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DETECCIÓN DE ÓPTICA DIRECTA

RESUMEN: Este documento de investigación independiente de la intensidad de la luz incidente,

muestra la información recopilada acerca de la detección
óptica directa. Se parte de la explicación del efecto
fotoeléctrico, fundamento en el que se basa el
funcionamiento de los detectores ópticos, hasta la
descripción de los receptores con detección óptica
directa.
PALABRAS CLAVE: Detección óptica directa,
fotodetectores, receptores ópticos.
1 INTRODUCCIÓN
Todo sistema de comunicación tiene como objetivo
el intercambio de información, lo cual se describe a través
de tres bloques: transmisión, medio de transporte y
recepción de información. Un sistema óptico de
comunicaciones es en esencia un sistema electrónico de
comunicaciones que usa la luz como portadora de
información, ya sean datos, audio o video, y que requiere
el uso de fibra óptica como medio de propagación. Esta
investigación se enfocará en la detección óptica directa y
los fotodetectores, etapa que forma parte de un receptor
óptico.
2 DETECCIÓN DE ÓPTICA DIRECTA
La detección directa consiste en convertir la
potencia óptica directamente en una corriente eléctrica
proporcional a ella. Este de detección no permite la
recuperación, para su procesado, de la información
transportada en la fase de la portadora óptica.
3 EFECTO FOTOELÉCTRICO
pero depende de su frecuencia.
 La emisión del fotoelectrón se realiza
instantáneamente, independientemente de la
intensidad de la luz incidente.
4 DETECTORES ÓPTICOS
(FOTODETECTORES)
Los fotodetectores son dispositivos detectores de
energía luminosa encargados de transformarlas en
señales eléctricas.
Las características principales que debe tener son:
 Sensibilidad alta a la longitud de onda de
operación
 Contribución mínima al ruido total del receptor
 Ancho de banda grande (respuesta rápida)
 Alta fidelidad.
 Amplitud de respuesta eléctrica a la señal óptica
recibida.
 Tiempo de respuesta corto.
 Estabilidad de las características de ejecución.
 La corriente eléctrica generada por ellos es del
orden de los nanoamperios y por lo tanto se
requiere de una amplificación para manipular
adecuadamente la señal.
Entre los que se suelen usar para los receptores de
comunicación por fibra óptica están: los fotodiodos P-N,
los fotodiodos PIN, los fotodiodos PIN con preamplificador
FET y los fotodiodos de avalancha (APD).

El efecto fotoeléctrico consiste en la emisión de

electrones de un metal al incidir sobre él una radiación
electromagnética (luz visible o ultravioleta) (ver Figura 1).
En resumen, el efecto fotoeléctrico indica que los fotones
pueden transferir energía a los electrones.

3.1 LEYES DE EMISIÓN FOTOELÉCTRICA

 La cantidad de fotoelectrones emitidos es

directamente proporcional a la intensidad de luz
incidente de acuerdo a cada metal.
 Para cada metal dado, existe una cierta
frecuencia mínima de radiación incidente debajo
de la cual ningún fotoelectrón puede ser emitido
(frecuencia umbral). Figura1. Efecto fotoeléctrico
 Por encima de la frecuencia de corte, la energía
cinética máxima del fotoelectrón emitido es

1
.

Tabla 1. inhibe una rápida recombinación de los pares generados

que son arrastrados hasta las regiones cuasi-neutrales
Material Longitud de onda (nm) generando así una corriente eléctrica neta.
Silicio 190-1100
Germanio 800-1700 Al polarizar inversamente el fotodiodo la corriente
Indio galio arsénico 800-2600 generada ópticamente puede ser fácilmente detectada,
(InGaAs) ya que su magnitud es superior a la corriente de fuga
Sulfuro de plomo 1000-3500 inversa del diodo. En este contexto, la corriente de fuga
inversa del diodo, que está presente aún en ausencia de
luz, se denomina “corriente de oscuridad”.

4.1.2 CARACTERÍSTICAS

 Estos fotodiodos se fabrican para que puedan

generar de 0.1 nA a 100 nA de fotocorriente.
 No trabaja a velocidades altas.
 La zona de unión es físicamente muy delgada.
 El material del fotodiodo define sus propiedades de
absorción de luz (ver Tabla 1).

