SEXTA EDIÇÃO

DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
E TEORIA DE CIRCUITOS

ROBERT BOYLESTAD
LOUIS NASHELSKY

Tradução de

Alberto Gaspar Guimarães

Engenheiro de Telecomunicações e Mestre em Engenharia Elétrica pelo Instituto Militar de Engenharia

Luiz Alves de Oliveira

Engenheiro de Telecomunicações pelo Instituto Militar de Engenharia

Revisão Técnica

Alberto Gaspar Guimarães

ilc
EDITORA
Electronic Devices and Circuit Theory
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sem permissão expressa da Editora.
 Dedicado a

ELSE MARIE; ERIC; ALISON, MARK e KELCY; STACEY e DOUGLAS; ]OHANNA

ea

KATRIN, KIRA, LARREN, TOMMY,JUSTIN e PATTY

 Suinário

Prefácio, xi 3.10 Teste de Transistores, 93

Agradecimentos, xiii 3.11 Encapsulamento do Transistor e Identificação dos
Equações Importantes, xv Terminais, 98
3.12 Análise por Computador, 98

1 DIODOS SEMICONDUTORES, 1
1.1 Introdução, 1 4 POLARIZAÇÃO DC-TBJ, 102
1.2 Diodo Ideal, 1 4.1 Introdução, 102
1.3 Materiais Semicondutores, 1 4.2 Ponto de Operação, 102
1.4 Níveis de Energia, 4 4.3 Circuito com Polarização Fixa, 104
1.5 Materiais Extrínsecos - Tipos n e p, 5 4.4 Circuito de Polarização Estável do Emissor, 109
1.6 Diodo Semicondutor, 7 4.5 Polarização por Divisor de Tensão, 112
1.7 Níveis de Resistência, 13 4.6 Polarização DC com Realimentação de Tensão, 116
1.8 Circuitos Equivalentes de Diodo, 16 4.7 Configurações Mistas de Polarização, 118
1.9 Folhas de Especificações do Diodo, 18 4.8 Procedimentos de Projeto, 121
1.10 Capacitância de Transição e Difusão, 22 4.9 Circuitos de Chaveamento com Transistor, 125
1.11 Tempo de Reestabelecimento Reverso, 22 4.10 Técnicas de Solução de Problemas em Circuitos, 127
1.12 Notação do Diodo Semicondutor, 23 4.11 Transistores PNP, 130
1.13 Verificação do Diodo, 23 4.12 Estabilização da Polarização, 131
1.14 Diodos Zener, 24 4.13 Análise por Computador, 136
1.15 Diodos Emissores de Luz, 27
1.16
1.17
Arranjo de Diodos - Circuitos Integrados, 30
Análise por Computador, 32 s TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO, 150
5.1 Introdução, 150
2 APLICAÇÕES DO DIODO, 36 5.2
5.3
Construção e Características do JFET, 151
Características de Transferência, 155
2.1 Introdução, 36 5.4 Folha de Especificações (JFETs), 158
2.2 Análise por Reta de Carga, 36 5.5 Instrumentação, 158
2.3 Aproximações para o Diodo, 41 5.6 Relações Importantes, 161
2.4 Configurações Série de Diodos com Entradas DC, 42 5.7 MOSFET Tipo Depleção, 161
2.5 Configurações Paralela e Série-Paralela, 46 5.8 MOSFET Tipo Intensificação, 164
2.6 Portas E/OU, 47 5.9 Emprego do MOSFET, 170
2.7 Entradas Senoidais: Retificação de Meia-Onda, 49 5.10 VMOS, 170
2.8 Retificação de Onda Completa, 51 5.11 CMOS, 172
2.9 Ceifadores, 54 5.12 Quadro-Resumo, 173
2.10 Grampeadores, 59 5.13 Análise por Computador, 174
2.11 Diodos Zener, 62
2.12 Circuitos Multiplicadores de Tensão, 67
2.13 Análise por Computador, 69 6 POLARIZAÇÃO DO FET, 178
6.1 Introdução, 178
3 TRANSISTORES BIPOLARES DE 6.2 Configuração com Polarização Fixa, 178
JUNÇÃO, 80 6.3 Configuração com Autopolarização, 181
6.4 Polarização por Divisor de Tensão, 185
3.1 Introdução, 80 6.5 MOSFET Tipo Depleção, 188
3.2 Construção do Transistor, 80 6.6 MOSFET Tipo Intensificação, 191
3.3 Operação do Transistor, 81 6.7 Quadro-Resumo, 194
3.4 Configuração Base-Comum, 82 6.8 Circuitos Combinados, 194
3.5 Transistor como Amplificador, 85 6.9 Projeto, 197
3.6 Configuração Emissor-Comum, 86 6.10 Verificação de Defeitos, 199
3.7 Configuração Coletor-Comum, 91 6.11 FETs de Canal-P, 200
3.8 Limites de Operação, 91 6.12 Curva Universal de Polarização para o JFET, 201
3.9 Folha de Especificações do Transistor, 93 6.13 Análise por Computador, 204
 Sumário viii

7 MODELAGEM DO TRANSISTOR TBJ, 213 10.10 Quadro-Resumo, 327

10.11 Sistemas em Cascata, 327
7.1 Introdução, 213 10.12 Análise por Computador, 332
7.2 Amplificação no Domínio AC, 213
7.3 Modelagem do Transistor TBJ, 214
7.4 Parâmetros Importantes: Zi, Z Av, Ai, 215
0,
11 RESPOSTA DE FREQÜÊNCIA DO TBJ E
7.5 Modelo re do Transistor, 219 JFET, 341
7.6 Modelo Híbrido Equivalente, 223
7.7 Determinação Gráfica dos Parâmetros h, 227 11.1 Introdução, 341
7.8 Variações dos Parâmetros do Transistor, 229 11.2 Logaritmos, 341
7.9 Análise por Computador, 231 11.3 Decibel, 343
11.4 Considerações Gerais sobre Freqüência, 345
11.5 Análise para Baixas Freqüências - Diagrama de Bode, 347
8 ANÁLISE DO TBJ PARA PEQUENOS 11.6 Resposta em Baixas Freqüências -Amplificador TBJ, 351
SINAIS, 236 11.7 Resposta em Baixas Freqüências - Amplificador FET, 357
11.8 Efeito da Capacitância de Miller, 360
8.1 Introdução, 236 11.9 Resposta em Altas Freqüências - Amplificador TBJ, 361
8.2 Configuração Emissor-Comum com Polarização 11.10 Resposta em Altas Freqüências - Amplificador FET, 366
Fixa, 236 11.11 Efeitos da Freqüência em Circuitos Multiestágios, 369
8.3 Polarização por Divisor de Tensão, 238 11.12 Teste de Onda Quadrada, 370
8.4 Circuito EC com Polarização no Emissor, 240 11.13 Análise por Computador, 372
8.5 Configuração Seguidor-de-Emissor, 244
8.6 Configuração Base-Comum, 246
8.7
8.8
Configuração com Realimentação no Coletor, 248
Configuração com Realimentação DC no Coletor, 251
12 CONFIGURAÇÕES COMPOSTAS, 377
8.9 Circuito Híbrido Equivalente Aproximado, 253 12.1 Introdução, 377
8.10 Modelo Híbrido Equivalente Completo, 256 12.2 Conexão em Cascata, 377
8.11 Quadro-Resumo, 260 12.3 Conexão Cascode, 380
8.12 Verificação de Defeitos, 262 12.4 Conexão Darlington, 381
8.13 Análise por Computador, 263 12.5 Par Realimentado, 385
12.6 Circuito CMOS, 387
12.7 Circuitos de Fontes de Corrente, 388
9 ANÁLISE DO FET PARA PEQUENOS 12.8 Circuitos Espelhos de Corrente, 390
SINAIS, 280 12.9 Circuito Amplificador Diferencial, 392
12.10 Circuitos Amplificadores Diferenciais BIFET,
9.1 Introdução, 280
BIMOS e CMOS, 397
9.2 Modelo do FET para Pequenos Sinais, 280
12.11 Análise por Computador, 398
9.3 Circuito JFET com Polarização Fixa, 285
9.4 Circuito JFET com Autopolarização, 286
9.5 Circuito JFET com Divisor de Tensão, 289
Circuito JFET Seguidor-de-Fonte (Dreno-Comum), 290
13 TÉCNICAS DE FABRICAÇÃO DE
9.6 CIRCUITOS DISCRETOS E
9.7 Circuito JFET Porta-Comum, 292
INTEGRADOS, 410
9.8 MOSFETs Tipo Depleção, 294
9.9 MOSFETs Tipo Intensificação, 295 13.1 Introdução, 41 O
9.10 Circuito E-MOSFET com Realimentação do Dreno, 295 13.2 Materiais Semicondutores, Si, Ge e GaAs, 41 O
9.11 Circuito E-MOSFET com Divisor de Tensão, 297 13.3 Diodos Discretos, 412
9.12 Projeto de Circuitos Amplificadores com FET, 298 13.4 Fabricação do Transistor, 413
9.13 Quadro-Resumo, 300 13.5 Circuitos Integrados, 414
9.14 Verificação de Defeitos (troubleshooting ), 302 13.6 Circuito Integrado Monolítico, 415
9.15 Análise por Computador, 302 13.7 Ciclo de Produção, 418
13.8 Circuitos Integrados de Filme Fino e Espesso, 423
10 ANÁLISE DE SISTEMAS - 13.9 Circuitos Híbridos Integrados, 427
EFEITO DE Rs E R1 , 312
10.1 Introdução, 312 14 AMPLIFICADORES OPERACIONAIS, 428
10.2 Sistemas de Duas Portas, 312 14.1 Introdução, 428
10.3 Efeito de uma Impedância de Carga (RL), 313 14.2 Operação Diferencial e Modo-Comum, 430
10.4 Efeito da Impedância da Fonte (R 5 ), 315 14.3 Amp-Ops Básicos, 432
10.5 Efeito Combinado de Rs e Ri, 318 14.4 Circuitos Amp-Op Práticos, 434
10.6 Circuitos TBJ EC, 319 14.5 Especificações do Amp-Op - Parâmetros de
10.7 Circuitos TBJ Seguidor-de-Emissor, 322 Desequilíbrio DC, 438
10.8 Circuitos TBJ BC, 324 14.6 Especificações do Amp-Op - Parâmetros de
10.9 Circuitos FET, 325 Freqüência, 440
ix Sumário

14.7
14.8
Especificações da Unidade Amp-Op, 442
Análise por Computador, 446
20 OUTROS DISPOSITIVOS DE DOIS
TERMINAIS, 567

15 APLICAÇÕES DO AMP-OP, 455 20.1

20.2
Introdução, 567
Diodos de Barreira Schottky (Portadores Quentes),
15.1 Multiplicador de Ganho Constante, 455 567
15.2 Soma de Tensões, 457 20.3 Diodos Varactor (V aricap ), 569
15.3 Buffer de Tensão, 459 20.4 Diodos de Potência, 573
15.4 Fontes Controladas, 459 20.5 Diodos Túnel, 57 4
15 .5 Circuitos para Instrumentação, 461 20.6 Fotodiodos, 577
15.6 Filtros Ativos, 464 20.7 Células Fotocondutivas, 580
15.7 Análise por Computador, 466 20.8 Emissores de IV, 581
20.9 Displays de Cristal Líquido, 581
16 AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA, 478
20.10 Células Solares, 585
20.11 Termistores, 587
16.1 Introdução-Definições e Tipos de Amplificadores, 478
16.2 Amplificador Classe A com Realimentação-Série, 479
16.3 Amplificador Classe A com Acoplamento a
Transformador, 482
21 pnpn E OUTROS DISPOSITIVOS, 591
21.1 Introdução, 591
16.4 Operação do Amplificador Classe B, 487
21.2 Retificador Controlado de Silício, 591
16.5 Circuitos Amplificadores Classe B, 489
16.6 Distorção do Amplificador, 493
21.3 Operação Básica do Retificador Controlado de
16.7 Dissipador de Transistor de Potência, 496 Silício, 591
16.8 Amplificadores Classe C e Classe D, 499 21.4 Características do SCR e Valores Nominais, 593
16.9 Análise por Computador, 500 21.5 Construção do SCR e Identificação dos Terminais, 594
21.6 Aplicações de SCR, 594
21.7 Chave Controlada de Silício, 598
17 CIS LINEARES-DIGITAIS, 504 21.8
21.9
Chave de Desligamento de Porta, 600
SCR Ativado a Luz, 601
17 .1 Introdução, 504
21.10 Diodo Schockley, 603
17.2 Operação da Unidade Comparadora, 504
21.11 DIAC, 603
17.3 Conversores Digitais-Analógicos, 509
17.4 Operação do CI Temporizador, 511 21.12 TRIAC, 604
17 .5 Oscilador Controlado por Tensão, 514 21.13 Transistor de Unijunção, 604
17 .6 Malha Amarrada por Fase (PLL), 515 21.14 Fototransistores, 612
17. 7 Circuitos de Interfaceamento, 518 21.15 Opto-Isoladores, 614
17.8 Análise por Computador, 521 21.16 Transistor de Unijunção Programável, 614

18 REALIMENTAÇÃO E CIRCUITOS
22 OSCILOSCÓPIOS E OUTROS
INSTRUMENTOS DE MEDIDA, 621
OSCILADORES, 528
18.1 Conceitos sobre Realimentação, 528 22.1 Introdução, 621
18.2 Tipos de Conexão de Realimentação, 528 22.2 Tubo de Raios Catódicos -Teoria e Construção, 621
18.3 Circuitos com Realimentação na Prática, 533 22.3 Operação do Osciloscópio de Raios Catódicos, 621
18.4 Amplificador com Realimentação - Considerações 22.4 Operação de Varredura de Tensão, 622
sobre Fase e Freqüência, 537 22.5 Sincronização e Disparo, 624
18.5 Osciladores, 538 22.6 Operação Multitraço, 628
18.6 Oscilador de Deslocamento de Fase, 539 22. 7 Medidas Usando Escalas Calibradas de CRO, 628
18.7 Oscilador com Ponte de Wien, 541 22.8 Recursos Especiais do CRO, 630
18.8 Circuito Oscilador Sintonizado, 542 22.9 Geradores de Sinais, 631
18.9 Oscilador a Cristal, 544
18.10 Oscilador com Transistor Unijunção, 545 APÊNDICE A PARÂMETROS HÍBRIDOS-
EQUAÇÕES DE CONVERSÃO (EXATAS
19 FONTES DE TENSÃO (REGULADORES E APROXIMADAS), 633
DE TENSÃO), 549 APÊNDICE B FATOR DE RIPPLE E CÁLCULOS
19 .1 Introdução, 549 DE TENSÃO, 634
19.2 Considerações Gerais sobre Filtros, 549 AP~NDICE C TABELAS E QUADROS, 638
19.3 Filtro a Capacitor, 550 APENDICE D PSPICE, 640
19.4 Filtro RC, 553 APÊNDICE E SOLUÇÕES PARA PROBLEMAS
19.5 Regulação de Tensão por Transistor, 554
19.6 Cls Reguladores de Tensão, 559 ÍMPARES SELECIONADOS, 641
19.7 Análise por Computador, 563 ÍNDICE, 646

Ao nos aproximarmos do 25.º aniversário deste livro, torna-se evi-
dente que a 6.ª edição deve dar continuidade ao extenso trabalho de
revisão realizado na 5.ª edição. O crescente uso de softwares, Cls e a
ampla abordagem necessária nos cursos básicos determinaram o con-
teúdo da edição anterior e continuaram a ser fatores preponderantes
para a elaboração da edição nova. Ao longo dos anos, aprendemos
que se pode melhorar a leitura aperfeiçoando-se o aspecto geral do
texto. Assim, dedicamo-nos a tomá-lo mais acessível e agradável a
um grande número de estudantes. Como no passado, nos preocu-
pamos com o aspecto didático do texto e com sua exatidão.
DIDÁTICA
Tma das mais importantes melhorias implementadas neste livro foi,
sem dúvida, a correta adaptação do seu conteúdo ao roteiro de um
curso. Mantivemos a alteração na ordem dos capítulos realizada na
última edição. Nossa experiência de ensino permite-nos afirmar que,
com a nova apresentação, o livro oferece agora uma didática mais
adequada, colaborando com o plano de estudos dos professores e
ajudando os estudantes a formar uma base necessária a estudos futu-
ros. O número de exemplos, que foi ampliado substancialmente na
edição anterior, foi mantido. Conceitos importantes e conclusões po-
dem ser identificados por expressões isoladas e em negrito. Também
utilizam-se ícones para cada capítulo, a fim de facilitar a referência a
um trecho particular do livro. Foram desenvolvidos problemas para
cada seção do livro, com graus de dificuldade que vão desde o mais
simples até o mais complexo, sendo que os problemas mais difíceis
são identificados por asteriscos. O título de cada seção também é re-
produzido na seção de problemas, identificando de maneira clara os
exercícios de interesse para um particular tópico de estudo.
ANÁLISE DE SISTEMAS
Em diversas visitas a outras escolas e institutos técnicos, assim como
encontros de várias associações, foi observado que a "análise de sis-
temas" deve ser abordada de modo que o estudante consiga compre-
ender a aplicação de circuitos baseados em dispositivos integrados.
Os Capítulos 8, 9 e 1Oforam especificamente reorganizados para apre-
sentar a base da análise de modelos com um grau de complexidade
compatível com esta fase introdutória Embora possa ser mais fácil
considerar os efeitos de R8 e Ri para cada configuração inicialmente
introduzida, estes efeitos proporcionam também uma oportunidade
para se aplicarem alguns dos conceitos fundamentais na análise de
sistemas. Os capítulos posteriores que tratam de Amp-Ops e Cls irão
desenvolver os conceitos introduzidos nestes capítulos.
PRECISÃO
Não há dúvida de que uma condição importante de qualquer pu-
blicação é que ela não contenha erros. Certamente, o intuito não
Prefácio
é desafiar o professor ou o estudante com inconsistências plane-
jadas. Na verdade, não há nada mais penoso para um autor do
que ser comunicado de que há erros em seu texto. Após a ampla
revisão realizada na edição anterior, podemos assegurar que este
livro contém o mais alto grau de precisão possível, em se tratan-
do de uma publicação desse tipo.
MODELAGEM DO TRANSISTOR
A modelagem do transistor TBJ pode ser feita de várias manei-
ras. Alguns autores empregam o modelo que contém somente r,,
enquanto outros preferem utilizar o modelo com parâmetros hí-
bridos, ou uma combinação destes dois. A sexta edição dará ên-
fase ao modelo rc, com uma abordagem suficiente do modelo
hfürido para permitir uma comparação entre os modelos e a apli-
cação de ambos. Um capítulo inteiro (Capítulo 7) foi dedicado à
introdução dos modelos, proporcionando uma compreensão cla-
ra e correta de cada uma das relações que existem entre os dois.
PSpice E BASIC
Nos últimos anos tem sido observado um crescimento contínuo
da utilização de computadores em cursos básicos. Além dos pro-
cessadores de texto, normalmente abordados no primeiro semes-
tre, várias instituições educacionais estão incluindo também em
seus cursos a utilização de planilhas e programas (softwares) para
a análise de circuitos, como por exemplo o PSpice.
PSpice foi o software escolhido por este livro porque recen-
tes estudos indicam que é o programa mais freqüentemente uti-
lizado. Outras opções incluem o Micro-Cap III e o Breadboard
O PSpice permite que se escrevam arquivos de entrada para a
maioria dos circuitos analisados neste livro. Além disso, procu-
rou-se utilizar uma abordagem que não exige do estudante um
conhecimento prévio sobre softwares.
O programa PSpice para ambiente WINDOWS permite que
se entre com o esquema do circuito e que este seja analisado,
fornecendo resultados similares aos obtidos com o PSpice para
DOS. Alguns programas em BASIC são também incluídos com
o intuito de demonstrar as vantagens e benefícios adicionais de
se utilizar uma linguagem de programação.
CORREÇÃO DE DEFEITOS
A técnica de correção de problemas em circuitos (troubleshooting)
é, indubitavelmente, uma das mais difíceis de se introduzir, desen-
volver e demonstrar em um livro. É uma arte que pode ser aborda-
da utilizando-se vários métodos, mas a experiência e prática são
obviamente os elementos-chave para se desenvolver a habilidade
necessária. O conteúdo aqui apresentado é, essencialmente, uma
revisão das situações que normalmente ocorrem em um ambiente
xii Prefácio
de laboratório. Algumas dicas, como por exemplo a maneira pela
qual se isola uma região problemática do circuito, são fornecidas
junto com uma lista de causas prováveis. Não se espera que o es-
tudante se tome perito em reparos de problemas em circuitos, mas
que pelo menos consiga compreender as técnicas envolvidas no
processo de troubleshooting.
UTILIZAÇÃO DO LIVRO
De maneira geral, o texto pode ser dividido em duas partes prin-
cipais: a análise de e ac ou resposta de freqüência. Para alguns
cursos, a análise de é suficiente para um semestre, enquanto que
outros consideram que todo o livro pode ser abordado em um
semestre se forem escolhidos tópicos específicos. De qualquer
forma, o tema do livro se desenvolve desde os primeiros capítu-
los. Os tópicos sem vital importância no processo de aprendiza-
gem são deixados para os últimos capítulos, evitando-se, desta
maneira, que seja abordado um conteúdo excessivo sobre deter-
minado assunto na fase de desenvolvimento. Para cada disposi-
tivo, o livro apresentou as configurações e aplicações mais im-
portantes. Selecionando exemplos e aplicações específicas, a
matéria de um curso pode ser reduzida sem que se prejudique o
desenvolvimento progressivo implementado pelo texto. Ainda
assim, se o professor considerar que uma determinada área é
importante, os detalhes para uma leitura mais abrangente do tex-
to estão disponíveis.
ROBERT BOYLESTAD
LOUIS NASHELSKY
 Agradeciinentos

Nossos mais sinceros agradecimentos aos professores que utilizaram o livro e nos enviaram comentários, correções e sugestões.
Queremos agradecer também a Rex Davidson, Editor de Produção na Prentice Hall, por cuidar dos diversos aspectos necessários à
produção. Nossos mais sinceros agradecimentos a Dave Garza, Editor, e Carol Robinson, Editora de Projetos, ambos da Prentice
Hall, pelo apoio prestado à 6.ª edição.
Gostaríamos de agradecer às pessoas que ofereceram suas sugestões e comentários ao longo das várias edições do livro. Sua
participação tomou possível o aprimoramento de Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos nesta nova edição.

Ernest Lee Abbott Napa College, Napa, CA

Phillip D. Anderson Muskegon Community College, Muskegon, MI
AIAnthony EG&G VACTEC Inc.
A. Duane Bailey Southem Alberta Institute of Technology, Calgary, Alberta, CANADA
Joe Baker University of Southem California, Los Angeles, CA
Jerrold Barrosse Penn State-Ogontz
Ambrose Barry University of North Carolina-Charlotte
Arthur Birch Hartford State Technical College, Hartford, CT
Scott Bisland SEMATECH, Austin, TX
Edward Bloch Toe Perkin-Elmer Corporation
Gary C. Bocksch Charles S. Mott Community College, Flint, MI
Jeffrey Bowe Bunker Hill Community College, Charlestown, MA
Alfred D. Buerosse Waukesha County Technical College, Pewaukee, WI
Lila Caggiano MicroSim Corporation
Robert Casiano lntemational Rectifier Corporation
Alan H. Czarapata Montgomery College, Rockville, MD
Mohammad Dabbas lTT Technical Institute
John Darlington Humber College, Ontario, CANADA
Lucius B. Day Metropolitan State College, Denver, CO
MikeDurren Indiana Vocational Technical College, South Bend, IN
Dr. Stephen Evanson Bradford University, UK
George Fredericks Northeast State Technical Community College
F. D. Fuller Humber College, Ontario, CANADA
Phil Golden DeVry Institute ofTechnology, Irving, TX
Joseph Grabinski Hartford State Technical College, Hartford, CT
Thomas K. Grady Westem Washington University, Bellingham, WA
William Hill ITT Technical Institute
Albert L. Ickstadt San Diego Mesa College, San Diego, CA
Jeng-Nan Juang Mercer Universiy, Macon, GA
Karen Karger Tektronix Inc.
Kenneth E. Kent DeKalb Technical Institute, Clarkston, GA
Donald E. King ITT Technical Institute, Youngstown, OH
Charles Lewis APPLIED MATERIALS, INC.
Donna Liverman Texas Instruments Inc.
George T. Mason Indiana Vocational Technical College, South Bend, IN
William Maxwell Nashville State Technical Institute
Abraham Michelen Hudson Valley Community College
John MacDougall University ofWestem Ontario, London, Ontario, CANADA
Donald E. McMillan Southwest State University, Marshall, MN
Thomas E. Newman L. H. Bates V ocational-Technical Institute, Tacoma, W A
Dr. Robert Payne University of Glamorgan, Wales, UK
E. F. Rockafellow Southem-Alberta Institute of Technology, Calgary, Alberta, CANADA
xiv Agradecimentos

Saeed A. Shaikh Miami-Dade Community College, Miami, FL

Dr. Noel Shammas School of Engineering, Beaconside, UK
Enc Sung Computronics Technology Inc.
Donald P. Szymanski Owens Technical College, Toledo, OH
Parker M. Tabor Greenville Technical College, Greenville, SC
Peter Tampas Michigan Technological University, Houghton, MI
Chuck Tinney University of Utah
Katherine L. Usik Mohawk College of Applied Art & Technology, Hamilton, Ontario, CANADA
Domingo Uy Hampton University, Hampton, VA
Richard J. Walters DeVry Technical Institute, Woodbridge, NJ
Julian Wilson Southem College of Technology, Marietta, GA
Syd R. Wilson Motorola Inc.
Jean Younes ITT Technical Institute, Troy, MI
Charles E. Yunghans Westem Washington University, Bellingham, W A
Ulrich E. Zeisler Salt Lake Community College, Salt Lake City, UT
 Equações IInportantes

1 Diodos Semicondutores W = QV, 1 eV = 1,6 x 10- 19 J, 10 = l,(e"V[JITK - 1), Roe= VJ/0 , rd = t,.VjMd =
26 mVl/0 , r.v = âViMd, P0 = V 0 10 , Te= t,.V,t[V,(T1 - T0 ] ) x 100%

2 Aplicações do Diodo VBE = Vo = 0,7 V; meia-onda: vele= 0,318Vm; onda completa: vdc = 0,636Vm

3 Transistores Bipolares de Junção IE = lc + IB, lc = lemajorilários + leom,nontária,,' le = /E, VBE = 0,7 V,

~ = ldIE, lc = alt: + le80 , a;.~ = MdMt:, ICEo = lc8 d(l - a), /3dc = ld/8 , f3..c = MdM8 , a = {3/(/3 + 1), /3 = a/(1 - a),
lc = f3ls, lt: = (/3 + 1)/s, Pem., = VeElc

4 Polarização DC-IBJ Em geral: V8 E = 0,7 V, le = lt:, le = {318 ; polarização fixa: 18 = (Vce - VsdlR 8 ,
Va = Vce - leRc, lc,., = VeelRc,' emissor estabilizado: Is= (Vee - V8 t:)/(R 8 + (/3 + l)RE), R; = (/3 + l)Rt:, VCE: =
Vcc - lc(Rc + Rd, le,,. = Vcd(Re + Rt:); divisor de tensão: exato: RTh = R 1 1iR2 , ETh = R 2Ved(R 1 + R 2), Is= (ETh - V8 t:)I
(RTh + (/3 + l)Rt:), Vct: = Vce - lc(Re + RE); aproximada: V8 = R2Ved(R 1 + R2), f3Rt: ~ 10R2 , Vt: = V 8 - Vst:>
lc = IE = Vt:IRE; realimentação de tensão: Is= (Vee - VsE)l[R 8 + {3(Rc + RE)]; base-comum: 18 = (VEE - V 8 E)IRE; transistores
de chaveamento: t00 = t, + td, t0 n = t, + t1; estabilidade: S(/e0 ) = MclMe0 ; polarização fixa: S(/e0 ) = {3 + 1; polarização
do emissor: SUco) = (/3 + 1)(1 + RslRdl(l + f:3 + R 8 /RE); divisor de tensão: S(1e0 ) = (/3 + 1)(1 + RTh/RE)l(l + {3 + RThlRE);
polarização por realimentação: S(/e0 ) = (/3 + 1)(1 + R 8 1Rc)l(l + {3 + R8 1Rc), S(V8 E) = MelâV8 E; polarização fixa:
S(V8 E) = -{3IR 8 ; polarização do emissor: S(V8 E) = -{3/[R 8 + (/3 + l)Rd; divisor de tensão: S(V8 E) = -{3/[RTh + (/3 + l)RE];
polarização por realimentação: S(VsE) = -{3l(Rs + (/3 + l)Rc), S(/3) = t,.felâ{:3; polarização fixa: S(/3) = le//31; polarização
do emissor: S(/3) = IeiO + R 8 IRE)l[{3 1(1 + f3z + R 8 /RE)]; divisor de tensão: S(/3) = lei(l + · RThlRE)l[{31(1 + {32 + RThlRE)];
polarização por realimentação: S(/3) = le 1(Rs + Rc)l[{31(Rs + Rc(l + /32))), Me= S(/e0 ) Meo + S(Vsd âVsE + S(/3) â/3

5 Transistores de Efeito de Campo la = O A, 10 = l 0 ss(l - Vas!Vp)2, 10 = Is, Vas = Vp(l - ~ s ) , 10

l 05sf4 (se Vas = Vp/2), 10 = 105../2 (se Vas = 0,3 Vp), P0 = V0 sf0 , 10
= k(Vas - V7 )2

6 Polarização do FET Polarização fixa: Vas = -Vaa, V0 s = V00 - l 0 R 0 ; autopolarização: Vas = -l0 Rs, V 0 s =
V 00 - l 0 (Rs + R 0 ), Vs = lsRs; divisor de tensão: Va = R2V 0 J(R 1 + R 2), V 05 = V 0 - l 0 Rs, V 0 s = V 00 - l 0 (R 0 + R_.J;
MOSFET tipo intensificação: 10 = k(V05 - Vos(To/, k = lo(on/(V0 s(onJ - Vos(Thl)2; polarização por realimentação: V05 =
V 05, V 05 = V 00 - J0 R;; divisor de tensão: V 0 = R 2 V00 l(R 1 + R 2), Vas = V 0 - l 0 R 5 ; curva universal: m = IVPlll055 Rs,
M = m x V0 11Vpl, V0 = R2V 00 /(R 1 + R2)

7 Modelagem do Transistor IBJ Z; = V/1;, I; = (V, - V;)IR 1 = (V, - V )IR'"""' Z = Vj/ Av = VjV;,
10. " , 0 0 0 0,

Av, = Z;AVNLl(Z; + R,), A; = -A.Z/Rv '· = 26 mVIIE; base comum: Z; = r., zo = 00 n. Av = Rifr,, A; = -1; emissor
comum: Z; = {3r,, zo = 'º' Av = -RLlr,, A;= {3, h;, = {3r,, h1, = f3ac> h;b = r,, hfb = -a.

8 Análise do IBJ para Pequenos Sinais Emissor-comum: Av = -Rdr,, Z; = R 8 ll/3r,, Z = Re, A;= {3; divisor 0

de tensão: R' = R 1 IIR 2 , A.= -Reir,, Z; = R'll/3r., Z = Ró polarização do emissor: Zb = {3(r. + RE) = {3RE, Av = -{3Rcf
0

Zb = -Rd(r, + RE) = -RdRE; seguidor-de-emissor: Zb = {3(r, + RE), A.= 1, Z = r.; base-comum: Av = Rc;fr,, Z; = REllr,,
0

Z 0 = Ró realimentação do coletor: A.= -Reir,, Z; = {3r,11RiJIA.I, Z 0 = RcllRF; realimentação de do coletor: A.= -(RF2 IIRc)lr,,
Z; = RF1 llf3r,, Z 0 = RcllRF2; parâmetros híbridos: A;= h/(1 + h0 RL), Av = -h~if[h; + (h;h 0 - hjr,)Rd, Z; = h; - h/t,RLI
(1 + h0 RL), Z 0 = l/[h0 - (h/t/(h; + R,})J

9 Análise do FET para Pequenos Sinais 8m = 8mo(l - V0 sfVp), 8mo = 2105sflVpl; configuração básica:
A.= -gmR 0 ; resistência de fonte não desviada: A.= -gmR 0 /(1 + gmR 5 ); seguidor-de-fonte: A,, = gmRsl(l + gmR5 ); porta-comum:
A,, = 8m(Rollrd)
xvi Equações Importantes

Rs
10 Análise de Sistemas - Efeito de e RL TBJ: Av = RLAvNL/(RL + Ro), A; = -AvZ/Rv V; = R;V,/(R; + Rs);
polarização fixa: Av = -(RcllRL)/re, AVs = Z;A)(Z; + Rs), Z; = f3re, zo = R6 divisor de tensão: Av = -(RcllRL)/re, AVs =
Z;A)(Z; + R 5 ) , Z; = R 1 IIR 2llf3re, Z 0 = R6 polarização do emissor: Av = -(RcllRL)IRD Avs = Z;A)(Z; + R 5 ) , Z; = Rnllf3RE,
Z 0 = R6 realimentação do coletor: Av = -(RcllRL)/re, Avs = Z;A)(Z; + Rs), Z; = f3rellRJIAvl, Z 0 = RcllRF; seguidor-de-emissor:
R ~ = REIIRv Av = R ~/(R ~ + re), Avs = R ~l(R ~ + R//3 + re), Z; = R 8 llf3(re + R ~), Z 0 = REll(R/{3 + re); base-comum:
Av = (RcllRL)/re, A;= -1, Z; = 'e• zo = R6 FET: Rs desviado: Av = -gm(RvllRL), Z; = Ra, zo = RD; Rs não desviado:
Av = -gm(RvllRL)/(1 + gmRs), Z; = Rc, zo = RD; seguidor-de-fonte: Av = gm(RsllRL)l[l + gm(RsllRL)], Z; = Rc, z() = RsllrdllVgm;
porta-comum: A,,= gm(RvllRL), Z; = Rsllllgm, z() = Rv; em cascata: AVT = AVl. AV2. Av3··-Avn' A;T = ±Av~;/RL

11 Resposta de Freqüência do TBJ e JFET logea = 2,3 log 10a, lofü 0 1 = O, log 10alb = log 10a - log 10 b,
logwllb = -log 10 b, log 10ab = log 10a + log 10 b, Gd 8 = 10 log 10P 2/P1, GdBm = 10 log 10 Pzll mWl 6000 , Gd 8 = 20 log 10 V2!V1,
Gv = GVJ + GV2 + Gv3 + ... + Gvn, POHPF = 0,5POmid• BW = f1 - f2; baixas freqüências (TBJ): ÍLs = 1121r(Rs + R;)Cs, ÍLc =
1121r(R0 + RL)Cc, ÍLE = 1121rReCD Re = REll(R/{3 + re), R; = RjR 1IIR 2 , FET: ÍLa = 1/21r(Rsig + R;)Cc, ÍLc = 1121rR0 Cc,
ÍLs = 1121rReqCs, Req = R 5 II Vgm(rd = 00 O); efeito Miller: CM; = (1 - AJC1, CM 0 = (1 - l!AJC1; altas freqüências (TBJ):
ÍH; = l/21rRTh1C;, RTh1 = RsllR1 IIRJR;, C; = Cw; + cbe + CM;, ÍHo = 1121rRTh2Co, RTh2 = RcllRLllro, eº = Cwo + cce + eMo•
Í1> = 1/21rf3midre(Cbe + CbJ, ÍT = /3midÍ{>; FET: ÍH; = 1121rRTh1C;, RThJ = RsigllRc, C; = Cw; + cgs + CM;• ÍHo = 1121rRTh2Co,
RTh~ = RDIIRLllrd, C0 = Cw 0 + Cd, + CM 0 ; multiestágios: J; = //V2Pn - 1, f~ = ( ~ ) / 2 ; teste da onda quadrada:
ÍH; = 0,35/t,, % tilt = [( V - V')/V] X 100%, ÍLo = (P/1r)fs, P = (V - V')/V

12 Configurações Compostas Ganho de tensão diferencial: Av = f3Rcl2r;;

ganho de tensão em modo comum: f3Rcl[r; + 2(/3 + l)Rd

13 Técnicas de Fabricação de Circuitos Discretos e Integrados R = Rpw, CT = EAIW

14 Amplificadores Operacionais CMRR = A)Ac; CMRR(log) = 20 log 10(Ad/AJ; multiplicador de ganho constante:
V)V, = -R/R 1; amplificador não-inversor: V)V 1 = 1 + Rrf R 1; seguidor unitário: V 0 = V 1; amplificador somador:
V = -[(RrfR 1)V1 + (RrfRJV 2 + (RrfR 3)V3]; integrador: vo(t) = -(l!R 1C1)Jv 1dt
0

15 Aplicações do A:mp.;.Op Multiplicador de ganho constante: A = -R/R 1; não inversor: A = 1 + R/R 1; somador
de tensão: V0 = -[(R1/R 1)V1 + (RrfR 2 )V2 + (RrfR 3)V3]; filtro ativo passa alta: ÍoL = 1121rR 1C1; filtro ativo passa baixa:
J;,H = 1121rR 1e,

16 Amplificadores de Potência
Potência de entrada: P; VccfcQ
=
potência de saída: P0 V cEfc = I~Rc = V~E/ Rc rms
= VcEfc/2 = (/~/2)Rc = V~A2Rc) pico
= VcEfc/8 = (I~/8)Rc = V~A8Rc) pico a pico
eficiência: %7] = (P)P,) x 100%
eficiência máxima: Classe A, alimentado em série = 25%
Classe A, acoplado por transformador = 50%
Classe B, push-pull = 78,5%
relações do transformador: Vz!V1 = NzlN1 = I1fl2, R2 = (NzlN1)2R1; potência de saída: po = [(VcEmax - VCEmin)(/cmax - /Cmin)]/8;
amplificador de potência classe B: P; = Vcd(2/1r)/picol; P0 = VI(pico)/(2RL); % TJ = (1r/4)[VL(pico)!Vccl x 100%; PQ =
P2 Q/2 = (P; - P0 )!2; máximo P0 = V~cl2RL; máximo P; = 2V~cl1rRL; máximo P2Q = 2V~cl1r2RL; % distorção harmônica
total (% THD) = yD~ + D~ + D~ + ··· x 100%; dissipação de calor: T, = PDO,A + TA, o,A = 40°C/W (ar livre); PD
(T, - TA)/(0,c + 0cs + esA)

17 Cls Lineares-Digitais Circuito escada: Vº = [(Do X 2° + D1 X 2 1 + D2 X 22 + ... + Dn X 2n)/2n]Vref; 555

oscilador: f = l,44(RA + 2R 8 )C; 555 monoestável: Talto = 1,lRAC; VCO: f 0 = (2/R 1C 1)[(V+ - Vc)IV+]; loop de malha fechada
(PLL): / 0 = 0,3/R 1C1, ÍL = ±8/jV, fc = ±(l/21r) y21rfd(3,6 x 103)C2

18 Amplificadores Realimentados e Circuitos Osciladores A 1 = A!(l + {3A); realimentação em série; Z;1 =

Z;(l + {3A); realimentação em paralelo: Z;1 = Z/(1 + {3A); realimentação de tensão: Z 01 = Zj(l + {3A); realimentação de corrente:
Z 01 = Zu(l + {3A); estabilidade do ganho: dAJA 1 = 11(11 + f3Al)(dAIA); oscilador; {3A = 1; deslocamento de fase: f = l/21rRC\IÕ,
/3 = 1/29, A > 29; deslocamento de fase do FET: IAI = gmRv RL = RDrdl(Rv + rd); deslocamento de fase do TBJ: f = (l/27TRC)[l/
y6 + 4(Rc!R)], h1e > 23 + 29(Rc!R) + 4(R!Rc); ponte de Wien: RiR4 = RifR 2 + Cz/C1 , f,, = 1/21ryR 1C 1R 2 C2 ; sintonizado:
f = l/27T~, Ceq = C1Czl(C 1 + C2), Hartley: Leq = L 1 + L 2 + 2M, f,, = l/21rvr:;c
0
 Equações Importantes xvii

19 Fontes de Tensão (Reguladores de Tensão) Filtros: r = V,(rms)/Vctc x 100%, V.R. = (VNL - VFL)IVFL x
100%, Vctc = Vm - V,(p-p)/2, V,(rms) = V,(p-p)/2y'3, V,(rms) = (lctj4\13)(VctjVm); onda completa, carga leve V,(rms) = 2,4/0jC,
vdc = vm - 4,17/d/C, r = (2,4/djCVdc) x 100% = 2,4/RLC x 100%, /pico= TIT, x /de; filtro RC: v~c = RL Vdj(R + RI.),
Xc = 2,653/C (meia onda), Xc = 1,326/C (onda completa), v;(rms) = (Xch/R 2 + X~); reguladores: IR = ([NL - !FL)!IFL x 100%,
VL = Vz(l + Rif R2), Vº = Vrer(l + R/R1) + /actl2

20 Outros Dispositivos de Dois Terminais Diodo varactor: CT = C(0)/(1 + IV/VTIY, Tcc = (i1C!Ca{T1 - Ti)))
x 100%; fotodiodo: W = 1/z/f, À.= v/f, 1 lm = 1,496 x 10- 10 w
21 PnPN e Outros Dispositivos UJT: R 88 = (R 81 + R 82 )1,E= 0 , VR 81 = 7]V88 l,E= o, 7J = Rs/(Rs, + Rs2)l,E= o,
Vp = 7JV88 + V 0 ; fototransistor: lc= h1/À; PUT: 7J = R 8/(R 81 + Rnz), Vp = 7JV88 + V0
DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
E TEORIA DE CIRCUITOS
 Índice Alfabético

A Brattain, Walter H., 80 - - sistema

Bujfer de tensão, 459 - - - de feixe de elétrons, 417
Alfa, 84 - - - de pulverização, 422-423
Amortecimento, 577
Amp-op, 428, 432
e - - técnica de Czochralski, 411
- - teste, 426
- comparador, 505 -JFET,285
Capacitância - MOSFET, 294-298
- corrente - de transição, 22, 362-363
- - de desequilíbro de entrada, 438-439 - multiplicadores de tensão, 67-68
Características de transferência, 155-158
- - de polarização de entrada, 440 -ponte, 51-52, 597
Ceifadores, 54-59 - sintonizado, 572-573
- - e tensões de desequilíbrio 438 Célula
- especificações, 438, 440 442-446 - tanque, 577
- fotocondutiva, 580-581
- inversor, 446 ' - solares, 585-587 - transistores TBJ 213-232
- não-inversor, 448 Cls, ver Circuitos Integrados
Chave Classe(s)
- somador, 448, 467 - controlada de silício, 598-600
- tensão de desequilíbrio de entrada, 438-439 -A,478
- de desligamento da porta (GTO), 600-601 876-877
Amplificador(es) - estática série meia-onda, 594-596 ' - - acoplado por transformador, 482
- acoplado por transformador, 345 - - eficiência máxima, 481
Circuito
- com acoplamento - CMOS, 172-173, 387,405 - - realimentação em série, 479
- - direto, 345 -AB,479
- de chaveamento, 125-127 - B, 478,487,489
- -RC, 345 - de instrumentação, 461
- com realimentação, 528, 537 -C,479,499
- - an_iplificador de instrumentação, 463 -D,479,500
- - corrente em série, 531, 534 - - driver do display, 463
- - tensão em paralelo, 530, 535 Coeficiente
- - milivoltímetro ac, 462
- - tensão em série, 530, 533 - - milivoltímetro de, 462, 467 - de resistência negativo, 587
- de potência - de temperatura, 27
- de interface, 518
- - classe - - negativo, 4
- de polarização estável do emissor, 109-112
- - - A, 478,479,481,482 - - positivo, 4
- ~ simetria complementar, 491
-- -AB, 479 - diodo(s), 16-18 - - da capacitância, 572
- - - B, 478,487,489 Comparador, 504, 521
- - de barreira Schottky, 568-569
- - -C, 479,499 Comprimento de onda, 577, 586
- - túnel, 574
- - - D, 479, 500 - -Zener, 25
Comutação forçada, 593
- diferencial, 392-393, 397 Condição quiescente, 13, 102-103
- equivalente
- distorção do, 493 - -JFET, 285 Condutor, 2-3
- eficiência do, 479 Conexão(ões)
- - linear por partes, 16-18
- inversor, 434 - cascode, 380
- - MOSFET, 294-298
- não-inversor, 434 - Darlington, 381, 404-405
- - transistores TBJ, 213-232
- operacional, ver Amp-ops - escada, 509, 510, 521 Configuração
- somador, 435, 457 - integrado, 30-32, 410-427 - base-comum, 82-86, 120, 219-221, 225-226, 247 255-
Análise por computador, 32-34, 69-73, 100, 136-141, 256, 259-260, 324 '
- - aparato de refinamento de zona, 410-411
174, 204-207, 231-232, 263-274, 302-308, 332-335 - - ciclo de produção, 418 - coletor-comum, 91, 221-223
353-357, 359, 365, 368, 372, 398-405, 446-450, 466- - - configuração híbrida, 427 - com realimentação
473, 500-502, 521-525, 563-565 - - desenvolvimentos recentes, 414-415 - - de no coletor, 251-252
Análise por reta de carga, 36-40, 107-108 111 116 - - encapsulamento, 423 - - de tensão, 116-118
Angstrom, 577 ' ' - - endereçamento por fita, 414 - - no coletor, 248-251, 320-321
Antilogaritmo, 342 - - estrutura monolítica, 415-418 - composta, 377
Aparato de refinamento de zona 410 - - filme fino e espesso, 423 - de divisor de tensão, 238-240, 254
Arquivo de entrada, 69 ' - - híbrido, 427 - de polarização por divisor de tensão 112-116 238-240
Arranjo, 30-32 - - implantação de íons, 419 254,320 ' ' '
Arseneto - - lapidação e polimento, 419 - dreno-comutn, 290-292
- de Çiálio, 451,574,581,586 - - larguras de trilhas, 415 - emissor-comum, 86-91, 221-223, 225-227 236-246
- de Indio, 586 - - linear-digital, 504 248-274 ' '
Átomos - - máscara, 416 - fonte-comum, 285-290
- aceitadores, materiais semicondutores, 6 - - materiais semicondutores 410-412 - porta-comum, 292-294
- doadores, materiais semicondutores, 6 - - metalização, 423 ' - seguidor de emissor, 119-120, 244-246, 255, 322-324
- tetravalentes, 4 - - monolítico 415-418 Constante de Planck, 577
- - operação de fatiamento, 416 Controle de aquecimento, 597
- - passivação, 423 Conversão
B - - photoresist, 419 - analógica-digital, 509
- - porta NANO, 423 - de dupla inclinação, 509
Banda passante, 346 - -processo Conversores digital-analógico, 509
Bardeen, John, 80 - - - de difusão, 412 Corrente(s)
BASIC, 32-33, 138-141, 272-274 - - - de evaporação, 422 - de fuga, 82-83, 87
Beta, 88-90, 131-136 - - - fotolitográfico, 419 - de retenção, 593
BiFET, 377,397 - - receptor, 418 - de saturação reversa, 9, 11,131,568
BiMOS, 377,397 - - relação de rendimento, 41 O - escura, 579
 Índice Alfabético 647

Corte, 102-104 - PSpice, 32-33, 69-73 Espelho de corrente, 390

Coulomb, 4 - região de depleção, 7-9 Estabilização; 131-136
Crescimento de junção - resistência, 13-17
- diodos, 412 --AC, 13, 17
- transistores TBJ, 413 - - DC, 13-17 F
Cristal, 3 - - média, 16-17
- líquido nemático, 583 - retificação Fator de Ripple, 550
- quartzo, 544, 545 - - de meia-onda, 49-51 FET metal óxido de silício, 161-173, ver JFET ou
- singular, 3 - - de onda completa, 51-53 MOSFET
- único, 410 - Schottk.y, 567-570, 586 Filtro(s)
Critério de Nyquist, 537 - sem polarização, 7-8 -AC,464
Curva universal de polarização do JFET, 201-204 - Shockley, 603, 604 - - passa-altas, 465, 470
Czochralski, técnica de, 411 - silício, 3-7, 11-12 - - passa-baixas, 464, 469
- símbolos, 22-23 - - passa-banda, 466,470
- tempo de restabelecimento, 22, 568 - capacitivo, 67-68
D - tensão de limiar, 11 - capacitor, 67, 68,550
- teste, 23-25 - configuração com polarização fixa, 104-108, 236-238,
Dacey, G.C., 151 -TPI, 18, 51, 52-54 253, 257-260, 312-313, 314-315, 319-320
De Forest, Lee, 80 -TPR, 18, 51, 52-54 • RC, 553
Década, 349 - transformador com derivação central, 52-53 Fleming, J.A., 80
Decibéis, 343-345 - túnel, 574-577 Fluxo
Decodificadores FSK, 518 - varactor, 569-573 - convencional, 7
Demodulação de freqüência, 516 - varicap, 569-573 - de buracos, 6-7
Detetor de proximidade, 603 - Zener, 24-27, 62-67, 601 - luminoso, 577-580
Diac, 603-604 - - aplicações, 62-67 - radiante, 581-587
Diagrama de Bode, 347-351, 353, 359, 361-366, 369 - - características, 24-25 Folhas de especificações
Diferenciador, 438 - - circuito equivalente, 25 - diodo, 18-22
Difusão - - coeficiente de temperatura, 27 - - de barreira de Schottk.y, 568-570
- capacitância, 22, 363 - - folha de especificações, 26 - - emissores de luz, 28
- diodos, 412 - - região, 10-11 - - túnel, 574
- transistores TBJ, 413 - - símbolo, 27 - - varactor, 571-572
Diodo(s), 1-34 Displays de cristal líquido, 581-585 - - Zener, 26
- análise Dispositivo(s) - JFETs, 158-161
- - por computador, 32-34, 69-73 - controlado -MOSFET
- - por reta de carga, 36-40 - - à corrente, 150 - - tipo depleção, 164
- aplicações, 36-73 - - por tensão, 150 - - tipo intensificação, 168-170
- arranjo, 30-32 - de crescimento epitaxial, 412 - opto-isolador, 614
- arseneto de gálio, 574 -pnpn - transistores, 93-97
- barreira - - chave de desligamento da porta (GTO), 600-601 - -TBJ, 93
- - de superfície, 567-570 - - diac, 603-604 Fonte(s)
- - Schottky, 567, 570 - - SCR ativado por luz, (LASCR), 601-603 - controladas, 457
- capacitância de transição, 22 Dissipação - de chaveamento de potência, 568
- ceifadores, 54-59 - de calor, 496, 573 - de corrente, 389
- circuitos equivalentes, 16-18, 568-569, 574 - de potência, 19 - - constante, 396
- - ideal, 40-41 Distorção, 493 - - - a Zener, 390
- configuração - do amplificador, 493 - - - com transistor bipolar, 389
- - paralelo, 46-47 - harmônica, 370-371, 494 - - controlada
- - série, 42-45 - - total, 494 - - - a corrente, 461
- - série-paralela, 46-47 Dobrador, 67-68 - - - a tensão, 460
- corrente de saturação reversa, 9, 11, 568 Dopagem, 3-7 - de tensão, 549
- crescimento - - controlada
- - de junção, 412 E - - - a corrente, 460
- - epitaxial, 412 - - - a tensão, 460
- de portadores quentes, 567-569 Efeito(s) Fotodiodos, 577-580
- de potência, 573 - da capacitância de Miller Fótons, 577, 580,581,585,586
- difusão, 412 - - entrada, 360 Fototransistores, 612-614
- - capacitância de, 22 - - saída, 361 Freqüência( s)
- dissipação - da freqüência em multiestágios, 369-370 - de ângulo, 345
- - máxima, 568 - de taxa, 600 - de banda, 345-346
- dissipadores de calor, 573 - de temperatura, 11-13 - de corte, 345-346
- dopagem, 3-7, 574 Eficácia luminosa, 28-30 - de meia-potência, 345-346
- efeitos de temperatura, 11-13 Eficiência de conversão, 213 - demodulação de, 516
- emissores de luz, 27-30, 583, 584, 612-614 Eletroluminescência, 27 - síntese de, 518
- fabricação, 7-13, 413 Elétron, 3
- folha de especificações, 18-22, 568-570, 571-572, 575 - de valência, 4-5
- fotodiodos, 577-580 - fluxo de, 7
G
- germânio, 3, 11-12, 574 Elétron-volt, 4
- grampeadores, 59-62 Emissor Ganho
- ideal, 1-2, 568-569 - circuito de polarização estável do, 109-112 - de amplitude constante, 433
- junção p-n, 574-575 - circuito EC com polarização no, 240-244, 254, 320 - de tensão
- liga, 412 - configuração seguidor de, 119-120, 244-246, 255, 322- - - com terminação dupla, 396
- ligação covalente, 4 324 - - com terminação simples, 394
- materiais - IV, 585 - margem de, 538
- - extrínsecos, 5-6 Endereçamento por fita, 414 - unitário, 433
- - intrínsecos, 4 Entrada(s) Ganho-banda passante, 363-364, 370, 440
- - tipo n, 5-6, 7-9 - com terminação Gerador
- - tipo p, 6-9 - - dupla, 428 - de dente serra, 601
- modelo equivalente aproximado, 39-40, 41 - - única, 428 - de forma de onda, 631
- multiplicadores, 67-68 - comuns, 430 - de onda quadrada, 67
- polarização - de mesma polaridade, 430 - de sinais, 631
- - direta, 9-10 - de polaridades opostas, 430 Germânio, 3, 11-12, 410-411, 574, 577-578, 587
- - reversa, 8 - diferencial, 430 Giacoletto, modelo de, 363
- portadores - somador, 435, 457 gm gráfico, 281
- - majoritários, 7 Equação de Shockley, 155-157 gm matemático, 281-282
- - minoritários, 7 Esaki, Leo, 574 gm versus / 0 , 283
- - quentes, 567-569 Escala gm versus VGS' 282-283
- portas e/ou, 47-49 - log-log, 342 gm, definição, 281
- potência, 573 - semi-log, 342 Gráfico de fase, 347,350
- - dissipação de, 19 Espalhamento dinâmico, 583 Grampeadores, 59-62
 648 Índice Alfabético

I - - - tipo depleção, 188-191 - quase complementar, 492,501

- - - tipo intensificação, 191-194 PUT, ver Transistor de Unijunção Programável
Impedância - - tipo
- de entrada da configuração dreno-comum, 290 - - - depleção, 161-164
- de saída da configuração dreno-comum, 290-291 - - - intensificação, 164-170 R
Implantação de íons, 419 - - VMOS, 170-172
Infravermelho, 579 Multiplicador de ganho constante, 455 Região
Instrumentos de medição, 621 - ativa, 102-104
- de depleção, 7-9, 569-570, 574
Integrador, 436 N - Zener, 10-11
Intensidade luminosa axial, 28-30
Regulação, 63-67, 544
Interrupção de corrente do anodo, 593 Nêutron, 3 - amp-op, 556
Inversor, 125-127 Nível de energia, 4-6 - CI, 559
- amp-op, 446 Núcleo, 3 - de tensão, 549, 554-556
- amplificador, 434
- - ajustável, 562
Isolador, 3
o - - CI, 559
- - especificações, 560, 561
J Ohmímetro, 23, 97 - limitador de corrente, 556
Oitava, 349 - série, 555
JFET, ver Transistor JFET Operação(ões) - tensão-paralelo, 557, 558
Junção p-n, 574, 578, 581, 585 - astável, 511 - tensão-série, 555
- diferencial, 430 - Zener, 62-67
- modo-comum, 396 Regulador
K - monoestável, 513 - de carregamento, 596
- ponto de, 102-104 - - de bateria, 596
Kilby, Jack St. Clair, 410 Opto-eletrônicos, 577-580 - de tensão, 580
Opto-isoladores, 614 Rejeição modo-comum, 429, 430
ORC - razão de, 431
L - construção, 621 Relação de rendimento, 410, 414-415
- disparo, 626 Relé de retensão, 603
LASCR,601 - medida, 628 Resistência, 13-17
LCDs, 581-585 - - de amplitude, 628 -AC, 13-16
- de efeito de campo, 583-584 - - de largura de pulso, 629 - - média, 16-17
Liga(s) - - de tempo, 629 - DC, 13, 17
- diodos, 412 - multitraço, 628 - de contato, 15
- transistores TBJ, 413 - operação, 621 - de corpo, 15
Ligação covalente, 4 - sincronização, 624 - dinâmica, 13-17
Linguagem, 32 - varredura - estática, 13, 17
Logaritmo - - atrasada, 630 - negativa, 574-577
- comum, 341-345 - - de tensão, 622 Resistividade, 2-3, 415
- natural, 341-342 Oscilador(es) Resposta de freqüência(s)
Lumens, 577 - Colpitts, 542 . - amplificador com acoplamento
- controlado à tensão (VCO), 514 - - a transformador, 345
- cristal, 544 - - direto, 345
M - de relaxação, 610, 617-618 - -RC, 345
- de resistência negativa, 575 - banda passante, 346
Malha amarrada por fase, (PLL), 515 - deslocamento de fase, 539 - de banda, 345-346
Margem de ganho, 538 - - CI, 541 - de meia potência, 345-346
Máscaras, 416 - -FET, 539 - década, 349
Material(is) - - transistor, 540 - decibéis, 343-345
- extrínsecos, 5, 7 - Hartley, 543 - efeito
- intrínsecos, 4 - operação, 538 - - de Miller, 360-361
- semicondutores - ponte de Wien, 541 - - de multiestágios, 369-370
- - coeficiente de temperatura negativo, 4 - quartzo, 544 - gráfico de fase, 346-347, 350
- - - tipo n, 5-6, 7-9 - resistência negativa, 575 -modelo
- - -tipop, 7-9 - sintonizado, 542 - - de Giacoletto, 363
- - dopagem, 5-6 - tipo relaxação, 610, 617-618 - - Tr híbrido, 363
- - ligação covalente, 4 Osciloscópio de raios catódicos, ver ORC - oitava, 349
- - materiais - produto ganho-banda passante, 363-364, 370
- - - extrínsecos, 5-7 p - teste de onda quadrada, 370-372
- - - intrínsecos, 4 - transistores JFET, 357-359, 366-370
- - níveis de energia, 4-5 - transistores TBJ, 345-357, 360-368, 369-370
Par realimentado, 385
- - portadores - variação de {3, 363-364
Passivação, 423 Retificação
- - - majoritários, 7 Pés-candeias, 577, 579
- - - minoritários, 7 - de meia-onda, 594-596
Photoresist, 419 - de onda completa, 51-53, 597
- tipo n, 5-6, 7-9 Polarização da luz, 584
- tipop, 6-9 Retificador, 19, 49-54, 573
Ponto de operação, 102-104 - controlado a silício, 591-598, 607-610
Metalização, 423 Portador(es)
MMD,23, 97 - - aplicações, 594-598
- majoritários, 7, 567 - - características, 593-594
Modelo - minoritários, 7,567,578, 585
- de Bohr, 3 - - comutação forçada, 593
Portas e/ou, 47-49, 601,602,612 - - corrente de retenção, 593
- de transistor com parâmetro h, 253-260 Processo
- equivalente - - fabricação, 594
- de evaporação, 423 - - identificação de terminais, 594
- - com parâmetro h, 223-231, 253-260 - fotolitográfico, 419
- - híbrido, 223, 231 - - interrupção anodo-corrente, 593
Programa, 32 - - operação, 591-593
- nome do, 33 Projeto, 121-125, 197-199 - - símbolos, 591
- Tr híbrido, 363 Próton, 3 - - valores nominais, 593-594
- r,, 219-223, 236-225 PSpice - de onda completa com derivação central, 597-598
MOSFET -CMOS,405 Ross, Ian, 151
- FET, metal-óxido de silício, 161-173 - diodos, 33, 69 RS232-conversor TIL, 521
-tipo - MOSFETs, 305-308 Rubylith, 417
- - depleção, 161-164, 294-295 - TBJs, 100, 136-137, 263-271, 332, 353-357, 365-366,
- - intensificação, 295-298 401-405
- transistores, 161 - transistores JFET, 175, 302-307, 334,359,368, 399- s
- - análise ac, 294-298 400
- - CMOS, 172-174 Push-pull Saída com terminação dupla, 429
- - polarização - acoplado por transformador, 491 Saturação, 102-103, 105, 111, 116
 Índice Alfabético 649

SCR, ver Retificador Controlado a Silício - impedância - - - gerais, 150

- ativado por luz, 601-603 - - de entrada, 215-216 - - circuito
ses, 589-600 - - de saída, 216-217 - - - de combinação, 194-197
Seguidor - junção - - - equivalente ac, 284
- de fonte, 290 - - de crescimento, 413 - - configuração de divisor de tensão, 289-290
- unitário, 435, 450-451 - - de liga, 413 - - construção, 151
Selênio, 577-578, 586 - limite de operação, 91-93 - - curva universal de polarização do, 201-204, 287-289
Seleniureto de cádmio, 580 - modelagem, 213-232 - - encapsulamento, 158
Semicondutores, 2-7 - modelo - - equação de Schockley, 155-157
Série de Fourier, 370-371 - - de Bohr, 3 - - folhas de especificações, 158
Shockley, William, 80, 155 - - equivalente híbrido, 223-231, 253-260 - - ganho de tensão ac, 286,287, 288, 290, 291,293,296,
Silício, 3-7, 11-12, 411, 577-578, 586,587 - - R,, 219-223 298
Síntese de freqüência, 518 - npn, 81, 85-86, 90, 104-129 - - gm, 280-283
Sistema(s) - operação, 81-82 - - identificação de terminais, 158
- de alarme, 599 - - limites de, 91-93 - - linha do modelo, 302
- de controle de fase, 596 - - ponto de, 102-104 - - modelo para pequenos sinais, 284
- de duas portas, 223-227, 312-325 - pnp, 81-82, 86, 91, 130-131 - - operação, 151-154
- de feixe de elétrons, 417-418 - polarização, 85, 90-91, 102-141 - - pinch-off 152,153
- de iluminação de emergência, 597-598 - - fixa, 104-108, 236-238, 253-254, 257-259 - - polarização
- de pulverização, 422-423 - projeto, 121-125 - - - canal n, 178-200, 201-207
- em cascata, 331, 377, 378, 399-404 - PSpice, 98, 136-138, 231-233, 263-272, 332-335, 354- - - - canalp, 200-201
Software, 32 357, 365 - - - por divisor de tensão, 185-188
Subtração de tensão, 458 - região ativa, 102-104 - - polarização fixa, 178-181, 285-286
Sulfeto de cádmio, 580-581, 586 - saturação, 92-93, 102-104, 106, 111-112, 116 - - porta-comum, 292-294, 327
- símbolos, 82 - - projeto, 197-199, 298-299
- teste, 93-98 - - - de amplificadores, 298-299
T - traçador de curvas, 97 - - PSpice, 175, 204, 302-308, 332-335, 359-360, 368
- transistores mesa, 413 - - resistência de fonte
Taxa de subida, 441 - variação de parâmetro, 229-231 - - - desviada, 286-287, 325
TBJs, 80-100, 236-274 - verificação de defeitos, 127-129, 262-263 - - - não-desviada, 326
- alfa(a), 85 Tempo de restabelecimento reverso, 22, 568 - - seguidor-de-fonte, 290-292, 327
- amplificação, 85-86 Temporizador, 511 - - símbolos, 154
- análise Tensão, ver Fonte de Corrente, Fonte de Tensão - - sistema em cascata, 327-322
- - AC, 236-274 - de limiar, 11 - - terminologia, 151
- - para pequenos sinais, 236-274 - fonte de, 549 - - traçador de curvas, 160
- - por computador, 98-100, 136-141, 231-232, 263-274, - - controlada - - troubleshooting (verificação de defeitos), 199-200,
302-308, 332-335, 365, 398-405, 446-450, 466-473, - - - a corrente, 460 302
500-502, 521-525, 563-565 - - - a tensão, 460 - - valores nominais máximos, 158
- base-comum, 82-86, 120, 219-220, 225-227, 246-247, - fotovoltaica, 585 - mesa, TBJ, 413
255-256, 259-260, 324 Termistores, 587-588 - NPN, 104-129
- BASIC, 138, 272-274 Termo fundamental, 370 - PNP, 130-131
- beta(/3), 88-90, 131-136 Terra virtual, 434 -TBJ
- circuito Teste - - planares, 413
- - combinados, 194-197 - circuitos integrados, 416,426 - - tipo epitaxial, 412
- - de chaveamento, 125-127 - de onda quadrada, 370-372 Treliça, 3
- - integrados, 415-418 - diodos, 23-24 TRIAC, 604
- coletor-comum, 91, 221-223, 244-246, 255 - transistores, 93-97
- configuração Tilt, 372
- - de polarização do emissor, 240-244, 254, 320
- - de realimentação
TPI, 11, 18, 51, 52-53, 598
TPR, 11, 18, 51, 52-53
u
- - - de do coletor, 251-252 Traçador de curvas, 23, 93-96, 160 UJT (transistor unijunção), 604-612
- - - de tensão, 116-118 Transformador, 482 Unijunção, 546
- - - do coletor, 248-251, 320-322 - com derivação central, 52-53 Unipolar, 150
- - divisor de tensão, 112-116, 234-240, 254 Transistor(es), ver TBJ, JFET ou MOSFET
- - mistas de polarização, 118-121 - bipolares de junção, ver TBJs
- - seguidor do emissor, 119-120, 244-246, 255, 322- - Darlington, 382 V
324 - de Efeito de Campo, ver JFET ou MOSFET
- construção, 80 - de potência, 496, 497 Válvula, 80
- corrente - de unijunção programável (PUT), 603-604, 614-618 VCO, ver Oscilador Controlado a Tensão
- - de fuga, 82-83, 87 - - chave controlada a silício (SCS), 598-600 Velocidade da luz, 577
- - de satura9ão reversa, 131-136 - - diodo Schockley, 603 Verificação de defeitos, 127-129, 199, 262, 302
- corte, 87, 92, 102-104 - - retificador controlado a silício (SCR), 591-598 VMOS, 170-172
- difusão, 413 - - TRIAC, 604
- efeito de R 5 e Ru 312-325 - JFET, 280-311, 324-327
- emissor-comum, 86-91, 221-223, 236-246, 251-274 - - análise por computador, 174, 204-207, 302-308, 359- w
- encapsulamento, 98 360, 368
- estabilização, 131-136 - - autopolarização, 181-185, 286-290 Wafer, 3
- do emissor, 109-112, 240-244, 254-255 - - BASIC, 204-207
- folha de especificações, 93 - - canal
- ganho - - - n, 151-153 z
- - de corrente, 218 ---p, 153-154
- - de tensão, 217-218 - - características, 151-155 Zener, ver Diodo(s)
- identificação de terminais, 98-100 - - - de transferência, 155-158 - fonte de corrente constante a, 390
 CAPÍTULO

Diodos Semicondutores 1
a11mt1•••11•1•11•11•1.-1.-.-1m·•m.-m1m1•1.-.-1a1m11.-.-u.-.-.-.-.-a.-.-.-.-.-.-aa2.-111.-.-.-1n1e1nim11.-1n1L!a1m11•1 ~

1.1 INTRODUÇÃO qualquer tentativa de estabelecer corrente no sentido oposto. Em

Algumas décadas após a introdução do transistor em 1940, tem-
se percebido uma mudança muito dramática na indústria eletrô-
nica. A miniaturização crescente leva-nos a questionar sobre seus
limites. Sistemas completos aparecem agora sobre um wafer
milhares de vezes menor do que um simples elemento dos cir-
cuitos anteriores. As vantagens associadas com os sistemas atu-
ais, quando comparados com circuitos a válvulas dos anos ante-
riores, são, para a maioria, imediatamente óbvias: menores ele-
ves, nenhuma necessidade de aquecimento ou perda de calor
(como necessário para válvulas), construção mais robusta, mais
eficiente, e não requer período de aquecimento.
A miniaturização de anos recentes tem resultado em sistemas
tão pequenos que o objetivo principal do encapsulamento é sim-
plesmente fornecer algum meio de manusear o dispositivo e ga-
rantir que as conexões mantenham-se adequadamente fixas ao
wafer semicondutor. Os limites da miniaturização parecem ser
estabelecidos por três fatores: a qualidade do material semicon-
dutor, a técnica de projeto do circuito e os limites de fabricação
e equipamento de processamento.
resumo:
As características de um diodo ideal são aquelas de uma
cha.ve que pode conduzir corrente somente em um sentido.
Na descrição dos elementos a seguir, é importantíssimo que
as diversas letras dos símbolos, polaridades de tensão e sen-
tidos de corrente sejam definidos. Se a polaridade da tensão
aplicada é consistente com aquela mostrada na Fig. l. la, a
região da curva característica a ser considerada na Fig. 1.1 b
está à direita do eixo vertical. Se uma tensão reversa for apli-
cada, a região esquerda da curva é considerada. Se a corrente
através do diodo tem a direção indicada na Fig. l. la, a região
da curva característica a ser considerada está acima do eixo
horizontal, enquanto uma inversão no sentido exigiria o uso
da curva abaixo do eixo. Para a maioria das características do
dispositivo mostradas neste livro, a ordenada (ou eixo "y")
será o eixo da corrente, enquanto a abscissa (ou eixo "x") será
o eixo da tensão.
Um dos parâmetros importantes para o diodo é a resistên-
cia no ponto ou região de operação. Se considerarmos a região
de condução definida pelo sentido de / 0 e polaridade V0 na Fig.

1.2 DIODO IDEAL

Vv
+
O primeiro dispositivo eletrônico a ser introduzido é chamado o ~ o
-+-
diodo. Ele é o mais simples dos dispositivos semicondutores, mas lv
exerce um papel vital em sistemas eletrônicos, com suas carac-
terísticas assemelhando-se às de uma simples chave. Ele apare- (a)
cerá em um conjunto de aplicações, estendendo-se do simples ao
mais complexo. Além dos detalhes de sua construção e caracte- + lv
rísticas, os dados essenciais e gráficos encontrados nas folhas de
-
Vo
t IJII '
especificação também serão cobertos, para garantir um entendi-
mento da terminologia empregada e para demonstrar a vasta in-
_./ '•
+
formação tipicamente disponível pelos fabricantes. o Vv
Antes de examinarmos a construção e características de um (+
dispositivo real, primeiro consideraremos o dispositivo ideal, para
fornecer uma base de comparação. O diodo ideal é um dispositi-
vo de dois terminais, tendo o símbolo e a curva característica
-
'
-Vo
IJII
'º
'

mostrados na Fig. l. la e b, respectivamente. (b)

Idealmente, um diodo irá conduzir corrente no sentido defi-
nido pela seta no símbolo, e age como um circuito aberto para Fig. 1.1 Diodo ideal: (a) símbolo; (b) curva característica.
2 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Curto-circuito
+ Vv
0>-----111Ji,1
..- - - o -..
,~~~'·
(a)
o

o~--~IIJi,l
Vv +
...----o -.. o------a
-..
/--__/
! 0 =0

(b)

Fig. 1.2 Estados de (a) condução e (b) não-condução do diodo ideal determinados pela polarização aplicada.

1.1 a (quadrante superior direito da Fig. 1.1 b ), concluiremos que A resistência de po/arizaçiio reversa é suficientemente grande
o valor da resistência direta, R,, conforme definida pela lei de para permitir uma aproximação de circuito-aberto?
Ohm,é

RF = -Vi" = ------------------
OV
IF 2, 3, mA, ... , ou qualquer valor positivo
= OO (curto-circuito)
onde V, é a tensão direta através do diodo e I, é a corrente direta
através do diodo.
O diodo ideal é, portanto, um curto-circuito para a região
de condução.
Se considerarmos agora a região de potencial negativo apli-
cado (terceiro quadrante), da Fig. l.lb,
VR
RR=-=
IR
-5, -20, ou qualquer potencial de polarização reversa
=
OmA
= oo O (circuito-aberto)
onde v. é a tensão reversa através do diodo, e I. é a corrente re-
versa do diodo.
O diodo ideal é, portanto, um circuito-aberto na região de
não-condução.
Em resumo, as condições descritas na Fig. 1.2 são aplicáveis.
Em geral, é relativamente simples determinar se um diodo está
na região de condução ou não-condução, observando-se simples-
mente a direção da corrente / 0 estabelecida por uma tensão apli-
cada. Para o fluxo convencional (oposto ao fluxo do elétron), se
a corrente de diodo resultante tem o mesmo sentido que a seta
do símbolo do diodo, o diodo está operando na região de condu-
ção conforme descrito na Fig. 1.3a. Se a corrente resultante tem
a direção oposta, como mostrado na Fig. 1.3b, o circuito-aberto
equivalente é apropriado.
Conforme indicado anteriormente, o propósito principal des-
ta seção é introduzir as características de um dispositivo ideal,
J?Or comparação com as características da variedade comercial.
A medida que avançamos nas próximas seções, devemos man-
ter as seguintes questões em mente:
1.3 MATERIAIS SEMICONDUTORES
A própria expressão semicondutor apresenta uma sugestão so-
bre sua característica. O prefixo semi- é normalmente aplicado a
uma faixa de níveis situada entre dois limites.
O termo condutor é aplicado a qualquer material que sus-
tenta um fluxo de uso de carga, quando uma fonte de tensão
amplitude limitada é aplicada através de seus terminais.
Um isolante é o material que oferece um nível muito bai-
xo de condutividade sob pressão de uma fonte de tensão
aplicada.
Um semicondutor é, portanto, o material que possui um
nível de condutividade entre os extremos de um isolante e
um condutor.
Inversamente relacionada à condutividade de um material está
sua resistência ao fluxo de carga, ou corrente. Isto é, maior o nível
de condutividade, menor o nível de resistência. Em tabelas, o
termo resistividade (p, letra grega rho) é geralmente usado quando
se compara aos níveis de resistência dos materiais. Em unidades
métricas, a resistividade de um material é medida em O-cm ou
0-m. As unidades de O-cm são obtidas pela substituição das
unidades para cada quantidade da Fig. 1.4 na seguinte equação
(que se obtém da equação básica de resistência R = pl!A):
p = RA = (O)(cm2) ::;, O-cm (1.1)
l cm
o--~~
....----o - . . 0>----4---..---o
-..
lo
(a)
o>---1~------0 - . . ~ ----a
! 0 =0
(b)

Quão próximo irá a resistência direta ou "ligada" de um Fig.1.3 Estados de (a) condução e (b) não-condução do diodo ideal, como deter-
diodo real equivaler ao nível 0-0 desejado? minado pelo sentido da corrente convencional estabelecida pelo circuito.
 Diodos Semicondutores 3

~--R-----,

A = 1 cm 2 l= 1 cm

Fig. 1.4 Definindo as unidades métricas de resistividade.

De fato, se a área da Fig. 1.4 é 1 cm2 e o comprimento 1 cm,

o valor da resistência do cubo da Fig. 1.4 é igual à resistividade
do material, conforme demonstrado abaixo:
l (1 cm)
IRI = p-
A
= P (1 cm2)
= lµlohms
Será útil lembrar deste fato ao compararmos os níveis de
resistividade nas discussões a seguir.
No Quadro 1.1, os valores típicos de resistividade são forne-
cidos por três grandes categorias de materiais. Embora você possa
estar familiarizado com as propriedades elétricas do cobre e mica
de estudos passados, as características dos materiais semicondu-
tores de germânio (Ge) e silício (Si) podem ser relativamente
inéditas. Como você verificará nos capítulos a seguir, eles não
são, com certeza, os dois únicos materiais semicondutores. Eles
são, contudo, os dois materiais que têm recebido maior interesse
no desenvolvimento de dispositivos semicondutores. Em anos
recentes, a tendência é a adoção do silício em detrimento do ger-
mânio, mas o germânio ainda continua em modesta produção.
Observe no Quadro 1.1 a diferença extrema entre os materi-
ais condutor e isolante para o comprimento de 1 cm (área de 1
cm2) do material. Dezoito posições separam o ponto decimal de
um número para o outro. Justifica-se a atenção que Ge e Si rece-
bem por várias razões. Uma consideração muito importante é o
fato de eles poderem ser fabricados em um nível muito grande
de pureza. De fato, avanços recentes têm reduzido níveis de im-
pureza no material puro para uma parte por 10 bilhões
(l:10.000.000.000). Alguém poderia perguntar se estes níveis
reduzidos de impureza são mesmo necessários. Eles certamente
são, se considerarmos que a adição de uma parte de impureza (do
tipo adequado) por milhão em um wafer do material de silício
pode mudar aquele material de um condutor relativamente po-
bre para um bom condutor de eletricidade. Estamos lidando, é
claro, com um espectro totalmente novo de níveis de compara-
ção, quando lidamos com o meio semicondutor. A capacidade
de mudar significativamente as características do material atra-
vés deste processo, conhecido como "dopagem",já é uma razão
do porquê o Ge e Si têm recebido toda esta atenção. Outras ra-
zões incluem o fato de suas características poderem ser muito
alteradas pela aplicação de calor ou luz - uma consideração
importante no desenvolvimento de dispositivos sensíveis ao ca-
lor e luz.
Fig. 1.5 Estrutura cristalina simples do Ge e Si.
Algumas das qualidades específicas do Ge e Si observadas
acima são devidas a suas estruturas atômicas. Os átomos de ambos
os materiais formam um modelo bem preciso, que é periódico
por natureza (isto é, repetem-se continuamente). Um modelo
completo é chamado cristal, e treliça é o arranjo periódico dos
átomos. Para Ge e Si, o cristal tem a estrutura de diamante tridi-
mensional da Fig. 1.5. Qualquer material composto apenas de
estruturas cristalinas repetidas no mesmo tipo é chamado de uma
estrutura de cristal singular. Para materiais semicondutores de
aplicação prática no campo de eletrônica, esta característica de
cristal singular existe e, além disso, a periodicidade da estrutura
não muda significativamente com a adição de impurezas no pro-
cesso de dopagem.
V amos agora examinar a estrutura do átomo e observar como
ele poderia afetar as características elétricas do material. Como
se sabe, o átomo é composto de três partículas básicas; o elétron,
o próton e o nêutron. Na estrutura atômica, os nêutrons formam
o núcleo, enquanto que os elétrons giram em tomo do núcleo em
uma órbita fixa. Os modelos de Bohr dos dois semicondutores
mais comumente usados, germfJ.nio e silício, são mostrados na
Fig. 1.6.
Conforme indicado pela Fig. 1.6a, o átomo de germânio tem
32 elétrons orbitando, enquanto o silício tem 14. Em cada ca~o.
existem quatro elétrons na camada mais externa (valência). O
potencial (potencial de ionização) exigido para qualquer um
.- Núcleo
El6troos
de~neia
(4 para cada))

QUADRO 1.1 Valores de Resistividade Típicos

Condutor Semicondutor Isolante

(b)
p =" 10-•n-cm p =" 50 ü-cm (germânio) p=" IO"ü-cm
(cobre) p =" 50 X 103 fl-cm (silício) (mica)
Fig. 1.6 Estrutura atômica (a) do germânio; (b) do silício.
4 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
Fig. 1.7 Ligação covalente do átomo de silício.
destes quatro elétrons de valência é menor do que o necessário
para qualquer outro na estrutura. Em um cristal puro de germâ-
nio ou silício, estes quatro elétrons de valência estão ligados a
quatro átomos de ligação, conforme mostrado na Fig. 1. 7 para o
silício. Tanto Ge como Si são referidos como átomos tetravalen-
tes, pois eles têm, cada um, quatro elétrons de valência.
Uma ligação de átomos, baseada no compartilhamento de
elétrons, é chamada ligação covalente.
Embora a ligação covalente resulte em uma ligação mais for-
te entre os elétrons de valência e seus átomos da matriz, ainda é
possível para os elétrons de valência absorverem energia cinéti-
ca suficiente de fatores naturais, para quebrarem a ligação e as-
sumirem o estado "livre". O termo "livre" revela que seu movi-
mento é bem sensível aos campos elétricos aplicados, como os
estabelecidos pelas fontes de tensão, ou qualquer diferença de po-
tencial. Estes fatores naturais incluem efeitos como a energia da
luz na forma de fótons e a energia térmica do meio. À tempera-
tura ambiente, existem aproximadamente 1,5 X 10 10 portadores
livres em um centímetro cúbico de material de silício intrínseco.
Materiais intrínsecos são aqueles semicondutores que fo-
ram cuidadosamente refinados para reduzirem as impu-
rezas a um nível muito baixo - essencialmente tão puro
quanto possfvel através da tecnologia moderna.
Os elétrons livres no material, devido somente aos fatores
naturais, são referidos como portadores intrfnsecos. Na mesma
temperatura, um material de germânio intrínseco terá aproxima-
damente 2,5 X 10 13 portadores livres por centímetro cúbico. A
razão entre o número de portadores no germânio e o número no
silício é maior do que 103, e indica que o germânio é melhor con-
dutor à temperatura ambiente. Isto pode ser verdade, mas am-
bos são ainda considerados maus condutores no estado intrín-
seco. Observe que no Quadro 1.1 a resistividade também difere
por uma razão em tomo de 1000:1, com o silício apresentando
o maior valor. Obviamente, esse resultado está de acordo uma
vez que a resistividade e a condutividade estão inversamente re-
lacionadas.
Um aumento na temperatura de um semicondutor pode
resultar em um aumento substancial no número de elétrons
livres no material.
À medida que a temperatura aumenta a partir do zero absolu-
to (O K), um número cada vez maior de elétrons de valência ab-
sorve energia térmica suficiente para quebrar a ligação covalen-
te e contribuir para o número de portadores livres, conforme
descrito acima. Este número maior de portadores irá aumentar o
índice de condutividade e produzir um menor nível de resistência.
Materiais semicondutores, como o Ge e o Si, que apresen-
tam uma redução da resistência com aumento da tempe-
ratura, são considerados possuidores de coeficiente de
temperatura negativo.
Você provavelmente verificará que a resistência da maioria
dos condutores aumenta com a temperatura. Isto se deve ao fato
de que a quantidade de portadores em um condutor não irá au-
mentar significativamente com a temperatura, mas sua vibração
em tomo de uma posição relativamente fixa tomará cada vez mais
difícil para elétrons atravessarem o material. Qualquer aumento
na temperatura resulta, portanto, em um nível de resistência maior
e um coeficiente de temperatura positivo.
1.4 NÍVEIS DE ENERGIA
Na estrutura atômica isolada existem níveis de energia discretos
(individuais) associados com cada elétron em órbita, conforme
mostrado na Fig. 1.8a. Cada material terá, de fato, seu próprio
conjunto de níveis de energia permissíveis para os elétrons na sua
estrutura atômica.
Quanto maior a distância do elétron ao núcleo, maior o
estado de energia, e qualquer elétron que tenha deixado
seu átomo de origem apresenta um estado de energia maior
do que qualquer elétron na estrutura atômica.
Entre os níveis discretos de energia estão os gaps, nos quais
nenhum elétron na estrutura atômica isolada pode aparecer. À
medida que os átomos de um material são unidos para formarem
a estrutura da rede cristalina, existe uma interação entre os áto-
mos, resultando em uma órbita particular para os elétrons de um
átomo com níveis de energia ligeiramente distintos dos elétrons
na mesma órbita de um átomo adicionado. O resultado é uma
expansão dos níveis discretos dos estados de energia possíveis,
para os elétrons de valência para aquelas bandas, conforme mos-
trado na Fig. 1.8b. Observe que existem níveis de ligação e esta-
dos de energia máxima, nos quais qualquer elétron na rede atô-
mica pode estar na região proibida, entre a banda de valência e
o nível de ionização, e lá permanecer. Lembre-se de que ioniza-
ção é o mecanismo pelo qual um elétron pode absorver energia
suficiente para desprender-se da estrutura atômica e entrar na
banda de condução. Iremos notar que a energia associada com
cada elétron é medida em elétron volts (eV). A unidade de medi-
da é adequada, uma vez que
eV (1.2)
conforme obtido da equação definida para voltagem V= W/Q.
A carga Q é a carga associada com um elétron simples.
Substituindo-se a carga de um elétron e um potencial diferen-
te de l volt na Eq. (1.2), resulta em um nível de energia referido
como um elétron volt. Como a energia também é medida em
joules, e a carga de um elétron= 1,6 X 10- 19 coulomb,
W = QV = (1,6 X 10- 19 C)(l V)
 Diodos Semicondutores 5

Energia
Nível de valência (camada mais externa)
Gap de energia
Segundo nível (próxima camada interna)
Gap de energia
Terceiro nível (etc.)
etc.

~------• i Núcleo

(a)

Energia Energia Energia

Elétrons

..
Banda de conooção "livres"
para

--·
estabelecer Banda de condução
condução Banda de condução
Bandas se
1
E 8 >5eV
sobrepõem

Elétrons--
de valência
ligados à
estrutura
atômica

Ei =l,leV(~i) .
=
14'g 0,67 e.V.(Qr:)
l!,v =l,4:leV (GâAs)
Fig. 1.8 Níveis de energia: (a) níveis dis-
Isolante Semicondutor Condutor cretos nas estruturas atômicas isoladas; (b)
bandas de condução e de valência de um
(b) isolante, semicondutor e condutor.

e conseqüentemente, densidade de portadores maior na banda de

condução à temperatura ambiente!
(1.3)
1.5 MATERIAIS EXTRÍNSECOS -
Em O K, ou zero absoluto (-273,lSºC), todos os elétrons de
valência de materiais semicondutores encontram-se ligados na
TIPOS n Ep
camada mais externa do átomo, com níveis de energia associa-
As características dos materiais semicondutores podem ser alte-
dos com a banda de valência da Fig. 1.8b. Contudo, à tempera-
radas significativamente pela adição de certos átomos de impu-
tura ambiente (300 K, 25ºC), um grande número de elétrons de
rezas no material semicondutor relativamente puro. Estas impu-
valência adquire energia suficiente para deixar a banda de valên-
rezas, embora adicionadas na razão de apenas uma parte em 10
cia, atravessar o gap de energia definido por E8 , na Fig. 1.8b, e
milhões, podem alterar suficientemente a estrutura de banda e
entrar na banda de condução. Para o silício, E8 é 1,1 eV, para o
modificar totalmente as propriedades elétricas do material.
germânio é 0,67 eV, enquanto para o arseneto de gálio é 1,41 eV.
O valor de E8 é obviamente menor para o germânio porque o Um material semicondutor que sofreu o processo de
número de portadores naquele material é maior do que no silício dopagem é chamado material extrínseco.
em temperatura ambiente. Observe que, para o isolante, o gap Existem dois materiais extrínsecos de importância fundamen-
de energia é tipicamente 5 eV ou mais, que limita muito o núme- tal para a fabricação de um dispositivo semicondutor: tipo n e
ro de elétrons que pode entrar na banda de condução à tempera- tipo p. Cada um deles será descrito detalhadamente nos parágra-
tura ambiente. O condutor tem elétrons na banda da condução fos seguintes.
mesmo em OK. Obviamente, então, existem à temperatura am-
biente muito mais do que portadores livres suficientes para man-
terem um fluxo intenso de carga, ou corrente. Material Tipo n
Encontraremos na Seção 1.5 que, se certas impurezas são
adicionadas aos materiais semicondutores intrínsecos, surgirão Tanto o material do tipo n quanto o do tipo p são formados pela
estados de energia nas bandas proibidas que causarão uma redu- adição de um número predeterminado de átomos de impureza em
ção líquida em Eg para ambos os materiais semicondutores - uma base do germânio ou silício. O tipo n é criado introduzindo-
6 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
Fig. 1.9 Impureza de antimônio no material tipo n.
se os elementos de impureza que têm cinco elétrons de valência
(pentavalente), como o antirnônio, o arsênico e o fósforo. O efeito
de tais elementos de impureza está indicado na Fig. 1.9 (usando
antimônio como a impureza em uma base de silício). Observe
que as quatro ligações covalentes ainda estão presentes. Existe,
contudo, um quinto elétron adicional devido ao átomo de impu-
reza, que está desassociado de qualquer ligação covalente em
particular. Este elétron adicional, fracamente ligado a seu átomo
de origem (antimônio), está relativamente livre para mover-se
dentro do material tipo n recentemente formado. Uma vez que o
átomo de impureza inserido contribuiu com um elétron relativa-
mente "livre" para a estrutura:
Impurezas dispersas com cinco elétrons de valência são
chamadas de átomos doadores.
É importante compreender que mesmo que um grande núme-
ro de portadores "livres" tenha sido estabelecido no material tipo
n, ele ainda é eletricamente neutro, pois o número de prótons
carregados positivamente no núcleo ainda é igual ao número de
elétrons "livres", que orbitam carregados negativamente na es-
trutura.
O efeito deste processo de dopagem na condutividade relati-
va pode ser mais bem descrito pelo uso do diagrama de banda de
energia da Fig. 1.10. Observe que um nível de energia discreto
(chamado nível doador) aparece na banda proibida com um E8
significativamente menor do que o do material intrínseco. Os
elétrons "livres" devido à impureza adicionada situam-se neste
Energia
E, como antes
Fig. 1.10 Efeito das impurezas doadoras na estrutura da banda de energia.
Fig. 1.11 Impureza de boro no material tipo p.
nível de energia, e têm menos dificuldade de absorver uma me-
dida suficiente de energia térmica a fim de mover-se para banda
de condução na temperatura ambiente. O resultado é que, à tem-
peratura ambiente, existe um grande número de portadores (elé-
trons) no nível de condução, e a condutividade do material au-
menta significativamente. À temperatura ambiente, em um ma-
terial de Si intrínseco, existe cerca de um elétron livre para cada
10 12 átomos (1 em 109 para Ge). Se nosso nível de dosagem fos-
se um em 10 milhões (107), a razão (10 12/107 = 105) indicaria que
a concentração de portadores aumentou por uma razão de
100.000:1.
Material Tipo p
O material tipo p é formado dopando-se um cristal de germânio
ou silício puro com átomos de impureza apresentando três elé-
trons de valência. Os elementos mais freqüentemente usados para
este propósito são o boro, o gálio e o índio. O efeito de um des-
tes elementos, o boro, sobre uma base de silício, é indicado na
Fig. 1.11.
Observe que existe agora um número insuficiente de elétrons
para completar as ligações covalentes da rede recentemente for-
mada. A lacuna resultante é chamada de buraco, e é representa-
da por um pequeno círculo ou sinal positivo devido à ausência
de uma carga negativa. Uma vez que a lacuna resultante irá acei-
tar rapidamente um elétron "livre":
As impurezas dispersas com três elétrons de valência são
chamadas átomos aceitadores.
O material tipo p resultante é eletricamente neutro, pelas mes-
mas razões descritas para o material tipo n.
Fluxo de Elétrons versus Buraco
O efeito do buraco na condução é mostrado na Fig. 1.12. Se um
elétron de valência adquire energia cinética suficiente para que-
brar sua ligação covalente e preencher o vazio criado por um
buraco, então uma lacuna, ou buraco, será criada na ligação co-
valente que liberou o elétron; Existe, portanto, uma transferên-
cia de buracos para a esquerda, e de elétrons para a direita, con-
forme mostrado na Fig. 1.12. A direção a ser usada neste livro é

Fluxo de buraco
Fluxo de elétron
Fig. 1.12 Fluxo de elétron 1·ersus fluxo de buraco.
a do fluxo convencional, que está indicada pela direção do fluxo
de buraco.
Portadores Majoritários e Minoritários
No estado intrínseco, o número de elétrons livres no Geou Si é
devido somente àqueles poucos elétrons na banda de valência que
adquiriram suficiente energia das fontes térmicas ou luminosas
para quebrarem a ligação covalente, ou às poucas impurezas que
não podem ser removidas. As lacunas deixadas para trás na es-
trutura de ligação covalente representam nossa fonte muito limi-
tada de buracos. Em um material tipo n, o número de buracos
não mudou muito em relação ao nível intrínseco. O resultado,
então, é que o número de elétrons excede o número de buracos.
Por isso:
Em um material tipo n (Fig. 1.13a), o elétron é chamado
de portador majoritário, e o buraco, de portador
minoritário.
Para o material tipo p, o número de buracos excede o número
de elétrons, como mostrado na Fig. 1.13b. Então:
Em um material tipo p, o buraco é o portador majoritário,
e o elétron é o portador minoritário.
Quando o quinto elétron de um átomo doador deixa o átomo
de origem, este átomo adquire uma carga positiva: por conseqüên-
cia, o sinal positivo na representação de íon doador. Por motivos
semelhantes, o sinal negativo aparece no íon aceitador.
tons doadores
Portadores
majoritários
majoritários
tipo n
Fig. 1.13 (a) Material tipo n; (b) material tipo p.
Diodos Semicondutores 7
Os materiais tipo n e tipo p representam os blocos básicos dos
sistemas semicondutores. Encontraremos na próxima seção que
a "união" de um material tipo n simples com um material tipo p
irá resultar em um elemento semicondutor de considerável im-
portância nos sistemas eletrônicos.
1.6 DIODO SEMICONDUTOR
Na Seção 1.5, ambos os materiais tipos n e p foram inseridos. O
diodo semicondutor é formado juntando-se simplesmente estes
materiais (construídos da mesma base - Geou Si), conforme
mostrado na Fig. 1.14, usando-se técnicas a serem descritas no
Cap. 20. No momento em que os materiais são "unidos", os elé-
trons e buracos na região de junção se combinam, resultando em
uma ausência de portadores na região próxima à junção.
Esta região de íons positivos e negativos não-combinados
é chamada de região de depleção, devido à depleção de
portadores nesta região.
Como o diodo é um dispositivo de dois terminais, a aplicação
de uma tensão através de seus terminais conduz a três possibili-
dades: nenhuma polarização (V0 = OV), polarização direta (V;,
> OV) e polarização reversa (V0 < OV). Cada condição resulta
em uma resposta que o usuário deve entender claramente, para
que o dispositivo seja aplicado de maneira correta.
Sem Polarização (V0 = O V)
Sob condições de não-polarização, quaisquer portadores mino-
ritários (buracos) no material tipo n que se encontrarem dentro
da região de depleção irão passar diretamente para o material tipo
p. Quanto mais próximo o portador minoritário estiver da jun-
ção, maior é a atração para a camada de íons negativos, e menor
a oposição dos íons positivos na região de depleção do material
tipo n. Para futuras discussões, devemos assumir que todos os
portadores minoritários tipo n que se encontram na região de
depleção, devido a seus movimentos randômicos, irão passar
diretamente para o material tipo p. Um argumento semelhante
pode ser utilizado para os portadores minoritários (elétrons) do
material tipo p. Este fluxo de portadores é indicado na Fig. 1.14
para os portadores minoritários de cada material.
Os portadores majoritários (elétrons) do material tipo n devem
superar as forças atrativas da camada de íons positivos no mate-
rial tipo n e o campo de íons negativos do material tipo p, a fim
de migrarem para a área da região de depleção do material tipo
p. Contudo o número de portadores majoritários é tão grande no
tons aceitadores
' + +e.
+e ' +e+e··
'', ' •. +
e+ e·. + ··+.e+. e·
+.·. e.. +. -
Portadores
e + + e+
Portador
tipo p minoritário
8 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Fluxo de portador minoritário

Região de depleção
~

p n

0o=OmA
'-------o+ VD= O V
(nenhuma polarização) Fig. 1.14 Junção p-n sem polarização externa.

material tipo n que existirá, invariavelmente, um número peque-
no de portadores majoritários com energia suficiente para passar
pela região de depleção para o material tipo p. Novamente, o
mesmo tipo de argumento pode ser aplicado aos portadores ma-
joritários (buracos) do material tipo p. O fluxo resultante devido
aos portadores majoritários também é mostrado na Fig. 1.14.
Uma análise mais detalhada da Fig. 1.14 mostrará que as
amplitudes relativas dos vetores do fluxo são tais que o fluxo
resultante em cada direção é zero. Este cancelamento dos veto-
res foi indicado por linhas cruzadas. O comprimento do vetor re-
presentando o fluxo de buraco foi desenhado maior do que para
o fluxo de elétrons, a fim de demonstrar que a amplitude de cada
um não precisa ser a mesma para o cancelamento, e que os ní-
veis de dopagem para cada material podem resultar em um fluxo
desigual de portadores de buracos e elétrons. Em resumo, então:
Na ausência de uma tensão de polarização, o fluxo resul-
tante de carga em qualquer direção para um diodo semi-
condutor é zero.
O símbolo para o diodo é repetido na Fig. 1.15 com as regiões
tipo n e p associadas. Observe que a seta está associada com o
componente tipo p, e a barra com a região tipo n. Como indica-
do, para V0 = OV, a corrente em qualquer direção é O mA.
Polarização Reversa (V0 < O V)
Se um potencial externo de V volts é aplicado através da junção
p-n em que o terminal positivo é conectado ao material tipo n e
o terminal negativo é ligado ao material tipo p, conforme mos-
trado na Fig. 1.16, o número de íons positivos não-combinados
na região de depleção do material tipo n aumentará, devido ao
grande número de elétrons "livres" arrastados para o potencial
positivo da tensão aplicada. Por motivos semelhantes, o número
de íons negativos não-combinados aumentará no material tipo p.
O efeito é, portanto, um alargamento da região de depleção. Este
alargamento da região de depleção estabelecerá uma barreira tão
grande para os portadores majoritários superarem que, efetiva-
mente, reduzirá o fluxo de portadores majoritários a zero, con-
forme mostrado na Fig. 1.16.
Contudo o número de portadores minoritários que penetra na
região de depleção não será alterado, resultando em vetores de
I, Fluxo de portador minoritário
~/majoritário= O

Vv=OV
+
o ~
__... o Região de depleção

I 0 =0mA

Fig. 1.15 Condições de não-polarização para um diodo semicondutor. Fig. 1.16 Junção p-n polarizada reversamente.

Vo + ----1,
o----1~----o
-+-!.,.
(Oposto)
Fig. 1.17 Condições de polarização reversa para um diodo semicondutor.
fluxo de portadores minoritários da mesma amplitude indicados
na Fig. 1.14, quando nenhuma tensão era aplicada.
A corrente que surge sob condições de polarização rever-
sa é chamada de corrente de saturação reversa, e é repre-
sentada por Is-
A corrente de saturação reversa é raramente maior do que
poucos microamperes, exceto para dispositivos de alta potência.
De fato, em anos recentes, seu nível tem-se situado normalmen-
te na faixa de nanoampere para sistemas de silício, e na faixa de
poucos microamperes para o germânio. O termo saturação vem
do fato de ela alcançar ser valor máximo rapidamente, e não
mudar significativamente com o aumento do potencial de pola-
rização reversa, como mostrado nas curvas características do
diodo da Fig. 1.19, para V0 < OV. As condições da polarização
reversa são descritas na Fig. 1.17 para o símbolo do diodo e jun-
ção p-n. Observe, sobretudo, que a direção de Is é contrária à seta
do símbolo. Observe também que o potencial negativo é conec-
tado ao material tipo p, e o potencial positivo ao material tipo n
- a diferença em letras grifadas para cada região revela uma con-
dição de polarização reversa.
Polarização Direta (Vn > O V)
Uma condição de polarização direta, ou "ligada", é estabeleci-
da aplicando-se o potencial positivo ao material tipo p, e o po-
tencial negativo ao material tipo n, conforme mostrado na Fig.
1.18. Para referência futura, portanto:
Um diodo semicondutor é polarizado diretamente quando
a associação tipo p e positivo, e tipo n e negativo, for esta-
belecida.
A aplicação de um potencial de polarização direta V0 irá "for-
çar" elétrons no material tipo n e buracos no material tipo p a
recombinarem-se com os íons próximos da fronteira, e reduzir a
largura da região de depleção como mostrado na Fig. 1.18. O
fluxo de portadores minoritários resultante de elétrons do mate-
rial tipo p para o material tipo n (e buracos do material tipo n para
o material tipo p) não muda em intensidade (pois o nível de con-
dução é controlado essencialmente pelo número limitado de
impurezas no material), mas a redução da região de depleção
resultou em um fluxo denso de majoritários através da junção.
Um elétron do material tipo n agora "vê" uma barreira reduzida
na junção, devido à região de depleção reduzida e uma forte atra-
ção para o potencial positivo aplicado ao material tipo p. À me-
dida que a polarização aplicada aumenta em amplitude, a região
de depleção continua a diminuir em largura até que o fluxo de
elétrons consiga atravessar a junção, resultando em um aumento
exponencial da corrente conforme mostrado na região de polari-
Diodos Semicondutores 9
}
_ _ _ _ _....,_ l . . .
ma)Or1tllno
lo = lmajoritjrio -Is
Região de depleção
+
Fig. 1.18 Junção p-n polarizada diretamente.
zação direta da curva característica da Fig. 1.19. Observe que a
escala vertical da Fig. 1.19 está em miliamperes (embora alguns
diodos semicondutores apresentem uma escala vertical medida
em amperes) e a escala horizontal na região de polarização dire-
ta tem um máximo de 1 V. Tipicamente, portanto, a tensão atra-
vés de um diodo polarizado diretamente será menor do que 1 V.
Observe, também, como a corrente aumenta rapidamente além
do joelho da curva.
Com o auxílio da física do estado sólido, pode-se mostrar que
as características gerais de um diodo semicondutor são defini-
das pela seguinte equação para as regiões de polarização direta e
reversa:
1... ·. I_f,). ·. );;'... · $ . . ._ ·.r,'. . J(..·. _:..._.
.·_·_I(·_e_··_k_.·_v ri_ •. _.-.1_)_· (1.4)
onde Is = corrente de saturação reversa
k = 11.600/7] com 7J = 1 para o Ge e 7J = 2 para o Si,
em níveis relativamente baixos de corrente de dio-
do (ou abaixo do joelho da curva), e 7J = 1 para Ge
e Si para níveis maiores de corrente de diodo (no
trecho da curva em que a corrente aumenta de for-
ma mais acentuada)
TK = Te+ 273°
Um gráfico da Eq. (1.4) é fornecido na Fig. 1.19. Se expan-
dirmos a Eq. (1.4) na seguinte forma, o elemento de contribui-
ção para cada região da Fig. 1.19 pode ser facilmente descrito:
ln = lsekVolTK - Is
Para valores positivos de V0 , o primeiro termo da equação
acima irá crescer muito rapidamente, e o efeito do segundo termo
será desprezível. O resultado é que para valores positivos de V0 ,
/ 0 será positivo e crescerá da forma y = e' mostrado na Fig. 1.20.
Em V0 = OV, a Eq. (1.4) vem a ser / 0 = Is (eº - 1) = /s(l - 1)
OmA, como mostra a Fig. 1.19. Para valores negativos de V0 , o
primeiro termo cairá rapidamente para abaixo de Is, resultando
em/0 = -Is, que é simplesmente alinha horizontal da Fig. 1.19.
A interrupção verificada na curva característica em V0 = OV é
simplesmente devido à mudança brusca na escala de mA para µA.
Observe na Fig. 1.19 que os dispositivos disponíveis comerci-
almente apresentam uma curva característica deslocada em poucas
dezenas de volts para a direita. Isto se deve à resistência interna do
"corpo" e à resistência externa dos "contatos" de um diodo. Am-
bas as resistências contribuem para o surgimento de uma tensão
adicional para um mesmo nível de corrente, como determina a lei
10 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

·r··1
r . J
·-1' l ' ' ' ,--1· 1!
·r 1
:
1
l
····· r ·
1
1

,1-1··
r 1. :
1
1
t J
.li
T '

1
1 1 r
1 1 1
Polaridade e sentido
-i
r-r .,
1 ·· 1· · ·•.' definidos para o gráfico ..,,]

- ··1
. .r·::·1.... -1 ~~~~1--~~ 1
rI
. r ·r····
T
1

1 Região de polarização direta i

l
>OV, 10 >0 mA) .J
!

Fig. 1.19 Curva característica do diodo

semicondutor de silício.

de Ohm (V=IR). Em tempo: à medida que os métodos de produ-
ção se aperfeiçoarem, esta diferença irá diminuir e a curva real do
diodo irá se aproximar da prevista pela Eq. (1.4).
É importante observar a mudança em escala para os eixos
vertical e horizontal. Para valores positivos de / 0 , a escala é em
miliamperes, e a escala de corrente abaixo do eixo é em
microamperes (ou, possivelmente, nanoamperes). Para V0 , a es-
cala para valores positivos é em décimos de volts, e para valores
negativos, a escala é em dezenas de volts.
Inicialmente, a Eq. (1.4) parece um tanto complexa, e pode
originar um medo injustificado de sua utilização em todas as
aplicações do diodo a seguir. Contudo, felizmente, serão feitas
y
aproximações em uma próxima seção, descartando a necessida-
de de aplicar a Eq. (1.4), fornecendo, assim, uma solução com
um mínimo de dificuldade matemática.
Antes de deixar o assunto sobre o estado de polarização dire-
ta, as condições para condução (o estado "on") são repetidas na
Fig. 1.21 com as polaridades de polarização necessárias, e adi-
reção resultante do fluxo de portadores majoritários. Observe
sobretudo como a direção da condução combina com a seta do
símbolo (conforme esclarecido para o diodo ideal).
Região Zener
Mesmo que a escala da Fig. 1.19 seja de dezenas de volts na re-
gião negativa, existe um ponto onde a aplicação de uma tensão

+ Vo
o---111J)i111----<o

o 2 3 X +
(Semelhante)

Fig. 1.20 Gráfico de e'. Fig. 1.21 Condições de polarização direta para um diodo semicondutor.

Vz I,
t ao passo que o valor máximo para o germânio é de aproximada-
Fig. 1.22 Regiào Zener.
também negativa resulta em uma mudança brusca na curva ca-
racterística, conforme mostrado na Fig. 1.22. A corrente aumen-
ta a uma taxa muito rápida na direção oposta da região de tensão
positiva. O potencial de polarização reverso que resulta desta
brusca mudança na curva característica é chamado potencial
Zener, e é dado pelo símbolo V,.
À medida que a tensão através do diodo aumenta na região de
polarização reversa, a velocidade dos portadores minoritários
responsáveis pela corrente de saturação reversa / 5 também aumen-
ta. Eventualmente, suas velocidades e energia cinética associa-
da (WK = -t mv2), serão suficientes para liberarem portadores
adicionais através das colisões com estruturas atômicas estáveis.
Isto é, o resultado é um processo de ionização, pelo qual elétrons
de valência absorvem energia suficiente para deixarem o átomo
de origem. Estes portadores adicionais podem, então, ajudar no
processo de ionização, até que uma alta corrente de avalanche seja
estabelecida e a região de ruptura em avalanche determinada.
A região de avalanche (V2 ) pode ser aproximada do eixo ver-
tical, aumentando-se os níveis de dopagem nos materiais p e n.
Contudo, à medida que V2 diminui para níveis muito baixos, tais
como - 5 V, um outro mecanismo, chamado ruptura Zener, con-
tribuirá para a mudança brusca na curva característica. Isto ocorre
porque existe um forte campo elétrico na região de junção que
pode perturbar as forças de ligação dentro do átomo e "gerar"
portadores. Embora o mecanismo de ruptura Zener seja um ele-
mento considerável apenas em níveis menores de V2 , esta mu-
dança brusca na curva característica em qualquer nível é chama-
da região Zener, e os diodos que empregam apenas esta porção
da curva de uma junção p-n são chamados diodos 'Zener. Eles são
descritos em detalhe na Seção 1.14.
A região Zener do diodo semicondutor descrito deve ser evi-
tada para que a resposta de um sistema não seja completamente
alterada pela mudança brusca na curva característica nesta região
de tensão reversa.
O potencial máximo de polarização reversa permitido,
para que o diodo não entre na região Zener, é chamado
de tensão de pico inversa (referida simplesmente como TPI
nominal) ou tensão de pico reversa (denotada por TPR
nominal).
Se uma aplicação exige uma TPI nominal maior do que a
permitida para um único dispositivo, alguns diodos de mesmas
características podem ser conectados em série. Diodos também
Diodos Semicondutores 11
são conectados em paralelo para aumentarem a capacidade de
fluxo de corrente.
Silício versus Germânio
Diodos de silício apresentam, em geral, TPI, correntes nominais
e faixas de temperatura maiores do que os diodos de germânio.
TPI nominais para o silício podem situar-se na faixa de 1.000 V,
mente 400 V. O silício pode ser usado para aplicações em que a
temperatura chega a aumentar em tomo de 200ºC (400ºF), en-
quanto que o germânio apresenta um valor nominal muito me-
nor (lOOºC). A desvantagem do silício, entretanto, comparado
com germânio, conforme indicado na Fig. 1.23, é a maior tensão
de polarização direta exigida para alcançar a região de condu-
ção. Este valor é da ordem de O,7 V para diodos de silício dispo-
níveis comercialmente, e de 0,3 V para diodos de germânio, quan-
do arredondados os valores. O maior valor para o silício é devi-
do, em primeiro lugar, ao fator ri na Eq. (1.4). Este fator tem
influência na determinação da forma da curva apenas em níveis
de corrente muito baixos. Quando a curva inicia seu aumento
vertical, o fator ri cai para 1 (o valor contínuo para germânio).
Isto é evidenciado pelas semelhanças nas curvas, uma vez alcan-
çado o potencial de offset. O potencial em que este aumento ocorre
é comumente chamado potencial de ojfset, limiar ou de disparo.
Freqüentemente, a primeira letra de um termo que descreve uma
quantidade particular é usada na notação para aquela quantida-
de. Contudo, para assegurar que não haja muita confusão com
outros termos, como tensão de saída (V0 ) e tensão direta (V,), a
notação V7 foi adotada para este livro, da palavra "limiar"
(threshold).
Em resumo:
Obviamente, quanto mais próxima a parte ascendente da curva
está do eixo vertical, mais "ideal" o sistema. Contudo as outras
características do silício, quando comparadas com o germânio,
ainda o tomaram a melhor escolha para a maioria dos elementos
disponíveis comercialmente.
Efeitos de Temperatura
A temperatura pode ter um efeito marcante sobre as característi-
cas de um diodo semicondutor de silício, como verificado para o
diodo de silício típico da Fig. 1.24. Concluiu-se, experimental-
mente, que:
A corrente de saturação reversa / 5 terá seu valor em am-
plitude aproximadamente dobrado para cada aumento de
JOºC na temperatura.
Não é incomum para um diodo de germânio, com Is na ordem
de 1 ou 2 µ,A em 25ºC, apresentar uma corrente de fuga de
100 µ,A= 0,1 mA, a uma temperatura de lOOºC. Níveis de cor-
rente desta magnitude na região de polarização reversa iriam cer-
tamente questionar nossa desejada condição de circuito-aberto
na região de polarização reversa. Valores típicos de Is para silí-
cio são muito menores do que os de germânio, para os mesmos
níveis de corrente e potência, conforme Fig. 1.23. O resultado é
12 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

/0 (mA)

30

25

Ge Si
20

15

10

Is (Si)= 0,01 µA= 10 nA

Vz (Si) i Vz (Ge) i
2µA
Is (Ge)
3µA

Si Ge

Fig. 1.23 Comparação dos diodos semicondutores de Si e Ge.

que, mesmo em altas temperaturas, os níveis de / 5 para diodos de desenvolvimento e utilização em projetos. Fundamentalmente,
silício não alcançam os altos níveis obtidos para germânio- uma um circuito-aberto equivalente na região de polarização reversa
característica muito importante que explica por que os dispositi- é mais bem caracterizado em qualquer temperatura com o silício
vos de silício desfrutam um nível significativamente maior de do que com o germânio.

/ 0 (mA)

(392ºF) (-103ºF)
200°C lOOºC 25°C -75ºC
12 ·rT
r I
!...,._

8
__J"-
.. n"v,n"--"''i
~ !
6 ···/~·····························i
·· ······ · ·!
•
+ ;
(temperatura ambiente)
l
4 f ....
,~ ,, '~,
! i
,~.,,.-i
j
mM,nH'fm-n ,m-•,nu .... H~~
(V) i
60 50 40 30 20 10 ""m'""' ""' ...
i
"""+"""

......................
---- ------~-------------
----.--
#
1,5 2 Vv (V)

( :
1
--ª-----"" 2
3
1 :
1 :
1

1 : (µA)
Fig. 1.24 Variação nas curvas caracteásticas
do diodo com a mudança na temperatura.
 Diodos Semicondutores 13

- ln(mA)
em um nível de corrente pré-ajustado (tipicamente, poucos mi-
liamperes).

EXEMPLO 1.1
Determine os níveis de resistência de para o diodo da Fig. 1.26 em
(a) / 0 = 2 mA
(b) /D= 20 mA
____,..o (e) V0 = -lOV
Vn(V)

ln(mA)
Fig. 1.25 Determinação da resistência de de um diodo, em um ponto de opera-
ção particular. 30

-silício
Os crescentes níveis de Is com a temperatura são responsáveis ·20 ---------
pelos diferentes níveis da tensão de limiar, conforme mostrado
na Fig. 1.24. Aumente simplesmente o nível de Is na Eq. (1.4), e
observe que o aumento na corrente de diodo é antecipado. Natu-
10
ralmente, o valor de TK também aumentará na mesma equação,
mas o aumento de Is irá prevalecer sobre a menor mudança per-
centual de TK. À medida que a temperatura aumenta, as curvas
-lOV 2
características estão, na verdade, se tomando mais "ideais", mas
concluiremos, quando analisarmos as folhas de especificações, -+-----i--º 1 µA o,s o,s Vn (V)
que temperaturas além da faixa normal de operação podem ter
um efeito muito prejudicial sobre a potência máxima e níveis de
corrente do diodo. Na região de polarização reversa, a tensão de Fig. 1.26 Exemplo J. 1.
ruptura cresce com a temperatura, mas observe o aumento inde-
sejável na corrente de saturação reversa. Solução

1. 7 NÍVEIS DE RESISTÊNCIA (a) Em / 0 = 2 mA, V = 0,5 V (da curva) e

0

À medida que o ponto de operação de um diodo move-se de uma

Ro = Vo = 0,5 V = 250 O
lo 2mA
região para outra, a resistência do diodo também será alterada
devido à forma não-linear da curva característica. Será demons- (b) Em/0 = 20 mA, V0 = 0,8 V (da curva) e
trado nos próximos parágrafos que o tipo da tensão ou sinal apli- VD _ O 8 V
cado irá definir o nível de resistência de interesse. Três níveis Ro -- - - ' = 40 .O
[D 20 mA
diferentes introduzidos nesta seção irão aparecer novamente,
quando analisarmos outros dispositivos. É, portanto, essencial que (e) Em V0 = -10 V, / 0 = -Is= -lµA (da curva) e
a sua determinação seja claramente compreendida. VD lOV
RD = - = - - = lOMO
/D 1 µA
Resistência DC ou Estática
reforçando claramente alguns dos comentários anteriores, com
A aplicação de uma tensão de num circuito contendo um diodo respeito aos níveis de resistência de de um diodo.
semicondutor resultará em um ponto de operação sobre a curva
do diodo inalterado com o tempo. A resistência do diodo no ponto
de operação pode ser encontrada simplesmente encontrando-se Resistência AC ou Dinâmica
os valores correspondentes de V0 e / 0 , conforme mostrado na Fig.
1.25, aplicando-se a seguinte equação: É óbvio da Eq. 1.5 e do Exemplo 1.1 que a resistência de de um
diodo é independente da forma da curva característica na região que
circunda o ponto de interesse. Se uma senóide, ao invés de uma
(1.5) entrada de, for aplicada, a situação mudará completamente. A en-
trada variando moverá o ponto de operação instantâneo para cima
Os níveis de resistência de no joelho e abaixo deste serão e para baixo em uma região da curva, definindo, portanto, uma
maiores do que os níveis de resistência obtidos para a região mudança específica na corrente e tensão, conforme mostrado na Fig.
de aumento vertical da curva. Os níveis de resistência na re- 1.27. Sem variações da tensão aplicada, o ponto de operação seria
gião de polarização reversa serão, naturalmente, bem maiores. o ponto Q, que aparece na Fig. 1.27 determinado pelos níveis de
Uma vez que, em geral,.ohmímetros empregam uma fonte de aplicados. A designação do ponto Q é obtida da palavra quiescen-
corrente relativamente constante, a resistência determinada será te, que significa "nível invariável ou estacionário".
14 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

(b) Determine a resistência ac em /0 = 25 mA

(e) Compare os resultados das letras (a) e (b) com as resistên-
cias de em cada nível de corrente.
lo(mA)
Curva caractcástica do diodo ~

r
Ili"
.j_.,,.,-
..
·· · f
Reta tangente

Ponto Q
f (operação de)
30 -------------------------

l :,
::
.
;
~

20
-------------------

----- - ----- -- - --- - - .. ··-- -,

ti.~

15

-·/ 10

Fig. 1.27 Definição da resistência dinãmica ou ac.

Uma linha reta desenhada tangente à curva através do ponto o 0,1 012 o,3 o,4 o,s o,6 o,7 o,s 0,9 1 V0 (V)
'-'-v-'
Q, conforme mostrado na Fig. 1.28, definirá uma variação parti- L\Vd
cular da tensão e corrente, e pode ser usada para determinar a
resistência ac ou dinâmica para esta região da curva característi- Fig. 1.29 Exemplo 1.2.
ca do diodo. Um esforço deveria ser feito para manter a variação
em tensão e corrente tão pequena quanto possível, e eqüidistante Solução
de cada lado do ponto Q. Na forma de equação,
(a) Para / 0 = 2 mA; a linha tangente em / 0 = 2 mA foi determi-
onde a significa uma variação nada como mostra a figura, e uma amplitude de 2 mA aci-
(1.6)
finita do parâmetro. ma e abaixo da corrente de diodo especificada foi escolhi-
da. Em/0 = 4 mA, V0 = 0,76 V e em/0 = OmA, V0 = 0,65
Quanto mais íngreme a inclinação, menor o valor de à Vd para a V. As variações resultantes em corrente e tensão são
mesma variação em Âld, e, conseqüentemente, menor a resistên-
cia. A resistência ac na região de aumento vertical da curva ca- Âld = 4 mA - O mA = 4 mA
racterística é, portanto, bem pequena, enquanto que a resistência e áVd = 0,76 V - 0,65 V= 0,11 V
ac é muito maior em níveis de corrente baixos.

e a resistência ac:

,d____
_ ÃVd _ 0,11 V -
áld 4 mA
_ l7 S
'
un

(b) Para / 0 = 25 mA; a linha tangente em / 0 = 25 mA foi dese-

nhada sobre a figura, e uma amplitude específica de 5 mA
acima e abaixo da corrente de diodo foi escolhida. Em 10 =
30 mA, V0 = 0,8 V e em 10 = 20 mA, V0 = 0,78 V. As
mudanças resultantes na corrente e tensão são

Ald = 30 mA - 20 mA = 10 mA
Fig. 1.28 Determinação da resistência ac no ponto Q. e avd = 0,8 V - 0,78 V= 0,02 V

e a resistência ac é
EXEMPLO 1.2
Para a curva característica da Fig. 1.29: rd = AVd = 0,02 V = 2 O
(a) Determine a resistência ac em / 0 = 2 mA áld 10 mA
 Diodos Semicondutores 15

(c) Para/0 = 2 mA, V0 = 0,7 V e

Rv = Vv = 0,7 V= 350 !l ou (1.7)

10 2mA
muito maior do que o valor de rd de 27,5 n.
Para / 0 = 25 mA, V0 = 0,79 V e
R = Vv = 0,79 V = 31 62 !l
0 10 25 mA ' níveis, ou de nos preocuparmos em desenhar linhas tangentes,
muito maior do que o valor rd de 2 n.
Encontramos a resistência dinâmica graficamente, mas exis-
te uma definição básica em cálculo diferencial que diz:
A derivada de uma função em um ponto é igual à inclina-
ção da reta tangente traçada naquele ponto.
A Eq. (1.6) definida pela Fig. 1.28, é, desse modo, determinada
essencialmente pela derivada da função no ponto Q de opera-
ção. Se encontrarmos a derivada da Equação geral (1.4) para o
diodo semicondutor com respeito à polarização direta aplicada,
e então invertermos o resultado, teremos uma equação para are-
sistência dinâmica ou ac naquela região. Isto é, tomando-se a
derivada da Eq. (1.4) com respeito à polarização aplicada, re-
sulta em
O significado da Eq. (1.7) deve ser muito bem compreendido.
Ele indica que a resistência dinâmica pode ser encontrada sim-
plesmente substituindo-se o valor quiescente da corrente de dio-
do na equação. Não há necessidade de as curvas estarem dispo-
conforme definido pela Eq. (1.6). É importante ter em mente, con-
tudo, que a Eq. (1.7) é precisa apenas para valores de / 0 na re-
gião de aumento vertical da curva. Para valores menores de / 0 , r,
= 2 (silício) e o valor de rd obtido deve ser multiplicado por um
fator de 2. Para valores pequenos de / 0 abaixo do joelho da cur-
va, a Eq. (1.7) toma-se inadequada.
Todos os níveis de resistência determinados até o momento
foram determinados para a junção p-n, e não incluem a resis-
tência do material semicondutor (chamada resistência de cor-
po) e a resistência introduzida pela conexão entre o material se-
micondutor e o condutor metálico externo (chamada resistên-
cia de contato). Estes níveis adicionais de resistência podem ser
incluídos na Eq. (1.7), somando-se a resistência denotada por
r., como aparece na Eq. (1.8). A resistência r,d inclui, portanto,
a resistência dinâmica definida pela Eq. 1.7 e a resistência r.
introduzida.

ohms (1.8)

e O fator r. pode variar tipicamente de O, 1 n, em sistemas de

d/0 k alta potência, para 2 n, em alguns diodos de baixa potência de
- - = -:::-<Jo + Is) uso geral. Para o Exemplo 1.2, a resistência ac em 25 mA foi
dVo TK calculada como sendo de 2 O.. Usando a Eq. (1.7), temos
realizando algumas operações básicas do cálculo diferencial. Em rd = 26 mV 26 mV = l 04 !l
geral, / 0 ;,:,, Is na região de inclinação vertical da curva e lo 25 mA '
d/0
--==!
k
-Iv A diferença em tomo de 1 n pode ser considerada devido à con-
dV0 TK tribuição de r•.
Para o Exemplo 1.2, a resistência ac em 2 mA foi calculada
Substituindo-se r, = 1 para Ge e Si na região de inclinação ver-
como sendo de 27,5 O.. Usando a Eq. (1.7), mas multiplicando-
tical da curva, obtemos
se por um fator de 2 para esta região (no joelho da curvar, = 2),
k = 11.600 = 11.600 = 1l 600 26 mV)
T/ 1 . rd = 2( lo = 2 (26 mV)
2 mA = 2(13 fi) = 26 !l

e à temperatura ambiente A diferença de 1,5 n pode ser considerada devido à contribui-

ção r•.
TK = Te+ 273º = 25º + 273° = 298º Na verdade, a determinação de rd com um elevado grau de
precisão a partir da curva característica, usando-se a Eq. ( 1.6), é,
na melhor das hipóteses, um processo difícil, e os resultados
de modo que 11.600
--==! 38 93 devem ser tratados com um pouco de desconfiança. Nos níveis
298 ' baixos de corrente de diodo, o fator r. é normalmente pequeno o
suficiente comparado com rd para permitir que se despreze o seu
impacto sobre a resistência de diodo ac. Nos níveis altos de cor-
e d/0 rente, o nível de r. pode aproximar-se de rd, mas uma vez que
dVo = 38,93/0 existirão freqüentemente outros elementos resistivos de magni-
tude muito maior em série com o diodo, assumiremos neste li-
Considerando o resultado para definir uma relação de resistên- vro que a resistência ac só é determinada por rd e o impacto de r.
cia (R = Vil) nos dá será ignorado, a menos que se especifique o contrário. Avanços
tecnológicos de anos recentes sugerem que o nível de r. conti-
nuará a diminuir de valor e tomar-se-á eventualmente um fator
que, na certa, pode ser ignorado em comparação a rd.
16 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

A discussão acima concentrou-se somente na região de po-
larização direta. Na região de polarização reversa, assumiremos
que a variação de corrente ao longo da linha /" de OV à região
Zener, é nula, e a resistência ac resultante usando-se a Eq. (1.6)
é suficientemente alta para permitir a aproximação de circuito-
aberto.
sição do alto valor em 2 mA para o baixo valor em 17 mA. A
Eq. (1.9) define um valor que é considerado a média dos valo-
res ac de 2 a 17 mA. O fato de um nível de resistência poder ser
usado para esta ampla região da curva prova a utilidade da defi-
nição de circuitos equivalentes para um diodo em uma seção
posterior.

Resistência AC Média Quadro Resumo

Se o sinal de entrada for suficientemente grande para produzir a O Quadro 1.2 foi desenvolvido para reforçar as importantes con-
amplitude mostrada na Fig. 1.30, a resistência associada do dis- clusões das últimas páginas, e enfatizar a diferença entre os vá-
positivo para esta região é chamada resistência ac média. A re- rios níveis de resistência. Conforme indicado anteriormente, o
sistência ac média é, por definição, determinada pela linha reta conteúdo desta seção é a base para os cálculos de resistência a
desenhada entre as duas interseções estabelecidas pelos valores serem realizados nas seções e capítulos posteriores.
máximo e mínimo da tensão de entrada. Na forma de equação
(observe Fig. 1.30).
1.8 CIRCUITOS EQUIVALENTES DE
DIODO
(1.9)
Um circuito equivalente é uma combinação de elementos
Para a situação indicada pela Fig. 1.30, adequadamente escolhidos para melhor representarem as
características reais de um dispositivo, sistema ou região
ll.I d = 17 mA - ~ mA = 15 mA particular de operação.
e ll. Vd = O, 725 V - 0,65 V = 0,075 V Em outras palavras, uma vez definido o circuito equivalente,
o símbolo do dispositivo pode ser removido do esquema, e o cir-
cuito equivalente inserido em seu lugar sem afetar severamente
0,075 V= S O o comportamento real do sistema. Via de regra, o resultado é uma
com
configuração que pode ser resolvida usando-se técnicas tradicio-
15 mA
nais de análise de circuito.
Se a resistência ac (rd) fosse determinada em lv = 2 mA, seu
valor seria maior do que 5 O, e, se determinada em 17 mA, se-
ria menor. Entre estes valores, a resistência ac realizaria a tran- Circuito Equivalente Linear por Partes
Uma técnica para se obter um circuito equivalente para o diodo
é aproximar as características do dispositivo por segmentos de
reta, conforme mostrado na Fig. 1.31. O circuito equivalente
resultante é naturalmente chamado circuito equivalente li-
near por partes. Seria óbvio da Fig. 1.31 que os segmentos de
20 reta não resultam em uma reprodução exata das característi-
cas reais, em especial na região do joelho. Contudo os segmen- .
tos resultantes estão suficientemente próximos da curva real
para estabelecerem um circuito equivalente, fornecendo uma
15 excelente primeira aproximação do comportamento real do sis-
tema. Para a região de inclinação da curva equivalente, a re-
sistência ac média, como introduzida na Seção 1.7, é o nível
de resistência que aparece no circuito equivalente da Fig. 1.32
próximo ao dispositivo real. Em essência, ela define o nível
de resistência do dispositivo quando ele está no estado "liga-
do". O diodo ideal é incluído para estabelecer que só existe uma
direção de condução através do dispositivo e que uma condi-
ção de polarização reversa resulta no estado de circuito-aber-
5 to para o circuito. Como o diodo semicondutor de silício não
alcança o estado de condução até Vv atingir 0,7 V para polari-
zação direta (conforme mostrado na Fig. 1.31 ), uma bateria V,
opondo-se à direção de condução deve aparecer no circuito
equivalente, conforme mostrado na Fig. 1.32. A bateria espe-
O 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 cifica simplesmente que a tensão através do sistema deve ser
y maior do que a tensão limiar da bateria para que a condução
áVd através do dispositivo na direção imposta pelo diodo ideal
possa ser estabelecida. Quando isso ocorre, a resistência do
Fig. 1.30 Determinação da resistência ac média entre os limites indicados. diodo terá o valor específico de rav·
 Diodos Semicondutores 17

QUADRO 1.2 Níveis de Resistência

Características Determinação
Tipo Equação Especiais Gráfica

De Definido como um ponto

ou R = Vo sobre a curva característica
estática O lo

Ac
rd=-=--
avd 26mV Definido por uma reta
ou tangente no ponto Q
11Id lo
dinâmica

ac médio ~ = avdl Definido por uma linha reta

av l1J
d pt. a pt. entre os limites de operação

Contudo tenha em mente que V1 no circuito equivalente não é ser discutida na Seção 1.9). Por exemplo, para um diodo semi-
uma fonte de tensão independente. Se um voltímetro for coloca- condutor de silício, se IF = 10 mA (uma corrente de condução
do nos terminais de um diodo isolado, sobre uma bancada de direta para o diodo) em V0 = 0,8 V, sabemos que é necessário
laboratório, não será obtida uma leitura de 0,7 V. A bateria re- um deslocamento de O, 7 V antes que a curva característica do
presenta apenas o nível horizontal da curva característica que deve dispositivo se eleve e
ser atingido para estabelecer a condução.
Em geral, o nível aproximado de r.v pode ser determinado de avd I o,8 v - 0,1 v 0,1 V =lOO
um ponto de operação específico da folha de especificações (a rav = à/d pt.apt. = 10 mA - O mA lOmA
lD(mA) conforme obtido para Fig. 1.30.

Circuito Equivalente Simplificado

10 ···--------
Para a maioria das aplicações, a resistência r.v é suficientemente
pequena para ser desprezada em comparação aos outros elementos
do circuito. A retirada de rav do circuito equivalente é o mesmo que
dizer que a curva característica do diodo apresenta a forma mostra-
da na Fig. 1.33. Na verdade, esta aproximação é empregada amiú-
de na análise de um circuito semicondutor, como demonstrado no
1 'av
1
1
1
1
1
1

....•.
1
1
1 VD
1
o 0,7V 0,8 V VD (V) !,___,-11.,'"'""··---o =;>-
(VT)

Fig. 1.31 Definição do circuito equivalente linear, usando-se segmentos de reta

para aproximar a curva característica. Fig. 1.32 Componentes do circuito equivalente linear.
18 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
av=ÜÜ
Fig. 1.33 Circuito equivalente simplificado para o diodo semicondutor de silício.
Cap. 2. O circuito equivalente reduzido aparece na mesma figura.
Isto indica que um diodo de silício polarizado diretamente em um
sistema eletrônico, sob condições de, tem uma queda de O, 7 V atra-
vés dele no estado de condução, em qualquer nível da corrente de
diodo (para valores nominais, naturalmente).
Circuito Equivalente Ideal
Agora que r,v foi removido do circuito equivalente, vamos mais
a frente e estabelecer que um nível de 0,7 V pode muitas vezes
ser ignorado em comparação ao nível de tensão aplicada. Neste
caso, o circuito equivalente será reduzido para um diodo ideal
somente, conforme mostrado na Fig. 1.34, com sua curva carac-
terística. No Cap. 2, veremos que esta aproximação é muitas vezes
feita sem perda considerável da precisão.
Na indústria, uma substituição popular para a expressão "cir-
cuito equivalente de diodo" é modelo de diodo - um modelo,
por definição, é representação de um dispositivo, objeto, sis-
tema existente e assim por diante. De fato, esta terminologia
substituta será usada quase que exclusivamente nos capítulos
seguintes.
Quadro Resumo
Para elucidar, os modelos de diodo empregados para uma faixa
de parâmetros do circuito e aplicações· são fornecidos no Qua-
dro 1.3, com suas características lineares aproximadas. Cada
modelo será mais bem analisado no Cap. 2. Existem sempre ex-
ceções às regras gerais, mas é completamente seguro dizer que o
modelo equivalente simplificado será empregado com mais fre-
qüência na análise de sistemas eletrônicos, enquanto que o dio-
do ideal será aplicado amiúde na análise de sistemas de alimen-
tação de potência, onde tensões maiores são encontradas.
o
Fig. 1.34 Diodo ideal e sua curva característica.
+ Vo
1.9 FOLHAS DE ESPECIFICAÇÕES DO
DIODO
Os dados sobre dispositivos semicondutores específicos são nor-
malmente fornecidos pelo fabricante de duas formas. Mais freqüen-
temente, trata-se de uma breve descrição, limitada talvez a uma
página. O outro modo é uma análise completa das características,
usando-se gráficos, desenhos, tabelas e assim por diante. Em todo
caso, entretanto, existem dados específicos dos dados que devem
ser incluídos para a utilização correta do dispositivo. São eles:
1. A tensão direta VF (para uma corrente e temperatura específicas).
2. A corrente direta máxima IF (para uma temperatura específica).
e
3. A corrente de saturação reversa 1. (para uma tensão tempe-
ratura específicas).
4. A tensão reversa nominal [IPI ou TPR ou T(BR), onde BR vem
do termo "ruptura" (breakdown) (a uma temperatura específica)].
5. O nível máximo de dissipação de potência para uma tempe-
ratura em particular.
6. Níveis de capacitância (conforme definido na Seção 1.10).
7. Tempo de recuperação reverso trr ( conforme definido na Se-
ção 1.11).
8. Faixa de operação de temperatura.
Dependendo do tipo de diodo considerado, dados adicionais
também podem ser fornecidos, tais como faixa de freqüência,
nível de ruído, tempo de chaveamento, níveis de resistência tér-
mica e valores de pico repetitivos. Dependendo da aplicação, a
importância do dado será muitas vezes aparente. Se a potência
máxima ou dissipação nominal é também fornecida, ela é consi-
derada igual ao seguinte produto:
r. Pn"", · ==Volt) (1.10)

QUADRO 1.3 Circuitos Equivalentes de Diodo (Modelos)
Tipo Condições
Modelo linear
Modelo simplificado
Sistema ideal R""' >> rav
E...,>> V,
onde lv e Vv são a corrente e tensão do diodo em um ponto de
operação particular.
Se utilizarmos o modelo simplificado para determinada apli-
cação (um exemplo comum), podemos substituir Vv = V,= 0,7
V para o diodo de silício na Eq. (1.10), e determinar a dissipação
de potência resultante, para uma comparação com a potência
máxima nominal. Isto é,
I.·• ftti~sipada ;; {O, 7 Y)ID .· J (1.11)
Uma cópia exata dos dados fornecidos pela Fairchild Camera
and Instrument Corporation para seus diodos de alta tensão/bai-
xa fuga BAY73 e BA 129 aparece nas Figs. 1.35 e 1.36. Este
exemplo representa a lista detalhada de dados e características.
O termo retificador é aplicado a um diodo quando ele é usado
em um processo de retificação, a ser descrito no Cap. 2.
Tópicos específicos da folha de especificações foram realça-
dos, com uma letra de identificação correspondente à seguinte
descrição:
A: As tensões de polarização reversa (TPRs) mínimas para cada
diodo em uma corrente de saturação reversa específica.
B: Características de temperatura como indicado. Observe o
uso da escala Celsius e a grande faixa de utilização [lem-
bre-se de que 32ºF = OºC = congelamento (H20) e 212ºF
= lOOºC = ebulição (H20)].
C: Nível máximo de dissipação de potência Pv = VJv = 500
mW. A potência máxima nominal diminui a uma taxa de
3,33 mW por grau de aumento na temperatura, acima da
temperatura ambiente (25ºC), conforme claramente indi-
cado pela curva de redução de potência da Fig. 1.36.
Diodos Semicondutores 19
Modelo Características
o
o
o
D: Corrente direta contínua Irmáx = 500 mA (observe Ir ver-
sus a temperatura na Fig. 1.36).
E: Faixa de valores de VF para IF = 200 mA. Observe que ele
excede V,= 0,7 V para ambos os dispositivos.
F: Faixa de valores de VF paralF = 1,0 mA. Observe, neste caso,
como os limites superiores giram em tomo de 0,7 V.
G: Em v. = 20 V e para uma temperatura de operação típica
I. = 500 nA = 0,5 µA, enquanto que para uma tensão
reversa maior, I. cai para 5 nA = 0,005 µA.
H: O nível de capacitância entre os terminais é em tomo de 8
pF para o diodo BAY73, em v. = Vv = O V (nenhuma
polarização) e uma freqüência de operação de 1 MH,.
I: O tempo de recuperação reverso é 3 µs para a lista de con-
dições de operação.
Algumas curvas da Fig. 1.36 empregam a escala log. Uma
breve investigação da Seção 11.2 iria ajudar na leitura dos gráfi-
cos. Observe na figura da esquerda superior como Vr aumentou
de 0,5 V para mais de 1 V, à medida que IF aumenta de 10 µA
para mais de 100 mA. Na figura abaixo, vemos que a corrente de
saturação reversa varia consideravelmente com níveis crescen-
tes de v., mas permanece abaixo de 1 nA à temperatura ambien-
v.
te, acima de = 125 V. Conforme observado na figura ao lado,
entretanto, nota-se como a corrente de saturação reversa aumen-
ta rapidamente com o aumento da temperatura (conforme pre-
visto antes).
Na figura à direita, no alto, observe como a capacitância dimi-
nui com o aumento na tensão de polarização reversa, e, na figura
abaixo, observe que a resistência ac (rd) vale apenas cerca de 1 O
em 100 mA, e aumenta para 100 O em correntes menores do que 1
mA (como esperado da discussão das seções anteriores).
20 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

DIFFUSED SILICON PLANAR

A--t-- D0-35 OUTLINE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Note 1)

8--t----_-,
Temperatures IJ
i~) MIN

0,180(4,57)
J40(3,S6)
C---1-----

Maximum Voltage and Currents

WIV Working Inverse Voltage BAY73 IOOV
BAl29 180V
0,021 (0,S3Jl
10 Average Reclified Current 200mA ---DIA
0,019 (0,483) o,o7S (1,91)
D---11---------!l~fi_:~.:M.~-~l,l;iil!IIIIIIIIIIIIJllll!llillll~llffilllllll!IIIII!.. (),060 (l,Sl> DIA
ir Peak RepétiüvêForwàrd Currerii 600 nÍA
NOTES:
Coppc-r clad steel leads, tin plated
Peak Forward Surge Current Gold plated leads available
Pulse Width = 1 s l,OA Hennetically sealed glass package
Pulse Width = 1 µs 4,0A Package weight is 0, 14 aram

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (2SºC

SYMBOL CHARACTERISTIC TEST CONDITIONS

E ---11----+- V F

G ---11----t--lR Reverse Current-----t----

BV Breakdown Voltage

NOTES
l Thcsç ratings are limiting valuc~ abovc which lhe scrvicea~ilicy of thc diode muy hc impuircd.
:? 'Tlk.~ are stcady slalc limits. The fuc1ory should bc consult1..-d on applica1ions involving pulses or low dury-cyclc opcrulion.

Fig. 1.35 Características elétricas dos diodos de alta tensão e baixa fuga, Fairchild BAY73-BA 129. (Cortesia da Fairchild Camera and Instrument Corporation.)*

A corrente retificada média, corrente direta do pico repetiti-
vo e a corrente direta de surto de pico, apresentadas na folha de
especificações, são definidas a seguir:
1. Corrente retificada média. Um sinal retificado de meia onda
(descrito na Seção 2.8) tem um valor definido por I.v = 0,318
/pico· A corrente média nominal é menor do que as correntes contí-
nuas ou direta de pico repetitiva, pois uma corrente de meia onda
terá valores instantâneos muito maiores do que o valor médio.
2. Corrente direta de pico repetitiva. Este é o máximo valor ins-
tantâneo da corrente direta repetitiva. Observe que, uma vez
possuindo este nível por um breve período de tempo, seu va-
lor pode ser maior do que o nível contínuo.
3. Corrente direta de surto de pico. Em períodos durante o
chaveamento, mau funcionamento e assim por diante, existi-
rão correntes muito altas através do dispositivo, para interva-
los muito curtos de tempo (que não são repetitivos). Estepa-
*Os termos originais em inglês contidos nesta figura não foram traduzidos porque o que se
encontra na prática, no laboratório, são especificações escritas em inglês, com raras exce-
ções. Deseja-se, com isto, que o leitor se acostume aos termos técnicos que ele encontrará
na sua vida profissional. (N. do T.)
 Diodos Semicondutores 21

CURVAS TÍPICAS DE CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS

à temperatura ambiente de 25"C, a menos que assinalado de outra forma

TENSÃO DIRETA VERSUS CORRENTE DIRETA VERSUS CAPACITÁNCIA VERSUS

CORRENTE DIRETA COEFICIENTE DE TEMPERATURA TENSÃO REVERSA
soo
<e <e

l
1
1
s
e
.
:a
;;
·)
...e à
8 0,1 u
1
1
..:-
0,01 '---'--..._-'-_ _..__...,__ _.
012 o,4 o,6 o,s 110 1,2 º·º\ 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
VF - Tensão direta - volts TC -Coeficiente de temperatura - mV/"C V8 - Tensão reversa - volts

TENSÃO REVERSA VERSUS CORRENTE REVERSA VERSUS IMPEDÁNCIA DINÂMICA VERSUS

CORRENTE REVERSA COEFICIENTE DE TEMPERATURA CORRENTE DIRETA

< :: : ~~f=~~5-~-~ .. +· " ==-- <e

"1
1
..~
>
s
i..
... o,,
E .
=
~
u
~
u 0,1

....
1 1
..... .....
25 50 75 100 125 110 .10 100 lK lOK
VR - Tensão reversa - volts TA - Temperatura ambiente - 'C R0 - Impedância dinâmica - O

CORRENTE RETIFICADA MÉDIA E

CORRENTE DIRETA VERSUS
CURVA DE REDUÇÃO DE PO'ftNCIA TEMPERATURA AMBIENTE
~ 500 .--~-,-··,---......,-·-,----,-,····, soo ......~-.-,-.,--,--,-,--,
e
.
·g
1 400
~
<U

8. 300 1

~
,g 200
ál'

! 1.
100

ro..."' 0o 2s so 75 10012s1so11s200 0o 25 so 75 10012s 1so 115200

TA - Temperatura ambiente - 'C TA - Temperatura ambiente -°C

Fig. 1.36 Características dos diodos de alta tensão Fairchild BAY73-BA 129. (Cortesia da Fairchild Camera and lnstrument Corporation.)
22 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
C(pF)
(V) -25 -20 -15 -10 -5 o 0125
râmetro define o valor máximo e o intervalo de tempo permi-
tido para estes surtos no nível de corrente.
Quanto mais se toma contato com as folhas de especificações, mais
"amigáveis" elas se tomarão, especialmente quando o efeito de cada
parâmetro é claramente compreendido para a aplicação sob análise.
1.10 CAPACITÂNCIA DE TRANSIÇÃO
E DIFUSÃO
Dispositivos eletrônicos são inerentemente sensíveis a freqüên-
cias elevadas. Muitos efeitos capacitivos de derivação podem ser
ignorados para freqüências menores, pois o valor da reatância Xc
= 1/2 nfC é muito grande (circuito-aberto equivalente). Este
efeito, entretanto, não pode ser ignorado para freqüências muito
altas. Xc tornar-se-á suficientemente pequeno devido ao grande
valor de f, que introduz um caminho de baixa reatância. No dio-
do semicondutor p-n, existem dois efeitos capacitivos a serem
considerados. Ambos os tipos de capacitância estão presentes nas
regiões de polarização direta e reversa, mas uma excede a outra
dependendo da região de operação considerada.
Na região de polarização reversa, temos a capacitância
da região de transição ou de depleção (CT), enquanto que
na região de polarização direta, temos a capacitância de
difusão ( C0 ) ou de acwnulação.
Lembre-se de que a equação básica para a capacitância de um
capacitor de placas paralelas é definida por C = eA/d, onde E é a
permissividade do dielétrico (isolante) entre as placas de área A, se-
paradas por uma distância d. Na região de polarização reversa existe
uma região de depleção (livre de portadores) que se comporta essen-
cialmente como um isolante entre as camadas de carga opostas. Uma
vez que a largura de depleção (d) aumentará com a elevação dopo-
tencial de polarização reverso, a capacitância de transição resultante
diminuirá, conforme a Fig. 1.37. O fato de a capacitância depender
do potencial de polarização reverso empregado tem aplicação em
alguns sistemas eletrônicos. De fato, no Cap. 20, um diodo será in-
troduzido com operação totalmente dependente deste fenômeno.
CT ou CD
o__._,___.[!JN-------'------o
Fig. 1.38 Inclu~:to do efeito da capacitância de transi~ào ou difusão no diodo
semicondutor.
Fig. 1.37 Capacitância de transição e difusão versus polarização
0,5 aplicada para um diodo de silício.
Embora o efeito descrito acima também esteja presente na re-
gião de polarização direta, ele é ofuscado pelo efeito da capaci-
tância diretamente dependente da taxa em que a carga é injetada
para as regiões fora da região de depleção. Em outras palavras,
depende diretamente da corrente resultante do diodo. Níveis al-
tos de corrente resultam em níveis altos de capacitância de difu-
são. Contudo níveis altos de corrente geram níveis reduzidos de
resistência associada (a ser demonstrado brevemente), e a cons-
tante de tempo resultante ( T = RC), que é muito importante em
aplicações de alta velocidade, não se torna excessiva.
Os efeitos capacitivos descritos acima são representados por
um capacitor em paralelo com o diodo ideal, conforme mostra-
do na Fig. 1.38. Para aplicações de baixa ou média freqüência
(exceto alta potência), entretanto, o capacitor não é normalmen-
te incluído no símbolo que representa o diodo.
1.11 TEMPO DE
REESTABELECIMENTO
REVERSO
Existem certos tipos de dados normalmente apresentados nas
folhas de especificações do diodo, fornecidas pelos fabrican-
tes. Um parâmetro ainda não considerado é o tempo de reesta-
belecimento reverso, denotado por trr· No estado de polariza-
ção direta, foi mostrado anteriormente que existe grande quan-
tidade de elétrons do material tipo n avançando em direção ao
material tipo p e um grande número de buracos no tipo n - uma
exigência para condução. Os elétrons no tipo p e buracos avan-
çando em direção ao material tipo n estabelecem um grande nú-
mero de portadores minoritários em cada material. Se a tensão
aplicada fosse invertida para estabelecer uma situação de pola-
rização reversa, gostaríamos de ver o diodo mudar instantanea-
mente do estado de condução para o estado de não-condução.
Contudo, devido ao grande número de portadores minoritários
em cada material, o comportamento do diodo será invertido con-
forme mostrado na Fig. 1.39, e ficará neste nível mensurável
no período de tempo ts (tempo de armazenamento) exigido para
os portadores minoritários voltarem a seu estado de portador
majoritário no material oposto. Em resumo, o diodo manter-se-
á no estado de curto-circuito com uma corrente /reversa determi-
nada pelos parâmetros do circuito. Eventualmente, quando esta
fase de armazenamento tiver passado, a corrente será reduzida
ao nível associado com o estado de não-condução. Este segun-
do período de tempo é denotado por t1 (intervalo de transição).
O tempo de reestabelecimento reverso é a soma destes dois

Mudança de estado ( on-;, off)
la;re1o / exigida para t = t1
Fig. 1.39 Definição do tempo de reestabelecimento reverso.
intervalos: t,, = t, + t,. Naturalmente, trata-se de uma impor-
tante consideração nas aplicações de chaveamento de alta ve-
locidade. A maioria dos diodos de chaveamento disponíveis
comercialmente tem um t,, na faixa de poucos nanossegundos
até 1 µ,s. Entretanto há elementos disponíveis com um t,r de
apenas poucas centenas de picossegundos (10- 12).
1.12 NOTAÇÃO DO DIODO
SEMICONDUTOR
A notação mais freqüentemente utilizada para diodos semicon-
dutores é fornecida na Fig. 1.40. Para grande parte dos diodos, a
marcação de um ponto ou traço, conforme mostrado na Fig. 1.40,
aparece na extremidade do catodo. A terminologia anodo e cato-
do é remanescente da notação do tubo de vácuo. O anodo refere-
se ao potencial mais alto ou positivo, e o catodo refere-se ao ter-
minal de potencial mais baixo ou negativo. Esta combinação de
níveis de polarização resulta na condição de polarização direta
ou "ligada" para o diodo. Alguns diodos semicondutores dispo-
níveis comercialmente aparecem na Fig. 1.41. Alguns detalhes
da construção dos dispositivos, tais como os mostrados na Fig.
1.41, são fornecidos nos Caps. 12 e 20.
1.13 VERIFICAÇÃO DO DIODO
A condição de um diodo semicondutor pode ser determinada
rapidamente, utilizando-se (1) um medidor com display digital
(MDD) com umafunção de teste do diodo, (2) afunção de
ohmímetro de um multímetro, ou (3) um traçador de curva.
Fig. 1.40 Notação de diodo semicondutor.
Diodos Semicondutores 23
Função de Teste do Diodo
Um medidor com display digital,. com a alternativa de teste do
diodo, aparece na Fig. 1.42. Observe o pequeno símbolo de dio-
do como opção, abaixo do seletor de funções/escala. Quando o
seletor é colocado nesta posição, e ligado como mostrado na Fig.
1.43a, o diodo deve estar no estado "ligado" e o display fornece-
rá uma indicação de tensão de polarização direta, tal como 0,67
V (para Si). O medidor tem uma fonte de corrente constante in-
terna (em torno de 2 mA) que definirá o nível de tensão, como
indicado na Fig. 1.43b. Uma indicação OL realizando as cone-
xões mostradas na Fig. 1.43a revela um diodo defeituoso aberto.
Se as pontas de teste do medidor forem invertidas, uma indica-
ção OL deve resultar, devido à equivalência de circuito-aberto
para o diodo. Em geral, portanto, uma indicação OL em ambas
as direções constitui uma indicação de um diodo aberto ou de-
feituoso.
Verificação através do Ohmímetro
Na Seção 1.7 encontramos que a resistência de polarização dire-
ta de um diodo semicondutor é bem pequena comparada ao ní-
vel encontrado para a polarização reversa. Logo, se medirmos a
resistência de um diodo usando as conexões indicadas na Fig.
1.44a, podemos esperar um valor relativamente baixo. A indica-
ção resultante do ohmímetro será função da corrente estabeleci-
da através do diodo, pela bateria interna (geralmente 1,5 V) do
medidor. Quanto maior a corrente, menor o valor da resistência.
Para a situação de polarização reversa, a leitura deve ser bem alta,
exigindo uma escala para medida de alta resistência no medidor,
conforme indicado na Fig. 1.44b. Uma leitura de resistência ele-
vada em ambas as direções indica obviamente um comportamento
de circuito aberto (dispositivo defeituoso), enquanto uma leitura
de resistência muito baixa em ambas as direções irá indicar um
dispositivo provavelmente em curto-circuito.
Traçador de Curva
O traçador de curva da Fig. 1.45 pode apresentar as curvas ca-
racterísticas de um grande número de dispositivos, incluindo o
diodo semicondutor. Conectando-se corretamente o diodo no
painel de teste, no centro da base da unidade, e ajustando-se os
controles, o display da Fig. 1.46 pode ser obtido. Observe que
a escala vertical é 1 mA/div, resultando nos níveis indicados.
Para o eixo horizontal, a escala é 100 mV/div, resultando nos
níveis de tensão indicados. Para um nível de 2 mA, como foi
definido para um MDD, a tensão resultante seria em torno de
,.,..ou•, K etc.
24 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

(a)

(b)

(e)

Fig. 1.41 Vários tipos de diodos de junção. [(a) Cortesia da Motorola Inc.; e (b) e (c) Cortesia da Intemational Rectifier Corporation.]

625 mV = 0,625 V. Embora o instrumento pareça inicialmen- obtidos sem uma quantidade excessiva de esforço e tempo. O
te bem complexo, o manual de instrução e algum manuseio mesmo instrumento aparecerá em mais de uma ocasião nos
revelarão que os resultados desejados podem muitas vezes ser capítulos a seguir, à medida que investigarmos as característi-
cas dos vários dispositivos.

1.14 DIODOS ZENER

A região Zener da Fig. 1.47 foi discutida com alguns detalhes na
Seção 1.6. A curva cai de uma forma quase vertical para um
potencial de polarização reverso denotado por V2 • O fato de a
curva cair abaixo e se distanciar do eixo horizontal, em vez de
para cima para a região V0 positiva, revela que a corrente na re-
gião Zener tem uma direção oposta àquela de um diodo polari-
zado diretamente.
Esta região de característica única é empregada no projeto de
diodo Zener cujo símbolo gráfico aparece na Fig. 1.48a. Ambos
os diodos, semicondutor e Zener, são apresentados lado a lado
na Fig. 1.48, para garantirem que o sentido de condução de cada

pontade
teste vennelha
(VO)
! ! pontade
teste preta
(COM)
2 r----..-11-
o 0,67V

(a) (b)

Fig. 1.42 Medidor de display digital com capacidade de verificar o estado do

diodo. (Cortesia da Computronics Technology, Inc.) Fig. 1.43 Verificação do diodo no estado de polarização direta.
 Diodos Semicondutores 25

Ponta
teste de
vermelha
(VO)
! !
(Ohmímetro)
R relativamente baixo
Ponta
teste de
preta
(COM)
IOmA

9mA
Vertical
por div.
1
mA

+ ..., - 8mA
Horizontal
7mA por div.
(a) 100
6mA mV

Ponta de
teste preta
! !
R relativamente alto

Ponta de
teste vermelha
5mA

4mA
e
e '

r:l
(COM) (VO)
3mA
L.:J
'
- ~...IJ)il--~-+
2mA I /300 Km
(b) lmA por div.

Fig. 1.44 Teste do diodo com um ohmímetro. OmA

V
OV 0,1v 0,2v 0,3V 0,4V 0,5V 0,6V 0,7V 0,8V 0,9V 1,ov ' - - - - '

Fig. 1.46 Resposta do traçador de curva para o diodo de silício 1N4007.

um foi muito bem compreendido, juntamente com a polaridade
exigida da tensão aplicada. Para o diodo semicondutor, no esta-
do "ligado" irá fluir uma corrente no sentido da seta. Para o dio-
do Zener, o sentido de condução é oposto ao da seta do símbolo,
como salientado na introdução desta seção. Observe ainda que
as polaridades de V0 e V, são as mesmas, e obtidas consideran-
do-se que cada elemento é um elemento resistivo.
A localização da região Zener pode ser controlada variando-
se os níveis de dopagem. Um aumento na dopagem, produzindo
um aumento no número de impurezas adicionais, diminuirá o
potencial Zener. Diodos Zener são disponíveis, apresentando
potenciais Zener de 1,8 a 200 V, com potência máxima de ta
50 W. Devido a suas características de temperatura e de corren-
te, o silício é geralmente utilizado na fabricação de diodos Zener.
O circuito completo equivalente do diodo Zener na região
Zener inclui uma pequena resistência dinâmica, e uma bateria de
de valor igual ao potencial Zener, como mostrado na Fig. 1.49.
Para todas as aplicações a seguir, contudo, devemos assumir como
primeira aproximação que os resistores externos são muito mai-
ores em valor do que o resistor Zener equivalente, e que o circui-
to equivalente é apenas aquele indicado na Fig. 1.49b.
Uma ampliação da região Zener é dada na Fig. 1.50, permi-
tindo a descrição dos dados do diodo Zener que aparecem no
Quadro 1.4 para um diodo 1N961, Fairchild, 500-mW, 20%. O
termo "nominal" associado com V, indica que ele é um valor
médio típico. Uma vez que este é um diodo 20%, aceita-se que o
potencial Zener varie da maneira 10 V± 20%, ou de 8 a 12 V,
para esta faixa de aplicação. Também disponíveis são os diodos
de 10 a 5%, com as mesmas especificações. A corrente de teste
Izr é a corrente definida pelo nível de potência de t, e Zzr é a
impedância dinâmica para este nível de corrente. A impedância
máxima ocorre para a corrente de joelho lv:. A corrente de satu-
ração reversa é fornecida para um nível de potencial particular e
IZM é a corrente máxima para as unidades cuja tolerância é de 20%.
O coeficiente de temperatura reflete a variação percentual de
V, com a temperatura. Ele é definido pela equação

Te 1'00% %/ºC (1.12)

Vz
---+.:,r""···················
.• .. o

.:.:
.....
Fig. 1.45 Traçador de curva. (Cortesia da Tektronix, lnc.) Fig. 1.47 Análise da região Zener.
26 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

+ + lz

Vz
Vz

(a) (b)

Fig.1.48 Sentido de condução: (a) diodo Zener: (b) diodo semicondutor.

~rd = 8,5 il=Zzr

(a) (b)

Fig. 1.49 Circuito equivalente Zener: (a) completo; (b) aproximado. Fig. 1.50 Características de teste do Zener (Fairchild IN961).

QUADRO 1.4 Características Elétricas (temperatura ambiente 25ºC, a menos que outra seja observada)

Voltagem Impedância Impedância Corrente Corrente

Zener Corrente Dinâmica da Curva Reversa Tensão de Reguladora Coeficiente de
Nominal de Teste, Máxima Máxima Máxima Teste Máxima Temperatura
Tipo V, [z,, Zzrem lzr z,.em l,, !,em V, V, IZM Típico
Jedec (V) (mA) (fl) (fl) (mA) (µA) (V) (mA) (%ºC)

1N961 10 12,5 8,5 700 0,25 10 7,2 32 +0,072

lmpedinda dldmica
l'USU corrente Zener
lkn~~-~~·

sI 500 l--1'1.,-++.-i:·;0~:+
200
1q:.}: .. 1~::.:r+rt
N' 100
J 50
~ 20
,8 -0,04 10

i -0,08
;g
5

2
8 -0,120 1~~~~~~~~~~~~~

I 1 0,050,1 0,5 1 5 10 50100 º·' 0,2 0,5 1 2 5

Corrente Zener, 12 -(mA) Corrente Zener, 12 - (mA) Fig. 1.51 Características elétricas de um diodo
Zener Fairchild 500 mW. (Cortesia da Fairchild
(a) (b) Camera and Instrument Corporation.)

onde  V, é a variação resultante no potencial Zener devido à
variação na temperatura. Observe na Fig. 1.5 la que o coeficien-
te de temperatura pode ser positivo, negativo, ou até mesmo zero
para diferentes níveis de tensão Zener. Um valor positivo signi-
fica aumento V, com um aumento na temperatura, enquanto um
valor negativo resulta em decréscimo no valor de V, com aumento
na temperatura. Os níveis 24-V, 6,8-V e 3,6-V referem-se aos três
diodos Zener que apresentam estes valores nominais dentro da
família de Zeners do 1N961. A curva para o Zener 1N96110 V
situa-se obviamente entre as curvas dos dispositivos 6,8 V e 24 V.
Voltando à Eq. (1.12), T0 é a temperatura na qual V2 é obtido
(normalmente temperatura ambiente - 25ºC) e T1 é o novo va-
lor. O Exemplo 1.3 demonstrará o uso da Eq. (1.12).
EXEMPLO 1.3
Determine a tensão nominal de um diodo Zener Fairchild 1N961
do Quadro 1.4, em uma temperatura de lOOºC.
Solução
DaEq. 1.12,
TcVz
AVz = lOO (T, - To)
A substituição dos valores no Quadro 1.4 leva a
AV = (0,0?2)(10 V) (lOOºC - 25ºC)
z 100
= (0,0072)(75)
= 0,54 V
e devido ao coeficiente de temperatura positivo, o novo poten-
cial Zener, definido por V' z, é
V~= Vz + 0,54 V cipalmente da junção, uma recombinação de buracos e elétrons. Esta
= 10,54 V
A variação da impedância dinâmica (fundamentalmente, sua
resistência em série) com a corrente aparece na Fig. 1.15b. No-
vamente, o Zener 10 V aparece entre os Zeners 6,8 V e 24 V.
Observe que quanto mais intensa a corrente (ou quanto mais
vertical a elevação na Fig. 1.47), menor o valor da resistência.
Observe também que à medida que você se desloca para abaixo
do joelho da curva, a resistência aumenta a níveis significativos.
A identificação dos terminais e o encapsulamento para alguns
diodos Zener aparecem na Fig. 1.52. A Fig. 1.53 é uma fotogra-
fia real de vários dispositivos Zener. Observe que seu aspecto é
-Anodo-1
-c.--T
Fig. 1.52 Identificação dos terminais do Zener e símbolos.
Diodos Semicondutores 27
Fig. 1.53 Diodos Zener. (Cortesia da Siemens Corporation.)
muito semelhante ao diodo semicondutor. Algumas áreas de
aplicação para o diodo Zener serão examinadas no Cap. 2.
1.15 DIODOS EMISSORES DE LUZ
O uso crescente de displays digitais em calculadoras, relógios e
todas as formas de instrumentação contribuiu para o grande in-
teresse atual em estruturas que emitem luz quando devidamente
polarizadas. Os dois tipos de uso comum, hoje em dia, que rea-
lizam esta função são os diodos emissores de luz (LED) e o
display de cristal líquido (LCD). Uma vez que o LED faz parte
da fanu1ia dos dispositivos de junção p-n, e estará em alguns dos
circuitos dos próximos capítulos, ele será introduzido neste ca-
pítulo. O display LCD é descrito no Cap. 20.
Como o nome indica, o diodo emissor de luz (LED) é um diodo
que emite luz visível quando energizado. Em qualquer junção p-n
polarizada diretamente, existe, dentro da estrutura e próximo prin-
recombinação exige que a energia do elétron livre não ligado seja
transferida para um outro estado. Em todas as junções p-n do
semicondutor, parte desta energia será emitida na forma de calor e
parte na forma de fótons. No silício e germânio, a maior parte é na
forma de calor, e a luz emitida é insignificante. Em outros mate-
riais, como fosfeto de arsenieto de gálio (GaAsP) ou fosfeto de gálio
(GaP), o número de fótons da energia luminosa é suficiente para
criar uma fonte de luz bem visível.
O processo de emissão de luz, aplicando-se uma fonte elé-
trica de energia, é chamado de eletroluminescência.
Conforme mostrado na Fig. 1.54 com seu símbolo gráfico, a
superfície de condução conectada ao material p é muito menor,
permitindo desta forma a emersão de um grande número de fó-
tons de energia luminosa. Observe na figura que a recombina-
ção dos portadores injetados devido à junção polarizada direta-
mente resulta em uma luz emitida do local de recombinação. Pode
existir, naturalmente, alguma absorção dos pacotes de energia do
fóton na própria estrutura, mas uma percentagem muito grande
consegue ser emitida, como mostrado na figura.
O aspecto e características de uma miniatura de lâmpada de es-
tado sólido de alta eficiência fabricada pela Hewlett-Packard apa-
rece na Fig. 1.55. Observe que na Fig. 1.55 (b) a corrente direta má-
xima é de 60 mA, e 20 mA um nível típico de operação. No entan-
to, nas condições de teste indicadas na Fig. 1.55 (c), a corrente di-
28 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

/ Luz visível
/ emitida

+ .-/f
o l)il o
-+-
(-) lv Vv
(b)

Contato/ ""- Contato

metálico metálico

(a)

Fig.1.54 (a) Processo de eletroluminescência no LED; (b) símbolo gráfico.

Taxas Máximas Absolutas em T. = 25ºC

Vermelho Ejf. Alto
Parâmetro 4160 Unidades

Dissipação de potência 120 mW

Corrente direta média 20°> mA
Corrente direta de pico 60 mA
Faixa de temperatura de ope- -55ºC a lOOºC
ração e armazenamento
Temperatura de soldagem 230ºCpara3
[1,6 mm (0,063 in) do corpo] segundos

'''Acima de 50°C, reduzir 0,2 mAf'C.

(a) (b)

Características Elétricas/Ópticas em T. = 25°C

Vermelho Eff. Alto 4160
Sfmbolo Descrição Min Tip Máx Unidades Condições de Teste

IV Intensidade luminosa axial 1,0 3,0 mcd 1, = lOmA

28112 Ângulo incluído entre pontos de 80 deg Observação 1
meia intensidade luminosa
'\ico Comprimento de onda de pico 635 nm Medida no pico
A,, Comprimento de onda dominante 628 nm Observação 2
T, Velocidade de resposta 90 ns
c Capacitância 11 pF V,= O;f= 1 MHz
eJC Resistência térmica 120 ºCIW Junção ao catodo em
0,79 mm (0,031 in) do corpo
V,. Voltagem direta 2,2 3,0 V I, = !OmA
BVR Voltagem de ruptura reversa 5,0 V l, = 100 µA
11,. Eficácia luminosa 147 lm/W Observação 3

OBSERVAÇÕES:
1 811, é o ângulo do eixo-off no qual a intensidade luminosa é a metade da intensidade luminosa axial.
2 O comprimento de onda À,1 é obtido do diagrama de cromaticidade CIE e representa o comprimento de onda singular que define a cor do sistema.
3 Intensidade radiante, /,, em watts/steradian, pode ser encontrada da equação I, = l/'TJ,., onde I,, é a intensidade luminosa em candeias e 'T/,, é a eficácia luminosa em lúmens/watt.

(c)

Fig.1.55 Lâmpada miniatura vermelha de estado sólido de alta eficiência da Hewlett-Packard: (a) aspecto; (b) valores máximos absolutos; (c) características elétri-
ca/ótica; (d) intensidade relativa versus comprimento de onda; (e) corrente direta versus tensão direta; (f) intensidade luminosa relativa versus corrente direta; (g)
eficiência relativa versus corrente de pico; (h) corrente de pico máximo versus duração do pulso; (i) intensidade luminosa relativa versus deslocamento angular.
(Cortesia da Hewlett-Packard Corporation.)
 Diodos Semicondutores 29

1,0

..
..;=:
õ
,:,:
-g" 0,5
~e
J!!
.:

o 750
500 550 600 650 700
Comprimento de onda - nm

(d)

1,6

T,4 = 25'C
3,0 .... 'f.4 = 1,5
< ~ 1,4
s "O
15 < 1,3
1

2,0 - .~;
.,_ 1.2
1l ~ 1, l
10 .$. o

~1 1,0

5
~1 0,9
0,8
.s
0,7

oO-----~--'---'----'
0,5 ),0 1.5 2,0 2,5 3,0 5 10 15 20 lO 20 30 40 50 60

VF - Tensão direta - V lF - Corrente direta - mA I,;.,, - Corrente de pico - mA

(e) (f) (g)

~ i
_i .....,-5
10 100 1000 10,000
tp - Duração do pulso - µ,s

(h) (i)

Fig. 1.55 Continuação.

30 Dispositivos Eletrônicos e Te oria de Circuitos
T ~><~~.35"
0600" · ....... · .. •· _L_
_j_
Lo.600.
l<'ig. 1.56 Display do segmento Litronix.
reta é de 1O mA. O nível de V0 sob condições de polarização direta
está listado como VF e estende-se de 2,2 até 3 V. Em outras pala-
vras, pode-se esperar uma corrente de operação típica em tomo de
1O mA em 2,5 V para uma boa emissão de luz.
Duas quantidades ainda não definidas aparecem listadas nas
características elétrica/ótica em T,.1 = 25ºC. Elas são a intensidade
luminosa axial (/J e a eficiência luminosa ( r,,.). A intensidade da
luz é medida em candeia. Uma candela emite um fluxo de luz de
41r lúmens e estabelece uma iluminação de 1 ft-cd em 1 ff de área
e a 1 ft da fonte de luz. Mesmo que esta definição não forneça um
claro entendimento de candeia como unidade de medida, seu nível
pode certamente ser comparado entre dispositivos semelhantes. O
termo eficácia é, por definição, uma medida da capacidade de um
sistema produzir um certo efeito. Para o LED, esta é a razão do
número de lúmens gerados por watt aplicado de energia elétrica. A
eficiência relativa é definida pela intensidade luminosa por unida-
de de corrente, como mostrado na Fig. 1.55g. A intensidade relati-
va de cada cor versus o comprimento de onda aparece na Fig. 1.55d.
Como o LED é um dispositivo de junção p-n, ele apresentará
uma curva característica polarizada diretamente (Fig. l .55e) se-
melhante às curvas de resposta do diodo. Observe o aumento
quase linear da intensidade luminosa relativa com a corrente di-
reta (Fig. l .55f). A Fig. 1.55h revela que quanto mais longa a
duração de um pulso em uma freqüência particular, menor o pico
de corrente permitido (após passar o valor de corte tp). A Fig. l .55i
revela simplesmente que a intensidade é maior para Oº (ou visão
frontal) e mínima em 90º (quando se vê o dispositivo de lado).
Displays com LED estão hoje disponíveis em muitos tama-
nhos e formas diferentes. A região emissora de luz é encontrada
com comprimentos de 0,1 até 1 in. Números podem ser criados
por segmentos, tais como os mostrados na Fig. 1.56. Aplicando-
se uma polarização direta ao segmento do material do tipo p,
qualquer número de O a 9 pode ser apresentado.
O display da Fig. 1.57 é utilizado em calculadoras e fornece
oito dígitos. Existem também lâmpadas de LED de dois fios que
Fig. 1.57 Display de calculadora de oito dígitos e sinal. (Cortesia! de Hewlett-Packard Corporation.)
~ ~
J 0,100" Tipo--1
contêm dois LEDs, de modo que uma inversão na polarização
muda a cor de verde para vermelho, ou vice-versa. LEDs estão
disponíveis atualmente em vermelho, verde, amarelo, laranja e
branco. A introdução da cor azul parece ser uma possibilidade
em um futuro bem próximo. Em geral, LEDs operam em níveis
de tensão de 1,7 até 3,3 V, que os tornam completamente com-
patíveis com circuitos de estado sólido. Eles apresentam um tem-
po rápido de resposta (nanossegundos) e oferecem bons níveis
de contraste para visibilidade. A especificação de potência é ti-
picamente de 10 a 150 mW com um tempo de vida de 100.000
+horas.A construção do semicondutor acrescenta um fator de
robustez significativo.
1.16 ARRANJO DE DIODOS -
CIRCUITOS INTEGRADOS
As características dos circuitos integrados serão introduzidas no
Cap. 12. Contudo alcançamos um estágio na nossa introdução
de circuitos eletrônicos que nos permite no mínimo uma análise
superficial dos arranjos de diodo em pastilhas de circuito inte-
grado. Verificar-se-á que o circuito integrado não é um disposi-
tivo único, com características totalmente diversas daquelas que
analisamos nos capítulos introdutórios. Ele representa apenas uma
redução significativa do tamanho dos sistemas eletrônicos. Em
outras palavras, internamente ao circuito integrado estão os sis-
temas e dispositivos discretos, que estavam disponíveis muito
antes da existência do circuito integrado, que, como sabemos,
tornou-se uma realidade hoje em dia.
Um arranjo possível aparece na Fig. 1.58. Observe que oito
diodos compõem internamente ao arranjo de diodos 1410 M
Fairchild FSA. Isto é, no encapsulamento mostrado na Fig. 1.59
existem conjuntos de diodos em um wafer de silício simples, que
apresentam todos os anodos conectados ao pino 1 e os catodos
aos pinos de 2 a 9. Observe na mesma figura que o pino 1 é de-
 Diodos Semicondutores 31

FSA1410M

PLANAR AIR-ISOLATED MONOLITHIC DIODE ARRAY

• C ••• 5.0 pF (MAX)

•1:!.VF ••• 15 mv (MAX) @lOmA
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Note 1) CONNECTION DIAGRAM
Temperatures FSA1410M
Storage Temperature Range -55ºC to +200ºC
Maximum Junction Operating Temperature +150ºC
Lead Temperature +260ºC
Power Dissipation (Note 2)
Maximum Dissipation per Junction at 25ºC Ambient
per Pacl:age at 25ºC Ambient
Linear Derating Factor (from 25ºC) Junction
Package
400mW
600mW
3,2mWfC
4,BmWfC
ltttttttt
2 3 4 5 6 7 8 9

See Package Outline T0-96

Maxi.mum Voltage and Currents
WIV Working lnverse Voltage 55V
lp Continuous Forward Current 350mA
ir (surge) Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1,0 s 1,0A
Pulse Width = 1,0 µs 2,0A

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (2SºC Ambient Temperature unless otherwise noted)

SYMBOL CHARACTERISTIC MIN MAX UNITS TEST CONDITIONS

Bv Breakdown Voltage 60 V IR= IOµA

Vp Forward Voltage (Note 3) 1.5 V lp=500mA
1.1 V Ip=200mA
1.0 V lp= lOOmA
IR Reverse Current 100 nA VR=40V
Reverse Current (TA = 150'C) 100 µA VR=40V
e Capacitance 5.0 pF VR=O, f= 1 MHz
VFM Peak Forward Voltage 4.0 V Ir =500mA,t,. <lOns
trr Forward Recovery Time 40 ns Ir = 500 mA, t,. <a 10 ns
trr Reverse Recovery Time 10 ns Ir =Ir= 10-200mA
RL = 1000, Rec. to 0.1 Ir
50 ns =
Ir 500 mA, I, = 50 mA
RL = 1000, Rec. to 5 mA
l:!.Vp Forward Voltage Match 15 mV lp= lOmA
NITTES
1 These ratings are limiting values above which life or satisfactory performance may be impaired.
2 These are steady state limits. The factory jhould be coosulted on applications involving pulsed or low duty cycle operation.
3 VF is measured using an 8 ms pulse.

Fig. 1.58 Arranjo de diodo monolítico. (Cortesia da Fairchild Camera and Instrument Corporation.)*

Forma de
isolante
pode
variar

Notas: Fig. 1.59 Esquema do encapsulamento T0-96 para o ar-

9 Condutores Kovar, ranjo de diodo FSA 14 IOM. Todas as dimensões estão em
revestidos a ouro, polegadas. (Cortesia da Fairchild Carnera and Instrument
selados hermeticamente. Corporation.)
Peso é de 1,32 gramas.

*N.T.: Os termos originais em inglês contidos nesta figura não foram traduzidos porque o que se encontra na prática, no laboratório, são especificações escritas em inglês, com raras
exceções. Deseja-se, com isto, que o leitor se acostume aos termos técnicos que ele encontrará na sua vida profissional.
32 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
Encapsulamento T0-116-2
Diagramas de Conexão
1 FSA2500M
Veja Esquema do Encapsulamento T0-116-2
Plano
de base
. ~· fflfflTT
_L
max.
f
Fig. 1.60 Arranjo de diodo monolítico. Todas as dimensões estão em polegadas. (Cortesia da Fairchild Camera and lnstrument Corporation.)
terminado como sendo aquele localizado à esquerda de uma pe-
quena saliência existente no encapsulamento, observando de
baixo para o CI. Os outros números seguem, então, em seqüên-
cia. Se apenas um diodo for usado, então somente os pinos 1 e 2
(ou qualquer número de 3 a 9) seriam usados. Os diodos restan-
tes seriam deixados em aberto, não afetando o circuito no qual
os pinos 1 e 2 estão conectados.
Um arranjo de diodo aparece na Fig. 1.60. Neste caso, a pas-
tilha é diferente, mas a numeração em seqüência aparece no es-
quema. O pino 1 é o pino diretamente acima do pequeno enta-
lhe, como se pode observar no dispositivo acima.
1.17 ANÁLISE POR COMPUTADOR
O computador vem-se tomando parte integrante da indústria ele-
trônica, de modo que as utilidades desta "ferramenta" de trabalho
devem ser introduzidas na primeira oportunidade. Para os estudan-
tes sem nenhuma experiência com computador há um receio inici-
al normal em relação a este sistema poderoso, aparentemente com-
plicado. Com isto em mente, a análise por computador deste livro
foi preparada para oferecer um sistema computacional mais "ami-
gável", revelando a facilidade relativa com a qual ele pode ser apli-
cado para realizar algumas tarefas úteis e especiais, em um tempo
mínimo e com um alto grau de precisão. O assunto foi escrito com
a suposição de que o leitor não tem qualquer experiência computa-
cional anterior, ou contato prévio com a terminologia a ser utiliza-
da. Não existe também nenhuma indicação de que o teor deste li-
vro seja suficiente para permitir um completo entendimento dos
"cornos" e "porquês" que certamente surgirão. O propósito aqui é
somente introduzir alguma terminologia, discutir um pouco de suas
capacidades, revelar as possibilidades disponíveis, mencionar al-
gumas de suas limitações e demonstrar sua versatilidade com al-
guns exemplos cuidadosamente escolhidos.
Em geral, a análise por computador de sistemas eletrônicos pode
adotar um dos dois métodos: usando uma linguagem como BASIC,
Fortran, Pascal, ou C; ou utilizando um software aplicado tal como,
por exemplo, PSpice, MicroCap II, Breadboard ou Circuit Master.
Uma linguagem, através de sua notação simbólica, forma a ponte
entre o usuário e o computador que permite um diálogo entre os
dois para o estabelecimento das operações a serem realizadas.
A linguagem empregada neste livro é o BASIC, escolhida por-
que utiliza várias palavras e frases familiares da língua inglesa que
resumem as operações a serem executadas. Quando uma língua-
Notas:
Liga de 42 pinos,
revestido de estanho
Pinos revestidos, encapsulamento de
cerâmicu seladt1 hermetic:.imi.:-nlt..'
gero é empregada para analisar um sistema, desenvolve-se um pro-
grama que define seqüencialmente as operações a serem executa-
das - na maioria das vezes na mesma ordem em que realizamos a
mesma análise feita a mão. Neste tipo de análise, um passo errado
fará o resultado obtido perder completamente o sentido. Com o
tempo e a prática, as alternativas mais eficientes visando uma solu-
ção tomar-se-ão óbvias. Uma vez montados da "melhor'' forma, os
programas podem ser catalogados para uso futuro. A vantagem
importante da linguagem é que um programa pode ser adaptado para
satisfazer todas as necessidades especiais do usuário. Ela permite
caminhos inovadores pelo usuário, que podem resultar em impres-
sões de dados de maneira mais informativa e interessante.
A abordagem alternativa referida acima utiliza um software
aplicativo para executar a análise desejada. Um software aplica-
tivo é um programa escrito e testado durante certo tempo, proje-
tado para executar um determinado tipo de análise ou síntese, de
uma forma eficiente e com um nível elevado de precisão.
O aplicativo não pode ser alterado pelo usuário, e sua aplica-
ção é limitada às operações estabelecidas no sistema. O usuário
deve ajustar suas necessidades ao conjunto de opções oferecidas
pelo aplicativo. Além disso, ele deve entrar com a informação
da maneira solicitada pelo aplicativo, ou os dados correm o ris-
co de serem mal interpretados. O software aplicativo seleciona-
do para este livro é o PSpice, * disponível em dois formatos: DOS
e Windows. O formato DOS foi o primeiro a ser oferecido e, hoje
em dia, é o mais popular. Contudo, a versão para Windows está
ganhando terreno, uma vez que os usuários começaram a desco-
brir suas reais possibilidades. Isto comumente ocorre: quando nos
sentimos satisfeitos com determinado método que atende às nos-
sas necessidades, ficamos pouco motivados a utilizar parte do
nosso tempo para aprender uma outra técnica cujos resultados
são similares. Os autores, entretanto, podem afirmar que quando
conhecemos melhor a versão para Windows, descobrimos que
há algumas características interessantes e que valem a pena se-
rem investigadas. A versão para DOS empregada neste texto é a
versão 6.0, e, para Windows, a versão 6.1. O programa foi de-
senvolvido pela MicroSim de Irvine, Califórnia. A Fig. 1.61 apre-
senta uma fotografia da versão 6.2 completa em CD-ROM. Uma
versão mais sofisticada, identificada simplesmente como SPICE,
tem grande aplicação na indústria.
*PSpice é marca registrada da MicroSim Corporation.

