Sirve para medir la ganancia de corriente estática de
un transistor bipolar o BJT (Bipolar Junction
Transistor)
El nombre bien escrito es hFE y es la ganancia
estática de corriente en emisor común (estática se aplica al circuito al circuito en corriente continua)
La h proviene de hibrido ya que el transistor se
caracteriza por parámetros denominados h entre los que podemos encontrar el hie (relacionado con la resistencia de entrada), hoe (relacionado con la resistencia de salida), hfe (Ganancia dinámica de corriente en emisor común), hFE (Ganancia estática de corriente en emisor común)