4.2 FOTODIODO PIN

4.2.1 FUNCIONAMIENTO

Este modelo de detector es el más utilizado en los

Figura 2. Esquema básico del funcionamiento de un
fotodiodo P-N
sistemas de comunicación óptica. La modificación de la
estructura básica del fotodiodo PN con la inclusión de una
capa de material semiconductor intrínseco (material puro)
resulta en lo que se conoce como el fotodiodo PIN o
fotodiodo intrínseco (ver Figura 3).

Los fotones entran en la zona intrínseca generando

pares electrón-hueco. El diodo se polariza inversamente
para acelerar las cargas presentes en la zona intrínseca,
que se dirigen a los electrodos. El proceso es rápido y
eficiente. Como no hay mecanismo de ganancia, la
máxima eficiencia es la unidad y el producto ganancia por
ancho de banda coincide con esta última.

Gracias al material intrínseco, se mantiene un

campo eléctrico más amplio que la capa normal de
agotamiento. Puesto que las concentraciones del material
donador y aceptor son bajas en los materiales PIN, la
resistividad es alta. Por consiguiente, solo se requiere de
una pequeña polarización inversa para incrementar el
ancho de la capa de agotamiento, hasta abarcar la
Figura 3. Estructura general del fotodiodo PIN
distancia entre terminales. A este comportamiento se le
llama de agotamiento total.
4.1 FOTODIODO P-N
4.2.2 CARACTERÍSTICAS
4.1.1 FUNCIONAMIENTO
 Sensible a un gran ancho de banda debido a la
Este modelo de fotodiodo básico está construido de ausencia del mecanismo de ganancia.
modo que la luz pueda alcanzar la juntura PN y generar  El incremento del ancho de la región activa se
portadores debido al efecto fotoeléctrico. De este modo, incrementa la eficiencia.
se producirá una corriente eléctrica proporcional a la  El ancho de la región de agotamiento incrementa
intensidad de la luz incidente (ver Figura 2). el tiempo de transito de los fotones.
 Compatible con circuitos amplificadores de
El funcionamiento del fotodiodo radica en la tensión.
separación de los pares electrón-hueco generados por la  Relativamente fácil de fabricar.
radiación que atraviesa la zona desierta de la juntura PN.  Altamente fiable.
El campo eléctrico de presente en la juntura es el que  Bajo ruido

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.

distancia por fibra óptica. Sin embargo, el alto costo de los

4.3 FOTODIODO PIN-FET fotodiodos APD es un factor limitante en su uso.

En la Figura 3, este diodo está conformado por una

4.3.1 FUNCIONAMIENTO
El fotodiodo PIN-FET reúne las funciones de
detector y de amplificador (o preamplificador) en un
mismo dispositivo. Para la función de detección usa al
fotodiodo PIN y para poder amplificar la señal usa un
amplificador de tipo FET de alta calidad.
Para aumentar la sensibilidad del PIN se usan
fotodiodos PIN –con preamplificador FET- que poseen un
ancho de banda amplio, pudiendo ser utilizados para
diferentes longitudes de onda y diferentes tipos de fibras.
4.3.2 CARACTERÍSTICAS
 Adecuado para aplicaciones de 400 nm a 1100 nm
y de 880 nm.
 Sensibilidad a un gran ancho de banda.
 Se puede obtener señales ópticas de hasta nano
watts.
4.4 FOTODIODO DE AVALANCHA (APD)
capa intrínseca, casi pura, de material semiconductor,
introducida entre la unión de dos capas de materiales
semiconductores tipo n y p.
4.4.2 CARACTERÍSTICAS
 Cuanto mayor sea el voltaje de inversa, mayor es
la ganancia.
 La ganancia varía fuertemente con la temperatura.
 Los fotodiodos de avalancha son más sensibles
que otros fotodiodos semiconductores.
 Según el material que se use varía las
características de los mismos dando diferentes
tipos de longitudes de onda.
 La ganancia de un APD influye sobre el ancho de
banda.
 Su alto costo en un factor limitante en su uso.
5 CARACTERÍSTICAS DE LOS
DETECTORES DE LUZ