Fig.1.61 Software aplicativo PSpice. (Copyright 1990, MicroSim Corporation.)
Em resumo, portanto, um software é desenvolvido para reali-
zar uma série de cálculos e operações específicas, fornecer os
resultados em um formato definido. Uma linguagem permite
maior flexibilidade, mas também deixa de favorecer-se da extensa
análise e pesquisa normalmente dedicadas ao desenvolvimento
de um software "confiável". O usuário deve definir que melhor
aproximação se adapta às necessidades do momento. Obviamen-
te, se um software existe para a análise ou síntese desejada, ele
deverá ser considerado antes de se optar pelas muitas horas ne-
cessárias para desenvolver um programa confiável e eficiente.
Além disso, pode-se adquirir os dados necessários para uma aná-
lise em particular baseada em um software, e então voltar para a
linguagem e definir o formato de saída. De muitas maneiras, os
dois métodos se completam. Se dependermos da análise compu-
tacional continuamente, o conhecimento do uso e limite de am-
bos, linguagem e software, torna-se uma necessidade. A escolha
de qual linguagem ou software a serem utilizados é antes de tudo
uma função do tipo de aplicação. Felizmente, entretanto, um
conhecimento fluente de uma linguagem ou um pacote aplicati-
vo em particular geralmente ajudará o usuário a adaptar-se a
outras linguagens e softwares. Os objetivos e procedimentos são
semelhantes, facilitando a transição de um método para outro.
Em cada capítulo será feito algum comentário a respeito da aná-
lise por computador. Em alguns casos, um programa BASIC e uma
aplicação do PSpice aparecerão, enquanto que, em outras situações,
somente um dos dois será utilizado. À medida que forem necessá-
rios maiores detalhes, um background suficiente será fornecido para
permitir, no mínimo, um entendimento superficial da análise.
PSpice (Versão DOS)
Este capítulo lida especificamente com as características do dio-
do semicondutor. No Cap. 2 o diodo é investigado utilizando-se
o aplicativo PSpice. Como um primeiro passo em direção a esta
análise, o "modelo" para o diodo semicondutor será agora intro-
duzido. A descrição do diodo no manual do PSpice exige um total
de 14 parâmetros para definir suas características. Ela inclui a
corrente de saturação, resistência em série, capacitância de ter-
minal, tensão de ruptura reversa, corrente de ruptura reversa e
vários outros fatores que podem ser especificados, se necessá-
rio, para o esboço ou análise a serem realizados.
Diodos Semicondutores 33
2 DI 3
( ~>--)----111111.IN-,- (~)
Fig. 1.62 Denominações do PSpice para a entrada do diodo no programa, na
análise de um circuito.
A especificação de um diodo em um circuito apresenta duas
componentes. A primeira determina a localização e o nome do
modelo, e a outra inclui os parâmetros referidos acima. O for-
mato para definir a localização e o nome do modelo do diodo,
para o diodo da Fig. 1.62 é o seguinte:
J__,
+
nome nó nónome do
modelo
Observe que um diodo é especificado pela letra maiúscula D
no começo da linha, seguido pelo rótulo aplicado ao diodo no
esquema. A seqüência de nós (pontos de conexão para o diodo)
define o potencial em cada nó e a direção de condução do diodo
da Fig. 1.62. Em outras palavras, a condução é do nó positivo
para o nó negativo. O nome do modelo é o nome atribuído à descri-
ção do parâmetro a seguir. O mesmo nome pode ser aplicado a
outros diodos no circuito, tais como D2, D3, e assim por diante.
Os parâmetros são especificados usando-se uma expressão
MODEL, que apresenta o seguinte formato para o diodo:
.MODEL Q! D(IS = 2E-15)
'-.-'
modelo nome do especificações do parâmetro
modelo
A especificação começa com a entrada, .MODEL, seguida
pelo nome do modelo, como mostrado na descrição da localiza-
ção, e a letra maiúscula D para indicar que se trata de um diodo.
As especificações do parâmetro aparecem dentro de parênteses
e devem usar a notação recomendada pelo manual do PSpice. A
corrente de saturação reversa é listada como IS e tem o valor de
2 X 10- 15 A. Este valor foi escolhido porque resulta em uma ten-
são de diodo em torno de 0,7 V, para níveis de corrente de diodo
tipicamente encontrados nas aplicações discutidas do Cap. 2.
Desta maneira, o computador e a análise feita a mão apresenta-
rão resultados relativamente próximos. Embora só um parâme-
tro tenha sido especificado na listagem acima, a lista pode incluir
todos os 1O mencionados no manual. Para todas as declarações
introduzidas acima, é muito importante seguir o formato como
foi mostrado. A ausência de um ponto antes de MODEL, ou a
ausência da letra D na mesma linha, invalidará completamente a
entrada.
PSpice para Windows
Quando se utiliza a versão do PSpice para Windows, o usuário
desenha o esquema do circuito na tela, em vez de defini-lo linha
por linha usando nós de referência. Uma fonte para cada elemento
deve, portanto, estar disponível para permitir colocá-los na tela.
Primeiro, deve-se criar uma tela esquemática (seguindo um pro-
cedimento que o usuário deve conhecer), na qual seleciona-se a
opção Draw a partir da barra de menu. Uma vez selecionada,
aparecerá uma lista de opções onde se escolhe Get New Part.
34 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
Uma caixa de diálogo aparecerá; selecione Browse que resulta-
rá na caixa de diálogo Get Part. Escolha a biblioteca eval.slb a
partir da lista de bibliotecas, e então role a lista Part até achar
D1N4148. Quando clicado, Description revelará que se trata de
um diodo. Clique OK e o símbolo do diodo irá aparecer na tela
esquemática. Depois de mover o diodo para a posição desejada,
um clique adicional irá fixar o diodo e adicionar as designações
Dl e D1N4148. Clicando-se o botão direito do mouse, comple-
tamos a seqüência de entrada do diodo. Se os parâmetros do di-
odo tiverem que ser modificados, basta clicar uma vez (e somente
uma) no símbolo do diodo e então clicar na opção Edit da barra
de menu. Selecione Modele depois Edit lnstance Model (uma
vez que desejamos ajustar parâmetros apenas para uma única
aplicação), aparecendo então a caixa de diálogo Model Editor
com os parâmetros do diodo. Na caixa de diálogo podem ser fei-
tas alterações no modelo do diodo para a aplicação corrente. Sem
a tela para visualizar, pode ser um tanto difícil acompanhar e
compreender o procedimento descrito acima. O melhor seria
estabelecer o modelo a ser analisado, montar a tela e realizar as
operações na ordem indicada. Será apresentado no próximo ca-
pítulo um circuito real, que nos auxiliará no processo de revisão.
PROBLEMAS
§ 1.2 Diodo Ideal
1. Descreva com suas próprias palavras o significado da palavra ide-
al aplicada a um dispositivo ou sistema.
2. Descreva com suas próprias palavras as características do diodo
ideal e como elas determinam os estados ligado e desligado do
dispositivo. Isto é, descreva por que o curto-circuito e circuito-aber-
to equivalente são adequados.
3. Qual é a diferença importante entre as características de uma cha-
ve simples e as de um diodo ideal?
§ 1.3 Materiais Semicondutores
4. Com suas palavras, defina semicondutor, resistividade, resistên-
cia bulk e resistência ôhmica de contato.
5. (a) Usando o Quadro 1.1, determine a resistência de uma amos-
tra de silício apresentando uma área de 1 cm2 e um compri-
mento de 3 cm.
(b) Repita a letra (a) se o comprimento for de 1 cme aárea4 cm2 •
(c) Repita a letra (a) se o comprimento for de 8 cm e a área 0,5
cm2.
(d) Repita a letra (a) para o cobre e compare os resultados.
6. Esboce a estrutura atômica do cobre e discuta por que ele é um bom
condutor e de que forma sua estrutura é diferente da do germânio e
do silício.
7. Defina, com suas palavras, um material intrínseco, um coeficiente
de temperatura negativo e ligação covalente.
8. Pesquise e liste três materiais que apresentem um coeficiente de
temperatura negativo e três que possuam um coeficiente de tem-
peratura positivo.
§ 1.4 Níveis de Energia
9. Qual é a energia em joules necessária para mover uma curva de
6 C através de uma diferença de potencial de 3 V?
1O. Se 48 e V de energia é necessário para mover uma carga através de
uma diferença de potencial de 12 V, determine a carga envolvida.
11. Pesquise e determine o nível de E8 para GaP e ZnS, dois materiais
semicondutores utilizados na prática. Além disso, determine o nome
de cada material.
§ 1.5 Materiais Extrínsecos - Tipos n e p
12. Descreva a diferença entre os materiais semicondutores tipo n e
tipo p.
13. Descreva a diferença entre as impurezas doadoras e aceitadoras.
14. Descreva a diferença entre portadores majoritário e minoritário.
15. Esboce a estrutura atômica do silício e insira uma impureza com-
posta de arsênico, como demonstrado para o silício na Fig. 1.9.
16. Repita o Problema 15, mas insira agora uma impureza composta
de índio.
17. Pesquise e encontre uma outra explicação para o fluxo de lacuna
versus elétron. Usando ambas as descrições, apresente com suas
palavras o processo da condução de buraco.
§ 1.6 Diodo Semicondutor
18. Descreva com suas palavras as condições estabelecidas pelas situ-
ações de polarização direta e reversa em um diodo de junção p-n,
e como afetam a corrente resultante.
19. Descreva o que você sabe dos estados de polarização direta e reversa
do diodo de junção p-ri. Isto é, tente lembrar-se de qual potencial
(positivo ou negativo) é aplicado a um determinado terminal.
20. Usando a Eq. (1.4). determine a corrente de diodo a 20ºC para um
diodo de silício com Is = 50 nA e uma polarização direta aplicada
de0,6 V.
21. Repita o Problema 20 para T = lOOºC (ponto de ebulição da água).
Assuma que Is aumentou para 5,0 µ,A.
22. ( a) Usando a Eq. ( 1.4), determine a corrente de diodo a 20ºC para
um diodo de silício com Is = O, 1 µA em um potencial de po-
larização reversa de -10 V.
(b) O resultado é esperado? Por quê?
23. (a) Trace a função y = e', com X de O a 5.
(b) Qual é o valor de y = ex em x = O?
(c) Baseado nos resultados da letra (b), por que o fator -1 é im-
portante na Eq. (1.4)?
24. Na região de polarização reversa, a corrente de saturação de um
diodo de silício gira em tomo de O, 1 µ,A (T = 20ºC). Determine
seu valor aproximado se a temperatura for aumentada para 40°C.
25. Compare as características de um diodo de silício e de germânio, e
determine qual você prefere para a maioria das aplicações práti-
cas. Forneça detalhes. Consulte uma lista do fabricante, e compare
as características de um diodo de germânio e de silício e que apre-
sentem especificações semelhantes.
26. Determine a queda de tensão direta através do diodo cujas caracte-
rísticas aparecem na Fig. 1.24, em temperaturas de -75ºC, 25ºC,
1OOºC e 200ºC, e uma corrente de 1OmA. Para cada temperatura,
determine o nível da corrente de saturação. Compare as situações
extremas, e comente baseado na razão dos resultados obtidos para
as duas situações.
§ 1. 7 Níveis de Resistência
27. Determine a resistência estática ou de do diodo da Fig. 1.19 para
uma corrente direta de 2 mA.
28. Repita o Problema 26 para uma corrente direta de 15 mA e compa-
re os resultados.
29. Determine a resistência estática ou de do diodo da Fig. 1.19 para
uma tensão reversa de -10 V. Seu valor é próximo ao resultado
determinado para uma tensão reversa de - 30 V?
30. (a) Determine a resistência dinâmica (ac) do diodo da Fig. 1.29
para uma corrente direta de 10 mA, usando a Eq. (1.6).
(b) Determine a resistência dinâmica (ac) do diodo da Fig. 1.29
para uma corrente direta de 10 mA, usando a Eq. (1.7).
(c) Compare as soluções das letras (a) e (b).
31. Calcule a resistência de e ac para o diodo da Fig. 1.29 em uma
corrente de 10 mA, e compare os resultados.
32. Usando a Eq. (1.6), determine a resistência ac para as correntes de
1 mA e 15 mA, do diodo da Fig. 1.29. Compare as soluções e de-

senvolva uma conclusão geral que relacione a resistência ac e os
níveis crescentes de corrente de diodo.
33. Usando a Eq. (1.7), determine a resistência ac para as correntes 1
mA e 15 mA, do diodo da Fig. 1.19. Modifique a equação, se ne-
cessário, para níveis reduzidos da corrente de diodo. Compare com
os resultados obtidos no Problema 32.
34. Determine a resistência ac média para o diodo da Fig. 1.19, para a
região entre 0,6 e 0,9 V.
35. Determine a resistência ac para o diodo da Fig. 1.19 em 0,75 V e
compare com a resistência ac média obtida no Problema 34.
§ 1.8 Circuitos Equivalentes de Diodo
36. Encontre o circuito equivalente linear para o diodo da Fig. 1.19.
Use um segmento de reta que intercepte o eixo horizontal em 0,7
V, e que melhor aproxime a curva para a região acima de 0,7 V.
37. Repita o Problema 36 para o diodo da Fig. 1.29.
§ 1. 9 Folhas de Especificação do Diodo
*38. Trace/, versus Vp usando escalas lineares para o diodo Fairchild
da Fig. 1.36. Observe que o gráfico apresentado emprega log para
o eixo vertical (escalas log são abordadas nas Seções 11.2 e 11.3).
39. Comente sobre a variação no nível de capacitância com aumento
no potencial de polarização reverso para o diodo BAY73.
40. A corrente de saturação reversa do diodo BAY73 varia significati-
vamente em amplitude para potenciais de polarização reversos na
faixa de -25 V a -100 V?
*41. Para o diodo da Fig. 1.36, determine o nível de I, à temperatura
ambiente (25ºC) e para o ponto de ebulição da água (lOOºC). A
mudança é significativa? O nível quase dobra para cada lOºC de
aumento na temperatura?
42. Para o diodo da Fig. 1.36, determine a resistência ac (dinâmica)
máxima para uma corrente direta de O, 1 mA, 1,5 mA e 20 mA. Com-
pare os níveis e comente se os resultados confirmam as conclusões
obtidas nas seções anteriores deste capítulo.
43. Usando as características apresentadas na Fig. 1.36, determine os
níveis de dissipação de potência máxima para o diodo à tempera-
tura ambiente (25ºC) e a 1OOºC. Assumindo que V, permanece fixo
em 0,7 V, como o valor máximo de/, variou entre os dois níveis
de temperatura?
44. Usando as curvas características apresentadas na Fig. 1.36, deter-
mine a temperatura na qual a corrente de diodo terá 50% do seu
valor à temperatura ambiente (25ºC).
§ 1.10 Capacitância de Transição e Difusão
*45. (a) Referindo-se à Fig. 1.37, determine a capacitância de transi-
ção para potências de polarização reversas de -25 V e -10
V. Determine a razão entre a variação do valor de capacitân-
cia e a variação na tensão.
(b) Repita a letra (a) para potências de polarização reversas de
-10 V e -1 V. Determine a razão entre a variação do valor
da capacitância e a variação no valor da tensão.
(c) Compare as razões determinadas nas letras (a) e (b). Baseado
nisto, conclua qual faixa de operação permite maior aplica-
ção na prática?
46. Referindo-se à Fig. 1.37, determine a capacitância de difusão para
OVe0,25 V.
47. Descreva com suas próprias palavras qual a diferença entre as
capacitâncias de difusão e transição.
48. Determine a reatância apresentada por um diodo, descrito pela curva
característica da Fig. 1.37, para um potencial direto de 0,2 V e para
um potencial reverso de -20 V, se a freqüência aplicada for de 6 MHz.
§ 1.11 Tempo de Reestabelecimento Reverso
49. Esboce a forma de onda para a corrente ido circuito da Fig. 1.63
se t, = 2t5 e o tempo de reestabelecimento reverso total é de 9 ns.
Diodos Semicondutores 35
+
V; lOkil
Fig. 1.63 Problema 49.
§ 1.14 Diodos Zener
50. As seguintes características são especificadas para um diodo Zener
em particular: V,= 29 V, V, = 16,8 V, /zr = 10 mA, I. = 20 µA e
IZM = 40 mA. Esboce a curva característica da maneira exposta na
Fig. 1.50.
*51. Em que temperatura o diodo Zener Fairchild 1N961 10-V apresen-
tará uma tensão nominal de 10,75 V? (Sugestão: Observe o dado
no Quadro 1.4.)
52. Determine o coeficiente de temperatura de um diodo Zener de 5 V
(estimado em 25ºC), se a tensão nominal cai para 4,8 V em uma
temperatura de lOOºC.
53. Usando as curvas da Fig. 1.51a, que valor para o coeficiente de
temperatura você esperaria para um diodo de 20 V? Repita para
um diodo de 5 V. Assuma uma escala linear entre os níveis de ten-
são nominal e um nível de corrente de 0,1 mA.
54. Determine a impedância dinâmica para o diodo de 24 V com I, =
1O mA da Fig. 1.51 b. Observe que é uma escala log.
*55. Compare os níveis de impedância dinâmica para o diodo 24 V da
Fig. 1.51b com os níveis de corrente de 0,2 mA, 1 mA e 10 mA.
Como os resultados influem no aspecto da curva característica nesta
região?
§ 1.15 Diodos Emissores de Luz
56. Referindo-se à Fig. 1.55e, o que parece ser um valor apropriado de
V, para este dispositivo? Compare ao valor obtido de V, para o si-
1ício e germânio.
57. Usando a informação fornecida na Fig. 1.55, determine a tensão
direta através do diodo se a intensidade luminosa relativa for de
1,5.
*58. (a) Qual é o aumento percentual na eficiência relativa do dispo-
sitivo da Fig. 1.55, se a corrente de pico for aumentada de 5
para lOmA?
(b) Repita a letra (a) quando varia de 30 para 35 mA (o mesmo
aumento na corrente).
(e) Compare o aumento percentual das letras (a) e (b). Em que
ponto da curva você apontaria um pequeno ganho devido a
um aumento na corrente de pico?
*59. (a) Referindo-se à Fig. 1.55h, determine a corrente de pico má-
xima tolerável se o período de duração do pulso for de 1 ms,
a freqüência de 300 Hz e a corrente de máxima tolerável de
20mA.
(b) Repita a letra (a) para uma freqüência de 100 Hz.
60. (a) Se a intensidade luminosa em um deslocamento angular de
0° for de 3,0 mcd para o dispositivo da Fig. 1.55, em que ân-
gulo será 0,75 mcd?
(b) Para que ângulo a redução da intensidade luminosa é maior
do que 50%?
*61. Esboce a curva de redução de corrente para a corrente direta mé-
dia do LED vermelho de alta eficiência da Fig. 1.55 versus a tem-
peratura. (Observe os valores máximos absolutos.)
*Observação: Os asteriscos indicam os problemas mais diffceis.

Aplicações do Diodo
2.1 INTRODUÇÃO
A construção, as características e os modelos de diodos
semicondutores foram introduzidos no Cap. 1. O objetivo inici-
al deste capítulo é desenvolver conhecimento suficiente do fun-
cionamento do diodo em várias configurações, utilizando mode-
los apropriados para cada tipo de aplicação. Ao final do capítu-
lo, o padrão fundamental de comportamento de diodos em cir-
cuitos de e ac deve estar perfeitamente compreendido. Os con-
ceitos aprendidos neste capítulo terão importância significativa
nos capítulos seguintes. Por exemplo, diodos são freqüentemen-
te empregados na descrição da fabricação de transistores e na
análise, nos domínios de e ac, de circuitos que empregam tran-
sistores.
O conteúdo deste capítulo irá revelar um lado interessante e
muito positivo do estudo de áreas como dispositivos e sistemas
eletrônicos - uma vez entendido o comportamento básico de um
dispositivo, sua função e resposta podem ser determinadas para
uma variedade infinita de configurações. A faixa de aplicação não
tem limites, ainda que as características e modelos permaneçam
os mesmos. A análise desenvolvida será desde a que emprega a
característica real do diodo até a que utiliza modelos aproxima-
dos quase que exclusivamente. Torna-se importante que o papel
e a resposta de vários elementos em um sistema eletrônico se-
jam entendidos sem que se tenha que recorrer continuamente a
procedimentos matemáticos extensos. Isto é realizado pelo pro-
cesso de aproximação, o qual pode exigir muita habilidade.
Embora os resultados obtidos utilizando as características reais
possam ser um pouco diferentes daqueles obtidos pela utiliza-
ção de várias aproximações, tenha em mente que as próprias
características fornecidas por uma folha de especificações podem
ser ligeiramente diversas das características do dispositivo na
prática. Em outras palavras, as características de um diodo
semicondutor 1N4001 podem variar de um elemento para outro
em um mesmo lote. A variação pode ser pequena, mas será qua-
se sempre suficiente para validar a aproximação empregada na
análise. Considere também os outros elementos do circuito: o
resistor com valor nominal de 100 n é exatamente de 100 O? A
tensão aplicada é exatamente de 10 V, ou talvez de 10,08 V?
Todas estas tolerâncias contribuem para a crença geral de que uma
resposta determinada por meio de um conjunto apropriado de
aproximações pode normalmente ser "tão precisa" quanto aque-
CAPÍTULO
2
o liJ,I º---
la que emprega todas as características. Neste livro, a ênfase é
direcionada ao desenvolvimento de um conhecimento suficien-
te de um dispositivo, através do uso de aproximações apropria-
das, evitando, assim, um nível desnecessário de complexidade
matemática. Detalhes suficientes serão normalmente fornecidos,
entretanto, para permitirem uma análise matemática detalhada,
se desejada.
2.2 ANÁLISE POR RETA DE CARGA
A carga aplicada terá normalmente um impacto importante no
ponto ou região de operação de um dispositivo. Se a análise for
feita de maneira gráfica, uma reta poderá ser desenhada sobre a
curva característica do dispositivo, representando a carga apli-
cada. A interseção da reta de carga com a curva característica
determinará o ponto de operação do sistema. Tal análise é cha-
mada, por motivos óbvios, análise por retá de carga. Embora a
maioria dos circuitos com diodos analisados neste capítulo não
empregue a abordagem da reta de carga, a técnica é freqüente-
mente utilizada nos capítulos subseqüentes, e esta introdução
apresenta a aplicação mais simples do método. Permite ainda uma
validação da técnica aproximada, descrita ao longo de todo o
restante deste capítulo.
Considere o circuito da Fig. 2. la, empregando um diodo que
tem as características da Fig. 2.lb. Nesta Fig. 2.la, note que a
"pressão" estabelecida pela bateria tenta forçar uma corrente atra-
vés do circuito no sentido horário. O fato de esta corrente e o
sentido de condução do diodo estarem "casados" revela que o
diodo está no estado "ligado" e a condução foi estabelecida. A
polaridade resultante através do diodo será como mostrada e o
primeiro quadrante (VD e /D positivo) da Fig. 2.lb será a região
de interesse para polarização direta.
Aplicando a lei das tensões de Kirchhoff no circuito em série
da Fig. 2.la, resulta em
E- Vo - VR = O
ou (2.1)
As duas variáveis da Eq. (2.1) (VD e /D) são as mesmas re-
presentadas pelos eixos coordenados da Fig. 2. lb, que mostra
 Aplicações do Diodo 37

E= Vv+loR
= O V+ loR

e (2.2)
+
E ( como mostrado na Fig. 2.2. Se atribuirmos /0 = OA na Eq. (2.1)
e solucioná-la para V0 , temos o valor de V0 no eixo horizontal.
Portanto, com 10 = OA, A Eq. (2.1) toma-se como mostrado
E= Vv + /DR
(a)
= Vo + (O A)R
e (2.3)
na Fig. 2.2. Uma linha reta traçada entre os dois pontos definirá

.:..
a reta de carga, desenhada na Fig. 2.2. Modifique o valor de R (a
carga) e a interseção com o eixo vertical modificar-se-á. O re-
sultado será uma mudança na inclinação da reta de carga e um

...:: ponto de interseção diferente entre a reta de carga e a curva ca-

racterística do dispositivo .

....•
:
Temos agora uma reta de carga definida pelo sistema e uma
curva característica definida pelo dispositivo. O ponto de inter-
. seção entre as duas curvas representa o ponto de operação para
:
. este circuito. Desenhando simplesmente uma linha vertical até o

•·•··
..
o eixo vertical fornecerá o valor de 10 º. A corrente / 0 é, na verda-
(b)
Fig. 2.1 Configuração série do diodo: (a) circuito; (b) curva característica.
a curva característica do diodo. Esta semelhança permite tra-
çar graficamente a Eq. (2.1) sobre a curva característica da Fig.
2.lb.
As interseções da reta de carga com a curva característica do
diodo podem ser facilmente determinadas empregando-se o fato
de que, em qualquer ponto do eixo horizontal, 10 = OA e de que,
em qualquer ponto do eixo vertical, V0 = OV.
Se atribuirmos V0 = OV na Eq. (2.1) e solucioná-la para 10 ,
temos o valor de 1 no eixo vertical. Portanto, como V = OV, a
0 0
Eq. (2.1) toma-se
eixo horizontal, a tensão do diodo V00 pode ser determinada,
enquanto que uma linha horizontal do ponto de interseção até o
de, a corrente que circula em toda a configuração série na Fig.
2.la. O ponto de operação é normalmente chamado ponto
quiescente (abreviado "pt Q") para refletir suas qualidades de
"imobilidade, inércia", assim definidas para um circuito de.
A solução obtida pela interseção das duas curvas é a mesma
que seria obtida por uma solução matemática simultânea das Eqs.
(2.1) e (1.4) [/0 = 1,( év0 1r, - 1)]. Uma vez que a curva para um
diodo possui características não-lineares, a matemática envolvi-
da exigiria a utilização de técnicas não-lineares que estão além
da necessidade e alcance deste livro. A análise por reta de carga
descrita acima fornece uma solução com um mínimo de esforço
e provê uma descrição "pictorial" do motivo pelo qual os valo-
res da solução para V00 e l Do foram obtidos. Os próximos dois
exemplos demonstrarão técnicas introduzidas acima e revelarão
a facilidade relativa com a qual a reta de carga pode ser determi-
nada utilizando as Eqs. (2.2) e (2.3).

lo

li.
E .j _,,,.,,,- Curva característica (dispositivo)
: Ponto Q

- - - Reta de carga (circuito)

o E

Fig. 2.2 Desenhando a reta de carga e determinando o ponto de operação.

38 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos o -.i o

10
/0 (mA)

-------:
.
+ 9 •
8
i
:
Si 7 !
6 :i
•1
:1
+ 5
:1
E lOV R 1 k(l VR 4 •I
:1
3 :1
2
• .
:
:1
1
1
••• 1

o 0,5 0,8 Vo (V)

(a) (b)

Fig. 2.3 (a) Circuito; (b) características.

A diferença nos resultados é devida à precisão com a qual o grá-

EXEMPL02.1 fico pode ser lido. Idealmente, os resultados obtidos em ambos
Para a configuração série do diodo da Fig. 2.3a, e empregando os métodos deveria ser os mesmos.
as características do diodo da Fig. 2.3b, determine:
(a) V°º e Iv.i.
(b) VR'
EXEMPL02.2
Solução Repita a análise do Exemplo 2.1 com R = 2 kO.

(a) Eq. (2.2): lv = !!...I = lO V = 10 mA Solução

R V 0 =0 V 1 kfi
Eq. (2.3): Vn = El1"=0 A = 10 V (a) Eq. (2.2): 10 =E1 = lO V = 5 mA
R V0 =0V 2 kO
A reta de carga resultante aparece na Fig. 2.4. A interseção entre
a reta de carga e a curva característica define o ponto Q como Eq. (2.3): Vo = El10 =0 A= 10 V

Vn 0== 0,78 V A reta de carga resultante aparece na Fig. 2.5. Note que, quanto
maior o valor da carga, menor é a inclinação da reta e menor a
100 == 9,25 mA corrente do diodo. O ponto Q resultante é definido por
O valor de V0 é certamente uma estimativa, e a precisão de 10 é
V0 (!= 0,7 V
limitada pela escala escolhida. Maior precisão exigiria um dia-
grama muito maior e seria, provavelmente, impraticável. / 00 =4,6 mA
(b) Vn = lnR = l 00R = (9,25 mA)(l kO) = 9,25 V (b) Vn = InR = lvºR = (4,6 mA)(2 kO) = 9,2 V
ou VR = E - V0 = 10 V - 0,78 V= 9,22 V com VR = E - V0 = 10 V - 0,7 V = 9,3 V

lo (mA)
E
R~
J0 Q ;;;9,25 mA 9
8
7
6
5
4
3
2

3 4 5 6 7 8 9 10 ~ (V)
(P)

Fig. 2.4 Solução para o Exemplo 2.1.

 Aplicações do Diodo 39

lo (mA)

10
9
8
7
li 6
1
OQ
;;;46;14
1

3
2
(do Exemplo 2.1)

2 3 4 5 6 7 8 9 10 ~(V)
(p)

Fig. 2.5 Solução do Exemplo 2.2.

A diferença nos valores é novamente devida à precisão com que
o gráfico pode ser lido. Certamente, entretanto, os resultados
fornecem um valor esperado para a tensão v•.
Como visto nos exemplos acima, a reta de carga é determinada
unicamente pela configuração empregada, enquanto que a curva
característica é definida pelo dispositivo escolhido. Se adotarmos
agora o modelo aproximado para o diodo e não alterarmos a confi-
guração do sistema, a reta de carga será exatamente a mesma obti-
da nos exemplos acima. Na realidade, os próximos dois exemplos
repetem a análise dos Exemplos 2.1 e 2.2, utilizando o modelo
aproximado, permitindo, assim, uma comparação dos resultados.
EXEMPL02.3
Repita o Exemplo 2.1, utilizando o modelo equivalente aproxi-
mado para o diodo semicondutor de silício.
Solução
A reta de carga é redesenhada na Fig. 2.6 com as mesmas inter-
seções definidas no Exemplo 2.1. A curva característica do cir-
cuito equivalente aproximado para o diodo também foi traçada
no mesmo gráfico. O ponto Q resultante:
VvQ = 0,7 V
lvQ = 9,25 mA
Os resultados obtidos no Exemplo 2.3 são extremamente inte-
ressantes. O valor de I D é exatamente o mesmo obtido no Exem-
plo 2.1, utilizando um; curva característica muito mais fácil de
desenhar do que a da Fig. 2.4. O valor de V0 = 0,7 V é bastante
diferente de 0,78 V do Exemplo 2.1; entretanto, se compararmos
às outras tensões do circuito, são certamente valores aproximados.
EXEMPL02.4
Repita o Exemplo 2.2, utilizando o modelo equivalente aproxi-
mado para o diodo semicondutor de silício.
Solução
A reta de carga é redesenhada na Fig. 2.7 com as mesmas inter-
seções definidas no Exemplo 2.2. A curva característica do cir-
cuito equivalente aproximado para o diodo também foi traçada
no mesmo gráfico. O ponto Q resultante:
Vv0 = 0,7 V
lv 0 = 4,6 mA

lo (mA)

10
loQ;;;9125 mA 9
8
7
6
5
4
3
2

o I º.,S\1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ~ (V)
VoQ;;;o,1v

Fig. 2.6 Solução do Exemplo 2.1, utilizando o modelo aproximado do diodo.

40 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

lv (mA)

10
9
8
7
6
10 ;;;46mA 5 -
Q 1 4
3
2

O 0,5\I 2 3 4 5 6 7
VvQ;;; 0,7V

Fig. 2.7 Solução do Exemplo 2.2, utilizando o modelo aproximado do diodo.

agora a reta de carga no eixo vertical. O ponto Q é definido, por-

No Exemplo 2.4, os resultados obtidos tanto para Vva como
para 10 Q são iguais aos obtidos utilizando-se• as características
completas no Exemplo 2.2. Os exemplos acima demonstraram
que os níveis de corrente e tensão obtidos utilizando-se o mode-
lo aproximado foram bem próximos dos resultados encontrados
para os casos em que foram empregadas as características com-
pletas. Isto sugere, e será aplicado nas seções a seguir, que o uso
de aproximações apropriadas pode produzir soluções que são
muito próximas à resposta real, sem se preocupar muito em re-
produzir apropriadamente as características e escolher uma es-
cala suficientemente grande. No próximo exemplo iremos um
passo adiante e substituiremos o modelo ideal. Os resultados
revelarão as condições que devem ser satisfeitas para se aplicar
o modelo equivalente adequadamente.
EXEMPL02.5
Repita o Exemplo 2.1, utilizando o modelo ideal do diodo.
Solução
Como mostrado na Fig. 2.8, a reta de carga continua sendo a
mesma, entretanto a curva característica do diodo ideal intercepta
tanto, por
VvQ = OV
10 Q = 10 mA
Os resultados geram desconfiança quanto à precisão, pois são
muito diferentes dos encontrados no Exemplo 2..1. Certamente eles
fornecem alguma indicação dos valores de tensão e corrente para se~
rem esperados relativos aos outros valores de tensão do circuito, mas
o esforço adicional de simplesmente incluir a queda de O,7 V sugere
que a abordagem empregada no Exemplo 2.3 é mais adequada.
A utilização do modelo ideal do diodo deve, portanto, serre-
servada aos casos em que a função de um diodo é mais impor-
tante do que níveis de tensão que diferem em dezenas de volts, e
nos casos em que as tensões aplicadas são consideravelmente
maiores do que a tensão de limiar V'" Nas próximas seções, o
modelo aproximado será empregado exclusivamente, pois os
níveis de tensão obtidos serão sensíveis a variações próximas de
V,. Nas seções posteriores, o modelo ideal será empregado mais
amiúde, uma vez que as tensões aplicadas serão freqüentemente
muito maiores que V, e, além disso, os autores desejam assegu-
rar que a função do diodo seja entendida clara e corretamente.

lv (mA)

lv =10mA10 PontoQ
Q 9 -
8 -

E\
4-, IM,=>
3 -
2 -
1 -

o"' 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Vzi (V)

Fig. 2.8 Solução do Exemplo 2.1, utilizando o modelo ideal do diodo.

 Aplicações do Diodo 41

2.3 APROXIMAÇÕES PARA O DIODO minimize a necessidade de extensos desenvolvimentos

Na seção 2.2, revelamos que os resultados obtidos utilizando o
modelo equivalente aproximado eram bem próximos, se não iguais,
aos resultados encontrados utilizando todas as características do
diodo. Na verdade, se levarmos em conta todas as possíveis varia-
ções devido a tolerâncias, temperatura, e assim por diante, certa-
mente poderíamos considerar uma solução "tão precisa" quanto a
outra. Uma vez que a utilização do modelo aproximado normal-
mente resulta em uma redução de esforço e tempo para se obter os
resultados desejados, esta será a abordagem empregada neste livro,
a menos que se especifique o contrário. Relembre o seguinte:
O propósito principal deste livro é desenvolver um conhe-
cimento geral do comportamento, capacidades, e possíveis
áreas de aplicação de um dispositivo de tal maneira que
matemáticos.
O modelo equivalente completo introduzido no Cap. l não foi
empregado na análise por reta de carga porque r.v é tipicamente
muito menor do que os outros elementos em série do circuito. Se
o valor de r.v for próximo aos valores dos outros elementos em
série do circuito, o modelo equivalente completo pode ser apli-
cado da maneira descrita na Seção 2.2.
Como preparo para as análises que estão por vir, o Quadro 2.1
foi desenvolvido para recordar as características importantes,
modelos e condições de aplicação para os modelos ideal e apro-
ximado do diodo. Embora o diodo de silício seja utilizado quase
que exclusivamente, devido sobretudo às suas características de
temperatura, o diodo de germânio é ainda utilizado, e portanto
incluído no Quadro 2.1. Assim como o diodo de silício, o diodo

QUADRO 2.1 Modelo de Diodos Semicondutores Ideal e Aproximado

lo + 0,7V -
___.,...~ ~1--<>-
T:· 0.7V
Si/feio lo

o~
___.,...~
I 0 =0A

lo + 0,3V -
Germânio
___.,...~
lo

O 0,3V

___.,...a.l
! 0 =0A

Modelo ideal (Si ou Ge) lo

+ ov + Vo=OV -

--------
___.,...~
lo
==>
----0-----0--
lo

(E» Vr,R » rav)

--1 ==>
"\
Vo
- E + + Vr

___.,...~ ==> ---0

lo=OA
e---
10 =0A
42 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
Si
Ge
(a) (b)
Fig. 2.9 (a) Notação do modelo aproximado; (b) notação do modelo ideal.
de germânio é considerado um circuito aberto para tensões abai-
xo de V,.. Este diodo entrará no estado "ligado" quando V0 2::: Vr
= 0,3V.
Não esqueça de que 0,7 V e 0,3 V nos circuitos equivalentes
não são fontes independentes de energia. Estes valores de tensão
existem para simplesmente nos lembrar que há um "preço a pa-
gar", quando se liga um diodo. Um diodo isolado em uma ban-
cada de laboratório não indicará O, 7 V ou 0,3 V se um voltímetro
for colocado entre os seus terminais. A queda de tensão no dio-
do ocorrerá quando este estiver "ligado", e indica o nível de ten-
são mínimo necessário para que a condução seja estabelecida.
Nas próximas seções, demonstraremos o impacto dos mode-
los do Quadro 2.1 na análise de configurações de diodo. Nas si-
tuações em que o circuito equivalente aproximado for emprega-
do, o símbolo do diodo aparecerá como mostrado na Fig. 2.9a,
para os diodos de silício e germânio. Se as condições são tais que
o modelo ideal do diodo pode ser empregado, o símbolo do dio-
do será como mostrado na Fig. 2.9b.
2.4 CONFIGURAÇÕES SÉRIE DE
DIODOS COM ENTRADAS DC
Nesta seção, o modelo aproximado é utilizado para investigar
configurações série de diodos com entradas de. O assunto esta-
belecerá uma base na análise do diodo, cuja abordagem será fei-
ta nas seções e capítulos seguintes. O procedimento descrito pode,
na verdade, ser aplicado a circuitos com uma quantidade qual-
quer de diodos e em várias configurações.
Para cada configuração, o estado de cada diodo deve ser ini-
cialmente determinado. Quais diodos estão "ligados" e quais estão
"desligados"? Uma vez definidos, o equivalente apropriado que
se estabeleceu na Seção 2.3 pode ser substituído, e os parâme-
tros restantes do circuito determinados.
Em geral, um diodo está no estado "ligado" se a corrente
estabelecida pelas fontes é tal que sua direção está no
mesmo sentido que a seta do símbolo do diodo, e V0 2::: O, 7
V para o silício e V0 2::: 0,3 V para o germânio.
Si
+·
E
Fig. 2.10 Configuração série do diodo.
Fig. 2.11 Determinando o estado do diodo da Fig. 2.10.
Para cada configuração, substitua mentalmente os diodos por
elementos resistivos e note a direção resultante da corrente como
sendo resultado das tensões aplicadas ("pressão"). Se a direção
resultante está no mesmo sentido que a seta do símbolo do dio-
do, a condução será estabelecida através do diodo, e o dispositi-
vo está no estado "ligado". A descrição acima depende, é óbvio,
de a fonte fornecer uma tensão maior do que a tensão do limiar
(Vr) de cada diodo.
Se um diodo está no estado "ligado", tanto se pode conside-
rar uma queda de 0,7 V através do elemento, como o circuito pode
ser redesenhado com o circuito equivalente mostrado no Quadro
2.1. Normalmente, a preferência será incluir a queda de 0,7-V
através de cada diodo "ligado", e desenhar uma linha através de
cada diodo no estado "desligado" ou aberto. Inicialmente, entre-
tanto, o método de substituição será utilizado para assegurar que
as tensões apropriadas e os níveis de corrente estão determina-
dos.
O circuito em série da Fig. 2.1 O, descrito com alguns detalhes
na Seção 2.2, será utilizado para demonstrar a abordagem des-
crita nos parágrafos acima. O estado do diodo é determinado
primeiro substituindo-se mentalmente o diodo por um elemento
resistivo, como mostrado na Fig. 2.11. A direção resultante de I
está "casada" com a seta do símbolo do diodo, e já que E > V,., o
diodo está no estado "ligado". O circuito é, portanto, redesenhado
conforme Fig. 2.12, com o modelo equivalente apropriado para
o diodo de silício diretamente polarizado. Note que a polaridade
de V0 corresponderia à mesma polaridade se o diodo fosse um
elemento resistivo. A tensão resultante e os valores de corrente
são os seguintes:
(2.4)
(2.5)
(2.6)
Fig. 2.12 Substituindo pelo modelo equivalente o diodo "ligado" da Fig. 2.10.
 IJlil Aplicações do Diodo 43

----1~ + Vo=E

V''''' +F 11- ,R
Si
+
E R
+
VR
+
E
r1 R
+
VR
E R
+
VR

.Fig. 2.13 Invertendo o diodo da Fig.

2.10. Fig. 2.15 Substituindo pelo modelo
Fig. 2.14 Determinando o estado do equivalente o diodo "desligado" da
diodo da Fig. 2.13. Fig. 2.13.

Na Fig. 2.13 o diodo da Fig. 2.10 foi invertido. A substitui- Solução

ção do diodo por um elemento resistivo, como mostrado na Fig.
2.14, revela que o sentido da corrente não está de acordo com o Removendo o diodo, descobrimos que o sentido de I é oposto à
símbolo do diodo. O diodo está no estado "desligado", resultan- seta do símbolo do diodo, e o equivalente do diodo é o circuito-
do no circuito equivalente da Fig. 2.15. Como o circuito está aberto, não importando o modelo empregado. O resultado é o
aberto, a corrente do diodo é OA, e a tensão através do resistor R circuito da Fig. 2.17, onde/,,= OA devido ao circuito-aberto. Já
é a seguinte:
VR = IRR = lvR = (0 A)R = O V
O fato de v.
= OV faz com que se estabeleça E volts através do
circuito aberto, assim definido pela lei das tensões de Kirchhoff.
Tenha sempre em mente que, sob quaisquer circunstâncias -de,
ac, valores instantâneos, pulsos etc. - , a lei das tensões de
Kirchhoff deve ser satisfeita!

EXEMPL02.6 Fig. 2.17 Determinando as incógnitas do Exemplo 2.7.

Para a configuração série com diodo da Fig. 2.16, determine V0 ,
V. e / 0 • que v. = I.R, v. = (O)R = OV. A aplicação da lei das tensões de
Kirchhoff na malha produz
+ Vo
E-V0 VR =O
il,R -

+
E
F8V
Si

R
+
2,2 kn VR
e Vo =E - VR = E - O= E= 8 V

Em particular, note no Exemplo 2.7 que, apesar de alta ten-

são aplicada ao diodo, ele está no estado "desligado". A corrente
é nula, mas a tensão é significativa. Como revisão, tenha em
mente, nas análises a seguir, o seguinte:

Fig. 2.16 Circuito do Exemplo 2.6. 1. Um circuito aberto pode ter qualquer valor de tensão através
de seus terminais, entretanto a corrente é sempre zero.
2. Um curto-circuito possui OV em seus terminais, e a corrente
Solução é limitada somente pelo circuito restante.
Uma vez que a tensão aplicada estabelece uma corrente no sen-
No próximo exemplo, a notação da Fig. 2.18 será empregada
tido horário, de acordo com a seta do símbolo do diodo, o diodo
para a tensão aplicada. Esta notação é comumente utilizada e o
está no estado "ligado".
leitor deve tomar-se bastante familiarizado com ela. Tal notação
Vo = 0,7 V e outros níveis de tensão definidos serão abordados mais tarde
noCap. 4.
VR = E - V0 = 8 V - 0,7 V = 7,3 V
E=+ lOVo
VR 7,3 V
/0 = IR = -R = ,. == 3,32 mA
2,2 ku

EXEMPL02.7
Repita o Exemplo 2.6 com o diodo invertido. Fig. 2.18 \'ota~·üo uc IÚlllc.
44 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos o IJi,I

Solução
EXEMPL02.8
Para a configuração com diodo em série da Fig. 2.19, determine Uma abordagem similar àquela utilizada no Exemplo 2.6 reve-
v.
VD, e ln. lará que a corrente resultante tem o mesmo sentido das setas dos
símbolos de ambos os diodos, resultando no circuito da Fig. 2.22,
pois E= 12 V> (0,7V + 0,3 V)= 1 V.Noteafonteredesenhada
de 12 V e a polaridade de V0 através do resistor de 5,6-kll. A

Fº Si
tensão resultante
V0 = E - VT, - VT2 = 12 V - 0,7 V - 0,3 V= 11 V
E 0,5V
e ln = IR = VR = Vo = 1l V 1 96 mA
R R 5,6 kll == '

Fig. 2.19 Circuito em série com diodo do Exemplo 2.8.

Solução

Embora a "pressão" estabeleça uma corrente com o mesmo sen-

tido da seta do símbolo do diodo, o valor de tensão aplicada é
insuficiente para "ligar" o diodo de silício. O ponto de operação
é mostrado na Fig. 2.20, determinando o circuito-abertb como a
aproximação adequada. Os valores de tensão e corrente resultan- Fig. 2.22 Determinando as incógnitas do Exemplo 2.9.
tes são, portanto, os seguintes:
ln= OA
VR =IRR = InR = (O A)l,2 kll = O V EXEMPLO 2.10
e Vn =E= 0,5 V Determine ! 0 , VDi e V0 para o circuito da Fig. 2.23.

Fig. 2.23 Circuito do Exemplo 2.10.

O / 0,7V
VD =0,5 V Solução

Fig. 2.20 Ponto de operação com E = 0,5 V.
EXEMPL02.9
Determine V0 e ! 0 para o circuito em série da Fig. 2.21.
A remoção dos diodos e a determinação do sentido da corrente re-
sultante I originam o circuito da Fig. 2.24. O sentido da corrente do
diodo de silício está de acordo com o seu sentido de condução,
porém o mesmo não acontece com o diodo de germânio. A combi-
nação de um curto-circuito em série com um circuito-aberto resul-
ta sempre em um circuito-aberto e !0 = OA, conforme a Fig. 2.25.

Fig. 2.21 Circuito do Exemplo 2.9. Fig. 2.24 Determinando o estado dos diodos da Fig. 2.23.
o lllil Aplicações do Diodo 45

/=O
....... Solução

As fontes são desenhadas, e o sentido da corrente é indicado na

Fig. 2.28. O diodo está conduzindo, e a notação da Fig. 2.29 é
incluída para indicar este estado. Note que o estado "ligado" só
é percebido porque V0 = O, 7 V é incluído na figura. Isto elimina

Fig. 2.25 Substituindo pelo estado equivalente o diodo aberto.

Pelo que substituiremos o diodo de silício é a questão que

permanece. Para a análise a seguir neste e nos próximos ca-
pítulos, lembre-se simplesmente, para o diodo real, de que,
quando / 0 = O A, V0 = O V (e vice-versa), como descrito no
Cap. 1 para a situação em que não há polarização. As condi-
ções descritas por / 0 = OA e Vv, = OV estão indicadas na Fig.
2.26.
Fig. 2.28 Determinando o estado do diodo do circuito da Fig. 2.27.

a necessidade de redesenhar o circuito, e evita qualquer confu-

são que poderia surgir com a presença de outra fonte. Como
mencionado na introdução desta seção, este talvez seja o méto-
do utilizado por quem já tem uma certa intimidade na análise de
configurações com diodo. Posteriormente, toda análise será fei-
ta com referência apenas ao circuito original. Lembre-se de que

Fig. 2.26 Determinando as incógnitas do circuito do Exemplo 2.10.

+ 0,7V-

+
+
e VD 2 = Vcircuito aberto = E = 12 V
E,rov 2,2 kQ R2 Vz
~ Vo

A aplicação da lei das tensões de Kirchhoff no sentido horário

5Vl E2
nos dá

E - Vv, - Vv, - V0 =O
+
J.
Fig. 2.29 Determinando as incógnitas do circuito da Fig. 2.27.
e Vv, =E - Vv, - V0 = 12 V - O- O
= 12 V um diodo reversamente polarizado pode ser indicado simples-
mente por uma linha através do dispositivo.
A corrente resultante através do circuito é
com
I = E1 + E2 - Vv = 10 V+ 5 V - 0,7 V= 14,3 V
Ri+ R 2 4,7 k!l + 2,2 k!l 6,9 k!l
~ 2,07mA
EXEMPLO 2.11
Determine /, Vi, V2 e V0 para a configuração em série de da Fig; e as tensões são
2.27.
Vi= IR 1 = (2,07 mA)(4,7 k!l) = 9,73 V
V2 = IR 2 = (2,07 mA)(2,2 kfi) = 4,55 V
A aplicação da lei das tensões de Kirchhoff à malha de saída no
sentido horário resulta em
+ V2 - V = O
-E2 0

e V = V2 - E2 = 4,55 V - 5 V = -0,45 V
0

E2 =-5V O sinal de menos indica que V0 tem uma polaridade oposta à que
aparece na Fig. 2.27.
Fig. 2.27 Circuito do Exemplo 2.11.
46 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

2.5 CONFIGURAÇÕES PARALELA E limitada a um valor seguro de 14,09 mA, com a mesma tensão
nos terminais.
SÉRIE-PARALELA
Os métodos aplicados na Seção 2.4 podem ser estendidos à aná-
lise de configurações paralela e série-paralela. Para cada aplica- EXEMPLO 2.13
ção, simplesmente adapte as etapas seqüenciais utilizadas nas Determine a corrente I para o circuito da Fig. 2.32.
configurações série com diodo.
Si

I
~ R
EXEMPLO 2.12
E1 = 20 V 2,2k0
Determine V I,, /Di e Iv, para a configuração da Fig. 2.30.
0,

Si
~ o,33kn
.....-~~'V'l..----<t---~~..-~-o+
R fD1 i1D2 Fig. 2;32 Circuito do Exemplo 2.13.

E 10 V D1 Si D2 Si Solução

Redesenhando o circuito, como mostra a Fig. 2.33, verificamos

que o sentido de corrente resultante é tal que o diodo D 1 man-
tém-se ligado, e o diodo D 2 desligado. A corrente resultante I é,
Fig. 2.30 Circuito do Exemplo 2.12.
portanto,

Solução l= E 1 -E2 -Vv = 20V-4V-0,7V = 695 mA

R 2,2 kO '
Para a tensão aplicada, a "pressão" da fonte estabelece uma cor-
rente através de cada diodo com o mesmo sentido, conforme Fig.
2.31. Como o sentido da corrente resultante está de acordo com
a seta do símbolo de cada diodo, e a tensão aplicada é maior do
que 0,7 V, ambos os diodos estão conduzindo. A tensão através II R=2,2k0
de elementos em paralelo é sempre a mesma e +
V0 = 0,7 V

Fig. 2.33 Determinando as incógnitas para o circuito do Exemplo 2.13.

EXEMPLO 2.14
Determine a tensão V0 para o circuito da Fig. 2.34.
Fig. 2.31 Determinando as incógnitas do circuito do Exemplo 2.12.
12V
A corrente

11 = VR = E - Vv = 10 V - O, 7 V = 28 lS A
R R 0,33 kO ' m
Si Ge
Assumindo que os diodos possuem características semelhantes,
temos
11 28,18 mA = 14,09 mA
lv = lv = - 2
' 2 2
2,2 kn
O Exemplo 2.12 demonstrou uma razão para colocarmos
diodos em paralelo. Se a corrente· máxima nominal dos diodos
da Fig. 2.30 for apenas de 20 mA, uma corrente de 28,18 mA
danificaria o dispositivo, se cada um deles aparecesse sozinho
na Fig. 2.30. Colocando-se os dois em paralelo, a corrente fica Fig. 2.34 Circuito do Exemplo 2.14.
 Aplicações do Diodo 47

Solução Vr1
+ 07V-
Inicialmente, poder-se-ia imaginar que a tensão aplicada faria os
dois diodos "conduzirem". Entretanto, se ambos estivessem "li- ~ V0z+
.
vi
gados", a queda de O,7 V através do diodo de silício não estaria
de acordo com a queda de 0,3 V do diodo de germânio, uma vez E 20V Vr2 0,1v RI 3,3k0
que a tensão através de elementos em paralelo tem que ser a
mesma. Na realidade, o que ocorre é que, quando é ligada, a fon- r _____________ ] a
te aumenta a tensão fornecida de OV a 12 V em um certo perío-
5,6 kO
do de tempo - provavelmente milissegundos. No instante em
- V2 +
que a tensão no diodo de germânio atinge 0,3 V, este passa a
"conduzir", e mantém o valor da tensão em 0,3 V. O diodo de Fig. 2.37 Determinando as incógnitas do Exemplo 2.15.
silício nunca terá, portanto, a oportunidade de conduzir, já que
em seus terminais nunca haverá a tensão de 0,7 V. Por isso, o
diodo de silício permanece no estado de circuito-aberto como
mostra a Fig. 2.35. O resultado: I = Vr, = O,? V = O212 mA
1 R1 3,3 kfi '
V0 = 12 V - 0,3 V = 11, 7 V A aplicação da lei das tensões de Kirchhoff na malha indicada,
no sentido horário, produz

~
Si - V2 + E - Vr, - Vr, = O
e V2 = E - Vr, - Vr, = 20 V - 0,7 V - 0,7 V= 18,6 V

V2 18,6 V
com
º•i t Vr o,3v
12 = R2 = S, 6 k!l = 3,32 mA

No nó inferior (a),
~1
lo,+ li= /2
e ln, = 12 - 11 = 3,32 mA - 0,212 mA = 3,108 mA
2,2 kO

2.6 PORTAS E/OU

Fig. 2.35 Detenninando V0 para o circuito da Fig. 2.34.
As ferramentas de análise estão agora a nossa disposição, e a
oportunidade de estudar uma configuração utilizada em compu-
tadores demonstrará a faixa de aplicação deste dispositivo rela-
tivamente simples. Nossa análise limitar-se-á a determinar os
EXEMPLO 2.15
níveis de tensão e não incluirá uma discussão detalhada sobre
Determine as correntes / 1, / 2 e Iv, para o circuito da Fig. 2.36. álgebra booleana ou lógicas positiva e negativa.
O circuito a ser analisado no Exemplo 2.16 é uma porta
Si OU para lógica positiva. Isto significa que o nível 10 V da
Fig. 2.38 corresponde a "1", segundo a álgebra booleana,
D1 enquanto que a entrada de O V corresponde a "O". Uma porta
OR é tal que o nível de tensão de saída será 1 se uma ou ambas
E 20V S) D2 as entradas forem 1. A saída é O se ambas as entradas estive-
rem no nível O.
lv2
R2
Si
12 S,6k0 (1) E= lOV
l
D1
Fig. 2.36 Circuito do Exemplo 2.15.
Si
(O) ov Vº
Solução 2
D2

A tensão aplicada (pressão) é suficiente para ligar ambos os

diodos, como se percebe pelos sentidos das correntes no circuito
da Fig. 2.37. Note o uso de uma notação abreviada para os diodos
"ligados", e que a solução é obtida por meio de técnicas aplica-
das aos circuitos de série-paralelo. Fig. 2.38 Porta OU para lógica positiva
48 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

A análise de portas E/OU torna-se muito mais fácil, utilizan-
do-se o equivalente aproximado de um diodo em vez do modelo
ideal, já que podemos estipular que a tensão através do diodo deve
ser 0,7 V (0,3 V para Ge) para que o diodo de silício "conduza".
Em geral, a melhor técnica é simplesmente estabelecer um
sentimento sobre o estado dos diodos, observando o sentido e a
"pressão" estabelecidos pelos potenciais aplicados. A análise irá,
então, confirmar ou negar as afirmações iniciais.
EXEMPLO 2.16
Determine V0 para o circuito da Fig. 2.38.
Solução
<luzindo. Nossas afirmações parecem confirmadas pelas tensões
e corrente resultantes, e podemos assumir como correta nossa
análise inicial. O nível de tensão de saída não é 10 V, definido
para a entrada 1, mas 9,3 V é suficiente para ser considerado como
nível 1. A saída está, portanto, no nível 1 com apenas uma entra-
da ativada, o que sugere que a porta seja uma porta OU. Uma
análise do mesmo circuito com duas entradas de 1O V mostrará
ambos os diodos no estado "ligado" e uma saída de 9,3 V. Uma
entrada de O V em ambas as entradas não fornecerá os O, 7 V
exigidos para que os diodos entrem em condução, e a saída será
Odevido ao nível de O-V na saída. Para o circuito da Fig. 2.40, o
valor da corrente é determinado por
l=E-Vv= 10V-0,7V = 9 JmA
R 1 kfi '

Inicialmente, perceba que só há um potencial aplicado; 10 V no

terminal 1. O terminal 2 com uma entrada de O V está aterrado,
como mostra o circuito redesenhado da Fig. 2.39. A Figura 2.39
EXEMPLO 2.17
Determine o nível de saída da porta E de lógica positiva da Fig.
"sugere" que D 1 talvez esteja "ligado" devido aos 10 V aplica-
dos, enquanto D 2 com seu lado "positivo" a O V esteja provavel- 2.41.
mente "desligado". Assumindo esses estados, teremos a confi-
guração da Fig. 2.40. (1) Si
E1 =lOV
1
D1
+
(0) Si

I
E2 =0V Vº
2
D2
r------+--o Vº R 1 kO

E lOV
R lkO
E .I. lOV

ov
Fig. 2.39 Circuito redesenhado da Fig. 2.38.
A próxima etapa é simplesmente verificar que não há contra-
dição em nossas afirmações. Isto é, observe que a polaridade atra-
vés de D 1 é suficiente para ligá-lo, e que a polaridade através de
D 2 o mantém desligado. ParaD 1, o estado "ligado" estabelece V0
em V0 = E- V0 = lOV - 0,7V = 9,3 V. Com9,3 V no catodo
( - ) de D 2 e OV no anodo ( +), D 2 está definitivamente no estado
"desligado". O sentido da corrente e o caminho resultante de
condução vêm confirmar nossa suposição de que D 1 esteja con-
Fig. 2.41 Porta E de lógica positiva.
Solução
Note que neste caso uma fonte independente aparece no ramo
aterrado do circuito. Por motivos que logo se tornarão óbvios, a
fonte tem o mesmo nível lógico da entrada. O circuito é
redesenhado na Fig. 2.42, com nossas suposições iniciais sobre
o estado dos diodos. Com 10 V no catodo de D 1, assume-se que
D 1 está no estado "desligado", apesar de haver uma fonte de 10
V conectada ao anodo de D 1 através do resistor. Entretanto lem-
bre-se que mencionamos na introdução desta seção que o uso do

r--0-,-----0 V0 = VD= O, 7 V (0)

R 1 kO

Fig. 2.40 Estados assumidos para os diodos da Fig. 2.38. Fig. 2.42 Substituição pelos supostos estados dos diodos da Fig. 2.41.
 Aplicações do Diodo 49

modelo aproximado será um auxílio à análise. Para D 1, onde virá +

0,7 V, se as entradas e as fontes de tensão estão no mesmo nível + +
criando "pressões" opostas? Supõe-se que D 2 esteja no estad~
"ligado" devido à baixa tensão no catodo e ao fato de a fonte de
1O-V estar conectada ao anodo de D 2 através do resistor de 1 kO.
Para o circuito da Fig. 2.42, a tensão V0 é 0,7 V, devido à
polarização direta do anodo D 2 • Com 0,7 V no anodo de D 1 e 10
V no catodo, D 1 está definitivamente no estado "desligado". A v, = V., sen <ut
corrente Iterá o sentido indicado na Fig. 2.4 2, e um valor igual a
Fig. 2.43 Retificador de meia-onda.
I = E - Vo = 10 V - 0,7 V _
R 1 kO - 9 •3 mA
onda irá gerar uma forma de onda v0 que possuirá um valor médio
Os estados dos diodos são, portanto, confirmados, e nossa de uso particular no processo de conversão ac-dc. Quando empre-
análise anterior estava correta. Embora não seja de OV (definida gado no processo de retificação, um diodo é tipicamente denomi-
anteriormente como sendo o nível 0), a tensão de saída é sufici- nado retificador. Sua potência e valor máximo de corrente são nor-
entemente pequena para ser considerada como um nível O. Para malmente muito maiores do que os dos diodos empregados em
a porta E, portanto, uma única entrada Oresultará em um nível O outras aplicações, como computadores e sistemas de comunicação.
na saída. Os outros estados dos diodos para as hipóteses de duas Durante o intervalo t = O ~ T/2 na Fig. 2.43, a polaridade da
entradas O e nenhuma entrada O serão examinados nos proble- tensão aplicada V; é tal que estabelece uma "pressão" no sentido
mas ao final do capítulo. indicado e liga o diodo com a polaridade indicada. Substituindo
pelo curto-circuito equivalente para o diodo ideal, resulta no cir-
cuito equivalente da Fig. 2.44, onde é bem óbvio que o sinal de
saída é uma réplica exata do sinal da entrada. Os dois terminais
2. 7 ENTRADAS SENOIDAIS: definindo a tensão de saída são conectados diretamente ao sinal
RETIFICAÇÃO DE MEIA-ONDA de entrada, via o curto-circuito produzido pelo diodo.
Para o período T/2 ~ T, a polaridade da entrada v; é mostrada
A análise de diodo será agora ampliada para incluir funções va- na Fig. 2.45, e a polaridade resultante através do diodo ideal pro-
riantes no tempo, como a forma de onda senoidal e a onda qua- duz um estado "desligado" com um circuito-aberto como mode-
drada. Não há dúvida quanto ao fato de que o grau de dificulda- lo equivalente. O resultado é a ausência de um caminho para que
de irá aumentar, mas, uma vez compreendidas algumas técnicas, as cargas fluam e V0 = iR = (O)R = OV para o período T/2 ~ T.
a análise será completamente direta e seguirá uma linha comum. A entrada V; e a saída v0 foram traçadas juntas na Fig. 2.46 para
O circuito mais simples de ser examinado com um sinal varian- que possa haver uma comparação. O sinal de saída vO tem agora
te no tempo aparece na Fig. 2.43. No momento, utilizaremos o uma área resultante média determinada por
modelo ideal (note a ausência da legenda Si ou Ge) para assegurar
(2.7)
que a abordagem não inclua mais uma complexidade matemática. meia-onda
Ao longo de um ciclo completo, definido pelo período T da Fig. O processo de ser remover metade do sinal de entrada para
2.43, o valor médio (a soma algébrica das áreas acima e abaixo do estabelecer um nível de é apropriadamente denominado retifica-
eixo) é zero. O circuito da Fig. 2.43 chamado retificador de meia- ção de meia-onda.

+
+ + + + Vo

V; R Vo _ . . V; V0 =V;

~ .

Fig. 2.44 Região de condução lO ~ T/2).

+ o----;,
+ +

~
v0 =0V
V; R Vo _ . . V; V0 =0V

T
+ +

Fig. 2.45 Região de não-condução (T/2 ~ T).

50 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

O efeito de se utilizar um diodo de silício com Vr = O, 7 V está

demonstrado na Fig. 2.47 para a região em que o diodo é direta-
mente polarizado. O sinal aplicado deve, agora, ser de no míni-
mo 0,7 V para que o diodo possa "ligar-se". Para valores de V;
menores do que 0,7 V, o diodo é ainda um circuito-aberto e v0 = 1
1
OV, como mostra a mesma figura. Quando em condução, a dife- 1
1
rença entre v0 e V; é um valor fixo de V,= 0,7 V e v0 = V; - V,., 1
como mostrado na figura. O efeito na prática é a redução da área 1
1
acima do eixo, que naturalmente reduz o nível de tensão de re- 1
1
sultante. Para situações onde Vm > > V.,., a equação 2.8 pode ser 1
aplicada para determinar o valor médio com um relativo alto grau 1
1
de precisão. ---' Vc1c=01318Vm

(2.8) o
T~
Na verdade, se Vm é suficientemente maior do que V,, em geral
a Eq. 2. 7 é utilizada como uma primeira aproximação para Vc1c· Fig. 2.46 Sinal retificado de meia-onda.

+ Vr -
V;
r--o--1
+ 07V
1
+

V; R
O1 11 T Tt
1 112
~
Diferença devida a V T

Fig. 2.47 Efeito de Vr no sinal retificado de meia-onda.

Solução
EXEMPLO 2.18
(a) Esboce a saída v0 e determine o nível de de saída para o cir- (a) Nesta situação, o diodo conduzirá durante a parte negativa
cuito da Fig. 2.48. (b) Repita o item (a) para o caso em que o diodo da entrada como mostra a Fig. 2.49, e vO terá a forma mostra-
ideal é substituído por um diodo de silício. (e) Repita os itens (a) da na mesma figura
e (b) para Vm = 200 V, e compare as soluções, utilizando as Eqs.
(2.7) e (2.8). Vdc = -0,318Vm = -0,318(20 V)= -6,36 V
O sinal negativo indica que a polaridade da tensão de saída é
oposta à definida na Fig. 2.48.
V; + + (b) Utilizando um diodo de silício, a saída tem a forma da Fig.
2.50e
V;
Vdc = -0,318(Vm - 0,7 V)= -0,318(19,3 V)= -6,14 V
A queda resultante no nível de é 0,22 V, ou aproximadamente
o T t
3,5%.
(e) Eq. (2.7): Vdc = -0,318Vm = -0,318(200 V)=
Fig. 2.48 Circuito do Exemplo 2.18. = -63,6 V

V; -1-4 + Vo

02kü
+
V; Vo
o T
2
+

Fig. 2.49 Saída v0 resultante para o circuito do Exemplo 2.18.

 Aplicações do Diodo 51

2.8 RETIFICAÇÃO DE ONDA

O T
2
\ O nível de obtido a partir de uma entrada senoidal pode ser melho-
20 V - 0,7 V= 1913 V
Fig. 2.50 Efeito de V7 no sinal de saída da Fig. 2.49.
Eq. (2.8): Vdc = -0,318(Vm - Vy) =
= -0,318(200 V - 0,7 V)
= -(0,318)(199,3 V)= -63t38 V
que é uma diferença que pode certamente ser desprezada para a
maioria das aplicações. Para o item c, a diferença e queda na
amplitude devido a VT não seria perceptível em um osciloscópio
típico, se uma escala adequada fosse utilizada.
TPI (TPR)
A tensão de pico inversa (TPI) [ou TPR (tensão de pico reversa)]
máxima é de suma importância no projeto de sistemas de retifi-
cação. Lembre-se de que a tensão máxima nominal do diodo não
deve ser ultrapassada na região de polaridade reversa, ou o dio-
do entrará na região de avalanche Zener. A TPI máxima permi-
tida para o retificador de meia-onda pode ser determinada da Fig.
2.51, que mostra ó diodo reversamente polarizado da Fig. 2.43
com uma tensão aplicada máxima. Aplicando a lei das tensões
de Kirchhoff, toma-se óbvio que a TPI máxima do diodo deve
igualar-se ou ser maior do que o valor de pico da tensão aplica-
da. Portanto
(2.9)
COMPLETA
Circuito Ponte
rado 100%, utilizando-se um processo chamado retificação de onda
completa. O circuito mais usual empregado para realizar tal fun-
ção aparece na Fig. 2.52, com seus quatro diodos em uma configu-
ração em ponte. Durante o período de t = Oaté T/2, a polaridade do
sinal de entrada está mostrada na Fig. 2.53. As polaridades resul-
tantes através dos diodos ideais são apresentadas também na Fig.
2.53, revelando que D 2 e D 3 estão conduzindo enquanto que D 1 e
D 4 estão no estado "desligado". O resultado é a configuração da Fig.
2.54, com sua corrente e polaridade através de R indicadas na Fi-
gura. Uma vez que os diodos são ideais, a tensão na carga v0 = vi,
como mostrado na mesma figura.
Para a região negativa do sinal de entrada, os diodos D, e D 4
estão conduzindo, resultando na configuração da Fig. 2.55. O
resultado importante é que a polaridade através do resistor de
carga Ré a mesma da Fig. 2.53, estabelecendo um segundo pul-
so positivo, conforme a Fig. 2.55. Ao longo de um ciclo com-
pleto, as tensões de entrada e saída serão da forma mostrada na
Fig. 2.56.
V;
+
V;
T
Fig. 2.52 Retificador em ponte de onda completa.

_ V(TPI) +
' ~ t
~ / =0----.--.-0- - - 0

Vm J R V0 =IR=(O)R=OV

+ +
Fig. 2.51 Determinando a TPI máxima exigida para retificador de meia-onda. Fig. 2.53 Circuito da Fig. 2.52 para o período O ~ T/2 do sinal de entrada V;·

l l
2 2

Fig. 2.54 Caminho de condução para a região positiva de v;.

52 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

I
,-, \
I \
o o l T
2

Fig. 2.55 Caminho de condução para a região negativa de v;-

TPI

A TPI exigida para cada diodo (ideal) pode ser determinada

da Fig. 2.58, obtida no pico positivo do sinal de entrada. Para o
o T Tt loop indicado, a tensão máxima através de Ré Vm e a TPI máxi-
2
ma é definida por
Fig. 2.56 Formas de ondas dos sinais de entrada e saída para um retificador de (2.12)
onda completa. retificador em ponte de onda completa

Como a área acima do eixo para um ciclo completo é agora o

dobro da área obtida por um retificador de meia-onda, o nível de
foi também dobrado e

V,1c = 2(Eq. 2,7) = 2(0,318V,,,)

ou (2.10)
onda completa

Se diodos de silício ao invés de diodos ideais fossem em- Fig. 2.58 Determinando a TPI permitida para a configuração em ponte.
pregados como mostra a Fig. 2.57, a aplicação da lei das ten-
sões de Kirchhoff ao longo do caminho de condução resulta-
ria em

V; - Vr - Vu - Vr =o Transformador com Derivação Central

e V0 = V; - 2Vr
("Center Tap")
O valor de pico da tensão de saída V0 é, portanto, Um retificador de onda completa também popular aparece na Fig.
2.59 com dois diodos somente; entretanto, neste caso, há a ne-
Vºmáx= Vm - 2Vr cessidade de um transformador com derivação central (center tap)
para que o sinal de entrada apareça em cada seção do secundário
Para situações onde Vm >> 2 V,., Eq. 2.11 pode ser aplicada para
do transformador. Durante a porção positiva de V; aplicado ao
o valor médio com relativo alto grau de precisão.
primário do transformador, o circuito se comportará como mos-
(2.11) tra a Fig. 2.60. D 1 assume o curto-circuito equivalente, e D 2 o

Novamente, portanto, se Vm é bem maior do que 2V,., então a Eq.

2.10 é normalmente aplicada como uma primeira aproximação
para vdc·

o T T t
2

Fig. 2.57 Determinando V0 ,,,~ para diodos de silício na configuração em ponte. Fig. 2.59 Retificador de onda completa, utilizando transformador center tap.
 Aplicações do Diodo 53

1:2
vi

o
Vo

t
~=1
Fig. 2.60 Condições do circuito para a região positiva de v,.

vi
- +
~·\
I \
I \ R
O T o T T
2 2

Fig. 2.61 Condições do circuito para a região negativa de v,.

circuito-aberto equivalente, determinados pelas tensões no secun-

dário e pelos sentidos das correntes resultantes. A tensão de sa- EXEMPLO 2.19
ída aparece como mostra a Fig. 2.60. Determine a forma de onda de saída do circuito da Fig. 2.63, e
Durante a porção negativa do sinal de entrada, o circuito com- calcule o nível de na saída e a TPI exigida para cada diodo.
porta-se como mostra a Fig. 2.61, invertendo as funções dos
diodos, mas mantendo a mesma polaridade da tensão através do
resistor de carga R. O efeito observado na prática é a mesma sa-
+
ída mostrada na Fig. 2.56, com os mesmos níveis de.

TPI

O circuito da Fig. 2.62 nos auxiliará a determinar a TPI para

cada diodo neste retificador de onda completa. Aplicando a ten-

Fig. 2.63 Circuito em ponte do Exemplo 2.19.

TPI +

Solução

O circuito comportar-se-á como mostra a Fig. 2.64 para a região

positiva do sinal de entrada. Redesenhando o circuito, resulta na
configuração da Fig. 2.65, onde v0 = v/2 ou V,,m,, = (10 V)/2 =
5 V, como mostra a Fig. 2.65. Para a parte negativa do sinal de
entrada, as funções dos diodos serão invertidas e v,, será como
mostrado na Fig. 2.66.
Fig. 2.62 Determinando o valor da TPI para os diodos do retificador de onda
completa com transformador CT.
V;
+

são máxima no secundário, e Vm sendo determinada pelo loop

V;
adjacente, resulta em
TPI = Vsecundária + VR
= Vm + Vm
e (2.13)
transformador CT retificador da onda completa Fig. 2.64 Circuito da Fig. 2.63 para a região positiva de v1•
54 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de- Circuitos

entrada, sem distorcer o restante da forma de onda alternada. O

+ +
"º retificador de meia-onda da Seção 2. 7 é um exemplo da forma
2 kü 11,. mais simples de um ceifador com diodo - um resistor e diodo.
Dependendo da orientação do diodo, a região positiva ou nega-
l'; 2 kü tiva do sinal de entrada é "ceifada".
o T Há duas categorias gerais de ceifadores: série e paralelo. A confi-
2 kü 2 guração série é definida como aquela que tem o diodo em série com a
carga, enquanto a paralela tem o diodo em um ramo paralelo à carga.

Fig. 2.65 Circuito redesenhado da Fig. 2.64. Série

A resposta da configuração série da Fig. 2.67a para várias for-
mas de onda é fornecida na Fig. 2.67b. Embora inicialmente in-
troduzido como um retificador de meia-onda (para formas de
onda senoidais), não há limite aos tipos de sinais que podem ser
aplicados a um ceifador. A inclusão de uma fonte de, mostrada
na Fig. 2.68, pode ter um efeito pronunciado na saída de um
ceifador. Nossa discussão inicial será limitada a diodos ideais,
com o efeito de V, reservado a um exemplo na conclusão.
o T T Não há um procedimento geral para a análise de circuitos do
2
tipo mostrado na Fig. 2.68, mas existem algumas idéias para se
Fig. 2.66 Saída resultante do Exemplo 2.19. ter em mente que auxiliam na busca de uma solução.

1. Imagine um esboço da resposta do circuito baseado na

O efeito da retirada de dois diodos da configuração em ponte
foi, portanto, para reduzir o nível de disponível ao seguinte valor:
Vdc = 0,636(5 V) = 3,18 V
mesmo valor disponível de um retificador de meia-onda com o
mesmo sinal de entrada. Entretanto, a TPI, assim como foi de-
terminada na Fig. 2.58, é igual à máxima tensão através de R,
que é 5 V ou metade daquela exigida para um retificador de meia-
onda com a mesma entrada.
direção do diodo e nos níveis de tensão aplicados.
Para o circuito da Fig. 2.68, a direção do diodo sugere que o
sinal v1 deva ser positivo para ligá-lo. Além disso, a fonte de exi-
ge que a tensão V; seja maior do que V volts para ligar o diodo. A
região negativa do sinal de entrada está "pressionando" o diodo
para o estado "desligado", apoiado pela presença da fonte de. Em
geral, portanto, podemos estar bem certos de que o diodo com-
porta-se como um circuito-aberto (estado "desligado") para a
região negativa do sinal de entrada.

2. Determine a tensão aplicada (tensão de transição) que

2.9 CEIFADORES causará a mudança de estado do diodo.

Há uma variedade de circuitos com diodos chamados ceifadores* Para o diodo ideal, a transição entre os estados ocorrerá no
que possuem a característica de "ceifar" uma porção do sinal de ponto em que vd = OV e id = OA. A aplicação da condição id =

+
V;

(a)

V;

(b)
Fig. 2.67 Ceifador série.

*N.T.: Os circuitos ceifadores são também conhecidos como limitadores de tensão (ou de
corrente), seletores de amplitude ou cortadores.
 Aplicações do Diodo 55

V; V;
V

~t----f-----<>+

-T V; R 1L
1 21
1 1
1 1
1 1
1 t
1 1
Fig. 2.68 Ceifador série com uma fonte de. 1 1
Vo: 1
1 1
1 1 1
1 1 1
+Vm-VI
1 1
O em vd = O para o circuito da Fig. 2.68 resulta na configuração 1 1 1
da Fig. 2.69, onde se sabe que o valor de V; que causará uma tran- o T T
sição do estado é 2
(2.14) Fig. 2.71 Determinando valores de v0 •

V vd=OV É, portanto, possível que a tensão de saída seja traçada a par-

tir de pontos de v0 , como demonstra a Fig. 2. 71. Tenha em mente
~.---~+,___-o---.-1-"---<>+ que, em um valor instantâneo de V;, a entrada pode ser conside-
rada uma fonte de daquele valor e o correspondente valor de (o
V; V0 =ifll=i,ll= (O)R=OV valor instantâneo) da saída determinado. Por exemplo, em V; =
Vw para o circuito da Fig. 2.68, o circuito a ser analisado apare-
ce na Fig. 2.72. Para Vm > Vo diodo está no estado de curto-cir-
cuito, e v0 = Vm - V, como mostra a Fig. 2.71.
Fig. 2.69 Determinando o nível de transição para o circuito da Fig, 2.68. Em vi= V, os diodos mudam de estado, e em V;= - Vm, v0 =
O V, e a curva completa para vO pode ser traçada conforme a Fig.
2.73.
Para uma tensão de entrada maior do que V volts, o diodo está
no estado de curto-circuito, enquanto que para tensões de entra-
da menores do que V volts o diodo se encontra no estado de cir-
cuito-aberto, ou "desligado". +
3. Esteja sempre ciente dos terminais e da polaridade R
de v 0 •

Quando o diodo está no estado de curto-circuito, tal como

mostra a Fig. 2.70, a tensão de saída v0 pode ser determinada, Fig. 2.72 Determinando v0 , quando v, = V,..
aplicando-se a lei das tensões de Kirchhoff no sentido horário

v; - V - v,, = O (direção CW) V;

e (2.15)

VI
~---------o
T t
V o
1•, = V (diodos mudam de estado)

··n
+ +
Fig. 2.73 Traçando v 0 •
R

EXEMPLO 2.20
Fig. 2.70 Determinando v0 •
Determine a forma da onda de saída para o circuito da Fig. 2.74.

Solução
4. Pode ser útil traçar o sinal de entrada acima da saída,
e determinar a saída a partir de valores instantâneos A experiência passada sugere que o diodo estará no estado "li-
da entrada. gado" para a região positiva de V; - especialmente quando con-
56 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

V=SV EXEMPLO 2.21

~1----1,----.----0 Repita o Exemplo 2.20 para a onda quadrada, como entrada da
+ + + Fig. 2.78.

Fig. 2.74 Ceifador série para o Exemplo 2.20.

T
sideramos o efeito de V= 5 V. O circuito ficará como mostra a
Fig. 2.75 e v 0 =V;+ 5 V. Substituindo id = O em vd = O para os
níveis de transição, obtemos o circuito da Fig. 2. 76 e V; = - 5 V.
Fig. 2.78 Sinal aplicado do Exemplo 2.21.

o----Ji---o-----<>----.-~---o
+- sv + + Solução

Para V;= 20 V (O~ T/2), o resultado é o circuito da Fig. 2.79. O

diodo está no estado de curto-circuito, e vO = 20 V + 5 V = 25
V. Para V;= -10 V o resultado é o circuito da Fig. 2.80, colo-
cando o diodo no estado "desligado" e v0 = i~ = (O)R = OV. A
Fig. 2.75 v0 com o diodo no estado ligado. tensão de saída resultante aparece na Fig. 2.81.

+ _l~jv
+ +
20V R

Fig. 2.76 Determinando o nível de transição para o ceifador da Fig. 2.74.

Fig. 2.79 v0 com v, = +20 V.

Para V; mais negativo do que -5 V, o diodo entrará no seu

estado de circuito-aberto, enquanto que para tensões maiores do
que - 5 V o diodo está no seu estado de curto-circuito. As ten-
sões de entrada e saída aparecem na Fig. 2.77.
lr-=1+
sv
R
+
IOV
+

20 v;+S V='20V +5V=25V Fig. 2.80 v0 com v1 = -!O V.

- - - - Vº= O V+ 5 V= 5 V
...
f \ T t
25V
v0 =-S V +SV=OV

Fig. 2.77 Traçando v0 do Exemplo 2.20. T

Fig. 2.81 Esboçando v0 para o Exemplo 2.21.

A análise dos circuitos ceifadores tendo como entradas ondas
quadradas é, na realidade, mais fácil de ser realizada do que com
entradas senoidais, pois apenas dois níveis são considerados. Em
outras palavras, o circuito pode ser analisado como se tivesse dois Note no Exemplo 2.21 que o ceifador não somente corta o sinal
níveis de na entrada, com a saída resultante v determinada de O em 5 V de sua excursão total como também aumenta o nível de
forma apropriada. em5V.
 Aplicações do Diodo 57

+ R +

o o
-V -V

Fig. 2.82 Resposta ao ceifador paralelo.

Paralelo O estado de transição pode ser determinado da Fig. 2.85, onde

O circuito da Fig. 2.82 é a mais simples das configurações em
paralelo com diodos, com a saída resultante para os mesmos si-
nais de entrada da Fig. 2.67. A análise das configurações em
paralelo é muito semelhante à utilizada em configurações série,
como demonstrado no próximo exemplo.
EXEMPLO 2.22
Determine v0 para o circuito da Fig. 2.83.
a condição id = O A com vd = OV foi imposta. O resultado é v;
(transição) = V= 4 V.
Uma vez que a fonte de está obviamente "pressionando" o
diodo a ficar no estado de curto-circuito, a tensão de entrada deve
ser maior do que 4 V para o diodo entrar no estado "desligado".
Qualquer valor de tensão na entrada menor do que 4 V resulta
em um diodo no estado de curto-circuito.
Para o estado de circuito-aberto, o circuito comporta-se como
mostra a Fig. 2.86, onde v0 = v;. Completando o traçado de v0
resulta na forma de onda da Fig. 2.87.

vR=OV

+ +
+ R + id=OAl
vd=OV
V;
+
Vo V;
l v,,

o
V -I 4V
o o
V

I
4V
o

J<'ig. 2.85 Determinando o nível de Fig. 2.86 Determinando v,, para

transição para o Exemplo 2.22. o estado "desligado" do diodo.
Fig. 2.83 Exemplo 2.22.

Solução
_ _ _ _ 4-V nível de transição
A polaridade da fonte de e a direção do diodo sugerem fortemente 1 T
que o diodo estará no estado "ligado" para a região negativa do 1
1
sinal de entrada. Para esta região, o circuito comporta-se-á como 1
1
mostra a Fig. 2.84, onde os terminais definidos para v0 exigem 1
1
que v,. = V = 4 V. 1
1
1
lv
1 o
1
R +
V;
T T
2

Fig. 2.87 Traçando v,, para o Exemplo 2.22.

Fig. 2.84 v,, para a região negativa de v;.
58 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Para examinar os efeitos de V, na tensão de saída, o próximo

exemplo especificará um diodo de silício ao invés de um diodo
ideal equivalente. + +

EXEMPLO 2.23
V; J J;0,7V
Repita o Exemplo 2.22, utilizando um diodo de silício com Vr =
0,7V. o,o-·--------~---.oo I- 4V _ Fig. 2.89 Determinando vO para o diodo
da Fig. 2.83 no estado "ligado".

Solução
A forma de onda resultante na saída aparece na Fig. 2.90. Note
A tensão de transição pode ser inicialmente determinada aplican- que o efeito de V, foi somente abaixar o nível de transição de 4 V
do a condição id = O A em vd = V0 = 0,7 V, e obtendo o circuito para3,3 V.
da Fig. 2.88. Aplicando a lei das tensões de Kirchhoff na malha
de saída no sentido horário, concluímos que
V;+ VT- V= o
e v;=V-V7 =4V-0.7V=3.3V T T
VR=iRR =idR =(O)R =o V 2
R

~
Fig. 2.90 Traçando v0 para o Exemplo 2.23.

'7-] 0,7 V"'\

~ + ~ ~
Não há dúvida de que a inclusão dos efeitos de V, complica a
análise de alguma forma, mas uma vez compreendida a análise
+ com o diodo ideal, o procedimento para a solução, incluindo os
o ~
VI-
4V
o
efeitos de V,., não será difícil.
Fig. 2.88 Determinando o nível de transição para o circuito da Fig. 2.83.
Sumário
Para tensões de entrada maiores do que 3,3 V, o diodo com-
Vários ceifadores série e paralelo com a saída resultante para a
portar-se-á como um circuito aberto, e v0 = V;. Para tensões de
entrada senoidal são mostrados na Fig. 2.91. Em particular, note
entrada menores do que 3,3 V, o diodo estará no estado "ligado"
a resposta da última configuração, com a característica de remo-
e resulta no circuito da Fig. 2.89, onde
ver uma seção positiva e uma seção negativa, determinada pela
V0 = 4 V - O, 7 V = 3,3 V amplitude das fontes de.

Ceifadores em Sé1ie Simples (Diodos ideais)

POSITIVO NEGATIVO

V; Vo Vo
o ~ r
o
Vm
+ + + +
\'·1 R Vo \';.

o ·t Vo

o
o

Ceifadores em Série Polarizados (Diodos ideais)

V; Vo

~r +
~lt-----------<l+
V ("' - V)
V; R Vo o V; R Vo O t
-V -V ---------

o---11----.~~---o
+ + V +
V; R V; R
V ---------
01---..,---

Fig. 2.91 Circuitos ceifadores.

 Aplicações do Diodo 59

Ceifadores Paralelos Simples (Diodos ideais)

+ R + + R +
V;

Ceifadores Paralelos Polarizados (Diodos ideais)

;~
~ V
~ •• ~ ·~ o o
V
-o I
- -
o
VI ; -V

~
~ V
~ o V; "~ Q
V -V
~ T; ;
V
I ;

V1
o 1""""""""11-----+-
- V2

Fig. 2.91 Circuitos ceifadores (cont.).

2.10 GRAMPEADORES Durante o intervalo O ~ T/2, o circuito comportar-se-á como

O circuito grampeador é aquele que "grampeia" o sinal em
um nível de diferente. O circuito deve ter um capacitor, um
diodo, e um elemento resistivo, mas pode-se empregar uma
fonte de independente para introduzir um deslocamento adi-
cional. O valor de R e C deve ser escolhido de maneira que a
constante de tempo r = RC seja grande o suficiente para as-
segurar que a tensão através do capacitor não descarregue sig-
nificativamente durante o intervalo em que o diodo não está
conduzindo. Durante toda a análise, assumiremos que o
capacitor se carrega ou descarrega completamente durante
cinco constantes de tempo.
O circuito da Fig. 2.92 grampeará o sinal de entrada ao nível
zero (para diodos ideais). O resistor R pode ser o resistor de car-
ga ou uma combinação paralela do resistor de carga e um resistor
projetado para fornecer o valor desejado de R.
mostra a Fig. 2.93, com o diodo no estado efetivamente "liga-
do", "retirando" o efeito do resistor R. A constante de tempo RC
resultante é tão pequena (R determinado pela resistência ineren-
te do circuito) que o capacitor se carregará a V volts muito rápi-
do. Durante este intervalo, a tensão de saída está diretamente
através do curto-circuito e v0 = O V.
Quando a entrada chaveia para o estado - V, o circuito com-
porta-se como mostra a Fig. 2.94, com o circuito-aberto equiva-
lente para o diodo determinado pelo sinal aplicado e a tensão
armazenada através do capacitor - ambos "pressionando" a
corrente através do diodo do catodo para o anodo. Agora que R
está de volta ao circuito, a constante de tempo determinada pelo
produto RC é suficientemente grande para estabelecer um perío-
do de descarga 5rmuito maior do que o período T/2 ~ T, e pode-
se assumir que o capacitor mantém sua carga e, portanto, a ten-
são (já que V = QIC) durante este período.

e e e
~1------.~--~--o+
1/
~-
R
+
V-
f;j:- R
+

Vo
R v_ () V"

+ -

Fig. 2.93 Diodo "ligado" e o capacitor Fig. 2.94 Determinando v0 com o diodo
Fig. 2.92 Grampeador. carregando para V volts. "desligado".
60 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
Já que v0 está em paralelo com o diodo e o resistor, pode ser dese-
nhado também na posição alternativa mostrada na Fig. 2.94. A apli-
cação da lei das tensões de Kirchhoff na malha de entrada resulta em:
-V-V-v0 =0
e v0 = -2V
O sinal negativo resulta do fato de a polaridade de 2V ser oposta
à polaridade definida para v0 • A forma de onda resultante na sa-
ída aparece na Fig. 2.95 com o sinal de entrada. O sinal de saída
é grampeado a O V para o intervalo de O a T/2, mas mantendo a
mesma excursão total (2V), como na entrada.
V;
o T
2
Fig. 2.95 Traçando v,, para o circuito da Fig. 2.92.
Para um circuito grampeador:
A excursão total da saída é igual à excursão total do sinal
de entrada.
Este fato é uma excelente ferramenta de verificação para o re-
sultado obtido.
Em geral, os seguintes passos podem ser úteis na análise de
circuitos grampeadores.
1. Inicie a análise de circuitos grampeadores, consideran-
do a parte do sinal de entrada que polarizará direta-
mente o diodo.
Fig. 2.96 Sinal aplicado e circuito para o Exemplo 2.24.
A afirmação acima pode exigir que se despreze um intervalo ini-
cial de entrada (como demonstrado no exemplo a seguir), mas a
análise não será estendida desnecessariamente por esta razão.
2. Durante o período que o diodo está no estado "ligado",
assuma que o capacitar carrega-se instantaneamente
a um nível de tensão determinado pelo circuito.
3. Assuma que, durante o período em que o diodo está no
estado "desligado", o capacitar se mantém em seu ní-
vel de tensão estabelecido.
4. Durante toda a análise, possua um conhecimento con-
tínuo da localização e polaridade de referência de v0
para assegurar que os níveis apropriados para v0 fo-
ram obtidos.
5. Tenha em mente a regra geral que a excursão total da
saída deve estar de acordo com a excursão do sinal de
entrada.
EXEMPLO 2.24
Determine vO para o circuito da Fig. 2.96 para a entrada indicada.
Solução
Note que a freqüência é de 1000 Hz, resultando em um período
de 1 ms e um intervalo de 0,5 ms entre os níveis. A análise co-
meçará com o período t 1 ~ t 2 do sinal de entrada, já que o diodo
está em seu estado de curto-circuito, como recomendado pelo
comentário 1. Para este intervalo, o circuito comportar-se-á como
mostra a Fig. 2.97. A saída está sobre R, mas está também dire-
tamente sobre a bateria de 5 V se você reparar a conexão direta
entre os terminais definidos para vO e os terminais da bateria. O
resultado é v0 = 5 V para este intervalo. A aplicação da lei da
tensão de Kirchhoff ao longo da malha de entrada resulta em
-20 V+ Vc - 5 V= O
e Vc = 25 V
O capacitar portanto carregará até 25 V, como afirmado no
comentário 2. Neste caso, o diodo não provoca um curto-circui-
to no resistor R, mas um circuito equivalente de Thévenin daquela
porção do circuito que inclui a bateria e o resistor, resultando em·
RTh = On com ETh = V = 5 V. Para o período t 2 ~ t 3 o circuito
comportar-se-á como mostra a Fig. 2.98.
O circuito-aberto equivalente para o diodo livrará a bateria de
5 V de possuir qualquer efeito sobre v0 , e a aplicação da lei das
C = lµF
+ +
V; R IOOkQ V0
V 5V
 Aplicações do Diodo 61

e Uma vez que o intervalo t 2 ~ t3 durará apenas 0,5 ms, certamen-

~1--+~..-~-...~~---0+
te uma boa aproximação é considerar que o capacitor manterá
\{:
sua tensão durante o período de descarga enti.-e os pulsos do si-
nal de entrada. A saída resultante aparece na Fig. 2.99 com o si-
20V
+ R 1ookn v0
nal de entrada. Note que a excursão do sinal de saída de 30 V
V 5V está de acordo com a excursão do sinal de entrada, como mencio-
+ nado na etapa 5.

Fig. 2.97 Determinando v0 e v,. com o diodo no estado "ligado".

EXEMPLO 2.25
tensões de Kirchhoff ao longo da malha de saída do circuito re- RepitaoExemplo2.24, utilizando um diodo de silício com VT = 0,7V.
suita em
Solução
+10 V+ 25 V - V0 = O
e V0 = 35 V Para o estado de curto-circuito, o circuito agora fica conforme
mostrado na Fig. 2.100, e v0 pode ser determinado pela lei das
A constante de tempo do circuito de descarga da Fig. 2.98 é tensões de Kirchhoff aplicada à seção de saída.
determinada pelo produto RC e tem o valor
+5V-0,7V-v0 =0
T = RC = (100 k!l)(O, 1 µ,F) = 0,01 s = 10 ms
e V0 = 5 V - 0,7 V= 4,3 V
O tempo total de descarga é, portanto, 5T = 5(1 O ms) = 50 ms.

~->------'I~
+
25V+
+

lOV
5VJ_

LTK

Fig. 2.98 Determinando v0 com o diodo no estado "desligado". Fig. 2.100 Determinando v e Vc com o diodo no estado "ligado".
0

Para a seção de entrada, a lei das tensões de Kirchhoff resultará

em
-20 V+ Vc + 0,7 V - 5 V= O
e Ve = 25 V - O, 7 V = 24,3 V
Para o período t2 ~ t 3 o circuito agora aparecerá conforme
mostrado na Fig. 2.1 O1, sendo a única modificação a tensão atra-
vés do capacitor. A aplicação da lei das tensões de Kirchhoff
produz
+ 10 V + 24,3 V - V0 =O
e V0 = 34,3 V
35

T
30V
~24,3V
+ +

o
l lOV

Fig. 2.99 V; e v0 para o grampeamento da Fig. 2.96. Fig. 2.101 Determinando v0 com o diodo no estado aberto.
62 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

A saída resultante aparece na Fig. 2.102, verificando a afirmati-
va de que as excursãoes dos sinais de entrada e saída são iguais.
Alguns circuitos grampeadores e seus efeitos sobre o sinal de
entrada são mostrados na Fig. 2.103. Embora todas as formas de
onda que aparecem na Fig. 2.103 sejam ondas quadradas, circui-
tos grampeadores operam igualmente bem para sinais senoidais.
Na verdade, uma abordagem para a análise de circuitos
grampeadores com entradas senoidais é substituir o sinal senoidal
por uma onda quadrada com os mesmos valores de pico. A saída
resultante formará, portanto, uma envoltória para a resposta
senoidal, como mostra a Fig. 2.104 para um circuito que aparece
no canto inferior direito da Fig. 2.103.

2.11 DIODOS ZENER

A análise de circuitos empregando diodos Zener é muito seme-
o lhante àquela aplicada para diodos semicondutores nas seções
anteriores. Inicialmente o estado do diodo deve ser determina-
Fig. 2.102 Traçando v0 para o grampeador da Fig. 2.96 com um diodo de silício. do, e em seguida deve haver uma substituição do modelo apro-
priado e uma determinação das outras variáveis do circuito. Ex-

Vo

V +1e + r----1e +
o V; R Vo o V; R Vo

-V 2V {)

-2V 1

Vo

r----1e + +1e +
v, R Vo
V1
o v, R Vo
V1 V1
V1
o

V,;

rie + rl-------o+
e
V; R V{ R

Fig. 2.103 Circuitos grnmpcadon:s com diodos ideais 15, ~ 5RC :,o. T/21.

V;

~e +
V; R
lOV
+

Fig. 2.104 Circuito grampeador com uma entrada senoidal.

 IJII
Aplicações do Diodo 63

+
=> 1 + I Se V 2::: V,, o diodo Zener está "ligado", e o modelo equivalente
da Fig. 2.105a pode ser substituído. Se V< V,, o diodo está "des-

f'
Vz V=> ligado", e o circuito-aberto equivalente da Fig. 2.105b é substi-
tuído.

{Vz >V> OV)

I 2. Substitua o circuito equivalente apropriado, e resolva
as variáveis desejadas.
on off
(a) (b) Para o circuito da Fig. 2.106, o estado "ligado" resulta no cir-
cuito equivalente da Fig. 2.108. Já que as tensões através de ele-
Fig. 2.105 Equivalentes do diodo Zener para os estados (a) ligado (on) e (b) des- mentos em paralelo devem ser iguais, concluímos que
ligado (0ft).
(2.17)
ceto especificado o contrário, o modelo de Zener a ser emprega-
do para o estado "ligado" será como mostra a Fig. 2.105a. Para o
estado "desligado", definido por uma voltagem menor do que V,, IR R
mas maior do que OV com a polaridade indicada na Fig. 2.105b,
o equivalente Zener é o circuito aberto que aparece na mesma ~~--""""'---~-/z--lt h
figura.
+
V; Vz
Vi e R Fixos
O circuito mais simples que utiliza diodo Zener aparece na Fig.
2.106. A tensão de aplicada é fixa, como o resistor de carga. A
V;
análise pode fundamentalmente ser dividida em duas etapas.
Fig. 2.108 Substituindo o equivalente Zener pela situação "ligado".
R

+ A corrente no diodo Zener deve ser determinada pela aplicação

Vz da lei das correntes de K.irchhoff. Ou seja,
IR= lz + h
e (2.18)

Fig. 2.106 Regulador Zener básico. onde

e
1. Determine o estado do diodo Zener, removendo este do
circuito e calculando a tensão através do circuito-aber- A potência dissipada pelo diodo Zener é determinada por
to resultante.
(2.19)
Aplicando a etapa 1 ao circuito da Fig. 2.106, resulta no cir-
cuito da Fig. 2.107, onde uma aplicação da regra do divisor de que deve ser menor do que a P2M especificada para o dispositi-
tensão resultará em vo.
Antes de continuar, é muito importante perceber que a primeira
(2.16) etapa foi empregada para somente determinar o estado do diodo
Zener. Se o diodo Zener está no estado "ligado", a tensão atra-
vés do diodo não é V volts. Quando o sistema é ligado, o diodo
Zener "ligará" assim que a tensão através do diodo Zener atingir
R V2 volts. Ele irá, portanto, "travar" neste nível, e nunca alcança-
rá o nível mais elevado de V volts.
Diodos Zener são mais freqüentemente utilizados em circui-
+ tos reguladores ou como uma referência de tensão. A Fig. 2.106
V; V
é um regulador simples projetado para manter uma tensão fixa
através da carga Ri. Para valores de tensão aplicada maiores do
que a exigida para "ligar" o diodo Zener, a tensão através da carga
será mantida em V2 volts. Se o diodo Zener é empregado como
uma tensão de referência, ele fornecerá um nível para a compa-
Fig. 2.107 Determinando o estado do diodo Zener. ração com outras tensões.
64 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

EXEMPLO 2.26 (b) A aplicação da Eq. (2.16) resultará agora em

(a) Para o circuito com diodo Zener da Fig. 2.109, determine
Vl, VR, / 2 e P 2 • (b) Repita a parte (a) com Rl = 3 kO. = RLVi = 3 k0(16 V) = 12 V
V R + RL 1 kO + 3 kO
Já que V = 12 V é maior do que V2 = 10 V, o diodo está no es-
+ VR - tado "ligado", resultando no circuito da Fig. 2.112. A aplicação
R
da Eq. (2.17) produz
lkO
!lz + VL = Vz = 10 V
V; 16V Vz=lOV RL 1,2k0 VL e VR = V; - VL = 16 V - 10 V =6V
PZM=30mW
VL lOV
com h =- = - - = 3 33 mA
RL 3k0 '
VR 6V
Fig. 2.109 Regulador com diodo Zener para o Exemplo 2.26. e IR =R = 1 kO = 6 mA
portanto lz=IR-h [Eq. (2,18)]
Solução = 6 mA - 3,33 mA
(a) Seguindo o procedimento sugerido, o circuito é redesenhado = 2,67 mA
como mostra a Fig. 2.110. A aplicação da Eq. (2.16) dá A potência dissipada,
= Vzlz = (10 V)(2,67 mA) = 26,7 mW
Pz
V= RR;~L = ll~~k~il,~ :~ = 8,73 V
que é menor do que a especificada P = 30 m W. 7M

R
IR + VR

lk!l
-+-
fz
=i)h R

+ 1 kO
+ ~lz +
v; 16V V RL lk!l VL
v; 16V Vz lOV RL 3k!l VL

Fig. 2.110 Determinando V para o regulador da Fig. 2.109.

Fig. 2.112 Circuito da Fig. 2.109 no estado "ligado".

Uma vez que V = 8, 73 V é menor do que V2 = 10 V, o diodo

está no estado "desligado" como mostrado na curva característi-
ca da Fig. 2.111. A substituição do circuito-aberto equivalente Vi Fixo, RL Variável
resultará no mesmo circuito da Fig. 2.11 O, donde concluímos que
Devido à tensão V,, há uma faixa específica de valores de resistor
VL =V= 8,73 V (e portanto corrente de carga) que garantirá o estado "ligado" do
Zener. Uma resistência de carga RL muito pequena resultará em
VR = V; - VL = 16 V - 8,73 V = 7,27 V uma tensão VL através do resistor de carga menor do que V,, e o
lz= O A dispositivo Zener estará no estado "desligado".
Para determinar a resistência de carga mínima da Fig. 2.106
e Pz = Vzlz = V2 (0A) = OW que ligará o diodo Zener, calcule simplesmente o valor de R, que
resultará em uma tensão na carga VL = V2 • Ou seja,
iz (mA)
RLV;
VL = Vz = -"--'--
RL +R
Vz= lOV Solucionando para R,, temos
\ o Vz
8173V (2.20)

Qualquer valor de resistência de carga maior do que o RL obtido

Fig. 2.111 Ponto de operação resultante para o circuito da Fig. 2.109. da Eq. (2.20) assegurará que o diodo Zener está no estado "liga-
 Aplicações do Diodo 65

do" e que o diodo pode ser substituído por sua fonte V, equiva- A tensão através do resistor R é, portanto, determinada pela Eq.
lente. (2.22):
A condição definida pela Eq. (2.20) estabelece o Ri mínimo,
mas por sua vez especifica o li máximo como VR = V; - Vz = 50 V - 10 V = 40 V
e a Eq. (2.23) fornece o valor de I.:
(2.21)
VR 40V
IR =R = 1 kO = 40 mA
Quando o diodo está no estado "ligado", a tensão através de R
permanece fixa em O valor mínimo de li é, portanto, determinado pela Eq. (2.25):

(2.22) h.,., = IR - IZM = 40 mA - 32 mA = 8 mA

com a Eq. (2.26) determinando o valor máximo de Ri:
e IR permanece fixa em

(2.23)
Um gráfico de Vi versus Ri aparece na Fig. 2.114a, e para Vi
A corrente no Zener versus li, na Fig. 2.114b.

(2.24) (b) Pmáx = Vz IZM

= (10 V)(32 mA) = 320 mW
resultando em / 2 mínimo, quando li é máximo, e um máximo !,,
quando li é mínimo, já que IR é constante.
Uma vez que I, é limitado ao valor IZM fornecido na folha de
especificações, ela influencia na faixa de Ri e, portanto, li- Subs-
tituindo IZM por I,, estabelece um valor mínimo para li como

(2.25).

e a resistência máxima de carga como

O 2500 1125k0
(2.26)
(a)

EXEMPLO 2.27
(a) Para o circuito da Fig. 2.113, determine a faixa de valores
de Ri e li que manterá VRL em 10 V.
(b) Determine a potência nominal máxima do diodo.
O 8mA 40mA
Solução
(b)
(a) Para determinar o valor de Ri que ligará o diodo Zener, apli-
que a Eq. (2.20): Fig. 2.114 VL versus R, e ( para o regulador da Fig. 2.113.

R = RV2 = (1 kO)(lO V) = 10 kO = 250 fi

r.,.,,. V; - Vz 50 V - 10 V 40
RL Fixo, vi Variável
IR Para valores fixos de Ri na Fig. 2.106, a tensão V; deve ser sufi-
lkQ --,...
cientemente grande para ligar o diodo Zener. A tensão mínima
+ R
ilz V; = lt. . que liga o diodo é determinada por

V;=50V Vz = lOV Ri V;
IZM=32mA Vi= Vz=---
Ri +R

e (2.27)
}'ig. 2.113 Regulador de tensão do Exemplo 2.27.
66 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

O valor máximo de V; é limitado pela corrente de Zener má- Os resultados do Exemplo 2.28 revelam que para o circuito
xima Iv,. Já que /z,., = I, - IL, da Fig. 2.115 com um RL fixo, a tensão de saída permanecerá fixa
em 20 V para uma faixa de valores de tensão de entrada que se
(2.28) estende de 23,67 V até 36,87 V.
Na verdade, a entrada poderia ser da forma mostrada na Fig.
Uma vez que IL está fixa em V/RL e /ZM é o valor máximo de / 2 ,
2.117, e a saída permaneceria constante em 20 V, conforme
a máxima tensão V; é definida por
Fig. 2.116. A forma de onda que aparece na Fig. 2.117 é ob-
tida pela filtragem, de uma saída de meia-onda ou meia-onda-
V;mJ., = VR"'" + Vz retificada - um processo descrito em detalhes em um capí-
(2.29) tulo posterior. O efeito na prática, entretanto, é estabelecer
uma tensão de estável (para uma faixa definida de V;) tal como
aquela mostrada na Fig. 2.116 de uma fonte senoidal com valor
médio nulo.
EXEMPLO 2.28
Determine a faixa de valores de V; que manterão o diodo de Zener
da Fig. 2.115 no estado "ligado".
40
36187 V
IR
R _.. 30
+ 220n ilz =tth +
23,67V
20
V; Vz=20V Ri 1,2kn Vi
IZM =60mA
10

o
Fig. 2.115 Regulador para o Exemplo 2.28.

Fig. 2.117 Forma de onda gerada por um sinal retificado filtrado.

Solução
Dois ou mais níveis de referência podem ser estabelecidos
Eq. (2.27): V. = (RL + R)Vz = colocando-se os diodos Zener em série como mostra a Fig. 2.118.
, ..,.. RL
Quando V; for maior do que a soma de Vz1 e Vz,, ambos os diodos
= (1200 O + 220 0)(20 V) = 67 V estarão no estado "ligado", e as três tensões de referência esta-
1200 n 23 ' rão disponíveis.
VL Vz 20 V
h =- =- = = 16 67 mA
RL RL l,2k0 '
+ 20V _
Eq. (2.28): /Rm,h = IZM + h = 60 mA + 16,67 mA
5kn + +
= 76,67 mA IOV CVz1)
Eq. (2.29): V;"'" = /Rm,,R + Vz +
= (76,67 mA)(0,22 kO) + 20 V V; 50V 30V
+
= 16,87 V + 20 V 20V (Vz 2)
= 36,87 V
Um gráfico de VL versus V; é mostrado na Fig. 2.116.

Fig. 2.118 Estabelecendo três níveis de tensão de referência.

20V -------
Dois Zeners colocados em posição oposta também podem
ser utilizados como um regulador ac, como mostra a Fig.
2.119a. Para o sinal senoidal v;, o circuito comportar-se-á
o 10
como mostra a Fig. 2.119b no instante em que v; = 10 V. A
região de operação para cada diodo está indicada na figura
23,67 V 36,87 V
adjacente. Note que Z 1 está em uma região de baixa impe-
Fig. 2.116 V,_ versus V, para o regulador da Fig. 2.115.
dância, enquanto que a impedância de Z 2 é muito grande,
correspondendo à representação de circuito-aberto. O resul-
 Aplicações do Diodo 67
V;
+ SkQ +
Z1
V; 20-V~ Vo
Zeners
Z2

(a)

SkQ

20V
V;= IOV
o V

(b)

Fig. 2.119 Regulação ac senoidal: (a) Regulador ac senoidal de 40 V pico-a-pico; (b) operação do circuito em V;= 10 V.

tado é que v0 = V; quando V;= 10 V. A entrada e saída conti-
nuarão a dobrar o seu valor até atingir 20 V. Z2 , neste momen-
to, "ligar-se-á" (como um diodo Zener) enquanto Z 1 estará
em uma região de condução com um valor de resistência su-
ficientemente pequeno comparado ao resistor de 5 kfl em sé-
rie, podendo ser considerado um curto-circuito. A saída re-
sultante para a faixa completa de valores de V; é fornecida
na Fig. 2.119(a). Note que a forma de onda não é puramente
senoidal, mas seu valor rms é menor do que aquele associa-
do a um sinal completo com 22 V de pico. O circuito está
efetivamente limitando o valor rms da tensão disponível. O
circuito da Fig. 2.119a pode ser estendido a um gerador sim-
ples de onda quadrada (devido à ação de corte do sinal) se o
sinal v,. for aumentado para, talvez, 50 V de pico com Zeners
de 10 V, como mostra a Fig. 2.120 com a forma de onda re-
sultante na saída.
V;
+ Skn + +
2.12 CIRCUITOS MULTIPLICADORES
DE TENSÃO
Circuitos multiplicadores de tensão são empregados para man-
terem uma tensão de pico relativamente pequena no transforma-
dor, enquanto multiplica a tensão de pico na saída em duas, três,
quatro ou mais vezes da tensão de pico retificada.
Dobrador de Tensão
O circuito da Fig. 2.121 é um dobrador de tensão de meia-onda.
Durante o meio-ciclo de tensão positiva no transformador, o di-
odo D 1 secundário conduz (e o diodo D 2 está cortado), carre-
gando o capacitor C 1 até a tensão de pico retificada (V"'). O diodo
D 1 é idealmente um curto durante este meio-ciclo, e a tensão
de entrada carrega o capacitor C 1 até Vm com a polaridade mos-
trada na Fig. 2.122a. Durante o meio-ciclo negativo da tensão
secundária, o diodo Dt está cortado, e o diodo D 2 continua car-
regando o capacitor C2 • Uma vez que o diodo D 2 age como um
curto durante o meio-ciclo negativo (e o diodo D 1 está aberto),

V; ,~v<
Zeners
Z1

+
Z2
Vo
podemos somar as tensões ao longo da malha de saída (ver Fig.
2.122b):
-Vc2 + Vc, + Vm = O
- VC + Vm + Vm = O
2

do qual

lOV • •
-lOV 111111.- +

Fig. 2.120 Gerador simples de onda quadrada. Fig. 2.121 Dobrador de tensão de meia-onda.
68 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos o IJlil
DiodoD2 Diodo D
/
não conduzindo / conduzindo

Diodo D1 DiodoD1
conduzindo não conduzindo

(a) (b)

Fig. 2.122 Operação dupla, mostrando cada meio-ciclo da operação: (a) meio-ciclo positivo; (b) meio-ciclo negativo.

No próximo meio-ciclo positivo, o diodo D2 não está conduzindo,
e o capacitor descarregará através da carga. Se não há carga
conectada no capacitor C2, os capacitores mantêm-se carregados -
C 1 em Vm e C2 em 2Vm. Se, como seria esperado, há uma carga
conectada na saída do dobrador de tensão, a tensão através do
capacitor C2 sofre uma queda durante o meio-ciclo positivo (na
entrada), e o capacitor é recarregado até 2Vm durante o meio-ciclo
negativo. A forma de onda na saída através do capacitor C2 é a de
um sinal de meia-onda filtrado por um capacitor (que age como
filtro). A tensão de pico inversa através de cada diodo é 2Vm.
Outro circuito utilizado é o dobrador de onda completa da Fig.
2.123. Durante o meio-ciclo positivo da tensão secundária do
D1
+ ocorre para o filtro com capacitor. Em resumo, o dobrador de
vm C1
+
vm C2
Fig. 2.123 Dobrador de tensão de onda completa.
transformador (ver Fig. 2.124a), o diodo D 1 continua carregan-
do o capacitor C 1 a uma tensão de pico Vm. O diodo D 2 não está
conduzindo neste momento.
Durante o meio-ciclo negativo (ver Fig. 2.124b) o diodo D 2
conduz carregando o capacitor C2 , enquanto que o diodo D 1 não
está conduzindo. Se não há corrente de carga sendo drenada do
circuito, a tensão através dos capacitores C 1 e C2 é 2Vm. Se há
corrente de carga sendo drenada do circuito, a tensão através dos
capacitores C 1 e C2 é a mesma verificada quando um capacitor é
alimentado por um circuito retificador de onda completa. Uma
diferença é que a capacitância efetiva é resultado de C 1 e C2 em
série, que é menor que a capacitância de C 1 ou C2 somente. Uma
capacitância de menor valor produzirá uma filtragem mais po-
bre do que o circuito de filtragem com um capacitor.
+ A tensão de pico inversa através de cada diodo é de 2Vm, como
tensão de meia-onda ou de onda completa produz o dobro da
tensão de pico do secundário do transformador, não exigindo a
2Vm utilização de um transformador center tap, e a TPI nominal má-
xima para os diodos é de somente 2 Vm.
Triplicador e Quadruplicador de Tensão
A Fig. 2.125 apresenta uma extensão do duplicador de tensão de
meia-onda, que produz três e quatro vezes a tensão de pico de
entrada. Observando o padrão de conexão do circuito, deve ser
óbvio como diodos e capacitores adicionais podem ser conectados

Di /Conduzindo / Não conduzindo

+ ,---.----191'----,
1
1

J
C1 1+

~li vm
~li vm

+
:;:: v..
1-
1
1

1
:+
C2:;:: Vm
,-
1
____ _ . . ___ ..J1

02 "- Não conduzindo Dz ~Conduzindo

Fig. 2.124 Meios-ciclos alternados de operação para o dobrador
(a) (b) de tensão de onda completa.
 Aplicações do Diodo 69

Trlpliaulor (3 V.) .,

tll D3

C4
D4

+ 2Vm - 1
+ 2Vm
t + - - - - Dupllaulor (2 V.,) ---=----i
1+---------- Quadrupllcador (4 V.,) - - - - - - - - - i .,
Fig. 2.125 Triplicador e quadruplicador de tensão.

de forma que a tensão de saída possa atingir também cinco, seis,

sete, ou mais vezes a tensão de pico básica (V,.).
O capacitor C 1 em operação carrega através do diodo D 1 a uma
tensão de pico, Vm, durante o meio-ciclo positivo da tensão do
secundário do transformador. O capacitor C2 carrega até duas
vezes a tensão de pico, 2Vm, produzida pela soma das tensões
através do capacitor C1 e do transformador, durante o meio-ci-
clo negativo da tensão no secundário do transformador.
Durante o meio-ciclo positivo, o diodo D 3 conduz, e a tensão
através do capacitor C2 carrega o capacitor C3 à mesma tensão
de pico 2Vm. No meio-ciclo negativo, os diodos D2 e D4 condu-
zem com o capacitor C3, carregando C4 à 2Vm. Fig. 2.126 Fig. 2.27 redesenhada para a análise pelo PSpice.
A tensão através do capacitor C2 é 2Vm, dos C 1 e C3 é 3Vm e
dos C2 e C4 é 4 Vm. Se outras seções com diodos e capacitores são
incluídas, cada capacitor será carregado para 2Vm. Medindo a entradas é uma descrição do circuito utilizando os nós escolhi-
partir do extremo superior do enrolamento do transformador (Fig. dos e o formato específico exigido pelo PSpice para cada elemen-
2.125), obtêm-se múltiplos ímpares de Vm na saída, enquanto que to. Os Comandos de Análise definem as quantidades a serem
medindo a partir do extremo inferior, a tensão de saída será múl- determinadas. A última entrada deve ser a expressão .END exa-
tipla par da tensão de pico, Vm. tamente da forma indicada. Não colocando o ponto, invalidará
A tensão nominal máxima do transformador é somente Vm, e todo o arquivo de entrada.
cada diodo no circuito deve possuir uma TPI nominal máxima O arquivo de entrada para o circuito da Fig. 2.126 é fornecido
de 2Vm. Se a carga é pequena e os capacitores apresentam pouca na Fig. 2.128. A linha de título especifica o "Circuito com diodo
fuga, valores de tensão de extremamente altos podem ser produ- da Fig. 2.126" como o circuito a ser analisado. A primeira linha
zidos por este tipo de circuito, utilizando muitas seções para de descrição do circuito especifica a fonte de lOV. Para todas as
multiplicar a tensão de. fontes de, a primeira letra da linha deve ser a letra maiúscula V
seguida pelo nome da fonte. O nome é simplesmente uma esco-
lha de letras e/ou números para identificar a fonte na estrutura
do circuito. Posteriormente, o nó com o lado positivo da fonte é
2.13 ANÁLISE POR COMPUTADOR

PSpice (Versão DOS)

A análise por computador deste capítulo empregará, inicialmen-
te, a versão DOS do PSpice para determinar as incógnitas do
circuito da Fig. 2.27 (Exemplo 2.11). A primeira etapa seria
redesenhar o circuito como mostra a Fig. 2.126, identificar os nós,
e numerá-los em uma ordem lógica. O terra é escolhido como o
nível de referência e identificado com o número O. O diodo de
silício está entre os nós 2 e 3. A tensão de saída do Exemplo 2.11
é tomada do nó 3 para a terra. A tensão V1 é considerada entre os
nós 1 e 2, e V2 entre os nós 3 e 4.
A informação sobre o circuito entra no computador por meio
de um arquivo de entrada mostrado na forma de bloco na Fig.
2.127. A primeira entrada deve ser uma linha contendo o título
para identificar a análise a ser realizada. O próximo conjunto de Fig. 2.127 Componente de um arquivo de entrada.
70 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
Fig. 2.128 Arquivo de entrada para o circuito da Fig. 2.126.
informado, seguido pela polaridade negativa. O valor da fonte
entra, portanto, como indicado.
A próxima entrada do arquivo de entrada é um elemento
resistivo, que requer a letra maiúscula R para iniciar a linha se-
guido pelo seu nome (neste caso, simplesmente o número 1 para
relacionar ao seu índice no circuito da Fig. 2.126). A "pressão"
da fonte de 1O V sugere que a corrente resultante determinará o
nó 1 como positivo em relação ao nó 2 - justificando a ordem
dos nós no arquivo de entrada. O valor do resistor é especificado
como sendo de 4,7 k!l.
O formato de entrada para o diodo foi introduzido no Cap. 1.
Note a entrada na linha 3 da descrição do circuito e a descrição
do modelo do diodo na linha 6. Lembre que IS foi especificado
como sendo 2E-15 paraobterumaquedade 0,7 V (ou mais per-
to possível deste nível) através dos diodos de silício no estado
"ligado", com valores de corrente típicos para sistemas eletrô-
nicos.
As próximas duas entradas são o segundo resistor e a fonte de
tensão. Note que, em cada caso, há uma tentativa de definir os
nós positivo e negativo pela ordem de entrada dos nós. Uma su-
posição incorreta, entretanto, acarretará simplesmente um sinal
negativo para a tensão através de um elemento particular.
A entrada .DC especifica uma análise de com a fonte E 1 em
1O V. A análise .DC pode ser especificada para uma faixa de
valores, por isso há a repetição do nível 1OV na linha de entrada.
Se o nível é repetido, como neste caso, a análise será realizada
Fig. 2.129 Arquivo de saída para o circuito da Fig. 2.126.
apenas no valor indicado. Se o segundo nível fosse diferente, a
análise seria realizada do primeiro para o segundo nível, em ní-
veis definidos pelo incremento, cujo valor é informado na próxi-
ma entrada da linha. Apesar da nossa análise ser feita em apenas
um nível, exige-se uma entrada para o incremento. Neste caso
entrou-se com 1 V, valor tipicamente utilizado para este propó-
sito. Desta forma, quando o programa estiver rodando e o com-
putador notar a repetição do valor 1O V, ele realizará a análise
em um nível só (10 V) e ignorará o incremento. É desnecessário
incluir a segunda fonte de nesta expressão. A entrada .DC especi-
fica o tipo de análise em um nível de E 1 = 10 V com todos os
outros elementos detalhados da forma mostrada na descrição do
circuito.
A expressão ,PRINT define os parâmetros que serão incluí-
dos nos dados de saída. O parâmetro V (3) é a tensão do nó 3
para a terra - a tensão de saída da Fig. 2.126. A próxima é a
corrente através do diodo seguida pelas tensões entre os nós in-
dicados.
A entrada .OPTIONS NOPAGE é um comando para "econo-
mizar papel", limitando os dados fornecidos no arquivo de saí-
da, exceto os requisitados especificamente. O arquivo de entra-
da finaliza necessariamente com a expressão .END.
Uma vez introduzido apropriadamente o arquivo de entrada,
o programa PSpice pode ser "rodado", e a informação desejada
obtida no formato do arquivo de saída mostrado na Fig. 2.129.
Note na figura a localização da linha de título e a repetição de
toda a descrição do circuito. Em seguida, os parâmetros do mo-
delo especificados são listados seguidos pelos resultados dese-
jados. VEl é simplesmente uma repetição do nível de E 1
(l.OOOE+ 1 = 10) controlado pelo computador para determinar
as condições sob as quais os cálculos foram feitos (lembre da
expressão ,DC). O valor V(3) = V0 = -4,455E-01 = -0,4455V
assemelha-se bastante ao valor -0,45 V obtido no Exemplo 2.11.
A corrente do diodo I(Dl) = / 0 = 2,07 mA está perfeitamente
de acordo com o Exemplo 2.11. A tensão V(l,2) = V1 = 9,73 V
bate com 9,73 V do Exemplo 2.11, e V(3,4) = V2 = 4,554 V bate
com 4,55 V do mesmo exemplo. O último elemento do arquivo
de saída é a tensão através do diodo, que para o nível de corrente
e IS escolhidos foi de O, 715 V, próximos aos O, 7 V empregados

no Exemplo 2.11. Lembre do Cap. 1 em que a tensão do diodo é
uma função de vários elementos, como corrente de saturação
reversa, nível de corrente, temperatura, e outros, e não pode ser
simplesmente especificado como O, 7 V, a menos que se utilize o
modelo incluindo tudo.
Analisando-se os resultados, chega-se à conclusão que eles
estão perfeitamente de acordo com aqueles obtidos no Exem-
plo 2.11, como devia ser, já que foi tomado o cuidado apropri-
ado em ambos os métodos. A primeira apresentação de qual-
quer técnica nova, como a análise pelo programa PSpice
introduzida nesta seção, deixará naturalmente dúvidas e ques-
tões sobre a sua aplicação. Entretanto esteja ciente de que nos-
sa intenção principal neste livro é apenas expor ao leitor os
vários métodos por computador, não necessariamente os deta-
lhes exigidos para realizar a análise de uma variedade de con-
figurações. Isto não significa que a descrição acima não seja
suficiente para analisar uma boa parte das configurações com
diodo, mas para certas dúvidas que podem surgir exige-se um
estudo dirigido em sala ou a presença do manual do PSpice. O
exemplo acima é uma amostra do tipo de análise pelo PSpice
que será utilizado durante todo o livro. Esteja ciente de que o
PSpice é um dos programas utilizados com mais freqüência na
comunidade educacional, e alguns conhecimentos de sua apli-
cação auxiliarão em qualquer método de análise por computa-
dor que você possa eventualmente escolher.
PSpice para Windows
(Windows Design Center Analysis)
A versão PSpice para Windows será agora aplicada também ao
circuito da Fig. 2.126, permitindo uma comparação entre os
métodos e soluções. Com descrito no Cap. 1, a utilização da ver-
são para Windows possibilita o desenho do circuito em uma tela
esquemática. Os próximos parágrafos introduzirão os fundamen-
tos para se desenhar o circuito na tela. Indubitavelmente, você
necessitará obter algumas informações (referências) adicionais
em manuais quando da análise de outras configurações; contu-
do, esta descrição deve apresentar os fundamentos sem grandes
dificuldades. Talvez você deseje acompanhar a análise do circuito
da Fig. 2.130 com um manual de referência.
Em geral, é fácil desenhar o circuito se a grande estiver na tela e
se todos os elementos estiverem na grade. Estas medidas também
asseguram que as conexões entre os elementos serão realizadas. A
tela pode ser estabelecida clicando-se, inicialmente, Options na
barra de menu seguido de Display Options. A caixa de diálogo
Display Options permitirá fazer todas as seleções necessárias re-
lativas ao tipo de display desejado. No nosso caso, escolheremos
Grid On, Stay on Grid, e um Grid Size de 0,1". As outras opções
disponíveis são deixadas para você investigar. Uma vez realizadas
as especificações com pequenos x nas caixas apropriadas, clicando-
se OK o display será ajustado com as opções desejadas.
R logo Get Part. Clicando no diodo D1N4l48 e em OK, o símbolo
Inicialmente colocamos o resistor R 1 na posição apropriada
clicando-se Draw na barra de menu, seguido de Get New Parte
Browse. A caixa de diálogo Get Partirá aparecer e se rolarmos
a lista de bibliotecas até surgir analog.slb, podemos clicá-la,
disponibilizando uma lista de opções sob o cabeçalho Part. Ro-
lando até a visualização de R, podemos clicá-lo e então clicar em
OK; um resistor aparecerá na tela. Toda a seqüência pode ser
Aplicações do Diodo 71
reduzida clicando-se simplesmente em R na caixa de diálogo Add
Parte depois em OK; entretanto, a seqüência acima permite um
primeiro contato com uma importante lista de bibliotecas e op-
ções. O resistor aparecerá na horizontal, o que é perfeito para Ri·
Mova o resistor para uma posição adequada e clique o botão es-
querdo do mouse - o resistor R 1 está no lugar. Observe a ma-
neira como ele se ajusta à estrutura de grade.
Agora nós temos que introduzir R2 , mas R2 está na vertical na
Fig. 2.126. Pressionando Ctrl e R simultaneamente, você con-
segue girar o resistor 90°, o que permite colocá-lo na posição
vertical apropriada. Como não há mais resistores no diagrama,
basta clicar no botão direito do mouse e o processo estará com-
pleto. As designações Ri e R 2 estão corretas, mas os valores cor-
respondentes precisam ser definidos.
Para alterar um valor, dê um duplo click no valor que está na
tela (primeiro Ri) e a caixa de diálogo Set Attribute Value irá
aparecer. Digite o valor 4, 7k e o introduza no diagrama, moven-
do a pequena caixa para a posição desejada com o botão do mouse
pressionado. Solte o botão para fixar o valor 4, 7k no diagrama.
Uma vez posicionado, um clique adicional em qualquer lugar da
tela irá remover as caixas e finalizar o processo. Se, posterior-
mente, você desejar alterar o valor 4,7k, basta clicar uma vez no
valor e as caixas irão reaparecer. Repita o procedimento acima
para o valor do resistor R 2 •
E
As fontes de tensão são ajustadas acessando a biblioteca
source.slb de Get Part e escolhendo VSRC. Clicar OK produz
um símbolo de fonte na tela que pode ser colocado onde se deseja.
Após clicá-lo em uma posição, a designação Vl irá aparecer. Para
modificá-lo para El, basta clicar duas vezes em Vl e a caixa de
diálogo Edit Reference Designator ficará disponível. Altere a
designação para El, clique OK e El irá aparecer na tela dentro de
uma caixa. A caixa pode ser removida seguindo o mesmo procedi-
mento realizado para os resistores. Ao escolher a posição correta,
basta clicar o mouse mais uma vez e E 1 estará no lugar.
Para definir o valor de Ei, clique o símbolo duas vezes para
que a caixa de diálogo El PartName: VSRC apareça. Selecione
DC= e coloque o valor 10 V. Antes de deixar a caixa de diálo-
go, lembre de acionar Save Attr. Clique OK e E 1 é ajustado para
10 V, embora este valor não apareça no circuito. Para inserir a
designação 1O V no circuito, selecione Draw na barra de menu
seguido de Text. Digite lOV e clique OK; uma caixa vazia irá
aparecer, podendo ser movida para a posição desejada. Quando
clicado no lugar, 1OV irá aparecer na tela. Clique o botão direito
do mouse para terminar a tarefa e então clique no botão esquer-
do para remover a caixa. O procedimento será o mesmo para E 2,
mas lembre-se de incluir o sinal de menos.
DIODO
O diodo é encontrado na biblioteca eval.slb da caixa de diá-
do diodo será colocado na tela. Mova o diodo para a posição
correta e clique uma vez. As designações Dl e D1N4148 irão
aparecer próximo ao diodo. Clique o botão direito do mouse para
finalizar a manobra de posicionamento do diodo. Na Fig. 2.126
aparece a designação Si, em vez de D 1• Um clique duplo em Dl
disponibilizará o Edit Reference Designator para a alteração
para Si. Se a designação Dl não desaparecer completamente,
utilize o comando Ctrl L para redesenhar o circuito e remover
72 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

qualquer linha remanescente. Se você deseja alterar as caracte- R1 01

rísticas do diodo, clique no seu símbolo uma vez e depois siga a
seqüência Edit-Model-Edit lnstance Model. O Model Editor 4.7k D1N4148
irá aparecer e permitirá que se alterem alguns dos itens do dio- 2.066[-03 R2 2.2k
do. Para esta análise Is foi modificada para 2E- l 5, em vez do valor
default de 1 pA.
E1 -=-10V E2 -=-5V
MEDIDOR DE CORRENTE 1 T+
(IPROBE)
t
A corrente de um circuito pode ser mostrada inserindo-se uma Fig. 2.130 Resposta Windows para o circuito da Fig. 2.126.
IPROBE em série com os elementos do circuito. A IPROBE é
encontrada na biblioteca special.slb e é representada na tela pela
lista dos elementos do circuito e o número associado a cada nó.
face frontal de um medidor. A IPROBE irá fornecer uma res-
O conteúdo desta lista pode ser alterado para ficar de acordo com
posta positiva se a corrente entrar pela extremidade inferior, com
a Fig. 2.126, por uma simples seqüência de insert/delete para cada
a escala sendo representada por um arco. Como desejamos uma
nó do circuito. Para esta análise, a identificação dos nós foi mo-
resposta positiva nesta análise, a IPROBE deve ser instalada
dificada de acordo com a Fig. 2.126.
como mostrado na Fig. 2.130. Neste exemplo, quando o símbo-
lo surge na tela, ele está defasado em 180º em relação à corren-
te desejada. Portanto, é necessário clicar a seqüência Ctrl R duas
vezes para girar o símbolo, antes de colocá-lo no lugar. Estando
na posição correta, um clique irá completar o processo. Um
clique no botão direito do mouse irá finalizar a inserção da
IPROBE.

LINHA (UNE)

Os elementos agora precisam ser conectados selecionando-se

Draw e depois Wire. O lápis que aparece na tela pode desenhar
as linhas desejadas da seguinte maneira. Mova o lápis para o início
da linha e clique o botão esquerdo do mouse. Desenhe então a
linha e clique novamente o botão esquerdo no fim da linha. Se
for necessário desenhar somente uma linha, o processo pode ser
terminado clicando-se o botão direito do mouse. Se forem ne-
cessárias linhas adicionais, basta teclar a barra de espaço após
terminar uma linha e desenhar a próxima.

EGND

O circuito deve ter um terra para servir como um ponto de

referência para os nós. O terra (Earth Ground-EGND) faz parte
da biblioteca port.slb e pode ser introduzido no circuito da mes-
ma maneira que os outros elementos.

PONTO DE MEDIDA
(VIEWPOINT)

As tensões dos nós podem ser mostradas no diagrama após a

simulação utilizando-se VIEWPOINTS encontrados na biblio-
teca special.slb da caixa de diálogo Get Part. Basta colocar a
seta do símbolo VIEWPOINT no ponto onde se deseja obter a
tensão com relação ao terra. Se necessário, um VIEWPOINT
pode ser colocado para cada nó do circuito. O circuito agora está
completo como mostrado na Fig. 2.130.

IDENTIFICAÇÃO DOS NÓS

Quando os elementos são introduzidos da maneira descrita

acima, nada assegura que os nós associados a cada elemento es-
tejam de acordo com a designação utilizada na Fig. 2.126. En-
tretanto, é possível alterar a identificação dos nós clicando-se Fig. 2.131 Arquivo de saída para a análise do circuito da Fig. 2.126 pelo PSpice
Examine Netlist sob o cabeçalho Analysis. O resultado é uma (Windows).

ANÁLISE
O circuito está pronto para a análise. Para iniciá-la, clique em
Analysis e escolha Probe Setup. Selecione Do not Auto-Run
Probe,jáque Probe não é apropriado para esta análise. É uma opção
que será introduzida em um capítulo posterior, quando estivermos
lidando com parâmetros que variam com o tempo, freqüência ou
outra variável importante. Prossiga com OK-Analysis-Simulate
para realizar a análise. Se tudo correu bem, uma caixa de diálogo
do PSpice irá aparecer indicando que a análise de foi completada.
Saia da caixa e então serão apresentadas a corrente e a tensão do nó
para o diagrama, como mostra a Fig. 2.130. A corrente do circuito
de 2,07 mA é igual à obtida em DOS, e a tensão do nó de -0,46 V
está muito próxima a -0,45 V obtida na solução em DOS.
O arquivo de saída pode ser apresentado com a seqüência
Analysis-Examine Output. Vários trechos importantes do ar-
quivo de saída aparecem na Fig. 2.131. Observe que a identifi-
cação dos nós na Schematics Netlist está de acordo com a Fig.
2.126. Os parâmetros do diodo são repetidos na lista Diode
MODEL PARAMETERS. Em SMALL SIGNAL BIAS
SOLUTION são incluídas todas as tensões dos nós, com as cor-
rentes listadas abaixo em VOLTAGE SOURCE CURRENTS.
OPERA TING POINT INFORMATION revela que lv é 2,07
mA e a tensão através do diodo é 0,749 V, em vez de 0,7 V uti-
lizada na análise sem computador - uma possível explicação
para a pequena diferença obtida na tensão do nó.
A análise está agora completa usando a versão para Windows
do PSpice. Inicialmente pode parecer que há muito para se con-
figurar na análise realizada em Windows. Porém, dê uma opor-
tunidade para o programa demonstrar sua versatilidade quando
examinarmos outras de suas características. Obviamente, o usu-
ário tem um aproveitamento muito maior construindo o circuito,
e, é claro, o resultado é um circuito desenhado com todas as ten-
(b)
Aplicações do Diodo 73
sões dos nós importantes e correntes desejadas impressas correta-
mente no diagrama.
PROBLEMAS
§ 2.2 Análise por Reta de Carga
1. (a) Utilizando a curva característica da Fig. 2.130b, determine ln,
Vn e V, para o circuito da Fig. 2.130a.
(b) Repita a letra (a), utilizando o modelo aproximado do diodo e
compare os resultados.
(c) Repita a letra (a), utilizando o modelo ideal do diodo e com-
pare os resultados.
2. (a) Utilizando as características da Fig. 2.130b, determine ln e Vn
para o circuito da Fig. 2.131.
(b) Repita a letra (a) com R = 0,47 kO.
(c) Repita a letra (a) com R = 0,18 kO.
(d) Os níveis de Vn é relativamente próximo a 0,7 V em cada caso?
Os valores de ln são próximos? Comente.
3. Determine o valor de R para o circuito da Fig. 2.131 que resulta
em uma corrente no diodo de 10 mA com E= 7 V. Utilize a curva
característica da Fig. 2.130b para o diodo.
4, (a) Utilizando as características aproximadas do diodo de Si, de-
v.
termine o valor de Vn, ln e para o circuito da Fig. 2.132.
(b) Faça a mesma análise da letra (a), utilizando o modelo ideal
do diodo.
(c) Os resultados obtidos nas letras (a) e (b) sugerem que o mo-
delo ideal pode fornecer uma boa aproximação para a respos-
ta real sob certas condições?
§ 2.4 Configurações Série de Diodos com Entradas DC
5. Determine a corrente I para cada uma das configurações da Fig.
2.133, utilizando o modelo equivalente aproximado do diodo.
+ Vv
Si
+
E 8V R 0,33k'1 ~
(a)
Fig. 2.132 Problemas 1 e 2.
74 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

* 7. Determine o valor de V,. para cada circuito da Fig. 2.137.

__..
lv
Si
+
20V
o
Si
~
Ge
~ w.,-1-0
2k0
li,

E [ _ _ _ _ _ _ _ _R__. 2,2k0 VR
l'"""
Fig. 2.133 Problemas 2, 3. (a)

lOV
Si

I,; Si 4,7k0
+
E 30V R 2,2k0 ~ -2V

(b)

Fig. 2.137 Problema 7, 51.

Fig. 2.13..J Prohlema ~-
* 8. Determine V0 e / 0 para os circuitos da Fig. 2.138.

12V
+ I

(a)

(a)

+20V
+
Si J1 -SV
Si
100 lOV 100
(b)
Si
Fig. 2.138 Problema 8.

(b) (e) * 9. Determine V.,, e V.,. para os circuitos da Fig. 2.139.

Si
Fig. 2.135 Problema 5. +12 V o---al----<o--..J\N\r-------o V,,2
V,,I

Ge

6. Determine V,, e l,, para os circuitos da Fig. 2.136.

lv
-5V ..._ +8V (a)
Vo Vo
Si 1,2k0
2,2k0 4,7ill

lvJ. Si

(a) (b) (b)

Fig. 2.136 Problemas 6, 52. Fig. 2.139 Problema 9.

 11>1 Aplicações do Diodo 75

§ 2.5 Configurações Paralela e Série-Paralela *13. Determine v;, e l,, para o circuito da Fig. 2.143.
10. Determine V0 e / 0 para os circuitos da Fig. 2.140.

15 V
+lOV

+20V Si
--..--ov,, Si Si

Fig. 2.143 Problemas 13, 54.

Si
§ 2.6 Portas E/OU
2,2kn
14. Determine V para o circuito da Fig. 2.38 com O V em ambas as
0
-5V entradas.
15. Determine V para o circuito da Fig. 2.38 com 10 V em ambas as
0
(a) (b) entradas.
16. Determine V0 para o circuito da Fig. 2.41 com O V em ambas as
Fig. 2.140 Problemas 10, 53. entradas.
17. Determine V0 para o circuito da Fig. 2.41 com 10 V em ambas as
entradas.
18. Determine V0 para porta OU de lógica negativa da Fig. 2.144.
19. Determine V0 para a porta E de lógica negativa da Fig. 2.145.
*11. Determine v;, e Tpara os circuitos da Fig. 2.141. 20. Determine o valor de V0 para a porta da Fig. 2.146.
+16V 21. Determine v;, para configuração da Fig. 2.147.
+lOV

-SV -5V
~l Si
F Si Si

Si Si ov ov
Si Ge o---f----4>--,0 V,, o-------4>---0 v,;
Si Si
lk'1 2,2kn
V,, V,,

lk'1 4,7k'1 -5V

12V Fig. 2.1-U Prohk:111a IX. Fig. 2.145 Problema 19.

(a) (b) lOV 5V

Fig. 2.141 Problema 11. Si Si

lOV 5V
o----1--~~--ov,, o----t----4~-,o V,,
Si Ge
lk'1 2,2k'1
12. Determine v;,, , v;,, e l para o circuito da Fig. 2.142.

lOV

Fig. 2.146 Problema 20. Fig. 2.147 Problema 21.

~l § 2. 7 Entradas Senoidais: Retificação de Meia-Onda

20V Si Ge
22. Considerando o diodo ideal, esboce V;, vd e id para o retificador de
meia-onda da Fig. 2.148. A entrada é uma forma de onda senoidal
com uma freqüência de 60 Hz.
*23. Repita o Problema 22 com um diodo de silício (V,= 0,7 V).
*24. Repita o Problema 22 com uma carga de 6,8 kO aplicada como
mostra a Fig. 2.149. Esboce vi e i,.
Fig. 2.142 Problema 12. 25. Para o circuito da Fig. 2.150, esboce v0 e determine Vdc.
76 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

=
......
id
Ideal
(b) Determine /máx para V;máx 160 V.
(e) Determine a corrente através de cada diodo para Vm = 160 V.
Vc1c =2 V (d) A corrente determinada na letra (e) é menor do que o valor
+ + vd
máximo determinado na letra (a)?
Vi (e) Se somente um diodo estivesse presente, determine a corrente
2,2kn do diodo e compare com o valor máximo nominal da letra (a).

l Fig. 2.148 Problemas 22, 23.

§ 2.8 Retificação de Onda Completa

28. Um retificador em ponte de onda completa com uma entrada

+ vd senoidal de 120 V rms possui um resistor de carga de 1 Idl.
Ideal V11c =2V (a) Se diodos de silício são empregados, qual é a tensão de dis-
V;

......
id
=i.1i +
ponível na carga?
(b) Determine a TPI nominal de cada diodo.
(e) Ache a corrente máxima através de cada diodo durante a con-
2,2kn VL dução.
(d) Qual é a potência nominal exigida para cada diodo?
29. Determine v0 e a TPI nominal exigida para cada diodo na configu-
Fig. 2.149 Problema 24. ração da Fig. 2.153.

2,2kn
+ +
V; = 110 V (nns) Ideal v0 (Vc1c)

Fig. 2.150 Problema 25. -IOOV

*26. Para o circuito da Fig. 2.151, esboce v0 e i,.

+ nn +
Si lOkQ v0

Fig. 2.153 Problema 29.

Fig. 2.151 Problema 26.

*30. Esboce v para o circuito da Fig. 2.154 e determine a tensão de

0

*27. (a) Dado Pmáx = 14 mW para cada diodo da Fig. 2.152, determi- disponível.
ne a corrente máxima nominal de cada diodo.

-IOOV

Si lmu.
~
Vo
+ +
V; 417 kn 56kn
Si

Fig. 2.152 Problema 27. Fig. 2.154 Problema 30.

 Aplicações do Diodo 77

*31. Esboce v para o circuito da Fig. 2.155 e determine a tensão de

0 *34. Determine v0 de cada circuito da Fig. 2.158 para o sinal de entrada
disponível. mostrado abaixo.

+
Diodos 2 V Ideal
ideais
o--1
V; + +
V; .lkO Vo

-170V
-5V
(a)
Fig. 2.155 Problema 31.
Ideal
V; Vo
§ 2.9 Ceifadores

32. Determine vO de cada circuito da Fig. 2.156 para o sinal de entrada 2,2kn
mostrado abaixo.
V;
Si +5V

+ + (b)

V; 2,2Ul Vo
Fig. 2.158 Problema 34.

-20V *35. Determine vO de cada circuito da Fig. 2.159 para o sinal de entrada
mostrado abaixo.
(a)
V;
5V Ideal + 2,2k0 +
+~
Si
+
V; Vo

V; 6,8k0 Vo 4V

o I o
(a)

(b)

Fig. 2.156 Problema 32.

33. Determine vO de cada circuito da Fig. 2.157 para o sinal de entrada

mostrado abaixo.
v;~Tvº 2,2k0
4V

Si

V;
Si
Vo
...
(b)

l,2k0 Fig. 2.159 Problema 35.

36. Esbocei.e v0 do circuito da Fig. 2.160 para o sinal de entrada mos-

-lOV trado abaixo.
(a)
V; lOkO
Si 5V
V; O IJ)t 1 Vo
+ ~ +
jR
Si Si
V; Vo
4,7k0
s,Jv
o I 7~VT
o

(b) Fig. 2.157 Problema 33. Fig. 2.160 Problema 36.

78 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

§ 2.10 Grampeadores *40. Projete um circuito grampeador para realizar a função indicada na
Fig. 2.164.
37. Esboce v,, de cada circuito da Fig. 2.161 para o sinal de entrada mos-
trado abaixo.

e Diodos idellis

~
20V
+

-20V
(a)
-20V
e
V; o---jt-----'---t>---0 V 0

Ideal
R

(b)

Fig. 2.161 Problema 37. -IOV

38. Esboce vO de cada circuito da Fig. 2.162 para o sinal de entrada mos- Fig. 2.164 Problema 40.
trado abaixo. Seria uma boa aproximação considerar o diodo como
sendo ideal em ambas as configurações? Por quê?
*41. Projete um circuito grampeador para realizar a função indicada na
V; e Fig. 2.165.
o 1 Diodos de Silício
+ +
V; Si R Vo

(a)

e -IOV
O>--~n1~~.--~--~--n
+ +
R
E 20V o

(b)

Fig. 2.162 Problema 38. -17,3 V

Fig. 2.165 Problema 41.
*39. Para o circuito da Fig. 2.163:
(a) Calcule 5T.
(b) Compare 5 T à metade do ciclo do sinal aplicado.
(e) Esboce 1·,,. § 2.11 Diodos Zener

e *42. (a) Determine VL, IL, lz e I. para o circuito da Fig. 2.166 se RL =

o--1-----~-----~~ 180!1.
(b) Repita a letra (a) se RL = 470 n.
+ 011 µF +
Si (c) Determine o valor de RL que estabelece as condições de má-
V; R 56kn Vo
xima potência para o diodo Zener.
(d) Determine o valor mínimo de RL que assegura que o diodo
2V Zener está no estado "ligado".
-10 *43. (a) Projete o circuito da Fig. 2.167 para manter VL em 12 V para
!= 1 kHz uma variação na carga (/J de Oaté 200 mA. Ou seja, determi-
Fig. 2.163 Problt!ma 39. ne R5 e Vr
 Aplicações do Diodo 79

Rs Rs
V; o----."'i..A----<---,
+ --.. 2200 íVL
.+ 910
IR fz
Vz=8V
Vz=lOV
20V RL vL Pzmax=400mW
Pz"""' =400mW

Fig. 2.168 Problemas 44, 55.

Fig. 2.166 Problema 42.

§ 2.12 Circuitos Multiplicadores de Tensão

16 vo--"'"'"----=a
Rs
h
47. Determine a tensão disponível de um dobrador de tensão da Fig.
2.121, se a tensão no secundário do transformador é de 120V (rms).
48. Determine o TPI nominal exigido para os diodos da Fig. 2.121 em
termos de tensão de pico no secundário Vm.

I
Fig. 2.167 Problema 43.
§ 2.13 Análise por Computador

49. Escreva um arquivo de entrada do PSpice (DOS) para determinar

as correntes / 1, / 2, e / 0 , da Fig. 2.36 (Exemplo 2.15).
50. Utilizando o PSpice (DOS), escreva um arquivo de entrada para
determinar V para o circuito da Fig. 2.38.
0

51. Escreva um arquivo de entrada do PSpice (DOS) para determinar

(b) Determine Pz.," do diodo Zener da letra (a).
*44. Para o circuito da Fig. 2.168, determine a faixa de V; que manterá
VL em 8 V e não excederá a potência máxima nominal do diodo
Zener.
45. Projete um regulador de tensão que mantenha uma tensão de saída
de 20 V através de uma carga de 1 kO, com uma entrada que varia
entre 30 e 50 V. Ou seja, determine o valor apropriado de Rs e a
corrente máxima I ZM"
46. Esboce a saída do circuito da Fig. 2.120, se a entrada for uma onda
quadrada de 50 V. Repita para uma onda quadrada de 5 V.
V0 do circuito da Fig. 2.137b.
52. Realize uma análise do circuito da Fig. 2.136b utilizando PSpice
(Windows).
53. Realize uma análise do circuito da Fig. 2.140b utilizando PSpice
(Windows).
54. Realize uma análise do circuito da Fig. 2.143 utilizando PSpice
(Windows).
55. Realize uma análise geral para o circuito com Zener da Fig. 2.168
utilizando o PSpice (Windows).
56. Repita o problema 49 utilizando BASIC.
57. Repita o problema 50 utilizando BASIC.

*Observação: Os asteriscos indicam problemas mais difíceis.

 CAPÍTULO

Transistores
Bipolares de Junção 3
/3 1 Ili J IEH

3.1 INTRODUÇÃO
Durante o período de 1904 até 1947, a válvula foi indubi-
tavelmente o dispositivo eletrônico de interesse e desenvolvi-
mento. Em 1904, o diodo a válvula foi introduzido por J. A.
Fleming. Logo depois, em 1906, Lee De Forest adicionou um
terceiro elemento, chamado de grade de controle, ao diodo a
válvula eletrônica, resultando no primeiro amplificador, o
triado. Nos anos seguintes, o rádio e a televisão proporciona-
ram um grande estímulo à indústria de válvulas. A produção
cresceu de aproximadamente 1 milhão de válvulas em 1922
para cerca de 100 milhões em 1937. No início da década de
30, o tétrodo de quatro elementos e o pêntodo de cinco ele-
mentos ganharam importância na indústria de válvulas eletrô-
nicas. Posteriormente, a indústria tornou-se uma das mais im-
portantes, e foram obtidos rápidos avanços nas áreas de proje-
to, técnicas de fabricação, aplicações de alta potência, alta fre-
qüência e miniaturização. Fig. 3.1 O primeiro transistor. (Cortesia Bell Telephone Laboratories.)
Em 23 de dezembro de 1947, entretanto, a indústria eletrô-
nica estava prestes a experimentar uma linha de interesse e
desenvolvimento completamente nova. Foi durante a tarde des- função de amplificação do primeiro transistor, nos laboratórios
te dia que Walter H. Brattain e John Bardeen demonstraram a da companhia Bell Telephone. O transistor original (um tran-
sistor de contato de ponta) está mostrado na Fig. 3.1. As vanta-
gens deste dispositivo de estado sólido de três terminais em re-
lação à válvula eram imediatamente óbvias: menor e mais leve,
não apresentava necessidade ou perdas de aquecimento; mais
robusto; mais eficiente, já que menos potência era absorvida pelo
dispositivo, estava instantaneamente disponível para utilização,
não necessitando de um período de aquecimento; e tensões de
operação menores poderiam ser utilizadas. Observe na discus-
são acima que este capítulo é a nossa primeira abordagem sobre
dispositivos de três ou mais terminais. Você descobrirá que to-
dos os amplificadores (dispositivos que aumentam a tensão, cor-
rente ou nível de potência) possuirão no mínimo três terminais
com um deles controlando o fluxo entre os outros dois.

3.2 CONSTRUÇÃO DO TRANSISTOR

Co-inventores do primeiro transistor no Bell Laboratories: Dr. William Schockley
(sentado); Dr. John Bardeen (à esquerda); Dr. Walter H. Brattain. (Cortesia da O transistor é um dispositivo semicondutor no qual existe uma
AT&T Archives.) Por esta contribuição, todos dividiram o prêmio Nobel em 1956. camada do tipo p entre duas camadas do tipo n, ou uma ca-
/3
mada do tipo n entre duas camadas p. O primeiro é denomi-
nado transistor npn, enquanto que o último é chamado tran-
sistor pnp. Ambos são mostrados na Fig. 3.2, com a polari-
zação de apropriada. Verificaremos no Cap. 4 que a polari-
zação de é necessária para estabelecer a região apropriada de
operação para a amplificação ac. As camadas externas do
transistor são materiais semicondutores mais fortemente
dopados, com larguras muito maiores do que a camada inter-
na tipo p ou n. Para os transistores mostrados na Fig. 3.2, a
razão entre a largura total e a largura da camada central é de
0,150/0,001 = 150:1. A dopagem da camada interna é tam-
bém consideravelmente menor do que a das camadas exter-
nas (tipicamente, 10: 1 ou menor). Este nível de dopagem me-
nor reduz a condutividade (aumenta a resistência) deste ma-
terial, diminuindo o número de portadores "livres".
Para a polarização mostrada na Fig. 3.2, os terminais
são normalmente indicados pela letra maiúscula E para
emissor, C para coletor e B para base. Uma avaliação para
esta escolha de notação será desenvolvida quando discu-
tirmos a operação básica do transistor. A abreviação TBJ,
transistor bipolar de junção, é usualmente aplicada a este
dispositivo de três terminais. O termo bipolar reflete o
fato de que buracos e elétrons participam do processo de
injeção no material opostamente polarizado. Se um por-
tador somente é empregado (elétron ou buraco), o dispo-
sitivo é considerado unipolar. O diodo Schottky do Cap.
20 é um exemplo.
3.3 OPERAÇÃO DO TRANSISTOR
A operação básica do transistor será agora descrita utilizando o
transistor pnp da Fig. 3.2a. A operação do transistor npn é exata-
r p
0,150pol1
0,001 pol.
----, r=---
p
B te polarizada, no material tipo n. A questão, portanto, é se estes
(a)
r 0,150pol~
0,001 pol.
----, r=---
(b)
Fig. 3.2 Tipos de transistores: (a) pnp; (b) npn.
Transistores Bipolares de Junção 81
+ Portadomi majoritários
+ - +
,----E.,.- +P-. +-
+ -
+-+'-
+
Fig. 3.3 Junção diretamente polarizada de um transistor pnp.
mente a mesma, se as funções dos buracos e elétrons fossem tro-
cadas. Na Fig. 3.3, o transistor pnp foi redesenhado sem a pola-
rização base-coletor. Note as semelhanças entre esta situação e
aquela do diodo diretamente polarizado do Cap. 1. A região de
depleção foi reduzida em largura devido à tensão aplicada, re-
sultando em um fluxo denso de portadores majoritários do ma-
terial tipo p para o material tipo n.
Vamos agora remover a polarização base-emissor do tran-
sistor pnp da Fig. 3.2a como mostra a Fig. 3.4. Considere as
semelhanças entre esta situação e aquela do diodo reversamente
polarizado da Seção 1.6. Lembre-se de que o fluxo de portado-
res majoritários é zero, resultando apenas em um fluxo de por-
tadores minoritários, como indicado na Fig. 3.4. Em resumo,
portanto:
Uma junção p-n de um transistor está reversamente pola-
rizada, enquanto a outra está diretamente polarizada.
Na Fig. 3.5, ambos os potenciais de polarização foram apli-
cados a um transistor pnp, com o resultante fluxo de portado-
res majoritários e minoritários indicado. Note na Fig. 3.5 as
larguras das regiões de depleção, indicando claramente qual
junção está diretamente polarizada e qual está reversamente
polarizada. Como indicado na Fig. 3.5, inúmeros portadores
majoritários serão injetados através da junção p-n diretamen-
portadores contribuirão diretamente para a corrente de base
/ 8 , ou se passarão diretamente para o material tipo p. Já que o
material tipo n, interno, é muito fino e apresenta uma baixa
condutividade, um número muito pequeno de tais portadores
adotará este caminho de alta resistência para o terminal da
base. O valor da corrente de base é tipicamente da ordem de
+ Portadomi minoritários
+
Vcc
Fig. 3.4 Junção reversamente polarizada de um transistor pnp.
82 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
microamperes, enquanto a corrente de coletor e emissor é de
miliamperes. Um número maior destes portadores majoritá-
rios será injetado, através da junção reversamente polariza-
da, no material tipo p conectado ao terminal de coletor, con-
forme a Fig. 3.5. A razão da relativa facilidade com que por-
tadores majoritários podem atravessar a junção reversamente
polarizada é facilmente compreendida se considerarmos que
para o diodo reversamente polarizado os portadores majori-
tários comportar-se-ão como portadores minoritários no ma-
terial tipo n. Em outras palavras, houve uma injeção de porta-
dores minoritários no material tipo n da base. Combinando isto
com o fato de que todos os portadores minoritários na região de
depleção atravessarão a junção reversamente polarizada de um
diodo, obtém-se o fluxo indicado da Fig. 3.5.
Aplicando a lei das correntes de Kirchhoff ao transistor da Fig.
3.5 como se fosse um nó simples, obtemos
f3
3.6 para a configuração base-comum com transistores pnp e npn.
A terminologia base-comum deriva do fato de a base ser comum
tanto à entrada quanto à saída da configuração. Além disso, a base
é normalmente o terminal aterrado ou com um nível de potencial
mais próximo ao terra. Em todo este livro, os sentidos de corrente
irão referir-se ao fluxo convencional (buracos) ao invés de ao flu-
xo de elétrons. Esta opção foi adotada principalmente pelo fato de
uma vasta soma de referências de instituições educacionais e in-
dustriais empregarem o fluxo convencional, e as setas em todos os
símbolos eletrônicos possuírem uma direção definida por esta con-
venção. Lembre-se de que a seta no símbolo do diodo definia o
sentido de condução para a corrente convencional. Para o transistor:
A seta do símbolo gráfico define o sentido da corrente de
emissor (fluxo convencional) através do dispositivo.

[~lc+ i~ (3.1)
Todos os sentidos de corrente apresentados na Fig. 3.6 são os
sentidos reais, definidos pelo fluxo convencional. Note em cada
e descobrimos que a corrente de emissor é a soma das cor-
rentes de base e coletor. A corrente de coletor, entretanto, é
composta de dois elementos - os portadores majoritários e
minoritários indicados na Fig. 3.5. A componente de porta-
dores minoritários é chamada corrente de fuga, e é dado o
símbolo Ico - (corrente Ic com terminal do emissor aberto
Open). A corrente de coletor, portanto, é determinada pela
Equação 3.2.

(3.2)

Para os transistores usuais, Ic é da ordem de miliamperes, enquan-

to Ico é medido em microamperes ou nanoamperes. Ico, assim e
E
como Is, para um diodo reversamente polarizado, é sensível à
temperatura e deve ser analisado cuidadosamente quando a fai-
xa de variação da temperatura para a aplicação for extensa. Em
temperaturas elevadas, este parâmetro pode afetar consideravel-
mente a estabilidade de um sistema que não considera apropria- B
damente seu efeito. Melhorias implementadas nas técnicas de
construção resultaram em níveis significativamente menores de (a)
Ico, chegando a um ponto em que seu efeito pode, na maioria das
vezes, ser ignorado.

3.4 CONFIGURAÇÃO BASE-COMUM

A notação e símbolos para o transistor, utilizados atualmente na
maioria dos textos e manuais publicados, estão indicados na Fig.

+ Portadores minoritários VEE Vcc

p
/E h lc
........
~E e lc
_.. E
........ e

(b)
Vcc
Fig. 3.6 Notação e símbolos utilizados para a configuração-base comum: (a) tran-
Fig. 3.5 Fluxo de portadores majoritários e minoritários de um transistor pnp. sistor pnp; (b) transistor npn.
 f3
caso que IE = Ic + IB. Note também que as polarizações aplica-
das (fontes de tensão) são tais que estabelecem uma corrente com
o sentido indicado em cada ramo. Ou seja, compare o sentido de
I Eà polaridade de VEE para cada configuração, e o sentido de Ic à
polaridade de Ycc·
Para descrever totalmente o comportamento de um dispositi-
vo de três terminais, como os amplificadores em base-comum da
Fig. 3.6, são exigidos dois conjuntos de curvas características -
um para o ponto de excitação, ou parâmetros de entrada, e o outro
para a saída. O conjunto de entrada para o amplificador em base-
comum, mostrado na Fig. 3.7, relacionará uma corrente de en-
trada ([E) a uma tensão de entrada (VBE) para vários níveis de ten-
são de saída (VCB).
O conjunto de saída relacionará uma corrente de saída (/e) a
uma tensão de saída (VcB) para vários níveis de corrente de en-
trada (/E), como mostra a Fig. 3.8. O conjunto de curvas caracte-
rísticas de saída ou de coletor tem três regiões de interesse
indicadas na Fig. 3.8: ativa, corte e saturação. A região ativa é
aquela normalmente empregada para amplificadores lineares
(não-distorcidos). Em particular:
Na região ativa, a junção coletor-base está reversamente
polarizada, enquanto a junção base-emissor está direta-
mente polarizada.
A região ativa é definida pelos esquemas de polarização da
Fig. 3.6. No extremo inferior da região ativa, a corrente de emis-
sor (/E) é zero, a corrente de coletor é devida exclusivamente à
corrente de saturação reversa Ico, como indicado na Fig. 3.8. O
valor de corrente Ico é tão pequeno (microamperes) comparado
à escala vertical de Ic (miliamperes), que ela localiza-se virtual-
mente na mesma linha horizontal de Ic = O. As condições de
circuito que existem quando IE = O para a configuração base-
comum estão mostradas na Fig. 3.9. A notação utilizada mais
amiúde para Ico em folhas de especificação e de dados é, como
indicado na Fig. 3.9, IcBo· Devido a técnicas de fabricação avan-
çadas, o valor de IcBo para transistores de propósito geral (sobre-
tudo o silício) na faixa de baixa e média potência é normalmente
tão pequeno que o seu efeito pode ser ignorado. Entretanto, para
níveis de potência maiores, IcBo. ainda se situará na faixa de
microamperes. Além disso, saiba que IcBo• assim como Is para o
/E (mA)
VCB=20V
8 será a seguinte:
VcB=lOV
7
6 VcB= 1 V
5 Em outras palavras, o efeito das variações devido à VCB e à inclina-
4 ção da curva característica de entrada será ignorado. No nosso es-
3 forneça boas aproximações para os resultados reais, sem se envol-
2 ver muito com variações de parâmetros de menor importância.
o 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 VBE (V)
Fig. 3.7 Curvas características de entrada para um transistor amplificador de si-
lício em base-comum.
Transistores Bipolares de Junção 83
diodo (ambas correntes de fuga reversas), é sensível à tempera-
tura. Em temperaturas mais elevadas, o efeito de IcBo pode tor-
nar-se um importante fator, uma vez que este aumenta rapida-
mente a temperatura.
Observe na Fig. 3.8 que à medida que a corrente de emissor
aumenta a partir de zero, a corrente de coletor aumenta até um
valor essencialmente igual àquele da corrente de emissor, deter-
minada pelas relações básicas de corrente no transistor. Note ain-
da o efeito quase que desprezível de VCB sobre a corrente de
coletor para a região ativa. As curvas indicam claramente que uma
primeira aproximação para a relação entre IE e Ic na região ati-
va é dada por
(3.3)
Como se pode inferir de seu nome, a região de corte é definida
como a região onde a corrente de coletor é OA, mostrada na Fig.
3.8. Além disso:
Na região de corte, as junções coletor-base e base-emis-
sor de um transistor estão reversamente polarizadas.
A região de saturação é definida como aquela que se situa à
esquerda de VcB = O V. A escala horizontal foi expandida para
mostrar as diferenças marcantes desta região. Observe o aumen-
to exponencial da corrente de coletor à medida que a tensão VCB
aumenta em direção a OV.
Na região de saturação, as junções coletor-base e base-
emissor estão diretamente polarizadas.
As curvas características de entrada da Fig. 3.7 revelam que
para valores fixos de tensão de coletor (VcB), a corrente de
emissor aumenta quando a tensão base-emissor aumenta, com-
portamento que se assemelha às características do diodo. Na
verdade, valores crescentes de VCB têm um efeito tão pequeno
que para uma primeira aproximação consideram-se desprezí-
veis as modificações introduzidas pela variação de VcB• de
modo que a curva característica pode ser desenhada tal como
mostrado na Fig. 3.10a. Se fizermos uma aproximação de
maneira linear da curva, resulta na Fig. 3.10b. Prosseguindo
e ignorando a inclinação da curva, e portanto a resistência
associada à junção diretamente polarizada, resulta na curva
característica da Fig. 3 .1 Oc. Para as análises posteriores deste
livro, o modelo equivalente da Fig. 3.10c será empregado em
toda análise de de circuitos com transistor. Ou seja, estando o
transistor no estado "ligado", a tensão base-emissor adotada
1 VBE = 0,7 V 1 (3.4)
tudo, desejamos analisar circuitos com transistor de um modo que
É importante avaliar totalmente a informação obtida da curva
característica da Fig. 3.1 Oc. Ela especifica que com o transistor
no estado "ligado", ou ativo, a tensão de base para o emissor será
O, 7 V, qualquer que seja o valor da corrente de emissor contro-
lada pelo circuito externo. Na verdade, para qualquer configura-
ção de transistor no modo de, pode-se agora afirmar imediata-
84 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
f3
fc (mA)

.. R egiao
·- ativa area nao som b read a )
7 mA
7 ,-

6 mA
6 , ..
'
5 ..!!
,.. ...,o 5 mA

::::1
4 mA
4 - ';;;
"'<li
"O
3 mA
3 - i~
"@,
<li 2mA
p:::
2 -
/E= I mA
-·
1

1 1 IE=OmA 1
1 1 1
o 1

1 () :, J(l 15 20 V CH(V)
·- de corte
Reg1ao

Fig. 3.8 Curvas características de saída ou de coletor para um transistor amplificador em base-comum.

mente que a tensão da base para o emissor é de O, 7 V, se o dispo- (d) Novamente da Fig. 3.8, !E= lc = 4 mA. Entretanto, na Fig.
sitivo estiver na região ativa - uma conclusão muito importan- 3 .1 Oc V8 E é O, 7 V para qualquer valor de corrente de emissor.
te para a análise de que vem a seguir.

EXEMPL03.l
(a) Utilizando as curvas características da Fig. 3.8, determine
a corrente de coletor resultante de !E= 3 mA e Ve8 = 10 V.
(b) Utilizando as curvas características da Fig. 3.8, determine a
corrente de coletor resultante se 1E permanece em 3 mA, mas
Ves é reduzido para 2 V.
(e) Utilizando as curvas características das Figs. 3.7 e 3.8, de-
termine V8 E sele= 4 mA e Ve8 = 20 V.
(d) Repita a letra (e) utilizando as curvas características das Figs.
3.8 e 3.10c.
Solução
(a) A curva característica indica claramente que/e= !E= 3 mA.
(b) O efeito da variação de Ves é desprezível, e fc continua a ser
3mA.
(e) Da Fig. 3.8, !E= le = 4 mA. Na Fig. 3.7, o valor resultante
de V8 E é aproximadamente de 0,74 V.
Alfa (a)
Na análise de, os valores dele e !E devidos aos portadores majo-
ritários são relacionados por um parâmetro denominado alfa e
definido pela equação:
(3.5)
onde lc e Ir: são os níveis de corrente no ponto de operação. Ape-
sar da curva característica da Fig. 3.8 sugerir que ex = 1, os dis-
positivos na prática apresentam valores de alfa variando entre 0,90
e 0,998, sendo que a maioria deles possui um alfa próximo ao
extremo superior da faixa. Como alfa é definido exclusivamente
para portadores majoritários, a Eq. (3.2) toma-se
(3.6)
Para a curva característica da Fig. 3.8, quando !E= O mA, le é
igual a leso, entretanto, como já foi mencionado, o valor de leso é
normalmente tão pequeno que não é possível detectá-lo no gráfi-
co da Fig. 3.8. Em outras palavras, quando I;. = O mA na Fig. 3.8,
assume-se também o valor de OmA para a faixa de valores de Ves·
Em situações de análise ac, onde o ponto de operação se move
sobre a curva característica, alfa ac é definido por

(3.7)
Fig. 3.9 Corrente de saturação reversa.
 /3 Transistores Bipolares de Junção 85

/E (mA) /E(mA)

8 8 8

7 7 7
_........-Qualquer Vc8
6 6 6

5 5 5

4 4 4

3 3 3

2 2 2

/i0,7 V li0,7 V

o 0,2 0,4 0,6 0,8 VBE (V) o 0,2 0,4 0,6 0,8 VBE (V) o 0,2 0,4 0,6 o,s VBE (V)

(a) (b) (e)

Fig. 3.10 Desenvolvendo um modelo equivalente com análise de para ser empregado para a região base-emissor de um amplificador.

O alfa ac é formalmente chamado de base-comum, curto-circui-
to,fator de amplificação, por motivos que serão óbvios quando
analisarmos os circuitos equivalentes do transistor no Cap. 7. Por
enquanto, observe que a Eq. (3.7) especifica que uma pequena
variação na corrente de coletor é dividida pela variação corres-
pondente de !E, com a tensão coletor-base mantida constante. Para
a maioria dos casos, os valores de ª•e e ade são bem próximos,
permitindo a substituição de um pelo outro. O uso da equação
(3.7) será demonstrado na Seção 3.6.
Polarização
A polarização apropriada da configuração base-comum na região
ativa pode ser determinada rapidamente, utilizando a aproximação
= =
Ic /E e assumindo, por enquanto, que 18 OµA. O resultado é a
configuração da Fig. 3.11 para o transistor pnp. A seta do símbolo
define o sentido do fluxo convencional para !E Ic. As fontes de=
são inseridas com uma polaridade de acordo com o sentido da corren-
te resultante. Para o transistor npn, as polaridades serão invertidas.
Para lembrar o sentido correto da seta do símbolo do transis-
tor, alguns estudantes associam as letras que formam o nome do
tipo do transistor com certas letras das frases "apontando para
dentro" e "não apontando para dentro". Por exemplo, pode-se
associar as letras npn com aquelas em itálico de não apontando
para dentro e as letras pnp com aquelas em itálico de apontado
para dentro.*
3.5 TRANSISTOR COMO
AMPLIFICADOR
Agora que a relação entre Ice !E foi estabelecida na Seção 3.4, a
operação básica de amplificação do transistor pode ser introduzi-
da, mesmo que a um nível superficial, utilizando a estrutura da Fig.
3.12. A polarização de não aparece na figura, já que nosso interes-
se será limitado à resposta ac. Para a configuração base-comum, a
resistência de entrada ac determinada pela curva característica da
Fig. 3.7 é extremamente pequena, e varia de 10 até 100 O. A resis-
tência de saída determinada pelas curvas da Fig. 3.8 é extremamente
alta (quanto mais horizontal a curva, mais alta a resistência) e varia
tipicamente entre 50 kO e 1 MO ( 100 kO para o transistor da Fig.
3.12). A diferença de valores entre as resistências de entrada e sa-
ída é devida à junção diretamente polarizada na entrada (base para
emissor) e à junção reversamente polarizada na saída (base para
coletor). Utilizando um valor usual de 20 O para a resistência de
entrada, concluiremos que

I; pnp h
E e E e
+
B
R; Rº
V;=200 mV R 5Ul VL
20n IOOUl
IB=OµA

Fig. 3.12 Operação básica de amplificação de tensão da configuração base-

+ comum.
Vcc

Fig. 3.11 Estabelecendo a polarização apropriada para um transistor pnp, em base * N.T.: A tradução deste parágrafo para o português não faz muito sentido, uma vez que o
comum na região ativa. autor faz associação com palavras em inglês.
86 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
/3
V; 200 mV aos terminais de coletor e base). Dois conjuntos de curvas carac-
I·1 = - = = 10 mA terísticas são novamente necessários para descreverem totalmente
R; 200
o comportamento da configuração emissor-comum: um para o
Se assumirmos, por enquanto, que aac = 1 ((. = I,), circuito de entrada ou base-emissor e um para o circuito de sa-
ída ou coletor-emissor. Ambos são mostrados na Fig. 3.14.
h = I; = 10 mA As correntes de emissor, coletor e base são mostradas com o
sentido convencional adotado para as correntes. Apesar de a con-
e VL=hR figuração para o transistor ter sido mudada, as relações de cor-
= (10 mA)(5 kO) rente desenvolvidas anteriormente para a configuração base-co-
mum são ainda aplicáveis. Isto é, IE = lc + Is e lc = a/E.
= 50V Para a configuração emissor-comum, as características de
saída são representadas pelo gráfico da corrente de saída (/e)
A amplificação de tensão é versus a tensão de saída (VcE), para uma faixa de valores de cor-
rente de entrada (Is), As características de entrada são represen-
A = VL = 50 V = 250 tadas pelo gráfico de corrente de entrada (/s) versus a tensão de
v V; 200 mV entrada (VsE), para uma faixa de valores de tensão de saída (VcE).
Observe que nas características apresentadas pela Fig. 3 .14 o
Valores típicos de amplificação de tensão para a configuração base-
valor de Is está em microamperes, comparado aos miliamperes
comum variam de 50 até 300. A amplificação de corrente (ldlE) é sem-
de lc. Considere também que as curvas de Is não estão tão hori-
pre menor do que 1 para a configuração base-comum. Esta última ca-
zontais quanto aquelas obtidas para IE na configuração base-co-
racterística é óbvia, já que lc = w., e a é sempre menor do que 1.
mum, indicando que a tensão coletor-emissor influencia no va-
A operação básica de amplificação foi produzida transferin-
lor da corrente de coletor.
do-se uma corrente Ide um circuito de baixa resistência para um
A região ativa para a configuração emissor-comum é a porção
circuito de alta resistência. A combinação destes dois termos em
do quadrante superior direito que apresenta a maior linearidade, isto
itálico resulta no nome transistor; isto é,
é, a região na qual as curvas de Is são mais ou menos retas e estão
igualmente espaçadas. Na Fig. 3.14a, esta região situa-se à direita
transferência + resistor ~ transistor da linha vertical em VcE,a, e acima da curva para Is igual a zero. A
região à esquerda de VCE,ai é chamada região de saturação.
3.6 CONFIGURAÇÃO EMISSOR-COMUM Na região ativa de um amplificador em emissor-comum,
a junção coletor-base está reversamente polarizada,
A configuração mais freqüentemente utilizada para o transistor enquanto a junção base-emissor está diretamente polari-
aparece na Fig. 3.13, com transistores pnp e npn. É denominada zada.
configuração emissor-comum, uma vez que o emissor é comum Observe que a afirmação acima estabelece as mesmas condi-
com relação aos terminais de entrada e saída (neste caso, comum ções que existiam na região ativa da configuração base-comum.

lc lc
~ -+-

......
1 1
le le
~
Vcc Vcc
B B

Vee Vse

.-----oc .-----oc

E E

(a) (b)

Fig. 3.13 Notação.: símbolos utilizados na configuração emissor-comum: (a) transistor npn; (b) transistor pnp.
{3 Transistores Bipolares de Junção 87

lc (rnA)

ls(µA)
VcE = l V
100
Vc,;: =IOV
(Região de saturação) VcE=20V
90
80
70
60
50
40
30
20
10

20 VcE (V) o 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 VBE (V)

(Região de corte)
IcEo5:. Blcso

(a) (b)

Fig. 3.14 Curva característica de um transistor de silício na configuração emissor-comum: (a) características do coletor; (b) características de base.

A região ativa da configuração emissor-comum pode ser empre- Na Fig. 3.15, as condições que envolvem esta corrente são de-
gada para amplificação de tensão, corrente ou potência. monstradas com o seu sentido de referência assinalado.
A região de corte da configuração emissor-comum não é defini- Para uma amplificação linear (distorção mínima), are-
da da mesma maneira estabelecida para a configuração base-comum.
gião de corte para a configuração emissor-comum será
Note nas características de coletor da Fig. 3.14 que lc não é igual a
definida por lc = lcEo-
zero quando 18 é zero. Para a configuração base-comum, quando a
corrente de entrada l E era igual a zero, a corrente de coletor era igual Em outras palavras, a região abaixo de 18 = O µA deve ser
somente à corrente de saturação reversa lco, de modo que a curva lE evitada para que o sinal não seja distorcido.
= Oe o eixo das tensões eram considerados coincidentes. Quando empregado como chave em um circuito lógico de
A razão para esta diferença observada nas características de computador, o transistor terá dois pontos de operação de interes-
coletor pode derivar de uma manipulação apropriada das Eqs. se: um na região de corte e outro na região de saturação. A con-
(3.3) e (3.6). Ou seja, dição de corte deveria idealmente estabelecer lc = O mA para a
tensão VcE escolhida. Como o valor de lCEo é tipicamente baixo
Eq. (3.6): lc = afe + lcBo para o silício, o corte em ternws de chaveamento ocorrerá quando
Substituindo, vem lc = 0t(lc + 18 ) + leso 18 = OµA ou lc = lcE0 ,para transistores de silício somente. Para
transistores de germânio, entretanto, o corte para o chaveamento
alB lCBo ocorrerá quando houver as condições resultantes de lc = leso·
Rearranjando, aparece lc=--+-- (3.8)
1- a l - a Em geral, esta condição pode ser obtida em transistor de
germânio, invertendo-se a polarização da junção base-emissor em
Se considerarmos o caso discutido acima, onde 18 = O A, e algumas dezenas de volts.
substituirmos por um valor típico de OI., tal como 0,996, a corren- Lembre-se de que, para a configuração base-comum, o con-
te de coletor resultante é a seguinte: junto de curvas características para a entrada era aproximadamen-
lc = a(O A) + lcBo te uma linha reta, resultando em V8 E = O,7 V para qualquer valor
de lE maior do que OmA. Para a configuração emissor-comum,
1- a 1 - 0,996
lcBo
= 0 004 = 250lc80
'
Se leso fosse 1 µA, a corrente de coletor resultante com 18 = OA seria
250(1 µA)= 0,25mA,refletindonacurvacaracterísticadaFig. 3.14.
Como referência futura, a corrente de coletor definida para a
condição 18 = O µA terá a notação indicada pela Eq. (3.9)

(3.9)
Fig. 3.15 Condições do circuito relacionadas a lcm·
 88 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos f3
a mesma consideração pode ser feita, resultando na Fig. 3.16. Os ser introduzido no Cap. 7. As letras FE são derivadas da ampli-
resultados apóiam nossa conclusão anterior de que para um tran- ficação de corrente direta (forward) e configuração emissor-co-
sistor na região ativa ou "ligada" a tensão base-emissor é de O, 7 mum, respectivamente.
V. Neste caso, a tensão está fixa para qualquer valor de corrente Para a análise ac, um beta ac foi definido como se segue:
de base.
(3.11)

EXEMPL03.2
(a) Utilizando as características da Fig. 3.14, determine lc em
Is = 30 µA e VcE = 10 V.
(b) Utilizando as características da Fig. 3.14, determine lc em
VsE = 0,7 V e VcE = 15 V.
Solução
(a) Na interseção de Is = 30 µ,A e VCE = 10 V, lc = 3,4 mA.
(b) Utilizando a Fig. 3.14b, Is = 20 µA em V8 E = 0,7 V. Da
Fig. 3.14a, descobrimos que lc = 2,5 mA na interseção de
Is = 20 µ,A em VCE = 15 V.
Beta (/3)
Na análise de os valores de lc e Is são relacionados por um parâ-
metro denominado beta e definido pela seguinte equação:
O nome formal para /3.c é fator de amplificação de corrente di-
reta em emissor-comum. Uma vez que a corrente de coletor é,
normalmente, a corrente de saída para a configuração emissor-
comum, e a corrente de base é a corrente de entrada, o termo
amplificação é incluído na nomenclatura acima.
A Equação (3.11) é semelhante em formato à equação para
ª•e na Seção 3.4. O procedimento para a obtenção de ª•e das
curvas características não foi descrito por causa da dificuldade
de se medir variações de lc e IE nas curvas. A Equação (3.11),
entretanto, pode ser descrita com alguma clareza e, na verdade,
o resultado pode ser utilizado para se determinar ª•e• utilizando
uma equação a ser descrita em breve.
Nas folhas de especificação, /3.c é normalmente incluído
como h1,. Observe que a única diferença entre a notação utili-
zada para o beta de, especificamente, f3dc = hFE• é o tipo de le-
tra subscrita. A letra minúscula h continua se referindo ao cir-
cuito equivalente híbrido a ser descrito no Cap. 7, efe refere-se
ao ganho de corrente direita (forward) na configuração emis-

~
sor-comum.
(3.10) A utilização da Eq. (3.11) é mais bem descrita através de um
exemplo numérico, utilizando o conjunto de características mos-
trado na Fig. 3.14a e repetido na Fig. 3.17. Vamos determinar
onde lc e 18 são determinados por um ponto de operação particu- f3ac para uma região do gráfico definida pelo ponto de operação
lar na curva característica. Os dispositivos na prática apresentam Is= 25 µAe VcE = 7,5 V, como indicado na Fig. 3.17. A restri-
valores de f3 que variam tipicamente de 50 até 400, concentra- ção de VcE ser constante exige que uma linha vertical seja dese-
dos, em sua grande maioria, no meio da faixa. Assim como a, f3 nhada através do ponto de operação VcE = 7,5 V. Em qualquer
certamente mostra o valor relativo de uma corrente em relação a ponto desta linha vertical, a tensão VCE é de 7,5 V, uma constan-
outra. Para um dispositivo com um f3 de 200, a corrente de coletor te. A variação em Is (Ms) como a que aparece na Eq. (3.11) é,
é 200 vezes maior do que a corrente de base. portanto, definida pela escolha de dois pontos acima e abaixo do
Nas folhas de especificações, f3dc é normalmente incluído ponto Q, ao longo de uma linha vertical, com distâncias aproxi-
como hm com h derivado de circuito equivalente ac híbrido, a madamente iguais em relação ao ponto Q. Para esta situação, as
curvas Is= 20 µA e Is= 30 µ,A atendem à exigência sem se
distanciarem muito do ponto Q. As curvas também estabelecem
/s(µA) valores para 18 , sendo desnecessária a interpolação de valores.
Deve ser mencionado que a melhor determinação é normalmen-
te feita mantendo-se Ms o menor possível. Nas duas interseções
100 de I8 e o eixo vertical, os dois valores de Ict e Icz são obtidos do
90 eixo das ordenadas. O f3ac resultante para a região pode ser deter-
minado por
80
70
60
50
3,2 mA - 2,2 mA 1 mA
40 = 30 µ,A - 20 µ,A 10 µ,A
30
20 = 100
10 A solução acima revela que, para uma entrada ac na base, a cor-
rente de coletor será aproximadamente 100 vezes maior do que
o 0,2 0,4 0,6 I 0,8 VsE(V) a corrente de base.
Se determinarmos o beta de no ponto Q:
0,7V

Fig. 3.16 Aproximação linear equivalente à curva característica do transistor da f3dc = licB = 2, 7 mA = 108
Fig. 3.14b. 25 µ,A
 Transistores Bipolares de Junção 89

lc(mA)

lei

Mcf~~~btt~.
1e 1 /z .--::::;:::

o 5 10 15 20 25
Vrn = 7,5 V

Fig. 3.17 Determinando {3., e {3.,, das curvas características para o coletor.

