El diodo semiconductor y el diodo de
vacío.
El diodo semiconductor es el más común en la actualidad consta de una pieza de cristal semiconductor
conectada a dos terminales eléctricos. El diodo de vacío es un tubo de vacío con dos electrodos un lamina como
ánodo y otra como cátodo; solo se utilizan en la actualidad en tecnologías de alta potencia.
De forma simplificada, la cursa característica de un diodo (I-V) consta, de dos regiones: por debajo de cierta
diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un
circuito cerrado con una resistencia eléctrica muy pequeña.
Dentro de las características aplicadas al diodo encontramos:
 Diodo rectificador: su máxima temperatura de soldadura es 350°C, tiempo máx. de soldadura 3,5
segundos. Vidrio unión pasivado, tiene alta capacidad de corriente, sus terminales llevan axiales, su
polaridad la banda de color indica el catado.
 Diodo schottky: trabaja a altas frecuencias de hasta 300 MHz, eliminando picos de corriente y en
conmutación altísima, con bajos niveles de tensión de alrededor de 100V, umbral bajo, y tiempos de
respuestas más rápidos debido a su construcción.
 Diodo ultra rápido: su tiempo de recuperación de es 35 y 60 nano segundos, temperatura de
funcionamiento de 175°C, capacidad de alta tensión 600 V, bajo nivel de fugas, alta capacidad para
soportar picos en conducción, bajas perdidas en conmutación.
 Diodo rápido: tiene alta capacidad de corriente y corriente de choque, alta fiabilidad, baja corriente
inversa, baja caída de tensión, cambio rapado de alta eficiencia.
 Diodo zener: diodo de silicio fuertemente dopado construido para que funcione en las zonas de
rupturas, es un regulador de voltaje o tensión, es de baja inductancia, alta temperatura de soldadura
260°C y 10 segundos a terminales, liberación de tensión incorporado.

Materiales y métodos

 Fuente de poder DC variable

 Multímetro digital
 Termómetro
 Osciloscopio de dos canales
 Generador de funciones
 Potenciómetro 10k *En lugar del potenciómetro puede utilizar resistencias individuales de los
valores indicados en la Tabla #1
 Placa de prueba
 Cables de conexión
 Diodo de silicio
 2 adaptadores de 3 a 2 terminales
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Resultados y Discusión

I. Determinación de la resistencia interna de la fuente de poder:

Tabla #1

Rv(K)  10K 8.21K 6.81K 5.6K 4.7K 2.2K 1K

Vab(V) 10 9.99 9.98 9.97 9.95 9.92 9.91 9.89
VRint(V) 0.01 0.02 0.03 0.05 0.08 0.09 0.11
IL(A) 0.000999 0.001215591 0.001464023 0.001776786 0.002110638 0.004504545 0.00989
IRint(A)
0.0004 0.0008 0.0012 0.002 0.0032 0.0036 0.0044

Grafico #1

y = -22.231x + 10.01
Voltaje Vab Vs IRint
10.02
10
9.98
9.96
Vab Vs IRint
9.94
Linear (Vab Vs IRint)
9.92
9.9
0 0.001 0.002 0.003 0.004 0.005
Amperios

Figura 2. Diagrama Vab vs IRint

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Gráfico #2

y = -9.3152x + 9.9892
Voltaje Vab Vs IL
10.02
10
9.98
9.96
9.94 Vab Vs IL
9.92 Linear (Vab Vs IL)
9.9
9.88
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012
Amperios

Figura 3. Diagrama Vab vs IL

Al observar el comportamiento de la primera grafica casi lineal, con ayuda del programa Excel nos ayudó a
calcular de manera rápida la pendiente y nos dio un valor aproximado a 22 ohmios que según ese valor se
acerca a los 25 ohmios que tenia de resistencia interna nuestra fuente de poder. Comparándolo con la segunda
grafica pudimos observar que esta arroja un valor promedio de resistencia del potenciómetro al calcular la
pendiente de esta gráfica.

II. Determinación de la gráfica de Id vs Vd por medición

Figura 4. Circuito # 2
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o Cálculo de VT:
Para calcular el potencial térmico se utilizará la temperatura de 24 °C.

𝑇 (1,3806488 × 10−23 )(24 + 273)

𝑉𝑇 = 𝐾 ∗ = = 0.02559 𝑉
𝑞 −1.602176 × 10−19

Tabla 2. Valores de funcionamiento de un diodo

Vr Vd Id=Vr/R
0 0 0
0 0.1 0
0 0.2 0
0 0.3 0
0.02 0.4 2x10-5
0.3 0.5 3x10-4
2.16 0.6 2.16x10-3
6.13 0.65 6.13x10-3
18.21 0.7 0.01821

0.02

0.015

0.01
Id (A)

0.005

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8

-0.005
Vd (V)

Figura 5. Diagrama Id vs Vd
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IV. Observar la característica estática del diodo en el osciloscopio.

Arme el circuito

Figura 6. Osciloscopio operando como un graficador X-Y a.

Figura 7. Programa Utilizado (NI Multisim 14)

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Nota: Asegúrese de que tanto la tierra de la fuente AC como la del osciloscopio estén Separadas e la del
sistema eléctrico proveniente del tomacorriente. Esto se logra utilizando el adaptador de 3 a 2 terminales

b. Observe en el osciloscopio la señal y(id) vs x(vd). Haga un bosquejo del gráfico observado en papel
cuadriculado

Figura 8. Programa Utilizado (NI Multisim 14) Señal y(id) vs x(vd)

I. Referencias bibliográficas
1. Boylestad, Electronic Devices and Circuits, 7th Ed. -Cap. 1, 2.2, 2.3, 2.11
2. Dewan; Straughen. “Power Semiconductor Circuits” John Wiley & Sons, Inc.
3. [2] Dewan; Slemon; Straughen. “Power Semiconductor Drives”. John Wiley & Sons,
Inc.
4. [3] Heumann “Fudamentos de la Electrónica de Potencia”. AEG – Telefunken. S