4.4.1 FUNCIONAMIENTO 5.1 RESPONSIVIDAD

Es una medida de la eficiencia de conversión de un
Los fotodiodos de avalancha (APD) (ver Figura 4.)
fotodetector y es la relación de corriente de salida de un
son fotodetectores especialmente diseñados para medir
fotodiodo contra la potencia óptica que le entra. Las
luz de muy baja intensidad. En los APD la luz externa
unidades están dadas en amperios/vatio. Generalmente
incide en una zona intrínseca, generando portadores
la responsividad está asociada a una determinada
libres, al igual que en un fotodiodo PIN. Pero estos
longitud de onda.
portadores son luego acelerados por un campo eléctrico
muy intenso, provocando un efecto de “avalancha” debido
al cual cada portador original es acelerado y al chocar con 5.2 CORRIENTE OSCURA
la red provoca la creación de nuevos portadores. El
voltaje de polarización inversa es típicamente de 100-200 Es la corriente de reposo que pasa por un fotodiodo
V y la ganancia por efecto de avalancha es del orden 100 cuando no hay entrada luminosa. Se debe a portadores
veces. generados térmicamente en el diodo.
Algunas otras técnicas que permiten aplicar un
voltaje mayor (>1500V) antes de alcanzar APD de silicio
emplean un dopaje alternativo y el efecto de avalancha y,
por tanto, una ganancia mayor (>1000). En general,
cuanto mayor es el voltaje en inversa, mayor es la
ganancia.

Para una ganancia muy alta (de 105 a 106) pueden

operar con una tensión en inversa por encima de la
tensión de ruptura. En este caso, el APD necesita tener la
corriente limitada y disminuida rápidamente. Los APD que
operan en este régimen de ganancia están en “modo
Geiger”. Este modo es particularmente útil para la
detección de fotones aislados suponiendo que la corriente
de oscuridad sea lo suficientemente baja; literalmente,
esto implica “contar fotones”. Debido a su alta sensibilidad
(mucho mayor al fotodiodo PIN) y a su elevada velocidad
de respuesta, algunas aplicaciones típicas de los APD
son el telémetro laser, la telecomunicación de larga Figura 4. Estructura general del fotodiodo APD