Embora não sejam exatamente iguais, em geral, os valores de esta fornece um conjunto de curvas características que pode ser
/3,c e f3dc são bem próximos e podem ser empregados indistinta- comparado aos resultados obtidos de um traçador de curva (a ser
mente. Isto é, se /3.c é conhecido, assume-se que o valor de {3dc descrito em breve).
seja mais ou menos o mesmo, e vice-versa. Tenha em mente que Na análise a seguir, o subscrito de ou ac não será empregado
em um mesmo lote o valor de f3ac irá variar de um transistor para para {3, evitando-se, assim, que as expressões tenham símbolos
outro, apesar de todos os transistores possuírem o mesmo núme- desnecessários. Para situações de análise de, {3 será reconheci-
ro de código. A variação pode não ser significativa, mas, para a do simplesmente como {3dc, e para a análise ac, f3ac· Se um valor
maioria das aplicações, é certamente suficiente para validar a de {3 é especificado para uma configuração em particular do tran-
aproximação feita acima. Genericamente, quanto menor for o sistor, normalmente serão realizados ambos os cálculos, de e ac.
valor de I cEo• mais próximos são os valores dos dois betas. O que Utilizando-se as relações básicas desenvolvidas até o momen-
se verifica na prática são valores de ICEo cada vez menores, vali- to, uma expressão pode ser desenvolvida relacionando {3 e a.
dando a aproximação anterior. Usando /3 = IdlB, temos IB = Id/3, e de a= ldIE, temos /E= Id
Se as curvas características têm o aspecto mostrado na Fig. 3.18, a. Substituindo em
o valor de f3ac é o mesmo em qualquer região das curvas. Observe
que o intervalo para IB é constante e igual a 10 µA, e a distância h = Ic + Ia
vertical entre as curvas é a mesma em qualquer ponto- neste caso, nós temos
2 mA. O cálculo do valor de f3ac no ponto Q indicado resulta em lc Ic
-=Ic+-
/3 = Me 1 = 9 mA - 7 mA = 2 mA = 200 a /3
ac li/a VcE=constante 45 µ,A - 35 µ,A 10 µA e dividindo ambos os lados da equação por Ic resulta em
A determinação do beta de no mesmo ponto Q resulta em 1
= l +-
f3dc=-=
lc 8 mA
=200
ª /3
la 40 µA
ou {3 = a/3 +a= (/3 + l)a
revelando que, se as curvas têm o aspecto mostrado na Fig. 3.18,
o valor de /3ac e {3dc será o mesmo em qualquer ponto da curva.
Em particular, note que IcEo = O µA.
Embora na prática não se encontre um conjunto de transisto- portanto (3.12a)
res com curvas características exatamente iguais às da Fig. 3.18,
90 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
f3
fc(mA)

ln=60µA

II -
l 8 =50µA
101---------------------
9- -------------- Ponto-Q 118 = 40 µA
8 1 - - - - - - - - - -...- - - - - - - - - - -
7~-------------- J1 ls=30µA
61----------~'-----------~
s-
ls=20µA
4 1 - - - - - - - - - -......- - - - - - - - - - - - -
3-

21-----------..;---------------
1-
1
1
ls= IOµA

18 = OµA UcEO= OµA)

1 1 1 1 /
o 5 IO 15 20 VcE

Fig. 3.18 Curvas características nas quais f3ac é o mesmo em qualquer ponto, e f3ac = {3"'.

ou (3.12b) (3.14)

Além disso, lembre que

e já que /E= Ic + /8
/cBO
ICEo = - - -
1- a
= J3IB + IB
mas usando a equivalência
nós temos (3.15)
1
--=/3+1 As duas equações acima têm um papel importante na análise
1-a
desenvolvida no Cap. 4.
chegamos a
IcEO = (/3 + 1)/cBO Polarização

ou A polarização apropriada de um amplificador em emissor-comum

(3.13)
como indicado na Fig. 3. l 4a. Beta é um parâmetro particularmen-
te importante, porque fornece uma relação direta entre níveis de
corrente dos circuitos de entrada e saída para uma configuração
emissor-comum. Isto é
pode ser determinada de maneira semelhante àquela introduzida
para a configuração base-comum. V amos assumir que temos um
transistor npn tal como mostra a Fig. 3.19a, e a proposta é polari-
zar apropriadamente o dispositivo para operá-lo na região ativa.
O primeiro passo é indicar o sentido de I E• determinado pela
seta no símbolo do transistor da Fig. 3.19b. Em seguida, outras

+
? Vcc

(a) (b) (c)

Fig. 3.19 Determinando a polarização apropriada para um transistor rrpn em configuração emissor-comum.
f3 Transistores Bipolares de Junção 91

correntes são introduzidas como mostrado, sabendo-se que Ic

+ /8 = /E, segundo a lei das correntes de Kirchhoff. Finalmen-
te, as fontes são introduzidas com polaridades que estão de
acordo com os sentidos de / 8 e lc, A mesma abordagem pode Bo----~
ser feita para os transistores pnp. Se o transistor da Fig. 3.19
fosse um transistor pnp, todas as correntes e polaridades da Fig.
3.19c seriam invertidas.

3.7 CONFIGURAÇÃO
COLETOR-COMUM Fig. 3.21 Configuração coletor-comum utilizada para casamento de impedância.

A terceira e última configuração utilizada é a configuração coletor-

comum mostrada na Fig. 3.20 com as notações adequadas de tensão
e corrente. A configuração coletor-comum é utilizada principalmente
para o casamento de impedância, uma vez que esta configuração
apresenta uma alta impedância de entrada e uma baixa impedância
de saída, revelando-se em uma situação diferente daquela encontra-
da para as configurações coletor-comum e base-comum.
Uma configuração coletor-comum está mostrada na Fig. 3.21
com o resistor de carga conectado do emissor para a terra. Ape-
sar de o transistor estar conectado de uma forma que se asseme-
lha à configuração emissor-comum, o coletor está aterrado. Do
ponto de vista de projeto, não há necessidade de um conjunto de
curvas características sobre a configuração coletor-comum, para
escolher os parâmetros do circuito da Fig. 3.21. O projeto pode
ser feito, utilizando-se as características do emissor-comum da
Seção 3.6. Na prática, as curvas características de saída para a
configuração coletor-comum são iguais às curvas características
da configuração emissor-comum. Para a configuração coletor-
comum, o gráfico de /E versus VEc para um conjunto de valores
de / 8 representa a curva característica da saída. A corrente de
entrada, portanto, é a mesma para as configurações coletor-co-
mum e emissor-comum. O eixo horizontal representando a ten-
são para a configuração coletor-comum é obtido simplesmente
se invertendo o sinal da tensão coletor-emissor das curvas. Fi-
nalmente, há uma diferença sutil na escala vertical de Ic para as
curvas do emissor-comum, se Ic é substituído por /E para as cur-
vas características do coletor-comum (pois a ::e 1). Para o cir-
cuito de entrada da configuração coletor-comum, as curvas ca-
racterísticas levantadas para a base do emissor-comum são sufi-
cientes para se obter as informações necessárias.
3.8 LIMITES DE OPERAÇÃO
Para cada transistor, há uma região de operação nas curvas que
assegura que os limites para o transistor serão respeitados e
que o sinal de saída conterá um mínimo de distorção. Esta
região foi definida para as curvas características de um tran-
sistor da Fig. 3.22. Todos os limites de operação são defini-
dos, baseados em uma folha de especificações típica, descrita
na Seção 3.9.
Alguns dos limites de operação são auto-explicativos, como
a corrente máxima de coletor (normalmente referida nas folhas
de especificações como corrente de coletor contínua) e a tensão
máxima coletor-emissor (freqüentemente abreviada como VcEO

1
p
Is
~
VEE

p
V8s Vss
e fc

/e
~
E E

B
.........
Is

lc~

e e
(a) (b)

Fig. 3.20 Notação e símbolos utilizados para a configuração coletor-comum: (a) transistor pnp; (b) transistor npn.
92 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos /3
1
1 1

··--r·-----···r--
1

,
1

1 1

Região de
saturação

20--------+

lOµA
1O ·····-·········-·······-···················· ...

IB=OµA

o 5 10 15 VcE (V)
r0,3V
Região de
VcEsat corte

Fig. 3.22 Definindo a região linear (sem distorção) de operação do transistor.

ou V(BRJcEo na folha de especificação). Para o transistor da Fig.
3.22, Icrrrax e VcEo foram especificados como sendo de 50 mA e
20 V, respectivamente. A linha vertical no gráfico, representan-
do VCE,.,, especifica o valor mínimo de VCE que pode ser aplicado
sem que o transistor caia na região não-linear, denominada re-
gião de saturação. Em geral, o valor da VCE,a, é de cerca de 0,3 V
especificada para este transistor.
O valor máximo de dissipação de potência é determinado pela
seguinte equação:
[ Pc.~. = Vcslcj
Para o dispositivo da Fig. 3.22, a potência de coletor dissi-
pada é de 300 mW. A questão que surge é de como traçar a
curva de dissipação de potência de coletor, especificada pelo
fato de que
Pcmi, = VcElc = 300 mW
ou
VcElc = 300 mW
Em qualquer ponto das curvas, o produto de VcE por lc deve
ser igual a 300 mW. Se escolhermos o valor de Ic máximo, 50
mA, e substituirmos na relação acima, obtemos
VcEic = 300 mW
VcE(50 mA) = 300 mW
300mW
VcE = =
50mA
Como resultado, achamos que I e= 50 mA, portanto VCE = 6
V na curva de dissipação de potência, como indicado na Fig. 3.22.
Se agora escolhermos o valor máximo de VCE, 20 V, o valor de lc
é o seguinte:
(20 V)/c = 300 mW
300mW
lc = 20 V = 15 mA
definindo um segundo ponto na curva de potência.
Escolhendo agora um valor intermediário de lc, como, por
exemplo, 25 mA, e solucionando para o valor resultante de VCE,
(3.16) obtemos
VcE(25 mA) = 300 mW
e 300 mW -- ll V
VcE=----
25 mA
como indicado também na Fig. 3.22.
Uma estimativa grosseira da curva real pode normalmente ser
obtida utilizando-se os três pontos definidos acima. É claro que,
quanto mais pontos você tem, mais precisa é a curva; entretanto
uma estimativa aproximada é quase sempre suficiente.
A região de corte é definida como a região abaixo de Ic = IcEO·
Esta região também deve ser evitada para que o sinal de saída
apresente o mínimo de distorção. Nas folhas de especificações,
somente lc80 é fornecida. Deve-se utilizar a equação IcEO = f3lc80
para que se tenha alguma idéia do nível de corte. A operação na
região resultante da Fig. 3.22 assegurará uma distorção mínima
do sinal de saída e valores de corrente e tensão que não danifica-
rão o dispositivo.
6V Se as curvas características não estão disponíveis ou não cons-
tam da folha de especificações (o que normalmente ocorre), deve-
se simplesmente assegurar que lc, VcE e o seu produto VcEic se
situem nos intervalos determinados pela Eq. 3 .17.
/3
(3.17)
Para a configuração base-comum, a curva de máxima potência é
definida pelo seguinte produto dos parâmetros de saída:
(3.18)
3.9 FOLHA DE ESPECIFICAÇÕES DO
TRANSISTOR
Já que a folha de especificações é o elo de comunicação entre o
fabricante e o usuário, torna-se muito importante que a informa-
ção fornecida seja reconhecida e corretamente compreendida.
Embora, até então, não tenham sido apresentados todos os parâ-
metros, a partir deste momento um vasto número deles passará a
ser familiar ao leitor. Os parâmetros restantes serão introduzidos
em capítulos posteriores. A referência será, portanto, feita a esta
folha de especificações, para rever a maneira em que o parâme-
tro é apresentado.
A informação fornecida na Fig. 3.23 é retirada diretamente de
Transistores de pequenos sinais, FET's, e Diodos, que são pu-
blicações preparadas pela Motorola Inc. O 2N4123 é um transis-
tor npn de aplicação geral com a identificação do encapsulamento
e dos terminais mostrados no canto superior direito da Fig. 3.23a.
Grande parte das folhas de especificações são divididas em Va-
lores nominais máximos, características térmicas, e caracterís-
ticas elétricas. As características elétricas são divididas posteri-
ormente em "ligado", "desligado" e características para peque-
nos sinais. As características "ligado" e "desligado" referem-se
a limites de, enquanto as características de pequenos sinais in-
cluem os parâmetros importantes para a operação ac.
Observe na lista de valores máximos permitidos (Maximum
Ratings) que VcEmáx. = VcEO = 30 V com Icmáx. = 200 mA. A
dissipação máxima permitida para o dispositivo (total device
dissipation) é 625 mW. O fator de redução de capacidade
(derating factor) especifica que o valor máximo de potência
dissipada deve diminuir 5 mW a cada 1° de aumento na tempe-
ratura acima de 25ºC. Nas características "desligado" ("off'),
I é especificado como sendo de 50 nA, e nas características
CSO • h '
"ligado" ("on") VCEsat = 0,3 V. O valor previsto para FE vana
de 50 até 150 em Ic = 2 mA e VCE = 1 V, e um valor mínimo de
25 em um valor mais alto de corrente (50 mA) na mesma ten-
são.
Os limites de operação foram agora definidos para o disposi-
tivo, e são repetidos abaixo no formato da Eq. (3.17), utilizando
hFE = 150 (limite superior) e IcEo = f3Icso = (150)(50 nA) =
7 ,5 µA. Certamente, para muitas aplicações o valor 7 ,5 µA =
0,0075 mA pode ser considerado como sendo de O mA.
Limites de Operação
7 ,5 µA ~ lc ~ 200 mA
0,3 V ~ VCE ~ 30 V
VCElc ~ 650 mW
Nas características para pequenos sinais (small-signal
characteristics) o valor de h1e (/3aJ é fornecido juntamente com
Transistores Bipolares de Junção 93
um gráfico da Fig. 3 .23f, que apresenta sua variação com a
corrente de coletor. Na Fig. 3.23j, o efeito da temperatura~
da corrente de coletor no valor de hFE Cf3aJ é demonstrado. A
temperatura ambiente (25ºC) observe que hFE (f3ctJ a~resen~a
um valor máximo de 1 em aproximadamente 8 mA. A medi-
da que Ic aumenta a partir deste valor, hFE cai a metade em Ic
= 50 mA. Se Ic diminui para 0,15 mA, hFE também se reduz
a metade. Como se trata de uma curva normalizada, se em-
pregarmos um transistor com f3ctc = hFE = 50 a temperatura
ambiente, o valor máximo em 8 mA é de 50. Em Ic = 50 mA,
h cai para 50/2 = 25. Em outras palavras, normalizar signi-
fita que o valor real de hFE• para qualquer valor de Ic, foi di-
vidido pelo valor máximo de hFE naquela temperatura e Ic =
8 mA. Observe ainda que a escala horizontal da Fig. 3.23j é
uma escala logarítmica. Escalas logarítmicas são examinadas
a fundo no Cap. 11. Quando encontrar tempo, você pode de-
sejar voltar os gráficos desta seção para rever as primeiras
seções do Cap. 11.
Antes de abandonarmos a descrição das características, tome
nota do fato de as características reais do coletor não serem for-
necidas. Na verdade, a maioria das folhas de especificações, ofe-
recidas por grande parte dos fabricantes, falha ao não dar as ca-
racterísticas completas. Em um projeto, espera-se que os dados
fornecidos sejam suficientes para que se utilize o dispositivo efe-
tivamente.
Como se observou na introdução desta seção, nem todos os
parâmetros da folha de especificações foram definidos nas se-
ções ou capítulos anteriores. Entretanto a folha de espe-
cificações fornecida na Fig. 3.23 será mencionada continuamen-
te nos capítulos seguintes, à medida que parâmetros forem in-
troduzidos. A folha de especificações pode ser uma ferramenta
extremamente útil no projeto e na análise, e todo esforço deve
ser feito para que se conheça a importância de cada parâmetro,
e como ele pode variar com a corrente, temperatura, e assim por
diante.
3.10 TESTE DE TRANSISTORES
Como no caso dos diodos, há três maneiras de se verificar um
transistor: com o traçador de curvas, os medidores digitais, e o
ohmímetro.
Traçador de Curvas
O traçador de curvas da Fig. 1.45 produzirá o display da Fig.
3.24 se todos os controles estiverem corretamente ajustados. Os
displays menores da direita determinam as escalas ~tilizadas
para as curvas. A sensibilidade vertical é de 2 mA/div, resul-
tando na escala mostrada na esquerda da tela do monitor. A
sensibilidade horizontal é de 1 V/di v, resultando na escala apre-
sentada abaixo das curvas. A função intervalo (step) revela que
as curvas são separadas por uma diferença de 1O µA, come-
çando em O µA para a curva inferior. O último fator de escala
fornecido pode ser utilizado para determinar rapidamente o
parâmetro f3ac em qualquer região das curvas. Simplesm~n~e
multiplique o fator mostrado no display pelo número de divi-
sões entre as curvas de Is na região de interesse. Por exem-
plo, vamos determinar f3ac em um ponto Q de Ic = 7 mA e VcE
= 5 V. Nesta região do display, a distância entre as curvas de
Is é -fõ de uma divisão, como indicado na Fig. 3.25. Utilizando
o fator especificado, achamos que
 94 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos f3

MAXIMUM RATINGS

2N4123
CASE 29-04, STYLE 1
T0-92 (T0-226AA)

THERMAL CHARACTERISTICS
,, ~~-
2 3

GENERAL PURPOSE
1Emincr

Characteristic Symbol Max Unit

Thennal Resiscance. Junction to Case R1uc 83.3 °CW TRANSISTOR
Thennal Resistance. Junction to Ambient 200 "CW NPNSILICON
R9JA

ELECTRICAL CHARA<-'TERISTICS (TA= 25'C unless otherwise notedl

Characteristic Symbol Mln Max Unit
OFF CHARACTERISTICS

Emittcr Cutoff Current

(VeE = 3.0 Vdc, lc= O)
ON CHARACTERISTICS

Base-Emitter-Saturation Voltage( 1)
(lc= 50 mAdc, 18 = 5.0mAdc)
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
Current-Gain - Bandwidlh Product fT 250 MHz
Oc = 10 mAdc. VcE = 20 Vdc, f = 100 MHz)
Output Capacitancc c,,i., 4.0 pF
(Yç8 = !1.0 Vdc, IE = O. f= HlO MHz)
Input Capacitance ciho 8.0 pF
(V 8 E =0.!I Vdc, lc=O. f= l(XlkHz)
Collector-Base Capacitance c,.h 4.0 pF
(IE=O. Vce =!I.OV.f= IOOkHz)

Current Gain - High Frequency

Clc= IOmAdc, VcE=20Vdc,f= 100MHz) 25
(lc=2.0mAdc, Vce = IOV,f= 1.0lc.Hz) 50 200
Noise Figure NF 6.0 dB
Clc= IOO"Adc, VcE = S.OVdc, Rs = 1.0 k ohm. f= 1.0kHz)
( 1) Pulse Test: Pulse Width =300 "•· Duty Cycle = 2.0%
(a)

Fig. 3.23 Folhas de especificações do transistor.*

* N.T.: Os termos originais em inglês contidos na parte (a) desta figura não foram traduzidos porque o que se encontra na prática, no laboratório, são especificações escritas em inglês, com
raras exceções. Deseja-se, com isto, que o leitor se acostume aos termos técnicos que ele encontrará na sua vida profissional.
/3 Transistores Bipolares de Junção 95

Figura 1 - Capacitância Figura 2 - Tempos de Chaveamento

200

7,0
100
5,0 70
G::'
.e, --;;- 50
.!. 5
::! 3,0 o
e. 30
<OI
.-=;l e
g. ~ 20 ....
U
2,0
10,0 ·
7,0
5,0
0,2 0,3 0,5 0,71,0 2,0 3,0 5,0 7,0 10 20 3040 1,0 2,0 3,0 5,0 10 20 30 50 100 200
Tensão reversamente polarizada (V) lc, Corrente de coletor (mA)

(b) (e)

CARACTERÍSTICAS DE ÁUDIO PARA PEQUENOS SINAIS

FIGURA DE RUÍDO

<VcE =5 Vdc, TA =25ºC)

Banda passante = 1,0 Hz
Figura 3 - Variações de Freqüência Figura 4 - Resistência de Fonte
12

10 12

ci:i'
~ 8
o o
;,! ;,!
:,
~ 8
~
.
"Q
6 "Q
...
e:, e 6
; .§
4 ~

u.." ~
~ ~
2 2

0,2 0,4 2 4 10 20 40 100 0,2 0,4 1,0 2,0 4,0 10 20 40 100

f, Freqüência (kHz) R5 , Resistência de Fonte (kO)

(d) (e)

Fig. 3.23 Folhas de especificações do transistor (cont. ).

/3ac = W 9 d1v. (2ºº)

div = 180
Medidores Digitais Avançados
Medidores digitais avançados disponíveis atualmente, tal como
Utilizando a Eq. (3.11), teremos o mostrado na Fig. 3.26, podem fornecer o valor de hFE• utilizan-
do os soquetes que aparecem no lado esquerdo inferior do painel
8,2 mA - 6,4 mA do medidor. Observe a opção entre pnp ou npn mais a disponibi-
Me
/3 - - -I lc2 - Ic,
----C..á-~
lidade de duas conexões para emissor, possibilitando a utiliza-
ac - llls VCE=constante - [8 2 - Is, 40µA-30µA ção de transistores que apresentam diferentes posições para os
1,8 mA = 180 terminais. No medidor Testmate 175A, o valor de hFE é determi-
nado para uma corrente de coletor de 2 mA. Note que este versá-
IOµA
til instrumento também pode testar o funcionamento de um diodo.
Pode medir capacitância e freqüência, além das funções normais
verificando a determinação acima para tensão, corrente e medidas de resistência.
96 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
f3

PARÂMETROSh
VCE = 10 V, f= 1 kHz, TA= 25ºC
Figura 5 - Ganho de Corrente Figura 6 - Admitância de Saída

<Jl
o
.e 50
<I)
E
e ,.=:
to "'
:5! 20
u
<I) ;}l
"O 100 <I)
o
.e
"O 10
e "'e
'ü
o"' 70 '5 \O
~
~ 'ê
"O
50
<
~
~ 2,0

0,2 0,5 1,0 2,0 5,0 10 0,2 0.,5 lJO 2,0 5,0 10
l e, Corrente de coletor ( mA) /0 Corrente de coletor (mA)
(f) (g)

Figura 7 - Impedância de Entrada · Figura 8 - Razão de Tensão de Realimentação

/0 Corrente de coletor (mA) /0 Corrente de coletor (mA)

(h) (i)

CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS
Figura 9 - Ganho de Corrente DC

0,2 0,3 0,5 o, 7 1,o 2,0 3,0 5}0 7)0 1O 20 30 50 70 100 200
/0 Corrente de coletor (mA)
(j)

Fig. 3.23 Folhas de especificações do transistor (cont.).

f3 Transistores Bipolares de Junção 97

18mA Vertical
por div
2mA
l6mA

14mA
Horizontal
por ciiv
12mA IV

Por
SmA intervalo
boµA 10 ,.A
6mA
. , 1 ······· 12oµh
4mAll~,--!----!,,,---!,,,. ....j..._.liiiji,,..........,,-,.....,__-!--"'!""""\!""!'"
i j3ou g
IOµA por div
2mAIL,,,..~--..,i,.,--..,i,.,.......,i,.,.....i!!j!!.....-!--...,."""'---!-----!"'"... 200

Fig. 3.24 Resposta do traçador de curvas para o transistor

ol~
OmA'ill!ll!lall\'llllllllilll!lilllll'lll\ill!llli!lll!l!illl!llill!lllll!lllill!'I'
npn2N3904. ov IV 2V 3V 4V 5V 6V 7V 8V 9V IOV

=m div /Ponto Q
Uc=7 mA,VcE=5V)
la =30 µA
lc 1 = 614 mA '- ==;.;;;.;=-=--!.---~---------- 1

Fig. 3.25 Determinando /3,,, para as curvas características do transistor da

Fig. 3.24 emlc = 7 mA e Vce = 5 V.

Na verdade, no modo de teste do diodo, o medidor pode ser

usado para se verificar as junções p-n de um transistor. Com o
coletor aberto, a junção base-emissor deve estar em uma tensão
de aproximadamente 0,7 V, com o terminal vermelho (positivo)
conectado à base, e o terminal preto (negativo) conectado ao
emissor. Uma inversão dos terminais deve resultar na indicação
O.L., para representar a junção reversamente polarizada. Analo-
gamente, com o emissor aberto, os estados direta e reversamente
polarizados da junção base-coletor podem ser verificados.

Fig. 3.26 Verificador de transistor. (Cortesia Computronics Technology, Inc.)
Ohmímetro
Um ohmímetro, ou as escalas de resistência de um MMD, pode
ser utilizado para determinar o estado de um transistor. Lembre-
se de que, para um transistor na região ativa, a junção base-emis-
sor está diretamente polarizada, e a junção base-coletor está
reversamente polarizada. Assim, portanto, a junção diretamente
polarizada deve registrar um valor de resistência mais ou menos
baixo, enquanto a junção reversamente polarizada, um valor
muito mais alto de resistência. Para um transistor npn, a fun-
ção diretamente polarizada (polarizada pela fonte interna do
ohmímetro) da base para o emissor deve ser testada, como mos-
tra a Fig. 3.27, resultando em uma leitura que, tipicamente, cai
na faixa de 100-0 até alguns kilohms. Para um transistor npn, a
junção reversamente polarizada (polarizada pela fonte interna
do medidor) deve ser verificada como mostrado na Fig. 3.28
com uma leitura típica maior do que 100 kfi. Para um transis-
 98 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
Baixo R
Fig. 3.27 Verificando a junção base-emissor diretamente polarizada de um tran-
sistor npn.
Fig. 3.28 Verificando a junção base-coletor reversamente polarizada de um tran-
sistor npn.
tor pnp, os terminais devem ser trocados de posição para cada
junção. Obviamente, uma resistência pequena ou grande em
ambas as direções (invertendo os terminais), para cada junção
de um transistor npn ou pnp, indica que se trata de um disposi-
tivo defeituoso.
Se ambas as junções do transistor fornecem leituras adequa-
das, o tipo do transistor também pode ser determinado se, sim-
plesmente, for observada a polaridade dos transistores ao rea-
lizar uma medida na junção base-emissor. Se o terminal positi-
vo ( +) é conectado à base, e o terminal negativo (-) ao emis-
sor, a leitura de uma baixa resistência indica um transistor npn.
A leitura de uma alta resistência denota um transistor pnp.
Embora um ohmímetro possa ser utilizado para a determina-
ção dos terminais de um transistor (base, coletor e emissor),
assume-se que esta determinação possa ser feita simplesmen-
te observando-se a orientação dos terminais no encapsula-
mento.
(a) (b)
Fig. 3.29 Vários tipos de transistores (a) Cortesia General Electric Company; (b) e (c) Cortesia da Motorola lnc.; (d) Cortesia da International Rectifier Corporation.
f3
3.11 ENCAPSULAMENTO DO
TRANSISTOR E IDENTIFICAÇÃO
DOS TERMINAIS
Após o transistor ter sido fabricado, utilizando uma das técnicas
descritas no Cap. 12, terminais de, tipicamente, ouro, alumínio
ou níquel são acrescentados à estrutura e encapsulados em um
invólucro do tipo mostrado na Fig. 3.29. Aqueles de construção
mais robusta são dispositivos de alta potência, enquanto os de
canecos reduzidos ou estrutura de plástico são dispositivos de
baixa a média potência.
Sempre que possível, no encapsulamento do transistor have-
rá alguma marca indicando os terminais que estão conectados ao
emissor, coletor ou base de um transistor. Alguns dos modelos
normalmente utilizados estão indicados na Fig. 3.30.
A construção interna de uma pastilha T0-92 da linha
Fairchild aparece na Fig. 3.31. Observe o tamanho bem redu-
zido do dispositivo semicondutor real. Há fios de conexão de
ouro, uma armação de cobre, e um encapsulamento de mate-
rial epóxi.
Quatro (quad) transistores de silício pnp individuais podem
ser agrupados em um invólucro duplo de plástico de 14 pinos
mostrado na Fig. 3.32a. As conexões internas dos pinos apa-
recem na Fig. 3.32b. Assim como o encapsulamento CI do
diodo, a indentaçãO na superfície superior determina os pinos
de 1 a 14.
3.12 ANÁLISE POR COMPUTADOR
No Cap. 4 um circuito com transistor será investigado, utilizan-
do-se o BASIC e o PSpice (versões DOS e Windows). A análise
usando BASIC será comparada à análise feita sem o auxílio do
computador, enquanto a análise por meio do PSpice (versão DOS)
empregará um modelo de transistor a ser introduzido nos próxi-
mos parágrafos.
PSpice (Versão DOS)
A expressão PSpice para a introdução dos elementos do transis-
tor tem o seguinte formato:
(e) (d)
f3 Transistores Bipolares de Junção 99

T'!
~nto) (Encapsu-
e
ff Ponto,. branco
"
;

e
~ B
E e
B

Fig. 3.30 Identificação dos terminais do transistor.

E B C
• E

3 4 QN
~
.MODEL
~
QN NPN (BF = 140 IS = 2E-15)
nome C B E nome do modelo nome do tipo parâmetros a ser especificados
modelo
A letra Q é necessária para identificar o dispositivo como um
transistor. O número 1 é o nome escolhido para o transistor, Como indicado, a expressão deve iniciar com .MODEL e ser
embora seja permitido incluir até sete caracteres (números ele- seguida pelo nome do modelo do transistor, como mostrado na
tras). Em seguida, os terminais são introduzidos na ordem que expressão anterior. Em seguida, o tipo de transistor é indicado,
aparece acima. O último dado de entrada é o nome do modelo, e os valores dos parâmetros a serem especificados são incluí-
para orientar o software (programa) a utilizar os parâmetros que dos entre parênteses. A lista de parâmetros que aparece no
definem o transistor. manual do PSpice é extensa, e de fato inclui 40 termos. Para as
A expressão para o modelo tem o seguinte formato: nossas necessidades atuais, só há dois parâmetros que precisam

Injeção axial de
composto moldado
Chip passivado

Estrutura de cobre / Invólucro de epóxi

Saliências travantes

(b)

(a) (e)

Fig. 3.31 Construção interna de um transistor Fairchild em uma pastilha T0-92. (Cortesia Fairchild Camera and lnstrument Corporation.)
100 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
e B
e B
NC - Sem conexão interna
(a)
Fig. 3.32 Quatro transistores pnp de silício encapsulados tipo Q2T2905 da Texas Instruments: (a) aspecto; (b) conexões dos pinos. (Cortesia Texas Instruments
lncorporated.)
ser especificados. Beta, referido como BF, e a corrente de sa-
turação reversa IS, com um valor que resulte em uma tensão
base-emissor de aproximadamente O, 7 V quando o dispositivo
estiver "ligado".
Ambas as expressões listadas acima aparecerão na análise for-
necida no Cap. 4, na seção de análise por computador. Na verda-
de, elas serão as únicas expressões diferentes daquelas que apare-
cem na análise do diodo do Cap. 2. Em outras palavras, novos ele-
mentos podem ser introduzidos na biblioteca do PSpice sem mo-
dificar os procedimentos já descritos. Utilizando desta maneira o
programa PSpice, fazemos uma verdadeira "experiência constru-
tiva", com a possibilidade de análise de circuitos extremamente
complicados com o uso de apenas poucas expressões.
PSpice para Windows (Windows Design
Center Analysis)
A seleção do transistor no programa PSpice para Windows é feita
clicando-se inicialmente Draw na barra de menu da janela
Schematics. Em seguida, escolha Get New Parte depois Browse
para visualizar a lista disponível. Ache eval.slb na lista de library
e, após clicar no local correspondente, percorra a lista de disposi-
tivos disponíveis. Ao clicar de um item para o próximo, a caixa
Description irá aparecer descrevendo o tipo de dispositivo. Uma
vez escolhido o transistor desejado, basta clicar no dispositivo e
em OK; ele aparecerá na tela para introdução no circuito. O Cap.
4 descreverá como modificar os parâmetros do transistor escolhi-
do e como realizar a análise de um circuito com transistor.
PROBLEMAS
§ 3.2 Construção do Transistor
1. Quais nomes são empregados para os dois tipos de TBJ? Esboce a
construção básica de cada um e identifique os portadores minori-
tários e majoritários. Desenhe o símbolo gráfico próximo a cada
um. Se trocarmos o transistor de silício por um de germânio, algu-
ma informação é alterada?
f3
Vista superior
E NC E B e
E NC E B e
(b)
2. Qual é a maior diferença entre um dispositivo bipolar e um unipolar?
§ 3.3 Operação do Transistor
3. De quanto devem ser polarizadas as duas junções dos transistores
para que o transistor atue como um amplificador?
4. Qual é a fonte de corrente de fuga de um transistor?
5. Esboce uma figura semelhante à Fig. 3.3 para a junção diretamen-
te polarizada de um transistor npn. Descreva o movimento resul-
tante dos portadores.
6. Esboce uma figura semelhante à Fig. 3.4 para a junção reversamente
polarizada de um transistor pnp. Descreva o movimento resultante
dos portadores.
7. Esboce uma figura semelhante à Fig. 3 .5 para o fluxo dos portado-
res majoritários e minoritários de um transistor npn. Descreva o
movimento resultante dos portadores.
8. Qual das correntes do transistor tem o maior valor? Qual tem o me-
nor? Quais das correntes são relativamente próximas em amplitude?
9. Se a corrente de emissor de um transistor é 8 mA e/B é 1/100 de lc,
determine os valores lc e IB.
§ 3.4 Configuração Base-Comum
10. De memória, esboce o símbolo do transistor para um transmissor
pnp e um npn, e em seguida introduza os sentidos convencionais
do fluxo de cada corrente.
11. Utilizando as curvas características da Fig. 3.7, determine VBE em
!E= 5 mA para VcB = 1 V, 10 V e 20 V. É razoável assumir que
VcB não influi muito na relação entre V8E e /E?
12. (a) Determine o valor médio da resistência ac para as curvas ca-
racterísticas da Fig. 3.10b.
(b) Para os circuitos nos quais o valor dos elementos resistivos é
tipicamente de kilohms, a aproximação feita na Fig. 3.10c é
válida, baseado nos resultados da letra (a)?
13. (a) Utilizando as curvas características da Fig. 3.8, determine a
corrente de coletor resultante se /E= 4,5 mA e Vc8 = 4 V.
(b) Repita a letra (a) para /E= 4,5 mA e Vca = 16 V.
(c) Como a variação em Vc8 afetou o valor resultante de Ic?
(d) De maneira aproximada, determine como I E e I e estão relacio-
nados, com base nos resultados acima?
14. (a) Utilizando as curvas características das Figs. 3.7 e 3.8 deter-
mine Ic se Vca = 10 V e V8 E = 800 mV.
(b) Determine V8 E se lc = 5 mA e Vc8 = 10 V.
(c) Repita a letra (b) utilizando as curvas da Fig. 3.10b.
(d) Repita a letra (b) utilizando as curvas da Fig. 3.10c.
 f3
(e) Compare as soluções para VsEdas letras (b), (e) e (d). A dife-
rença pode ser ignorada, se normalmente encontramos valo-
res de tensão da ordem de poucos volts?
15. (a) Dado ade de 0,998, determine Ic se IE = 4 mA.
(b) Determine ade se IE = 2,8 mA e Is= 20 µ.A.
(e) Ache IE se 18 = 40 µ.A e ade é 0,98.
16. De memória, e somente de memória, esboce a configuração base-
comum de um TBJ (npn e pnp) e indique a polaridade da polariza-
ção empregada e os sentidos das correntes resultantes.
§ 3.5 Transistor como Amplificador
17. Calcule o ganho de tensão (Av = VJV;) para o circuito da Fig, 3.12
se V; = 500 m V e R = 1 k!l. (Os outros parâmetros do circuito
permanecem os mesmos.)
18. Calcule o ganho de tensão (Av = V/V;) para o circuito da Fig. 3.12,
n
se a fonte tem uma resistência interna de 100 em série com V;.
§ 3.6 Configuração Emissor-Comum
19. Definalc8 o e IcEO· De que forma elas são diferentes? De que forma
elas estão relacionadas? Seus valores são normalmente próximos?
20. Utilizando as curvas da Fig. 3.14:
(a) Ache o valor de Ic correspondente a VsE = + 750 mV e VCE
= +5v.
(b) Ache o valor de VCE e V8 Ecorrespondente a Ic = 3 mA e Is=
30 µ.A.
*21. (a) Para as curvas características de emissor-comum da Fig. 3.14,
ache o beta de e um ponto de operação de VcE = + 8 V e Ic =
2mA.
(b) Ache o valor de a correspondente a este ponto de operação.
(e) Em VCE = + 8 V, ache o valor correspondente de IcEo·
(d) Calcule o valor aproximado de lc80, utilizando o valor beta
de obtido na letra (a).
*22. (a) Utilizando as curvas características da Fig. 3.14a, determine
IcEo em VcE = 10 V.
(b) Determine f3dc em Is= 10 µ.A e VcE = 10 V.
(c) Utilizando o valor de /3de determinado na letra (b), calcule leso·
23. (a) Utilizando as curvas características da Fig. 3.14(a), determi-
ne /3de emls= 80 µ.Ae VcE = 5 V.
(b) Repita a letra (a) para 18 = 5 µ.A e VcE = 15 V.
(e) Repita a letra (a) para 18 = 30 µ.A e VcE = 10 V.
(d) Revisando os resultados obtidos de (a) a (e), o valor de /3de varia
de ponto a ponto nas curvas? Onde se situam os valores mais
altos? Você pode elaborar alguma conclusão de maneira ge-
ral sobre o valor de f3de em um conjunto de curvas, tal como o
fornecido na Fig. 3. l 4a?
*24. (a) Utilizando as curvas características da Fig. 3.14a, determine
f3ac em Is= 80 µ.A e VcE = 5 V.
(b) Repita a letra (a) em 18 = 5 µ.A e VcE = 15 V.
(e) Repita a letra (a) em 18 = 30 µ.A e VcE = 10 V.
(d) Revisando os resultados de (a) a (e), o valor de f3ac varia de
ponto a ponto nas curvas? Onde se situam os valores mais
altos? Você pode elaborar alguma conclusão de maneira ge-
ral sobre o valor de f3ae em um conjunto de curvas, tal como o
fornecido na Fig. 3.14a?
(e) Os pontos escolhidos neste exercício são os mesmos do
Problema 23. Se o Problema 23 foi resolvido, compare os
valores de /3de e f3ac para cada ponto e comente o resulta-
do obtido.
25. Utilizando as curvas características da Fig. 3.14a, determine /3de em
18 = 25 µ.A e VCE = 1O V. Em seguida, calcule ade e o valor resul-
tante de IE. (Use o valor de Ic determinado por Ic = f3dJs.)
* Observação: Os asteriscos indicam problemas mais difíceis.
Transistores Bipolares de Junção 101
26. (a) Dado que ade = 0,987, determine o valor correspondente de /3de·
(b) Dado f3dc = 120, determine o valor correspondente de a.
(e) Dado que {3de = 180 e Ic = 2,0 mA, determine IE e 18 •
27. De memória, e somente de memória, esboce a configuração emis-
sor-comum (para npn e pnp) e introduza a polarização apropriada
com os sentidos de correntes para 18 , Ice IE.
§ 3. 7 Configuração Coletor-Comum
28. Uma tensão de entrada de 2 V rms (medida da base para terra) é
aplicada ao circuito da Fig. 3 .21. Assumindo que a tensão de emis-
sor segue exatamente a tensão de base e que V,,,. (rms = O, l V),
calcule a amplificação de tensão do circuito (A,, = V jV;) e a cor-
rente de emissor para RE = 1 k!l.
29. Para um transistor apresentando as curvas características da Fig.
3.14, esboce as curvas de entrada e saída da configuração coletor-
comum.
§ 3.8 Limites de Operação
30. Determine a região de operação para um transistor que apresente
as curvas características da Fig. 3.14 se Ic_ = 7 mA, IcE- = 17
VePCmáx=40mW.
31. Determine a região de operação para um transistor que apresente
as características da Fig. 3.8 se Icmáx = 6 mA, Vcs áx = 15 V e P e áx
= 30mW. m m
§ 3.9 Folha de Especificações do Transistor
32. Tendo como referência a Fig. 3.23, determine a faixa de tempera-
tura permitida para o dispositivo em graus Fahrenheit.
33. Utilizando a informação fornecida na Fig. 3.23 com relação a Pºmáx'
VcEmáx' Ic- e VcE,a1• esb°:e os extremos,de operação do dispositivo.
34. Baseado nos dados da Fig. 3.23, qual e o valor esperado para IcEo
usando o valor médio de /3de?
35. Como a faixa de valores de hFE [Fig. 3.23(j), normalizado para hFE
= 100] se compara com a faixa de valores de hf, [Fig. 3.23 (t)] para
IcdeO,l mAaté lOmA?
36. Utilizando as curvas características da Fig. 3.23b, determine se a
capacitância de entrada na configuração base-comum aumenta ou
diminui para valores crescentes de potencial reverso de polariza-
ção. Você pode explicar por quê?
*37. Utilizando as curvas características da Fig. 3.23f, determine o quan-
to hfe variou do seu valor em 1 mA para o seu valor em 10 mA.
Observe que a escala vertical é logarítmica, podendo ser necessá-
ria uma consulta à Seção 11.2. A variação deve ser considerada em
uma situação de projeto?
*38. Utilizando as curvas características da Fig. 3.23j, determine ova-
lor de /3de em Ic = 10 mA para os três valores de temperatura for-
necidos na figura. A variação é significativa para a faixa de tempe-
ratura especificada? Devemos nos preocupar com este elemento no
desenvolvimento de um projeto?
§ 3.10 Teste de Transistores
39. (a) Utilizando as curvas características da Fig. 3.24, determine f3ac
em Ic = 14 mA e VcE = 3 V.
(b) Determine /3de em Ic = 1 mA e VCE = 8 V.
(e) Determine f3ac em Ic = 14 mA e VCE = 3 V.
(d) Determine /3de em Ic = 1 mA e VcE = 8 V.
(e) Como os valores de f3ac e f3de se comparam em cada região?
(t) A aproximação /3de ="' f3ac é válida para este conjunto de cur-
vas?

Polarização DC
4.1 INTRODUÇÃO
A análise ou projeto de um amplificador com transistor exige o
conhecimento das respostas de e ac do sistema. Freqüentemente
se assume que o transistor é um dispositivo mágico que pode
aumentar o valor da entrada ac aplicada, sem o auxílio de uma
fonte de energia externa. Na realidade, o nível da potência de saída
ac amplificado é o resultado da transferência de energia das fon-
tes de aplicadas. A análise ou o projeto de qualquer amplifica-
dor eletrônico, portanto, deve-se preocupar com as operações ac
e de. Felizmente, o teorema da superposição é aplicável, e as
pesquisas das condições de podem ser totalmente separadas da
resposta ac. Entretanto, deve-se ter em mente que durante o es-
tágio de projeto ou síntese, a escolha dos parâmetros para os ní-
veis de exigidos influenciará na resposta ac, e vice-versa.
O nível de de operação de um transistor é controlado por vá-
rios fatores, incluindo os diversos pontos de operação das cur-
vas características do dispositivo. Na Seção 4.2, especificamos
a faixa de operação para o amplificador com TBJ. Uma vez de-
finida a corrente de e os níveis de tensão desejados, o circuito
deve ser projetado de maneira a estabelecer o ponto de operação
escolhido - vários desses circuitos são analisados neste capítu-
lo. Cada projeto determinará também a estabilidade do sistema.
Ou seja, o quanto o sistema é sensível às variações de tempera-
tura - outro tópico analisado na última seção deste capítulo.
Embora vários circuitos sejam analisados neste capítulo, há uma
semelhança latente entre a análise de cada configuração, devido ao
uso das seguintes relações básicas importantes de um transistor:
[Vs:~1 (4.1)
Q~~0'8~;;1 (4.2)
1-1-::-~ (4.3)
Na verdade, uma vez claramente compreendida a análise dos
primeiros circuitos, o caminho a ser tomado para a solução des-
tes começará a se tomar bem evidente. Na maioria dos casos, a
corrente de base / 8 é a primeira quantidade a ser determinada.
Conhecida/8 , as relações das Eqs. (4.1) até (4.3) podem ser apli-
cadas para se achar os parâmetros restantes de interesse. As se-
CAPÍTULO
TBJ
melhanças na análise se tomarão imediatamente óbvias, ao pro-
gredirmos com o capítulo. As equações para 18 são tão seme-
lhantes para as configurações que uma equação pode ser dedu-
zida de outra apenas retirando-se ou adicionando-se um ou dois
termos. A função principal deste capítulo é proporcionar ao lei-
tor uma certa intimidade com as características do TBJ, de modo
que permita a realização de uma análise de para qualquer cir-
cuito que emprega o amplificador com TBJ.
4.2 PONTO DE OPERAÇÃO
O termo polarização que aparece no título deste capítulo signi-
fica a aplicação de tensões de em um circuito para estabelecer
valores fixos de corrente e tensão. Para amplificadores com tran-
sistor, a corrente e a tensão de resultantes estabelecem um pon-
to de operação nas curvas que define a região empregada para
a amplificação do sinal aplicado. Já que o ponto de operação é
um ponto fixo na curva, este é também chamado ponto quies-
cente (ponto Q abreviado). Por definição, quiescente significa
repouso, imóvel, inativo. A Fig. 4.1 mostra as curvas caracte-
rísticas de saída para um dispositivo, com quatro pontos de ope-
ração indicados. O circuito de polarização pode ser projetado
para estabelecer a operação do dispositivo em qualquer um des-
ses pontos, ou outros, dentro da região ativa. Os valores máxi-
mos permitidos para os parâmetros estão indicados na Fig. 4.1
por uma linha horizontal para a corrente máxima de coletor, I Cmáx•
e uma linha vertical para a tensão máxima entre coletor e emis-
sor, VcEmáx· A potência máxima é definida pela curva P Cmáx na
mesma figura. No extremo inferior do gráfico localiza-se a re-
gião de corte, definida por IR ::5 O µA, e a região de saturação,
definida por VCE ::5 VCEsat•
O dispositivo TBJ deve ser polarizado para operar fora des-
ses limites máximos. Se isto não ocorrer, a vida útil do disposi-
tivo será reduzida ou o dispositivo poderá ser danificado. Con-
finando a operação à região ativa, pode-se selecionar muitas
áreas ou pontos de operação. O pt Q escolhido depende do tipo
da utilização do circuito. Podemos, ainda, considerar algumas
diferenças entre os vários pontos mostrados na Fig. 4.1 para apre-
sentarmos algumas idéias básicas sobre o ponto de operação, e,
com isso, o circuito de polarização.
Se não fosse aplicada a polarização, o dispositivo estaria ini-
cialmente desligado, r~sultando um pt Q em A - isto é, cor-
 Polarização DC - TBJ 103

lcmax25

20

15

101_____...----
Saturação B

A
o 1
VcEsat
5 10 Corte
15 20
1

VcEmax

Fig. 4.1 Vários pontos de operação dentro dos limites de operação de um transistor.

rente nula através do dispositivo (idem para tensão). Como é ne- operação desejado, o efeito da temperatura também deve ser con-
cessário polarizar um dispositivo para que ele possa responder à siderado. Este efeito acarreta mudanças em parâmetros do dispo-
excursão completa de um sinal de entrada, o ponto A não seria sitivo, como, p. ex., no ganho de corrente de transistor (/3.c) e na
adequado. Para o ponto B, se um sinal é aplicado ao circuito, a corrente de fuga do transistor (ICEº). Altas temperaturas resultam
tensão e a corrente do dispositivo irão variar em tomo do ponto em correntes de fuga crescentes, modificando as condições de
de operação, permitindo que o dispositivo responda (e possivel- operação estabelecidas pelo circuito de polarização. O resultado é
mente amplifique) à excursão positiva e negativa do sinal de que o projeto do circuito deve prever uma estabilidade à tempera-
entrada. Se o sinal de entrada é escolhido adequadamente, a ten- tura, tal que as variações não acarretem mudanças consideráveis
são e a corrente do dispositivo irão variar, mas não de maneira no ponto de operação. A manutenção do ponto de operação pode
suficiente para levar o dispositivo ao corte ou à saturação. O ser especificada por um fator de estabilidade, S, que indica o grau
ponto C permitiria alguma variação positiva e negativa do sinal de mudança do ponto de operação devido à variação de tempe-
de saída, mas o valor pico a pico seria limitado pela proximida- ratura. Deseja-se um circuito altamente estável, e a estabilidade
de com VcE = OV!Ic = OmA. Além disso, operar no ponto C pode de alguns circuitos de polarização básicos será comparada.
acarretar transformações não-lineares no sinal, devido ao fato de Para a polarização do TBJ em sua região de operação linear
o espaço entre as curvas de I 8 nesta região modificar-se rapida- (ativa), as seguintes condições devem ser atendidas:
mente. Em geral, é preferível operar onde o ganho do dispositi-
vo mostra-se razoavelmente constante (ou linear), para assegu- 1. Ajunção base-emissor deve estar diretamente polarizada (re-
rar que a amplificação em toda a excursão do sinal de entrada gião p com potencial maior), com uma tensão resultante de
seja a mesma. O ponto B está em uma região de espaçamento mais polarização de mais ou menos 0,6 a 0,7 V.
linear e, portanto, acarreta uma operação mais linear, como mostra 2. A junção base-coletor deve estar reversamente polarizada (re-
a Fig. 4.1. O ponto D ajusta o ponto de operação do dispositivo gião n com potencial maior), com a tensão reversa de polariza-
próximo à máxima tensão e nível de potência. A excursão da ção situando-se dentro dos limites máximos do dispositivo.
tensão de saída, no sentido positivo, é portanto limitada à tensão
[Observe que para a polarização direta, a tensão através da jun-
máxima permitida. O ponto B, conseqüentemente, parece ser o
ção p-n é p-positiva, enquanto para a polarização reversa, a ten-
melhor ponto de operação em termos de ganho linear e máxima
são é oposta (reversa) com n-positiva. Esta ênfase dada nas ex-
excursão permitida para tensão e corrente de saída. Em geral, esta
pressões anteriores tem como objetivo ajudar na memorização
situação é a condição desejada para amplificadores de pequenos
da polaridade correta.]
sinais (Cap. 8), mas não necessariamente o caso para amplifica-
A operação no corte, saturação e regiões das curvas do TBJ
dores de potência, que serão considerados no Cap. 16. Nesta dis-
são especificadas a seguir:
cussão, estaremos nos concentrando na polarização de transisto-
res para a operação de amplificação de pequenos sinais. 1. Operação na região linear:
Um outro fator muito importante de polarização deve ser con- Junção base-emissor diretamente polarizada
siderado. Tendo selecionado e polarizado o TBJ em um ponto de Junção base-coletor reversamente polarizada
104 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

2. Operação na região de corte:
Junção base-emissor reversamente polarizada
3. Operação na região de saturação:
Junção base-emissor diretamente polarizada
Junção base-coletor diretamente polarizada
cuitos de entrada e saída. Com isto, reduz-se também a ligação
entre os dois para a corrente de base / 8 • Observando as Figs. 4.2
e 4.3, podemos afirmar que a separação é certamente válida, uma
vez que, nas duas figuras, V cc está conectada diretamente a R 8 e
Rc.

Polarização Direta da Junção Base-Emissor

4.3 CIRCUITO COM POLARIZAÇÃO
FIXA
O circuito com polarização fixa da Fig. 4.2 serve como uma in-
trodução relativamente simples e direta para a análise de uma
polarização de do transistor. Embora o circuito empregue um
transistor npn, as equações e cálculos aplicam-se igualmente bem
para uma configuração com transistor pnp, bastando para isso
que se invertam os sentidos das correntes e polaridades das ten-
sões. Os sentidos das correntes da Fig. 4.2 são os sentidos reais,
e as tensões são definidas pela notação-padrão das duas letras
subscritas. Para a análise de, o circuito pode ser isolado dos ní-
veis ac indicados, substituindo-se os capacitores por um circui-
to-aberto equivalente. Além disso, a fonte de Vcc pode ser sepa-
rada em duas fontes (para efeito de análise somente), como
mostra a Fig. 4.3, a fim de permitir uma separação entre os cir-
Vcc
Considere inicialmente a malha mostrada na Fig. 4.4, que inclui
a tensão base-emissor. Escrevendo a equação das tensões de
Kirchhoff no sentido horário da malha, obtemos
+Vcc - IBRB - VBE =O
Observe a polaridade da queda de tensão através de R 8 , estabele-
cida pela direção indicada de 18 • Solucionando a equação para a
corrente / 8 , resulta no seguinte:
(4.4)
A Eq. (4.4) é fácil de se lembrar; basta observar que a corren-
te de base é a corrente através de R8 e que, pela lei de Ohm, a
corrente é a tensão através de R8 dividida pela resistência R8 • A
tensão através de R8 é a tensão Vcc aplicada menos a queda atra-
vés da junção base-emissor (V8E). Além disso, uma vez que a
tensão Vcc da fonte e a tensão V8 E entre a base e emissor são cons-
tantes, a escolha de um resistor de base, R8 , ajusta o nível da
corrente de base para o ponto de operação.

Malha Coletor-Emissor

Entrada L 8

sinal 0 ---1)1----------<:i----1
ac C1 B+
V8E - E
L_______,., Saída
- - - ~ sinal
C2 ac
A tensão coletor-emissor do circuito aparece na Fig. 4.5, com o
sentido da corrente Ic indicado, e a polaridade resultante através
de Rc. O valor da corrente do coletor está diretamente relaciona-
do a / 8 através de

(4.5)

É interessante observar que o valor de Ic não é função da

resistência Rc, já que a corrente de base é controlada por R 8 e
/ 0 esta relacionada a / 8 por uma constante {3. Modificando o

valor de Rc, o valor 18 ou Ic não será afetado, desde que o dis-

Fig. 4.2 Circuitos com polurizac;ào ri ,a.
positivo esteja na região ativa. Entretanto, como veremos, o
valor de Rc determinará o valor de VCE• que é um importante
parâmetro.
Vcc Vcc

~
RB

+
VcE
B+
VBE - E

'li'

Fig. 4.3 Equivalente de da Fig. 4.2. Fig. 4.4 Malha incluindo a junção base-emissor.
 Polarização DC- TBJ 105

voltímetro no coletor, e a ponta preta (negativa) no emissor, como

mostra a Fig. 4.6. Vc é a tensão do coletor para terra, e é medida da
forma mostrada na mesma figura. Neste caso, as duas leituras são idên-
ticas, mas nos próximos circuitos elas podem ser bem desiguais. Com-
+ preendendo claramente a diferença entre as duas medições, pode-se
· Vcc mostrar bastante útil na solução de problemas de circuitos com transistor.

EXEMPLO 4.1
Determine as seguintes quantidades para a configuração fixa da
Fig. 4.7.
(a) /Bti e Icº·
Fig. 4.5 Malha coletor-emissor. (b) VcEº.
(c) V8 e Yc.
(d) VBC·
Aplicando a lei das tensões de Kirchhoff no sentido horário
ao longo da malha indicada na Fig. 4.5, obtemos o seguinte: Vcc=+12V
VcE + IcRc - Vcc = O

e [ VcB= Vcc -lcRc (4.6)

1 Rc
Rs 2,2 kO
que expõe em palavras que a tensão entre coletor e emissor de C2
240k0 saída
um transistor, na configuração com polarização fixa, é a fonte (
de tensão menos a queda através de Rc.
Para uma breve revisão da notação adotada, observe que entrada-----)
C1
G. +\ IOµF
ac

ac VcE
IOµF
(4.7)

onde VcE é a tensão do coletor para o emissor, e Vc e VE são ten-

I
sões do coletor e emissor para terra, respectivamente. Mas neste
caso, uma vez que VE = O V, nós temos Fig. 4.7 Circuito com polarização de fixa para o Exemplo 4.1.

lvce= v_J (4.8)

Solução
Além disso, já que
Vcc - VnE 12 V- 0,7V
(4.9) (a) Eq. (4.4): /9 = - - - -
1 Vat =Va -_;..,_Vs j Q RB 240 k!l

e VE = O V, temos que = 47,0SµA

Eq. (4.5): lca = {3/8 º = (50)(47,08 µA)= 2,35
(4.10)
(b) Eq. (4.6): VcEa = Vcc - lcRc
Tenha em mente que os níveis de tensão, como, p. ex., VcE, são le- = 12 V - (2,35 mA)(2,2 k!l)
vantados na prática, colocando-se a ponta vermelha (positiva) do = 6,83 V
(e) Vn = VnE = 0,7 V
Vc Vc = VCE = 6,83 V
(d) Considerando a notação adotada, vem:
VBc = VB - Vc = 0,7 V - 6,83 V
= -6,13 V
com o sinal negativo revelando que a junção está reversamente
polarizada, como deveria ser para uma amplificação linear.

Saturação do Transistor
O termo saturação é aplicado a qualquer sistema onde os níveis
Fig. 4.6 Medição de Vce e Vc· alcançam seus valores máximos. Uma esponja saturada não con-
106 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Ic Ic

Icsa1.-

o o
(a) (b)

Fig. 4.8 Região de saturação (a) real (b) aproximada .

segue reter mais nenhuma gota de líquido. Para um transistor .---------<> VCC
operando na região de saturação, a corrente apresenta um valor
máximo para um projeto em particular. Modificando o projeto,
o correspondente nível de saturação pode aumentar ou diminuir.
É óbvio que o nível mais alto de saturação é definido pela máxi-
ma corrente de coletor, fornecida pela folha de especificações. +
As condições para saturação são normalmente evitadas por- Va=OV
que a junção base-coletor não está reversamente polarizada, e o
sinal amplificado na saída estará distorcido. Um ponto de opera-
ção na região de saturação é mostrado na Fig. 4.8a. Observe que
o ponto está em uma região onde as curvas características se
agrupam, e a tensão coletor-emissor apresenta um valor menor
ou igual a VcE,at· Além disso, a corrente de coletor é relativamen- Fig. 4.10 Determinando lesa, para uma configuração com polarização fixa.
te alta nesta região.
Se considerarmos as curvas da Fig. 4.8b como curvas aproxi-
madas para as da Fig. 4.8a, um método direto e rápido para a a corrente de coletor resultante. Em resumo, faça VcE = OV. Para
determinação do nível de saturação toma-se evidente. Na Fig. a configuração com polarização fixa da Fig. 4.1 O, o curto-circui-
4.8b, a corrente é relativamente alta, e assume-se que a tensão to foi aplicado, acarretando em uma tensão através de Rc igual à
VCE é zero volt. Aplicando a lei de Ohm, a resistência entre os tensão aplicada Vcc· A corrente de saturação reversa para a con-
terminais de coletor e emissor pode ser determinada como se figuração com polarização fixa:
segue:
VCE oV r-~ . .Vcc (
RcE=--=--=00
Ic Ic,., l ~w=Ji;;·/ (4.11)

Aplicando os resultados ao esquema do circuito, resulta na con-
figuração da Fig. 4.9.
Para o futuro, portanto, se houver necessidade imediata de se
conhecer a corrente de coletor máxima aproximada (nível de
saturação) para um projeto em particular, insira um curto-circui-
to equivalente entre o coletor e o emissor do transistor, e calcule
Uma vez conhecida Vesai, temos idéia da corrente máxima possível
de coletor para o projeto escolhido, e do nível que deve ser respei-
tado, se desejarmos uma amplificação linear do sinal de entrada.
EXEMPL04.2
Determine o nível de saturação para o circuito da Fig. 4.7.

Solução

I e,., - Vcc
- 12 V = 5 45 mA
RcE =0'2 - Rc 2,2k.O '
(VcE = OV, Ic = Icsa1.)

O projeto do Exemplo 4.1 resultou em IcQ = 2,35 mA, que

está distante do nível de saturação e é, aproximadamente, meta-
Fig. 4.9 Determinando lesa1· de do valor máximo para o projeto.
 Polarização DC - TBJ 107

lc (mA)

s- 50µA

,
7 -
40µA

6
30µA
5

~-----.P---QVCC
r
i lc
4
20µA

Rc 3 r
IOµA
2
+
r
! la=OµA
'r 1 1 1
o 5 t 10 15 VcE (V)
JCEO

[a) (b)

Fig. 4.11 Análise por reta de carga (a} o circuito (b} as curvas características do dispositivo.

Análise por Reta de Carga
A análise feita até então foi realizada utilizando um valor para
/3, correspondente ao ponto Q resultante. Investigaremos agora
como os parâmetros do circuito determinam o conjunto possível
de pontos Q, e como o ponto Q real é determinado. O circuito da
Fig. 4.11 a estabelece uma equação para a saída que relaciona as
variáveis Ice VcE da seguinte maneira:
Se agora escolhemos VcE igual a O V, que estabelece o eixo
vertical como a reta na qual o segundo ponto será definido, con-
cluímos que Ic é determinado pela seguinte equação:
O= Vcc - IcRc
e (4.14)

(4.12) como aparece na Fig. 4.12.

Ligando os dois pontos definidos pelas Eqs. (4.13) e (4.14), a
As curvas características de saída do transistor relacionam as linha reta estabelecida pela Eq. (4.12) pode ser desenhada. A li-
mesmas variáveis I e e VCE da forma mostrada na Fig. 4.11 b.
Em resumo, portanto, temos uma equação do circuito e um
conjunto de curvas que empregam as mesmas variáveis. A solu-
ção comum para ambos ocorre quando as condições estabeleci-
das em cada um são satisfeitas simultaneamente. Em outras pa-
lavras, isto é semelhante a achar a solução para duas equações
ao mesmo tempo: uma equação estabelecida pelo circuito e a
outra pelas curvas características do dispositivo.
As curvas características do dispositivo de Ic versus VcE são
fornecidas na Fig. 4.11 b. Devemos sobrepor a reta definida pela
Eq. (4.12) nas curvas. O método mais direto de traçar aEq. (4.12)
sobre as curvas características de saída, é utilizar o fato de uma
reta ser definida por dois pontos. Se escolhermos Ic igual a OmA,
estamos especificando o eixo horizontal como a reta na qual o
/
VcE=OV-
ponto está localizado. Substituindo Ic = O mA na Eq. (4.12),
achamos que
VCE = Vcc - (O)Rc
\·---~
~.P---------------~---i~
o VCE
e Vcs = Vcdic=O ÍM J (4.13)

definindo um ponto para a linha reta como mostra a Fig. 4.12. Fig. 4.12 Reta de carga para polarização fixa.
108 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

nha resultante no gráfico da Fig. 4.12 é chamada reta de carga,

já que é definida pelo resistor de carga Rc. Solucionando para o
valor resultante de IB, o ponto Q real pode ser estabelecido como
Vcc mostrado na Fig. 4.12.
Rc Se o nível de IB é modificado, variando-se o valor de R8 , o
ponto Q move-se sobre a reta de carga, como mostra a Fig. 4.13.
Vcc é mantido fixo, e Rc modificado, a reta de carga desloca-se
como mostrado na Fig. 4.14. Se 18 é mantido fixo, o ponto Q
irá mover-se como mostrado na mesma figura. Se Rc é fixo, e
Vcc variado, a reta de carga desloca-se como mostrado na Fig.
4.15.

EXEMPL04.3
Dada a reta de carga da Fig. 4.16 e o ponto Q definido, deter-
mine os valores exigidos de Vcc, Rc e R 8 para uma configura-
ção fixa.
Fig. 4.13 Movimento do ponto Q com valores crescentes de 18 •

Vcc
60µA
Ri
12 _ _ _ _ _ _ soµA

10

4
-----------------~~~~~IOµA
2
la=OµA
--~------------------------......~~
o 5 10 15 20 VcE
Fig. 4.14 Efeito do aumento no valor de Rc na reta de carga e no ponto Q.
Fig. 4.16 Exemplo 4.3.

Solução

Da Fig. 4.16,

VCE = Vcc = 20 V para lc = O mA

Vcc
lc =- - para VCE = OV
Rc

Rc = Vcc = 20 V = 2 kfi
Ic 10 rnA

I B = Vcc - VsE
__;:-=:,_--==-

Rs

Rs=
Vcc - VsE
=
20 V - O, 7 V = 77 n

Is 25 µA 2 ku
Fig. 4.15 Efeito da variação de Vcc na reta de carga e no ponto Q.
 Polarização DC - TBJ 109

4 .4 CIRCUITO DE POLARIZAÇÃO Agrupando os termos, fornece o seguinte:

ESTÁVEL DO EMISSOR -Is(R8 + (/3 + l)RE) + Vcc - V8 E= O
Multiplicando-se por ( -1), temos
O circuito de polarização de da Fig. 4.17 contém um resistor de
emissor para melhorar o nível de estabilidade da configuração ls(Ra + (/3 + l)RE) - Vcc + VBE = O
com polarização fixa. A melhoria da estabilidade será demons- com ls(R8 + (/3 + l)RE) = Vcc - V8 E
trada por meio de um exemplo numérico no fim da seção. A aná-
lise será realizada estudando-se primeiro a malha que inclui a e solucionando para 18 nos dá
tensão base-emissor, e depois utilizando os resultados para in-
vestigar a malha que inclui a tensão coletor-emissor.
(4.17)

Malha Base-Emissor Observe que a única diferença entre esta equação para / 8 e aque-
la obtida para a configuração com polarização fixa é o termo (/3
A malha base-emissor do circuito da Fig. 4.17 pode ser redese-
nhada da forma mostrada na Fig. 4.18. Escrevendo a lei das ten-
+ I)RE.
Um resultado interessante pode ser deduzido da Eq. (4.17),
sões de Kirchhoff ao longo da malha, no sentido horário, resulta se a equação for utilizada para esboçar um circuito série equiva-
na seguinte equação: lente, como mostrado na Fig. 4.19. Do circuito, solucionando para
+ Vcc - lifls - VBE - IERE =O (4.15) a corrente / 8 , o resultado é a mesma equação obtida acima. Ob-
serve que independente da tensão base-emissor V8 E, o resistor RE
Lembre do Cap. 3 que é refletido para o circuito de entrada multiplicado por um fator
IE = (/3 + I)IB (4.16) (/3 + 1). Em outras palavras, o resistor de emissor, que faz parte
da malha coletor-emissor, "aparece como" (/3 + l)RE na malha
Substituindo IE na Eq. (4.15), resulta base-emissor. Já que f3 é, normalmente, maior ou igual a 50, o
Vcc - l 8 R8 - VBE - (/3 + I)IIflE = O resistor de emissor corresponde a um valor muito maior no cir-
cuito de entrada. Em geral, portanto, para a configuração da Fig.
4.20,
Vcc
(4.18)

A Eq. (4.18) será muito útil na análise a seguir. Na verdade,

ela proporciona um modo mais fácil de lembrar da Eq. (4.17).
Ra Utilizando a lei de Ohm, sabemos que a corrente através de um

V;~o~~~)IJ-~-+-~~~--1
~
C1

Vcc

Fig. 4.17 Circuito de polarização do TBJ com resistor de emissor.

Fig. 4.19 Circuito derivado da Eq. (4.17).

Vcc

()

Fig. 4.18 Malha base-emissor. Fig. 4.20 Valor da impedância RE refletida.

11 O Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

sistema é a tensão dividida pela resistência do circuito. Para a +20V

malha base-emissor, a fonte resultante é Vcc - VnE· Os valores
de resistência são R8 mais RE multiplicado por (/3 + 1). O resul-
tado é a Eq. (4.17).

430 k'2 10 µF
Malha Coletor-Emissor
----1(--- Vo
A malha coletor-emissor está redesenhada na Fig. 4.21. Escre- toµF
vendo a lei das tensões de Kirchhoff para a malha indicada, no V; ---1)1~---+-----,
sentido horário, resulta em
+IERE + VCE + IcRc - Vcc = O

lk'2 r40µF

Fig. 4.22 Circuito para estabilidade da polarização do Exemplo 4.4.

(d) Vc. (f) VB.

(e) VE (g) Vsc·

Solução
(a) E . (4.17): I = Vcc - VnE
q 8 Rn + (/3 + l)RE
20 V - 0,7 V
= ------'----
Fig. 4.21 Malha coletor-emissor. 430 kfi + (51)(1 kfi)

= 19,3 V = 40 l A
Substituindo IE =lc, e agrupando os termos, vem 481 kfi ' µ
VCE - Vcc + lc(Rc + RE) = O (b) Ic = f3ln
= (50)(40,1 µA)
e (4.19)
= 2,01 mA
A notação VE indica uma tensão do emissor para a terra, e é de- (c) Eq. (4.19): VCE = Vcc - /c(Rc + RE)
terminada por = 20 V - (2,01 mA)(2 kfi + 1 kfi)
= 20 V- 6,03 V
(4.20)
= 13,97 V
enquanto que a tensão do coletor para a terra pode ser determi- (d) Vc = Vcc - IcRc
nada de
= 20 V - (2,01 mA)(2 kfi) = 20 V - 4,02 V
= 15,98 V
e (4.21) (e) VE = Vc - VcE
= 15,98 V - 13,97 V
ou (4.22) = 2,01 V
ou VE = IERE = IcRE
A tensão na base em relação à terra pode ser determinada de
= (2,01 mA)(l kfi)
(4.23) = 2,01 V
ou (4.24)
(f) Vn = + VE
VnE
= 0,7 V + 2,01 V
= 2,71 V
EXEMPL04.4 (g) Vnc = Vn - Vc
Para o circuito da Fig. 4.22, determine: = 2,71 V - 15,98 V
(a) 18 • (c) VCE. = -13,27 V (tensão reversa, como prevista)
(b) Ic.
 Polarização DC - TBJ 111

Melhoria na Estabilidade da Polarização Vcc

A inclusão do resistor de emissor ao circuito de polarização de

do TBJ proporciona uma melhoria na estabilidade do circuito;
isto é, mesmo ocorrendo modificações nas condições externas
(temperatura, beta do transistor), as correntes e tensões de per-
manecem próximas aos valores previamente estabelecidos. En- VcE=OV
quanto na Seção 4.12 é fornecida uma análise matemática, uma
comparação da melhoria atingida pode ser visualizada no Exem-
plo 4.5.

Fig. 4.23 Determinando lc,., para o circuito de

EXEMPL04.5 polarização estável do emissor.
Prepara uma tabela e compare as tensões e correntes de polari-
zação dos circuitos das Figs. 4. 7 e 4.22, para f3 = 50 e para f3 =
100. Compare as variações em fc e VcE para o mesmo aumento A inclusão do resistor de emissor reduz o nível de saturação do
de {3. coletor para um valor abaixo daquele obtido com uma configura-
ção com polarização fixa, utilizando o mesmo resistor de coletor.
Solução

Utilizando os resultados no Exemplo 4.1, e depois aproveitan-

do-os para o cálculo com f3 = 100, temos o seguinte: EXEMPL04.6
Determine a corrente de saturação para o circuito do Exemplo 4.4.

/3 Ic (mA) Solução
50 47,08 2,35 6,83 Vcc
100 47,08 4,71 1,64 lc... = _R_c_+_R_E_

A corrente de coletor do TBJ sofre um aumento de 100% devido 20 V 20 V

a uma variação de 100% no valor de {3. O valor de 18 permanece 2 kO. + 1 k.O. 3 k.O.
o mesmo, e VcE diminui 76%. = 6,67 mA
Utilizando os resultados calculados no Exemplo 4.4, e depois
repetindo-os para f3 = 100, resulta no seguinte: que é aproximadamente duas vezes o valor encontrado no Exem-
plo 4.4.
/3 lc (mA)

50 40,1 2,01 13,97

100 36,3 3,63 9,11 Análise por Reta de Carga

Agora a corrente de coletor do TBJ aumentou aproximadamente
81 %, devido a um aumento de 100% em /3. Observe que 18 dimi-
nui, impedindo que o valor de lc aumentasse muito - ou ao me-
nos reduzindo a variação total em fc devida à variação em {3. A
variação de VcE diminuiu aproximadamente 35% em relação à vari-
ação anterior. O circuito da Fig. 4.22 é, portanto, mais estável do
que o circuito mostrado na Fig. 4.7, para a mesma variação em {3.
A análise por reta de carga do circuito de polarização do emissor
é muito pouco diferente da análise para configuração com pola-
rização fixa. O valor de 18 , determinado pela Eq. (4.17), define o
valor de 18 nas curvas da Fig. 4.24 (indicado por l Ba ).
lc Fig. 4.24 Reta de carga para a configu-
ração de polarização do emissor.

Nível de Saturação
O nível de saturação do coletor ou corrente de coletor máxima
em um projeto de polarização pode ser determinado, utilizando-
se a mesma abordagem aplicada à configuração com polariza-
ção fixa: considere um curto-circuito entre os terminais de cole-
tor e emissor, como mostrado na Fig. 4.23, e calcule a corrente
de coletor resultante. Para a Fig. 4.23:

(4.25)
112 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Ic
A equação para a malha coletor-emissor que define a reta de
carga é a seguinte:
VcE = Vcc - Ic(Rc + RE)
Fazendo Ic = O mA, resulta

(4.26)

como obtido para a configuração com polarização fixa. Fazendo

VcE = OV, dá

(4.27)

como mostrado na Fig. 4.24. Diferentes valores de I Bo moverão, o

é claro, o ponto Q ao longo da reta de carga.

4.5 POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE
TENSÃO
Nas configurações anteriores de polarização, a corrente Icº e ten-
são VcE de polarização eram funções do ganho de corrente (/3)
do transistor. Entretanto, uma vez que f3 é sensível à temperatura,
principalmente em transistores de silício, e o valor exato de beta
normalmente não é bem definido, seria desejável desenvolver um
circuito de polarização que seja menos vulnerável, ou seja, inde-
pendente do beta do transistor. A configuração de polarização por
divisor de tensão da Fig. 4.25 representa um circuito com estas
características. Uma análise adequada revelará que a suscetibili-
dade às variações de beta é bem pequena. Se os parâmetros do
circuito forem escolhidos apropriadamente, os níveis resultantes
de I e e VCEQ podem ser quase que totalmente independentes de
Q
Fig. 4.26 Definindo o ponto Q para a configuração de polarização do divisor de
tensão.
para a escolha deste nome para a configuração se t~mará óbvia
na análise a seguir. O primeiro tópico a ser demonstrado é o
método exato, que pode ser aplicado a qualquer divisor de ten-
são. O segundo refere-se ao método aproximado, e só pode ser
utilizado se condições específicas forem satisfeitas. Uma abor-
dagem aproximada permite uma análise mais direta com econo-
mia de tempo e energia. Para o projeto, é particularmente útil que
este seja abordado em uma seção posterior. Em resumo, o méto-
do aproximado pode ser aplicado à maioria das situações e, por-
tanto, deve ser examinado com o mesmo interesse dedicado ao
método exato.

beta. Lembre das discussões anteriores que um ponto Q é definido

Por um nível fixo de IcQ e VcEQ , como mostra a Fig. 4.26. O valor
de IBQ será modificado com a variação de beta, mas o ponto de
operação nas curvas, definido por I eº e VcEil , pode permanecer
fixo se forem empregados parâmetros do circuito apropriados.
Como observado acima, há dois métodos que podem ser apli-
cados para analisar a configuração de divisor de tensão. A razão
Análise Exata
O circuito de entrada do circuito da Fig. 4.25 pode ser redese-
nhado como mostra a Fig. 4.27 para a análise de. O circuito equi-
valente de Thévenin para o circuito à esquerda do terminal da
base pode ser determinado da seguinte maneira:
RTh: A fonte de tensão é substituída por um curto-circuito
equivalente, como mostra a Fig. 4.28.

Vcc [riJ~R1URD (4.28)

R1
( o v.
C2
V; o )
C1

R2

Thévenin

Fig. 4.25 Configuração de polarização por divisor de tensão. Fig. 4.27 Redesenhando o circuito de entrada da Fig. 4.25.
 Polarização DC - TB] 113

que é exatamente igual à Eq. (4.19). As equações restantes para

VE, Vc e V8 também são obtidas da mesma forma.

EXEMPL04.7
Fig. 4.28 Determinando RT,,. Determine a tensão VCE e a corrente lc de polarização de para a
configuração do divisor de tensão da Fig. 4.31.

ETh: A fonte de tensão Vcc retoma ao circuito, e a tensão Thévenin +22 V

de circuito-aberto da Fig. 4.29 é determinada como se segue:
Aplicando a regra do divisor de tensão:

E .··= V = .· R2V
.·. CC (4.29)
Th R, Ri+ R2 39kQ lOµF
----t(t---- Vo
O circuito de Thévenin é, portanto, redesenhado conforme Fig. 4.30, lOµF
e I ªº pode ser determinado aplicando-se inicialmente a lei das ten- V;----t)l~--+-------4
sões de Kirchhoff, no sentido horário, para a malha indicada:
ETh - l,}?Th - VBE - lERE =o
3,9kQ
Substituindo /E= (/3 + l)la, e solucionando para la, vem
l50µF

Fig. 4.31 Circuito estável com relação à beta do Exemplo 4.7.

Embora a Eq. (4.30) se mostre diferente das equações desen-
volvidas antes, observe que o numerador representa novamente
uma diferença entre dois níveis de tensões, e o denominador re- Solução
presenta urna resistêcia de base mais o resistor de emissor multi- Eq. (4.28): RTh = R1IIR2
plicado por (/3 + 1)-certamente muito semelhante àEq. (4.17).
Uma vez conhecido la, as quantidades restantes do circuito = (39 kf2)(3,9 kfl) = 3 55 kfl
podem ser determinadas do mesmo modo que foram para a con- 39 kfl + 3,9 kfl '
figuração de polarização do emissor. Ou seja,
_ R2Vcc
E Th-
Eq. (4.29):
(4.31) R1 +R2
(3, 9 kf2)(22 V)
39 kfl + 3,9 kfl =2V
Eq. (4.30): l = ETh - VBE
B RTh + (/3 + l)RE
2 V- 0,7 V
3,55 kfl + (141)(1,5 kn)
1,3 V
3,55 kfl + 211,5 kfl
Fig. 4.29 lktcnni11a11d11 L, .
= 6,05 µA
lc = f31B
= (140)(6,05 µA)
= 0,85 mA
Eq. (4.31): VCE = Vcc - lc(Rc + RE)

I~ = 22 V -
= 22 V -
(0,85 mA)(lO kfl
9,78 V
+ 1,5 kfl)

= 12,22 V
Fig. 4.30 Inserindo o circuito equivalente ,k Thévenin.
 114 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Análise Aproximada Observe na seqüência dos cálculos, da Eq. (4.33) até a Eq.
(4.37), que beta não aparece, e ln não é calculado. O ponto Q .
A seção de entrada do divisor de tensão pode ser representada (determinado por I eQ e VcEQ ) é, portanto, independente do valor
pelo circuito da Fig. 4.32. A resistência R; é a resistência equiva- de beta.
lente vista da base para a terra, para o transistor com um resistor
de emissor RE. Lembre da Seção 4.4 [Eq. (4.18)] que a resistên-
cia entre a base e o emissor é definida por R; = (/3 + 1)RE. Se R;
é muito maior do que a resistência R 2, a corrente ln será muito
EXEMPL04.8
menor do que 12 (a corrente procura sempre o caminho de menor Repita a análise da Fig. 4.31 utilizando a técnica aproximada e
resistência), e 12 será aproximadamente igual a / 1• Se aceitarmos compare as soluções para I eQ e VcEQ .
a aproximação que ln é desprezível em relação a / 1 ou / 2, então / 1
= / 2 e R, e R2 podem ser considerados elementos em série. A Solução
tensão através de R2, que é, na verdade, a tensão de base, pode
ser determinada pela aplicação da regra do divisor de tensão (daí Verificando:
o nome para a configuração) ou seja,
f3RE 2::: lOR2
(4.32) (140)(1,5 k!l) 2::: 10(3,9 k!l)
210 k!l 2::: 39 k!l (satisfeito)
Uma vez que R; = (/3 + l)RE = f3RE, a condição que determi-
R2Vcc
na se o método aproximado pode ser aplicado é a seguinte: Eq. (4.32): VB = -=--=~
Ri+ R2
(4.33) (3, 9 k.{})(22 V)
39 k!l + 3,9 k!l
Em outras palavras, se o valor de beta multiplicado por RE é no
máximo 10 vezes maior do que o valor de R2, o método aproxi- =2V
mado pode ser aplicado, obtendo-se um alto grau de precisão nos
resultados. Observe que o valor de Vn é igual ao valor encontrado para
Uma vez determinado Vn, o valor de VE pode ser calculado de ETo no Exemplo 4.7. Em resumo, portanto, a diferença principal
entre as técnicas exata e aproximada é o efeito de RTh na análise
(4.34) exata, que toma diferente ETh de Vn

e a corrente de emissor pode ser determinada de Eq. (4.34): VE = VB - VBE

= 2 V - 0,7 V
(4.35) = 1,3 V
Ve 1,3 V
e (4.36) lcQ = IE = RE = l, 5 k!l = 0,867 mA

A tensão coletor-emissor é determinada por valor próximo a 0,85 mA obtido pela análise exata. Finalmente,

VcE = Vcc - lcRc - IERE VcEQ = Vcc - Ic(Rc + RE)

mas já que /E= Ic, = 22 V - (0,867 mA)(lO k!l + 1,5 k!l)
lVáQ ""'v'cc - Ic(RC + R0J (4.37)
= 22 V - 9,97 V
= 12,03 V
versus 12,22 V encontrado no Exemplo 4.7.
Os resultados para IcQ e VCEQ são certamente próximos, e
1,~ R, considerando a variação real nos valores dos parâmetros, po-

1
+ dem ser considerados tão precisos quanto os outros. Quanto
_..
/B
maior o valor de R; em relação a R 2 , mais se assemelham as
Voc
+ soluções exata e aproximada. O Exemplo 4.1 O irá comparar as

12~ R2
t R; R;»R 2
soluções em um nível bem abaixo das condições estabelecidas
pela Eq. (4.33).
VB
(/1 =/2)
l
EXEMPL04.9
Fig. 4.32 Circuito parcial de polarização para o cálculo da tensão aproximada de Repita a análise exata do Exemplo 4.7 com f3 reduzido para 70,
base V8 • e compare as soluções para Iea e VcEo.
 Polarização DC - TB] 115

Solução ximada, e compare as soluções. Neste caso, a condição da Eq.

(4.33) não será satisfeita, mas os resultados revelarão a diferen-
Este exemplo não é uma comparação entre os métodos exato e ça na solução, se o critério da Eq. (4.33) for ignorado.
aproximado, mas sim um teste de quanto o ponto Q se move se
f3 é reduzido pela metade. RTh e ETh são os mesmos: Solução

Análise Exata:
RTh = 3,55 kO, ETh =2V
Eq. (4.33): f3RE 2::: lOR2
~=
ETh - VBE
~~~~~-
RTh + (/3 + ORE (50)(1,2 kfi) 2::: 10(22 kfi)

2 V - 0,7 V 1,3 V 60 kü ?/. 220 kü (não satisfeito)

3,55 kü + (71)(1,5 kü) 3,55 kü + 106,5 kü RTh = R1IIR2 = 82 küll22 kü = 17,35 kü
= 11,81 µA 22 kü(18 V) = 3 81 V
IcQ = f3IB 82 kü + 22 kü '

= (70)(11,81 µA) I - ETh - VBE 3,81 V- 0,7 V

e
B - RTh + (/3 + l)RE 17,35 kü + (51)(1,2 kÜ)
= 0,83 mA
3,11 V
VcEQ = Vcc - Ic(Rc + RE)
78,55 kü
= 22 V - (0,83 mA)(lO kü + 1,5 kü)
= 39,6 µA
= 12,46 V
IcQ = /318 = (50)(39,6 µA)= 1,98 mA
Tabulando os resultados, temos: VcEQ = Vcc - Ic(Rc + RE)
= 18 V - (1,98 mA)(5,6 kü + 1,2 kfi)
/3
= 4,54 V
140 0,85mA 12,22 V
70 0,83mA 12,46 V Análise Aproximada:

VB = ETh = 3,81 V
Os resultados mostram claramente a não-suscetibilidade do cir-
cuito a variações em {3. Embora f3 seja drasticamente reduzido VE = VB - VBE = 3,81 V - 0,7 V= 3,11 V
pela metade, de 140 para 70, os valores de IcQ e VcEQ são essen-
cialmente os mesmos. VE 3,11 V
Ic
Q
= IE = -RE = 1,2 kfi
= 2 ' 59 mA

EXEMPLO 4.10 VcEQ = Vcc - Ic(Rc + RE)

Determine os valores de I eª e VCEQ para a configuração com = 18 V - (2,59 mA)(5,6 kü + 1,2 kfi)
divisor de tensão da Fig. 4.33, utilizando as técnicas exata e apro-
= 3,88 V
18V Tabulando os resultados, temos:

5,6k0
Exato l,98mA 4,54 V
82k0
fc 10 µF Aproximado 2,59mA 3,88V
Q ( O Vo

V; o ) Vc1,Q
Os resultados revelam a diferença entre as soluções exata e apro-
lOµF ximada. IcQ é cerca de 30% maior na solução aproximada, en-
quanto VcEQ é mais ou menos 10% menor. Em geral, os resulta-
22k0
dos são diferentes, mas considerando que f3RE é apenas três ve-
zes maior do que R2 , os resultados podem ser considerados acei-
táveis. No futuro, entretanto, nossa análise será ditada pela Eq.
(4.33) para assegurar a semelhança entre as soluções exata e
aproximada.
Fig. 4.33 Configuração com divisor de tensão para o Exemplo 4.10.
116 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Saturação do Transistor do-se inicialmente a malha base-emissor, e depois utilizando os

resultados para investigar a malha coletor-emissor.
O circuito de saída coletor-emissor para a configuração com
divisor de tensão tem a mesma aparência do circuito com emis- Malha Base-Emissor
sor polarizado analisado na Seção 4.4. A equação resultante para
a corrente de saturação (quando VcEº é ajustado para zero volt) A Fig. 4.35 mostra a malha base-emissor para a configuração com
é, portanto, a mesma obtida para a configuração com emissor realimentação de tensão. Escrevendo a lei das tensões de Kirch-
polarizado. Ou seja, hoff ao longo da malha indicada, no sentido horário, resulta em
Vcc - lé:Rc - lnRn - VnE - IERE =O
(4.38) É importante observar que a corrente através de Rc não é lc,
masl'c (ondel'c = lc + Is). Entretanto, o valor de lcel'c é muito
maior do que o valor usual de Is, podendo-se empregar a aproxi-
Análise por Reta de Carga =
mação l'c = lc. Substituindo-se l'c lc = {318 e IE lc, resulta =
em
As semelhanças com o circuito de saída da configuração com
divisor de tensão provocam interseções iguais para a reta de car- Vcc - f3IBRc - IBRs - VBE - f3lsRE =O
ga desta configuração. A reta de carga apresentará, portanto, o Juntando os termos, temos
mesmo aspecto mostrado na Fig. 4.24, com
Vcc - VsE - f3IB(Rc + RE) - lsRs =O
e solucionando para Is, vem
(4.39)

e \ !(
O valor de Is, para as configurações com divisor de tensão e
emissor polarizado, é obviamente determinado por equações dis-
tintas.
4.6 POLARIZAÇÃO DC COM
REALIMENTAÇÃO DE TENSÃO
Consegue-se obter uma melhoria na estabilidade do circuito in-
troduzindo-se uma realimentação de coletor para a base, confor-
me Fig. 4.34. Embora o ponto Q não seja totalmente indepen-
dente de beta (mesmo sob condições aproximadas), a suscetibi-
lidade a variações com beta ou na temperatura é normalmente
menor do que a percebida para as configurações com divisor de
tensão e emissor polarizado. A análise será refeita, consideran-
(4.41)
(4.40)
O resultado acima é extremamente interessante, já que o for-
mato é muito parecido com as equações Is obtidas nas configu-
rações anteriores. O numerador é novamente a diferença entre
tensões disponíveis, enquanto o denominador é a resistência de
base mais os resistores de coletor e emissor refletidos por beta.
Em geral, portanto, a realimentação resulta na reflexão da resis-
tência Rc para o circuito de entrada, assim como da resistência
RE.
Em geral, a equação para /8 teria o seguinte formato:
V'
IB=----
Rn + {3R'
com a ausência de R' para a configuração com polarização fixa,
R' = RE para a estrutura com emissor polarizado (com (/3 + 1)
= /3), e R' = Rc + RE para o circuito com realimentação do co-
letor. A tensão V' é a diferença entre dois níveis de tensão.

Vcc
+
Rc
ilc'
+
(· oVc.,

G
Rs c2 )ic

V; O ) ~ +
VCE
Vcc B

C1

RE

Fig. 4.34 Circuito de polarização de com realimentaçiío de tensão. Fig. 4.35 Malha base-emissor para o circuito da Fig. 4.34.
 Polarização DC - TBJ 117

Uma vez que Ic = {318 , IOV

{3V'
1 -----
CQ - RB + {3R'
Em geral, quanto maior o produto {3R 'em relação a R8 , menor é --A.,,...,.. _ _.__ ___.~ v,J
a suscetibilidade de I ca a variações em beta. Obviamente, se {3R' IOµF
JS:> R8 e R8 + {3R' ={3R ', temos Vi~l----4---_;;.,.

(3V' (3V' V' IOµF

IcQ = RB + (3R' = (3R' = R'
que Ica é independente do valor de beta. Já que R' é tipica-
mente maior para a configuração com realimentação de ten-
são do que para a configuração com emissor polarizado, a sus-
cetibilidade a variações em beta é menor para a primeira. Ob-
Fig. 4.37 Circuito para o Exemplo 4.11.
viamente, R' é zero ohm para a configuração com polarização
fixa e, portanto, esta configuração é muito sensível a variações
em beta.
Solução
Malha Coletor-Emissor
_
IB- Vcc - VBE
A malha coletor-emissor para o circuito da Fig. 4.34 está mos- Eq. (4.41):
RB + (3(Rc + RE)
trada na Fig. 4.36. Aplicando a lei das tensões de Kirchhoff ao
longo da malha indicada, no sentido horário, resulta em =-------....:_
10 V - 0,7____
V _
IERE + VCE + IcRc - Vcc = o 250 kfi + (90)(4,7 kfi + 1,2 kfi)
9,3 V 9,3 V
= ---'-----
250 kfi + 531 kfi 781 kfi
= 11,91 µA
Ic0 = {318 = (90)(11,91 µA)
= 1,07 mA
VcEQ = Vcc - Ic(Rc + RE)
= 10 V - (l,07 mA)(4,7 kfi + 1,2 kfi)
= 10 V - 6,31 V
= 3,69 V

EXEMPLO 4.12
Repita o Exemplo 4.11, utilizando um beta de 135 (50% maior
Fig. 4.36 Malha coletor-emissor para o circuito da Fig. 4.34.
do que no Exemplo 4.11).

Solução

É importante observar na solução para 18 do Exemplo 4.11 que

Uma vez que I'c =Ice /E= Ic, temos o segundo termo no denominador da equação é maior do que
Ic(Rc + RE) + VcE - Vcc = o o primeiro. Lembre de uma discussão recente, que quanto maior
for o segundo termo em relação ao primeiro, menor é a susce-
e (4.42) tibilidade a variações em beta. Neste exemplo, o valor de beta
é aumentado em 50%, elevando ainda mais a diferença do se-
que é exatamente o resultado obtido para as configurações do gundo termo para o primeiro. Nesses exemplos, portanto, é
emissor polarizado, e polarização por divisor de tensão. mais importante observar que, se o segundo termo for relati-
vamente maior comparado ao primeiro, a suscetibilidade a
variações em beta é significativamente menor.
Solucionando para 18 , dá
EXEMPLO 4.11
Determine os níveis quiescentes de Ica e Vcea para o circuito da I B -_ Vcc- VBE
Fig. 4.37. Rs + f3(Rc + RE)
 118 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

10 V - 0,7 V 18 V- 0,7 V
250 kO. + (135)(4,7 kO. + 1,2 kO.) (91 kO. + 110 kü.) + (75)(3,3 kO. + 0,51 kO.)
9,3 V 17,3 V 17,3 V
=
250 kO. + 796,5 k:O.
~~~~~~~-

201 kO. + 285,75 kO. 486,75 kO.

9,3 V = 35,5 µA
1046,5 kO.
= 8,89 µ,A
Ic = f3IB
= (75)(35,5 µA)
e IcQ = f3IB
= 2,66 mA
= (135)(8,89 µA)
= 1,2mA Vc = Vcc - lcRc = Vcc - lcRc
= 18 V - (2,66 rnA)(3,3 kO.)
com VcEQ = Vcc - Ic(Rc + RE)
= 18 V - 8,78 V
= 10 V - (1,2 rnA)(4,7 kO. + 1,2 kO.)
= 9,22 V
= 10 V - 7,08 V

= 2,92 V

Apesar do fato de o valor de f3 ter aumentado em 50%, o va- Condições de Saturação

lor de IcQ foi aumentado apenas em 12,1 %, enquanto o valor de
VCEQ diminuiu aproximadamente 20,9%. Se o circuito fosse pro-
jetado com polarização fixa, um aumento de 50% em f3 resulta-
ria em um aumento de 50% em IcQ, e conseqüentemente em uma
dramática mudança na posição do ponto Q.
Utilizando a aproximação I' e= lc, a equação para a corrente de
saturação é a mesma obtida para as configurações com divisor
de tensão e emissor polarizado. Ou seja,

(4.43)
EXEMPLO 4.13
Determine o nível de de / 8 e Vc para o circuito da Fig. 4.38.
Análise por Reta de Carga
Solução
Prosseguindo com a aproximação I' e = lc, obtemos a mesma reta
Neste caso, a resistência de base para a análise de é composta de de carga das configurações com divisor de tensão e emissor po-
dois resistores com um capacitor conectado para terra. No modo
larizado. O valor de I 8 Q será definido pela escolha da configura-
de, o capacitor assume o circuito aberto equivalente, e R8 = R 1
. + R2. ção de polarização .
Solucionando para / 8 , dá
4.7 CONFIGURAÇÕES MISTAS DE
POLARIZAÇÃO
Há várias configurações de polarização de TBJ que não se en-
18V
quadram nos modelos básicos analisados nas seções anteriores.
Na verdade, existem variações no projeto que exigiriam muito
3,3 kQ
mais páginas do que o aceitável em um livro desta natureza.
JOµF Entretanto, o objetivo principal aqui é enfatizar as característi-
.--~,v-,.,.._-.-_,.,~~---<.._---1(-----ovo cas do dispositivo que permitam uma análise de da configura-
ção, e estabelecer um procedimento geral que vise a solução do
problema. Para cada configuração discutida até o momento, a
lOµF
primeira etapa tem sido a obtenção de uma expressão para a cor-
V; o------Jr---..------~~\;•;\i\ rente de base. Uma vez conhecida a corrente de base, a corrente
de coletor e os níveis de tensão do circuito de saída podem ser
determinados diretamente. Isto não implica que todas as soluções
seguirão este caminho, mas sugere uma alternativa possível, caso
pareça uma nova configuração.
O primeiro exemplo trata de um circuito onde o resistor de
emissor foi retirado da configuração com realimentação de ten-
são da Fig. 4.34. A análise é muito semelhante, mas considera-
Fig. 4.38 Circuito para o Exemplo 4.13. se a ausência de RE na equação.
 Polarização DC - TBJ 119

EXEMPLO 4.14
Para o circuito da Fig. 4.39:
(a) Determine IcQ e VcEº.
(b) Determine V8 , Vc, VE e Vnc·
IOµF
C1
Vcc =20V V; O>-----<)t--~----j
10 µF

R8 IOOkO
IOµF
.--"'V"'r------tf----o \'1>

10 µF
Vi o-----)1----+-----i Fig. 4.40 Exemplo 4.15.
C1

Solução

Fig. 4.39 Realimentação de coletor com RE = on. Aplicando a lei das tensões de Kirchhoff no sentido horário, para
a malha base-emissor, resulta em
-laRB - VaE + VEE = O
Solução
VEE - VaE
]B=----
(a) A ausência de RE diminui o valor da resistência refletida. RB
Considere-se somente Rc e a equação para 18 fica reduzida a
Substituindo
9 V - 0,7 V
Vcc - VaE Ia= 100 kfi
Ia=
Ra + f3Rc
8,3 V
20 V - 0,7 V 19,3 V
lOOkfi
680 kfi + (120)(4, 7 kfi) 1,244 Mfi
= 83 µA
= 15,51 µA
IcQ = f3la = (120)(15,51 µA) Ic = f3Ia
= 1,86 mA = (45)(83 µA)
VcEQ = Vcc - lcRc = 3,735 mA
= 20 V - (1,86 mA)(4,7 kfi) Vc = -IcRc
= 11,26 V = -(3,735 mA)(l,2 kfi)
Va = VaE = 0,7 V = -4,48 V
Vc = VcE = 11,26 V Va = -IaRa
VE=OV
= -(83 µA)(lOO kfi)
VBC = Va - Ve = O, 7 V - 11, 26 V
= -10,56 V = -8,3 V

O próximo exemplo emprega um circuito normalmente cha-

No próximo exemplo, a tensão de é aplicada diretamente ao
terminal de emissor, e Rc é conectada à terra. Inicialmente, esta
configuração pode parecer pouco ortodoxa e bem diferente das
estudadas até agora, mas a aplicação da lei das tensões de Kirch-
hoff ao circuito de base nos dará a corrente de base.
mado seguidor de emissor. Quando este mesmo circuito for ana-
lisado no modo ac, descobriremos que os sinais de entrada e sa-
ída estão em fase (um seguindo o outro), e a tensão de saída é
ligeiramente menor do que o sinal aplicado. Para a análise de, o
coletor está aterrado, e a tensão da fonte aplicada ao emissor.

EXEMPLO 4.15 EXEMPLO 4.16

Determine Vc e V8 para o circuito da Fig. 4.40. Determine VcEº e IE para o circuito da Fig. 4.41.
120 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

C1 V; o-o---t)t----..---,
V; o----l)lr---.----J
IOµF 2,4kn
C2
Rs 240kQ
-----11(---0 V 0 .

10 µF 4V lOV

VEE -20V
Fig. 4.42 Configuração base-comum.
Fig. 4.41 Configuração coletor-comum ( seguidor de emissor).

Solução
EXEMPLO 4.17
Aplicando a lei das tensões de Kirchhoff ao circuito de entrada, Determine a tensão Vcs e a corrente I8 para a configuração base-
resulta em comum da Fig. 4.42.

-IBRB -- VBE - IERE + VEE = o Solução

mas h = (/3 + l)IB Aplicando a lei das tensões de Kirchhoff ao circuito de entrada,
e VEE -- VBE -- (/3 + l)l~E -- I~B =o fornece
I - VEE -- VBE
com B - RB + (/3 + 1)RE -VEE + IERE + VBE = o
Substituindo os valores, vem VEE -- VBE
IE=----
RE
20 V -- 0,7 V
1B = 240 kO Substituindo valores, obtemos
+ (91)(2 kfi)
4 V -- 0,7 V
19,3 V 19,3 V h = 1,2 kfi = 2,75 mA
240 kfi + 182 kfi 422 kfi
Aplicando a lei das tensões de Kirchhoff ao circuito de saída,
= 45,73 µ,A resulta
Ic = /3IB
= (90)(45,73 µ,A) -- VcB + IcRc -- Vcc = O
= 4,12 mA VcB = Vcc -- IcRc com Ic ~ /E

Aplicando a lei das tensões de Kirchhoff ao circuito de saída, temos

= 10 V - (2,75 mA)(2,4 kfi)
= 3,4V
-VEE + hRE + VCE = o lc
mas h = (/3 + l)IB JB = f3
e VCEQ = VEE -- (/3 + l)l~E 2,75 mA
= 20 V -- (91)(45, 73 µA)(2 kfi) 60

= 11,68 V = 45,8 µA
h = 4,16mA

O Exemplo 4.18 emprega duas fontes de tensão, e exige a

aplicação do teorema de Thévenin para a determinação dos pa-
râmetros do circuito.
Todos os exemplos até então empregam uma configuração
emissor-comum ou coletor-comum. No próximo exemplo, estu-
daremos a cofiguração base-comum. Nesta situação do circuito
de entrada determinaremos IE ao invés de / 8 • Da análise do cir- EXEMPLO 4.18
cuito de saída determinaremos a corrente de coletor. Determine Vc e V8 para o circuito da Fig. 4.43.
 Polarização DC- TBJ 121

Ri 8,2 kQ C2
( oV0

C1 10 µF
B
\.'; o ) jj;;,120
VEE =-20V
IOµF
Fig. 4.46 Substituindo pelo circuito equivalente de Toévenin.
R2 2,2 kíl

O circuito pode, portanto, ser redesenhado como na Fig. 4.46,

onde a aplicação da lei das tensões de Kirchhoff resulta em
-ETh - IBRTh - VBE - IERE + VEE = o
Fig. 4.43 Exemplo 4.18.
Substituindo /E= ({3 + l)/8 , dá
VEE - ETh - VBE - (/3 + 1)/BRE - IBRTh = o
VEE - ETh - VBE
RTh + (/3 + l)RE
20 V - 11,53 V - O, 7 V
1,73 k!l + (121)(1,8 k!l)
7,77 V
219,53 k!l
= 35,39 µA
Fig. 4.44 Determinando RTh·
Ic = f3/B
= (120)(35,39 µA)
= 4,25 mA
Vc = Vcc - IcRc
= 20 V - (4,25 mA)(2,7 k!l)

= 8,53 V
VB = -ETh - IBRTh
= -(11,53 V) - (35,39 µA)(l.73 k!l)
= -11,59 V
Fig. 4.45 Determinando ETh.

Solução 4.8 PROCEDIMENTOS DE PROJETO

A resistência e tensão da Thévenin são determinadas para o circuito
à esquerda do terminal de base, como mostrado nas Figs. 4.44 e 4.45. As discussões até o momento concentram-se em circuitos previ-
amente estabelecidos. Todos os elementos da configuração es-
RTh = 8,2 küll2,2 k!l = 1,73 k!l tavam determinados, e tratamos somente de levantar os valores
de tensão e corrente. Em um projeto, a corrente e/ou tensão de-
Eni: 1 = Vcc + VEE _ 20 V+ 20 V 40V vem ser especificados, e os elementos escolhidos de tal forma
R1 + R2 - 8,2 kfi + 2,2 k!l 10,4 k!l que atenda às determinações. O processo de síntese exige um
= 3,85 mA claro entendimento das características do dispositivo, das equa-
ções básicas para o circuito, e uma firme compreensão das leis
ETh = IR2 - VEE básicas que regem a análise do circuito, como a lei de Ohm, a lei
= (3,85 mA)(2,2 k!l) - 20 V das tensões de Kírchhoff, e assim por diante. Na maioria das si-
tuações, o projeto toma-se um desafio maior do que a seqüência
= -11,53V de análise. O caminho em direção à solução está menos definido,
122 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

e na verdade pode exigir que várias suposições sejam feitas. Para Vcc - VBE
o processo de análise do circuito, isto normalmente não ocorre. com RB = ____.;...;;.__~
IB
A seqüência de projeto é obviamente sensível a componentes
que já foram especificados e a elementos que serão determina- 20 V- 0,7 V 19,3 V
dos. Se o transistor e fontes são especificados, o projeto ficará 40 µA 40µ.A
reduzido simplesmente à determinação dos resistores. Uma vez
determinados os valores teóricos dos resistores, o valor comer- = 482,5 kO
cial mais próximo é adotado. Qualquer variação dos parâmetros Valores comerciais de resistores:
do circuito (corrente, tensão) devido a esta diferença deve ser Rc = 2,4k0
aceita como parte do projeto. Esta aproximação é seguramente R8 = 470k0
válida, considerando-se as tolerâncias normalmente associadas
aos elementos resistivos e os parâmetros do transistor. Utilizando os valores comerciais de resistores, resulta
Se valores pararesistores devem ser determinados, uma das equa- 18 = 41,1 µ.A
ções mais poderosas a ser utilizada é a lei de Ohm, da seguinte forma:
que está dentro da faixa de tolerância de 5% do valor especifica-
do.
(4.44)

Em um projeto particular, a tensão através de um resistor pode EXEMPLO 4.20

ser normalmente determinada por meio de níveis especificados. Dado que IcQ = 2 mA e VcEQ = 10 V, determine R 1 e Rc para o
Se especificações adicionais definem o valor da corrente, a Eq. circuito da Fig. 4.48.
(4.44) pode então ser utilizada para calcular o valor exigido de
resistência. Os primeiros exemplos demonstrarão como elemen-
tos particulares podem ser determinados a partir das especifica- 18V
ções. Um conjunto completo de procedimentos de projeto será,
então, introduzido para duas configurações populares.

R1 lOµF
EXEMPLO 4.19 ( OV0
lOµF
Dada a curva característica do dispositivo da Fig. 4.47a, deter-
mine Vcc, R8 e Rc para a configuração com polarização fixa da
V; O )
Fig. 4.47b.
18 Ul
lc (mA) Vcc

Fig. 4.48 Exemplo 4.20.

Solução

20V VcE VE = IERE == lcRE

= (2 mA)(l,2 kO) = 2,4 V
(a) (b) VB = VBE + VE = 0,7 V+ 2,4 V= 3,1 V

Fig. 4.47 Exemplo 4.19. V = R2Vcc =3 1V

B R1 + R2 ,
Solução
(18 k0)(18 V) = 3 l V
Da reta de carga R 1 + 18 k!l '
Vcc = 20 V
e
324 k!l = 3,1R 1 + 55,8 kO
Ic= Vccl
Rc VcE=O V 3,1R 1 = 268,2 k!l
Vcc 20 V
e Rc = - = - - = 2 , 5 kO Ri = 268 ' 2 k!l = 86 52 kfi
Ic 8 mA 3,1 '
Vcc - VBE VR Vcc - Vc
IB=---~ Eq. (4.44): Rc=~=----
RB Ic Ic
 Polarização DC - TBJ 123

com Vc = VcE + VE = 10 V+ 2,4 V= 12,4 V V: - V

RB = CC I BE - (/3 + 1)RE
18 V - 12,4 V Ba
Rc = _ _2_m_A_ _
e = 28 V - 0,7 V _ (lll)(l kO)
= 2,8 kO
36,36 µ,A
com 27,3 V
Os valores comerciais mais próximos a R 1 são 82 kO e 91 kO. 36,36 µ,A - ll l kO
Entretanto, utilizando a combinação em série dos valores comer-
ciais 82 kO e 4,7 kO = 86,7 kO resulta em um valor muito pró-
= 639,8 kO
ximo ao valor de projeto.
Para valores comerciais:
Rc = 2,4k0
EXEMPLO 4.21 RE = 1 kO
A configuração de emissor polarizado da Fig. 4.49 possui as se-
RB = 620 kO
guintes especificações: Icº = ticsat• Icsat = 8 mA, Vc = 18 V, e
f3 = 110. Determine Rc, RE e R8 •

O próximo assunto introduzirá uma técnica para o projeto de

um circuito completo, que opera polarizado em um ponto espe-
cífico. Normalmente, a folha de especificações do fabricante
sugere um ponto de operação (ou região de operação) para de-
Vc = 18V terminado transistor. Além disso, outros componentes do siste-
ma conectados ao estágio do amplificador podem definir a ex-
cursão de corrente, excursão de tensão, valor da fonte de tensão
em comum, e assim por diante, para o projeto.
Na prática, muitos outros fatores podem ter que ser conside-
rados, e afetarem a escolha do ponto de operação desejado. No
momento, devemos concentrar-nos na determinação dos valores
dos componentes que determine um ponto de operação específi-
co. A discussão será limitada às configurações de emissor polari-
Fig. 4.49 Exemplo 4.21. zado e com divisor de tensão, muito embora o mesmo procedimento
possa ser aplicado a vários outros circuitos com transistor.

Solução
lcQ = ifc mt
= 4 mA Projeto de um Circuito de Polarização com
um Resistor de Realimentação de Emissor
VRc Vcc - Vc
Rc= =----
lcQ lcQ Considere inicialmente o projeto dos componentes de polariza-
ção de de um circuito amplificado, possuindo um resistor de
= 28 V - 18 V = 2 S kO emissor para estabilização da polarização, como mostrado na Fig.
4mA ' 4.50. A fonte de tensão e o ponto de operação foram seleciona-
Vcc
1 - ---'--'---
e.,, - Rc + RE Vcc =20V

Vcc 28 V
Rc+RE = - - = - - = 3 5 kO
1e," 8mA '
RE = 3,5 kO - Rc C2
= 3,5 kO - 2,5 kO ---n'---
1 Saída
ac
e, IOµF
= lkfi Entrada --)1---.......- - - - l VCf:Q = IOY
ac \/B 2N4401
18 =~ Ic 4mA
= - - = 36 36 µA IOµF 11111111
Q f3 110 '
CE
I
BQ
Vcc - VBE
- _ ___:;_::__..:;.;e._
- RB + (/3 + l)RE I50µF
'li"

e Fig. 4.50 Circuito de polarização da configuração emissor-estabilizado.

124 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

dos segundo a informação do fabricante sobre o transistor utili- Vcc =20V

zado no amplificador.
A escolha dos resistores de coletor e emissor não pode ser feita
diretamente das informações fornecidas há pouco. A equação que
relaciona as tensões ao longo da malha coletor-emissor, apresenta
duas quantidades desconhecidas - os resistores Rc e RE. Neste
ponto, uma consideração de engenheiro deve ser feita no que C2
concerne ao valor da tensão de emissor comparada à tensão da
fonte aplicada. Lembre de que a necessidade de se incluir um
-~-n•--- 1
lOµF
saída
ac
C1
resistor para a terra com o intuito de proporcionar um meio de entrada. ---)1---..,.___--4 VcEa=8V 81111111
estabilização da polarização de, de forma que a variação na cor- ac
lOµF
rente de coletor (devido a correntes de fuga) e no valor de beta
do transistor não provoquem um deslocamento expressivo no
ponto de operação. O resistor de emissor não pode ser muito
grande, pois a tensão através deste limita a faixa de excursão da
tensão do coletor para o emissor (a ser observado quando ares-
posta ac for analisada). Os exemplos analisados neste capítulo
revelam que a tensão de emissor gira em torno de um quarto a
um décimo da tensão da fonte. Adotando o valor mais conserva- Fig. 4.51 Circuito estável às variações no ganho de corrente.
dor, um décimo da tensão de fonte, podemos calcular o resistor
de emissor RE e o resistor de coletor Rc de forma semelhante aos
exemplos anteriores. No próximo exemplo, apresentaremos o ponto de operação específico. Uma decisão de engenheiro cor-
projeto completo do circuito da Fig. 4.49, utilizando o critério reta, na escolha da tensão de emissor, VE, leva a uma solução
introduzido para a tensão de emissor. adequada para todos os resistores. As etapas do projeto são de-
monstradas no próximo exemplo.

EXEMPLO 4.22
Determine os valores dos resistores para o circuito da Fig. 4.50, EXEMPLO 4.23
para o ponto de operação e fonte de tensão indicados. Determine os valores de Rc, RE, Ri e R2 para o circuito da Fig.
4.51 para o ponto de operação indicado.
Solução
Solução
VE = ioVcc = lo(20 V)= 2 V VE = niVcc = Af20V) =2V
RE = VE
/E
=VEIc = _l:_:!_
2 mA
= 1 kO
RE = -VE = -VE = 2V
= 200 n
h lc 10 mA
Rc = VR = -
Vcc - VCE - VE
------
___!!.C..
Rc = VRc = Vcc - VcE - VE 20 V- 8 V - 2 V
Ic Ic
Ic Ic lOmA
20V-10V-2V 8V 10 V
2mA 2mA lOmA
= 4k0
= lkO
Ic 2mA
18 = (3 = 150 = 13,33 µA Vn = V8E + VE = 0,7 V + 2 V = 2,7 V
As equações para o cálculo dos resistores de base R 1 e R 2 exi-
R8 = vR. = Vcc - v8E - VE 20 V - 0,7 V - 2 V gem uma análise mais detalhada. Utilizando o valor da tensão
/8 /8 13,33 µA de base calculada acima e o valor da fonte de tensão, temos uma
=1,3MO equação - mas com duas incógnitas, Ri e R2 • Pode-se obter ou-
tra equação, se compreendermos a função destes dois resistores
ao proporcionarem a tensão de base necessária. Para que o cir-
cuito opere eficientemente, assume-se que a corrente através de
R 1 e R2 deve. ser muito maior do que a corrente de base (no míni-
Projeto de um Circuito com Ganho de mo 10: 1). Esta observação e a equação do divisor de tensão for-
Corrente Estabilizado (Independente de necem as duas relações necessárias para determinarmos os resis-
Beta) tores de base. Ou seja,

O circuito da Fig. 4.51 apresenta um comportamento estável às

variações na corrente de fuga e no ganho de corrente (beta). Os e
valores dos quatro resistores devem ser determinados para um
 Polarização DC - TBJ 125

Substituindo: ser utilizado como chave em computadores e aplicações de con-

trole. O circuito da Fig. 4.52a pode ser empregado como um in-
R2 :S ro-(80)(0,2 kO) versor em circuito de lógica computacional. Observe que a ten-
= 1,6k0 são de saída Vc é oposta àquela aplicada na base ou terminal de
entrada. Além disso, note que não há uma fonte de conectada ao
V = 2 7 V = (1,6 kfl)(20 V) circuito de entrada. A única fonte de é conectada ao coletor, ou
8 ' Ri+ 1,6 kfi circuito de saída, para aplicações em computadores, é tipicamente
igual à amplitude da porção "alta" do sinal aplicado - neste caso
2,7Ri + 4,32kfi = 32kfi 5V.
Um projeto apropriado para que o transistor atue como um
e 2,7Ri = 27,68 kfi inversor exige que o ponto de operação chaveie do corte para
Ri = 10,25 kO (use 10 kfi) saturação, ao longo da reta de carga mostrada na Fig. 4.52b. Para
o nosso caso, assumiremos que Ic = IcEo = OmA, quando Is =
O µ,A (uma excelente aproximação, se considerarmos que técni-
cas cada vez melhores de fabricação de transistores estão sendo
utilizadas), como mostrado na Fig. 4.52b. Além disso, assumi-
4.9 CIRCUITOS DE CHAVEAMENTO remos que VcE = VcE,a, = O V, ao invés do valor normalmente
COM TRANSISTOR adotado de O, 1 V a 0,3 V.
Quando V;= 5 V, o transistor estará "ligado", e o projeto deve
A aplicação do transistor não está limitada somente à amplifica- assegurar que o transistor está saturado para um valor de Is mai-
ção de sinais. Através de um projeto apropriado, o transistor pode or do que o associado à curva de Is situada próxima ao nível de

Vcc=SV

V;
5V 5V

ov ov

(a)

Ic (mA)

60µA
7
Icsat =6,1 mA......._
Só jlA

40µA

30µA

20µA

lOµA

la=OµA
o 2 3 4 5 VcE
i--,- Vcc=SV
Icro=OmA
VcEsat=OV
(b)

Fig. 4.52 Transistor invasor.

126 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

saturação. a Fig. 4.52b, isto significa que Is deve ser maior do

que 50 µ,A. O nível de saturação para a corrente de coletor, para
o circuito da Fig. 4.52a, é definido por R:OOQ

(4.45)

Fig. 4.54 Condições de corte e resistência resultante entre os terminais.

O valor de Is, na região ativa, um pouco antes da saturação,
pode ser aproximado pela seguinte equação:
que, relativamente, é um baixo valor, e == OO, quando colocado
I =
Bma., -
Ic,.,
fl. em série com resistores na faixa de kiloohm.
1-'dc Para V; = OV, como mostrado na Fig. 4.54, as condições de
Para o nível de saturação, portanto, devemos assegurar que a corte resultarão em um valor de resistência calculado abaixo:
seguinte condição é satisfeita:
R = Vcc =~=ooO
corte IcEO o mA
IB> (4.46) que permite considerar o transistor como um circuito-aberto equi-
valente. Para um valor típico de IcEo = 10 µA, o valor da resis-
Para o circuito da Fig. 4.52b, quando V;= 5 V, o valor resul- tência equivalente no corte é
tante de Is é o seguinte:
V; - 0,7 V 5 V- 0,7 V
R = Vcc =~=SOOkO
6 corte lcEO 10 µA
ln=----- 68 k!1 = 3 µA.
RB que certamente, em muitas situações, se comporta como um cir-
I _ Vcc _ 5V cuito aberto.
e e,., - Rc - 0,82 k!1 == 6,1 mA

Verificando a Eq. (4.46), resulta

EXEMPLO 4.24
1 6,1 mA Determine Rs e Rc para o transistor inversor da Fig. 4.55, se Ic,at
l8 = 63 µA > e,,, = = 48 ' 8 µA ·
a
1-'dc 125 = lOmA.
que é satisfeita. Certamente, qualquer valor de Is maior do que
60 µA interceptará a reta de carga em um ponto Q bem próximo
ao eixo vertical.
!OV
Para V;= OV, Is = O µA, e já que estamos assumindo que Ic
= ICEo = O mA, a queda de tensão através de Rc é determinada
por VRc = IcRc = OV, resultando em Vc = +5V para a resposta
indicada na Fig. 4.52a. ov ov
O transistor também pode ser empregado como uma chave em
um circuito digital, utilizando as mesmas extremidades da reta
de carga. Na saturação, a corrente Ic é muito alta e a tensão VcE Vcc= IOV
muito baixa. O resultado é um valor de resistência entre os dois
terminais determinado por

R = VcE,.,
sat I
e,.,
e mostrado na Fig. 4.53. hFE = 250
Utilizando um valor médio típico de VcEsat• como por exem-
plo 0,15 V, resulta

R = VcE,., = 0,15 V _ O,
sat /
csal
6 ,lmA -24,6

lOV I V
e

E ov

Fig. 4.53 Condições de saturação e resistência resultante entre os terminais. Fig. 4.55 Inversor para o Exemplo 4.24.
 Polarização DC - TBJ 12 7

Solução tor chaveie do estado "desligado" para o estado "ligado" é de-

signado como t00 e definido por
Na saturação:
(4.47)
1 _ Vcc
e~, - Rc
com o retardo de tempo td sendo o intervalo entre o instante da
mudança de estado e o início da resposta na saída. O elemento
e lOmA= lOV de tempo tr é o intervalo no qual a resposta se situa entre 10% e
Rc 90% do seu valor final.
O tempo total exigido para que um transistor chaveie do esta-
portanto, Rc = 10 V = 1 kll do "ligado" para o estado "desligado" é mencionado como T0 ff, e
lOmA
definido por
Na saturação:

= 40 (4.48)
I _ lc,., _ 10 mA A
n = f3dc - 250 µ,
onde ts é o tempo de armazenamento e t1 o tempo de queda de
Fazendo / 8 = 60 µ,A para garantir a saturação, e usando 90% para 10% do valor inicial.
Para o transistor sem aplicação específica da Eq. 3.23c, em Ic
V; - 0,7 V
ln=----- = 10 mA, achamos
Rn
V;-0,7V 10V-0,7V 0
fs = 120 ns
obtemos Rn = = = 155 ku
18 60 µ,A td = 25 ns
Escolhendo R 8 = 150 kll, que é um valor-padrão, temos tr ~ 13 ns
_ V; - 0,7 V
In- 10 V- 0,7 V e t.r = 12 ns
Rn 150 kll = 62 µ,A tal que fon = tr + td + 25 ns = 38 ns
= 13 ns
• lc e toff = t8 + t1 = 120 ns + 12 ns = 132 ns
e ln = 62 µ,A > - = 40 µ,A
f3dc A comparação dos valores acima com os parâmetros do transis-
Portanto, use R 8 = 150 k 0 e Rc = 1 k 0 . tor de chaveamento BSV52L mostrados abaixo revela uma das
razões para a escolha deste tipo de transistor.
ton= 12 ns e toff = 18 ns
Há transistores mencionados como transistores de chavea-
mento, devido à velocidade com que conseguem chavear de um
nível para outro. Na Fig. 3.23c, os períodos de tempo definidos 4.10 TÉCNICAS DE SOLUÇÃO DE
como t,, td, tr e t1 são apresentados versus a corrente de coletor. PROBLEMAS EM CIRCUITOS
Seus efeitos na velocidade de resposta do sinal de saída no cole-
tor são definidos na Fig. 4.56. O tempo total para que o transis- A arte de contornar problemas é um tópico bem abrangente, de
forma que todas as alternativas e técnicas existentes não podem
Transistor Transistor ser abordadas completamente nas poucas seções de um livro.
ligado desligado Fig. 4.56 Definindo os interva-
los de tempo de um pulso. Entretanto, o técnico deve conhecer alguns "macetes" e medi-
das básicas que consigam isolar a área do problema, e possibili-
tar a identificação de uma solução.
Obviamente, o primeiro passo para a identificação do proble-
ma é entender bem o comportamento do circuito, e ter alguma
100% idéia dos níveis de tensão e corrente existentes. Para o transistor
90% na região ativa, o nível de mais importante a ser medido é a ten-
são base-emissor.
Para um transistor ligado, a tensão V8 E deve ser aproxi-
madamente O, 7 V.
As conexões apropriadas para a medição de V8 E aparecem na
Fig. 4.57. Observe que a ponta de teste vermelha (positiva) do
medidor está conectada no terminal de base para um transistor
10%
npn, e a ponta de teste preta (negativa) no terminal de emissor.
o
-
1 1
1 1 1
1
1
1 Devemos suspeitar de qualquer leitura totalmente diversa do
1-++- 1
IJ 1 1 Is 1- 1 esperado, como OV, 4 V, ou 12 V, ou até mesmo valor negativo,

__ 1 1

-
1
1 :-- 1 ---+i lt 14-- devendo-se verificar &,s conexões do dispositivo ou circuito. Para
, ' 1 tr
1
1
1 1 um transistor pnp, podem ser utilizadas as mesmas conexões, mas
1-- --i f off
1
lon as leituras serão negativas.
128 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
=0,7 V Si
=0 3 V Ge
1
Fig. 4.57 Verificando o nível de V8 E.
Um nível de tensão de igual importância é a tensão coletor-
emissor. Lembre das características gerais de um TBJ, que valo-
res de VcE em torno de 0,3 V sugerem um dispositivo saturado
- condição que não deveria existir, a menos que o transistor
esteja sendo utilizado no modo de chaveamento. Entretanto:
Para o transistor típico na região ativa, VCE é normalmente
25% a 75% de Vcc-
Para Vcc = 20 V, uma leitura de 1 a 2 V ou 18 a 20 V para
V w como medido na Fig. 4.58, é certamente um resultado estra-
nho, e, a menos que tenha sido projetado para estes níveis, o pro-
jeto e operação devem ser investigados. Se VCE = 20 V (com Vcc
= 20 V), há, no mínimo, duas possibilidades - ou o dispositivo
(TBJ) está danificado e comporta-se com um circuito-aberto entre
os terminais de coletor e emissor, ou uma conexão na malha
coletor-emissor ou base-emissor está aberta, como mostra a Fig.
4.59, estabelecendo Ic = OmA e VRc = OV. Na Fig. 4.59, a pon-
ta de teste preta do voltímetro é conectada ao terra comum da
fonte, e a ponta vermelha ao terminal inferior do resistor. A au-
sência de uma corrente de coletor, e a queda resultante através
0,3 V = Saturação
OV = Estado de cmto-circuito
ou falha de conexão
Normalmente alguns volts
ou um pouco mais
Fig . ..i.58 Verificando o ní\el de V< 1 •
+ ' '\
"í?c =OV
Fig. 4.59 Efeito de uma conexão imperfeita ou dispositivo defeituoso.
de Rc, resulta em uma leitura de 20 V. Se o medidor é conectado
ao terminal de coletor do TBJ, a leitura será O V,já que Vcc não
está em contato com o dispositivo devido ao circuito-aberto. Um
dos erros mais comuns de ocorrerem em práticas de laboratórios
é o uso de valores errados de resistência para um determinado
projeto. Imagine o efeito da utilização de um resistor de 680 fl
para R 8 , ao invés do valor de projeto de 680 kfl. Para Vcc = 20
V e uma configuração com polarização fixa, a corrente de base
resultante seria
/B=20V-0,7V =284mA
680 n '
ao invés do valor desejado de 28,4 µ,A-uma diferença signifi-
cativa!
Uma corrente de base de 28,4 mA certamente situaria o projeto .
na região de saturação, e talvez danificasse o dispositivo. Já que,
em geral, os valores reais dos resistores são diferentes dos valo-
res nominais indicados pelo código de cores (lembre dos níveis
de tolerância para os elementos resistivos), recomenda-se medir
o resistor antes de inseri-lo no circuito. Com isto, consegue-se
obter níveis de tensões e corrente na prática próximos aos valo-
res teóricos, e alguma garantia de que o valor de resistência cor-
reto está sendo empregado.
Há vezes em que nos frustramos. Você verificou o dispositi-
vo em um traçador de curvas ou em outro medidor para transis-
tor, e tudo lhe pareceu correto. Todos os valores das resistências
foram conferidos, as conexões estão sólidas, e a tensão de fonte
apropriada foi aplicada - o que mais? Agora o técnico que bus-
ca uma solução deve esforçar-se para atingir um nível mais ele-
vado de sofisticação. Poderia ser uma solda imperfeita entre a
placa de circuito impresso e o dispositivo? O quanto realmente
prejudica o funcionamento de um circuito, uma conexão malfei-
ta entre a placa e o dispositivo? Talvez a fonte tenha sido ligada
com um valor de tensão apropriado, mas o botão de ajuste do nível
de corrente foi deixado na posição zero, privando o circuito de
um nível de corrente adequado. Obviamente, quanto mais sofis-
ticado o sistema, maior a faixa de possibilidades. Em todo caso,
um dos métodos mais eficientes de verificação da operação do
circuito é checar os vários níveis de tensão relativo ao terra. Para
isso, coloca-se a ponta preta (negativa) do voltímetro no terra e
"troca-se" a ponta vermelha (positiva) no terminal considerado.
Na Fig. 4.60, se a ponta vermelha for conectada diretamente a
Vcc, deve-se obter a leitura de Vcc volts,já que o circuito tem um
terra comum à fonte e aos dispositivos empregados no circuito.
Vcc
.,,..
\
\
\
.... ' \
\ \
\ \
\ '
' ...... - '-1' /
/
Fig. 4.60 Verificando os níveis de tensão em relação ao terra.
 Polarização DC - TBJ 129

Em Vc, a leitura deve fornecer um valor menor, já que há uma para "ligar" o transistor e fornecer alguma tensão para VE. Na
queda de tensão através de Rc e VE deve ser menor do que Vc verdade, se assumirmos uma condição de curto-circuito da base
devido à tensão coletor-emissor VCE. Algum valor não esperado para o emissor, obtemos a seguinte corrente através de R8 •
para um destes pontos pode ser aceitável, mas, em certas ocasi-
ões, pode representar conexão falha ou dispositivo defeituoso. I _ Vcc _ 20 V _
Se VRc e VRE apresentarem valores aceitáveis, mas VCE for de O RB - RB + RE - 252 kO - 79 ' 4 µ,A
V, é provável que o TBJ esteja com defeito, resultando em um que está de acordo com o resultado obtido de
curto-circuito entre os terminais de coletor e emissor. Como
observado anteriormente, se VcE registra um valor de mais ou VRB 19,85 V
menos 0,3 V, definido por VcE = Vc - VE (a diferença entre os IRB = RB = 250 kO = 79,4 µ,A
dois níveis medidos acima), o circuito pode estar saturado com
um dispositivo que pode ser ou não defeituoso. Se o circuito estivesse operando apropriadamente, a corrente de
De qualquer maneira, deve ficar claro da discussão acima que base seria
o MMD ou MOV funcionando como voltímetro é muito impor- 20 V - 0,7 V
tante no processo de verificação de problemas. Via de regra, os 1 _ Vcc - VBE
níveis de corrente são calculados a partir de níveis de tensão, não B - RB + (/3 + l)RE 250 kO + (101)(2 kO)
necessitando da inserção no circuito de um multímetro com a
função de miliamperímetro. Para esquemas de circuitos exten- 19,3 V _ 2 A
sos, em geral são fornecidos níveis de tensão específicos, facili- 452 kO - 4 ' 7 µ.
tando a identificação e verificação de possíveis pontos proble-
O resultado, portanto, é um transistor defeituoso com um curto-
máticos. Naturalmente, para os circuitos abordados neste capí-
circuito entre a base e o emissor.
tulo, deve-se apenas conhecer os níveis típicos dentro do siste-
ma, determinados pelos potenciais aplicados e operação do cir-
cuito.
Concluindo, o processo de correção de defeitos revela-se um . EXEMPLO 4.26
teste verdadeiro sobre os seus conhecimentos acerca do compor- Baseado nas leituras fornecidas na Fig. 4.62, determine se o tran-
tamento correto de um circuito, e também mostra sua habilidade sistor está "ligado" e se o circuito está operando corretamente.
de isolar regiões problemáticas com o auxílio de poucas medi-
das e medidores apropriados. 20V

EXEMPLO 4.25
Baseado nas leituras fornecidas na Fig. 4.61, determine se o cir-
cuito está operando adequadamente, e, se não estiver, aponte a
causa.

20V

+
19,85 V 250 kQ

Fig. 4.62 Circuito do Exemplo 4.26.

Solução

Baseado nos valores de R 1 e R2 e no valor de Vcc, a tensão V8 =

4 V parece ser apropriada (e, na verdade, é). Os 3,3 V no emis-
sor indicam que há uma queda de O, 7 V através da junção base-
emissor do transistor, sugerindo um transistor "ligado". Entre-
tanto, os 20 V no coletor revelam que Ic = OmA, e não podemos
Fig. 4.61 Circuito do Exemplo -L15.
afirmar que a conexão da fonte ao circuito seja falha, já que uma
tensão de 20 V aparece no coletor do dispositivo. Existem duas
Solução possibilidades - pode haver uma conexão imperfeita entre Rc e
o terminal de coletor do transistor, ou o transistor tem uma jun-
Os 20 V no coletor revelam imediatamente que Ic = OmA, devi- ção base-coletor aberta. Inicialmente, verifique a continuidade
do a um circuito aberto ou não-operação do transistor. O valor entre o coletor e o resistor, utilizando um ohmímetro, e se esti-
de VR. = 19,85 V revela que o transistor está desligado, uma vez ver certa, o transistor deve ser testado através de um dos méto-
dos descritos no Cap. 3.
que a diferença Vcc - VR, = 0,15 V é menor do que a exigida
130 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

4.11 TRANSISTORES PNP alterado. Uma vez que Vcc é maior do que os termos restantes, a
tensão VcE será negativa, como observado em um parágrafo an-
Até agora, a análise limitou-se totalmente aos transistores npn, terior.
evitando-se abordar o outro tipo de transistor. O objetivo era fa-
cilitar o estudo inicial das configurações básicas. Felizmente, a
análise de transistores pnp segue o mesmo padrão estabelecido EXEMPLO 4.27
para os transistores npn. O valor de / 8 é primeiro determinado, Determine VcE para a configuração de polarização com divisor
seguido pela aplicação das relações apropriadas para o transistor de tensão da Fig. 4.64.
a fim de determinar as incógnitas restantes. Na verdade, a única
diferença entre as equações resultantes para um circuito no qual
um transistor npn foi substituído por um transistor pnp, é o sinal ~-------o-<>-18 V
associado a parâmetros específicos.
Como observado na Fig. 4.63, a notação em que se utiliza um 2,4 k.Q
par de letras subscritas é mantida. Os novos sentidos de corren- 47kQ 10 µF
te, entretanto, foram invertidos para refletirem os sentidos de ----111-(-----<0 V0
condução reais. Baseado nas polaridades definidas na Fig. 4.63, IOµF +
tanto V8 E como VCE terão valores negativos. V; o-----i)1t---+---0B_ _.,.
Aplicando a lei das tensões de Kirchhoff à malha base-emis- VcE 13:=120
sor do circuito da Fig. 4.63, resulta na seguinte equação:
-IERE + VBE - IsRB + Vcc = O IOk.Q

Substituindo /E= (/3 + l)/8 , e solucionando para / 8, vem

(4.49)
Fig. 4.64 Transistor PNP em uma configuração de polarização com divisor de
A equação resultante é igual à Eq. (4.17), com exceção do sinal tensão.
de VBE· Entretanto, neste caso V8 E = -0,7 V, e a substituição dos
valores resulta em um mesmo sinal para cada termo da Eq. (4.49)
comparado à Eq. (4.17). Observe que agora o sentido de / 8 é Solução
definido oposto àquele definido para o transistor pnp, como
mostrado na Fig. 4.63. Testando a condição
Para a determinação de VcE, a lei das tensões de Kirchhoff é
aplicada à malha coletor-emissor, resultando na seguinte equa- f3RE :2:: lOR2
ção:
resulta em
(120)(1,1 kil) :2:: 10(10 kil)
-IERE + VcE - lcRc+ Vcc = O
132 kil :2:: 100 kil (satisfeita)
Substituindo /E== Ic dá
Solucionando para V8 , temos
[0 = -Vcc + lc(Rr + ~ (4.50)
V = R2Vcc = (10 kil)(-18 V) = _3 16 V
A equação resultante tem o mesmo formato da Eq. (4.19), mas B R1 + Ri 47 kil + 10 kil '
o sinal associado a cada termo do lado direito da igualdade foi Observe a semelhança no formato da equação, com a tensão ne-
gativa resultante para V8 •
Aplicando a lei das tensões de Kirchhoff ao longo da malha

~---- -Vcc base-emissor em

Substituindo valores, obtemos

VE = -3,16 V - (-0,7 V)
= -3, 16 V + O, 7 V
= -2,46 V
Observe na equação acima que a notação-padrão de letras subs-
critas, simples e dupla, é empregada. Para um transistor npn, a
relação VE = V8 - V8 E seria exatamente a mesma. A única dife-
Fig. 4.63 Transistor PNP em urna configuração com emissor estabilizado. rença surge quando os valores são substituídos.
 Polarização DC- TBJ 131

A corrente
QUADRO 4.1 Variação dos Parâmetros do Transistor de
Vt: 2,46 V Silício com a Temperatura
lE =- = ...., = 2,24 mA
RE 1,1 ku T lco VBE
(ºC) (nA) {3 (V)
Para a malha coletor-emissor:
-65 0,2 X 10- 3 20 0,85
-lERE + VcE - lcRc+ Vcc = O 25 0,1 50 0,65
Substituindo lE =lc, e agrupando os termos, temos 100
175
20
3,3 X 103
80
120
0,48
0,3
VCE =- Vcc + lc(Rc + RE)
Substituindo valores, vem
Alguns ou todos estes fatores podem causar o deslocamento do
VCE = -18 V+ (2,24 mA)(2,4 kO + 1, 1 kO) ponto de polarização do ponto de operação projetado. O Quadro 4.1
revela como o nível de lco e V8 Evariou com o aumento na tempera-
= -18V+7,84V tura, para um transistor particular. À temperatura ambiente (cerca de
-10,16 V 25°C), lco = O, 1 nA, enquanto que em 1OO"C (ponto de ebulição da
água) lco é aproximadamente 200 vezes maior, já que lco = 20 nA.
Para a mesma variação na temperatura, /3 aumenta de 50 para 80, e
V8 E cai de 0,65 V para 0,48 V. Lembre de que 18 é bastante sensível
ao nível de V8 E sobretudo para valores abaixo do nível de limiar.
4.12 ESTABILIZAÇÃO DA O efeito da variação na corrente de fuga (/c0 ) e no ganho de
POLARIZAÇÃO corrente (/3) sobre o ponto de polarização de é demonstrado pe-
las curvas características de coletor de uma configuração emis-
A estabilidade de um sistema é a medida da sensibilidade de um sor-comum na Fig. 4.65a e b. A Fig. 4.65 mostra como as carac-
circuito à variação dos seus parâmetros. Em qualquer amplifica- terísticas do coletor de um transistor varia, quando se eleva a
dor empregando um transistor, a corrente de coletor lc é sensível temperatura de 25ºC para uma temperatura de lOOºC. Observe
a cada um dos seguintes parâmetros: que o aumento significativo na corrente de fuga não só causa
elevação nas curvas, mas também aumento de beta, revelado por
/3: aumenta com o aumento da temperatura um maior espaçamento entre as curvas.
IV8 ) diminui aproximadamente 7,5 m V por grau centígra- Um ponto de operação pode ser especificado, desenhando-se a
do (ºC) de aumento na temperatura reta de carga de do circuito sobre o gráfico das curvas característi-
cas de coletor, e observando-se a interseção desta reta com a cor-
lco ( corrente de saturação reversa) dobra de valor para rente de base de, definida pelo circuito de entrada. Um ponto arbi-
cada JOºC de aumento na temperatura trário é mostrado na Fig. 4.65a em 18 = 30 µA. Uma vez que o cir-

fc (mA) lc (mA)

50µA
6 70µA 6

60µA 40µA
5 5

50µA
30µA
4 4 Ponto-Q

40µA
20µA
3 3
30 µA
lOµA
2 20µA 2

lOµA ls=O_µA

Is= OµA lcEO=-/Jléso

o 5 10 t 15 20 VcE o 5 10 t 15 20 VcE
ICEo=- fJ leso
(a) (b)

Fig. 4.65 Deslocamento do ponto de polarização de (ponto Q) devido à variação na temperatura: (a) 25ºC; (b) lOOºC.
132 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

cuito de polarização fixa produz uma corrente de base cujo valor

depende da fonte de tensão e do resistor de base, que não são afeta- (4.54)
dos pela temperatura, corrente de fuga ou beta, a corrente de base
terá o mesmo valor para altas temperaturas, conforme indicado no
gráfico da Fig. 4.65b. Como mostrado na figura, este fato acarreta Para R,IRE ~ (/3 + 1), a Eq. (4.54) reduz-se a
deslocamento do ponto de polarização para um valor de corrente
de coletor mais alto e uma tensão coletor-emissor mais baixa. No (4.55)
caso extremo, o transistor pode ser levado à saturação. De qualquer
maneira, o novo ponto de operação pode ser insatisfatório, podendo como mostrado no gráfico de S(Ic0 ) versus R,IRE na Fig. 4.66.
surgir considerável distorção no sinal de saída. Um circuito de po- Para R,IRE ~ 1, a Eq. (4.54) pode ser aproximada para o seguin-
larização adequado é aquele que se estabiliza ou mantém a polari- te valor (como mostrado na Fig. 4.66):
zação de previamente ajustada de modo que o amplificador possa
ser utilizado em um ambiente de variações bruscas na temperatura.
(4.56)

Fatores de Estabilidade, S(Ico), S(VBE) e S(/3)

O fator de estabilidade, S, é definido para os parâmetros que afe-
tam a estabilidade da polarização. São listados abaixo:
(4.51)
revelando que o fator de estabilidade tende para o seu menor
valor, quando RE toma-se suficientemente alta. Saiba, entretan-
to, que, em geral, um bom controle da polarização exige que R8
seja maior do que RE. O resultado, portanto, é uma situação em
que níveis melhores de estabilidade estão associados a critérios
de projeto mais pobres. Obviamente, devemos adotar uma solu-
ção que concilie as especificações de estabilidade com as de
polarização. É interessante notar na Fig. 4.66 que o menor valor

(4.52)
SUco),
Fator d~ éstabilidade

(4.53)

Em cada caso, o símbolo delta (d) significa a variação do parâ-

metro. O numerador de cada equação retrata a variação na cor-
rente de coletor devido à variação no parâmetro do denomina-
dor. Para uma configuração particular, se uma alteração nova-
lor de Ico não produz mudança significativa em Ic, o fator de 2
estabilidade definido por S(lc0 ) = MJMco será bem pequeno.
Em outras palavras:
Circuitos que são estáveis e relativamente insensíveis às
variações de temperatura possuem fatores de estabilida-
de reduzidos.
Fig. 4.66 Variação do fator de estabilidade S(/c0 ) com razão R/RE• para a confi-
Em alguns casos, seria mais apropriado considerar as quanti- guração de polarização do emissor.
dades definidas pelas Eqs. 4.51- 4.53 como fatores de sensibili-
dade, porque:
de S(/c0 ) é 1, revelando que/e aumentará sempre a uma taxa igual
Quanto maior o fator de estabilidade, mais sensível é o
ou maior do que I co·
circuito a variações naquele parâmetro.
Quando R,IRE varia entre 1 e (/3 + 1), o fator de estabilidade
O estudo dos fatores de estabilidade exige um conhecimento será determinado por
sobre cálculo diferencial. Nosso propósito aqui, entretanto, é rever
os resultados da análise matemática, e formar uma base que nos
permita analisar algumas das configurações de polarização mais (4.57)
populares. Há uma literatura considerável sobre o assunto e, se o
tempo permitir, você está convidado a informar-se mais sobre este como mostrado na Fig. 4.66. Os resultados mostram que a con-
tópico. figuração de polarização do emissor é bem estável, quando a razão
R,IRE é a menor possível, e é mais instável quando a mesma ra-
zão tende para (/3 + 1).

CONFIGURAÇÃO DE POLARIZAÇÃO DO EMISSOR

EXEMPLO 4.28
Para a configuração de polarização do emissor, uma análise Calcule o fator de estabilidade e a variação de Ic para uma mu-
do circuito resulta em: dança na temperatura de 25ºC a lOOºC, para o transistor defini-
 Polarização DC - TBJ 133

do pelo Quadro 4.1 nos seguintes arranjos de polarização do Observe que a equação resultante fornece um valor igual ao
emissor: valor máximo previsto para a configuração de polarização do
(a) RafRE = 250 (R8 = 250 RE) emissor. O resultado na prática é uma configuração com fator de
(b) RJRE = 10 (R8 = 10 RE) estabilidade pobre, e alta sensibilidade às variações em Ico·
(c) RJRE = 0,01 (RE = 100 R8 )

Solução Configuração de Polarização com Divisor de

Tensão
1 + R8 /RE
(a) S(/co) = ({3 + 1) - - - -
1 + {3 + Rn!RE Lembre, da Seção 4.5, do desevolvimento do circuito equivalente
de Thévenin para a configuração de polarização com divisor de
5 ( 1 + 250 ) ( 251)
tensão, mostrado agora na Fig. 4.67. Para o circuito da Fig. 4.67,
= l 51 + 250 = 51 301
a equação para S(lc0 ) é a seguinte:
= 42,53
que começa a aproximar-se do valor definido por {3 + 1 = 51
(4.59)
lllc = [S(lco)](lllc0 ) = (42,53)(19,9 nA)
=0,85 µA 1 + Rn!RE
Observe a semelhança com a Eq. (4.54), onde foi determina-
do que S(Ic0 ) tem o seu menor valor, e o circuito é o mais estável
(b) S(/co) = ({3 + 1) 1 + {3 + Rn!RE possível quando RE > R8 • Para a Eq. (4.59), a condição corres-
pondente é RE > RTh• ou razão R~RE a menor possível. Para a
1+10)
= 51 ( 51 + 10 = 51
(11)
61 configuração de polarização com divisor de tensão, RTh pode ser
muito menor do que o correspondente resistor R8 da configura-
=9,2 ção de polarização do emissor, e ainda assim obtemos um proje-
ê:.Ic = [S(lco)](ê:.Ico) = (9,2)(19,9 nA) to eficiente.
= 0,18 µA
1 + Rn!RE
(c) S(Ico) = ({3 + 1) 1 + {3 + Rn!RE Vcc

= 51( 1 + o,01) = 51(~)

51 + 0,01 51,01
= 1,01
que certamente é muito próxima a 1, pois RafRE <!f l;

ê:.Ic = [S(Ic0 )](ê:.Ic0 ) = 1,01(19,9 nA)

= 20,1 nA

Fig. 4.67 Circuito equivalente para a configuração de polarização com divisor

O Exemplo 4.28 mostra o quanto os TBJs atuais, com níveis de tensão.
reduzidos de lco, melhoraram a estabilidade das configurações
básicas de polarização. Apesar da variação de lc em um circuito
que apresenta uma estabilidade ideal (S = 1) ser bem diferente
da variação em um circuito que pôssui, por exemplo, um fator Configuração de Polarização com
de estabilidade de 34,1, a mudança no valor de lc não é tão sig- Realimentação (RE 00) =
nificativa. Se a corrente Ic fosse projetada para 2 mA, a variação
seria de 2 mA para 2,085 mA no pior caso, que, obviamente, é Neste caso,
pequena o suficiente para que seja ignorada na maioria das apli-
cações. Alguns transistores de potência exibem altas correntes
de fuga, mas, para grande parte dos circuitos de amplificação, (4.60)
verificamos níveis reduzidos de I co, o que contribui positivamente
para a manutenção da estabilidade do circuito.
Uma vez que a equação é semelhante em formato àquela obtida
para as configurações de polarização do emissor e polarização
CONFIGURAÇÃO COM POLARIZAÇÃO FIXA com divisor de tensão, as mesmas conclusões relativas à razão
RafRc podem ser aplicadas.
Para a configuração com polarização fixa, se multiplicarmos
o numerador e o denominador da Eq. 4.54 por RE e depois consi-
derarmos RE = on, resulta na seguinte equação:
Efeito na Prática

(4.58) As equações do tipo desenvolvidas acima falham ao não fornece-

rem um sentimento físico do funcionamento dos circuitos. Agora,
134 Dispositivos Eletrónicos e Teoria de Circuitos

conhecemos os níveis relativos de estabilidade e como a escolha
de parâmetros pode afetar a sensibilidade do circuito, mas, sem as
equações, pode ser difícil demonstrar com palavras por que um
circuito é mais estável do que outro. Os próximos parágrafos pre-
ocupam-se em completar esta lacuna, e abordam a utilização de
algumas relações básicas associadas com cada configuração.
Para a configuração com polarização fixa da Fig. 4.68a, a
equação para a corrente de base é a seguinte:
_ Vcc - VnE
l n-
Rn
com a corrente de coletor determinada por
ocorre etapa por etapa, ou seja, é uma ação simultânea que man-
tém as condições de polarização estabilizadas. Em outras palavras,
no instante exato em que lc começa a se elevar, o circuito sentirá a
variação provocando o efeito de compensação descrito acima.
A mais estável das configurações é a configuração de polari-
zação com divisor de tensão da Fig. 4.68d. Se a condição {3RE ~
1OR2 for satisfeita, a tensão VB permanecerá razoavelmente cons-
tante para diferentes níveis de lc, A tensão base-emissor da con-
figuração é determinada por V8 E = VB - VE. Se lc aumentar, VE
aumentará como descrito acima, e para uma tensão VB fixa. V8 E
sofrerá uma queda. Uma queda em V8 E estabiliza 18 em nível mais
baixo, o que tentará compensar o aumento de lc,

lc = f3ln + ((3 + l)lco (4.61)

Segundo aEq. (4.61), lcdeve aumentar com o aumento de lco,
mas não há nada na equação que indique que lB compensará esta
O fator de estabilidade definido por
elevação indesejável no nível de corrente (assumindo que V0 E
permanece constante). Em outras palavras, o nível de lc conti- D..lc
nuaria a aumentar com a temperatura, e lB manter-se-ia em um S(VnE) = D..VnE
valor constante - situação bem instável.
Para a configuração de polarização do emissor da Fig. 4.68b, resulta na seguinte equação para a configuração de polarização
entretanto, um aumento em lc devido a um aumento em Ico cau- do emissor:
sará um aumento na tensão VE = lERE = lcRE. O resultado é uma
queda no nível de 18 , determinado pela seguinte equação: S(VJJ,,·)
,, ',,,., "' ,.
, ' -(.3, ,,', l)Re
= ,'Rs+(/3+ > (4.64)
ln! = Vcc - VnE - VE t (4.62)
Rn Substituindo RE = O O, como ocorreu para a configuração com
Devido à ação do transistor, uma queda de 18 produzirá o efeito polarização fixa, resulta em
de reduzir o nível de lc, e, portanto, compensar a tendência de
aumento dele quando houver uma elevação na temperatura. Em
resumo, a configuração comporta-se de tal forma que há uma (4.65)
reação a um aumento de lc, que tenderá a opor-se a uma mudan-
ça nas condições de polarização. A Eq. (4.64) pode ser escrita da seguinte forma:
A configuração com realimentação da Fig. 4.68c opera de ma-
neira semelhante à configuração de polarização do emissor, quan- S(V ) - -(3/RE
BE - RB!RE + ((3 + 1)
(4.66)
do ela atinge níveis de estabilidade. Se lc aumentar devido a um
aumento de temperatura, o nível de VR, elevará na seguinte equa- Substituindo a condição (/3 + 1) ~ RJRE, resulta na seguinte
ção: equação para S(V8E):

(4.63)
(4.67)
e o nível de 19 diminuirá. O resultado é uma estabilização do cir-
cuito conforme descrito para a configuração de polarização do revelando que, quanto maior a resistência RE> menor é o fator de
emissor. Deve-se estar ciente de que a ação descrita acima não estabilidade, e mais estável o sistema.

Vcc Vcc .---------1,-....,oVcc

+ +
\'JiB VRB RB
lc

~+ +
[B

(a) (b) (e) (d)

Fig. 4.68 Revisão dos esquemas de polarização e fatores de estabilização de S(lco).

 Polarização DC - TBJ 135

No Exemplo 4.29, a variação de 70,9 µA produzirá um efeito

EXEMPLO 4.29
Determine o fator de estabilidade S(VBE) e a variação em Ic quando
considerável sobre o nível de lc0 • Para a situação onde Icº = 2
a temperatura varia de 25ºC a 1OOºC, para o transistor definido mA, a corrente de coletor resultante aumentará para
pelo Quadro 4.1, para os seguintes esquemas de polarização. lcº = 2 mA + 70,9 µ,A
(a) Polarização fixa com RB = 240 kll e f3 = 100.
(b) Polarização do emissor com RB = 240 kll, RE = 1 kll, e f3 = 2,0709 mA
= 100. um aumento de 3,5%.
(c) Polarização do emissor com RB = 47 kll, RE = 4,7 kll, e f3 Para a configuração com divisor de tensão, o valor de R8 será
= 100. modificado para RTh na Eq. (4.64) (como mostrado pela Fig. 4.67).
No Exemplo 4.29, o uso de R8 = 47 kllA toma o projeto ques-
Solução tionável. Entretanto, Rrh para a configuração com divisor de ten-
são pode ser igual ou menor do que este valor, e manter ainda as
(a) Eq. (4.65): S(VBE) = - _/3 características de um bom projeto. A equação resultante de S(V8E),
RB para o circuito com realimentação, será semelhante à Eq. (4.64)
100 com RE substituído por Rc.
- -
240k!1
= -0,417 X 10- 3
S(/3):

Âlc = [S(VBE)](ÂVBE) O último fator a ser investigado é o S(/3). O desevolvimento

matemático é mais complexo do que o utilizado para S(/c0 ) e
= (-0,417 X 10- 3)(0,48 V - 0,65 V) S(VBE), como sugere a seguinte equação para a configuração de
e = (-0,417 X 10- 3)(-0,17 V) polarização do emissor:
= 70,9 µA

(b) Neste caso, (/3 + 1) = 101 e RJRE= 240. A condição (/3 +

(4.68)
1) ~ RJRE não é satisfeita, impossibilitando a aplicação da
Eq. (4.67), e exigindo o uso da Eq. (4.64).
A notação Ic, e /3 1 é utilizada para definir seus valores sob
Eq. (4.64): S(V ) - -/3 determinadas condições do circuito, enquanto que notação /32 é
BE - RB + (/3 + l)RE utilizada para indicar um novo valor de beta quando há, por exem-
-100 100 plo, variações na temperatura, variação de f3 para o mesmo tran-
sistor ou uma substituição dos transistores.
240 kll + (101)1 kll 341 kll
= -0,293 X 10- 3
que é aproximadamente 30% menor do que o valor encontrado EXEMPLO 4.30
para a configuração com polarização fixa, devido ao termo adi- Determine lcº em uma temperatura de lOOºC, se lcº = 2 mA
cional (/3 + l)RE no denominador da equação de S(V8E). em 25ºC. Utilize o transistor descrito no Quadro 4.1, onde /3 1 =
Â/c = [S(VBE)](ÂVBE)
50, f3i = 80 e uma razão de resistência RafRE de 20.

= (-0,293 x 10- 3)(-0, 17 V) Solução

=50µ,A Eq. 4.68:
(c) Neste caso,
S(/3) = /c(l + RBIRE)
RB 47 kll /31 (1 + /32 + RBIRE)
(/3 + 1) = 101 ~ - = = 10 (satisfeita)
RE 4,7 kll (2 X 10- 3)(1 + 20) 42 X 10- 3
1 (50)(1 + 80 + 20) 5050
Eq. (4.67): S(VBE) = -- = 8,32 X 10- 6
RE
1 e
4,7 kll Â/c = [S(/3)][Â/3]
= -0,212 X 10- 3 = (8,32 X 10- 6)(30)

Â/c = [S(VBE)](ÂVBE) = 0,25 mA

= (-0,212 X 10- 3)(-0,17 V) Concluindo, portanto, a corrente de coletor mudou de 2 mA à
e temperatura ambiente para 2,25 mA a 1OOºC, representando uma
= 36,04 µA variação de 12,5%.
136 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

A configuração com polarização fixa é definida por S(/3) = e lllc = (2,89)(19, 9 nA) - 0,2 X 10- 3(-0, 17 V) +
Ie l/3 1, e R8 da Eq. 4.68 pode ser substituída por RTh para a con-
1

+ 1,445 X 10- 6(30)

figuração com divisor de tensão.
Para a configuração com realimentação de coletor com RE =
on.
Sumário
Agora que os três fatores de estabilidade relevantes foram intro-
duzidos, o efeito total sobre a corrente de coletor pode ser deter-
minado utilizando-se a seguinte equação:
A equação pode parecer inicialmente bem complexa, mas
observe que cada termo é apenas um fator de estabilidade para a
configuração multiplicado pela variação resultante no parâme-
tro, entre as temperaturas limites de interesse. Além disso, o va-
lor de ll.Ie a ser determinado é simplesmente a variação de Ie com
relação ao seu valor à temperatura ambiente.
Por exemplo, se examinarmos a configuração com polariza-
ção fixa, a Eq. (4.70) muda para
/3 Ic
lllc = (/3 + l)ll/co - -!l VBE + _;::J_!l/3
Rs /31
após substituir os fatores de estabilidade derivados nesta seção.
Vamos agora utilizar o Quadro 4.1 para descobrir a variação na
corrente de coletor, para uma variação na temperatura de 25ºC
(temperatura ambiente) a 1OOºC (ponto de ebulição da água). Para
esta faixa, o quadro revela que
Mco = 20 nA - 0,1 nA = 19,9 nA
!l VsE = 0,48 V - 0,65 V = -0, 17 V (observe o sinal)
= 57,51 nA + 34 µ,A+ 43,4 µ,A
= 0,077 mA
(4.69) A corrente de coletor resultante é 2,077 mA, ou, arredondan-
do, 2, 1 mA, que é próximo de 2,0 mA a 25ºC. O circuito é obvi-
amente bem mais estável do que a configuração com polariza-
ção fixa, como mencionado nas discussões anteriores. Neste caso,
S(/3) não anula os outros dois fatores, e os efeitos de S(V8E) e S(/e0 )
são igualmente importantes. Na verdade, em altas temperaturas
os efeitos de S(V8E) e S(/e0 ) serão maiores do que S(/3) para o
dispositivo do Quadro 4.1. Para temperaturas abaixo de 25ºC, Ie
diminuirá com a redução da temperatura.
(4.70) A preocupação com o efeito de S(/e0 ) em um projeto está se
tornando cada vez menor, já que as técnicas avançadas de fabri-
cação continuam a reduzir o valor de I eo = I eso· Deve ser tam-
bém mencionado que, para um transistor particular, as variações
nos níveis de leso e VsE de um transistor para outro em um lote é
quase desprezível comparada à variação em beta. Além disso, os
resultados da análise acima confirmam o fato de que para um bom
projeto de estabilização:
A razão RefRE ou RTI/RE deve ser a menor possível, respei-
tadas as considerações para os outros pontos do projeto,
incluindo a resposta ac.
(4.71)
Embora a análise acima possa ter sido complicada por algu-
mas das complexas equações apresentadas, o propósito aqui era
desenvolver um alto nível de conhecimento dos fatores. A con-
seqüência natural é a realização de um bom projeto, uma intimi-
dade maior com os parâmetros do transistor e seus efeitos na
performance do circuito. A análise das seções anteriores utilizou
situações idealizadas, com valores constantes para os parâmetros.
Estamos agora mais a par de como a resposta de do projeto pode
variar com as variações dos parâmetros de um transistor.

e !l/3 = 80 - 50 = 30 4.13 ANÁLISE POR COMPUTADOR

Começando com uma corrente de coletor de 2 mA e um re- O conteúdo desta seção incluirá uma análise do circuito com
sistor R 8 de 240 kfl, a variação resultante em Ie devida a um divisor de tensão do Exemplo 4. 7, utilizando o BASIC e o PSpice.
aumento na temperatura de 75ºC é a seguinte: Desta forma, teremos uma excelente oportunidade para compa-
rar as vantagens relativas de cada programa.
50
lllc = (50 + 1)(19,9 nA) - kfl (-0,17 V)+
240
2 mA PSpice (Versão DOS)
+ ~(30) = 1,01 µ,A+ 35,42 µ,A+ 1200 µ,A
O circuito do Exemplo 4.7 é mostrado novamente na Fig. 4.69,
= 1,236 mA com os nós determinados para a análise com o PSpice. O arqui-
que é um valor significativo e devido principalmente a uma va- vo de entrada para o circuito aparece na Fig. 4. 70. Observe que
riação em {3. A corrente de coletor aumentou de 2 mA para todos os parâmetros são definidos com base nos nós indicados,
3,236 mA - isto já era esperado, pois reconhecemos nesta assumindo-se que o primeiro nó está em um potencial mais alto.
seção que a configuração com polarização fixa é a menos es- O formato da expressão para o transistor e a sua entrada •MO-
tável. DEL são os mesmos definidos no Cap. 3. Se quantidades especí-
Se a configuração com divisor de tensão (mais estável) fosse ficas, como I(RC) = /Rc = Ie V(3,4) = Vm são pedidas, ao in-
empregada, com uma razão RTh/RE = 2 e RE = 4,7 kfl, então vés de uma simples listagem de todas as tensões nos nós, uma
expressão •DC de controle deve ser incluída como indicada. Após
S(/co) = 2,89, S(V8 E) = -0,2 X 10- 3 , a indicação •DC, a fonte de é especificada para o nível escolhi-
do. Se 22 V for repetido, como neste caso, a análise só será rea-
S(/3) = 1,445 X 10- 6 lizada neste nível. Se o segundo nível fosse diferente, o software

SOµF
Fig. 4.69 Circuito a ser analisa-
do utilizando o PSpice.
realizaria a análise para níveis de tensões entre, e para, os dois
valores limites, utilizando um incremento definido no próximo
dado de entrada - neste caso, 1 V. Entretanto, uma vez que 22
V é repetido nesta expressão •DC de controle, 1 V é exigido so-
mente para completar o formato da expressão, mas é ignorado
na seqüência operacional. A expressão •PRINT pode então ser
Polarização DC - TBJ 13 7
escrita para especificar as quantidades desejadas na listagem do
arquivo de saída.
O arquivo de saída aparece na Fig. 4.71, com a lista dos parâ-
metros do modelo especificado e os níveis de saída desejados.
Tanto para I eº como para VcEº , os resultados obtidos utilizando
o PSpice estão perfeitamente de acordo com a solução do Exem-
plo 4.7. Isto é, lc9 = 8,512E-04 = 0,8512 mA e VcEº = 1,220E
+ 01 = 12,2 V.
PSpice para Windows (Windows Design
Center Analysis)
Utilizando a mesma técnica descrita no Cap. 2, o circuito da Fig.
4.69 pode ser reproduzido na página esquemática como mostra
a Fig. 4. 72. O transistor e o capacitor não tinham aparecido em
circuitos anteriores, mas fazem parte da biblioteca Get New Part.
O capacitor está listado na biblioteca analog.slb e o transistor
Q2N2222 na biblioteca eval.slb. Note que quando você clica um
item na biblioteca eval.slb, como por exemplo Q2N2222, Des-
cription aparece sobre o item escolhido na caixa de diálogo Get
Part. Lembre-se que os VIEWPOINTs (pontos de medida) são
estabelecidos a partir da biblioteca special.slb. Basta clicar o
botão esquerdo do mouse para posicionar cada VIEWPOINT.
Fig. 4.70 Arquivo de entrada para a análise
com PSpice do circuito da Fig. 4.69.
Fig. 4.71 Arquivo de saída para a análise com
PSpice do circuito da Fig. 4.69.
138 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
8.242E-04
Vcc +
R1 RC
22v-=- 1Ok 13.7580
-I
39k
1.2588
R2 CE
3.9k 50uF
Para finalizar a tarefa, clique o botão direito do mouse. A cor-
rente de coletor será medida pela opção IPROBE da biblioteca
special.slb, como mostrado no ramo do circuito que contém o
coletor do transistor. Atente para o fato de que a corrente a ser
determinada deve entrar próximo ao arco interno, que correspon-
de à escala do medidor.
Na Fig. 4.69, o parâmetro beta do transistor é 140 e a corrente
de saturação 2E-15A. Clicando-se uma vez (e somente uma) no
símbolo do transistor na tela, e depois Edit na barra de menu,
uma lista de opções irá aparecer, da qual Model é uma delas.
Selecione Model para que a caixa de diálogo Edit Model apare-
ça. Escolha Edit lnstance Model, uma vez que estamos interes-
sados apenas em modificar o parâmetro beta e ajustar / 8 para este
circuito. Uma lista será então fornecida para o transistor Q2N2222
e 18 (e 1••) pode ser alterada para 2E-15 e Bfpara 140. Feitas as
alterações, clique OK para que os parâmetros sejam definitiva-
mente modificados.
Provavelmente a maioria dos usuários do programa introdu-
zirá em primeiro lugar, todos os resistores, seguido pelo capaci-
tar, transistor e a fonte de tensão de. As linhas são normalmente
introduzidas por último para completar o circuito. O resultado
desta seqüência, contudo, é que os nós são identificados à medi-
da que os elementos vão sendo introduzidos, e provavelmente não
estarão de acordo com designação feita na Fig. 4.69. Entretanto,
selecionando-se Analysis e depois Examine Netlist, as referên-
cias dos nós podem ser alteradas. Saiba, porém, que a introdu-
ção de IPROBE exigirá que seja criado um nó adicional entre
Vcc e o terminal de coletor do transistor. Neste caso, o nó adici-
onal (5) foi designado para que a identificação dos nós esteja de
acordo com a da Fig. 4.69. Os números assinalados podem ser
alterados com a seqüência insert/delete e registrados quando
você deixar a caixa de diálogo.
Antes de executar o programa, assegure-se de que Probe
Setup sob Analysis não está configurada para executar Probe
após a simulação. Isto evitará que a resposta Probe seja forneci-
da antes do arquivo de saída. A resposta Probe será examinada
no Cap. 8 quando analisarmos um circuito ac. Uma simulação
do circuito fornecerá o arquivo de saída da Fig. 4.73. O arquivo
da Fig. 4.73 é uma versão "cortada e colada" para que o leitor se
concentre nos elementos mais importantes do arquivo. Observe
que Schematics Netlist possui, para cada elemento, as mesmas
referências de nós da Fig. 4.69, e o transistor está listado na se-
qüência 3-1-4 (coletor-base-emissor), como exigido na versão
DOS. BJT MODEL PARAMETERS é uma lista dos parâme-
tros mais importantes que definem o transistor Q2N2222. Note
que IS é 2E-15 e BF (beta) é 140, o que corresponde à alteração
feita anteriormente.
Fig. 4.72 PSpice (apresentação do circuito da Fig. 4.69 em Windows).
Uma descrição de todos os parâmetros listados pode ser en-
contrada no manual de referência THE DESIGN CENTER
Circuit Analysis, fornecido pela MicroSim Corporation. Os ní-
veis de para os diversos nós (com respeito ao terra) fazem parte
da Small Signal Bias Solution. A tensão VcE do transistor é
13,7580 V - 1,2588 V = 12,5 V, que está muito próxima da
obtida na solução DOS. A próxima lista inclui os vários níveis
de corrente e tensão do circuito e os parâmetros determinados pelo
ponto de operação resultante. Observe que Ic é 0,824 mA, próxi-
ma de 0,851 mA obtida na análise DOS, e V8 E é 0,688 V, ou apro-
ximadamente 0,7 V, como desejado. O beta de é agora 55, em
vez do valor 140 introduzido, e o beta ac é 65, que será utilizado
na resposta ac. A modificação não ocorreu na versão DOS por-
que naquele caso foi possível escolher um transistor npn sem que
este estivesse relacionado a um modelo em particular, que tives-
se todos os seus parâmetros definidos. Na versão PSpice para
Windows deve-se escolher um transistor da lista fornecida e
modificar os parâmetros da melhor maneira possível. Outras al-
terações devem ser feitas para tornar a análise mais precisa; en-
tretanto, os detalhes exigidos estão além das necessidades deste
livro.
Observe no diagrama da Fig. 4. 72 que os VIEWPOINTs
(pontos de medida) e IPROBE reproduzem os mesmos resulta-
dos impressos no arquivo de saída. Se os VIEWPOINTs e
IPROBE forem utilizados de maneira apropriada, não é neces-
sário nos preocuparmos com a correta identificação dos nós, já
que os valores de tensão e corrente podem ser visualizados dire-
tamente no diagrama após a simulação.
BASIC
O programa a ser desenvolvido utilizando o BASIC realizará a
mesma análise listada acima, e ainda permitirá mudança na con-
figuração, especificando-se um circuito aberto ou curto-circuito
para determinados parâmetros. Por exemplo, se o valor de R2 é
de 1E30 ohm, podemos considerá-lo um circuito-aberto, resul-
tando na configuração de polarização do emissor. Se RE é zero
ohm, com R2 igual a 1E30 ohm, aparece a configuração com
polarização fixa. Desta forma, a faixa de aplicação é muito ex-
pandida e limita a quantidade de programas exigida para reali-
zar a análise de um tópico particular.
Um resumo das equações empregadas aparece no Quadro 4.2
e o resumo das variáveis, no Quadro 4.3. A rotina do programa
iniciando na linha 10000, escrito em BASIC, realiza os cálculos
necessários para a análise de do circuito da Fig. 4.69. A linha
1001 Ocalcula a resistência do circuito equivalente de Thévenin,
 Polarização DC - TBJ 139

!S
13:F
NF
VAF
rKI'
ISE
NE
:BR
Nll
JW 10
RBM· 10
Rc· 1
C.lli; .220100001:\,ll
MIE 377
CJt ..·. 7 306í/OOE·l2
MJC .14!p
TF 4Jl.lOOOOOE•12
XTF 3
VÍ'F. L1
ITI' 6
't.R 46.910000E,Oli
XTâ

• ••• !lfl'OLAR JVNCTION Tl\AN$f~TOl!.S

NM1t'! QQI
·MOOEL ... Q:tNZtZ2,X
tB . l.sol::'.,ô5
IC l!24E-Oil
VBE ôSl!~OI
VBC' •L l8lHÓ1
VÇE . LZSl$"'0l
JM:TADC 5:SÓl!:..,01 .
G.M ..uâi,o,z
VI· :Z04E+Oj
AA ·· .LOOIE:~t .
1W L04E+i)S
càs
êac
s:t191,;,12
Oó.ll'.lJ

Ç:BX flÓOi+OO
CJS O.OOE+OO
aer Me . " so:J!+0.r Fig. 4. 73 Arquivo de saída para o circuito da
l'1' 9.47E+07
Fig. 4.72.
140 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

considerando R 1 e R2• A linha 10020 calcula o equivalente de
Thévenin da tensão na base do transistor. A corrente Is é então
determinada na linha 10030, considerando uma tensão base-
emissor de O,7 V. A linha 10040 verifica a condição de corte, que
ocorre quando o valor de Vré menor do que VsE = 0,7 V, deter-
minando que Is é zero; caso contrário, Is permanece com o valor
calculado na linha 10030. As linhas 10060 e 10070 calculam Ic
e IE, respectivamente.
A linha 10090 verifica a condição de saturação do circuito,
fazendo Ic (e IE) igual ao valor de saturação, se for o caso; se
contrário, são mantidos os valores de Ic e IE calculados previa-
mente. As linhas de 10100 até 10120 calculam VE, Vs e VE, res-
pectivamente. A linha 10130 calcula VCE, e o programa retoma
finalmente à rotina principal.
O programa principal pedindo os dados de entrada do circui-
to, a rotina a partir da linha 10000 que realiza os cálculos de
polarização de, e as etapas do programa para mostrar os resulta-
dos, são mostrados na Fig. 4. 72. Observe mais uma vez que os
resultados são mais ou menos iguais aos obtidos anteriormente
para I cQ e VcEQ .

QUADR04.2 Equações e Expressões Correspondentes do Programa para a Rotina de Cálculo

de Polarização DC
Equação Expressão para o Programa

RTh=~ RT = (RI * R2)/(Rl + R2)

R1 +R2
R2
ETh = - - - Vcc VT = (R2 * CC)/(Rl + R2)
R1 +R2
I = En, -0,7 IB = (VT - 0,7)/(RT + (BETA + 1) * RE)
B Rn, + (/3 + I)RE

IC = BETA*IB

IE =(BETA+ 1) *IB

VE=IE*RE

VB = VE + 0,7 VB =VE + 0,7

Vc = Vcc - IcRc VC = CC - IC * RC
CE= VC-VE

QUADRO 4.3 Variáveis da Equação e do Programa para a Rotina de Cálculo da

Polarização DC
Variável da Equação Variável do Programa

R1 Rl
R2 R2
RTh RT
Vcc CC
VTh VT
IB IB
VBE BE

/3 BETA
RE RE
lc IC
IE IE
VE VE
Vs VB
Vc vc
VCE CE
 Polarização DC - TBJ 141

REM ****************************************************
REM
REM
40
****************************************************

PRIN'l'
140 INPUT
INPUT if
INPU'l'
INPUT ºRC=";RC
PRINT
INPU'l'
PRINT
INPUT "'rransistor betaw:: 11 ;BE'l'A
PRIN'l'
REM Now do
10000
PRINT
PRINT
li
PRINT
1
PIUNT • uA 11
PRINT
PRINT
PRINT
PRINT
PRINT
PRINT
PRINT
PRINT
PRINT
END
10000 REM

4.

Fig. 4.74 Programa em BASIC para a análise

do circuito da Fig. 4.69.
142 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

12V Vcc
PROBLEMAS

§ 4.3 Circuitos com Polarização Fixa

1. Para a configuração com polarização fixa da Fig. 4. 75, determine:

(a) Ine· Vc=6V

(b) Icº·
(e) Vc,,· VcE =7,2 V f3
(d) Vc·
(e) V8 •
(t) VE.

Fig. 4.76 Problema 2. Fig. 4.77 Problema 3.

16V

3. Dada a informação mostrada na Fig. 4.77, determine:

(a) Ic.
(b) Vcc·
(c) /3.
(d) RB.
4. Ache a corrente de saturação Uc,.,) para a configuração com pola-
rização fixa da Fig. 4.75.
*5. Dada as curvas características de transistor da Fig. 4.78:
(a) Desenhe uma reta de carga sobre as curvas, determinada por
E = 21 V e Rc = 3 kil, para uma configuração com polariza-
ção fixa.
(b) Escolha um ponto de operação no meio do caminho entre o
corte e a saturação. Determine o valor de R8 que estabelece o
Fig. 4.75 Problemas 1, 4, 11, 47, 51, 52, 53, 57, 61. ponto de operação escolhido.
(c) Quais são os valores resultantes de Ic0 e CCE 0 ?
(d) Qual é o valor de f3 no ponto de operação?
2. Dada a informação mostra na Fig. 4.76, determine: (e) Qual é o valor de a definido pelo ponto de operação?
(a) Ic. (t) Qual é a corrente de saturação Ues.,) para o projeto?
(b) Rc. (g) Esboce a configuração com polarização fixa resultante.
(e) R 8 • (h) Qual é a potência de dissipada pelo dispositivo no ponto de
(e) VCE. operação?

Ic(mA)

o 5 10 15 20 25 30 VCE (V) Fig. 4.78 Problemas 5, 10, 19, 35, 36.

 Polarização DC - TBJ 143

(i) Qual é a potência fornecida pela fonte Vcc?
(j) Determine a potência dissipada pelos elementos resistivos,
calculando a diferença entre os resultados das letras (h) e (i).
§ 4.4 Circuitos de Polarização Estável do Emissor
9. Determine a corrente de saturação (lesa,) para o circuito da Fig. 4.79.
*10. Utilizando as curvas características da Fig. 4.78, determine para
uma configuração de polarização do emissor com o ponto Q defi-
nido em lc0 = 4 mA e VCEo· = 10 V, o seguinte:

6. Para o circuito de polarização estável do emissor da Fig. 4.79, de- Vcc

termine:
(a) [Bo,
(b) Ic•.
(c) VcEo··
(d) Vc-
(e) VB.
(f) Vp
VcE =7,3 V f3
20V

Fig. 4.81 Problema 8.

(a) Rc se Vcc = 24 V e RE = 1,2 k!l.

(b) f3 no ponto de operação.
(c) R8 •
(d) Potência dissipada pelo transistor.
(e) Potência dissipada pelo resistor Rc.
*11. (a) Determine Ice VcE para o circuito da Fig. 4.75.
(b) Faça f3 igual a 135 e determine o novo valor de I e e VCE para
Fig. 4.79 Problemas 6, 9, 11, 20, 24, 48, 51, 54, 58. o circuito da Fig. 4.75.
(c) Determine a variação percentual em Ice VcE• utilizando as
seguintes equações:
7. Dada a informação fornecida na Fig. 4.80, determine::
(a) Rc-
(b) Rp %6.Ic = 1lc"""; - lc"""'' 1 X 100%, %6.VCE
(c) R8. Co~tm:i)

(d) VcE·
(e) V8 •
= 1 VCEii,tr;l - VCEoarn ,, 1X 100%
CE(1cu-.1n)

(d) Determine Ice VcE para o circuito da Fig. 4.79.

12V (e) Faça f3 igual a 150 e determine o novo valor de Ice VcE para

=i).2'InA o circuito da Fig. 4.79.

(f) Determine a variação percentual em Ice VcE• utilizando as
seguintes equações:

RB %6.le = 1 lc"""''
I - lc"""'" 1 X lOO% ,
716V c(l~trad)

VB = 1 VcE";' - VcE"'"'d) 1 X lOO%

VcE CE<1c1rad)

2 14V (g) Para cada item acima, o valor de f3 foi aumentado em 50%.
Compare a variação percentual em Ice VcE para cada confi-
guração e comente sobre a que parece ser menos sensível às
variações em {3.

§ 4.5 Polarização por Divisor de Tensão

Fig. 4.80 Problema 7. 12. Para a configuração de polarização por divisor de tensão da Fig.
4.82, determine:
(a) ! 80 • (c) Vc,,·. (e) VE.
8. Dada a informação fornecida na Fig. 4.81, determine:
(a) {3. (b) Vcc· (c) R8 , (b) Icº. (d) Vc. (f) VB.
144 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

16V 15. Determine a corrente de saturação (/csa,) para o circuito da Fig. 4.82.
*16. Para a configuração com divisor tensão da Fig. 4.85, e utilizando o
método aproximado se a condição estabelecida pela Eq. 4.33 for
satisfeita, determine:
(a) lc.
(b) VcE·
(c) 18 •
(d) VE.
(e) V8 •

18V

Fig. 4.82 Problemas 12, 15, 18, 20,

24,49,51,52,55,59,63. 39 kQ

~
ln +
13. Dada a informação fornecida na Fig. 4.83, determine:
VcE
(a) lc, VB
(b) VE.
(c) V8 • VE
(d) R,. 8,2 kQ

...
Fig. 4.85 Problemas 16, 17, 21.

*17. Repita o Problema 16, utilizando o método exato (Thévenin) e

compare as soluções. Baseado nos resultados, pode-se dizer que o
método aproximado é uma técnica válida de análise supondo que
a Eq. (4.33) é satisfeita?
18. (à) Determine lc0 , Vc•,· e/~ paraocircuitodoProblema 12(Fig.
4.82), utilizando o método aproximado, ainda que a condição es-
tabelecida pela Eq. (4.33) não seja satisfeita.
Fig. 4.83 Problema 13. (b) Determine I c0 , Vc•,. e I ºª , utilizando o método exato.
(c) Compare as soluções e comente se a diferença é grande o su-
ficiente para se afirmar que a condição estabelecida pela Eq.
14. Dada a informação fornecida na Fig. 4.84, determine: (4.33) é realmente necessária quando da utilização do méto-
(a) Ic. do aproximado.
(b) VE. *19. (a) Utilizando as curvas características da Fig. 4.78, determine Rc
(c) Vcc- e RE para o circuito com divisor de tensão cujo ponto Q é I ca
(d) VCE. = 5 mA e Vc•, = 8 V. Use Vcc = 24 V e Rc = 3RE·
(e) V8 •
(b) Ache VE'
(f) R,.
(c) Determine V8 •
(d) Ache R2 se R 1 = 24 kO assumindo que {3RE > 10R2 •
Vcc (e) Calcule f3 no ponto Q.
(t) Verifique a Eq. (4.33) e observe se a suposição feita na letra
(d) está correta.
*20. (a) Determine Ice VCE para o circuito da Fig. 4.82.
(b) Faça f3 igual a 120 (50% de aumento) e determine os novos
valores de Ice VCE para o circuito da Fig. 4.82.
(c) Determine a variação do percentual de Ice VcE• utilizando as
20µA seguintes equações:
-+-
%Me = l /c(l..,;, - lcn...., 1 X 100%,
Coemia)

8,2 kQ = 1 VcE""';' - VcE,.,.,,, 1 x lOO%

CEnetraa)

(d) Compare a solução da letra (c) com os resultados obtidos para

as letras (c) e (t) do Problema 11. Se este problema não foi
Fig. 4.84 Problema 14. feito, compare com as respostas fornecidas no Apêndice E.
 Polarização DC - TBJ 145

(e) Baseado nos resultados da letra (d), qual configuração é me- +22V
nos sensível à variações em [3?
*21. I Repita todo o Problema 20 para o circuito da Fig. 4.85. Faça
{3 igual a 180 na letra (b).
II A que conclusão pode-se chegar sobre os circuitos em que a
condição {3RE > 10R2 é satisfeita, e em relação às quantida-
des lc e VCE a ser determinadas em resposta a uma variação
em [3?

§ 4.6 Polarização DC com Realimentação de Tensão

22. Para a configuração com realimentação de coletor da Fig. 4.86,

determine: '
(a) 18.
(b) lc.
(c) Vc.
Fig. 4.88 Problema 24.
+16V

(c) Determine a variação percentual em I e e VCE• utilizando as

seguintes equações:

%Me= Ileu",; -leu..-..,, 1 X 100%, %.:iVeE

C(l.-trna)

= 1 VeEu,,,;> - VeEu, ...> 1 X lOO%

CEcie1raa)

(d) Compare os resultados da letra (c) com os obtidos nos Pro-

blemas 11 (c), 11 (f), e 20 (c). Comparando com as outras
configurações, avalie a sensibilidade do circuito com realimen-
tação de coletor à variação em {3.
25. Determine a faixa possível de valores para Vc para o circuito da
Fig. 4.89; utilizando o potenciômetro de 1 MO.
Fig. 4.86 Problemas 22, 50, 56, 60, 64.

+12V

23. Para o circuito com divisor de tensão da Fig. 4.87, determine:

(a) lc.
(b) Vc-
(c) VE'
(d) VCE.

30V

lOµF Fig. 4.89 Problema 25.

v;o-------)1-~t-~~~~~~~

*26. Dado V8 = 4 V para o circuito da Fig. 4.90, determine:

(a) VE.
(b) lc.
(c) Vc.
(d) VcE·
(e) 18 •
(f) [3.
Fig. 4.87 Problema 22.
§ 4.7 Configurações Mistas de Polarização

*24. (a) Determine o valor de lc e VCE para o circuito da Fig. 4.88. 27. Dado Vc = 8 V para o circuito da Fig. 4.90, determine:
(b) Faça {3 igual a 135 (50% de aumento) e calcule os novos ní- (a) 18.
veis de lc e VCE. (b) lc,
146 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

18 V

510 kQ
---o\/("
+
~-"~n,---+----oVc
+ VCE lllllll
V8 =4V 510 kQ

'-----+----o-18 V

Fig. 4.93 Problema 29.

Fig. 4.90 Problema 26. *30. Determine o nível de VE e IE para o circuito da Fig. 4.94.

18 V
6V

Fig. 4.91 Problema 27. -6V

Fig. 4.94 Problema 30.

(c) /3.
(d) VCE.
*28. Para o circuito da Fig. 4.92, determine: *31. Para o circuito da Fig. 4.95, determine:
(a) 18 • (a) [E.
(b) lc. (b) Vc.
(c) VCE. (c) VcE·
(d) Vc.

+16V -8V

1,8 kn

lOV

Fig. 4.95 Problema 31.

-12V
§ 4.8 Procedimentos de Projeto
Fig. 4.92 Problema 28.
32. Determine Rc e R8 para uma configuração com polarização fixa se
Vcc = 12 V, /3 = 80, e Ic" = 2,5 mA com VCEº = 6 V. Utilize
*29. Para o circuito da Fig. 4.93, determine: valores comerciais.
(a) 18 •
33. Projete um circuito de polarização estável do emissor em IcQ =
(b) lc.
(c) VE. ·tfc~, e Vc•,· = f Vcc· Use Vcc = 20 V, lc~, = 10 mA, /3 = 120,
(d) VCE" e Rc = 4RE' Utilize valores comerciais.

34. Projete um circuito de polarização com divisor de tensão utilizan-
do uma fonte de 24 V, um transistor com um beta de 110, e um
ponto de operação de IcQ = 4 mA e vCE,· = 8 V. Escolha VE =
t Vcc· Utilize valores comerciais.
*35. Utilizando as curvas características da Fig. 4.78, projete uma con-
figuração com divisor de tensão para que se tenha um nível de sa-
turação de 1O mA, e um ponto Q na metade da distância entre o
corte e a saturação. A fonte disponível é de 28 V e VE deve ser um
quinto de Vcc· A condição estabelecida pela Eq. (4.33) também deve
ser atendida para que resulte em um alto fator de estabilidade. Utili-
ze valores comerciais.
§ 4.9 Circuitos de Chaveamento com Transistor
*36. Utilizando as curvas características da Fig. 4.78, determine a for-
ma de onda na saída para o circuito da Fig. 4.96. Inclua os efeitos
de Vc,,. e determine I8 , Iam,,. e Ic~, quando V; = 1OV. Determine
a resistência equivalente entre o coletor e emissor na saturação e
no corte.
lOV
V;
lOV
ov
Fig. 4.96 Problema 36.
*37. Projete o circuito inversor da Fig. 4.97 para operar com uma cor-
rente de saturação de 8 mA, utilizando um transistor com um beta
igual a 100. Considere o nível de I8 igual a 120% do calor de Ia'""
e utilize resistores com valores comerciais.
5V
V;
5V
Fig. 4.97 Problema 37.
38. (a) Utilizando as curvas características da Fig. 3.23c, determine t0 n
e t 0 ff para uma corrente de 2 mA. Observe o uso de escalas log (caso
tenha necessidade, consulte a Seção 11.2).
(b) Repita a letra (a) para uma corrente de 10 mA. De quanto foi
a variação de t0 n e t0 ff com o aumento na corrente de coletor?
(c) Para as letras (a) e (b) e baseado na Fig. 4.56, esboce o pulso
resultante e compare os resultados.
§ 4.10 Técnicas de Solução de Problemas em Circuitos
*39. As leituras mostradas na Fig. 4.98 revelam que o circuito não está
funcionando corretamente. Cite todas as razões que souber que
justifiquem as medidas obtidas.
Polarização DC - TBJ 14 7
20V 20V
470k'2 470k'2
(a) (b)
20V
470k'2
(e)
Fig. 4.98 Problema 39.
*40. As leituras mostradas na Fig. 4.99 revelam que o circuito não está
operando corretamente. Seja específico ao descrever por que os
níveis obtidos refletem um problema com o comportamento espe-
rado do circuito. Em outras palavras, os níveis obtidos refletem um
problema bem específico a cada caso.
41. Para o circuito da Fig. 4.100:
(a) Vc aumenta ou diminui quando se aumenta R8 ?
(b) Ic aumenta ou diminui quando se reduz /3?
(c) O que acontece com a corrente de saturação quando se aumen-
ta /3?
(d) A corrente de coletor aumenta ou diminui quando reduz Vcc?
(e) O que acontece com VcE se o transistor for substituído por outro
de menos /3?
42. Responda as seguintes questões sobre o circuito da Fig. 4.1 O1.
(a) O que acontece com a tensão Vc se o transistor for substituído
por outro que apresenta um f3 de maior valor?
(b) O que acontece com a tensão VCE se a perna do resistor ligado
à terra abrir (não está mais conectado à terra)?
(c) O que acontece com I e se a fonte de tensão reduzir seu valor?
(d) Que tensão VcE surgiria se a junção base-emissor do transis-
tor se comportasse como um circuito-aberto?
(e) Que tensão V cE surgiria se a junção base-emissor do transis-
tor se comportasse como um curto-circuito?
*43. Responda as seguintes questões sobre o circuito da Fig. 4.102.
(a) O que acontece com a tensão Vc se o resistor R8 abrir?
(b) O que deveria acontecer com VcE se f3 aumentasse devido à
temperatura?
(c) Como VE será afetado, se o resistor de coletor for substituído
por outro cuja resistência é a menor possível dentro da faixa
de tolerância?
148 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

16V 16V

9lkQ 91 kíl

Vs =9,4V
1a
18 kQ 18 kQ

Fig. 4.99 Problema 40.

(a) (b)

Vcc=+18V
+Vcc=20V

Rs
510k0

Rs
240kQ

IBII

Fig. 4.100 Problema 41. Fig. 4.101 Problema 42. Fig. 4.102 Problema 43.

(d) Se a conexão do coletor do transmissor abrir, o que acontece- -22V

rá com VE?
(e) Se VCE for próximo de 18 V, o que deverá ter acontecido?

§ 4 .11 Transistores PNP

44. Determine V0 VCE, e Ic para o circuito da Fig. 4.103.

45. Determine Vc e / 8 para o circuito da Fig. 4.104.
46. Determine IE e Vc para o circuito da Fig. 4.105.

-12V

Fig. 4.104 Problema 45.

§ 4.12 Estabilização da Polarização

47. Determine o seguinte para o circuito da Fig. 4.75:

(a) S(/co).
Fig. 4.103 Problema 44. (b) S(VBE).

+8 V
v(.
Fig. 4.105 Problema 46.
(c) S(/3), considerando Ti como a temperatura na qual os valores
dos parâmetros são especificados e {3(T2) 25% maior do que
/3(Ti).
(d) Determine a variação em l e para uma alteração nas condições
de operação, onde há um aumento de lco de 0,2 µ,A para 10
µA, uma queda em V8 E de 0,7 V para 0,5 V, e uma elevação
de25% em {3.
*48, Para o circuito da Fig. 4.79, determine:.
(a) S(lco),
(b) S(VBE).
(c) S(/3), considerando Ti como a temperatura na qual os valores
dos parâmetros e /3(T2) 25% maior do que /3(Ti)-
(d) Determine a variação em lc para uma alteração nas condições
de operação, onde há um aumento de lco de 0,2 µA para 10
µA, uma queda em V8 i::de 0,7 V para 0,5 V, e uma elevação
de 25% em/3.
*49. Para o circuito da Fig. 4.82, determine:
(a) S(lco),
(b) S(VBE).
(c) S(/3), considerando T 1 como a temperatura na qual os valores
dos parâmetros são especificados e /3(T2 ) 25% maior do que
/3(T1).
(d) Determine a variação em l e para uma alteração nas condições
de polarização, onde há um aumento em lco 0,2 µA para 10
µA, uma queda em V8 E de 0,7 V para 0,5 V, e uma elevação
de25% em/3.
*50. Para o circuito da Fig. 4.91, determine:
(a) S(/c0 ).
Polarização DC - TBJ 149
(b) S(VBE).
(c) S(/3), considerando T1como a temperatura na qual os valores
dos parâmetros são especificados e {3(T2) 25% maior do que
/3(T1).
(d) Determine a variação em lc para uma alteração nas condições
de polarização, onde há um aumento em lco de 0,2 µA para
10 µA, uma queda em V8 E de 0,7 V para 0,5 V, e uma eleva-
ção de 25% em {3.
*51. Para os Problemas 47 até 50, compare os fatores de estabilidade
relativos encontrados. As respostas dos Exercícios 47 e 49 podem
ser obtidas no Apêndice E. Pode-se tirar alguma conclusão dos
resultados?
*52. (a) Compare os níveis de estabilidade para a configuração com
polarização fixa do Problema 47.
(b) Compare os níveis de estabilidade para a configuração com
divisor de tensão do Problema 49.
(c) Que fatores das letras (a) e (b) parecem ter maior influência
na estabilidade do sistema, ou não há um padrão geral para os
resultados?
§ 4.13 Análise por Computador
53. Faça uma análise com PSpice (versão DOS) do circuito da Fig. 4.75.
Ou seja, determine 10 VCE e 18 •
54. Repita o Problema 53 para o circuito da Fig. 4.79.
55. Repita o Problema 53 para o circuito da Fig. 4.82.
56. Repita o Problema 53 para o circuito da Fig. 4.86.
57. Repita a análise com PSpice (versão Windows) do circuito da Fig.
4.75.
58. Repita o Problema 57 para o circuito da Fig. 4.79.
59. Repita o Problema 57 para o circuito da Fig. 4.82.
60. Repita o Problema 57 para o circuito da Fig. 4.86.
61. Faça uma análise do circuito da Fig. 4.75 utilizando BASIC. Ou
seja, determine lc, VCE e 18 •
62. Repita o Problema 61 para o circuito da Fig. 4.79.
63. Repita o Problema 61 para o circuito da Fig. 4.82.
64. Repita o Problema 61 para o circuito da Fig. 4.86.
*Observação: Os asteriscos indicam problemas mais difíceis.

Transistores de Efeito
de Campo
5.1 INTRODUÇÃO
O transistor de efeito de campo, abreviado por FET (direto do
inglês, Field-Effect Transistor), é um dispositivo de três termi-
nais, utilizado em várias aplicações e que realiza, em larga esca-
la, muitas das funções do TBJ descritas nos Caps. 3 e 4. Embora
haj~ diferenças importantes entre os dois tipos de dispositivos,
venfic~-se t~bém muitas semelhanças que serão mf).Stradas
nas seçoes segmntes.
A diferença fundamental entre os dois tipos de transistores é
o fato de o TBJ ser um dispositivo controlado a corrente, como
mostrado na Fig. 5. la, enquanto que o JFET é um dispositivo con-
trolado a tensão, conforme a Fig. 5. lb. Em outras palavras, a cor-
rente lc na Fig. 5.la é à função direta do nível de 18 • Para o FET,
a corrente I será função da tensão VGs aplicada do circuito de en-
trada, como mostra a Fig. 5.lb. Em cada caso, a corrente do cir-
cuito de saída está sendo controlada por um parâmetro do circui-
to de entrada - em um caso, o nível de corrente, e no outro, a
tensão aplicada.
Assim como existem transistores bipolares npn e pnp, existem
~~sistores de efeito de campo de canal n e canal p. Entretanto,
e importante observar que o TBJ é um dispositivo bipolar - o
prefixo bi- revelando que o nível de condução é função de dois
portadores de carga, elétrons e buracos. O FET é um,dispositivo
unipolar, dependendo somente da condução realizada por elétrons
(canal n) ou buracos (canalp).
Ic
(Corrente de controle) / 8
~ sistor de junção por efeito de campo (JFET) e o transistor de
+ tegoria MOSFET será desmembrada em dois tipos, depleção e
(Tensão de controle) V 05
(a) (b)
Fig. 5.1 (a) Amplificadores controlados a corrente e (b) controlados a tensão.
CAPÍTULO
5
O termo "efeito de campo" escolhido para a denori'finação do
dispositivo merece alguma interpretação. Todos conhecemos a
capacidade de um ímã permanente atrair limalhas de ferro sem
a necessidade de contato. O campo magnético do ímã perma-
nente envolve as limalhas e as atrai, por meio das linhas de flu-
xo magnéticas, que realizam o trabalho com o menor esforço
possível. Para o FET, um campo elétrico é estabelecido pelas
cargas presentes, que controlarão o caminho de condução do
circuito de saída sem a necessidade de um contato entre as quan-
tidades controladoras e controladas.
Quando se apresenta um dispositivo com conjunto de apli-
cações semelhantes às de um outro já mostrado, há uma tendên-
cia natural de se comparar algumas das características gerais de
um dispositivo com as do outro. Uma das características mais
importantes do FET é a sua alta impedância de entrada. Com
níveis que variam de 1 até várias centenas de megaohms, pode-
se afirmar que sua impedância de entrada é consideravelmente
maior do que a de configurações com TBJ - uma característi-
ca muito importante a ser considerada em projetos de sistemas
de amplificação linear. Por outro lado, o TBJ apresenta sensi-
bilidade muito maior às variações no sinal aplicado. Em outras
palavras, a variação na corrente de saída é tipicamente maior para
os TBJs do que para os FETs, para uma mesma variação no si-
nal de entrada. Por isso, os ganhos de tensão dos amplificado-
res com TBJ são normalmente maiores do que os verificados
para os amplificadores com FET. Em geral, os FETs são mais
estáveis com relação à temperatura do que os TBJs, e, em geral,
são menores fisicamente do que os TBJs - característica parti-
cularmente útil na construção de circuitos integrados (CI). As
características de construção de alguns FETs, entretanto, podem
fazê-los mais sensíveis ao manuseio do que os TBJs.
Dois tipos de FETs serão introduzidos neste capítulo: o tran-
efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFET). A ca-
intensificação, descritos posteriormente. O transistor MOSFET
tomou-se um dos dispositivos mais importantes utilizados no
projeto e ~onstrução de circuitos integrados para computadores
digitais. E termicamente estável, além de outras características
que o destacam em projetos de circuitos para computadores.
Entretanto, como elemento discreto em um encapsulamento tipo
caneca, ele deve ser manuseado com cuidado (observação dis-
cutida em seção posterior).

Em 1955, os Drs. Ian Munro Ross (frente) e G. C. Dacey desenvolveram con-
juntamente um procedimento experimental para determinar as caracteásticas de
um transistor de efeito de campo. (Cortesia da AT&T Archives.)
A construção e características do FET serão abordadas neste
capítulo, enquanto que as configurações de polarização serão
apresentadas no Cap. 6. A análise feita no Cap. 4 utilizando TBJs
será útil na dedução de importantes equações, e na compreensão
dos resultados obtidos para os circuitos com FET.
5.2 CONSTRUÇÃO E
CARACTERÍSTICAS DO JFET
Como indicado anteriormente, o JFET é um dispositivo de três
terminais, com um terminal capaz de controlar o nível de cor:
rente entre os outros dois. Na nossa discussão sobre o TBJ, o tran-
sistor npn foi empregado durante a maior parte da análise e pro-
jeto, com uma seção dedicada ao efeito da utilização do transis-
tor pnp. Para o transistor JFET, o dispositivo de canal n será o
mais empregado na análise, enquanto que para o dispositivo de
canal p só serão dedicados alguns parágrafos e seções.
A construção básica do JFET de canal n é mostrada na Fig.
5.2. Observe que a maior parte da estrutura é composta do mate- Na Fig. 5.4 uma tensão positiva V s foi aplicada através doca-
rial tipo n, formando o canal entre as camadas imersas de mate- · nal, e a porta foi conectada diretamente à fonte, estabelecendo a
Dreno (D)
Canal n
Porta (G)
Região de Região de
depleção depleção
Fonte (S)
Fig. 5.2 Transistor de efeito de campo de junção (JFET). polarizada em cerca de 1,5 V, enquanto que a região inferior estará
Transistores de Efeito de Campo 151
Fonte
Porta
Fig. 5.3 Analogia do fluxo de água para o mecanismo do JFET.
rial tipo p. A parte superior do canal tipo n está conectada atra-
vés de um contato ôhmico ao terminal denominado dreno (D),
enquanto que a extremidade inferior do mesmo material está li-
gada através de um contato ôhmico ao terminal referido como
fonte (S). Os dois materiais tipo p estão ligados entre si e ao ter-
minal porta (G). Em resumo, portanto, o dreno e a fonte estão
conectados aos extremos do canal tipo n e a porta às duas cama-
das do material tipo p. Sem um potencial aplicado, as duas jun-
ções p-n do JFET estão sob condições de não-polarização. O
resultado é uma região de depleção em cada junção, como mos-
trado na Fig. 5.2, que se assemelha à mesma região de um diodo
sob condições de não-polarização. Lembre ainda que uma região
de depleção não contém portadores livres, e portanto não permi-
te a condução através da região.
As analogias são raramente perfeitas e às vezes podem con-
fundir, mas a analogia da água da Fig. 5.3 apresenta um sentido
para o controle feito pelo terminal de porta e para a terminologia
aplicada aos terminais do dispositivo. A fonte de pressão da água
pode ser associada à tensão aplicada do dreno para a fonte, e esta
estabelecerá um fluxo de água (elétrons) saindo da torneira (fon-
te). A "porta", por meio de um sinal aplicado (potencial) contro-
la o fluxo de água (carga) para o "dreno". Os terminais de dreno
e fonte situam-se em extremidades opostas do canal n da manei-
ra mostrada na Fig. 5 .2, isto porque a terminologia é definida para
o fluxo de elétrons.
V Gs = O V, V vs Maior que Zero
0
condição Vas = OV. O resultado é o terminal de porta e fonte no
mesmo potencial, e uma região de depleção na extremidade in-
ferior de cada material p, semelhante à distribuição encontrada
para a situação de não-polarização da Fig. 5.2. No instante em
que a tensão V00 (= V0 s) é aplicada, os elétrons fluem para o
terminal de dreno, estabelecendo a corrente convencional I 0 , com
o sentido definido pela Fig. 5.4. O caminho do fluxo de cargas
revela claramente que as correntes de dreno e fonte são equiva-
lentes ([0 = l 5 ). Sob as condições mostradas na Fig. 5.4, o fluxo
de cargas não é restringido, e limitado apenas pela resistência do
canal n entre o dreno e a fonte.
É importante observar que a região de depleção é mais larga
na parte superior, em ambos os materiais tipo p. Este fato é mais
bem explicado com o auxílio da Fig. 5.5. Assumindo uma resis-
tência uniforme no canal n, ela pode ser distribuída da maneira
mostrada na Fig. 5.5. A corrente [0 estabelecerá níveis de tensão
ao longo do canal, como indicado na mesma figura. O resultado
é que a região superior do material tipo p estará reversamente
152 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
DF Canaln
+
G 1
+
Vas=OV
s~
Fig. 5.4 JFET para Vas = OVe Vos> O V.
reversamente polarizada por apenas 0,5 V. Lembre da análise da
ºl't:ração do diodo que, quanto maior a tensão reversa aplicada,
mrus larga é a região de depleção - justificando a distribuição
da região de depleção mostrada na Fig. 5.5. Devido ao fato de a
junção p-n estar reversamente polarizada, a corrente de porta é
zero amperes, como mostrado na mesma figura. Esta caracterís-
tica do JFET é bastante relevante.
Na medida em que a tensão V0 s aumenta de Opara alguns volts,
a corrente aumenta como previsto pela lei de Ohm, e o gráfico
de 10 versus Vos tem a forma mostrada na Fig. 5.6. A relativa
linearidade da curva revela que, para a região de baixos valores
de Vos, a resistência é absolutamente constante. Quando Vos au-
menta de valor e se aproxima do nível Vp, na Fig. 5.6, as regiões
de depleção da Fig. 5.4 se alargam, provocando considerável
redução na largura do canal. Isto acarreta um aumento na resis-
tência do canal, representado na curva da Fig. 5.6. Quanto mais
horizontal a curva, maior é a resistência, e no limite tem-se uma
resistência "infinita". Se a tensão Vos for elevada a um nível onde
as duas regiões de depleção parecem se "tocar", como mostrado
na Fig. 5. 7, resulta na condição de pinch-off. O nível de Vos que
estabelece esta condição é referido como tensão de constrição (do
inglês, pinch-ojJ) e é denotado por VP, como mostra a Fig. 5.6.
+
.....
V08 =0V
lo=OA
Vm =2 V
Fig. 5.5 Variação dos potenciais reversos de polarização através da junção p-n
de um canal n do JFET.
1
Nível de saturação
Vas=OV
1 Aumento da resistência devido
1 ao estreitamento do canal
1
~ 1 Resistência de canal n
i
o Vp
Fig. 5.610 versus V05 para Vas = OY.
Na verdade, o termo "pinch-off' é inapropriado, sugerindo que
a corrente é cortada e cai a zero A. Entretanto, como mostrado
na Fig. 5.6, este é o caso extremo - / 0 mantém um nível de sa-
turação definido por loss na Fig. 5.6. Na verdade, ainda existe um
canal muito estreito, com uma corrente de altíssima densidade.
O fato de ln não ser cortada no pinch-off e manter o nível de sa-
turação indicado na Fig. 5.6 é verificado pelo seguinte argumen-
to: a ausência de uma corrente de dreno impossibilitaria a exis-
tência de diferentes níveis de potencial através do canal n, e não
estabeleceria os níveis de tensão reversos ao longo da junção p-
n. Com isto, haveria a perda da distribuição da região de deple-
ção,que, em primeiro lugar, originou o pinch-off.
A medida que Vos cresce e se afasta de Vp, a região de confronto
entre as duas regiões de depleção aumenta em comprimento ao
longo do canal, mas o nível de / 0 permanece essencialmente o
mesmo. Em resumo, portanto, uma vez estabelecido Vos > V, o
JFET apresenta as características de uma fonte de corrente. cd'mo
mostrado na Fig. 5.8, a corrente é constante em 10 = loss, mas a
tensão Vos (para níveis > VP) é determinada pela carga empregada.
A escolha da notação I vss vem do fato de a corrente ser do Dre-
no para Fonte (Source), com um curto-circuito (Short-circuit)
D +
Vos =OV
Fig, 5.7 Pinch-off (Vas = O V, V05 = VP).
 Transistores de Efeito de Campo 153

D(G +

IG=OA
G -+- VDS > OV
Fig. 5.8 Fonte de corrente equivalente para V0 , = O V, Vos> VP.

+
IV
da porta para a fonte. Se continuarmos a investigar as caracterís- +
ticas do dispositivo, acharemos que:
Vos=-! V
IDss é a corrente máxima de dreno para um JFET, e é defi-
nido pela condição VGs = O V e VDs > IV/
Observe na Fig. 5.6 que VGs = OV para toda a curva. Os pró- s~
ximos parágrafos descreverão como a curva característica da Fig.
5.6 é afetada por variações no nível de Vas·

Fig. 5.9 Aplicação de uma tensão negativa no terminal de porta de um JFET.

A tensão da porta para a fonte, denotada por VGs, é a tensão

controladora do JFET. Assim como várias curvas para Ic versus
VcE foram estabelecidas para diferentes níveis de /8 no TBJ, cur-
vas de /D versus VDs para vários níveis de VGs podem ser desen-
volvidas para o JFET. Para o dispositivo de canal n, a tensão
controladora VGs é feita cada vez mais negativa, a partir de VGs
= O V. Ou seja, o terminal de porta estará cada vez mais em
potenciais menores comparados à fonte.
Na Fig. 5.9, uma tensão negativa de -1 V foi aplicada entre
os terminais de porta e fonte, para uma tensão VDs reduzida. A
polarização negativa estabelece regiões de depleção semelhan-
tes àquelas obtidas com VGs = OV, mas com níveis menores de
VDs· Portanto, o resultado da aplicação de uma polarização ne-
gativa na porta é alcançar a condição de saturação ~m níveis
menores de tensão VDs, como mostrado na Fig. 5.10, para VGs =
- 1 V. O nível de saturação resultante para I D foi reduzido, e de
fato continuará a reduzir para valores de VGs cada vez mais ne-
gativos. Observe também na Fig. 5.10 como a tensão de pinch-
off diminui, descrevendo uma parábola, à medida que VGs setor-
na cada vez mais negativo. Eventualmente, quado Vos = - Vp, a
tensão será suficientemente negativa para estabelecer um nível
de saturação com /D= O mA, e, para todos os efeitos, pode-se
considerar que o dispositivo foi "desligado". Em resumo:
O nível de V0 s que resulta em /D = OmA é definido por VGs
= VP' com VP sendo uma tensão negativa para dispositivos
de canal n, e uma tensão positiva para JFETs de canal p.
Na maioria das folhas de especificações, a tensão de pinch-
off é especializada como VGs(off) ao invés de Vp. A folha de espe-
cificações será revista mais tarde, ainda neste capítulo, quando
os elementos mais importantes forem introduzidos. A região à
direita do lugar geométrico da tensão de pinch-off, na Fig. 5.10,
é a região normalmente empregada para amplificadores lineares
(amplificadores que não distorcem o sinal aplicado), e é quase
sempre referida como corrente constante, saturação, ou região
de amplificação linear.

/ 0 (mA) Lugar geométrico dos níveis de pinch-off

-+- 1/. -
Região 1 Região de saturação
õhmica 1

, ~-
s8 VGs=OV--

6 I

,5
'
r-
Vas=-1 V
4 1 1 1
1 1 1
3 I ' 1 1 1
2 Vas=-2 V
~

1 • Vas=-3 V
1 _vi

o
- I

1 5 10 15 20
1 1 J.Yas=-4 V =Vp

25 V.os(V)
Fig. 5.10 Curvas características do JFET de canal n com Ioss = 8
Vp (para Vas = O V) mAe vp = -4 V.
154 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Resistor Controlado à Tensão

/D (mA)
A região à esquerda do lugar geométrico da tensão de pinch-off,
na Fig. 5.1 O, é denominada ôhmica ou região de resistência con- 7
trolada à tensão. Nesta região, o JFET pode realmente ser em- VGs=OV
6
pregado como um resistor variável (talvez para um sistema de
controle automático de ganho), cuja resistência é controlada pela 5
tensão porta-fonte aplicada. Observe na Fig. 5.10 que a inclinação
de cada curva, e portanto a resistência do dispositivo entre dreno e Região de
3 Vas=+2V
fonte para Vvs < VP é função da tensão VGs aplicada. Quando a ruptura
tensão Vos assume valores mais negativos, a inclinação da curva 2 Vas=+3 V
toma-se mais horizontal, correspondendo a um aumento no nível Vas=+4 V
de resistência. A equação abaixo fornece uma boa aproximação
para o nível de resistência em termos da tensão VGs aplicada. o -5 -10 -15 -20 -25 VDs

(5.1) Fig. 5.12 Curvas características para o JFET de canal p com Ioss = 6 mA e VP =
+6V.

onde r0 é a resistência com VGs = OV e rd a resistência para um

valor particular de VGs·
Para um JFET de canal n, com r0 igual a 10 kO (VGs = OV, VP
= -6 V), rd na Eq. (5.1) vale 40 kO, para VGs = -3 V.
Dispositivos de Canal p
O JFET de canal p é construído exatamente da mesma forma que
o dispositivo de canal n da Fig. 5.2, só que agora as localizações
dos materiais tipo p e n são trocadas, como mostrado na Fig. 5 .11.
Os sentidos das correntes são invertidos, assim como as polari-
dades das tensões VGs e VDs· Para o dispositivo de canal p, oca-
nal será constrito para tensões positivas crescentes da porta para
fonte, e para as curvas da Fig. 5.12, os valores de VDs considera-
dos serão negativos, com IDss igual a 6 mA e uma tensão de pinch-
off de VGs = +6 V. O sinal menos para Vvs indica simplesmente
que a fonte está em um potencial mais alto do que o dreno.
Observe que, para níveis elevados de VDs, a curva ascende
subitamente, assumindo valores ilimitados. O crescimento ver-
tical é uma indicação de que houve uma ruptura, e a corrente
através do canal (no sentido esperado) é limitada agora apenas
pelo circuito externo. Embora não apareça na Fig. 5.10, para o
dispositivo de canal n, o mesmo ocorre para este tipo de disposi-
tivo se uma tensão suficiente for aplicada. Esta região pode ser
evitada se o valor de Vvsm., for observado na folha de especifica-
ções, e o projeto é tal que o valor de VDs é menor do que este nível
para todos os valores de VGs·
Símbolos
Os símbolos gráficos para os JFETs de canal n e canal p são
mostrados na Fig. 5.13. Observe que a seta está apontando para
dentro no dispositivo de canal n da Fig. 5.13a, indicando o sen-
tido que a corrente IG iria fluir se a junção p-n fosse diretamente
polarizada. Para o dispositivo de canal p (Fig. 5.13b), a única
diferença no símbolo é o sentido da seta.
Sumário

D
~ +
Vários parâmetros e relações importantes foram introduzidos
nesta seção. A lista abaixo relaciona alguns que irão surgir fre-
qüentemente na análise feita neste capítulo, e no próximo, para
os JFETs de canal n.
A corrente máxima é definida por IDss, e ocorre quando VGs
IG=OA
G ..,.._
= OVe VDs? IVPI como mostrado na Fig. 5.14a.

+ + D D
VGG

s h_
s s
(a) (b)

Fig. 5.11 JFET de canal p. Fig. 5.13 Símbolos do JFET: (a) canal n; (b) canal p.
 Transistores de Efeito de Campo 155

Vcs=OV
!lo•lo"
+
Vvv~IVpl

VGG
! lo•OA Vvv

s + s
":" Wcc 1 ~. IVP 1 ":"

(a) (b)

Fig. 5.14 (a) Vos = O V, 10 = los,;

s (b) corte (/0 = O A) V05 menor do
que o nível de pinch-off; (e) 10 va-
ria entre O A e loss para V05 menor
ou igual a O V, e maior do que a
(e) tensão de pinch-off.

Para tensões Vcs entre porta e fonte menores do que (mais
negativos do que) o nível de pinch-off, a corrente de dre-
no é OA (/v = OA), como aparece na Fig. 5.14b.
Para todos os valores de V05 entre O V e o nível de pinch-
off, a corrente lv irá variar entre lvss e OA, respectivamente,
como se pode observar na Fig. 5.14c.
Para os JFETs de canal p, uma lista semelhante pode ser
desenvolvida.
5.3 CARACTERÍSTICAS DE
TRANSFERÊNCIA
Dedução
Para o TBJ, a corrente de saída Ice a corrente controladora de
entrada Ia foram relacionadas pelo parâmetro beta, considerado
constante na análise realizada. Na forma de equação,
O termo quadrático da equação resulta em uma relação não-li-
near entre lv e Vcs, produzindo uma curva que cresce exponenci-
almente com valores crescentes de V05 •
Para a análise de a ser feita no Cap. 6, o método gráfico será
mais direto e fácil de se utilizar do que o método matemático. O
método gráfico, entretanto, exigirá o traçado da Eq. (5.3) para
representar o dispositivo, e o traçado da equação do circuito re-
lacionando as mesmas variáveis. A solução é definida pelo pon-
to de interseção das duas curvas. Note que, quando aplicamos o
método gráfico, as características do dispositivo não são afeta-
das pelo circuito no qual o dispositivo é empregado. A equação
do circuito pode mudar com a interseção entre as duas curvas,
mas a curva de transferência definida pela Eq. (5.3) não é afeta-
da. Em geral, portanto:
As características de transferência definidas pela equação
de Shockley não são afetadas pelo circuito no qual o dis-
positivo é empregado.
A curva de transferência pode ser obtida utilizando-se a equa-
ção de Shockley, ou das curvas características da Fig. 5.10. Na

Llc ~ ftla).~(J variável controle (S. )

2
Fig. 5.15 são fornecidos dois gráficos com a escala vertical em

constante

Na Eq. (5.2) há uma relação linear entre Ice Ia. Se o valor de Ia

for dobrado, Ic aumentará também por um fator de 2.
Infelizmente, esta relação linear não existe entre as quantida-
des de saída e entrada de um JFET. A relação entre lv e V05 é
definida pela equação de Shockley:

variável controle

lo = las,;\I l - . Vas)
! . .· 2
1 ·... ·.
I Vi, (5.3) William Bradford Shockley (1910-1989), co-inventor do primeiro transistor e

consta~tes · T· · ·r formulador da teoria "efeito de campo" empregada no desenvolvimento do tran-

sistor e FET. (Cortesia da AT&T Archives.)
156 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

/ 0 {mA) / 0 (mA)

10 10
9 9

-=------------~-------------Vas=-lV

~--------~~---------------Vas=-2V
/Vas=-3V
Vas=-4V
V05 (V) -4 -3 -2 -1 O O 5 10 15 20 25 Vos Fig. 5.15 Obtendo a curva de transfe-
'-10 =_ OmA, Vos =Vp rência das curvas de dreno.

miliamperes para cada gráfico. Um é o gráfico de 10 versus Vos, do de 10 versus V05, dados apenas os níveis de lvss, VP e a equa-
enquanto que o outro é 10 versus V05• Utilizando-se as caracte- ção de Shockley.
rísticas de dreno à direita do eixo "y", pode ser desenhada uma
linha horizontal da região de saturação da curva, denotada por Aplicando a Equação de Shockley
V05 = OV, ao eixo 10 . O nível de corrente resultante para ambos
os gráficos é lvss· O ponto de interseção na curva de 10 versus A curva de transferência da Fig. 5.15 também pode ser obtida
Vas será da maneira mostrada, uma vez que o eixo vertical é de- diretamente da equação de Shockley (5.3), fornecidos apenas os
finido por Vas = O V. valores de lvss e VP. Os níveis de lvss e VP definem os limites da
Para revisão: curva em ambos os eixos, restando-nos apenas achar alguns pon-
Quando V05 = O V, lv = lvss- tos intermediários. A utilização da Eq. (5.3) como base para o
levantamento da curva de transferência da Fig. 5.15 é mais bem
Quando V05 = VP = -4 V, a corrente de dreno é zero miliam- demonstrada examinando-se alguns valores específicos de uma
peres, definindo outro ponto na curva de transferência. Ou seja: variável, e achando o valor resultante para a outra variável, tal
Quando Vas = VP, 10 = OmA. como mostrado abaixo:
Substituindo V05 = O V dá
Antes de prosseguirmos, é importante perceber que as curvas
características de dreno relacionam um parâmetro de saída (ou
dreno) com outro parâmetro de saída (ou dreno)- ambos os ei- Eq. (5.3): lv = lvss (1 - Vcs)
Vp
2

xos são definidos por variáveis na mesma região das curvas ca-
racterísticas do dispositivo. As curvas características de transfe-
rência relacionam uma corrente de saída (ou dreno) versus um = lvss( 1 - iJ 2
=lvss(l - 0)2
parâmetro controlador de entrada. Há, portanto, uma "transferên-
cia" direta das variáveis de entrada para a saída, quando se empre- e f!;-;;~;s~=~ (5.4)
ga a curva à esquerda da Fig. 5.15. Se a relação fosse linear, o grá-
fico de 10 versus V05 seria uma reta entre lvss e VP" Entretanto, a Substituindo Vas = VP aparece
curva é parabólica, já que os intervalos verticais entre as curvas
Vp)2
características de dreno diminuem consideravelmente, na medida lo= loss ( I - Vp
em que V05 assume valores mais negativos. Compare o intervalo
entre as curvas de Vas = OV e Vas = -1 V com o existente entre = loss< I - I )2 = loss(O).
V05 = - 3 V e a tensão de pinch-off. A variação de V0 s é a mesma,
mas a variação resultante em 10 é consideravelmente diversa.
(5.5)
Se uma linha horizontal for desenhada da curva V0 s = -1 V
para o eixo 10 , e então estendida até o outro eixo, pode-se obter Para as características de dreno da Fig. 5.15, se substituirmos
outro ponto da curva de transferência. Observe que Vas = -1 V V08 = -1 V,
no eixo das abscissas do gráfico da curva de transferência, para
10 = 4,5 mA. Observe na definição de 10 , em V0 s = OV e -1 V, Vcs) 2
que os níveis de saturação de 10 são empregados, e a região lo=lvss ( 1 - Vp
ôhmica é ignorada. Continuando com V05 = -2 V e -3 V, a
curva de transferência pode agora ser completada. Para a análise = 8 mA ( 1 -
-1 V ) 2 1 ( )2 = ~
do Cap. 6, nos basearemos na curva de transferência de I O versus
_ 4 V = 8 mA 1- 4 8 mA(0,75t
Vas, e não nas características de dreno da Fig. 5.15. Os próximos = 8 mA(0,5625)
parágrafos introduzirão um método rápido e eficiente para o traça- =4,5 mA
 Transistores de Efeito de Campo 157

= Vp ( 1 - ~-lvss/2) ~ =
como mostrado na Fig. 5 .15. Observe o cuidado que tivemos com
os sinais negativos de Vas e VP nos cálculos acima. A troca de 1- = Vp(l - •v0,5) Vp(0,293)
um sinal levaria a um resultado totalmente errado. DSS

Deve ficar bem claro da consideração acima que dados lvss e

VP (normalmente fornecidos pelas folhas de especificações), o
valor de 10 pode ser determinado para qualquer nível de Vas· In-
versamente, utilizando uma álgebra básica, podemos obter [da
Eq. (5.3)] uma equação para o nível resultante de Vas para um
dado valor de 10 • A dedução é bem simples e resulta em
(5.6)
Vamos testar a Eq. (5.6), achando o valor de Vas que resulta
em uma corrente de dreno de 4,5 mA, para o dispositivo com as
características mostradas no gráfico da Fig. 5.15.
e (5.8)
Pontos adicionais podem ser determinados, mas a curva de
transferência pode ser esboçada com um nível satisfatório de
precisão, utilizando-se apenas os quatro pontos definidos acima,
e revistos no Quadro 5.1. De fato, na análise do Cap. 6, um má-
ximo de quatro pontos são utilizados para o esboço das curvas
de transferência. Na maioria das situações, utilizando apenas o
ponto definido por Vas = V/2 e as interseções dos eixos em lvss
e Vp, será o suficiente para grande parte dos cálculos.
QUADRO 5.1 VGs versus I0 Usando a Equação de Shockley

Vos
~4,5 mA)
Vas = -4 V ( 1 - 8 mA
= -4 V(l - Y0,5625) = -4 V(l - 0,75)
= -4 V(0,25)
= -1 V
valor substituído no cálculo anterior e verificado pela Fig. 5.15.
EXEMPL05.1
Esboce a curva de transferência definida por lvss = 12 mA e VP
Método Simplificado = -6V.
Uma vez que a curva de transferência é traçada freqüentemente, Solução
seria bem vantajoso possuirmos um método simplificado para o
levantamento da curva que realizasse o trabalho de modo mais Os dois pontos são definidos por
rápido e eficiente e mantivesse ainda um nível aceitável de pre-
cisão. O formato da Eq. (5.3) é tal que, para valores específicos lvss = 12 mA e Vas = OV
de Vas, os níveis resultantes de / 0 podem ser empregados facil- e !0 = OmA e Vas = VP
mente na marcação de pontos no gráfico, necessários para o es-
boço ~a curva. Se especificarmos Vas como sendo metade do Em Vas = V/2 = -6 V/2 = -3 V, a corrente de dreno será determi-
valor de pinch-off VP, o nível resultante de 10 será o seguinte, nada por /0 =lvs/4 = 12mA/4 = 3mA.Em/0 = lvs/2 = 12mA/
determinado pela equação de Shockley: 2 = 6 mA, a tensão porta-fonte é determinada por Vas = 0,3 VP =
0,3( -6 V) = -1,8 V. Todos os quatro pontos do gráfico estão bem
definidos na Fig. 5.16, com a curva de transferência completa
Vas) 2
lo= ivss ( 1 - Vp
/ 0 (mA)

= lvss ( l -
Vp/2) 2
Vp = lvss (
1-
1)2
2 = lvss(0,5) 2 Fig. 5.16 Curva de transferência para
12 / 0 = I 055 = 12 mA
o Exemplo 5.1.
11
= lvss(0,25)
10
9
e (5.7) 8
7
Entretanto, é importante observar que a Eq. (5.7) não vale 6
apenas para um valor particular de VP. Ela é uma equação geral, 1 5
para qualquer valor de Vp, como, por exemplo, Vas = V/2. O 1
1 4
resultado determina que a corrente de dreno será sempre um 1
1
quarto do nível de saturação lvss, assim como a tensão porta-fonte --i--- 3
1
é a metade do valor de pinch-off. Observe o valor de / 0 para Vas 1 2
= V/2 = -4 V/2 = -2 V, na Fig. 5.15. 1
1
Vas = Vp=-6V
Se fizermos I O = I vs/2 e inserirmos na Eq. (5 .6), acharemos que 1

Vas= Vp(l - ~ )
lvss
"'-6 -5 -4 -3 -2 -1
1

o
 158 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
Para os dispositivos de canal p, a equação de Shockley (5.3)
pode, ainda, ser aplicada exatamente como mostrada. Neste caso,
tanto VP como VGs serão positivos e a curva será a curva de trans-
ferência refletida do dispositivo de canal n, com os mesmos va-
lores limitantes.
EXEMPL05.2
Esboce a curva de transferência para um dispositivo de canal p,
com IDSs = 4 mA e vp = 3 V.
Solução
Em VGs = V/2 = 3 V/2 = 1,5 V,Jv = lvssf4 = 4mN4 = 1 mA.
Em lv = lvssf2 = 4 mN2 = 2 mA, VGS = 0,3 vp = 0,3(3 V) =
0,9 V. Todos estes pontos aparecem na Fig. 5.17,junto com os
pontos definidos por lvss e VP.
/D (mA)
3 = VGs(oft) varia de -0,5 até -6,0 V, e lvss de 1 até 5 mA. O fato
lvss=4mA
Vp=3V
o 2 3 noCap. 9.
Vp
Fig. 5.17 Curva de transferência para o dispositivo de canal p do Exemplo 5.2.
5.4 FOLHA DE ESPECIFICAÇÕES
QFETs)
Embora o conteúdo geral das folhas de especificações possa va-
riar desde o mínimo absoluto até um grande número de quadros
e gráficos, existem alguns parâmetros fundamentais que serão
fornecidos por todos os fabricantes. Alguns dos mais importan-
tes serão apresentados nos próximos parágrafos. A folha de es-
pecificação para o JFET 2N5457 de canal n, fabricado pela
Motorola, é mostrado na Fig. 5.18.
Especificações Máximas Nominais
A lista contendo os níveis máximos permitidos para um disposi-
tivo normalmente aparece no início das folhas de especificações,
com as tensões máximas entre os terminais, níveis máximos de
corrente, e nível máximo de dissipação de proteína do dispositi-
vo. Os níveis máximos específicos para Vvs e VvG não devem ser
ultrapassados, em qualquer ponto de operação determinado no
projeto. A fonte aplicada Vvv pode exceder estes valores, mas a
tensão existente entre estes terminais não deve nunca ultrapassá-
los. Qualquer projeto tentará evitar estes níveis, mantendo uma
boa margem de segurança. O termo reverso em VGsR defi»e a
tensão máxima positiva em relação ao terminal de porta (conside-
rando a polarização para um dispositivo de canal n), antes de
atingir a tensão de ruptura. Em algumas folhas de especificações,
é denominada de BVvss - Tensão de Ruptura com Dreno-Fonte
em Curto <Vvs = OV). Embora normalmente projetado para ope-
rar com IG = OmA, se forçado a aceitar uma corrente de porta, o
dispositivo pode suportar até 10 mA sem ser danificado. Adis-
sipação total do dispositivo em 25ºC (temperatura ambiente) é a
potência máxima que ele pode dissipar sob condições normais
de operação, e é definida por
(5.9)
Observe a semelhança no formato com a equação de dissipação
máxima de potência para o TBJ.
O fator de redução é discutido com detalhes no Cap. 3, mas,
por ora, saiba que a especificação 2,82 m W / ºC revela que adis-
sipação máxima diminui de 2,82 m W para cada aumento de 1ºC
na temperatura, acima de 25ºC.
Características Elétricas
As c~acterísticas elétricas i~cluem o nível de VP nas CARAC-
TERISTICAS QUANDO NAO CONDUZINDO e lvss nas CA-
RACTERÍSTICAS QUANDO CONDUZINDO. Neste caso, VP
de ambos os parâmetros variarem de dispositivo para dispositi-
vo deve ser considerado no desenvolvimento de um projeto. As
outras quantidades são definidas sob as condições mostradas entre
parênteses. As características de pequenos sinais são discutidas
Fabricação do Encapsulamento e
Identificação dos Terminais
Este particular JFET tem o aspecto mostrado na folha de especi-
ficações da Fig. 5.18. A identificação dos terminais é igualmen-
te fornecida da figura. Os JFETs estão disponíveis ainda em
encapsulamento tipo caneca, como mostrado na Fig. 5.19, com
a identificação dos seus terminais.
Região de Operação
A folha de especificações e a curva definida pelas tensões de
pinch-off para cada nível de VGs determinam a região de opera-
ção nas curvas de dreno da Fig. 5.20, para uma amplificação li-
near. A região ôhmica define os valores mínimos permitidos de
Vvs, para cada nível de VGs, e Vvs . especifica o valor máximo
deste parâmetro. A corrente de sat:iração lvss, corrente máxima
de dreno, e o nível máximo de dissipação de potência definem a
curva desenhada, como foi feito para o TBJ. A região sombrea-
da resultante é a região de operação normalmente utilizada em
um projeto de amplificador.
5.5 INSTRUMENTAÇÃO
Lembre do Cap. 3 que existem instrumentos de medida disponí-
veis para medir o valor de /3dc para o TBJ. O mesmo não se pode
dizer para o FET, já que não há dispositivos semelhantes para
medir os níveis de lvss e VP. Entretanto, o traçador de curvas in-
 Transistores de Efeito de Campo 159

2N5457
CASE 29-04, STYLE 5
T0-92 (T0-226AA)

MAXIMUM RA 1'1NGS 1 Drain

:? Sourcc
2 3
JFETs
GENERAL PURPOSE
N-CHANNEL-l>EPLETION
Stomgc Channcl Tcmpcmture Range
Refcr to 2N4220 ror graphs.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA= 25°C unlcss othcrwisc noted)

Characteristic Symbol Min Typ Max Unit

OFF CHARACTERISTI 'S

Oate-Source Breakdown Voltuge -25 Vdc
((<, = -10 µAde. V05 = 0)
Gal!.! Reverse Currcnt lc;ss nAdc
(Vc;s = -15 Vdc. VDs= O) -1.0
(Vos= -15 Vdc, Vns= O. T,, = JOOºC) -200

ON CHARAC.:TERISTICS

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
Forward Transfcr Admittance Common Sourcc" IYr,I µmhos
(Vus = 15 Vdc, Vc;s = O, f= 1.0 kHz) 2N5457 1000 - .5(XKl
Output Admittancc Common Sourcc* IYo,I µmhns
(VDs = 15 Vdc. Vc;s = O, f = 1.0 kH,.) - 10 50
Input Capacitancc cb . pF
(VDs = 15 Vdc, Vos = O, f= 1.0 MHz> - -l.5 7.0
Reverse Transfer Capacitancc cf!',1', pi'
(Yns= 15 Vdc. YGs =0. I'= l.OMHZ) - l.5 3.0

Fig. 5.18 JFET 2N5457 de canal n da Motorola. *

troduzido para o TBJ pode revelar as características de dreno do
JFET, por meio de um ajuste apropriado dos diversos controles.
A escala vertical (em miliamperes) e a escala horizontal (em volts)
foram ajustadas para mostrar por inteiro as curvas, como apre-
sentado na Fig. 5.21. Para o JFET da Fig. 5.21, cada divisão ver-
*N.T.: Os termos originais em inglês contidos nesta figura não foram traduzidos porque o
que se encontra na prática, no laboratório, são especificações escritas em inglês, com raras
exceções. Deseja-se, com isto, que o leitor se acostume aos termos técnicos que ele encon-
trará na sua vida profissional.
tical (em centímetros) representa uma variação de Ic de 1 mA,
enquanto a divisão horizontal corresponde a 1 V. O intervalo entre
os níveis de VGs é de 500 m V, ou seja, 0,5 V /intervalo, revelando
que a curva mais acima é de VGs = O V e a curva logo abaixo é
de VGs = -0,5 V para o dispositivo de canal n. Utilizando o
mesmo intervalo, a próxima curva é -1 V, depois -1,5 V, e fi-
nalmente -2 V. Desenhando-se uma reta da curva mais acima
até o eixo lv, o valor de lvss pode ser estimado em mais ou me-
nos 9 mA. O nível de VP pode ser estimado observando-se o va-
lor de VGs da curva inferior e levando-se em conta a redução da
distância entre as curvas na medida em que VGs se toma mais
160 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Lugar geométrico dos níveis de pinch-off

2N2844
ENCAPSULAMENTO 22-03, 1/
1
\\
MODELO 12
T0-18 (T0-206AA) Dreno
(Encapsula-

,I
mento)

1 1. Fonte
JFETs ele
EMPREGO GERAL
CANAL,P

Fig. 5.19 Encapsulamento tipo caneca e identificação dos terminais para um JFET
Vvs max
de canalp.

Fig. 5.20 Região de operação para um projeto de amplificação linear.

negativo. Neste caso, VP é, certamente, mais negativo do que -2
V e talvez próximo a - 2,5 V. Entretanto, saiba que as curvas de
V os estão muito próximas umas das outras quando se aproximam
da condição de corte, e talvez VP = - 3 V seja uma melhor op- medida que se aproximam de VP. Felizmente, o nível de VP pode
ção. Deve-se também observar que o intervalo entre as curvas é ser estimado com grau de precisão razoável, aplicando-se sim-
ajustado para mostrar um total de cinco curvas, limitando as cur- plesmente a condição estabelecida no Quadro 5 .1. Ou seja, quan-
vas a Vos= OV, -0,5 V, -1 V, -1,5 V, e -2 V. Se fosse para do / 0 = lns/2, então Vos= 0,3 VP. Para as curvas características
1Ocurvas, o incremento seria reduzido para 250 V = 0,25 V, e a ·da Fig. 5.21, ln = lns/2 = 9 mN2 = 4,5 mA, e como se pode
curva Vos = -2,25 m V seria incluída, além das demais curvas ver na Fig. 5.21, o valor correspondente de Vos é aproximada-
adicionadas entre as mostradas na Fig. 5.21. A curva Vos = - 2,25 mente -0,9 V. Utilizando esta informação achamos que VP =
V revelaria o quanto as curvas se aproximam umas das outras à V0 J0,3 = -0,9 V/0,3 = -3 V, que será o nível escolhido para

/ Vos =OV

lvss=9mA
I

Seus.
Horizontal
IV
pordiv.

lvss =4,SmA -
T
<Vos = -0,9V)

lmA{
div

~
lV - - - - - Vp =-3 V
div

Fig. 5.21 Curvas características de dreno para um JFET 2N44 l 6 apresentadas por um traçador de curvas.
 Transistores de Efeito de Campo 161

este dispositivo. Com este valor, determinamos que em Vos= 5. 7 MOSFET TIPO DEPLEÇÃO
-2V,
Como mencionado na introdução deste capítulo, há dois tipos de
VGs)
lv = lvss (1 - Vp
2
FETs: JFETs e MOSFETs. Os MOSFETs subdividem-se em tipo
-2
=9mA ( 1 - - -
y)2 depleção e tipo intensificação. Os termos depleção e intensifi-
cação definem os seus modos básicos de operação, enquanto que
-3 V a expressão MOSFET representa o transistor de efeito de campo
= 1 mA metal óxido semicondutor (do inglês, metal-oxide-semicon-
ductor-:field-effect transistor). Como existem diferenças nas ca-
confirmado pela Fig. 5.21. racterísticas e operação dos dois tipos de MOSFET, eles são
Em Vas = -2,5 V, a equação de Shock:ley produz /D= 0,25 abordados em seções separadas. Nesta seção, examinaremos o
mA, com VP = - 3 V, revelando claramente o quão rápido as curvas MOSFET tipo depleção, com características semelhantes às de
se aproximam de VP. A importância do parâmetro 8m e a forma um JFET entre o corte e a saturação de IDss; entretanto, suas cur-
como ele é determinado das curvas da Fig. 5.21 são abordadas no vas características apresentam uma particularidade: estendem-se
Cap. 8, quando as condições de pequenos sinais forem examinadas. até a região de polaridade oposta para Vas·

5.6 RELAÇÕES IMPORTANTES Construção Básica

Várias equações e características de operação relevantes foram
introduzidas nas últimas seções, e são de particular importância
para a análise que vem a seguir das configurações de e ac. Com
o intuito de isolar e enfatizar a importância de tais relações, elas
foram repetidas abaixo, ao lado das equações correspondentes
para o TBJ. As equações do JFET são definidas para a configu-
ração da Fig. 5.22a, enquanto que as equações do TBJ baseiam-
se na Fig. 5.22b.
(5.10)
Uma clara compreensão do que realmente representa cada uma
das equações acima é suficiente para abordar a mais complexa
das configurações de. Lembre que VBE = 0,7 V era amiúde o ponto
de partida para a análise de uma configuração com TBJ. De
maneira análoga, a condição Ia = OA é freqüentemente a infor-
mação inicial utilizada para a análise de uma configuração com
JFET. Para a configuração com TBJ, IB é, em geral, o primeiro
parâmetro a ser determinado. Para a JFET é normalmente Vas· A
semelhança entre as análises das configurações com TBJ e JFET
se tomará evidente no Cap. 6.
A construção básica do MOSFET tipo depleção de canal n é
mostrada na Fig. 5.23. Uma camada grossa de material tipo pé
formada a partir de uma base de silício, e é chamada de substra-
to. Ela representa o alicerce sobre o qual o dispositivo será cons-
truído. Em alguns casos, o substrato está internamente conecta-
do ao terminal de fonte. Entretanto, muitos dispositivos discre-
tos oferecem um terminal adicional, denominado SS, resultando
em um dispositivo com quatro terminais, como o que aparece na
Fig. 5.23. Os terminais de fonte e dreno são conectados por meio
de contatos metálicos às regiões n-dopadas, ligadas entre si por
um canal n como mostra a figura. A porta é conectada também à
superfície metálica de contato, mas permanece isolada do canal
n por uma camada muito fina de dióxido de silício (Si02). O Si02
é um tipo particular de isolante, denominado dielétrico, que cria
campos elétricos opostos (por esta razão o prefixo di-) quando
submetido a um campo externo aplicado. O fato de a camada de
Si02 representar uma camada isolante, revela o seguinte:
Não há conexão elétrica direta entre o terminal de porta e
o canal de um MOSFET.
(Dreno)
D

Contatos melá1- ~
1cos ~
JFET
Porta ~
D (G)

!/D
la=OA
G
-+- ( vasf
DSS 1- Vp
+
Vas
-J!/s VBE =0,7 V
!/E
Fonte
(a) s (b) E fS)

Fig. 5.22 (a) JFET versus (b) TBJ. Fig. 5.23 MOSFET tipo depleção de canal n.
162 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Além disso: D
/_..,. ____ _
É a camada isolante de Si02 na construção do MOSFET a

'''
responsável pela desejável alta impedância de entrada do
dispositivo.
Na verdade, a impedância de entrada de um MOSFET equi-
vale normalmente a um JFET típico, ainda que a impedância de
entrada da maioria dos JFETs seja bastante alta para grande par-
te das aplicações. A impedância de entrada extremamente alta
continua confirmando o fato de que a corrente de porta (/0 ) é G
absolutamente zero ampere para as configurações de polariza-
ção de. Vas= O V
A razão para o nome FET metal óxido semicondutor toma-se
agora muito óbvia. O metal refere-se às conexões de dreno, fon-
te e porta com superfície apropriada - em particular, o terminal
de porta e o controle proporcionado pela área de superfície de
contato; o óxido para a camada isolante de dióxido de silício; e
semicondutor para a estrutura básica na qual as regiões tipo p e n
estão espalhadas. A camada isolante entre a porta e o canal su-
geriu um outro nome para o dispositivo: FET de porta isolada
ou IGFET(insulated-gate FET), ainda que este nome esteja sen-
do cada vez menos utilizado na atual literatura. Fig. 5.24 MOSFET tipo depleção de canal n com VGs = O V e uma tensão VDD
aplicada.
Operação Básica e Características
Na Fig. 5.24, a tensão porta-fonte é feita zero volt, devido à co- Vos se toma mais negativa, como mostra a Fig. 5.25 para V 0 s =
nexão de um terminal com o outro, e a tensão Vvs é aplicada atra- -1 V, -2 V, e assim por diante, até o nível de pinch-off de -6
vés dos terminais dreno-fonte. O resultado é uma atração para o V. Os níveis resultantes de corrente de dreno e o traçado da cur-
potencial positivo do dreno, dos elétrons livres do canal n, esta- va de transferência são levantados exatamente da maneira des-
belecendo uma corrente semelhante à que atravessa o canal do crita para o JFET.
JFET. Na verdade, a corrente resultante com Vos = OV continua Para valores positivos de Vos, a porta, agora com potencial po-
a ser chamada de lvss, conforme a Fig. 5.25. sitivo, arrasta elétrons adicionais (portadores livres) do substra-
Na Fig. 5.26, a tensão V0 s é negativa, p. ex., -1 V. O poten- to tipo p devido à corrente de fuga reversa, e estabelece novos
cial negativo na porta tenderá a pressionar os elétrons em dire- portadores através de colisões resultantes de partículas acelera-
ção ao substrato tipo p (cargas do mesmo tipo se repelem), e atrair das. Se a tensão porta-fonte continuar a crescer positivamente, a
buracos do substrato tipo p (cargas opostas se atraem), como Fig. 5.25 mostra que a corrente de dreno crescerá rápido pelas
mostrado na Fig. 5.26. Dependendo da amplitude da polarização razões listadas acima. O espaçamento vertical entre as curvas V os
negativa estabelecida por Vos, teremos um nível de recombina- = OV e Vos = + 1 V da Fig. 5.25 é uma clara indicação do quan-
ção entre elétrons e buracos, reduzindo o número de elétrons li- to a corrente aumenta quando se varia V os de 1 volt. Devido à
vres no canal n disponíveis para a condução. Quanto mais nega- acentuada elevação da curva, o projetista deve se preocupar com
tiva a polarização, maior é a taxa de recombinação. O valor re- a especificação para a máxima corrente de dreno, uma vez que
sultante da corrente de dreno é, portanto, reduzido à medida que ela pode ser ultrapassada com uma tensão positiva de porta. Ou

lv(mA)

Modo
e,------- Vos=+ IV

intensificação
------ lvss -::;.,o,,-------V0 s=OV

------ loss
2 . - - - - - - - - - - - V o s = -2 V
,___ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _~ 2
______ lvss Vos=~ =-3V
T - V
- V
-6 -5 -4 -3 -2\-1 O V0 s O Fig. 5.25 Características de dreno e transfe-
Vp ~ 0,3Vp rência para um MOSFET tipo depleção de
2 canal n.
 Transistores de Efeito de Campo 163

/ 0 (mA)

17
16
15
14

13

Go-----4

Contato
metálico

Elétrons repelidos /DSS

pelo potencial 2
negativo na porta 4 1
1
3
Fig. 5.26 Redução dos portadores livres no canal devido ao potencial negativo /DSS :
-1
no terminal de porta. 2 4 1
1
1
1

-4 -3 -2 -1 o +1 Vas
seja, para o dispositivo da Fig. 5.25, a aplicação de uma tensão L0,3Vp
Vp ~
V05 = +4 V resultaria em uma corrente de dreno de 22,2 mA, 2
capaz de eventualmente exceder a especificação máxima ( de
corrente ou potência) para o dispositivo. Como revelado acima, Fig. 5.27 Curva de transferência para um MOSFET tipo depleção de canal n com
a aplicação de uma tensão positiva porta-fonte "intensificou" o l 0 ss = 10 mA e VP = -4 V.
número de portadores livres no canal, comparado ao estabeleci-
do quando V05 = O V. Por isso, a região de tensões positivas de
porta, nas curvas de dreno ou de transferência, é normalmente Antes de traçar a região para valores positivos de V05 , obser-
chamada região de intensificação, e a região entre os níveis de ve que ID aumenta muito rapidamente para valores positivos cres-
corte e saturação é denominada região de depleção. centes de V05• Portanto, escolha valores razoáveis para se substi-
É particularmente interessante e útil que a equação de tuir na equação de Shockley. Neste caso, tentaremos+ 1 V:
Shockley seja aplicável às características do MOSFET tipo de-
pleção, nas regiões de depleção e intensificação. Para ambas as
regiões, deve-se apenas tomar cuidado com o sinal de V05 e aten- 2
ção nas operações matemáticas. lo = IDss ( 1 - Vcs)
Vp

=
+1 y)2
10 mA ( 1 - - - =10 mA(l + 0,25)2 =
-4 V
EXEMPL05.3
Esboce a curva de transferência para um MOSFET tipo deple-
= 10 mA(l ,5625)
ção de canal n com IDss = 10 mA e Vp = -4 V. = 15,63 mA
Solução que é suficientemente alto para completar o gráfico.

Em Vcs = O V, ID = IDss = 10 mA
Vcs= Vp= -4 V, /D= O mA MOSFET Tipo Depleção de Canal p
Vp -4 V 1D -_ lvss _ 10 mA
VGS = T = - 2 - = -2 V, 4 - 4 = A construção de MOSFET tipo depleção de canal pé exatamente
oposta ao que aparece na Fig. 5 .23. Isto é, existe agora um subs-
= 2,5 mA trato tipo n e um canal tipo p, como mostrado na Fig. 5.28a. Os
terminais são os mesmos, mas todas as polaridades das tensões
lvss
eem l o-
--2 ' Vcs = 0,3Vp = 0,3(-4 V)= -1,2 V e os sentidos da correntes são invertidos, como mostrado na
mesma figura. As curvas de dreno possuem o mesmo formato
das curvas apresentadas na Fig. 5.25, porém com valores nega-
que pode ser visualizado na Fig. 5.27. tivos de VDs• positivos de ID (uma vez que o sentido definido foi
164 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

/0 (mA)

D
·-------------v 05 =-1V

ss -----------------------Vas=+2V
____________________________ v =+3V
05
Vas=+4 V
Vas=+SV
-1 O 1 2 3 4 S 6 o
Vp Vas=Vp=+6V
s
(a) (b) (e)

Fig, 5.28 MOSFET tipo depleção de canal p com l 0 ss = 6 mA e VP = +6 V.

invertido), e Vas com polaridades opostas, como se pode obser-
var na Fig. 5.28c. A inversão da polaridade de Vas resulta em uma
curva de transferência com o mesmo formato da anterior, porém
refletida em relação ao eixo / 0 , como mostra a Fig. 5.28b. Ou
seja, a corrente de dreno irá do corte, em Vas = VP na região
positiva de Vas, até lvss, e continuará a aumentar para valores
cada vez mais negativos de Vas· A equação de Shockley é ainda
aplicável, e requer apenas que se utilize o sinal correto de Vas e
vp na equação.
Símbolos, Folhas de Especificações e
Encapsulamento
Os símbolos gráficos de um MOSFET tipo depleção de canal n
e p são apresentados na Fig. 5.29. Observe que os símbolos es-
colhidos tentam refletir a construção real do dispositivo. A au-
sência de uma conexão direta (devido à isolação da porta) entre
a porta e o canal é representada por um espaço entre a porta e os
outros terminais do símbolo. A linha vertical que representa o
canal liga o dreno à fonte e é "sustentada" pelo substrato. São
reservados dois símbolos para cada tipo de canal, isto porque, em
alguns dispositivos, o substrato tem um terminal externo, enquan-
to que em outros não. Em grande parte da análise realizada no Cap.
6, serão utilizados dispositivos com o substrato e a fonte conecta-
dos, sendo utilizados, portanto, os símbolos inferiores da Fig. 5.29.
O dispositivo que aparece na Fig. 5.30 possui três terminais,
e a identificação destes é mostrada na mesma figura. A folha de
especificações para um MOSFET tipo depleção é semelhante à
de um JFET. Os níveis de VP e lvss são fornecidos ao longo da
lista, com os valores máximos permitidos e as características para
o estado "ligado" e "desligado". Além disso, já que / 0 pode ul-
trapassar o nível lvss, normalmente se fornece outro ponto que
representa um valor típico de / 0 para uma tensão positiva (quan-
do o dispositivo é de canal n). Para o exemplo da Fig. 5.30, / 0 é
IIXon) = 9 mA de com V 05 = 10 V e Vas = 3,5 V.

canal n canalp
5.8 MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO
Embora existam algumas semelhanças na construção e no modo
ss de operação entre o MOSFET tipo depleção e tipo intensifica-
ss ção, as características do MOSFET tipo intensificação apresen-
tam muitas particularidades. A curva de transferência não é de-
finida pela equação de Shockley, e a corrente de dreno, para este
dispositivo, é cortada antes da tensão porta-fonte atingir deter-
minado valor. Em particular, o controle da corrente neste dispo-
sitivo de canal n é realizado por uma tensão positiva porta-fonte,
o que não ocorria para o JFET de canal n e MOSFET tipo deple-
ção de canal n, onde este controle era feito por tensões negativas.

Construção Básica
(a) (b)
A construção básica de um MOSFET tipo intensificação de ca-
Fig. 5.29 Símbolos gráficos para (a) MOSFETs tipo depleção de canal n e (b) nal n é apresentada na Fig. 5.31. Uma camada grossa de material
MOSFETs tipo depleção de canal p. tipo p é formada a partir de uma base de silício, e é novamente
 Transistores de Efeito de Campo 165

2N3797
CASE 22-03. STYLE 2
T0-18 (T0-206AA)

:l<IAXIMt:M IUTl!li(iS

MOSFETs
LOW POWER AUDIO
:\-CHA:-,/:1/Jo:I. - DEPUfflON
Stc>ragc ('hm11tcl Tcn1pcrn1urc Range

EI.E< 'TRU 'AI. ( '.!IARA( '.TERISTI( :s 1T., "25 (. unb, othcrwi,~ notcdl
<'haractcristic S~·mbol '.\<tin Typ '.\tax Unit
on· Cll,\RACTERISTICS
l)rain Stmn.:t: B1"t.·;.1kd1J\\ll Vt,ltagL' \'1H1(1llSX Y,k
1V,;s = 7.11 V.11>" 5.0~1.-\J 2:,.;.1197 20
(iate Rcl'crsc C'urrcm t l l pAdc
i\;s =. Ili V. vl)S = O) 1.0
1V1;s = ICIV. Vps =O.{,= 1511 C1 21Ml

O:\ CIL\RA( 'Tt:RISTICS

S:1<1,\LI.-Sl<i"i -\1. <'IIARA( 'TERISTI( ·s

Fof'wanl Trnn~l~·r :\dmiltun...-t...· IY,,I µmim,
1\'1>,= IO V. v,;s= º· f ~ l.O UI,)
2:,.;_17<)7 15(Xl 2.lOO .l()(Kl

1Y1,s = 10 V. V,;s "O. f = 1.0 \·1111.1

2:,.;_17<)7 l:'\(X)

Ch1Lput r\t..lmiu:in...-1.: IY..,I µmlms

11 1,s= Ili\'. v,;s"ll.f= l.llklln
2:,.;.11•n 27 (,(J

Input ( 'apadt,llll'<' <"1 .... pF

!Yi,s" 10,·. V<is =0.f,- ).0\11111
2:,.;.17<17
"·º X.O

Tram.kr C'apa1,,:ita11L\.'
R1.'\L'l'~1.· ('," O.:'i O.K pF
1\'Ds" Ili\'. \',;s =li. f = 1.0 \11111
Fl ':\( 'TIO"óAI. ( 'IIARA< 'TERISTlt 'S
'.\ui,~ FipH\.' :>iF .u dB
1Vps = 10\·. V,;s =0.f= l.llkll,.. R, =Jmc!!nhm"
( J I This valu1..· nr,1.:um..·n1 inl'lutl1..•s huth tlh.' H~T kaJ..ag1..• 1..·urr1..•n1 as ,n·ll ,1s 1hi..· ku"ug.c- i:ur~nt assodah:d wit11 th1..• h:st snl·kd and fixtun.• Fig. 5.30 MOSFET 2N3797 tipo de-
whf..'11 llh..'<l'i.tirt.·d urnk·r til..',l attainahk· ronditi<•ns. pleção de canal n da Motorola. *

chamada substrato. Como no MOSFET tipo depleção, em certas nal como um componente do dispositivo. A camada de Si02 está
ocasiões o substrato está conectado internamente ao terminal de presente para isolar a plataforma metálica da porta da região entre
fonte, e em outras temos um quarto terminal disponível para o o dreno e a fonte, que, neste caso, é o substrato tipo p. Em resu-
controle do potencial do substrato. Os terminais de fonte e dreno mo, portanto, a construção de um MOSFET tipo intensificação
estão conectados novamente às regiões n-dopadas, através de
contatos metálicos, mas observe na Fig. 5.31 que não há um ca-
nal entre as duas regiões n-dopadas. Esta é a diferença principal *N.T.: Os tennos originais em inglês contidos nesta figura não foram traduzidos porque o
que se encontra na prática, no laboratório, são especificações escritas em inglês, com raras
que existe entre a construção do MOSFET tipo depleção e a cons- exceções. Deseja-se, com isto, que o leitor se acostume aos termos técnicos que ele encon-
trução do MOSFET tipo intensificação - a ausência de um ca- trará na sua vida profissional
166 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
sem canal
Contatos
metálicos
G ----o ssSubstrato
região
s n-dopada
Fig. 5.31 MOSFET tipo intensificação de canal n.
é bem semelhante à do MOSFET tipo depleção, sendo a diferen-
ça principal a ausência de um canal entre os terminais de dreno e
fonte no tipo intensificação.
Operação Básica e Características
Se V6 s for igual a OV e uma tensão for aplicada entre o dreno e
fonte do dispositivo, a ausência do canal n (com uma quantidade
generosa de portadores livres) não permite que circule uma cor-
rente de dreno - bem diferente do MOSFET tipo depleção e
JFET, onde Iv = I vss· Não basta acumular grande número de
portadores (elétrons) no dreno e fonte (devido às regiões n-
dopadas), se não existir um caminho entre os dois. Com Vvs po-
sitiva, VGs em OV, e o terminal SS conectado diretamente à fon-
te, existem, na verdade, duas junções p-n reversamente polari-
zadas entre as regiões n-dopadas e o substrato p que se opõe a
qualquer fluxo significativo entre o dreno e a fonte.
Na Fig. 5.32, tanto Vvs como V 68 são tensões positivas, esta-
belecendo desta forma um potencial positivo para o dreno e por-
ta em relação à fonte. O potencial positivo na porta irá pressio-
nar os buracos Gá que os campos se repelem) para o substrato p
ao longo da camada isolante de Si02 , fazendo-os penetrar no
substrato até as camadas mais profundas, como mostrado na fi-
gura. O resultado é uma região de depleção próxima à camada
isolante Si02 livre de elétrons. Entretanto, os elétrons no subs-
trato p (os portadores minoritários do material) serão atraídos para
a porta, que está com um potencial positivo, e se acumularão
próximos à superfície da camada de Si0 2• A camada de Si02 iso-
lante evitará que os portadores negativos sejam aborrecidos no
terminal de porta. Na medida em que V68 aumenta de valor, a
concentração de elétrons próximo da superfície se intensifica até
um nível em que a região induzida tipo n possa suportar o fluxo
entre o dreno e a fonte. O nível de V68 que produz um aumento
significativo da corrente de dreno é chamado de tensão de limi-
ar, representado pelo símbolo Vr- Nas folhas de especificações é
denominado VGs<ToJ; entretanto V7 é mais utilizado e será este o
símbolo adotado na análise a seguir. Uma vez que não há canal
com VGs = O V e "intensificado" pela aplicação de uma tensão
porta-fonte positiva, este tipo de MOSFET é chamado de
Elétrons atraídos para a porta com potencial positivo
(canal n induzido)
Região esvaziada (depleção)
de portadores tipo p (buracos)
ss
+
VGs
('.amada Buracos repelidos pela
isolante porta de potencial positivo
Fig. 5.32 Formação do canal no MOSFET de canal n tipo intensificação.
MOSFET tipo intensificação. Os dois tipos de MOSFETs pos-
suem regiões tipo intensificação, mas o nome foi dado a apenas
um, porque é o seu único modo de operação.
Quando VGs aumenta a partir do nível de limiar, a densidade
de portadores.livres no canal induzido aumentará, resultando em
um aumento na corrente de dreno. Entretanto, se mantivermos
VGs constante e aumentarmos o valor de Vvs, a corrente de dreno
deverá atingir um nível de saturação, como ocorreu para o JFET
e para o MOSFET tipo depleção. A manutenção de lv em um nível
fixo é devida ao processo de constrição (pinch-off), que toma o
canal induzido mais estreito próximo ao dreno, como mostrado
na Fig. 5 .33. Aplicando a lei das tensões de Kirchhoff às tensões
dos terminais da Fig. 5.33, achamos que
(5.11)
Se V68 for mantido em um valor fixo, como, p. ex., 8 V, e Vvs
aumentado de 2 V para 5 V, a tensão VvG [pela Eq. (5.11)] cairá
de -6 V para - 3 V, e a porta se tomará cada vez menos positiva
com relação ao dreno. A redução da tensão porta-dreno irá por
sua vez reduzir as forças atrativas para os portadores livres (elé-
trons) nesta região do canal induzido, causando uma redução na
largura do canal. Eventualmente, o canal será reduzido até o ponto
de pinch-off e uma condição de saturação será estabelecida como
descrito anteriormente para o JFET e o MOSFET tipo depleção.
Em outras palavras, qualquer aumento adicional em Vvs, man-
tendo-se fixa a tensão V6 s, não afetará o nível de saturação de lv
até que se atinjam as condições de ruptura
As curvas características de dreno da Fig. 5.34 revelam que
para o dispositivo da Fig. 5.33 com VGs = 8 V, a saturação ocor-
re para Vvs = 6 V. Na verdade, o nível de saturação de Vvs é re-
lacionado ao valor da tensão VGs aplicada por
(5.12)
 Transistores de Efeito de Campo 167

Pinch-off (início) tre as curvas aumenta quando Vos aumenta de valor, resultando
em incrementos sempre crescentes para a corrente de dreno.
Para valores de Vas > Vr, a corrente de dreno está relaciona-
da com a tensão porta-fonte pela seguinte relação não-linear:

(5.13)

Novamente, o termo quadrático é o responsável pela relação não-

linear entre / 0 e Vas· O termo k é uma constante que é função da
construção do dispositivo. O valor de k pode ser determinado da
+ seguinte equação [derivada da Eq. (5.13)], onde lv(on) e Vos(on)
Vos
representam um ponto particular das curvas do dispositivo.
+
VGs
(5.14)

Substituindo /D(on) = 10 mA quando Vos(on) = 8 V, das curvas

da Fig. 5.34, temos que
10 mA lOmA lOmA
k = -(8_V___2_V_)_2
(6 V)2 36 V 2
= 0,278 X 10- 3 AN 2
Fig. 5.33 Alterações no canal e na região de depleção com o aumento de Vos para e encontrando a equação geral para I 0 ;
um valor fixo de Vas·
= 0,278 X 10- 3(VGs -
10 2 V)2
Substituindo V0 s = 4 V, achamos que

Obviamente, portanto, mantendo-se fixo Vr e aumentando-se o
valor de V0 s, maior é o nível de saturação para V05, como mos-
trado na Fig. 5.33 pelo lugar geométrico dos níveis de saturação.
Na Fig. 5.34, o nível de Vr é 2 V, uma vez que não existe cor-
rente de dreno para esta situação. Em geral, portanto:
Para valores de V05 menores do que o nível de limiar em
um MOSFET tipo intensificação, não há corrente de dre-
no.
A Fig. 5.34 revela que quando o nível de Vos aumenta de Vr
para 8 V, o nível de 10 também se eleva, indo de OmA para 10
mA. Além disso, observa-se claramente que o espaçamento en-
lo = 0,278 X 10- 3(4 V - 2 V) 2 = 0,278 X 10- 3(2) 2
= 0,278 X 10-3(4) = 1,11 mA
como pode ser verificado na Fig. 5.34. Em Vos = Vr o termo
quadrático se anula, e / 0 = OmA.
Para a análise de do MOSFET tipo intensificação a ser reali-
zada no Cap. 6, as curvas características de transferência serão
novamente as curvas empregadas para uma solução gráfica. Na
Fig. 5.35, as curvas de dreno e de transferência foram colocadas
lado a lado para descreverem o procedimento de transferência
de uma para a outra. Este processo é realizado, essencialmente,
da mesma forma descrita anteriormente para o JFET e o MOSFET

/D (mA)
. / Lugar geométrico de Vos..
11
10 __.~1----------------------~VGs=+BV

9 '1
'1
8 '1
~'+'11________________________ VGs=+7V
7
6
5
4
3
J---4-------------------------VGs=+SV
2
.i---i------------- VGs = +4 V
VGs=+3 V
o 5V 1 IOV 15V 20V 25 v'-..... Vos Fig. 5.34 Características de dreno de um MOSFET tipo intensificação
6V VGs = Vr=2 V de canal n com Vr = 2 V e k = 0,278 X 10- 3 A/V2.
168 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
/0 (mA)
10 -----1
9 9
8 8
7 , , . . . - - - - - - - - - - - - - - Vas = +7 V
6 6
5 5
4 4
3 3
2 2
o 2
Vi-
3 4 5 6 7 8 Vas o 5
Fig. 5.35 Esboçando a curva característica de transferência para um MOSFET tipo intensificação de canal n, a partir das curvas características de dreno.
tipo depleção. Neste caso, entretanto, deve ser lembrado que a
corrente de dreno é OmA para VGs :5 Vr. Acima deste nível, sur-
ge uma corrente 10 cujo valor é determinado pela Eq. (5.13).
Observe que na definição dos pontos da curva de transferência a
partir da curva de dreno, somente os níveis de saturação são
empregados, e por isso a região de operação é limitada aos valo-
res de V0 s maiores do que os níveis de saturação, como definido
pela Eq. (5.12).
A curva de transferência da Fig. 5.35 é certamente bem di-
versa daquela obtida anteriormente. Para um dispositivo de ca-
nal n (induzido), a curva está agora completamente na região de
valores positivos de V Gs e de.cresce a partir de V Gs = V r A ques-
tão que surge agora é como traçar as curvas de transferência da-
dos os valores de k e Vr, como feito a seguir para um MOSFET
específico:
10 = 0,5 X 10- 3(VGs - 4 V)2
Inicialmente, uma linha horizontal é desenhada em 10 = OmA,
de VGs = OV até VGs = 4 V como mostrado na Fig. 5.36a. Após
isso, um valor para VGs maior do que Vr (como, p. ex., 5 V) é
escolhido e substituído na Eq. (5.13), para determinar o nível
resultante de l 0 :
lo = 0,5 X 10- 3(VGs - 4 V)2
= 0,5 X 10- 3 (5 V - 4 V)2 = 0,5 X 10- 3(1) 2
= 0,5 mA
e um ponto no gráfico é obtido como mostra a Fig. 5.36b. Para
completar o traçado, outros valores para VGs são escolhidos, e os
níveis correspondentes de 10 obtidos. Em particular, em VGs = 6
V, 7 V e 8 V, o nível de 10 é 2 mA, 4,5 mA e 8 mA, respectiva-
mente, como mostrado no gráfico resultante da Fig. 5.36c.
MOSFETs Tipo Intensificação de Canal p
A construção de um MOSFET tipo intensificação de canal p é
exatamente o inverso do que aparece na Fig. 5.31. Ou seja, o
substrato agora é o tipo n, e as regiões abaixo das conexões de
/0 {mA)
:=,"------------------ Vas=+8V
-
- : . ; , , , - - - - - - - - - - - - - - - - Vas=.+6 V
;;.-------------------~Vas=+5V
: . . , , , , - - - - - - - - - - - - - - - - Vas=+4 V
Vas=+3 V
10 15 20 25\
Vos
Vas=VT=2V
dreno e fonte são p-dopadas. Os terminais são identificados da
mesma forma, mas todas as polaridades das tensões e os senti-
dos das correntes são invertidos. As curvas características de
dreno terão o aspecto mostrado na Fig. 5.37c, mostrando que
quanto mais negativo Vas, maior é a corrente de dreno. A curva
de transferência apresenta o mesmo formato da curva da Fig. 5.35,
porém refletida em relação ao eixo 10 , com 10 crescente para
valores de Vas negativos decrescentes (crescentes em módulo)
abaixo de Vr, como mostra a Fig. 5.37b. As Equações (5.11) até
a (5.14) são igualmente aplicáveis aos dispositivos de canalp.
Símbolos, Folhas de Especificações e
Encapsulamento
Os símbolos gráficos para os MOSFETs tipo intensificação de
canal n e p são apresentados na Fig. 5.38. Observe novamente
que os símbolos tentam refletir a construção real do dispositivo.
A linha pontilhada entre o dreno e a fonte significa que não há
um canal entre os dois terminais sob condições de não-polariza-
ção. É, na verdade, a única diferença entre os símbolos dos
MOSFETs tipo depleção e tipo intensificação.
A folha de especificações para o MOSFET tipo intensifica-
ção de canal n da Motorola é mostrada na Fig. 5.39. O tipo de
encapsulamento e a identificação dos terminais são fornecidos
próximos às especificações máximas do dispositivo, que agora
inclui uma corrente máxima de dreno de 30 mA de. A folha de
especificações fornece o nível de loss sob condições de "não con-
dução", que para este caso é apenas 10 nA de (em V05 = 10 V,
VGs = O V), bem menor do que o verificado para o JFET e o
MOSFET tipo depleção. A tensão de limiar é denominada de
VGs(ThJ• e varia de 1 até 5 V de, dependendo do dispositivo em-
pregado. A folha de especificações não fornece o valor de k da
Eq. (5.13), entretanto especifica um valor típico de lo(onJ (3 mA
neste caso) para um nível de VGs(onJ (10 V para este valor de 10 ).
Em outras palavras, quando VGs = 10 V, 10 = 3 mA. Os valores
apresentados de VGS(Th), lo(on) e VGS(on) permitem uma determina-
ção de k baseada na Eq. (5.14) e, deste modo, obtemos a equa-
ção geral para a curva de transferência. As características do
Ivs/VP Transistores de Efeito de Campo 169

/D (mA) /D (mA)

8 8
7 7
6 6
5 5
4 4
3 3
2 2

o 2 3 4 5 6 7 8 Vos o 2 3 4 5 6 7 8 Vos
Vr Vr
(a) (b)

/D (mA)

8
7
6
5
4
3
2

o 2 3 4 5 6 7 8 Vos
Vr
(e)

Fig. 5.36 Traçando a curva de transferência de um MOSFET tipo intensificação com k = 0,5 X 10-3 NV2 e V7 = 4 V.

/0 (mA) /0 (mA)

8. 8
7 7
6 6
5 5
- - - - - - - - - - - - Vos =-5 V
4 4
G ss 3 3
2 2

--6 -5 -4 -3 -2 -1 o Vos o
VT

(a) (b) (e)

Fig. 5.37 MOSFET tipo intensificação de canal p com V7 = 2 V e k = 0,5 X 10--1 NV 2•

170 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

canal n canalp o dispositivo; entretanto, a largura extremamente reduzida da

camada introduz um problema para o emprego do MOSFET, e
que não existia para o TBJ e JFET. Normalmente, há um acú-
mulo suficiente de carga estática (devido a condições externas)
ss ss que estabelece uma diferença de potencial através da fina cama-
da e que pode, eventualmente, danificá-la e permitir a condução
através desta. É, portanto, imperativo que se utilize algum me-
canismo para manter os terminais do dispositivo conectados até
que o mesmo seja inserido no sistema. Desta maneira, evita-se a
possibilidade do surgimento de um potencial entre dois termi-
nais do dispositivo. Com a conexão, a diferença de potencial entre
quaisquer dois terminais é mantida em O V. Por último, toque
sempre os terminais no terra para permitir a descarga das cargas
estáticas acumuladas, antes de empregar o dispositivo, e sempre
o manuseie segurando pelo encapsulamento.
(b)
Via de regra, ocorrem transientes (mudanças abruptas no ní-
(a)
vel de tensão ou corrente) em um circuito, quando elementos são
Fig. 5.38 Símbolos para (a) MOSFET tipo intensificação de canal n e (b) removidos ou inseridos com a fonte ligada. Às vezes, os níveis
MOSFET tipo intensificação de canal p. de transiente podem ultrapassar os limites que o dispositivo su-
porta, e por esta razão, a fonte deve estar sempre desligada ao
modificarmos a configuração do circuito.
MOSFET que devem ser observadas quando do emprego do dis- A máxima tensão porta-fonte normalmente é fornecida na
positivo são revistas na Seção 5.9. folha de especificações do dispositivo. Um método para assegu-
rar que esta tensão não será ultrapassada (talvez devido a
transientes) em ambas as polaridades é introduzir dois diodos
Zener, como mostra a Fig. 5.41. Os Zeners são colocados em
EXEMPL05.4 posições opostas um do outro. Se são utilizados Zeners de 30 V
Utilizando os dados fornecidos na folha de especificações da Fig. e surge no circuito um transiente positivo de 40 V, o Zener mais
5.39 e considerando uma tensão limiar de VaS(ToJ = 3 V, determine: abaixo na figura irá "disparar" em 30 V, e o diodo acima irá li-
gar com uma queda de tensão de zero volt (idealmente - para a
(a) O valor resultante de k para o MOSFET. região positiva "ligada" de um diodo semicondutor). O resulta-
(b) A curva de transferência do é que limitamos a tensão porta-fonte em 30 V. Uma desvan-
tagem introduzida pelo Zener é que a resistência de um diodo
Solução Zener "desligado" é menor do que a impedância de entrada esta-
belecida pela camada Si0 2 • A impedância de entrada é reduzida,
(a) Eq. (5.14): k = lv(on) mas mesmo assim é grande o suficiente para a maioria das apli-
(Vas(on) - VascTh/ cações. Tantos são os dispositivos discretos que possuem a pro-
3 mA 3 mA teção por Zener, que alguns dos problemas listados acima não
incomodam mais. Entretanto, devemos ser ainda bem cautelo-
( 1O V - 3 V)2 = (7 V)2 = sos quando do emprego de dispositivos MOSFET discretos.
3 X 10- 3
= NV~
1

49
= 0,061 X 10-3 AN2 5.10 VMOS
(b) Eq. (5.13): Iv = k(Vas - Vr)2 Uma das desvantagens do MOSFET, quando comparado ao TBJ,
= 0,061 X 10- 3(Vas - 3 V)2 é o seu nível reduzido de potência de operação (tipicamente,
Para Vas =5V menor do que 1 W). Esta deficiência para um dispositivo com
tantas características positivas pode ser minimizada modifican-
lv = 0,061 X 10- 3(5 V - 3 V)2 = do-se o modo de construção, onde se abandona a estrutura pla-
= 0,061 X 10- 3(2) 2 nar, como consta na Fig. 5.23, e adota-se uma estrutura vertical
do tipo mostrado na Fig. 5.42. Todos os elementos do MOSFET
= 0,061 X 10- 3(4) = 0,244 mA
planar estão presentes no FET metal-óxido-semicondutor verti-
Para Vas = 8 V, 10 V e 12 V, /D será 1,525 mA, 3 mA (como cal (VMOS) - a superfície metálica de contato para os termi-
previsto) e 4,94 mA, respectivamente. A curva de transferência nais do dispositivo - a camada de Si02 entre a porta e a região
é esboçada na Fig. 5.40. tipo p localizada entre o dreno e a fonte, para o crescimento do
canal n induzido (operação tipo intensificação). O termo verti-
cal é devido principalmente ao fato de o canal ser agora forma-
do na direção vertical, ao contrário do que ocorria para o dispo-
5.9 EMPREGO DO MOSFET sitivo planar, onde o crescimento era horizontal. O canal da Fig.
5.42 também possui o aspecto de um corte em V na base semicon-
A camada de Si02 entre a porta e o canal do MOSFET proporcio- dutora que, para alguns, pode servir como uma característica para
na a agradável característica de alta impedância de entrada para a memorização do nome do dispositivo. A construção mostrada
 Transistores de Efeito de Campo 171

2N4351
CASE 20-03, STYLE 2
TO-72 (T0-206AF)
MAXlMUM RATINGS

4
Case

MOSFET
SWITCHING
Storage Temperature Range N-CHANNEL - ENHANCEMENT
• Tl'IIIISient potentials of ± 75 Voh will not cause gale-oxide wlure.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA= 25ºC unless otherwise noted.)

Characterlstk Symbol Min Max Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)OSX 25 - Vdc
(lo = lO µA, Vos = 0)
Zero-Gate-Voltage Drain Current Ioss
(Vos=lOV, V0 s=O) TA=25ºC - 10 nAdc
TA=l50°C - lO µAde

Gate Reverse Current loss - ± 10 pAdc

(Vos = ± 15 Vdc, Vos = 0)
ON CHARACTERISTICS

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
Forward Transfer Admittance lyr,I 1000 - µmho
(Vos= lOV, 10 =2.0mA, f = l.OkHz)

Input Capacitance Ciss - 5.0 pF

(Vos= 10 V, Vos= O, f = 140 kHz)

Reverse Transfer Capacitance e,.. - 1.3 pF

CVos = O, Vos = O, f = 140 kHz)

Drain-Substrate Capacitance Cd(,ub) - 5.0 pF

(VD(SUBJ = 10 V, f = 140 kHz)
Draín-Source Resistance fds(on) - 300 obms
(Vos = 10 V, 10 = O, f = 1.0 kHz)

SWITCHING CBARACTERISTICS
Tum-On Delay (Fig. 5) Íd1 - 45 ns
1 0 =2.0mAdc, Vos= lOVdc,
Rise Time (Fig. 6) t, - 65 ns
(Vos = 10 Vdc)
Tum-Off Delay (Fig, 7) t.!2 - 60 ns
(See Figure 9; Times Circuit Detennined)
Fali Time (Fiit. 8) ti - 100 ns

Fig. 5.39 MOSFET tipo intensificação de canal n 2N435 l da Motorola. *

na Fig. 5.42 é um tanto simplificada, pois não considera alguns
dos níveis de transição de dopagem; entretanto permite, ainda
assim, uma descrição das características mais importantes de
operação do dispositivo.
A aplicação de uma tensão positiva no dreno e uma tensão
negativa na fonte, com a porta em O V ou em algum nível posi-
*N.T.: Os termos originais em inglês contidos nesta figura não foram traduzidos porque o
que se encontra na prática, no laboratório, são especificações escritas em inglês, com raras
exceções. Deseja-se, com isto, que o leitor se acostume aos termos técnicos que ele encon-
trará na sua vida profissional.
tivo que permita a "condução", como mostra a Fig. 5.42, resulta
em um canal n induzido na região estreita tipo p do dispositivo.
O comprimento do canal é agora definido pela altura vertical da
região p, que pode ser feita significativamente menor do que a
de um canal em que se emprega a construção planar. Em um pla-
no horizontal, o comprimento do canal é limitado a 1 ou 2 mi-
crômetros (µ,m) (1 µ,m = 10- 6 m). As camadas de difusão (tal
como a região p da Fig. 5.42) podem ser fabricadas menores do
que 1 µ.rn. Uma vez que o comprimento do canal é diretamente
proporcional ao nível de resistência, o nível de dissipação de
potência do dispositivo (potência perdida na forma de calor) será
172 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
/ 0 (mA)
3 Fig. 5.41 MOSFET protegido por Zener.
2
o 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
Fig. 5.40 Solução do Exemplo 5.4.
menor para os níveis de corrente de operação. Além disso, a área
de contato entre o canal e a região n+ é consideravelmente au-
mentada pela construção vertical, contribuindo para a redução do
nível de resistência e para o fluxo de corrente entre as camadas
dopadas. Há também dois caminhos de condução entre o dreno
e a fonte, como mostra a Fig. 5.42, tomando maior a especifica-
ção de corrente para o dispositivo. Devido a todas estas caracte-
rísticas, o dispositivo suporta correntes de dreno da ordem de
amperes, e níveis de potência que ultrapassam 10 W.
Em geral:
Comparado com o MOSFET planar disponível comerci-
almente, o FET VMOS apresenta níveis de resistência do
canal menores e especificações de corrente e potência
maiores.
Uma característica adicional importante da construção verti-
cal é:
O FET VMOS possui um coeficiente de temperatura posi-
tivo que diminui a possibilidade de um disparo térmico.
Terminais de fonte
conectados externamente
- s G s-
Isto significa que se a temperatura do dispositivo aumentasse
devido às condições externas, os níveis de resistência aumenta-
riam, causando uma redução na corrente de dreno. O mesmo não
Vas ocorre para um dispositivo convencional. Coeficientes de tem-
peratura negativos resultam em uma redução dos valores de re-
sistência com o aumento da temperatura, e conseqüentemente, o
fluxo de corrente eleva-se, causando uma instabilidade e um
possível disparo térmico.
Outra vantagem da configuração VMOS é:
No VMOS, os níveis reduzidos de armazenamento de car-
ga proporcionam períodos de chaveamento mais rápidos,
quando comparados aos períodos obtidos para a constru-
ção planar convencional.
Na verdade, os dispositivos VMOS apresentam períodos de
chaveamento menores do que metade do período encontrado para
o TBJ típico.
5.11 CMOS
Construindo um MOSFET de canal p e um de canal n no mesmo
substrato, como mostra a Fig. 5.43, podemos obter um dispositi-
vo muito eficiente quando empregado em circuitos de lógica di-
gital. Observe o canal p induzido à esquerda e o canal n induzi-
do à direita, para os dispositivos de canal pen, respectivamente.
A configuração é denominada arranjo MOSFET complementar,
abreviada CMOS, e é intensamente empregada em circuitos di-
l Comprimento
-- do canal
efetivo
Fig. 5.42 Construção VMOS.

Fig. 5.43 CMOS com as conexões indicadas na Fig. 5.44.
gitais. A relativa alta impedância de entrada, alta velocidade de
chaveamento, e níveis reduzidos de consumo de potência da
configuração CMOS resultaram em uma disciplina completamen-
te nova, chamada projeto por lógica CMOS.
Consegue-se um emprego muito eficiente do arranjo comple-
mentar, utilizando-o como um inversor, como o que aparece na
Fig. 5.44. Como mencionado para os transistores de chaveamento,
o inversor é um elemento na lógica que inverte o sinal aplicado.
Ou seja, se os níveis de operação forem de O V (estado O) e 5 V
(estado 1), uma tensão de O V na entrada dará como saída um
nível de 5 V, e vice-versa. Observe na Fig. 5.44, que ambas as
portas recebem o sinal aplicado e nos drenos está o sinal de saí-
da V0 • O terminal de fonte do MOSFET de canal p (Q2) está co-
nectado diretamente à tensão Vss aplicada, enquanto que o ter-
minal de fonte do MOSFET de canal n (Q,) está conectado ao
terra. Para os níveis lógicos definidos acima, a aplicação de 5 V
na entrada deve resultar em aproximadamente OV na saída. Com
5 V em Vi (com relação ao terra), Vas = Vi e Q, está "ligado",
resultando em um nível relativamente baixo de resistência entre
o dreno e a fonte, como mostrado na Fig. 5.45. Uma vez que Vi e
Vss são iguais a 5 V, Vas2 = OV, e o dispositivo Q2 está no esta-
V0 = OV
(estado O)
5V
(estado 1)
Fig. 5.44 Inversor CMOS.
Transistores de Efeito de Campo 173
Si02
do "desligado" (Vas é menor do que Vr). O valor resultante da
resistência entre o dreno e a fonte é extremamente alto para Q 2,
como mostra a Fig. 5.45. Uma simples aplicação da regra do
divisor de tensão revela que nestas condições V0 está bem próxi-
mo de O V, ou estado O, estabelecendo a desejável operação de
inversão. Para uma tensão aplicada Vi de O V (estado 0), Vas = 1
O V e Q, estará desligado com Vss2 = -5 V, ligando o MOSFET
de canal p. O resultado é que Q2 apresentará uma resistência
pequena, Q1 uma alta resistência, e V0 = V55 = 5 V (estado 1).
Como a corrente de dreno é limitada, para cada caso, pelo tran-
sistor "desligado", fluindo apenas a corrente de fuga, a potência
dissipada pelo dispositivo nos dois estados é muito baixa. Alguns
comentários adicionais sobre a aplicação da lógica CMOS são
apresentados no Cap. 17.
5.12 QUADRO-RESUMO
Uma vez que as curvas de transferência e algumas importantes
características variam de um tipo de FET para outro, o Quadro
5.2 foi desenvolvido para mostrar as diferenças entre os disposi-
tivos. Um claro entendimento do significado de todas as curvas
e parâmetros será suficiente para acompanharmos as análises de
e ac feitas nos Caps. 6 e 8. Assegure-se de que reconhece cada
Q2 off
R V
V0 = __!__E_= O V (estado O)
Ri +R2
Q1 on
Fig. 5.45 Níveis relativos de resistência para V; = 5 V (estado 1).
174 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

QUADRO 5.2 Transistores de Efeito de Campo

-Símbolo- Resistência de Entrada
Tipo Relações Básicas Curva de Transferência e Capacitância

JFET
(canal n)

R, > lOOM!l
C,: (1 - 10) pF

- - /DSS
2
_ _ IDSS
4

~ 0,3Vp O
2

MOSFET
tipo depleção
(canal n)

R, > 10'0 !1
C,: (1 - 10) pF

MOSFET
tipo intensificação
(canal n)

R. > 1010 0
C,: (1 - 10) pF

curva e sua dedução, e daí estabeleça uma base para a compara- PS pice (Versão DOS)
ção dos parâmetros Ri e C; para cada dispositivo.
Para o PSpice, há um formato específico que deve ser emprega-
5.13 ANÁLISE POR COMPUTADOR do quando entrarmos com os parâmetros do JFET. Para um dis-
positivo de canal n ou p o formato é o seguinte:
A análise por computador de um amplificador com FET no Jl 3 ..__,
1 ..__,
4 JN
modo de, utilizando BASIC, exige que a equação característi-
'--" ..__, ..__,
ca para o dispositivo seja empregada em conjunto com as equa- nome D G S nome do modelo
ções do circuito para a obtenção de uma solução matemática. O formato é bastante semelhante ao empregado para o tran-
A análise com o auxílio de um computador seguirá a metodo- sistor TBJ. O J é uma designação de JFET e o número 1 o nome
logia utilizada nas seções anteriores, tal como foi feito para a escolhido. Os nós aos quais os terminais estão conectados são
configuração com TBJ. No Cap. 6, o BASIC será empregado para listados na ordem mostrada no exemplo acima. Finalmente, o
investigar uma das configurações mais importantes de amplifi- nome do modelo deve ser introduzido para fornecer um lugar que
cador com JFET. define os parâmetros do JFET.

O formato para a descrição do modelo é o seguinte:
.MODEL JN NJF(VTO = -4V, BETA= .5E-3)
nome do modelo especificações dos parâmetros
A expressão .MODEL, necessária por definição, é seguida
pelo nome do modelo, como no exemplo acima. A expressão NJF
especifica um JFET de canal n, enquanto que PJF indica um JFET
de canal p. O número máximo de parâmetros que podem ser
definidos é 14, mas, para o nosso caso, será suficiente especifi-
car apenas VTO e BETA. VTO é a tensão de limiar, normalmente
denominada VP. BETA não é o mesmo f3 definido para os tran-
sistores TBJ, e sim determinado pela seguinte equação:
(5.15)
Por exemplo, se VP = -4 V e lvss = 8 mA, teremos como re-
sultado os valores acima. Ou seja, VTO = -4 V e BETA =
lvssflV/ = 8 mA/(4 V) 2 = 8 mA/16 V 2 = 0,5 X 10- 3 A/V 2 •
Todas as expressões apresentadas acima aparecerão na análi-
se por PSpice realizada no Cap. 6, em uma configuração com
divisor de tensão. Comece a reconhecer as semelhanças entre as
expressões utilizadas para a entrada de dados de um circuito. Nós
as encontramos para vários dispositivos, o que facilita a análise
de circuitos com vários elementos.
PSpice para Windows (Windows Design
Center Analysis)
Na versão Windows do PSpice, os dispositivos JFETs são en-
contrados na biblioteca eval.slb, na listagem de Get New Part.
O procedimento para introduzir o JFET no circuito é idêntico
ao descrito para os transistores nos Caps. 3 e 4. A especifica-
ção de VTO e BETA para o JFET escolhido será comentada
no Cap. 6.
PROBLEMAS
§ 5.2 Construção e Características do JFET
1. (a) Desenhe a construção básica de um JFET de canalp.
(b) Aplique a polarização apropriada entre dreno e fonte e esbo-
ce a região de depleção para Vos= O V.
2. Utilizando as curvas características da Fig. 5 .10, determine I O para
os seguintes níveis de Vos (com Vos> VP).
(a) Vos= O V.
(b) Vos= -1 V.
(c) Vos= -1,5 V.
(d) V0 s = -1,8 V.
(e) Vos= -4 V.
(t) Vos = -6 V.
3. (a) Determine Vos para Vos = O V e / 0 = 6 mA utilizando as cur-
vas da Fig. 5.10.
(b) Utilizando os resultados da letra (a), calcule a resistência do
JFET para a região 10 = O mA até 6 mA, com Vos= O V.
(c) Determine Vos para Vos= -1 V e ! 0 = 3 mA.
(d) Utilizando os resultados da letra (c), calcule a resistência do
JFET para a região 10 = O mA até 3 mA, com Vos= -1 V.
(e) Determine Vos para Vos= -2 V e 10 = 1,5 mA.
Transistores de Efeito de Campo 175
(t) Utilizando os resultados da letra (e), calcule a resistência do
JFET para a região 10 = O mA até 1,5 mA, com Vos = -2 V.
(g) Definindo o resultado da letra (b) como r0 , determine a resis-
tência para Vos= -1 V utilizando a Eq. (5.1) e compare com
os resultados da letra (d).
(h) Repita a letra (g) para Vos= -2 V utilizando a mesma equa-
ção, e compare com os resultados da letra (t).
(i) Baseado nos resultados das letras (g) e (h), você pode con-
cluir que a Eq. (5.1) é uma aproximação válida?
4. Utilizando as curvas características da Fig. 5.10:
(a) Determine a diferença na corrente de dreno (para V0 s > VP)
entre Vos = O V e Vos = -1 V.
(b) Repita a letra (a) entre Vos = -1 e -2 V.
(c) Repita a letra (a) entre V0 s = -2 e -3 V.
(d) Repita a letra (a) entre V0 s = -3 e -4 V.
(e) Há uma variação considerável na diferença entre os níveis de
corrente de dreno quando V0 s se toma mais negativa?
(t) A relação entre a variação de Vos e a resultante variação em
10 é linear ou não-linear? Explique.
5. Quais são as maiores diferenças entre as curvas características de
coletor de um TBJ e as curvas características de dreno de um JFET?
Compare as unidades de cada eixo e a variável de controle. Como
Ic reage a um aumento de 18 e / 0 a um aumento de V0 s? Compare o
espaçamento entre as curvas de / 8 com o das curvas de Vos· Com-
pare Vc,at com VP, que definem a região não-linear para níveis re-
duzidos de tensão de saída.
6. (a) Descreva com suas palavras por que 10 é efetivamente zero
ampere para um transistor JFET.
(b) Por que a impedância de entrada de um JFET é tão alta?
(c) Por que a terminologia efeito de campo é apropriada para este
importante dispositivo de três terminais?
7. Dados loss = 12 mA e IVPI = 6 V, esboce uma distribuição prová-
vel das curvas características do JFET (semelhante à Fig. 5.10).
8. Comente, de maneira geral, as polaridades das várias tensões e
sentidos das correntes para um JFET.de canal n versus um JFET
de canalp.
§ 5.3 Características de Transferência
9. Dadas as características da Fig. 5.46:
(a) Esboce as características de transferência diretamente das
curvas de dreno.
(b) Utilizando a Fig. 5.46 paraestabeleceros valores del0 sse VP,
esboce as características de transferência, utilizando a equa-
ção de Shockley.
(c) Compare as curvas das letras (a) e (b). Há alguma diferença
considerável?
10. (a) Dados loss = 12 mA e VP = -4 V, esboce as curvas caracte-
rísticas de transferência para o transistor JFET.
(b) Esboce as curvas características de dreno para o dispositivo
da letra (a).
11. Dados loss = 9 mA e VP = -3,5 V, determine 10 quando:
(a) Vos= OV.
(b) V0 s = -2 V.
(c) Vos= -3,5 V.
(d) V0 s = -5 V.
12. Dados loss = 16 mA e VP = -5 V, esboce as curvas característi-
cas de transferência, utilizando os dados do Quadro 5.1. Deter-
mine o valor de 10 da curva, em V0 s = -3 V, e compare ao valor
determinado utilizando a equação de Shockley. Repita para V0 s
= -1 V.
13. UmJFET de canalp apresenta os seguintes parâmetros: loss = 7,5
mA e VP = 4 V. Esboce a curva de transferência.
14. Dados loss = 6 mA e VP = -4,5 V:
(a) Determine / 0 em V0 s = -2 V e -3,6 V.
(b) Determine Vas em 10 == 3 mA e 5,5 mA.
15. Dado um ponto Q de I 00 = 3 mA e Vos = - 3 V, determine Ioss se
VP = -6V.
 176 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

/D(mA)
VGS=OV
10 1.-
1/
9 li
8
-IV ..... ..... .....
'/
7 ·J i.-'
I
6
I
s
4
I
, -2V ---
,I
3 3v-
1..,
2 1 1
4V
l ~
5V / 6 V
o 5 10 15 20 25 VDs(V)

Fig. 5.46 Problemas 9, 17.

§ 5.4 Folha de Especificações QFET)
16. Defina a região de operação para o JFET 2N5457 da Fig. 5.18 uti-
lizando a faixa de lvss e VP fornecida. Ou seja, esboce a curva de
transferência definida pelo valor máximo de l 0 ss e Vp, e a curva de
transferência para o valor mínimo de lvss e VP. Depois hachure a
área resultante entre as duas curvas.
17. Defina a região de operação para o JFET da Fig. 5.46 se Vos...,.
25 Ve P0 .,, = 120 mW.
§ 5.5 Instrumentação
18. Utilizando as curvas da Fig. 5.21, determine 10 em Vos= -0,7 V
e V0 s = lOV.
19. Referindo-se à Fig. 5.21, o lugar geométrico dos valores de pinch-
off é definido pela região de V0 s < IVPI = 3 V?
20. Determine VP para as curvas da Fig. 5.21, utilizando lvss e 10 em
algum valor de Vos· Ou seja, substitua simplesmente na equação
de Shockley e solucione para VP. Compare os resultados ao valor
assumido de - 3 V das curvas.
21. Utilizando loss = 9 mA e VP = -3 V para as curvas da Fig. 5.21,
calcule 10 em V0 s = -1 V, utilizando a equação de Shockley e
compare ao nível mostrado na Fig. 5.21.
22. (a) Calcule a resistência associada com o JFET da Fig. 5.21 para
Vos = OV, de 10 = O mA até 4 mA.
(b) Repita a letra (a) para V0 s = -0,5 V de 10 = Oaté 3 mA.
(c) Definindo o resultado da letra (a) como r 0 e rd para a letra (b),
use a Eq. (5.1) para determinar rd e compare ao resultado da
letra (b).
§ 5. 7 MOSFET Tipo Depleção
23. (a) Esboce a construção básica de um MOSFET tipo depleção de
canalp.
(b) Aplique a tensão apropriada dreno-fonte e esboce o fluxo de
elétrons para Vos = OV.
24. Sob qual aspecto a construção do MOSFET tipo depleção é seme-
lhante à de um JFET? E sob qual é diferente?
25. Explique com suas palavras por que a aplicação de uma tensão
positiva no terminal de porta de um MOSFET tipo depleção de canal
n resulta em uma corrente de dreno maior do que lvss·
26. Dado um MOSFET tipo depleção com l 0 ss = 6 mA e VP = -3 V,
determine a corrente de dreno em Vos= -1 V, O V, 1 V e 2 V.
Compare a diferença no nível de corrente entre -1 V e OV, com a
diferença entre 1 V e 2 V. Na região de V0 s positiva, a corrente de
dreno aumenta a uma taxa significativamente maior do que para
valores negativos? A curva de / 0 se toma cada vez mais vertical
com valores positivos crescentes de V0 s? A relação entre/0 e Vos é
linear ou não-linear? Explique.
27. Esboce a curva de transferência e as curvas de dreno de um
MOSFET tipo depleção de canal n com l 0 ss = 12 mA e VP = -8
V, para Vos = - VP até Vos= 1 V.
28. Dado/0 = 14mAe V0 s = 1 V,determine VPseloss = 9,5mApara
um MOSFET tipo depleção.
29. Dado 10 = 4 mA em Vos= -2 V, determine l 0 ss se VP = -5 V.
30. Considerando 2,9 mA um valor médio para lvss do MOSFET
2N3797 da Fig. 5.30, determine o nível de Vos que irá resultar em
urna corrente máxima de dreno de 20 mA, se VP = -5 V.
31. Se a corrente de dreno para o MOSFET 2N3797 da Fig. 5.30 é 8
mA, qual é o valor máximo de Vos permitido que produz a máxima
potência especificada.
§ 5.8 MOSFET Tipo Intensificação
32. (a) Qual é a principal diferença entre a construção de um
MOSFET tipo intensificação e um MOSFET tipo depleção?
(b) Esboce um MOSFET tipo intensificação de canal p com a
polarização apropriada aplicada (V0 s > OV, Vos > VT) indi-
cando o canal, sentido do fluxo de elétrons, e a região de de-
pleção resultante.
(c) Com suas palavras, descreva sucintamente a operação básica
de um MOSFET tipo intensificação.
33. (a) Esboce a curva de transferência e as curvas de dreno de um
MOSFET tipo intensificação se VT = 3,5 V e k = 0,4 X 10- 3
AfV2.
(b) Repita a letra (a) para a curva de transferência, com VTman-
tido em 3,5 V mas k aumentado em 100%, valendo agora 0,8
X 10-3 NV2.
34. (a) Dado VoS(Th) = 4 Ve/Df.onl = 4 mAem VGS(on) = 6 V, determine
keescreva uma expressão geral para/0 no formato daEq. (5.13).
(b) Esboce a curva de transferência para o dispositivo da letra (a).
(c) Determine 10 para o dispositivo da letra (a) em Vos= 2 V, 5
Ve lOV.
 Transistores de Efeito de Campo 177

/0 (mA)

25
I
.i
I
20
I '
15
J
'
I

i/
10
J

.,'
/
5
'
li"
~
lo"'
i...,

o 5 10 15 V:GS

Fig. 5.47 Problema 35.

35. Dada a curva de transferência da Fig. 5.47, determine VT e k, e es- (b) Por que o VMOS FET apresenta níveis de resistência de ca-
creva uma equação geral para 10 . nal reduzidos?
36. Dado k = 0,4 X 10-3 A/V2 e /D(on) = 3 mA com Voscon) = 4 V, de- (c) Por que um coeficiente de temperatura positivo é desejável?
termine VT.
37. A corrente de dreno máxima para o MOSFET tipo intensificação § 5.11 CMOS
de canal n 2N4351 é 30 mA. Determine V0 s para este nível de cor-
rente, com k = 0,06 X 10-3 A!V2 e V7 máximo.
*42. (a) Descreva com suas palavras a operação do circuito da Fig. 5.44
38. A corrente de MOSFET tipo intensificação aumenta com uma taxa
com V;= OV.
aproximadamente igual à do MOSFET tipo depleção para a re~ião (b) Se o MOSFET "ligado" da Fig. 5.44 (com V; = O V) pos-
de condução? Revise com atenção o formato geral das equaçoes,
sui uma corrente de dreno de 4 mA com Vos= 0,1 V, qual
e, se sua base matemática inclui cálculo diferencial, calcule dlJ
é o nível de resistência aproximado do dispositivo? Se 10
dV0 s e compare seu valor. = 0,5 µ,A para o transistor "desligado", qual é o nível de
39. Esboce a característica de transferência de um MOSFET tipo in- resistência aproximado do dispositivo? Os níveis de resis-
tensificação de canal p se V7 = -5 V e k = 0,45 X 10- 3 AIV2 •
tência resultantes podem indicar os níveis de tensão de sa-
40. Esboce a curva de / 0 = 0,5 X 10- 3 (V0 / ) e 10 = 0,5 X 10- 3 (Vos
ída?
4)2 para Vos de O até 10 V. O valor V7 = 4 V influi significativa-
43. Pesquise em seus livros ou na biblioteca de sua faculdade sobre a
mente no nível de / 0 para esta região?
lógica CMOS, e descreva a faixa de aplicações e principais vanta-
gens da técnica.
§ 5.lOVMOS

41. (a) Descreva com suas palavras por que o VMOS FET pode su-
portar uma corrente e potência maior do que os dispositivos
de construção convencional. •Observação: Os asteriscos indicam problemas mais difíceis.

Polarização do FET
6.1 INTRODUÇÃO
No Cap. 5, verificamos que os níveis de polarização para uma
configuração com transistQr de silício podem ser obtidos com o
auxílio das equações características V8 E = O, 7 V, I e = /318 , e I e =
/E. A relação entre as variáveis de entrada e de saída é proporci-
onada por /3, cujo valor assume-se que seja fixo para a análise a
ser realizada. O fato de f3 ser uma constante estabelece uma re-
lação linearentrelcel8 • Dobrando-se o valor de / 8 , o valor de/e
dobra, e assim por diante.
Para o transistor de efeito de campo, a relação entre os parâ-
metros de entrada e saída é não-linear devido ao termo quadrático
na equação de Shockley. Relações lineares resultam em linhas
retas, quando traçadas em um gráfico de uma variável versus a
outra, enquanto para as funções não-lineares, como a caracterís-
tica de transferência de um JFET, obtêm-se curvas. A relação não-
linear entre lv e Vas pode complicar o desenvolvimento matemá-
tico necessário à análise de de configurações com FET. O méto-
do gráfico pode reduzir bastante a precisão, mas é mais rápido
para a maioria dos amplificadores a FET. Como o método gráfi-
co é, em geral, o mais utilizado, ele será o método adotado no
decorrer da análise deste capítulo.
Outra diferença existente entre as análises do TBJ e FET é que
para o TBJ a variável de controle é um nível de corrente, enquan-
to, para o FET, um nível de tensão controla os demais parâme-
tros do dispositivo. Entretanto, em ambos os casos a variável
controlada é um nível de corrente na saída, que, por sua vez,
determina importantes níveis de tensão do circuito de saída.
As relações gerais normalmente utilizadas para a análise de
dos amplificadores a FET são
(6.1)
e o matemático. Os métodos são incluídos nesta seção para demons-
(6.2)
Para o JFET e o MOSFET tipo depleção, a equação de
Shockley relaciona as variáveis de entrada e saída:
(6.3)
CAPÍTULO
6
Para o MOSFET tipo intensificação, a seguinte equação é
aplicável:
(6.4)
É particularmente importante notar que as equações acima
dependem apenas do dispositivo! Elas são válidas para qualquer
configuração, uma vez que o dispositivo opera na região ativa.
O circuito só define o nível de corrente e a tensão associada com
o ponto de operação por meio do seu próprio conjunto de equa-
ções. Na realidade, a solução de para os circuitos com FET e TBJ
é a solução de equações simultâneas estabelecidas pelo disposi-
tivo e pelo circuito. A solução pode ser determinada utilizando-
se o método gráfico ou matemático - fato que será demonstra-
do em um dos primeiros exemplos deste capítulo. Entretanto,
como já foi mencionado, o método gráfico é o mais popular para
circuitos com FET e é empregado neste livro.
As primeiras seções deste capítulo se limitaram aos FETs e
ao método gráfico de análise. O MOSFET tipo depleção será
então examinado, com seu número elevado de pontos de opera-
ção, seguido pelo MOSFET tipo intensificação. Finalmente, pro-
blemas relacionados a projetos serão investigados, para que se
verifiquem os conceitos e procedimentos introduzidos no capí-
tulo.
6.2 CONFIGURAÇÃO COM
POLARIZAÇÃO FIXA
O mais simples dos arranjos de polarização para o JFET de ca-
nal n aparece na Fig. 6.1. Denominado configuração com polari-
zação fixa, é uma das poucas configurações com FET que po-
dem ser solucionadas utilizando-se tanto o método gráfico quanto
trarem a diferença entre as duas filosofias, mas também para re-
alçarem o fato de que a mesma solução pode ser obtida com os
dois métodos.
A configuração da Fig. 6.1 inclui os níveis ac V; e V0 mais os
capacitores de acoplamento (C1 e C2). Lembre-se de que os
capacitores de acoplamento são "circuitos abertos" para a análi-
se de, e baixas impedâncias (consideradas curtos-circuitos) para
a análise ac. O resistor Ra está presente para assegurar que V;
 Polarização do FET 179

Voo 10 (mA)

Ioss

V; o---J1----,.-----<Go---1
C1

Vp Vp o Vas
2
Fig. 6.3 Traçando a equação de Shockley.

Fig. 6.1 Configuração com polarização fixa.

O nível resultante de corrente de dreno 10 é agora controlado

apareça na entrada do amplificador FET na análise ac (Cap. 9).
Para a análise de,
la;;;aOA
e
VR" = laRo = (O A)Ro = O V
A queda de zero volt através de Ra permite substituir Ra por um
curto-circuito equivalente, como o que aparece na Fig. 6.2, es-
pecialmente desenhado para a análise de.
Como o terminal negativo da bateria está conectado na porta,
pode-se concluir que a polaridade de Vas é oposta à de Vaa· Apli-
cando a lei das tensões de Kirchhoff na malha indicada da Fig.
6.2, no sentido horário, resulta em
-Voo - Vos= O
e Vas = -Vaa; portanto, o nível de 10 deve ser determinado sobre
(6.5)
Uma vez que Vaa é uma fonte de constante, a tensão Vas é fixa,
daí a notação "configuração com polarização fixa".
pela equação de Shockley:
2
ln = lnss ( 1 - Vas)
Vp
Uma vez que Vas é fixa para esta configuração, ela pode ser subs-
tituída na equação de Shockley para se determinar o valor de l 0 •
Este é um dos poucos casos em que a solução matemática pode
ser empregada diretamente.
Uma análise gráfica exigiria um traçado da equação de
Shockley, como mostra a Fig. 6.3. Lembre-se de que fazendo Vas
= Vp/2, a corrente de dreno fica igual a 105/4 ao se traçar a equa-
ção. Para a análise realizada neste capítulo, os três pontos defi-
nidos por loss, Vp e a interseção há pouco descrita serão suficien-
tes para o traçado da curva. Na Fig. 6.4, a reta vertical representa
esta reta. O ponto onde as duas curvas se interceptam é a solução
para a configuração - normalmente chamado de ponto de ope-
ração, ou quiescente. O índice Q será utilizado na notação de
corrente de dreno e tensão porta-fonte quando estas quantidades
representarem valores no ponto de operação. Observe na Fig. 6.4
que o nível quiescente de 10 é determinado desenhando-se uma
linha horizontal do ponto Q até o eixo vertical 10 • Uma vez mon-

/0 (mA)

Dispositivo

Circuito
p
+
"hs Ponto Q
(solução)........_
Yas s -
VGG
+ ()
Vp

Fig. 6.2 Circuito para a análise de. Fig. 6.4 Achando a solução para a configuração com polaàzação fixa.
180 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

16V
tado o circuito da Fig. 6.1, os níveis quiescentes de ID e V05 po-
dem ser medidos como mostra a Fig. 6.5. A tensão dreno-fonte
do circuito de saída pode ser determinada aplicando-se a lei das
tensões de Kirchhoff:
+Vos+ IoRo - Voo= O
e
(6.6) G
+
Lembre-se de que os índices de uma única letra indicam que a
tensão está referenciada ao terra. Para a configuração da Fig. 6.2, - s
(6.7)

Alterando a notação: +
Vos= Vo - Vs
Fig. 6.6 Exemplo 6.1.
ou Vo =Vos+ Vs =Vos+ O V

e (6.8)
(c) VDs·
Além disso, Vos= Va - Vs (d) VD.
ou Va =Vos+ Vs =Vos+ O V (e) V0 •
(f) Vs.
e (6.9)
Solução
Não é difícil concluir que VD = VDs e V0 = Vos se for observa-
do que V5 = OV, mas as deduções acima serviram para enfatizar
a relação entre as notações com índice duplo e simples. Uma vez Método Matemático
que a configuração necessita de duas fontes de, seu emprego é
limitado, e portanto não será incluída na lista das configurações (a) Vos =-Voo= -2 V
com FET mais utilizadas.
a
0 2
(b) lo = loss ( 1 - -Vas) = 10 mA ( 1 - - -
Vp
-2
-8V
V) 2

= 10 mA(l - 0,25)2 = 10 mA(O, 75) 2

EXEMPLO 6.1 = 10 mA(0,5625)
Determine as seguintes quantidades para o circuito da Fig. 6.6. = S,625 mA
(a) VosQ· (c) VDs = Voo - I 0 R0 = 16 V - (5,625 mA)(2 J.dl)
(b) IDQ·
= 16 V - 11,25 V = 4,15 V
(d) Vo =Vos= 4,75 V
(e) Va= Vos= -2V
(f) Vs = O V

Método Gráfico: A curva resultante de Shockley e a reta verti-

cal em V05 = ---:2 V são fornecidas na Fig. 6.7. Não se consegue
obter uma precisão além da segunda casa decimal, sem aumen-
tar significativamente o tamanho da figura, mas do gráfico, e
pode-se concluir que 5,6 mA é um valor bastante aceitável. Por-
tanto, para a letra (a).

Vas0 = -Voo= -2 V

(b) Io 0 = S,6 mA
(c) Vos= Voo - I0 R0 = 16 V - (5,6 mA)(2 k.O)
= 16 V - 11,2 V = 4,8 V
(d) Vo =Vos= 4,8 V
(e)Va =Vos=-2V
Fig. 6.S Medindo os valores quiescentes de ID e Vas· (f) Vs = O V
 Polarização do FET 181

10 (mA)

loss = lOmA
!,I

8
7
6 G
5---- Io0 =516mA
+
4
3 loss
2---,--=2,SmA
n
-8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 O Vas
Vp =-8 V i" = -4 V
1 1
Vasa= -Voo = -2 V
'li'

Fig. 6.9 Análise de da configuração com autopolarização.

Fig. 6.7 Solução gráfica para o circuito da Fig. 6.6.

Para a malha indicada na Fig. 6.9, achamos que

Os resultados confirmam claramente que os métodos gráfico -Vas - VRs =o
e matemático geram resultados bem próximos.
e Vas = -vR.
ou (6.10)
6.3 CONFIGURAÇÃO COM
AUTOPOLARIZAÇÃO Observe neste caso que Vas é função da corrente de saída /D, ao
contrário do que ocorria para a configuração com polarização fixa,
onde Vas era constante.
A configuração com autopolarização elimina a necessidade de A equação (6.10) é definida pela configuração do circuito, e
duas fontes de. A tensão controladora porta-fonte é agora deter- a equação de Shockley relaciona os parâmetros de entrada e sa-
minada pela tensão através do resistor Rs colocado entre a fonte ída do dispositivo. As duas equações relacionam as mesmas duas
e o terra, como mostrado na Fig. 6.8. variáveis, permitindo uma solução gráfica ou matemática.
Para a análise de, os capacitores podem novamente ser subs- A solução matemática pode ser obtida simplesmente substi-
tituídos por "circuito-abertos" e o resistor R0 substituído por um tuindo-se a Eq. (6.10) na equação de Shockley:
curto-circuito equivalente, já que / 0 = O A. O resultado é o cir-
cuito da Fig. 6.9.
A corrente através de Rs é corrente de fonte Is, mas Is= /D e lo = loss ( 1 - Vp
V6 s) 2

-IoRs) 2
= loss( 1 - Vp
2
IoRs)
ou lo = loss( 1 + Vp
Desenvolvendo a equação acima e rearranjando os termos, pode-
se obter uma equação no seguinte formato:
Ih+ Kifo + K2 = O
"-----'(---o Vº
C2 A equação do segundo grau pode então ser solucionada, e o va-
G lor de /D obtido.
V;o--)11--.---- A seqüência acima representa o método matemático. O mé-
C, + todo gráfico exige que primeiro se levante a curva de transferên-
cia do dispositivo, como a que aparece na Fig. 6.1 O. Uma vez que
a Eq. (6.10) define uma linha reta no mesmo gráfico, é suficien-
te identificannos dois pontos desta reta para obtê-la. A primeira
condiçãoaseraplicadaé/D = OA,jáqueresultaem Vas= -IoRs
= (O A)Rs= OV. ParaaEq. (6.10), portanto, umpontodaretaé
definido por /D= O A e Vas = O V, e é mostrado na Fig. 6.10.
Para a determinação do segundo ponto, será arbitrado um valor
Fig. 6.8 Configuração para JFET com autopolarização. para Vas ou /D, e o correspondente valor da outra quantidade deter-
182 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

e (6.11)

Além disso

(6.12)

(6.13)

1oss e (6.14)
4
/VGs=OV,/0 =0A(VGs = -10 Rs)
~---1,,C.....J...._--'-----'--L--'--*'----+-
Vp o VGs EXEMPL06.2
2
Determine as seguintes quantidades para o circuito da Fig. 6.12.
Fig. 6.10 Definindo um ponto na reta de autopolarização. (a) Vasa·
(b) /Da.
(c) Vos·
minado pela Eq. (6.10). Os níveis resultantes de / 0 e Vas defini- (d) V5 •
rão outro ponto da reta e permitirão o seu traçado. Suponha, por (e) Va.
exemplo, que / 0 é igual à metade do nível de saturação. Ou seja, (f) Vv.

ln= lnss Solução

2
(a) A tensão porta-fonte é determinada por
lnssRs
portanto, VGs = -IvRs = - - - -
2 Vas = -IvRs
O resultado é o segundo ponto na reta traçada da Fig. 6.11. O Fazendo / 0 = 4 mA, obtemos
ponto quiescente é obtido pela interseção da reta com a curva de
transferência. Os valores quiescentes de / 0 e Vas podem, então, VGs = -(4 mA)(l Jdl) = -4 V
ser determinados e utilizados para se levantarem outros parâme- O resultado é o gráfico da Fig. 6.13 definido pelo circuito.
tros de interesse. Se escolhêssemos / 0 = 8 mA, o valor resultante de Vas seria
O nível de Vos pode ser determinado pela aplicação da lei das -8 V, como mostrado no mesmo gráfico. Em ambos os casos,
tensões de Kirchhoff ao circuito de saída, com o seguinte resul- obtemos a mesma reta, demonstrando claramente que qualquer
tado valor apropriado de / 0 pode ser escolhido, e o valor correspon-
dente de Vas determinado pela Eq. (6.10). Além disso, é impor-
tante notar que o valor de Vas poderia ter sido escolhido, e ova-
lor de / 0 calculado, e que, ainda assim, o mesmo ponto seria
obtido.
Na equação de Shockley, se escolhermos Vas = V/2 = -3 V,
mas / 0 = Is acharemos que / 0 = /05/4 = 8 mN4 = 2 mA, resultando no grá-

20V

1
1
o VGs

VGs =-lossRs
-2-

Fig. 6.11 Esboçando a reta de autopolarização. Fig. 6.12 Exemplo 6.2.

 Polarização do FET 183

ln (mA)
/ln=8mA.Vas=-8V __ _
8
1
1 7 8
1
1
6 7
Cir~uito / ln=4mA,Vas=-4 V 6
1
1 / _ _____ 5
1 4. 5
1
1 4
1 3
1 3
1 2
1 ;-1112 =2,6mA
1
1

-8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 O Vas(V)
-6 -5 ,--4 -3 :-2 -1 O Vas(V)
1
Fig. 6.13 Esboçando a reta de autopolarização para o circuito da Fig. 6.12.
VasQ =-216V

Fig. 6.15 Determinando o ponto Q para o circuito da Fig. 6.12.

fico da Fig. 6.14 que representa a curva característica do disposi-
tivo. A solução é obtida pela interseção entre a curva característi-
ca do circuito, definida pela Fig. 6.13, com a curva característica
do dispositivo da Fig. 6.14. O ponto de interseção está mostrado
ou Vo = Voo - loRo
na Fig. 6.15, com um valor quiescente de tensão porta-fonte de = 20 V - (2,6 mA)(3,3 ill)
= 11,42 V
VGSQ = -2,6 V
(b) No ponto quiescente:
10 ª = 2,6 mA EXEMPLO 6.3
Ache o ponto quiescente para o circuito da Fig. 6.12, se:
(c) Eq. (6.11): Vos= Voo - Io(Rs + Ro) (a) Rs = 100 O.
= 20 V - (2,6 mA)(l kO + 3,3 kO) (b) Rs = 10 kO.
=20V-11,18V
Solução
= 8,82 V
(d) Eq. (6.12): Vs = IoRs Observe a Fig. 6.16.
= (2,6 mA)(l kfi)
(a) Com a escala de 10 ,
= 2,6 V
(e) Eq. (6.13): VG = O V 10 ª = 6,4 mA
(t) Eq. (6.14): Vo =Vos+ Vs = 8,82 V+ 2,6 V DaEq. (6.10),
= 11,42 V VGsQ =-0,64 V

Rs = 100 O ln (mA)
ln =4mA, Vas =-0,4 V
8 (/nss)
7 ~8
7
6
Ponto Q 6 lnQ =6,4 mA
5
5
4
4
3
2 (IoJs) 3
2

-6 -5 -4 -3 -2 -1 O Vas (V)
-3 -2 -1 O V6 s(V)
(Vp) ( Vp)
2 VasQ=-4,6V

Fig. 6.14 Esboçando a curva característica do dispositivo para o JFET da Fig. 6.12. Fig. 6.16 Exemplo 6.3.
184 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

(b) Com a escala de V0 s,

VosQ == -4,6 V
Da Eq. (6.10),
lvQ == 0,46 mA
Em particular, observe que valores reduzidos de Rs fazem com
que a reta de carga do circuito se aproxime do eixo 10 , enquanto G
valores elevados aproximam a reta do eixo Vos·
+

EXEMPL06.4
Determine as seguintes quantidades para o circuito da Fig. 6.17.
(a) VosQ·
(b) loQ·
(e) V0 •
(d) V0 •
(e) Vs, Fig. 6.18 Esboçando o equivalente de para o circuito da Fig. 6.17.
(f) Vos·

Solução e o valor associado de V0 s:

O terminal de porta aterrado e a posição de entrada estabelecem Vp 6V
uma semelhança muito forte com o amplificador base-comum do Vos= 2 = - 2 = -3V
TBJ. Embora diferente da estrutura básica da Fig. 6.8, o circuito
como mostrado na Fig. 6.19. Utilizando o ponto quiescente
de resultante da Fig. 6.18 apresenta a mesma estrutura básica da
resultante da Fig. 6.19, resulta em
Fig. 6.9. A análise de pode, portanto, seguir a mesma metodolo-
gia adotada nos exemplos anteriores. VosQ == -2,6 V
(a) A característica de transferência e a reta de carga aparecem
(b) Da Fig. 6.19,
na Fig. 6.19. Neste caso, o segundo ponto para o esboço da
reta de carga foi determinado pela escolha (arbitrariamente) lvQ == 3,8 mA
de 10 = 6 mA e solucionando para Vos· Ou seja, (e) Vo = Vvo - lvRv
Vos= -lvRs = -(6 mA)(680 fi) = -4,08 V = 12 V - (3,8 mA)(l,5 kfi) = 12 V - 5,7 V
como mostrado na Fig. 6.19. A curva de transferência do = 6,3 V
dispositivo foi traçada, utilizando (d) Vo = OV
1 _ lvss _ 12 mA = 3 mA
v- 4 - 4
10 (mA)

12 V
12 Ioss
11
10
9
8
7
6
G
s
4
-IDQ=3.f,mA
3
2
1

-6 -S -4 -3 1 -2
1
-1 o
Vp
VG5<l =-2,6 V
Fig. 6.17 Exemplo 6.4. Fig. 6.19 Determinando o ponto Q para o circuito da Fig. 6.17.
 Polarização do FET 185

(e) Vs = IoRs = (3,8 mA)(680 0)

= 2,58 V
(f) Vos = Vo - Vs
R1 R,
= 6,3 V - 2,58 V
= 3,72 V

6.4 POLARIZAÇÃO POR DIVISOR

Vo

+
.... la=OA
.........
+
+

DE TENSÃO
A polarização por divisor de tensão aplicada aos amplificadores
com TBJ também é aplicada aos amplificadores com FET, como
demonstrado pela Fig. 6.20. A configuração básica é exatamen-
te a mesma, mas a análise de é consideravelmente diferente. Ia
= OA para os amplificadores com FET, mas, para os amplifica-
dores que utilizam TBJ, o valor de / 8 pode afetar os níveis de
corrente e tensão nos circuitos de entrada e saída. Lembre-se de
que I 8 é o elo de ligação entre os circuitos de entrada e saída na
configuração com divisor de tensão para o TBJ, enquanto Vas faz
o mesmo para a configuração com FET.
O circuito da Fig. 6.20 é redesenhado para a análise de como
mostra a Fig. 6.21. Observe que todos os capacitores, incluindo
o capacitor C5 de desvio, foram substituídos por um "circuito-
aberto" equivalente. Além disso, a fonte Vvv foi separada em duas
fontes equivalentes para permitir a distinção entre a malha de
entrada e de saída do circuito. Uma vez que Ia = OA, a lei das
correntes de Kirchhoff permite afirmar que IR, = IR, e o circui-
to equivalente-série que aparece à esquerda da figura pode ser
utilizado para se determinar o valor de Va. A tensão Va, igual à
tensão através de R2 , pode ser determinada com o auxílio da re-
gra do divisor de tensão:
(6.15)
Aplicando a lei das tensões de Kirchhoff no sentido horário
na malha indicada da Fig. 6.21, resulta em
VG - VGs - VRs =o
R2 R2 Vo
Fig. 6.21 Circuito redesenhado da Fig. 6.20 para análise de.
e VGs = VG - VRs
Substituindo VRs = IsRs = IvRs, temos
(6.16)
O resultado é uma equação com as mesmas variáveis da equa-
ção de Shockley: Vas e Iv. As quantidades Va e R5 são fixas pela
configuração do circuito. A Equação (6.16) é ainda a equação de
uma reta, mas a origem não está mais contida nesta reta. O pro-
cedimento para o traçado da Eq. (6.16) não é complicado, e será
demonstrado a seguir. Uma vez que são necessários dois pontos
para se definir uma reta, vamos usar o fato de que, em qualquer
ponto no eixo horizontal da Fig. 6.22, a corrente Iv = OmA. Se,
portanto, escolhermos lv = O mA, estamos, na verdade, em al-
gum ponto do eixo horitontal. A posição exata pode ser deter-
minada, substituindo-se simplesmente Iv = OmA na Eq. (6.16),
e achando o valor resultante de Vas, como abaixo:
VGs = VG - IvRs
= VG - (0 mA)Rs
e (6.17)

O resultado especifica que sempre que traçarmos a Eq. (6.16),

se fizermos Iv = OmA, o valor de Vas para o gráfico será Va volts.
O ponto determinado acima aparece na Fig. 6.22.
Para o outro ponto, vamos empregar o fato de que, em qual-
quer ponto do eixo vertical, Vas = OV, e solucionar para o valor
---H('----0 Vil resultante de Iv:
C2 VGs = VG - IvRs
V; o-o---1)t----+----
C1
OV=VG-IvRs

e (6.18)

O resultado especifica que sempre que traçarmos a Eq. (6.16) com

Vas = OV, o valor de Iv é determinado pela Eq. (6.18). Esta in-
... terseção também aparece na Fig. 6.22 .
Os dois pontos .definidos acima permitem o traçado de uma
Fig. 6.20 Configuração de polarização por divisor de tensão. linha reta que representa a Eq. (6.16). A interseção da linha reta
186 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

lvss

Fig. 6.22 Esboçando a equação do circuito para a configuração com divisor de tensão.

com a curva de transferência na região à esquerda do eixo verti-

cal define o ponto de operação e os níveis correspondentes de / 0 (6.22)
e Vos·
Como a interseção no eixo vertical é determinada por / 0 = Vd
Rs, e V0 é fixo devido ao circuito de entrada, valores crescentes
de Rs reduzem o nível de / 0 na interseção, como mostra a Fig.
6.23. Fica bem óbvio da Fig. 6.23 que: EXEMPL06.5
Determine as seguintes quantidades para o circuito da Fig. 6.24.
Valores crescentes de Rsproporcionam valores decrescentes (a) /Da e Vasa·
de lv, e valores mais negativos de Vos- (b) V0 .
(c) Vs.
Uma vez determinados os valores de I n e V05 , a análise (d) Vvs·
restante pode ser feita da maneira usual. Ou ~eja, Q (e) V00 •

(6.19) Solução
(a) Para a curva de transferência, se 10 = lvssl4 = 8 mA/4 = 2
mA,então V05 = V/2 = -4 V/2 = -2V. Acurva resultan-
(6.20) te representando a equação de Shockley aparece na Fig. 6.25.
A equação do circuito é definida por

(6.21) u _ R2Voo
va -
R1 +R2
(270 k!l)(l 6 V)
2,1 M!l + 0,27 M!l
= 1,82 V
e
Vas = VG - lvRs
= 1,82 V - / 0 (1,5 k!l)
10 = OmA:
Vas = +1,82 V
V0 , = OV:
1,82 V
lo= l,S k!l = 1,21 mA

A reta de polarização resultante é mostrada na Fig. 6.25, com

os seguintes valores quiescentes: ·
o Va 10 ª = 2,4 mA
Fig. 6.23 Efeito de R5 no ponto Q resultante. e VGsa = -1,8 V
 Polarização do FET 187

211MO

o V0

V;o )
5 µF

270k0

Fig. 6.24 Exemplo 6.5.

(b) Vo = Voo - IoRo Voo= Vo - VG

= 16 V - (2,4 mA)(2,4 k!l) = 10,24 V - 1,82 V
= 10,24 V = 8,42 V
(c) Vs = I0 Rs = (2,4 mA)(l ,5 kO)
Embora a configuração básica do circuito no próximo exem-
= 3,6 V plo seja bem diferente do arranjo com divisor de tensão, as equa-
ções resultantes são solucionadas de maneira semelhante à des-
(d) Vos= Voo - Io(Ro + Rs) crita acima. Observe que o circuito emprega uma fonte conecta-
= 16 V - (2,4 mA)(2,4 k!l + 1,5 k!l) da ao dreno e à fonte.
= 6,64 V
ou Vos = Vo - Vs = 10,24 V - 3,6 V
= 6,64 V EXEMPL06.6
Determine as seguintes quantidades para o circuito da Fig. 6.26.
(e) Embora raramente calculada, a tensão V00 pode ser facilmente (a) lvQ e Vaso·
determinada utilizando (b) Vvs·
(c) Vv.
(d) V5 •

/0 (mA)
8 Ivss

3
---lo
2 Q
=24mA
,
lv=l,21 mA(Vas=OV)

-21 12 3
Va5a=-118 V Va=1 182V
(/o=OmA) Vss=-IOV

.Fig. 6.25 Determinando o ponto Q para o circuito da Fig. 6.24. Fig. 6.26 Exemplo 6.6.
188 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Solução lo (rnA)

(a) Uma equação para Vas em função de / 0 é obtida aplicando- 9 (Ioss)

se a lei das tensões de Kirchhoff à malha de entrada do cir-
cuito, como mostrado na Fig. 6.27. 8

ou -Vos - IsRs + Vss = O

mas Vos= Vss - IsRs
Is= lo

e (6.23) 3
2
O resultado é uma equação muito semelhante, no formato, à
Eq. (6.16), que pode ser sobreposta à curva de transferência uti-
lizando-se o procedimento descrito para a Eq. (6.16). Ou seja, -3 -2 -1 O1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Vas
por exemplo, (v,.) liç= lOV
Vas =-013SV
Vos= 10 V - /o(l,5 kO)
Fig. 6.28 Determinando o ponto Q para o circuito da Fig. 6.26.
Para/0 = OmA,
Vos=Vss=lOV
Para Vas = O V,
que para este exemplo resulta em
O= 10 V - /o(l,5 kO)

I = 10 V = 6 67 mA Vos= 20 V + 10 V - (6,9 mA)(l,8 kO + 1,5 kO)

e 0 1,5 kO ' = 30 V - 22, 77 V
Os pontos no gráfico resultantes são identificados na Fig. 6.28. = 7,23 V
As caracteristicas de transferência são esboçadas usando-se o
ponto estabelecido por Vas = Vp/2 = - 3 V/2 = -1,5 V e / 0 = lvssl
4 = 9 mA/4 = 2,25 mA, como mostrado na Fig. 6.28. O ponto de (c) Vo = Voo - IoRo
operação resultante estabelece os seguintes níveis quiescentes: = 20 V - (6,9 mA)(l ,8 kO) = 20 V - 12,42 V
/Da= 6,9 mA 7,58 = V
(d) Vos= Vo - Vs
Vos0 = -0,35 V
ou Vs = Vo - Vos
(b) Aplicando a lei das tensões de Kirchhoff ao circuito de saí- = 7 ,58 V - 7 ,23 V
da da Fig. 6.26 resulta em: = 0,35 V
-Vss + lsRs +Vos+ loRo - Voo= O
Substituindo / 5 = 10 e rearranjando os termos dá
6.5 MOSFET TIPO DEPLEÇÃO
(6.24)
As curvas de transferência do JFET e do MOSFET tipo deple-
ção são semelhantes em aspecto, permitindo, assim, que se re-
alizem análises parecidas para os dois dispositivos. A diferen-
ça principal entre os dois é o fato de o MOSFET tipo depleção
G apresentar pontos de operação com valores positivos de Vas e
níveis de / 0 que ultrapassam / 055• Na verdade, para todas as con-
+ figurações discutidas até agora, a análise é a mesma, não im-
Vas portando o dispositivo utilizado, JFET ou MOSFET tipo deple-
ção.
A única etapa não definida da análise é como traçar a equa-
ção de Shockley para valores positivos de Vas· Para a região
de valores positivos de Vas e valores de / 0 maiores do que lvss,

! v,,=IOV
Fig. 6.27 Determinando a equação do circuito para a configuração da Fig. 6.26.
até que ponto a curva de transferência se estende? Para amai-
oria das situações, esta região será razoavelmente bem defini-
da pelos parâmetros do MOSFET e pela reta de polarização re-
sultante do circuito. Alguns exemplos revelarão como a análi-
se resultante responde às variações nos parâmetros do dispo-
sitivo.
 Polarização do FET 189

10 (rnA)
EXEMPL06.7
Para o MOSFET tipo depleção de canal n da Fig. 6.29, determi-
ne:
(a) lva e Vasa·
(b) Vos·

Solução

(a) Para a curva de transferência, um ponto no gráfico é defini-

do por 10 = l 0 ssf4 = 6mN4 = 1,5 mAe Vas= V/2 = -3 V/
2 = -1,5 V. Considerando o nível de Vp e o fato de a equa-
ção de Shockley definir uma curva que cresce mais rapida-
mente para Vas mais positivo, um ponto no gráfico será defi-
nido em Vas = + 1 V. Substituindo

Vos) 2
lo = loss ( 1 - Vp
-3 -2 -1 i O 2

~! ~r =
Vp

= 6 mA (1 - 6 mA(1 + !Y Va5a=-0,8 V

Fig. 6.30 Determinando o ponto Q para o circuito da Fig. 6.29.

= 6 mA(l,778)
= 10,67 mA Os pontos no gráfico e a reta de polarização resultante apa-
A curva de transferência resultante aparece na Fig. 6.30. Pro- recem na Fig. 6.30. O ponto de operação resultante
cedendo da maneira descrita para o JFET, temos: l0 u = 3,1 mA
Eq (6 15) . "o = 10 M0(18 V) = l 5 V Vosu = -0,8 V
• • • Y, 10 MO+ 110 MO '
(b) Eq. (6.19): Vos = Voo - Io(Ro + Rs)
Eq. (6.16): Vos= V0 - l 0 Rs = 1,5 V - / 0 (750 0) = 18 V - (3,1 mA)(l,8 kll + 750 0)
Fazendo / 0 = O mA, resulta em = 10,1 V
Vos= Vo = 1,5 V
Fazendo Vas = O V, produz EXEMPL06.8
Vo 1,5 V Repita o Exemplo 6.7 com Rs = 150 n.
lo = Rs = 750 O = 2 mA
Solução

(a) Os pontos no gráfico são os mesmos para a curva de transfe-

18 V rência, como mostra a Fig. 6.31. Para a reta de polarização,

Vos= Vo - IoRs = 1,5 V - /0(1500)

Fazendo / 0 = O mA, resulta em

llOMQ Vos= 1,5 V

Fazendo Vas = O V, produz

V; 0----1)1,.-.:------- Vo 1,5 V
l o = - = - - = lOmA
Rs 150 O

A reta de polarização é incluída na Fig. 6. 31. Observe neste

caso que os pontos quiescentes produzem uma corrente de
dreno que excede IDss com um valor positivo para Vas· O
resultado:
IoQ = 7,6 mA
Fig. 6.29 Exemplo 6.7. VGSQ = +0,35 V
190 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

10 (mA) obtido também para a configuração com JFET, estabelecen-

do o fato de que Vos deve ser menor do que zero volt. Não
há, por esta razão, necessidade de traçar a curva de transfe-
rência para valores positivos de V05, embora isto tenha sido
feito nesta ocasião para completar a curva de transferência.
Um ponto no gráfico para V0 s < O V é

lo = loss = 8 mA = 2 mA
4 4
Vp -8 V
e VGs = - = - - = -4 V
2 2
e para V0 s> O V,já que Vp= -8 V, escolheremos

VGs = +2 V
e 10 = loss ( 1 - ;:
V'. )2 = 8 mA (1 - +2
_8V
y)2
-3 -2 -1 O 2 Vos
Vp.
Vos =+01 35V = 12,5 mA

Fig. 6.31 Exemplo 6.8. A cuva de transferência resultante aparece na Fig. 6.33. Para
a reta de polarização do circuito, em Vos= O V, 10 = O mA.
Escolhendo V0 s = -6 V, vem

(b) Eq. (6.19): Vos= Voo - lo(Ro + Rs) Vos -6 V

lv = - Rs = - 2,4k!l = 2,5mA
= 18 V - (7,6 mA)(l,8 k!l + 150 fi)
= 3,18 V O ponto Q resultante:
= 1,7 mA
lvQ

EXEMPL06.9 VGsQ = -4,3 V

Determine os seguintes parâmetros para o circuito da Fig. 6.32.
(a) l 0 e V0 5o,
Q
(b) Vv = Vov - loRv
= 20 V - (1,7 mA)(6,2 kfi)
(b) V0 •
= 9,46 V
Solução

(a) A configuração de autopolarização resulta em

10 (mA)
VGs = -loRs

20V

5
4
3

-8 -7 -6 -5 J4 -3 -2 -1 O1 2 Vos
V. 1
P VosQ = -4,3 V

Fig. 6.32 Exemplo 6.9. Fig. 6.33 Determinando o ponto Q para o circuito da Fig. 6.32.
 Polarização do FET 191

O exemplo a seguir emprega um projeto que também po-

de ser aplicado ao JFET. À primeira vista pode parecer bastan-
te simplista, mas na verdade causa alguma confusão quando ~2 ----------------------------
analisado pela primeira vez, devido ao ponto especial de ope-
ração.

EXEMPLO 6.10
Determine Vvs para o circuito da Fig. 6.34. ~~n)---------------------------
Solução

Vos= O V
Uma vez que V08 está fixo em OV, a corrente de dreno deve ser
lvss (por definição). Em outras palavras,
Vas1 Vas2 Vos
VasQ = OV lv=OmA VGS{(ll\)

e lvQ = 10 mA
Fig. 6.35 Curva de transferência de um MOSFET tipo intensificação de canal n.
Não há necessidade, portanto, de desenhar a curva de transferên-
cia e
As folhas de especificações fornecem normalmente a tensão de
Vv = Voo - IvRo = 20 V - (10 mA)(l,5 kO)
limiar e um valor de corrente de dreno (/D(onJ) para um nível de
= 20 V - 15 V Vas(onJ· Desta forma, dois pontos são definidos de imediato. Para
completar a curva, a constante k da Eq. (6.25) deve ser determi-
=SV nada a partir dos dados das folhas de especificações, substituin-
do estes na Eq. (6.25) e resolvendo para k:
20V
lo= k(Vos - Vos(Thi
lo(on) = k(VGS(on) - VGS(Thi

e (6.26)

Uma vez definido k, outros níveis de lv podem ser determinados

a partir de valores de Vos· Normalmente, com um ponto entre
Vas(111) e Vas(on) e com um ponto ligeiramente maior do que Vas<onJ•
é possível obter um número suficiente de pontos para traçar a Eq.
(6.25) (observe /Di e lv, na Fig. 6.35).

Configuração de Polarização com

Fig. 6.34 Exemplo 6.10.
6.6 MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO
As características de transferência do MOSFET tipo intensifica-
ção são bastante diferentes daquelas obtidas para o JFET e o
MOSFET tipo depleção, resultando em uma solução gráfica in-
teiramente nova. Antes de tudo, lembre-se de que, para o
MOSFET tipo intensificação de canal n, a corrente de dreno é
zero para níveis de tensão porta-fonte menores do que o nível de
limiar Vas(lll)• como mostra a Fig. 6.35. Para níveis de V05 maio-
res do que Vas<Th>• a corrente de dreno é definida por
Realimentação
Uma configuração de polarização bastante utilizada para o
MOSFET tipo intensificação é apresentada na Fig. 6.36. O
resistor R0 realimenta convenientemente a porta do MOSFET
com um alto valor de tensão, levando o dispositivo ao estado
"ligado". Como 10 = OmA e VRa = OV, o circuito de equivalen-
te é da forma mostrada na Fig. 6.37.
Existe agora uma conexão direta entre dreno e porta, resul-
tando em
e (6.27)

Para o circuito de saída,

(6.25)
Vvs = Voo - lvRo
192 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

V;o )
s Vas

Fig. 6.38 Determinando o ponto Q para o circuito da Fig. 6.36.

Fig. 6.36 Configuração de polarização com realimentação.

EXEMPLO 6.11
Determine I Da e VnsQ para o MOSFET tipo intensificação da Fig.
6.39.

Solução

Traçando a Curva de Transferência: Dois pontos são defini-

dos imediatamente, como mostra a Fig. 6.40. Resolvendo para
k:

k_ lv(on)
Eq. (6.26):
- (VGS(on) - VGS(Th)}2
6 mA 6 X 10- 3 A 2
(8 V - 3 V)2 = 25 /v

Fig. 6.37 Equivalente de do circuito da Fig. 6.36. = 0,24 x 10-3 AN2

Para Vos= 6 V (entre 3 e 8 V):
lv = 0,24 X 10- 3(6 V - 3 V)2 = 0,24 X 10- 3(9)
que se toma = 2,16 mA
(6.28)
12V
utilizando a Eq. (6.27).
O resultado é uma equação que relaciona as mesmas duas
variáveis da Eq. (6.25), permitindo o traçado de ambas em um
mesmo par de eixos. 2k0
Como a Eq. (6.28) representa uma linha reta, será empregado
o mesmo procedimento descrito anteriormente para determinar
os dois pontos que definem o traçado. Substituindo ln= O mA
na Eq. (6.28), vem ~------1,------111-(------<o V0
l µF
(6.29) IOMO

V; o-o---i)...__ _..__ _
Substituindo V0 s = OV na Eq. (6.28), temos
l µF

(6.30)

Os gráficos definidos pelas Eqs. (6.25) e (6.28) aparecem na Fig.

6.38 com o ponto de operação resultante. Fig. 6.39 Exemplo 6.11.
 Polarização do FET 193

lo
Eq. (6.29): Vas =Voo= 12 Vl10 =omA

12 VGs = 10 V, 10 = 11176mA.
Eq • (6. 30): ID = VRv
00 = 12 V =.
2k0
I
6mAvas=OV
11
10 A reta de polarização resultante aparece na Fig. 6.41. O ponto de
9 operação:
8 /0 Q =2,75 mA
7 e VasQ = 6,4 V
locon> --6
1
com VosQ = VasQ = 6,4 V
5 1
1
4 1
1
1
3 1
1
Configuração de Polarização com
2 VGs = 16 V,lo =2,16mA
1 Divisor de Tensão
1

o 1 2 8 9 10 A configuração de polarização mostrada na Fig. 6.42, para o

1 1 MOSFET tipo intensificação, também é muito empregada. O fato
VGS(Th) VGS(on) de / 0 = OmA resulta na equação abaixo para V00, que nada mais
é do que a aplicação da regra do divisor de tensão:
Fig. 6.40 Traçando a curva de transferência para o MOSFET da Fig. 6.39.

(6.31)
como mostrado na Fig. 6.40. Para V05 = 1OV (ligeiramente maior
do que Vos(Th>): Aplicando a lei das tensões de Kirchhoff ao longo da malha in-
lo = 0,24 X 10- 3(10 V - 3 V)2 = 0,24 X 10- 3(49) dicada na Fig. 6.42, resulta em

= 11,76 mA +Va - Vas - VR5 = O

aparecendo também na Fig. 6.40. Os quatro pontos são suficien-
e VGs = VG - VR5
tes para traçarem toda a curva na faixa de interesse, como mos-
tra a Fig. 6.40. ou (6.32)

Para a Reta de Polarização do Circuito: Para a seção de saída:

Vas = Voo - IoR.o VRs +Vos+ VRD - Voo= o

= 12 V - / 0 (2 kfi) e

ou (6.33)
lo=mA

12 Voo
11
10
9
8
7
Voo 6
Ro
5
l
......
0 =0A

G
4
I o = 2 75 mA - .J
Q ' 2

O 1 2 3 .4 5 6 : 7 8 9 10 11 12 VGs
Vaso=6,4 V
<Voo>
Fig. 6A2 Configuração de polarização com divisor de tensão para um MOSFET
Fig. 6.41 Determinando o ponto Q para o circuito da Fig. 6.39. intensificação de canal n.
194 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Io(mA)
Como a curva característica representa um gráfico de lv ver-
sus VGS• e a Eq. (6.32) relaciona as mesmas duas variáveis, as duas
curvas podem ser traçadas em um mesmo gráfico, e a solução 30
determinada na interseção. Uma vez conhecidos I vQ e V05Q, to-
dos os demais parâmetros do circuito, como Vvs, Vv e V5 , podem Va =21195
ser determinados. Rs 20

EXEMPLO 6.12
Determine I DQ, V05Q, e Vvs para o circuito da Fig. 6.43.

Solução o 5 10 1
1
15 1 20 25 Vas
Vas(Th) V05Q=l215V V0 =18V
Circuito:
Fig. 6.44 Determinando o ponto Q para o circuito do Exemplo 6.12.

6 V = R2VDD = (18 M0.)(40 V) = 18 V

Eq. ( · 3 l): G R1 + R2 22 MO.+ 18 MO.

Eq. (6.32): VGs = VG - loRs = 18 V - / 0 (0,82 kO.) 3 mA - X -3 2

(10 V - 5 V)2 - 0,12 10 A/V
Quando lv = OmA,
e lo= k(VGs - VGS(Thj)2
VGs = 18 V - (O mA)(0,82 kO.) = 18 V
= 0,12 X 10- 3 (VGs - 5)2
como mostrado na Fig. 6.44. Quando V05 = O V.
que é traçado no mesmo gráfico (Fig. 6.44). Da Fig. 6.44,
VGs = 18 V - / 0 (0,82 kfi)
O= 18 V - / 0 (0,82 kO.) 10 Q =6,7mA
18 V VGsQ = 12,S V
10 = = 21 95 mA
0,82 kO. '
Eq. (6.33): Vos= Voo - lo(Rs + Ro)
como mostrado na Fig. 6.44. = 40 V - (6,7 mA)(0,82 kO. + 3,0 kO.)
Dispositivo: = 40 V- 25,6 V

VGS(Th) = 5 V, /D(on) = 3 mA com VGS(on) = 10 V = 14,4 V

Eq. (6.26): k = lo(on) 2

(VGS(on) - VGS(To)) 6. 7 QUADRO-RESUMO
Agora que as configurações mais utilizadas para os diversos dis-
40V positivos FETs foram apresentadas, o Quadro 6.1 revê os princi-
pais resultados e as semelhanças existentes entre as abordagens
para as várias configurações. Ele também revela que a análise
de maneira geral das configurações de para os FETs não é de-
22MQ masiado complexa. Uma vez estabelecida a característica de
transferência, a reta de autopolarização do circuito pode ser de-
2N4351 senhada, e o ponto Q determinado na interseção entre esta curva
Vos(Th) = 5 V e a curva de transferência do dispositivo. Para o restante da aná-
G Vvs ID(an) = 3 mA lise, devemos apenas aplicar as leis básicas de análise de circui-
em VGS(on) = 10 V tos.

ISMO
6.8 CIRCUITOS COMBINADOS
Agora que a análise de de uma variedade de configurações com
'li" TBJ e FET foi estabelecida, vislumbra-se a oportunidade de ana-
lisarmos circuitos com os dois tipos de dispositivos. Para a aná-
Fig. 6.43 Exemplo 6.12. lise, é necessário apenas que, primeiro, abordemos o dispositivo
 Polarização do FET 195

QUADRO 6.1 Configurações de Polarização para o FET

Tipo Configuração Equações Pertinentes Solução Gráfica

JFET
VGsCI= -VGG
Polarização Ponto~
fixa VDS = Von - lnRs

ID
IDSS
JFET
VGS = -lnRs
Auto-
polarização Vns = Vnn - JoCRn + Rs) Ponto~ - - l'o

vP:V'.GS o Vcs

ID
JFET IDSs
Polarização
por divisor
de tensão Ponto~J
V,. O Vc VGS
TD
TDSS
JFET VGS = Vss - lnRs
Duas fontes Vns = Vnn + Vss - ln(Rn + Rs) Ponto~~

v,. O Vss Vcs

TD
Ponto Q IDSS
JFET
( Vasº = O V)
_J /VGS0 =0V

o
TD
VGs = -lnRs
Vn = VDD
'=
JFET
(R 0 = Oil) Vs = lnRs
Ponto Q ~ -l'D
Vos= Vnn - lsRs
v,.iV'cs O Vas
MOSFET , lo
Tipo Depleção Ponto Q
*(Todas as configurações VGS(I= +VGG
acima mais os casos Vns = Vnn - loRs
onde Vasº = +tensão)
Polarização fixa

MOSFET
Tipo Depleção
Polarização por
divisor de tensão

MOSFET
Tipo Intensificação VGs = Vns
Configuração de VGs = Voo - InRn
realimentação

MOSFET
Tipo Intensificação
Polarização por
VG = R2Von
R1 + R2 :;~ J
divisor de tensão VGs = Va - loRs
!Ponto-~
196 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

que fornece uma tensão ou um nível de corrente em um termi- /E = VRE = VE = 2,92 V S

nal. A partir daí, a porta está aberta para calcularmos os outros e RE RE 1,6 kO = 1' 82 mA
parâmetros de circuito. Normalmente, esta situação gera proble-
mas interessantes, devido ao desafio de descobrirmos o ponto de com fc =]E= 1,825 mA
partida e depois utilizarmos os resultados das seções anteriores
Prosseguindo, achamos para esta configuração que
e do Cap. 5 para determinarmos os parâmetros relevantes de cada
dispositivo. As equações e relações utilizadas são aquelas que já ID =Is= lc
empregamos em mais de uma ocasião - não necessitando de-
senvolver qualquer método novo de análise. e VD = 16 V - /D(2,7 kO)
= 16 V - (1,825 mA)(2,7 kO) = 16 V - 4,93 V

EXEMPLO 6.13
= 11,07 V
Determine os níveis Vv e Vc para o circuito da Fig. 6.45. A determinação de Vc não é óbvia. Tanto VcE como Vvs são
quantidades desconhecidas, impedindo-nos desta maneira de
Solução estabelecer uma relação entre Vv e Vc ou de VE com Vv, Um exa-
me mais cuidadoso da Fig. 6.45 revela que Vc relaciona-se com
Das experiências anteriores percebemos que V6 s era um parâme- VB através de V6 s (assumindo que VRG = O V). Uma vez que a
tro importante a ser determinado, utilizando para isto equações determinação de VB depende de V6 s, Vc pode ser determinado de
na análise de circuitos com JFET. Como não há solução óbvia, Vc = Vs - Vos
trivial para V6 s, vamos voltar nossas atenções para a configura-
ção do transistor. A configuração com divisor de tensão é uma A questão que surge agora é como achar o valor de V6 .sa a partir
onde a técnica aproximada pode ser aplicada (/3RE = (180 X 1,6 do valor quiescente de lv, Os dois estão relacionados pela equa-
kO) = 288 kO > 10R2 = 240 kO), permitindo a determinação ção de Shockley:
de VB por meio da regra do divisor de tensão para o circuito de
VosQ) 2
IDQ = IDss ( 1 - Vp
entrada.
Para VB:
e V6 .sa pode ser determinado matematicamente, solucionando-se
V _ 24 kO(l 6 V) _
a equação para V6 s0 e substituindo-se os valores numéricos.
8 - 82 kO + 24 kO - 3 •62 V Entretanto, vamos voltar para o método gráfico e simplesmente
trabalhar na ordem inversa empregada nas seções anteriores.
Usando o fato de que VBE = 0,7 V, resulta em
Inicialmente, a característica de transferência do JFET é esboçada
VE = Vs - VsE = 3,62 V - 0,7 V como mostra a Fig. 6.46. O valor de I Da é então estabelecido por
uma reta horizontal, como mostrado na mesma figura. V6 sa é,
= 2,92 V então, determinado traçando-se uma reta vertical do ponto de
operação até o eixo horizontal, resultando em
Vosº= -3,7V
O valor de Ve:
Vc = Vs - Vosº= 3,62 V - (-3,7 V)
= 7,32 V
82k0

lv (mA)

1 M.Q

VGs =-3,7V
Q

Fig. 6.45 Exemplo 6.13. Fig. 6A6 Determinando o ponto Q para o circuito da Fig. 6.45.
 Polarização do FET 197

lc 1 mA
EXEMPLO 6.14 e ln = 7i = ~ = 12,5 µ.A
Determine Vv para o circuito da Fig. 6.47.
Vn = 16 V - / 8 (470 kO.)
Solução
= 16 V - (12,5 µA)(470 kO.) = 16 V - 5,875 V
Neste caso, não há um método óbvio para a detenninação dos níveis
= 10,125 V
de tensão e corrente da configuração. Entretanto, observando o JFET
autopolarizado, podemos montar uma equação para VGs e obter o e VE = Vv = Vn - VnE
ponto quiescente resultante através de técnicas gráficas. Ou seja, = 10,125 V - 0,7 V
Vos= -IvRs = -Iv(2,4 kO.) = 9,425 V
resultando na reta de autopolarização da Fig. 6.48, que estabele-
ce um ponto quiescente em
VosQ = -2,6 V 6.9 PROJETO
lvQ = 1 mA
Em um projeto, não ficamos limitados apenas às condições de.
Para o transistor, A área de aplicação, o nível de amplificação desejado, a potên-
h = Ic = lv = 1 mA cia do sinal e as condições de operação são algumas das consi-
derações que devemos fazer para a realização de um projeto.
Entretanto, as condições de são ainda de suma importância, de-
.--~~~~--+-OJ6V vendo ser consideradas em primeiro lugar.
Por exemplo, se o nível de Vv e lv for especificado para o cir-
cuito da Fig. 6.49, o valor de VGsQ pode ser determinado de um
gráfico da curva de transferência, e Rs sai de VGs = -IoRs· Se
470kQ
Vvo for especificado, o valor de Rv pode ser calculado de Rv =
<Vvv - Vv)llv. Obviamente, o valor de Rs e Rv calculado pode
não ser comercial, exigindo que se empregue o valor comercial
mais próximo. Entretanto, com a tolerância (faixa de valores) nor-
malmente especificada para os parâmetros de um circuito, a li-
geira variação obtida devido à escolha de valores-padrão rara-
mente causa problemas na operação do circuito.
A idéia acima é apenas uma alternativa para a fase de projeto
envolvendo o circuito da Fig. 6.49. É possível que somente Vvv
e Rv sejam especificados junto com o valor de Vvs· O dispositivo
a ser empregado pode ser especificado junto com o valor de Rs.
Parece ser lógico que o dispositivo escolhido deveria possuir um
Vos máximo maior do que o valor especificado, e com uma boa
margem de segurança.
Em geral, quando se projeta, é um bom hábito escolher pon-
tos de operação distantes do nível de saturação (loss) ou região
de corte (Vp). Valores de VGSa próximos à Vp/2 ou lvQ perto de
lvs/2 são, com certeza, pontos bem razoáveis para se iniciar o
Fig. 6.47 Exemplo 6.14.

10 (mA)
8 foss
7
6
s
4
3

.!t,67mA
- - - - 1--/D = l mA
Q
-4 -3 ,-2 -1 O
Vp !
VGsQ= -2 16V

Fig. 6.48 Determinando o ponto Q para o circuito da Fig. 6.47. Fig. 6.49 Configuração de autopolarização a ser projetada.
198 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

projeto. Obviamente, em todo o projeto deve-se ter cuidado para 10 (mA)

não ultrapassar os valores máximos de Vvs e lv fornecidos pela
folha de especificações.
Os exemplos a seguir orientam para o projeto ou síntese de
uma forma tal que parâmetros do circuito como Rv, Rs, Vvv, e
assim por diante, sejam determinados a partir de níveis de ten-
são e corrente fornecidos. De qualquer forma, a abordagem é, sob
muitos aspectos, diferente da descrita nas seções anteriores. Em
alguns casos, basta-se apenas aplicar a lei de Ohm de,,,maneira -3 -2 -1 O Vas
adequada. Em particular, se houver a necessidade de calcular v,. :
valores de resistência, o resultado é obtido simplesmente apli- VGSr:,_=-lV
cando-se a lei de Ohm da seguinte forma:
Fig. 6.51 Determinando V0 , 0 para o circuito da Fig. 6.50.

(6.34)
Os valores comerciais mais próximos são:
onde VR e IR são parâmetros que podem ser tirados diretamente Rv = 3,2 k!l ~ 3,3 kO
dos níveis de tensão e corrente especificados.
Rs = 0,4 kfi ~ 0,39 kO

EXEMPLO 6.15 EXEMPLO 6.16

Para o circuito da Fig. 6.50, os níveis de VDa e I Da são especifi- Para a configuração de polarização com divisor de tensão da Fig.
cados. Determine os valores de Rv e Rs para esta condição. Quais 6.52, se Vv = 12 V e V05Q = -2 V, determine o valor de R5 •
são os valores comerciais mais próximos?
Solução
Solução
O valor de VO é determinado como se segue:
Como definido pela Eq. (6.34),
Vc= 47kfi(l6V) = 544 V
47 kfi + 91 kfi '

com lv = . Vvv
. . .; . .; ;__-_ Vv
_:;;_
Rv
20 V - 12 V 8 V = 3 2 kO
e
2,5 mA 2,5 mA '
= 16 V - 12 V = 2 22 mA
1,8 kfi '
Traçando a curva de transferência na Fig. 6.51, e desenhando A equação para V05 é portanto escrita, e os valores conhecidos
uma reta horizontal em I DQ = 2,5 mA, resulta em V05Q = -1 substituídos:
V, e aplicando V05 = -lvRs tiramos o valor de R 5:
Vcs = Vc - lvRs
-. -<Vcs) -(-l V)= 0,4 kO -2 V= 5,44 V - (2,22 mA)Rs
R s-
Iou 2,5 mA -7,44 V= -(2,22 mA)Rs

~------+-~16V

91 kO

Fig. 6.50 Exemplo 6.15. Fig. 6.52 Exemplo 6.16.

 Polarização do FET 199

7,44 V terminais específicos e o terra, ou entre os terminais do circuito.

e Rs = 2 . 22 mA = 3,35 k.O Raramente medimos níveis de corrente, uma vez que, para isto,
seria necessário corrompermos a estrutura do circuito para inse-
O valor comercial-padrão mais próximo é 3,3 kO. rir o medidor. Obviamente, uma vez obtidos os níveis de tensão,
os níveis de corrente podem ser determinados utilizando-se a lei
de Ohm. De qualquer maneira, para que a leitura dos parâmetros
no circuito seja útil na verificação de defeitos, deve-se ter algu-
EXEMPLO 6.17 ma noção do nível de tensão ou corrente lido, pois, do contrário,
Os níveis de Vvs e lv especificados são Vvs = t Vvv e lv = Irxon) não podemos interpretar o resultado obtido. Em resumo, portan-
para o circuito da Fig. 6.53. Determine o valor de Vvv e Rv. to, para que o método de verificação de defeitos produza resul-
tados satisfatórios, é necessário que a operação básica do circui-
Solução to seja compreendida. Para o amplificador com JFET de canal n,
sabe-se perfeitamente que o valor quiescente de VGsQ é menor do
Dado lv = /D(on) = 4 rnA e VGs = VGS(on) = 6 V, para esta configu- que OV ou uma tensão negativa. Para o circuito da Fig. 6.54, VGSii
ração, é limitado a valores negativos na faixa de O V até VP. Se um
Vvs =Vos= !Vvv medidor for empregado como mostra a Fig. 6.54, com a ponta
positiva (normalmente vermelha) no terminal de porta e a ponta
e 6V =Wvv negativa (normalmente preta) na fonte, a leitura resultante deve
ser negativa e com uma amplitude de poucos volts. Qualquer
tal que Vvv = 12 V outro resultado deve ser considerado suspeito e investigado.
Aplicando a Eq. (6.34) vem O valor de Vvs situa-se normalmente entre 25 e 75% de Vvv·
Uma leitura de OV para Vvs indica claramente que ou o circuito
-
Rv- VRD - VDD - VDS Vvv - !Vvv = !Vvv de saída está "aberto", ou o JFET está internamente curto-
- circuitado entre o dreno e a fonte. Se Vv é Vvv volts, não há que-
lv lv(on) lv(on) ln(on)
da de tensão através de Rv, e a continuidade do circuito deve ser
verificada por meio de suas conexões.
e R =~=lSkO
D 4rnA ' Se o valor de Vvs for suspeito, a continuidade do circuito de
saída pode ser checada aterrando-se a ponta negativa do voltíme-
que é um valor comercial-padrão. tro, e medindo-se os níveis de tensão de Vvv para terra, com a
ponta positiva do medidor. Se Vv = Vvv, a corrente através de Rv
pode ser zero, mas há continuidade entre Vv e Vvv· Se V5 = Vvv,
o dispositivo não está aberto entre o dreno e a fonte, mas tam-
bém não está "ligado". Entretanto, a continuidade através de Vs
está confirmada. Neste caso, é possível que haja uma conexão
imperfeita entre R5 e o terra, o que não é facilmente detectável.
A conexão interna entre o fio metálico do dispositivo e o conector
10 Mil
do terminal pode estar separada. Há também outras possibilida-
des, como um dispositivo com um curto do dreno para a fonte.
Portanto, o técnico deve procurar investigar as possíveis causas para
o mau funcionamento até chegar a uma conclusão definitiva.

Fig. 6.53 Ext!mplo ó.17.

6.10 VERIFICAÇÃO DE DEFEITOS

Quantas vezes nos deparamos com um circuito que foi cuidado-
samente montado, e que no momento em que o operamos, ares-
posta obtida é totalmente diversa da prevista, contrariando todos
os cálculos teóricos realizados? O que supor? É um mau conta-
to? Leitura errada do código de cores de um elemento resistivo
ou simplesmente um erro de montagem? As alternativas são vá-
rias e, na maioria dos casos, frustrantes. O método de verifica-
ção de defeitos, descrito pela primeira vez na análise das confi-
gurações com TBJ, deve diminuir a lista de possibilidades e iso-
lar a área do problema, seguindo um plano definido de ataque.
Geralmente, a verificação inicia conferindo-se novamente a
montagem do circuito e as conexões nos terminais. O próximo
passo normalmente adotado é verificar os níveis de tensão entre Fig. 6.54 Verificando a operação de da configuração de autopolarização do JFET.
200 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

A continuidade de um circuito também pode ser verificada
medindo-se simplesmente a tensão através de um resistor do cir-
cuito (exceto para R0 na configuração do JFET). Uma indicação
de OV revela a ausência de corrente através do elemento devido
a um circuito aberto no circuito.
O elemento mais sensível nas configurações com TBJ e JFET é
o amplificador propriamente dito. A aplicação de um valor de ten-
são excessivo durante a fase de montagem ou de teste ou o uso de
valores de resistores incorretos resultando em altos níveis de cor-
rente podem danificar o dispositivo. Se você tem dúvida sobre a
condição do amplificador, o melhor teste para o FET é o traçador
de curvas, pois ele, além de revelar se o dispositivo está operando,
apresenta também a faixa de tensão e corrente permitida para o ele-
mento. Alguns instrumentos de teste podem revelar que o disposi-
tivo está em bom estado, entretanto, não informam se a sua faixa
de operação foi severamente reduzida
O desenvolvimento de técnicas adequadas de verificação de de-
feitos é função principalmente da experiência e na crença em o que
esperar e no por quê. Há, é claro, situações em que as razões para um
resultado indevido parecem desaparecer misteriosamente quando
você verifica um circuito. Nestes casos, não é aconselhável respirar
aliviado e continuar com a montagem. A causa para esta situação
instável pode ser determinada e corrigida, ou, do contrário, corre-se
o risco de ela aparecer novamente e no momento mais inoportuno.
6.11 FETs DE CANAL-P
A análise até agora ficou limitada somente aos FETs de canal-n.
Para os FETs de canal-p, as curvas de transferência empregadas
são imagens refletidas das curvas de dispositivo n, e os sentidos
das correntes são invertidos, como mostra a Fig. 6.55 para os
vários tipos de FETs.

-VDo
lo
loss

v,. Vas

ID

lDss
Ri

+
VDs

R2

tis Va Vp Vas

-VDD
lo
VDD
Ro

Ra +
Vos
+

VDD Vas(Th) o Vas

Hg. 6.55 Configurações para dispositivos tle canal p.

 Polarização do FET 201

Observe que, para cada configuração da Fig. 6.55, a tensão l 0 =(mA)

da fonte é negativa, drenando corrente no sentido indicado. As
notações para as tensões são as mesmas definidas para dispositi-
vo de canal n: Vas, Vvs, e assim por diante. Neste caso, entretan-
to, Vas é positivo (positivo ou negativo para o MOSFET tipo
depleção) e Vvs negativo.
Devido ao fato de as análises para os dispositivos de canal-n
e canal-p serem semelhantes, pode-se assumir um dispositivo de
canal-n, inverter a tensão de fonte, e realizar normalmente toda
a análise para o canal-p. Os resultados obtidos terão a amplitude
correta, mas os sentidos das correntes e as polaridades das tensões
terão de ser invertidos. O próximo exemplo demonstrará que, com Vas
a experiência acumulada da análise para dispositivos de canal-n,
a análise para dispositivos de canal-p será direta e eficiente.

Fig. 6.57 Determinado o ponto Q para a configuração com JFET da Fig. 6.56.
EXEMPLO 6.18
Determine I DQ, Va.sa e Vvs para o JFET de canal-p da Fig. 6.56.
Para Vvs, a lei das tensões de Kirchhoff resulta em
Solução
+ Vvs - lvRv + Vvv = O
-IvRs
20 kfl(-20 V)
Vo= 20kfl+68kfl = - 4 ,SSV e Vvs = -Vvv + Iv(Rv + Rs)
Aplicando a lei das tensões de Kirchhoff, vem = -20 V+ (3,4 mA)(2,7 kfl + 1,8 kfl)
Vo-Vos+lvRs=O = -20 V + 15,3 V
= -4,7 V
e Vas=Va+IvRs
Fazendo lv = OmA, dá
Vos= V 0 = -4,55 V 6.12 CURVA UNIVERSAL DE
como mostrado na Fig. 6.57. POLARIZAÇÃO PARA O JFET
Fazendo Vas = OV, obtemos
Vo -4,55 V_ 53 Uma vez que é necessário o traçado da curva de transferência para
lv= - - = a solução de de uma configuração com JFET, foi desenvolvida
Rs 1,8 kfl - 2 ' mA
uma curva universal que pode ser utilizada para qualquer nível
também mostrado na Fig. 6.57. O ponto quiescente resultante da de Ioss e Vp. A curva universal para o JFET de canal n ou
Fig. 6.57: MOSFET tipo depleção (para valores negativos de Vasa) é mos-
lvª = 3,4 mA trada na Fig. 6.58. Observe que o eixo horizontal não é Vas, e sim
uma quantidade normalizada definida por Va./1 Vpl, onde IVpl in-
VosQ = 1,4 V dica o módulo de Vp, Para o eixo vertical, a escala também é
normalizada, com I1Jlvss· O resultado é que quando 10 = lvss, a
razão é 1,equando Vas= Vp,arazão Va./lVpl é -1. Observe tam-
bém que a escala para IJioss está à esquerda, e não à direita, como
nos exercícios anteriores. As duas escalas adicionais necessitam
de uma apresentação. A escala vertical denominada m pode ser
empregada para determinar a solução na configuração com po-
68kQ larização fixa. A outra escala, M, é utilizada juntamente com a
escala m, e determina a solução na configuração com divisor de
tensão. O traçado das escalas me M vem de um desenvolvimen-
G
to matemático envolvendo as equações do circuito e das escalas
+ normalizadas introduzidas acima. A descrição a seguir não pro-
cura saber por que a escalam se estende de O a 5 em Va./1 Vpl =
20kQ
-0,2, e sim utilizar as escalas resultantes de modo a obter uma
solução para as configurações. As equações para m e M são as
seguintes, com Va definida pela Eq. (6.18).

(6.35)
Fig. 6.56 Exemplo 6.18.
202 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

lo IVpl Vaa
loss m=-- M=mx-
Rsloss lVpl

Vas
IVpl

Fig. 6.58 Curva universal de polarização para o JFET.

(6.36) A reta de autopolarização definida por Rs é traçada desenhando-

se uma linha reta da origem até um ponto definido por m = 0,31,
como mostrado na Fig. 6.60. O ponto Q resultante:

com _}_Q_ = 0,18 e

lnss
Perceba que a beleza deste método está na eliminação da neces-
sidade de se traçar a curva de transferência para cada análise, na
16V
maior facilidade com que se superpõe a reta de polarização, e no
menor volume de cálculo necessário. O emprego dos eixos m e
M é mais bem descrito nos exemplos que utilizam as escalas. Uma
vez entendido claramente o procedimento, a análise pode setor-
nar bem rápida e com um bom grau de precisão.

EXEMPLO 6.19 V; ----1),..---,-------,

O>-.

0105 µF
Determine os valores quiescentes de lv e VGs para o circuito da
Fig. 6.59.
lMn
Solução

Calculando o valor de m, obtemos

IVPI 1- 3 VI
m = -In-ss_R_s = -(6-mA-)(-1-,6-k_ü_) = 0, 3 l
Fig. 6.59 Exemplo 6.19.
 Polarização do FET 203

lv IVpl VGG
m=-- M=mx-
Ivss lvssRs lVpl

1,0

o,s

I
_Q_=0,53 ----
lvss

o,4 0,4
. 0,365

-1,0 -0,8 -061

, 1 -0,4 : -0,2 o
VGs =-0575 VGs =-0,26
IVpi 1 IVpl

Fig. 6.60 Curva universal para os Exemplos 6.19 e 6.20.

Os valores quiescentes de lv e Vas podem, então, ser determina-
dos como se segue:
lvQ = 0,18/vss = 0,18(6 mA) = 1,08 mA
e Vosº= -0,575IVpl = -0,575(3 V)= -1,73 V
Agora que m e M são conhecidos, a reta de polarização pode ser
traçada na Fig. 6.60. Em particular, observe que apesar de os
níveis de Ivss e Vp serem diferentes para os dois circuitos, ames-
ma curva universal pode ser empregada. Primeiro, determine M
no eixo M, como mostrado na Fig. 6.60. Depois, desenhe uma

~---------~1sv
EXEMPLO 6.20
Determine os valores quiescentes de lv e Vas para o circuito da
Fig. 6.61.
910Hl
Solução
Calculando m, dá
IVpi l-6 VI = o 625 vi o---)11----------
m=---= 1 µF
lvssRs (8 mA)(l,2 k!l) '
Determinando Va, obtemos
220kü

Vc=---
R2Vvv (220 k!l)(l8 V) =35V
R1 +R2 91 O k!l + 220 k!l '
Para M, fazemos
Vo (3,5 V)
M =m X IVPI = 0,625 6V = 0,365 Fig. 6.61 Exemplo 6.20.
204 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
reta horizontal até o eixo m, e no ponto de interseção adicione o
valor de m como mostra a figura. Utilizando o ponto resultante
no eixo m e a interseção no M, desenhe a reta para interceptar a
curva de transferência e definir o ponto Q.
Ou seja, -2!._ =
0,53 e ta clicando-se a seqüência Draw - Get New Part - Browse.
lvss
e lvQ = 0,53/vss = 0,53(8 mA) = 4,24 mA
com VasQ = -0,26IVpl = -0,26(6 V)= -1,56 V
6.13 ANÁLISE POR COMPUTADOR
A análise por computador de uma configuração JFET com divisor
de tensão é feita utilizando-se o BASIC e o PSpice. A aborda-
gem com PSpice será bem semelhante à empregada para a con-
figuração com TBJ do Cap. 4. A utilização do BASIC exigirá um
desenvolvimento matemático que inclui a determinação de uma
solução para uma equação de segundo grau.
PSpice (Versão DOS)
A configuração de polarização com divisor de tensão da Fig. 6.61
é novamente mostrada na Fig. 6.62, com os nós e os parâmetros
do dispositivo definidos como no Cap. 5. Os parâmetros entram
no programa da maneira mostrada na Fig. 6.63, utilizando o
formato descrito no Cap. 5. A tensão V(l,4) é Vc5ii e a corrente
I(RD) é /Da. Observe que os resultados são bem próximos aos
encontrados no Exemplo 6.20, com I DQ (Exemplo 6.20) = 4,24
mA e IDQ (PSpice) = 4,23 mA, e VcsQ (Exemplo 6.20) = -1,56
V e Vcs/PSpice) = -1,57 V.
PSpice para Windows (Windows
Design Center Analysis)
O circuito da Fig. 6.62 terá o aspecto mostrado na Fig. 6.64 quan-
do a versão para Windows do PSpice for utilizada. O procedi-
[II 18 V
910k'1
VTO=Vp=-6 V
BETA= ~=0222 x 10-3A{V 2
IVpl2 1 V,,
ill
220k'1
Fig. 6.62 Circuito da Fig. 6.61, com os nós para análise com PSpice.
mento de montagem do circuito, com a inserção de VIEWPOINTS
(pontos de medida) e IPROBE, foi descrito nos capítulos anterio-
res, faltando apenas comentar como se manipula o dispositivo
JFET no programa. O JFET J2N3819 está contido na biblioteca
eval.slb da caixa de diálogo Get Part, cuja seleção pode ser fei-
Quando selecionado na biblioteca, Description aparecerá acima
da lista, dentro da caixa de diálogo, especificando-o por n-
channel jfet-depletion. Clicando-se OK, o símbolo do JFET
aparecerá na tela para introdução no circuito. Coloque o JFET
na posição desejada e clique no botão direito do mouse para fi-
nalizar a tarefa. Para ajustar VTO e BETA, basta clicar uma vez
(e somente uma) no símbolo do JFET e escolher Edit na barra
de menu. Seguindo a seqüência Edit - Model - Edit -
lnstance Model, Model Editor irá aparecer permitindo a defi-
nição de VTO em -6 V e BETA em 0,222E-3. Feito isto, ao
escolher OK estes valores serão registrados para a aplicação
corrente.
Neste exemplo, os VIEWPOINTS e IPROBE fornecerão
todas as informações que precisamos. Para iniciar a execução,
selecione Analysis seguido de Probe Setup e escolha Do Not
Auto-Run Probe. Depois, siga a seqüência OK-Analysis -
Simulation para produzir os resultados mostrados na Fig. 6.64.
A corrente de dreno resultante de 4,23 mA está perfeitamente
de acordo com o valor encontrado na solução em DOS, assim
como a tensão Vcs = V(l,4) = 3,5044 V - 5,076 V= -1,57 V.
BASIC
Se uma linguagem de programação for utilizada, tal como o
BASIC, será necessária uma solução comum para as equações
definidas pelo circuito e pelo dispositivo. Para o circuito da Fig.
6.65a, assumimos que o dispositivo é descrito pela equação de
Shockley (6.65b):
Vas) 2
lv = lvss ( 1 - Vp (6.37)
enquanto o circuito é definido por (Fig. 6.64b)
(6.38)
Vos= Va - lvRs
R2Vvv
com VO = (6.39)
R1 +R2
Se inserirmos a equação para /D [Eq. (6.37)] na Eq. (6.38),
obtemos
2
Vos= Va - lvssRs ( 1 - Vos)
Vp
que, quando expandida, resulta na equação do segundo grau
lvssRs i ( 2lvssRs)
--i-Vos + 1 - Vos+ (lvssRs - Vo) = O
Vp
'-.-'
a b e
As soluções para equações deste tipo são determinadas por
-b ± Yb2 - 4ac
Vos = - - - - - - -
1.2 2a
com a solução verdadeira sendo aquela que apresenta para VGs
um valor entre Oe Vp. O programa irá, obviamente, testar o va-
 Polarização do FET 205

Fig. 6.63 Análise com PSpice da configuração JFET da Fig. 6.61.