3
.
5.3 TIEMPO DE TRÁNSITO
El tiempo que requiere un portador inducido con luz
para viajar a través de la región de agotamiento o
vaciamiento. Este parámetro determina la máxima razón
de bit posible con un fotodiodo específico.
5.4 RESPUESTA ESPECTRAL
Es el intervalo de longitudes de onda que se puede
usar con determinado fotodiodo. En general la respuesta
espectral relativa se grafica en función de la longitud de
onda.
5.5 SENSIBILIDAD A LA LUZ
Esta sensibilidad es la potencia óptica mínima que
puede recibir un detector para producir una señal eléctrica
útil de salida a una determinada longitud de onda y está
dada en dBm o dBμ.
5.6 POTENCIA DE RUIDO DE FONDO
El receptor genera ruido terminal en la conexión
entre la fibra y el detector óptico llamado ruido de fondo.
El ruido también puede especificarse como una potencia
y corresponde a la relación entre el voltaje de ruido típico
máximo y la responsividad.
6 RUIDO EN EL FOTODETECTOR
La corriente real que se genera en un fotodiodo
durante la detección de fotones es de carácter aleatorio.
Las fluctuaciones generadas por este tipo
comportamiento se consideran como ruido, así que
pueden ser analizadas de forma probabilística.
6.1 FUENTES DE RUIDO INHERENTES
 Ruido cuántico o de impacto de la fotocorriente
generada: este ruido se debe a la llegada aleatoria
de fotones al foto-detector y de esta manera a la
generación y colecta aleatoria de electrones.
 Ruido de impacto de la corriente de obscuridad: este
es debido a los pares electrón hueco que son
generados térmicamente en la unión pn del
fotodiodo. En un APD estos son multiplicados por el
mecanismo de avalancha.
 Ruido térmico o Johnson: se debe a las fluctuaciones
aleatorias de la corriente, debido al movimiento
aleatorio, inducido térmicamente, de los electrones
dentro de un conductor.
7 RECEPTOR ÓPTICO
Un sistema de comunicación óptica general está
compuesto por un transmisor óptico, un receptor óptico y
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como medio de transmisión, fibra óptica. Un receptor
óptico convierte la señal óptica proveniente de la fibra
óptica en la señal eléctrica y recupera los datos
transmitidos. Se compone de un fotodetector, que
convierte la luz en corriente eléctrica por medio del efecto
fotoeléctrico, y de los circuitos necesarios asociados que
lo capaciten para funcionar en un sistema de
comunicaciones ópticas.
Los receptores ópticos, en general, deben tener alta
sensibilidad, respuesta rápida, bajos niveles de ruido,
bajo costo y una alta confiabilidad. En el caso de sistemas
de fibra óptica. El área fotosensible del fotodetector debe
ser comparable con el núcleo de una fibra. Los requisitos
antes mencionados son satisfechos de una mejor manera
por detectores fabricados con base en materiales
semiconductores.
8 RECEPTOR CON DETECCIÓN OPTICA
DIRECTA
La configuración más básica de un receptor óptico
es la que requiere de un fotodetector convierte el flujo de
los fotones incidentes en un flujo de electrones, estas son
conocidas como receptores con detección óptica directa.
Una limitación que presenta este receptor al
emplear un fotodiodo PIN como detector es la
sensibilidad del receptor ante el ruido térmico, generado
en la salida del fotodiodo. Sin embargo, es posible el uso
del fotodiodo de avalancha APD, donde el mecanismo de
multiplicación de la corriente fotogenerada en el
fotodiodo amplifica la señal fotodetectada. La segunda
alternativa es un pre-amplificador óptico (ver Figura 6)
antes del fotodetector para amplificar la señal óptica
antes de la detección.
Entre los tipos de receptores ópticos también son
muy conocidos los receptores de detección coherente.
Este posee un nivel de potencia del oscilador local tan alto
que el ruido térmico no afectará la entrada del receptor.
Aunque esta sea una gran ventaja respecto a la
detección óptica directa, este último es el más usado
debido a su simplicidad y reducido coste, mientras que los
sistemas coherentes requieren la introducción de
determinadas sofisticaciones en sus componentes,
complicando y encareciendo estas soluciones.
Esto ha conllevado a que la mayoría de los sistemas
de comunicación por fibra óptica que se usan en la
actualidad son del tipo Modulación de Intensidad y
Detección Directa (IM/DD) es decir, la fuente de luz es
modulada directamente y la detección es hecha de
manera directa, usando fotodiodos PIN o fotodiodo de
avalancha APD.
.

Figura 5. Modelo de un receptor óptico con

detección directa Figura 6. Modelo de un receptor óptico con detección
directa y un amplificador óptico.

5
.

9 CONCLUSIONES

 El efecto fotoeléctrico es fundamental para entender

la conversión de energía lumínica a energía
eléctrica desarrollada por los fotodetectores.

 Los fotodiodos PIN y APD son los más usados en

los receptores de detección óptica directa. Aunque
cada uno tiene sus propias desventajas como la
sensibilidad al ruido térmico o el tiempo de
transición.

 Las características de absorción del fotodiodo

dependen de su material de fabricación.

 La eficiencia del proceso de absorción de una señal

lumínica puede ser medida por medio de análisis
probabilístico.

 Los receptores ópticos de detección directa resaltan

por lo simplicidad y bajo coste, esta gran
accesibilidad permite su implementación en
diversos proyectos de investigación.

10 REFERENCIAS
[1] W. Tomasi, “Electronic Communications Systems:
Fundamentals Through Advanced”, 4th. ed., Pearson
Education, Inc., pp. 458-460 (2003)
[2] M. C. España Boquera, “Comunicaciones Ópticas”, Díaz de
Santos, S. A., pp. 137-158. 2005.
[3] B. Rossi, “Fundamentos de óptica”, 4th. ed., Pearson
Education, Inc., pp. 458-460 (2003)
[4] B. Pinto, “Sistemas de Comunicaciones ópticas”, 1st. ed.,
Universidad Militar Nueva Granada, Bogotá, (2014)