4.230E-03 lorde b2 - 4ac, indicando que não há solução para o caso

de um valor negativo. As tensões de dreno e fonte são, portan-
voo+ to,

18V i R1
910k
3.5
2.2k
8.6929 V0 = V00 -10 R0
(6.40)
Vs = IoRs (6.41)
5.0766
e Vos= V0 - Vs (6.42)
R2 Um resumo das variáveis e equações utilizadas na sub-rotina
220k 11000 é apresentado nos Quadros 6.2 e 6.3. O programa listado
e sua execução (com as mesmas variáveis empregadas na análi-
se com PSpice) aparece na Fig. 6.66. Observe novamente que os
Fig. 6.64 Representação esquemática do circuito da Fig. 6.62. resultados são bem próximos.

+Voo

(a) {b)

Fig. 6.65 Configuração com divisor de tensão analisada utilizando BASIC.

206 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

QUADRO 6.2 Equações e Expressões do Programa para a QUADRO 6.3 Equações e Variáveis do Programa para a
Sub-rotina 11000 Sub-rotina 11000

Equação Expressões do Programa Variável da Equação Variável do Programa

R,
V =----V GG = (R2/(Rl + R2)) * DD Va VG
G R1 + R2 DD
Vs vs
Vs = lvRs VS = ID*RS VD VD
Vas=Va-Vs GS = VG-VS VG GG
VDD DD
lv = loss ( l - Vp
Vasr 1D = SS * (l - GSNP) t 2 Vas GS
Vos DS
A = lns..ft.s Vp VP
A = SS * RSNP t 2
vt, /D 1D
loss ss
B = l _ 2fvssRs B = 1 - 2 * SS * RSNP R1 Rl
Vp R2
R2
C = lnssRs - Va C=SS*RS-GG Rs RS
D =B 2 - 4AC D=Bt2-4*A*C RD RD

-B+VD
V1= Vl = (- B + SQR(D))/(2 * A)
2A
-B-VD
V2 = V2 = (- B - SQR(D))/(2 * A)
2A
Vv = Vvo - lnRv VD = DD - 1D * RD
Vs = lvRs VS = 1D *RS
Vns = Vn - Vs DS =VD-VS

Fig. 6.66 Programa em BASIC para a análise do circuito da Fig. 6.64.

 Polarização do FET 207

Fig. 6.66 (Continuação.)

2. Para a configuração com polarização fixa da Fig. 6.68, determine:

PROBLEMAS (a) ! 00 e V0 s0 utilizando uma análise puramente matemática.
(b) Repita a letra (a) utilizando uma análise gráfica e compare os
§ 6.2 Configuração com Polarização Fixa resultados
(c) Ache Vos, V0 , V0 e v\ utilizando os resultados da letra (a).
1. Para a configuração com polarização fixa da Fig. 6.67:
(a) Esboce a curva de transferência do dispositivo. 16 V
(b) Superponha a equação do circuito no mesmo gráfco.
(c) Determine !De e V0 s0 •
(d) Utilizando a equação de Shockley, solucione para ! 00 e de
pois ache Vaso· Compare com as soluções da letra (c).

12 V

IMn
Fig. 6.68 Problema 2 .

. r,sv"J 3. Dado o valor de VD na Fig. 6.69, determine:

(a) /D.
(b) VDS.
Fig. 6.67 Problemas 1, 35, 38, 41. (c) V00•
208 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

14V
§ 6.3 Configuração com Autopolarização

6. Para a configuração com autopolarização da Fig. 6. 72:

(a) Esboce a curva de transferência para o dispositivo.
(b) Superponha a equação do circuito no mesmo gráfico.
(c) Determine I Da e VaSa.
(d) Determine VDs• VD, Va e V~.

18 V

lMQ

Fig. 6.69 Problema 3.

4. Determine V0 para a configuração com polarização fixa da Fig.

6.70.

20V

Fig. 6.72 Problemas 6, 7, 36, 39, 42.

*7. Determine I o,, para o circuito da Fig. 6. 72, utilizando somente um

cálculo matemático. Ou seja, estabeleça uma equação do segundo
grau para /D e escolha a solução compatível com as características
do circuito. Compare com a solução obtida no Problema 6.
8. Para o circuito da Fig. 6.73, determine:
(a) Vasa e /Da·
IMQ
(b) Determine VDs• VD, Va e V5•

12V

Fig. 6. 70 Problema 4.

5. Determine VD para a configuração com polarização fixa da Fig.

6.71.

18 V

Fig. 6.73 Problema 8.

9. Dada a leitura V5 = 1,7 V para o circuito da Fig. 6.74, determine:

(a) !Da·
2MQ
(b) Vasa·
(c) IDss·
(d) VD.
(e) VDS.
*10. Para o circuito da Fig. 6.75 determine:
(a) /D.
Fig. 6.71 Problema 5. (b) VDS·
 Polarização do FET 209

18 V

910k0

Vao------;
+

IIOkO
Vs=l,7V
lMQ

Fig. 6.77 Problemas 12, 13, 43.

Fig. 6.74 Problema 9. 13. (a) Repita o Problema 12 com R 5 = 0,51 kO (aproximadamente
50% do valor de 12). Qual é o efeito de um R5 menor sobre
lo. e VGsa?
(b) Qualé o valor mínimo possível deR5 paraocircuitodaFig. 6.77?
14. Para o circuito da Fig. 6.78, V0 = 9 V. Determine:
(a) 10 •
(b) V8 , V08 •
20V
(c) VG.
(d) Vp.

18 V

+10

+
Vos 750k0
V0 =9V
+
VG
Vos
+

91 kO

Fig. 6.75 Problema 10.

*11. Determine V8 para o circuito da Fig. 6. 76. Fig. 6.78 Problema 14.

*15. Para o circuito da Fig. 6.79, determine:

(a) lo. e VGsQ·
(b) V08 e V5•
14V
16V

0,39k'1

Fig. 6.76 Problema 11.

§ 6.4 Polarização por Divisor de Tensão +

12. Para o circuito da Fig. 6.77, determine: "=".
(a) VG.
(b) 10 Q e VGsQ·
(c) VGsQ·
(d) V0 e V5 • -4 V Fig. 6.79 Problemas 15, 37, 40.
210 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

*16. Dado VDs = 4 V para o circuito da Fig. 6.80, determine: § 6.6 MOSFET Tipo Intensificação
(a) ]D.
(b) VD e Vs. 19. Para o circuito da Fig. 6.83 determine:
(c) Vcs· (a) IDQ
12 V (b) Vcs0 e Vesa.
(c) VD e Vs.
(d) VDS·

22V

+
lMQ

-3V Fig. 6.80 Problema 16.

§ 6.5 MOSFET Tipo Depleção Fig. 6.83 Problema 19.

17. Para a configuração de autopolarização da Fig. 6.81, determine:
(a) I Dr, e Vcsu· 20. Para a configuração com divisor de tensão da Fig. 6.84, determi-
(b) V0 se Vn. ne:
(a) !Do e Vcso·
14V (b) VD e Vs.

24 V

IOM!:l

6,8Míl
Fig. 6.81 Problema 17.

*18. Para o circuito da Fig. 6.82, determine:

Fig. 6.84 Problema 20.
(a) IDQ e VcsQ·
(b) VDs e Vs.
§ 6.8 Circuitos Combinados
18V

*21. Para o circuito da Fig. 6.85, determine:

(a) Vc.
(b) Vcs0 e IDQ·
(C) ]E•
(d) 18 •
(e) VD.
(f) Vc.
*22. Para o circuito combinado da Fig. 6.86, determine:
(a) V8 , Vc,
(b) VE.
(e) IE, lc, ID.
(d) 18 •
(e) Vc, Vs, VD.
(f) VCE.
-4Y Fig. 6.82 Problema 18. (f) VDS'
 Polarização do FET 211

25. Projeteumcircuitocomooque aparecenaFig. 6.39, usandoumMOSFEf

tipo depleção com Vas(Th) = 4 V, k = 0,5 X 10- 3 AJV2 para um
ponto Q em l Do = 6 mA. Use uma fonte de 16 V e valores comerciais.

§ 6.10 Verificação de Defeitos

9lk'1 *26. Nas configurações da Fig. 6.87, o que cada leitura sugere sobre a
operação do circuito?

12 V

18k'1

4V
lMQ

T T

Fig. 6.85 Problema ::?. l. T T

(a)
16 V

12 V

40k0
Vo

VB,VG

OV
lMQ

10 kO
T T

(b)

12 V

Fig. 6.86 Problema 22.

§ 6.9 Projeto

*23. Projete um circuito de autopolarização, usando um JFET com I Dss +

= 8 mA e Vp = -6 V, para conseguir um ponto Q em /Da = 4 12V 1 Mil
mA com uma fonte de 14 V. Assuma que RD = 3Rs, e use valores
comerciais.
*24. Projete um circuito de polarização por divisor de tensão utilizando
um MOSFET tipo depleção, com IDss = 10 mA e Vp = -4 V de
forma que o ponto Q se situa em I Da = 2,5 mA para uma fonte de (e)
24 V. Além disso, faça Va = 4 V e use RD = 2,5Rs com R 1 = 22
MO. Utilize valores comerciais-padrão. Fig. 6.87 Problema 26.
212 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

*27. Embora as leituras da Fig. 6.88 sugiram à primeira vista que o cir- 30. Para o circuito da Fig. 6.91, determine:
cuito está se comportando adequadamente, determine a possível (a) 100 e Vasa·
causa para o estado indesejável em que o circuito se encontra. (b) Vvs·
(c) V0 .
20V

-16 V

330kQ

75 kQ

Fig. 6.88 Problema 27.

*28. O circuito da Fig. 6.89 não está operando corretamente. Qual é a Fig. 6.91 Problema 30.
causa específica para o mau funcionamento?

20V § 6.12 Curva Universal de Polarização para o JFET

31. Repita o Problema 1, utilizando a curva universal de polarização

doJFET.
32. Repita o Problema 6, utilizando a curva universal de polarização
330kQ
1414 V doJFET.
33. Repita o Problema 12, utilizando a curva universal de polarização
doJFET.
34. Repita o Problema 15, utilizando a curva universal de polarização
doJFET.

75kQ
§ 6.13 Análise por Computador

35. Utilize o PSpice (DOS) para a análise do circuito do Problema 1.

Determine I Da e Vasa.
36. Utilize o PSpice (DOS) para a análise do circuito do Problema 6.
Fig. 6.89 Problema 28. Determine I Da e Va5a.
37. Utilize o PSpice (DOS) para a análise do circuito do Problema 15.
§ 6.11 FET de Canalp Determine I 00 , Vasa e Vas0 •
38. Utilize o PSpice (Windows) para a análise do circuito do Proble-
29. Para o circuito da Fig. 6.90, determine: ma 1.
(a) I v,, e Vas.· 39. Utilize o PSpice (Windows) para a análise do circuito do Proble-
(b) Vvs· ma 6.
(e) V0 • 40. Utilize o PSpice (Windows) para a análise do circuito do Proble-
-18V ma 15.
41. Com um programa em BASIC, determine ln,, e Vasa para o cir-
cuito do Problema 1.
42. Com um programa em BASIC, determine I v,, e Va5r, para o cir-
cuito do Problema 6.
43. Com um programa em BASIC, determine I Da• Vasa e Vvsa para o
circuito do Problema 12.

lMQ

Fig. 6.90 Problema 29. *Observação: Os asteriscos indicam problemas mais difíceis.
 CAPÍTULO

Modelagem do
Transistor TBJ

7.1 INTRODUÇÃO maior. De fato, a eficiência de conversão é definida por TJ = Po(ac/

A construção básica, o aspecto e as características do transistor
foram introduzidos no Cap. 3. A polarização de do dispositivo
foi examinada em detalhes no Cap. 4. Nós, agora, começaremos
a examinar a resposta ac do amplificador TBJ para pequenos si-
nais, revendo os modelos mais usados para representar o transis-
tor no domínio ac senoidal.
Uma das primeiras abordagens na análise ac senoidal dos cir-
cuitos a transistor é a amplitude do sinal de entrada. Isto deter-
minará se a técnica de pequenos sinais ou a de grandes sinais
será aplicada. Não há nenhuma linha divisória entre as duas,
porém a aplicação e a amplitude das variáveis de interesse rela-
tivo às escalas das curvas características do dispositivo geralmen-
te tomam muito claro qual método é o mais apropriado. A técni-
ca de pequenos sinais é introduzida neste capítulo, e aplicações
de grande sinal são examinadas no Cap. 16.
Há dois modelos mais usados na análise ac para pequenos
sinais: o modelo r, e o modelo híbrido equivalente. Este capítulo
não só introduz ambos os modelos, mas define o papel de cada
um e seus inter-relacionamentos.
Pi<&>• onde Po<•c> é a potência ac na carga e P;c&> é a potência de
fornecida.
Talvez o papel da fonte de possa ser mais bem descrito consi-
derando primeiro o circuito de simples da Fig. 7 .1. A direção re-
sultante do fluxo de corrente é indicada na figura com o traçado
da corrente i versus tempo. Vamos, agora, inserir um mecanis-
mo de controle, como o mostrado na Fig. 7 .2. O mecanismo de
controle atua de forma que a aplicação de um sinal relativamen-
te pequeno nesse mecanismo pode resultar numa oscilação mui-
to grande no circuito de saída. Para o sistema da Fig. 7 .2, o valor
de pico da oscilação é controlado pelo nível de estabelecido.
Qualquer tentativa de exceder esse limite de resultará em um
"corte" da região de pico do sinal de saída. Em resumo, portan-
to, um projeto adequado de um amplificador requer que as com-
ponentes de e ac sejam sensíveis às limitações e solicitações de
ambas.
Entretanto, é realmente de grande valia que amplificadores
a transistor para pequenos sinais possam ser considerados
lineares para muitas aplicações, pennitindo o uso do teore-
ma da superposição para isolar a análise de da análise ac.

7.2 AMPLIFICAÇÃO NO DOMÍNIO AC

Foi demonstrado no Cap. 3 que o transistor pode ser empregado
R ., I
como um dispositivo amplificador. Isto é, o sinal de saída senoidal E
é maior que o sinal de entrada, ou, dito de outra forma, a potên-
cia ac de saída é maior que a potência ac de entrada. A questão
reside, então, em como a potência ac de saída pode ser maior que
a potência ac de entrada? A conservação de energia estabelece
que em qualquer instante a potência total de saída, P0 , de um sis-
tema não pode ser maior que uma potência de entrada, P;, e que
a eficiência definida por TJ = P/P; não pode ser maior que 1. O
fator esquecido na discussão acima, que permite uma potência
ac de saída ser maior que a potência ac de entrada, é a potência
de aplicada. Ela é uma contribuinte para a potência total de saí-
da, embora parte dela seja dissipada pelo circuito em elementos o
resistivos. Em outras palavras, há uma "troca" de potência de para
o domínio ac que permite estabelecer uma potência ac de saída Fig. 7.1 Corrente estacionária estabelecida por urna fonte de.
214 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
o
Fig. 7.2 Efeito de um elemento de controle no fluxo em estado estacionário do
sistema elétrico da Fig. 7.1.
7.3 MODELAGEM DO TRANSISTOR
TBJ
A base para a análise do transistor em pequenos sinais é o uso de
circuitos equivalentes (modelos) a serem introduzidos neste ca-
pítulo.
Um modelo é a combinação de elementos de circuito,
apropriadamente escolhidos, que aproximam melhor o
funcionamento real de um dispositivo semicondutor sob
condições de operação específicas.
Uma vez determinado o circuito ac equivalente, o símbolo
gráfico do dispositivo pode ser substituído, no desenho
esquemático, por este circuito, e os métodos básicos de análise
ac de circuito (análise de malha, análise nodal e teorema de
Thévenin) podem ser aplicados para determinar a resposta do
circuito.
Há duas escolas de pensamento em evidência hoje, conside-
rando o circuito equivalente substituto para o transistor. Por
muitos anos, as instituições industriais e educacionais confiaram
profundamente nos partimetros híbridos (a serem introduzidos
brevemente). O circuito equivalente na forma de parâmetros hí-
bridos continua sendo muito popular embora deva dividir, ago-
ra, sua fama com o circuito equivalente derivado diretamente das
condições de operação do transistor - o modelo r,. Fabricantes
continuam especificando os parâmetros lnbridos para uma região
particular de operação nas suas folhas de especificações. Os pa-
râmetros (ou componentes) do modelo r, podem ser derivados
diretamente dos parâmetros híbridos nesta região. Entretanto, com
relação à precisão o circuito híbrido equivalente sofre limitações
para um conjunto particular de condições de operação se é para
ser mais preciso. Os parâmetros do outro circuito equivalente
podem ser determinados para qualquer região de operação den-
tro da região ativa e não são limitados por um simples conjunto
de parâmetros fornecidos pela folha de especificações. Entretanto,
o modelo r, falha na justificação do nível da impedância de saí-
da do dispositivo e nos efeitos de realimentação da saída para a
entrada.
Como ambos os modelos são amplamente utilizados hoje em
dia, eles são examinados em detalhes neste texto. Em algumas
Vcc
R1
R,
+
rc, +
V;
R2
B
.
Fig. 7.3 Circuito com transistor sob exame nesta discussão introdutória.
análises e exemplos o modelo híbrido será usado, enquanto em
outras somente o modelo r, será usado. Este capítulo fará todo o
esforço para mostrar o quanto os dois modelos estão intimamen-
te relacionados e como os resultados obtidos com um podem ser
aplicados ao outro modelo.
A fim de demonstrar os efeitos que o circuito ac equivalente
produzirá na análise a seguir, considere o circuito da Fig. 7.3. Va-
mos assumir por enquanto que o circuito equivalente ac para pe-
quenos sinais do transistor já foi determinado. Como estamos inte-
ressados na resposta ac do circuito, todas as fontes de podem ser
substituídas por um potencial nulo equivalente (curto-circuito) uma
vez que eles determinam somente a componente de (nível
quiescente) da tensão de saída, e não a amplitude da oscilação ac
de saída. Isto é claramente demonstrado na Fig. 7.4. Os níveis de
foram importantes somente para determinar o ponto-Q de opera-
ção apropriado. Uma vez determinado, os níveis de podem ser ig-
norados na análise ac do circuito. Além disso, os capacitares de
acoplamento C1 e C2 e o capacitar de passagem C3 foram escolhi-
dos para apresentar uma reatância muito pequena nas freqüências
de aplicação. Portanto, eles podem, para os devidos fins, ser subs-
tituídos por um caminho de baixa resistência ou um curto-circuito.
Ri
+
B
+
E
V; R2
"'.,
.
Fig. 7.4 O circuito da Fig. 7.3 após a remoção da fonte de e a inserção do curto-
circuito equivalente para os capacitores.
 Modelagem do Transistor TBJ 215

I; lo
~ ..-
+ -to--
B e +
Z;

t
V; Vº
R1 li R 2 ..- Rc
Vs zº

-l- -=- -=- J.

Fig. 7.5 Circuito da Fig. 7.4 redesenhado para análise ac de pequenos sinais.

Note que isto acarretará um "curto-circuito" do resistor de pola-
rização RE. Lembrando que capacitores são "circuitos-abertos"
sob condições de estado estacionário de, isto permite uma sepa-
ração entre estágios para os níveis de e condições quiescentes.
Se estabelecermos um terra comum e rearranjarmos os ele-
mentos da Fig. 7.4, R 1 e R2 ficarão em paralelo, e Rc aparecerá
entre o coletor e o emissor conforme mostrado na Fig. 7 .5. Já que
os componentes do circuito equivalente do transistor da Fig. 7 .5
constituem-se de resistores e fontes controladas de tensão, téc-
nicas de análise como superposição, teorema de Thévenin, e as-
sim por diante, podem ser aplicadas para determinar as quanti-
dades desejadas.
V amos em seguida examinar a Fig. 7 .5 e identificar as quan-
tidades importantes a serem determinadas para o sistema. Como
sabemos que o transistor é um dispositivo amplificador, imagi-
namos esperar alguma indicação de como a tensão de saída V0
está relacionada à tensão de entrada V;- o ganho de tensão. Note,
na Fig. 7.5, que para esta configuração I; = Ib e I0 = Ic, o qual
define o ganho de corrente A;= I/I;. A impedância de entradaZ;
e a impedância de saída Z 0 mostrar-se-ão particularmente impor-
tantes na análise a seguir. Muito mais será dito sobre esses parâ-
metros nas seções seguintes.
Em resumo, o equivalente ac de um circuito é obtido por:
1. Fixando todas as fontes de tensão de em zero e substituin-
do-as por um curto-circuito equivalente.
2. Substituindo todos os capacitares por um curto-circuito
equivalente.
3. Removendo todos os elementos em paralelo com os cur-
tos-circuitos equivalentes introduzidos nos passos 1 e 2.
4. Redesenhando o circuito numa forma mais conveniente e
lógica.
Nas seções seguintes os circuitos híbridos equivalentes e o
circuito r. equivalente serão introduzidos para completar a aná-
lise ac do circuito da Fig. 7.5.
querda para a direita. Para ambos os conjuntos de terminais, a
impedância entre cada par de terminais sob condições de opera-
ções normais é muito importante.
Impedância de Entrada, Zi
Para a seção de entrada, a impedância de entrada Z; é definida
pela lei de Ohm como se segue:
(7.1)
Se o sinal de entrada V; for variado, a corrente I; pode ser cal-
culada usando o mesmo nível de impedância de entrada. Em
outras palavras:
Para a análise de pequenos sinais, uma vez determinada
a impedância de entrada, o mesmo valor pode ser usado
para níveis variados do sinal de entrada.
Na verdade, veremos nas seções a seguir que a impedância
de entrada de um transistor pode ser determinada, aproximada-
mente, através das condições de polarização - condições que
não mudam simplesmente porque a amplitude do sinal ac apli-
cado variou.
É útil ressaltar que para freqüências na faixa média e baixa
(tipicamente :5 100 kHz):
A impedância de entrada de um amplificador a transistor
TBJ é puramente resistiva, depende do modo como o tran-
sistor é empregado, e pode variar de poucos ohms até
megaohms.
Além disso:
Um ohmímetro não pode ser usado para medir a impedân-
cia de entrada ac para pequenos sinais, já que o ohmímetro
opera no modo de.

7.4 PARÂMETROS IMPORTANTES: I; /()

Zi, Zo, Av, Aí -to-- ..-
+ +
Antes da investigação dos circuitos equivalentes para TBJs em
detalhes, vamos nos concentrar naqueles parâmetros de um sis-
tema de duas portas que são mais importantes do ponto de vista
V; ~
Z;
.._
z"
~.
da análise e projeto. Para o sistema de duas portas (dois pares de
terminais) da Fig. 7.6, a seção de entrada (a seção na qual o sinal
é geralmente aplicado) é a da esquerda e a seção de saída (onde
a carga é conectada) é o lado direito. De fato, para muitos siste-
mas elétricos e eletrônicos o fluxo geral é, normalmente, da es- Fig. 7.6 Sistema de duas portas.
216 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

A equação (7 .1) é particularmente útil porque ela fornece um
método de medir a resistência de entrada no domínio ac. Por
exemplo, na Fig. 7. 7, um resistor sensor foi adicionado à seção
de entrada para permitir a determinação de /j usando a lei de Ohm.
Um osciloscópio ou multímetro digital (DMM) pode ser usado
para medir a tensão V, e V;. Ambas as tensões podem ser pico-a-
pico, pico, ou valores rms, desde que ambos os níveis usem a
mesma unidade-padrão. A impedância de entrada é então deter-
minada da seguinte maneira:
ficativo no nível do sinal que entra no sistema (ou amplificador).
Nas seções e capítulos a seguir será demonstrado que a resistên-
cia de entrada ac depende de o transistor estar na configuração
base-comum, emissor-comum ou coletor-comum e da disposi-
ção dos elementos resistivos.
EXEMPLO 7.1
Para o circuito da Fig. 7.9, determine o valor da impedância de
entrada.

(7.2)

(7.3)

Fig. 7.9 Exemplo 7.1.

Solução
v. -
/i=---
V; 2 mV - 1,2 mV 0,8 mV
Rsensor
1 kfi = -1-kO-= 0, 8 µA
Fig. 7.7 Determinação de Z;.
e

A importância da impedância de entrada de um sistema pode z. = V; = 1, 2 mV = 1,5 kO

ser mais bem demonstrada através do circuito da Fig. 7 .8. A fon-
te de sinal tem uma resistência interna de 6000, e o circuito (pos-
sivelmente um amplificador a transistor) tem uma resistência de
entrada de l,2k0. Se a fonte for ideal (R, = 00), os 10mV com-
pletos serão aplicados ao sistema, porém com uma impedância
da fonte, a tensão de entrada deve ser determinada usando-se a
regra do divisor de tensão como segue:
ZiVs (1,2 kO)(lO mV)
V;= = = 6,67 mV
Z; + Rfonte 1,2 kO + 0,6 kO
Portanto, somente 66, 7% do total do sinal de entrada estão
disponíveis na entrada. Se Zi fosse somente de 6000, então
V;= tOOmV) = 5mV ou 50% do sinal disponível. Obviamen-
te, se Z; = 8,2 kfi, V; seria de 93,2% do sinal aplicado. O nível
de impedância de entrada pode, portanto, ter um impacto signi-
1
l; 0,8 µA
Impedância de Saída, Z0
A impedância de saída é naturalmente definida no conjunto dos
terminais de saída, mas a maneira pela qual é definida é muito
diferente daquela da impedância de entrada. Isto é:
A impedância de saída é determinada nos terminais de
saída olhando-se para dentro do sistema e com o sinal
aplicado fu:ado em zero.
Na Fig. 7 .10, por exemplo, o sinal aplicado foi fixado em zero
volt. Para determinar Z0 , um sinal V, é aplicado aos terminais de
saída e o nível de V0 é medido com um osciloscópio ou DMM
sensível. A impedância de saída é então determinada da seguin-
te maneira:

(7.4)
-+-
Z; = 1,2 kQ e

(7.5)

Em particular, para freqüências baixas e médias (tipicamente

:5 100 kHz):
A impedância de saída de um amplificador a transistor TBJ
Fig. 7.8 Demonstrando o impacto de Z; sobre a resposta de um amplificador. é naturalmente resistiva, e dependendo da configuração e
 Modelagem do Transistor TBJ 217

V ., =OV V

Fig. 7.10 Determinação de Z0 •

da disposição dos elementos resistivos, Z0 pode variar de

poucos ohms até valores que podem exceder 2 Mil. e Z = V = 680 mV = 42 S kfi
0
0
/ 0 16 µA '
Além disso:
Um ohmímetro não pode ser usado para medir a impedância
de saída ac para pequenos sinais, já que o ohmímetro opera Ganho de Tensão, Av
nomododc.
Para configurações de amplificadores onde um ganho signi- Uma das mais importantes características de um amplificador é
ficativo de corrente é desejado, o nível de Z0 deve ser tão grande o ganho de tensão ac para pequenos sinais, determinado por
quanto possível. Como demonstrado pela Fig. 7 .11, se Z0 ~ RL, a
maior parte da corrente de saída do amplificador passará pela
carga. Será demonstrado nas seções e capítulos a seguir que Z0 é (7.6)
geralmente muito grande comparado aR" o que toma possível a
sua substituição por um circuito-aberto equivalente. Para o sistema da Fig. 7.13, uma carga não foi conectada aos
terminais de saída, e o nível do ganho determinado pela Eq. (7 .6)
refere-se a um ganho de tensão sem carga. Isto é,

(7.7)

+
Fig. 7.11 Efoito de Z,, = R., na carga ou na corrente de saída(.
vs l{,

EXEMPLO 7.2
Para o circuito da Fig. 7 .12, determine o valor da impedância de
saída. Fig. 7.13 Determinação do ganho de tensão sem carga.

Solução No Cap. 9 será demonstrado que:

V-V 1 V - 680 mV 320 mV = 16 µA Para amplificadores a transistor, o ganho de tensão sem
I = º carga acoplada é maior que o ganho de tensão com car-
0
Rsensor 20 kfi 20 kfi
ga.
Para o sistema de Fig. 7 .13, tendo uma resistência de fonte
R,, o nível V; teria que ser determinado primeiro usando a re-
gra do divisor de tensão antes do ganho V/V, ser calculado.
Isto é,
z,,
\.';, =680 mV V= 1 V

com

Fig. 7.12 Exemplo 7.2.

218 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

e (7.9)

Embora na maioria das vezes o ganho de tensão seja o item de

portanto (7.8)
menor interesse, é todavia um parâmetro importante que pode
ter um impacto significativo na eficiência global do projeto. Em
Experimentalmente, o ganho de tensão Av, ou ~ pode ser geral:
determinado simplesmente medindo os níveis de tensão apropria-
dos com um osciloscópio ou DMM sensível e substituindo den- Para amplificadores TBJ, o ganho de corrente varia tipi-
tro das equações apropriadas. camente entre pouco menos de 1 até um nível que pode ser
maior que 100.
Dependendo da configuração, o valor do ganho de tensão
para um amplificador a transistor de estágio simples com
Para a situação da carga da Fig. 7.15,
carga varia, tipicamente, de pouco mais de 1 até algumas
centenas. Um sistema multiestágio (várias unidades), en- V,
tretanto, pode ter um ganho de tensão em torno de milha- /·=-' e
' Z;
res de vezes.
com

EXEMPLO 7.3 A j_-/-

0 _ V JRL _ V0 Z;
----- ---
Para o amplificador TBJ da Fig. 7 .14, determine: 1; V;IZ; V;R,L
(a) V;,
(b) l;,
(c) Z;, (7.10)
(d) A,,. e

V, =40mV V0 =7,68 V

Fig. 7.14 Exemplo 7.3.

Solução A Eq. (7.10) permite a determinação do ganho de corrente em

Vo função do ganho de tensão e dos níveis de impedância.
(a) AvNL =V e
1

Relações de Fase
(b) r = Vs - V; = 40 m V - 24 m V = 13 33 A
' Rs 1,2 kfl ' µ, As relações de fase entre os sinais de entrada e saída senoidais
são importantes por várias razões. Felizmente, todavia:
) Z _ V;_ 24 mV _ O
(c ;- l; -
l3, 33 µA - 1,8 k

(d)A-
v, - z, Z;
1
+R S
A
VNL __.,
l;
,...,_
lo

1,8 kfi +
= l,8 kfi + 1,2 kfl <32º) = 192 +
V; ~ RL Vo
Z;

Ganho de Corrente, Ai
O último parâmetro a ser discutido é o ganho de corrente defini-
do por Fig. 7.15 Determinação do ganho de corrente com carga,

Para um amplificador a transistor típico, em freqüências
que permitem ignorar os efeitos dos elementos reativos, os
sinais de entrada e saída estão defasados de 180º.
As razões para isso tomar-se-ão claras nos capítulos seguintes.
Sumário
Os parâmetros de importância fundamental para um amplifica-
dor já foram introduzidos: a impedância de entrada Z;, a impe-
dância de saída Z 0 , o ganho de tensão A., o ganho de corrente A;,
e as relações de fase. Outros fatores, como a freqüência aplicada
entre os. limites inferior e superior do espectro de freqüência,
afetarão alguns desses parâmetros, mas isso será discutido no Cap.
11. Nas seções e capítulos seguintes, todos os parâmetros serão
determinados para uma grande quantidade de circuitos de tran-
sistor a fim de permitir uma comparação das vantagens e des-
vantagens de cada configuração.
7 .5 MODELO re DO TRANSISTOR
O modelo r, emprega um diodo e uma fonte controlada de cor-
rente para duplicar o funcionamento do transistor na região de
interesse. Lembre que a fonte de corrente controlada por corren-
te é aquela onde seus parâmetros são controlados por uma cor-
rente de outro ramo do circuito. De fato: em geral:
Amplificadores a transistor TBJ são classificados como
dispositivos controlados por corrente.
Configuração Base-Comum
Na Fig. 7.16a um transistor pnp em base-comum foi colocado
dentro de uma estrutura de duas-portas empregada em nossa dis-
cussão das últimas seções. Na Fig. 7 .16b o modelo r, do transis-
E
.....
lc
----oc
Bo---- ----<>B
(a)
e ----oc
bo---- '----ob
(b)
Fig. 7.16 (a) Transistor TBJ em base-comum; (b) modelo r, para a configura-
ção da Fig. 7.16a.
Modelagem do Transistor TBJ 219
tor foi colocado entre os mesmos quatro terminais. Como foi
notado na Seção 7.3, o modelo (circuito equivalente) foi esco-
lhido de tal forma que representa uma aproximação do funcio-
namento do dispositivo que ele está substituindo na região ope-
racional de interesse. Em outras palavras, o resultado obtido com
o modelo em questão estará relativamente próximo daquele ob-
tido com o transistor real. Você deve lembrar do Cap. 3 que uma
junção de um transistor em operação ativa é polarizada direta-
mente enquanto a outra, reversamente. A junção polarizada di-
retamente funcionará tal como um diodo (ignorando os efeitos
provocados por Ycc) como se verifica nas curvas da Fig. 3. 7. Para
a junção base-emissor do transistor da Fig. 7.16a, o diodo equi-
valente da Fig. 7. l 6b entre os mesmos dois terminais parece muito
apropriado. Pelo lado da saída, relembre que as curvas horizon-
tais da Fig. 3.8 mostram que ( =l 1. (tirado de ( = ai,) para a
faixa de valores de Vcc· A fonte de corrente da Fig. 7.16b estabe-
lece o fato que lc = ai, com a corrente controladora 1. aparecen-
do no lado da entrada do circuito equivalente conforme mostra a
Fig. 7.16a. Estabelecemos, portanto, uma equivalência nos ter-
minais de entrada e saída, com a fonte controlada por corrente,
fazendo uma ligação entre as duas - uma revisão inicial sugeri-
rá que o modelo da Fig. 7.16b é um modelo válido do dispositi-
vo real.
Lembrando do Cap. 1, a resistência ac de um diodo pode ser
determinada pela equação rac = 26 mV/ld, onde / 0 é a corrente
de através do diodo no ponto-Q (quiescente). Esta mesma equa-
ção pode ser usada para achar a resistência ac do diodo da Fig.
7 .16b se simplesmente substituirmos a corrente de emissor
como se segue:
(7.11)
O subscrito e de r, foi escolhido para enfatizar que é o nível
de da corrente de emissor que determina o nível ac da resis-
tência do diodo da Fig. 7.16b. Substituindo o valor resultante
der. na Fig. 7.16b resultará no modelo bastante útil da Fig.
7.17.
Devido ao isolamento que existe entre os circuitos da entrada
e saída da Fig. 7 .17, deve ser óbvio que a impedância de entrada
Z; para a configuração base-comum de um transistor é simples-
mente r,. Ou seja,
(7.12)
BC
Para a configuração base-comum, valores típicos de Z;
atingem a faixa de poucos ohms até um máximo de cerca
de 500.
e ---,oc
bo---- ----ob
l<'lg. 7.17 Circuito r, equivalente base-comum.
220 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

lc (mA)
Inclinação = - 1-
r0 l =4mA
4r,----~~--~~~~~--~-6 +

31b-~----~~----~~~~~- IE=3mA
V;__..
Z;

21b---~~--~~~----~----~ /6 =2mA

16 =1 mA
Fig. 7.19 Definição de A. = VjV1 para a configuração base-comum.

o
O ganho de tensão será agora determinado para o circuito da
Fig. 7.18 Definição de Z,,. Fig. 7.19.

e
Para a impedância de saída, se fixarmos o sinal em zero, en-
tão /, = OA e /e = ai. = a(OA) = OA, resultando num circuito
aberto equivalente para os terminais de saída. O resultado é que tal que
para o modelo da Fig. 7 .17,

(7.13) e (7.14)

De fato:
Para o ganho de corrente,
Para a configuração base-comum, valores t{picos de Z 0
estão na faixa de megaohms. A; = / 0 = - fc = _ ale
A resistência de saída da configuração base-comum é deter- I; Ie Ie
minada pela inclinação das retas das curvas características de
saída como mostrado na Fig. 7 .18. Assumindo que as linhas se- e (7.15)
jam perfeitamente horizontais (uma excelente aproximação) re-
sultaria na conclusão da Eq. (7 .13). Se medirmos Z 0 graficamen-
O fato de a polaridade da tensão V0 , quando determinada atra-
te com cuidado ou experimentalmente, níveis que vão tipicamente
vés da corrente /e, ser a mesma que foi definida pela Fig. 7 .19
de 1- a 2-MO serão obtidos.
(i.e., o lado negativo está no potencial terra) revela que V0 e V;
Em geral, para a configuração base-comum a impedtin- estão em fase para a configuração base-comum. Para um transis-
cia de entrada é relativamente pequena e a impedância de tor npn em configuração base-comum, a equivalência será vista
sa{da muito alta. como mostra a Fig. 7.20.

I, I,.
E o-+-
---- -+-
----<>C e e

Bo---- -----oB b o------, ----oh

Fig. 7.20 Modelo aproximado para a configuração de um transistor npn em base-comum.

 Modelagem do Transistor TBJ 221

figuração a corrente de base é a corrente de entrada, enquanto a

EXEMPLO 7.4
corrente de saída é ainda /e. Relembre do Cap. 3, que as correntes
Para a configurai;:ão base-comum da Fig. 7 .17, com IE = 4mA, a de base e coletor estão relacionados pela seguinte equação:
= 0,98, e um sinal ac de 2mV aplicado entre os terminais de base
e emissor: (7.16)
(a) Determine a impedância de entrada.
(b) Calcule o ganho de tensão se uma carga de 0,56k0 é A corrente através do diodo é, portanto, determinada por
conectada aos terminais de saída.
(c) Ache a impedância de saída e o ganho de corrente. le = lc + lb = /3h + lb
Solução e (7.17)

_ 26 mV _ 26 mV _ 6 5 0 Entretanto, como beta ac é geralmente muito maior que 1, usare-

(a) re - h - 4 mA - ' mos a seguinte aproximação para a análise de corrente:
V; 2mV
(b) J. = I = - = - - = 307 ,69 µA (7.18)
' e Z; 6,5 O
V0 = lc RL = aleRL = (0,98)(307,69 µA)(0,56 kO) A impedância de entrada é determinada pela seguinte relação:
= 168,86 mV
z. = V;= Vbe
A = V0 = 168,86 mV = 8443 I;1
h
e v 2 mV
V; '
A tensão Vbe é aquela medida através do diodo como mostra a
oudeEq. (7.14), Fig. 7 .22. O nível de r. é ainda determinado pela corrente I •.
= aRL = (0,98)(0,56 k0) = 84 43 Usando a lei de Ohm temos
A
V re 6,5 o ' V; = Vbe = fere == f3lbre
(c) Z 0 ==000 Substituindo, encontramos

A·= b_= -a= -0,98 conformedefinidonaEq.(7.15) z. = vbe == f3lh'e

l l; ' Ib Ib

e (7.19)
Configuração Emissor-Comum EC

Em essência, a Eq. (7 .19) afirma que a impedância de entrada

Para a configuração emissor-comum da Fig. 7 .21 a, os terminais de
entrada são a base e o emissor do transistor, mas, agora, os termi-
nais do coletor e emissor são a saída. Além disso, o terminal emis-
sor é agora comum para as portas de entrada e a saída do amplifica-
dor. Substituindo o circuito r. equivalente para o transistor npn,
resultará na configuração da Fig. 7.21b. Note que a fonte controla-
da de corrente está ainda conectada entre os terminais da base e
coletor, e o diodo, entre os terminais da base e emissor. Nesta con-
para uma situação tal como a mostrada na Fig. 7.23 é beta vezes
o valor de r•. Em outras palavras, um elemento resistivo no bra-
ço emissor é refletido para o circuito de entrada com um fator
multiplicativo /3. Por exemplo, se r, = 6,50 como no Exemplo
7.4 e f3 = 160 (bem típico), a impedância de entrada aumentou
para um nível de
Z; == f3re = (160)(6,5 0) = 1,04 kO

i----oc e

eo---- -----oe

(a) (b)

Fig. 7.21 (a) Transistor TBJ emissor-comum; (b) modelo aproximado para a configuração da Fig. 7.21a
222 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

:,___ _-o e

Ic (mA)
Inclinação = _1_
l;=lb 'i}i'-.......
10 40µA
b o-:,__..
:,__--,
+
8

6 20µA
e o----, ---.ne

Fig. 7.22 Determinação de Z; usando o modelo aproximado.

2
~------<>e [nclinação =__!_
,.º2
o 10 20

Fig. 7.24 Definição <ler,, para a configuração emissor-comum.

bO------.

eo---------+-----oe

.Fig. 7.23 Impacto <ler,. na impedância <le entrada.

Fig. 7.25 Inclusão de r0 rio circuito equivalente do transistor.

Para a configuração emissor-comum, valores típicos de Z;

definidos por {Jr, atingem uma faixa de poucas centenas
de ohms até kiloohm, com máximos de aproximadamente O sinal menos simplesmente reflete o fato de que a direção de 10
6- 7 kiloohms. na Fig. 7 .26 estabelecerá uma tensão V0 de polaridade oposta.
Continuando, temos
Para a impedância de saída, as características de interesse estão
nas curvas da Fig. 7 .24. Note que a inclinação das curvas aumenta Vo = -l0 RL = -lfiL = -{31,fll
com o aumento da corrente de coletor. Quanto maior a inclina- e V; = l:Z,; = lb{Jr,
ção, menor o nível da impedância de saída (Z O modelo r. da
0 ).

Fig. 7.21 não inclui uma impedância de saída, mas se estiver A _ Vo _ {3/bRL
onde v - Vi - - lbf3re
disponível por uma análise gráfica ou de data sheets ela pode ser
incluída, como mostra a Fig. 7.25.
Para a configuração emissor-comum, valores típicos de Z 0
e (7.21)
estão na faixa de 40 a 50 kfi.
Para o modelo da Fig. 7.25, se o sinal aplicado for zero, a
corrente lc é OA e a impedância de saída é

(7.20)
+
Obviamente, se a contribuição devida a r0 for ignorada como no
modelo r,, a impedância de saída é definida por Z0 = oo n.
O ganho de tensão para a configuração emissor-comum será
agora determinado para a configuração da Fig. 7.26 assumindo
que Z0 = oo n. O efeito de incluir r 0 será considerado no Cap. 8.
Para a direção definida de 10 e polaridade de V0 ,
.Fig. 7.26 Determinação <lo ganho de tensão e de corrente para o amplificador a
V0 = -l 0 RL transistor em emissor-comum.
 Modelagem do Transistor TBJ 223

O sinal de menos resultante para o ganho de tensão revela que as Configuração Coletor-Comum
tensões de entrada e saída estão defasadas de 180º.
O ganho de corrente para a configuração da Fig. 7 .26: Em vez de definir um novo modelo para a configuração coletor-
comum, aplica-se, normalmente, o modelo da Fig. 7.21 utiliza-
A- = lo = lc = /3h do para a configuração emissor-comum. Nos capítulos subse-
' ( h h qüentes, algumas configurações coletor-comum serão investiga-
das, e o efeito da utilização do mesmo modelo tomar-se-á muito
e (7.22)
claro.

Usando o fato de que a impedância de entrada é {3r., que a cor- 7.6 MODELO HÍBRIDO EQUIVALENTE
rente de coletor é {31b e que a impedância de saída é r0 , o modelo
equivalente da Fig. 7 .27 pode ser uma ferramenta eficaz na aná-
lise a seguir. Considerando valores típicos para os parâmetros, a Foi dito na Seção 7 .5 que o modelo r. para um transistor é sensí-
vel ao nível de de operação do amplificador. O resultado é uma
configuração emissor-comum pode ser considerada tendo um
nível moderado de impedância de entrada, um alto ganho de ten- resistência de entrada que varia com o ponto de de operação. Para
o modelo htôrido equivalente, descrito nesta seção, os parâme-
são e corrente, e uma impedância de saída que pode ser incluída
na análise do circuito. tros são definidos em um ponto de operação que pode ou não
refletir as condições reais de operação do amplificador. Isto é
devido ao fato de que as tabelas de especificações não podem
bo---- fornecer parâmetros para um circuito equivalente, qualquer que
seja o ponto de operação. Elas devem escolher condições de
operação que acreditam refletir as características gerais do dis-
positivo. Os parâmetros lnbridos, mostrados na Fig. 7.28, são
tirados da folha de especificações do transistor 2N4400 descrito
no Cap. 3. Os valores são fornecidos para uma corrente de cole-
eo--- ---oe tor de lmA e uma tensão coletor-emissor de lOV. Além disso,
uma faixa de valores é fornecida para cada parâmetro como um
guia para um projeto inicial ou análise de um sistema. Uma van-
Fig. 7.27 Modelo r, para a configuração do transistor em emissor-comum.
tagem óbvia da lista fornecida pela folha de especificações é o
conhecimento imediato de níveis típicos para os parâmetros do
dispositivo quando comparado com outros transistores.
EXEMPLO 7.5 As quantidades h;., h,., h1., e h 0 • da Fig.7.28 são chamadas de
Dado {3 = 120 e lE = 3,2 mA para uma configuração emissor- parâmetros htôridos, e são os componentes de um circuito equi-
comum COm T0 = GO fi, determine: valente para pequenos sinais a ser descrito sucintamente. Por
(a) Z;. anos, o modelo htôrido com todos os seus parâmetros foi o mo-
(b) A 1• delo escolhido pelas comunidades educacionais e industriais.
(e) Av se uma carga de 2 kll é aplicada. Atualmente, porém, o modelo r, é usado com mais freqüência,
mais comumente com o parâmetro h0 • do modelo híbrido equi-
Solução valente, para fornecer alguma medida da impedância de saída.
Já que as folhas de especificações fornecem os parâmetros hí-
(a) re = 26 1:v = : . ~ : = 8,125 O bridos e o modelo lnbrido continua a receber uma boa dose de
atenção, é muito importante que este modelo seja discutido com
e Z; = f3re = (120)(8,125 O) = 975 O detalhes neste livro. Feito isso, as similaridades entre os mode-
los r, e htôrido serão muito evidentes. Na verdade, uma vez de-
RL 2k0
(b) Eq. (7.21): Av = -7"; = - S, 125 O = -246,15 finidos os componentes de um modelo para um ponto de opera-
ção em particular, os parâmetros do outro modelo estarão imedi-
lo atamente disponíveis.
(e) A; = /. = {3 = 120 Nossa descrição do modelo lubrido equivalente será iniciada
t
com o sistema geral de duas portas da Fig. 7.29. O conjunto a

Mín Máx
Impedância de entrada
(/e = 1 mA de, Vc, = 10 V de, f = 1 kHz) 2N4400 h,, 0,5 7,5 kfi

Realimentação de tensão
Uc = 1 mA de, Vc, = 10 V dc,f= 1 kHz) h,. 0,1 8,0 x10-4

Ganho de corrente para pequenos sinais

Uc = 1 mA de, Vc, = 10 V dc,f = 1 kHz) 2N4400 h1, 20 250 -
Admitãncia de saída
Uc = 1 mA de, Vc, = 10 V dc,f = 1 kHz) ho, 1,0 30 1 µS

Fig. 7.28 Parâmetros híbridos para o transistor 2N4400.

224 Dispositivos Eletrônicos e Te oria de Circuitos
seguir de equações (7.23) constitui apenas um dos vários modos
pelos quais as quatro variáveis da Fig. 7 .29 podem ser relaciona-
das. É a mais usada em análise de circuitos a transistor, e portan-
to, será discutida em detalhes neste capítulo.
lo
-+-
}o----- -----02
+ +
v;,
1'0------, !-----02'
Fig. 7.29 Sistema de duas portas.
Os parâmetros relacionando as quatro variáveis são chama-
dos parârnetros h da palavra "híbrido". O termo "híbrido" foi
escolhido devido à mistura de variáveis (V e[) em cada equação,
resultando num conjunto "híbrido" de unidades de medida para
os parâmetros h. Um entendimento bem claro do que os parâme-
tros h representam e como nós podemos determinar suas ampli-
tudes pode ser feito isolando-se cada um e examinando-se as
relações obtidas.
Se arbitrariamente fizermos V0 = O(curto-circuito nos termi-
nais de saída), e resolvermos para hJI na Eq. (7.23a), resultará o
seguinte:
ohms
A relação indica que o parâmetro hJI é um parâmetro de impe-
dância com as unidades de ohms. Já que é a razão da tensão de
entrada para a corrente de entrada com os terminais de saída
"curto-circuitados", é chamado de parâmetro de impedância de
entrada de curto-circuito. O subscrito 11 de hJI é devido ao fato
de que o parâmetro é determinado pela relação de quantidades
medidas nos terminais de entrada.
Se li é feito igual a zero abrindo-se os terminais de entrada,
resultará o seguinte para h 12 :
adimensional
O parâmetro h 12 , portanto, é a relação da tensão de entrada pela
tensão de saída com a corrente de entrada igual a zero. Não há
unidade associada pois é uma razão entre níveis de tensão e é
chamada de parâmetro de relação de transferência de tensão
reversa de circuito-aberto. O subscrito 12 de h 12 mostra que o
parâmetro é uma quantidade de transferência determinada pela
razão de medidas da entrada para a saída. O primeiro inteiro do
subscrito define a quantidade medida que aparece no numerador;
o segundo inteiro define a quantidade que aparece no denomina-
dor. O termo reversa é incluído porque a razão compreende uma
tensão de entrada sobre uma tensão de saída, inversa da razão
normalmente de interesse.
Se na Eq. (7.23b) fixarmos V0 igual a zero ao novamente dar-
mos um curto-circuito nos terminais de saída, resultará o seguinte
para h 21 :
(7.23a)
(7.23b) adimensional (7.26)
Note que temos agora a relação de uma quantidade de saída por
uma quantidade de entrada. O termo direta será usado então em
vez de reversa, como foi indicado para h12 • O parâmetro h21 é a
relação da corrente de saída pela corrente de entrada com os ter-
minais de saída "curto-circuitados". Este parâmetro, assim como
h 12 , não tem unidades, uma vez que é uma razão entre níveis de
corrente. É formalmente chamado parâmetro de razão de trans-
ferência direta de corrente de curto-circuito. O subscrito 21
novamente indica que é um parâmetro de transferência com a
quantidade de saída no numerador e a quantidade de entrada no
denominador.
O último parâmetro, h22 , pode ser determinado abrindo-se
novamente os terminais de entrada para fazer li = Oe resolven-
do para h22 na Eq. (7.23b):
siemens (7.27)
Como é a razão da corrente de saída pela tensão de saída, este
parâmetro representa a condutância de saída e é medido em
siemens (S). É chamado de parâmetro de admitância de saída
de circuito aberto. O subscrito 22 revela que é determinado por
uma relação de quantidades de saída.
Já que a unidade de cada termo da Eq. (7.23a) é volt, vamos
aplicar a lei das tensões de Kirchhoff "ao contrário" para encon-
trar um circuito que "corresponde" à equação. Realizando esta
(7.24) operação, resultará no circuito da Fig. 7 .30. Como o parâmetro
hll tem a unidade ohm, ele é representado por um resistor na Fig.
7 .30. A quantidade h 12 é adimensional e, portanto, simplesmente
aparece como um fator multiplicativo do termo de "realimenta-
ção" no circuito de entrada.
Como cada termo da Eq. (7.23b) tem unidade de corrente,
vamos agora aplicar a lei das correntes de Kirchhoff" ao contrá-
rio" para obter o circuito da Fig. 7 .31. Já que h22 tem unidade de
admitância, que para o modelo do transistor representa condu-
tância, ele é representado pelo símbolo de resistor. Tenha em
mente, porém, que a resistência em ohms deste resistor é igual
ao recíproco da condutância (11h22 ).
O circuito "ac" equivalente completo para o dispositivo line-
(7.25) ar básico de três terminais está indicado na Fig. 7 .32 com um novo
Fig. 7.30 Circuito híbrido equivalente de entrada.

Fig. 7.31 Circuito lubrido equivalente de saída.
Fig. 7.32 Circuito lubrido equivalente completo.
conjunto de subscritos para os parâmetros h. A notação da Fig.
7 .32 é de natureza mais prática, pois relaciona os parâmetros h
com as relações apresentadas obtidas nos últimos parágrafos. A
escolha das letras utilizadas é justificada pelo seguinte:
hu ~ resistência de entrada~ h;
h 12 ~ razão de transferência de tensão reversa~ h,
h21 ~ razão de transferência direta de corrente~ h1
h22 ~ condutância de saída ~ h0
(a)
(a)
Modelagem do Transistor TBJ 225
O circuito da Fig. 7 .32 é aplicável para qualquer dispositivo li-
near eletrônico de três terminais ou sistema com fontes internas
independentes. Para o transistor, porém, embora ele possua três
configurações básicas, elas são todas configurações de três ter-
minais, de forma que o circuito equivalente resultante terá o
mesmo formato que o mostrado na Fig. 7.32. Em cada caso, o
ramo inferior das seções de entrada e saída do circuito da Fig.
7.32 pode ser conectada como mostrado na Fig. 7.33, desde que
o nível de potencial seja o mesmo. Essencialmente, o modelo do
transistor é um sistema de três terminais com duas portas. Os
parâmetros h, entretanto, mudarão de acordo com a configura-
ção. Para distinguir qual parâmetro foi usado ou qual é disponí-
vel, um segundo parâmetro foi acrescentado à notação do parâ-
metro h. Para a configuração base-comum a letra minúscula b
foi adicionada, enquanto para as configurações emissor-comum
e coletor-comum as letras e e c foram adicionadas, respectiva-
mente. O circuito híbrido equivalente para a configuração emis-
sor-comum aparece com a notação-padrão na Fig. 7 .33. Note que
l; = lb, 10 = lc e através da aplicação da lei das correntes de
Kirchhoff, 1, = lb + lc. A tensão de entrada é agora Vb, com a
tensão de saída Vc,· Para a configuração base-comum da Fig. 7.34,
l; = 1, e 10 = lc com V,b = V; e Vcb = V0 • Os circuitos das Figs.
7 .33 e 7 .34 são aplicáveis para transistores pnp e npn.
O fato de que ambos os circuitos de Thévenin e Norton apa-
recem no circuito da Fig. 7 .32 representa um motivo a mais para
chamarmos o circuito resultante de circuito h{brido equivalente.
Dois circuitos adicionais equivalentes com transistor, que não
serão discutidos neste texto, chamados de circuitos equivalentes
com parâmetro z e parâmetro y, utilizam a fonte de tensão ou a
fonte de corrente, mas não ambas no mesmo circuito equivalen-
te. Na Seção 7.7 a amplitude dos vários parâmetros será deter-
minada pelas características do transistor na região de operação
resultando no circuito equivalente para pequenos sinais do tran-
sistor.
e
Fig. 7.33 Configuração emissor-comum: (a) símbo-
(b) lo gráfico; (b) circuito lubrido equivalente.
b
Fig. 7.34 Configuração base-comum: (a) símbolo
(b) gráfico; (b) circuito lubrido equivalente.
226 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

lo
.....-
+ +

Fig. 7.35 Efeito da remoção de h,, eh,,, no circuito híbrido equivalente. Fig. 7.36 Modelo do circuito híbrido equivalente aproximado.

Em geral, nas configurações emissor-comum e base-comum, e (7.31)

os valores h, e h0 permitem que eles (hr e h0 ) não sejam incluídos
no modelo, não afetando consideravelmente os resultados obti-
dos para os importantes parâmetros Z;, Z0 , A,. e A;.
Como, normalmente, hr é uma quantidade relativamente pe-
quena, sua remoção é aproximada por hr == O e hrV0 = O, resul-
tando num equivalente a curto-circuito para o elemento de reali-
mentação, conforme mostra a Fig. 7 .35. Em geral, a resistência
determinada por llh0 é grande o suficiente para ser ignorada em
comparação com uma carga paralela; o que permite sua substi-
tuição por um equivalente a circuito-aberto para os modelos EC
e BC, como mostrado na Fig. 7.35.
O circuito equivalente resultante da Fig. 7.36 é muito similar à
estrutura geral dos circuitos equivalentes base-comum e emissor-
comum obtida com o modelo r•. O circuito híbrido equivalente e
os modelos r. para cada configuração foram repetidos na Fig. 7 .37
para fins de comparação. Deve ficar claro, da Fig. 7.37a, que
Particularmente, note que o sinal de menos da Eq. (7 .31) leva em
conta o fato que a fonte de corrente do circuito lubrido equiva-
lente-padrão está apontando para baixo em vez de estar na dire-
ção real como mostrado no modelo r, na Fig. 7 .37b.
EXEMPLO 7.6
Dado /E= 2,5mA, h1, = 140, ho, = 20µ,S(µmho) e hob = 0,5µ,S,
determine:
(a) O circuito lubrido equivalente emissor-comum.
(b) O modelo r, base-comum.
Solução

(7.28)
26mV 26mV
e (7.29)
(a) r
e
= /E
= 2,5 mA = 10,4 n
h;e = f3re = (140)(10,4 fi) = 1,456 kfl
Da Fig. 7.37b,
1 1
(7.30) r0 =-=--=50kll
h0 e 20 µ,S

b e b e

e e e e

(a)

e e e

b b b

(b)

Fig. 7.37 Modelo lubrido versus modelo r,: (a) configuração emissor-comum; (b) configuração base-comum.
 Modelagem do Transistor TBJ 227

Observe a Fig. 7.38.

(b) fe = 10,4 O (adimensional) (7 .34)
1 1
a= 1, r =-=---=2Mfi
0
hob 0,5 µS
(siemens) (7.35)
Observe a Fig. 7.39.

e Fig. 7.38 Circuito lubrido equivalente emissor-comum para

os parâmetros do Exemplo 7.6.

e e

b b
Fig. 7.39 Modelo r, base-comum para os parâmetros do Exemplo 7.6.

As séries de equações relativas aos parâmetros de cada confi-
guração para o circuito híbrido equivalente são dadas no Apên-
dice A. Na Seção 7 .8, demonstramos que o parâmetro híbrido h1•
(/3.0 ) é o menos sensível dos parâmetros híbridos para uma va-
riação da corrente de coletor. Assumindo, pois, que h1• = f3 é uma
constante para a faixa de interesse, o que é uma aproximação
razoável. O parâmetro h;. = {3r, é o parâmetro que varia signifi-
cativamente com Ice deve ser determinado em função dos níveis
de operação, uma vez que ele pode afetar os valores de ganho de
um amplificador com transistor.
7.7 DETERMINAÇÃO GRÁFICA DOS
PARÂMETROS h
Usando derivadas parciais (cálculo), pode ser mostrado que a am-
plitude dos parâmetros h para o circuito equivalente para pequenos
sinais do transistor na região de operação, para a configuração emis-
sor-comum, pode ser determinada usando as seguintes equações:*
(7.32)
Av1:re 1
ÔVce ~ ÂVoe le=eonstante (adimensional) (7.33)
• A derivada parcial iJv/ai, fornece uma meilida da variação instantânea de v, devido a uma
variação instantânea em(.
Em cada caso, o símbolo A refere-se a uma pequena varia-
ção naquela quantidade em torno do ponto quiescente de opera-
ção. Em outras palavras, os parâmetros h são determinados na
região de operação para o sinal aplicado, de forma que o circui-
to equivalente será o mais preciso possível. Os valores constan-
tes VcE e IB em cada caso referem-se a uma condição que deve
ser atendida quando os vários parâmetros são determinados atra-
vés das características do transistor. Para as configurações base-
comum e coletor-comum, as equações apropriadas podem ser
obtidas ao substituir, simplesmente, os valores apropriados de
V;, V 0 , i; e i0 •
Os parâmetros h;, eh,. são determinados pelas características
de entrada ou da base, enquanto os parâmetros h1, e h0 • são obti-
dos das características de saída ou de coletor. Como h1• é geral-
mente o parâmetro de maior interesse, realizaremos primeiro a
análise para este parâmetro, baseando-se nas Eqs. (7.32) a (7.35).
O primeiro passo na determinação de qualquer um dos quatro
parâmetros híbridos é achar o ponto quiescente de operação como
indicado na Fig. 7.40. Na Eq. (7.34) a condição VcE = constante
requer que as variações na corrente de base e na corrente de co-
letor sejam tomadas ao longo de uma reta vertical desenhada cru-
zando o ponto Q representativo da tensão fixa coletor-emissor.
A equação (7.34) exige, portanto, que uma variação pequena na
corrente de coletor seja dividida pela variação correspondente na
corrente da base. Para uma maior precisão, essas variações de-
verão ser feitas tão pequenas quanto possíveis.
Na Fig. 7.40 a variação em ib foi escolhida para estender-se
de I 81 a I Ih ao longo da reta perpendicular em Vc.. A variação
correspondente em ( é então determinada ao desenhar as retas
228 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

ic (mA)
7 f-
-+60µA

6 f- ·-+50 µA
~

5 f- /Linha de carga -+40µA

~
,......,.....VcE 8,4 V (constante)
4 .... -+30µA

3 1 1 Ponto-Q ls 2 = +20 µA
-·-- ..
/ ls-+15 µA
·2 ls1 =+10µA
·----· ·-·-·--···-····-·.. " ...

1 ls=OµA
1 1 1 1
o 5 (8,4 V) 10 15 20 'I) CE(V)

Fig. 7.40 Determinação de h1,.

horizontais de interseções em Is, e Is,_ com VCE = constante no = O, l X l0- 3 = 33 µA/V = 33 X 10-6 S = 33 µS
eixo vertical. Tudo o que resta, então, é substituir as variações 3
resultantes de ih e ic dentro da Eq. (7.34); isto é,

I~ I = âfc 1 = (2, 7 - 1, 7) mA 1
Para determinar os parâmetros h;, e h,e o ponto-Q deve pri-
e âib VCE=constante (20 - 10) µA VCE=8.4 V
meiro ser determinado das curvas características de entrada
ou da base como indicado na Fig. 7.42. Para h;,, a .reta é de-
10-3 senhada tangente à curva VcE = 8,4V através do ponto-Q, para
= 10 X 10-6 = 100 estabelecer uma reta VcE = constante como pede a Eq. (7.32).
Uma variação pequena em vb, foi escolhida, resultando numa
Na Fig. 7.41 uma reta é desenhada tangente à curva / 8 através variação correspondente em ib. Substituindo na Eq. (7 .32), nós
do ponto-Q para estabelecer uma reta / 8 = constante como pede temos
a Eq. (7.35) para hoe. Uma variação em vcE foi então escolhida, e
a variação correspondente em ic é determinada desenhando-se
retas horizontais até o eixo vertical pelas interseções em / 0 =
constante. Substituindo na Eq. (7.35), temos Ih· I = âvbe 1 = (733 - 718) mV 1
,e âib VCE=constante (20 - 10) µA VCE=S.4 V

Ih I = âic 1 = (2,2 - 2,1) mA 1 15 X 10- 3

10 X 10-6 = 1,5 kfi
oe ê:.Vce J8 =constante (10 - 7) V /8 =+15 µ,A

ic (mA)

7 f- -+60µA

6 f- r- ·-+50µA
~

5- -+40µA

4- +30µA

3 Ponto Q
1 +20µA
I Is=+ 15 µA (constante)
-"'-····~..--~---····-····------·--· ..··
2 +10µA
1
Is= OµA
1 1 1
o 5 7V 10 15 20 'I) CE(V)

1
Ã'te

Fig. 7.41 Determinação de hoe.

 Modelagem do Transistor TBJ 229

VcE=OV
VcE= lOV
Vc8 =20V

30 VcE = 8,4 V (constante)

30

20
20
Ponto Q dUce =20V
15 -------··-·---::::----.... Ponto Q ""'-
15 Is= 15 µA(constante)

10
10

o 0,6 0,7 1 1 0,8 UsE(V)

-+-1 k- dUbe =0,015 V o 0,6 ~, , · o,8 UsEM
----.--- ~ dUbe =0,008 V
Fig. 7.42 Determinação de h;,·
Fig. 7.43 Determinação de h,..

O último parâmetro, hre, pode ser achado desenhando-se pri-

meiro uma reta horizontal através do ponto-Q em ! 8 = 15µA
Posteriormente seleciona-se uma variação em vcE e determina-se
a variação resultante em vBE, como mostra a Fig. 7.43.
Substituindo na Eq. (7.33), temos

lhrel = ÂVbe 1 = (733 - 725) mV 8 X 10- 3

ÂVce / 8 =constante (20 - O) V 20

=4 X 10-4 Fig. 7.44 Circuito híbrido equivalente completo para um transistor com as ca-
Para o transistor cujas curvas características apareceram nas racteásticas que aparecem nas Figs. 7.40 a 7.43.
Figs. 7.40 a 7.43, o circuito híbrido equivalente para pequenos
sinais é mostrado na Fig. 7.44.
Como mencionado antes, os parâmetros híbridos para as con- h. O efeito da temperatura, corrente de coletor e tensão sobre os
figurações base-comum e coletor-comum podem ser determina- parâmetros h serão discutidos na Seção 7.8.
dos usando-se as mesmas equações básicas com as variáveis e
curvas características apropriadas.
Valores típicos de cada parâmetro para uma variedade de tran- 7.8 VARIAÇÕES DOS PARÂMETROS
sistores disponíveis hoje, em cada uma dessas três configurações, DO TRANSISTOR
são dados no Quadro 7 .1. O sinal menos indica que na Eq. (7 .34)
quando uma quantidade aumenta de valor, dentro da variação
escolhida, a outra diminui em amplitude. Há um grande número de curvas que podem ser desenhadas para
Relembre (Seção 3.5: Amplificação do Transistor) que are- mostrar as variações dos parâmetros h com a temperatura, fre-
sistência de entrada da configuração base-comum é baixa, enquan-
to a resistência de saída é alta. Considere também que o ganho de
corrente de curto-circuito é muito próximo de 1. Para as configu- QUADRO 7.1 Valores Típicos de Parâmetros para as
rações emissor-comum e coletor-comum, note que a resistência Configurações de Transistor EC, CC, e BC
de entrada é muito mais alta que da configuração base-comum e
Parilmetro EC CC BC
que a razão da resistência de saída para a entrada é de cerca de
40: 1. Considere também para a configuração base-comum e emis- h; lk!l lk!l 20!1
sor-comum que h, é muito pequeno em amplitude. Transistores h, 2,5 X 10-4 a<l 3,0 X 10-4
são disponíveis hoje com valores de h1, que variam de 20 a 600. hf 50 -50 -0,98
Para qualquer transistor, a região de operação e as condições sob h. 25 µA/V 25 µA/V 0,5 µA/V
llh. 40k!l 40k0 2M!l
as quais está sendo usado terão efeito sobre os vários parâmetros
230 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

qüência, tensão e corrente. As mais interessantes e úteis neste
estágio de desenvolvimento incluem as variações dos parâme-
tros h com a temperatura da junção e com a tensão e corrente de
coletor.
Na Fig. 7.45, o efeito da corrente de coletor sobre os parâ-
metros h foi indicado. Tome especial atenção com a escala lo-
garítmica nos eixos vertical e horizontal. Escalas logarítmicas
serão examinadas no Cap. 11. Os parâmetros foram normaliza-
dos para a unidade, de forma que as variações relativas em am-
O,lmA, hr, é cerca de 0,5 ou 50% de seu valor em 1,0mA, en-
quanto em 3mA, é 1,5 ou 150% daquele valor. Em outras pala-
vras, se hfe = 50 em Ic = 1,0mA, hfe variará de um valor de
0,5(50) = 25 a 1,5(50) = 75 com uma variação de /e de O,lmA
a 3mA. Considere, entretanto, o ponto de operação em Ic =
50mA. A amplitude de h,. é agora aproximadamente 11 vezes
maior que aquela definida no ponto-Q, um valor que pode não
permitir a eliminação deste parâmetro do circuito equivalente.
O parâmetro h é aproximadamente 35 vezes o valor normali-
0•

plitude, devido à corrente de coletor, podem ser facilmente
determinadas. Em todas as curvas, como na Fig. 7.46, o ponto
de operação no qual os parâmetros foram determinados é sem-
pre indicado. Para esta situação particular, o ponto quiescente
está na interseção de VcE = 5,0Velc = l,OmA. Já que a freqüên-
cia e a temperatura de operação também afetam os parâmetros
h, estas quantidades são também indicadas nas curvas. Em
zado. Este aumento em h0 • diminuirá o valor da resistência de
saída do transistor para um ponto onde pode se tomar próximo
do valor do resistor de carga. Não haveria, então, na análise
aproximada, justificativa na eliminação de h0 • do circuito equi-
valente.
Na Fig. 7.46, a variação em amplitude dos parâmetros h
foi indicada com uma variação na tensão de coletor. Este con-

Amplitude relativa dos parâmetros

50

20

10
5

lc = 1 mA 2
VcE =5 V
T=25ºC --1
!= 1 kHz 0,5

0,2
0,1

0,05

0,02
0,01
0,1 0,2 0,5 2 5 10 20 50 lc (mA)

Fig. 7.45 Variações dos parâmetros híbridos com a corrente de coletor.

(% de VcE = 5 V valor de cada quantidade)

3000
2000

1000
700
hoe h,..
500 h,e

300
[E=lmA 200
VcE=5V
T= 25ºC ·--· 100 -·-··----~=;;::=iiii~..r-'--lli;;::;;~~
!= 1 kHz 70
50
30~~~~~~~-'-~--'-~~-L-~--'-~-L.-~~-'-~-'-~~~
0,2 0,5 2 5 10 20 50 100 VCE(V)
Fig. 7.46 Variações dos parâmetros híbridos com a diferença de potencial coletor-emissor.
 Modelagem do Transistor TBJ 231

Amplitude relativa dos parâmetros

3,0 (H 20 em estado s6lido) (H20 em ebulição)

2,0

lc=lmA 1,5
VcE=5V
T=25ºC - 1 , 0 + - - - - - -
/= 1 kHz
0,7

0,5
0,4
hie
0,3 .__~__._~~...._+-_,_~_._~~..i.......,.~---1.~~----
- l OO -50 O 25º 50 100 150 200 T(ºC)
1
Temperatura ambiente

Fig. 7.47 Variações dos parâmetros hibridos com a temperatura.

junto de curvas foi normalizado no mesmo ponto de opera-
ção do transistor discutido na Fig. 7.45, de modo que uma
comparação entre os dois conjuntos de curvas pode ser feita.
Note que hie e h1, estão relativamente estáveis, enquanto h 0 , e
h,. são muito mais sensíveis às variações de tensão do cole-
tor ?º que hie e hfe'
E interessante notar das Figs. 7.45 e 7.46 que o valor de hr,
parece mudar pouco. Portanto, o valor específico do ganho de
corrente, quer seja h1, ou /3, pode, sob um ponto de vista relativo
e aproximado, ser considerado constante para a faixa de corren-
te e tensão de coletor.
O valor hie = {3r, varia consideravelmente com a corrente
de coletor, como já devíamos esperar devido à sensibilidade
der, à corrente ([E== /e) de emissor. É, portanto, um parâme-
tro que deve ser determinado em condições tão próximas quan-
to possível dos níveis de operação. Para valores abaixo do VcE
especificado, h,, é razoavelmente constante, mas aumenta con-
sideravelmente para valores mais altos. Felizmente, em mui-
tas aplicações, as amplitudes de hre e h0 , podem ser geralmente
ignoradas. Elas são muito sensíveis à corrente de coletor e à
tensão base-emissor.
Na Fig. 7.47, a variação nos parâmetros h foi desenhada para
variações na temperatura da junção. O valor normalizado seba-
seia na temperatura ambiente: T = 25ºC. A escala horizontal é
uma escala linear em vez de logarítmica, utilizada nas Figs. 7.45
e 7.46. Em geral, todos os parâmetros aumentam de valor com a
temperatura. O parâmetro menos afetado, porém, é h0 . , enquan-
to a impedância de entrada hi, varia numa taxa maior. O fato de
que h1, varia de 50% de seu valor normalizado em - 50%ºC para
150% de seu valor normalizado em+ 150ºC indica claramente
que a temperatura de operação deve ser considerada com cuida-
do no projeto de circuitos com transistor.
formato PSpice para essa fonte seja apresentado. O formato é
inicializado pela letra F da forma:
FBJT
.__., 3 2 VSENSE 0,98
........_,_,
(+N) (-N)
nome nome da valor do
fonte controlada fonte de tensão multiplicador
de corrente para a fonte
controladora
controladora
O nome (até sete caracteres) atribuído à fonte controladora é se-
guido pelos nós positivo e negativo da fonte. A letra V deve apa-
recer antes do nome da fonte de tensão de estabelecendo a dire-
ção da corrente controladora. A fonte de tensão deve estar em série
com a corrente controladora e polarizada de tal modo que estabe-
leça uma corrente na direção oposta à corrente controladora. A
direção oposta é necessária porque no PSpice a corrente de uma
fonte independente é definida tendo uma direção oposta à pres-
são da fonte. Sua amplitude é OV se sua fmalidade é apenas esta-
belecer a direção da corrente controladora. O último fator a ser
introduzido é o fator multiplicador para a fonte controlada de
corrente. Como a definição da fonte de tensão deve fazer parte do
circuito que aparece no arquivo de entrada, uma linha em separa-
do deve definir o nome, polaridade e amplitude da fonte.
Para a configuração do transistor em base-comum, será em-
pregado o modelo da Fig. 7.48. Para configuração do transistor
em emissor-comum, será empregado o modelo da Fig. 7.49.
vsenwr

---·eª"·
,. = 1
o hob

7.9 ANÁLISE POR COMPUTADOR

A introdução de uma fonte de corrente controlada por corrente
(CCCS) no modelo equivalente de um transistor requer que o Fig. 7.48 Modelo PSpice base-comum.
232 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

v~nsor
do circuito com fase de Oº, não incluído na descrição da fonte
ac, já que seu valor-padrão não é especificado. A impedância
de entrada f3r. é definida na terceira linha e a fonte controlada
de corrente na próxima linha. Compare a descrição da fonte
ro =- 1
hoe controlada de corrente com a descrição de fontes CCCS aci-
ma. A impedância de saída é 40k0 entre os terminais 3 e O. O
resistor Rc é a resistência de coletor do projeto. A freqüência
escolhida para a análise ac (uma freqüência deve ser especifi-
cada) é lkHz, e as próximas linhas pedem a amplitude e ângu-
Fig. 7.49 Modelo PSpice emissor-comum. lo de fase da tensão de saída V0 • Lembre que os comandos.
OPTIONS NOPAGE eliminam alguns resultados supérfluos no
arquivo de saída.
EXEMPLO 7.7 O resultado indica que a amplitude da tensão de saída é
Escreva o arquivo de entrada para o amplificador em emissor- 630,9mV, resultando num ganho sem carga de
comum da Fig. 7.50 e determine amplitude e ângulo de fase da
tensão de saída V0 • A = 1 Vo 1 = 630,9 mV = 315 45
vNL V; 2 mV '
Solução
um nível que cairá com uma carga aplicada. O resultado também
O arquivo de entrada para o circuito da Fig. 7 .50 aparece na indica um deslocamento de fase de 180º entre V e V;, conforme
O

Fig. 7 .51. As primeiras duas linhas descrevem as duas fontes esperado para a configuração emissor-comum.

Rc
V;= 2 mV ill'.'
4,7kQ

Fig. 7.50 Exemplo 7.7.

Fig. 7.51 Análise PSpice do circuito EC da Fig. 7.50.

 Modelagem do Transistor TBJ 233

(b) Para cada modelo, liste as condições sob as quais ele deverá
PROBLEMAS ser aplicado.

§ 7.2 Amplificação no Domínio AC § 7.4 Parâmetros Importantes: Z;, Z 0 , A., A;

1. (a) Qual a amplificação esperada de um amplificador a transis-
tor TBJ se a fonte de é fixada em Ovolts?
(b) O que acontecerá ao sinal ac de saída se o nível de for insu-
ficiente? Esboce os efeitos sobre a forma de onda.
(e) Qual a eficiência de conversão de um amplificador no qual
o valor eficaz da corrente através de um resistor de carga de
2,2-kO é 5mA, e o dreno na fonte de 18-V é 3,8mA?
6. (a) ParaaconfiguraçãodaFig. 7.7,determineZ;se V,= 40mV,
Rsensor = 0,5k0 e 11 = 20µ,A.
(b) Usando os resultados da letra (a), determine V1 se a tensão
aplicada é alterada para 12mV com uma resistência interna
de0,4k0.
7. (a) Para o circuito da Fig. 7.10, determine Z0 se V= 600mV,
Rsensor = lOkO, e 1 = 10µ.A.
0

2. Você pode pensar numa analogia que explique a importância do (b) Usando o Z0 obtido na letra (a), determinelLpara a configu-
nível de no ganho ac final? ração da Fig. 7 .11 se RL = 2,2k0 e lmnplificador = 6mA.
8. Dada a configuração do TBJ da Fig. 7.53, determine:
§ 7 .3 Modelagem do Transistor TBJ (a) V;.
(b) z"
3. Qual a reatância de um capacitor de 10-µ.F em uma freqüência (e) A..N,·
de lkHz? Para circuitos nos quais os níveis dos resistores estão (d) A.,.
na faixa de kiloohms, seria razoável considerar um curto-circui- 9. Para o ~plificador TBJ da Fig. 7 .54, determine:
to para as condições descritas? E em lOOkHz? (a) I;.
4. Dada a configuração base-comum da Fig. 7.52, esboce o equiva- (b) Z;.
lente ac, usando a notação para o modelo do transistor que apa- (e) V0 •
rece na Fig. 7.5. (d) 1•.
5. (a) Descreva as diferenças entre o modelo r, e o modelo hfüri- (e) A; usando os resultados das letras (a) e (d).
do equivalente para o transistor TBJ. (t) A; usando Eq. (7.10).

C2
,-~~~----1.....-~~-t~(~~~o
+
~' +

Fig. 7.52 Problema 4.

f; =_....
10 µA

+ +
V, '\, 18 mV \{,= 3,6 V

Fig. 7.53 Problema 8.

+
V. '\, 12mV

Fig. 7.54 Problema 9.

234 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

§ 7.5 Modelo r. do Transistor Vcc

1O. Para a configuração base-comum da Fig. 7.17 um sinal ac de 1O

mV é aplicado, resultando numa corrente de emissor de 0,5mA.
Se a = 0,980, determine:
(a) Zr
(b) V0 se R, = l,2k0.
(e) A,,= V/V;·
(d) z. com ro = 000.
(e) A; = 1/Ji.
(f) lb.
11. Para a configuração base-comum da Fig. 7 .17, a corrente de
emissor é 3,2 mA e a é 0,99. Se a tensão aplicada for de 48mV e
a carga for de 2,2k0, determine: +
(a) r,.
00~ ~
(e) /,.
(d) V 0 •

(e) A,,.
(f) lb.
12. Usando o modelo da Fig. 7.27 para um amplificador emissor-
comum, se f3 = 80, /.(de)= 2mA, e r = 40k0, determine:
0 Fig. 7.55 Problema 17.
(a) Z;.
(b) lb.
(e) A;= l/1; = 1/Ib se R, = 1,2k0.
(d) A,, se R, = 1,2k0.
13. A impedância de entrada para um amplificador a transistor em
emissor-comum é l,2k0comf3 = 140,r0 = 50k0,eR, = 2,7k0.
Determine:
(a) r,.
(b) Ib se V; = 30mV.
(e) lc.
(d) A;= 1/1; = l/Jb·
(e) A,= V/V;·
+
§ 7.6 Modelo Híbrido Equivalente

14. Dado I, (de)= l,2mA, f3 = 120, e r = 40k0, desenhe o:

0
Fig. 7.56 Problema 18.
(a) modelo híbrido equivalente emissor-comum.
(b) modelo r, equivalente emissor-comum.
(e) modelo hfürido equivalente base-comum. carga total? Qual a diferença percentual no carregamento total
(d) modelo r, equivalente base-comum. sobre o transistor usando a seguinte equação:
15. Dado h;, = 2,4k0, h1, = 100, h,~ = 4 X 10- 4 , e h0 , = 25µ,S, de-
. RL - RLll(llhoe)
senhe o: % diferença na carga total= X 100%
(a) modelo híbrido equivalente emissor-comum. RL
(b) modelo r, equivalente emissor-comum. 21. Repita o Problema 19, usando os valores médios dos parâmetros
(e) modelo híbrido equivalente base-comum. da Fig. 7.28 comAv = -180.
(d) modelo r, equivalente base-comum. 22. Repita o Problema 20 para R, = 3,3k0 e o valor médio de h0 , na
16. Redesenhe o circuito da Fig. 7.3 para a resposta ac com o mode- Fig. 7.28.
lo híbrido equivalente aproximado substituído entre os terminais
apropriados.
17. Redesenhe o circuito da Fig. 7.55 para a resposta ac com o mo-
§ 7. 7 Determinação Gráfica dos Parâmetros h
delo r, inserido entre os terminais apropriados. Inclua r0 •
23. (a) Usando as curvas características da Fig. 7.40, determine h1,
18. Redesenhe o circuito da Fig. 7.56 para a resposta ac com o mo-
delo r, inserido entre os terminais apropriados. Inclua r em/e= 6mA e VeE = 5V.
0 •

19. Dados os valores típicos de h;, = lkO, h,, = 2 X 10-4 , e Av = (b) Repita a letra (a) em /e= lmA e VeE = 15V.
-160 para a configuração de entrada da Fig. 7.57: 24. (a) Usando as curvas características da Fig. 7.41, determine hoe
(a) Calcule V0 em função de V;. em/e= 6mA e Ve. = 5V.
(b) Calcule Ib em função de V;. (b) Repita a letra (a) em /e= lmA e Ve, = 15V.
(e) Calcule Ib se h,, V0 for ignorado.
(d) Determine a diferença percentual em Ib usando a seguinte Ib h;,
equação: o--~~~~I\/V\,~~~-
"' d'" lb( sem h,,) - /b(com h,,) + 1 kQ
-;o 11erença em 1b = x 100% +
lb( sem h,,)
(e) É uma abordagem válida ignorar os efeitos de hre V0 para os V; ' hre i,;, 2 X 10- 4 V,,
valores típicos empregados neste exemplo?
20. Dados os valores típicos de R, = 2,2k0 e h = 20µ,S, seria uma
0,

boa aproximação ignorar os efeitos de llh 0 , na impedância de Fig. 7.57 Problemas 19, 21.
 Modelagem do Transistor TBJ 235

25. (a) Usando as curvas características da Fig. 7.42, determine h;,
em / 8 = 20p,A e Vc, = 20V.
(b) Repita a letra (a) em 18 = 5µA e Vc, = lOV.
26. (a) Usando as curvas características da Fig. 7.43, determine h"
em 18 = 20µA.
(b) Repita a letra (a) em I. = 30µA.
*27. Usando as curvas características das Figs. 7.40 e 7.42, determine
o modelo híbrido equivalente EC em I. = 25µ,A e Vc, = 12,5V.
*28. Determine o modelo r, EC em 18 = 25µ,A e Vc, = 12,5V usando
as curvas características das Figs. 7.40 e 7.42.
29. Usando os resultados da Fig. 7.44, desenhe o modelo r, equiva-
lente para o transmissor com as curvas características que apare-
cem nas Figs. de 7.40 a 7.43. Inclua r0 •
§ 7.8 Variações dos Parâmetros do Transistor
Para os Problemas de 30 até 34, use as Figs. de 7.45 até 7.47.
30. (a) Usando a Fig. 7.45 determine a amplitude da variação per-
centual em hfe para uma variação em Ic de 0,2mA e lmA
usando a equação
% variação= 1 h,.(0,2 mA) - hreCl mA) 1 x 100%
h,.(0,2 mA)
(b) Repita a letra (a) para uma Ic variando de lmA a 5mA.
31. Repita o Problema 30 para h;, (mesmas variações em lc}.
32. (a) Se h = 20µ,S em lc = lmA na Fig. 7.45, qual é o valor
0,
aproximado de ho, em lc = 0,2mA?
(b) Determine seu valor resistivo em 0,2mA e compare a uma
resistência de carga de 6,8k!l. É uma boa aproximação ig-
norar os efeitos de llh.. neste caso?
33. (a) Se h0 , = 20µ,S em Ic ;,, lmA na Fig. 7.45, qual é o valor
aproximado de h.. em Ic = lOmA?
(b) Determine seu valor resistivo em lOmA e compare a uma
resistência de carga de 6,8k0. É uma boa aproximação ig-
norar os efeitos de 1/hoe neste caso?
34. (a) Se h,, = 2 X 10-4 em lc = lmA na Fig. 7.45, determine o
valor aproximado de h" em O, lmA.
(b) Usando o valor de hre determinado na parte (a), hre pode ser
ignorado como uma boa aproximação se A. = 210?
*35. (a) Revendo as caracteósticas da Fig. 7.45, qual parâmetro va-
riou menos para uma variação completa da corrente de
coletor?
(b) Qual parâmetro variou mais?
(c) Quais são os valores máximo e mínimo de 1/h""? A aproxi-
=
mação llh0 ,IIRi Ri é mais adequada em níveis altos ou
baixos de corrente de coletor?
(d) Em qual região do espectro de corrente a aproximação hre Vc,
= Oé mais adequada?
*36. (a) Revendo as características da Fig. 7.47, qual parâmetro va-
riou mais com o aumento da temperatura?
(b) Qual parâmetro variou menos?
(c) Quais são os valores máximo e mínimo de hf,? A variação é
significativa? Isto era esperado?
(d) Como r, varia com o aumento de temperatura? Calcule seu ní-
vel em três ou quatro pontos apenas e compare sua amplitudes.
(e) Em qual faixa de temperatura os parâmetros variam menos?
§ 7.9 Análise por Computador
PSpice
37. Escreva o arquivo de entrada para o circuito base-comum da Fig.
7.58 e obtenha:
(a) A amplitude e fase de V0 •
(b) A amplitude da corrente de saída 10 •
(c) A amplitude da corrente / 70 (e compare com/.).
(d) A amplitude da corrente I,.
38. Escreva o arquivo de entrada para o circuito emissor-comum da
Fig. 5.79 e obtenha:
(a) A amplitude e fase de V0 •
(b) A amplitude da corrente de saída 1 0 •
(c) A amplitude da corrente Iro (e compare com / 0 ).
(d) A amplitude da corrente lb.
BASIC
39. Repita o Problema 37, usando BASIC.
40. Repita o Problema 38, usando BASIC.

+ +
V;= 4 mV iJt' 2,2 kil V,,

Fig. 7.58 Problemas 37,39.

Fig. 7.59 Problemas 38, 40.

*Observação: Os asteriscos indicam problemas mais difíceis.

 CAPÍTULO

Análise do TBJ para

Pequenos Sinais
8.1 INTRODUÇÃO
Os modelos para o transistor introduzidos no Cap. 7 agora serão
usados para realizarem uma análise ac para pequenos sinais de
um grande número de configurações padrões de circuitos com
transistor. Os circuitos analisados representam a maioria dos que
aparecem na prática cotidiana. Modificações nas configurações-
padrão serão relativamente fáceis de examinar, uma vez revisto
e entendido o conteúdo deste capítulo.
Como o modelo r. é sensível ao ponto real de operação, este
será usado como nosso modelo principal para a análise a ser re-
alizada. Para cada configuração, entretanto, a impedância de sa-
ída é examinada, o que corresponde, no modelo híbrido equiva-
lente, à análise do parâmetro hoe. Para demonstrar as semelhan-
ças que existem na análise entre os modelos, uma seção é dedi-
cada à análise para pequenos sinais de circuitos TBJ, usando
apenas o modelo híbrido equivalente. Este capítulo não inclui uma
resistência de carga RL ou uma resistência de fonte R,. O efeito
de ambos os parâmetros é reservado para a abordagem de siste-
mas no Capítulo 10.
A seção de análise por computador inclui uma breve descri-
ção ~o modelo do transistor empregado no pacote de programas
PSp1ce. Serão demonstradas a aplicação e a abrangência dos sis-
temas de análise por computador disponíveis nos dias de hoje, e
como é relativamente fácil introduzir um circuito complexo para
análise e imprimir os resultados desejados. Um programa em
"BASIC" é incluído para permitir a comparação entre um paco-
te de programas e uma linguagem de programação.
8
de Vcc e substituindo os capacitores de acoplamento C 1 e C2 e por
curtos-circuitos equivalentes, resultando no circuito da Fig. 8.2.
Note na Fig. 8.2 que o terra comum da fonte de e do terminal
emissor do transistor permite o posicionamento de R8 e Rc em
paralelo com as seções de entrada e saída do transistor, respecti-
vamente. Além disso, observe o posicionamento dos parâmetros
importantes do circuito Z;, Z0 , l; e 10 no circuito redesenhado.
Substituindo o modelo r, para a configuração emissor-comum da
Fig. 8.2, resultará no circuito da Fig. 8.3.
O próximo passo é achar (3, r, e r0 • A amplitude de f3 é normal-
mente obtida da folha de especificações ou por medida direta, usan-
do um traçador de curvas ou instrumento de teste para transistor. O
valor de r. deve ser determinado através de uma análise de do sis-
Vcc
I;
-+-- B
V; o--J·1------<>--'
C1
__..
Z;

Fig. 8.1 Configuração emissor-comum com polarização fixa.

8.2 CONFIGURAÇÃO
EMISSOR-COMUM COM
POLARIZAÇÃO FIXA
V;
I;
~ B
t[(/ Vº

A primeira configuração a ser analisada em detalhes é o circuito

Rc ~
e~issor-comum com p_olarização fixa da Fig. 8.1. Note que o
smal de entrada V; é aphcado na base do transmissor, enquanto a
~
RB E zº
Z;
saída Vº está disponível no coletor. Além disso, observe que a
corrente de entrada I; não é a corrente de base, mas a corrente da T "li"
fonte, enquanto a corrente de saída 10 é a corrente de coletor. A
análise ac para pequenos sinais inicia pela remoção dos efeitos Fig. 8.2 Circuito da Fig. 8.1 após a remoção dos efeitos de V= e, e C2•
 Análise do TBJ para Pequenos Sinais 23 7

--.
l;

z,.
+ _...
e (8.6)

Note a ausência explícita de (3 nas Eqs. (8.5 e 8.6), embora deva-

mos reconhecer que (3 deve ser utilizado para determinar T••
Ai: O ganho de corrente é determinado da seguinte maneira:
Aplicando a regra do divisor de tensão para os circuitos de
Fig. 8.3 Substituindo o modelo r,. no circuito da Fig. 8.2.
entrada e saída,

tema e T0 é geralmente obtido das folhas de especificações ou de I = (To)(/3h)

e /º = To/3
curvas características. Admitindo-se que B, T. e T0 foram determi- () To+ Rc ló To+ Rc
nados, obtêm-se os seguintes parâmetros do sistema.
Zi: A Fig. 8.3 revela claramente que com ló = (Rs)(/;)
ou ló= Rs
Rs + f3Te I; Rs + /3Te
ohms (8.1) O resultado é

Para a maioria das situações R8 é maior que {3T. por um fator

maior que 1O(lembre da análise de elementos paralelos, em que
a resistência total de dois resistores em paralelo é sempre menor
que o menor deles, e muito próxima do menor, se um é bem maior
que o outro), permitindo a seguinte aproximação: e (8.7)

ohms (8.2) querepresenta, certamente, uma expressão complexa e de difícil

Ré~IO{:lr,
manipulação.
No entanto, se T0 2! lO Rc e R8 2! l0{3T., o que é freqüente,
Z 0 : Lembre que a impedância de saída de qualquer circuito é
definida como a impedância Z 0 determinada quando Vi = O. Pela A- = Ia = /3RsTo
Fig. 8.3, quando Vi = O, I; = Ih = O, resultando em um circuito ' I; - (T0 )(Rs)
aberto equivalente para a fonte de corrente. O resultado é

ohms (8.3) e· (8.8)

Se T0 2! lORm a aproximação RcllT0 ~ Rc é aplicada freqüentemente e A complexidade da Eq. (8. 7) nos incentiva a utilizar a Eq. (7 .10),
que emprega A 0 e Zi. Ou seja,
(8.4)
(8.9)
A.: Os resistores T e Rc estão em paralelo,
0

e V0 = -/3/ó(RcliT0 ) Relação de fase: O sinal negativo na equação resultante para

A. revela que um deslocamento de fase de 180° ocorre entre os
V. sinais de entrada e saída, conforme mostrado na Fig. 8.5.
mas lb=-'
/3Tc
Vcc
tal que

e (8.5)

,i..t
rv-7 v,.

Fig. 8.4 Determinação de Z0 para o cir- Fig. 8.5 Determinação de deslocamento de fase de 180º entre as formas de
cuito da Fig. 8.3. onda de entrada e saída.
 238 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

(100)(470 k!l)(50 k!l)

EXEMPLOB.1
Para o circuito da Fig. 8.6: (50 k!l + 3 k!l)(470 k!l + 1,071 kO)
(a) Determine r,. = 94,13 vs. 100
(b) Ache Z; (com r0 = oofl). Como verificação,
(e) Calcule Z0 (com r0 = oofl).
(d) Determine A,, (com r0 = oofl). .= _ ~ = -(-264,24)(1,069 k!l) = 9416
(e) Ache A; (com r0 = oofl). A, Av Rc 3 kO '
(f) Repita as letras (e) até (e) incluindo r 0 = 50k!l em todos os
que apresenta uma diferença pequena, devida somente à preci-
cálculos e compare os resultados.
são considerada nos cálculos.

~-----.1---0 12 V

8.3 POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE

TENSÃO
I;
~ A próxima configuração a ser analisada é o circuito com polari-
V;o--)1---+--., zação por divisor de tensão da Fig. 8.7. Lembre que o nome da
10 µF configuração é conseqüência da polarização por divisor de ten-
são no lado da entrada para fixar o nível de de VB.
Z; A substituição do circuito r, equivalente resultará no circuito
da Fig. 8.8. Note a ausência de Re devido ao efeito de curto-cir-
cuito provocado pela baixa impedância do capacitor de desvio,
Fig. 8.6 Exemplo 8.1. CE. Isto é, na freqüência (ou freqüências) de operação, areatância
do capacitar é muito pequena, comparada com Re, e é tratada
como um curto-circuito nos terminais de R.. Quando Vcc é fixa-
Solução
do em zero, aterra um terminal de R 1 e Rc conforme mostra a Fig.
(a) Análise de: 8.8. Além disso, note que R1 e R2 permanecem no circuito de
1 _ Vcc - VsE 12 V - 0,7 V
B - Rs 470 k!l = 24,04 µ,A
h = (/3 + 1)/8 = (101)(24,04 µ,A)= 2,428 mA Vcc
26mV 26mV
r,, = /E 2,428 mA = 10,71 O
(b) f3re = (100)(10,71 !l) = 1,071 k!l
Z; = Rsllf3re = 470k!llll,071 k!l = 1,069k0 R1

(e) Z 0 = Rc = 3 kO I;
3k!l
Rc ~ B
(d) A,,= - - = - = -280,11 V;o---) .........
re 10,71 !l Zo
c1
(e) Uma vez que R8 ::::: 10,Bre(470 k!l > 10,71 k!l) ~
A;= {3 = 100 Z; R2
(f) Z0 = r 0 IIRc = 50 kOll3 k!l = 2,83 kO VS. 3 k!l Ci;;
r0 IIRc 2,83 kO
Av = - ---;::- = lO, 7l !l = - 264,24 vs. -280, 11

A·= ,BRBro
' (r0 + Rc)(RB + ,Bre) Fig. 8.7 Configuração com polarização por divisor de tensão.

l,
~ b

+ __.... +
Z;
V; Ri R2

'=' '---v---' Fig. 8.8 Substituindo o circuito r, equivalente no circuito ac equi-

R' valente da Fig. 8.7.
 Análise do TBJ para Pequenos Sinais 239

entrada, enquanto Rc é parte do circuito de saída. A combinação

paralela de R 1 e R2 é definida por: (8.18)
e

(8.10)
Como uma opção,
Z 1: Da Fig. 8.8,
(8.19)
(8.11)

Z 0 : Da Fig. 8.8, com V; fixado em OV resultando em Ib = O µA Relação de fase: O sinal negativo na Eq. (8.14) revela um
e {3/b = OmA, deslocamento de fase de 180º entre V0 e V;.

(8.12)
EXEMPLOB.2
Para o circuito da Fig. 8.9, determine:
(a) r,.
(8.13) (b) zi.
(c) Z0 (r0 = ooO).
(d) Av (r0 = ooO).
A.: Uma vez que Rc e r0 estão em paralelo (e) A; (r0 = ooO).
(t) Os parâmetros das letras (b) até (e) se r0 = llh = 50k0 e
0•

compare os resultados.
e
22V

portanto

e (8.14)

que você deve notar, é exatamente igual à equação obtida para a 10 µF

configuração com polarização fixa. V; o---)1---+-----i
Para r0 ~ lORc, --+--
1;

--+--
(8.15) Z;

A,.: Como o circuito da Fig. 8.8 é muito semelhante ao da Fig. Fig. 8.9 Exemplo 8.2.
8.3, exceto pelo fato de que R' = R1IIR2 = R., a equação para o ganho
de corrente terá o mesmo formato apresentado na Eq. (8. 7). Ou seja,
Solução

(8.16) (a) DC: Testando {3RE > 10 R2

(90)(1,5 kO) > 10(8,2 kO)
135 kO > 82 kO satisfeita
Usando a abordagem aproximada
V _ R2 V _ (8,2 k0)(22 V) _
8 - R, + R2 CC - 56 kO + 8,2 kO - 2 •81 V

e (8.17) VE = Vs - V8 E = 2,81 V - 0,7 V= 2,11 V

VE 2,11 V
h=-= =14lmA
E se R' ~ 10{3r,, RE 1,5 kO. '
_ / 0 _ {3R' 26mV
A----- re =
1 I; R'
 240 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

(b) R' = Ri!IR2 = (56 kfi)ii(8,2 kfi) = 7,15 kfi Não-desviado

Z; = R'llf3re = 7,15 kfiil(90)(18,44 fi)
= 7,15 kOlll,66 kfi = 1,35 kfi A mais importante das configurações não-desviadas aparece na
Fig. 8.10. O modelo r. equivalente é utilizado na Fig. 8.11, mas
(c) Z 0 = Rc = 6,8 kfi observe a ausência da resistência r0 • A inclusão de r0 toma a aná-
Rc 6,8kfi lise muito mais complicada; e considerando o fato de que na
(d) A = -- = - = -368 76
V re 18,44 o ' maioria das situações seus efeitos podem ser ignorados, ele não
(e) AcondiçãoR' 2:: 10J3r.(7,15kQ2:: 10(1,66k0)) = 16,6kfi será incluído na análise a seguir. Posteriormente, nesta seção, este
não é satisfeita. Portanto, efeito será discutido.
Aplicando a lei das tensões de Kirchhoff à seção de entrada
da Fig. 8.11 resulta em
{3R' _(_90_)_(7_,1_5_kfi_)_ = 73 04
A-=-'----
' R' + f3re 7,15 kO + 1,66 kfi ' V; = lbf3re + leRE
(f) Z; = 1,35 kfi ou
Z 0 = Rdir0 = 6,8 küil50 kfi = 5,98 kfi vs. 6,8 kfi e a impedância de entrada, posicionando-se à direita de R8 e olhan-
do para dentro do circuito, é
Av = - Rcllro =- 5,98 kfi = -324,3 VS. -368,76
re 18,44 fi V
Zb = __!_ = f3re + (/3 + l)RE
A condição h
O resultado, conforme mostra a Fig. 8.12, revela que a impe-
r0 2:: lORc (50 kO 2:: 10(6,8 kO) = 68 kfi) dância de entrada de um transistor com um resistor R. não-des-
não é satisfeita. Portanto, viado é determinada por
f3R' r0 (8.20)
A-=--------
/ (r0 + Rc)(R' + /3re)
(90)(7,15 k0.)(50 kO) Já que f3 é normalmente muito maior que 1, a equação aproxi-
(50 kO + 6,8 kfi)(7,15 kfi + 1,66 kO) mada é a seguinte:

= 64,3 vs. 73,04

Houve uma diferença mensurável nos resultados para Z0 , A. e
A; porque a condição r 2:: lORc não foi satisfeita.
0 e (8.21)

Como Reé geralmente muito maior que r., a Eq. (8.22) pode
ser reduzida para
8.4 CIRCUITO EC COM
POLARIZAÇÃO NO EMISSOR (8.22)

Os circuitos examinados nesta seção incluem um resistor no Z;: Retomando à Fig. 8.11, nós temos
emissor que pode ou não ser desviado no domínio ac. Conside-
remos primeiro a situação não-desviado, e então modificaremos (8.23)
as equações resultantes para a configuração desviado.

Vcc
b l'

+ +

~
z,. t (, -+-
zº
Rc Vº _..
zb

... Fig. 8.12 Definindo a

impedância de entrada de
um transistor com um
Fig. 8.10 Configuração EC com polarização no Fig. 8.11 Substituindo o circuito r, equivalente no circuito ac equivalente da Fig. 8.10. resistor no emissor não-
emissor. desviado.
 Análise do TBJ para Pequenos Sinais 241

Z 0 : Com v; fixado em zero, Ib = O e (3/b pode ser substituído análise. Observe em cada caso, porém, que quando certas con-
por um circuito aberto equivalente. O resultado é dições são atendidas as equações retornam à forma deduzida
anteriormente. A dedução de cada equação está além das ne-
(8.24) cessidades deste livro e é deixada como exercício para o lei-
tor. Cada equação pode ser obtida por meio de uma cuidadosa
A·,,. aplicação das leis básicas de análise do circuito, tais como a
lei das tensões de Kirchhoff, lei das correntes, conversões de
V- fonte, teorema de Thévenin etc. As equações foram incluídas
h = -'
zb para remover a incômoda questão dos efeitos de r0 na dedução
das expressões para os parâmetros das configurações do tran-
e V0 = -l 0 Rc = -(3hRc sistor
Z;:

(8.30)

com (8.25)
Como a razão Rclr0 é sempre muito menor que (/3 + 1),
Substituindo Zb = ,.,ª(r. + Re), temos zb == f3re + (/3 + 1)RE
1 + (Rc + RE)lr
0

(8.26) Para r0 2: lO(Rc + Re),

zb == f3re + (/3 + 1)RE
e para a aproximação Zb = {3R 0 que pode ser associada diretamente à (Eq. 8.20).
Em outras palavras, se r 0 e::: IO(Rc + Re), todas as equações
obtidas anteriormente vão ser reproduzidas.
(8.27) Como (3 + 1 = (3, a equação seguinte é uma excelente apro-
ximação para a maioria das aplicações:
Note novamente a ausência de (3 na equação de A •.
A;: A amplitude de R0 é, muitas vezes, próxima de Zb de for- (8.31)
ma a permitir a aproximação lb = l;, Aplicando a regra do divisor
de corrente para o circuito de entrada, resultará em

h = _ RB/i
__::_~
RB + Zh
(8.32)
e

Por sua vez,

No entanto, r0 ~ r., e

tal que

l
que pode ser escrita como

Zo == Rcllrº[l + 1 I r.
-+-
(3 RE
e (8.28) Tipicamente, 11(3 e r/Re são menores do que um, com uma
soma normalmente menor do que um. O resultado é um fator
multiplicativo para r0 maior do que um. Para (3 = 100, r, = 1On
(8.29)
eRe = 1 k!l:
ou

_l_l_r.- = _l__I_to_n_ = -o-.~-2 = so

Relação de fase: O sinal negativo da Eq. (8.25) novamente
revela um deslocamento de fase de 180º entre V e V;.
0
i +-R-E -1oo- + _1_oo_o_n_
Efeito de r 0 : As equações mostradas abaixo revelarão cla-
ramente a complexidade extra resultante da inclusão de r0 na e Z0 = Rcll5 lr,,
242 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

que certamente pode ser aproximada para Rc. Portanto, 20V

(8.33)

2.2 kn
que foi obtido anteriormente
10 µF
Av: 470 k.Çl
e-----11(---0 1.

C2
10 µF
(8.34) V;o--i,.- )1-~ /3 = 120. 1;, = 40 k!2
,, c1
r,.

A razão r/r <:,:: 1

0

/3Rc
-- - +Rc
-
0,56 k!l lI CE
10 µF

Z;, r0
e A =Vº
-= -=" T
V V;
l + Rc Fig. 8.13 Exemplo 8.3.
ro
Para r,, 2: lOR 0
(b) Testando a condição r0 2: lO(Rc + RE),
(8.35) 40 kfl 2: 10(2,2 kfl + 0,56 kfl)
40 kfl 2: 10(2,76 kfl) = 27,6 kfl satisfeita
como obtido anteriormente. Portanto,
A;: A determinação de A; será reduzida à equação
zb =/3(re + RE) = 120(5,99 fl + 560 fl)
= 67,92 kfl
(8.36)
Z; = RBIIZ,, = 470 kflll67,92 kfl
e
utilizando as equações acima. = 59,34k0
(c) Z = R, = 2,2k0
0

(d) r 2: lORc é satisfeita. Portanto,

Desviado 0

A = Vº = _ /3Rc = _ (120)(2,2 kfl)

Se RE da Fig. 8.1 O é desviado por um capacitar CE no emissor, o v V; - Z1, 67,92 kfl
modelo r. equivalente completo pode ser introduzido, resultan-
do no mesmo circuito equivalente da Fig. 8.3. As Eqs. (8.1 a 8.9) = -3,89
são, portanto, aplicáveis. próximo a -3,93 usando a Eq. (8.27): Av =- R/R,.
(e) A-= -A -
Z; = -(-3 89) ( 59,34 kfl)
' v Rc ' 2,2 k!1
EXEMPLOB.3
= 104,92
Para o circuito da Fig. 8.13, sem CE (não desviado), determine:
(a) re. próximo a 104,85 usando a Eq. (8.28): A; = /3R)(R + Zb) 0

(b) Z;-
(c) Z0 •
(d) A,.
(e) A;.
EXEMPL08.4
Repita a análise do Exemplo 8.3 com CE no lugar.
Solução
Vcc - VBE 20V - 0,7V
(a) DC: I ------- Solução
8 - RB + (/3 + I)RE 470 kfl + (121)0,56 kfl
= 35,89 µA (a) Análise de é a mesma e re = 5,990.
(b) Rc é "curto-circuitado" por CE para a análise ac. Portanto,
/E = (/3 + l)/8 = (121)(46,5 µ,A) = 4,34 mA
26mV 26mV n Z; = RBIIZb = RB1lf3re = 470 k!1II020)(5,99 fl)
e ---=5,99.u
4,34mA = 470 kn1111s,s n = n1,10 o
 Análise do TBJ para Pequenos Sinais 24 3

(e) Z 0 = Rc = 2,2 kO
Rc
(d) Av = - -
re
......+
Z;
Vj IOW 90W
2,2k0
=- = -367 28 (um aumento significativo)
s,99 n '
f3RB (120)(470 k!l) '-y---J
(e) A - = - - - R'
, RB+zb 470k0+718,80
= 119,82 Fig. 8.15 Circuito ac equivalente da Fig. 8.14.

(b) O circuito ac equivalente é dado na Fig. 8.15. A configura-

ção resultante é, agora, diferente da Fig. 8.11 somente pelo
EXEMPLOB.5 fato de que agora
Para o circuito da Fig. 8.14, determine (usando as aproximações
RB = R' = RtilR2 = 9 kO
adequadas):
(a) r •. As condições de teste de ro e::: 1O(Rc + RE) e ro e::: 1ORC são ambas
(b) Z;. satisfeitas. Usando as aproximações adequadas obtemos
(e)
(d)
Z0 •
A,,.
zb =f3RE = 142,8 kO
(e) A;. Z; = RBIIZb = 9 kOll142,8 k!l
= 8,47k0
16V (e) Z0 = Rc = 2,2 k!l
Rc 2,2k!l
(d) Av =- RE =- 0,68 kO = -3,24

(e) A-= -A~= -(-3 24)( 8' 47 k!l)

90k.U 1
v Rc ' 2,2k!l
---(1-----,0 = 12,47
C2
+
V;o
l;
li>. )t----+------.,..,.·
C1
-
= 210, r0 = 50 k.U

J_ 70 V,,
EXEMPLOB.6
Repita o Exemplo 8.5 com CE no lugar.
JCE
10:kil

Solução
(a) A análise de é a mesma e re = 19,64 O.
(b) zb = f3re = (210)(19,64,0) = 4,12 k!l
Fig. 8.14 Exemplo 8.5. Z; = RBIIZb = 9 k!lll4,12 kO
= 2,83k0
(e) Z0 = Rc = 2,2k0
Solução Rc 2,2k0
(d) Av = --;; = 19,64 kO
(a) Testando {3RE > 10R2
= -112,02 (um aumento significativo)
(210)(0,68 kO) > 10(10 kO)
(e) A- = -A -Z; = -(-112 02) (2,83 kfi)
142,8 kO > 100 kO satisfeita ' VRL ' 2,2k0
R2 IOkO = 144,1
VB = R, + R2 Vcc = 90k!l + IOk!l (16 V)= 1,6 V
VE = V8 - VaE = 1,6 V - 0,7 V = 0,9 V
Uma outra variação da configuração com polarização no
= VE = 0,9V = 324mA emissor aparece na Fig. 8.16. Para análise de, a resistência do
/E RE 0,68 kfi l, emissor é RE, + RE2 , enquanto para a análise ac o resistor RE
r = 26mV = 26mV = 19640 nas equações acima é simplesmente RE, e RE2 , desviado por
e /E 1,324 mA ' CE.
244 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Vcc
+

C1 V;
\'; o-)1----~
-..
I;

~
Z;

Fig. 8.18 Substituindo o circuito r, equivalente no circuito ac equivalente da Fig.

8.17.

Fig, 8.16 Uma configuração com polarização no emissor com uma parte da re-
sistência de polarização no emissor desviada no domínio ac. padrão. O efeito resultante é quase o mesmo que o obtido com
um transformador, onde uma carga é casada com a impedância
da fonte para máxima transferência de potência através do siste-
ma.
8.5 CONFIGURAÇÃO Substituindo o circuito r, equivalente no circuito da Fig. 8.17,
SEGUIDOR-DE-EMISSOR resultará o circuito da Fig. 8.18. O efeito de r 0 será examinado
mais tarde nesta seção.
Quando a saída é tomada do terminal emissor do transistor, como Z;: A impedância de entrada é determinada da mesma manei-
mostrado na Fig. 8.17, o circuito é chamado de seguidor-de- ra que a descrita na seção anterior:
emissor. A tensão de saída é sempre levemente menor que o sinal
de entrada, devido à queda de tensão entre base e emissor, mas (8.37)
em geral a aproximação A. = 1 é adequada. Diferente da tensão
de coletor, a tensão de emissor está em fase com o sinal V;, Isto com (8.38)
é, ambos, V0 e V;, atingem seus valores de pico positivo e negativo
ao mesmo tempo. O fato de V0 "seguir" a amplitude de V; com a ou (8.39)
mesma fase contribui para a terminologia seguidor-de-emissor.
A configuração seguidor-de-emissor mais comum aparece na e (8.40)
Fig. 8.17. Na verdade, como o coletor está aterrado para a análi-
se ac, é na realidade uma configuração coletor-comum. Outras Z 0 : A impedância de saída é mais bem descrita, escrevendo
variações da Fig. 8.17 que coletam o sinal de saída no emissor primeiro a equação para a corrente Ih:
com V0 = V; serão apresentadas mais tarde nesta seção.
A configuração seguidor-de-emissor é freqüentemente usada I b- -V;
-
para fins de casamento de impedâncias. Ela apresenta uma alta zb
impedância na entrada e uma baixa impedância na saída. sendo
o oposto do comportamento da configuração com polarização fixa e então multiplicando por (/3 + 1) para encontrar 1,. Isto é,
V.
fe = (/3+ l)h = (/3+ 1)-'
Vcc
zb
Substituindo por Zb, temos
(/3 + l)V;
I =-------
e e f3re + (/3 + l)RE
I;
_.,. B V;
V; o--)t---+-<o--, ou /e= -[{3-r-el-({3-+-'-l)_]_+_R_E_
C1
mas (/3 + 1) =/3
e

tal que (8.41)

Fig. 8.17 Configuração seguidor-de-emissor.
 Análise do TBJ para Pequenos Sinais 245

Relação de fase: Como mostrado pela Eq. (8.44) e por dis-

~-~-.---,-1--o Vº cussões anteriores desta seção, V0 e V; estão em fase para a con-
t . figuração seguidor-de-emissor.
Efeito de r 0 :
Z,:

Fig. 8.19 Definindo a impedância de saída para a configuração seguidor-de-emis- (8.48)

sor.

Se construirmos agora o circuito definido pela Eq. (8.34), a Se a condição r0 ~ lORE for satisfeita,
configuração da Fig. 8.19 será obtida.
Para determinar Z0 , V; é fixado em zero e
zb = f3re + (/3 + l)RE
que está de acordo com os resultados anteriores com
(8.42)
(8.49)
Como RE é, tipicamente, muito maior que r., a seguinte aproxi-
mação é, via de regra, aplicada:

(8.43)
(8.50)
A,: A Fig. 8.19 pode ser utilizada para determinar o ganho de
tensão pela aplicação da regra do divisor de tensão: Usando f3 + 1 = {3,
REV.
V = '
o RE + re e uma vez que r0 ;1>- r.,

(8.51)
e (8.44)

Já que, em geral, RE é muito maior que r., RE + r. = RE e

(8.45) (8.52)

A1: Da Fig. 8.18,

Se a condição r0 ~ lORE for satisfeita e usarmos a aproximação
h=---
RBI; /3 + 1 {3,=
RB + zb A = f3RE
lb RB v- zb
ou -=---
I; + zb RB Mas Zb =b (re + R,::J
e 10 = -le = -({3 + l)h

ou -lo = -((3 + 1) tal que

lb

tal que
A-= lo = lo lb e
' I; lb I; (8.53)

e desde que (/3 + 1) ={3,

EXEMPLOB.7
Para o circuito seguidor de emissor da Fig. 8.20, determine:
(8.46) (a) r.-
(b) Z;.
(c) Z0 •
ou (8.47) (d) A.,.
(e) A;.
246 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

12V (100 + 1)3,3 kO.

= (100)(12,61 0.) + 3 3 kO.
1+-'--
25k!l
220141 = 1,261 k!l + 294,43 k!l
IOµF = 295,7k!l
V; o--------)1----+-----...a
-+-- com Z; = RBIIZh = 220 k0.11295,7 kO.
1; = 126,15 kfi vs. 132,72 kO. obtido anteriormente
Z0 = REIIT,, = 12,56 O como obtido anteriormente
A = (/3 + l)RE/Zb = (100 + 1)(3,3 k0)/295,7 kO.
v [ l + RE] [ l + 3,3 kO. ]
r0 25 kO.

'Ili"
= 0,996 =1
de acordo com o resultado anterior.
Fig. 8.20 Exemplo 8.7.

Em geral, portanto, mesmo quando a condição T0 2 lOREnão

(f) Repita as letras (b) até (e) com r0 = 25 kO e compare os resultados.
for satisfeita, os resultados obtidos para Z e A. são os mesmos,
0

sendo Z; ligeiramente menor. Os resultados sugerem que para

Solução
grande parte das aplicações os resultados reais podem ser bem
aproximados ignorando-se os efeitos de TO para esta configuração.
( ) I Vcc - VBE
O circuito da Fig. 8.21 é uma variação do circuito da Fig. 8.17,
ª 8 = RB + (/3 + 1)RE o qual emprega uma seção de entrada com divisor de tensão para
12 V - 0,7 V estabelecer as condições de polarização. As equações (8.37) até
- - - - - - - - 20 42 µA
220 kO. + (101)3,3 kO. - ' (8.47) são diferentes apenas pela substituição de R. por R' = R1jjR2•
O circuito da Fig. 8.22 também terá as características de entrada
/E= (/3 + 1)/B
e saída de um seguidor-de-emissor, porém inclui um resistor no
= (101)(20,42 µ,A)= 2,062 rnA coletor Rc. Neste caso, R. é novamente substituído pela combinação
26mV 26mV em paralelo de R, e R2 • A impedância de entrada Z; e a impedância
Te= /E 2,062 rnA = 12,61 {l de saída Z0 não são afetadas por Rc, pois ele não é refletido para os
(b) zb = f3re + (/3 + l)RE circuitos equivalentes da base ou emissor. Na verdade, o único efeito
de Rc será na determinação do ponto Q de operação.
= (100)(12,61 0.) + (101)(3,3 kO.)
= 1,261 kO. + 333,3 kO.
= 334,56 kO. = f3RE 8.6 CONFIGURAÇÃO BASE-COMUM
Z; = RBIIZb = 220 k0.11334,56 kO.
A configuração base-comum é caracterizada por ter uma impe-
= 132,72 kO dância de entrada relativamente baixa, uma impedância de saída
(c) Z0 = REllre = 3,3 k0.1112,61 O.
= 12,56 O= r,,
Vº RE 3,3 kO.
(d) Av = - = ---
V; RE + Te 3,3 kO. + 12,61 O.
= 0,996 =1
f3RB (100)(220 kO.)
(e) A;= -2-20_k_0._+_3_3-4,-5-6-k0.- = - 39' 67

versus

A-= -A ~=
-(O 996)( 132 ' 72 kO.) = -40 06
1
RE V ' 3,3 kO. '
(f) Verificando a condição r0 2 lORE.nós temos
25 kO. 2 10(3,3 kO.) = 33 kO.
que não é satisfeita. Portanto,

zb = f3re + (/3 + l)RE

l + RE Fig. 8.21 Configuração seguidor-de-emissor com um arranjo de polarização por
ro divisor de tensão.
 Análise do TBJ para Pequenos Sinais 24 7

Vcc
com

tal que

e (8.56)

A;: Assumindo que Re ~ T,, temos

~
le = I;
z,, e
/ 0 = -ale = -ai;

Fig. 8.22 Configuração seguidor-de-emissor com um resistor Rc no coletor. com (8.57)

Relação de fase: O fato de A. ser um número positivo revela

alta e um ganho de corrente menor que 1. O ganho de tensão,
entretanto, pode ser muito grande. A configuração-padrão apa-
rece na Fig. 8.23 com o modelo T, equivalente para base-comum
substituído na Fig. 8.24. A impedância de saída do transistor T0
não é incluída na configuração base-comum porque seu valor está,
tipicamente, na faixa de megaohm e pode ser ignorada quando
comparada ao resistor Rc em paralelo.
que V0 e V; estão em fase para a configuração base-comum.
Efeito de r 0 : Para a configuração base-comum, T0 = llh0 b está
tipicamente na faixa de megaohm e é suficientemente maior que
a resistência paralela Rc para permitir a aproximação r0 IIRc ~ Rc
EXEMPLOB.8
Para o circuito da Fig. 8.25, determine:

CT
I; I, f,. (a) T.-
--,.... --,.... --,.... (b) Z;.
+ E (c) Z0 •
(d) A •.
--,.... Rc ~ (e) A;.
V; Z;
B
V,, Z0

VEE Vcc _

10 µF 1. 10 µF
--,...
Fig. 8.23 Configuração base-comum. + __,....)
11 t l,, ~
e e Vº
_. 1 k.Q
r 0 =l M.Q
5kQ
\!,
7i
+ --,.... 2V
I; t 10
+
....,._
8V

V; --,.... RE Rc Vº Zo
Z; Fig. 8.25 Exemplo 8.8.

Solução
Fig. 8.24 Substituindo o circuito r, equivalente no circuito ac equivalente da Fig.
8.23.
_ VEE - VBE = 2 V - 0,7 V = 1,3 V = 1 3 mA
(a) 1E - RE 1 kfi 1 kfi '
T = 26mV = 26mV = 200
e [E 1,3 mA
(8.54)
(b) Z; = REllre = 1 kOll20 O
= 19,61 (l ~ Te
Zº:
(c) Z0 = Rc = 5 kO
(8.55) Rc 5 kfi
(d) Av ~ - = - - = 250
Te 20fi
Av:
(e) A; = -0,98 =:a -1
248 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

8.7 CONFIGURAÇÃO COM mas

REALIMENTAÇÃO NO COLETOR
O circuito com realimentação no coletor da Fig. 8.26 emprega e
uma realimentação do coletor para a base a fim de aumentar a
estabilidade do sistema conforme discutido na Seção 4.12. En- Portanto,
tretanto, a simples manobra de conectar um resistor da base para
o coletor, em vez de conectá-lo entre a base e a fonte de, tem um
impacto significativo no nível de dificuldade encontrada ao ana-
lisar o circuito.

Vcc
O resultado é

__..
li

V; -)t--+---o-l ou
C1
e

Fig. 8.26 Configuração com realimentação no coletor.

mas Rc é geralmente muito maior do que r, e 1 + Rc == Rc
r, ,;,
Alguns dos passos realizados abaixo são resultado da experi-
ência de trabalho com tais configurações. Não se espera que um tal que
estudante novato no assunto possa escolher a seqüência de pas-
sos descrita abaixo sem cometer alguns erros em um passo ou
dois. Substituindo o circuito equivalente e redesenhando o cir-
cuito resultará na configuração da Fig. 8.27. Os efeitos da resis-
tência de saída do transistor serão discutidos mais tarde.
ou (8.58)

B -RF + e Z 0 : Se fixarmos V; em zero conforme requerido para definir

__.. Z0 , o circuito terá o aspecto da Fig. 8.28. O efeito de {3r, é remo-
+ I; +
vido e RF aparecerá em paralelo com Rc e
vi __.. fjr, /3/b
Z; (8.59)

A.: No nó C da Fig. 8.27:

Fig. 8.27 Substituindo o circuito r, equivalente no circuito ac equivalente da Fig. lo= {3/b + l'
8.26.
Para valores típicos, {31b ~ I' e 10 == {31b.
Va = -laRc = -({3h)Rc
I' = Vº - Vi
RF
com Vº= -1,,Rc
e lo= f3lb + f' V;= O
Como {31b é normalmente muito maior do que I',
lo== {31b ...
e Vo = -({3h)Rc = -{31,,Rc Fig. 8.28 Definindo Z0 para a configuração com realimentação no coletor.
 Análise do TBJ para Pequenos Sinais 249

Substituindo lb = V//3r,, temos

e (8.60)
ou (8.64)

Ai: Aplicando a lei das tensões de Kirchhoff em tomo da malha

externa do circuito, obtemos como obtido anteriormente.
Z0 : Incluindo r0 em paralelo com Rc na Fig. 8.28 resulta em
V;+ VRF - V0 = O
e lbf3re + (Ib - l;)RF + l 0 Rc = O (8.65)

Usando 10 = /3lb, nós temos

lbf3re + lbRF - f;RF + /3hRc = O
(8.66)
e
Substituindo lb = lj/3 de 10 =f3lb, obtemos como obtido anteriormente. Para a condição usual RF P Rc,
lo
/3(/3re + RF + /3Rc) = l;RF
(8.67)
I = f3RF/i
e A,:
0
f3re + RF + f3Rc
Ignorando f3r, por comparação com RF e f3Rc, temos

(8.61) (8.68)

Para f3Rc P Rp,

ComoRFP r,,

e (8.62)

Relação de fase: O sinal negativo da Eq. (8.60) revela um

deslocamento de fase de 180º entre V0 e V;,
Efeito de r 0 :
Z;: Uma análise completa, sem aproximações, resulta em
(8.69)

(8.63) e uma vez que R/RFé muito menor do que um,

(8.70)

Reconhecendo que 1/RF =Oe aplicando a condição r 0 2:: lORc,

l + Rc como obtido anteriormente.

RF
Z;=-----
1 Rc
-+-- EXEMPLOB.9
f3re RFre
Para o circuito da Fig. 8.29, determine:
mas, tipicamente, R/RF ~ 1e (a) r,.
250 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

9V 1 + 0,013
= 617,7 fi vs. 560,5 !1 acima
1,64 X 10- 3
2.7 kQ Z":
Z 0 = r0 IIRcliRF = 20 kf!ll2,7 küil 180 ki!
..--"".ru------.---1(- -o = 2,35 kfi vs. 2,66 ki1 acima
Í; lO ftF
V; o -li>- ) ___.__ __.
/3 = 200, r;, = = tl
10µ.F

1
Fig. 8.29 Exemplo 8.9.
A"=
l+--
RF
rollRc

1
-[ 180 kn + 11,;1 n J(2, 33 kil)
2.38 ki1
l+---
(b) Z;. (c) Z 0 • (d) Av. (e) A;. 180kü
(f) Repita as letras (b) até (e) com r0 = 20 ki1 e compare os re-
-[5,56 X 10- 6 - 8,92 X 10- 2](2,38 kÜ)
sultados.
1 + 0,013
Solução = -209,56 vs. -240,86 acnna
V - VBE 9V- 0,7V
(a) I B -_ CC _
- --------
A;= -Av-'
z
RF + f3Rc 180 ki1 + (200)2,7 ki1
Rc
11,53 µ,A
=
617.7 n
!E= (/3 + 1)/8 (201)( 11.53 µ,A)= 2,32 mA
= = -(-209 56) .
' 2,7kü
26 mV 26 mV = 47,94 vs. 50 acima
r = -- = = 11 21 O
e 11:. 2.32 mA '
re 11,21 n 11.21 n
(b) Z ; = - - -
1 Rc 1 2,7 ki1 0,005 + 0,015 Para a configuração da Fig. 8.30, as Eqs. (8.71) até (8.74)
-+- -+--- determinarão as variáveis de interesse. As demonstrações são
/3 RF 200 180 ki1 deixadas como exercício no final do capítulo.
11 21 n
= ~. 02 = 5001.21 = 560,s n m Zi:

(c) Z 0 = RcllRF
2,7 ki1ll180 ki1 = 2,66 kfi
=
Rc
(d) A,.= - - = -
27 ki1
= -240,86
(8.71)
r,, 11,21 i1
f3RF (200)(180 kH)
(e) A; = RF + f3Rc 180 kil + (200)(2,7 kfl)
= 50 (8.72)

(f) Z;: A condição r0 ~ 10Rc não é satisfeita. Portanto,

2,7 killl20 ki1

1 + ----'-'---
180 kn
·1 2,7 ki1ll20 ki1
---- + + ---~---
(200)(11,21) 180 ki1 (180 kÜ)(l l ,21 Ül

2.38 kn
l+-·--
180kü
Fig. 8.30 Configuração com realimentação no coletor com um re,istor R,. no emis-
0,45 X 10-:i + 0,006 X 10- 3 + 1.18 X 10- 3 sor.
 Análise do TBJ para Pequenos Sinais 251

l..---·-
-
A.=--
'
·.R~:
.. ·
RE (8.73)
(8.75)

(8.76)

(8.74)

(8.77)

8.8 CONFIGURAÇÃO COM

REALIMENTAÇÃO DC NO
COLETOR
e V0 = -{3lbR'
O circuito da Fig. 8.31 tem um resistor de realimentação de para V.
aumentar a estabilidade. O capacitar C3 desviará parte da resis- mas lb=-'
tência de realimentação para as seções de entrada e saída do cir- f3re
cuito no domínio ac. A porção de RF desviada para o lado da
entrada ou saída será determinada pelos valores de resistência ac e
V = -(3 V; R'
o f3re
de entrada e saída.

tal que (8.78)

Vcc

A.v (8.79)

C1 A;: Para a seção de entrada,

V; o---::--}t---+-------; RF/i
-to--
f;
lb=---- ou
RF, + f3re
e para a seção de saída, usando R' = r 0 II RFi

Fig. 8.31 Configuração com realimentação de no coletor. l = R'/31b ou

10 = R'(3
º R' + Rc lb R' + Rc
O ganho de corrente

Na freqüência ou freqüências de operação, o capacitar será A. = lo = lo . lb

um curto-circuito para a terra, devido a seu nível de baixa impe- ' I; lb I;
dância comparado aos outros elementos do circuito. O circuito
R'/3 RF,
ac equivalente para pequenos sinais terá, então, o aspecto da Fig.
8.32. R' + Rc Rp1 + f3re

+ +

V.,

Fig. 8.32 Substituindo o circuito r, equivalente no

R' circuito ac equivalente da Fig. 8.31.
252 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Solução
e (8.80) _ Vcc-VBE
(a) DC: In-
RF+ f3Rc
12V-0,7V
Como RFi é normalmente muito maior do que f3r,, RFi + {3r, = (120 k!l + 68 k!l) + (140)3 k!l
RFi
= ~/k~ = 18,6 µA
e IE = (/3 + 1)/8 = (141)(18,6 µ,A)
= 2.62mA
r = 26mV 26mV = 9920
tal que (8.81) e /e 2,62mA '
(b) f3re = (140)(9,92 !l) = 1,39 k!l
O circuito ac equivalente aparece na Fig. 8.34.

Z; = RF,llf3re = 120 k!llll,39 k!l

ou (8.82)
=1,37kfi
Relação de fase: O sinal negativo na Eq. (8.78) revela clara- (c) Testando a condição r0 .:: lORc, obtemos que
mente um deslocamento de fase de 180° entre as tensões de en-
trada e saída. 30 k!l.:: 10(3 kfl) = 30 kfl

que é satisfeita pelo sinal de igual na condição. Portanto,

EXEMPLO 8.10
Para o circuito da Fig. 8.33, determine:
(a) r,.
Z0 =RcllRF, = 3 k!lll68 k!l
= 2,87kfi
(b) Z;,
(c) Z0 •
(d) r0 Z: lORc, portanto
(d) A,.
(e) A;.
12V
Av =_RF IIRc 2 = _ 68 k!lll3 k!l
re 9,92 !l
2,87k!l
3 k.Q =- 9,920
=-289,3
l;
v,o__... )--------,.;.·
lOµF
lOµF

- Z,,
/3 = 140, r
0 = 30 kO
(e) Uma vez que a condição RF1

A ; = -/3- - -
1 +-R_c_
;?J>

140
3k!l
f3r, é satisfeita,

1
140
+ 0,14
1+ 30 k!lll68 k!l
rollRF2
140 = 1228
1,14 '
Fig. 8.33 Exemplo 8.10.

+
120k.Q 3k.Q
Fig. 8.34 Substituindo o circuito
r, equivalente no circuito ac equi-
valente da Fig. 8.33.
 Análise do TBJ para Pequenos Sinais 253

8.9 CIRCUITO HÍBRIDO

EQUIVALENTE APROXIMADO
A análise usando o circuito híbrido equivalente aproximado da
Fig. 8.35 para a configuração emissor-comum e da Fig. 8.36 para
a configuração base-comum é muito semelhante àquela já reali-
zada usando o modelo r,. Embora o tempo e as prioridades não
permitam uma análise detalhada de todas as configurações dis-
cutidas até aqui, uma breve visão de algumas mais importantes Fig. 8.38 Substituindo o circuito ln'brido equivalente aproximado no circuito ac
será incluída nesta seção para demonstrar as semelhanças na equivalente da Fig. 8.37.
abordagem e nas equações resultantes.

8.38, usando o modelo híbrido equivalente aproximado para

emissor-comum. Compare as semelhanças com a Fig. 8.3 e na
análise do modelo r,. A comparação sugere que a análise será
muito similar, e os resultados de um podem ser relacionados di-
retamente ao outro.
Zi: Da Fig. 8.38,

(8.83)
Fig. 8.35 Circuito híbrido equivalente aproximado para emissor-comum.
Z 0 : Da Fig. 8.38,

(8.84)

A,,: Usando R' = 1/hoellRc,

V0 = -I0 R' = -IcR'
= -hfelbR'
V.
e h=-'
Fig. 8.36 Circuito híbrido equivalente aproximado para base-comum. h;e

V.
Como os vários parâmetros do modelo lnbrido são especifi- V= -h'fe-
com o h- ' R'
cados pela folha de especificações ou análise experimental, a te

análise ac associada com o uso do modelo r, não pode ser apli-

cada de imediato ao modelo híbrido. Ou seja, quando o proble-
ma é apresentado, os parâmetros como h;., hj,, h;b, e assim por tal que (8.85)
diante, são especificados. Tenha em mente, porém, que os parâ-
metros híbridos e os componentes do modelo r, estão relaciona-
dos pelas seguintes equações discutidas no Cap. 7: h;, = /3,., h1,
Ai"· Assumindo que R. ~ h;, e llh 0 , 2:: 10 Rc, então Ib =I; e / 0

= Ic = h1)b = h1); com

= {3, h0 , = llr0 , hfb = - a, e h;b = r, (olhe o Apêndice A).
(8.86)
Configuração com Polarização Fixa
Para a configuração com polarização fixa da Fig. 8.37, o circui-
to ac equivalente para pequenos sinais aparece conforme a Fig.
EXEMPLO 8.11
Para o circuito da Fig. 8.39, determine:
(a) Z;.
(b) zo.
(c) A,,.
(d) A;.
----11(---~
h C2 -+- Solução
,e Zo
h1, (a) Z; = Rnllh;e = 330 kllll 1,175 kO
Vº = h;e = 1,171 kfi
Fig. 8.37 Configuração (b) r = - 1- = 1 = 50 kfi
com polarização fixa. 0
hoe 20 µ,NV
254 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

330ill (8.90)
(----<> _...,_
Vº
'fe= 120 Zo O efeito de r = l/h é o mesmo daquele encontrado para a con-
0 0,

ie= 1,175 ill figuração com polarização fixa.

hoe= 20 µAN

Configuração com Polarização no Emissor

Não-Desviado
J<'ig. 8.39 Exemplo 8.1 1.
Para a configuração EC com polarização no emissor não-desvi-
ado da Fig. 8.41, o modelo ac para pequenos sinais será o mes-
Z0 = - 1-IIRc = 50 k0.112,7 kO = 2,56 kfi == Rc mo da Fig. 8.11, com f3r. substituído por h;, e f3lb por h1)b. A
h,,e análise se processará exatamente do mesmo modo com
__ h1e(Rcll l!h0 e) (120)(2,7 k0.1150 kO)
(c) A,. - Jz. 1,171 kO
re Vcc
= -262,34
(d) A; == h1,, = 120

Configuração com Divisor de Tensão

Para a configuração polarizada por divisor de tensão da Fig. 8.40, Vi o .. )1------,
o circuito ac equivalente para pequenos sinais resultantes terá o l;
mesmo aspecto da Fig. 8.38 com R. substituído por R' = 2• R,IIR
Vcc

Fig. 8.41 Configuração EC com polarização no emissor não-desviado.

l;
Vi o .. )1----+---l
e,
f l.b = h1eRe i (8.91)

e t~zi = ·. Rallz:l (8.92)

(8.93)
Fig. 8.40 Configuração de polarização por divisor de tensão.
A.:

Av - - hfeRc =- h1.Rc
Z;: Da Fig. 8.38 com R. = R', zb h1eRE

Z 0 : Da Fig. 8.38,
(8.87) e
[A," -z: : (8.94)

(8.88)

A.: (8.95)

(8.89) ou (8.96)
 Análise do TBJ para Pequenos Sinais 255

Configuração Seguidor-de-Emissor
Para o seguidor-de-emissor da Fig. 8.42 o modelo ac para peque-
nos sinais parece com a Fig. 8.18 para f3r. = h;. e f3 = h1•. As +
equações resultantes serão, portanto, muito semelhantes.
Z;:

(8.97)
~-~]
I_zi =RklizJ (8.98) Fig. 8.43 Definindo Z., para a configuração seguidor-de-emissor.

Vcc

(8.101)

ou 8.102)

Configuração Base-Comum
A última configuração a ser examinada com o circuito híbrido
equivalente aproximado será o amplificador base-comum da Fig.
8.44. Substituindo o modelo híbrido equivalente aproximado para
Fig. 8.42 Configuração seguidor-de-emissor.

Z 0 : Para Z0 , o circuito de saída definido pelas equações resul- li

~
tantes aparecerá como mostrado na Fig. 8.43. Reveja o desen-
volvimento das equações na Seção 8.5 e + +
~

V.· Z;

VEE
ou desde que 1 + h1, = h1,,

(8.99) Fig. 8.44 Configuração base-comum.

A,: Para o ganho de tensão, a regra do divisor de tensão pode base-comum, resultará no circuito da Fig. 8.45, a qual é muito
ser aplicada à Fig. 8.43 como segue: semelhante à Fig. 8.24. Da Fig. 8.45,
V = RE(V;) Z;:
0
RE + h;/(1 + h1e)
mas já que 1 + h1, =h 1,,
(8.103)

(8.100)
(8.104)

~
+ l; +
_..
Z;
V; RE

Fig. 8.45 Substituindo o circuito lubrido equivalente apro-

ximado no circuito ac equivalente da Fig. 8.44.
256 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

A,: As configurações restantes das Seções 8.1 até 8.8 que não
foram analisadas nesta seção são deixadas como exercício na
seção de problemas deste capítulo. Supõe-se que a análise acima
V- revela claramente as semelhanças na abordagem, usando os
com I =-' e
e hib modelos r, e lnbrido equivalente aproximado, removendo por esse
meio qualquer dificuldade real com a análise dos circuitos res-
tantes das seções anteriores.
tal que (8.105)

8.10 MODELO HÍBRIDO

EQUIVALENTE
COMPLETO
(8.106)
A análise da Seção 8.9 foi limitada ao circuito híbrido equiva-
lente aproximado com alguma discussão sobre a impedância de
saída. Nesta seção empregamos o circuito equivalente completo
EXEMPLO 8.12 para mostrar o impacto de h, e definir em termos mais específi-
Para o circuito da Fig. 8.46, determine: cos o impacto de h0 • É importante compreender que, como o
(a) Z;. modelo híbrido equivalente apresenta o mesmo aspecto para as
(b) zo. configurações base-comum, emissor-comum e coletor-comum,
as equações desenvolvidas nesta seção podem ser aplicadas para
(c) A,..
(d) A;. quaisquer dessas configurações. Isto é, para a configuração base-
comum, hfb, h;b, e assim por diante, são empregados, enquanto
Solução para a configuração emissor-comum, h1,, h;,, e assim por diante,
são utilizados. Lembre-se que, se são fornecidos os parâmetros
(a) Z; = REllh;b = 2,2 kOll14,3 O= 14,21 fi = h;b para uma configuração, e desejamos aplicá-los em outra, o Apên-
l l dice A mostra como é feita a conversão.
(b) r0 = - = - - - = 2 MO Considere a configuração geral da Fig. 8.47 com os parâme-
h0 b 0,5 µAN
tros de especial interesse para sistemas de duas portas. O mode-
1 lo lnbrido equivalente completo é, então, utilizado na Fig. 8.48,
Z,, = -hIIRc= Rc = 3,Jkfi
ob usando parâmetros que não especificam o tipo de configuração.
Em outras palavras, as soluções serão em termos de h;, h,. h1 e h0 •
(c) Av = -~ = (-0,99)(3,3 kO) = 229 91 Diferente da análise de seções anteriores deste capítulo, o ganho
hib 14,21 ' de corrente será determinado primeiro, já que as equações de-
(d) A;= hfb = -1 senvolvidas nesta análise serão úteis na determinação dos outros
parâmetros.

I;
o li' )
( o
+
_.. tio +
.....,._
Z; 2,2 kn hfb = -0,99 3,3kn
Vi h;b = 14,3 n Vº Zo

4V h b = 0 5 µA/V
0 1 lOV

Fig. 8.46 Exemplo 8.12.

lo
~
_.. + +
I;
.....,._
_.. vi Vº
Zo
RL
Z;
v.

Fig. 8.47 Sistema de duas portas.

 Anãlise do TBJ para Pequenos Sinais 257

I;
---+-
+
-----<+C>----:;i l,,

---+- \'j
Z;
\!,

Fig. 8.48 Substituindo o circuito híbrido equivalente completo no sistema de duas portas da Fig. 8.47.

Ganho de Corrente, Ai =I/Ii Substituindo V0 = -l 0 RL

Aplicando a lei das correntes de Kirchhoff ao circuito de saída,

nós temos V; = h;l; - h,RLlo
temos

Uma vez que A-= lo

, l;
Substituindo V0 = - lfil, obtemos
lo = h1l; - h0Ra0
10 = A;l;
tal que a equação acima toma-se
Reescrevendo a equação acima, temos
V;= h;l; - hrRLA;l;
10 + h0 RLlo = hfli
e Resolvendo para a relação V/1;, obtemos
10 (1 + h0RL} = hfli
V-
z., = ___.!_
l; = h-, - h r RLA·,
tal que (8.107)
e substituindo

Note que o ganho de corrente será reduzido para o resultado usual

de A; = h1 se o fator hfil for suficientemente pequeno quando
comparado a 1.

Ganho de Tensão, Av = V/Vi resulta (8.109)

Aplicando a lei das tensões de Kirchhoff ao circuito de entrada, A forma usual de Z; = h; será obtida se o segundo fator for sufi-
resulta em cientemente menor que o primeiro.
V;= I;h; + h,V 0

Substituindo I; = (1 + hfi,)ljh1 da Eq. (8.87) e 10 = -VjRl do Impedância de Saída, Z0 =V/I 0

resultado acima resulta em

A impedância de saída de um amplificador é definida pela razão
v:. = -(1 + h Rdh; V. + h V.
0 da tensão de saída pela corrente de saída com o sinal V. fixado
• htRL o r o em zero. Para o circuito de entrada, v. = O,
Resolvendo para a relação V )V; temos /. = -h,V0
, Rs + h;
(8.108) Substituindo esta relação na equação seguinte obtida do circuito
de saída, temos

Neste caso, a forma usual de Av = -h/(lh; retomará se o fator

(h;h 0 - h,h,)Rl for suficientemente pequeno comparado a h;.

Impedância de Entrada, Zi = V/li

Para o circuito de entrada, e (8.110)
V; = h;l; +hV 7 0
258 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Neste caso, a impedância de saída é reduzida à forma usual Z0 = introduzido e o circuito redesenhado, conforme mostrado na Fig.
1/ho para o transistor, quando o segundo fator no denominador 8.50. O circuito equivalente de Thévenin para a seção de entrada
for suficientemente menor que o primeiro.· da Fig. 8.50 resultará na entrada equivalente da Fig. 8.51 uma
vez que Efh = Vs e RTh = Rs = lk!1 (RB = 470k!1 é muito maior
que Rs = lk!1). Neste exemplo, R, = Rc e / 0 é definido como a
corrente através de Rc, como nos exemplos anteriores deste ca-
EXEMPLO 8.13 pítulo. A impedância de saída Z0 conforme definida pela Eq.
Para o circuito da Fig. 8.49, determine os seguintes parâmetros, (8.110) é apenas para os terminais de saída do transistor. Ela não
usando o modelo híbrido equivalente completo e compare com inclui os efeitos de Rc. Z' 0 é simplesmente a combinação em pa-
os resultados obtidos usando o modelo aproximado. ralelo de Z0 e R,. A configuração resultante da Fig. 8.51 é, então,
(a) Z;e Z';. uma cópia exata do circuito da Fig. 8.48 e as equações deduzi-
(b) Av. das acima podem ser aplicadas.
(c) A;= ljl; eA'; = Ijl';,
(d) Zo (com Rc) e V.
(a) Eq. (8.109): Z; = ___!.. = h;e
Z' 0 (incluindo Rc). f; 1 + h0 eRL
= l 6 k!1 _ (110)(2 X 10- 4 )(4,7 kil)
Solução
' 1 + (20 µ,S)(4,7 kil)
Agora que as equações básicas para cada quantidade foram de- = 1,6 kn- 94,52 n
duzidas, a ordem na qual elas são calculadas é arbitrária. Entre- = 1,51 kO
tanto, a impedância de entrada é freqüentemente uma quantida- versus 1,6k !1 usando apenas h;,·
de útil para se conhecer e, portanto, será calculada primeiro. O
circuito híbrido equivalente completo para errüssor-comum foi z; = 470 k!1IIZ; =Z; = 1,51 kO

8V

470k0

_,... V,
. Z/

Q: 11e =110, hie = 116 kQ, h,e =2 X 10-4, hoe =20 ~

Fig. 8.49 Exemplo 8.13.

/.' J.
....-
lo
~ ~
..... .....z·
Zo o
+

V; 470k0 417k0 v,,

V,

Thévenin

Fig. 8.50 Substituindo o circuito híbrido equivalente completo no circuito ac equivalente da Fig. 8.49.
 Análise do TBJ para Pequenos Sinais 259

_ Fig. 8.51 Reestruturan-

---------o do a seção de entrada da
Fig. 8.50 com circuito
equivalente de Thévenin.

(b) Eq. (8.108): 1

11,54µS
A = _V_o = -hieRL = 86,66 kO
v V; h1e + (h;ehoe
- ~ehre}RL o qual é maior que o valor determinado de l/h0 • = 50 kfi.
-(110)(4,7 kfi) Z~ = RcliZ 0 = 4,7 kfiil86,66 kfi = 4,46 k.0
1,6 kfi + [(1,6 kfi)(20 µS)-(110)(2 X 10- 4)]4,7 kfi
versus 4, 7 kfi usando somente Rc-
-517 X 103 fi
=------------
1,6 k.O + (0,032 - 0,022)4,7 kfi
-517 X 103 fi Note, dos resultados acima, que as soluções aproximadas para
= Av e Z; foram muito próximas àquelas calculadas com o modelo
1,6k.O + 47 n
equivalente completo. De fato, até A . teve uma diferença de me-
= -313,9 nos de 10%. O valor maior de Z 0 somente contribui para a nossa
versus -323,125 usando Av ~ -h1,,R/hi,· conclusão anterior de que 'Z<J é normalmente tão alto que pode
ser ignorado quando comparado com a carga aplicada. Entretan-
10 h_re to, saiba que, quando há a necessidade de se determinar os efei-
(c) Eq. (8.107): A1 = - =-~ - tos de hre e hoe, o modelo lnbrido equivalente completo deve ser
l; 1 + hoeRL usado como descrito acima.
110
A folha de especificações para um transistor particular forne-
1 + (20 µ5)(4,7 kfi) ce, tipicamente, os parâmetros para a configuração emissor-co-
110 mum como pode ser visto na Fig. 7.28. O próximo exemplo
l + 0,094 = 100,55 empregará os mesmos parâmetros do transistor que aparecem na
Fig. 8.49, em uma configuração pnp base-comum com o intuito
versus 110 usando apenas h1•. Já que 470 kfi ~ Zi, I'; ~ I; eA'; ~ de introduzir os procedimentos de conversão de parâmetros e
100,55 da mesma forma. enfatizar o fato de que o modelo híbrido equivalente mantém a
(d) Eq. (8.110):
mesma forma geral.

zº = -Vº/ =--------
hoe - [hjeh,,/(h;e + R,)] EXEMPLO 8.14
0

1 Para o amplificador base-comum da Fig. 8.52, determine os se-

- 20 µ.S-[(110)(2 X10- 4)/(l,6kfi + 1 kfi)] guintes parâmetros usando o modelo híbrido equivalente com-
pleto e compare com os resultados obtidos usando o modelo
=------ aproximado.
20 µS - 8,46 µS (a) zi e Z';.

h;, = 1,6 kO h1, = 110

h,, =2 X 10-4 hoe =20 µS
r-------..--1--u(-----<o
+

,.._.
z·o
12V

Fig. 8.52 Exemplo 8.14.

260 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

(b) A;eA';· /0 hfo

(c) A,,. (b) Eq. (8.107): A;= - = - ~ -
!; 1 + h0 bRL
(d) Z 0 e Z' 0 •
-0,991
Solução
=--------
1 + (0,18 µ,S)(2,2 kO)
= -0,991 = hfb
Os parâmetros híbridos para base-comum são deduzidos dos
parâmetros para emissor-comum usando as equações aproxima- Como 3 kil ~ Z;, I'; == I; e A';= ljl'; == -1 também.
das do Apêndice A:
(e) Eq. (8.108): Av = -Vo = ----=--=---- -hfbRL
h;b + (hibhob - hfbhm)RL
h- == h /e = 1'6 kil =14410
,b-l+h
V;
'fe 1 + 110 ' -(-0,991)(2,2 kil)
=----------'---'-'----'----:----
14,4lil+[(l4,41il)(0,18µ,S)·-(-0,991)(0,883Xl0-4)]2,2k0
Observe como este valor está próximo ao valor determinado por
~ 149,25
h- = r = h;e = l,6kil = 14550
1b e /3 llO , versus 151,3 usandoAv = -hp,RJh;b•
(d) Eq. (8.110):
h == h;ehoe _ h = (1,6 kil)(20 µ,S) _ 2 X 10 _4
rb 1 + h'fe re 1 + 110
z= l
0
hob-[hfbhr1,l(h;b + R.)]
= 0,883 X 10-4 1
-110
=-------------,---------
0,18 µ,S - ((-0,991)(0,883 X 10-4)/(14,410 + 0,75 kfi)]
h'fb -= -hre
1 + 110 = -0,991 1
1 + hfe =---
0,295 µ,S
hoe = 20 µ,S = O lS •• e;! = 3,39MO
hob == 1 + hfe 1 + 110 ' I""'
versus 5,56Mil usando Z0 == l/h0 b. Para Z 10 , conforme definido
Substituindo o circuito híbrido equivalente para base-comum pela Fig. 8.53:
no circuito da Fig. 8.52 resultará, então, no circuito equivalente
para pequenos sinais da Fig. 8.53. O circuito de Thévenin para o Z~ = RcllZ
0 = 2,2 killl3,39 Mil = 2,199 kfl
circuito de entrada resultará em RTo = 3 kil 111 kil = 0,75 kil versus 2,2 kil usando Z' 0 == Rc.
para R, na equação de Z 0 •

(a) Eq. (8.109):

8.11 QUADRO RESUMO
zi = V; = h;b - hfohroRL
I; 1 + hobRL Agora que as configurações mais comumente utilizadas dos
= 1441 Q _ (-0,991)(0,883 X 10- 4)(2,2kil) amplificadores a transistor para pequenos sinais foram introdu-
' 1 + (0,18 µ,S)(2,2 kil) zidas, o Quadro 8.1 é apresentado resumindo as características
gerais de cada um. Deve ficar absolutamente claro que os valo-
= 14,41 n + 0,19 n res listados são valores típicos, e estabelecem apenas uma base
= 14,600 para comparação. Os níveis obtidos numa análise real serão muito
versus 14,41 kil, usando Z; == h;b· provavelmente diferentes, e na certa o serão de uma configura-
ção para outra. Ser capaz de recordar as várias informações dos
Zf = 3 killlZ; == Z; = 14,60 O quadros é um passo inicial importante para o desenvolvimento

l' /.
-4-- ~ e
..,._ +
z·o
V,
v.

b
Thévenin

Fig. 8.53 Equivalente para pequenos sinais do circuito da Fig. 8.52.

 Análise do TBJ para Pequenos Sinais 261

QUADRO 8.1 Valores Relativos para os Parâmetros Importantes dos Amplificadores EC, BC e CC Transistor
Configuração z. Av A,

Polarização fixa Média(l kO) Média(2k0) Alta (-200) Alta (100)

~----ovcc
Rc

(r0 ~ lORc,
Re ?e 1O,Br.)

Polarização por Média(l kO) Média(2k0) Alta(-200) Alta (50)

divisor de
tensão Ri

-
=
R2
CE
(r0 ~ lORc)

(r0 ~ 10Rc)
- (ro i2: lORc)

Polarização com Vcc Alta (100 kO) Média(2k0) Baixa (-5) Alta (50)
emissor não-
desviado RB

zb - .B(r. + RE) Qualquer valor

-1--, ('','l'"···.,w ,,

(RE>> r,)
de r 0 )

-(RE>> re)

Seguidor-de- Alta (100 kO) Baixa (20 kO) Baixa(= 1) Alta(-50)

emissor Vcc
RB

zb e, {:J(r, + RE)
-~ -
-J~~1 (RE>> ,.) =~
--;;,,:\:
(RE >> r.)

Base-comum
Baixa (20 kO) Média(2k0) Alta (200) Baixa (-1)

Rc
Vcc
-~ ·;.,.. '
- a,

(RE >> r,)

Realimentação no coletor Média(l kO) Média(2k0) Alta (-200) Alta (50)

-
(r., .2: lORc) -
(r0 .2: lORc)
(r0 i2: lORc
RF>> Rc)
-
262 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
de uma familiarização geral com o problema em questão. Por
exemplo, alguém seria capaz, agora, de afirmar com certa segu-
rança que a configuração seguidor-de-emissor tem, tipicamente,
uma alta impedância de entrada, baixa impedância de saída e um
ganho de tensão pouco menor que 1. Não haveria necessidade
de realizar uma série de cálculos para recordar estas característi-
cas relevantes. No futuro, isto permitirá o estudo de um circuito
ou sistema sem envolvimento matemático. A função de cada
componente do projeto se tomará cada vez mais familiar quan-
do estas propriedades acima descritas se tomarem parte de sua
formação.
Uma vantagem óbvia de ser capaz de lembrar de tais propri-
edades é a possibilidade de conferir os resultados de uma análise
matemática. Se a impedância de entrada de uma configuração em
base-comum está na faixa de kiloohm, há um bom motivo para
conferir a análise. Por outro lado, um resultado de 220 sugere
que a análise pode estar correta.
8.12 VEE.IFICAÇÃO DE DEFEITOS
Embora a terminologia verificação de defeitos sugira que os pro-
cedimentos a serem descritos são úteis simplesmente para isolar
um mau funcionamento, é importante compreender que as mes-
mas técnicas podem ser aplicadas para assegurar que um siste-
ma está funcionando apropriadamente. Em qualquer caso, o tes-
te, conferência ou procedimento de isolar defeitos requerem um
entendimento do que se espera encontrar em vários pontos do
circuito em ambos os domínios de e ac. Em muitos casos, um
circuito operando corretamente no modo de também funcionará
apropriadamente no domínio ac. Por sua vez, um circuito forne-
cendo uma resposta ac esperada está, muito provavelmente, po-
larizado como planejado. Num ambiente típico de laboratório,
ambas as fontes de e ac são aplicadas, e a resposta ac em vários
pontos no circuito é conferida com um osciloscópio como mos-
Vcc
'I>;
..........
.... ..... .... ....
Linha de terra
Fig. 8.54 Usando o osciloscópio para medir e mostrar várias tensões de um amplificador TBJ.
trado na Fig. 8.54. Note que a ponta preta (terra) do osciloscópio
está conectada diretamente à terra, e a ponta vermelha é movida
de ponto em ponto no circuito, fornecendo os diagramas que
aparecem na Fig. 8.54. Os canais verticais são fixados no modo
ac para removerem qualquer componente de associado com a
tensão em um ponto particular. O pequeno sinal ac aplicado na
base é amplificado para o nível que aparece do coletor para a terra.
Note a diferença nas escalas verticais para as duas tensões. Não
há resposta ac no terminal emissor devido ao curto-circuito pro-
vocado pelo capacitor na freqüência aplicada. O fato de vO ser
medido em volts e v; em milivolts sugere um ganho considerável
para o amplificador. Em princípio, o circuito parece estar ope-
rando corretamente. Se desejado, o modo de do multímetro po-
deria ser usado para conferir V.e e os níveis de v., Vce, e Ve para
rever se eles residem na feixa esperada. Certamente, o oscilos-
cópio também pode ser usado para comparar níveis.
É desnecessário dizer que uma resposta ac incorreta pode ser
devida a várias razões. Na verdade, pode haver mais de um tipo
de problema num mesmo sistema. Felizmente, porém, com tem-
po e experiência, a probabilidade de mau funcionamento em cada
área pode ser prevista, e uma pessoa experiente pode isolar áreas
com problemas muito rapidamente.
Em geral, não há nada misterioso no processo geral de verifi-
car defeitos. Se você decidir seguir a resposta ac, é um bom pro-
cedimento começar com o sinal aplicado e prosseguir através do
circuito em direção à carga, conferindo pontos críticos ao longo
do caminho. Uma resposta indesejada em algum ponto sugere que
o circuito está com problemas nessa área, definindo, portanto, a
região que deve ser investigada depois. A forma de onda obtida
no osciloscópio certamente ajudará a definir os possíveis proble-
mas com o circuito.
Se a resposta para o circuito da Fig. 8.54 está como mostra a
Fig. 8.55, o circuito apresenta um mau funcionamento que está,
provavelmente, na região do emissor. Uma resposta ac através
do emissor não é esperada, e o ganho do sistema como mostra v0
.... ....
....._..:::.::::.---_
.......
-- ---
(Chave AC-GND-DC ligada em AC)

Vcc
é-------111-(- - - o U0
U·1
/
J:::.___
o1 ...,. ...,.,
Fig. 8.55 Formas de onda resultantes de um mau funcionamento na área de emissor.
é muito baixo. Lembre, para esta configuração, que o ganho é
muito maior se Reestiver desviado. A resposta obtida sugere que
R6 não está desviado pelo capacitor, e as conexões do terminal
do capacitor e o capacitor em si deveriam ser conferidos. Neste
caso, uma conferência dos níveis de provavelmente não isolará
a área do problema, uma vez que o capacitor tem "circuito-aber-
to" equivalente para de. Em geral, um conhecimento anterior do
que esperar, uma familiaridade com a instrumentação e, mais
importante, experiência, são todos os fatores que contribuem para
o desenvolvimento de uma abordagem efetiva na arte de verifi-
car defeitos.
8.13 ANÁLISE POR
COMPUTADOR
A análise de um amplificador TBJ para pequenos sinais pode ser
realizada usando programas como PSpice ou uma linguagem,
como por exemplo o BASIC. Ambos serão empregados na aná-
lise da mesma configuração com polarização por divisor de ten-
são, com o intuito de permitir uma comparação de métodos. O
programa PSpice (versão DOS e Windows) é bem apropriado
para analisar circuitos a transistor, usando um modelo Gummel-
Poon enriquecido, descrito em detalhes no manual PSpice. Se os
parâmetros específicos deste capítulo não são especificados, o
modelo toma o aspecto do modelo r. empregado neste livro. O
uso de uma linguagem como BASIC requer que as várias equa-
ções desenvolvidas neste livro sejam aplicadas numa ordem es-
pecífica para se obter o que se deseja. Na realidade, a mesma
seqüência de passos usada para analisar o circuito à mão (com
calculadora) seria a orientação geral para um programa em BA-
SIC. Certamente, o uso de BASIC dá a oportunidade para o usu-
ário definir a forma e o tipo de saída para uma análise, enquanto
PSpice é limitado a uma lista específica de quantidades de saída.
Em geral, entretanto, a lista do PSpice é extensa o suficiente para
muitas investigações. A análise será primeiro descrita usando
PSpice seguida pelo uso da linguagem BASIC.
Análise do TBJ para Pequenos Sinais 263
e, / u.(V)
PSpice (Versão DOS)
A lista de parâmetros que pode ser especificada para o modelo
PSpice é tão extensa (40 no total) que limitaremos nossa aten-
ção àqueles parâmetros necessários para realizar o tipo de aná-
lise coberta neste capítulo. Quando parâmetros adicionais fo-
rem requeridos nos capítulos seguintes, eles serão definidos com
os mesmos detalhes. Não deve haver a preocupação de se es-
pecificar todos os parâmetros. Se um determinado parâmetro
for exigido para realizar a análise PSpice, mas não é especifi-
cado, o pacote de programas empregará um valor-padrão típi-
co para o dispositivo sob investigação. Cada um dos parâme-
tros necessita ser especificado somente se exigido pela comple-
xidade da análise ou projeto. O objetivo principal dessa seção
é fornecer uma introdução ao uso de modelos, e isto será tão
claro e ordenado quanto possível. Quando sua habilidade au-
mentar, o manual PSpice e uma lista crescente de publicações
estão disponíveis comercialmente para amplos detalhes e ins-
truções adicionais.
Em geral, uma vez definidos os nós do circuito e incluída a
estrutura básica (resistores, capacitores, fontes, etc) no arquivo
de entrada, duas linhas apenas são necessárias para descrever o
transistor. A primeira é a linha de elementos que tem o seguinte
formato:
,_..--,
QXISTOR
--
9
J nome nó do
8 7 QMODEL
requerido nó da no'do nome do
coletor base emissor mod~lo do
· - transistor a
ser definido
pela linha de
modelo abaixo
Outros parâmetros podem ser definidos nesta linha, mas eles estão
além das necessidades deste livro e podem ser consultados no
manual do PSpice.
264 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
A próxima linha necessária para definir o transistor é a linha
de modelo, a qual tem o seguinte formato básico:
.MODEL QMODEL NPN (BF = 90, IS= 5E-15)
'-,,---'
requerido nome do tipo de parâmetros de
modelo transistor especificação
especificado do transistor
na linha de
elementos
As linhas acima permitem a especificação de parâmetros parti-
culares do modelo (uma lista que pode incluir 40 parâmetros).
BF entenda-se por beta ideal máximo direto (neste caso, {3 = 90).
Seu valor-padrão é 100, mostrando que, se o parâmetro não for
especificado, como acima, o programa "usará" um valor de 100.
No modelo, a corrente reversa de saturação tem um impacto
importante nas características gerais do modelo. Seu valor-pa-
drão é lE-16 ou 0,0001 pA. Mudando o nível de/, mudará o
nível de importantes tensões e correntes no projeto, tais como
VsE para a análise de, e Ic para a análise ac. Como BsE foi fixado
em 0,7 V para a análise de neste livro, um nível de 5 X 10- 15 A
foi escolhido para /,, já que o nível resultante de VsE é geral-
mente muito próximo de O, 7 V para a faixa de níveis de corren-
te esperadas pela análise do TBJ para pequenos sinais. Em ou-
tras palavras, o PSpice não permite a especificação do nível de
VsE para a análise de, porém simplesmente usa a corrente de sa-
turação e uma série de equações importantes para determinar o
nível resultante de VsE· Por esta razão, V8 Eraras vezes será exata-
mente 0,7 V, mas estará pouco acima ou abaixo deste valor.
Considere o nível O, 7 V como sendo uma média dos níveis espe-
rados, utilizando-se o PSpice se I, for especificado como sendo
5 X 10- 15 A.
Nós estamos, agora, prontos para aplicar o PSpice ao circuito
com divisor de tensão da Fig. 8.9 (Exemplo 8.2). O circuito é
redesenhado na Fig. 8.56 com os nós definidos para a análise.
Como algumas quantidades específicas, tais como Av e A;, não
são parte da lista de opções de saída em PSpice, aplicaremos um
sinal de 1 mV e calcularemos o ganho usando o nível de saída.
R1
8J e [TI
+~µF
V,= 1 mVLOº R2
Fig. 8.56 Definindo os nós para a análise PSpice da configuração com divisor de tensão.
Agora, as primeiras oito linhas do arquivo de entrada da Fig.
8.57 devem ser bem familiares e inteligíveis. O transistor é defi-
nido, então, nas próximas duas linhas, com QMODEL sendo o
nome do modelo do transistor. Note, na linha de modelo, que beta
é especificado como 90. Nenhum valor de IS foi especificado para
demonstrar o efeito nos resultados de saída. A segunda execu-
ção do programa incluirá os níveis sugeridos de IS para fins de
comparação. O comando .PRINT pede tanto a amplitude quanto
o ângulo de fase para a tensão de saída do coletor para a terra.
Conforme requerido pela fonte ac, a freqüência de 1O kHz foi
escolhida para a execução. O único efeito real da freqüência apli-
cada será nos elementos capacitivos e na consideração de cur-
tos-circuitos equivalentes para a análise ac.
Uma vez introduzido o arquivo de entrada, o programa PSpice
é executado e uma lista de parâmetros do modelo TBJ é mostra-
da. Note que {3 (BF) é 90 e I, (IS) é o valor-padrão de 1 X 10-4
pA. NF (coeficiente de emissão direta de corrente), BR (beta ideal
máximo reverso) e NR (coeficiente de emissão reversa de cor-
rente) tomam o valor padrão de 1. As últimas três quantidades
definem o funcionamento do modelo em um formato que está
além das necessidades deste livro e terá um impacto mínimo na
análise ac de corrente para pequenos sinais.
O PSpice é levado a fazer uma análise de do circuito automa-
ticamente. Os resultados são:
v. = VE = 1,9285 V
V2 = VB = 2,7089 V
V3 = Vc = 13,354 V
V4 = Vgnd(paradc) = O V
V5 = Vcc = 22 V
O arquivo de saída fornece, então, a fonte de corrente para Vcc
com o nível de da fonte ac V, em 0,0 A. A potência de total dis-
sipada pelos resistores e transistor é 35,6 mW.
Vários outros níveis de são então fornecidos pelo circuito,
como Is= 14,1 µA, Ic = 1,27 mA (comparado a 1,41 mA no
l]J Vcc =22V
56kQ
Vº
B
/3=90
[TI
s,2kn
CE=20 µF
 Análise do TBJ para Pequenos Sinais 265

Voltage-oivider Bias - Configuration of Fig. 8,56(IS default value}

**** CIRCUIT OESCRIPTION

VCC O DC 22V
RB1 2 561<
RB2 2 O 8.2K
RE l O 1.51<
RC S 3 6.8K
4 2 10UF
CE 1 O 20UF
VS 4 O AC 1MV O
3 2 1 QMODEL
QMODEL NPN(BF•90)
.OP
.AC LIN 1 lOKH 10KH
,PRINT AC VM(3,0) VP(J,O)
.OPTIONS NOPAGE
.END
**** BJT MODEL PARAMETERS
QMOOEL
NPN
IS 100.0000001-18
BF 90
NF l
BR l
NR 1

**** SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION TEMPERA'l'URB .000 l>EG e

HOOE VOLT ME NOOE VOt,TAGE NOOE VOLTME NODB
( l) 1. 9285 ( 2) 2. 70.39 ( 3) 13.3540 ( 4)
{ 5) 22.0000

VOLTAGB SOURCE CURRENTS

NAME CURRINT
vcc -1. 616E-Ol
vs O.OOOE+OO
TOTAL POWER OISSIPATION 3,568-02 WATTS

**** OPERATING POINT INFORMATION

**** BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS
NAME Ql
MODBL QMOOEL
IB 1. 41!,..05
IC l 212-03
VBE 7.SOE-01
vac -1. 06E+Ol
VCE l.14E+Ol
BETADC 9.00E+Ol
GM 4 92E-02
RPI l, 83E+OJ
RX O,OOE+OO
no l. OOE+l2
CBE O.OOE+OO
CBC O.OOE+OO
cax O.OOE+OO
CJS O.OOE+OO
BETAAC 9,00E+Ol
FT 7.82E+l7

**** AC ANALY$IS 27

Fig. 8.57 Análise PSpice da configuração com divisor de tensão da Fig. 8.56 com IS = valor-padrão.
266 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
Exemplo 8.2), e VsE = 0,78 V (superando o nível de 0,7 V usa-
do no Exemplo 8.2). Memorize o nível de VsE para quando re-
virmos os resultados com Is fixado em 5 X 10- 15 A na próxima
execução do programa. Os valores de de Vsc e VcE são especifi-
cados então como - 10,6 V e 11,4 V, respectivamente, e o beta
de corresponde ao beta ac de 90. A transcondutância gm = Ilre
e re = 20,3 n. A impedância de entrada é então f3re = (90)(20,3
D)= 1,827 kü ou 1,83 kü, conforme especificado por RPI. A
resistência de saída é listada como 1 X 10 12 n e o beta ac é 90
com FT (tempo ideal de trânsito direto) igual a 7 ,82 X 10- 17 s.
Novamente, cada um desses parâmetros talvez não tenha sig-
nificado neste ponto, porém vários outros são bastante reconhe-
cíveis e podem ser úteis na conferência de um projeto ou aná-
lise.
A análise ac a seguir revela que a amplitude de V0 é 334 m V
para um ganho de tensão de 334, que pode ser comparado a um
ganho de 368,76 determinado no Exemplo 8.2. O deslocamento
de fase é 177, 7º em vez de 180º devido aos efeitos de elementos
capacitivos do circuito. A escolha de uma freqüência mais alta
ou o aumento do nível da capacidade puxarão o deslocamento
de fase para mais próximo de 180º.
O efeito de mudar Is para 5 X 10- 15 A será, claramente demons-
trado pela execução do programa na Fig. 8.58. O nível VE é ago-
NODE
Fig. 8.58 Análise PSpice da configuração com divisor de tensão da Fig. 8.56 com IS = 5
ra 2,0235 V, próximo a 2,11 V do Exemplo 8.2. O nível de Ic é
1,33 mA comparado a 1,41 mA, e o ganho de tensão ac é agora
350,4 comparado a 368,76 no Exemplo 8.2. Em geral, os resul-
tados obtidos pelo PSpice apresentam uma melhora significati-
va em relação aos cálculos manuais. Uma melhora mais acentu-
ada resultará se a solução exata em vez da aproximada for obti-
da no Exemplo 8.2. Em particular, note que VsE é agora 0,68 V, o
qual está bem próximo do valor aproximado de O, 7 V fixado. Em
geral, portanto, para a análise para pequenos sinais realizada neste
livro usando PSpice, IS será especificado como sendo igual a 5
X 10- 15 A.
PSpice para Windows (Windows Design
Center Analysis)
Agora que já são conhecidos os procedimentos básicos para a
introdução do circuito na tela esquemática, a análise a ser des-
crita se concentrará nas peculiariedades apresentadas pela análi-
se ac.
Na tela do programa, o circuito da Fig. 8.56 ficará com o as-
pecto mostrado na Fig. 8.59. Observe a fonte ac de 1 m V e o sím-
bolo de impressora no terminal de saída do circuito.
TEMPEAATURE OEG
NODE VOiil'J\GE
4 0.0000
X 10- 15 A.

Fig. 8.58 Continuação
+
_ VCC
I22V
e 1 .9911
10uF CE
20uF
A fonte ac senoidal constitui uma New Part, contida na bi-
blioteca source.slb, com o nome de VSIN. Um clique duplo na
fonte ac do circuito da tela tomará disponível uma lista de atri-
butos que deve ser preenchida. Para o nosso exemplo,
VAMPL = 1 mV (valor de pico do sinal senoidal)
FREQ = 10 kHz (freqüência de interesse)
PHASE = O (não há ângulo de fase inicial para V)
VOFF = O (não há tensão de de offset para V)
AC = lmV
Após cada entrada, certifique-se de que foi "salva" (save the
attribute), e só então feche a caixa de diálogo.
O símbolo de impressora é obtido da biblioteca special.slb da
caixa de diálogo Get Part, e é referida como VPRINT1. Quan-
do colocado na tela, este símbolo faz com que a tensão naquele
ponto seja impressa no arquivo de saída (.out). Um duplo clique
no símbolo resulta na caixa de diálogo PRINT1, na qual as se-
guintes escolhas devem ser feitas para se obterem a amplitude e
o ângulo de fase da tensão de saída:
Análise do TBJ para Pequenos Sinais 267
AC=ok
MAG=ok
PHASE=ok
Fig. 8.59 Circuito da Fig. 8.56 na análise do PSpice versão Windows.
AC=ok
MAG=ok
PHASE = ok
As opções acima podem ser listadas próximo ao símbolo de
impressora na tela, bastando para isto clicar na opção Change
Display e selecionar Display Value e Name para cada item.
Os três VIEWPOINTS (pontos de medida) são inseridos pela
seguinte seqüência: Draw-Get New Part-Browse-
special.slb-VIEWPOINT. Cada um deve ser apropriadamen-
te posicionado e então clicado para ser introduzido no sistema.
Quando todos os três tiverem sido posicionados, o processo é
completado clicando-se o botão direito do mouse.
Antes da execução do programa, os nós devem ser definidos
em função da Fig. 8.56, permitindo assim que os resultados se-
jam comparados. Em geral, ao montar um circuito, coloque to-
dos os elementos de mesmo tipo, como por exemplo resistores,
antes de se preocupar com os outros elementos, tais como capa-
citores. O resultado é que pode não haver uma ordem lógica para
os nós na lista final. Para designar os nós a cada elemento, basta
268 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

**** ClRCtJJT DESCfUPTlON

..........
...... .................................................•.............
,

SN 0001 Q2N2222·X
lmV -

••u BJT MODEL PAMMETERS

...............................................................................
•••••

IS S OOOOOOE· l S
BF
NF
VAF
IKF ,2847
ISE 14 340000E·lS
NE
BR
NR
RB 10
RBM
llC
cm 22.oioooos.12
MIE
CJC 7306000E·l2
MJC 3416
TF 411 .IOOOOOE-12
XTF
VTF
ITF
TR 46.910000!.09
XTB

uu SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION TEMPERATUllE 27 000 OEO C

••••• "' ••• "' •• "' ........................................................, "'"'*"'"'"'"

.......
NOOE VOLT AGE NOOE VOLTAGE NODE VOLT AGE NODE

(SN_0002)

($N_0004) O0000

VOLTAGESOURCECUllllENTS
NAME CURRENT

TOTAL POWER DfSSIPATION 3646-02 WATTS

Fig. 8.60 Listagem de saída para a análise ac da Fig. 8.56.

 Análise do TBJ para Pequenos Sinais 269

º** OPERATINO POlNT INFôRMATION TEMPEAATUR!

......................................................................................
•••••
nu BIPOLAR JUNCTION TAANSISTORS

NAME
MODEL
IB l
IC
VBE
VBC
VCE
BETADC S8E+OI
GM S 036-02
RPI 142E+Ol
.IU( 1 OOE +O 1
RO 646E+04
s,soe*11
2906-11
C'BX OOOE+OO
CJS OOOE+OO
BETAAC 7.15E+OI
F1' 1 32E+OS

nu AC ANAL YSfS TEMPEAATURE 27 000 OEG C

................................................................................................
.......
FREQ VM(SN_()OOJ) VP($N_0003)

1 0006+04

Fig. 8.60 Continuação

escolher Analysis e depois Examine Netlist. Isto produz uma
listagem dos elementos e dos nós associados a cada um. Os nós
associados a cada elemento podem então ser modificados por uma
simples seqüência insert/delete, até ficarem de acordo com a Fig.
8.56. Quando terminar este procedimento, saia da listagem. O
programa lhe perguntará se você deseja "salvar" as alterações -
nossa opção neste caso.
Agora estamos aptos a iniciar a análise. Escolhe-se Analysis
seguido por Setup. Dentro da caixa de diálogo Setup, selecio-
namos AC Sweep, embora nossa intenção seja trabalhar com uma
freqüência apenas. Após clicar duplamente na caixa AC Sweep,
devemos fazer algumas opções quanto à freqüência aplicada.
Escolhe-se Linear AC Sweep Type e, ao mesmo tempo:
Total Pts. = 1
Start Freq. = lOkHz
End Freq. = lOkHz
Após a confirmação das entradas com OK, seleciona-se Probe
Setup seguido por Do not Auto-Run Probe, a qual nos econo-
mizará algum tempo fornecendo os resultados desejados e evi-
tando algumas caixas de diálogo associadas a Probe. Agora es-
tamos prontos para a simulação sob o tópico Analysis, que nos
fornecerá os resultados desejados. Se toda a entrada de dados tiver
sido feita corretamente, irá aparecer uma caixa de diálogo infor-
mando que a análise ac foi completada. Para a visualização dos
resultados, basta sair da caixa de diálogo, retomar para Analysis
e escolher Examine Output. A lista é longa, mas a Fig. 8.60
apresenta somente os itens de maior interesse.
Observe que os nós listados correspondem aos mostrados na
Fig. 8.56. A seção BJT MODEL PARAMETERS revela o valor
escolhido por nós de 90 para o beta de e 5 X 10- 15 para IS. Os
níveis de para os vários nós são então fornecidos; eles estão de
acordo com os valores que aparecem com os VIEWPOINTS da
Fig. 8.56. A próxima seção, BIPOLAR JUNCTION TRANSIS-
TORS, apresenta alguns níveis de e parâmetros do circuito. Note
que o beta de é agora de 65,8, e o beta ac é de 71,5, em vez do
valor 90 introduzido. A versão Windows ajusta o parâmetro beta
de acordo com as condições de operação. Os resultados ac se-
rão, portanto, um pouco diferentes dos resultados obtidos ante-
riormente usando o modelo re. Se houvesse a necessidade de uma
reprodução fiel das condições anteriores, o símbolo do transis-
tor não seria escolhido, e sim o modelo re do transistor, com uma
fonte de corrente controlada e valores apropriados de resistên-
cia. A resposta ac revela que a amplitude da tensão ac de saída é
307 ,3 m V com uma fase de 177 ,9°, comparáveis aos valores
334,0 mV e 177,7º encontrados na versão DOS. Os capacitores
incluídos produziram um desvio de fase menor do que 180º.
Se desejássemos um traçado da tensão de saída, poderíamos
usar a opção Probe. O primeiro passo seria retomar para a op-
ção Analysis, seguido por Setup. Depois escolhemos Transient
e desligamos AC Sweep usada há pouco. Clicando duplamente
na caixa Transient, podemos fazer opções sobre a análise a ser
realizada. O período do sinal aplicado de 1OkHz é O, 1 ms ou 100
µs. A opção Print Step se. refere ao intervalo de tempo entr~
impressão ou plotagem dos resultados da análise de transiente.
No nosso exemplo, iremos escolher 1 µs para produzir 100 pon-
tos por ciclo. O parâmetro Final time é o último instante em que
2 70 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

a resposta do circuito é determinada. Nossa escolha é de 500 µ.,s Trace para usar novamente a opção ADO. Neste instante pode-
ou 0,5 ms para que sejam gerados cinco ciclos completos. A opção mos ir para a lista Alias Names, que inclui V(Vs: +) como op-
No-Print Delay foi escolhida como O uma vez que todos os ca- ção. Ao fazer esta seleção, será traçado o gráfico da Fig. 8.62 que
pacitores são essencialmente curtos-circuitos em 1O kHz. A es- inclui, à esquerda, uma escala para cada forma de onda.
colha de Step Ceiling ajusta um valor máximo entre os cálculos O texto é inserido nos gráficos escolhendo-se a opção Tools
de resposta para o sistema, cuja entrada será de 1 µ.,s. O tempo da lista de menus, seguido de Label e Text. Uma vez escolhido
entre os cálculos será ajustado internamente pelo programa para Text, aparecerá uma caixa de diálogo para ser preenchida com o
que sejam assegurados dados suficientes em instantes em que a texto que deve aparecer no gráfico. Após digitar Vs e pressionar
resposta variar mais rápido do que o normal. No entanto, o inter- a opção OK, os termos Vs irão aparecer na tela e podem ser co-
valo de tempo nunca será maior do que o ajustado por Step locados na posição que se deseja. Colocamos os outros termos
Ceiling. no gráfico da mesma maneira. As linhas são adicionadas esco-
Nós devemos agora retornar para Probe Setup e escolher a lhendo-se novamente a opção Tools e depois a opção line. Um
opção Automatically Run Probe After Simulation. Retomando lápis irá aparecer e, utilizando-se a mesma técnica de um traba-
para Analysis, devemos selecionar Simulate para estabelecer os lho de arte, as linhas podem ser introduzidas. Observe o deslo-
dados necessários para a resposta de Probe. Não seria correto ir camento de fase entre as duas formas de onda e o fato de que Vc
diretamente para Run Probe porque o arquivo de saída ainda não excursiona em um nível de de 13,1 V.
foi criado. Uma vez terminada a análise, a opção Trace é ativa- Se preferirmos dois gráficos separados, podemos escolher a
da seguida pela opção Add, que irá adicionar um traçado ao grá- opção Plote selecionar Add Plot. Com esta opção, outro gráfi-
fico. Ficará disponível uma lista de opções, e, como desejamos co irá aparecer após a seqüência Trace e Add V (Vs: +) da lista
obter a tensão de saída no coletor do transistor, V(Ql:c) deve ser Alias. O resultado final é mostrado na Fig. 8.63, com dois gráfi-
escolhido. Esta variável não aparece na lista fornecida, portanto, cos exibindo as formas de onda separadamente. De novo pode-
deve-se clicar Alias Names para que apareça uma lista expandi- mos inserir os termos V s e V e utilizando a opção Tools. Saiba,
da que contenha V(Ql:c). Quando selecionada, aparecerá em entretanto, que os termos para o primeiro gráfico selecionado
Trace Command, que deve ser ativado com OK (Fig. 8.61). devem ser introduzidos antes dos termos para o segundo gráfi-
A escala do eixo y foi ajustada automaticamente para mostrar co.
de maneira clara a forma de onda de saída. Cinco ciclos comple- A última forma de onda mostrada na Fig. 8.64 demonstra o
tos da forma de onda de saída são apresentados (com 100 pontos uso da opção Cursor sob o cabeçalho Tools. Escolhendo-se
de dados para cada ciclo) dentro do intervalo de tempo ajustado Cursor e depois Display, aparece uma linha no nível de de 13,1
para cinco períodos completos do sinal aplicado. O valor pico a V. Clicando-se o mouse, uma linha horizontal e vertical surge
pico da forma de onda é aproximadamente 13,42 V - 12,81 V no gráfico e se interceptam sobre a curva. Clicando-se na linha
= 0,61 V, resultando num valor de pico de aproximadamente 0,61 vertical e mantendo o botão pressionado, ela pode ser deslocada
V/2 = 0,305 V = 305 m V, que é muito próximo do valor im- ao longo da forma de onda. Observe na caixa Probe Cursor que
presso acima. a posição da interseção, chamada de Al, é registrada. Se fordes-
Se houver a necessidade de comparação entre as tensões de locada para o valor de pico, o registro é de 13,421 V e o tempo
entrada e saída em um mesmo gráfico, podemos usar a opção Add correspondente é de 75 µ.,s. Clicando-se o botão direito domou-
Y-Axis sob o menu Plot. Depois de ativada, retorne ao comando se, uma segunda interseção, definida por A2, aparece, e também

13. 6V T---------------------------------------------------------------------------------------------------·1
1

13.4V~

13.2V-/

'
'
.
______________ ;
12 • 8V + - • - - • - - • - - • - · - - · -· · T• • • - - - - - • • - - • • - • - - - , • • • - • • • - • - - • • - • - - • • 1• • • • • • • • - • • - - • • - • - - r - • •
Os lOOus 200us 300us 400us SOOus
"V(Ql:c)
Time

Fig. 8.61 Tensão de saída v0 = vc para o circuito da Fig. 8.59.

 Análise do TBJ para Pequenos Sinais 271

l 13.6V 2 l.OmV:···

'

'
'''
13.4V O.. SmV~
''

13.0V

''
'
>>'
12.BV -1.0mV+------------
Oa 10011s 300lls
[I) • V(Ql:c) rn • V(Vs:+)
Fig. 8.62 Vc e v, para o circuito da Fig. 8.59.

1.0mv ---

0V

SEL>>:
-1.0mv ~- - - ---- ---- - -
V(Va:+)
13. 6V T • - • - - • • - - - - • • • • - • • -• • - • • • • • • • • • • • • • • • • • • •• • • • • • • • - • •• • • • - • • • • • • •·• • • •• • •• • •• • • • • • • • - - • • - • - - - - • • •• - - - 1
' '

''
' Vc
'
''
13.2Vi
'

'
'
' '
----- ------ ---t'
12. av+-- --- --- ~·-- --- --- --r - -- .. . --- --- - -- - -- '"r---- - --- --- w --- --- r--- - --- ---- --- ___ '" ____
Oa lOOlls 200lls 300119 400119 500119
V(Ql:c)
Ti.me

Fig. 8.63 v0 e vc em gráficos separados.

tem sua posição registrada na caixa Probe Cursor. A informação agora estiver evidente a simplicidade relativa na aplicação do
adicional na terceira linha da caixa é a diferença entre as duas programa PSpice para a determinação da resposta em pequenos
interseções nos eixos horizontal e vertical, respectivamente. Se sinais. Quando for possível, os manuais devem ser lidos cuida-
A2 corresponder à extremidade inferior de ve, o valor registrado dosamente para o entendimento completo dos vários parâmetros
será de 12,807 V em 125 µs (observe a linha inferior da Fig. 8.64). e equações envolvidas com o modelo PSpice. Saiba que a ver-
A posição do cursor revela, portanto, o valor e a posição no tem- são comercial de PSpice está disponível no mercado e que ele
po do sinal, o que pode ser muito conveniente para várias aplica- tem um catálogo completo de transistores específicos em memó-
ções. Observe os termos introduzidos no gráfico utilizando-se a ria, para uso quando solicitado pelo programa. Em outras pala-
opção Tools-text. Utilizando-se as duas interseções, diferenças vras, o arquivo de entrada pode referenciar um determinado tran-
podem ser facilmente obtidas. sistor e o programa automaticamente insere os parâmetros que
A introdução acima foi relativamente breve devido a restri- descrevem melhor aquele transistor para a análise a ser realiza-
ções de espaço e prioridades, mas sua finalidade foi cumprida se da. Informações adicionais sobre a versão comercial podem ser
2 72 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Os lOOus 200us 300us 400us SOOus

;:~:v(Ql:c)
Time

Al; (75.000u,13.421) A2! (125.000u,12.807) DIFF(A): (-50.000u,613.907m)

Fig. 8.64 Utilizando a opção de Cursor para o circuito da Fig. 8.59.

obtidas, escrevendo diretamente para Microsim Corp. Vamos
agora comparar a análise acima do mesmo circuito usando a lin-
guagem BASIC.
BASIC
O programa BASIC da Fig. 8.65 analisará a configuração com
polarização por divisor de tensão da Fig. 8.56 com a vantagem
adicional de que a solução pode ser obtida considerando que uma
porção do resistor de emissor está não-desviada e incluindo os
efeitos da resistência da fonte e da carga. A resistência de emis-
sor será designada RE1 se não desviada, e RE2 se desviada.
A seqüência de linhas 11210 até 11260 determinará os parâ-
metros importantes para o modelo do transistor da Fig. 8.66 e
realizará a análise necessária. Os passos seqüenciais devem ser
cuidadosamente revistos e comparados aos cálculos feitos a mão.
Uma execução do programa com os valores da Fig. 8.56 for-
necerá os resultados que aparecem no final da Fig. 8.65. Em

****************************************************
REM PROGRAM 8,l
RIM ****************************************************
REM BJ'l' AC ANAl YSIS
R.EM USittG re ANO BETA PARAMETERS
60 R!M
REM
••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••
100
110 PRINT ttThis
120 PRIHT tlfor a
PRlNT
140 PRlNT ttEnter the following elrcuit data: o
PRINT
INPUT 1*RBl•º ;Rl
INPUT "RB2•tt
180 INPUT "RC="
lNPUT ttUnbypiuised
INPUT '*Bypauused
l'lUNT
l.NPUT
INPUT
240 INPUT
INPUT
lttPUT 0 source voltage,
PR:un:PlUNT
280 GOSOB 11200:REM Perform ac
J:'RINT "The resulta of the
PRINT
PRINT ºTransistor dymudc resistance, re= 11 ; RE; ••ohmstt
l'RINT
!!_~~-!~*(RC+~l+E2) THEN PlUNT "Circuit in saturation. 1t :GOTO 420

Fig. 8.65 Programa em BASIC para análise ac de uma configuração TBJ.

 Análise do TBJ para Pequenos Sinais 2 73

Fig. 8.65 Continuação

fc li,
~ ~

lb
+
l; ~
--+- --+- Zo
/3
R, + Rc Vº RL

Z;
R, Rz
V;
--+-

Fig. 8.66 Circuito analisado pelo módulo que se estende das linhas 11210 até 11260 do programa em BASIC da Fig. 8.65.
2 74 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

particular, note como o programa em BASIC pode ser escrito lOV

para fornecer informações sobre o sistema de uma forma cla-
ra, concisa e tabulada. O nível de R; = R' li f3r, = 1.349,63 n
que é diferente do RI, no PSpice, será obtido já que RI inclui
somente a impedância de entrada da configuração do transis-
tor (/3r,). O ganho sem carga é 353, 26 o qual está razoavel-
mente de acordo com 368,76 obtido usando PSpice. O ganho
de corrente de 4,9 X 10- 25 A ~ O A é devido à ausência de
uma carga para definir a corrente de saída. A ausência de uma
carga também provocaAv = AVNL'

+lOV
PROBLEMAS
Fig. 8.69 Problema 3.
§ 8.2 Configuração Emissor-Comum com Polarização
Fixa
§ 8.3 Polarização por Divisor de Tensão
1. Para o circuito da Fig. 8.67:
(a) Determine Z; e Z0 • 4. Para o circuito da Fig. 8. 70:
(b) Ache A. e A;. (a) Determine r,.
(c) Repita a letra (a) com r = 20 kO.
0 (b) Calcule Z; e Z 0 •
(d) Repita a letra (b) com r0 = 20 kO. (c) AcheAveA;.
12V (d) Repita as letras (b) e (c) com r = 25 kO.
0

5. Determine Vcc para o circuito da Fig. 8.71 se Av = -160 e r =

0

lOOkO.

Vcc= 16V

V;o )1--..._-~t'L
I;

lµF
V;o----jt---+--~ir;:,
__..,_
Fig. 8.67 Problemas 1, 21. I;

2. Para o circuito da Fig. 8.68, determine Vcc para um ganho de ten-

são A.= -200.

.----..---o Vcc
Fig. 8.70 Problema 4.

.-----+---oVcc

Fig. 8.68 Problema 2.

*3. Para o circuito da Fig. 8.69:

(a) Calcule / 8 , Ice r•.
(b) Determine Z; e Z
(c) Calcule A, eA;.
0 •
...
(d) Determine o efeito de r0 = 30 kO sobre A. e A;. Fig. 8.71 Problema 5.
 Análise do TBJ para Pequenos Sinais 275

6. Para o circuito da Fig. 8.72: 20V

(a) Determine r,.
(b) Calcule V. e Vc.
(c) Determine Z; e A. = V )V;.

Vcc=20V

Fig. 8.74 Problema 8.

...-------022 V

330kn

-
Fig. 8.72 Problema 6.

Z;

§ 8.4 Circuito EC com Polarização no Emissor

7. Para o circuito da Fig. 8.73:

(a) Determine r,.
(b) Ache Z; e Z0 •
(c) Calcule A. e A;.
(d) Repita as letras (b) e (c) com r = 20 kü.
0 Fig. 8.75 Problema 10.

§ 8.5 Configuração Seguidor-de-Emissor

.-------..----020 V
11. Para o circuito da Fig. 8. 76:
(a) Determine r, e {3r,.
(b) Ache Z1 e Z 0 •

(c) Calcule Av e A;.

*12. Para o circuito da Fig. 8.71:
(a) Determine Z; e Z 0•

(b) AcheA •.
(c) Calcule V se V;= 1 mV.
0

16V

Fig. 8.73 Problemas 7, 9. 270kn

v, o-----)-----1°< 0;,,;

~
8. ParaocircuitodaFig. 8.74,determineR,eR,seA. = -lOe r, = I,
3,8 O. Assuma que Zb = {3R,.
9. Repita o Problema 7 com R, desviado. Compare os resultados.
10. Para o circuito da Fig. 8.75:
(a) Determine r,.
(b) Ache Z1 e Z0 •
(c) Calcule Ave A 1• Fig. 8.76 Problema 11.
276 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

12V *15. Para o circuito da Fig. 8.80, determine Ave A;,

8V
Jl=il~ ..
r,,=40~

-8V

Fig. 8.77 Problema 12.

*13. Para o circuito da Fig. 8. 78:

(a) Calcule I. e Ic.
(b) Determine r,. -5V
(c) Determine Z; e Z,,.
(d) Ache A,. e A;. Fig. 8.80 Problema 15.

Vcc=20V § 8. 7 Configuração com Realimentação no Coletor

16. Para a configuração com realimentação no coletor da Fig. 8.81:

(a) Determine r,.
(b) Ache Z; e Z 0•

(c) CalculeAveA;.

fj:::200,
r,,=:4P~~

v;o-----1-----
--..
l;

Fig. 8.78 Problema 13.

Fig. 8.81 Problema 16.

§ 8.6 Configuração Base-Comum

14. Para a configuração base-comum da Fig. 8.78: *17. Dados r, = 10 !l, f3 = 200, Av = -160 eA; = 19 para o circuito
(a) Determine r,.
da Fig. 8.82, determine R0 R, e Vcc·
(b) Ache Z; e Z,,.
(c) Calcule A,. e A;.

+6V -lOV

4.7 k.Q

___+_1-1,, (--o V,

-I; ~ ... o;9t8

MO

Fig. 8.79 Problema 14. Fig. 8.82 Problema 17.

 Análise do TBJ para Pequenos Sinais 2 77

*18. Para o circuito da Fig. 8.30: (g) Compare as soluções acima com as do Problema 1. (Nota:
(a) Deduza a equação aproximada para A,. As soluções estão disponíveis no Apêndice E, se o Proble-
(b) Deduza a equação aproximada para A;. ma 1 não foi realizado.)
(c) Deduza as equações aproximadas para Z, e Z0 • 22. Para o circuito da Fig. 8.84:
(d) Dados Rc = 2,2 k!l, R, = 120 k!l, R, = 1,2 k!l, f3 = 90 e (a) Determine Z, e Z 0 •

Vcc = 1OV, calcule a amplitude de A,, A 1, Z; e Z0 usando as (b) Calcule A, e A1•

equações das letras (a) até (c). (c) Determine r. e compare f3r, com h,,.

§ 8.8 Configuração com Realimentação DC no

Coletor 18V

19. Para o circuito da Fig. 8.83.

(a) Determine Z; e Z 0 •
(b) Ache A, e A;.

68k0

li
~o )1---+~~~--1
,--~~--""~---1(--oi~ 5µF
l µF

12k0
__,..
l;
IOµF
vp--)t--+------,..q,,,,
l µF

Fig. 8.84 Problemas 22, 24.

Fig. 8.83 Problema 19.

*23. Para o circuito base-comum da Fig. 8.85:

§ 8.9 Circuito Híbrido Equivalente Aproximado (a) Determine Z; e Z0 •
(b) Calcule A. e A1•
20. (a) Dados f3 = 120, r. = 4,5 n e r0 = 40 k!l, esboce o circuito (c) Determine a, /3, r, e r0 •
híbrido equivalente aproximado.
(b) Dados h;. = 1 k!l, h,. = 2 X 10-4, hfe = 90 e hoe = 20 µ,S, § 8.10 Modelo Híbrido Equivalente Completo
esquematize o modelo r•.
21. Para o circuito do Problema 1: *24. Repita as letras (a) e (b) do Problema 22 com h"' = 2 X 10-4 e
(a) Determine r•. compare os resultados.
(b) Ache h1, e h,,. *25. Para o circuito da Fig. 8.86, determine:
(c) Ache Z, e Z 0 , usando os parâmetros lnbridos. (a) Z,.
(d) Calcule A, e A1, usando os parâmetros híbridos. (b) A,.
(e) Determine Z; e Z0 , se hoe = 50 µ,S. (c) A1 = lj/1•
(f) Determine A, e A, se hoe = 50 µ,S. (d) zo.

~=-0,992
hib=9,45 O

o
......
l;
)
hob"" 1 µA/V
.-~~~---~--t1(t--~-o
+ 10 µF lo 10 µF +
1,2 k.Q
V; ......
Z; 4V

Fig. 8.85 Problema 23.

2 78 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

20V

470kil

5 µF +

,,,,n I 10 . .

Fig. 8.86 Problema 25.

*26. Para o amplificador base-comum da Fig. 8.87, determine: 29. (a) Escreva o arquivo de entrada PSpice para o circuito da Fig.
(a) Z;, 8.13 (Exemplo8.3) e obtenha o nível de V para V;= 1 mV.
0

(b) A;, (b) Realize a análise PSpice e compare o resultado para V0 com
(e) A,,. os resultados do Exemplo 8.3.
(d) zo. 30. (a) Escreva o arquivo de entrada PSpice para o circuito da Fig.
8.25 (Exemplo 8.8) e obtenha o nível de V0 para V; = 1
§ 8.12 Verificação de Defeitos mV.
(b) Realize a análise PSpice e compare o resultado para V0 com
*27. Dado o circuito da Fig. 8.88: os resultados do Exemplo 8.8.
(a) Determine se o sistema está operando apropriadamente, 31. (a) Escreva um programa em BASIC para determinar Z;, Z 0 , A,
baseado nos níveis de polarização por divisor de tensão e e A; para o circuito da Fig. 8.9 (Exemplo 8.2).
nas formas de onda para v0 e v,. (b) Realize a análise da parte (a) e compare os resultados do
(b) Determine a razão para os níveis de obtidos e por que a for- Exemplo 8.2.
ma de onda para v0 foi obtida. 32. (a) Escreva um programa em BASIC para determinar Z;, Z 0 , A,
eA; para o circuito da Fig. 8.13 (Exemplo 8.3).
§ 8.13 Análise por Computador (b) Realize a análise da parte (a) e compare os resultados do
Exemplo 8.3.
28. (a) Escreva o arquivo de entrada PSpice para o circuito da Fig. 33. (a) Escreva um programa em BASIC para determinar Z;, Z0 , Av
8.6 (Exemplo 8.1) e obtenha o nível de V0 para V;= 1 mV. e A; para o circuito da Fig. 8.25 (Exemplo 8.8).
(b) Realize a análise PSpice e compare o resultado para V com 0 (b) Realize a análise da parte (a) e compare os resultados do
os resultados do Exemplo 8.1. Exemplo 8.8.

lo
( o
5µF +
1,2 kil
....,_ Vº
zo
4V 14 V

...
Fig. 8.87 Problema 26.
 Análise do TBJ para Pequenos Sinais 279

Vcc= 14 V

uº(V)
lSOkQ
10 µF
o (
Vs=6,22 V
+
•t

+ 39kQ
10 µF
V,

Fig. 8.88 Problema 27.

34. Utilizando o programa PSpice versão Windows, determine o ga-
nho para o circuito da Fig. 8.6. Utilize o recurso Probe para mos-
trar as formas de onda de entrada e saída.
35. Utilizando o programa PSpice versão Windows, determine o ga-
nho para o circuito da Fig. 8.13. Utilize o recurso Probe para mos-
trar as formas de onda de entrada e saída.
36. Utilizando o programa PSpice versão Windows, determine o
ganho para o circuito da Fig. 8.25. Utilize o recurso Probe para
mostrar as formas de onda de entrada e saída.
*Observação: Os asteriscos indicam problemas mais difíceis.

Análise do FET para
Pequenos Sinais
9.1 INTRODUÇÃO
Os amplificadores com transistor por efeito de campo proporci-
onam um excelente ganho de tensão com a propriedade adicio-
nal de uma alta impedância de entrada. São considerados tam-
bém dispositivos de baixo consumo de potência, aplicáveis a uma
ampla faixa de freqüências e com tamanho e peso reduzidos.
Tanto o dispositivo JFET quanto o dispositivo MOSFET de de-
pleção podem ser utilizados em amplificadores, com ganhos de
tensão próximos entre si. O circuito com MOSFET de depleção,
entretanto, apresenta uma impedância de entrada muito mais alta
do que um circuito semelhante com JFET.
Enquanto o dispositivo TBJ controla uma alta corrente de saída
(coletor) por meio de baixa corrente de entrada (base), o dispo-
sitivo FET controla uma corrente de saída (dreno) por meio de
baixa tensão de entrada (porta-fonte). Em geral, portanto, o TBJ
é um dispositivo controlado a corrente, e o FET é um dispositi-
vo controlado a tensão. Em ambos os casos, no entanto, observe
que a variável controlada é a corrente de saída. Devido à carac-
terística de alta impedância de entrada do FET, seu modelo equi-
valente ac é um pouco mais simples do que o empregado para o
TBJ. Para o TBJ, verifica-se um ganho de corrente (beta), e para
o FET, uma transcondutância gm.
O FET pode ser usado como um amplificador linear ou como
um dispositivo digital em circuitos de lógica. O MOSFET inten-
sificação é muito popular em circuitos digitais, especialmente em
circuitos CMOS que necessitam de um consumo de potência
bastante reduzido. Os dispositivos FET também são largamente
utilizados em aplicações de alta freqüência e em aplicações de
buferização (interfaceamento). O Quadro 9.1, apresentado no fi-
nal do capítulo, mostra um resumo dos circuitos amplificadores
para pequenos sinais e as fórmulas utilizadas nos cálculos de
circuito.
O circuito de fonte-comum é o mais popular, fornecendo um
sinal invertido amplificado, entretanto costuma-se também encon-
trar circuitos de dreno-comum (seguidor-de-fonte) com ganho
unitário, sem inversão do sinal, e circuitos de porta-comum com
ganho sem inversão. Neste capítulo, as características descritas
incluem ganho de tensão, impedância de entrada e impedância
de saída, ou seja, igual ao que foi analisado para os amplificado-
res com TBJ. Devido à alta impedância de entrada, assume-se,
normalmente, que a corrente de entrada é OµA e que o ganho de
CAPÍTULO
9
corrente é uma quantidade indefinida. Em geral, o ganho de ten-
são de um amplificador com FET é menor do que o de um am-
plificador utilizando TBJ, mas o amplificador com FET propor-
ciona uma impedância de entrada muito mais alta do que a de
um circuito com TBJ. Os valores para a impedância de saída dos
dois circuitos são aproximadamente iguais.
Os circuitos amplificadores ac com FET podem ainda ser
analisados através de um software. Com o PSpice, pode-se im-
plementar a análise de para obter as condições de polarização do
circuito e a análise ac para determinar o ganho de tensão. Apro-
veitando os modelos de transistor disponíveis no PSpice, conse-
gue-se analisar o circuito por meio de modelos de transistor es-
pecíficos. Por outro lado, pode-se optar por desenvolver um pro-
grama utilizando uma linguagem de programação, como o BA-
SIC, para realizar a análise ac e de e fornecer os resultados em
um formato especial.
9.2 MODELO DO FET PARA
PEQUENOS SINAIS
Para desenvolver a análise ac de um circuito utilizando disposi-
tivos FET, precisamos, primeiro, obter um circuito equivalente
ac para o dispositivo. A característica mais importante da opera-
ção ac do FET é que uma tensão ac aplicada aos terminais porta-
fonte do dispositivo controla a corrente entre os terminais dre-
no-fonte.
A tensão porta-fonte controla a corrente dreno-fonte (ca-
nal) em um FET.
Lembre-se, do Cap. 6, que uma tensão porta-fonte controlava
o nível de da corrente de dreno por meio de uma relação conhe-
cida como equação de Shockley: lv = lvssO - V0 JVp)2. A vari-
ação na corrente de dreno que resulta de uma variação da tensão
porta-fonte pode ser determinada utilizando-se o fator de
transcondutância gm da seguinte maneira:
(9.1)
O prefixo trans na terminologia aplicada à gm revela que este
parâmetro estabelece uma relação entre uma quantidade de en-
trada e uma quantidade de saída. O radical condutância foi es-
 Análise do FET para Pequenos Sinais 281

colhido porque gm é determinado por uma razão tensão-corren- lv (mA)

te, semelhante à razão que define a condutância de um resistor G
= 1/R = /IV. 8
Resolvendo para gm na Eq. (9.1) nós temos:

(9.2)
ln=8mA(1- Vos ) 2- - - - -
·----'-15:} 2,1 mA
-4 V '-y-J
0,6V 4
Determinação Gráfica de gm
} l~mA '
Se agora examinarmos a curva característica de transferência da JL.-__J 2
Fig. 9.1, percebemos que gm é, na verdade, a inclinação da curva
no ponto de operação. Ou seja,

(9.3) -4 -3 -2 -1 o VGS (V)

Vp '-..,.-----J
1,0V

Fig. 9.2 Calculando gm em vários pontos de polarização.

Ivss operação é então identificado, e uma reta tangente é desenhada

sobre cada ponto para melhor refletir a inclinação da curva nas
gm = /J.:
Ili
GS
(= Inclinação no
ponto Q)
diversas regiões de interesse. Posteriormente, escolhe-se um in-
cremento apropriado para V08 , que reflita uma variação para
ambos os lados de cada ponto Q. A Eq. 9.2 é então aplicada para
a determinação de gm.
A/0 2,1 mA
(a) gm = AVGs = 0,6 V = 3,5 mS

(b = A/0 = 1.8 mA = 2 S
o )gm AVGs- 0,7V - ,57 m
Alo l,5mA
Fig. 9.1 Definição de gm utilizando a curva característica de transferência. (e) gm = AVGs = 1,0 V = 1,5 mS
Observe que gm se toma menor quando V08 se aproxima de Vp,
Acompanhando a curvatura da curva característica de trans-
ferência, percebe-se claramente que a inclinação, e portanto gm,
aumenta de Vp para lvss· Ou, em outras palavras, quando V08 se
aproxima de OV, o valor de gm aumenta. Definição Matemática de gm
A Eq. (9.2) revela que gm pode ser determinado em qualquer
ponto Q sobre a curva característica de transferência, bastando O procedimento gráfico descrito anteriormente é limitado pela
para isto escolher um incremento finito em VGs (ou em / 0 ) em precisão do gráfico de transferência e pela dificuldade na deter-
tomo do ponto Q e depois determinar a variação correspondente minação das variações correspondentes em cada quantidade.
em 10 ( ou V08, respectivamente). As variações resultantes em cada Naturalmente, quanto maior o gráfico, maior é a precisão, mas
variável são então substituídas na Eq. (9.2) para a determinação esta solução nem sempre é a mais indicada. Um método alterna-
degm. tivo para a determinação de gm emprega a abordagem utilizada
no Cap. 1 na solução da resistência ac de um diodo, onde foi es-
tabelecido que

EXEMPL09.1 A derivada de uma função em um ponto é igual à inclina-

Determine o valor de gm para um JFET que apresenta lvss =8 ção da reta tangente desenhada neste ponto.
mA e Vp = -4 V nos seguintes pontos de polarização de. Portanto, se nós tomarmos a derivada de lv com relação a VGs
(a) VGSo = -0,5 V. (cálculo diferencial) utilizando a equação de Shockley, pode-se
(b) Va.so = -1,5 V. deduzir uma equação para gm na forma abaixo:
(e) Va5o = -2,5 V.
gm = AVGs
Aln IQ-pt.
dln
= dVGs
I Q-pt.
d [ (
= dVGs lnss 1 -
V65 )
Vp
2
]

Solução
2
A curva de transferência é gerada da forma mostrada na Fig. 9 .2 d (1-
= lnss-- VGs)
- -
utilizando o procedimento definido no Cap. 6. Cada ponto de dVGs Vp
282 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Em Vas = -2,5 V,
Vas]
- -d- ( 1 -
Vas)
=2Ioss [ 1 -
Vp
-
dVas Vp
gm = 8m0 [ 1 - ~:] = 4 mS [ 1 -
-2,5
-4V
V]=
- -d
Vas][
=2Ioss [ 1 - 1 -dVas]
-(1)- -- = 1,5 mS (versus 1,5 mS
Vp dVas Vp dVas obtido graficamente)

Certamente, os resultados do Exemplo 9.2 são suficientemente

e (9.4)
onde IVpl representa o módulo de Vp para que seja garantido um
valor positivo para gm.
Foi mencionado anteriormente que a inclinação da curva de
transferência é máxima em Vas = OV. Colocando Vas = OV na
Eq. (9.4), resulta a seguinte equação para o valor máximo de 8m
em um JFET no qual IDss e VP foram especificados.
próximos para validar as Eqs. (9.4) a (9.6) na determinação de 8m·
Em folhas de especificações, o parâmetro 8m corresponde a
y1,, onde y indica que este parâmetro faz parte de um circuito de
admitância equivalente. A letrafrevela que é um parâmetro de
transferência direta (forwará) e o s que é um parâmetro associa-
do ao terminal de fonte (source).
Na forma de equação,
(9.7)
ParaoJFET da Fig. 5.18,yft varia de 1.000 a5.000 µ,Sou 1 a5 mS.

Traçando gm versus VGs

Como o fator (1 - Va/Vp) da Eq. (9.6) é menor do que 1 para
qualquer valor de Vas diferente de zero, o valor de 8m diminui quan-
do Vas se aproxima de Vp e a razão Vas aumenta de valor. Em
e (9.5) Vp
Vas= Vp,gm = gmo(l - 1) = O. AEq. (9.6) define uma linha reta
com um valor mínimo igual a O e um valor máximo igual a 8m,
onde o subscrito "O" adicionado nos lembra que é o valor de 8m
como mostra o gráfico da Fig. 9.3.
quando Vas = OV. A Eq. (9.4) se toma então

gm (S)
(9.6)

EXEMPL09.2
Para o JFET com a curva característica de transferência do Exem-
plo 9.1,
(a) Determine o valor máximo de 8m·
(b) Usando a Eq. (9.6), determine o valor de 8m em cada ponto
de operação do Exemplo 9 .1 e compare com os resultados
gráficos.
Vp o VGS (Y)
Solução
2loss 2(8 mA)
(a) 8mo = IVpi = 4V = 4 mS (valor máximo possível Fig. 9.3 Gráfico de gm versus Vas•
degm)
(b) Em Vas= -0,5 V, A Fig. 9.3 revela também que quando Vas é metade do valor
gm=gm0[1- Vas]=4ms[1- -0.5V] de pinch-off, gm será metade do seu valor máximo.
Vp -4V
= 3,5 mS (versus 3,5 mS obtido graficamente)
Em Vas= -1,5 V,
EXEMPL09.3
gm = 8m0[1 - Vas] = 4 mS [1 - -1,5 V] = Trace gm versus Vas para o JFET dos Exemplos 9.1 e 9.2
Vp -4V
Solução
= 2,5 mS (versus 2,57 mS
obtido graficamente) Observe a Fig. 9.4.
 Análise do FET para Pequenos Sinais 283

8m (S) (b) Se 10 = 105/2,

= gmO ~ = 0,707gm0
4mS
gm
loss
(e) Se 10 = / 05/4,

{i;;;;i4 gmo
2mS gm = g,n0 \J~l =-2 = O,SgmO
DSS

EXEMPL09.4
-4V -2V o Vos (V) Trace gm versus 10 para o JFET dos Exemplos 9.1 a 9.3.

Fig. 9.4 Gráfico de 8m versus V0 s para um JFET com /DSS = 8 mA e VP = -4 V. Solução

Observe a Fig. 9.5.

Efeito de 10 sobre gm
Os gráficos dos Exemplos 9.3 e 9.4 revelam claramente que
A relação matemática entre gm e a corrente de 10 de polarização quando VGs se toma próximo de zero, gm atinge seus valores mais
pode ser deduzida reescrevendo-se a equação de Shockley na altos e / 0 seu valor máximo de Ioss.
seguinte forma:

Impedância de Entrada do FET Zi

(9.8)
A impedância de entrada de todos os FETs disponíveis comercial-
mente é suficientemente alta para que se possa considerar um cir-
Substituindo a Eq. (9.8) na Eq. (9.6) resulta em cuito aberto entre os terminais de entrada. Na forma de equação,

(9.10)
(9.9)
O valor típico de impedância de entrada para o JFET é 109 n,
Usando a Eq. (9.9) para determinar gm com alguns valores espe- enquanto para o MOSFET os valores são, respectivamente, 1012 n
cíficos de 10 , os resultados são e 1015 0..

(a) Se 10 = 1055, Impedância de Saída do FET Z 0

. [Ç
gm = g,,,o \J ~-
1- = gmo A impedância de saída do FET apresenta um valor próximo da
DSS impedância do TBJ. Nas folhas de especificações do FET, a

8m (S)

o 3 5 6 7 9 10 / 0 (mA)
Fig. 9.S Gráfico de g,,, versus / 0 para um JFET com loss = 8 mA e
Vos= -4 V.
284 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

impedância de saída aparece como y com unidades de µS. O 0 .,,
parâmetro y,,, é um componente de um circuito de admitância equi-
1·aiellfe, com o subscrito o significando um parâmetro de saída do
circuito (output), e s está associado ao terminal (source) do modelo
ao qual se refere. Para o JFET da Fig. 5.18, y 0 ., varia de 1Oa 50 µS
ou 20 kü (R = 1/G = 1/50 µS) a 100 kfi (R = 1/G = 1/10 µS).
Na forma de equação,
(9.11)
A impedância de saída é definida nas curvas características da
Fig. 9.6 como sendo a inclinação da curva característica horizontal
no ponto de operação. Quanto mais horizontal a curva, maior é a
impedância de saída. Na situação ideal, a curva é perfeitamente
hmizontat com a impedância de saída sendo infinita (um circuito
aberto) - uma aproximação comumente empregada.
Observe que quando se aplica a Eq. (9.12), a tensão VGs deve
permanecer constante quando rd é determinada. Isto é feito pelo
desenho de uma linha reta aproximando a linha de VGs no ponto
de operação. Um intervalo À Vvs ou lilv é então escolhido e a outra
quantidade medida para ser utilizada na equação.
EXEMPL09.5
Determine a impedância de saída para o FET da Fig. 9. 7 com VGs
= O V e VGs = -2 V em Vvs = 8 V.
Solução
Para VGs =·oV, desenha-se uma reta tangente e ÁVvsé escolhi-
do como sendo igual a 5 V, resultando em lilv igual 0,2 mA.
Substituindo na Eq. (9.12),

/0 /mA)
r - ÃVvsl
-- 5V = 25 kfi
d - Áfv Vas=O V 0,2mA
Para VGs = -2 V, desenha-se uma reta tangente e ÁVvs é esco-
ov lhido como sendo igual a 8 V, resultando em /:,,./v igual O, l mA.
_. ..,.~--..-------·-·---------- Substituindo na Eq. (9.12),

· - '1!11
ld -
.VDS I VGS = constante em - 1 V 8V = 80kfi
0,1 mA
D V /
.~.....e""~=G8p~o~nt=o=Q:::::=::::::::::::r::=---~-1V
~----,~----~i......_!1lv revelando que o valor de rd se altera de uma região de operação
para outra. Os menores valores ocorrem tipicamente para níveis
menores de VGs (próximos a OV) .
• •- - -2 V

o Vvs (V) Circuito Equivalente AC do FET

Fig. 9.6 Definição de r, 1 utilizando as curvas características de dreno do FET. Agora que os parâmetros mais importantes de um circuito equi-
valente ac foram introduzidos e discutidos, o modelo para o tran-
sistor FET no domínio ac pode ser construído. O controle de lv
Na forma de equação por VGs é incluído por meio de uma fonte de corrente gm Vg, co-
nectada do dreno para a fonte, como mostra a Fig. 9.8. A fonte

r - !:,,.Vos
d -
--
d/o v
l -constante
(9.12)
de corrente tem sua seta apontando do dreno para a fonte, esta-
belecendo um desvio de fase de 180º entre a tensão de saída e
(,.\
entrada, característica que é verificada na prática.

/ 11 (mA)

, . ,. . ------""""•s-~~==~~:---·-·-yGS
'------~,------'
=-2 V
!1lv= 0,1 mA
2 t1Vvs=8V
. - - · - · · · - - · - · · - · · - · · " · - - - · - - - - - - - - - - - - - - - VGS =-3 V
VGS =-4 V
o 2 3 4 5 6 7 Fig. 9. 7 Curvas características de dreno utilizadas para calcular rd no
8 9 10 11 12 13 14 Vvs(V)
Exemplo 9.5.
 Análise do FET para Pequenos Sinais 285

+Voo
Go----<o
+

Fig. 9.8 Circuito equivalente ac do FET.

A impedância de entrada é representada pelo circuito aberto

nos terminais de entrada, e a impedância de saída pelo resistor rd
Fig. 9.10 Configuração do JFET com polarização fixa.
do dreno para a fonte. Observe que, neste caso, a tensão da porta
para a fonte é representada por V8., (subscritos em letra minúscu-
la) para que seja distinguida dos níveis de. Além disso, atente para minados os importantes parâmetros Z;, Z0 e A., para cada confi-
o fato de que a fonte é comum aos circuitos de entrada e saída, guração.
enquanto os terminais de porta e dreno mantêm uma "relação" A configuração com polarização fixa da Fig. 9.1 O inclui os
apenas através da fonte de corrente controlada g,,,Vgs· capacitores de acoplamento C, e C2 que isolam a polarização de
Em situações onde r,, é ignorada (considerada suficientemen- agregada ao sinal aplicado e à carga; eles atuam como curtos-
te alta em relação aos outros elementos do circuito para ser apro- circuitos equivalentes para a análise ac.
ximada por um circuito aberto), o circuito equivalente é simples-
mente uma fonte de corrente cujo valor é controlado pelo sinal
V,, e o parâmetro g 111 - claramente um dispositivo controlado a
tensão.

EXEMPL09.6
Dado que y,,
= 3,8 mS e y,,, = 20 µS, esboce o modelo equiva- Z;
lente ac do FET.

Solução
.,....,,,.
l l
Bateria V00
substituída por ----
Bateria V00
substituída
gm = )/s = 3,8 mS e rd =- = - - = 50 kO umcurto "=" "=" por um curto
Yos 20 µS
Fig. 9.11 Substituindo o circuito equivalente ac do JFET no circuito da Fig.
resultando no modelo equivalente ac da Fig. 9.9. 9.10.

Go o
Uma vez determinados os valores de gm e rd a partir da po-
+ larização de, folha de especificações ou curvas características,
o modelo ac equivalente pode ser incluído entre os terminais
50kH
apropriados, como mostra a Fig. 9 .11. Observe que ambos os
capacitores são substituídos por curtos-circuitos equivalentes.
Isto porque os seus valores de reatância Xc = 1/(27ifC) são su-
ficientemente pequenos comparados com os outros níveis de
impedância do circuito. Além disso, as baterias de VGG e VDD
são colocadas em repouso (O V) por um curto-circuito equiva-
Fig. 9.9 Modelo equivalente ac do FET para o Exemplo 9.6. lente.
O circuito da Fig. 9 .11 é então cuidadosamente redesenhado
como mostra a Fig. 9 .12. Observe a polaridade definida para V8,,
que define o sentido de gm V8•• Se V8• for negativa, o sentido da
fonte de corrente é revertido. O sinal aplicado é representado por
9.3 CIRCUITO JFET COM V; e o sinal de saída através de RD é representado por V0 •
POLARIZAÇÃO FIXA Z;: A Fig. 9.12 revela de maneira clara que

Uma vez que o circuito equivalente do FET foi definido, pode- (9.13)
mos agora investigar algumas configurações fundamentais do
FET para pequenos sinais. A análise será semelhante à análise devido ao circuito aberto equivalente nos terminais de entrada
ac realizada para os amplificadores com TBJ, onde serão deter- doJFET.
286 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

20V
G

+
+
.......i,..- ......- +
.

Z; zº C2
V; Rc vg, RD Vº
l-+
lDSs=10mA
Vp=-8V

Fig. 9.12 Circuito redesenhado da Fig. 9.11.

2V

Z 0 : Fazendo V;= O V (exigido para o cálculo de Zo), resulta

em V8 s igual a OV também. O resultado é 8m V8 , = OmA e a fonte Fig. 9.14 Configuração do JFET para o Exemplo 9.7.
de corrente pode ser substituída por um circuito aberto equiva-
lente, como mostrado na Fig. 9.13. A impedância de saída é
comlvss= lOmAe Vp= -8 V. OcircuitoéredesenhadonaFig.
(9.14)
9.14 com um sinal aplicado dado por V1• O valor de y0, fornecido
é de40 µS.
Se a resistência rd for suficientemente alta (pelo menos 1O: 1) com- (a) Determine 8m·
parada com R0 , a aproximação r)IR0 ~ R0 pode ser aplicada e (b) Ache rd.
(e) Determine Z;,
(9.15) (d) Calcule Z 0 •
(e) Determine o ganho de tensão Av.
(f) Determine Av ignorando os efeitos de rd.

Solução
2JDSS 2(10 mA)
(a) 8m0 = IVpl = 8 V = 2,5 mS

'-------------o S
Fig. 9.13 Determinação
de Z0 • gm=gm0(1- v;; )=2,5ms(1- ~=~~)=1
0

= 1,88mS
A.: Resolvendo para V0 na Fig. 9.12, achamos 1 1
(b) rd = - = - - = 25 kfl
Vo = -gmVg.(rdllRv) Yos 40 µS

mas V8s = V; (e) Z; = RG = 1 Mfi

e (d) Z0 = Rvllrd = 2 kfill25 kfi = 1,85 kfi

V0 = -gmV;(rdllRv)
(e) Av = -gm(Rvllrd) = -(1,88 mS)(l,85 kfi)
tal que
= -3,48
(f) Av = -gmRv = -(1,88 mS)(2 kfi) = -3,76
(9.16)
Uma razão de 25 kfi:2 kfi = 12,5:1 entre rd e Rv resultou
em uma diferença de 8% na solução, como demonstrado na letra
(f).

( 9.17)
9.4 CIRCUITO JFET COM
Relação de fase: O sinal negativo na equação resultante para AUTOPOLARIZAÇÃO
Av revela claramente que há um desvio de fase de 180° entre as
tensões de entrada e saída.
Rs Desviado
A configuração com polarização fixa apresenta a desvantagem
EXEMPL09.7 peculiar de necessitar de duas fontes de tensão de. A configura-
A configuração com polarização fixa do Exemplo 6.1 tem um ção com autopolarização da Fig. 9.15 requer somente uma fon-
ponto de operação definido por VcsQ = -2 V e l 0 Q = 5,625 mA te de para estabelecer o ponto de operação desejado.

O capacitor Cs através da resistência de fonte representa um
circuito aberto equivalente para a operação de, fazendo com que
R, defina o ponto de operação. Sob condições ac, o capacitor
assume o estado de curto-circuito e "curto-circuita" o efeito de
R,.
O circuito equivalente do JFET é apresentado na Fig. 9.16 e
cuidadosamente redesenhado na Fig. 9 .17.
Relação de fase: O sinal negativo nas soluções paraAv indi-
ca um desvio de fase de 180º entre V; e V0 •
Rs Não-Desviado
Se C, for removido da Fig. 9.15, o resistor Rs será parte do cir-
cuito equivalente ac, como mostra a Fig. 9.18. Neste caso, não
há um meio óbvio de se reduzir o circuito para diminuir seu ní-
vel de complexidade. Na determinação de Z;, Z0 e Av deve-se to-
mar bastante cuidado com a notação, as polaridades e sentidos
de corrente definidos.

....._ +
...,_ +
lo
-+ RG Rv
Zo _,... .._
Z; Z;
Zo
s V; RG Rv Vº
_....- R5 desviado _....-VDD
por Xc5

-=- -=- -=-

Fig. 9.16 Circuito da Fig. 9.15 após a introdução do circuito equivalente ac do
JFET.

Fig. 9.18 Configuração do JFET com autopolarização incluindo o efeito de R,.

G

V; -
Z; RG
+

vgs Rv
--+-
Zo
+

Vº
Z;: Devido à condição de circuito aberto entre a porta e o circuito
de saída, a entrada mantém o resultado encontrado anteriormente:

(9.23)

Z 0 : A impedância de saída é definida por

Fig. 9.17 Circuito redesenhado da Fig. 9.16.

Fazendo V;= OV na Fig. 9.18, resulta no circuito da Fig. 9.19,

Como a configuração resultante é idêntica à apresentada na
Fig. 9.12, as equações para Z;, Z0 eAv serão as mesmas.
(9.18)
pois o terminal de porta e o terra estão no mesmo potencial. Em
outras palavras, fazendo a tensão através de RG igual a O V é
equivalente a "eliminar" o efeito desta resistência. A tensão V0 é
definida por
288 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

a D v0 - vR
e I' = s
rd
em que a aplicação da lei das correntes de Kirchhoff resulta em
Vº - VR
fo=gmVgs+ s
rd
Fig. 9.19 Determina-
ção de Z0 para a confi- Substituindo Vgs• V0 e V~. na equação acima temos
guração de autopolari-
+ zação do JFET incluin- ( - lrfiv) - (/rfis)
do os efeitos de R5 e rd. lo = gm[V; - lrfi.s] + ------
rd

= - InR-s Rv + Rs]
com V8 s tal que lo [ 1 + gmRs + rd = gmV;
A tensão através de rd pode ser determinada aplicando-se a
lei das tensões de Kirchhoff como se segue: Km V;
ou fo = - - - - - - - -
- V.~s + V,.., - V,, =O Rv +Rs
1 +gmRs+---
ou V,.,= V0 + V8 ., rd

A tensão de saída é, portanto,

V,. V0 + Vgs -1,,R.v - lrfis
e I' = _., = ------
rd rd rd V = -J 1> =_ gmRvV;
º Rv + Rs
= _ 10 [ Rv: Rs] D'~D
1 +gmRs+---
rd

Aplicando a lei das correntes de Kirchhoff no nó a,

e (9.26)
ou

Novamente, se rd e:= 10 (RD + Rs),

(9.27)

V0 -lrfiv
e z = - = ----------- Relação de fase: O sinal negativo na Eq. (9.26) indica nova-
º lo mente que há uma diferença de fase de 180" entre V; e V0 •

EXEMPL09.8
A configuração com autopolarização do Exemplo 6.2 apresenta um
tal que (9.24)
ponto de operação definido por V0 .5a = -2,6 V e /Da = 2,6 mA
com IDss = 8 mA e Vp = -6 V. O circuito é redesenhado na Fig.
Para rd ~ 10 (RD + Rs) nós podemos ignorar os efeitos de rd; 9.20 considerando um sinal aplicado~- O valor de Yos dado é 20 µS.
portanto, 20V

(9.25)

A,: Para o circuito da Fig. 9.18, a aplicação da lei das tensões

de Kirchhoff no circuito de entrada resulta em
V; - vgs - VR, = o
ou Vg., = V; - lrfi.s
A tensão através de rd usando a lei das tensões de Kirchhoff é
Fig. 9.20 Circuito para o
Vº - VR, Exemplo 9.8.
 Análise do FET para Pequenos Sinais 289

(a) Determine 8m· Note também que o ganho típico de um amplificador JFET é
(b) Ache rd. menor do que o verificado normalmente para o TBJ em configu-
(e) AcheZ;, rações similares. No entanto, lembre sempre que Z; do JFET é
(d) Calcule Z 0 com e sem o efeito de rd. Compare os resultados. algumas vezes maior do que o valor típico de Z; do TBJ, e isto
(e) Calcule Av com e sem o efeito de rd. Compare os resultados. contribui positivamente para o ganho total de um sistema.

Solução
2loss 2(8 mA)
IVPI 9.5 CIRCUITO JFET COM DIVISOR DE
(a) gmO = = 6V = 2,67 mS
TENSÃO
Vos)
8m = 8m0 ( 1 - ~ =
A configuração com divisor de tensão muito utilizada para o TBJ
(-2,6V))
= 2,67 mS ( 1 - = 1,51 mS pode ser aplicada também ao JFET, como demonstrado na Fig. 9.21.
(- 6 V)
1 1
(b) rd = - = - - = 50k!l
20 µ,S
Yos
(e) Z; = RG = 1 MO
(d) Com rd:
Ro
zº = - - - - -Ro+Rs
--- =
1 +gmRs+---

l + {1,51 mS)(l kfi) +

rd
3,3k!1
3,3 kO. + l k!1
50 kO.
v,. Á-
1
-.'\I'
-i,,..
Z;

1
3,3 kO.
+ 1,51 + 0,086
3,3 kO.
= 2,596 = 1' 27 k.O l
Fig. 9.21 Configuração do JFET com autopolaàzação.

R0 3,3 k!1 3,3 k!1

zº = 1 + gmRs 1 + 1,51
=---
2,51
Introduzindo o modelo equivalente ac para o JFET resulta na
configuração da Fig. 9.22. Substituir a fonte de Vvv por um curto-
= 1,31 k.O circuito equivalente provoca o aterramento de uma extremidade de
R, e Rv. Como ambas as resistências têm um terra comum, R 1 pode
Testando a condição rd 2:: lO(Rv + Rs) verificamos que ser colocada em paralelo com R2 , como mostra a Fig. 9.23. A resis-
ela é satisfeita. Ou seja, 50 k!1 2:: 10 (3,3 k!1 + 1 k!1) e tência R2, por sua vez, pode ser colocada em paralelo com rd no
50 k!1 2:: 43 k!1 é satisfeita, indicando que rd terá uma circuito de saída O circuito equivalente ac resultante apresenta agora
influência mínima sobre Z 0 • Os resultados indicam que o formato básico de alguns dos circuitos já analisados.
este certamente é o caso. Observe que Z não é igual a Rv 0 Zi: R 1 e R2 estão em paralelo com circuito aberto equivalente
- uma consideração amiúde aplicada incorretamente. do JFET resultando em
Neste exemplo, o valor correto é menor do que a metade
do valor de Rv, (9.28)
(e) Com rd:
-gmRo
Av =-------- = .:.
Ro+Rs
1 +gmRs+---
rd
R1
-(1,51 mS)(3,3 k!1)
= --------3-,3-k_O._+_l_k_O = -l,92
l + (1,51 mS)(l k!1) + 50 kO. V; Vº

__..._ ...,._
Z; R2 Rv
Zo
-gmR0 -(1,51 mS)(3,3 kfi)
A
v
= 1 + gmRs
=
1 + (1,51 mS)(l k!1)
= -198
'
"=" 'li'
Como verificado, o efeito de rd foi mínimo porque a condi-
ção rd 2:: lO(Rv + Rs) foi satisfeita. Fig. 9.22 Circuito da Fig. 9.21 sob condições ac.
 290 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

--
G D
V; o----------o .--~~-.,....~~-.---~vo
+
Z; zo

..
Fig. 9.23 Circuito redesenhado da Fig. 9.22.

Fig. 9.24 Configuração

seguidor-de-fonte do
Z0 : Fazendo V; = O V resulta em V8., e 8m V8 ., iguais a zero e JFET.

(9.29)

D
Para r,1 2:: 10 R0 ,

(9.30)

Av:
Vgs = V;
s-------ovº
e V0 = -gmVgs<rdllRo)
V0 -gmVgs(rdllRo)
tal que A=-=------
,. V; Vgs

, - - - '' .-·----·-----.--1
e 1
1 A,.= \lo
,
V= -g,,,(r,tl!RD) 'I
(9.31) Fig. 9.25 Circuito da Fig. 9.24 após a introdução do modelo equivalente ao do
1 ' JFET.

Ser" 2:: 10 R0 ,
das em paralelo, como mostra a Fig. 9.26. O sentido da fonte de
corrente foi invertido, mas V8, ainda é definida entre os termi-
(9.32) nais de porta e fonte.
Z;: A Fig. 9.26 revela de forma clara que Z; é dada por:

Observe que as equações para Z 0 e Av são iguais às obtidas para ( 9.33)

as configurações com polarização fixa e autopolarização. Adi-
ferença se encontra na equação para Z;, que, neste caso, é sensí- Z 0 : Fazendo V;= OV, o terminal de porta fica conectado di-
vel à combinação em paralelo de R, e R 2• retamente ao terra, como mostrado na Fig. 9.27. Como V8, e V0
estão definidas através do mesmo circuito paralelo, pode-se di-
zer que V0 = - V8,.
Aplicando a lei das correntes de Kirchhoff no nó a,
9.6 CIRCUITO JFET SEGUIDOR-DE-
/ 0 + gmVgs = f,, + [Rs
FONTE (DRENO-COMUM)
V0 V0
O circuito equivalente do JFET para a configuração seguidor-de-
=-+-
rd Rs
emissor do TBJ é a configuração seguidor-de-fonte da Fig. 9.24.
Observe que o sinal de saída é "extraído" do terminal de fonte e,
quando a fonte de é substituída por um curto-circuito equivalen-
te, o dreno é aterrado (por isto, a terminologia dreno-comum).* ..._
lo
Introduzir o circuito equivalente do JFET resulta na configu-
ração da Fig. 9.25. A fonte controlada e a impedância de saída ·~
+
interna do JFET são conectadas ao terra em uma extremidade e zº
à R5 na outra, com V" definido através de R 5• Como 8m V8,, rd e R5 Rs Vo
estão ligadas a um mesmo nó e ao terra, elas podem ser coloca-

*N. T.: Mais precisamente, o termo "comum" se refere ao fato de que o terminal de dreno é
comum ao circuito de entrada e ao circuito de saída. Fig. 9.26 Circuito da Fig. 9.25 redesenhado.
 Análise do FET para Pequenos Sinais 291

lo Na ausência de rd ou se rd 2::: Rs,

--+-
..+-
+
Zo
Rs Vº
(9.37)

Como o denominador da Eq. (9.36) é maior do que o numera-

dor, o ganho nunca será igual ou maior do que um (da mesma
forma que o circuito seguidor-de-emissor do TBJ).
Fig. 9.27 Determinação de Z para circuito da Fig. 9.24.
0
Relação de fase: Como Avé positivo, V0 e Vi estão em fase na
configuração seguidor-de-fonte do JFET.

O resultado é EXEMPL09.9
Uma análise de do circuito seguidor-de-fonte da Fig. 9.28 esta-
belece que Vasa = -2,86 V e lva = 4,56 mA.
(a) Determine 8m·
(b) Ache rd.
(e) Determine Zi.
(d) Calcule Z0 com e sem rd. Compare os resultados.
(e) DetermineAv com e sem rd. Compare os resultados.

+9V

1 1 1
-+-+--
rd Rs 1/gm
1 M.Q
donde se conclui que Z0 é a resistência equivalente do paralelo
de três resistores. Ou seja,

(9.34)
Fig. 9.28 Circuito que será analisado no Exemplo 9.9.

(9.35) Solução

A,: A tensão de saída V0 é determinada por 2Ivss 2(16 mA)

(a) g = -- = = 8 mS
mO IVpl 4V
Vo = gm Vg.(rdl!Rs)
e aplicar a lei das tensões de Kirchhoff à malha exterior do cir- g =gm0(1- Vasa)= 8ms(1- (-2,86V)) =
cuito da Fig. 9.26 resulta em · m Vp (-4 V)

= 2,28mS
Vi= Vgs + Vº
e Vgs = V; - Vo 1 1
(b) rd = - = - - = 40k0
Yos 25 µS
tal que Vº = gm(Vi - Vo)(rdllRs)
(e) Zi= R0 = 1 MO
ou Vo = 8mVi(rdllRs) - 8mVoCrdllRs) (d) Com rd:

e Vo[l + gm(rdllRs)] = gmVlrdllRs) Z0 = rdllRsllllgm = 40 kOll2,2 kOlll/2,28 mS

= 40 kOll2,2 kOll438,6 O
= 362,520
tal que (9.36) revelando que Z0 é, em geral, relativamente pequena e de-
terminada principalmente por 1/gm.
292 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Sem rd: uma vez que o terminal de porta está agora conectado ao terra
comum da configuração. Além disso, o resistor conectado en-
Z0 = Rsll llgm = 2,2 k0.11438,6 O = 365,69 O tre os terminais de entrada não é mais R0 , mas o resistor Rs, co-
o que revela que rd não influi muito no valor de Z0 • nectado do terminal de fonte para o terra. Observe também a
(e) Com rd: posição da tensão de controle V8 ,, que é definida através do
resistor Rs.
8m(r~IRs) (2,28 mS)(40 k0.112,2 kO.) Z;: O resistor Rs se situa entre os terminais de entrada. Para a
Av = 1 + 8m(rd11Rs) = 1 + (2,28 mS)(40 k0.112,2 kO.)
determinação de Zi, vamos calcular a impedância mostrada z;
na Fig. 9.29, que está em paralelo com Rs definindo Z;.
(2,28 mS)(2,09 kO.) 4,77 O circuito de interesse é redesenhado na Fig. 9 .31. A tensão
1 + (2,28 mS)(2,09 kO.) 1 + 4,77 = º'83 V' é igual a - Vg,· Aplicar a lei das tensões de Kirchhoff ao lon-
go da malha externa do circuito resulta em
que é menor do que um, como afirmado anteriormente.
Sem rd: V' - Vr• - VR 0 = O

gmRs (2,28 mS)(2,2 kO.)

e VrJ = V' - VR,, = V' - I'RD
1 + gmRs 1 + (2,28 mS)(2,2 kO.)
5,02
---=083 /'
1 + 5,02 '
o que revela que rd não influi muito no ganho da configura-
ção.
+
-z·.
'
..
q +

9. 7 CIRCUITO JFET PORTA-COMUM

+
A última configuração do JFET a ser analisada é a configuração
porta-comum da Fig. 9.29, que corresponde ao circuito base-
comum do TBJ.
+ j
A introdução do circuito equivalente do JFET resulta na Fig.
Fig. 9.31 Determinação dez; para o circuito da Fig. 9.29.
9.30. Observe que mais uma vez a fonte controlada gm Vg, é co-
nectada do dreno para a fonte com rd em paralelo. Obviamente,
o isolamento entre os circuitos de entrada e saída foi perdido,
Aplicar a lei das correntes de Kirchhoff no nó a resulta em

C1 C2 J' + gmVgs = lrd

~t----.---<r--~~,~~-.---lf--+ (V' - l'Rv)
_..... e I' = lrd - gmVgs = - 8mVgs
rd
Z;
.......
Z'·l I, = -
V' I'RD
- - - - 8m -V]
[ ,
ou
rd rd

Fig. 9.29 Configuração porta-comum do JFET. tal que

V' [ 1 + :; ]
e
Z'-------
;- I' - [ 1] (9.38)
gm + rd

ou

+G e

Fig. 9.30 Circuito da Fig. 9.29 após a introdução do circuito equivalente ac do resulta em (9.39)
JFET.
 Análise do FET para Pequenos Sinais 293

Se rd;;;:: lORv, e como RJrd q; 1 e 1/rd q; gm, a Eq. (9.38) permite P-ara rd;;;:: lORv, o fator Rzlrd pode ser eliminado e a Eq. 9.43 pode
a seguinte aproximação: ser aproximada por

[l + :~] (9.44)
Zí=----=-
g/11
[g,,, + :J Relação de fase: Como A,, é positivo, V0 e Vi estão em fase na
configuração porta-comum.

e (9.40)
Z0 : Fazendo Vi= O V na Fig. 9.30, o efeito de Rs é eliminado
e Vg, assume O V. O resultado é gmVg, = O e rd fica em paralelo
com Rv. Portanto,
(9.41)
(9.42)
EXEMPLO 9.10
Embora. à primeira vista, o circuito da Fig. 9.32 pareça não se
enquadrar na configuração porta-comum, uma análise mais a
fundo revela que se trata de um circuito com todas as caracterís-
ticas da Fig. 9.29. Se Va.5q = -2,2 V e /Da = 2,03 mA,
(a) Determine 8m·
(b) Ache rd.
(c) Calcule Z; com e sem rd. Compare os resultados.
(d) Calcule Z0 com e sem rd. Compare os resultados.
(e) Determine V0 com e sem rd. Compare os resultados.

A,: A Fig. 9.30 mostra que

+12V
V;= -Vg,
e V0 = loRo
A tensão através de rd é
Vrd = Vº - Vi
V0 - V;
e lr"=---
rd
Aplicar a lei das correntes de Kirchhoff no nó b resulta em
lrd + J,, + gm Vgs = O

Fig. 9.32 Circuito para o Exemplo 9.10.

Solução
tal que· 2/oss 2(10 mA)
(a) 8m0 =- - = = S mS
Vº = IoRo = [
V; - V0
+ 8m V;
] IVPI 4V
rd Ro
8m = g,n0 1 -
( VGs )
v/ = 5 mS
(
1-
(-2,2
(-4 V)
V)) =
V;Ro V,,Ro
=-----+gm
rd rd
= 2,25mS

e 1 1
(b) rd=-=--=20k0
Yos 50 µS
(c) Com ri

com (9.43) rd + R0 ] [ 20 k!l + 3,6 k!l ]

[
zi = R$11 1 + gmrd = l,I k!lll 1 + (2,25 mS)(20 kfi)
= 1,1 kllli0,51 kfi = 0,35 kO
294 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

GO
D
Z; = Rsllllgm = 1,1 k!llll/2,25 ms = 1,1 kOII0,44 k!l
= 0,31 kfi
Embora a condição,
rd 2: lORv = > 20 k!l 2: 10(3,6 kO) = > 20 k!l 2: 36 k!l
s
so
não seja satisfeita, ambas as equações produzem basicamente
o mesmo valor de impedância. Neste caso, 1/gm foi o fator Fig. 9.33 Modelo equivalente ac do D-MOSFET.
predominante
(d) Com rd:
Z0 = Rvllrd = 3,6 kOll20 k!l = 3,05 kfi
EXEMPLO 9.11
Sem rd:
O circuito da Fig. 9.34 foi analisado no Exemplo 6. 7, resultando
Z0 = Rv = 3,6kfi que Vasa = _1,5 V e /Da = 7,6 mA.
Novamente a condição rd 2: lORv não é satisfeita, mas os (a) Determme 8m e compare com 8mo·
resultados são razoavelmente próximos. Certamente Rv é o (b) Ache rd.
(c) Desenhe o circuito equivalente para a Fig. 9.34.
fator predominante neste exemplo.
(d) AcheZ;,
(e) Com rd:
(e) Calcule Z0 •
(f) Determine Av.
[ (2,25 mS)(3,6 k!l) 3,6 kO]
[gmRo + ~] + 20 kO
A=
V =
18 V
[1+ ~~] [ +
l
3,6k0]
20k!l
8,1 + 0,18
1 + 0,18 = 7 2 ·º
e AV = -Vº
V; = > Vo =A VI
V:· = (7 02)(40 mV) = 280,8 mV
'

Av = gmRo = (2,25 mS)(3,6 k!l) = 8,1

com V0 = AvVi - (8,1)(40 mV) = 324 mV
Neste caso, a diferença é mais perceptível, mas ainda assim
não é elevada.
Fig. 9.34 Circuito para o Exemplo 9.11.

O Exemplo 9.1 Odemonstra que, embora a condição rd 2: 1ORv

não tenha sido satisfeita, os resultados aproximados para os pa- Solução
râmetros pedidos não foram significativamente diferentes. De 2Ioss 2(6 mA)
fato, na maior parte dos casos, as equações aproximadas podem (a) g,na = IVPI = 3V = 4 mS
ser utilizadas para se ter uma noção dos valores dos parâmetros
sem despender muito esforço. g = gm0(1 - Vasa)= 4ms(1 - (+1,5 V))=
m Vp (-3V)
9.8 MOSFETs TIPO DEPLEÇÃO = 4 mS(l + 0,5) = 6mS
Como a equação de Schockley é aplicável também ao MOSFET e constatamos que 8m é 50% maior do que 8mo·
tipo depleção, a equação para 8m é a mesma. Na verdade, o mo-
delo equivalente ac para o D-MOSFET é exatamente o mesmo 1 1
(b) r d = - = - - = 100kfi
que o empregado para o JFET, como mostra a Fig. 9.33. Yos 10 µ,S
A única diferença apresentada pelo D-MOSFET é que Vasa
(c) Veja a Fig. 9.35. Observe as semelhanças com o circuito da
pode ser positiva em dispositivos de canal n e negativa em dis-
Fig. 9.23. As Eqs. (9.28) a (9.32) são, portanto, aplicáveis.
positivos de canal p. O resultado é que 8m pode ser maior do que
8mo• como demonstrado no exemplo a seguir. A faixa de rd para (d) Eq. (9.28): Z; = R1IIR2 = 10 MOllllO MO
este dispositivo é muito similar à verificada para os JFETs. = 9,17MO
 Análise do FET para Pequenos Sinais 295

+
lOM.Q 110 1,8 k.Q

s
Fig. 9.35 Circuito equivalente ac para a Fig. 9.34.

(e) Eq. (9.29) Z0 = r JIRv = 100 kOTI 1,8 kO nós podemos derivar a equação de transferência para determinar
= 1,77 kO = Rv = 1,8 kO gm como um ponto de operação. Ou seja,
(f) rd :2: lORv-+ 100 kO :2: 18 kO d/0 d ?

Eq. (9.32): Av = -g,,,R.D = -(6 mS)(l,8 kO) = 10,8 gm = dVcs = dVcs k(Vcs - Vcs(Thl)- =
d 2
= k--(Vcs - Vcs(Th>)
dVcs
d
= 2k(Vcs - Vcs(Th>)~(Vcs - Vcs<Th)) =
9.9 MOSFETs TIPO INTENSIFICAÇÃO GS

O MOSFET tipo intensificação pode ser um dispositivo de ca- = 2k(Vcs - Vcs(ThJ)(l - O)

nal n (nMOS) ou um dispositivo de canal p (pMOS), como mos-
trado na Fig. 9.36. O circuito equivalente ac para pequenos si-
nais dos dois tipos de dispositivos é mostrado na Fig. 9.36, com
um circuito aberto entre a porta e o canal dreno-fonte, e uma fonte
de corrente do dreno para a fonte cujo valor depende da tensão
porta-fonte. Há uma impedância de saída do dreno para fonte rd
que, nas folhas de especificações, normalmente é fornecida in-
diretamente através da adrnitância y0 , . A transcondutância do
dispositivo, gm, aparece nas folhas de especificações como uma
admitância de transferência direta, Yts·
e (9.45)
Lembre-se que a constante k pode ser determinada a partir de um
ponto de operação típico dado em uma folha de especificações.
Com relação ao restante da análise ac, ela se mostra idêntica à
empregada para o JFET ou D-MOSFET. No entanto, saiba que
as características de um E-MOSFET limitam as suas configura-
ções de polarização.

J.D 9.10 CIRCUITO E-MOSFET COM

REALIMENTAÇÃO DO DRENO
pMOS
G ltts A configuração de realimentação do dreno do E-MOSFET é
mostrada na Fig. 9 .37. Lembre-se da análise de que Ra pode ser
substituída por um curto-circuito equivalente já que Ia = OA e,
portanto, V11a = OV. No entanto, no domínio ac, esta caracterís-
tica é interpretada como uma· alta impedância entre V0 e Vi. Se
não fosse assim, os terminais de entrada e saída estariam conec-
tados diretamente e V0 = Vi.

Fig. 9.36 Modelo ac para pequenos sinais do MOSFET intensificação.

Na nossa análise do JFET deduziu-se uma equação para gm a

partir da equação de Shockley. Para o E-MOSFET (Enhance-
ment-MOSFET), a relação entre a corrente de saída e a tensão
de controle é definida por
lv = k(Vcs - VcscThl
Como gm é ainda definido por

Fig. 9.37 Configuração do E-MOSFET com realimentação do dreno.

296 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Rp Rp

-1 "li'
Fig. 9.39 Determinação de Z para o cir.cuito da Fig. 9.37.
0

Fig. 9.38 Equivalente ac do circuito da Fig. 9.37.

Introduzindo o modelo equivalente ac para o dispositivo re-

sulta no circuito da Fig. 9.38. Observe que RF não pertence à área (9.49)
sombreada correspondente ao modelo equivalente ac do dispo-
sitivo, mas conecta diretamennte os circuitos de entrada e saída.
Z 1: Aplicar a lei das correntes de Kirchhoff ao circuito de sa- A,: Aplicar a lei das correntes de Kirchhoff ao nó D da Fig.
ída (no nó D) resulta em 9.38 resulta em

Vº
I; = KmVgs +-li-
rd Rv
e Vgs = V;
Vº mas
tal que I; = KmV; + - 11-
rd Rv
Vº
ou I; - Km V; =- - tal que
rd 11 Rv
Portanto, V,,= (rdllRv)(l; - gmV;)
e
V;- V0 V; - (rdllRo)(/; - gmV;)
com I; = =
RF RF
e l;RF = V; - (rdllRv)l; + (rdllRv)gmV; tal que
tal que V;[l + g,n(rdllRv)] = l;[RF + rdllRv]

e, finalmente, (9.46)
e A=-=
Vº
[i- gm]
V;
Ld1~º + ;J
V

Tipicamente, RF ~ r)IRv, tal que

1 1 1
mas --+-=----
rdllRo Rp RpllrdllRo

1
e gm>>-
Rp
(9.47)
tal que
Z0 : Fazendo V;= OV, resulta em V8 , = OV e gm V8, = O, com
(9.50)
um curto-circuito da porta para o terra como mostra a Fig. 9.39.
Portanto, as resistências Rp, rd e R0 estão em paralelo e

(9.48)
(9.51)
Normalmente RF é muito maior do que r)IR0 , permitindo a
seguinte aproximação
Relação de fase: O sinal negativo de Av indica que V0 e V; têm
uma diferença de fase de 180º.
 Análise do FET para Pequenos Sinais 297

(d) Com rd:

EXEMPLO 9.12
O E-MOSFET da Fig. 9.40 foi analisado no Exemplo 6.11 e Z, = RFilrdllRv = 10 MOIISO kfili2 kfi = 49,75 kOll2 kfi
obteve-sek = 0,24 X 10-3 AN2 , VasQ = 6,4 Ve lnQ = 2,75 mA. = 1,92k0
(a) Determine 8m·
Sem rd:
(b) Ache rd.
(c) Calcule Z; com e sem rd. Compare os resultados. Z0 =Rv = 2k0
(d) Calcule Z0 com e sem rd. Compare os resultados. obtendo-se novamente resultados muito próximos.
(e) Determine A., com e sem rd. Compare os resultados. (e) Com ri •
Av = -gm(RJ<ilrdllRv)
12V
= -(1,63 mS)(lO MOll50 kOll2 kO)
= -(1,63 mS)(l,92 kO)
2k.Q = -3,21

--------1(1---- Vº
Av = -g,,.RD = -(1,63 mS)(2 kO)
1 µF
lOMQ = -3,26
que é muito próximo do resultado acima.
vi ---:)1--------
1 µF

9.11 CIRCUITO E-MOSFET COM

Fig. 9.40 Amplificador com realimentação de dreno do Exemplo 9.11. DIVISOR DE TENSÃO
A última configuração com E-MOSFET a ser examinada é o cir~
Solução cuito com divisor de tensão da Fig. 9 .41. O circuito apresenta um
formato que já foi analisado em seções anteriores.
(a) 8m = 2k<Vos0 - Vas(Th)) = ·A introdução do circuito equivalente ac do E-MOSFET resulta
na configuração da Fig. 9 .42, que é exatamente igual ao circuito
mostrado na Fig. 9.23. Desta forma, as Eqs. (9.28) a (9.32) são
= 2(0,24 x 10- 3 AN2)(6,4 V - 3 V) = 1,63 mS aplicáveis para este caso e utilizadas para o E-MOSFET.
1 1
(b) rd = - = - - = SOkO
Yns 20 µ,S

(c) Com rd:

RF + rdllRv 10 MO + 50 kOll2 kO
Z.=
' 1 + 8m(rdl1Rv)
=----------
1 + (1,63 mS)(50 kOll2 kO)
10 MO+ 1,92 kO
- - - - - - = 2,42 MO

-
1 + 3,13

Z;
RF lOMO
Z-= = · , =253MO
1
1 + g,,.Rv 1 + (1,63 mS)(2 kO) '
como a condição rd 2:::: lORn = 50 kO 2:::: 40 kO é satisfeita,
observe que os resultados para Z0 com e sem rd são muito
próximos. Fig. 9.41 Configuração com divisor de tensão do E-MOSFET.

Fig. 9.42 Circuito equivalente ac para a configuração da Fig. 9.4L

298 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

eia. Os próximos três exemplos determinarão os parâmetros exi-

gidos para um ganho específico.
(9.52)

EXEMPLO 9.13
Projete o circuito com polarização fixa da Fig. 9.43 para que se
(9.53)
obtenha um ganho de 10. Ou seja, determine o valor de Rv,

(9.54)

A,:

(9.55) e,
V;o----)1-----+--~::
O,lµF

(9.56)
Fig. 9.43 Circuito para o ganho de tensão desejado no Exemplo 9.13.

9.12 PROJETO DE CIRCUITOS

AMPLIFICADORES COM FET Solução

Os projetos nesta fase limitam-se a obter uma condição de pola- Como Vasa = O V, o valor de gm é gmo· O ganho é determinado
rização de desejada ou o ganho de tensão ac pedido. Na maior então por
parte dos casos, as várias equações desenvolvidas são utilizadas
"inversamente" para definir os parâmetros necessários à obten-
Av = -gm(Rvllrd) = -gmo(Rnllrd)
ção do ganho desejado, impedância de entrada ou impedância de 2Ivss 2(10 mA)
saída. As equações aproximadas serão muito utilizadas, evitan- com gm0 = -- = = 5 mS
IVpl 4V
do com isso uma complexidade desnecessária nas fases iniciais
do projeto. Este procedimento é válido já que os resistores cal- O resultado é -10 = -5 mS(Rvllrd)
culados terão que ser substituídos por resistores com valores
comerciais. Uma vez terminado o projeto inicial, os resultados 10
e Rvllrd = - - = 2k0
podem ser testados e alguns ajustes podem ser implementados 5mS
utilizando-se as equações exatas. Das especificações do dispositivo,
Durante todo o projeto, esteja ciente de que embora a super-
posição permita uma análise de e ac separadas, um parâmetro 1 1
escolhido para o ambiente de terá uma influência importante na rd = Yos = 20 X 10-6 S = 50 k!l
resposta ac. Em particular, lembre-se que a resistência Ra pode
ser substituída por um curto-circuito equivalente na configura- Substituindo, nós temos
ção com realimentação porque Ia== OA no domínio de, mas, para
Rvllrd = Rvll50 kfi = 2 kfi
a análise ac, ela proporciona uma alta impedância fundamental
entre V0 e V;, Além disso, lembre-se que gm é maior para pontos Rv(50 kfi)
de operação mais próximos do eixo lv <Vas = OV), exigindo que e ----=2k0
R0 + 50k0
Rs seja relativamente pequeno. No circuito com Rs não-desvia-
do, uma resistência Rs pequena também contribui com um alto ou 50R0 = 2(R0 + 50 kfi) = 2R0 + 100 kO
ganho, mas para o circuito seguidor-de-fonte o ganho é reduzido
do seu valor máximo que é igual a 1. Em suma, procure sempre
com 48R0 = 100 kfi
se lembrar de que os parâmetros do circuito podem afetar a po- lOOkO
larização de e a resposta ac de diferentes maneiras. Freqüente- e Rv =- 4- 8- == 2,08 kfi
mente deve-se adotar uma solução que atenda a um ponto de
operação particular e à resposta ac desejada. O valor comercial mais próximo é 2 kO (Apêndice E), que po-
Em muitos casos, o valor da fonte de disponível é conhecido, · deria ser empregado para este projeto.
o FET a ser empregado foi determinado e os capacitores que serão O valor resultante de Vvsa seria então determinado como se
utiliz~dos foram definidos para a faixa de freqüências em ques- segue:
tão. E necessário, então, determinar os valores dos elementos
resistivos que definem o ganho desejado ou o nível de impedân- Vvsll = Vvv - lvllRv = 30 V - (10 mA)(2 kfi) = 10 V
 Análise do FET para Pequenos Sinais 299

Os valores de Zi e Z0 são determinados a partir de R 0 e R 0 respec- e Roll50 k.O = 2, 13 k.O

tivamente. Ou seja,
com o result~do que
Z1 = R0 = lOMO
Z0 = RDllrd = 2 k.01150 k.O = 1,92 kO =Ro = 2 kil. RD = 2,2 kO
que é um valor comercial.
O valor de Rs é determinado pelas condições de operação de
como se segue:
EXEMPLO 9.14
Escolha os valores de R0 e Rs para o circuito da Fig. 9.44 para VasQ = -lvf?.s
produzir um ganho igual a 8, com um valor relativamente alto
de gm para este dispositivo definido em VasQ = t Vp. -1 V = -(5,625 mA)Rs
lV
e Rs = S, 625 mA = 177,8 O
VDD
+20V
O valor comercial mais próximo é 180 n. Neste exemplo, Rs
não aparece na análise ac devido ao curto efeito provocado por
Rn Cs.
C2
Vº
0.1
L No próximo exemplo, Rs não está desviado e por esta razão o
n projeto se torna um pouco mais complicado.
T J~"'10tnA\ .·,;.~ S·
V . .· '··V··· r Cm.o-· :til:
Rs I Cs
40µF
p""-"' .·
Y;,.,=20µ8
J
EXEMPLO 9.15
... ... Determine os valores de RD e Rs para o circuito da Fig. 9.44 de
modo a produzir um ganho de 8 com o capacitor de desvio Cs
Fig. 9.44 Circuito para o ganho de tensão desejado no Exemplo 9.14. removido.

Solução
Solução

O ponto de operação é definido por VasQ e IDQ são ainda -1 V e 5,625 mA, e como a equação Vas =
- I DRs não mudou, Rs no projeto deve continuar com o valor co-
1 1 mercial de 180 O obtido no Exemplo 9.14.
V:GSQ = -V
4 p = -(-4
4 V)= -1 V
O ganho de um circuito com autopolarização não-desviado é
e relativamente alto dado por
g,,.Ro
Vas ) 2 (-1 V)) 2 A,,=-----
/D= loss ( 1 --f; (
=lOmA 1 - (- 4 V) =5,625 mA 1 + gmRs
Determinando gm, Por hora é considerado que rd 2::: lO(RD + Rs). Se a equação
completa para Av fosse utilizada neste ponto do projeto, o pro-
Vas) cesso de análise se complicaria desnecessariamente.
gm = gmO ( 1 - VpQ Substituindo (para o valor de ganho igual a 8),

(-1 V)) -(3,75 mS)RD 1 (3,75 mS)R0

= 5 mS ( 1 - = 3 75 mS 8 = 1
(-4 V) ' 1 1 1 + (3,75 mS)(180 .0) = 1 + 0,675
O valor do ganho de tensão é determinado por e 8(1 + 0,675) = (3,75 mS)Rv

IAvl = gm(Rollrd) 13,4

Substituir os valores conhecidos resulta em
tal que RD = 3 •75 mS = 3,573 k.O
8 = (3,75 mS)(Rn!lrd) com o valor comercial mais próximo de 3,6 O.
Nós agora podemos testar a condição:
8
tal que Rollrd = 3 ,75 mS = 2,13 k.O rd 2::: IO(RD + Rs)
O valor de rd é definido por 50 k.O 2::: 10(3,6 k.O + 0,18 k!l) = 10(3,78 k.0)
e 50k.O 2::: 37,8k.0
l l
rd =- =-- = 50 kfl que é satisfeita - a solução está correta!
Yos 20 µS
300 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

9.13 QUADRO-RESUMO listagem que pode ser útil por várias razões. As equações exata
e aproximada para cada parâmetro relevante do circuito foram
A Tabela 9.1 foi desenvolvida com o intuito de proporcionar fornecidas, com uma faixa típica de valores associada a cada
uma comparação rápida entre as configurações e oferecer uma um. Embora nem todas as possíveis configurações estejam pre-

QUADRO 9.1 Z1, Z0 e A,, para Várias Configurações FET

Configuração zo A= Vº
V V;
Polarização Fixa
[JFET ou D-MOSFET]

Médio (2 kil) Médio (-10)

Alto (lOMil)

Autopolarização
com R5 desviado
[JFET ou D-MOSFETJ
+Vvv
Médio (2kil) Médio (-10)
~ R- C2
Alto(lOMil)
~ f - - - - , V0

-
Z;

Autopolarização
com R5 não-desviado Médio (2kil) Baixo (-2)
[JFET ou D-MOSFET]
+Vvv

Alto(lOMil)

Polarização por divisor de tensão

[JFET ou D-MOSFETJ

Médio(2kil) Médio (-10)

Alto (10 Mil)

= ~ill~íl
 Análise do FET para Pequenos Sinais 301

QUADRO 9.1 (Continuação)

Configuração

Seguidor-de-fonte
[JFET ou D-MOSFET]
Baixo (100 kO) Baixo(<!)

Alto(lOMO)

(rd 2c 10 Rs) (rd 2': lORs)

Porta-comum
[JFET ou D-MOSFET]
Médio (+10)
Baixo (1 kO)
Médio(2k0)

(rd 2< 10 Ro)

Polarização com
realimentação do dreno
E-MOSFET Médio(! MO)

Médio(2k0)

C2
.--'V'iJ'l,-.---~4f------V,,

Polarização por
divisor de tensão
E-MOSFET

Médio(2MO) Médio(-10)

Médio (1 MO)
302 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

sentes, as mais freqüentemente empregadas são incluídas. Na
verdade, qualquer configuração não-listada será, provavelmen-
te, alguma variação das que foram fornecidas no quadro, de tal
forma que, na pior das hipóteses, a lista auxilia na análise des-
tas configurações. O formato do quadro foi idealizado para
permitir escrevê-lo na frente e no verso de uma página de 21,6
por 28 cm.
9.14 VERIFICAÇÃO DE
DEFEITOS
(TROUBLESHOOTING)
9.15 ANÁLISE POR COMPUTADOR
Considerando que os cálculos para o ganho de tensão, impe-
dância de entrada e impedância de saída para vários circuitos
FET exigem as condições de polarização para se determinar
os parâmetros do dispositivo no ponto Q, a análise por com-
putador pode ser bastante útil. A análise pelo programa SPICE
oferece modelos de JFET, MOSFET depleção e MOSFET in-
tensificação. Alguns exemplos demonstrarão como é feita a
descrição do circuito em um programa e como se pode conse-
guir os resultados que se deseja em determinada operação do
circuito.

Como mencionado anteriormente, a reparação de defeitos em um PSpice (Versão DOS):

circuito deve ser função de uma combinação da teoria assimila-
da com a experiência com o manuseio de medidores e oscilos- Descrição JFET
cópios. Um bom reparador possui um "faro" para achar um pro-
blema em um circuito - esta habilidade de "ver" o que está acon- LINHA DO DISPOSITIVO JFET
tecendo foi desenvolvida com a montagem, teste e reparação de
vários circuitos diferentes. Para um amplificador FET de peque- A forma geral para a linha de entrada do transistor de efeito
nos sinais, a verificação de defeitos pode ser realizada seguindo de campo é
algumas etapas básicas.
JXX:XX ND NG NS MODNAME
1. Observe a placa do circuito, e tente detectar alguns dos pro-
blemas: uma área da placa chamuscada por dissipação de ca- onde JXXXX é o nome do transistor; ND, NG e NS são os nú-
lor excessiva de um componente; um componente muito quen- meros dos nós para o dreno, porta e fonte, respectivamente; e
te ao ser tocado; uma solda malfeita; alguma conexão solta. MODNAME é o nome do modelo usado na linha .MODEL des-
2. Utilizando um medidor de: faça algumas medidas previstas crita a seguir.
no manual de reparo, que contém o diagrama do circuito e uma
lista de tensões de de teste. LINHA DO MODELO JFET
3. Aplique um sinal de teste ac: meça as tensões ac, começando
pela entrada e seguindo o caminho do sinal até a saída. A forma geral para a linha de entrada do JFET é
4. Se o problema for identificado em determinada parte do cir-
cuito, o sinal ac deve ser verificado em vários pontos, usando .MODEL MODNAME NJF VTO= BETA=
um osciloscópio para visualizar a forma de onda, sua polari- .MODEL MODNAME PJF VTO= BETA=
dade, amplitude e freqüência, assim como eventuais "glitches"
na forma de onda. Observe ainda se o sinal realiza um ciclo onde MODNAME é o nome do modelo dado na linha do elemen-
completo. to, NJF identifica um dispositivo de canal n, e PJF identifica um
dispositivo de canal p. Dos vários parâmetros para o modelo
Sintomas e Ações Possíveis JFET, uns dos mais importantes são:

Se não há tensão ac de saída: VTO = Vp: tensão porta-fonte de pinch-off

BETA = I vss IV; : parâmetro combinando dois parâmetros do
1. Verifique se a fonte de tensão está presente.
2. Verifique se a tensão de saída Vv se situa entre O V e Vvv· JFET
3. Verifique se há algum sinal de entrada ac no terminal de
porta.
4. Verifique a tensão ac em cada lado do capacitor de acopla- EXEMPLO 9.16
mento. Escreva linhas de entrada do SPICE para descrever os seguintes
Quando da montagem e teste do circuito amplificador FET em dispositivos JFET.
laboratório: (a) Um JFET de canal n com lvss = 12 mA e Vp = -4 V.
(b) Um JFET de canal n com lvss = 8 mA e VP = -3 V.
1. Verifique o código de cores dos resistores para ter certeza de Assuma que os dispositivos estão conectados nos nós: dreno =
que os valores estão corretos. Melhor ainda, meça o valor do 5, fonte = 4, e porta = 2.
resistor, pois componentes utilizados repetidamente podem
aquecer-se além do permitido, acarretando uma variação no Solução
valor nominal.
2. Verifique se todas as tensões de estão presentes nos terminais (a) JUP 5 2 4 JN
do componente. Esteja certo de que todas as conexões de ter- .MODEL JN NJF VTO = -4 BETA= 750E - 6
ra são comuns. (b) JDOWN 5 2 4 JJ
3. Meça o sinal de entrada ac para ter certeza de que o valores- .MODEL JJ NJF VTO = -3 BETA= 889E - 6
perado está sendo fornecido.
 Análise do FET para Pequenos Sinais 303

Programa 9.1: Circuito Amplificador com VDD (+20 V)

JFET
Um circuito amplificador com JFET é mostrado na Fig. 9.45. A
polarização de do JFET é fornecida pela fonte de tensão Vcc, a
fonte de tensão VDD• e o resistor de dreno, RD. Uma tensão de
entrada ac é aplicada através do capacitor C1, e a tensão de saída
amplificada é tirada através do capacitor C2• O PSpice exige que
o caminho de saída esteja conectado ao terra, e a resistência de
carga, Ru é especificada com uma impedância muito alta. Com
um valor de 1O MD, a saída pode ser considerada um circuito
aberto. V;= lOmV
O arquivo de descrição do circuito analisado (Fig. 9.45) está - Vcc
listado na Fig. 9.46, mostrando todos os nós assinalados e os J+l,5V
dados de saída resultantes. Eis alguns comentários sobre o pro-
grama PSpice:
Formato da linha do dispositivo JFET: Fig. 9.45 Amplificador JFET para a análise com PSpice.
JI 3 2 O JFET
Formato da linha do MODELO JFET: 2. A polaridade da bateria, Vcc, é fornecida identificando-se uma
fonte de 1,5 V do nó O (positivo) para o nó 5 (negativo) .
.MODEL JFET NJF VTO = -4 V BETA= 6,25E 4
3. A .AC LIN mostra uma freqüência de 10 kHz, de forma que
Observe também: a linha .PRINT pode ser usada para fornecer as tensões ac nos
nós 1, 2, 3 e 4.
1. A unidade megohm é assinalada por MEGOHM (MEG tam-
bém serviria). O circuito possui um ganho de tensão ac, V (4)N ( 1) = 6,249.

Fig. 9.46 Listagem de saída do progra-

ma PSpice para o circuito da Fig. 9.45.
304 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Programa 9.2: Amplificador JFET com
Autopolarização DC
A Fig. 9.47 mostra um amplificador possuindo autopolarização
de. O resistor de polarização, R,, é desviado pelo capacitor C,. A
Fig. 9.48 apresenta a descrição do circuito e os resultados de saída
da polarização de e operação ac. O ganho de tensão é considera-
do igual a V(5)N(l) = 13,54. Os resultados da polarização de
em V0 = V(3) = 14,384 V,enquantoatensãoporta-fonte, Vcs=
V(2) - V(4) = -1,69 V. A linha do modelo JFETé igual à do
circuito anterior nas Figs. 9.45 e 9.46.
Programa 9.3: Amplificador JFET com
Polarização DC por Divisor de Tensão
A Fig. 9.49 apresenta um circuito com polarização por divisor
de tensão e uma amplificação de Vi para V0 • A descrição do cir-
cuito da Fig. 9.50 inclui o mesmo modelo do transistor conside-

+V00 (+30V)
------o +V 00 (+20V)

Vi=lmV
+ ~··
1\., Rc

-1
lOMO

Fig. 9.47 Amplificador JFET com autopolarização de. Fig. 9.49 Amplificador ac com polarização por divisor de tensão.

Fig. 9.48 Saída do programa PSpice para

o circuito da Fig. 9.47.

rado nos dois circuitos anteriores, com o resistor de polarização
R, desviado pelo capacitor C,. O ganho de tensão ac é traduzido
por V(S)N(l) = 5,499.
Programa 9.4: Amplificador MOSFET
Intensificação
A Fig. 9.51 é um amplificador com MOSFET tipo intensifica-
ção de entrada ac Vi e saída resultante V0 • A descrição do circui-
to no PSpice é apresentada na Fig. 9.52. A listagem de saída
+ iolµF
Vi= 1 mV.
~l
Fig. 9.51 Amplificador MOSFET tipo intensificação.
Análise do FET para Pequenos Sinais 305
Fig. 9.50 Saída do programa PSpice para o cir-
cuito da Fig. 9.49.
mostra a polarização de em Vn = V(3) = 9,529 V e um ganho de
tensão de V(S)N(l) = 3,296. Observe a linha do dispositivo
MOSFET.
Ml 3 2 o 4 NFET
que corresponde a um dispositivo MOSFET (Ml) de canal n
(NFET), conectado ao circuito por meio do nó 3 (dreno), nó 2
(porta), nó O (fonte) e substrato (nó 4). A linha do modelo do
dispositivo
.MODEL NFETNMOS (VTO = 2V)
fornece a especificação de que o MOSFET intensificação tem
uma tensão de limiar de VTO = Vos(Thl = 2 V.
PSpice para Windows (Windows Design
Center Analysis) ·
Vamos agora aplicar a versão do PSpice para Windows ao cir-
cuito da Fig. 9 .47. A configuração resultante é mostrada na Fig.
9 .53. Observe, neste caso, que os três símbolos de impressora são
incluídos para fornecer as tensões de entrada e saída e a tensão
ac através do resistor R5 • A definição no programa das caracte-
rísticas desejadas da fonte ac é descrita em detalhes na seção
correspondente do Cap. 8.
O JFET J2N3819 de canal n pertence à biblioteca eval.slb,
dentro da caixa de diálogo Get Part. Para incluir o fato de que
IDss = 10 mA e Vp = -4 V, a descrição disponível do modelo
deve ser alterada clicando-se (uma vez somente), inicialmente,
o dispositivo na tela e depois a opção Edit da barra de menu.
Escolha Modele Edit Instance Model (editando o modelo so-
306 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Fig. 9.52 Saída do programa PSpice para o circuito

da Fig. 9.51.

+
VDD RD AC=ok
30V 4.7k

i
MAG=ok
C2
PHASE=ok
A~=ok
M G=ok
C1 - PHASE=ok AC=ok
RL
MAG=ok
0.1 uF 10Meg
RG PHASE=ok
cs
10Meg
I20uF Fig, 9.53 Análise em Windows do circuito da
7 -:- -:- -:-
Fig. 9.47.

mente para uso corrente), aparecendo Model Editor. Clique em

Vto e mude para -4 V, seguido de Beta, que agora deve ser igual =
2(10 mA) (
1-
(1,71 V)) = 2 88 mS
4V (-4 V) '
a 6,25E-4. Clicando em OK estamos prontos para a etapa Analy-
sis - Simulate. A tensão de saída (no nó 5) tem uma amplitude de 13,31 m V,
O arquivo de saída resultante é mostrado na Fig. 9.54. Obser- próxima a 13,54 mV obtida na análise em DOS. O ângulo de fase
ve que VTO é -4 V e BETA é 625E-6 = 6,25E-4. A lista rela- é -179,9º, que pode ser considerado igual a -180º. O sinal apli-
tiva ao modelo revela que a corrente de dreno (ID) é 3,36 mA, cado (no nó 1) é 0,999 mV (= 1 mV) em 0,001º (É= Oº) e a ten-
valor muito próximo ao calculado (3,32 mA). Observe também são através do resistor Rs é 2,25 µ.V em -89,8º (=::; -90º). A ten-
que gm é apresentado com o valor de 2,94 mS, que está bem são ac através de Rs é essencialmente OV, como deveria ser con-
próximo ao valor de 2,88 mS calculado como se segue: siderando que o capacitor está realizando sua função corretamen-
te. Observe também os valores de nos VIEWPOINTS (pontos
g
m
= 2loss
jVpj
(l _ VasQ)
Vp
= de medida) da Fig. 9.53, que irão aparecer quando a simulação
tiver sido realizada.
Análise do FET para Pequenos Sinais 307

Fig. 9.54 Arquivo de saída para a análise

em Windows do circuito da Fig. 9.53.
308 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
/ 0 (mA)

Utilizando-se o recurso Probe (descrito na seção correspon-

dente do Cap. 8), as formas de onda resultantes podem ser visu- 10
alizadas. Como há outras prioridades neste livro, este exercício 9
é deixado para o leitor. 8
7
6
PROBLEMAS s
4
3
§ 9.2 Modelo FET para Pequenos Sinais
2
1
1. Calcule 8mo para um JFET que possui os parâmetros loss = 15 mA,
Vp= -5 V. -S -4 -3 -2 -] o
2. Determine a tensão de pinch-off de um JFET com 8mo = 10 mS e Vas(V)
loss= 12mA. Fig. 9.55 Característica de transferência do JFET para o Problema 11.
3. Para um JFET que possui os parâmetros 8mo = 5 mS e VP = - 3,5
V, qual é a corrente do dispositivo em Vos= O V?
4. Calcule o valor de 8m para um JFET (/0 ss = 12 mA, VP = -3 V) no
ponto de polarização V0 s = -1 V. (b) Determine 8m em Vos= -1,5 V graficamente.
5. ParaumJFETcomgm= 6mSem Vos,,= -1 V,qualéovalorde (c) Qualéovalordegmem V0 s0 = -1,5VutilizandoaEq.(9.6)?
loss se VP = -2,5 V? Compare com a solução da letra (b ).
6. UmJFET(/0 ss= lOmA, VP= -5V)épolarizadoem/0 =/0 s/4. (d) Determine graficamente 8m em V0 s = -2,5 V.
Qual é o valor de 8m naquele ponto de polarização? (e) Qualéovalordegmem Vesa= -2,5VutilizandoaEq. (9.6)?
7. Determine o valor de 8m para um JFET (/DSS = 8 mA, vp = - 5 V) Compare com a solução da letra (d).
quando polarizado em V0 s0 = V/4. 12. Usando a curva característica de dreno da Fig. 9.56:
8. Uma folha de especificações apresenta os seguintes dados (para uma (a) Qual é o valor de rd para Vas = OV?
corrente dreno-forte listada) (b) Qual é o valor de 8mo em Vos= 10 V?
13. Para o JFET de canal n 2N4220 (y1, (mínimo) = 750 µ,S, y0 , (máxi-
y1, = 4,5 mS, y0 , = 25 µ,S mo)= 10 µ,S):
Na corrente dreno-fonte listada, determine: (a) Qual é o valor de 8m?
(a) 8m· (b) rd. (b) Qual é o valor de rd?
9. Para um JFET possuindo os parâmetros y1, = 4,5 mS e y0 , = 25 µ,S, 14. (a) Trace 8m vs. Vos para um JFET canal n com loss = 8 mA e Vp
determine a impedância de saída do dispositivo, Z0 (FET), e o ganho = -6V.
de tensão ideal, Av (FET). (b) Trace 8m vs. / 0 para o mesmo JFET da letra (a).
10. Se um JFET possui rd = 100 kO e um ganho de tensão ideal Av 15. Esboce o modelo equivalente ac para um JFET se y1, = 5,6 mS e
(FET) = -200, qual é o valor de gm? y0 , = 15 µ,S.
11. Usando a característica de transferência da Fig. 9 .55: 16. Esboce o modelo equivalente ac para um JFET se I oss = 1OmA, VP
(a) Qual é o valor de gmo? = -4 V, Vesa = -2 Vey0 , = 25 µ,S.

Iv (mA)

10
ov
9

6
-1 V
s
4

3
-2V

2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 Vvs (V)
Fig. 9.56 Curva característica de dreno do JFET para o problema 12.
 Análise do FET para Pequenos Sinais 309

§ 9.3 Circuito JFET com Polarização Fixa 22. Repita o Problema 19 se y,,., for igual a 10 µ,S. Compare com os
resultados do Problema 19.
17. Determine Z1, Z., eA,. para o circuito da Fig. 9.57 se 1055 = 10 mA,
Vp= -4 Ve rc1= 40 kfl. § 9.5 Circuito JFET com Divisor de Tensão
18. Determine Z1, Z e A,. para o circuito da Fig. 9.57 se / 055 = 12 mA,
0

V"= -6 Vey0 , = 40 µ,S. 23. Determine Z1, Z0 e V0 para o circuito da Fig. 9.60 se V1 = 20 mV.
24. Determine Z1, Z0 e V0 para o circuito da Fig. 9.60 se V1 = 20 mV e
+18V
se o capacitor C, for removido.

1,8k!l +20V

V; ----}t--.....--....
lMll

1,5V +l
Fig. 9.57 Amplificador com polariza-
ção fixa para os Problemas 17 e 18.

§ 9.4 Circuito JFET com Autopolarização Fig. 9.60 Problemas 23-26 e 48.
19. Determine Z1, Z,, e A,. para o circuito da Fig. 9.58 se y1, = 3.000 µ,S
e y.,, = 50 µ,S.
25. Repita o Problema 23 se rd = 20 k.fl e compare os resultados.
10. Determine Z1, Z., e A,. para o circuito da Fig. 9.59 se / 055 = 6 mA, Vp
26. Repita o Problema 24 se rd = 20 k.fl e compare os resultados.
= -6 V e Ym = 40 µ,S.
21. Determine Z1, Z., e A .. para o circuito da Fig. 9.58 se o capacitor de
20 µ,F for removido. Os parâmetros do circuito são os mesmos do § 9.6 Circuito JFET Seguidor-de-Fonte
Problema 19. Compare com os resultados do Problema 19.
27. Determine Z1, Z0 e Av para o circuito da Fig. 9.61.
28. Repita o Problema 27 se rd = 20 k.fl.
+12V
29. Determine 2 1, Z0 e Av para o circuito da Fig. 9.62.

3,3 k!l +20V

l
lOMll

20µF

Fig. 9.58 Problemas 19, 21 e 46. Fig. 9.61 Problemas 27 e 28.

20V
20V

2 kll

....._
.
zo
lMn

Fig. 9.59 Configuração com autopolarização para os Problemas 20 e 47. Fig. 9.62 Problema 29.
310 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

+22 V
§ 9. 7 Circuito JFET Porta Comum

30. Determine Z;, Z e V para o circuito da Fig. 9.63 se V;= 0,1 mV.
0 0

31. Repita o Problema 30 se rd = 25 kfl.

32. Determine Z;, Z e A" para o circuito da Fig. 9.64 se rd = 33 kfl.
0
~ - (0V0

l
Fig. 9.66 Problemas 34, 35 e 50.

+18 V
Fig. 9.63 Problemas 30, 31 e 49.

6,8 k.Q
+22V
91 M.Q

2,2kn

~~-(----o Vº
,<(y""''

zº 15M.Q

l
Z;
1 k.Q

Fig. 9.67 Problema 36.

Fig. 9.64 Problema 32.

+20V

§ 9.8 MOSFET Tipo Depleção

33. Determine V para o circuito da Fig. 9.65 se Yas = 20 µ.,S.

0

Fig. 9.68 Problema 37.

§ 9.10 Circuito E-MOSFET com Realimentação

38. Determine gm para um MOSFET se Vcs(Th) = 3 V e está polarizado

Fig. 9.65 Problema 33. em Vcsº = 8 V. Suponha k = 0,3 X 10- 3 •
39. Determine Z;, Z eAv para o amplificador da Fig. 9.69 se k = 0,3 X
0

10-3.
40. Repita o Problema 39 se k cai para 0,2 X 10- 3 _ Compare os resul-
34. Determine Z;, Z e Av para o circuito da Fig. 9.66 se rd = 60 kfl.
0
tados.
35. Repita o Problema 34 se r" = 25 kfl. 41. Determine V para o circuito da Fig. 9.70 se V;= 20 mV.
0

36. Determine V para o circuito da Fig. 9.67 se V;= 4 mV.

0 42. Determine V para o circuito da Fig. 9.70 se V;= 4 mV, Vcs(Th) = 4
0

37. Determine Z;, Z eA" para o circuito da Fig. 9.68.

0 V e ID(on) = 4 mA com VGS(on) = 7 V e Ym = 20 µ.,S.
 Análise do FET para Pequenos Sinais 311

+16 V § 9.12 Projeto de Circuitos Amplificadores com FET

44. Projete o circuito com polarização fixa da Fig. 9.72 para que se
tenha um ganho igual a 8.

lOMü

-
v, o------}-----
Z;

Fig. 9.69 Problemas 39, 40 e 51.

+20V

Fig. 9.72 Problema 44.

45. Projete o circuito com autopolarização da Fig. 9.73 para que se

tenha um ganho igual a 10. O dispositivo deve ser polarizado em
Vaso = t Vp,

+V00 (+20V)
Fig. 9. 70 Problemas 41 e 42.

§ 9.11 Circuito E-MOSFET com Divisor de Tensão

43. Determine a tensão de saída para o circuito da Fig. 9. 71 se V; = 0,8

mVe rd= 40k0.

30V

Fig. 9.73 Problema 45.

§ 9.15 Análise por Computador

46. Utilizando o PSpice (versão DOS ou Windows), determine o gan-

ho de tensão para o circuito da Fig. 9.58.
47. Utilizando o PSpice (versão DOS ou Windows), determine o gan-
ho de tensão para o circuito da Fig. 9.59.
48. Utilizando o PSpice (versão DOS ou Windows), determine o gan-
ho de tensão para o circuito da Fig. 9.60.
49. Utilizando o PSpice (versão DOS ou Windows), determine o gan-
ho de tensão para o circuito da Fig. 9.63.
50. Utilizando o PSpice (versão DOS ou Windows), determine o gan-
ho de tensão para o circuito da Fig. 9.66.
51. Utilizando o PSpice (versão DOS ou Windows), determine o gan-
Fig. 9.71 Problema 43. ho de tensão para o circuito da Fig. 9.69.
 CAPÍTULO

Análise de Sistemas
Efeito de Rs e Ri
10.1 INTRODUÇÃO
Nos anos mais recentes, a introdução de uma ampla variedade
de circuitos e sistemas integrados em pastilhas semicondutoras
gerou um interesse crescente pela abordagem de sistemas para
fins de projeto e análise. Fundamentalmente, esta abordagem
concentra-se nas características finais de um circuito e o trata
como um bloco componente na formação de um sistema mais
amplo. O conteúdo deste capítulo constitui um primeiro passo
para o desenvolvimento de alguma familiaridade com esta abor-
dagem. As técnicas introduzidas serão usadas nos demais capí-
tulos e ampliadas quando houver necessidade. A tendência de
utilização de sistemas em pastilhas é muito compreensível quan-
do você considera os enormes avanços no projeto e fabricação
de circuitos integrados (Cls). O encapsulamento reduzido de Cls
contém projetos estáveis, confiáveis, autotestados e sofistica-
dos que teriam dimensões enormes se construídos com com-
ponentes discretos (individuais). A análise de sistemas não é
difícil de ser aplicada, uma vez compreendidas as definições
dos vários parâmetros e demonstrada a forma como são utili-
zados. Nas próximas seções, desenvolveremos a abordagem de
sistemas de uma forma deliberadamente lenta que incluirá
numerosos exemplos com a finalidade de salientar cada pon-
to. Se o conteúdo deste capítulo for clara e corretamente en-
tendido, o primeiro degrau no entendimento da análise de sis-
temas estará conquistado.
10.2 SISTEMAS DE DUAS PORTAS
A descrição seguinte pode ser aplicada a qualquer sistema de duas
10
Fig. 10.1 são determinados para condições sem carga (ausência
de RJ e sem resistência de fonte R,.
Se dermos uma "olhada de Thévenin" nos terminais de saída,
concluímos, com Vi fixado em zero, que
(10.1)
ETh é a tensão de circuito aberto entre os terminais de saída iden-
tificada como V0 • Entretanto,
e
tal que (10.2)
Note o uso do subscrito adicional NL para identificar o ganho de
tensão sem carga.
Introduzindo o circuito equivalente de Thévenin entre os ter-
minais de saída resulta na configuração de saída da Fig. 10.2. Para
o circuito de entrada os parâmetros Vi e /i são relacionados por Z;
= Ri, permitindo o uso de Ri para representar o circuito de entra-
da. Uma vez que nosso interesse atual é em amplificadores TBJ
e FET, ambos Z0 e Z; podem ser representados por elementos
resistivos.
Antes de continuar, vamos conferir os resultados da Fig. 10.2
achando Z0 e ~ pela maneira usual. Para achar Z0 , ~ é fixado
em zero, resultando em A,.,, V; = O. O resultado é uma impe-

-
portas - não somente àqueles contendo TBJse FETs - , embo- l;
ra a ênfase neste capítulo seja sobre esses dispositivos ativos. A .....-
lo

ênfase dada nos capítulos anteriores na determinação dos parâ- + -----

--.. --+- +
metros de duas portas para várias configurações será muito útil Z; Zo
na análise seguinte. De fato, muitos dos resultados obtidos nos V; Vº
últimos dois capítulos serão aproveitados agora.
Na Fig. 10.1, os parâmetros fundamentais de um sistema de
duas portas foram identificados. Note, em particular, a ausência
de resistência de carga e de fonte. O impacto desses elementos
TThévenin

importantes é considerado em detalhes numa seção posterior. Por

enquanto, observe que os níveis de impedância e os ganhos da Fig. 10.1 Sistema de duas portas.
 Análise de Sistemas - Efeito de Rs e Ri. 313

Fig. 10.2 Substituindo os elementos internos para o sistema de duas portas da

Fig. 10.1 Fig. 10.4 Equivalente de duas portas para os parâmetros especificados no Exem-
plo 10.l.

dância de saída igual a R0 como definido originalmente. A au-
sência de carga resultará em / 0 = O, e a queda de tensão através
da impedância R0 será OV. A tensão de saída de circuito aberto
é, portanto, A.r.L V; como deveria ser. Antes de olharmos um
exemplo, perceba o fato de que A; não aparece no modelo de duas
portas da Fig. 10.2 e, de fato, raramente faz parte da análise de
sistema de duas portas de dispositivos ativds. Isto não quer dizer
que este parâmetro seja raramente calculado. Na verdade, é cal-
culado mais amiúde da expressão A; = -Av<ZlRL), onde RL é a
carga definida para a análise sob interesse.
No Exemplo 10.1, Rc = 3 kO foi incluído na definição do
ganho de tensão sem carga. Embora não haja esta necessidade
(Rc poderia ser definido conforme o resistor de carga no Cap.
8), a análise deste capítulo assumirá que todos os resistores de
polarização são parte do ganho sem carga e que um sistema car-
regado requer uma carga adicional RL conectada aos terminais
de saída.
Um segundo formato para a Fig. 10.2, particularmente popu-
lar com op-amps (amplificadores operacionais), àparece na Fig.
10.5. A única mudança é o aspecto geral do modelo.

EXEMPLO 10.1

Para o circuito a transistor com polarização fixa da Fig. 10.3

(Exemplo 8.1), esboce o equivalente de duas portas com base na
Fig. 10.2.

Solução
+
Do Exemplo 8.1,

zi = 1,069kO
Z0 =3k0
AvN\. = - 280, 11
Fig.10.5 Notação para Amplificadores operacionais (Op-amp).
Usando a informação acima, o equivalente de duas portas da
Fig. 10.4 pode ser desenhado. Note, em particular, o sinal nega-
tivo associado com a fonte controlada de tensão, revelando, para
a fonte controlada, uma polaridade oposta àquela indicada na
figura. Este fato indica também um deslocamento de fase de 180º 10.3 EFEITO DE UMA IMPEDÂNCIA
entre as tensões de entrada e saída. DE CARGA (RL)
Nesta seção, o efeito de uma carga aplicada é investigado usan-
.-----.....--<>12V do o modelo de duas portas da Fig. 10.2. O modelo pode ser
aplicado para qualquer amplificador controlado por corrente ou
tensão. ~ é, como definido antes, o ganho do sistema sem uma
carga aplicada. R; e R0 são as impedâncias de entrada e saída do
amplificador definidas pela configuração. Idealmente, os parâ-
I; metros do modelo não são afetados por variações na carga ou
~
V; o-----) .._ resistências de fonte (como normalmente verificado para op-amps
IOµF · Zo a serem descritos no Cap. 14). Entretanto, para algumas confi-
gurações de amplificador a transistor, R; pode ser muito sensível
à carga aplicada, enquanto para outras R 0 pode ser sensível à re-
sistência da fonte. Em qualquer caso, uma vez definidos A.NL , R;
e R0 para uma configuração particular, as equações deduzidas a
Fig. 10.3 Exemplo l O. l. seguir podem ser empregadas.
314 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Aplicando uma carga ao sistema de duas portas da Fig. 10.2,

resultará na configuração da Fig. 10.6. Aplicando a regra do
EXEMPLO 10.2
divisor de tensão para o circuito de saída, obteremos
Na Fig. 10.7 uma carga foi aplicada ao amplificador a transistor
com polarização fixa do Exemplo 10.1 (Fig. 10.3).
V =RLA,NLV;
-~~
o RL + Ro
(a) Determine o ganho de tensão e de corrente usando a abor-
dagem de sistemas de duas portas definida pelo modelo da
e (10.3) Fig. 10.4.

+ /11
--+-
1-----.-----'---0 +

Fig. 10.6 Aplicando uma carga ao sistema de duas portas da Fig. 10.2.

Fig. 10.7 Exemplo 10.2.

Como a razão RJ(RL +R 0) é sempre menor que 1:

(b) Determine o ganho de tensão e de corrente usando o mode-
O ganho de tensão com carga de um amplificador é sem- lo r, e compare os resultados.
pre menor que o nível de ganho sem carga.
Solução
Note também que a fórmula para o ganho de tensão não in-
clui a impedância de entrada ou o ganho de corrente. (a) Lembre do Exemplo 10.1 que
Embora o valor de R; dependa da configuração utilizada, a
tensão aplicada e a corrente de entrada sempre estarão relacio- Z; = 1,071 k!l (com re = 10,71 fi and {3 = 100)
nadas por
Z0 =3kfi
AvNL = -280,11
(10.4)
Aplicando Eq. (10.3), obtemos
Definindo a corrente de saída como a corrente através da carga
resultará em

(10.5) 2,2 kfi (-280 11)

2,2 kfi + 3 k!l '

com o sinal menos aparecendo devido à direção definida para 10 = (0,423)(-280,11)

na Fig. 10.6. = -118,5
O ganho de corrente é então determinado por
Para o ganho de corrente,
A-= 10 = -V0 /RL = __V_0 _Z_; z.
l; V/Z; V; RL A-= - A - '
l
! V RL
e Neste caso, Z; não é afetado pela carga aplicada e
1,071 k!l
(10.6) A;= -(-118,5) n = 57,69
2,2 ku.
(b) Substituindo o modelo r, resultará no circuito da Fig. 10.8.
para a situação sem carga. Em geral, portanto, o ganho de cor- Note, em particular, que a carga aplicada está em paralelo com
rente pode ser obtido do ganho de tensão e dos parâmetros de o resistor de coletor Rc, definindo uma resistência paralela.
impedância Z; e RL. O próximo exemplo demonstra a utilidade e
a validade das Eqs. (10.3) até (10.6). RÍ, = RcilRL = 3 kflll2,2 kfi = 1,269 k!l
 Análise de Sistemas - Efeito de Rs e fa 315

l;
--+-
+ +
V;

Fig. 10.8 Substituindo o modelo r, no circuito ac equivalente da Fig. 10.7.

A tensão de saída dência atual. Quando você adquire um "sistema", os parâmetros

de duas portas são fornecidos, e como em qualquer análise, o
usuário deve saber como utilizar os dados fornecidos.

com
Linha de Carga AC
e Para o sistema da Fig. 10.9a, a linha de carga de foi desenhada
sobre a curva característica de saída como mostrado na Fig. 10.9b.
A resistência de carga não contribuiu para a linha de carga de uma
vez que foi isolada do circuito de polarização pelo capacitor de
tal que (10.7) acoplamento ( Cc). Para a análise ac os capacitores de acoplamen-
to são substituídos por um curto-circuito equivalente que posi-
Substituindo os valores, temos cionará a carga e os resistores de coletor em um arranjo paralelo
definido por
1,269 kO = -llS S
10,11 n · Ri.= RcllRr
como obtido acima. Para o ganho de corrente, pela regra do O efeito sobre a linha de carga é mostrado na Fig. 10.9b com os
divisor de corrente, valores correspondentes para se determinar as novas interseções
nos eixos. Uma observação particularmente importante é que as
h = (470 kO)/;
470 kO + 1,071 kO
= O 9977/-
' '
=/. 1
linhas de carga acede passam através do mesmo ponto-Q- uma
condição que deve ser satisfeita para assegurar uma solução co-
mum para o circuito sob condições de e/ou ac.
3 k0(/3h) Para a condição sem carga, a aplicação de um sinal senoidal
Io=------
3 kO + 2,2 kO relativamente pequeno na base do transistor poderia levar a cor-
e rente de base a oscilar de um nível de I Bi até I 84 como mostrado
= 0,5769{3/b na Fig. 10.9b. A tensão de saída resultante vc, teria então a osci-
_ / _ 0,5769{3h _ 0,5769{31; lação que aparece na mesma figura, A aplicação do mesmo sinal
A; - - 0 - - ----'-~ para uma situação com carga resultaria na mesma oscilação no
I; I; I; nível de /8 , como mostrado na Fig. 10.9b. A conseqüência, en-
tal que
= 0,5769(100) = 57,69 tretanto, da inclinação da linha de carga ac é uma oscilação da
tensão de saída (vc,) bem menor e uma queda no ganho do siste-
conforme obtido usando a Eq. (10.6). ma, como demonstrado na análise numérica acima. Observando
a interseção da linha de carga ac com o eixo vertical, toma-se
óbvio que quanto menor o nível de R' L• menor a inclinação da
O Exemplo 10.2 demonstrou duas técnicas para resolver o linha de carga ac e menor o ganho de tensão ac. Como R' L é bem
mesmo problema. Embora qualquer circuito possa ser resolvido menor para níveis reduzidos de RL, deve ser claro que:
usando a abordagem do modelo r,, a vantagem da abordagem de
sistemas é que uma vez que os parâmetros de duas portas de um Para um projeto particular, quanto menor o nível de RL
sistema são conhecidos, os efeitos de variação da carga podem menor o nível do ganho de tensão ac.
ser determinados diretamente da Eq. (10.3). Não há necessidade
de retornar ao modelo ac equivalente e analisar o circuito intei-
ro. As vantagens da abordagem de sistemas são semelhantes 10.4 EFEITO DA IMPEDÂNCIA DA
àquelas associadas com a aplicação do teorema de Thévenin. Elas FONTE (Rs)
permitem que se concentre sobre os efeitos da carga sem ter de
examinar o circuito inteiro. Certamente, se o circuito da Fig. 1O. 7 Nossa atenção, agora, voltar-se-á para o lado da entrada do sis-
fosse apresentado para análise sem os parâmetros do circuito sem tema de duas portas e para o efeito de uma resistência interna da
carga, a escolha correta da análise que produz os resultados de- fonte sobre o ganho de um amplificador. Na Fig. 10.10, uma fonte
sejados de uma maneira mais direta e eficiente dependeria de com uma resistência interna foi aplicada ao sistema básico de duas
sorte. Entretanto perceba que a abordagem de "blocos" é a ten- portas. As definições de Z; e A,,NL são tais que:
316 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

/ Linha de carga ac

Vcc
Rc

(a)

(b)

Fig. 10.9 Demonstrando as diferenças entre as linhas de carga de e ac.

Os parâmetros Zi e ÂvNL de um sistema de duas portas não

são afetados pela resistência interna da fonte aplicada.
Entretanto:
A impedância de saída pode ser afetada pelo valor de Rs.
(Lembre da Eq. (8.110) para o modelo híbrido equivalente
completo.) A fração do sinal aplicado atingindo os terminais de
entrada do amplificador da Fig. 10.10 é determinada pela regra
do divisor de tensão. Isto é,
(10.8)
A equação (10.8) mostra claramente que quanto maior a ampli-
tude de Rs, menor a tensão nos terminais de entrada do amplifi-
cador. Em geral, portanto:
Para um amplificador particular, quanto maior a resistên-
cia interna de uma fonte de sinal, menor o ganho global
do sistema.

+
V,

Fig. 10.10 Incluindo os efeitos da resistência de fonte R,.

 Análise de Sistemas - Efeito de Rs e RL 317

Para o sistema de duas portas da Fig. 10.10,

Vo = AvNLV;

V-= R;Vs
e
' R; +Rs

tal que V =A R;
o vNLR; + Rs Vs
+
V,
e (10.9)

O resultado, claramente, dá suporte à afirmação acima, con-

siderando a redução no ganho com o aumento de Rs. Usando a
Eq. (10.9), se Rs = On (fonte de tensão ideal), A., = ~, que Fig. 10.11 Exemplo 10.3.
é o máximo valor possível.
A corrente de entrada é também alterada pela presença de uma
resistência de fonte como se segue:

(10.10)
+
vs

EXEMPLO 10.3

Na Fig. 10.11, uma fonte com uma resistência interna foi aplica-
da ao amplificador a transistor com polarização fixa do Exem-
plo 10.1 (Fig. 10.4).
(a) Determine o ganho de tensão A., = VJVs. Que percentual
do sinal aplicado aparece nos terminais de entrada do am-
plificador?
(b) Determine o ganho de tensão A., = V0 /Vs, usando o modelo r,.
Solução
Fig. 10.12 Introduzindo o circuito de duas portas equivalente para o amplifica-
dor a transistor da Fig. 10.11.
ou 68,2% do sinal disponível atingem o amplificador e 31,8%
foram perdidos através da resistência interna da fonte.
(b) Substituindo o modelo r,, resultará no circuito equivalente
da Fig. 10.13. Resolvendo para V0 temos

(a) O equivalente de duas portas para o circuito aparece na Fig. Va = -(100h)3 kfi
10.12.
V0 R; com
Eq. (10.9): Av =- = A 1,571 kll
' Vs R; + Rs vNL
1,071 kll
1,071 kll + 0,5 kll <- 28º· 11 ) e

= (0,6817)(-280,11)
(100)(3 kll)
-190,96
1,57 kll
R;Vs (1,071 kll)V8 tal que
Eq. (10.8): V;=--- = -190,96
R;+ Rs 1,071 kll + 0,5 kll
= 0,6817V, como acima.

Fig. 10.13 Introduzindo o circuito r, equi-

valente para o amplificador a transistor
com polarização fixa da Fig. 10.11.
318 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

.,.._
I,,

+
+
V,

Fig. 10.14 Considerando os efeitos de R., e R, no ganho de um amplificador.

Ao longo de toda a análise acima, note que Rs não foi incluí-

da na definição de Zi para o sistema de duas portas. Certamen-
te, a resistência "vista" pela fonte é agora Rs + Z;, mas Rs per-
manece uma quantidade associada somente com a fonte apli-
cada.
Note novamente no Exemplo 10.3 que os mesmos resulta-
dos foram obtidos com a abordagem de sistemas, e usando o
modelo r •. Obviamente, se os parâmetros de duas portas esti-
verem disponíveis, eles devem ser aplicados. Se não, a abor-
dagem para a solução é simplesmente uma questão de prefe-
rência.
10.5 EFEITO COMBINADO DE R5 E Ri
Os efeitos de Rs e RL já foram demonstrados separadamente. O
próximo passo natural é verificar como a presença de ambos os
fatores no mesmo circuito afeta o ganho total. Na Fig. 10.14 uma
fonte com uma resistência interna R, e uma carga RL foram apli-
cadas ao sistema de duas portas para o qual os parâmetros Z;, A.NL ,
e Z 0 foram especificados. Por enquanto, vamos assumir que Zi e
Z 0 não são afetados por RL e Rs, respectivamente.
No lado da entrada, nós achamos
Eq. (10.8): V·= R;Vs
' R; +Rs
ou
e no lado da saída,
ou
e (10.14)
Uma vez que I; = VJR;, como antes,
(10.15)
ou usando Is= Vsl(R, + R;),
(10.16)
Entretanto, I; = Is; assim, as Eqs. (10.15) e (10.16) gerarão o
mesmo resultado. A equação (10.14) revela claramente que am-
bas as resistências de fonte e de carga reduzem o ganho global
do sistema. De fato:
Quanto maior a resist€ncia da, fonte e/ou menor a resist€n-
cia de carga, menor o ganho global de um amplificador.
Os dois fatores de redução da Eq. (10.14) formam um produ-
to que tem de ser cuidadosamente considerado em qualquer pro-
cedimento de projeto. Não é suficiente assegurar que Rs seja re~
!ativamente pequeno se o impacto da amplitude de RL é ignora-
do. Por exemplo, na Eq. (10.14), se o primeiro fator for de 0,9 e
o segundo fator é 0,2, o produto dos dois resulta em um fator de
(10.11) redução global igual a (0,9)(0,2) = 0,18 que é próximo do me-
nor fator. O efeito de um excelente nível de 0,9 foi completamente
eliminado pelo segundo fator multiplicador, que é significativa-
mente baixo. Se ambos os fatores forem iguais a 0,9, o resultado
será (0,9)(0,9) = 0,81, que é ainda muito alto. Mesmo se o pri-
meiro fosse 0,9 e o segundo 0,7, o resultado de 0,63 seria ainda
aceitável. Em geral, portanto, para bons ganhos globais, o efeito
de Rs e RL deve ser avaliado individualmente e conjuntamente.
(10.12)

Para o ganho total A.., = V0 /Vs, os seguintes passos matemáticos

EXEMPLO 10.4
podem ser executados:
Para o amplificador de único estágio da Fig. 10.15, com RL = 4,7
kO. e Rs = 0,3 kO., determine:
(10.13)
(a) A.,.
(b) Av = Vo/Vi,
e substituindo Eqs. (10.11) e (10.12) resultará em (c) A;,
A = Rr.A,,NL Ri Os parâmetros de duas portas para a configuração com polariza-
", RL + R 0 Ri + Rs ção fixa são Z; = 1,071 kO., Z 0 = 3 kO., e A.NL = -280, 11.
 Análise de Sistemas - Efeito de Rs e Ri. 319

Polarização Fixa
Para a configuração com polarização fixa examinada em deta-
lhes nas últimas seções, o modelo do sistema com uma resistên-
1----+-----o Vº eia de carga e de fonte aparecerá como mostrado na Fig. 10.16.
Em geral,

Fig. 10.15 Exemplo 10.4.

+ .........
vs Z;

Solução
V0
(a) Eq. (10.14): Av = - = -R;- RL Av
' Vs R; + Rs RL + R 0 NL
Fig. 10.16 Configuração com polarização fixa R, e RL.
( 1,071 kO. )
= 1,071 kO. + 0,3 kO.
4,7 kO. ) Substituindo Eq. (8.4), A,,,,L = -Reir, e R0 = Rc,
(
º·
4,7 kO. + 3 kO. (- 28 11 ) V = RL(-Rcfre)V;
= (0,7812)(0,6104)(-280, 11) º RL + Rc
= (0,4768)(-280,11)
A -- V0 - RLRc 1
e V; - RL + Rc re
= -133,57 v -

(b) Av = Vo = RLAvm,
mas li RLRc
V; RL + R 0 RL Rc = RL + Rc
(4,7 k0.)(-280,11)
4,7 kO. + 3 kO. e (10.17)
= (0,6104)(-280,11) = -170,98
(c) A-= -A ~= -(-170 98)( l,07l kO.) Se o modelo r, do transistor for incluído na configuração com
1
RL
v ' 4,7 kO polarização fixa, resultará no circuito da Fig. 10.17, revelando
= 38,96 claramente que Rc e RL estão em paralelo.

ou A-,, = -Av, Rs + R;
RL

= -(-133 57)( 1,071 kO. + 0,3 kO.) +

~
+
Zo
' 4,7k0.
vs Rc RL
= 38,96 Vº

'---..,---'
como acima. RcllRL
Fig. 10.17 Configuração com polarização fixa com a introdução do modelo r,.

10.6 CIRCUITOS TBJ EC

A configuração com polarização fixa foi empregada em toda a Para o ganho de tensão A,,, da Fig. 10.16,
análise das seções anteriores deste capítulo para mostrar clara-
mente os efeitos de R, e RL. Nesta seção, várias configurações V·= Z;Vs
EC são examinadas com uma resistência de fonte e de carga Não ' Z; + Rs
será realizada uma análise detalhada para cada configuração, uma
V; Z;
vez que a abordagem empregada a seguir é muito semelhante à e -=---
utilizada nas seções anteriores. Vs Z; + Rs
320 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

com
A = Vo = Vi Vo
v, v. v. Vi

tal que (10.18)

+
R,
Uma vez que a carga é conectada ao terminal do coletor da con-
figuração emissor-comum.

(10.19)
+
V
8
t\
r-11
.•.••. .•. .
.. -'."\/;
"'lt-
z,.,

e (10.20)

como obtido anteriormente.

Fig. 10.18 Configuração com polarização por divisor de tensão com R, e Ru

Polarização por Divisor de Tensão

Para a configuração com carga da Fig. 10.18, de polarização por
divisor de tensão, a carga é novamente conectada ao terminal do
coletor e Z; permanece
lo
(R' = Rd~2) (10.21) ~

e para a impedância de saída do sistema

+

(10.22) + ~

V,
__.. Zo RL Vº
zi
No modelo ac para pequenos sinais Rc e RL estarão novamente
em paralelo

e (10.23)
Fig.10.19 Configuração de polarização EC com emissor não-desviado com R, e RL.

com (10.24)

e (10.29)
Configuração EC com Emissor Não-desviado
mas perceba que I; = Is = V,l(Rs + Z;) = VJZ;,
Para a configuração emissor-comum de polarização com emis-
sor não-desviado da Fig. 10.19, Z; permanece independente da Realimentação no Coletor
carga aplicada e
Mantendo a nossa conexão da carga ao terminal do coletor, a pró-
( 10.25) xima configuração a ser examinada é a configuração com realimen-
tação no coletor da Fig. 10.20. No modelo ac para pequenos sinais
Para a impedância de saída, do sistema, Rc e RL ficarão novamente em paralelo e

(10.26)
(10.30)
Para o ganho de tensão, a resistência Rc novamente ficará em
paralelo com RL e

(10.27) com (10.31)

A impedância de saída
com (10.28)
(10.32)
 Análise de Sistemas - Efeito de Rs e RL 321

Z0 = RcllRF = 2,66 kll, e Z; = 0,553 kll, com r. = 11,3 n, e {3 =

200. Usando a abordagem de sistemas, determine:
(a) A,,.
(b) A.,.
(c) A;.
+ Solução

+ RL v0 (a) Para o sistema de duas portas:

V,
A = _ RcllRL = 2,7 kfllj3,3 kfi
v re 11,30

1,485 kfi = -13142

11,3 n '
Fig. 10.20 Configuração com realimentação no coletor com R, e RL.
RF 180kfi
e Z; = f3relll1Avl = (200)(11,3 !1)11131,42
= 2,26 kOjj 1,37 kO
e (10.33)
= 0,853k0
O fato de A. [Eq. ( 10.30)] ser função de RL alterará o nível de
Z;, calculado sem carga. Portanto, o valor de Z; relativo ao mo- A abordagem de sistemas resultará na configuração da Fig.
delo sem carga deve ser modificado para o caso em que há carga 10.22 com o valor de Z; controlado por RL e o ganho de ten-
acoplada, como demonstrado no próximo exemplo. são. Agora, a equação do ganho para duas portas pode ser
aplicada (pequena diferença em A. devido à aproximação {3/b
;,:, IR, na Seção 8.7):
EXEMPLO 10.5

O amplificador com realimentação no coletor da Fig. 10.21 tem A = RLAv,.L = (3,3 kfi)(-238,94) = -132 3
os seguintes parâmetros de sistema sem carga: A...c = -238,94, v RL+R0 3,3k0+2,66k0 '

9V

/()
~
V"

+ + 3,3k!l
V, vi

.i
Fig. 10.21 Exemplo 10.5.

l; /ti
~

~ +
+
V:, Vº 3,3kU

Fig. 10.22 Circuito ac equivalente para o circuito da Fig. 10.21.

322 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

(b) Av, = Zi A _ 0,853 kíl ( 132 3 ) +

Z.
l
+ Rs v - O' 853 k!l + O' 6 k!l - '
-77,67
ondeR~ = R, li RL

(c) A-= -A ~= -(-132 3)(0,853 kíl) +

' v RL ' 3,3 k!l v.
(132,3)(0,853 kíl)
3,3 k!l
= 34,2 Fig. 10.24 Configuração seguidor-de-emissor da Fig. 10.23 após a inclusão do
circuito r, equivalente.
ou A- = -A Zi + Rs
' v, RL
_ (0,853 k!l + 0,6 kíl)
- -(-77,67) 3,3 kíl
= 34,2 +
vs
~~
10. 7 CIRCUITOS TBJ SEGUIDOR-DE- Thévenin

EMISSOR Fig. 10.25 Determinando o circuito equivalente de Thévenin para o circuito de

entrada da Fig. 10.23.
Os parâmetros de impedância de entrada e saída do modelo de
duas portas para o circuito seguidor-de-emissor são sensíveis à
carga aplicada e à resistência da fonte. Para a configuração se- Determinando /,, nós temos
guidor-de-emissor da Fig. 10.23, o modelo ac para pequenos si-
nais apareceria como mostrado na Fig. 10.24. Para a seção de I - (ª + 1)/ - (/3 + I)Vs
entrada da Fig. 10.24, a resistência R8 é desprezada porque, nor- e- ,-, b - Rs + f3re + ((3 + l)RÉ
malmente, é muito maior do que a resistência de fonte do circui-
to equivalente de Thévenin da Fig. 10.25, resultando no circuito I = Vs
e
da Fig. 10.24 com Rs e Vs apenas. Certamente, se forem determi- e [(Rs + f3re)l({3 + 1)] + RÉ
nados níveis de corrente tal como I; no diagrama original, o efei-
to de R8 deve ser incluído. Usando f3 + 1 == {3, obtemos
Aplicando a lei das tensões de Kirchhoff ao circuito de entra-
da da Fig. 10.24 resultará em (10.34)
Vs - hRs - lh{3re - (/3 + l)hRÉ = O
e Vs - h(Rs + f3re + (/3 + l)RÉ) = O Desenhando o circuito de acordo com a Eq. (10.34), resultará
na configuração da Fig. 10.26a. Na Fig. 10.26b, RE e a resistên-
tal que I b_- Vs cia de carga RL foram separadas para permitir uma definição de
Rs + f3re + ((3 + l)RÉ zoe lo.

+
V,

Fig. 10.23 Configuração seguidor-de-emissor com R, e Ri·

 Análise de Sistemas - Efeito de Rs e Ri. 323

R,
/3 +r,
+ ~!, + +
v, R'
E Vº V,

(a) (b)

Fig. 10.26 Circuitos resultantes da aplicação da lei das tensões de Kirchhoff ao circuito de entrada da Fig. 10.24.

O ganho de tensão pode então ser obtido diretamente da Fig. 15 V

10.26a, usando-se a regra do divisor de tensão.

V . __;;;'---"---
= __ RÉVs
º RÉ + (R.J/3 + Te)

ou

+ 2
C~o Va
e (10.35) V.,
3,3 k!l 2 kfJ
-+-
Fixando V, = O e resolvendo para Z 0 resultará em z

Fig. 10.27 Exemplo 10.6;

(10.36)

Para a impedância de entrada, Solução

Zb = {3(re + RÉ) Eq. (10.37): Z; = RBllf3(re + REIIRd

e Z; = RBIIZb = 560 k0.1165(21,74 O + 3,3 kOll2,2 kO)
ou (10.37) = 560 kOll87,21 kO 1,32 kO
= 75,46 kO
Para a condição sem carga, a equação do ganho é
versus 157,54 kO (sem carga).
R
A = E
RE + re
vNL -
Zo = REii( 1;; + re)
enquanto para a condição com carga,

= 3,3 kn11(º· 5!/º + 21,14 o)

(10.38)
= 3,3 kO.ll30,36 n
= 30,08 O
EXEMPLO 10.6 versus 21,6 O (sem R,).
(b) Introduzindo o circuito de duas portas equivalente, resulta-
Para a configuração seguidor-de-emissor com carga da Fig. 10.27, rá no circuito ac equivalente para pequenos sinais da Fig.
com uma resistência de fonte e os seguintes parâmetros de duas 10.28.
portas sem carga: Z; = 157,54 kfi, Z0 = 21,6 O., e ~ = 0,993
V = Rr.AvNLV; = (2,2 k0)(0,993)V;
com r, = 21,74 O. e f3 = 65, determine:
(a) O novo valor de Z; e Z0 , quando determinado pela carga e
0
RL + Ro 2,2 kO + 30,08 O.
R,, respectivamente.
(b) Av usando a abordagem de sistemas.
=0,98V;
(c) A,,, usando a abordagem de sistemas. com Av = -Vº =0,98
(d) A;= l)I;. V;
324 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

+
v.

Fig. 10.28 Circuito ac equivalente para pequenos sinais do circuito da Fig. 10.27.

(75,46 kfl)Vs
EXEMPLO 10.7
75,46 kO + 0,56 kO = 0, 993 Vs
Para o amplificador base-comum da Fig. 10.30, os parâmetros
V0 V 0 V; de duas portas sem carga são (usando a~ 1) Zi ~ r, = 20 O,
tal que Av, = - = - - = (0,98)(0,993) = 0,973
Vs V; Vs A,,,._ = 250, e Z 0 = 5 kO. Usando o modelo equivalente de duas
portas, determine:
/ 0 Z; (a) Av,
(d) A;= I; = -Av RL (b) A.,.
(c) Ai.
= _ O 98 )(75,46 kO)
( ' 2,2 kO Solução
= -33,61
(a) O circuito ac equivalente para pequenos sinais aparece na
Fig. 10.31.

10.8 CIRCUITOS TBJ BC

Um amplificador base-comum com uma carga aplicada e resis-
tência de fonte aparece na Fig. 10.29. O fato de a carga estar A = Vo = 155 3
conectada entre os terminais de coletor .e base isola a do circuito e V V; '
de entrada, e Zi permanece essencialmente o mesmo para o cir-
cuito com carga ou sem carga. O isolamento que existe entre os
circuitos de entrada e saída também mantém Z 0 em um nível fixo, ou Av ~ RcllRL = 5 kOll8,2 kO = 3,106 kO
embora o nível de Rs possa variar. O ganho de tensão é agora re 20 O 20 O
determinado por = 155,3

(10.39) (b) Av, = Vº = V; Vo

Vs Vs V;
e o ganho de corrente: = R; A =( 20 O )(155 3)
R; + Rs v 20 O + 200 O '
(10.40)
= 14,12

+
+
v.

Fig.10.29 Configuração base-comum com R.; e RL.

 Análise de Sistemas - Efeito de Rs e Ri. 325

+
+
v.

Fig.10.30 Exemplo 10.7 .

.!J....
0,2kQ +
+
vs __..,... Vi 1 kQ
z,

Fig. 10.31 Circuito ac equivalente para pequenos sinais do circuito da Fig. 10.30.

Note o ganho relativamente baixo devido a uma impedância da O modelo de duas portas sem carga da Fig. 10.2 para um
fonte muito maior que a impedância de entrada do amplificador. amplificador a FET não é afetado por uma carga aplica-
da ou resistência da fonte.

(c) A; = -Av -
Z; = -(155,3) (200)
2 kn.
RL 8, u Resistência de Fonte Desviada
= -0,379 Para o amplificador a FET da Fig. 10.32 a carga aplicada aparece-
rá em paralelo com R0 no modelo para pequenos sinais, resultando
o qual é significativamente menor que 1 devido à divisão da cor-
na seguinte equação para o ganho da configuração com carga:
rente de saída entre Rc e RL.
(10.41)

10.9 CIRCUITOS FET Os níveis de impedância permanecem em

(10.42)
Como observado no Cap. 9, o isolamento que existe entre porta
e dreno ou fonte de um amplificador a FET assegura que varia-
ções em RL não afetam o nível de Z; e variações em Rsig não afe- e (10.43)
tam R Em essência, portanto:
0 •

+ +

+ +
--+- V. vs
z.r '

Fig. 10.32 Amplificador a JFET com R,;8 e Ri. Fig. 10.33 Amplificador a JFET com R, não-desviado.
326 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Resistência de Fonte Não-Desviada Solução

Para o amplificador a FET da Fig. 10.33 a carga novamente apa- (a) O circuito ac equivalente para pequenos sinais aparece na
recerá em paralelo com Rv e o ganho com carga torna-se Fig. 10.35 e
A = Vo = RiA.vNL = (4,7 k0)(-3,18)
v vi RL+Ro 4,7k0+2,4k0
(10.44)
= -2,105

com (10.45)

(239 k0)(-2, 105)

e (10.46)
239 kO + 1 kO

EXEMPLO 10.8
(b) Eq. (I0. 44): Av = -gm(RvllRL)
l + g,,,R.s1
Para o amplificador a FET da Fig. 10.34, os parâmetros de duas
portas sem carga são A,'NL = -3,18, Z; = R1IIR2 = 239 kO, e Z0 -(2,2 ms)(4,7 k01l2,4 kO)
=
= 2,4 kO, com gm = 2,2 mS. 1 + (2,2 mS)(0,3 kO)
(a) Usando os parâmetros de duas portas acima, determine -3,498
Ave Av. 1,66
(b) Usand~a Eq. (10.44), calcule o ganho com carga e compare = -2,105 como acima.
ao resultado da parte (a).

Fig. 10.34 Exemplo 10.8.

+ +
V,

Fig. 10.35 Circuito ac equivalente para pequenos sinais do circuito da Fig. 10.34.
 Análise de Sistemas - Efeito de Rs e Ri. 327

Seguidor-de-Fonte Porta-Comum
Para a configuração seguidor-de-fonte da Fig. 10.36, Z; é inde- Embora a configuração porta-comum da Fig. 10.37 seja um tan-
pendente do valor de RL e é determinada por to diferente daquela descrita acima com respeito ao posiciona-
mento de RL e R,, os circuitos de entrada e saída permanecem
1 Z1.·~.Ji;
1·····
L~--
.······~ (10.47) isolados e

(10.50)

(10.51)

O ganho de tensão com carga é dado por

+ (10.52)
li,
10.10 QUADRO-RESUMO
Agora que o TBJ com e sem carga (Caps. 8 e 9) e amplificadores
a JFET foram examinados detalhadamente, uma revisão das equa-
Fig. 10.36 Configuração seguidor-de-fonte com R., e RL. ções desenvolvidas é fornecida pelo Quadro 10.1. Embora todas
as equações sejam para a situação com carga, basta remover RL
das expressões para que se obtenham as equações para o ampli-
ficador sem carga. O mesmo se aplica ao efeito de Rs (para TBJs)
O ganho de tensão com carga tem o mesmo formato que o ganho e R,ig (para JFETs) sobre Z0 • Em cada caso, a relação de fase en-
sem carga com Rs substituído pela combinação em paralelo de tre as tensões de entrada e saída é também fornecida. Observan-
Rs e RL. do-se as equações para o JFET, verifica-se que o isolamento
existente entre a porta e o canal da camada Si02 no JFET produz
expressões com um nível menor de complexidade, diferentes
(10.48) daquelas encontradas para as configurações TBJ. A conexão es-
tabelecida por Ib entre os circuitos de entrada e .saída do amplifi-
O nível da impedância de saída é, conforme determinado no cador a transistor TBJ adiciona um toque de complexidade a cada
Cap. 9: uma das equações.

(10.49) 10.11 SISTEMAS EM CASCATA

A abordagem de sistemas de duas portas é particularmente útil
revelando que é insensível ao valor da resistência de fonte Rs. no caso de sistemas em cascata, tal como o que aparece na Fig.

+
vs

Fig. 10.37 Configuração porta-comum com R, e Ri.

328 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

10.38, onde A,., , A,.2 , Av,, e assim por diante, são os ganhos de então determinado pelo produto dos ganhos individuais como
tensão de cada estágio sob condições com carga. Isto é, A,., é segue:
determinado com a impedância de A,.2 atuando como carga para
Av, . Para Av, , Av, determinará a intensidade do sinal e a impe- (10.53)
dância da fonte na entrada de A,., . O ganho total do sistema é

QUADRO 10.l Resumo de Configurações a Transistor (Av, Zi, Z 0 )

Configuração Z,
Vcc
Rallf:lr,
r,

Rc

Incluindo r.,:

r,

Vcc
Rc
r,

Rc

-(Rd!RclJro)

Vcc R; = R,IIR,IIR2
==l REii(~ + r,)

asl

Incluindo r0 :

R,
Rc
r,

== ~~ (RdJRc) Rc

Incluindo r0 :
== -(RLIIRcllro)
r,
RclJr,,
 Análise de Sistemas - Efeito de Rs e Ri. 329

QUADRO 10.1 Resumo de Configurações a Transistor (Av, Zi, Z0 ) (Continuação)

Configuração

Vcc Rc

+r·~
Vo
-(Rd!Rc)
RE
R1IIR21i(h,. + h1eRE) Rc

~· Z;
Incluindo r 0 :
-(Rd!Rc)
RE
R,IIR21if:l(r. + RE) as Rc

-(RLi!Rc)
Vcc Rs!IJ3(r. + RE,) Rc
RE1

RB

+r·~
Vº

-(RLIIRc>
Rsll(h1e + h1eRE,) Rc
REI
RL
Vs

-1 Incluindo r 0 :
-RLl!Rc
RE,
Rsll.B(r. + RE,) e Rc

-(RLi!Rc)
Vcc ,Br.11 ~:I Rc
r,

Va ~:fe (RdlRd h,.11,::i Rc

Incluindo r 0 :
-(RLl!Rcllro) RF
RcllRF!lro
r, J3r.ll lA.I

Vcc -(RLIIRc) J RF
{:IREI IA.I a RcllR,
RE

Vo
-(RLIIRc)
R, ~.Ridl.&. ;.Rcl!RF
RE IA.I
+
v,
Incluindo r 0 :

... .. as -(RLl!Rc)
RE 5!!
I RF
f3.Rid IA.I as RdlRF
330 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

QUADRO 10.1 Resumo de Configurações a Transistor (Av, Zi, Z 0 ) (Continuação)

Configuração z.

Ro

-gm(RollRL)
Ro
1 + g..,Rs

+r,
... V;
... __
Ro_
+ g..,Rs
_:1
v~'. . -
Z;
l

+r
.-1. .
Vs; , , --..
V;

Z;

':'

8m(RsliRL)
Ro
1 + 8m(RsllRL)

Rs

+r
. ,. .
y;.

-s 1·
,, -
z.'
v,
Rs
 Análise de Sistemas - Efeito de Rs e Rr_ 331

---_]•, ~
Fig. 10.38 Sistema em cascata.

e o ganho de corrente total por

(10.54)
A = Vo, = O 684
e v, V·,, '
Por mais perfeito que seja o projeto, a aplicação de uma car-
ga a um sistema de duas portas afetará o ganho de tensão. Por- Para a configuração base-comum,
tanto não é correto considerar A,,, , A,,,, e assim por diante, da
(8,2 kfl)(240)V;
= RLAv V;2
Fig. 10.38, valores calculados para a situação sem carga. O car-
regamento de cada estágio subseqüente deve ser considerado. Os V NL = ' = 147 97V.
º, RL +Rº2 82kfl+
'
5' lkfl ' '2
parâmetros sem carga podem ser usados para determinar os ga-
nhos com carga da Fig. 10.38, mas a Eq. (10.53) requer os valo-
V
res com carga. e A
VL
= --E1.
V•,,
= 147' 97
(b) Av7 = Av,Av,
EXEMPLO 10.9 = (0,684)(147,97)
= 101,20
O sistema de dois estágios da Fig. 10.39 empregou uma confi-
guração seguidor-de-emissor antes de uma configuração base-co- A = Z;, A = (10 kfl)(lOl,20)
mum para assegurar que o máximo percentual do sinal aplicado v, z.,, + Rs VT 10 kfl + 1 kfl
apareça nos terminais de entrada do amplificador base-comum. = 92
Na Fig. 10.39 os valores sem carga são fornecidos para cada sis-
tema, com exceção de Z; e Z0 para o seguidor-de-emissor, os quais
são valores considerando uma carga acoplada. Para a configura-
ção da Fig. 10.39, determine:
(a) O ganho com carga para cada estágio.
(b) O ganho total para o sistema, A. e A,, .
(C) o ganho de corrente total para o sistema.
(d) O ganho total para o sistema se a configuração seguidor-de- ( d) V - Z;CB vs (26 fl)Vs
emissor for removida. ice - z. + R
1CB S
26 fl + 1 kfl = 0,025Vs
V- V
Solução e - 1 = O 025
Vs '
com -º
V.
= 147 97
.
de cima

(a) Para a configuração seguidor-de-emissor, o ganho com car- V. V

ga é
e Av = -' _!!... = (0,025)(147,97) = 3,7
' V. V;

R,

+
V,

Fig. 10.39 Exemplo 10.9.

332 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

No total, portanto, o ganho é cerca de 25 vezes maior com a con-

figuração seguidor-de-emissor sendo usada para repassar o sinal re = 18,44 O.
para os estágios amplificadores. Note, entretanto, que também
foi importante que a impedância de saída do primeiro estágio
estivesse relativamente próxima à impedância de entrada do se-
e Z; = R1IIR21i/3re
gundo estágio ou, do contrário, o sinal seria "atenuado" nova- = 56 k0.118,2 k0.11(90)(18,44 0.)
mente pela ação do divisor de tensão.
= 1,35 kO.
Z;Vs (1,35 kO.)Vs = O 69V
10.12 ANÁLISE POR COMPUTADOR Vi=--- 1,35 kO. + 0,6 kO. '
Z;+Rs s

A análise por computador desta seção inclui a utilização do pro-

grama PSpice para a análise da resposta de um TBJ com carga e de e V;=069
um amplificador a FET com uma resistência de fonte. O circuito Vs '
TBJ da Fig. 10.40 emprega a mesma configuração sem carga exa-
minada na análise PSpice do Capítulo 8, onde o ganho sem carga A = Vo RLAvNL = (10 kÜ.)(-350,4)
foi 350,4. Os nós são identificados na Fig. 10.40 e aparecem na V V; RL + R0 10 kO. + 6,8 kO.
descrição do circuito no arquivo de entrada da Fig. 10.41. Note na
descrição do transistor que IS é o nosso valor escolhido de 5 X 10- 15 =
-208,57
A, discutido no Cap. 8. Além disso, observe o uso de uma resistên-
com A = -V; -Vº = (O 69)(-208 57)
cia muito grande (essencialmente um circuito aberto) do nó 4 para v, Vs V; ' '
a terra a fim de assegurar para o capacitor um caminho de para a
terra (uma exigência do PSpice). A estrutura PRINT inclui ampli- =-144
tude da tensão nos nós 3, 7, e 4 para um sinal de entrada de 1 mV.
Observe na solução para a polarização que os nós 4, 6 e 7 estão o qual está muito próximo do valor -146,2 obtido acima usan-
em OV devido ao isolamento oferecido pelos capacitores. Nó 5 é do o PSpice.
22 V como deveria ser e VE = 2,0235 V, VB = 2,7039 V, e Vc = O amplificador a FET com carga a ser analisado aparece na
12,9280 V valores próximos dos resultados encontrados no Cap. 8. Fig. 10.42. Trata-se de um circuito analisado no Cap. 9, que
A análise ac revela que V3 e V7 estão essencialmente no mes- foi modificado para mostrar os efeitos de R,ig e Rv A descri-
mo nível, uma vez que os capacitores fornecem uma ligação di- ção do JFET da Fig. 10.43 revela que VTO = V8,(off) = Vp =
reta de impedância mínima, de um nó para outro na freqüência -4 V e beta definido por lvssflVpl 2 = 6,25 X 10- 4 AN2 • O
aplicada. A amplitude da tensão nestes nós mostra que houve isolamento fornecido pelos capacitores pode ser observado no-
ganho de 146,2 comparado com um ganho sem carga de 350,4. vamente a partir dos valores obtidos para V1, V2 e V7 • Certa-
A amplitude de V4 revela que 30% (0,3 mV) do sinal aplicado é mente, V3 = 67,14 X 10-6 V é aproximadamente O V para to-
perdido através da resistência da fonte de 0,6 kO.. dos os fins práticos. O nó 6 está em 18 V, conforme definido
Vamos agora calcular o ganho de tensão com carga e compa- pela fonte de, e Vv = 5,6862 V e VE = 1,0075 V, de acordo com
rar com o resultado de 146,2 obtido pelo programa PSpice a análise de.

22V

----4'VV~--B,,~,~;J---·--\~~~~ /3 = 90
1
1 10 µf
1

+ 1 IOkQ
V,
j I06MQ
20µf

- []]
Fig. 10.40 Definindo os nós de uma configuração com divisor de tensão com R., e RL.
 Análise de Sistemas - Efeito de Rs e fü 333

BJT Voltage-Divider Bias Configuration with Rs and RL 40

**** CIRCUIT DESCRIPTION

VCC 5 O OC 22V
RB1 5 2 56K
RB2 2 O 8.21<
RE l O 1.5K
RC 5 3 6.SR:
Cl 4 2 lOUF
cE 1 o 2our
VS 6 O AC lMV O
RS 6 4 600
RR 4 O 1!12
C2 3 1 10UF
RI, 7 O 101<
Q1 3 2 QMOOEL
.MOOEL QMOOEL NPN(BF•90 IS•SE-15)
.OP
.AC LIN 1 10I<H 10:t<H
AC VM(3) VM(7) VM(4)
ôP~l"TCJ1'MS NOPAGE
,END

**** BJT MODEL PARAMBTERS

QMOOEL
NPN
IS 5.000000E-15
BF 90
NF 1
BR l
NR l
SMALL SIGNAL BIAS cv.uvaLÃ~,n TEMPERATURE .000 DEG
****
NODE VOLTAGE NODE NOOE VOLTAGE NOO! VOLTAGE
(
(
1)
5)
2.0235
22.0000
(
(
2}
6)
2.7039
0.0000
(
(
3)
7)
12.9280
0.0000 ( 4) º·ºººº
VOLTAGE SOURCE CURREN'l'S
NAME CURRENT
VCC ... l.679E-03
VS O OOOE+OO
TOTAL POWER DISSIPATlON 3.69E-02 WATTS
OPERA'l'ING POINT INFORMATlON 000

**** BIPOLAR J'Ult,IC~rICtN TRANSISTOR$

NANE
MODEL
IB
IC
VBE
VBC
VCJ!l
BETADC
GM
RPI
RX

CBC

B!'l'AAC
FT 8.
Ut*"1 AC

Fig. 10.41 Análise PSpice do amplificador TBJ da Fig. 10.40.

334 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

- [ill
Fig. 10.42 Definindo os nós de um amplificador a JFET com uma resistência de fonte R, e uma resistência de carga R1 .

A solução ac revela que V4 = V1 (capacitores em seu estado para comparar com 3,74 mS na descrição do JFET da saída
de curtos-circuitos equivalentes) e iguais a 4,937 mV. O valor PSpice.
do ganho Av, é 4,937 já que o sinal aplicado é 1 mV.
V amos agora, novamente, conferir os resultados usando as
equações desenvolvidas no Cap. 9. Av = - gm(RvllRL)
-(3,75 mS)(2,2 kfili3,3 kfi)
g = 2lvss = 2(10 mA) = 5 mS
mO Vp -4 V -(3, 75 mS)(l,32 kfi)
-4,95
Vos)
g 111 (at - 1 V) = gmo ( 1 - - - = 5 mS ( 1 - -
-lV)
-
.Yp -4 V para comparar com -4,937 acima.
= 3,75 mS

Fig. 10.43 Análise PSpice do amplificador a JFET da Fig. 10.42.

 Análise de Sistemas - Efeito de Rs e RL 335

Fig. 10.43 Continuação

(e) Calcule o ganho A,, usando o modelo da parte (b) e a Eq.

PROBLEMAS (10.3).
(d) Determine o ganho de corrente usando a Eq. (10.6).
§ 10.3 Efeito de uma Impedância de Carga (RL) (e) Determine A •• Z; e Z0 usando o modelo rc e compare com as
soluções acima.
1. Para a configuração com polarização fixa da Fig. 10.44: *2. ( a) Desenhe as linhas de carga de e ac para o circuito da Fig. 10.44
(a) Determine A.NL, Z; e Z0 • sobre a curva característica da Fig. 10.45.
(b) Esboce o modelo de duas portas da Fig. 10.2 com os parâme- (b) Determine o valor pico-a-pico de lc e Vcc do gráfico se V;
tros determinados na parte (a) no lugar. tem um valor de pico de 10 m V. Determine o ganho de ten-
são A. = VjV; e compare com a solução obtida no Proble-
ma 1.
18V 3. (a) Determine o ganho de tensão A'" para o circuito da Fig.
10.44 para RL = 4,7 kO, 2,2 kO, e 0,5 kO. Qual o com-
portamento do ganho de tensão quando o valor de RL di-
minui?
b) Como variará Z;, Z0 e A,.NL para valores decrescentes de RL?
680k.O
§ 10.4 Efeito da Impedância da Fonte (R,)
1,8µ.F 4. Para o circuito da Fig. 10.46:
~o~-:-.~)tt-~~-+~~...,...., (a) Determine A.NL , Z; e Z0 •
4,7k.O (b) Esboce o modelo de duas portas da Fig. 10.2 com os parâme-
/;
tros determinados na parte (a) no lugar.
(e) Determine A,, usando os resultados da parte (b) .
........
Z; (d) Determine A.,.
(e) Determine A,., usando o modelo r, e compare os resultados
Fig. 10.44 Problemas 1, 2, 3. com aqueles obtidos na parte (d).
336 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

lc (rnA)

o 5 10 15 20 25 VcE (V)

Fig.10.45 Problemas 2, 7.

12V

JMQ

Fig. 10.46 Problema 4.

(f) Mude R, para 1 kil e determine A •. Como varia A. com ava- (b) Esboce o modelo de duas portas da Fig. 10.2 com os parâme-
riação do valor de R,? tros determinados na parte (a) no lugar.
(g) Mude R, para 1 kil e determine A., . Como varia A., com a (c) Determine A. e A., .
variação do valor de R,? (d) CalculeAi.
(h) Mude R, para 1 kil e determine A••L , Z; e Z0 • Como eles vari- (e) Mude RL para 5,6 kil e calcule A.,. Qual o comportamento
am com a variação do valor de R,? do ganho de tensão quando o valor de RL diminui?
(f) Mude R, para 0,5 kil (com RL em 2,7 kil) e comente o efeito
§ 10.5 Efeito Combinado de R. e Ri de redução de R, sobre A•. .
(g) Mude RL para 5,6 kil e R, para 0,5 kil e determine os novos
*5. Para o circuito da Fig. 10.47: valores de Z; e Z0 • Como são afetados os parâmetros de impe-
(a) Determine A••L , Z; e Z0 • dância pelas variações nos níveis de RL e R,?
 Análise de Sistemas - Efeito de Rs e Rr. 337

24V

Fig.10.47 Problemas 5, 17, 21.

§ 10.6 Circuitos TBJ EC 18V

6. Para a configuração com divisor de tensão da Fig. 10.48:

(a) Determine A""L, Z; e Z 0 •

(b) Esboce o modelo de duas portas da Fig. 10.2 com os parâme- 680kn
tros determinados na parte (a) no lugar.
(c) Calcule o ganho A. usando o modelo da parte (b). Vº
(d) Determine o ganho de corrente A;,
(e) Determine A., Z; e Z0 usando o modelo r, e compare as solu-
ções. + 4,7k'2
*7. (a) Desenhe as linhas decargadc e ac para o circuito da Fig. 10.48 vs ........
Z;
sobre a curva característica da Fig. 10.45.
(b) Determine o valor pico-a-pico de /e e Vc, do gráfico se V;
tem um valor de pico de 1O m V. Determine o ganho de ten-
são A. = VJV; e compare com a solução obtida no Proble-
ma 6. Fig. 10.49 Problema 9.
8. (a) Determine o ganho de tensão A. para o circuito da Fig. 10.48
para RL = 4,7 kO, 2,2 kO, e 0,5 kO. Qual o comportamento
do ganho de tensão quando o valor de RL diminui?
(b) Como variará Z;, Z0 e AVNL para valores decrescentes de
RL? 9. Para o circuito com estabilização no emissor da Fig. 10.49:
(a) Determine A,.NL 'z( e z•.
(b) Esboce o modelo de duas portas da Fig. 10.2 com os valores
determinados na parte (a).
16V (c) Determine A. e A,,.
(d) Mude R, para 1 kO. Qual é o efeito sobre A.NL, Z; e Z0 ?
(e) Mude R, para 1 kO e determine A. e A.,. Como variam A. e
A., quando R, aumenta?
68W
§ 10. 7 Circuitos TBJ Seguidor-de-Emissor

I;
V; o .. )1--__...----1
~8µF
- *10. Para o circuito da Fig. 10.50:
(a) Determine A.N,, Z; e Z0 •
(b) Esboce o modelo de duas portas da Fig. 10.2 com os valores
determinados na parte (a).
(c) Determine A. e A,., .
16W

. 0,7S"'1
Fig. 10.48 Problemas 6, 7, 8.
I IOµF
(d) Mude R, para 1 kO e determine A, e A... Como varia o ga-
nho de tensão quando o valor de R, aumenta?
(e) Mude R, para 1 kO e determine A,,NL, Z; e Z0 • Como variam
estes parâmetros quando o valor de R, aumenta?
(f) MudeRLpara5,6kOedetermineA.e A.,. Como variam estes
ganhos de tensão quando o valor de R, aumenta? Mantenha
R, em seu nível original de 0,6 kO.
338 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

20 V

91 kQ

--
0,6 kQ 5,6µF
+ ~-v,
l2kQ
V,
Z; L, 12,7kQ
l
Fig. 10.50 Problemas 10, 18, 22.

6V -22V

2,2 kQ 4,7 kQ

r;:~ . _'_ ~ · ~.. _ ~ ~ , ,

I; R 4,7 µFV: 4,7 µF

+
V,
,. --
Z;

Fig. 10.51 Problemas 11, 19.

§ 10.8 Circuitos TBJ BC (e) Para as mesmas mudanças da parte (d), determine Z; e Z Qual 0 •

foi o impacto em ambas as impedâncias?

*11. Para o circuito base-comum da Fig. 10.51: 13. Para o circuito seguidor-de-emissor da Fig. 10.53:
(a) Determine A," , Z; e Z 0• (a) Determine A,NL , Z; e Z0 •
(b) Esboce o modelo de duas portas da Fig. 10.2 com os valores (b) Esboce o modelo de duas portas da Fig. 10.2 com os valores
determinados na parte (a) no lugar. determinados na parte (a) no lugar.
(c) Determine A,. e Av,. (c) Determine A, e Av,.
(d) Determine A,. e Av, usando o modelo r, e compare com os re- (d) Mude RL para 4,7 k!1 e calcule A,. e A,,. Como é a variação
sultados da parte (c). dos ganhos de tensão para valores crescentes de RL?
(e) MudeRspara0,5 k!1eRLpara2,2kilecalculeAve Av,. Qual é o (e) Mude R,;g para 1 kil (com RL em 2,2 kil) e calcule A, e A,,.
efeito da variação dos níveis de R., e RL sobre os ganhos de tensão? Como é a variação dos ganhos de tensão para valores cres-
(f) Determine Z se R, mudou para 0,5 kil mantidos todos os ou-
0 centes de R,;g?
tros parâmetros que aparecem na Fig. 10.5 L Como Z é afe- 0 (f) Mude RL para 4,7 kil e R,;g para 1 kil e calcule Z; e Z Qual
0•

tado pelas variações nos níveis de R,? foi o efeito sobre estes parâmetros?
(g) Determine Z; se RL for reduzido para 2,2 kil. Qual é o efeito *14. Para a configuração porta-comum da Fig. 10.54:
de variação nos níveis de RL sobre a impedância de entrada?
(a) Determine AvNL, Z; e Z 0 •

§ 10.9 Circuitos FET (b) Esboce o modelo de duas portas da Fig. 10.2 com os parâme-
tros determinados na parte (a) no lugar.
12. Para o circuito JFET autopolarizado da Fig. 10.52: (c) Determine A, e A,, .
(a) Determine A," , Z; e Z 0 •
(d) Mude R1, para 2,2 kil e calcule A,, e A,,. Qual foi o efeito so-
(b) Esboce o modelo de duas portas da Fig. 10.2 com os valores bre os ganhos de tensão decorrente da variação em RL?
determinados na parte (a) no lugar.
(e) MudeR,;gpara 0,5 k!1 (com RL em4,7 kil) e calculeA,e A,,.
(c) Determine Av e A, ..
Qual foi o efeito sobre os ganhos de tensão decorrente dava-
(d) Mude RL para 6,8 kil e R,;g para 1 kil e calcule os novos va- riação em R,;g?
lores de A, e A,, . Como os ganhos de tensão são afetados pelas (f) Mude RL para 2,2 kil e R,;g para 0,5 kil e calcule Z; e Z Qual
0 •

variações em R,;g e RL? foi o efeito sobre as impedâncias Z, e Z ?

0
 Análise de Sistemas - Efeito de Rs e Ri. 339

l2V

+
v. 1 M.Q

Fig. 10.52 Problemas 12, 20, 23.

12 V

8,2µF V.
1

0,5k0

2MO

"li'

Fig. 10.53 Problema 13.

18V

5,6µF lf..
1

+
v. _..,._
Z;

.Fig. 10.54 Probh:ma 1-L

340 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

+
V,

Fig.10.SS Problema 15.

+
v,

Fig.10.56 Problema 16.

§ 10.11 Sistemas em Cascata (g) A relação de fase entre V0 e V;.

*15. Para o sistema em cascata da Fig. 10.55 com dois estágios idênti-
§ 10.12 Análise por Computador
cos, determine:
(a) O ganho de tensão com carga de cada estágio.
17. (a) Escreva o arquivo de entrada do PSpice para o circuito da Fig.
(b) O ganho total do sistema, Av e Av, .
10.47 e peça o nível de V0 para V,= 1 mV. Para os elementos ca-
(c) O ganho de corrente com carga de cada estágio.
pacitivos assuma uma freqüência de 1 kHz.
(d) O ganho de corrente total do sistema.
(e) Como Z; é afetado pelo segundo estágio e por RL. (b) Realize a análise e compare com o nível de A,, do Problema 5.
(f) Como Z0 é afetado pelo primeiro estágio e por R,. 18. Repita o Problema 17 para o circuito da Fig. 10.50 e compare os
(g) A relação de fase entre V e V;.
0
resultados com aqueles do Problema 10.
*16. Para o sistema em cascata da Fig. 10.56, determine: 19. Repita o Problema 17 para o circuito da Fig. l 0.51 e compare com
(a) O ganho de tensão com carga de cada estágio. os resultados do Problema 11.
(b) O ganho total do sistema, Av e A• . 20. Repita o Problema 17 para o circuito da Fig. l 0.52 e compare com
os resultados do Problema 12.
(c) O ganho de corrente com carga d~ cada estágio.
21. Repita o Problema 17 usando BASIC.
(d) O ganho de corrente total do sistema.
22. Repita o Problema 18 usando BASIC.
(e) Como Z; é afetado pelo segundo estágio e por RL'
23. Repita o Problema 20 usando BASIC.
(f) Como Z0 é afetado pelo primeiro estágio e por R,.

*Observação: Os asteriscos indicam problemas mais difíceis.

 CAPÍTULO

Resposta de Freqüência
do TBJ eJFET 11
f
11.1 INTRODUÇÃO o valor de x seria determinado empregando-se a função logarít-
mica. Isto é,
A análise até o momento ficou limitada a uma freqüência espe- X = log!O 10.000 = 4
cífica. Para o amplificador, utilizou-se uma freqüência que per-
mitiu ignorar os efeitos dos elementos capacitivos, reduzindo a Para a indústria elétrica/eletrônica e na maioria dos trabalhos
análise somente aos elementos resistivos e fontes, de valores científicos, a base na equação logarítmica é limitada a dois va-
independentes e controlados. Investigaremos agora os efeitos da lores somente: 10 e o número e= 2,71828 ....
freqüência no circuito, introduzidos pelos capacitores nas baixas Logaritmos tomados na base 10 são chamados de logaritmos
freqüências e pelos elementos capacitivos dos elementos ativos comuns, enquanto aqueles tomados na base e são denominados
nas altas freqüências. Como a análise considerará uma faixa de logaritmos naturais. Em resumo:
freqüência larga, será definida a escala logarítmica, e esta será
utilizada ao longo da análise. Além disso, será apresentado o (11.2)
conceito de decibel, uma vez que a indústria normalmente utili-
za uma escala em dB nos seus gráficos de freqüência. As seme-
lhanças entre as análises da resposta de freqüência do TBJ e do (11.3)
FET permitem a abordagem de ambas em um mesmo capítulo.
Os dois são relacionados por:

11.2 LOGARITMOS (11.4)

Não há como escapar da necessidade de se empregar a função Nas calculadoras científicas atuais, o logaritmo comum é nor-
logarítmica com naturalidade. O traçado de uma variável em uma malmente acionado pela tecla ~ e o logaritmo natural pela
faixa ampla, a comparação de níveis com números enormes, a tecla l]i).
identificação de níveis com particular importância no projeto, a
revisão do circuito e procedimentos de análise são algumas das
tarefas facilitadas com o uso da função logarítmica. EXEMPLO 11.1
Para dar uma primeira idéia da relação entre as variáveis de Utilizando a calculadora, determine o logaritmo dos seguintes
uma função logarítmica, considere as seguintes equações mate- números, na base indicada.
máticas: (a) log 10 106•
(b) log, e3•
1 a=hx. xc:::log~a.1 (11.1)
(c) log 10 10- 2 •
As variáveis a, b ex são as mesmas em cada equação. Se a é (d) log, e- 1•
determinado tomando-se a base b e elevando-a à potência x, o
mesmo x é obtido se o log de a é calculado para a base b. Por Solução
exemplo, se b = 10 ex = 2. (a) 6 (b) 3 (c) -2 (d) -1
a = Ir = (10)2 = 100
mas x = logb a= log 10 100 = 2 Os resultados no Exemplo 11.1 revelam que o logaritmo de
um número elevado a uma potência é simplesmente a potência
Em outras palavras, se for pedida a potência de um número que
do número, isto se o número for igual à base do logaritmo. No
resulta em determinado valor, tal como o mostrado abaixo:
próximo exemplo, a base e a variável x não estão relacionadas
10.000 = lOX por uma potência inteira da base.
342 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
f
EXEMPLO 11.2 (11.6)
Utilizando a calculadora, determine o logaritmo dos seguintes
números.
(a) log 10 64. que para o caso especial de a = 1 toma
(b) log, 64.
(c) log 10 1600.
(d) log 10 8000. (11.7)

Solução
revelando que para todo b maior do que 1, o logaritmo de um
(a) 1,806 (b) 4,159 (c) 3,204 (d) 3,903 número menor do que 1 é sempre negativo.

Observe nas letras (a) e (b) do Exemplo 11.2 que os logarit- (11.8)
mos log 10 a e log. a confirmam a relação apresentada pela Eq.
(11.4). Além disso, observe que o logaritmo de um número não Em cada caso, as equações empregando logaritmo natural terão
aumenta na mesma proporção que o número. Ou seja 8000 é 125 o mesmo formato.
vezes maior do que 64, mas o logaritmo de 8000 é, aproximada-
mente, apenas 2,16 vezes maior do que o valor do logaritmo de
64. Isto revela uma relação não-linear. O Quadro 11.1 mostra EXEMPLO 11.4
como o logaritmo de um número aumenta quando variamos o seu Utilizando uma calculadora, determine o logaritmo dos seguin-
expoente. Se se deseja o antilogaritmo de um número, as funções tes números
lOX ou e' da calculadora são empregadas. (a) log 10 0,5.
4000
(b) log 10 - - .
QUADRO 11.1 250
(c) log 10 (0,6 X 30).
log10 10° = O
log 10 10 = 1
log 10 100 = 2 Solução
log10 1.000 = 3
log 10 10.000 = 4 (a) -0,3
log10 100.000 = 5 (b) log 10 4000 - log 10 250 = 3,602 - 2,398 = 1,204
JoglO 1.000.000 = 6
log 10 10.000.000 = 7 Verificando: log 10 ~~ = log 10 16 = 1,204
log 10 100.000.000 = 8
e assim por diante (c) log10 0.6 + log 10 30 = -0,2218 + 1,477 = 1,255
Verificando: log 10 (0,6 X 30) = log 10 18 = 1,255

EXEMPLO 11.3
Utilizando uma calculadora, determine o antilogaritmo das se- O uso de escalas logarítmicas pode expandir significativa-
guintes expressões mente a faixa de variação de uma variável em um gráfico. Gran-
(a) 1,6 = log 10 a. de parte das folhas de gráfico disponíveis é do tipo semilog ou
(b) 0,04 = log, a. log-duplo (log-log). O termo semi (significando metade) indi-
ca que somente uma das escalas é log, e log-duplo indica que
Solução ambas as escalas são log. Na Fig. 11.1 é apresentada uma es-
cala semilog. Observe que a escala vertical é linear com divi-
(a) a= 101.6 sões igualmente espaçadas. O intervalo entre as linhas da es-
Teclas da calculadora: IJ) D I]) !2ndFI 1W cala log é mostrado no mesmo gráfico. O log de 2 na base 10
e a= 39,81 é aproximadamente 0,3. O intervalo de 1 (log 10 1 = O) para 2
(b) a= e0 •04 é, portanto, 30% da extensão total. O log de 3 na base 10 é
Teclas da calculadora: III D III 11) 12nd FI [il 0,4771, aproximadamente 48% da extensão (quase a metade
e a= 1,0408 da distância entre pontos de potência de 1O na escala log).
Como log 10 5 ::o O, 7, é marcado o ponto correspondente no
gráfico a 70% do intervalo total. Observe que o intervalo é o
Como a análise restante deste capítulo emprega o logaritmo mesmo entre quaisquer dois números que diferem apenas pela
comum, vamos rever algumas propriedades dos logaritmos apli- potência de dez. Deve-se prestar atenção aos valores numéri-
cadas a este último. Em geral, entretanto, as relações apresenta- cos resultantes e ao espaçamento, pois, devido à falta de espa-
das são válidas para logaritmos em qualquer base. ço, normalmente os gráficos irão apresentar apenas as marca-
ções indicadas na Fig. 11.2. Perceba que as barras maiores,
(11.5) nesta figura, estão associadas aos valores numéricos 0,3, 3 e
30; as barras de comprimento um pouco menor indicam os
Como revelado pelo Quadro 11.1, uma vez que 10º = 1, valores 0,5, 5 e 50; e as menores barras 0,7, 7 e 70.
f Resposta de Freqüência do TBJ e JFET 343

li
5 1
:::

3
1

•
2

....

log10:30%
2 = 0,3010

:48%
log103=0,4771
2

·
I 3 4 5

~
67891

\ \
\ \
\og 10 9=0,9543
log108=0,9031
log!O 7 = 0,8451
log 10 6 = 0,7781
log10 5 = 0,6999
2 3 4 5 6 7 8 9 1

log10 4=0,6021 (;;;60%)

Fig.11.1 Folha de gráfico semilog.

Saiba que o traçado de uma função em uma escala log pode 11.2. Isto será aplicado para alguns dos gráficos log-log apresen-
modificar o aspecto da forma de onda, quando comparado ao tados mais tarde no livro.
traçado em uma escala linear. O traçado de uma função linear
em uma escala log pode não resultar em uma reta, enquanto que 11.3 DECIBEL
o traçado de uma função não-linear em uma escala log pode pro-
duzir uma linha reta. O importante é que interpretemos os resul- O conceito de decibel (dB) e os cálulos associados serão muito
tados, aprendendo a considerar o espaçamento das Figs. 11.1 e empregados nas seções restantes deste capítulo. A origem do

aproximadamente
a metade (0,3) (3) (5) (7) (30) (50)(70)
,----A-----,

0,1 0,7 10 100 log

'-------v------
quase três quartos (0,5)

Fig. 11.2 Identificando a posição das marcas em uma escala log.

344 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
termo decibel resulta do fato de que potência e níveis de áudio
são relacionados em base logarítmica. Isto é, um aumento no nível
de potência, digamos de 4 para 16 W, não resulta em um aumen-
to no nível de áudio por um fator de 16/4 = 4. O aumento será
por um fator de 2, resultado da potência associada ao número 4:
(4) 2 = 16. Para uma variação de 4 para 64 W, o nível de áudio
triplicará, já que (4) 3 = 64. Em termos logarítmicos, a relação
pode ser escrita por log4 64 = 3.
Padronizando, o bel (B) foi definido pela seguinte equação e
relaciona os níveis de potência Pi e P 2 :
bel
f
*
Freqüentemente, o efeito de impedâncias diferentes (R 1 R2)
é ignorado e a Eq. ( 11.12) aplicada apenas para estabelecer uma
base de comparação entre níveis - tensão ou corrente. Para es-
tas situações, a relação em decibel deve ser denominada ganho
de tensão ou corrente em decibéis, para diferenciá-la do decibel
empregado para níveis de potência.
Uma das vantagens da utilização de uma relação logarítmica
é a maneira na qual ela pode ser aplicada em estágios em casca-
ta. Por exemplo, o ganho de tensão total de um sistema em cascata
é dado por
(11.13)
(11.9)
Aplicando a relação logarítmica apropriada resulta em

O termo bel foi extraído do sobrenome de Alexander Graham Gv = 20 log10 IAvTI

Bell.
Considerou-se, entretanto, que a unidade bel produzia núme-
ros muito pequenos. Por isso, foi definido o decibel (dB), de for-
ma que 1Odecibéis = 1 bel. Portanto,
dB
As especificações de equipamentos eletrônicos de comunica-
ções (amplificadores, microfones etc.) são normalmente dadas
em decibéis. A Equação ( 11.10) indica claramente, entretanto,
que a unidade decibel é uma medida da diferença em amplitude
entre dois níveis de potência. Para uma potência de saída especi-
ficada, (P2), deve haver um nível de potência de referência (P1).
O nível de referência normalmente considerado é de 1 mW, em-
bora ultimamente se aplique 6 mW como padrão. A resistência
asssociada com o nível 1 mW é 600 n, que é o valor da impe-
dância característica das linhas de transmissão de áudio. Quan-
do o nível 1 mW é empregado como nível de referência, o sím-
bolo de decibel adotado é dBm. Na forma de equação,
= 20 log10 !AvJ + 20 log10 !Av,I
+ 20 log10 IAv,I + "· + 20 log10 IAvJ (dB) (11.14)
Em palavras, a equação estabelece que o ganho em decibel de
um sistema em cascata é simplesmente a soma dos ganhos em
dB de cada estágio, ou seja,
(11.10)
dB (11.15)
Com o intuito de desenvolver uma associação entre níveis em
dB e ganhos de tensão, montou-se o Quadro 11.2. Observe inici-
almente que um ganho de 2 é equivalente a +6 dB, e que uma
atenuação de 2 (ganho de 1/2) corresponde a -6 dB. Uma vari-
ação em VJV; de 1 para 10, 10 para 100, ou 100 para 1000 é equi-
valente sempre a um aumento de 20 dB. Quando V0 = V;, V0 /V;
= 1, o ganho em dB é O. Para um ganho altíssimo de 1000, o
valor em dB é 60, enquanto que para um ganho muito mais ele-
vado, 10.000, a diferença em dB é de apenas 20 dB, ou seja,
10.000 correspondem a 80 dB - um resultado da relação loga-
rítmica. O Quadro 11.2 revela que ganhos de tensão maiores do
que 50 dB podem ser considerados bastante elevados.

dBm (11.11)
QUADRO 11.2

Há uma segunda equação em decibéis também muito utiliza- Ganho de Tensão,

da. Pode ser mais bem descrita através do sistema da Fig. 11.3. V/V; NívelemdB
Para V; igual a um valor V 1, Pi = Vr/R;, onde R; é a resistência
0,5 -6
de entrada do sistema da Fig. 11.3. Se V; aumentar para V2 , então 0,707 -3
P 2 = Vi/R;. Se substituirmos na Eq. (11.10), determinamos a 1 o
diferença resultante em decibéis entre os níveis de potência, 2 6
10 20
40 32
100 40
1000 60
10.000 80
etc.

e dB (11.12)

EXEMPLO 11.5
Ache o valor do ganho que corresponde a um ganho em dB de 100.
+o----
Solução
V;
Da Eq. (11.10),

Fig. 11.3 Configuração empregada na discussão da Eq. {11.12).

f Resposta de Freqüência do TBJ e JFET 345

tal que Pz = 1010 = 10.000.000.000 11.4 CONSIDERAÇÕES GERAIS

Pi SOBRE FREQÜÊNCIA
Este exemplo demonstra a faixa de valores em dB com que
lidamos na prática. Certamente, um cálculo que dê, em decibel, A freqüência do sinal aplicado pode ter um efeito pronunciado
um valor próximo de 100 deve ser questionado imediatamente. na resposta de um circuito simples ou multiestágio. A análise
realizada até então baseou-se no espectro de freqüências médi-
EXEMPLO 11.6 as. Em baixas freqüências, não podemos mais substituir os
A potência de entrada de um dispositivo é 10.000 W, para uma capacitores de acoplamento e de desvio por curtos-circuitos, pois,
tensão de 1.000 V. A potência de saída é 500 W e a impedância nesta faixa de freqüência, suas reatâncias não são mais desprezí-
de saída 20 n.. veis. Em altas freqüências, os parâmetros dependentes da freqüên-
(a) Ache o ganho de potência em decibéis. cia dos circuitos equivalentes para pequenos sinais, os elemen-
(b) Ache o ganho de tensão em decibéis. tos capacitivos isolados e do circuito irão limitar a resposta do
(c) As letras (a) e (b) estão de acordo ou não? Explique. sistema. O aumento do número de estágios em um sistema em
cascata irá limitar também tanto a resposta em alta freqüência
Solução como a resposta para baixas freqüências.
P0 500 W As curvas de ganho de um amplificador com acoplamento RC,
(a) Gda = 10 log10 - = 10 log10 - - direto e por transformador, são fornecidas na Fig. 11.4. Observe
P; 10 kW que a escala horizontal é uma escala logarítmica, permitindo a
1 representação das regiões de baixas e altas freqüências. Para cada
= 10 log 10 - = -10 log 10 20 gráfico, as regiões de baixas, altas e médias freqüências foram
20
= -10(1,301) = -13,01 dB definidas. Além disso, os motivos principais da redução do ganho
nas altas e baixas freqüências foram indicados dentro de parên-
(b) Gv = 20 log10 v;
Vº VPR
= 20 log10 lOOO teses. Para o amplificador com acoplamento RC, a queda nas altas
freqüências é devida ao aumento na reatância de Cc, C,, ou CE, e
nas baixas freqüências é resultado da capacitância parasita de
= 20 lo v'(500 W)(20 O) alguns elementos e do ganho dependente da freqüência dos dis-
gio 1000 V positivos ativos. Para entendermos a queda no ganho em sis-
100 1 temas com acoplamento por transformador, devemos, antes, com-
= 20 log10 lOOO = 20log10 10 preender a "operação de transformação" e o circuito equivalente
do transformador. Por enquanto, vamos dizer que é devido ao
= -20 log 10 10 = -20 dB "curto" (através dos terminais de entrada do transformador) da
reatância indutiva em baixas freqüências, (XL = 2-rrjL). O ganho
v.2 (1 kV)2 106 deve, obviamente, ser zero emf = O, já que neste ponto não há
(c) R·1 = - ' = = - 4 = 100 O-# R = 20 O
P; 10 kW 10 º um fluxo circulante através do núcleo para induzir o secundá-
rio do transformador. Como indicado na Fig. 11.4, a resposta em
EXEMPLO 11.7 alta freqüência é controlada principalmente pela capacitân-
Um amplificador com 40 W de saída é conectado a um alto-fa- cia entre as voltas dos enrolamentos primário e secundá-
lante de 10 n.. rio. Para o amplificador com acoplamento direto, não há capa-
(a) Calcule a potência de entrada quando o ganho de potência é citores de acoplamento ou de desvio que proporcionem uma
de 25 dB. queda no ganho em baixas freqüências. Como indica a figura,
(b) Calcule a tensão de entrada quando o ganho de tensão do trata-se de uma resposta plana até a freqüência de corte superi-
amplificador é de 40 dB. or, que é determinada pelas capacitâncias parasitas do circuito,
ou pela dependência do ganho com a freqüência dos dispositi-
Solução vos ativos.
40W Para cada sistema da Fig. 11.4, há uma faixa de freqüências
(a) Eq. (11.10): 25 = 10 log 10 - - ~ P; na qual o valor do ganho é igual ou próximo ao valor nas fre-
P;
qüências médias. Para estabelecer os limites de freqüência em
40W 40W
= =---- que temos um alto ganho relativo, O, 707 A,,,,,"' é o ganho escolhi-
antilog (2,5) 3, 16 x 102 do para especificar a freqüência de corte. As freqüências corres-
40W pondentes fi e fz são normalmente chamadas de freqüências de
= - - : : é 126 5 mW ângulo, corte, banda, quebra, ou meia potência. O fator 0,707
316 '
foi escolhido porque neste nível a potência de saída é metade do
V0 V0
(b) Gv = 20 log10 - ~ 40 = 20 log10 - valor na banda média, isto é, nas médias freqüências,
V; V;
Vo = antilog 2 = 100
V;
V0 = VPR = v'(40 W)(lO fi) = 20 V e nas freqüências de meia potência,

V
1
=~=
100
º
2 V
100
= O 2 V = 200 mV
' p =
I0,707Av. V;l 2
mid = 0,5
I,\.
lf1
V;l 2
m,d
ºHPF Ro Ro
346 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
f
IA)=1;~
1-<f--------- Bandapassante - - - - - - - - - , . . ; (Capacitância parasita do
circuito e dos
(Cc, C, or Ç;) dispositivos ativos e
Aurnid ......,""""._._,.....,.,.~_,..""""._.""""...,.....,.....,...._.""""~~ ganho dependente
da freqüência do transistor,
0,707Aurnid FT, ou válvula)
/
Baixas
freqüências

10 fi 100 1.000 10.000 100.000 1MHz 10 MHz f(escala log)

(a)
IAul=1~1---------
Vi Banda passante _ _ _ _ _ _ __.,

f (escala log)

(b)

IAul=I:~ (Capacitância parasita do

circuito e dos
dispositivos ativos e
ganho dependente
Aurnidi,,.,.""""~...,...._.._.._.""""'~~"""'-,,.._.._.._.._....,.,-.. da freqüência do transistor,
O, 707A" p··,.,,.,.,,.,.,~··, .,... L;.:,:,;;, ,:,,,;,c:.;.;,,,,,..L,.-":'":é'ér··"'·''·,;,;;,,;,i;';,;;,,,;.,;.,+,,,,.,:....,;,,,,,,.:'c,cf'"' FT, ou válvula)
urnid

100 1.000 10.000 f2 100.000 1MHz f (escala log)

(e)

Fig. 11.4 Ganho versus freqüência para (a) amplificadores com acoplamento RC; (b) amplificadores com acoplamento a transformador; (c) amplificadores com
acoplamento direto.

e (11.16)
(11.18)
A largura de banda (ou banda passante) de cada sistema é
determinada por f 1 e f 2 , ou seja, Para as freqüências no meio da faixa, 20 log 10 1 = O, e nas
freqüências de corte, 20 log 10 1/ ../2 = -3 dB. Estes valores es-
(11.17) tão indicados no gráfico da Fig. 11.6. Quanto menor a razão, mais
negativo é o nível em dB.
Em grande parte da análise a seguir, o gráfico em decibel só
Nos sistemas de comunicações (áudio e vídeo), um gráfico em será empregado para as regiões de baixas e altas freqüências. Por
decibel do ganho de tensão versus freqüência é mais adequado isso, não esqueça da Fig. 11.6, que permite uma visualização da
do que o que aparece na Fig. 11.4. Antes de se obter o gráfico resposta completa do sistema.
logarítmico, entretanto, a curva geralmente é normalizada como Devemos lembrar-nos que a maioria dos amplificadores in-
mostrado na Fig. 11.5. Nesta figura, o ganho em cada freqüência troduz um desvio de fase de 180º entre os sinais de entradi:t e de
é dividido pelo valor do ganho no meio da faixa. Obviamente, o saída. Na verdade, isto só é válido para as freqüências no meio
valor normalizado no meio da faixa é 1, como indicado. Nas fre- da faixa. Em baixas freqüências, o desvio de fase é tal que V0 está
qüências de meia potência, o nível resultante é O, 707 = l/ ../2. retardada em relação a v; por um ângulo elevado. Em altas fre-
O gráfico em decibel agora pode ser obtido, aplicando-se a Eq. qüências, o desvio de fase é menor do que 180°. A Fig. 11.7 mos-
(11.12) da seguinte maneira: tra uma curva de fase para um amplificador com acoplamento RC.
f Resposta de Freqüência do TBJ e JFET 347

10 1000 10.000 100.000 Í2 1 MHz 10 MHz f (escala log)

Fig. 11.5 Gráfico do ganho normalizado 1·er.rns freqiiência.

100 1000 10.000 100.000 Í2 1 MHz lOMHz f (escalalog)

OdBt-~~....,..__.-::::._...~------~--------------"""'-::---,-~__.~~~~__._~--
-3dB
-6dB
-9dB
-12dB

Fig. 11.6 Gráfico do ganho do Fig. 11.5 normalizado em dB versus freqüência.

,( (entre V0 e V,)

360"

90º

10 MHz f (escala log)

Fig. 11.7 Curva de fase para um amplificador com acoplamento RC.

11.5 ANÁLISE PARA BAIXAS ~e +

FREQÜÊNCIAS - DIAGRAMA
DE BODE
Para o amplificador TBJ ou FET de único estágio, nas baixas fre-
qüências, quem determina a freqüência de corte é a combinação R- Fig. 11.8 Combinação R-C que definirá a freqüência de corte inferior.
C formada pelos capacitores C0 Ce, e Cs e os parâmetros resistivos.
Na verdade, pode-se estabelecer para cada elemento capacitivo um
circuito R-C semelhante ao da Fig. 11.8, e determinada a freqüên-
e o capacitor pode ser substituído pelo curto-circuito equivalen-
cia na qual a tensão cai a O, 707 do seu valor máximo. Uma vez
te, como mostrado na Fig. 11.9. O resultado é que V 0 9ãá V; para
determinadas as freqüências de corte para cada capacitor, a freqüên-
altas freqüências. Emf = O Hz,
cia de corte inferior do sistema pode ser levantada
Nossa análise, portanto, começará com a combinação R-C 1 1
série da Fig. 11.8 e o desenvolvimento de um método que facili- Xc = 21rfC = 21r(O)C = .n 00

te o máximo possível o traçado da curva de resposta de freqüên-

cia. Em freqüências muito altas, e a aproximação de circuito aberto pode ser aplicada, como mostra
a Fig. 11.10 com o resultado V0 = O V.
1 Entre os dois extremos, a razão Av = VjV; irá variar da forma
Xc = - - 9ãá O il
21rfC mostrada na Fig. 11.11. À medida que a freqüência aumenta, a
348 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
f
Em logaritmo,
+ +
1
Gv = 20 log10 Av = 20 log10 V2 = -3 dB
e paraAv = V/V;= 1 ou V0 = V; (o valor máximo),
Fig. 11.9 Circuito R-C da 1-'ig. 11.8 em fre4li~rn:ia, muito altas.
Gv = 20 log10 1 = 20(0) = O dB
Na Fig. 11.6 verificamos que há uma queda de 3 dB no ganho
em relação ao valor no meio da faixa, quando! =fi. Posterior-
0---0 mente iremos constatar que um circuito RC irá determinar fre-
+ + qüência de corte inferior para um TBJ, e fi será especificada pela
v; Eq. (11.20).
Se a equação do ganho for escrita por
1
A = Vo = R - - -1 - - = - - - --
v V; R - jXc 1 - j(XcfR) 1 - j(llwCR)
Fig. 11.10 Circuito R-C da Fig. 11.8 emf = O Hz.
1
1 - j(l/271JCR)
e considerando a freqüência definida acima,

(11.21)

Na forma de amplitude e fase,

A = Vo = 1 fta -1(!/j)
f V V; Yl + (fi/J)2n 1 (11.22)
._.,____., ' - . - - - '
Fig. 11.11 Resposta do circuito R-C da Fig. 11.8 em baixas freqüências. amplitude de A, diferença de fase
entre V0 e V;

Para a amplitude, quando f =li,

reatância capacitiva diminui, e maior é a porção da tensão de 1 1
entrada que aparece·através dos terminais de saída. IAvl = Yl + (1)2 = \/2 = 0,707-+ -3 dB
As tensões de saída e entrada são relacionadas pela regra do
divisor de tensão: Em logaritmo, o ganho em dB é
V= RV; 1
º R+ Xc Av(dB) = 20 log10 Y l + (fi/!)2
com a amplitude de V0 determinada por
V_ RVi
= -20 log10 [ 1 + (
f
J)2]1/2
Para o caso especial em que Xc
o - YR2 + xf:
= R,
= -(!)(20) log10[ 1 + (1 )2]
Vo
RVi RVi RV;
= v'R2 + X~ = v'R2 + R2 = \fiii2. = V2R. = V2 V;
RV; 1
= -10 log 10 [ 1 + (] )2]
Para freqüências em que f ~ fi ou (f,_!f)2 }> 1, a equação acima
e (11.19) pode ser aproximada por

que é o valor indicado na Fig. 11.11. Em outras palavras, na fre-

qüência em que Xc = R, a saída será 70,7% da entrada para o
Av(dB) = -10 log10 (!1f )2
circuito da Fig. 11.8. e finalmente,
A freqüência em que isto ocorre é determinada de
1
Xc= =R (11.23)
2T1f1C

Ignorando a condiçãof ~Íi temporariamente, o gráfico da Eq.

e (11.20) ( 11.23) em uma escala log de freqüência produzirá resultados
muito utilizados em futuros gráficos em decibel.
 f Resposta de Freqüência do TBJ e JFET 349

1 1 1
______ L ____ _J _ _ _ , , . , . , \
,,,.,- f (escala log)
-3 1 1 ,,
1 1 , ' Resposta de freqüincia real
-6 ------L---- ;
1 ,
1 .,,
1 io"
-9
-12 : \ -6 dBloitava ou -20 dB/década

-15
-18
-20-
-21

Fig. 11.12 Diagrama de Bode para a região de baixas freqüências.

- uma ao longo da reta de O dB, e a outra passando por li com

Emf = fi: 11 = 1 e -20 log 10 1 = O dB uma inclinação de 6 dB/oitava ou 20 dB/década. Finalmente, ache
f o ponto de 3 dB emli e esboce a curva.
Emf=t.!1: 11 =2 e -20log 10 2=-6dB
f
EXEMPLO 11.8
Emf=tfi: 11 =4 e -20log 10 4=-12dB Para o circuito da Fig. 11.13:
f (a) Determine a freqüência de corte.
Emf = --hf1:
!1
f = 10 e -20 log 10 10 = -20 dB
(b) Esboce as assíntotas e localize o ponto de - 3 dB.
(c) Esboce a curva de resposta de freqüência.
A representação destes pontos está indicada na Fig. 11.12 de
Solução
O, lf1 até f 1• Observe que estes resultados fornecem uma reta,
quando colocados em uma escala log. Na mesma figura, é dese- 1 1
nhada outra reta para a condição de OdB em que f ~ fi. Como (a) Íl = 27rRC = (6,28)(5 X 103 0)(0,l X 10- 6 F)
afirmado anteriormente, os segmentos de reta (assíntotas) são
precisos quando fi ~ J, para a reta horizontal, e quando f ~ fi, =318,5 Hz
para a reta inclinada. Sabemos, entretanto, que quando f = fi, há (b) e (c). Ver Fig. 11.14.
uma queda de 3dB no ganho em relação ao valor no meio da fai-
xa. Utilizando este fato, associado ao traçado dos segmentos de
reta, conseguimos levantar um gráfico razoavelmente exato da e
resposta de freqüência, como indicado na mesma figura. O grá-
fico de assíntotas com pontos de quebra associados é chamado
o---1----0
+ O,lµF +
de diagrama de Bode da amplitude versus freqüência.
Os cálculos acima e a própria curva indicam claramente que: V;

Multiplicando-se a freqüência por dois, equivalente a uma

oitava, resulta em uma alteração de 6dB no ganho, como pode
Fig. 11.13 Problema 11.8.
ser observado de f /2 para li-

Como pode ser observado pelo aumento no ganho de li/2

para/1·
O ganho em qualquer freqüência pode então ser determinado do
Para uma variação de 10: 1 na freqüência, equivalente a uma gráfico de freqüência da seguinte maneira:
década, há uma variação de 20 dB no ganho, como pode ser
notado de f /2 para li-
Av<dB> = 20 logi0 -Vº
V;
A partir de agora, portanto, pode-se obter facilmente um grá-
fico em decibel para uma função com o formato da Eq. (11.23). Av(dB) _ l Vo
mas 20 - Ofüo V;
Primeiro determineli do circuito, e depois esboce duas assíntotas
350 Dispositi\'OS Eletrônicos e Teoria de Circuitos
f
lAu(dB)

(31,8? Hz) (318,5 Hz) (637 Hz) (3185 Hz)

li 10 !1 2f1 3f1 10/1
o /
/ 1
-3 --------------;-'
/
/
-6 ./'.
/.
-9
-12

-15

-18

-21

Fig. 11.14 Resposta de freqüência para o circuito R-C da Fig. 11.13.

Para freqüências f <iS li,

e (11.24)
\ 8 = tan- 1 Íi ~ 90º
f
Por exemplo, se A,(dBJ = - 3 dB. Por exemplo, se f 1 = 1OOJ,

Av = Vº = 10(- 3120 ) = 10<-0,lS) == 0,707 como esperado (} = tan- 1 ] = tan- 1(100) = 89,4º
V;

O valor de 10-o.is é determinado utilizando-se a função 10' en- Paraf = f 1,

contrada na maioria das calculadoras científicas.
(} = tan- 1 li = tan- 1 1 = 45º
Da Fig. 11.14, A,(dBl == -1 dB emf = 2f1 = 637 Hz. O ganho
neste ponto é
f
Para f l» li:
V (A•{dBJ)
A,=__!!_= 10 20 = 10<- 1120! = 10<-o,os) = 0,891
V;
e V0 = 0,891V; Por exemplo, se f = 100J1,
ou V0 é 89, 1% de V; emf = 637 Hz.
O ângulo de fase, 8, é determinado de f = tan- 10 ,OI = O,573º
(} = tan- 1 Í1

I) tan''" 1 O gráfico de(}= tan- 1 (j;fj) é mostrado na Fig. 11.15. Se adi-

(11.25)
cionarmos o deslocamento da fase de 180' introduzido por um
amplificador, será obtido o gráfico da fase de Fig. 11. 7. A res-
da Eq. (11.22). posta da amplitude e fase para uma combinação R-C foi agora

dif. de fase entre V, e V 1

90º
-
.... - -....- - - - -
........
....... ......
45° ---- --- -- - --
...... ....
------,.
1 ......

-=-,__~~~--
1 ...
1
. .......
.... ...
0º'--~~~~~~~~~_.___~~'--~.._~.__
...
0,lf, f

Fig. 11.15 Resposta de fase para o circuito R-C da Fig. 11.8.

f Resposta de Freqüência do TBJ e JFET
estabelecida. Na Seção 11.6, todo capacitor com uma função
importante no circuito, na região de baixas freqüências, será
redesenhado em uma configuração R-C. A freqüência de corte
será determinada para cada configuração, com o objetivo de le-
vantarmos a resposta em baixas freqüências do amplificador TBJ.
11.6 RESPOSTA EM BAIXAS
FREQÜÊNCIAS -
AMPLIFICADOR TBJ
A análise desta seção empregará a configuração de polarização por
divisor de tensão com carga, mas os resultados obtidos podem ser
aplicados a qualquer configuração do TBJ. Será necessário apenas
encontrar a resistência equivalente apropriada para a combinação
R-C. Para o circuito da Fig. 11.16, os capacitores C,, C0 e CE
determinarão a resposta em baixas freqüências. Examinaremos,
agora, o efeito de cada um, independentemente, na ordem listada.
Como C, está normalmente conectado entre a fonte aplicada e o
dispositivo ativo, a forma geral da configuração R-C é estabele-
cida pelo circuito da Fig. 11.17. A resistência total é agora R, +
R; e a freqüência de corte determinada utilizando o procedimen-
to descrito na Seção 11.5 é
(11.26)
Nas freqüências médias e altas, a reatância do capacitor será
pequena o suficiente para considerarmos o elemento um curto-
circuito. A relação entre V; e V, será, portanto,
(11.27)
Em !1, a tensão será 70,7% do valor determinado pela Eq.
(11.27), assumindo que C, é o único elemento capacitivo con-
trolando a resposta em baixas freqüências.
Vcc
rt·-
Fig. 11.16 Amplificador TBJ com carga, com capacitores que afetam a resposta
em baixas freqüências.
351
Fig. 11.17 Determinando o efeito de e., na resposta em baixas freqüências.
Quando analisarmos os efeitos de C, no circuito da Fig. 11.16,
devemos considerar que CE e Cc estão operando da forma espe-
rada, pois do contrário a análise tornar-se-ia impraticável. Ou seja,
consideramos que os valores das reatâncias de CE e Cc permitem
o emprego de um curto-circuito equivalente, quando compara-
das às outras impedâncias em série. Utilizando esta hipótese, o
circuito equivalente ac para a entrada do circuito da Fig. 11.16 é
da forma mostrada na Fig. 11.18.
O valor de R; para a Eq. (11.26) é determinado por
(11.28)
A tensão V; aplicada na entrada do dispositivo ativo pode ser
calculada utilizando a regra do divisor de tensão:
(11.29)
Como o capacitor de acoplamento está normalmente conectado
entre a saída do dispositivo ativo e a carga aplicada, a configura-
ção R-C que determina a freqüência de corte inferior devido a Cc
aparece na Fig. 11.19. Da Fig. 11.19, a resistência total em série
+
V,
Rs
1\,
r c, +
i ...
Fig. 11.18 Equivalente ac localizado para C,.
Fig. 11.19 Determinando o efeito de Cc na resposta em baixas freqüências.
352 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
é agora R + RL e a freqüência de corte inferior devído a Cc é
0
determinada por
(11.30)
Ignorando os efeitos de Cc e CE, a tensão da saída V0 em f T..:: será
70,7% do seu valor no meio da faixa. Para o circuito da Fig. 11.16,
o circuito equivalente ac para a saída, com V; = OV, aparece na
Fig. 11.20. Portanto, o valor resultante para R 0 na Eq. (11.30) é,
simplesmente,
(11.31)
Para determinar fL,, o circuito "visto" por CE deve ser determi-
nado como mostra a Fig. 11.21. Uma vez estabelecido o valor de
R., a freqüência de corte devido a CE pode ser determinada utili-
zando-se a seguinte equação:
(11.32)
Para o circuito da Fig. 11.16, o equivalente ac "visto" por CE
aparece na Fig. 11.22. Portanto, o valor de R. é determinado por
(11.33)
+ a resposta apenas em baixas freqüências. Para as freqüências no
Fig.11.20 Equivalente ac localizado para Cc com V,= O V.
Fig. 11.21 lktc-nninando o efeito de C, na resposta em hai,a, freqüências.
R'
p+r, E
Hg. 11.22 Equivalente m; localizado para C".
f
Fig.11.23 Circuito empregado para descrever o efeito de C0 sobre o ganho do
amplificador.
O efeito de CE no ganho é mais bem descrito de maneira quan-
titativa, lembrando-se de que o ganho para a configuração da Fig.
11. 23 é dado por
A=
-Re
v re + RE
Obviamente, o ganho máximo ocorre quando RE é zero ohm. Em
baixas freqüências, com o capacitor de desvio CE em seu estado
equivalente de "circuito aberto", todo o valor de RE aparece na
equação acima, resultando no ganho mínimo. À medida que a
freqüência aumenta, a reatância do capacitor CE diminui, reduzindo
a impedância do paralelo entre RE e CE até chegar a zero, quando
a CE se toma um curto. O resultado é um ganho máximo no meio
da faixa determinado por Av = - Reir•. Em ÍL o ganho será 3 dB
abaixo do valor no meio da faixa determinado ~om RE "em curto".
Antes de prosseguir, não esqueça de que C,., Cc e CE afetarão
meio da faixa, os capacitores serão considerados curtos-circui-
tos. Embora os capacitores afetem o ganho em faixas de freqüên-
cias semelhantes, a freqüência de corte inferior mais alta deter-
minada por C,., Cc ou CE terá o maior impacto sobre a resposta.
Isto porque é a última freqüência de corte antes do meio da fai-
xa. Se as freqüências estão relativamente distantes entre si, a fre-
qüência de corte mais alta determinará a freqüência de corte in-
ferior do sistema. Se houver duas ou mais freqüências de corte
"altas", o resultado será o aumento da freqüência de corte inferi-
or e a redução da banda passante resultante do sistema. Em ou-
tras palavras, há uma interação entre elementos capacitivos que
pode afetar a freqüência de corte inferior do sistema. Entretanto,
se as freqüências de corte estabelecidas por cada capacitor dife-
rirem suficientemente entre si, o efeito de uma sobre a outra pode
ser desprezado - fato demonstrado no seguinte exemplo:
EXEMPLO 11.9
(a) Determine a freqüência de corte inferior para o circuito da
Fig. 11.16, utilizando os seguintes parâmetros:
Cs = 10 µ,F, CE= 20 µ,F, Cc = 1 µ,F
R, = 1 kfi, R 1 = 40 kfi, R2 = 10 kfi,
RE = 2 kfi, Rc = 4 kfi,
RL = 2,2kfi
f3 = 100, ro = 00 n, Vcc = 20 V
f Resposta de Freqüência do TBJ e JFET 353

(b) Esboce a resposta de freqüência utilizando um diagrama de Para a verificação do resultado calculado, utilizaremos o
Bode. PSpice na análise do circuito, com os nós definidos na Fig. 11.25.
O arquivo de entrada da Fig. 11.26 revela que a resposta é devi-
Solução da somente a C,, com Cc e CE introduzidos com um valor muito
alto, l Farad, para garantir a aproximação de curto-circuito. O
(a) Determinando r, para as condições de:
valor de V, foi ajustado em 1 m V para possibilitar que V0 seja
f3RE = (100)(2 kfi) = 200 kfi ~ lOR2 = 100 kfi facilmente comparável ao ganho do sistema.
A resposta da Fig. 11.27 revela, claramente, que a freqüência
O resultado é:
de corte determinada por C, é muito próxima a 7 Hz. O nível no
Vo = R2Vcc 10 kfi(20 V) = 200 V =4 V corte vem de (0,707) (51,21 mV) = 36,21 mV. Observe que a
resposta traçada utiliza uma escala log para a freqüência e uma
Ri + R1 10 kfi + 40 kfi 50
escala linear para a tensão da saída V0 = V(7,0).
com
/E= VE =4V- 0,7 V = 3,3 V = l 65 mA
RE 2 kO 2 kO '
1
tal que r = 26 mV = 15,76 O ÍLc = 21T(Rc + RL)Cc
e 1,65 mA
1
e f3re = 100(15,76 fi) = 1576 n = 1,576 kO (6,28)(4 kO + 2,2 kO)(l µF)

Ganho no meio da faixa:

= 25,68 Hz
Para examinar os efeitos de Cc, o arquivo de entrada da Fig. 11.26
A =V = 0 -RcllRL = _ (4 kO)ll(2,2 kfi) =_90 é modificado de forma que CC = 1 µF com CS = 1 F e CE = 1
V V; re 15,76 n F. O resultado é o arquivo de saída da Fig. 11.28, comprovando
A impedância de entrada o resultado obtido acima.

Z; = R; = R1IIR2II.Bre
= 40 kOll10 kOlll,576 kO R; = RsllR1IIR2 = 1 kfill40 kfillIO kfi =! 0,889 kfi
= 1,32 kfi
e da Fig. 11.24,
Re = REI 1( ~ + re) = 2 kfil 1(º·8:~kn + 15,76 n)
V· = _R_Y_s_ = 2 kOll(8,89 n + 15, 76 O)
' R; +Rs
= 2 kOll24,65 n = 24,35 n
V;
= =
R;
1,32 kO = O 569 1 1
ou
Vs R; + Rs 1,32 kO + 1 kfi ' . ÍLE = 2TTReCE = (6,28)(24,35 0)(20 µF)

tal que Av = Vo = Vo V; = (-90)(0,569) 106

' Vs V; Vs = 3058,36 = 327 Hz
= -51,21
Para CE• o arquivo de entrada da Fig. 11.26 é modificado de for-
ma que CE = 20 µF com CS = 1 F e CC = 1 F. A resposta da
Fig. 11.29 comprova o resultado teórico. O fato de ÍL, ser signi-
ficativamente maior do que ÍL, ou f Lc sugere que a resposta em
1 1 baixas freqüências do sistema completo será resultado quase que
fLs=-----
21r(R8 + R;)Cs (6,28)(1 kO + 1,32 kO)(lO µF) exclusivamente do comportamento de CE. Para verificar a preci-
são de nossa hipótese, foi obtido na Fig. 11.30 o traçado para o
ÍLs = 6,86 Hz circuito completo. Observe a estreita semelhança com o gráfico
da Fig. 11.29, onde a única diferença visível é um ganho maior
em freqüências mais baixas.
(b) Foi mencionado antes que os gráficos em dB são, em geral,
+ normalizados dividindo-se o ganho de tensão Av pelo valor do
ganho no meio da faixa. Na Fig. 11.16, o valor do ganho no meio
+ "··
da faixa é 51,21 e naturalmente a razão IA/Avmidl será 1 para esta
V,; ~ : R; região. O resultado é uma assíntota em O dB para a região cen-
:.,";'
tral do espectro, como mostrado na Fig. 11.31 Definindo ÍLE
como a nossa freqüência de corte inferior, pode-se desenhar uma
assíntota de -6 dB/oitavaemf.., como mostra a Fig. 11.31, para
formar o diagrama de Bode e a envoltória da resposta real. Em/1
Fig. 11.24 Determinando o efeito de R, no ganho Av5 • a curva real é - 3 dB abaixo do valor no meio da faixa (lembran-
 Vcc = 20 V

1 ~tF
e.,·

. [I]p.·10 µF
. R,·.· ·. I kU
[Il .•...
V,= 1 mV[Jr
+ .'lt,í'
' C1 = 20 µF

Fig. 11.25 Definindo os nós do circuito da

Fig. 11.16 para a análise com PSpice.

Fig. 11.26 Determinando o efeito de C, na

resposta para baixas freqüências de um
amplificador TBJ.

Fig.11.27
f Resposta de Freqüência do TBJ e JFET 355

Fig. 11.28 Contribuição de Cc na resposta para baixas freqüências do amplificador TBJ da Fig. 11.25.

Fig, 11.29 Contribuição de CE na resposta para baixas freqüências do amplificador TBJ da Fig. 11.25.
356 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
f

Fig. 11.30 Efeito de C,, Cc e CE sobre a resposta em baixas freqüências do amplificador TBJ da Fig. 11.25.

A,,
A "mu1 I·(!Ili) Diagrama de Bode
I" .D«ada

oi-:--:-~~---,r1-~~---;r-,r---;r-~"'t--\'-r~=----....---------~~
0,1 /(escàla
-3
-6
\
Nível
log)

nomeio
-9 20dB da faixa
-i2
-15
-18
-21
-24
-27
-30 -12 dB/oitava /

Fig. 11.31 Traçado da resposta em baixas freqüências do circuito da Fig. 11.9.

f Resposta de Freqüência do TBJ e JFET
Fig. 11.32 Gráfico em dB da resposta em baixas freqüências do amplificador TBJ da Fig. 11.25.
do que A. = O, 707 A.mi), permitindo um esboço da curva deres-
posta de freqüência na Fig. 11.31. Uma assíntota de -6-dB/oi-
tava foi desenhada para cada freqüência definida na análise aci-
ma para demonstrar que é ÍL, que determina o ponto de - 3 dB
para este circuito. A partir de - 24 dB é que f Lc começa a influir
na forma da envoltória. O gráfico de amplitude mostra que a in-
clinação da assíntota resultante é a soma das assíntotas que pos-
suem a mesma inclinação e no mesmo intervalo de freqüência.
Observe na Fig.· 11.31 que a inclinação caiu para -12 dB/oitava
para freqüências menores do que f Lc , e poderia ter caído para
-18 dB/oitava se as três freqüências de corte definidas estives-
sem mais próximas umas das outras.
Com o PROBE, pode-se obter o traçado de 20 log 10 IAJA. ) =
AJA.mi)dB, lembrando que se V,= 1 mV, o valor de IAJA.J é o
mesmo de IVJA.midl,já que V0 terá o mesmo valornumérico de A•. O
gráfico resultante da Fig. 11.32 mostra a mudança da inclinação da
assíntota em f Lc e como a curva real segue a envoltória criada pelo
diagrama de Bode. Além disso, observe a queda de 3 dB emJ;.
Não esqueça de que a análise realizada nesta seção não está li-
mitada ao circuito da Fig. 11.16. Para qualquer configuração de
transitor, devemos sempre isolar cada combinação R-C formada
por um elemento capacitivo e determinar as freqüências de corte.
As freqüências resultantes determinarão, então, se há uma forte
interação entre os elementos capacitivos na determinação da res-
posta completa e qual elemento é o maior responsável pela freqüên-
cia de corte do circuito. A análise realizada na próxima seção fará
um paralelo com a desenvolvida acima, na determinação das fre-
qüências de corte inferiores do amplificador FET.
357
11. 7 RESPOSTAS EM BAIXAS
FREQÜÊNCIAS -
AMPLIFICADOR FET
A análise para o amplificador FET na região de baixas freqüên-
cias será muito semelhante à empregada para o amplificador TBJ
na Seção 11.6. As atenções estarão novamente voltadas para três
capacitores no circuito, mostrados na Fig. 11.33: C0 , Cc e Cs-
Embora utilizemos a Fig. 11.33 para determinar as equações fun-
damentais, o procedimento e as conclusões podem ser aplicados
à maioria das configurações FET.
Para o capacitor de acoplamento entre a fonte e o dispositivo
ativo, o equivalente ac do circuito aparecerá como mostrado
na Fig. 11.34. A freqüência de corte determinada por C0 será,
portanto,
(11.34)
que corresponde exatamente à Eq. (11.26). Para o circuito da Fig.
11.33,
(11.35)
Tipicamente, R0 ~ Rsig• e a freqüência de corte inferior será de-
terminada principalmente por R0 e Ca. Como Ra é muito grande,
358 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
f

V;

Fi~. 11.33 Ele1m:ntu, cap,ll'itinis que afetam a resposta e111 hai,a, freqüência, de um a111plifkador .IFET.

+
v.,· Cs

Fig. 11.34 Determinando o efeito de C0 na resposta em baixas freqüências. Fig. 11.36 Determinando o efeito de Cs na resposta em baixas freqüências.

Cc pode ter um valor baixo, que ainda assim o valor da freqüên-

cia de corte f La será reduzido. (11.38)

Para a Fig. 11.33, o valor resultante de Req:

Para o capacitar de acoplamento entre o dispositivo ativo e a
carga, consideramos o esquema da Fig. 11.35, que corresponde
(11.39)
exatamente à Fig. 11.19. A freqüência de corte resultante é

(11.36) que para rd == 00 fl se toma

Para o circuito da Fig. 11.33, (11.40)

[·Ro =Rz,llta ·1 (11.37)

EXEMPLO 11.10
Para o capacitar de fonte Cs, a resistência a ser considerada é (a) Determine a freqüência de corte inferior para o circuito da
definida na Fig. 11.36. A freqüência de corte será definida por Fig. 11.33, utilizando os seguintes parâmetros:

C6 = 0,01 µ,F, Cc = 0,5 µ,F, Cs = 2 µ,F

Rsig = 10 k!l, RG = 1 MO, Rv = 4,7 k!l,
Rs = 1 k!l, RL = 2,2 k!l
lvss = 8 mA, Vp = -4 V,
rd = co!l, Vvv = 20V
(b) Esboce a resposta de freqüência, utilizando um diagrama de
Hg. 11.35 Determinando o efeito de Cc na resposta em baixas freqüências. Bode.
 Diagrama de Bode

/(escala
log)
-3

-6

-9
Resposta de freqüaocia real

-12

-15 -12 dB/oitava

-18 Fig. 11.37 Resposta para as baixas fre-

qüências da configuração JFET do Exem-
-21 plo 11.10.

Fig. 11.38 Análise PSpice do amplificador JFET do

Exemplo 11.10.
360 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
f
Solução 12 . C1

(a) Análise DC: Traçando a curva de transferência lv = lvss (1

F
- V0 /Vp) 2 e superpondo a curva definida por Vas = -IvR., re-
sulta em uma interseção em Vasa = -2 V e I Da = 2 mA. Além __..
l; __..
11

disso, + +
= 2lvss = 2(8 mA) = 4 mS V;
__.. __.. Vº
gmO IVpl 4V Z; R;

gm = gmo ( 1 - Vas)
~ = 4 mS ( 1 - -2 V)
_ 4 V = 2 mS

Ca:
1 Fig. 11.39 Circuito empregado na dedução de uma equação para a capacitância
Eq. (11. 34): ÍLG = 21r(l0 kfi + 1 Mfi)(0,01 µ,F) 15' 8 Hz de entrada de Miller.

Cc-·
1

Cs:
1 = 1 kOll 2 l S = 1 kfill0,5 kfi = 333,33 fi
e
Req = Rsll-
gm m
1 Substituindo, obtemos
Eq (11 38). I'. = = 238' 73 Hz (1 - Av)V;
• • • JLs 21r(333,33 0.)(2 µ,F) -V; = -V; + ___ _.e_

Como ÍL, é a maior dentre as três freqüências de corte, ela defi- Z; Ri Xc,
ne a freqüência de corte para o circuito da Fig. 11.33. 1 1 1
(b) O ganho do sistema no meio da faixa é determinado por e -=-+-----
zi R; Xc/0 - Av)
V Xc, = 1 = Xc
Av.... = ;. = -gm(RvllRL) = -(2 mS)(4,7 kfili2,2 kfi) mas 1 - Av w(l - Av)Cf M
1
'-.,-'
= -(2 mS)(l,499 kfi) CM
1 1 1
=-3 e -=-+--
Z; R; XcM
Utilizando o ganho no meio da faixa para normalizar a resposta
do circuito da Fig. 11.33, obtém-se o gráfico da Fig. 11.37, que estabelecendo o circuito equivalente da Fig. 11.40. O resultado
é verificado pela resposta traçada pelo PROBE, na Fig. 11.38. é uma impedância de entrada equivalente para o amplificador da
Fig. 11.39, que inclui o mesmo R; citado nos capítulos anterio-
res, com a inclusão de um capacitor de realimentação aumenta-
11.8 EFEITO DA CAPACITÂNCIA do pelo ganho do amplificador. Qualquer capacitância interele-
DE MILLER trodos nos terminais de entrada do amplificador será adicionada
em paralelo aos elementos da Fig. 11.40.
Em geral, portanto, o efeito da capacitância de entrada de
Na região de altas freqüências, os elementos capacitivos relevan-
Miller é definido por
tes são as capacitâncias intereletrodos (entre terminais),
capacitâncias internas ao dispositivo ativo, e a capacitância de (11.41)
fio entre os leads do circuito. Os capacitores do circuito, que
controlam a resposta em baixas freqüências, são substituídos Isto nos mostra que:
pelos seus curtos-circuitos equivalentes devido ao valor reduzi- Para qualquer amplificador inversor, a capacitância de en-
do de reatância que apresentam para esta faixa de freqüência. trada será aumentada pelo efeito da capacitância de Miller,
Para amplificadores inversores (deslocamento de fase de 180º
entre a entrada e a saída, resultando em um valor negativo para
A), as capacitâncias de entrada e de saída são aumentadas por
um nível de capacitância sensível à capacitância intereletrodos
entre os terminais de entrada e saída do dispositivo, e ao ganho
do amplificador. Na Fig. 11.39, esta capacitância de ''realimen-
tação" é definida por Cp
Aplicando a lei das correntes de Kirchhoff, dá

li= 11 + 12
Usando a lei de Ohm, dá Fig. 11.40 Demonstrando o efeito da capacitância de Miller.
f Resposta de Freqüência do TBJ e JFET 361

que é sensível ao ganho do amplificador e à capacitância Para a situação usual onde A.~ 1, a Eq. ( 11.42a) reduz-se a
intereletrodos entre os terminais de entrada e saída do dis-
positivo ativo.
(11.42b)
!A.I li> 1
O dilema que surge para a Eq. (11.41) é que em altas fre-
Exemplos da utilização da Eq. (11.42) aparecerão nas próxi-
qüências o ganho A. será função do valor de CM;. Entretanto,
mas duas seções, quando investigaremos a resposta em altas fre-
como o ganho máximo é o valor no meio da faixa, o valor mais
qüências de um amplificador TBJ e FET.
alto de CM. será para essa faixa de freqüências e, portanto, o
pior caso. Por isso, na Eq. (11.41), normalmente se emprega
para A. seu valor no meio da banda. 11.9 RESPOSTA EM ALTAS
Examinando-se a Eq. (11.41), toma-se aparente o porquê da
necessidade do amplificador ser do tipo inversor. Um valor positi- FREQÜÊNCIAS -
vo para A. resultaria em uma capacitância negativa (para A.> 1). AMPLIFICADOR TBJ
O efeito de Miller aumentará ainda o nível da capacitância de
saída, que também deve ser considerada quando a freqüência de Nas altíssimas freqüências, há dois fatores que definem o ponto
corte superior é determinada. Na Fig. 11.41, os parâmetros con- de -3 dB: a capacitância do circuito (parasita e introduzida) e a
siderados na determinação do efeito de Miller na saída são mostra- dependência com a freqüência de h1.({3).
dos. Aplicando a lei das correntes de Kirchhoff, resulta em
lo= 11 + [z Parâmetros do Circuito
l 1 -- Vo e Na região de altas freqüências, o circuito RC considerado possui
com
Ro a configuração mostrada na Fig. 11.42. Quando a freqüência
Em geral, a resistência R0 é suficientemente grande para permi- aumenta, a reatância Xc diminui o valor, resultando em um efei-
tir ignorar o primeiro termo da equação comparado ao segundo, to de curto na saída e uma conseqüente diminuição no ganho. A
e assumindo que dedução que fornece a freqüência de quebra para esta configura-
Vo-Vi ção RC segue as mesmas idéias desenvolvidas para a região de
lo~____..c.-----'- baixas freqüências. A diferença mais significativa está na forma
Xc, geral de A. aparecendo abaixo:
Substituindo V; = V jA. de A. = V jV;, resulta em
Vo - VolAv Vo(l - l!Av) (11.43)
lo= =
Xc, Xc,
1 - l!Av que resulta em um gráfico de amplitude tal como o mostrado na
e -= Fig. 11.43, que cai a uma taxa de 6 dB/oitava com a freqüência.
Xc, Observe que fz está no denominador da razão entre freqüências,
0 = __
_V_ X_c~
1- = ___1___ = _1_ ao contrário do que ocorria paraJ; na Eq. (11.21).
ou
1 - l!Av Na Fig. 11.44, as várias capacitâncias parasitas ( C1w C1,c, Cc.)
do transistor foram incluídas junto com as capacitâncias de fio
resultando na seguinte equação para a capacitância de saída de
Miller:
R

(11.42a)
~
~o
~ r o

Fig. 11.42 Combinação R-C que definirá a freqüência de corte superior.

_+ + f (escala log)
V; V,,

·o-------

Fig.11.41 Circuito empregado na dedução de uma equação para capacitância de

saída de Miller. Fig. 11.43 Traçado assintótico definido pela Eq. (11.43).
362 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos f
Vcc

R1 cbc
"'. ..,.-
,,.,,.,.,
Cc

e, I
I ' \1 1
1
1 1
:t;cce 1
+ ,, I
I 1
1
1\ I 1
1 .....#~#
1 #1'- Cwº :T: RL
eW; ••• cbe

r·
1
V; "'i ..
+ 1
1
1
1
v. 1
1 1
1 1
1 1
-itJ,· '\,'V'

Fig. 11.44 Circuito da Fig. 11.16 com os capacitores que influenciam na resposta em altas freqüências.

(Cw;, Cw introduzidas durante a montagem. O modelo equiva-

0)
lente para altas freqüências do circuito da Fig. 11.44 aparece na
Fig. 11.45. Observe a ausência dos capacitores C,, Cc e CE, que
são considerados curtos-circuitos nesta faixa de freqüências. A
· capacitância C; inclui a capacitância de fiação na entrada Cw, a
capacitância de transição Cbe• e a capacitância de Miller CM,. A
capacitância C0 inclui a capacitância da fiação na saída Cw0 , a
capacitância parasita cce• e a capacitância de Miller na saída CM••
Em geral, a capacitância Cbe é a maior das capacitâncias parasi-
tas, Cce sendo a menor. Na verdade, a maioria das folhas de espe-
cificações só fornece os valores de cbe e cbc• não incluindo cce• a
menos que o valor desta última afete a resposta de um determi-
nado tipo de transistor em uma área de aplicação específica.
Determinando o circuito equivalente de Thévenin para os cir-
cuitos de entrada e saída da Fig. 11.45, resulta nas configurações
da Fig. 11.46. Para o circuito de entrada, a freqüência de - 3 dB
é definida por
(11.44)
(11.45)
e (11.46)
Em freqüências muito altas, o efeito de C; é reduzir a impedân-
cia total da combinação em paralelo de R 1, R2, R; e C; na Fig. 11.45.
O resultado é um nível reduzido de tensão através de C; e uma
redução em Ib, provocando uma redução do ganho para o sistema.
Para o circuito de saída
(11.47)
com (11.48)
e (11.49)
Em freqüências muito altas, a reatância capacitiva de C0 di-
minui e conseqüentemente reduz a impedância dos ramos de saída
em paralelo da Fig. 11.45. O resultado disto, na prática, é que V0
diminui à medida que Xc se toma menor. As freqüências ÍH, e
ÍH irão, cada uma, definir uma assíntota de -6 dB/oitava tal
como a demonstrada na Fig. 11.43. Se os capacitores parasitas
fossem os únicos elementos a determinar a freqüência de corte
superior, a menor freqüência seria o fator determinante. Entre-
tanto a redução de h1, ( ou (3) com a freqüência também deve ser
considerada para determinar se a freqüência de quebra é menor
do que ÍH, ou do que ÍH• .

---....------11---oVº
~
v.

Fig. 11.45 Modelo ac equivalente para altas freqüências do circuito da Fig. 11.44.
f Resposta de Freqüência do TBJ e JFET 363

(11.52)

Prosseguindo,

- h ' - h -1- - hl'.Jemid -

{3 m1'd - -
1
gm femidgb e femid ,,,_ a .r r
rb' e •·ze /Jm1d e e
(a) (b)
e utilizando as aproximações
Fig. 11.46 Circuitos de Thévenin para as malhas de entrada e saída do circuito
da Fig. 11.45. Cb'e = Cbe e
resulta outra forma de se escrever a Eq. (11.50):

Variação de hfe ( ou {3) (11.53)

A variação de hfe (ou {3) com a freqüência se baseia, com um bom

A Equação (11.53) revela que como reé função do projeto do
grau de precisão, na seguinte relação:
circuito:

(11.50) J13 é função das cond;ções de polarização.

O uso de hfe ao invés de f3 neste livro é devido principalmente
ao fato de os fabricantes normalmente empregarem os parâme-
tros híbridos em suas folhas de especificações.
A única quantidade indefinida,J13 , é determinada por um con-
junto de parâmetros em um modelo 1r-híbrido ou de Giacoletto.
Esta abordagem é freqüentemente aplicada quando se deseja re-
presentar o transistor na região de altas freqüências. A Fig. 1~.47
apresenta o modelo. Os vários parâmetros pedem uma explica-
ção. A resistência rw inclui o contato da base, material da base,
e a resistência distribuída da base. O primeiro é devido à cone-
xão à base. O segundo considera a resistência entre o terminal
externo e a região ativa do transistor, enquanto que o último é a
resistência propriamente dita dentro da região ativa da base. As
resistências rb'e, rce• e rb'c são as resistências entre os terminais in-
dicados quando o dispositivo está na região ativa. O mesmo vale
para as capacitâncias de difusão. Uma explicação mais detalha-
da da dependência com a freqüência de cada parâmetro pode ser
encontrada em vários outros textos disponíveis.
Em termos destes parâmetros,
O formato da Eq. (11.50) é exatamente igual ao da Eq. (11.43),
se não considerarmos o fator hfem,d , revelando que h1e reduz-~e
com uma inclinação de 6 dB/oitava a partir do seu valor no me10
da faixa, como mostra a Fig. 11.48. A mesma figura apresenta
um gráfico de h.fb (ou a) versus freqüência. Observe que h11J não
varia muito para a faixa de freqüências escolhida, revelando que
a resposta da configuração base-comum nas altas freqüências é
melhor do que a da configuração emissor-comum. Lembre tam-
bém que não há o efeito da capacitância de Miller para esta con-
figuração, devido à sua característica não-inversora. Exatamen-
te por isso, os parâmetros de alta freqüência da configuração base-
comum, ao invés dos parâmetros do emissor-comum, são os nor-
malmente especificados para um transistor - sobretudo aque-
les projetados para operarem estritamente nas regiões de alta fre-
qüência.
As equações a seguir permitem a determinação direta de f 13 ,
se !a e a forem especificados.
(11.54)

Uma quantidade chamada produto ganho-banda passante é

(11.51) definida para o transistor pela condição

ou uma vez que o parâmetro híbrido hfe está relacionado a gb'e hfemid 1- 1
através de gm = hfemidgb'e• 11 + j(f/!{3)

Fig.11.47 Circuito equivalente ac do transistor para pequenos sinais em alta freqüência, utilizando o modelo de Giacoletto (ou '7T-híbrido).
364 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
f

40dB
Valor de h1, no meio da faixa
1,0 i,---n'-'------.;;;
0,707

20dB 6
i ~~
i 't-,i,õ
i Q{,
lOdB !! " a--

1 ,.
1 hr, 1= 1 /Valor de hp, no meio da faixa 1 ~~
\OdB 1
-3 dB ·-·--······-"·--··-·" . . _, ____, . . .- ......-,. . . _. . . .___ / ....-.. j, ...__..____..__...._, __..,_________. . ....;.

l~I 1 1 1

-lOdB 1 ' 1
1 1
t t
-20dB fp, (fh,) 5fp

0,1 MHz 1,0MHz 10,0MHz 100,mOMHz lkMHz lOkMHz f (escala log)

}lg. 11.411 h1, e hfb versus freqüência na região de altas freqüências.

R, = 1 kO,R, = 40k0,R2 = lOkO,RE = 2k0,

tal que lhteldB = 20 log10 j 1 :5(j/ft3) 1 = 20 log10 l = O dB Rc = 4 kO, RL = 2,2 kO
Cs = 10 µ,F, Cc = 1 µ,F, CE = 20 µ,F
A freqüência na qual lh1,ldB = OdB está claramente indicada /3= 100, r0 = 00 O, Vcc = 20 V
porfr na Fig. 11.48. O valor de hfe no ponto da condição definida
(considerando fr ;:.> f/3) é dado por
com a inclusão de
h1efflid =~ = 1
V1 + <filf13)2 - frl/13 Cbe = 36 pF, Cbc = 4 pF, Cce = 1 pF, Cw,
= 6 pF, Cw. = 8 pF

tal que (11.55) (a) DeterminefH, e ÍH•.

(b) Ache/13 efr
(c) Esboce a resposta de freqüência para as regiões de baixas e
ou (11.56) altas freqüências, utilizando os resultados do Exemplo 11.9 e os
resultados das letras (a) e (b).
(d) Obtenha uma resposta do PROBE para todo o espectro de
com (11.57) freqüências e compare com os resultados da letra (c).

Substituindo J13 na Eq. 11.55 pelo resultado da Eq. 11.53, vem Solução
ÍT == /3mid ______ 1 _ (a) Do Exemplo 11.9:
21T/3midre(Cbe + Cbc)
R; = 1,32 kO, Avm.,(amplificador) = -90

e (11.58) e RTh, = RslJR1IIR2IIR; = 1 kOll40kOll10kOlll,32kO

== 0,531 kO
com C; = Cw, + Cbe + (1 - Av)Cbe
EXEMPLO 11.11
= 6pF + 36pF + [1- (-90)]4 pF
Para o circuito da Fig. 11.44 com os mesmo parâmetros do Exem-
plo 11.9, isto é, = 406 pF
f Resposta de Freqüência do TBJ e JFET 365

1 1 (c) VejaaFig.11.49. Tantof13 como ÍH. reduzirãoafreqüência

ÍH, = 27TRn,IC; = 271(0,531 k0)(406 pF) de corte superior abaixo do nível determinado por f H; • fa está mais
próximo de ÍH, e portanto produzirá um maior efeito sobre a fre-
= 738,24kHz qüência de corte. De qualquer modo, a banda passante será me-
RTh, = RcllRL = 4 kOll2,2 kO = 1,419 kO nor do que a definida apenas por ÍH,· Na verdade, para os parâ-
metros deste circuito a freqüência de corte superior estará relati-
vamente próxima a 600 kHz.
Co = Cw. + Cce + CM.
Em geral, portanto, a menor das freqüências superiores de
= 8 pF + 1 pF + (1 - - 1 -) 4 pF corte define a máxima banda passante possível para um sis-
-90
tema.
= 13,04 pF
(d) O arquivo de entrada para se obter a resposta PROBE no
1 1 PSpice aparece na Fig. 11.50. Os níveis de capacitância parasita
ÍH. = 2'Tl'Rn,,C0 = 211(1,419 k0)(13,04 pF) não são incluídos na definição do modelo, pois nesta definição
considera-se que não há polarização. Os níveis que aparecem
= 8,6 MHz
neste exemplo são para as condições de polarização estabeleci-
(b) Aplicando a Eq. (11.53) dá das pelo circuito, e, portanto, estas capacitâncias são incluídas
1 como parâmetros do circuito. O comando DEC na expressão
análise AC especifica que a freqüência seja varrida logaritmica-
Íf3 = 2'Tl'{:Jmidre(Cbe + Cbc) mente de 10 Hz até 100 MHz, em intervalos de década, forne-
1 cendo assim um número suficiente de pontos para o traçado do
=------------- gráfico logarítmico.
211(100)(15,76 0)(36 pF + 4 pF)
A resposta na saída da Fig. 11.51 não considera os efeitos de
1 J13, mas confirma a análise realizada das letras (a) até (c) para a
=---------- região de altas freqüências. A freqüência de corte inferior está
211(100)(15,76 0)(40 pF)
próxima a 327 Hz definida por ÍL,, e a freqüência de corte supe-
= 2,52 MHz rior encontra-se nas vizinhanças de 600 kHz. Em outras palavras,
apesar da diferença entre f H. e ÍH, ser maior do que uma déca-
ÍT = f:JmidÍf3 = (100)(2,52 MHz)
da, f H ainda influencia na definição da freqüência de corte de
= 252MHz -3dB.

1A::L
100MHz
o I I I 1 ç_ 1
/(escala log)
I I I \JH0 1
I I I 1 1 1
-3 - - - _,__
I
- - -'- - - - - - - ..s
I
1- - - -\- - - -1- - - - .
1 1 1
I I 1 1 1
-5 I I BW 1 1 1
I I 1 1 1
I I 1 1 1
I I 1 1 1 dB/oitava
.
I I 1 1 ~6
I I .
I I 1
I I 1
-10 I I 1
I I 1 1
I I 1 1
I I 1 1
. I I \. 1
I I 1 1
I I .1 1
-15 I 1 1
I 1 1 1
I 1 1 1
I 1 1 1
I 1 1 1
I 1 ·\ 1
1 -12 dB/oitava / 1 1 1
I 1 1 1
-20
·,I ~
1
1
1
1
1

-25

Fig. 11A9 Resposta de freqüência completa para o circuito da Fig. 11.44.

366 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
f

Fig. 11.50 Análise da resposta de freqüência completa do circuito da Fig. 11.44 com o PSpice.

Fig. 11.51 Resposta de freqüência completa para o circuito da Fig. 11.44.

11.10 RESPOSTA EM ALTAS capacitâncias intereletrodos e de fiação que irão determinar as

FREQÜÊNCIAS -
AMPLIFICADOR FET
A análise da resposta em altas freqüências de um amplificador
FET será desenvolvida de maneira muito semelhante à realizada
para o amplificador TBJ. Como mostrado na Fig. 11.52, há
características do amplificador em altas freqüências. Os capaci-
tores C8, e C8d variam, tipicamente, de 1 até 10 pF, enquanto que
a capacitância Cds é normalmente um pouco menor, variando de
0,1 pF até 1 pF.
Como o circuito da Fig. 11.52 é um aplificador não-inversor,
a capacitância do efeito de Miller aparece no circuito equivalen-
te ac para altas freqüências da Fig. 11.53. Em altas freqüências,
f Resposta de Freqüência do TBJ e JFET 367

------;1t----------e-----o.V0
....
'
' \
1

*cd,
I
I
/

Fig. 11.52 Elementos capacitivos que afetam a resposta em altas freqüências de um amplificador JFET.

R.,ig
.--~----+--------------ov,,
+
+
v.,

Fig. 11.53 Circuito equivalente ac da Fig. 11.52 para altas freqüências.

C; comportar-se-á como um curto-circuito e Vg, terá seu valor com (11.61)

reduzido, diminuindo o ganho total. Em freqüências onde C0 se
aproxima de seu curto-circuito equivalente, a amplitude da ten- e (11.62)
são de saída V0 será reduzida.
As freqüências de corte definidas pelos circuitos de entrada e e para o circuito de saída:
de saída podem ser obtidas determinando-se, primeiro, os circui-
tos equivalentes de Thévenin para cada seção, como mostra a Fig. (11.63)
11.54. Para o circuito de entrada,
com (11.64)
(11.59)
e (11.65)

e (11.60) e

RTh 1 =Rsig 11 RG k~ =R0 li Rl 11 rd

+
E1n1 C; E1n2 eº
+

(a) (b)

Fig. 11.54 Circuitos equivalentes de Thévenin para o (a) circuito de entrada e (b) circuito de saída.
 368 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
f
com a inclusão de
EXEMPLO 11.12
(a) Determine as freqüências de corte superiores para o circui- Cgd = 2 pF, Cgs = 4 pF, Cds = 0,5 pF,
to da Fig. 11.52, utilizando os mesmos parâmetros do Exemplo
Cw, = 5 pF, Cw. = 6pF
11.10:
(b) Levante a resposta no PROBE para toda a faixa de freqüên-
Ca = 0,01 µF, Cc = 0,5 µF, Cs = 2 µF cias e observe se a mesma está de acordo com as conclusões do
Rsig = 10 kO, R6 = 1 MO, Rv = 4,7 kO, Exemplo 11.1 Oe com os cálculos acima.
Rs = 1 kO, RL = 2,2 kO Solução
lvss = 8 mA, Vp = -4 V,
(a) RTh 1 = R,igllR0 = 10 k!lll 1 MO = 9,9 k!l
rd = oo!l, V00 = 20V Do Exemplo 11.10, Av = - 3.

Fig. 11.55 Análise completa em freqüência do

amplificador JFET da Fig. 11.52 com o PSpice.

Fig.11.56 Resposta em freqüência para o circuito da

Fig. 11.52.
f Resposta de Freqüência do TBJ e JFET 369

Ci = Cw, + C8 , + (1 - Av)C8 d 11.11 EFEITOS DA FREQÜÊNCIA EM

= 5 pF + 4 pF + (1 + 3)2 pF
= 9 pF + 8 pF
= 17 pF
1
ÍH, = 21rRTh 1C·1
1 capacitância de Miller (CM,) do estágio seguinte. Além disso,
27r(9,9 kO)(l 7 pF) = 945 ' 67 kHz
RTh, = RvllRL
= 4,7 kOll2,2 kO
= 1,5 kO
Co = Cw. + Cds + CM.
= 6 pF + 0,5 pF + ( 1 - ~ 3 )2 pF = 9,17 pF
1 qüências de corte são f.. e f 2 , como indicado. Para dois estágios
ÍH. = 27r(l,5 k0)(9,17 pF) = 11 ' 57 MHz
Os resultados acima indicam que a capacitância de entrada, com
a capacitância do efeito de Miller, determinam a freqüência de
corte superior. Isso ocorre devido ao valor pequeno de Cds e aos
níveis de resistência encontrados no circuito de saída.
(b) A análise com PROBE das Figs. 11.55 e 11.56 apóiam os
resultados do Exemplo 11.1 Oe os cálculos realizados acima.
A análise desenvolvida nas últimas seções limitou-se a duas
configurações somente, entretanto, a explicação do procedimento
geral para a determinação das freqüências de corte deve servir de
base para a análise de qualquer outra configuração de transistor.
Lembre-se de que a capacitância de Miller surge apenas para am-
plificadores não-inversores e que!a é significativamente maior do
queffj para a configuração base-comum. Há uma grande quantida-
de de publicações que abordam a análise de amplificadores de úni-
co estágio, e que vão além do que foi tratado neste capítulo. Entre-
tanto, o conteúdo deste capítulo deve servir como boa base para
as futuras análises das respostas de freqüência de circuitos.
CIRCUITOS MULTIESTÁGIOS
Para um transistor em um segundo estágio, conectado diretamente
à saída do primeiro estágio, a resposta de freqüência completa
do circuito sofrerá uma significativa alteração. Na região de al-
tas freqüências, a capacitância de saída C0 deve agora incluir a
capacitância da fiação (Cw1), a capacitância parasita (Cbe), e a
haverá níveis de freqüência de corte inferiores devido ao segun-
do estágio, que reduzirão o ganho do sistema nesta região. Para
o sistema com multiestágios, a freqüência de corte superior será
determinada principalmente pelo estágio com a menor freqüên-
cia de corte. O estágio com a maior freqüência de corte inferior
é o maior responsável pela freqüência de corte inferior do siste-
ma Portanto, um estágio mal projetado pode, obviamente, com-
prometer um bom projeto de um sistema em cascata.
O efeito de se aumentar o número de estágios idênticos pode
ser claramente demonstrado, considerando-se as situações indica-
das na Fig. 11.57. Em cada estágio, as freqüências de corte infe-
riores e superiores são idênticas. Para um único estágio, as fre-
idênticos em cascata, nas regiões de altas e baixas freqüências, a
redução na resposta passa para -12 dB/oitava ou -40 dB/déca-
da. Emf.. e fi, portanto, a queda é agora de -6 dB, ao invés de
- 3 dB. O ponto de - 3 dB deslocou-se para f( e J;, como indi-
cado, com a conseqüente queda na banda passante. Para um sis-
tema com três estágios idênticos, tem-se uma inclinação de -18
dB/oitava ou -60 dB/década, com a redução indicada da banda
passante ( ft e J;).
Considerando estágios idênticos, pode ser determinada uma
equação para a freqüência de corte como função do número de
estágios (n): Para as baixas freqüências,
Avbaiutotal
mas como os estágios são idênticos, Vv1" ' " = V.,,,,.. = etc. e
ou
Av,..,. (total) - (Av•.,;.,\n - __1__
Av.,.. - Av.,.. 7 - (1 - jft/ft

-3 dB
ºr-~~~7!""""-=:::~~,=------------=::::~~:::::-1':"~~~f (escala 1og)
-6dB
-9dB
-12dB
-15d8
-18dB

n=3
!1 !'1 !"1 !"2 !'2 /2
(n = l)(n = 2)(n = 3) (n = 3) (n = 2) (n = 1)

Fig. 11.57 Freqilências de corte e banda passante para circuitos com mais de um estágio.
370 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
f
Igualando este resultado a 11../2 (nível de -3 dB) resulta em quadrada ao amplificador e observando-se a forma de onda na
1 1 saída. A forma do sinal de saída revelerá se as freqüências altas
e baixas estão sendo amplificadas apropriadamente. O emprego
[Vl + <N!D21n = \/2 do teste da onda quadrada consome um tempo significativamente

ou u (J~ rr r u (J~ rrr/2

1+
12
= 1+ = <2) 112
menor do que aplicar uma série de sinais senoidais de diferentes
freqüências e amplitudes para verificar a resposta de um ampli-

(;~rr
tal que [1+ =2
e 1+ (J~r = 211n
com o resultado (11.66)
De maneira semelhante, pode ser mostrado que para a região de
altas freqüências,
(11.67)
Observe a presença do mesmo fator -J2
11• - 1 em cada equação.
A lista abaixo relaciona este fator a vários valores de n.
n ~21/n -1
1 1
2 0,64
3 0,51
4 0,43
5 0,39
Para n = 2, considere a freqüência de corte superior 1; =
0,64J;, ou 64% do valor encontrado para um único estágio, en-
quanto que 1: = (1/0,64)'1 = 1,56f;. Para n = 3, 1; = 0,51J;,
ou aproximadamente metade do valor de um único estágio com
1: = (1/0,51)'1 = l,96f;, ou aproximadadamente o dobro do
valor encontrado para um único estágio.
Para o amplificador a transistor com acoplamento RC, seJ; =
f/3, ou se elas estão próximas o suficiente para afetar na freqüên-
cia superior de 3 dB, o número de estágios deve ser multiplicado
por dois quando da determinação de 1;, devido ao número ele-
vado de fatores 1/(1 + jflfx).
Se o ganho no meio da faixa consegue permanecer fixo inde-
pendente do número de estágios, a redução da banda passante nem
sempre está associada com o aumento no número de estágios. Por
exemplo, se um amplificador de um estágio só produz um ganho
de 100, com uma banda passante de 10.000 Hz, o produto ganho-
banda passante resultante é 102 X 104 = 106 • Para um. sistema
com dois estágios, o mesmo ganho pode. ser obtido se cada está-
gio apresentar um ganho igual a 10 (uma vez que 10 X 10 = 100).
A banda passante de cada estágio seria então aumentada por um
fator de 10 a 100.000, já que a especificação para o ganho é
menor, e o produto ganho-banda passante é fixo e igual a 106•
Obviamente, o projeto deve permitir um aumento da banda pas-
sante e estabelecer um nível de ganho menor.
ficador.
A razão para a escolha do sinal de onda quadrada para o teste
pode ser mais bem entendida examinando-se a expansão em sé-
ries de Fourier do sinal que é formado por componentes senoi-
dais de diferentes amplitudes e freqüências. A soma dos termos
da série produz a forma de onda original. Ou seja, apesar do si-
nal não ser senoidal, ele pode ser reproduzido por uma série de
termos senoidais de diferentes freqüências e amplitudes.
A expansão em série de Fourier para a onda quadrada da Fig.
11.58 é
v
4
= -Vm ( sen27Tfst + 1 1
-sen27T(3/s)t +-sen27T(5f..)t
7T 3 5
1 1 1 )
+ -sen 27T(7f..)t + - sen 27T(9fs)t + · · · + -sen 27T(nf..)t)
7 9 n
(11.68)
O primeiro termo da série é chamado de termo fundamental,
e, neste caso, possui a mesma freqüência, J., da onda quadrada.
O próximo termo tem uma freqüência três vezes maior do que o
fundamental e é denominado de terceiro harmônico. Sua ampli-
tude é um terço da amplitu<Je do termo fundamental. As freqüên-
cias dos termos seguintes são múltiplas ímpares da fundamen-
tal, e a amplitude diminui a cada harmônico. A Fig. 11.59 de-
monstra como a soma de termos de uma série de Fourier pode
produzir uma forma de onda não-senoidal. A geração da onda
quadrada da Fig. 11.58 exigiria um número infinito de termos.
Entretanto, a soma do termo fundamental com o terceiro harmô-
nico apenas resulta em uma forma de onda, mostrada na Fig.
11.59a, que já começa a ter o aspecto de uma onda quadrada.
Incluindo o quinto e o sétimo harmônicos, na Fig. 11.59b, obte-
mos uma forma de onda mais próxima da mostrada na Fig. 11.58.
Os harmônicos mais importantes na formação da função onda
quadrada são aqueles compreendidos até o nono termo, inclusive,
uma vez que o nono harmônico tem uma amplitude maior do q~e
10% da amplitude do termo fundamental [ t (100%) = 11, 1% ] . E,
portanto, razoável assumir que se a aplicação de uma onda qua-
drada, com determinada freqüência, resulta em uma onda quadra-

....._---T---
11.12 TESTE DE ONDA QUADRADA
Uma idéia da resposta de freqüência de um amplificador pode
ser obtida experimentalmente, aplicando-se um sinal de onda Fig. 11.58 Onda quadrada.
f Resposta de Freqüência do TBJ e JFET 371

Fundamental
Fundamental +·3.•, S.•,
Fundamental + / 7.' harmônicos
terceiro harmônico

/ Onda _quadrada

Terceiro
harmônico

(a) (b)

Fig. 11.59 Hannônicos presentes em uma onda quadrada.

da limpa na saída, então o amplificador não distorce da freqüência
aplicada até ó seu nono harmônico. Por exemplo, se um amplifi-
cador de áudio com uma banda passante de 20 kHz (a faixa de áudio
vai de 20 Hz até 20 kHz) deve ser testado, a freqüência do sinal a
ser aplicado deve ser de, no mínimo, 20 kHz/9 = 2,22 kHz.
Se a resposta de um amplificador a uma onda quadrada é uma
réplica sem distorção da entrada, a resposta de freqüência (ou
BW) do amplificador é obviamente suficiente para a freqüência
aplicada. Se a resposta apresentar a forma mostrada na Fig. i 1.60a
e b, indica que as baixas freqüências não estão sendo amplificadas
adequadamente, e a freqüência de corte inferior deve ser investi-
gada. Se a forma de onda tem o aspecto da Fig. 1 L60c e d, os
componentes de alta freqüência do sinal não estão recebendo am-
plificação suficiente, e a freqüência de corte superior (ou BW)
deve ser revista.
A freqüência de corte superior (ou BW) pode ser determina-
da na prática a partir da forma de onda na saída, medindo-se o
tempo de subida definido entre 1Oe 90% do valor de pico, como
mostra a Fig. 11.61. Substituindo na equação seguinte, obtém-
se a freqüência de corte superior e, uma vez que BW = ÍH; -
/ 4, = f H; , temos também uma indicação da BW do amplifica-
dor.
(11.69)
A freqüência de corte inferior pode ser determinada da res-
posta na saída, bastando para isto medir o tilt da Fig. 11.61 e
substituir em uma das seguintes equações:

(a) (b)

(c) (d)

Fig. 11.60 (a) Resposta pobre para as baixas freqüências; (b) resposta muito pobre para as baixas freqüências; (c) resposta pobre para as altas freqüências; (d) res-
posta muito pobre para as altas freqüências.
372 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
f
V
1 1
+ -sen21T(25 X 103)t+ -sen21T(35 X 103)t+
5 7
100%
V 1
+ 9 sen 21T(45 x 103)t

(b) t, = 18 µ..s - 2 µ..s = 16 µ..s

BW = 0,35 = 0,35 = 21.875 Hz == 4,4.f..

t,. 16 µ..s
(c) p =V- V' = 50 mV - 40 mV = O2
V 50mV '
o
---1
.1
1
t,
,1
1
I+---
ÍL
•
= -Is
p = -
1T 1T
(º·2) (5 kHz) = 318,31 Hz
Fig. 11.61 Definido o tempo de subida e o tilt de resposta a uma onda quadrada

11.13 ANÁLISE POR COMPUTADOR

(forma decimal)
A freqüência de corte inferior é então determinada de
A análise computacional desenvolvida neste capítulo enfatiza e
(11.70)
demonstra claramente a força do programa PSpice. A resposta
completa de freqüência de um sistema de único estágio ou
multiestágio pode ser determinada em um tempo relativamente
(11.71) curto, possibilitando a verificação dos cálculos teóricos, ou até
mesmo proporcionando uma indicação imediata das freqüên-
cias de corte inferior e superior do sistema. Os exercícios neste
capítulo oferecem uma oportunidade de se aplicar o programa
PSpice a uma variedade de circuitos.
(11.72)

PROBLEMAS

EXEMPLO 11.13 § 11.2 Logaritmos

A aplicação de uma onda quadrada de 1 m V, 5 kHz em um am-
plificador produz a forma de onda na saída da Fig. 11.62. 1. (a) Determine o logaritmo comum dos seguintes números: 103,
(a) Escreva a expansão em séries de Fourier para a onda qua- 50e0,707.
drada até o nono harmônico. (b) Determine o logaritmo natural dos números da letra (a).
(b) Determine a banda passante do amplificador. (c) Compare as soluções das letras (a) e (b).
(c) Calcule a freqüência de corte inferior. 2. (a) Determine o logaritmo comum do número 2,2 X 103.
(b) Determine o logaritmo natural do número da letra (a) usando
Solução a Eq. (11.4).
(c) Determine o logaritmo natural do número da letra (a) utilizan
4 mV ( 1 do logaritmo natural e compare com o resultado obtido acima.
(a) v; = - - sen 21r(5 X 103)t + -sen 21T(15 x 103)t
3. Determine:
1T 3
(a) 20 log 10 40/8 utilizando a Eq. (11.6) e compare com 20 log1o5.
(b) 10 log10 1/20 utilizando a Eq. (11.7) e compare com 10 log 10
0,05.
(c) log10 (40) (0,125) utilizandoaEq. (11.8) ecomparecomlog 105.
4. Calcule o ganho de potência em decibéis para cada um dos seguin-
tes casos.
(a) P0 = 100 W, P; = 5 W.
(b) P0 = 100 mW, P; = 5 mW.
(c) P0 = 100 µ,W, P; = 20 µ,W.
5. Determine G.mm para um nível de 25 W de potência de saída.
6. Duas medidas de tensão efetuadas através da mesma resistência
produziram V1 = 25 V e V2 = 100 V. Calcule o ganho de potência
em decibéis da segunda leitura sobre a primeira.
7. Foram medidas as tensões de entrada e saída, V1 = 10 mV e V0 =
25 V. Qual é o ganho de tensão em decibéis?
*8. (a) O ganho total de um sistema com três estágios é 120 dB.
Determine o ganho em decibéis de cada estágio, se o segundo
estágio proporciona o dobro de ganho do primeiro, e o ganho
do terceiro é 2,7 vezes maior do que o do primeiro.
Fig. 11.62 Exemplo 11.13. (b) Determine o ganho de tensão de cada estágio.
f Resposta de Freqüência do TBJ eJFET 373

lOHz lOOHz 1 kHz lOkHz lOOkHz l MHz f (escala log)

Fig. 11,63 Problema 10.

*9. Se a potência ac de um sinal aplicado a um sistema é 5 µ,W, em (c) Determine a freqüência de corte.
100 mV, e a potência de saída é 48 W, determine: (d) Esboce a resposta de freqüência de 8 para o mesmo espectro
(a) O ganho de potência em decibéis. de freqüências da letra (b) e compare os resultados.
(b) O ganho de tensão em decibéis para uma impedância de saí- 13. (a) Que freqüência é uma oitava acima de 5 kHz?
da de 40 k!l. (b) Que freqüência é uma década abaixo de 10 kHz?
(c) A impedância de entrada. (c) Que freqüência é duas oitavas abaixo de 20 kHz?
(d) A tensão de saída. (d) Que freqüência é duas décadas acima de 1 kHz?

§ 11.4 Considerações Gerais sobre Freqüência § 11.6 Resposta em Baixas Freqüências -

Amplificador TBJ
10. Dada a curva da Fig. 11.63, esboce:
(a) O ganho normalizado.
(b) O ganho normalizado em dB e determine a banda passante e 14. Repita a análise do Exemplo 11.9 com r0 = 40 k!l. Qual é o efeito
as freqüências de corte. sobre Avm.,, f Ls, f Lc, ÍL, e a freqüência de corte resultante.
15. Para o circuito da Fig. 11.65:
(a) Determine r,.
§ 11.5 Análise para Baixas Freqüências - Diagrama (b) Ache Avm., = V/V,.
de Bode (c) Calcule Z1•
(d) Ache Av = V/V,.
11. Para o circuito da Fig. 11.64: (e) Determino;;' ÍLs• /1,çe ÍL,.
(a) Determine a expressão matemática para a amplitude da razão (f) Determine a freqüência de corte inferior.
V IV;.
0 (g) Esboce as assíntotas do diagrama de Bode definidas pelas fre-
(b) Utilizando os resultados da letra (a), determine V0 /V1 em 100 qüências de corte da letra (e).
Hz, 1 kHz, 2 kHz, 5 kHz, 1OkHz e trace a curva resultante para (h) Esboce a resposta em baixas freqüências do amplificador
a faixa de freqüência de 100 Hz até 10 kHz. Use a escala log. aproveitando os resultados da letra (f).
(c) Determine a freqüência de corte. * 16. Repita o problema 15 para o circuito com emissor estabilizado da
(d) Esboce as assíntotas e localize o ponto de -3 dB. Fig. 11.66.
(e) Esboce a resposta de freqüência para V0 /V1 e compare com os *17. Repita o problema 15 para o circuito seguidor-de-emissor da Fig.
resultados da letra (b). 11.67.
12. Para o circuito da Fig. 11.64: *18. Repita o problema 15 para a configuração base-comum da Fig.
(a) Determine a expressão matemática para o ângulo existente 11.68. Lembre-se de que a configuração base-comum é um circui-
entre V0 e V1• to não-inversor quando se considera o efeito de Miller.
(b) Determine o ângulo de fase em/= 100 Hz, 1 kHz, 2 kHz, 5
kHz, 10 kHz e trace a curva resultante para faixa de freqüên-
§ 11. 7 Resposta em Baixas Freqüências -
cia de 100 Hz até 10 kHz.
Amplificador FET

19. Para o circuito da Fig. 11.69:

01068µF (a) Determine VasQ e /Da.
(b) Ache 8m0 e 8m·
o 1 (c) Calcule o ganho no meio da faixa (A.= V/V;).
+ + (d) Determine Z,.
(e) Calcule Av = V IV,.
0

(f) Determine 'Jla, fie e ÍL,·

(g) Determine a freqüência de corte inferior.
(h) Esboce as assíntotas do diagrama de Bode definido pela le-
tra (f).
(i) Esboce a resposta de baixas freqüências para o amplificador
Fig. 11.64 Problemas 11, 12, 32. utilizando os resultados da letra (f).
374 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
f
14V·
Cw. = 5pF Cbc = 12pF
Cw'o = 8pF Cbe = 40pF
Cce = SpF

+
V,

l Fig. 11.65 Problemas 15, 22, 33.

20V
C,w-. = 7pF Cbc = 6pF
Cv/o = 11 pF Cbe = 20pF
Cc, = IOpF

470kn

1 l,IF
+ ___.
Z;
V,

Fig.11.66 Problemas 16, 23.

14V Cbc = 18pF 4V -16V

Cbe=24pF Cw. = SpF
Cc,= 12pF Cw~ = IOpF
1,2 Icn
Cw. = 8pF cbc = 20pF
Cw' = IOpF cbe = 30pF
~ Cce = 12pF

+
V, Fig. 11.68 Problemas 18, 25, 34.

Fig. 11.67 Problemas 17, 24.

f Resposta de Freqüência do TBJ e JFET 375

18V Cw. = 3pF C8d= 4pF

Cw'o = 5pF Cgs = 6pF
Cds = 1 pF

+ 319W
V, lMn

Fig. 11.69 Problemas 19, 20, 26, 35.

*20. Repita a análise do problema 19 com rd = 100 kO. Isto produz
alguma alteração nos resultados? Se positivo, em quais parâmetros?
*21. Repita a análise do Problema 19 para o circuito da Fig. 11. 70. Que
efeito teve a configuração com divisor de tensão sobre a impedân-
cia de entrada e ganho Av do circuito? Compare com os resultados
encontrados para o arranjo de polarização da Fig. 11.69.
§ 11.9 Resposta em Altas Freqüências -
Amplificador TBJ
22. Para o circuito da Fig. 11.65:
(a) Determine ÍH; e ÍH..
(b) Assumindo que cb'e = cbe e cb'c = cbc ache f(J e fT
(c) Utilizando o diagrama de Bode, esboce a resposta de freqüên-
cia para a região de altas freqüências e determine a freqüên-
cia de corte.
*23. Repita a análise realizada no Problema 22 para o circuito da Fig.
11.66.
*24. Repita a análise realizada no Problema 22 para o circuito da Fig.
11.67.
*25. Repita a análise realizada no Problema 22 para o circuito da Fig.
11.68.
§ 11.10 Resposta em Altas Freqüências -
Amplificador FET
26. Para o circuito da Fig. 11.69.
(a) Determine gmO e gm.
(b) Ache Av e Av para a faixa central do espectro.
(c) Determine J;; e ÍHc
(d) Esboce a resposta de freqüência para a região de altas freqüên-
cias, utilizando o diagrama de Bode, e determine a freqüên-
cia de corte.
*27. Repita a análise do Problema 26 para o circuito da Fig. 11.70.
§ 11.11 Efeitos da Freqüência em Circuitos
Multiestágios
28. Calcule o ganho de tensão total de um amplificador com quatro
estágios idênticos, cada um com um ganho de 20 dB.
29. Calcule a freqüência de 3 dB de um amplificador com quatro está-
gios, sabendo-se que para cada estágio A = 2,5 MHz.
30. Um amplificador com quatro estágios possui um estágio com uma
freqüência de 3 dB inferior deJ; = 40 Hz. Qual é o valor deJ; para
o amplificador completo?
§ 11.12 Teste de Onda Quadrada
*31. A aplicação de uma onda quadrada de 10 m V, 100 kHz, a um am-
plificador, produziu na saída a forma de onda mostrada na Fig.
11.71.

20V
Cw. = 4pF Cgd= 8pF
Cw'o = 6pF C8, = 12pF
Cc1s = 3pF

+ 5,6 k.O
V,

...
Fig. 11.70 Problemas 21, 27.
376 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
f
l/
0 (mV) (b) Determine a banda passante do amplificador com a precisão
disponível na Fig. 11.71.
(c) Calcule a freqüência de corte inferior.

§ 11.13 Análise por Computador

32. (a) No PSpice, escreva o arquivo de entrada para a análise dares-

posta de freqüência de V/Vi do filtro passa alta da Fig. 11.64.
(b) Execute o programa e compare com os valores teóricos para
a freqüência de corte.
33. (a) No PSpice, escreva o arquivo de entrada para a análise dares-
t(µs) , posta de freqüência de V/V, do amplificador TBJ da Fig.
11.65.
Fig. 11.71 Problema 31. (b) Execute o programa e compare como os valores teóricos.
34. Repita o Problema 33 para o circuito da Fig. 11.68.
35. Repita o Problema 33 para a configuração com JFET da Fig. 11.69.

(a) Escreva a série de Fourier para a onda quadrada até o nono

harmônico. *Observação: Os asteriscos indicam problemas mais difíceis.
 CAPÍTULO

Configurações
Compostas
12.1 INTRODUÇÃO
Neste capítulo, introduzimos uma variedade de conexões de cir-
cuitos, que, embora sejam configurações emissor-comum, cole-
tor-comum, ou base-comum fora do padrão habitual, ainda são
bastante importantes, sendo amplamente usadas quer sejam em
circuitos discretos ou integrados. A conexão em cascata é cons-
tituída de estágios em série, enquanto a conexão cascode coloca
um transistor no topo de outro. Estas formas de conexão são
encontradas em circuitos na prática. A conexão Darlington e a
conexão par realimentado representam múltiplos transistores
conectados operando como se fossem um simples transistor com
a finalidade de melhorar o seu desempenho, usualmente com um
ganho de corrente muito maior.
A conexão CMOS, usando transistores MOSFET intensifica-
ção tipo p e tipo n num circuito operando com potência muito
baixa, é introduzida neste capítulo. Muitos dos circuitos digitais
mais recentes usam circuitos CMOS, quer seja para permitir sua
operação, em termos de portabilidade, com uma potência de ba-
teria muito baixa, quer seja para permitir uma densidade de inte-
gração muito alta em circuitos integrados, com uma dissipação
de potência muito baixa num pequeno espaço ocupado pelo chip
doCI.
Ambos os circuitos discretos e integrados usam a conexão
fonte de corrente. A conexão espelho de corrente fornece cor-
rente constante para vários outros circuitos e é especialmente
importante em circuitos lineares integrados.
O amplificador diferencial é a parte básica de circuitos ampli-
ficadores operacionais (cobertos completamente no Cap. 14). A
conexão básica de um circuito diferencial e sua operação são
introduzidas neste capítulo. Embora colocada no fim do capítulo,
é, apesar disso, a conexão de circuito mais importante. Um cir-
cuito bipolar-JFET usado em Cls é a conexão BiFET, enquanto a
conexão bipolar-MOSFET é chamada conexão BiMOS. Essas
configurações são usadas em circuitos lineares integrados.
12
senta o sinal de entrada do estágio seguinte. A Fig. 12.1 mostra
uma conexão em cascata de dois estágios amplificadores a FET.
A conexão em cascata proporciona uma multiplicação do ganho
de cada estágio, resultando num ganho global muito maior.
O ganho global do amplificador em cascata é o produto dos
ganhos A,,, e A,,, dos estágios,
(12.1)
A impedância de entrada do amplificador em cascata é aquela
do estágio 1,
(12.2)
enquanto a impedância de saída é aquela do estágio 2.
Z0 = Rv, (12.3)
A função principal dos estágios em cascata é conseguir um ganho
global muito maior. Como a polarização de e os cálculos ac para
um amplificador em cascata utilizam as equações deduzidas para
os estágios individuais, no próximo exemplo aplicam-se estas
equações para a análise de um amplificador em cascata.
EXEMPLO 12.1
Calcule a polarização de, ganho de tensão, impedância de entra-
da, impedância de saída, e a tensão de saída resultante para o
amplificador em cascata mostrado na Fig. 12.2. Calcule a tensão
na carga, se uma carga de 10-kO for conectada na saída.
Solução
Ambos os estágios amplificadores têm a mesma polarização de.
Usando as técnicas de polarização de do Cap. 6, resulta em

12.2 CONEXÃO EM CASCATA V05º = -1,9 V, lva = 2,8 mA

Ambos os transistores têm
Uma conexão popular de estágios amplificadores é a conexão em
cascata. Basicamente, a conexão em cascata é uma série de = 2Ivss = 2(10 mA) = 5 mS
acoplamentos de estágios em que a saída de um estágio repre- gn,0 IVpl 1-4 VI
378 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

'"'--~----1(-----~
C3
~1------
C1

T -:"'
Estágio 1 Estágio 2

Fig. 12.1 Amplificador a FET em cascata.

e no ponto de polarização de, A tensão de saída através da carga de 10-kO seria então

gm = gmo( 1 - V~;º) = (5 ms)( 1 - -~:VV) = 2,6 mS VL =

Z0
RL
+ RL
V0 =
10 kO
n n (384 mV) = 310 mV
2,4 ku + 10 ku.
O ganho de tensão de cada estágio é então
A.., = A,., = -g...Rv = -(2,6 mS)(2,4 kO) = -6,2
Amplificador TBJ em Cascata
O ganho de tensão do amplificador em cascata é, então,
Eq. (12.1): Av = A,, A,, = (-6,2)(-6,2) = 38,4 Um amplificador em cascata com acoplamento RC construído
usando TBJs é mostrado na Fig. 12.3. Como antes, a vantagem
A tensão de saída é, então, de estágios em cascata é o ganho global de tensão. A polariza-
ção de é obtida usando os procedimentos do Cap. 4. O ganho de
V0 = AY; = (38,4) (10 mV) = 384 mV
tensão de estágio é
A impedância de entrada do amplificador em cascata é
-RcllRL
Z; = Ra = 3,3 MO Av = ----"'----- (12.4)
re
A impedância de saída do amplificador em cascata (assumindo
que rd = oo) é A impedância de entrada do amplificador é aquela do estágio 1,
(12.5)

+20V

0,05µF

roo~ roo~
3,3Mn 3,3M!l
+ +
Fig. 12.2 Circuito amplifi-
cador em cascata para o
":' ":' ":' ":' Exemplo 12.1.
 Configurações Compostas 379

C1
V; o>-----1)1f - - - - - - 1 ~ - ~

":"
R2

":"
r··
+

":"
R4

":"
r·,
":"
+

Fig. 12.3 Amplificador TBJ em cascata (acoplamento RC).

e a impedância de saída do amplificador é aquela do estágio 2, 26 26

r =-=-=650
Z0 = Rc li r0 (12.6) e /E 4,Q '
O próximo exemplo demonstra a análise de um amplificador TBJ O ganho de tensão do estágio 1 é então
em cascata, mostrando o grande ganho de tensão conseguido.

EXEMPLO 12.2 (2,2 k0)Ji[l5 kOIJ4,7 kOJJ(200)(6,5 {l)]

Calcule o ganho de tensão, impedância de entrada e a impedân-
6,50
cia de saída para o amplificador TBJ em cascata da Fig. 12.4. 665,20
Calcule a tensão de saída resultante se uma carga de 10-kO for 6,5 n = -102,3
conectada na saída.
enquanto o ganho de tensão do estágio 2 é
Solução
Rc 2•2 kO = -338 46
A análise de polarização de resulta em v, = - -re =
A
6,50 '
VB = 4,7V, VE = 4,0V, Vc = 11 V, IE = 4,0mA para um ganho de tensão global de

No ponto de polarização, Av = Av1Av2 = ( -102,3)(- 338,46) = 34.624

+20V

Vi=25µV. )
lOµF

Fig. 12.4 Amplificador TBJ com aco-

plamento RC para o Exemplo 12.2.
380 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

+20V

2,2k0
0,5µF

-
( Vº

V;
1 mV
0,05µF

+
f"µF
...
Fig.12.5 Amplificador JFET-TBJ em cascata para o Exemplo 12.3.

A tensão de saída é então A tensão de saída é, então,

Va = AvVi = (34.624)(25 µV) = 0,866 V V0 = AvV1 = (599,1)(1 mV) = 0,6 V
A impedância de entrada do amplificador é A impedância de entrada do amplificador é aquela do estágio 1,

Z; = R1IIR2ll/3re = 4,7 kfill15 illll(200)(6,5 fi) Z; = 3,3MO

= 953,60 enquanto a impedância de saída é aquela do estágio 2,

enquanto a impedância de saída do amplificador é Z0 = Rv = 2,2 kO

Z0 = Rc = 2,2 kO
Se uma carga de 10-kfi for conectada na saída do amplificador,
a tensão resultante na carga é 12.3 CONEXÃO CASCO DE
RL lOkfi Uma conexão cascode tem um transistor acima (em série com)
VL = Za + RL Va = 2,2 kfi + 10 kfi (0,866 V)= 0,71 V
de um outro. A Fig. 12.6 mostra uma configuração cascode com
um estágio emissor-comum (EC) alimentando um estágio base-
Uma combinação de estágios a FET e TBJ pode também ser comum (BC). Este arranjo é projetado para prover uma alta im-
usada para obter alto ganho de tensão e alta impedância de en- pedância de entrada com baixo ganho de tensão, assegurando que
trada, como demonstrado pelo próximo exemplo. a capacitância Miller de entrada (veja Cap. 11) seja mínima, com
o estágio BC proporcionando uma boa operação em alta freqüên-
cia. Uma versão utilizada na prática de um amplificador cascode
EXEMPLO 12.3 com TBJ é fornecida na Fig. 12.7.

Para o amplificador em cascata da Fig. 12.5, calcule a polariza-

ção de e em seguida a impedância de entrada, impedância de EXEMPLO 12.4
saída, ganho de tensão e a tensão de saída resultante.
Calcule o ganho de tensão para o amplificador cascode da Fig. 12.7.
Solução
Solução
Uma vez que R; (estágio 2) = 15 kfi 114,7 kfi 11200 (6,4 fi) =
943 n, o ganho do estágio 1 (quando carregado pelo estágio 2) é
A análise da polarização de usando os procedimentos do Cap. 4
Av, = -gm[RvllR; (estágio2)] resulta em

= -2,6 mS(2,4 kfill953,6 fi) = -1,77 V81 = 4,9V, V82 = 10,8 V, Ic, = Ic, = 3,8 mA
do Exemplo 12.2, o ganho de tensão do estágio 2 é Av, = -349. A resistência dinâmica de cada transistor é, então,
O ganho de tensão global é, então,
26 26
r =-=-=680
Av = Av,Av, = ( -1, 77)(-338,46) = 599,1 e /E 3,8 '
 Configurações Compostas 381

Vcc

r----------ov"

Fig. 12.6 Configuração cascode.

O ganho de tensão do estágio 1 (emissor-comum) é aproxima- a capacitância Miller de entrada é mantida muito pequena. Um
damente alto ganho de tensão é então proporcionado pelo estágio BC,
resultando num grande ganho global (A.= -265).
Rc re
Av, = - - = - - = -1
re re
12.4 CONEXÃO DARLINGTON
O ganho de tensão do estágio 2 (base-comum) é
Uma conexão muito popular de dois transistores bipolares de jun-
A = Rc = 1,8 kfi = 265 ção operando como um transistor "superbeta" é a conexão Dar-
V2 Ye 6,8 n lington mostrada na Fig. 12.8. A característica principal da co-
resultando num ganho global do amplificador cascode de nexão Darlington é que a composição de transistores atua como
uma unidade única, com um ganho de corrente que é o produto
Av = Av,Av, = (-1)(265) = -265 dos ganhos de corrente dos transistores individuais. Se a cone-
xão for feita usando dois transistores separados com ganhos de
corrente /3 1 e /32, a conexão Darlington fornece um ganho de cor-
Como esperado, o estágio CE com um ganho de -1 propor- rente de
ciona a impedância de entrada mais alta de um estágio CE (su-
perior à do estágio BC). Com um ganho de tensão de apenas -1, (12.7)

Vcc= 18V

-----111-(---..0 V 02
C=5µF
Qz

@1 =fJz= 200)

V; 10.....---)11----e---- . Q1

C,·5:,~ T 1,l~I tC,·W~

Fig. 12.7 Circuito cascode para o Exemplo 12.4.
382 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

B
B

E
Fig. 12.8 Constituição de um transistor Darlington.

Se os dois transistores estão casados de tal forma que /3 1 = /3i = +Vcc

{3, a conexão Darlington fornece um ganho de corrente de
(12.8)
Uma conexão de transistor Darlington equivale a um tran-
sistor com um ganho de corrente muito alto, tipicamente
na faixa de alguns milhares.
e

EXEMPLO 12.5

Qual o ganho de corrente fornecido por uma conexão Darling-

ton de dois transistores idênticos, cada um com um ganho de
corrente f3 = 200?

Solução

Eq. (12.8): f3v = (3 2 = (200)2 = 40.000

Fig. 12.10 Circuito de polarização de um Darlington básico.

Transistor Darlington Encapsulado Polarização DC de um Circuito Darlington

Como a conexão Darlington é muito utilizada, pode-se construir Um circuito Darlington básico é mostrado na Fig. 12.10. Um tran-
uma pastilha contendo dois TBJs internamente conectados como sistor Darlington com ganho de corrente muito alto, f3v, é usado.
um transistor Darlington. A Fig. 12.9 fornece algumas especifi- A corrente de base pode ser calculada de
cações de data sheets para um par Darlington típico. O ganho de
corrente listado corresponde ao ganho global da conexão tran- Vcc - VBE
sistor Darlington, e o dispositivo apresenta apenas três terminais IB = RB + f3vRE (12.9)
externos (base, emissor e coletor). Pode-se considerar a unidade Apesar de a equação acima ser a mesma de um transistor regu-
como um simples transistor Darlington com um ganho de cor- lar, o valor de f3v é muito grande, e o valor de V8 E é muito alto,
rente muito alto, quando comparado a outros transistores simples conforme indicado pelos dados no quadro da Fig. 12.9. A cor-
típicos. rente de emissor é então
/E = ((3~ + 1)/B = /3,;h (12.10)
Tipo2N999 As tensões de são
Transistor Darlington N-P-N de
Silicone em Pastilha VE = IERE (12.11)
Parâmetro Condições de Teste Mín. Máx. VB = VE + VBE (12.12)

VBE lc = lOOmA 1,8V

hFE lc = lOmA 4000 EXEMPLO 12.6

(/3D) lc = lOOmA 7000 70.000
Calcule as tensões e correntes de polarização de no circuito da
Fig. 12.9 Especificações de um transistor Darlington em pastilha (2N999). Fig. 12.11.
 Configurações Compostas 383

+18 V f; /b
--+- -+-
~ o---------~~
'I"

3,3Mn

/3n =8000
V8 E = 1,6 V

Fig. 12.13 Circuito equivalente ac de um Darlington seguidor-de-emissor.

A tensão de coletor é o valor da fonte de

Fig.12.11 Circuito para o Exemplo 12.6. Vc = 18 V

Solução Circuito Equivalente AC

A corrente de base é Um circuito Darlington seguidor-de-emissor é mostrado na Fig.
12.12. O sinal ac de entrada é aplicado na base do transistor
18 V - 1,6 V Darlington através do capacitar Ci, com a saída ac, V0 , obtida do
Eq. (12.9): IB = 3,3 MO + 8000(390 O) = 2,56 µA emissor através do capacitor C2 • Um circuito ac equivalente é
desenhado na Fig. 12.13. O transistor Darlington é substituído
A corrente de emissor é, então,
por um circuito ac equivalente abrangendo uma resistência de
Eq. (12.10): IE = 8000(2,56 µA) = 20,48 mA = lc entrada, ri, e uma fonte de corrente na saída, f3nlb·
A tensão de de emissor é IMPEDÂNCIA DE ENTRADA AC
Eq. (12.11): VE = 20,48 mA(390 O)= 8 V
A corrente de base ac através de ri é
e a tensão de base é
h = V;-V0 .......;.,_--C.,
(12.13)
Eq. (12.12): VB = 8 V+ 1,6 V= 9,6 V r;
Uma vez que
+Vcc(+l8 V) (12.14)
Nós podemos usar a Eq. (12.13) na Eq. (12.14), para obter
lbri = V; - Vo = V; - /b(l + f3o)RE
Resolvendo para Vi,
Ra
3,3MO Vi = h[r; + (1 + /3o)RE] = h(r; + fJoRE)
A impedância de entrada ac, olhando-se para dentro da base do
C1
transistor, é então
~0---1)1-------"~ /3n =8000
0,5 µF V8 E = 1,6V V.
[: = r; + f3oRE
C2 e olhando-se para dentro do circuito é
----t1t-(----<o V0
Z; = RBll(r; + f3oRE) (12.15)
0,5 µF

EXEMPLO 12. 7
Calcule a impedância de entrada do circuito da Fig. 12.12 se ri
Fig. 12.12 Circuito Darlington seguidor-de-emissor. =5k.O.
384 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Solução A·= f3vRB = (8000)(3,3 MO) = 4112

1
RB + f3vRE 3,3 MO+ (8000)(390 0)
Eq. (12.15).Z; = 3,3MOII [5k0 + (8000)(3900)] = 1,6MO

IMPEDÂNCIA DE SAÍDA AC
GANHO DE CORRENTE AC
A impedância de saída ac pode ser determinada pelo circuito
A corrente de saída ac através de RE é (veja Fig. 12.13)
ac mostrado na Fig. 12.14a. A impedância de saída vista pela
10 = lb + /3rJb = (/3v + 1) lb = /3rJb carga RL é determinada aplicando-se uma tensão V0 , e medindo-
se a corrente / 0 ( com a entrada V, fixada em zero). A Fig. 12.14b
O ganho de corrente do transistor é então mostra esta situação. Resolvendo para / 0 , temos

O ganho de corrente ac do circuito é

A,= / 0 = / Jb
0

' I; h I; Resolvendo para Z 0 , obtemos

Podemos usar a regra do divisor de corrente para expressar 1,/1;:

RB RB
h= ].= ].
(ri + f3vRE) + RB I
RB + f3vRE '
(12.17)
tal que o ganho de corrente ac do circuito é

(12.16)
EXEMPLO 12.9

EXEMPLO 12.8 Calcule a impedância de saída do circuito da Fig. 12.12.

Calcule o ganho de corrente ac do circuito na Fig. 12.12. Solução

Solução Eq. (12.17): Z0 = 390 Oll5 kOll 5 kO = 5 kO

= 0;625 O 8000 8000
Eq. (12.16):

V; Vº
_... -+-
Z; zº
V, Rs RE RL

'li' 'li'

(a)

lo
-+-

i +

RE Vº

(b) Fig. 12.14 Circuito ac equivalente para determinar Z

0 •
 Configurações Compostas 385

Vcc
(+18 V)

Fig. 12.15 Circuito ac equivalente para determinar Av,

V;-----

GANHO DE TENSÃO AC Rs
2MO
O ganho de tensão ac para o circuito da Fig. 12.12 pode ser
determinado usando-se o circuito ac equivalente da Fig. 12.15.
Uma vez que
Vo = (h + f3nlb)RE = lbCRE + f3nRE)
e Fig. 12.17 Operação do par realimentado.
V;= hr; +(Ih+ f3nh)RE
das quais nós obtemos
lington, o par realimentado fornece um ganho de corrente muito
V; = !ir; + RE + f3nRE) alto (o produto dos ganhos de corrente dos transistores). Uma
V. aplicação típica (veja Cap. 16) usa uma conexão Darlington e um
tal que Vo = r; + (RE : f3nRE) (RE + /3nRE) par realimentado para proporcionar operação complementar do
transistor. A Fig. 12.17 apresenta um par realimentado utilizado
na prática. Algumas considerações sobre a polarização de e a
A = Vo = RE + f3nRE = l
(12.18) operação ac proporcionarão um melhor entendimento de como
v V; r; + (RE + /3nRE) esta conexão trabalha.

EXEMPLO 12.10 Polarização DC

Calcule o ganho da tensão ac Av, para o circuito da Fig. 12.12. Os cálculos de polarização de que se seguem usam simplifica-
ções para que se obtenham os resultados da forma mais simples
Solução possível. Da malha base-emissor de Q 1, obtém-se

390 n + (8000)(390 m = Vcc - IcRc - VEB 1 - / 81R8=O

998
Av = 5 kO + [390 O + (8000)(390 0)] O, Vcc - f31f32IB 1Rc - VEB 1- IB 1RB = O
A corrente de base é, então,

12.5 PAR REALIMENTADO I B -_ Vcc - VEB1

(12.19)
1
RB + /31/32Rc
A conexão par realimentado (veja Fig. 12.16) é um circuito com A corrente de coletor de Q 1 é
dois transistores que opera com o circuito Darlington. Observe
que o par realimentado usa um transistor pnp, excitando um tran- Ic1 = f31IB1 = IB,
sistor npn, sendo que os dois dispositivos atuam efetivamente como a qual é também a corrente de base de Q2• A corrente de coletor
se fossem um transistor pnp. Da mesma forma que a conexão Dar- do transistor Q2 é
Ic, = f32IB, = IE,
e
tal que a corrente através de Rc é
Ic = IE, + Ic = Ic, + Ic = Ic
2 2 2
(12.20)
B

EXEMPLO 12.11

E Calcule as correntes e tensões de polarização para o circuito da

Fig. 12.17 para que V seja metade da tensão da fonte de tensão
0

Fig. 12.16 Conexão par realimentado. (/cRc = 9 V).

386 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Solução I b -_ V; - Vo
I _ 18 V - 0,7 V ' r·,,
17,3V =445 A
81 - 2 MO + (140)(180)(75 O) 3 89 X 106 ' µ, onde
'
A corrente de base de Q2 é, então,
IB2 = Ic, = f3ilB, = 140(4,45 µA) = 0,623 mA
resultando numa corrente de coletor de Q2 de tal que
lb,Ti, = V; - Vo = V; - /32h,Rc
Ic2 = /3if82 = 180(0,623 mA) = 112,1 mA
h,r; + /3if31Ib)Rc = V;
1 (desde que lb2 = Ic, = f31lb,)
e a corrente através de Rc é, então,
Eq. (12.20): V;
-1 = r;, + /31f32Rc
b,
Ic = IE, + Ic,
= 0,623 mA + 112,1 mA = Ic, = 112,1 mA Incluindo a resistência de polarização da base,
A tensão de na saída é, portanto,
(12.21)
Vo(dc) = Vcc- lcRc = 18 V -112,1 mA(75 0) = 9,6 V
e
V;(dc) = Vo(dc) - VBE = 9,6 V - 0,7 V = 8,9 V GANHO DE CORRENTE AC, A 1

O ganho de corrente ac pode ser determinado como se segue:

Operação AC
lo = /32Ib, - /3ilb, - h,
O circuito equivalente ac para a Fig. 12.17 é desenhado na Fig. = /32(/31h,) - (1 + /31)/b, = /31/32/b,
12.18. O circuito é desenhado primeiro na Fig. 12.18a para mos-
trar claramente cada transistor e a posição dos resistores de base
e coletor. O circuito equivalente ac é então redesenhado na Fig.
12.18b para permitir a análise.
Incluindo RB, o ganho de corrente é
IMPEDÂNCIA DE ENTRADA AC, Z;

A impedância de entrada ac vista olhando-se para dentro da

base do transistor Q1 é determinada (refira-se à Fig. 12.18b) como (12.22)
se segue:

B,
+

(a)

+ +

lct Rc

Fig. 12.18 Equivalente ac da Fig.

(b)
12.17.
 Configurações Compostas 387

IMPEDÂNCIA DE SAÍDA AC, Z 0 r;, 3 X 103

Zo :::::: /31/32 = (140)(180) = O,l2 O
Z0 pode ser obtida aplicando-se uma tensão, V0 , com V; fixa-
do em O. A análise resultante fornece e
(140)(180)(75 0)
(12.23) A v =f31/32Rc
-~---
/31/32Rc + r1, (140)(180)(75 0) + 3000 O

que representa uma baixa impedância de saída. = 0,9984 =: 1

GANHO DE TENSÃO AC, A. O Exemplo 12.12 mostra que a conexão par realimentado
proporciona uma operação com ganho de tensão muito próximo
A tensão de saída V0 é de 1 (tal como com a Darlington seguidor-de-emissor), um ganho
de corrente muito alto, uma impedância de saída muito baixa, e
uma alta impedância de entrada.
Uma vez que
12.6 CIRCUITO CMOS
Um tipo de circuito muito utilizado em eletrônica digital utiliza os
transistores MOSFET canal-p e canal-n (veja Fig. 12.19). Este
MOSFET complementar ou circuito CMOS usa estes tipos de tran-
sistores opostos (ou complementares). A entrada, V;, é aplicada a
ambas as portas com a saída tomada do dreno, que está conectado
(12.24) a ambos. Antes de partirmos para a operação do circuito CMOS,
vamos rever a operação do transistor MOSFET intensificação.

Operação Ligado/Desligado do nMOS

EXEMPLO 12.12
A curva característica de dreno de um transistor MOSFET ca-
Calcule os valores ac Z;, Z0 , A;, eAvpara o circuito da Fig. 12.17. nal-n ou nMOS é mostrada na Fig. 12.20a. Com O V aplicado
Assuma que li, = 3 kO. entre porta e fonte, não há corrente de dreno. Não haverá corren-
te até Vas ser elevado além do nível de limiar do dispositivo, Vi,
Solução quando então surgirá uma corrente. Com uma entrada de, diga-
mos, +5 V, o dispositivo nMOS está completamente ligado com
Z;:::::: RBll(ri, + /31/32Rc)=2MOll[3 k0+(140)(180)(75 O)] uma corrente ID presente. Em resumo:
:::::: 974 kO
Uma entrada de O V deixa os nMOS desligado, enquanto
RB ( 2 MO ) uma entrada de +5 V liga o nMOS.
Ai = /3i/3z RB + Zi = (140)(1SO) 2 MO + 974 kO

= 3,7 X 106 Operação Ligado/Desligado do pMOS

A curva característica do dreno para um transistor MOSFET ca-
nal-pMOS é mostrada na Fig. 12.20b. Quando O V é aplicado, o
dispositivo está desligado (nenhuma corrente de dreno presen-
te), enquanto para uma entrada de -5 V (maior que a tensão de
limiar), o dispositivo está ligado com corrente de dreno presen-
te. Em resumo:

V as = O V deixa o pMOS desligado; V as = - 5 V liga o pMOS.

Operação do Circuito CMOS

Considere, em seguida, como o circuito CMOS real da Fig. 12.21
opera com uma entrada de O V ou entrada de + 5 V.

ENTRADA O-V

Quando O V é aplicado como entrada ao circuito CMOS, surge

Fig. 12.19 Circuito inversor CMOS. uma tensão de O V em nMOS e pMOS. A Fig. 12.21a mostra que
388 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

/0 (mA) /D (mA)

1
pMOS
1
1 _J.J
9
1
1
1
1
1
1
1
0-..---+..iv...Th~-----\-- Vas (V) ____\____...:::_~v·Th----.-o- VGs (V)

\ Em VGs = +SV Em Vas= -SV \

Em VGs=OV /0 = está presente 10 = está presente Em VGs = OV
lo = O (dispositivo está desligado) (dispositivo está ligado) (dispositivo está ligado) lo = O (dispositivo está desligado)

(a) (b)

Fig. 12.20 Curva característica do MOSFET mostrando as condições ligado/desligado: (a) nMOS; (b) pMOS.

ParanMOS (Q 1): Vas = V; - OV = OV - OV = OV QUADRO 12.1 Operação do Circuito CMOS

ParapMOS (Q2): Vas = V; - (+5 V)= O V- 5 V= -5 V V,(V) Q2 V0 (V)

Uma entrada de OV para um transistor nMOS Q 1 deixa este dis-
positivo desligado. A mesma entrada de O V, entretanto, resulta
numa tensão porta-fonte, de um transistor pMOS, de -5 V (por-
ta em OV é 5 V menor que a fonte em + 5 V), ligando este dispo-
sitivo. A saída, V0 , é então +5 V.
ENTRADA +5-V
Quando V; = + 5 V, esta tensão aparece em ambas as portas.
A Fig. 12.21b mostra que
Para nMOS (Q 1): VGs = V; - O V= +5 V - O V = +5 V
ParapMOS (Q2): Vas = V; - (+5 V)= +5 V- 5 V= O V
Esta entrada mantém o transistor Q 1 ligado e o transistor Q2 des-
ligado, com a saída próxima de O V no transistor em condução
Q2 • A conexão CMOS da Fig. 12.19 opera como um inver-
sor lógico com V0 sendo o oposto de V;, como mostrado no Qua-
dro 12.1.
o Desligado Ligado +5
+5 Ligado Desligado o
12.7 CIRCUITOS DE FONTES DE
CORRENTE
O conceito de uma fonte de potência fornece um impulso inicial
em nossas considerações de circuitos de fonte de corrente. Uma
fonte de tensão prática (veja Fig. 12.22a) é uma fonte de tensão
em série com uma resistência. Uma fonte de tensão ideal tem R
= O, enquanto uma fonte prática inclui uma pequena resistência.
Uma fonte de corrente na prática (veja Fig. 12.22b) é uma fonte
de corrente em paralelo com uma resistência. Uma fonte de cor-
rente ideal tem R = oo, enquanto uma fonte de corrente na prática
inclui uma resistência muito grande.
Uma fonte de corrente ideal fornece uma corrente constante,
sem se importar com a carga conectada a ela. Em eletrônica, um
circuito que fornece uma corrente constante com uma impedân-

Voo
(+5 V)

Q2(pMOS) Q2(pMOS)
Ligado Desligado

V;= O V - - - .-----V 0 =+5 V V;=+5V----

Q1 (nMOS) Q 1 (nMOS)
Oesligado Ligado

(a) (b)

Fig.12.21 Operação do circuito CMOS: (a) saída +5 V; (b) saída O V.

 Configurações Compostas 389

E~r
R +V00 (18 V)

L T
Fonte de
º
Fonte de
tensão prática tensão ideal

(a)

Fig. 12.24 Fonte de corrente a JFET para o Exemplo 12.13.

l R l
Solução

Uma vez que VGs = O V, lv = lvss = 4 mA.

Fonte de Fonte de (a) V0 = Vvv - lvR0 = 18 V - (4 mA)(l,2 kO) = 13,2 V
corrente prática cotrente ideal
(b) V0 = Vvv - lvRo = 18 V - (4 mA)(3,3 kO) = 4,8 V
(b)
Note que a tensão de saída varia com R0 , mas a corrente através
Fig. 12.22 Fontes de tensão e corrente. de R0 permanece 4 mA, uma vez que o JFET opera como uma
fonte de corrente constante.

eia muito alta é bastante utilizado. Circuitos de corrente cons-

tante podem ser construídos usando dispositivos FET, dispositi-
vos bipolares e uma combinação destes componentes. Há circui-
tos usados em forma discreta e outros mais adequados para ope-
ração em circuitos integrados. Consideramos algumas formas de
ambos os tipos nesta seção e na Seção 12.8.
Fonte de Corrente aJFET
Uma fonte de corrente simples com JFET é mostrada na Fig.
12.23. Com VGs fixado em O V, a corrente de dreno é fixada em
lv = lvss = lOmA
Fonte de Corrente Constante com Transistor
Bipolar
Transistores bipolares podem ser conectados de várias maneiras em
um circuito que atua como uma fonte de corrente constante. A Fig.
12.25 mostra um circuito, usando alguns resistores e um transistor
npn operando como uma fonte de corrente constante. A corrente
através de /E pode ser determinada como segue. Assumindo que a
impedância de entrada da base é muito maior que R 1 ou R2,
V R1 ( V )
B = R1 + R2 - EE

O dispositivo, portanto, opera tal como uma fonte de corrente de e

valor 10 mA. Enquanto o JFET real tem uma resistência de saí-
da, a fonte de corrente ideal seria uma fonte de 1O mA, como
mostrado na Fig. 12.23.
com (12.25)

onde Ic é a corrente constante fornecida pelo circuito da Fig.

12.25.

foss·= lO mA
Vp.=-4 V

"li'

Fig. 12.23 Fonte de corrente constante a JFET.

EXEMPLO 12.13

Determine a corrente de carga / 0 e a tensão de saída V0 para o

circuito da Fig. 12.24, para:
(a) Rv = 1,2 kO
(b) R0 = 3,3 kO Fig. 12.25 Fonte de corrente constante discreta.
390 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

EXEMPLO 12.14

Calcule a corrente constante Ic no circuito da Fig. 12.26.

+
Vz

Fig. 12.27 Circuito de corrente constante usando diodo Zener.

-20V

Fig. 12.26 Fonte de corrente constante para o Exemplo 12.14.

il
Solução
_ R1 __ 5,lkfi (-20V)
VB - R1 + R2 ( VEE) - 5, 1 kfi + 5, 1 kfi
+
= -lOV 612 V
2,2kQ
VE = VB - 0,7 V= -10 V - 0,7 V= -10,7 V

VE - (-VEE) -10,7 V - (-20 V)

I =h = RE . = 2 kfi

-18V
= 9 •3 V = 4 65 mA
2 kfi '
Fig. 12.28 Circuito de corrente constante para o Exemplo 12.15.

Fonte de Corrente Constante a Transistor/Zener 6,2V- 0,7V

Substituindo o resistor R2 por um diodo Zener, como mostrado
na Fig. 12.27, obtemos uma fonte de corrente constante melhor
do que a da Fig. 12.25. O diodo Zener resulta em uma c@rrente
constante calculada usando a equação LTK (Lei das Tensões de
Kirchhoff) base-emissor. O valor de I pode ser calculado usando
Vz- VBE
I = IE =
RE
O principal ponto a considerar é que a corrente constante depen-
de da tensão sobre o diodo Zener, a qual permanece razoavel-
mente constante, e do resistor-de-emissor RE. A fonte de tensão
VEE não tem efeito sobre o valor de I.
EXEMPLO 12.15
Calcule a corrente constante I no circuito da Fig. 12.28.
Solução
Vz - VBE
Eq. (12.26): I =
RE
l,8kfl.
= 3,06mA = 3mA
12.8 CIRCUITOS ESPELHOS DE
CORRENTE
(12.26)
Um circuito espelho de corrente (veja Fig. 12.29) fornece uma
corrente constante e é usado principalmente em circuitos inte-
grados. A corrente constante é obtida a partir de uma corrente_ de
saída que é o reflexo ou espelho de uma corrente desenvolvida
sobre um lado do circuito. O circuito é particularmente apropri-
ado na fabricação de Cls, uma vez que requer que os transistores
usados tenham quedas de tensão base-emissor idênticas e idênti-
cos valores de beta - conseguem-se resultados melhores quan-
do os transistores são formados ao mesmo tempo na fabricação do
CI. Na Fig. 12.29, a corrente lx, estabelecida pelo transistor Q1 e
pelo resistor Rx é refletida na corrente I através do transistor Q2•
As correntes lx e I podem ser obtidas usando as correntes de
circuito listadas na Fig. 12.30. Assumimos que a corrente de emis-
sor (JE) para ambos os transistores é a mesma (Q1e Q2 foram fabri-
 Configurações Compostas 391

+Vcc
+12V

i, i,

Fig. 12.29 Circuito espelho de corrente.

Fig. 12.31 Circuito espelho de corrente para o Exemplo 12.16.

cados próximo um do outro no mesmo chip). As correntes de base Solução

dos dois transistores são, então, aproximadamente
Vcc - VnE
I -_ 1x -_ - 12 V- 0,7 V
/E h Eq. (12.27): ---
1,1 kO
ln= {3 + 1 = /3 Rx
= 10,27mA
A corrente de coletor para cada transistor é então
lc = IE
EXEMPLO 12.17
Finalmente, a corrente através do resistor Rx, lx é
2/E f3/E {3 + 2 Calcule a corrente, /, através de cada um dos transistores Q:i e Q3
fx = /E +- = - + -2/E = - - /E = /E no circuito da Fig. 12.32.
/3 {3 {3 {3
Em resumo, a corrente constante fornecida no coletor de Q2 re-
flete a corrente de Q,. Uma vez que +6V
_ Vcc-VnE
I x- (12.27)
Rx
a corrente lx estabelecida por Vcc e Rx é refletida na corrente do
coletor de Q2 •
O transistor Q, atua como um diodo porque a base e coletor
estão em curto.

+Vcc

i/E
i 2? Fig.12.32 Circuito espelho de corrente para o Exemplo 12.17.
QJ ..._ ~
Q2

/E /E
Solução
7f f3
A corrente lx é
{3 +3
Fig. 12.30 Correntes para o circuito espelho de corrente.
fx = h + -3/E = - - [ E = /E
{3 {3
Portanto
EXEMPLO 12.16 I = lx = Vcc - VaE =6V- 0,7 V= 4 OS mA
Rx 1,3 kO '
Calcule a corrente refletida, /, no circuito da Fig. 12. 31.
 392 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Assumindo que Q1 e Q2 estão bem casados, a corrente de saída I

é mantida constante em
I= [E= lx
lx i Rx Novamente, vemos que a corrente de saída I é um valor refletido
__....
IE//3 da corrente que passa pelo resistor Rx.
A Fig. 12.34 mostra ainda uma outra forma de espelho de
corrente. O JFET fornece uma corrente constante indicada pelo
/E i valor de loss· Esta corrente é refletida, resultando numa corrente
através de Q2 do mesmo valor:
I = loss

12.9 CIRCUITO AMPLIFICADOR

DIFERENCIAL
Fig. 12.33 Circuito espelho de corrente com impedância de saída mais alta.
O circuito amplificador diferencial é uma conexão extremamen-
te popular usada em unidades de Cls, Esta conexão pode ser
descrita considerando o amplificador diferencial básico mostra-
+V do na Fig. 12.35. Note que o circuito tem duas entradas separa-
das, duas saídas separadas, e que os emissores estão conectados
um ao outro. Apesar de muitos circuitos amplificadores diferen-
ciais utilizarem duas fontes de tensão separadas, o circuito pode
operar também usando uma única fonte de tensão.
Algumas combinações de sinais de entrada são possíveis.
Se um sinal de entrada é aplicado numa entrada, com a outra
entrada conectada à terra, a operação é denominada terminação
simples.
Se dois sinais de entrada de polaridades opostas são aplica-
dos, a operação é denominada terminação dupla.
Se um mesmo sinal de entrada é aplicado a ambas as entra-
das, a operação é chamada modo comum.
Na operação com terminação simples, um único sinal de en-
Fig. 12.34 Conexão espelho de corrente. trada é aplicado. Entretanto, como os emissores estão conectados,
o sinal de entrada aciona ambos os transistores, resultando em
saídas para ambos os coletores.
A Fig. 12.33 mostra uma outra forma de espelho de corrente. Na operação com terminação dupla, dois sinais de entrada são
Neste circuito, a impedância de saída é mais alta do que a do cir- aplicados. A diferença entre as amplitudes dos sinais de entra-
cuito da Fig. 12.29. A corrente através de Rx é das produz dois sinais de saída nos coletores dos transistores.
Na operação modo comum, o sinal comum de entrada produz
lx = Vcc - 2VoE = IE + !e = f3 + 1 IE = IE dois sinais de polaridade oposta em cada coletor que se cance-
Rx f3 f3 lam na saída. No entanto, o que se verifica na prática é que os

VºI vº2 V;I

V;I V;2

V;2

RE

-Vm Fig. 12.35 Circuito amplificador diferencial básico.

 Configurações Compostas 393

+Vcc +9V

-9 V

Fig. 12.36 Polarização de do circuito amplificador diferencial. Fig. 12.37 Circuito amplificador diferencial para o Exemplo 12.18.

dois sinais opostos não possuem exatamente a mesma amplitu- A corrente de coletor é, então,
de, e, quando somados, não se cancelam completamente.
_[E_ 2,5mA
A característica principal do amplificador diferencial é o ganho
muito grande quando sinais opostos são aplicados às entradas,
Eq. (12.29): fc - 2 - 2 = 1,25 mA
comparado a um ganho muito pequeno resultante de entradas resultando numa tensão de coletor de
comuns. A razão entre este ganho diferencial e o ganho comum
Eq. (12.30): Vc = Vcc - IcRc
é chamado rejeição de modo comum. Estes conceitos serão dis-
cutidos completamente no Cap. 14. Por enquanto, vamos nos = 9 V - (1,25 mA)(3,9 kf1) = 4,1 V
restringir à operação do circuito amplificador diferencial. A tensão comum de emissor é, portanto, -0, 7 V, enquanto a ten-
são de polarização do coletor está próxima de 4,1 V para ambas
Polarização DC as saídas.

Vamos considerar primeiro a operação de polarização de do cir-

cuito da Fig. 12.35. Com as entradas ac obtidas das fontes de Operação AC do Circuito
tensão, pode-se considerar que a tensão de em cada entrada é O
V, como mostrado na Fig. 12.36. Com cada tensão de base em O Uma conexão ac de um amplificador diferencial é mostrada na
V, a tensão de polarização de no emissor-comum é Fig. 12.38. Sinais de entrada separados são aplicados, V;, e V;,,
resultando em saídas separadas, V,, e V . Para realizar a aná-
vii= ov - V8 E = -0,7 v lise, o circuito é redesenhado na Fig. 12'.39. Cada transistor é
A corrente de polarização de do emissor é então substituído por seu equivalente ac.
VE - (-VEE) VEE - 0,7 V
[E= =----- (12.28)
RE RE
+Vcc
Assumindo que os transistores são bem casados (como ocorre-
ria numa unidade de CI).
[E
Ic 1 =
2 Ic2 = - (12.29)
resultando numa tensão de coletor de

EXEMPLO 12.18

Calcule as tensões e correntes de no circuito da Fig. 12.37.

Solução
VEE - 0,7 V 9 V - 0,7V
Eq. (12.28): IE=---- = 2,5mA
RE 3 3 kf1 Fig. 12.38 Conexão ac do amplificador diferencial.
'
394 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Fig. 12.39 Equivalente ac do circuito amplificador diferencial.

+Vcc

Fig. 12.40 Conexão para calcular A.1 = V01 IV;1 •

GANHO DE TENSÃO AC COM TERMINAÇÃO

SIMPLES

Para calcular o ganho de tensão ac V )V; com terminação sim- Se nós assumirmos também que
ples aplica-se um sinal para uma entrada com a outra conectada
à terra, como mostrado na Fig. 12.40. O equivalente ac desta
/3, = 13?. = /3
conexão é desenhado na Fig. 12.41. A corrente de base ac pode então
ser calculada usando a equação LTK (Lei das Tensões de
vii
Kirchhoff) da entrada da base 1. Se assumirmos que os dois tran- lc = /3h = (3-
sistores são bem casados, então 2r;
e a amplitude da tensão de saída em qualquer coletor é
lb, = lb, =h
V;, f3Rc
Vº = IcRc = /3 - Rc = - - V;
2r1 2f3re
Com RE muito grande (idealmente infinito), o circuito para ob-
para o qual o ganho de tensão com terminação simples em qual-
tenção da equação LTK simplifica-se para o da Fig. 12.42, do
quer coletor é
qual podemos escrever
V;, - l,,r; - hr; = O (12.31)
tal que
 Configurações Compostas 395

Fig. 12.41 Equivalente ac do circuito da Fig. 12.40.

'n = r;
+
V;1

Fig. 12.42 Circuito parcial para calcular 1•.

EXEMPLO 12.19 A _ Rc _ (47 kO) _

v - 2re - 2(269 O) - 87 ,4
Calcule a tensão de saída com terminações simples, ~ , para o
proporcionando uma amplitude de tensão ac de saída
circuito da Fig. 12.43. '
V0 = A,Y; = (87 ,4)(2 mV) = 174,8 mV = 0,175 V
Solução

Os cálculos de polarização de fornecem +9V

9 V - 0,7 V
43 kfi = 193 µ.A
A corrente de de coletor é então ril =r;2 = 20 kn
/31 =/32 =75
lc =
h =
2 96,5 µ.A

tal que

Vc = Vcc - lcRc = 9 V - (96,5 µA)(47 kfi) = 4,5 V

O valor de r, é 43kn

26
re = 0, 0965 ,;;;; 269 O -9V

A amplitude do ganho de tensão ac pode ser calculada usando a Fig.12.43 Circuito para os Exemplos 12.19 e 12.20.
Eq. (12.31):
396 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

+Vcc a qual pode ser reescrita como

h=------ Vi
r; + 2(/3 + l)RE
A amplitude da tensão de saída é, então,
{3V;Rc
V0 = lcRc = f3l~c = r; + 2(/3 + l)RE
fornecendo uma amplitude do ganho de tensão de
. V;
(12.33)

EXEMPLO 12.20

Fig. 12.44 Conexão modo comum. Calcule o ganho em modo comum para o circuito amplificador
da Fig. 12.43.

GANHO DE TENSÃO AC COM TERMINAÇÃO DUPLA Solução

Vo
Uma análise semelhante pode ser usada para mostrar que para
a condição em que sinais são aplicados em ambas as entradas, a
Eq. (12.33): Ac = - = - -f3Rc
---
V; r; + 2(/3 + l)RE
amplitude do ganho de tensão diferencial seria
= 75(47 kfi) = O 54
20 kfi + 2(76)( 43 kfi) '
(12.32)

onde vd = V;, - V;,. Uso de Fonte de Corrente Constante

Operação Modo Comum do Circuito
Um amplificador diferencial produz uma grande amplificação da
diferença entre os níveis aplicados nas entradas. No entanto,
quando o mesmo sinal é aplicado em ambas as entradas, verifi-
ca-se na saída uma pequena amplificação deste sinal., Uma co-
nexão ac mostrando uma entrada comum a ambos os transisto-
res é mostrada na Fig. 12.44. O circuito ac equivalente é então
desenhado na Fig. 12.45, do qual podemos escrever
V; - 2(/3 + l)lbRE
h=--~----
r;
Um bom amplificador diferencial tem um ganho diferencial mui-
to grande, Ad, o qual é muito maior que o ganho em modo comum,
Ac. A rejeição de modo comum do circuito pode ser considera-
velmente melhorada fazendo o ganho em modo comum tão pe-
queno quanto possível (idealmente, 0). Da Eq. (12.33), vemos que,
quanto maior Re, menor Ac, Um método bastante utilizado para
aumentar o valor ac de RE é usar um circuito com fonte de corren-
te constante. A Fig. 12.46 mostra um amplificador diferencial com
fonte de corrente constante para fornecer um alto valor de resis-
tência do emissor comum para o terra ac. A melhoria implemen-
tada por este circuito em relação ao da Fig. 12.35 é justamente o
fato de estabelecer uma impedância ac muito grande para RE atra-
vés da fonte de corrente constante. A Fig. 12.47 mostra o circuito

v,. ,..
1

Fig. 12.45 Circuito ac em conexão modo comum.

 Configurações Compostas 397

Fig. 12.47 Equivalente ac do circuito da Fig. 12.46.

A = f3Rc 75(10 k!l)

Fig. 12.46 Amplificador diferencial com fonte de corrente constante. e r; + 2((3 + l)RE 11 k!l + 2(76)(200 k!l)
= 24,7 X 10-3

equivalente ac para o circuito da Fig. 12.46. Uma fonte de cor-

rente constante na prática é representada por uma alta impedân- 12 .1 O CIRCUITOS AMPLIFICADORES
eia, em paralelo com uma fonte de corrente.
DIFERENCIAIS BIFET, BIMOS E
CMOS
EXEMPLO 12.21
Embora a seção anterior tenha apresentado os amplificadores
Calcule o ganho em modo comum para o amplificador diferen- diferenciais usando dispositivos bipolares, algumas unidades
cial da Fig. 12.48. comercialmente disponíveis também usam transistores JFET e
MOSFET para construir estes tipos de circuito. Uma unidade de
Solução CI contendo um amplificador diferencial construído usando tran-
sistores bipolar (Bi) e de efeito de campo (FET) é denominado
Usando RE = r = 200 k!l, temos
0
como um circuito BiFET. Uma unidade de CI feita usando tran-

+9V

-9V
Fig. 12.48 Circuito para o Exemplo 12.21.
398 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

+V +V

ln- ln+

-V
Fig.12.49 Circuito amplificador diferencial BiFET. Fig. 12.51 Amplificador diferencial CMOS.

sistores bipolar (Bi) e MOSFET (MOS) é chamada de circuito
BiMOS. Finalmente, um circuito construído usando transistores
MOSFET de tipos opostos é um circuito CMOS.
Os circuitos usados para mostrar os vários circuitos
multidispositivos são, na verdade, simbólicos. Os circuitos reais
usados em Cis são muito mais complexos. A Fig. 12.49 mostra
um circuito BiFET corn transistores JFET nas entradas e transis-
tores bipolares que atuam como fonte de corrente (usando um
circuito espelho de corrente). O espelho de corrente assegura que
cada JFET está operando com a mesma corrente de polarização.
Para operação ac o JFET fornece uma alta impedância de entra-
da (muito maior que a fornecida usando somente transistores
bipolares).
A Fig. 12.50 mostra um circuito usando transistores de entra-
da MOSFET e transistores bipolares para fontes de corrente. A
unidade BiMOS apresenta uma impedância de entrada mais alta
que o BiFET, devido ao uso de transistores MOSFET.
Finalmente, um circuito amplificador diferencial pode ser
construído usando transistores MOSFET complementares como
mostrado na Fig. 12.51. Os transistores pMOS fornecem entra-
das opostas, enquanto os transistores nMOS operam como fon-
tes de corrente constante. Uma única saída é tomada do ponto
comum entre os transistores nMOS e pMOS sobre um lado do
circuito. Este tipo de amplificador CMOS é particularmente ade-
quado para operação com pilhas devido à sua baixa dissipação
de potência.
12.11 ANÁLISE POR COMPUTADOR
A análise por computador de vários circuitos compostos pode ser
facilmente obtida usando-se o programa PSpice. Pode-se descre-
ver ainda os circuitos separadamente - mas alguns poucos mi-
nutos devem ser suficientes para se obter uma listagem do cir-
cuito e os resultados desejados.
Algumas linhas do programa PSpice são necessárias para es-
pecificar os detalhes da análise ac desejada.
Para especificar o sinal ac de entrada:
VI Nl N2 AC VOLTAGE

+V p. ex.
VI 1 2 AC lOMV Vi=lOmV(ac)
l Para especificar a freqüência do sinal de entrada:
.AC LIN NS FS FE
p. ex.
.AC LIN 1 lOKH lOKH (J; = 10 kHz)
Para especificar a saída ac: Tendo-se pedido a análise ac,
pode-se incluir uma listagem das tensões e correntes ac deseja-
das. A forma de pedir esta listagem é
.PRINT AC VOLTAGE_LIST

-V p. ex.
Fig. 12.50 Circuito amplificador diferencial BiMOS. .PRINT AC V(l) V(6) I(RD) V(3,4)
 Configurações Compostas 399

MODEL UNES Programa 12.1. Amplificador aJFET em

1. Para um dispositivo TBJ, a linha de modelo inclui o dispositi-
Cascata
vo beta.
Uma listagem do PSpice para fazer a análise do amplificador a
.MODEL DEV_NAME NPN (BF = _ _ ) JFET em cascata da Fig. 12.2 é fornecida na Fig. 12.52; veja a
p. ex. Fig. 12.53 para o circuito, mostrando todos os nós usados. Ob-
serve que na listagem do PSpice, a fonte de tensão, resistores e
.MODEL TRANl NPN (BF = 200) capacitores são descritos primeiro. Uma carga de RL = 1 MO é
adicionada para estabelecer a malha de saída do circuito entre o
2. Para um dispositivo JFET, a linha de modelo inclui Vp e lnss·
capacitor e o terra. Os dois JFETs vistos são do mesmo modelo,
.MODEL DEV_NAME NJF VTO =_BETA = _ e têm valores especificados de
p. ex. VTO = Vp = -4 V, e lnss = 10 mA (de BETA= 0,625 E-6)
.MODEL FET3 NJF VTO = -4 BETA= 0,625E-3
O sinal ac de entrada é V; = 10 m V emf = lOkHz. A linha .OP
JFETcanal-n: VTO = Vp = -4V, BETA= lns/vi, tal quelnss é inserida para que seja informado o ponto de operação-valo-
= lOmA, res de polarização de e parâmetros de operação do transistor. A
saída também fornece uma listagem das tensões ac na entrada e
3. Para um MOSFET, a linha de modelo inclui Vr-
na saída de cada estágio. Um resumo dos resultados é dado em
.MODEL DEV_NAME PMOS or NMOS (VTO = _ ) seguida.
p. ex.
Resultados da polarização de (para cada transistor):
.MODEL MOSA PMOS (VTO = -2V) pMOS com Vr =
-2V VG = OV, VD = 13,3 V, Vs = 1,9 V

Fig. 12.52 Saída PSpice para o circuito da Fig.

12.53.
400 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Vvv (+20 V)
8
lvvs =lOmA
Vp = -4V

V;
lOmV

Fig. 12.53 Circuito para o Programa 1 PSpice.

Parâmetros JFET (para cada transistor): PSpice para Windows (Windows Design
/0 Q=2,78 mA,VGsQ = - 1,89 V,g = 2,64 mS (g111 = 2,6 mS no
Center Analysis)
111

Exemplo 12.1)
O circuito da Fig. 12.53 pode ser desenhado utilizando-se o pro-
Resultados ac: grama da MicroSim' s Schematics para Windows. A seguir apre-
senta-se uma breve descrição de como se desenha o circuito
mostrado na Fig. 12.54.
V(3) 6,323 X 10-2
Av = V(l) =
1 1 X 10 _ 2 = 6,3 (-6,2 no Exemplo 12.1) 1. Selecione o dispositivo J2N3819 da biblioteca eval.slb.
Edit, Model: Edit Instance Model
altere Beta = 0,625E-3 e
V(6) 3,992 X 10- 1 altere Vto = -4
Av, = V( 3) = 6 ,323 X 10 _2 = 6,3 (-6,2 no Exemplo 12.1) Copie e cole o segundo JFET no circuito.
2. Selecione o componente R da biblioteca analog.slb.
V0 = V(9) = 3,992 X 10- 1 = 399 mV Coloque os valores e os nomes previstos para os vários
(V0 = 384 mV no Exemplo 12.1) resistores.
3. Selecione o componente C da biblioteca analog.slb.
O ganho de tensão ac e a tensão ac de saída obtidos no Exem- Coloque os valores e os nomes previstos para os vários ca-
plo 12.1 estão próximos dos valores obtidos no PSpice. Lembre pacitores.
que PSpice usa um modelo mais sofisticado do que o usado no 4. Selecione o componente VSRC da biblioteca source.slb para
Exemplo 12.1, e que em todos os passos no PSpice consideram- a fonte de (usando a Versão 6.0) ou bateria (usando a Ver-
se mais casas decimais, o que faz com que os resultados sejam são 6.1 ou posterior).
um pouco diferentes. Coloque o nome (V 55 ) e o valor ( +20 V).

VDD+
20V _

RG2
3.3MEG

Fig. 12.54 Circuito na versão para Windows para analisar o amplificador JFET de dois estágios.
 Configurações Compostas 401

Fig. 12.55 Listagem de saída para o circuito da Fig. 12.54 (editada).

5. Selecione o componente VSIN da biblioteca source.slb. Polarização de (cada transistor):

Coloque V AMPL = 1O m V e FREQ = 1O kHz.
6. Selecione VIEWPOINT da biblioteca special.slb e coloque-
º nos terminais de fonte e dreno de ambos os transistores. Parâmetros TBJ (cada transistor):
7. Selecione VPRINTl da biblioteca special.slb e coloque-o na
entrada, nos dois terminais de dreno e na saída. IB = 19,9 µA
Dê um duplo clique em cada objeto e faça TRAN = ok, e Ic = 3,98 mA (/3 = ld!B = 3,98 mA/19,9 µA= 200)
MAG = ok; desta forma os itens são selecionados para se- VBE = 0,7 V

rem mostrados.
Resultados ac:
Execute o programa para obter o arquivo de saída FIG12-
54.0UT. Uma versão editada é apresentada na Fig. 12.55. Com- V(3) 2,558 X 10- 3
pare os valores de polarização de mostrados na listagem com os V(l) 2,5 X 10- 5
valores obtidos utilizando-se a versão para DOS do PSpice (Ver-
= 102,3 (-102,3 no Exemplo 12.2)
são 6.0). Compare também as amplitudes dos sinais ac obtidos
em ambos os métodos. Os resultados são próximos. Voz V(6) 8,625 x 10- 4
A -----=-----
vz Vi 2
V(3) 2,558 X 10- 5
Programa 12.2. Amplificador TBJ em Cascata = 337,2 ( -338,46 no Exemplo 12.2)

O amplificador TBJ em cascata do Exemplo 12.2 é analisado Uma outra comparação dos resultados obtidos pelos dois méto-
pela listagem do PSpice da Fig. 12.56 (o circuito é mostrado dos pode ser feita incluindo re. Da listagem PSpice.
na Fig. 12.57). O modelo TBJ fornece para transistores idên-
ticos RPI = 1,3 X 103 = 1,3 kil
Esta é a impedância de entrada olhando para a base do TBJ. Uma
.MODEL BJT NPN (BF = 200 IS= 7E - 15)
vez que
onde f3 = 200 e Is= 7 X 10- 7 causa VBE = 0,7 V no modelo do
PSpice. O sinal ac de entrada é
nós podemos escrever
Vi= 25 µV, na freqüência de 1 kHz [.AC LIN l lKH lKH] 3
r; 1. 3 X 10 = Ü
r=-=
e {3 65
Um resumo dos resultados obtidos é fornecido em seguida. 200 '
402 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Fig. 12.56 Saída PSpice para o circuito da Fig. 12.57.

Vcc(+20V)
8

1nm = 10 mA
Vps--lV
Rc1 R3
2,2 kil 15 kil
C2

3 lOµF lOµF
1
Q2
lOµF /ih,;~()(}
4

V; R2
25µV '\, 4,7 k.Q

l Fig. 12.57 Circuito para o Programa 2 PSpice.

 Configurações Compostas 403

vcc +
20V-=-

Fig. 12.58 Circuito na versão para Windows para analisar o amplificador TBJ de dois estágios.

PSpice para Windows (Windows Design 4. Selecione o componente VSRC da biblioteca source.slb para
a fonte de (usando a Versão 6.0) ou bateria (usando a Ver-
Center Analysis) são 6.1 ou posterior).
Coloque o nome (Vcc) e o valor ( +20 V).
O circuito da Fig. 12.57 pode ser desenhado utilizando-se o pro- 5. Selecione o componente VSIN da biblioteca source.slb.
grama da MicroSim para Windows. A seguir apresenta-se uma Coloque VAMPL = 25 uV e FREQ = 1 kHz.
breve descrição de como se desenha o circuito mostrado na Fig. 6. Selecione VIEWPOINT da biblioteca special.slb e coloque-
12.58. º nos terminais de fonte e dreno de ambos os transistores.
7. Selecione VPRINTl da biblioteca special.slb e coloque-o
1. Selecione o dispositivo Q2N3904 da biblioteca eval.slb. na entrada, na base do segundo TBJ, e na saída. Dê um
Edit, Model: Edit Instance Model duplo clique em cada objeto e faça TRAN = ok e MAG =
altere Beta = 200 ok; desta forma os itens são selecionados para serem mos-
altere Is = lOOE-15 trados.
Copie e cole o segundo TBJ no circuito.
2. Selecione o componente R da biblioteca analog.slb. Execute o programa para obter o arquivo de saída FIG 12-
Coloque os valores e os nomes previstos para os vários 59.0UT. Uma versão editada é apresentada na Fig. 12.59. Com-
resistores. pare os valores de polarização de mostrados na listagem com os
3. Selecione o componente C da biblioteca analog.slb. valores obtidos utilizando-se a versão para DOS do PSpice (Ver-
Coloque os valores e os nomes previstos para os vários ca- são 6.0). Compare também as amplitudes dos sinais ac obtidos
pacitores. em ambos os métodos. Os resultados são próximos.

Fig. 12.59 Listagem do arquivo 12-58.0UT

(editada).
404 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Fig. 12.60 Saída PSpice para o circuito da Fig. 12.61.

Programa 12.3. Circuito Darlington Polarização de:

VB, = V(2) = 9,65 V
O circuito Darlington da Fig. 12.12 é analisado pelo pro- VEi = V(4) = 8,06 V
grama PSpice da Fig. 12.60 (veja também a Fig. 12.61). Dois
dispositivos TBJ idênticos estão conectados formando um dis- fornecendo V8 e (Darlington) = 1,59 V.
positivo Darlington. Um valor de BF = 89,4 foi usado tal Parâmetros do transistor:
que
18 , = 2,53 µA, lc, = 0,23 mA (/3 1 = 0,23 mA/2,53 µA =90,9)
/32 = (89,4) 2 = 7992 = 8000 /Bi = 229 µA, lc, = 20,4 mA (/3i = 20,4 mA/229 µA= 89,1)

+Vcc (18 V)

Q2

V;
Cl2
~
lOOmV Vº
0,5µF
lMO

Fig. 12.61 Circuito para o Programa 3 PSpice.

 Configurações Compostas 405

Fig. 12.62 Saída PSpice para o circuito da Fig. 12.59.

para um beta Darlington de Programa 12.4. Circuito Inversor CMOS

Pv = P1A = (90,9)(89,1) = 8100
Um circuito inversor CMOS é analisado na listagem fornecida
É difícil forçar o modelo do transistor PSpice para casar exa- na Fig. 12.62 (veja também a Fig. 12.63). Um MOSFET intensi-
tamente com o modelo de transistor ideal usado na Fig. 12.12. ficação canal-p, Ml, e um MOSFET intensificação canal-n, M2
Note que os resultados PSpice fornecem estão operando como um circuito inversor CMOS. Com a entra-
da variando de um valor de de O V até um valor de de +5 V, a
VBE, = 0,736 V, VBE, = 0,852 V
tensão de saída calculada é listada pelo programa PSpice. A varia-
enquanto o modelo usado na Fig. 12.12 especifica V8 e(D) = 1,6 ção da tensão de entrada é estabelecida pela linha
V (cerca de 0,736 V+ 0,852 V). .DCVI05 5
a qual varia VI de O a 5 V, seu valor final. A listagem apresenta
Operação ac: Para uma entrada de V;= 100 mV, a saída na
os dados de saída
listagem PSpice é
VI= OV V(2) = 5 V
V0 = V(5) = 9,936E-2 = 99,J6 mV VI=5V V(2) = OV
fornecendo um ganho amplificador de para mostrar que o circuito opera como um inversor lógico, for-
necendo uma tensão de saída oposta.
A = V,, = V (5) = 9,936 X 10-2 = 0, 9936
v V; V(l) 1x10- 1
enquanto os resultados no Exemplo 12.10 fornecemAv = 0,998, PROBLEMAS
que está muito próximo.
§ 12.2 Conexão em Cascata

l. Para o amplificador a JFET em cascata na Fig. 12.64, calcule as

VDD (+5 V)
condições de polarização de para os dois estágios idênticos, usan-
do JEFTs com IDss = 8 mA e Vp = -4,5 V.
2. Para o amplificador a JFET em cascata da Fig. 12.64, usando JFETs
idênticoscom/DSS = 8mAe Vp = -4,5V,calculeoganhodetensãode
cada estágio, o ganho global do amplificador, e a tensão de saída, V0 •
3. Se ambos os JFETs no amplificador em cascata da Fig. 12.64 são
trocados por outros com especificações de IDss = 12 mA e Vp =
-3 V, calcule a polarização de resultante de cada estágio.
4. Se ambos os JFETs no amplificador em cascata da Fig. 12.64 são
trocados por outros com especificações de IDss = 12 mA, Vp = -3
V e y = 25 µ,S, calcule o ganho de tensão resultante de cada está-
0,

gio, o ganho global de tensão, e a tensão de saída, V0 •

5. Para o amplificador em cascata da Fig. 12.64 usando JFETs com es-
pecificações de IDss = 12 mA, Vp = -3 V e y0 ., = 25 µ,S, calcule a
impedância de entrada do circuito (Z;) e a impedância de saída (Z 0 ).

6. Para o amplificador TBJ em cascata da Fig. 12.65, calcule as ten-

Fig. 12.63 Circuito para o programa 4 do PSpice. sões de polarização de e as correntes de coletor para cada estágio.
406 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

+18 V

o,o5µF
0,05µF
V;
20mV

lOM!l lOMn

Fig.12.64 Problemas 1-5, 30-31.

+15 V

24ill

24ill o,5µF
-----, 1-(--- Vº
o,5µF
v. --)1---.-+----1
25~V

6,2 ill

Fig. 12.65 Problemas 6-8, 32.

7. Calcule o ganho de tensão de cada estágio e o ganho de tensão ac *13. Para o circuito amplificador cascode da Fig. 12.67, calcule o ga-
global para o amplificador TBJ em cascata da Fig. 12.65. nho de tensão, Av, e a tensão de saída, V 0•

8. Para o circuito da Fig. 12.65, calcule a impedância de entrada do 14. Calcule a tensão ac através de uma carga de 10-kO conectada na
circuito (Z;) e a impedância de saída (Z.). saída do circuito na Fig. 12.67.
9. Para o amplificador em cascata da Fig. 12.66, calcule as tensões
de polarização de e a corrente de coletor de cada estágio. § 12.4 Conexão Darlington
10. Para o circuito amplificador da Fig. 12.66, calcule o ganho de
tensão de cada estágio e o ganho de tensão global do amplifica- 15. Para o circuito da Fig. 12.68, calcule a tensão de polarização de, VE, ,
dor. e a corrente de emissor, /E .
11. Calcule a impedância de entrada do circuito (Z;) e a impedância de *16. Para o circuito da Fig. 12.68, calcule o ganho de tensão do ampli-
saída (Z0 ) para o amplificador da Fig. 12.66. ficador.

§ 12.3 Conexão Cascode § 12.5 Par Realimentado

12. No circuito amplificador cascode da Fig. 12.67, calcule as tensões 17. Para o circuito com par realimentado da Fig. 12.69, calcule os va-
de polarização de V8 , , V8, e Vc, . lores de polarização de de V8 , , Vc, e (.
..rd.· Configurações Compostas 407
~
+lOV

O,lµF

0,05 µF
V;= ----)1-----1
2mV

lOMQ

Fig. 12.66 Problemas 9-11.

+16 V
+20V

1 µF
7,5 ill 2,4MQ
.__---11-(- - V º

-
50µF 01 1 µF

~ º2 ~ o----,)1t----+---
' 120mV
'
6,2k0
lOµF
V; __11---+----l
lOmV-., .----+-11(------<0 V0
20µF
3,9k0

Fig. 12.67 Problemas 12-14. Fig. 12.68 Problemas 15-16, 33.

*18. Calcule a tensão de saída ac para o circuito da Fig. 12.69. +16 V

§ 12.6 Circuito CMOS

19. Determine quais transistores estão desligados e quais estão liga-

dos no circuito da Fig. 12.70, para uma entrada de:
(a) V1 = OV, V2 = OV.
(b) V1 = +5 V, V2 = +5 V.
(c) vi = o V, V2 = +5 V. V 11----
20. Para o circuito da Fig. 12.70, complete a tabela de tensão abaixo. 120:nv---, /31 = 160
/32 = 200
Vº l,5MO

ov ov
ov +5V
+5V ov
+5V +5V
Fig.12.69 Problemas 17-18
408 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

+SV

Vi------
+
I,Skil 5,1 V
Vi---1----

-12V

Fig.12.73 Problema 23.

+18V

Fig. 12.70 Problemas 19-20, 34.

§ 12. 7 Circuitos de Fontes de Corrente

21. Calcule a corrente através de uma carga de 2-kO no circuito da Fig.

12.71.

+V

Fig. 12.74 Problema 24.

+12V

Fig. 12.71 Problema 21.

22. Para o circuito da Fig. 12.72, calcule a corrente!.

º'

Fig. 12.75 Problema 25.

4,3 kn
§ 12.9 Circuito Amplificador Diferencial

26. Calculé os valores de de l e e Ve para o transistores casados da Fig.

12.76.
27. Calcule os valores de dele e Ve para os transistores casados da Fig.
Fig. 12.72 Problema 22. 12.77.
*28. Calcule V0 no circuito da Fig. 12.78.
*29. Calcule V0 no circuito da Fig. 12.79.
*23. Calcule a corrente l no circuito da Fig. 12. 73.
§ 12.10 Análise por Computador
§ 12.8 Circuitos Espelhos de Corrente
*30. Escreva um programa no PSpice para calcular a tensão de polari-
24. Calcule a corrente refletida l no circuito da Fig. 12.74. zação de do amplificador a JFET em cascata da Fig. 12.64, usando
*25. Calcule as correntes de coletor para Q 1 e Q2 na Fig. 12.75. loss= 12mAeVp= -3V.
 Configurações Compostas 409

+15V +12V

V;=
2mV

4,7k0

-15 V -12 V

Fig. 12.76 Problema 26. Fig. 12.78 Problema 28.

+18 V +12 V

V;=
lOmV

l
-18 V

Fig.12.77 Problema 27.

-12 V
*31. Escreva um programa no PSpice para calcular a tensão de saída,
V0 para o circuito a JFET em cascata da Fig. 12.64, usando lnss = Fig.12.79 Problema 29.
12 mA, Vp = -3 V, ey0 s = 25 µ,S.
*32. Escreva um programa no PSpice para calcular a tensão de saí-
da ac de cada estágio do amplificador a TBJ em cascata da Fig. *34. Escreva um programa no PSpice para listar as tensões de dos se-
12.65. guintes conjuntos de entradas para o circuito CMOS da Fig. 12. 70.
*33. Escreva um programa no PSpice para calcular o ponto de opera- (a) V1 = O V, V2 = O V.
ção do transistor e a tensão de saída ac para o circuito amplificador (b) vi = o V, e V2 = +5 V.
Darlington da Fig. 12.68. (c) V, = +5 V, V2 = +5 V.

*Observação: os asteriscos indicam problemas mais difíceis.


Técnicas de Fabricação
de Circuitos Discretos e
Integrados
13.1 INTRODUÇÃO
As técnicas aplicadas na fabricação de dispositivos semicon-
dutores vêm sendo continuamente revistas, modificadas e
atualizadas. Nos anos mais recentes, a ênfase principal foi
dada na ampliação da relação de rendimento (número de ele-
mentos bons em um lote), expandindo os níveis de automa-
ção (menor necessidade de trabalho manual), e aumentando os
níveis de densidade. A seqüência de passos na fabricação de
unidades discretas (elementos simples) ou circuitos-integrados
Jack St. Clair. Kilby, inventor do circuito integrado eco-inventor da calculadora
eletrônica portátil. (Cortesia da Texas lnstruments, lnc.)
O primeiro circuito integrado, um oscilador de desvio de fase, inventado por Jack
S. Kilby em 1958. (Cortesia da Texas lnstruments, Inc.)
CAPÍTULO
não mudou significativamente. No entanto, a maneira na qual
cada passo é realizado experimentou uma tremenda mudança
na última década.
Este capítulo foi desenvolvido para dar uma idéia geral do ciclo
de produção de unidades discretas e de Cls, introduzindo algu-
mas das mais importantes fases de produção e a terminologia
aplicada. Uma discussão detalhada de apenas um passo desse
ciclo seria assunto para um livro inteiro.
13.2 MATERIAIS SEMICONDUTORES,
Si, Ge e GaAs
O primeiro passo na fabricação de qualquer dispositivo semicon-
dutor é a obtenção de materiais semicondutores, tais como ger-
mânio, silício ou arseneto de gálio, com o nível de pureza dese-
jado. Níveis de impureza de menos que uma parte em um bilhão
(1 em 1.000.000.000) são empregados amiúde na fabricação de
semicondutores hoje em dia.
As matérias-primas são submetidas primeiro a uma série de
reações químicas e a um processo de refinamento de zona para
formar um cristal policristalino com o nível de pureza desejado.
Os átomos de um cristal policristalino estão dispostos aleatoria-
mente, enquanto em um cristal único os átomos estão dispostos
em uma estrutura simétrica, uniforme, entrelaçados geometrica-
mente.
O aparato de refinamento de zona da Fig. 13.1 consiste em
um barco de grafite ou quartzo para contaminação mínima, um
recipiente de quartzo e um conjunto de bobinas de indução de
RF (radiofreqüência). As bobinas ou o barco podem ser movi-
mentados ao longo do comprimento do recipiente de quartzo. O
mesmo resultado seria obtido em qualquer caso, embora tenha-
mos introduzido aqui a abordagem do movimento das bobinas,
uma vez que parece ser o método mais popular. O interior do
recipiente de quartzo é preenchido com gás inerte (pouca ou ne-
nhuma reação química) ou vácuo para reduzir mais ainda a chan-
ce de contaminação. No processo de refinamento de zona, uma
barra de germânio é colocada no barco com as bobinas em uma
 Técnicas de Fabricação de Circuitos Discretos e Integrados 411

Bobinas Recipiente de quartzo

de indução
de aquecimento~ __.,...

Região fundida
Barco de grafite

Silício de alta pureza Bobinas de Lingote de silício (alto nível de pureza)

movimento

Fig. 13.1 Processo de refinamento de zona.

extremidade da barra, como mostrado na Fig. 13.1. O sinal de
radiofreqüência é então aplicado à bobina, a qual induzirá um flu-
xo de carga (correntes de redemoinho) no lingote de silício. A
amplitude dessas correntes é elevada até produzir um aque-
cimento suficiente para fundir aquela região do material se-
micondutor. As impurezas no lingote ficarão em um estado
mais líquido que o material semicondutor circundante. Se as
bobinas de indução da Fig. 13.1 são, agora, movidas lentamen-
te para a direita, para induzir a fusão na região vizinha, as im-
purezas "mais ·fluidas" "seguirão" a região fundida. O resulta-
do final é que uma grande porcentagem das impurezas aparece-
rá à direita do lingote quando as bobinas de indução atingirem
esta extremidade. Esta parte de impurezas pode, então, serre-
tirada fora e o processo inteiro repetido até o nível de pureza
desejado ser atingido.
O próximo passo na seqüência de fabricação é a formação de
um cristal único de germânio ou silício. Isto é conseguido, mais
comumente, usando a técnica de Cwchralski. O aparato empre-
gado na técnica de Czochralski é mostrado na Fig. 13.2a. O ma-
terial policristalino é transformado primeiro para o estado de fu-
são pelas bobinas de indução de RF. Uma "semente" de cristal
único com o nível desejado de impurezas é então imerso no silí-
cio fundido e retirado gradualmente enquanto a haste de reten-
ção da semente é girada lentamente. Quando a "semente" é reti-
rada, uma estrutura entrelaçada de cristal único de silício cresce-
rá sobre a "semente" como demonstrado pelo "tarugo" do lingo-
te na Fig. 13.2b. Os lingotes de cristal único resultantes têm tipi-
camente de 6 a 36 polegadas de comprimento e de 1 a 8 polega-
das de diâmetro. Um lingote e um forno de Czochralski apare-
cem na Fig. 13.2(c).

J
Evacuação após o
preenchimento de argônio

Roda de extração rotativa

t
Janela de visão
~
(b)
o
Cadinho de sílica
Revestimento o
para água Bobinas de aquecimento
refrigerada

Receptáculo de carbono
Silício
fundido Haste do receptáculo

(a) (e)

Fig. 13.2 (a) Forno de Czochralski; (b) ''Tarugo" do lingote; (e) Resfriamento do lingote na frente do forno de Czochralski. (Cortesia de Texas Instruments, Inc.)
412 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
Fundição
Fig. 13.3 Diodo com crescimento de junção.
13.3 DIODOS DISCRETOS
Diodos semicondutores são classificados normalmente em um
dos seguintes tipos: crescimento de junção, liga de fusão, difu-
são ou crescimento epitaxial. Uma breve descrição de cada pro-
cesso é fornecida nos próximos parágrafos.
Crescimento de Junção
Diodos deste tipo são formados durante o processo de extração
do cristal de Czochralski. Impurezas do tipo p e tipo n podem
ser, alternadamente, adicionadas ao material semicondutor fun-
dido, no cadinho, resultando numa junção p-n, conforme indi-
cado na Fig. 13.3, quando o cristal é extraído. Após a lamina-
ção; o dispositivo com uma área relativamente grande pode en-
tão ser cortado num grande número (por vezes, milhares) de
diodos semicondutores de área muito menor. A área grande,
entretanto, introduzirá os efeitos de uma capacitância de junção
indesejada.
Liga de Fusão
O processo de fusão resulta num diodo semicondutor do tipo
junção que também apresenta um alto valor de corrente nominal
e um alto valor de TPI (tensão de pico inversa) máxima. A capa-
citância de junção também é grande, entretanto, devido à grande
área da junção.
A junção p-n é formada colocando, primeiro, uma impureza
tipo p sobre um substrato tipo n e aquecendo os dois, até ocorrer
a liquefação no ponto de encontro dos dois materiais (Fig. 13.4).
Uma liga resultará que, quando resfriada, produzirá uma junção
p-n na região de contato entre o metal e o substrato. As funções
Material
tipo p
) ~ Aqu,dm,nto é aplkado
~\ j /Junção p-n
~-_/- _.,._
/ ( \\"- Substrato tipo n
Fig. 13.4 Diodo pelo processo de liga de fusão.
desempenhadas pelos materiais tipo p e tipo n podem ser
intercambiados.
Difusão
O processo de difusão para formação de diodos semiconduto-
res de junção pode empregar difusão sólida ou gasosa. Este pro-
cesso requer mais tempo que o processo de liga de fusão, mas é
relativamente barato e pode ser controlado com mais precisão.
A difusão é um processo pelo qual uma concentração forte de
partículas se "difunde" para dentro de uma região circundante
de concentração muito menor. A diferença principal entre o pro-
cesso de difusão e a liga de fusão é que não há liquefação no
processo de difusão. Aquecimento é aplicado no processo de
difusão somente para aumentar a atividade dos elementos
envolvidos.
O processo de difusão sólida começa com a "pintura" de uma
impureza receptora sobre um substrato tipo n e aquecendo-os até
as impurezas se difundirem para dentro do substrato para formar
a camada tipo p (Fig. 13.5a).
No processo de difusão gasosa, um material tipo n é submer-
so numa atmosfera gasosa de impurezas receptoras e então aque-
cido (Fig. 13 .5b). As impurezas difundem-se para dentro do subs-
trato para formarem a camada tipo p do diodo semicondutor. As
funções dos materiais tipo p e tipo n podem ser intercambiados
em cada caso. O processo de difusão é o mais utilizado hoje em
dia na fabricação de diodos semicondutores.
Crescimento Epitaxial
O termo epitaxial tem sua origem dos termos gregos epi, que
significa "sobre" e taxis, que significa "arranjo". A base da
lâmina de material n + é conectada a um condutor metálico
como mostrado na Fig. 13.6. O n+ indica um nível de
dopagem muito alta para uma resistência característica reduzi-
Aquecimento é aplicado Aquecimento é aplicado
'--.,~\~); '--.,~\~);
- · "Pintura" ~ ~ · ~ ~ - - , Atmosfera gasosa
a índio contendo partículas
de índio
"Pedaço" de
Índio faltando
1 Processo 1 Processo
t de corte t de corte
(a) (b)
Fig. 13.5 Diodos pelo processo de difusão: (a) difusão sólida; (b) difusão gasosa.

Fig. 13.6 Diodo semicondutor com crescimento epitaxial.
da. Sua finalidade é atuar como uma extensão semicondutora do
condutor e não como o material tipo n da junção p-n. A camada
tipo n deve ser depositada sobre esta camada, como mostrado
na Fig. 13.6, usando um processo de difusão. Esta técnica de
usar uma base n+ dá ao fabricante vantagens significativas
no projeto. O silício tipo p é então aplicado usando a técnica
de difusão, e o conector metálico do anodo adicionado como
indicado na Fig. 13.6.
13.4 FABRICAÇÃO DE TRANSISTOR
A maioria dos métodos usados para fabricar transistores são sim-
plesmente extensões dos métodos usados para fabricar diodos
semicondutores. Os métodos mais freqüentemente empregados
hoje incluem fusão de junção, crescimento de junção e difusão.
A discussão a seguir de cada método será breve, mas os passos
fundamentais incluídos em cada um serão apresentados.
Fusão de Junção
A técnica de fusão de junção é uma extensão do método liga de
fusão para fabricação de diodos semicondutores. Para um tran-
sistor, entretanto, dois pontos da mesma impureza são deposita-
dos sobre cada lado da lâmina semicondutora, que fica com as
impurezas em lados opostos como mostrado na Fig. 13.7. A es-
trutura inteira é então aquecida até ocorrer a fusão e cada ponto
é ligado à base da lâmina, resultando em junções p-n indicadas
na Fig. 13.7, como descrito para diodos semicondutores.
O ponto do coletor e a junção resultante são maiores, para
resistir a altas correntes e à dissipação de potência na junção base-
emissor. Este método não é tão empregado quanto a técnica de
difusão a ser descrita em breve, mas é ainda usado extensivamente
na fabricação de diodos de alta potência.
Fig. 13.7 Transistor com fusão de junção.
Técnicas de Fabricação de Circuitos Discretos e Integrados 413
Crescimento de Junção
A técnica de Czochralski é usada para formar as junções p-n do
transistor de crescimento de junção. O processo, como retratado
na Fig. 13.8, requer que o controle de impurezas e a taxa de reti-
rada sejam tais que assegurem a largura da base apropriada e os
níveis de dopagem dos materiais tipo n e p. Transistores deste
tipo são, em geral, limitados a uma potência nominal menor do
que iw.
Difusão
O método mais empregado hoje em dia para a fabricação de tran-
sistores utiliza a técnica de difusão. O processo básico foi intro-
duzido quando discutiu-se a fabricação de diodos semiconduto-
res. A técnica de difusão é empregada na fabricação de transis-
tores mesa e planar, cada um dos quais podendo ser do tipo di-
fundido ou epitaxial.
No transistor mesa do tipo difusão pnp, o primeiro processo é
uma difusão tipo n dentro de uma lâmina tipo p, como mostrado
na Fig. 13.9, para formar a região da base. Em seguida, o emis-
sor tipo p é difundido ou ligado à base tipo n como mostrado na
figura. Utiliza-se um ataque químico para reduzir a capacitân-
cia da junção do coletor. O termo "mesa" é devido à sua seme-
lhança com esse tipo de formação geográfica (planalto). Como
mencionado anteriormente, a técnica de difusão permite um con-
trole muito rígido dos níveis de dopagem e espessura das várias
regiões.
A maior diferença entre o transistor mesa epitaxial e o tran-
sistor mesa é a adição da camada epitaxial sobre o substrato do
coletor original. O termo epitaxial origina-se das palavras gre-
gas epi - sobre - e taxi - arranjo - , as quais descrevem o
processo envolvido na formação desta camada adicional. O subs-
trato tipo p original (coletor da Fig. 13.10) é colocado num reci-
piente fechado contendo vapor das mesmas impurezas. Através
de um controle de temperatura apropriado, os átomos do vapor
se depositam e se arranjam sobre o substrato original tipo p,
resultando em uma camada epitaxial indicada na Fig. 13.10. Uma
vez estabelecida esta camada, o processo continua, como des-
crito acima para o transistor mesa, para formar as regiões de base
e emissor. O substrato tipo p original terá um alto nível de
dopagem e, correspondentemente, menos resistência que a ca-
mada epitaxial. O resultado é uma conexão de baixa resistência
para o terminal coletor que reduzirá as perdas por dissipação do
transistor.
Os transistores planar e epitaxial planar são fabricados usan-
do dois processos de difusão para formar as regiões de base e
Fig. 13.8 Transistor com crescimento de junção.
414 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
Atmosfera gasosa contendo
impurezas tipo n
Aquecimento é aplicado
(a)
Fig. 13.9 Transistor mesa: (a) processo de difusão; (b) processo de liga de fusão; (c) processo de ataque químico.
E IJ
e desses será introduzido neste capítulo.
Fig. 13.10 Transistor mesa epitaxial.
E 8
e lógicos mais recentes dentro dos equipamentos de processamento.
Fig. 13.11 Transistor planar.
emissor. O transistor planar, como mostrado na Fig. 13.11, tem
superfície plana, a qual contribui para o termo planar. Uma ca-
mada óxida é adicionada, como mostrado na Fig. 13.11, para
eliminar junções expostas, que reduzem substancialmente as
perdas de fuga na superfície (correntes de fuga na superfície em
vez de na junção).
13.5 CIRCUITOS INTEGRADOS
Durante a década passada, o circuito integrado (CD tornou-se um
produto cuja função básica e finalidade passaram a ser de conhe-
cimento da maioria, mesmo de pessoas não-especializadas no
assunto, devido à diversificação e divulgação de seu uso. A ca-
racterística mais notável de um CI é seu tamanho. É, tipicamen-
te, milhares de vezes menor que uma estrutura semicondutora
construída de maneira usual com componentes discretos. Por
exemplo, o circuito integrado mostrado na Fig. 13.12 tem 275.000
transistores em adição a uma variedade de outros elementos,
embora possua apenas 280 X 250 mils ou cerca de i '' por t ''.
O MC68030 é uma unidade microprocessadora que é o coração
E 8
e
(b) (c)
de microcomputadores fabricados por companhias tais como a
Apple, Hewlett Packard, Motorola e outras.
Circuitos integrados são raramente - e se forem - repara-
dos; isto é, se um simples componente dentro de um CI falhar, a
estrutura inteira (circuito completo) é substituída - uma abor-
dagem mais econômica. Há três tipos de Cls disponíveis comer-
cialmente em grande escala hoje. Eles incluem o monolítico, fil-
me fino (ou espesso), e circuitos híbridos integrados. Cada um
Desenvolvimentos Recentes
Embora a seqüência de passos que levam à fabricação de um
circuito integrado não tenha mudado substancialmente durante
a década passada, a maneira na qual cada passo é executado
mudou dramaticamente. Há pouco tempo, o fabricante de Cls
projetava, construía e mantinha o equipamento empregado no
ciclo de produção. Hoje, entretanto, novas indústrias emergiram
e assumiram a responsabilidade de introduzir os avanços tecno-
O resultado é que o fabricante pode se concentrar no projeto, con-
trole de qualidade, melhorar o desempenho e características de
confiabilidade, e ainda na miniaturização. O equipamento dis-
ponível das companhias periféricas possui um alto preço (custos
unitários acima de 1 milhão de dólares não são incomuns), e uma
operação de 24 horas é quase uma necessidade para que seja asse-
gurada uma política econômica válida. No esforço de assegurar uma
operação sem quebra de continuidade, os grandes fabricantes de Cls
têm sua própria equipe de serviços, não dependendo, desta for-
ma, da resposta imediata dos fabricantes de equipamentos.
A automação continua sendo um importante aspecto no ciclo
de produção. Uma grande quantidade de controles por micropro-
cessador introduzidos na forma de "endereçamento por fitas" tem
reduzido significativamente a possibilidade de erro devido à trans-
ferência incorreta de informações para a unidade de processamen-
to. Tem também uma sensibilidade com o processo que está sendo
executado, a qual é indisponível na curva de resposta do ser hu-
mano. Com o objetivo de melhorar o controle do processo, gran-
de parte do ciclo de produção passou a depender de operações
comandadas por computador, com terminais próximos ao equi-
pamento de processamento ou mesmo com o equipamento aco-
plado diretamente ao computador principal. O nível crescente de
automação também reduz a quantidade de "manuseio" e contato
com a lâmina, reduzindo, portanto, o número de fontes de conta-
minação e aumentando o fator de rendimento.

/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
/
=9/i/' //
/
r--"----, /
= l/4" { '
Fig. 13.12 O microprocessador MC68030 e suas dimensões externas reais, (Cortesia Motorola, lnc.)
Uma das áreas de interesse contínuo é o nível de rendimento.
O número médio de unidades "boas" resultantes de uma lâmina
está melhorando, mas ainda se situa no nível de 60 a 80%. En-
tretanto, pode-se imaginar que como a "característica" tamanho
diminui e a densidade aumenta, o nível de rendimento não varia
significativamente, mas o número de componentes produzidos
na mesma área de lâmina está aumentando numa taxa dramáti-
ca. Ou seja, se nós usássemos os procedimentos de melhoria da
produção de hoje nos Cls fabricados há 5 anos o nível de rendi-
mento provavelmente excederia 95%.
Desenvolvimentos da última década resultaram num acolhi-
mento geral pela indústria de que a densidade do CI quase du-
plicará a cada dois anos. Antigamente, as dimensões eram for-
necidas em mils e mils quadrados. Hoje, o mícron ou micrôme-
tro (1/1.000.000 de um metro; ,um) é a medida padrão, com 1
mil = rnbo = 25 ,4 µ,m.
A densidade crescente e os níveis de rendimento melhorados
são devidos a máquinas mais sofisticadas no ciclo de produção,
métodos aperfeiçoados de detectar e corrigir defeitos, níveis mais
altos de limpeza, níveis de pureza elevados dos materiais pro-
cessados, materiais de fabricação melhorados e um número cres-
cente de passos de processamento.
Enquanto as salas classe 100 eram comuns há 5 anos, salas
classe 10 representam o padrão atual da indústria. Uma sala clas-
se 1 é cem vezes mais limpa que um ambiente típico de hospi-
tal. O valor da classe indica o número de partículas de 1 µ,m ou
maiores por pé cúbico. O custo para o estabelecimento deste
ambiente é enorme. Um fluxo laminar contínuo de ar filtrado é
estabelecido entre o chão e o teto para manter o alto nível de
limpeza. O roupão branco, botas e chapéu que aparecem em al-
gumas das fotografias neste capítulo são requeridos em áreas
de produção. O controle é tão rígido que mulheres trabalhando
em muitas dessas áreas não podem usar maquiagem, para eli-
minar qualquer introdução possível de partículas estranhas ao
ambiente.
A água empregada nas operações de enxágüe e limpeza é fil-
trada em 0,2 µ,me tem um nível de resistividade de 18 Mil (re-
corde a discussão sobre resistividade no Cap. 1). É tão livre de
organismos contaminantes que não permite o desenvolvimento
de culturas. Por sua vez, a pureza dos materiais de processamen-
Técnicas de Fabricação de Circuitos Discretos e Integrados 415
to, tais como os químicos, camadas e outros materiais que "to-
cam" a lâmina, melhorou para se adaptar aos níveis elevados de
densidade. A largura das trilhas implementadas pelas técnicas de
fabricação atuais é, tipicamente, de 0,5 µ,m, devendo alcançar
0,35 µ,m em dois ou três anos. Em centros de pesquisa conse-
guem-se valores de 0,25 µ,m ou menos.
O silício foi o suporte-mestre para a indústria desde o seu
nascimento até o ciclo de produção de hoje. Como os níveis
de densidade continuam a aumentar e a largura das trilhas a di-
minuir, talvez haja necessidade de mudar para materiais como
o GaAs (arseneto de gálio), que apresenta um desempenho
melhor.
Devido aos enormes investimentos, é uma necessidade abso-
luta que o processamento do produto seja rigidamente controla-
do através de um forte sistema de gerenciamento. O computador
está agora desempenhando um papel muito importante no for-
necimento dos dados requeridos para tal vigilância contínua do
ciclo de produção. Uma variedade de melhoramentos nos pro-
cessos de fabricação é descrita abaixo à medida que cada passo
de produção é comentado.
13.6 CIRCUITO INTEGRADO
MONOLÍTICO
O termo monolítico origina-se de uma combinação das palavras
gregas manos, significando único, e lithos significando pedra, as
quais, combinadas, representam uma tradução literal, pedra-úni-
ca, ou mais apropriadamente, estrutura de sólido único. Como
este termo sugere, o CI monolítico é construído dentro de uma
lâmina única de material semicondutor. Lâminas tão finas quan-
to 1/1000 polegada(= um quinto da espessura desta página)
podem ser obtidas usando um processo de laminação como mos-
trado na Fig. 13 .13. A porção maior da lâmina atuará simples-
mente como estrutura de suporte para o CI muito fino resultante.
Uma visão global dos estágios envolvidos na fabricação dos Cls
monolíticos é fornecida na Fig. 13.14. A Fig. 13.14 apresenta as
etapas necessárias para se chegar a um produto acabado. A figu-
ra, entretanto, destaca as maiores fases de produção na forma-
ção do CI monolítico.
416 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Lingote de borda plana

Lâmina cravejada
de diamantes

Faca de
corte rotativa
Bloco de
suporte para
o lingote

(a) (b)

Fig. 13.13 Fatiamento do lingote de cristal-único em lâminas. (Cortesia Texas lnstruments, Inc.)

Desde o início da década de 80 constata-se uma preferên-
cia pelos Cls MOS aos Cls bipolares. Embora muitas etapas
de fabricação sejam comuns a ambos, há algumas diferenças-
chaves, principalmente no que se refere à implantação de íons
na maioria das etapas relativas a dopagem. Como indicado
na Fig. 13.14, é necessário inicialmente projetar um circuito
que atenda às especificações. O circuito deve, então, ser ex-
posto a fim de assegurar um uso otimizado do espaço dispo-
nível e um mínimo de dificuldade na realização do processo
de difusão que virá a seguir. O aspecto da máscara e sua fun-
ção na seqüência de estágios indicados serão introduzidos em
breve. Por enquanto basta dizer que a máscara tem o aspecto
de um negativo através do qual as impurezas podem ser di-
fundidas (por meio das áreas claras) dentro da lâmina de si-
lício. O processo de difusão real para cada fase é semelhante
àquele aplicado na fabricação de transistores por difusão. A
última máscara da série controlará a posição do padrão das
interconexões condutoras entre os vários elementos. A lâmi-
na passa então por vários procedimentos de teste, é serrada e
separada em pastilhas (chips) individuais, encapsuladas e
montadas conforme indicado. Uma lâmina de silício proces-
sada aparece na Fig. 13.15. O tamanho de cada pastilha (chip)
determinará, certamente, o número de circuitos individuais re-
sultantes de uma única lâmina. As dimensões de cada chip da
lâmina, na Fig. 13.15, são 25 X 25 mils. Para destacar o tama-
nho desses chips, considere que 40 deles podem ser alinhados
ao longo de um comprimento de 1 polegada. O tamanho médio
relativo dos elementos de um CI monolítico aparece na Fig.

Projeto do circuito

Dielétricos Passivação
intercamadas final

Difusão de Difusão de Difusão Contato Deposição Aplicação

isolação base (etc.) de emissor e inter- entre de
(etc.) conexão camadas passivação
Chip de circuito
indi:id~--0--0

Teste Serragem Montagem e Consolidação Teste

e separação encapsulamento da cápsula final
Fig. 13.14 Fabricação de circuito integrado monolítico. (Cortesia Robert Hibberd.)

Porção de CI de silício processado
Fig. 13.15 Lâmina de CI monolítico processada com as dimensões relativas dos vários elementos. (Cortesia de Robert Hibberd.)
13 .15. Observe a grande área requerida para um resistor de 1 kfl
comparada aos outros elementos indicados.
Um artigo recente apresentou, em porcentagem, os custos
relativos dos vários estágios na produção do CI monolítico com-
parados aos custos na fabricação de transistores discretos. Os
gráficos resultantes aparecem na Fig. 13.16. A fase de processa-
mento inclui todas as etapas que dão origem aos chips da Fig.
13 .15. Observe a diferença de custos para as várias fases de pro-
dução, determinada, na verdade, pelo tamanho e densidade do
chip.
A difusão seletiva requerida na formação dos vários elemen-
tos ativos e passivos de um circuito integrado é conseguida atra-
vés do uso de máscaras tal como a mostrada na Fig. 13 .17. As
áreas claras são as únicas áreas através das quais impurezas do-
adoras e receptoras podem passar. As áreas escuras bloqueiam a
VLSI
LSI
(Unidades (unidades
Transistores menores, maiores,
discretos menos densos) densos)
Fig. 13.16 Classificação de custos para a fabricação de transistores discretos e
dos circuitos integrados em larga escala (LSI) e circuitos integrados em escala
muito larga (VLSI).
Técnicas de Fabricação de Circuitos Discretos e Integrados 417
1 k.Q Resistor
1 5µm
8 µm Diodo
Lâmina de CI
Dimensões
típicas de elemento
difundido
difusão de impurezas, assim como a sombra evita que a luz do
sol modifique a pigmentação da pele.
A seqüência de passos que leva à máscara final é controlada
pela largura dos menores componentes sobre a lâmina. A lito-
grafia por feixe de elétrons em 0,5 µ,m (0,25 µ,m no futuro) é
normalmente empregada na seqüência de produção da máscara.
Antigamente, a confecção de uma máscara necessitava inici-
almente de um desenho em larga escala de todas as camadas. O
trabalho era então transferido para um revestimento claro de
Mylar coberto com plástico vermelho, chamado Rubylith. Cor-
tes muito precisos eram feitos no material vermelho, e seções
eram descascadas para revelar as regiões através das quais adi-
fusão de impurezas poderia ocorrer. O padrão resultante era,
então, fotografado e reduzido em 500 X (500 vezes o tamanho
desejado para produção) numa série de passos, até que a matriz
(retículo) desejada fosse obtida.
Hoje em dia, o mesmo desenho é feito em uma estação de tra-
balho com computador. Os dados são transferidos diretamente
Fig.13.17 Máscara. (Cortesia Motorola, lnc.)
418 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
Fig. 13.18 Sistema de escrita direta por feixe de elétrons.(Cortesia da Perkin-Elmer Corporation.)
para o sistema de feixe de elétrons, usado para estabelecer os
padrões exigidos no retículo. Esta técnica de "escrita direta" uti-
liza um sistema como o mostrado na Fig. 13.18. Ela evita alguns
passos intermediários ao "cortar" o padrão da máscara diretamen-
te da estação de trabalho .. O número reduzido de etapas e a expo-
sição direta da máscara reduz o número de falhas e omissões que
eventualmente surgem no produto final. Para unidades VLSI, o
tempo envolvido desde o projeto inicial até a disponibilidade da
máscara pode estender-se desde alguns dias até um ou dois meses.
13. 7 CICLO DE PRODUÇÃO
Outras prioridades neste livro não permitem que se discuta deta-
lhadamente cada etapa do ciclo de produção, mas algumas fases
importantes serão descritas, dando uma idéia razoável sobre a
seqüência de fabricação dos Cls.
Após ser fatiada do lingote de crescimento, uma lâmina de
silício tipo p é lapidada, polida (Fig. 13.19a) e checada (Fig.
13.19b) para produzir a estrutura da Fig. 13.19c. Um processo
de ataque químico é também aplicado para um amaciamento extra
da superfície e para remover uma camada da lâmina que possa ter
sido danificada durante a seqüência de lapidação e polimento.
Uma região epitaxial tipo n é então acrescida sobre o substra-
to tipo p como mostrado na Fig. 13.20. É depositada de tal modo
que produz uma estrutura de cristal único, com a mesma estrutu-
ra do cristal e orientação que o substrato, mas com um nível de
condutividade diferente. E nesta camada epitaxial fina que os
elementos ativos e passivos serão difundidos. A área tipo p é,
essencialmente, uma estrutura de suporte que acrescenta alguma
espessura à estrutura, para aumentar sua resistência e permitir um
manuseio mais fácil.
O aparato mais freqüentemente empregado no processo de
deposição é o reator cilíndrico de radiação aquecida da Fig. 13 .21.
O receptor (silício coberto com grafite) é uma estrutura com se-
ção transversal hexagonal sobre a qual várias lâminas são colo-
cadas em cada face. Os gases com as impurezas desejadas são
injetados na câmara e exauridos pelo alto. As lâminas são aque-
cidas por lâmpadas de quartzo refrigeradas a água. Retendo as
lâminas numa posição próxima da vertical (apenas a 2,5º da ver-
tical), há menos probabilidade de contaminação da lâmina.
A seguir, a região da estrutura monolítica a ser dopada deve
ser definida. Uma camada de dióxido de silício (Si0 2) é desen-
volvida na superfície da lâmina como mostrado na Fig. 13.22.
Esta camada superficial previne quaisquer impurezas de
adentrarem na camada epitaxial tipo p. Entretanto, o ataque seleti-
vo desta camada de Si02 permite a implantação de íons e difusão
da impureza apropriada nas áreas designadas do material tipo p.
O aparato empregado no processo de oxidação é semelhante
àquele utilizado para estabelecer a camada epitaxial nas lâminas
colocadas num barco (agora feito de quartzo) e inseridas dentro
de um tubo de quartzo. Tipicamente, cerca de 200 lâminas são
introduzidas ao mesmo tempo. Neste caso, entretanto, a resistên-
cia do forno é enrolada em torno do tubo para elevar a tempera-
tura entre 900ºC e l lOOºC. Oxigênio é introduzido no estado seco
ou líquido até a camada de Si02 desejada ser estabelecida. De-
senvolvimentos recentes indicam que a elevação da pressão at-
mosférica no recipiente permite uma redução significativa na
temperatura de processamento. Para cada 1 atm (atmosfera) de
aumento na pressão, há uma redução de 30ºC na temperatura
requerida. Em 1Oatm, a temperatura pode ser reduzida em 300ºC.
Em temperaturas de processamento mais baixas, há, também, uma
melhoria na qualidade do óxido, uma redução nas intensidades
introduzidas, e uma redução ou eliminação de algumas limita-
ções de projeto do dispositivo. O tempo envolvido no processo
de oxidação pode estender-se de poucas horas até 24 horas, de-
pendendo da espessura do óxido e da qualidade desejada.
O ataque seletivo da camada de Si0 2 é conseguido através do
processo fotolitográfico. A lâmina é primeiro coberta com uma
camada fina de material fotossensível, comumente chamado
photoresist, através do sistema que aparece na Fig. 13.23. A apli-
cação do photoresist é inteiramente controlada por computador.
Um pacote de lâminas é depositado dentro do cassete receptor,
mostrado na região esquerda da Fig. 13.23. O equipamento au-
tomaticamente aplica uma fricção de alta pressão, um processo
de desidratação, uma cobertura resistente, e um leve cozimento.
Equipamentos semelhantes então continuam o processo e cozem
mais fortemente as lâminas.

(a)
(b)
Fig.13.19 (a) Estágio de lapidação e polimento da preparação da lâmina; (b) checagem da lâmina com o computador; (c) lâmina de silício tipo p. (Cortesia de Texas
Instruments, Inc.)
O próximo passo é usar uma das máscaras desenvolvidas an-
teriormente para determinar as áreas da camada de Si02 que se-
rão removidas na preparação para o processo de difusão usando
um processo fotolitográfico. Uma luz ultravioleta é aplicada uti-
lizando um sistema de projeção que expõe as regiões do materi-
al fotossensível não cobertas pelo padrão da máscara (Fig. 13. 24).
A lâmina resultante é, então, submetida a uma solução quí-
mica que removerá o material fotossensível não exposto. A se-
ção transversal de um chip (S-S da Fig. 13.24) aparecerá, então,
como indicado na Fig. 13.25. Uma segunda solução ataca a ca-
mada de Si02 nas regiões descobertas pelo material photoresist
(Fig. 13.26).
O material photoresist é então removido (um procedimento
desnecessário se for utilizado o processo de implantação de íons)
e a estrutura é submetida à difusão tipo p ou ao processo de im-
Fig. 13.20 Lâmina de silício tipo p após o processo de difusão epitaxial tipo n.
Técnicas de Fabricação de Circuitos Discretos e Integrados 419
Lâmina de
silício tipo p
(e)
plantação de íons, resultando nas ilhas de regiões tipo n indica-
das na Fig. 13.27. O processo assegura uma região tipo p (indi-
cada por p+) entre as ilhas tipo n. As regiões p+ melhoram o iso-
lamento entre os componentes ativos e passivos a serem forma-
dos nas ilhas tipo n.
O aparato empregado inclui um barco de quartzo e um tubo
(para minimizar a possibilidade de contaminação do ambiente do
processo) que é aquecido por um fio de alta resistência enrolado
em torno do tubo. A operação de difusão normalmente ocorre em
temperaturas próximas a 1200ºC. O sistema, como aparece na Fig.
13.28, é totalmente controlado por microprocessador. Três ou
quatro pessoas podem operar 16 fornalhas; e a operação inteira,
de puxar os barcos para dentro e para fora das fornalhas para
monitorar a temperatura e o nível de dopagem, é controlada por
computador.
Uma alternativa para o processo de difusão a alta temperatu-
ra é a implantação de íons. Um feixe de íons dopantes (do tama-
nho apoximado de um lápis) é direcionado para uma lâmina com
uma velocidade muito alta por um acelerador de íons. Os íons
penetram no material com uma profundidade que pode ser ajus-
tada para menos de O, 1 J..tm. A temperatura de processamento é
baixa, e muitos parâmetros elétricos ficam disponíveis.
O processo de difusão ou de implantação de íons repete-se por
alguns ciclos utilizando um conjunto de máscaras, como o que é
420 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Fluxo laminar Exaustor

Câmera
de ar
1
plana
\ ~)ri-
1 1

~
1

- ·--~
S.md,:g-.t - J
~

~ rr:::

~o-
de1.
gás

" - --
=
i
\. ~ ..

,n
'="
=t F==
~ Caixa de
lâminas

Varredor de
impurezas
Ventilação
principal
{011 ,j .l
o
Câmara de
processamento
1 .
'-,~ 1
~
,__

1 1

(a)

(b) (e)

Fig. 13.21 Reator cilíndrico de radiação aquecida: (a) Esquemático; (b) Posicionamento da lâmina não-contaminada; (c) Controle
externo. (Cortesia Applied Material, Inc.)

Camada de Si01

Região epitaxial tipo 11

Silício tipo p Fig. 13.22 Lâmina da Fig. 13.20 após o depósito da camada
de Si02•
 Técnicas de Fabricação de Circuitos Discretos e Integrados 4 21

Fig. 13.23 Módulo photoresist controlado por microprocessador. (Cortesia Motorola, Inc.)

Luz ultravioleta

Estrutura de silício tipo original

Fig. 13.24 Processo fotolitográfico: aplicação da luz ultravioleta após a máscara estar apropriadamente posicionada; a estrutura pode ser apenas uma das centenas
ou milhares de circuitos de portas NAND formados em uma lâmina simples.

Photoresist
Si02~.J;;;;;;;;~~;J
_ _::,.__ _ _ _/ Si02
njto\1pttlill•,d~••

Estrutura de silício original tipo Esn:utura de silício orlgi•i tipo p

Fig. 13.25 Seção transversal (s-s) do chip da Fig. 13.24 após a remoção do pho- Fig. 13.26 Seção transversal da Fig. 13.25 após a remoção das regiões de Si02
toresist não-exposto. descobertas.

região epitaxial
tipo n

Fig. 13.27 Seção transversal da Fig. 13.26 após o processo de difusão de isolação.
422 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Fig. 13.28 Operação de difusão controlada por microprocessador. (Cortesia Motorola, Inc.)

mostrado na Fig. 13.29, até resultar na estrutura da Fig. 13.30.
Observe que a seção transversal da Fig. 13.30 revela que se trata
de um transistor npn.
Um padrão final de máscara expõe as regiões de cada elemento
nas quais serão implantados os contatos metálicos. A lâmina intei-
ra é então coberta com uma fina camada de alumínio (ouro e outras
ligas para aplicações especiais) que, após reagida de forma apro-
priada, resulta no padrão desejado de interconexões condutoras.
O processo de metalização finalizado aparece na Fig. 13.31.
Os dois métodos mais comumente aplicados para estabelecer
a camada uniforme de material condutivo são a evaporação e a
pulverização.
Um sistema de pulverização automatizado, que emprega uni-
dades robotizadas mostradas na Fig. 13.32, coloca o metal-fonte

Difusão de isolação Difusão de emissor Difusão de base

Fig. 13.29 Máscaras empregadas nos processos de isolação, emissão e difusão de base (ou implantação de íons).

Difusão de emissor
Difusão de base~
rr ! região epitaxial tipo n
silício original tipo
Fig. 13.30 Seção transversal do transistor após os ciclos de difusão de base e
emissor.
(em um potencial extremamente negativo) oposto, mas sem to-
car, a uma placa anódica com um potencial positivo. Um gás iner-
te, como por exemplo o argônio, introduzido entre as placas, li-
bera íons positivos que bombardeiam a placa negativa e pulveri-
zam parte do metal da superfície da fonte. O metal "livre" é en-
tão depositado nas lâminas da superfície do anodo.
No sistema de evaporação, o metal é fundido por bobinas de
aquecimento ou bombardeado por um canhão de elétrons (E-gun)
resultando na evaporação do metal-fonte. O material de metaliza-
ção é então borrifado sobre as lâminas que estão seguras por clips
em um tambor ou estrutura hemisférica como mostra a Fig. 13.33.
Normalmente prefere-se utilizar o método de pulverização ao
método de evaporação porque a cobertura é mais precisa. Há,
portanto, uma camada mais uniforme de deposição sobre junções
abruptas.
O circuito e o layout completo para a porta NAND construí-
do conforme a seqüência acima são mostrados na Fig. 13.34.
Tente associar as trilhas metálicas de interconexão ao circuito
original.
Passivação
Uma camada de Si0 2 depositada sobre a superfície da estrutura
inteira age como uma camada de proteção efetiva para vapores
de água e alguns contaminantes. Entretanto, certos íons de me-
tais podem migrar através da camada de Si02 e perturbar as ca-
racterísticas do dispositivo. No esforço de melhorar o processo
de passivação, uma camada (2000 a 5000 Á) de vidro dopado com
fósforo é aplicada para repelir íons, equilibrar os esforços e re-
duzir o problema de degradação.
Teste
Antes de serrar a lâmina em peças individuais, um teste elétrico
de cada peça é realizado por um sistema de inspeção mostrado
Metalização
Fig. 13.31 Processo de metalização finalizado. (Cortesia Motorola Monitor.)
Técnicas de Fabricação de Circuitos Discretos e Integrados 423
Fig. 13.32 Revestidor de pulverização automatizado. (Cortesia Perkin-Elmer
Corporation.)
na Fig. 13.35. O sistema automaticamente carrega/descarrega as
lâminas usando carrosséis, diminuindo ainda mais a necessida-
de de manuseio no processo. Este processo, como muitos do ci-
clo de produção, é também controlado por computador. Há um
cartão de prova para cada CI que permite não somente rejeitar,
mas categorizar os tipos de falhas (aberto, curto, ganho etc). A
peça ruim é identificada por um ponto vermelho depositado au-
tomaticamente pelo sistema de inspeção.
Encapsulamento
Uma vez finalizados os processos de metalização e teste, a lâmi-
na deve ser separada em chips individuais. Isto é conseguido atra-
vés do processo de serragem. Cada chip individual pode então
ser encapsulado em uma das formas mostradas na Fig. 13.36.
13.8 CIRCUITOS INTEGRADOS DE
FILME FINO E ESPESSO
As características gerais, propriedades e aspecto dos circuitos
integrados de filmes fino e espesso são semelhantes, embora
ambos difiram em muitos aspectos do circuito integrado mono-
lítico. Eles não são formados dentro de uma lâmina de semicon-
dutor, mas sobre a superfície de um substrato de isolação, como
o vidro ou um material cerâmico apropriado. Por sua vez, so-
mente elementos passivos (resistores, capacitores) são formados
através das técnicas de filme fino ou espesso, na superfície de
isolação. Os elementos ativos (transistores, diodos) são adicio-
nados como elementos discretos à superfície da estrutura após
os elementos passivos terem sido formados. Os dispositivos ati-
vos discretos são geralmente produzidos usando o processo mo-
nolítico.
A diferença principal entre as técnicas de filme fino e espes-
so é o processo empregado para formar os componentes passi-
vos e o padrão de condução metálica. O circuito de filme fino
emprega uma técnica de evaporação ou técnica de pulverização
do catodo; o filme espesso emprega técnicas de silk-screen. Ou-
tras prioridades deste livro não permitem uma descrição desses
processos aqui.
Em geral, os componentes passivos de circuitos de filme
podem ser formados com uma ampla faixa de valores e com
4 24 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Placa
de topo--

(a)

(b)

Fig. 13.33 Deposição do metal de interconexão através da evaporação de metal. (Cortesia Motorola, Inc.)
- Técnicas de Fabricação de Circuitos Discretos e Integrados 425

+6,5 V
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J©
-6,5V
Saída
® ® ©
(a) (b)

© ©

(C) - - Indica região de isolação &Nkil Indica metalização

Fig. 13.34 Porta NANO: (a) circuito; (b) layout para a fabricação monolítica; (c) estrutura monolítica.
426 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

tb)

(a) (e)

Fig. 13.35 Teste elétrico das peças individuais, [(a) Estação de teste multiprova, Cortesia Electroglas, Inc.; (b) Inspeção manual, Cortesia Texas Instruments, Inc.;
(c) Contatos multiprova tocam o chip, Cortesia Autonetics, North American Rockwell Corporation.]

Fig. 13.36 Técnicas de encapsulamento mono-

lítico. (Cortesia Motorola, Inc.)
 Técnicas de Fabricação de Circuitos Discretos e Integrados 427

tolerâncias reduzidas quando comparados a Cls monolíticos.

O uso de elementos discretos também aumenta a flexibilida-
de de projeto de circuitos de filme, embora, obviamente, o
circuito resultante seja muito maior. O custo de circuitos de
filme com um grande número de elementos é também, em ge-
ral, consideravelmente maior que o de circuitos integrados mo-
nolíticos.

13.9 CIRCUITOS HÍBRIDOS

INTEGRADOS
O termo circuito híbrido integrado é aplicado para uma ampla
variedade de circuitos integrados multichips e também para aque-
les formados pela combinação de técnicas de filme e CI monolí-
ticos. O circuito integrado multichip emprega a técnica monolítica
ou de filme para formar os vários componentes ou conjunto de
circuitos individuais, os quais são então interconectados sobre um
substrato de isolação e encapsulados no mesmo invólucro. Um Fig. 13.37 Circuitos híbridos integrados. (Cortesia Texas Instruments, Inc.)
circuito integrado deste tipo é mostrado na Fig. 13.37. Em um
tipo mais sofisticado de circuito híbrido integrado, os dispositi-
vos ativos são formados primeiro dentro de urna lâmina semi- para formar os elementos passivos sobre a superfície de Si02•
condutora, a qual é subseqüentemente coberta com uma camada Conexões são feitas do filme para a estrutura monolítica, através
de isolação como Si02• Técnicas de filme são então empregadas de "janelas" cortadas na camada de Si02 •

Amplificadores
Operacionais
14.1 INTRODUÇÃO
Um amplificador operacional, ou amp-op, é um amplificador
diferencial de ganho muito alto com impedância de entrada muito
alta e baixa impedância de saída. Normalmente se utiliza o am-
plificador operacional para que se obtenham variações na tensão
(amplitude e polaridade), para a construção de osciladores, fil-
tros e alguns circuitos de instrumentação. Um amp-op contém
alguns estágios amplificadores diferenciais para produzir um
ganho de tensão muito alto.
A Fig. 14.1 mostra um amp-op básico com duas entradas e
uma saída, uma vez que o estágio de entrada é um estágio de
entrada de amplificador diferencial. Recorde, do Cap. 12, que
Fig. 14.1 Amp-op básico.
V,,
V;
(a)
Fig. 14.2 Operação com terminação única.
CAPÍTULO
1
',--0--
cada entrada resulta numa saída de mesma polaridade (ou fase)
ou numa saída com polaridade (ou fase) oposta, dependendo de
se o sinal está aplicado à entrada ( +) ou à ( - ).
Entrada com Terminação-Única
A operação de entrada com terminação-única ocorre quando o
sinal de entrada é conectado a uma entrada com a outra entrada
conectada à terra. A Fig. 14.2 mostra os sinais conectados para
esta operação. Na Fig. 14.2a, o sinal de entrada é aplicado à en-
trada mais (com a entrada menos aterrada), o que resulta numa
saída com a mesma polaridade do sinal de entrada aplicado. A
Fig. 14.2b mostra um sinal de entrada aplicado à entrada menos,
sendo a saída, portanto, de fase oposta ao sinal aplicado.
Entrada (Diferencial) com Terminação-Dupla
Por sua vez, usando somente uma entrada, é possível aplicar si-
nais a ambas as entradas - isto se chama operação com termi-
nação-dupla. A Fig. 14.3a mostra uma entrada, Va, aplicada nos
dois terminais de entrada (lembre-se que nenhuma entrada está
aterrada), resultando num sinal de saída em fase com o sinal apli-
l
(b)
 -o
(a)
.Fig. 14.3 Operação (diferencial) com terminação-dupla.
cado em ambas as entradas. A Fig. 14.3b mostra uma situação que
produz o mesmo resultado, isto é, quando dois sinais separados são
aplicados às entradas, sendo que a diferença entre eles é V; 1 - V;2 •
Saída com Terminação-Dupla
Até o momento apresentamos as operações do amp-op em que
se produz apenas uma saída; no entanto, o amp-op pode também
fornecer saídas opostas, como mostrado na Fig. 14.4. Um sinal
de entrada aplicado a qualquer entrada resultará em saídas para
ambos os terminais de saída, com polaridades opostas. A Fig. 14.5
mostra uma entrada com terminação-única, com uma saída com
terminação-dupla. Como mostrado, o sinal aplicado à entrada
mais resulta em duas saídas amplificadas de polaridades opos-
tas. A Fig. 14.6 mostra a mesma operação com uma saída única,
medida entre os terminais de saída (não em relação à terra). Esta
saída diferença é V01 - V02 • A saída diferença é também deno-
minada sinal flutuante, uma vez que nenhum dos terminais de saí-
da é o terminal terra (referência). Note que a saída diferença é duas
Fig. 14.4 Saída com terminação-dupla.
Fig. 14.S Saída com terminação-dupla e entrada com terminação-única.
Amplificadores Operacionais 429
l (b)
vezes maior que V01 ou V02 , uma vez que são de polaridades opos-
tas, e, subtraindo-os, resulta em duas vezes sua amplitude [i.e., 10
V - (-10 V) = 20 V]. A Fig. 14.7 mostra a operação entrada
diferencial, saída diferencial. A entrada é aplicada entre os dois
terminais de entrada e a saída tomada entre os dois terminais de
saída. Esta é uma operação completamente diferencial.
Operação Modo-Comum
Quando os mesmos sinais de entrada são aplicados a ambas as
entradas, a operação é denominada operação modo-comum, como
mostrado na Fig. 14.8. Idealmente, as duas entradas são igual-
mente amplificadas e como produzem sinais de polaridades opos-
tas na saída, estes sinais se cancelam, resultando em O V. Na
prática, verifica-se um pequeno sinal na saída.
Rejeição de Modo-Comum
Uma característica importante da conexão diferencial é que os
sinais, quando são opostos nas entradas, são altamente amplifi-
cados, enquanto um sinal comum às entradas é apenas suavemen-
te amplificado - a operação amplifica o sinal diferença enquanto
rejeita o sinal comum às duas entradas. Uma vez que em geral o
ruído (qualquer sinal de entrada não desejado) é comum a ambas
as entradas, a conexão diferencial tende a atenuar esta entrada
indesejada enquanto fornece uma saída amplificada do sinal di-
ferença aplicado às entradas. Esta característica operacional,
denominada rejeição de modo-comum, é discutida na próxima
seção com uma abordagem mais completa.
Fig. 14.6 Saída com terminação-dupla.
430 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

(14.3)

tensão diferença dada pela Eq. (14.1)

tensão comum dada pela Eq. (14.2)
ganho diferencial do amplificador
ganho de modo-comum do amplificador
Fig. 14.7 Operação entrada-diferencial, saída-diferencial.

Entradas de Polaridades Opostas

Se entradas de polaridades opostas aplicadas a um amp-op são
sinais idealmente opostos, Vi 1 = - Vi 2 = Vs, a tensão diferença
resultante é

Eq. (14.1): Vd = V-l1 - V-l2 =V S

Fig. 14.8 Operação modo-comum.
- (-V)=
S
2Vs
enquanto a tensão comum resultante é
Eq. (14.2): Vc = -!(Vil + Vi) = i[Vs + (-Vs)l = O
tal que a tensão de saída resultante é
Eq. (14.3): Vo = AdVd + AYc = Ad(2Vs) + O = 2AdVs
Isso mostra que quando as entradas são sinais idealmente opos-
tos (nenhum elemento comum), a saída é o ganho diferencial
vezes o dobro do sinal de entrada aplicado a uma das entradas.

14.2 OPERAÇÃO DIFERENCIAL E Entradas de Mesma Polaridade

MODO-COMUM
Se entradas de mesma polaridade são aplicadas a um amp-op, Vi 1
Uma das mais importantes características de uma conexão de cir- = Vi2 = Vs a tensão diferença resultante é
cuito diferencial, observada em um amp-op, é a capacidade de o
circuito amplificar consideravelmente sinais opostos nas duas en- Eq. (14.1): Vd = Vi 1 - Vi2 = Vs - Vs =O
tradas, enquanto amplifica suavemente sinais comuns a ambas as enquanto a tensão comum resultante é
entradas. Um amp-op fornece uma componente de saída que é
devida à amplificação da diferença dos sinais aplicados às entra- Eq. (14.2): Vc = -!(Vil + Vi) = -!Ws + Vs) = Vs
das mais e menos e uma componente devida aos sinais comuns a tal que a tensão de saída resultante é
ambas as entradas. Como a amplificação dos sinais de entrada
opostos é muito maior que a dos sinais de entrada comuns, o cir- Eq. (14.3): Vo = AdVd + AcVc = AAO) + AcVs = AYs
cuito fornece uma rejeição de modo-comum, descrita por um Isto mostra que quando as entradas são sinais ideais, em fase
parâmetro chamado razão de rejeição de modo-comum (RRMC). (nenhum sinal diferença), a saída é o ganho de modo-comum
vezes o sinal de entrada, Vs, o qual mostra que somente a opera-
Entradas Diferenciais ção de modo-comum ocorre.

Quando entradas separadas são aplicadas ao amp-op, o sinal di-

ferença resultante é a diferença entre as duas entradas. Rejeição de Modo-Comum

(14.1) As soluções acima fornecem relações que podem ser usadas para
medir Ade Ac em circuitos de amp-ops.
Entradas Comuns 1. Para medir Ad: Faça Vi 1 = -Vi2 = Vs = 0,5 V, tal que
Quando os sinais são iguais, o sinal comum às duas entradas pode Eq. (14.1): Vd = (Vi 1
- Vi) = (0,5 V - (-0,5 V) = 1 V
ser definido como a média aritmética entre os dois sinais, e
Eq. (14.2): Vc = i(Vi 1 +Vi)= i[0,5 V+ (-0,5 V)]=O V
(14.2)
Sob essas condições, a tensão de saída é
Tensão de Saída Eq. (14.3): Vo = AdVd + AYc = Ad(l V)+ Ac(O) = Ad
Como qualquer sinal aplicado a um amp-op tem, em geral, com- Portanto, fazendo as tensões de entrada Vi 1 = -V;2 = 0,5 V
ponentes em fase e fora de fase, a saída resultante pode ser ex- resulta numa tensão de saída numericamente igual ao valor
pressa como deAd.
 Amplificadores Operacionais 4 31

(a)

Vº Vº
=12mV ---=12mV

(b)

Fig. 14.9 Operação diferencial e modo-comum: (a) modo-diferencial; (b) modo-comum.

2. Para medir AC: Faça vil= vi2 = vs = 1 V, tal que Solução

Eq. (14.1): Vd = (V; V;2 ) = (1 V - 1 V) = O V
1 -
Das medidas mostradas na Fig. 14.9a, usando o procedimento no
e
passo 1 acima, obtemos
Eq. (14.2): Vc = !(V;1 + V;2 ) = !(1 V + 1 V) = 1 V V0 8V
Ad=-=--=8000
Sob essas condições, a tensão de saída é vd 1 mV
Eq. (14.3): Vo = AdVd + AcVc = Ad(O V) + Ac(l V)= Ac Das medidas mostradas na Fig. 14.9b, usando o procedimento
Portanto, fazendo as tensões de entrada Vi, = V;1 = 1V resulta no passo 2 acima, obtemos
numa tensão de saída numericamente igual ao valor de Ac. A = V0 = 12 mV = 12
e Vc 1 mV
Razão de Rejeição de Modo-Comum
Usando a Eq. (14.4), o valor de RRMC é
Tendo obtido Ad e Ac (pelo procedimento de medida discutido
acima), podemos, agora, calcular um valor para a razão de rejei- RRMC = Ad = 8000 = 666 7
ção de modo-comum (RRMC), a qual é definida pela seguinte Ac 12 '
equação: o qual também pode ser expresso como
(14.4) Ad
RRMC = 20 log 10 - = 20 log 10 666,7 = 56,48 dB
Ac
O valor de RRMC pode também ser expresso em termos
logaptmicos como
Deve ficar claro que a situação favorável ocorre quando Ad é
muito grande e Ac muito pequeno. Isto é, as componentes do sinal
(dB) (14.5) de polaridades opostas aparecerão muito amplificadas na saída,
enquanto as componentes do sinal que estão em fase se cancelam
em grande parte, de modo que o ganho de modo-comum,Ac, é muito
pequeno. Idealmente, valor da RRMC é infinito. Na prática, quan-
to maior o valor de RRMC, melhor a operação do circuito.
EXEMPLO 14.1 Podemos expressar a tensão de saída em termos do valor de
Calcule aRRMC para os circuitos de medidas mostrados na Fig. 14.9. RRMC como se segue:
432 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Eq. (14.3):
Usando a Eq. (14.4), podemos escrever a equação acima como
(14.6)
Mesmo quando ambas as componentes Vd e Vc do sinal estão
presentes, a Eq. (14.6) mostra que para grandes valores de
RRMC, a tensão de saída será devida principalmente ao sinal
diferença, com a componente de modo-comum enormemente
reduzida ou rejeitada. Alguns exemplos práticos ajudarão a elu-
cidar esta idéia.
14.3 AMP-OPS BÁSICOS
Um amplificador operacional é um amplificador de ganho mui-
to alto com uma impedância de entrada muito alta (tipicamente
alguns megohms) e uma baixa impedância de saída (menor do
que 100 fi). O circuito básico é construído usando-se um ampli-
ficador de diferença com duas entradas (mais e menos) e pelo
menos uma saída. A Fig. 14.10 mostra uma unidade de amp-op
básica. Como discutido anteriormente, a entrada mais ( +) pro-
duz uma saída que está em fase com o sinal aplicado, enquanto
um sinal de entrada menos ( - ) resulta em uma saída com pola-
ridade oposta. O circuito ac equivalente do amp-op é mostrado
na Fig. 14.1 la. Como mostrado, o sinal de entrada aplicado en-
tre os terminais de entrada vê uma impedância de entrada, R;,
tipicamente muito alta. A tensão de saída é mostrada como sen-
do o ganho do amplificador vezes o sinal de entrada, tomado
através de uma impedância de saída, R tipicamente muito bai-
0 ,

EXEMPLO 14.2 xa. Um circuito amp-op ideal, mostrado na Fig. 14.llb, teria
impedância de entrada infinita, impedância de saída zero, e um
Determine a tensão de saída de um amp-op para tensões de en- ganho de tensão infinito.
trada de V; 1 = 150 µV, V;2 = 140 µV. O amplificador tem um
ganho diferencial de Ad = 4000 e o valor de RRMC é: Amp-Op Básico
(a) 100.
(b) 105•
O circuito básico que utiliza um amp-op é mostrado na Fig. 14.12; o
circuito opera como um multiplicador de ganho constante. Um sinal
Solução de entrada, V1, é aplicado através do resistor R 1 à entrada menos. A
saída é então conectada de volta à mesma entrada menos, através do
Eq. (14.1): Vd = V;, - V;2 = (150 - 140) µV= 10 µV
resistor R.t A entrada mais é conectada à terra. Como o sinal V1 é
aplicado exclusivamente à entrada menos, a saída resultante é opos-
Eq. (14.2): V = _!_(V:. + V:.)= 150 µV + 140 µV = ta em fase ao sinal de entrada A Fig. 14.13a mostra o amp-op subs-
e 2 11 '0 2 tituído por seu circuito ac equivalente. Se usamos o circuito amp-op
= 145 µV equivalente ideal, substituindo R; por uma resistência infinita e R0 por
uma resistência nula, o circuito ac equivalente é aquele mostrado na
Fig. 14.13b. O circuito é então redesenhado, como mostrado na Fig.
(a) Eq. (14.6): V0 = AdVd( 1 + - -1 - Vc) 14.13c, do qual a análise de circuito é efetuada.
RRMC Vd
Usando superposição, podemos resolver para a tensão V1 em
= (4000)(10 µV)(l + _1_ 145 µV) termos das componentes devidas a cada uma das fontes. Para a
100 10 µV fonte V1 somente (-Av V; fixado em zero).
= 40 mV(l,145) = 45,8 mV

(b) V 0 = (4.000)(10 µV)( 1 + 1~5 \~ : : ) =

= 40 mV(l,000145) = 40,006 mV

O Exemplo 14.2 mostra que quanto maior o valor de RRMC,

mais próxima a tensão de saída está da diferença das entradas ve-
zes o ga-nho diferencial, com o sinal de modo-comum sendo re-
jeitado. Fig. 14.10 Amp-op básico.

R;

(a) (b)

Fig. 14.11 Ac equivalente do circuito amp-op: (a) prático; (b) ideal.

 .,., .·.. --o
0--·4,·.
Amplificadores Operacionais 433

Resolvendo para V0 IV;, obtemos

V0 = -AvV; = -Av RtVi = _ Rt ~

V; V; V; AvR1 R, V;
de modo que

(14.8)

O resultado, na Eq. (14.8), mostra que a razão de saída para a

Fig. 14.12 Conexão amp-op básica. tensão de entrada depende apenas dos valores dos resistores R 1 e
R1 - desde que Av seja muito grande.

V - R1 V Ganho Unitário
;, - R1 + R1 I

Para - Av V; apenas (Vi fixado em zero), Se RI = R;, o ganho é

R1 - -- -R1
V;, = R1 + R1 (-AvV;) ganho de tensao - -- - 1
R,
A tensão total V; é então assim sendo, o circuito fornece um ganho de tensão unitário com
inversão de fase de 180º. Se Rré exatamente igual a Ri, o ganho
V.= V- + V- = Ri V1 + Ri (-A V-)
1 ,, '2 R1 + R1 R1 + R1 V 1 de tensão é exatamente 1.

a qual pode ser resolvida para V; como

Ganho de Amplitude Constante
R
V-= 1 V1 (14.7)
1
R1+ (1 + Av)R1 Se R1 é múltiplo de Ri, o ganho global do amplificador é uma
constante. Por exemplo, se R1 = IOR,, então
Se Av ~1 e Av R 1 ~ R1 como geralmente ocorre, então
R ganho de tensão = - Ri = -10
V;=~Vi
AvR1 R1

(a)

R1
R0 =0
V1 Vº
R1
V;
R;=oo -A 0 V;

1 (b)
l (c)

Fig.14.13 Operação de amp-op como um multiplicador de ganho constante: (a) circuito ac equivalente do amp-op; (b) circuito equivalente do amp-op ideal; (c)
circuito equivalente redesenhado.
434 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

e o circuito fornece um ganho de tensão de exatamente 10, com

uma inversão de fase de 180º do sinal de entrada. Se selecionar-
mos valores convenientes para R1 e Ri, poderemos obter uma
ampla faixa de ganhos, o ganho sendo tão preciso quanto os
resistores usados, e apenas levemente afetado pela temperatura
e outros fatores do circuito.

Terra Virtual
A tensão de saída é limitada pela fonte de tensão em, tipicamen-
te, alguns volts. Como afirmado antes, os ganhos de tensão são
muito altos. Se, por exemplo, V0 = -1 OV e Av = 20.000, a ten-
são de entrada seria então
y. = -Vª= lOV = 05mV
' Av 20.000 '
Se o circuito tem um ganho global (V/Vi) de, digamos, 1, ova-
lor de Vi seria então 10 V. Comparado a todas as outras tensões
de entrada e saída, o valor de V; é ainda pequeno e pode ser con-
siderado O V.
Note que, embora Vi = OV, não é exatamente OV. (A tensão
de saída é de alguns volts, devido à entrada muito pequena vezes
um ganho Av, muito grande.) O fato de que V; = O V leva a um
conceito de que na entrada do amplificador existe um curto-cir-
cuito virtual ou terra virtual.
O conceito de uma terra virtual implica que, embora a tensão
seja quase OV, não há corrente na entrada do amplificador para
a terra. A Fig. 14.14 descreve o conceito de terra virtual. A linha
grossa é usada para indicar que podemos considerar a existência
de um curto com V; = OV, mas que isto é um curto virtual, uma
vez que nenhuma corrente circula do curto para a terra. A cor-
rente circula somente através dos resistores Ri e R1 como mos-
trado.
Usando o conceito de terra virtual, podemos escrever equa-
ções para a corrente I, como se segue:
V1 Va
]=-= - -
R1 R1
a qual pode ser resolvida para VJVi:
Va = - R1
V1 R1
O conceito de terra virtual, que depende de A,. ser muito grande,
permitiu uma solução simples para a determinação do ganho glo-
bal do sistema. Deve ser entendido que, embora o circuito da Fig.
14.14 seja uma aproximação, esta abordagem facilita na deter-
minação do ganho de tensão global.
R1 R1
_.. ~
I I
Fig. 14.15 Multiplicador inversor de ganho constante.
14.4 CIRCUITOS AMP-OP PRÁTICOS
O amp-op pode ser conectado a uma grande variedade de circui-
tos estabelecendo várias possibilidades operacionais. Nesta se-
ção, abordamos alguns dos circuitos mais comuns.
Amplificador Inversor
O amplificador de ganho constante mais amplamente usado é o
amplificador inversor, mostrado na Fig. 14.15. A saída é obtida
pela multiplicação da entrada por um ganho fixo ou constante,
fixado pelo resistor de entrada (Ri) e o resistor de realimentação
(R1) - esta saída também é invertida em relação à entrada. Usan-
do a Eq. (14.8), podemos escrever
R
V = _.!:Y V
º Ri i
EXEMPLO 14.3
Se o circuito da Fig. 14.15 tem Ri = 100 k.O. e R1 = 500 kO, que
tensão de saída resulta para uma entrada de Vi = 2 V?
Solução
500k0
Eq, (14.8): - k0-(2 V)= -10 V
-100
Amplificador Não-Inversor
A conexão da Fig. 14.16a mostra um circuito com amp-op que
trabalha como um amplificador não-inversor ou multiplicador de
ganho constante. Deve-se observar que a conexão amplificador
inversor é mais amplamente usada porque tem melhor estabili-
dade em freqüência (discutido mais tarde). Para determinar o
ganho de tensão do circuito, podemos usar a representação equi-
valente mostrada na Fig. 14.16b. Note que a tensão através de Ri
é Vi, uma vez que V;= O V. O mesmo vale para a tensão de saí-
da, que pode ser relacionada a V1 através do divisor de tensão entre
Ri e Ri

V1
l V;=OV
I;=O
Vº

o qual resulta em

(14.9)
Fig. 14.14 Terra virtual num amp-op.
 Amplificadores Operacionais 435

-i,.--.....--'-'
..,
Vo ::(1+ R1
Rt)v t

(a) (b)

Fig. 14.16 Multiplicador de ganho constante não-inversor.

EXEMPLO 14.4 Amplificador Somador

Calcule a tensão de saída de um amplificador não-inversor (como Provavelmente, o mais usado dos circuitos amp-ops é o circuito
na Fig. 14.16) para valores de V1 = 2 V, R1 = 500 kO, e R 1 = amplificador somador mostrado na Fig. 14.18a. O circuito mos-
lOOkO. tra um circuito amplificador somador de três entradas, o qual
fornece um meio de somar algebricamente (adicionando) três
Solução tensões, cada uma multiplicada por um fator de ganho constan-
Eq. (14.9): V0 = (1 + ~)v1 = ( 1 + ~: :~)(2 V)= te. Usando a representação equivalente, mostrada na Fig. 14.18b,
a tensão de saída pode ser expressada em termos das entradas
como
= 6(2 V) = + 12 V

Seguidor Unitário
O circuito seguidor-unitário, mostrado da Fig. 14.17a, fornece
um ganho unitário (1) sem inversão de polaridade ou fase. Do
circuito equivalente (veja Fig. 14.17b) é claro que
(14.11)
Em outras palavras, cada entrada adiciona uma tensão à saída,
multiplicada pelo seu correspondente fator de ganho. Se mais
entradas são usadas, cada qual acrescenta uma componente adi-
cional à saída.

(14.10)
e que a saída tem a mesma polaridade e amplitude da entrada. O
circuito opera como um circuito seguidor de emissor ou de fon-
te, exceto que o ganho é exatamente um.
EXEMPLO 14.5
Calcule a tensão de saída de um amplificador somador com amp-
op para os seguintes conjuntos de tensões e resistores (Use R1 =
1 MO em todos os casos.)

V;"'O

l l V1
t 1
(a) (b)

Fig. 14.17 (a) Seguidor unitário; (b) circuito equivalente com terra virtual.
4 36 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

trada e saída pode ser deduzida em função da corrente /, da en-

trada para a saída. Recorde que terra virtual significa que pode-
mos considerar a tensão na junção de R e Xccomo sendo um ter-
ra (uma vez que V; = OV) mas nenhuma corrente flui para a ter-
ra neste ponto. A impedância capacitiva pode ser expressa por
1 1
Xc=--=-
jwC sC
onde s = jw corresponde à notação de Laplace.* Resolvendo para
V/Vi obtemos

(a) I = -V1 = -Vo

-=--Vo
- = -sCV0
R Xc 1/sC
Vo = _=:.!_ (14.12)
sCR Vi
A expressão acima pode ser reescrita no domínio do tempo como

(14.13)

A equação (14.13) mostra que a saída é a integral da entrada,

com uma inversão e um multiplicador de 1/RC. A capacidade de
integrar um dado sinal dá ao computador analógico a possibili-
dade de resolver equações diferenciais e, portanto, resolver ele-
(b)
tricamente operações de sistemas físicos análogos.
Fig.14.18 (a) Amplificador somador; {b) circuito equivalente com terra virtual. A operação de integração é semelhante à de somar, uma vez
que constitui uma soma da área sob a forma de onda ou curva
em um período de tempo. Se uma tensão fixa for aplicada como
entrada para um circuito integrador, a Eq. (14.13) mostra que a
Solução
tensão de saída cresce sobre um período de tempo, fornecendo
uma tensão em forma de rampa. A equação ( 14.13) mostra que a
(a) V.= +1 V, V2 = +2 V, V3 = +3 V, R1 = rampa de tensão de saída (para uma tensão de entrada fixa) é
= 500 kfi, R2 = 1 Mfi, R3 = 1 Mfi. oposta em polaridade à tensão de entrada e é multiplicada pelo
(b) V1 = -2 V, V2 = +3 V, V3 = + 1 V, fator 1/RC. Embora o circuito da Fig. 14.19 possa operar com
R1 = 200 kfi, R2 = 500 kfi, R3 = l Mfi. vários tipos de sinais, os exemplos seguintes usarão uma tensão
de entrada fixa, resultando numa rampa de tensão de saída.
Usando a Eq. (14.11): Como exemplo, considere uma tensão de entrada, V1 = 1 V, para
o circuito integrador da Fig. 14.20a. O fator de escala de 1/RC é
[ 1000 kf! 1000 kf!
(a) Vº =- 500 kf! ( + 1 V) + 1000 kf! ( +2 V) + 1 1
--= =-1
1000 kf! ] RC (1 Mf!)(l µ,F)
1000 kf! ( + 3 V) de modo que a saída é uma rampa de tensão negativa como mos-
trado na Fig. 14.20b. Se o fator de escala é alterado fazendo R =
-[2(1 V) + 1(2 V) + 1(3 V)]= -7 V
100 kf!, por exemplo, então
1000 kf! 1000 kf! 1 1
(b) V0 = - [ 200 kf! (-2 V)+ 500 kf! (+3 V) --= = -10
RC (100 kf!)(l µ,F)
1000 kf! ] e a saída é, então, uma rampa de tensão em declive, como mos-
+ 1000 kf! (+l V)
trado na Fig. 14.20c.
= -[5(-2 V)+ 2(3 V)+ 1(1 V)]= +3 V Mais de uma entrada pode ser aplicada a um integrador, como
mostrado na Fig. 14.21, com a operação resultante dada por

Integrador
vo(t) = -[R:C J v 1(t) dt + R:C Jvi(t) dt +
Até agora, a entrada e os componentes de realimentação eram
resistores. Se o componente de realimentação usado for um
+ R:C f V3(t) dt] (14.14)

capacitor, como mostrado na Fig. 14.19a, a conexão resultante é

chamada de integrador. O circuito equivalente, com terra-virtual *A notação de Laplace permite expressar operações diferenciais e integrais usando o opera-
dors. Leitores não familiarizados com esta teoria devem ignorar os passos que levam à Eq.
(Fig. 14.19b), mostra que uma expressão para a tensão entre en- (14.13) e seguir o significado físico usado daí por diante.
 Amplificadores Operacionais 437

e R

--,....
I

(a) (b) Fig. 14.19 Integrador.

C=lµF

ov\/
(a) \~•-IO)
-IV -IOV

(b) (c)

Fig. 14.20 Operação do integrador com entrada em degrau.

e
'll1 (t) - - - " " " ' ~ -..

(a)
R 1 =200k.Q C=lµF
V1

V2.
Vi
V3
Vº
V2
--Vº

V3

(b) (c)

Fig. 14.21 (a) Circuito integrador somador; (b) valores dos componentes; (c) representação do computador analógico, circuito integrador.
438 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

TENSÃO DE DESEQUILÍBRIO DE ENTRADA, V10

R
As folhas de especificações do fabricante fornecem um valor de
\l1 (t) -1---- V10 para o amp-op. Para determinar o efeito desta tensão de en-
c trada sobre a saída, considere a conexão mostrada na Fig. 14.23.
Usando V0 = AVj, podemos escrever
V0 = AVi = A(V10 - V0 Ri )
Ri+ Rt
Resolvendo para V0 , temos
A A
V = V10 = V10 - - - - - -
Fig. 14.22 Circuito diferenciador. º 1 + A[Ril(R1 + R1)] A[R1f(R1 + R1)]
do qual podemos escrever
Um exemplo de integrador somador usado num computador
analógico é dado na Fig. 14.21. O circuito real é mostrado com
resistores de entrada e capacitor de realimentação, visto que a (14.16)
representação do computador analógico indica apenas o fator de
escala para cada entrada. A equação (14.16) mostra como a tensão de desequihbrio de saída
depende da tensão de desequilíbrio de entrada especificada para
Diferenciador uma conexão típica do amp-op.

Um circuito diferenciador é mostrado na Fig. 14.22. Embora não

seja tão útil quanto os circuitos vistos acima, o diferenciador é EXEMPLO 14.6
muito utilizado, sendo a razão resultante para o circuito Calcule a tensão de desequilíbrio de saída do circuito da Fig.
14.24. As especificações do amp-op lista V10 = 1,2 mV.
(14.15)

onde o fator de escala é -RC.

14.5 ESPECIFICAÇÕES DO AMP-OP -

PARÂMETROS DE
DESEQUILÍBRIO DC
Antes de abordarmos as várias aplicações que utilizam amp-ops, de- +
vemos nos familiarizar com alguns dos parâmetros usados para definir
a operação do componente. Estas especificações incluem caracteósti-
V1o_l
cas de, de transiente e de freqüência, como será visto em seguida.
Rcl
Tensões e Correntes de Desequilíbrio 'li'

Fig. 14.23 Operação mostrando os efeitos da tensão de desequihôrio de entrada, l'io·

Em princípio, a saída do amp-op deve ser de OV quando a entrada
for de OV; no entanto, na prática, verifica-se na saída a existência
de uma tensão de desequihôrio nestas condições. Por exemplo, se 150W
for aplicado OV a ambas as entradas do am-op e verificado 26 mV
(de) na saída, esta tensão seria indesejada e gerada pelo circuito, e
não pelo sinal de entrada. Porém, como o usuário pode conectar o
circuito amplificador para operação com vários ganhos e polari-
dades, o fabricante especifica uma tensão de desequihbrio de en-
trada para o amp-op. A tensão de desequihbrio de saída é então
determinada pela tensão de desequihôrio de entrada e o ganho do
amplificador, conforme a conexão estabelecida pelo usuário.
Pode ser mostrado que a tensão de desequihbrio de saída é afe-
tada por duas condições de circuito independentes: (1) uma ten-
são de desequihbrio de entrada, V10, e (2) uma corrente de dese-
quihôrio devido à diferença nas correntes resultantes nas entradas
mais ( +) e menos ( - ). Fig.14.24 Conexão do amp-op para os Exemplos 14.6 e 14.7.
 Amplificadores Operacionais 439

Solução para uma tensão de desequilíbrio de saída total de

Eq. (14.16): V0 (deseqmºlíbno

. ) = v;ro--~
R1 + Rt Vo( desequihbrio devido a 1; I;B) = l;Rc( 1 + ~)
R1
= (l 2 V)(2 kO + 150 kO) = 9 2 V - !it_
' m 2 kO 1, m - lmR1 Ri (14.17)

Como o objetivo principal é determinar a diferença entre as cor-

rentes de polarização das entradas em vez de cada valor em se-
parado, definimos a corrente de desequilíbrio Im por
TENSÃO DE DESEQUILÍBRIO DE SAÍDA DEVIDA A
+ -
CORRENTE DE DESEQUILÍBRIO DE ENTRADA, 110 /10 = Im - Im
Como a resistência de compensação Rc é, quase sempre, aproxi-
Uma diferença entre as correntes de polarização das entradas taro~
madamente igual ao valor de R 1, usando Rc = R 1 na Eq. (14.17),
bém produz uma tensão de desequilibrio na saída. Como os dois
podemos escrever
transistores de entrada nunca são exatamente iguais, as correntes
de operação serão levemente diferentes. Para uma conexão amp- Vo(deseq!_Jilíbrio) = 1;(R 1 + Ri) - t;Rf
op típica, como a mostrada na Fig. 14.25, uma tensão de desequi-
+ - + -
hbrio de saída pode ser determinada como se segue. Substituindo = l 18 R1 - lmRf = RJCI18 - / 18)
as correntes de polarização através dos resistores de entrada pela
queda de tensão correspondente, como mostrado pela Fig. 14.26, resultando em
podemos determinar a expressão para a tensão de saída resultante.
Usando superposição, a tensão de saída devida às correntes de (14.18)
polarização de entrada fiá, denotada por v,,+, é

v; = I ~Rc( 1 + :~)
1
EXEMPLO 14.7
Calcule a tensão de desequilíbrio do circuito da Fig. 14.24 para
enquanto a tensão de saída devida a apenas Im denotada por v,,- é uma especificação de 1m = 100 nA.

Solução
Eq. (14.18): V0 = lioR1= (100 nA)(lSO kO) = 15 mV

DESEQUILÍBRIO TOTAL DEVIDO A V10 E 110

Como a tensão de saída do amp-op pode apresentar uma tensão de

desequihbrio de saída devido a ambos os fatores vistos acima, a
tensão de desequilíbrio de saída total pode ser expressada como

1V0 (desequilíbri0)I = 1V0 (desequilíbrio devido a V1o)I+

+ IVo(desequilíbrio devido a/1o)I (14.19)
-+--/m
+ O valor absoluto é usado, pois a polaridade da tensão de dese-
quilíbrio pode ser positiva ou negativa.
Fig. 14.25 Conexão do amp-op mostrando as correntes de polarização das entradas.

500W

+ 5W
TjiRc -i
Fig. 14.26 Circuito redesenhado da Fig. 14.25. Fig. 14.27 Circuito com amp-op para o Exemplo 14.8.
440 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

EXEMPLO 14.8 14.6 ESPECIFICAÇÕES DO AMP-OP -

Calcule a tensão de desequihbrio total para o circuito da Fig. 14.27 PARÂMETROS DE FREQÜÊNCIA
para um amp-op com valores especificados de tensão de dese-
quilíbrio de entrada, V10 = 4 m V e corrente de desequilíbrio de Um amp-op ideal é projetado para ser um amplificador de alto ga-
entrada de / 10 = 150 nA. nho, com ampla banda-passante. Esta operação tende a ser instável
(oscilar) devido aos efeitos de realimentação positiva (veja Cap. 18).
Solução Para que seja assegurada uma operação estável, os amp-ops são
construídos com circuitos de compensação interna, que podem re-
O desequihbrio devido a V10 é duzir o ganho de malha aberta com o aumento da freqüência. Esta
redução no ganho é denominada roll-off. Em muitos amp-ops, o roll-
Eq. (14.16): Vo(desequilíbrio devido a V10) = Vxo Ri + Ri = off ocorre numa taxa de 20 dB por década (-20 dB/década) ou 6
R1
dB por oitava (-6 dB/oitava). (O Cap. 11 serve como referência
5 kfi + 500 kfi) para uma discussão inicial sobre dB e resposta em freqüência.)
= (4 mV) ( 5 kfi = 404 mV Note que embora as especificações do amp-op listem o ga-
nho de tensão de malha aberta (Avo), o usuário conecta, normal-
Eq. (14.18); Yo(desequilíbrio devido a/10) = I10 R1 = mente, o amp-op usando resistores de realimentação para redu-
= (150 nA)(SOO kfi) = 75 mV zir o ganho de tensão do circuito a um valor muito menor (ganho
de tensão de malha fechada, Ao.), Obtêm-se vários benefícios
resultando num desequihbrio total como resultado desta redução de ganho. Primeiro, o ganho de
tensão do amplificador é mais estável e preciso, estabelecido por
Eq. (14.19): Vo(desequilíbrio total)= resistores externos; segundo, a impedância de entrada do circui-
= V/desequilíbrio devido a Y10 ) + to assume um valor maior do que a do amp-op isolado; terceiro,
+ Vo(desequilíbrio devido a/10) = a impedância de saída do circuito assume um valor menor do que
= 404mV + 75 mV= 479 mV a do amp-op isolado; e finalmente, a resposta em freqüência do
circuito ocupa uma faixa maior do que a do amp-op isolado.

CORRENTE DE POLARIZAÇÃO DE ENTRADA, Irn Ganho - Banda Passante

Um parâmetro relacionado a / 10 e às correntes de polarização das Devido aos circuitos de compensação interna existentes em um amp-
entradas IiB e I; é a corrente de polarização média definida op, o ganho de tensão cai com o aumento de freqüência. As
como especificações do amp-op fornecem uma descrição do ganho ver-
sus banda passante. A Fig. 14.28 fornece uma curva do ganho ver-
sus freqüência para um amp-op típico. Em baixas freqüências, pró-
(14.20) ximo à operação de, o ganho é dado por Avo (ganho de tensão dife-
rencial) e é tipicamente um valor muito grande. Quando a freqüên-
Poder-se-ia determinar as correntes de polarização das entradas cia do sinal de entrada aumenta, o ganho de malha aberta cai, até
em separado, usando os valores especificados para / 10 e lm, Pode finalmente atingir o valor de 1 (unitário). A freqüência neste valor
ser mostrado que para /~ > Im de ganho é especificada pelo fabricante como banda passante de
ganho unitário, B 1• Embora este valor esteja associado a uma fre-
!+ =I + 110 qüência (veja Fig. 14.28) na qual o ganho toma-se 1, pode ser con-
1B 1B 2 siderada também uma largura de faixa, pois representa a banda de
(14.21)

Avo---
0,107Avo --------
EXEMPLO 14.9
Calcule as correntes de polarização de cada entrada de um amp-
op com valores especificados de / 10 = 5 nA e Im = 30 nA.

Solução

Usando a Eq. (14.21):

+ fio 5 nA
/IB = /IB + 2 = 30 nA + - 2- = 32,5 nA Freqüência
o (escala log)
fc /1
- /10 5 nA
/IB = 118 -
2 = 30 nA - - 2- = 27 ,5 nA L.-----B1---...i1rl

Fig. 14.28 Gráfico de ganho versus frey_üência.

 Amplificadores Operacionais 441

freqüências de O Hz até a freqüência que proporciona um ganho da qual nós temos

unitário. Pode-se, portanto, denominar este ponto de freqüência de
ganho unitário (li) ou banda passante de ganho unitário (B1). !:..V0 !At SR 2 V/µs = 40
Uma outra freqüência de interesse está representada na Fig. 14.28, AcL = AV;!At = AV,-/At 0,5 V/10 µs
em que o ganho cai 3 dB (ou para 0,707 do ganho de, Avo), sendo Um ganho de tensão de malha fechada de amplitude maior que
esta a freqüência de corte do amp-op,.fc. Na realidade, a freqüência 40 fará com que a saída tenha uma taxa de variação maior do que
de ganho unitário e a freqüência de corte estão relacionadas por a taxa de subida. Portanto, o máximo ganho permitido de malha
fechada é 40.
(14.22)

A equação (14.22) mostra que a freqüência de ganho unitário também

pode ser chamada de produto ganho-banda passante do amp-op. Máxima Freqüência do Sinal
A máxima freqüência de sinal em que um amp-op pode operar
depende da banda passante (B) e da taxa de subida (TS). Para
EXEMPLO 14.10 um sinal senoidal da forma
Determine a freqüência de corte de um amp-op com valores es-
pecificados de E,= 1 MHzeAvo = 200V/mV. v0 = K sen(27rft)
pode-se mostrar que a máxima taxa de variação é
Solução
máxima taxa de variação do sinal= 27TfK V/s
Uma vez quefi = B, = 1 MHz, podemos usar aEq. (14.22) para Para evitar distorção na saída, a taxa de variação também deve
calcular ser menor do que a taxa de subida, isto é
!1 1MHz tx10 6 27TfK ~ TS
!e = Avo = 200 V/mV = 200 X 103 = 5 Hz wK ~TS
tal que
Taxa de Subida, TS
Outro parâmetro que reflete a capacidade do amp-op de operar
com sinais variantes é a taxa de subida, definida como (14.24)

taxa de subida= máxima taxa na qual a saída do ampli:fi-

. cador pode variar em volts por micros- Adicionalmente, a máxima freqüência,!, na Eq. (14.24), é tam-
segundo (V/µs) bém limitada pela banda passante de ganho unitário.

comtemµs. (14.23)
EXEMPLO 14.12
Para o sinal e circuito da Fig. 14.29, determine a máxima freqüência
A taxa de subida fornece um parâmetro que especifica a máxima taxa que pode ser usada. (Taxa de subida do amp-op é TS = 0,5 V/µs.)
de variação da tensão de saída quando é aplicado um sinal de grande
amplitude na forma de degrau.* Se for aplicado um sinal de entrada Solução
com uma taxa de variação de tensão maior que a taxa de subida, a
saída não será capaz de variar suficientemente rápido, e não cobrirá Para um ganho de amplitude
a faixa completa esperada, resultando num sinal ceifado ou distorci-
do. De qualquer forma, a saída não será uma versão amplificada do
sinal de entrada se a taxa de subida do amp-op não for respeitada.
-1 1-
AcL- -R1 - 240 kO -24
Ri 10 kO
_

240kQ
EXEMPLO 14.11
Para um amp-op com uma taxa de subida TS = 2 V/µs, qual é o
máximo ganho de tensão de malha fechada que pode ser usado
quando o sinal de entrada varia de 0,5 V em 10 µs?
V; -~/Vv-----<1--
Solução (0,02 V,
(J)= 300 X 103)
Como V0 = AcL V;, podemos usar
AV0 AVi
--s;;-=AcL At

* O ganho de malha fechada é obtido com a saída realimentada à entrada. Fig. 14.29 Circuito com amp-op para o Exemplo 14.12.
442 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos -o

a tensão de saída fornece 741 descrito pelas informações fornecidas na Fig. 14.30represen-
ta um amp-op bipolar típico. O amp-op está disponível em um
K = AcLV; = 24(0,02 V)= 0,48 V
grande número de encapsulamentos, sendo que o encapsulamento
Eq ( 14 24) w :5 TS = O,S V/µ.,S = 11 x 106 rad/s DIP de 8 pinos e o de 10 pinos são os mais usuais.
. . : K 0,48 V '
Uma vez que a freqüência do sinal, w = 300 X 103 rad/s, é me-
nor que o valor máximo determinado acima, não há distorção re- Valores Máximos Nominais
sultante na saída.
Os valores máximos nominais incluem os maiores valores de
tensão que podem ser usados, a máxima oscilação do sinal de
14.7 ESPECIFICAÇÕES DA UNIDADE entrada permitida, e a máxima potência com a qual o dispositi-
vo é capaz de operar. Dependendo da versão do CI utilizada, o
AMP-OP maior valor da fonte de tensão é uma fonte dupla de ± 18 V ou
Nesta seção, discutimos como as especificações do fabricante de- ± 22 V. Por sua vez, um CI pode dissipar internamente de 31 O
vem ser interpretadas para uma unidade de amp-op típica. O CI a 570mW, dependendo da pastilha de Clusada. O Quadro 14.1

ENTRADA
INVERSORA-
SAÍDA
ENTRADA
NÃO-INVERSORA+

valores máximos absolutos para a faixa de operação com temperatura ao ar livre (a menos que mencionado ao contrário)

uA741M uA741C UNIDADE

Fonte de tensão Vcc + (veja Nota 1) 22 18 V

Fonte de tensão Vcc- (veja Nota 1) -22 -18 V

Tensão de entrada diferencial (veja Nota 2) ±30 ±30 V

Tensão de entrada para qualquer entrada (veja Notas 1 e 3) ±15 ±15 V

Tensão entre o terminal de desequilíbrio nulo (Nl/N2) e Vcc- ±0,5 ±0,5 V

Duração do curto-circuito na saída (veja Nota 4) ilimitada ilimitada

Dissipação de potência total contínua em (ou abaixo) temperatura ao ar livre de 25°C (Veja Nota 5) 500 500 mW

Faixa de temperatura de operação ao ar livre -55 a 125 ºª 70 ºC

Faixa de temperatura de armazenagem -65 a 150 -65 a 150 ºC

Temperatura do condutor de 1,6 mm (1/16 polegada) do encapsulamento por 60 segundos Encapsulamento FH, FK, J, JG, ou U 300 300 ºC

Temperatura do condutor de 1,6 mm (1/16 polegada) do encapsulamento por 10 segundos Encapsulamento D, N, ou P 260 ºC

NOTAS: 1. Todos os valores de tensão; a não ser quando dito o contrário, dizem respeito ao ponto médio entre Vcc + e V cc-·
2. Tensões diferenciais são do terminal de entrada não-inversora em relação ao terminal de entrada inversora.
3. A amplitude da tensão de entrada nunca deve exceder a amplitude da fonte de tensão ou 15 volts, o que for menor.
4. A saída pode ser curto-circuitada para a terra ou outra fonte de potência. Para o uA741M apenas, a duração ilimitada do curto-circuito aplica-se em (ou abaixo) 125ºC de
temperatura do encapsulamento ou 75ºC de temperatura ao ar livre.
5. Para uma operação acima de 25ºC ao ar livre, consulte as Curvas de Redução de Capacidade de Dissipação, Seção 2. Nos encapsulamentos J e JG, uA741M as pastilhas
são montadas em liga; uA741C são montadas em vidro.

Fig.14.30 Especificações do amp-op 741.

 -o Amplificadores Operacionais 443

características elétricas específicas para temperatura ao ar livre, V~- = 15V, V~- = -15V
PARÁMETRO CONDIÇÕES DE TESTE uA741M uA741C
UNIDADE
MÍN TÍP MÁX MÍN TÍP MÁX
25ºC 1 5 1 6
V,o Tensão de desequilíbrio de entrada V,=O mV
Faixa Completa 6 7,5

.6.Y101wJi1 Faixa de ajuste da tensão de desequilíbrio V,=O 25ºC :!:15 :!:[5 mV

25ºC 20 200 20 200 nA
I,o Corrente de desequilíbrio de entrada V,=O Faixa Completa 500 300
25ºC 80 500 80 500
nA
!" Corrente de polarização de entrada V,=O Faixa Completa 1.500 800
25ºC :!:12 :!:13 :!:12 :!:13
VLCR Faixa de tensão de entrada em modo comum Faixa Complets :!:12 :!:12 V

RL=lOkO 25ºC :!:12 :!:14 ±12 :!:14

Rc;a:lOkO Faixa Completa :!:12 ±12
VoM Pico de oscilação da tensão de saída 25ºC :!:10 :!:13 :!:10 :!:13 V
RL=2k!l
RLac2k!l Faixa Completa :!:10 :!:10
RLac2k!l 25ºC 50 200 20 200
Vvo J\pl,cação de tensão diferencial para grandes V/mV
smrus V0 =± IOV Faixa Completa 25 15
r, Resistência de entrada 25ºC 0,3 2 0,3 2 M!l
r, Resistência de saída V0 = O 25ºC 75 75 n
VejaNota6
c, Capacitância de entrada 25°C 1,4 IA pF
25ºC 70 90 70 90
RRMC Razão de rejeição de modo-comum V1c = Y1cR"" Faixa Completa 70 70 dB

Vcc=:!: 9V 25ºC 30 150 30 150

Ksvs Sensibilidade da fonte de tensão AV1r)AVçç a± 15V µVN
Faixa Completa 150 150

los Corrente de saída de curto~circuito 25ºC :!:25 :!:40 :!:25 :!:40 mA

Ice Fonte de corrente Sem carga 25ºC 1,7 2,8 1,7 2,8
mA
V0 = 0 3,3 3,3
Faixa Completa

Po Dissipação de total de potência Sem carga 25ºC 50 85 50 85

mW
V0 = O Faixa Completa 100 100

características de operação, Vcc- = lSV, V<."C- = -lSV, TA= lSºC

PARÁMETRO CONDIÇÕES DE TESTE uA741M uA741MI

UNIDADE
MíN TÍP MÁX MíN TfP MÁX
t, Tempo de subida V 1 = 20 mV, RL = 2 k!l 0,3 0,3 µs

Fator de overshoot c, = 1.000 pF. Veja Fig. 1 5% 5%

SR Taxa de subida em ganho unitário V,= IOV,RL=2k!l v,,,_,
0,5 0,5
CL = 1.000 pF. Veja Fig. l

Fig. 14.30 Continuação.

resume alguns valores típicos para uso em exemplos e proble- P= VI

mas.
250 mW = 12 V(/)

tal que cada fonte deve fornecer uma corrente de

QUADRO 14.1 Valores Máximos Absolutos

Fonte de tensão ±22V I = 250 mW = 20 83 mA

Dissipação interna de potência 500mW 12 V '
Tensão de entrada-diferencial ±30V
Tensão de entrada ±15V
Características Elétricas
As características elétricas incluem muitos dos parâmetros men-
EXEMPLO 14.13 cionados anteriormente neste capítulo. O fabricante fornece al-
Determine a corrente drenada de uma fonte de potência de ± 12 gumas combinações de valores típicos, mínimos ou máximos para
V se o CI dissipa 500 m W. vários parâmetros julgados mais úteis para o usuário. Um resu-
mo é fornecido no Quadro 14.2.
Solução
Vm Tensão de desequibôrio de entrada: A tensão de dese-
Se assumirmos que cada fonte fornece metade da potência total quilíbrio de entrada é tipicamente 1 mV, mas pode assumir va-
para o CI, então lores maiores do que 6 mV. A tensão de desequilíbrio de entra-
444 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

QUADRO 14.2 Características Elétricas do µ.A741: Ycc = ± 15 V, TA= 25ºC

Características MÍN TÍP MÁX Unidade

V10 Tensão de desequilíbrio de entrada 1 6 mV

/ 10 Corrente de desequilíbrio de entrada 20 200 nA
/ 18 Corrente de polarização de entrada 80 500 nA
V1c8 Faixa de tensão de entrada de modo-comum ±12 ±13 V
V0M Pico máximo de oscilação da tensão de saída ±12 ±14 V
Avo Amplificação de tensão-diferencial para grandes sinais 20 200 V/mV
r, Resistência de entrada 0,3 2 Mil
rO Resistência de saída 75 (l
e, Capacitância de entrada 1,4 pF
RRMC Razão de rejeição de modo-comum 70 90 dB
Ice Fonte de corrente 1,7 2,8 mA
P O Dissipação total de potência 50 85 mW

da é calculada com base no circuito utilizado. Se a pior condi- pode chegar a 1,7 mA. Este parâmetro ajuda o usuário a deter-
ção possível for a de interesse, o máximo valor deve ser usado. minar o tamanho da fonte de tensão a ser utilizada. Pode
Na prática, costuma-se trabalhar com os valores típicos forne- também ser usado para calcular a potência dissipada pelo CI (Pv
cidos. = 2Vccfcc),
110 Corrente de desequilíbrio de entrada: A corrente de Pv Dissipação total de potência: A potência total dissipada
desequilíbrio de entrada é listada como sendo tipicamente de 20 pelo amp-op é tipicamente de 50 mW, mas pode chegar a 85 mW.
nA, enquanto o maior valor esperado é de 200 nA. Referindo-se ao parâmetro anterior, o amp-op dissipará cerca de
Im Corrente de polarização de entrada: A corrente de pola- 50 mW quando drenando 1,7 mA de uma fonte dupla de 15 V.
rização de entrada é tipicamente 80 nA podendo alcançar 500 nA. Para fontes de tensão menores, a corrente drenada será menor e
V1cR Faixa de tensão de entrada de modo-comum: Este a dissipação total de potência também será reduzida.
parâmetro apresenta a faixa superior em que a tensão de entrada
pode variar (usando uma fonte de ± 15 V), cerca de ± 12 V a± 13
V. Entradas maiores que este valor, em amplitude, provavelmente EXEMPLO 14.14
provocarão uma distorção na saída e devem ser evitadas. Usando as especificações listadas no Quadro 14.2, calcule a ten-
V0M Máxima oscilação de saída: Este parâmetro apresenta são de desequilíbrio de saída típica para a conexão de circuito da
o valor máximo que o sinal de saída pode atingir (usando uma Fig. 14.31.
fonte de ± 15 V). Dependendo do ganho de malha fechada do
circuito, o sinal de entrada deve ser limitado para manter a saída Solução
variando em uma faixa menor do que ± 12 V, no pior caso, ou O desequiHbrio na saída devido a Vm é calculado por
± 14 V, tipicamente.
Avo Amplificação de tensão diferencial para grandes si- . . R1 + RJ
nais: Este é o ganho de tensão de malha aberta do amp-op. O Eq. (14.16): Vo(deseqmlíbno) = Vio Ri =
valor máximo é de 20 V/mV, ou 20.000 VN, e o valor típico é
de 200 V/mV ou 200.000 VN. 12 kO + 360 kO)
r; Resistência de entrada: A resistência de entrada do amp- = (1 mV) ( 12 kO = 31 mV
op, quando medida sob malha aberta, é tipicamente 2 MO, mas
poderia ser tão pequena quanto 0,3 MO ou 300 kO. Num circui- A tensão de saída devida a Im é calculada por
to de malha fechada, esta impedância de entrada pode ser muito
grande, como discutido anteriormente. Eq. (14.18): Vo(desequilíbrio) = I1oRJ = 20 nA(360 kfl)
r 0 Resistência de saída: A resistência de saída do amp-op é, = 7,2mV
tipicamente, de 750. Nenhum valor mínimo ou máximo é dado
pelo fabricante para este amp-op. Novamente, no circuito de Assumindo que estes dois desequilíbrios são de mesma polari-
malha fechada, a impedância de saída pode ser mais baixa, de- dade na saída, a tensão de desequilíbrio total é então
pendendo do ganho do circuito.
C; Capacitância de entrada: Para operações em altas fre- Vo(desequilíbrio) = 31 mV + 7,2 mV = 38,2 mV
qüências, é útil saber que a entrada para o amp-op tem tipicamente
1,4 pF de capacitância. Este valor é considerado pequeno para a
maioria das aplicações.
RRMC Razão de rejeição de modo-comum: O parâmetro EXEMPLO 14.15
do amp-op é tipicamente 90 dB, mas pode chegar a 70 dB. Como Para as características típicas do amp-op 741 (r0 = 250, A =
90 dB equivale a 31.622,78, o amp-op amplifica ruído (entrada 200 k), calcule o seguintes parâmetros para o circuito da Fig.
comum) mais de 30.000 vezes menos do que a diferença das 14.31.
entradas. (a) AcL·
Ice Fonte de corrente: O amp-op drena um total de 2,8 mA, (b) z,.
tipicamente, da fonte dupla de tensão, mas a corrente drenada (c) Z 0 •
 Amplificadores Operacionais 445

3601.dl
QUADRO 14.3 Caracteristicas de Operação: Ycc = :±: 15 V, TA = 2s·c
Parâmetro MÍN TÍP MÁX Unidade
V; --IVV\.r--+--
= 25 mV B, Banda passante de ganho unitário 1. MHz
t, Tempo de subida 0,3 J.LS

Solução
12kn Para um ganho de malha fechada de AcL = - 30 e uma entrada
de V;= 25 mV, o fator de ganho da saída é calculado por

K = AcLVi = 30(25 mV) = 750 mV = 0,750 V

Fig. 14.31 Circuito com amp-op para o Exemplo 14.14.
Usando a Eq. (14.24), a máxima freqüência do sinal,f,náx, é

f,max. -- SR __ 0,5 V/µ,s

----'-- = 106 kHz
Solução 21rK 21r(0,750 V)
Vº= - R1 - 360 k!l 1
(a) Eq. (14.8):
V; R1 12 kfl = -JO ~ /3
(b) Z; = R1 = 12 kO Desempenho do Amp-op
ro
(c) Z - - - - O fabricante fornece um grande número de gráficos para descrever
º - (1 + {3A) o desempenho do amp-op. A Figura 14.32 inclui algumas curvas de
desempenho típicas comparando várias características em função da
fonte de tensão. O ganho de tensão de malha aberta aumenta à me-
dida que aumenta o valor da fonte de tensão. Enquanto as informa-
Características de Operação ções fornecidas anteriormente correspondem a uma fonte de tensão
em particular, as curvas de desempenho abaixo mostram o ganho
Um outro grupo de valores usados para descrever a operação do de tensão para uma faixa de valores de fontes de tensão.
amp-op com sinais variantes é fornecido no Quadro 14.3.

EXEMPLO 14.18
EXEMPLO 14.16 Usando a Fig. 14.32, determine o ganho de tensão de malha aberta
Calcule a freqüência de corte do amp-op cujas características são para uma fonte de tensão com Vcc = ± 12 V.
fornecidas nos Quadros 14.2 e 14.3.
Solução
Solução
/1 B1 1 MHz Da curva na Fig. 14.32, Avo= 104 dB. Este é um ganho de ten-
Eq. (14.22): fc = - = - = = 50 Hz
Avo Avo 20.000 são linear de

Avo (dB) = 20 log 10 Avo

104 dB = 20 log Avo
EXEMPLO 14.17
Calcule a máxima freqüência permitida para o sinal de entrada Avo= antilog 1: - = 158,5 X 103
para o circuito na Fig. 14.31, com uma entrada de Vi= 25 mV.

1ª.
iii' lOM
ê
·o..
S 110 ,§. 100 - 600
...
o
j
/
105
i!l 100 =
~
80 lM 500

..
~
95
o
ll,, 60 -8
-8 400
-~ 300
"O
o 90 -8 40 -~= 100k
.
-ã 85
o
o
.=e
::, 20
1
.5 200·
J' 100
4 8 12 16 8
o 10 15 20 ~ 10k
100 1 k 10k 100k IM 100 1 k 10k 100k 1 M
Fonte de Tensão ( + V cc) Fonte de Tensão ( + V cc) Freqüência (Hz) Freqüência (Hz)

Fig. 14.32 Curvas de desempenho.

446 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos -o

Uma outra curva de desempenho mostra como o consumo de e O), a qual é lElO vezes maior que a tensão na entrada (entre os
potência varia em função da fonte de tensão. Como mostrado, o terminais 2 e 1).
consumo de potência aumenta com valores maiores de fonte de Para um amp-op prático, tal como o 741, as linhas PSpice
tensão. Por exemplo, enquanto a dissipação de potência é cerca seriam como se segue:
de 50 mW com Vcc = ±15 V, ela cai para 5 mW com Vcc =
±5V. Duas outras curvas mostram como as resistências de en- RI 2 1 2E6
trada e saída são afetadas pela freqüência. Como se pode ver, a RO 4 3 75
resistência de entrada cai e a resistência de saída aumenta para
as altas freqüências. EOP 4 O 2 1 200E3
O 741 é, portanto, descrito como tendo
14.8 ANÁLISE POR COMPUTADOR Ri= 2 MO

Um amp-op pode ser modelado usando o PSpice para a imple- R0 = 75 O

mentação de amp-ops inversores, amp-ops não-inversores, amp-
ops somadores e seguidores unitários. Vamos iniciar descreven-
do um modelo de amp-op ideal que pode ser usado no PSpice.
Modelo do Amp-op no PSpice
Um amp-op pode ser descrito no PSpice como um dispositivo
que possui uma impedância de entrada, R;, uma impedância de
saída, R0 , e um ganho de tensão, A.,. A Fig. 14.33 mostra o cir-
cuito com esta abordagem, com terminais identificados como
Terminal 2: entrada não-inversora
Terminal 1: entrada inversora
Terminal 3: saída do amp-op
Terminal 4: terminal interno
Terminal O: referência de terra
Para um amp-op ideal: A impedância de entrada é listada como
RI 2 1 1El2
a qual é essencialmente uma impedância infinita, ou um circuito
aberto. A impedância de saída, R é listada como
0 ,
RO 4 3 lM (R 0 = 0,001 O= 00)
a qual representa essencialmente zero ohm de impedância. O
ganho de tensão do amplificador é dado por
EOP 4 O 2 1 lElO
e Av = 200,000 V/V = 200 VimV
Programa 14.1: Amp-op Inversor
Um amp-op inversor do tipo descrito no Exemplo 14.3 e mostra-
do na Fig. 14.15 é considerado primeiro. Um circuito amp-op in-
versor mostrando terminais numerados de acordo com o amp-op
ideal descrito na Fig. 14.33 é fornecido na Fig. 14.34. A descrição
PSpice é fornecida na listagem do Programa 14.1 (Fig. 14.35). Para
valores de circuito de Vl = 2 V, RF = 500 kO, e Rl = 100 kO,
a saída deveria ser 2 V amplificada por um ganho de
A = _!!t_ = 500 kO
V R1 lOOkO = - 5
tal que V0 = -5(2V) = -lOV. O componente RP é usado para
estabelecer uma conexão do terminal 2 para a terra, permitindo
que os números dos terminais do amp-op fiquem de acordo com
os da Fig. 14.33.
Um item adicional fornecido na análise da saída é a função
de transferência do circuito, dado pela linha PSpice
·TFV(3)Vl
a qual fornece a função transferência para a saída em V(3) devi-
do à tensão de entrada Vl. O resultado mostra um ganho de ten-
são de - 5, uma resistência de saída de 100 mil (a de R 1), e uina
resistência de saída de quase O (devido a R).

o qual é essencialmente um ganho de tensão infinito. A última

linha fornece uma fonte de tensão na saída (entre os terminais 4 500k.Q

•
lili!i,,------vo

Fig. 14.33 Modelo de amp-op ideal para o PSpice.

•
Fig.14.34 Circuito para o Programa 14.1.
o--
Amplificadores Operacionais 447

Fig. 14,35 Saída do PSpice para o Programa 1.

O amp-op usado no Programa 14.1 utilizou a mesma numeração
apresentada na Fig. 14.33. No Programa 14.1, os valores de RI, RO
e EOP correspondem aos valores para um amp-op quase ideal.
PSpice para Windows (Windows Design
Center Analysis)
O circuito da Fig. 14.34 pode ser desenhado no programa para
Windows da MicroSim. A seguir será dada uma breve descrição
dos passos necessários para o desenho do circuito mostrado na
Fig. 14.36.
1. Selecione o item uA741 da biblioteca eval.slb.
2. Selecione o item R da biblioteca analog.slb.
3. Selecione o item VSRC da biblioteca source.slb para a fonte de
(na versão 6.0) ou bateria (usando a versão 6.1 ou posterior).
Entre com um Nome (Vcc) e um Valor ( +20V).
Repita para Vcc = -20V.
4. Selecione o item VSRC da biblioteca source.slb.
Entre com VDC = 2V.
Configure o programa para que sejam mostrados o Nome
e o Valor da fonte.
5. Selecione o item VIEWPOINT da biblioteca special.slb e
posicione na saída.
Execute o programa e verifique a tensão de saída fornecida
em Viewpoint.

R1

100k

Rf 500k

Fig. 14.36 Desenho no PSpice para Windows do circuito com amp-op da Fig. 14.34.
448 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

•
•
500kQ

"='
• Fig. 14.37 Circuito para o Problema 14.2.

Fig. 14.38 Saída do PSpice para o Programa 14.2.

Programa 14.2: Amp-op Não-Inversor Programa 14.3: Circuito Amp-op Somador

Um circuito não-inversortal como o analisado no Exemplo 14.4 Um circuito amp-op somador do tipo analisado no Exemplo 14.5
é mostrado na Fig. 14.37, e descrito na Fig. 14.38. Para a cone- é mostrado na Fig. 14.39. A Fig. 14.40 apresenta a análise PSpice.
xão não-inversora (usando o mesmo amp-op ideal descrito na Fig. A saída é V(3) = 3 V, como esperado, uma vez que o modelo
14.33), o ganho de tensão é amp-op ideal é usado.

R 500 kfi
A = 1+ ~= 1+ = +6 PSpice para Windows (Windows Design
V R1 100 kfi
Center Analysis)
com tensão de saída
O circuito da Fig. 14.39 pode ser desenhado no programa para
V0 = (+6)(2 V)= 12 V Windows da MicroSim. A seguir será dada uma breve descrição
 Amplificadores Operacionais 449

Fig.14.39 Circuito para o Programa 14.3.

Fig. 14.40 Saída PSpice para o Programa 14.3.

dos passos necessários para o desenho do circuito mostrado na Entre com um Nome (Vcc) e um Valor ( +20V).
Fig. 14.41. Repita para Vcc = - 20V.
4. Selecione o item VSRC da biblioteca source.slb.
1. Selecione o item uA741 da biblioteca eval.slb. Entre com Vl = - 2V.
2. Selecione o item R da biblioteca analog.slb. Configure o programa para que sejam mostrados o Nome e o
3. Selecione o item VSRC da biblioteca source.slb para a fonte de Valor da fonte
(na versão 6.0) ou bateria (usando a versão 6.1 ou posterior). Repita para V2 = +3V e V3 = + lV.

vcc
1 +20V

V1
-2v RL
lMEG

Fig.14.41 Desenho no PSpice para

Rf= 1MEG Windows da Fig 14.39.
450 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos -o

.V o

Fig. 14.42 Circuito para o Programa 14.4.

Fig, 14.43 Saída PSpice para o Programa 14.4.

5. Selecione o item VIEWPOINT da biblioteca special.slb e

posicione na saída. PROBLEMAS

Execute o programa e verifique a tensão de saída fornecida § 14.2 Operação Modo-Diferencial e Comum
em Viewpoint.
1. Calcule a RRMC (em dB) dado que foram medidas: Vd = lmV,
V0 = 120mV, e Vc =l mV, V0 = 20 µ.V.
Programa 14.4: Circuito Amp-op Seguidor
2. Determine a tensão de saída de um amp-op para tensões de en-
Unitário trada de V; 1 = 200 µ. V e V;2 = 140 µ. V. O amplificador tem um
ganho diferencial de Ad = 6000 e o valor de RRMC é:
A Fig. 14.42 fornece o circuito de um amp-op conectado como (a) 200.
seguidor unitário. Para uma entrada de Vl = 2 V, a saída (veja (b) 105•
listagem na Fig. 14.43) é V(3) = 2 V, o mesmo valor da entrada.
Um cálculo da função de transferência estabelece que o ganho § 14.4. Circuitos Amp-op Práticos
de tensão do circuito é
3. Qual é a tensão de saída no circuito da Fig. 14.44?

4. Qual é a faixa de ajustes de ganho de tensão no circuito da Fig.

14.45?
a impedância de entrada vista pela fonte V1 é 1E20, essencial-
mente infinita, e a impedância de saída no terminal 3 é IE-13, 5. Que tensão de entrada produz uma saída de 2 V no circuito da
essencialmente zero. Fig. 14.46?
 Amplificadores Operacionais 451

Fig. 14.44 Problemas 3, 25. Fig. 14.45 Problema 4.

1 Mí.l

Fig. 14.46 Problema 5.

6. Qual é a faixa das tensões de saída no circuito da Fig. 14.47 se a 8. Que entrada deve ser aplicada na Fig. 14.48 para resultar numa
entrada pode variar de O, 1 a 0,5 V? saída de 2,4 V?
7. Que tensão de saída resulta no circuito da Fig. 14.48 para uma 9. Que faixa de tensão de saída é produzida no circuito da Fig. 14.49?
entrada de V, = -0.3 V? 10. Calcule a tensão de saída produzida pelo circuito da Fig. 14.50
para RI = 330 kO.
200 kí.l 11. Calcule a tensão de saída do circuito na Fig. 14.50 para RI= 68 kO.
12. Esboce a forma de onda de saída resultante na Fig. 14.51.
13. Que tensão de saída resulta no circuito da Fig. 14.52 para Vi =
+0,5V?
v, 14. Calcule a tensão de saída para o circuito da Fig. 14.53.
(0,1 a 0,5 V)
15. Calcule as tensões de saída V2 e V3 no circuito da Fig. 14.54.

-----v"

V1 = 0,5 V - - - -

Fig. 14.47 Problema 6.

200kQ
10 kí.l

360kí.l
IOkQ

Fig. 14.48 Problemas 7-8, 26. Fig. 14.49 Problema 9.

 452 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

O,lµF
33 kO
V 1 = +0,2 V --V'-rv---,

V 1=+1,5 V '
_/j.,___~~---+---

Fig.14.50 Problemas 10-11, 27. Fig. 14.51 Problema 12.

Fig. 14.52 Problema 13.

Fig.14.53 Problemas 14, 28.

200k0

IOkO

Fig.14.54 Problema 15.

 Amplificadores Operacionais 453

16. Calcule a tensão de saída, V0 , no circuito da Fig. 14.55.

Vi =0,1 V------- lOOkO

20k0

400k0

Fig. 14.55 Problemas 16, 29.

17. Calcule V0 no circuito da Fig. 14.56.

600k0 300k0

15k0
+25 mV - - - - - ~ - ~ - -

30k0

30kfl
-20 mV - - - - - - " ' " '_ ___.

15k0

Fig.14.56 Problema 17.

§ 14.5 Especificações do Amp-op- Parâmetros de § 14.6 Especificações do Amp-op- Parâmetros de

Desequilíbrio DC
*18. Calcule a tensão de desequilíbrio total para o circuito da Fig. 14.57
para um amp-op com valores especificados de tensão de dese-
quilíbrio de entrada, VIO = 6 m V e corrente de desequihbrio de
entrada / 10 = 120 nA.
*19. Calcule a corrente de polarização em cada terminal de entrada de
um arnp-op com valores especificados de Ir.o = 4 nA e lm = 20 nA.
Freqüência
20. Determine a freqüência de corte de um amp-op com valores es-
=
pecificados de B 1 800 kHz e A,d 150 V/mV. =
*21. Para um amp-op com uma taxa de subida de TS 2,4 V/µs, qual =
é o máximo ganho de tensão de malha fechada que pode ser usado
quando o sinal de entrada varia de 0,3 V em 10 µs?
Observação: Os asteriscos indicam problemas mais ciificeis.
454 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
200ldl
Fig.14.57 Problemas 18, 22, 23, 24.
*22. Para uma entrada de V1 = 50 mV no circuito da Fig. 14.57, de-
termine a máxima freqüência que pode ser usada. A taxa de su-
bida do amp-op é TS = 0,4 V/µs.
*Observação: Os asteriscos indicam problemas mais difíceis.
23. Usando as especificações listadas no Quadro 14.2, calcule a tensão de
desequihbrio típica para a conexão utilizada no circuito da Fig. 14.57.
*24. Para as características típicas do amp-op 741, calcule os seguin-
tes parâmetros para o circuito da Fig. 14.57.
(a) AcL'
(b) Z;,
(c) Z0 •
§ 14.8 Análise por Computador
*25. Escreva um programa no PSpice para determinar a tensão de saída
no circuito da Fig. 14.44.
*26. Escreva um programa no PSpice para determinar a tensão de saída
no circuito da Fig. 14.48 para a entrada Vi= 0,5 V.
*27. Escreva um programa no PSpice para determinar a tensão de saída
no circuito da Fig. 14.50 para R1 = 68 k!l.
*28. Escreva um programa no PSpice para determinar a tensão de saída
no circuito da Fig. 14.53.
*29. Escreva um programa no PSpice para determinar a tensão de saída
no circuito da Fig. 14.55.
*30. Analise o circuito da Fig. 14.50 utilizando o PSpice para Windows.
*31. Analise o circuito da Fig. 14.53 utilizando o PSpice para Windows.
 CAPÍTULO

Aplicações do
AMP-OP 15
200kQ
15.1 MULTIPLICADOR DE GANHO
CONSTANTE
Um dos circuitos com arnp-op mais comuns é o multiplicador in-
versor de ganho constante, que fornece um ganho (amplificação)
preciso. A Fig. 15.1 mostra a configuração-padrão, com o ganho V1
resultante sendo dado por 80µV

(15.1)

· Fig. 15.2 Circuito para o Exemplo 15.1. .

A tensão de saída é, portanto,

V =AV;= -100(2,5mV) = -250mV = -0,25V

0

O circuito da Fig. 15.3 age como um multiplicador não-inver-

sor de ganho constante, sendo o ganho dado por

Rc (15.2)

Fig. 15.1 Amplificador com ganho fixo.

EXEMPLO 15.1
Determine a tensão de saída para o circuito da Fig. 15.2, com uma
entrada senoidal de 2,5 m V.

Solução
l V,,.

O circuito da Fig. 15.2 utiliza um amp-op 741 para proporcionar

um ganho fixo ou constante, calculado da Eq. (15.1) como sendo

A= _!i._ = _ 200 kO = -lOO

R1 2 kO Fig. 15.3 Ampfüicador não-inversor com ganho fixo.
456 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

EXEMPLO 15.2 EXEMPLO 15.3

Calcule a tensão de saída do circuito da Fig. 15.4, para uma en- Calcule a tensão de saída do circuito da Fig. 15 .5 para os seguin-
trada de 120 µV. tes valores de resistores: R1 = 470 kO, R 1 = 4,3 kO., R2 = 33 kO.
e R3 = 33 kO., para uma entrada de 80 µV.

240kQ Solução

O ganho do amplificador é calculado como sendo igual a

A= AiA2A3 = (1 + ~)(-i)(-~)
= (1+ :~~ =~)(- ~30:::) ( - ~30:::)

= (110,3)(-14,2)(-14,2) = 22,2 X 103

tal que V0 = A V;= 22,2 X 103(80 µ V) = 1,78 V
Fig. 15.4 Circuito para o Exemplo 15.4.
EXEMPLO 15.4
Mostre a conexão de um LM 124 quad amp-op atuando como um
Solução amplificador de três estágios com ganhos de+ 10, -18 e -27.
Utilize um resistor de realimentação de 270 kO. para todos os três
O ganho do circuito com amp-op é calculado empregando-se a circuitos. Que tensão de saída resultará de uma entrada de 150
Eq. (15.2) µV?

A = 1+ !:i... = 1 + 240 kO = 1 + 100 = 101 Solução

R1 2,4 kO
A tensão de saída é, portanto, Para o ganho de + 10:

V0 =Al7i= 101 (120µV) = 12,12mV R

Ai= 1 +~= +10
Ri

Ganhos com Múltiplos Estágios Ri= 10 - 1 = 9

Ri
Quando vários estágios são conectados em série, o ganho total é
o produto dos ganhos de cada estágio. A Fig. 15.5 mostra uma
Ri = &= 270 kO = 30 kO.
9 9
conexão de três estágios. O primeiro estágio proporciona um
Para o ganho de -18:
ganho não-invertido dado pela Eq. (15.2). Os próximos dois está-
gios fornecem um ganho invertido dado pela Eq. (15.1). O ganho
total do circuito é, portanto, não invertido e calculado por
A2 = _!:i... = -18
R2
A= A 1A:iA3
R = .!!J... = 270 kO. = 15 kO.
ondeA 1 = 1 + R,IR1,A2 = -R/R2, eA 3 = -R,IR3• 2 18 18

Fig. lS.S Conexão de ganho constante com múltiplos estágios.

 Aplicações do AMP-OP 457

®
111>-~'--V,.

Fig. 15.6 Circuito para o Exemplo 15.4 (utilizando o LM124).

Para o ganho de -27: 500kll

A3 = - Ri= -27
R3
R = R1 = 270k0 = lOkO v,,.
3 27 27 (=-lOV;)

O circuito mostrando as conexões dos pinos e todos os compo-

nentes utilizados está na Fig. 15.6. Para uma entrada de V1 = 150
µV, a tensão de saída será
·500 k.Q
V = A 1A:zA3V1 = (10)(-18)(-27)(150 µV) = 4860(150 µV)
0

= 0,729V

Vários estágios de amp-op também podem ser utilizados para v,.2

V;
proporcionar diferentes ganhos, como demonstrado no próximo (=-20 V;)
exemplo.

EXEMPLO 15.5 500k.Q

Mostre a conexão de três estágios de amp-op, utilizando um CI
LM348, que forneça saídas que são 1O, 20 e 50 vezes maiores do
que a entrada. Utilize um resistor de realimentação (R1) de 500
kO em todos os estágios.
V"·'
Solução (=-50V;)
®
O resistor para cada estágio é calculado da seguinte maneira:
R 500k0 = 50 kO
R1 = -~ =
A1 -10 Fig. 15.7 Circuito para o Exemplo 15.5 (utilizando o LM348).

R2 = _!!I_ = 500k0 = 25 kO
A2 -20

R3 = _!!I_ = 500 kO = 10 kO 15.2 SOMA DE TENSÕES

A3 -50
O circuito resultante é desenhado na Fig. 15.7. Outra aplicação bastante popular para o amp-op é o amplifica-
dor somador. A Fig. 15.8 mostra a saída como sendo a soma das
458 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

= - [10(50 mV)sen(lOOOt) + 33(10 mV)sen(3000t)]

= - [0,5 sen(lOOOt) + 0,33 sen(3000t)]

Subtração de Tensão
Dois sinais podem ser subtraídos um do outro de várias maneiras. A
Fig. 15.10 mostra dois estágios com amp-op empregados para realizar
a subtração de dois sinais nas entradas. A saída resultante é dada por

Fig. 15.8 Amplificador somador.

três entradas, cada uma multiplicada por um fator diferente. A

tensão de saída é
(15.4)

(15.3)

EXEMPLO 15. 7
Determine a tensão de saída para o circuito da Fig. 15.10, com
EXEMPLO 15.6 os componentes R1 = 1 Mfi, R 1 = 100 kfi, R 2 = 50 kfi, e R3 =
Calcule a tensão de saída para o circuito da Fig. 15.9. As entra- 500kfi.
das são V1 = 50 mV sen(lOOOt) e V1 = 10 mV sen(3000t).
Solução
330k!l
A tensão de saída é calculada por

( 1 Mfi 1 Mfi 1 Mfi )

Vº= - 50kfi V2 - 500kfi lOOkfi Vi

= -(20V2 - 20V1) = -20(V2 - V1)

A saída é vista como sendo a diferença entre V2 e V1, e multipli-
cada por um fator igual a 20.

Fig. 15.9 Circuito para o Exemplo 15.6. Outro tipo de conexão que fornece a diferença entre dois si-
nais está mostrada na Fig. 15.11. Esta conexão só utiliza um es-
Solução tágio de amp-op. Utilizando superposição, pode-se provar que a
saída é dada por
A tensão de saída é

(15.5)

Fig. 15.10 Circuito para subtrair dois sinais.

 Aplicações do AMP-OP 459

Fig. IS.13 Amplificador (buffer) de ganho unitário.

acoplada através de uma saída não (ou pouco) interfere na outra sa-
ída. Em resumo, as saídas são bufferizadas ou isoladas uma da outra.
Fig, IS.11 Circuito de subtração.

EXEMPLO 15.8
Determine a tensão de saída para o circuito da Fig. 15.12.
lOOkO

Fig. IS.14 Emprego do amplificador buffer para fornecer os sinais de saída.

Fig. IS.12 Circuito para o Exemplo 15.8.

Solução
EXEMPLO 15.9
A tensão de saída resultante pode ser expressa por Mostre a conexão de um 741 para que atue como um circuito de
ganho unitário.
( 20 kO )( 100 kO + 100 kO)
Vº = 20 kO + 20 kO 100 kO Vi Solução
lOOkO
A conexão é mostrada na Fig. 15.15.
- lOOkO V2

A tensão de saída resultante é a diferença entre as duas tensões

de entrada.

15.3 BUFFER DE TENSÃO

Um circuito de buffer fornece um meio de isolar o sinal de entrada
de uma carga, por meio de um estágio de ganho unitário, sem inver-
são de fase ou polarização, agindo como um circuito ideal de impe- -Vcc
dância de entrada muito alta, e baixa impedância de saída. A Fig. Fig. IS.IS Conexão para o Exemplo 15.9.
15.13 mostra um amp-op conectado de forma a proporcionar a ope-
ração de buffer citada A tensão de saída é determinada por

(15.6) 15.4 FONTES CONTROLADAS

A Fig. 15.14 mostra como um sinal de entrada pode ser apresentado Amplificadores operacionais podem ser empregados para formar
em duas saídas separadas. A vantagem desta conexão é que a carga vários tipos de fontes controladas. Uma tensão de entrada pode
460 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

ser utilizada para controlar uma tensão ou corrente de saída, ou enquanto que a da Fig. 15 .17b resulta em
uma corrente de entrada pode ser usada para controlar uma ten-
são ou corrente de saída. Estes circuitos são úteis em vários dis-
positivos de instrumentação. Uma configuração para cada tipo (15.8)
de fonte controlada é apresentada a seguir.

Fonte de Tensão Controlada a Tensão

Fonte de Corrente Controlada a Tensão
A configuração ideal de uma fonte controlada, cuja saída V0 é
controlada por uma tensão de entrada V1, é mostrada na Fig. 15.16. A configuração ideal do circuito que gera uma corrente de sa-
A tensão de saída é considerada dependente da tensão de entra- ída controlada por uma tensão de entrada é apresentada na Fig.
da (vezes um fator de escala k). Este tipo de circuito pode ser 15.18. A corrente de saída depende da tensão de entrada. O
construído utilizando-se um amp-op, como mostra a Fig. 15.17. circuito na
As duas versões do circuito são mostradas, uma usando a entra-
da inversora, a outra a entrada não-inversora. Para a conexão da
Fig. 15.17a, a tensão de saída é

+
(15.7)

+ +
Fig. 15.18 Fonte de corrente controlada a tensão.
V,,

prática pode ser construído, como na Fig. 15.19, com a corrente

de saída através do resistor de carga RL controlada pela tensão de
entrada Vi. A corrente através do resistor de carga RL pode ser
Fig. 15.16 Fonte de tensão controlada a tensão. determinada de

(15.9)
R1

Vi

Vº

V0 =(- ~)vi
1

(a)

R1
Fig. 15.19 Fonte de corrente controlada a tensão na prática.

Fonte de Tensão Controlada a Corrente

A configuração ideal de uma fonte de tensão controlada por uma
corrente na entrada é mostrada na Fig. 15.20. A tensão de saída
depende da corrente de entrada. O circuito, na prática, é cons-
truído utilizando-se um amp-op, como mostrado na Fig. 15.21.
A tensão de saída é, portanto,
(b)
(15.10)
Fig. 15.17 Fonte de tensão controlada a tensão na prática.
 Aplicações do AMP-OP 461

+ (15.11)

EXEMPLO 15.10
(a) Para o circuito da Fig. 15.24a, calcule IL.
1 1 (b) Para o circuito da Fig. 15.24b, calcule V0 •
Fig. 15.20 Fonte de tensão controlada a corrente.

Fig. 15.21 Fonte de tensão controlada a corrente na prática.

(a)

Fonte de Corrente Controlada a Corrente

A configuração ideal do circuito que gera uma corrente de saída
dependente de uma corrente de entrada está mostrada na Fig.
15.22. Neste tipo de circuito, a corrente de saída depende da cor-
rente de entrada. Na prática, este circuito é construído como
mostra a Fig. 15.23. A corrente de entrada / 1 resulta na corrente
de saída / 0 da seguinte forma

(b)

Fig. 15.24 Circuitos para o Exemplo 15.10.

Solução
Fig. 15.22 Fonte de corrente controlada a corrente.
(a) Para o circuito da Fig. 15.24a,
Vi 8V
R2 RL h=-=--=4mA
Ri 2 kO
~ ~
lo (b) Para o circuito da Fig. 15.24b,
12 l1t R1
V0 = -IiRi = -(10 mA)(2 kO) = -20 V
~
11
15.5 CIRCUITOS PARA
INSTRUMENTAÇÃO
O amp-op é muito empregado em circuitos de instrumentação,
tais como voltímetros de ou ac. Alguns circuitos típicos demons-
Fig. 15.23 Fonte de corrente controlada a corrente na prática. trarão como os amp-ops podem ser utilizados.
462 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

V+

100 kll

Deflexão do medidor
para escala de mA

lOOkQ

Fig. 15.25 Milivoltímetro de com amp-op.

Milivoltímetro DC 10 1 (200 kO.)( 1 ) 1 mA

1
Vi = 100 k!l 10 O = 5 mV
A Fig. 15.25 mostra um amp-op 741 sendo empregado como
amplificador em um milivoltímetro de. O amplificador fornece mostrando que o medidor agora lê 5 mV, a escala toda. Deve-
uma medida com uma impedância de entrada alta e fatores de mos lembrar que para montar um milivoltímetro deste tipo, te-
escala dependentes apenas do valor do resistor e da precisão mos que ter disponível um amp-op, alguns resistores, diodos,
desejada. Observe que a leitura no medidor representa um sinal capacitores e um dispositivo para deflexão.
de milivolts no circuito de entrada. Uma análise do circuito che-
ga à seguinte função de transferência
Milivoltímetro AC
~1-.!!i_(_l
1
Vi R Rs1
)- (100 k!l)(-1) - 1 mA
100 k!l 10 O 10 mV Outro exemplo de um circuito para instrumentação é o
milivoltímetro ac mostrado na Fig. 15.26. A função de transfe-
Portanto, uma entrada de 1O mV resulta em uma corrente atra- rência do circuito é
vés do medidor de 1 mA. Se a entrada for de 5 mV, a corrente
através do medidor será de 0,5 mA, que representa uma defle-
xão de meia escala. Fazendo Rf igual a 200 kO, por exemplo,
resultaria em um fator de escala do circuito de
1Vlo 1- .&(
1
1 ) _ (100 kO)( 1 )
R Rs . 1 100 kO. 10 O.
_ 1 mA
10 mV

Deflexão do medidor
para escala de mA
IµF

Fig. 15.26 Milivoltímetro ac com amp-op.

 Aplicações do AMP-OP 463

V+(5V)

V+(5V)

® ®
CD~ ..
~ 600mA ® L~ CD
20mA

~l
--+-
Entrada ')8 Entrada
180kQ
--+ Ql
--+
0 l© ({3? 20)
0 l© T
~

(a) (b)

Fig. 15.27 Circuito, controladores (drivers) de display (aJ drive de làmpada; (b) drive de LED.

que se assemelha à função do milivoltímetro de, lembrando-se mostra um circuito com amp-op capaz de entregar 20 mA para
que, neste caso, o sinal fornecido é ac. Para uma tensão de entra- controlar um display a LED, quando a entrada não-inversora se
da ac de 1Om V, o medidor apresenta uma deflexão completa, de torna positiva comparada à outra entrada.
toda a escala, enquanto para uma entrada ac de 5 m V, a deflexão
é de meia escala. A leitura no medidor deve ser interpretada em
unidades de milivolts.
Amplific~dor para Instrumentação
Um circuito que fornece uma saída baseada na diferença entre duas
Controle de Display entradas (vezes um fator de escala) é mostrado na Fig. 15.28. O
potenciómetro permite ajustar o fator de escala do circuito. Como são
A Fig. 15.27 mostra circuitos com amp-op que podem ser utili- utilizados três amp-op, é necessário apenas um CI quad amp-op (além
zados para controlar ("drive") um display de lâmpadas ou um dos resistores ). Pode-se mostrar que a tensão de saída é dada por
display com LEDs. Quando a entrada não-inversora do circuito 2R
na Fig. 15 .27a possui um nível acima da entrada inversora, a saída 1+-
Rp
no terminal 1 vai para o nível de saturação positivo (próximo de
+ 5V neste exemplo), e a lâmpada é acionada quando o transis- onde
tor Q 1 conduz. Como mostrado no circuito, a saída do amp-op
fornence 30 mA de corrente na base do transistor Q1, que então 2R.) (\'
drena 600 mA (considerando um transistor apropriado, com f3 R.' l
P'
> 20 e capaz de suportar este valor de corrente). A Fig. 15.27b

Fig. 15.28 Amplificador para instmmentação.

464 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

V~---
5kQ

5 kQ

Fig. 15.29 Circuito para o Exemplo 15.11.

EXEMPLO 15.11
Calcule a expressão da tensão de saída para o circuito da Fig.
15.29.

Solução

Utilizando a Eq. ( 15.3), a tensão de saída pode, então, ser expressa

por

Vº= ( 1 + :)(Vi - V2) = [1 + 2(::) ](V1 - V2)

(a)
= 21(V1 - V2)

15.6 FILTROS ATIVOS

Os amp-ops são empregados também na montagem de filtros
ativos. Um filtro pode ser construído, utilizando-se componen-
tes passivos: resistores, capacitores e indutores. Além destes, um
filtro ativo possui um amplificador para produzir amplificação
de tensão e bufferização ou isolamento do sinal. f
O filtro que apresenta uma resposta constante de de até uma
freqüência de corte/0 " e não permite que nenhum sinal passe acima (b)
desta freqüência é chamado filtro passa-baixas. A resposta ideal
de um filtro passa-baixas está mostrada na Fig. 15.30a. O filtro que
permite a passagem somente de sinais de freqüência acima de uma
freqüência de corte foL é um filtro passa-altas, representado pela
Fig. 15.30b. Quando o filtro passa sinais que estão acima de uma
freqüência de corte e abaixo de uma segunda freqüência de corte,
este é chamado de filtro passa-banda, idealizado na Fig. 15.30c.

Filtro Passa-Baixas
Um filtro passa-baixas, de primeira ordem, com um único resistor
e capacitor, como na Fig. 15.31a, apresenta uma inclinação de
20 dB por década, como consta na Fig. 15.31b (ao invés dares- (e)
posta ideal da Fig. 15.30a). O ganho de tensão abaixo da freqüên-
cia de corte é constante e igual a Fig. 15.30 Resposta ideal do filtro: (a) passa-baixas; (b) passa-altas; (e) passa-banda.
 Aplicações do AMP-OP 465

V+

r - - - - S a í d a (V0 )
-20 dB/década

~-----------~, foH

(a) (b)
Fig. 15.31 Filtro passa-baixas ativo de primeira ordem.

EXEMPLO 15.12
(15.13)
Calcule a freqüência de corte de um filtro passa-baixas de pri-
meira ordem para R1 = 1,2 kO e C 1 = 0,02 µF.
e a freqüência de corte
Solução
1 1
(15.14) Íott = -2-'TTR-,-C-1 = 21T(l,2 X 103)(0,02 X 10-6)

Conectando duas seções do filtro, como na Fig. 15.32, resulta em
um filtro passa-baixas de segunda ordem, com corte em 40 dB/
década - próximo à característica ideal da Fig. 15.30a. O ganho
de tensão do circuito e a freqüência de corte são iguais para am-
bos os filtros, de primeira ordem e de segunda ordem. A diferen-
ça entre os dois circuitos é que a resposta do filtro de segunda
ordem cai a uma taxa mais rápida.
= 6,63 kHz
Filtro Ativo Passa-Altas
Os filtros ativos passa-altas de primeira e segunda ordem podem ser
implementados como consta da Fig. 15.33. O ganho do amplifica-
dor é calculado utilizando-se a Eq. (15.13), com a freqüência de corte

'~·?s};/••,. - - - - Saída (V,,)

.__ ____ ..._ ____...,

f' ÍOH

(a) (b)

Fig. 15.32 Filtro passa-baixas ativo de segunda ordem.

466 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Filtro Passa-Banda
(15.15)
A Fig. 15.34 mostra um filtro passa-banda utilizando dois está-
gios, o primeiro um filtro passa-altas e o segundo um filtro pas-
(Para o filtro de segunda ordem Ri= R 2 e Ci = C2 resulta na sa-baixas. A combinação dessas duas operações resulta na res-
mesma freqüência de corte.) posta passa-banda desejada.

EXEMPLO 15.13 EXEMPLO 15.14

Calcule a freqüência de corte do filtro passa-altas da Fig. 15.33b Calcule as freqüências de corte do filtro passa-banda da Fig.
paraRi = R2 = 2,1 kO, C 1 = C2 = 0,05 µF,eR 01 = 10kfi,R01 = 15.34, com Ri = R 2 = 10 kO, C 1 = 0,1 µF e C2 = 0,002 µF.
50k0.
Solução
Solução
1 1
f< - = 159' 15 Hz
Eq. (15.13): AV =l + R0 r = l + 50 kO. = 6
A
oL - 21rR 1C 1 211'(10 x 103)(0,1 x10- 6)
R0 1 10 ku
l 1
A freqüência de corte é, portanto, ÍoH = 21rR2C2 = 211'(10 X 103)(0,002X 10-6) = 7 , 96 kHz
1
Eq. (15.15): /oL = 21rRiCi
15.7 ANÁLISE POR COMPUTADOR
1
= 211{2, 1 X 103)(0,05 X 10-6) =l,5 kHz Circuitos que utilizam amplificadores operacionais podem ser
analisados com o auxílio do PSpice. Os exemplos nesta seção

(a) (b)

-40 dB/década

~~~----~..__~~~~~~--! ÍOL

(e)

Fig. 15.33 Filtro passa-altas: (a) primeira ordem; (b) segunda ordem; (e) gráfico da resposta.
 Aplicações do AMP-OP 467

Seção passa-altas Seção passa-baixas

(a)

A (intermediário)-- - - - · - - - - - -
-20 dB/década

ÍOL ÍoH

(I>)

H1,1. 15.3..J hltro atirn pa"a-ban<la.

utilizarão um modelo ideal ou prático para o amp-op, definido crição do amp-op, e especifica a tensão resultante de saída, V0 •
no Cap. 14. Cabe ressaltar que há, disponíveis, versões comerci- Esta é calculada da seguinte maneira:
ais do PSpice contendo modelos detalhados de Cls com amp-ops.
Enquanto o Cap. 14 forneceu exemplos utilizando o amp-op ideal, 1 M!l l M!l 1 Mil ]
os problemas apresentados nesta seção lidarão com amp-ops re- V0 =- [ 2 M!l(+2 V)+ 5 M!l(-3 V)+ 1 M!l(+l V)
ais, baseados nas especificações existentes nas folhas de especi-
ficações do dispositivo. =-(1 V-0,6V+ lV)= -l,4V

como calculado na Fig. 15.36, V(3) = -1,4 V.

Programa 15.1: Amp-Op Somador O amp-op 741 possui valores especificados de R; = 2 M!l, R0
= 75 !l, e um ganho de tensão de A.d = 200V/mV. Umresistor
Um amp-op somador utilizando o CI µ.A 709 é mostrado na Fig. RP de aproximadamente On é utilizado para conectar a entrada
15.35. A Fig. 15.36 fornece uma descrição do circuito, uma des- do amp-op no pino 2 para a terra, mantendo, com isto, o pino 2
como entrada positiva.
R,.
Programa 15.2: Milivoltímetro DC
[I] Ri
V1 ---n.-"l'._----e Na Fig. 15.37 é apresentado um milivoltímetro de construído,
utilizando um amp-op 741. A listagem deste circuito, do amp-op
\!~ ~ propriamente dito, e da corrente desejada para a deflexão no medidor

w
VJ _ __,,""'--~
é fornecida na Fig. 15.38. Em particular, observe que o PSpice
representa o movimento de deflexão no medidor, conectado da saída
do amp-op para a junção dos resistores RF e R5 através da linha
VSENSE 6 5 O
que é uma fonte de tensão inativa (VSENSE = OV) representan-
do um medidor de corrente. A saída do programa apresenta a cor-
rente através do medidor

Fig.15.35 Amplificador somador empregando amp-op 741. l(VSENSE) = -0,2 A

468 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Fig. lS.36 Análise PSpice para o circuito da Fig. 15.35 .

• R,
Vl.::::::::....,V\,A,~_,..~~~
IOOkQ

----i) I (V SENSE)

Medidor
de 1 mA

IOOkQ

Fig. lS.37 Milivoltímetro de, utilizando o amp-op 709.

Fig. lS.38 Listagem de saída do PSpice para o circuito da Fig. 15.37.

 T Aplicações do AMP-OP 469

o sinal negativo indicando que a direção da corrente é do negativo como função da freqüência do sinal de entrada. Este gráfico foi
para o positivo do medidor (do pino 5 para o pino 6).* Os valores realizado pelo PSpice, e observe, em particular, que a variação
dos resistores R1, RF e Rs podem ser alterados para se obterem di- de freqüência é feita logaritmicamente, através do comando
ferentes valores de fundo de escala para o milivoltímetro, como
.AC DEC 5 1 1E5
descrito na Seção 15.5.
O formato geral para esta linha é
Programa 15.3: Filtro Ativo Passa-Baixas .AC DEC ND FSTART FSTOP
As Figs. 15.39 e 15.40 descrevem um filtro ativo passa-baixas. onde ND = número de pontos de freqüência por
Na Fig. 15.40 é mostrado o gráfico resultante da tensão de saída década

Rp

10k'2 100 k'2

10k'2

Fig. 15.39 Filtro passa-baixas, utilizando o amp-op 700.

Fig. 15.40 Listagem de saída do PSpice para o

circuito da Fig. 15.39.

*Lembre-se de que, no PSpice, a corrente positiva é definida como aquela que vai do nó positivo para o nó negativo através da fonte.
470 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

FSTART = freqüência inicial

FSTOP = freqüência final (mais alta)
Na Fig. 15.40, pode-se observar um gráfico da amplitude de saí-
da ao longo da faixa de 1 Hz até 100.000 Hz (105 Hz). Note que
a saída começa em uma tensão de 11 V (o ganho de tensão do
amplificador é 1 + R/R 1 = 1 + 100 k0/10 k!1 = 11), com o
ganho permanecendo praticamente o mesmo nas baixas freqüên-
cias, caindo nas altas freqüências. Sabendo-se que na freqüência
de corte o filtro passa-baixas reduz a tensão a 0,707 do seu valor
nas baixas freqüências, pode-se dizer do gráfico que este ponto
situa-se em 160 Hz.
1 1
Eq (15 14)· fc = 21rR1C1 = 211'(10 kn)(O,l 159 Hz
• . • OH µ.F)

PSpice para Windows (Windows Design

Center Analysis)
O circuito da Fig. 15.39 pode ser desenhado no programa para
Windows da MicroSim. A seguir será dada uma breve descrição
dos passos necessários para o desenho do circuito mostrado na
Fig. 15.41.

1. Selecione o item uA 741 da biblioteca eval.slb.

2. Selecione o item R da biblioteca analog.slb. Entre com os Fig. 15.42 "Analysis Setup" para o diagrama da Fig. 15.41.
Valores e Nomes dos vários resistores do circuito.
3. Selecione o item C da biblioteca analog.slb. Entre com o Valor
e Nome correspondentes.
4. Selecione o item VSRC da biblioteca source.slb para a fonte Execute o programa e depois execute Probe. O gráfico para V
de (na versão 6.0) ou bateria (usando a versão 6.1 ou posterior). (OUT) mostrado na Fig. 15.43 corresponde a um filtro passa-
Entre com um Nome (Vcc) e um Valor ( + 20V). Repita para baixas, com uma freqüência de corte de aproximadamente 159
o item VSRC em que Vcc = -20V. Hz para este exemplo.
5. Selecione o item VSRC da biblioteca source.slb. Entre com
Vl = -2 V. Configure o programa para que sejam mostrados
o Nome e o Valor da fonte.
Programa 15.4: Filtro Ativo Passa-Altas
6. Selecione o item VPRINT da biblioteca special.slb e posicione
A Fig. 15.44 mostra o circuito de um filtro ativo passa-altas. Na
na saída.
Fig. 15.45, encontramos o gráfico resultante da tensão de saída
7. Em "Analysis Setup", habilite ("enable") a varredura AC ("AC
em função da freqüência do sinal de entrada. A freqüência de corte
Sweep") e configure como mostra a Fig. 15.42.
passa-altas é calculada da seguinte forma
1 1
Ji = -- = · .· = 1447 Hz
R1 OL 21rRC 211'(2;2 X 103)(0,5 X 10- 6)

1 Ok C1 O gráfico da Fig. 15.45 mostra a amplitude crescendo até ova-

1 0.1uF lor de 11 V, na banda de passagem (o ganho do amplificador é 1

+ R/R8 = 1 + 100 k0/10 k!1 = 11).

Programa 15.5: Filtro Ativo Passa-Banda

RF= 100k
Fig.15.41 Diagrama no PSpice para Windows do circuito da Fig. 15.39.
A Fig. 15.46 mostra o circuito de um filtro ativo passa-banda.
Na Fig. 15.47 apresenta-se o gráfico resultante da tensão de saída
em função da freqüência do sinal de entrada. Como mostrado,
primeiro a amplitude do sinal de saída eleva-se até o nível de
passagem, mantém-se neste nível para uma certa faixa, e depois
cai. Dois estágios são utilizados, o primeiro um passa-altas e o
segundo um passa-baixas, cada um com um ganho igual a 2 para
uma amplitude na banda de passagem de 4 V.
0---~:. e

[ T Aplicações do AMP-OP 471

12VT-----------------------------------------------------------------,

sv,

ov+---------------~----------------,----------------r---------------
1. Hz lOHz lOOHz l.OKHz lOKHz
a V(Ul:OUT)
Freqüência

Fig. 15.43 Gráfico de saída para a Fig. 15.41.

2,2 Ul

•
•
111>---+==-v,,

\11
• • C1

0,05µF
Ri
212 Ul
C2

o,osµF
Ri
2,2k0

Fig. 15.44 Filtro ativo passa-altas, utilizando o amp-op 709.

4 72 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Fig. 15.45 Listagem de saída do PSpice para o circuito da Fig. 15.44.

•
C2
Iº,002µF
Fig. 15.46 Filti;p passa-banda, utilizando amps-op 709.
 Aplicações do AMP-OP 473

Fig. 15.47 Listagem de saída do PSpice para o

circuito da Fig. 15.43.

180kQ
PROBLEMAS
+12V
§ 15.1 Multiplicador de Ganho Constante
1. Calcule a tensão de saída do circuito da Fig. 15.48 para uma entra-
da de V;= 3,5 mV rms.
2. Calcule a tensão de saída do circuito da Fig. 15.49 para uma entra-
da de 150 mV rms.
*3. Calcule a tensão de saída no circuito da Fig. 15.50.
*4. Monte um amplificador de três estágios empregando o CI quad
amp-op LM124, com ganhos de+ 15, -22 e -30. Use umresistor -12 V
de realimentação de 420 kO para todos os estágios. Para uma en-
trada de V1 = 80 µ,V, quais são as tensões na saída?
5. Mostre a conexão de dois amp-ops do CI LM358 para que se obte-
nham saídas que são 15, e -30 vezes maiores do que a entrada. Fig. 15.48 Problema l.
4 74 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

750kQ

Fig. 15.49 Problema 2.

510kQ 680k'2 750kQ

Fig.15.50 Problema 3.

Use um resistor de realimentação, R1 = 150 k!l em todos os está- 7. Determine a tensão de saída para o circuito da Fig. 15.52.
gios. 8. Determine a tensão de saída para o circuito da Fig. 15.53.

§ 15.2 Sorna de Tensões § 15.3 Buffer de Tensão

6. Calcule a tensão de saída para o circuito da Fig. 15.51 com entra- 9. Mostre a conexão (incluindo a pinagem) de um estágio do CI
das de V,= 40 mV rms e V2 = 20 mV rms. LM124 para que ele atue como amplificador de ganho unitário.

300kQ
470kQ

47kQ
V i - ~ ~ -... +15V

V2 - ~ ~ - - - - - -

lOkQ
V1•lVl.

-15V
l'º"'
Fig. 15.51 Problema 6. Fig.15.52 Problema 7.
 Aplicações do AMP-OP 475

:BOk!l 470k!l

Fig. 15.53 Problema 8.

1O. Mostre a conexão (incluindo a pinagem) de dois estágios do LM358 § 15.5 Circuitos para Instrumentação
para que atue como amplificador de ganho unitário e forneça um
sinal de saída igual ao da entrada.
0,

*14. Calcule V0 no circuito da Fig. 15.57.

1
13. Calcule a corrente de saída / no cir uito da Fig. 15.56.
§ 15.4 Fontes Controladas

11. Para o circuito dá Fig. 15.54, éalcule lv

12. Calcule V para o circuito da Fig. 15.55. +12V

,Jev
0
200kQ
V1 = 10 mV ---""""'""_ _ __

IOW

\Íl©
}i"; Medidor
-12V de 1 mA

12V
+
i IOOkQ

Fig.15.56 Problema 13.

Fig. 15.54 Problema 11.

§ 15.6 Filtros Ativos

10k'2
15. Calcule a freqüência de corte do filtro passa-baixas de primeira
ordem no circuito da Fig. 15.58.
16. Calcule a freqüência de corte do filtro passa-altas na Fig. 15.
59.
17. Calcule as freqüências de corte inferior e superior do filtro passa-
banda na Fig. 15.60.
2,s mA § 15.7 Análise por Computador

*18. Escreva um programa no PSpice para calcular V no circuito da Fig.

0

15.61.
*19. Escreva um programa no PSpice para calcular I(VSENSE) no cir-
cuito da Fig. 15.62.
*20. Escreva um programa no PSpice para traçar a resposta do filtro
Fig. 15.55 Problema 12. passa-baixas na Fig. 15.63.
 0--

476 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

V1 = 3 V - - -
lOkn

Fig. 15.57 Problema 14.

lOkn lOkn lOkn lOkn

Fig.15.58 Problema 15. Fig. 15.59 Problema 16.

20k0 20W

0,05µF
V1-l1---+--

Fig. 15.60 Problema 17.

 Aplicações do AMP-OP 477

20W 200W
300W

lOW
V1 = 10 mV --,vv,i---.

RI= l MO
RO= 1000
AVD = 200.000
AVD= 100.000

Fig. 15.61 Problema 18.

Fig. 15.63 Problema 20.

*22. Escreva um programa no PSpice para traçar a resposta do filtro

passa-banda da Fig. 15.65.

Medidor
de 1 mA 20W 200k0

200k0

Rl=SOOW
R0=2000
Fig.15.62 Problema 19. =
A VD 50:000 ...

*21. Escreva um programa no PSpice para traçar a resposta do filtro

passa-altas na Fig. 15.64. Fig.15.64 Problema 21.

20W 200W

Amp-op
Rl=SOOW
RO= 1000
AVD=S0.000

Fig. 15.65 Problema 22.

*Observação: Os asteriscos indicam problemas mais diffcies.


Amplificadores
de Potência
16.1 INTRODUÇÃO - DEFINIÇÕES
E TIPOS DE AMPLIFICADORES
Um amplificador recebe um sinal de um determinado transdutor
ou outra fonte de entrada, e fornece uma versão amplificada desse
sinal para um dispositivo de saída ou outro estágio amplificador.
Um sinal de um transdutor na entrada é geralmente pequeno (al-
guns milivolts de um tape-deck ou CD, ou alguns microvolts de
uma antena) e precisa ser amplificado o suficiente para acionar um
dispositivo de saída (alto-falante ou outro dispositivo de potência).
Em amplificadores de pequenos sinais, os fatores principais são,
via de regra, linearidade na amplificação e amplitude de ganho.
Como os sinais de tensão e corrente são pequenos em amplifica-
dores de pequenos sinais, a quantidade de potência que ele é ca-
paz de fornecer e sua eficiência são fatores de pouco interesse. Um
amplificador de tensão fornece amplificação de tensão, principal-
mente para aumentar a tensão de um sinal de entrada. Por sua vez,
amplificadores de grandes sinais ou de potência fornecem, sobre-
tudo, potência suficiente a uma carga de saída a fim de acionar um
alto-falante ou outro dispositivo de potência, tipicamente na faixa
de alguns watts a dezenas de watts. Neste capítulo, nos concentra-
mos nos circuitos amplificadores usados para operar com grandes
sinais de tensão e níveis de correntes moderadas ou altas. As ca-
racterísticas principais de um amplificador de grandes sinais são a
eficiência de potência do circuito, a máxima quantidade de potên-
Nível da
fonte de 1--------------
potência
360' completos da oscilação
Nível de /de saída
polarização f----~-----,.----
dc da
classe A
Nível de
polarização
classe B
OV
(a)
CAPÍTULO
1
eia que o circuito é capaz de fornecer, e o casamento de impedân-
cia com o dispositivo de saída.
Um método usado para classificar amplificadores é por classe.
Basicamente, classes de amplificadores indicam a quantidade
que o sinal de saída varia, sobre um ciclo de operação, para um
ciclo completo do sinal de entrada. Uma breve descrição das
classes de amplificadorés é fornecida a seguir.
Classe A: O sinal de saída varia por um ciclo completo de
360". A Fig. 16.la mostra que isto requer que o ponto-Q seja
polarizado em um nível tal que o sinal possa variar para cima e
para baixo sem atingir uma tensão suficientemente alta capaz
de ser restringida pelo nível da fonte de tensão, ou descer a um
ponto que possa atingir o nível inferior da fonte, ou OV, para o
exemplo mostrado na figura.
Classe B: Um circuito classe B fornece um sinal de saída
que varia sobre metade do ciclo da entrada, ou por 180" de si-
nal, como mostrado na Fig. 16.lb. O ponto de polarização de
está, portanto, em OV, com a saída variando, então, a partir deste
ponto de polarização, durante meio ciclo. Obviamente, a saída
não é uma reprodução fiel da entrada, se apenas meio ciclo está
presente. Dois amplificadores classe B - um para fornecer saí-
da durante o meio ciclo positivo da saída e o outro para operar
durante o meio ciclo negativo - são necessários. A combina-
ção dos meios- ciclos forne.ct;m, então, uma saída para os 360"
completos de operação. Este tipo de conexão realiza a operação
'denominada push-pull, a qual é discutida adiante neste capítu-
180' de oscilação
/do sinal
\""""1----'-----'...__ _ __
(b) Fig.16.1 Classes de operação de amplificadores.

QUADRO 16.1 Comparação de Classes de Amplificadores
A AB
Ciclo de operação 360° 180" a 360º
Eficiência de potência 25% a50% Entre 25% (50%) e 78,5%
*Classe C geralmente não é usada para transferir grandes quantidades de potência; portanto, a eficiência não é dada aqui.
lo. Note que a operação classe B, por si, gera um sinal de saída
muito distorcido, uma vez que o sinal de entrada é reproduzido
na saída somente durante a metade do seu ciclo.
Classe AB: Um amplificador pode ser polarizado em um
nível de acima do nível correspondente à corrente zero de base
da classe B e acima da metade do nível da fonte de tensão da clas-
se A; esta condição de polarização é empregada em amplifica-
dores classe AB. A operação classe AB ainda requer uma cone-
xão push-pull para atingir um ciclo de saída completo, mas o nível
de polarização de é, geralmente, muito próximo do nível zero de
corrente de base para uma melhor eficiência de potência, como
descrito brevemente. Para operação classe AB, a oscilação do
sinal de saída ocorre entre 180 e 360º, e não constitui uma ope-
ração classe A, nem mesmo classe B.
Classe C: A saída de um amplificador classe C é polarizada
para uma operação em menos de 1800 do ciclo e só opera com cir-
cuitos sintonizados (ressonantes), os quais fornecem um ciclo com-
pleto de operação para a freqüência sintonizada ou ressonante. Esta
classe de operação é usada, portanto, em aplicações especiais de
circuitos sintonizados, tais como rádio ou comunicações.
Classe D: Esta classe de operação é uma forma de amplifi-
cação para sinais pulsados (digitais), em que o circuito fica "li-
gado" por um curto intervalo de tempo e desligado por um lon-
go intervalo. Usando técnicas digitais, toma-se possível obterum
sinal que varia sobre um ciclo completo (usando circuitos de
amostragem-e-retenção) para recriar a saída a partir de muitos
trechos do sinal de entrada. A maior vantagem da operação clas-
se D é que o amplificador está ligado (usando potência) durante
curtos intervalos, e a eficiência global pode, na prática, ser mui-
to alta, como descrito em seguida.
Eficiência do Amplificador
A eficiência de potência de um amplificador, definida como a
razão entre a potência de saída e a potência de entrada, melhora
da classe A para a classe D. Em termos gerais, vemos que o
amplificador classe A, com polarização de na metade do nível
da fonte de tensão, usa uma boa quantidade de potência para
manter a polarização, mesmo que nenhum sinal de entrada seja
aplicado. Isto resulta em uma eficiência muito pobre, sobretudo
com sinais pequenos de entrada, quando muito pouca potência
ac é liberada para a carga. Realmente, a eficiência máxima de
um circuito classe A, que ocorre para a maior oscilação de ten-
são e corrente de saída, é i;tpenas 25% para uma conexão de car-
ga direta ou realimentada em série, e 50% com uma conexão
usando transformador para ligar-se a carga. Pode-se mostrar que
a operação classe B, sem nenhuma potência de polarização de
para o caso de ausência de sinal de entrada, fornece uma eficiên-
cia máxima que atinge 78,5%. A operação classe D pode obter
uma eficiência de potência maior do que 90%, fornecendo a ope-
Amplificadores de Potência 479
Classe
B C* D
180º Menor que 180" Operação ·por pulsos
78,5% Tipicamente acima de 90%
ração mais eficiente de todas as classes de operação. Como a
classe AB situa-se entre classe A e classe B, em termos de pola-
rização, ela mantém sua eficiência entre 25% (ou 50%) e 78,5%.
O Quadro 16.1 resume a operação das várias classes de amplifi-
cadores. Este quadro fornece uma comparação relativa da ope-
ração do ciclo de saída e eficiência de potência para os vários tipos
de classes. Na operação classe B, obtém-se uma conexão push-
pull usando-se um acoplamento a transformador ou usando-se
uma operação complementar (ou quase-complementar) com tran-
sistores npn e pnp para proporcionar uma operação em ciclos de
polaridades opostas. Embora a operação com transformador possa
fornecer sinais em ciclos opostos, o transformador em si ocupa
um espaço demasiadamente grande para muitas aplicações. Um
circuito sem transformador, usando transistores complementares,
fornece a mesma operação numa pastilha muito menor. Circui-
tos e exemplos são fornecidos adiante neste capítulo.
16.2 AMPLIFICADOR CLASSE A COM
REALIMENTAÇÃO-SÉRIE
O circuito simples de polarização fixa mostrado na Fig. 16.2 pode
servir como base para a discussão das características principais
de um amplificador classe A com realimentação-série. A única
diferença entre este circuito e a versão para pequenos sinais con-
siderada anteriormente é que os sinais tratados pelo circuito para
grandes sinais estão na faixa de volts, e o transistor usado é um
transistor de potência capaz de operar na faixa de algumas deze-
nas de watts. Como será mostrado nesta seção, este circuito não
é o melhor para ser usado como amplificador de grandes sinais
devido à sua baixa eficiência de potência. O beta de um transis-
tor de potência é, geralmente, menor que 100, e o circuito ampli-
ficador total, usando transistores de potência, é capaz de supor-
tar grandes potências ou correntes, ao mesmo tempo em que não
fornece um ganho de tensão muito elevado.
Vcc
Transistor
de potência
V;
Fig. 16.2 Amplificador para grandes sinais classe A com realimentação-série.
480 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Operação de Polarização DC
A polarização de fixada por Vcc e R 8 mantém a corrente de pola- Reta de carga de
rização da base em
/ .

IB = Vcc- 0,7 V
--''-=----
RB
com a corrente de coletor sendo, então,
Ic = f3Ia
com a tensão coletor-emissor de
VCE = Vcc - lcRc
Para apreciar a importância da polarização de na operação do
amplificador de potência, considere as características de coletor
mostradas na Fig. 16.3. Uma reta de carga ac é desenhada usan-
do os valores de Vcc e Rc. A interseção do valor de polarização
de / 8 com a reta de carga de determina, então, o ponto de opera-
ção (ponto-Q) para o circuito. Se a corrente quiescente de coletor
for fixada na metade da oscilação possível do sinal (entre Oe Vcd
Rc), a corrente de coletor poderá oscilar com uma amplitude
maior. Adicionalmente, se a tensão quiescente de coletor-emis-
sor for fixada em um nível correspondente da fonte de tensão,
será possível obter a mais alta oscilação de tensão. Com o pon-
to-Q fixado neste ponto ótimo de polarização, as considerações
de potência para o circuito da Fig. 16.2 são determinadas como
descrito abaixo.
Operação AC
Quando um sinal de entrada ac é aplicado ao amplificador da Fig.
16.2, a saída varia em relação a tensão e corrente de seu ponto de
operação de polarização de. Um pequeno sinal de entrada, como
o mostrado na Fig. 16.4, fará a corrente de base variar acima e
(16.1) Ponto-Q
(16.2)
o Vcc
(16.3)
Fig. 16.3 Caracteásticas do transistor mostrando a reta de carga e o ponto-Q.
abaixo do ponto de polarizacão de, o qual, então, fará a corrente
de coletor (saída) variar em relação a seu ponto de polarização
de, bem como a tensão coletor-emissor. Quando o sinal de en-
trada possui uma amplitude maior, a saída aumenta sua amplitu-
de de oscilação em tomo do ponto de polarização de estabeleci-
do até que a tensão ou corrente de coletor atinjam seus limites.
Para a corrente, esta condição é representada pela corrente zero
no limite inferior e VcdRc no limite superior de sua oscilação.
Para a tensão coletor-emissor, os limites são O Ve Vcc·
Considerações de Potência
A potência de um amplificador é fornecida pela fonte. Sem ne-
nhum sinal de entrada, a corrente de drenada é a corrente de po-
larização do coletor, IcQ· A potência drenada da fonte é então
~(de) == v;;J (16.4)

o Vcc Oscilação da
corrente de sa(da
0

Oscilação da
tensão de saída Oscilação da
tensão de saída
(a) (b)

Fig. 16.4 Variação do sinal de entrada e saída do amplificador.

 Amplificadores de Potência 481

Mesmo com um sinal ac aplicado, a corrente média drenada da EFICIÊNCIA MÁXIMA

fonte permanece a mesma, de forma que a Eq. (16.4) representa
a potência de entrada fornecida ao amplificador classe A com Para o amplificador classe A com realimentação-série a efi-
realimentação-série. ciência máxima pode ser determinada usando-se as oscilações
máximas de tensões e correntes. Para a oscilação de tensão
POTÊNCIA DE SAÍDA
máxima VcE (p-p) = Vcc
A tensão e corrente de saída variando em tomo do ponto de po- Para a oscilação de corrente
larização fornece potência ac para a carga. Esta potência ac é libe-
rada para a carga, Rc, no circuito da Fig. 16.2. O sinal ac, V;, faz a máxima Ic(p-p) = Vcc
corrente de base variar em tomo da corrente de polarização de e a Rc
corrente de coletor em tomo de seu nível quiescente, IcQ· Como
mostrado na Fig. 16.4, o sinal de entrada ac resulta em sinais ac de Usando-se a oscilação máxima de tensão na Eq. (16.7a), tem-se
corrente e tensão. Quanto maior o sinal de entrada, maior a oscila-
VccWccfRc)
ção de saída, até o máximo fixado pelo circuito. A potência ac li- máxima P o(ac) =- ----
berada para a carga (Rc) pode ser expressa de várias maneiras. 8
Usando sinais nns: A potência ac liberada para a carga (Rc) V~c
pode ser expressa usando-se
8Rc
[6jac) = VCE (rms)/c(rms) ] (16.5a) A máxima potência de entrada pode ser calculada usando-se a
corrente de polarização de fixada na metade do valor máximo
PJac) = ft, (rms)Rc (16.5b)
V: IR
máxima P;(de) = Vcc< máxima /e) = Vcc e~ e
1
Vt:(rms)
Po(ac) = R (16.5c)
e V2c
=
Usando-se valores de pico para os sinais: A potência ac 2Rc
liberada para a carga pode ser expressa usando-se Podemos, então, usar a Eq. (16.8) para calcular a eficiência má-
xima:
VCE(p)fc:(p)
P 0 (ac) "" ---"------ (16.6a) máxima P0 (ac)
2 máxima% 'T/ = X 100%
máxima P,{ de)
tl,(p)
P
º(ac) = --R
2 e
(16.6b) = V~cl8Rc X l OO%
Vccl2Rc
v2 e )
P (ac) == ~ (16.6c)
=25%
º· 2Rc
A eficiência máxima de um amplificador classe A com realimen-
tação-série é, portanto, 25%. Como a eficiência máxima só ocorre
Usando-se sinais pico-a-pico: a potência ac liberada para
para condições ideais de oscilações de tensão e corrente, muitos
a carga pode ser expressa usando-se:
circuitos com realimentação-série fornecem eficiências muito
menores que 25%.
Vce(P-P )/ç(p-p)
P o( ac) = __;.;;.;e...;:.-:..._.;_.;;.....;;_ (16.7a)
8
2
P ( ) - /c(p-p)R (16.7b) EXEMPLO 16.1
ºªe - 8 e Calcule a potência de entrada, potência de saída e eficiência do
circuito amplificador na Fig. 16.5, para uma tensão de entrada
que resulta em uma corrente de base de 1O mA de pico.
(16.7c)
Solução
Eficiência Usando as Eqs. (16.1) até (16.3), o ponto-Q pode ser determina-
do por
A eficiência de um amplificador representa a quantidade de po-
tência ac liberada (transferida) de sua fonte de. A eficiência do Vcc- 0,7V 20 V - 0,7 V = 19 3 mA
amplificador é calculada usando-se IB = - - - - -
Q RB 1 kO '
Po( ac)
%r,=---X 100n1ojl IcQ = f31B = 25(19,3 mA) = 482,5 mA == 0,48 A
7C (16.8)
P;(dc) VcEQ = Vcc - lcRc = 20 V - (0,48 0)(20 0) = 10,4 V
~-----
482 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

lc(mA)

l = Vcc = 20 V = 1000 40
e Rc 20Q
900
800 30
700 / Reta de carga de
600
Vcc =20 V
20
500 lnQ
IcQ
400 ~ Ponto de operação

lkí.l
Rn lc ! Rc=20Q 300 10
C; 200

V;
r
l\,
fJ =25 100

5 10 15 20
J8 =OmA

25 VCE (V)
1 1
.J.. VcEQ VcE = Vcc
(a) (b)

Fig. 16.5 Operação de um circuito com realimentação-série para o Exemplo 16. l.

Este ponto de polarização é marcado sobre a curva característica Ação do Transformador

de coletor do transistor da Fig. 16.5b. A variação ac do sinal de
saída pode ser obtida graficamente usando-se a reta de carga de
desenhada na Fig. 16.5b, conectando VcE = Vcc = 20 V com Ic
= VcdRc = 1000 mA = 1 A, como mostrado. Quando a corren-
te ac de entrada da base aumenta a partir do seu nível de polari-
zação de, a corrente de coletor se eleva por
Ic(p) = f3lip) = 25(10 mA pico)= 250 mA de pico
Um transformador pode aumentar ou c;Jiminuir os níveis de tensão
ou corrente de acordo com sua razão de espiras, como explicado
abaixo. Por sua vez, a impedância conectada de um lado de um trans-
formador pode ser interpretada para o outro lado do transformador,
aparecendo com um valor maior ou menor, que depende do qua-
drado da razão de espiras do transformador. A discussão a seguir

Usando-se a Eq. (16.6b), temos

+Vcc
Po(ac) = /~~p) Rc = (25 º 3 2
x ~0- A) (20 0) = 0,625 W --~-o1N1:N2

Usando-se a Eq. (16.4b), resulta em

P;(dc) = VcclcQ = (20 V)(0,48 A)= 9,6 W
11[]•,
A eficiência de potência do amplificador pode, então, ser calcu-
lada usando-se Eq. (16.8):
PoCac) 0,625 W
% TJ = - - X 100% = X 100% = 6,5%
P,{dc) 9,6 W

(a)

16.3 AMPLIFICADOR CLASSE

A COM ACOPLAMENTO
A TRANSFORMADOR
O tipo de amplificador classe A com eficiência máxima de 50%
usa um transformador para acoplar o sinal de saída à carga, como
mostrado na Fig. 16.6. Este é um circuito simples para a discus-
são de alguns conceitos básicos. Algumas versões mais utiliza-
das na prática são abordadas adiante neste capítulo. Uma vez que
o circuito usa um transformador para acoplar tensão ou corrente,
se mostra oportuno apresentar as relações de tensão e corrente (b)
de um transformador. Fig. 16.6 Amplificador de potência de áudio acoplado a transformador.
 Amplificadores de Potência 483

Primário Secundário Primário Secundário

(a) (b)

Primário Secundário
Fig. 16.7 Operação do transformador: (a) transformação de ten-
são; (b) transformação de corrente; (é) transformação de
(e) impedância.

assume transferência de potência ideal ( 100%) do primário para o Se definimos a = N/N2 , onde a é razão de espiras do transfor-
secundário; ou seja, nenhuma perda de potência é considerada. mador, a equação acima torna-se

TRANSFORMAÇÃO DE TENSÃO
(16.11)
Como mostrado na Fig. 16.7a, o transformador pode aumen-
tar ou reduzir uma tensão aplicada de um lado diretamente de
acordo com a razão entre espiras (ou número de voltas) em cada Podemos expressar a resistência da carga refletida para o primá-
lado. A transformação de tensão é dada por rio por:

1
j V2 = N2 j1

(16.9)
~1-; ª!2 J ou [_!~~ 2RL_j
~i (16.12)
l_V1 N,
onde R~ é a impedância refletida. Como mostrado na Eq. ( 16.12),
A equação (16.9) mostra que se o número de voltas no lado do a impedância refletida está relacionada diretamente ao quadrado
secundário é maior do que no primário, a tensão no lado do se- da razão entre espiras. Se o número de espiras do secundário é
cundário é maior do que a tensão no lado do primário. menor do que o do primário, a impedância vista pelo primário é
maior do que a verificada no secundário.
TRANSFORMAÇÃO DE CORRENTE
A corrente no enrolamento secundário é inversamente propor-
cional ao número de espiras nos enrolamentos. A transformação
EXEMPLO 16.2
de corrente é dada por Calcule a resistência efetiva vista, olhando-se para o primário de
um transformador 15:1 conectado a uma carga de 8 O.
~ (16.10) Solução
L_ 1~ I Eq. (16.12): R~ = a2RL = (15)2 (8 0) = 1800 O = 1,8 k!l
Esta relação é mostrada na Fig. 16.7b. Se o número de espiras no
lado secundário é maior do que no primário, a corrente no se-
cundário será menor do que a corrente no primário.
EXEMPLO 16.3
TRANSFORMAÇÃO DE IMPEDÃNCIA Que razão entre espiras de um transformador é necessária para
casar uma carga de alto-falante de 16 O, tal que a resistência de
Como a tensão e a corrente podem ser modificadas por um trans- carga efetiva vista pelo primário seja de 10 kO?
formador, a impedância ''vista" do outro lado (primário ou secundá-
rio) também pode ser modificada. Como mostrado na Fig. 16.7c, uma Solução
impedância RL é conectada através do secundário do transformador. 2 _Ri,_ lOkO _
Esta impedância é modificada pelo transformador, quando vista pelo ( N1 )
Eq. (16.11): N2 - RL - 16 0 - 625
lado do primário (RJ. Isto pode ser mostrado como se segue:

RL _ R2 _ VzfI2 _ V2 Ir _
-----------
V2
Ir _ N2 N2 _
--- - - (N2) 2 Ni
N2
= V625 = 25·1
.
Ri, R1 Vi/I1 I2 Vr Vi I2 Ni Ni N1
484 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

OPERAÇÃO DO ESTÁGIO AMPLIFICADOR
RETA DE CARGA DC
A resistência (de) de enrolamento de um transformador de-
termina à reta de carga para o circuito da Fig. 16.6. Tipicamente,
esta resistência de é pequena (idealmente O0) e, como mostra-
do na Fig. 16.8, uma reta de carga de de O n é representada por
uma linha vertical. Na prática, a resistência do enrolamento de
um transformador é de alguns ohms, mas somente o caso ideal
será considerado nesta discussão. Não há queda de tensão de atra-
vés da resistência de carga de OO, e a reta de carga é desenhada
verticalmente do ponto de tensão, VcE2 = Vcc.
PONTO QUIESCENTE DE OPERAÇÃO
formador, e então desenhando-se a reta de carga ac sobre a cur-
va característica do coletor. A resistência de carga refletida ( R~)
é calculada usando-se a Eq. (16.12), para o valor da carga
conectada através do secundário (RL) e a relação de espiras do
transformador. A técnica de análise gráfica prossegue, então,
como se segue. Desenhe a reta de carga ac tal que passe através
do ponto de operação e tenha um coeficiente angular de -/ R~
(a resistência de carga refletida), o coeficiente angular da reta de
carga sendo o negativo recíproco da resistência de carga ac. Note
que a reta de carga ac mostra que a oscilação do sinal de saída
pode exceder o valor de Ycc· Realmente, a tensão desenvolvida
~través do primário do transformador pode ser bastante grande.
E, portanto, necessário após a obtenção da reta de carga ac veri-
ficar se a oscilação de tensão não excede os valores nominais
máximos do transistor.

O ponto de operação na curva característica da Fig. 16.8 pode
ser obtido graficamente pelo ponto de interseção da reta de car-
ga de e a corrente de base indicada pelo circuito. A corrente qui-
escente de coletor pode, então, ser obtida do ponto de operação.
No caso da operação classe A, não esqueça de que o ponto de
polarização de determina as condições para a máxima oscilação
do sinal não distorcido para ambos, corrente e tensão coletor-
emissor. Se o sinal de entrada produz uma oscilação de tensão
menor do que a máxima possível, a eficiência do circuito naque-
le instante será menor do que 25%. O ponto de polarização de é,
portanto, importante na determinação da operação de um ampli-
ficador classe A com realimentação-série.
OSCILAÇÃO DO SINAL E POTÊNCIA DE SAÍDA AC
A Fig. 16.9 mostra as oscilações dos sinais de tensão e cor-
rente no circuito da Fig. 16.6. Das variações do sinal mostradas,
os valores pico-a-pico das oscilações do sinal são
VCE(p-p) = VCE max - VcE.mtn
Ic(p-p) = Ic.,.. - Ic_
A potência ac desenvolvida através do primário do transforma-
dor pode então ser calculada, usando-se

RETA DE CARGA AC

Para prosseguir com a análise ac, é necessário calcular a re- A potência ac calculada representa a potência desenvolvida atra-
sistência de carga ac ''vista", olhando-se para o primário do trans- vés do primário do transformador (um transformador muito efi-

lc(A)
Reta de carga ac Reta de carga de
/ (R'L) /
T
Me
0,35
12mA

lOmA

0,3

0,25

0,2 4mA

0,15

0,1

0,05

o 10 15 20 25 VcE (V)
&VCE
VcEQ=Vcc = 12 V

Variaçio da tensão
de coletor
Fig. 16.8 Retas de carga para um amplificador classe A aco-
plado a transformador.
 Amplificadores de Potência 485

VCE (V) lc (A)

o o
(a) (b)

Fig. 16.9 Operação gráfica de um amplificador classe A acoplado a transformador.

ciente tem eficiência de pelo menos 90% ). A potência liberada A resistência ac efetiva vista pelo primário é
pelo secundário para a carga é, aproximadamente, a calculada
usando a Eq. (16.13). A potência de saída ac também pode ser
determinada usando-se a tensão liberada para a carga.
Ri= (Z:rRL = (3) 2 (8) = 72 O
A reta de carga ac pode ser então desenhada com um coefi-
Para o transformador ideal, a tensão liberada para a carga pode
ciente angular de - 1/72 passando através do ponto de opera-
ser calculada usando-se a Eq. (16.9):
ção indicado. Para ajudar no desenho da reta de carga, consi-
N2 dere o seguinte procedimento. Para uma oscilação de corrente
VL = V2 =-Vi de
Ni
A potência através da carga pode ser expressa por VcE 10 V
l c = - = - - = 139mA
Rf 720
PL = Vz(rms) marque um ponto (A):
RL
e é igual à potência calculada usando-se a Eq. (16.5c).
IcEQ +Ic= 140mA+ 139mA= 279 mA aolongodoeixo-y
Usando-se a Eq. (16.10) para calcular a corrente de carga, Conecte o ponto A através do ponto-Q para obter a reta de carga
temos ac. Para uma dada oscilação de corrente de base de 4 mA de pico,
a máxima e a mínima correntes de coletor e a tensão coletor-
Ni
h =[z =-lc emissorobtida da Fig. 16.11 são
N2
e a potência de saída ac é calculada usando-se
VcEmm = 1,7 V Icm., = 25 mA
VCE.,.. = 18,3 V Ic.,., = 255 mA
PL = Il(rms)RL

Vcc = IOV
EXEMPLO 16.4
Calcule a potência ac liberada para um alto-falante de 8 n do
circuito da Fig. 16.10. Os valores dos componentes do circuito
resultam numa corrente de base de de 6 mA, e o sinal de entrada
(v;) resulta numa oscilação de corrente de base de 4 mA de pico.

Solução V; --)t---t-7""---;
e
A reta de carga de é desenhada verticalmente (veja Fig. 16.11) /8 =6mA
do ponto de tensão:
Devido a V;:
VcEii = Vcc = 10 V /hpko =4mA
Para / 8 = 6 mA, o ponto de operação na Fig. 16.11 é
Fig. 16.10 Amplificador classe A acoplado a transformador para o Exemplo 16.4.
486 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos Pi
lc (mA) lc (mA) Reta de carga de
14mA 14mA
400 - 400

350 -
( l2mA 12mA
,r
300 -
lOmA
250 - lc =255mA
max.
BmA BmA
200 - f:.lc 200
Ponto de operação
150 6mA 150 6mA
, lcQ
100 4mA 100 4mA
,r
50 [B =2mA 50
lc . =25mA
1 1 1 1 1 mm.
o 5 10 15 20 25 VcE (V) o 5 10 15 20 25 VcE (V)

VcE . = 1,7 V VcE = 18,3 V

mm. max.
(a) (b)

Fig.16.11 Curvas características do transistor classe A acoplado a transformador para os Exemplos 16.4 e 16.5: (a) características do dispositivo; (b) retas de carga
de e ac.

A potência ac liberada para a carga pode, então, ser calculada é dissipada pelo transistor. Ou seja, a dissipação de potência em
usando-se a Eq. (16.13): um amplificador classe A atinge seu máximo quando a carga é
desconectada do amplificador; por outro lado, quando a carga está
Po(ac) = (VCEmax - VcES)(Icmox - /cmi.) drenando a máxima potência possível do circuito, o transistor
dissipa a mínima quantidade de potência possível.
(18,3 V - 1,7 V)(255 mA - 25 mA)
0,477 W
8
EXEMPLO 16.5
Para o circuito da Fig. 16.10 e os resultados do Exemplo 16.4,
Eficiência calcule a potência de entrada de, potência dissipada pelo transis-
tor, e eficiência do circuito para o sinal de entrada do Exemplo
Até agora consideramos o cálculo da potência ac liberada para a 16.4.
carga. Consideramos, em seguida, a potência de entrada da fon-
te, perdas de potência no amplificador, e a eficiência global de Solução
potência do amplificador classe A acoplado a transformador. Eq. (16.14): P,{dc) =Vcclcº-=(10 V)(140 mA) = 1,4 W
A potência de entrada (de) obtida da fonte é calculada a par-
tir do valor da fonte de tensão de e da potência média drenada Eq. (16.15): PQ = Pi(dc) - Po(ac) = 1,4 W - 0,477 W
da fonte: = 0,92 W
1 P;(dc) = Vcclcv 1 (16.14) A eficiência do amplificador é, então,
Para o amplificador acoplado a transformador, a potência dissi- P 0 (ac) 0,477 W
pada pelo transformador é pequena (devido à pequena resistên- % 1J = - - X 100% = X 100% = 34,1%
P;(dc) 1,4 W
cia de de uma bobina) e será ignorada nestes cálculos. Logo, a
única perda de potência considerada aqui é aquela dissipada pelo
transistor de potência e calculada, usando-se
MÁXIMA EFICIÊNCIA TEÓRICA
[!~ = P,.(dc) - P,/ac) j (16.15)
Para um amplificador classe A acoplado a transformador, a
onde PQ é a potência dissipada por calor. Embora a equação seja máxima eficiência teórica atinge 50%. Baseado nos sinais ob-
simples, é, contudo, de pouco significado quando utilizamos um tidos usando-se o amplificador, a eficiência pode ser expressa
amplificador classe A. A quantidade de potência dissipada pelo por
transistor é a diferença entre a drenada da fonte de (determinada
2
pelo ponto de polarização) e a quantidade liberada para a carga % 1J = 50 ( VCEmn - VCE.,;n ) % (16.16)
ac. Quando o sinal de entrada é muito pequeno, com uma potên- VCEma, + VCEm;n
cia ac muito pequena liberada para a carga, a potência máxima é
dissipada pelo transistor. Quando o sinal de entrada é grande, e a Quanto maior o valor de VcE,,,, e menor o valor de VcEm'", mais
potência liberada para a carga é também grande, menos potência próxima fica a eficiência do limite teórico de 50%.
 Amplificadores de Potência 487

EXEMPLO 16.6

Calcule a eficiência do amplificador classe A acoplado a trans-

formador para uma fonte de 12 V e saídas de:
(a) V(p) = 12 V.
(b) V(p) = 6 V.
(c) V(p) = 2 V.

Solução

Como VcEo = Vcc = 12 V, os pontos máximo e mínimo da osci-

Fig. 16.12 Representação em bloco da operação push-pull.
lação de tensão são
(a) VcE,,., = VcEQ + V(p) = 12 V + 12 V= 24 V
VcEm,, = VcEQ - V(p) = 12 V - 12 V = O V
Potência de Entrada (DC)
resultando em
A potência fornecida a uma carga por um amplificador é drena-
% =so(24V-OV) 2 % =50% da da fonte de potência (ou fontes de potências; veja Fig. 16.13 ),
TI 24V+OV as quais fornecem a potência de entrada ou de. A quantidade desta
(b) VcEm,, = VcEQ + V(p) = 12 V + 6 V = 18 V potência de entrada pode ser calculada usando-se
VCEm,, = VcEQ - V(p) = 12 V - 6 V = 6 V P;(dc) = Vccldc (16.17)
resultando em

%
TI
= so( 18 v- 6 v)2
18 V+ 6 V
% = 12,5% +Vcc
t
(c) VcEm,. = VcEQ + V(p) = 12V + 2 V = 14 V
VcEmío = VcE,i - V(p) = 12 V - 2 V = 10 V
resultando em

14 V - 10 V) 2
% TI = SO ( 14 V + 10 V % = 1,39%
Note quão dramaticamente a eficiência do amplificador cai de
um máximo de 50% em V(p) = Vcc para pouco mais de 1% em
V(p) = 2 V.
-Vcc

16.4 OPERAÇÃO DO AMPLIFICADOR (a)

CLASSE B
+Vcc
Na operação classe B, o transistor fica polarizado em um nível
que o mantém cortado, sendo ligado somente quando o sinal é t
aplicado. Ou seja, praticamente não há polarização, e o transis-
tor conduz corrente por apenas meio ciclo do sinal. Para se obter
saída para um ciclo completo de sinal, é necessário usar dois tran-
sistores e ter cada um conduzindo em meios ciclos opostos. A
operação combinada fornece um ciclo completo de sinal de saí-
da. Como uma parte do circuito empurra o sinal alto durante um
meio ciclo e a outra parte puxa o sinal baixo durante o outro meio
ciclo, o circuito é referenciado como um circuito push-pull. A
Fig. 16.12 mostra um diagrama para a operação push-pull. Um
sinal de entrada ac é aplicado ao circuito push-pull, sendo a ope-
ração dividida em meios ciclos alternados; a carga, então, rece-
be um sinal por um ciclo completo de operação. Os transistores
de potência usados num circuito push-pull são capazes de libe-
(b)
rar a potência desejada pela carga, e a operação classe B desses
transistores apresentam uma eficiência maior do que a possível Fig. 16.13 Conexão de um amplificador push-pull a carga: (a) usando-se duas
usando um simples transistor em operação classe A. fontes de tensão; (b) usando-se uma fonte de tensão.
488 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

onde /de é a corrente média ou de drenada das fontes de potên- Potência Dissipada pelos Transistores
cia. Na operação classe B, a corrente drenada de uma única fonte
de potência tem a forma de um sinal de onda completa retifica-
de Saída
do, enquanto a drenada de duas fontes de potência tem a forma
A potência dissipada (por aquecimento) pelos transistores de
de um sinal de meia onda retificado de cada fonte. Em qual-
potência de saída é a diferença entre a potência de entrada libe-
quer caso, o valor da corrente média drenada pode ser expres-
rada pelas fontes e a potência de saída liberada para a carga.
so como
(16.23)
.., !
Íctc = ~/(p)
1T
1
!
(16.18) onde P2Q é a potência dissipada pelos dois transistores de potên-
cia de saída. A potência dissipada por cada transistor é, então,
onde /(p) é o valor de pico da forma de onda da corrente de saí- P2Q
PQ=2 (16.24)
da. Usando a Eq. (16.18) na equação da potência de entrada
(16.17) resulta em
í-----------------··- .-- _-------·1
1 P;(dc) = Vcc(~/(p)) 1 (16.19) EXEMPLO 16.7
1 1T 1

Para um amplificador classe B fornecendo sinal de 20 V de pico

Potência de Saída (AC) para uma carga de 16 O. (alto-falante) e uma fonte de potência
de Vcc = 30 V, determine a potência de entrada, potência de saí-
A potência liberada para a carga (geralmente referida como re- da, e a eficiência do circuito.
sistência, RL) pode ser calculada em qualquer uma das várias
equações. Se alguém estiver usando um medidor rms para me- Solução
dir a tensão na carga, a potência de saída pode ser calculada
por Um sinal de 20 V de pico através de uma carga de 16 O fornece
uma corrente de pico na carga de

(16.20) VL(P) 20 V
h(p) = ~ = 16 O. = 1,25 A

Se alguém estiver usando um osciloscópio, a tensão de saída O valor de da corrente drenada da fonte de potência é, então,
medida de pico, ou pico a pico, pode ser usada:
2 2
Ide= -h(p) = -(1,25 A)= 0,796 A
p (a ) = Vf(p-p) = Vf(p) (16.21) 1T 1T
º e 8RL 2RL
e a potência de entrada liberada pela fonte de tensão é
Quanto maior a tensão rms ou de pico de saída, maior a potência
liberada para a carga. P;(dc) = Vccldc = (30 V)(0,796 A)= 23,9 W
A potência de saída liberada para a carga é
Eficiência
P (ac) = Vt(p) = <20 v)2 = 12 5 W
0
2RL 2(16 0.) '
A eficiência de um amplificador classe B pode ser calculada usan-
do-se a equação básica: para uma eficiência resultante de

% = Po(ac) x 100% Po(ac) 12,5 W

% 'Y/ = - - X 100% = X 100% = 52,3%
'Y/ P;(dc) P;(dc) 23,9 W
Usando-se as Eqs. (16.19) e (16.21) na equação da eficiência
acima resulta em

% 'Y/ =P (ac) X 100%

0 = Vr(p)!2RL X lü0% Considerações de Máxima Potência
P;(dc) Vcd(217r)/(p)]
Para operação classe B, a potência máxima de saída é liberada
(16.22)
= 1T VL(P) X 100% para a carga quando Vlp) = Vcc-
4 Vcc
(usando-se /(p) = VL (p)IRL). A equação (16.22) mostra que, máxima P 0 (ac) = (16.25)
quanto maior a tensão de pico, mais alta a eficiência do circuito, 2R1--
até um valor máximo de VL (p) = Vcc· A eficiência máxima cor-
respondente é de: A corrente de pico ac correspondente /(p) é, então,
Vcc
eficiência máxima =; X 100% = 78,5% I(p)=-
RL
 Amplificadores de Potência 489

tal que o valor máximo da corrente média da fonte de potência é . o,, P (ac) lOO% 28,125 W
m á x1ma = --- =
0
10 '11 x x 100%
, . 2 2Vcc · P;(_dc) 35,81 W
max1ma Ide = -/(p) =--
1T 1TRL = 78,54%
Usando esta corrente para calcular o valor máximo de potência como esperado. A máxima potência dissipada por cada transis-
de entrada, resulta em tor é

máxima PQ =
máxima P 2Q
= 0,5
( 2V~:-c)
'Tt"RL
2

= o,5 [
2(30 v)2] = 5,7 w
;;- 16 0

Sob condições extremas, um par de transistores, cada um dissi-

A eficiência máxima do circuito para operação classe B é, então,
pando no máximo 5,7 W pode liberar 28,125 W para uma carga
Po(ac) de 16 n, enquanto drena 35,81 W da fonte.
máximo % 11 = - - - x 100%
P;(dc)
A eficiência de um amplificador classe B também pode ser ex-
V?;cl2RL X l ()()%
= Vcd(2/1r)(V ccfRL)]
pressa como se segue:

1T
=4 X 100% = 78,54% (16.27)

Quando o sinal de entrada produz uma oscilação menor do que a

máxima oscilação possível do sinal de saída, a eficiência do cir-
cuito é menor do que 78,5%.
Para operação classe B, a máxima potência dissipada pelos Po(ac)
tal que% '11 = - - X 100%
transistores de saída não ocorre na condição de máxima potên- P;(dc)
cia de entrada ou saída. A máxima potência dissipada pelos dois
transistores de saída ocorre quando a tensão de saída através da vr(p)/2.R.L x 100% = 78,54 vL(P> %
(16.29)
carga é Vcd(2/1r)(VL(p)/RL)] Vcc

VL(P) = 0,636Vcc
EXEMPLO 16.9
para uma dissipação máxima de potência do transistor de
Calcule a eficiência de um amplificador classe B para uma fonte
de tensão de Vcc = 24 V com tensões de pico de saída de:
(16.28) (a) Vi(P) = 22V.
(b) Yi(P) = 6 V.

Solução

Usando-se a Eq. (16.29), temos

EXEMPLO 16.8

Para um amplificador classe B usando uma fonte de Vcc = 30 V

(a) % '11 = 78,54 VL(P) (22 V)
Vcc % = 78,54 24 V = 72%
e acionando uma carga de 16 n, determine a máxima potência
de entrada, potência de saída, e dissipação do transistor. (b) % '11 = 78.54c:: )% = 19,6%
Solução Note que a tensão próxima da máxima [22 V na letra (a)] resúltanuma
eficiência próxima da máxima, enquanto uma oscilação pequena de
A máxima potência de saída é tensão [6 V na letra (b)] ainda fornece uma eficiência próxima de 20%.
Fontes de potência e oscilações de sinais semelhantes resúltariam
, . · V:cc
2 (30 V)2 numa eficiência muito pobre em amplificadores classe A.
max1ma Po(ac) = 2RL = 206 !l) = 28,125 W
A máxima potência de entrada drenada da fonte de tensão é 16.S CIRCUITOS AMPLIFICADORES
. 2Vfc 2(30 V) 2 CLASSE B
máxima P;(dc) =--= " = 35,81 W
TTRL 1T(l6 u)
Existem várias configurações que atuam como amplificador clas-
A eficiência do circuito é, então, se B. Consideraremos, nesta seção, algumas vantagens e desvan-
490 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
tagens dos circuitos mais utilizados. O sinal de entrada pode ser
único. Neste caso, cada estágio de saída opera em metade do ci-
clo. Se a entrada for representada por dois sinais de polaridades
opostas, dois estágios semelhantes poderiam ser usados, cada um
operando um ciclo alternado por causa do sinal de entrada. Um
meio de obter inversão de polaridade ou fase é usar um transfor-
mador (o amplificador acoplado a transformador é muito utili-
zado há algum tempo). Entradas de polaridades opostas podem
ser facilmente obtidas usando-se amp-ops com duas saídas opos-
tas, ou usando-se alguns estágios de amp-ops para obter dois si-
nais de polaridade opostas. Uma operação de polaridade oposta
também pode ser conseguida usando-se uma única entrada e tran-
sistores complementares (npn e pnp, ou 17MOS e pMOS).
(a)
I;- ~ } Sinais de
I;- _ {\ entrada push-pull
C3 --V-
(b)
(e)
A Fig. 16.14 mostra diferentes formas de obter sinais inver-
tidos em fase a partir de um único sinal. Na Fig. 16.14a, ve-
mos um transformador com derivação central para fornecer
sinais de fases opostas. Se o transformador tem a derivação
central bem no centro, os dois sinais são exatamente opostos
em fase e de mesma amplitude. O circuito da Fig. 16.14b usa
um estágio TBJ com saída em fase no emissor, e saída de fase
oposta no coletor. Se o ganho é próximo de 1 para cada saída,
obtém-se a mesma amplitude. Normalmente utilizam-se dois
estágios amp-op, um para fornecer um ganho inversor unitá-
rio, e o outro para um ganho não-inversor também unitário, a
fim de proporcionar duas saídas de mesma amplitude, mas de
fases opostas.
Sinais
push-pull
Para o circuito
push-pull
Fig. 16.14 Circuitos separadores de fase.
 Amplificadores de Potência 491

Circuito de polarização

'-,-,' '---.r-----'
Transformador de entrada Conexão do circuito Transformador de Carga
separador de fase push-pull saída push-pull Fig. 16.15 Circuito push-pull.

Circuitos Push-Pull Acoplados a Transformador Circuitos de Simetria Complementar

O circuito da Fig. 16.15 usa um transformador com derivação
central para produzir sinais de polaridades opostas para os dois
transistores de entrada e um transformador na saída para acionar
a carga num modo de operação push-pull descrito em seguida.
Durante o primeiro meio ciclo de operação, o transistor Q 1 é
levado para a condução, enquanto o transistor Q2 está cortado. A
corrente i1 através do transformador produz o primeiro meio ci-
clo de sinal para a carga. Durante o segundo meio ciclo do sinal
de entrada, Q2 conduz, portanto Q, fica cortado, e a corrente i 2
através do transformador proporciona o segundo meio ciclo para
a carga. O sinal global desenvolvido através da carga varia, en-
tão, sobre o ciclo completo de operação do sinal.
Usando transistores complementares (npn e pnp), é possível obter
um ciclo completo de saída através da carga, usando meios-ciclos
de operação de cada transistor, como consta na Fig. 16.16a. Em-
bora um único sinal de entrada seja aplicado na base de ambos os
transistores, os transistores, sendo de tipos opostos, conduzirão em
meios ciclos opostos da entrada. O transistor npn será polarizado
para a condução pelo meio ciclo positivo do sinal, proporcionan-
do um meio ciclo de sinal através da carga, como mostrado na Fig.
16.16b. Durante o meio ciclo negativo de sinal, o transistor pnp é
polarizado para a condução, conforme mostra a Fig. 16.16c.
Durante um ciclo completo da entrada, um ciclo completo de
sinal de saída é desenvolvido através da carga. Uma desvanta-

Polarizado conduzindo
pelo sinal de entrada"'

+ +

/\ ~ :
\/

Polarizado cortado/
pelo sinal de entrada

(a) (b)

Polarizado cortado
pelo sinal de entrada........_

Vcc1
URL

.-v---11--.. .
l\\ ])iatorçlo de
V;-+•
+ .•·r \.
.. .. ~.
••• / CIOIIDYer

Vccz • t

Polarizado conduzindo /
pelo sinal de entrada
Fig. 16.16 Circuito push-pull
(c) (d) com simetria complementar.
492 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

um chaveamento perfeito de um transistor conduzindo para o

outro cortado, na condição de tensão zero. Ambos os transisto-
res podem estar parcialmente cortados, de modo que a tensão de
saída não segue a entrada em torno da condição de tensão zero.
Polarizando-se os transistores na classe AB, obtém-se uma me-
lhoria para esta operação, pois nesta situação eles ficam condu-
zindo por mais da metade de um ciclo.
Uma versão mais utilizada na prática de um circuito push-pull
usando transistores complementares é mostrada na Fig. 16.17. A
V;---) resistência da carga está casada ao circuito devido à baixa resis-
C=40µF
tência de saída do seguidor de emissor. O circuito usa transisto-
res complementares em conexão Darlington para fornecer alta
corrente e baixa resistência de saída.

Amplificador Push-Pull
Quase-Complementar
Em circuitos amplificadores de potência práticos, é preferível usar
transistores npn para ambos os dispositivos de saída de alta corrente.
Conecte ao Como a conexão push-pull é composta por dispositivos complemen-
Cargaac { 220 alto-falante
quando o alto falante } de tares, deve-se usar também um transistor pnp de alta potência Um
é desconectado procedimento comumente utilizado para atender a estas necessida-
4-16 n
To,22µF des é o emprego de um circuito quase-complementar, como mostra

i. a Fig. 16.18. A operação push-pull é conseguida pelo uso de transis-

Fig. 16.17 Circuito push-pull com simetria complementar, usando-se transisto-
res Darlington.
gem do circuito é a necessidade de duas fontes de tensão separa-
das. Uma outra desvantagem, menos óbvia, é a distorção de cros-
sover resultante no sinal de saída (veja Fig. 16.16d). Distorção
de crossover refere-se ao fato de, durante a passagem do sinal de
positivo para negativo (ou vice-versa), haver uma não-linearidade
no sinal de saída. Isso resulta do fato de o circuito não apresentar
tores complementares (Q, e Q2) antes dos transistores de saída npn,
casados (Q3 e Qi). Note que os transistores Q, e Q3 formam uma
conexão Darlington que apresenta uma baixa impedância de saída,
típica de um seguidor de emissor. A conexão de transistores Q2 e Q4
forma um par realimentado, o qual, semelhantemente, fornece uma
baixa impedância para a carga O resistor R2 pode ser ajustado para
minimizar a distorção de crossover pela alteração do nível de polari-
zação de. O único sinal de entrada para o estágio push-pull resulta,
então, num ciclo de saída completo para a carga O amplificadorpush-
pull quase-complementar é, atualmente, o circuito mais utilizado para
amplificação de potência

Par
Darlington

RL
(Carga)
Par
realimentado

Fig. 16.18 Amplificador de potência push-pull quase-com-

plementar sem transformador.
 Amplificadores de Potência 493

A eficiência do circuito (para a entrada de 12 V, rms) é, então,

EXEMPLO 16.10
P0 36,125 W
Para o circuito da Fig. 16.19, calcule a potência de entrada, po- % T'/ = - X 100% = X 100% = 53,3%
P; 67,75 W
tência de saída, a potência manipulada por cada transistor de saída
e a eficiência do circuito para uma entrada de 12 V rms.

+Vcc =+25V EXEMPLO 16.11

Para o circuito da Fig. 16.19, calcule a máxima potência de en-

trada, máxima potência de saída, tensão de entrada para máxima
potência de operação, e a potência dissipada pelos transistores
de saída nesta tensão.

Solução
A máxima potência de entrada é

2 V~c 2(25 V)2

-------VL máxima P;(dc) = -- = n = 99,47 W
7TRL 7T4 u
RL A máxima potência de saída é
40
, . p ( ) V~c (25 V)2
max1ma O ac = 2RL = 2 (4 O)
= 78 , 125 W

[Note que a eficiência máxima é conseguida:]

% = Po X 100% = 78,125 W 100% = 78 54%

T'/ P; 99,47 W '
Para conseguir potência máxima de operação, a tensão de saída
Fig.16.19 Amplificador de potência classe B para os Exemplos 16.10 a 16.12. deve ser
VL(p) = Vcc = 25 V
Solução e a potência dissipada pelos transistores de saída é, então,
A tensão de pico de entrada é P2Q = P; - P0 = 99,47 W - 78,125 W = 21,3 W
V;(p) = ,,/2 V; (rms) = ,,/2 (12 V)= 16,97 V= 17 V
Uma vez que a tensão resultante através da carga é idealmente a EXEMPLO 16.12
mesma do sinal de entrada ( o amplificador tem, idealmente, um
ganho de tensão unitário), Para o circuito da Fig. 16.19, determine a máxima potência dis-
VL(p) = 17 V sipada pelos transistores de saída e a tensão de entrada em que
isto ocorre.
e a potência de saída desenvolvida na carga é
Solução
Po(ac) = v2Rf(pL) = 01 V) 2 = 36 125 W
2(4 O) ' A máxima potência dissipada por ambos os transistores de saída é
A corrente de pico na carga é 2V~c 2(25 V)2 = 3166
máxima P 2Q =~ "1-40 ' W
VL(P) 17 V 7íRL
h(p) = Ji;- = 4 O = 4,25 A
A dissipação máxima ocorre em
da qual a corrente de das fontes é calculada como VL = 0,636 VL (p) = 0,636 (25 V) = 15,9 V
2 2(4,25 A) (Note que em VL = 15,9 V, o circuito solicitou que os transisto-
fctc = -h(p) = = 2,71 A res dissipassem 31,66 W, enquanto em VL = 25 V eles tiveram
1T 1T
de dissipar somente 21,3 W.)
de modo que a potência fornecida ao circuito é
P/dc) = Vcclctc = (25 V)(2, 71 A) = 67, 75 W
A potência dissipada por cada transistor de saída é 16.6 DISTORÇÃO DO AMPLIFICADOR
67,75 W - 36,125 W = 15 8 W Um sinal senoidal puro tem uma única freqüência na qual a ten-
2 ' são varia positiva e negativamente. Um sinal que varia menos
494 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

do que um ciclo completo de 360° é considerado como tendo

distorção. Um amplificador ideal é capaz de amplificar um sinal % D3 = -1IA3I- 1 X 100%
0,1 V
=- -X 100% = 4%
Ai 2,5 V
senoidal puro, produzindo uma forma de onda também senoidal.
Quando ocorre distorção, a saída não representa uma duplicata
exata (a não ser em amplitude) do sinal de entrada. % D4 = IIAA411 X 100% = 0,05 V X 100% = 2%
1 2,5 V
A distorção pode ocorrer porque as características do dispo-
sitivo são não-lineares. Neste caso ocorre distorção não-linear ou
de amplitude. Isto pode ser observado com todas as classes de
operação de amplificadores. Distorção pode ocorrer também DISTORÇÃO HARMÔNICA TOTAL
porque os elementos do circuito e dispositivos respondem a um
sinal de entrada de forma diferente nas várias freqüências, sendo Quando um sinal de saída tem várias harmônicas, define-se a
este caso chamado de distorção em freqüência. distorção harmônica total pela seguinte equação:
Uma das técnicas usadas para descrever a distorção utiliza a
análise de Fourier. Este método descreve qualquer forma de onda % DHT = YD~ + D~ +D~+ · · · x 100% (16.31)
periódica em termos das componentes de freqüência (fundamen- onde DHT é a distorção harmônica total.
tal e múltiplos inteiros dela). Estas componentes são chamadas
de componentes hannônicos, ou harmônicos. Por exemplo, um
sinal originalmente de 1.000 Hz poderia resultar, após distorcido,
em um sinal com componentes de freqüência de 1.000 Hz (1 kHz) EXEMPLO 16.14
e componentes harmônicos de 2 kHz (2 X 1 kHz), 3 kHz (3 X 1
kHz), 4 kHz (4 X 1 kHz), e assim por diante. A freqüência origi- Calcule a distorção harmônica total para as componentes de
nal de 1 kHz é chamada freqüência fundamental, cujos múltiplos amplitude dadas no Exemplo 16.13.
inteiros são as harmônicas. A componente de 2 kHz é, portanto,
chamada de segundo harmônico, a de 3 kHz é o terceiro harmô- Solução
nico, e assim por diante. A freqüência fundamental não é consi-
derada um harmônico. A análise de Fourier não considera fre- Usando os valores calculados de D 2 = 0,10, D 3 = 0,04, e D4 =
qüências harmônicas fracionárias - somente múltiplos inteiros 0,02 na Eq. (16.31),
da fundamental.
% DHT = YD~ + D~ + D~ x 100%
= Y(0,10) 2 + (0,04) 2 + (0,02)2 x 100%
Distorção Harmônica
= 0,1095 X 100%
Quando o sinal de entrada é composto apenas pela componente = 10,95%
de freqüência fundamental, considera-se que há distorção deste
sinal quando aparecem novas componentes de freqüência harmô-
nicas. Se a freqüência fundamental tem uma amplitude, A,, e a Um instrumento tal como o analisador de espectro permitiria
'!']-ésima componente de freqüência tem uma amplitude, A,,, a medir os harmônicos presentes no sinal, fornecendo uma amos-
distorção harmônica pode ser definida como tra das componentes individuais de um sinal e vários de seus
harmônicos numa tela. Semelhantemente, um instrumento
analisador de onda permite medidas mais exatas dos compo-
1 % 71-ésima distorção harmônica = % D = IA,1 I ~~00% 1 (16.30) nentes harmônicos de um sinal distorcido, filtrando cada um
1 ~ IA1 1 1
deles e fornecendo uma leitura de tais componentes. Em qual-
quer caso, a técnica de considerar qualquer sinal distorcido
A componente fundamental é tipicamente maior do que qualquer como contendo uma componente fundamental e suas compo-
componente harmônica. nentes harmônicas é prática e útil. Para um sinal amplificado
em classe AB ou classe B, a distorção deve ocorrer principal-
mente nos harmônicos pares, dos quais a componente do segun-
do harmônico é a maior. Portanto, embora o sinal distorcido,
EXEMPLO 16.13 teoricamente, contenha todos os componentes harmônicos do
segundo harmônico em diante, o mais crítico nas classes apre-
Calcule a distorção harmônica para um sinal de saída com am- sentadas acima é o segundo harmônico.
plitude fundamental de 2,5 V, amplitude do segundo harmônico
de 0,25 V, amplitude do terceiro harmônico de 0,1 V, e amplitu- DISTORÇÃO DO SEGUNDO HARMÔNICO
de do quarto harmônico de 0,05 V.
A Fig. 16.20 mostra uma forma de onda para uso na obtenção
Solução da distorção do segundo harmônico. São mostrados o ponto qui-
escente, níveis de sinal máximo e mínimo, e o tempo no qual eles
Usando-se a Eq. (16.30), temos ocorrem. O sinal mostrado indica que alguma distorção está pre-
sente. Uma equação que aproximadamente descreve a forma de
onda do sinal distorcido é
% D2 = -1IA2I- 1 X 100% = 0,25 V X 100% = 10%
A1 2,5 V ic = IcQ + lo + / 1 cos wt + /2 cos wt (16.32)
 Amplificadores de Potência 495

De forma semelhante, a distorção de segundo harmônico pode ser

expressa em termos das tensões medidas entre coletor-emissor:

D2 = 1 !<VcE; + v~Ev.) - VcEa I X 100% (16.34)

.CE,... CEm1 0

lc
Q

EXEMPLO 16.15

Uma forma de onda de saída mostrada num osciloscópio forne-

lc. ce as seguintes medidas:
mm.
(a) VcE,,,,, = 1 V, VcEm., = 22 V, VcE,i = 12 V.
11: 11: 311: 211: (l)t (b) VcEm,, = 4 V, VcE,rni. = 20 V, VcEQ = 12 V.
2 2

Fig. 16.20 Forma de onda para obter distorção do segundo harmônico. Determine a distorção de segundo harmônico.

Solução
A forma de onda contém a corrente quiescente original I CQ• a qual
ocorre com sinal zero de entrada; uma corrente de adicional / 0 , Usando a Eq. (16.34), temos
devido à média do sinal distorcido ser diferente de zero; a com-
( ) D = 1 !(22 V + 1 V) - 12 V I X 100% = 2 38%
ponente fundamental do sinal ac distorcido, / 1; e uma componente a 2 22V-1V '
de segundo harmônico / 2, em duas vezes a freqüência fundamen-
tal. Embora outros harmônicos estejam também presentes, so- i(20 V + 4 V) - 12 V 1 (sem
mente o segundo é considerado aqui. Equacionando a corrente (b) D2 = 1 20 V - 4 V X 100% = 0% distorção)
resultante da Eq. (16.32) em alguns pontos do ciclo para aquela
mostrada na forma de onda de corrente, obtemos as três relações
seguintes: Potência de Sinal com Distorção
No ponto 1 (wt = O):
Quando ocorre distorção, a potência de saída calculada para o
ic = lcm.. = lcQ +lo+ /1 cos O+ /2 cos O sinal não-distorcido deve ser recalculada. Quando há distorção,
a potência de saída liberada para o resistor de carga Rc devido a
lcm,x = lcQ + lo + li + h componente fundamental do sinal distorcido é
No ponto 2 (wt = 7r/2): iiRc
P1 =-2- (16.35)
'Ir 271"
ic = Ic = Ic + / 0
Q Q
+ / 1 cos -2 + 12 cos - 2 A potência total devida a todos os componentes harmônicos do
sinal distorcido pode ser calculada usando-se
IcQ = lcQ + lo - li
No ponto 3 (wt = 7r): P = (Ir + l~ + l~ + · · ·) Rc (16.36)
2
ic = Icmm. = IcQ + lo + I, cos 7T + /2 cos 27T A potência total pode também ser expressa em termos de distor-
ção harmônica total,
Icmm. = Ic + lo - Q
I, + 12
Resolvendo as três equações precedentes simultaneamente, ob-
P = (1 + D~ + D~ + · · ·) Ir Rc = (1 + DHT 2)P 1 (16.37)
2
temos os seguintes resultados:

I _ lcmax -Icmin
,- 2 EXEMPLO 16.16
Referindo-se à Eq. (16.30), a definição de distorção de segundo Para uma leitura de distorção harmônica de D2 = 0,1, D3 = 0,02,
harmônico pode ser expressa em termos de tensões medidas de e D 4 = 0,01 com / 1 = 4 A e Rc = 8 O, calcule a distorção harmô-
coletor-emissor: nica total, potência da componente fundamental, e potência total.

D2 = 1 ~: 1 X 100% Solução

Inserindo os valores de / 1 e / 2 determinados acima, temos A distorção harmônica total é

D2 = .1(/
2 Cmax
+ICmin )-1Ca 1
X 100% DHT= YD~ +D~+ Di
1 (16.33)
Icmax - Icml. = Y(O, 1) 2 + (0,02) 2 + (0,01) 2 = 0,1
496 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

A potência fundamental, usando a Eq. (Hí.35), é
ItRc (4 A)2(8 f!)
P1 =- 2- = 2
A potência total calculada usando a Eq. (16.37) é então
P = (1 + THD2)P1 = [1 + (0, 1)2]64 = (1,01)64 =
(Note que a potência total é devida, principalmente, à componente
fundamental, mesmo com 10% de distorção de segundo harmô-
nico.) .
Descrição Gráfica de Componentes
Harmônicos de Sinal Distorcido
Uma forma de onda distorcida tal como a que ocorre na opera-
ção classe B pode ser representada, usando análise de Fourier,
por uma fundamental com componentes harmônicas. A Fig.
16.21a mostra meio ciclo positivo resultante da operação de um
amplificador classe B. Usando técnicas de análise de Fourier, a
componente fundamental do sinal distorcido pode ser obtida,
como mostrado na Fig. 16.21b. Semelhantemente, as componen-
tes de segundo e terceiro harmônico podem ser obtidas, e são
mostradas na Fig. 16.21c e d, respectivamente. Usando a técnica
de Fourier, a forma de onda distorcida pode ser construída pela
adição das componentes fundamental e harmônicas, conforme
= 64 W Fig. 16.2le. Em geral, qualquer forma de onda periódica
distorcida pode ser representada pela adição de uma componen-
te fundamental e todas as componentes harmônicas, cada qual
com amplitude e ângulo de fase diferentes.
= 64,64 W
16. 7 DISSIPADOR DE TRANSISTOR
DE POTÊNCIA
Enquanto circuitos integrados são usados para aplicações de
pequenos sinais e baixa potência, muitas aplicações de alta po-
tência ainda requerem transistores individuais. As melhorias in-
troduzidas nas técnicas de produção têm fornecido relações de
potências mais altas em pastilhas de tamanho reduzido, aumen-
tando a tensão máxima de avaria do transistor, e fornecendo tran-
sistores de potência de chaveamento rápido.
A máxima potência suportada por um dispositivo particular e
a temperatura das junções do transistor estão relacionadas, uma
vez que a potência dissipada pelo dispositivo provoca um aumen-
to de temperatura na sua junção. Obviamente, um transistor de
100 W apresenta uma maior capacidade de potência do que um
transistor de 1OW. Por outro lado, técnicas apropriadas para dis-

V V V1 sen wt
Sinal senoidal distorcido (componente senoidal da fundamental)

.... ... ..· ............./

..... ...
vp!i..-a •• /

.l
o•
•••
• .. .... ··..
Or - - - - - . -
•...-.. - - - -
.. ~_.---,,..rot
rot
•·. ....
···••·•··
(a) (b)

V V
-V2 cos 2ror
(componente do segundo harmônico) V3 sen 3 wt

..······../
(componente do terceiro harmônico)

......... /
01---1-·--·+---,T.:'--___.:~:.----- o r-··-·"--.••--:
.. ~···-_·-'i··.. - -..,.:.•º_..._."o--..---,...
.... ··. ...... ·...... ··,.,··
... \ .:
......,·
rot
··.. ror

(c) (d)

V Forma de onda devido ao segundo e

/ terceiro harmônico da fundamental
,... V
•• ·~ 1 sen wt

ror

Fig. 16.21 Representação gráfica de um sinal

distorcido através do uso de componentes harmô-
(e) nicas.
 Amplificadores de Potência 497

sipação de potência permitem uma operação em tomo de meta-

de da potência nominal máxima.
Notamos que dos dois tipos de transistores bipolares - ger-
mânio e silício - , os transistores de silício apresentam maior
resistência à temperatura. Tipicamente, a temperatura de junção
máxima desses tipos de transistores de potência são

Silício: 150-200"C
Germânio: 100-1 lOºC

Para muitas aplicações a potência média dissipada pode ser O 25 50 75 100 125 150 175 200
aproximada por Temperatura do invólucro ("C)

(16.38) Fig. 16.23 Curva típica de delimitação de potência para transistores de silício.
Esta dissipação de potência, entretanto, só é permitida até uma
temperatura máxima. Acima desta temperatura, a capacidade de
dissipação de potência do dispositivo deve ser reduzida tal que,
A Fig. 16.23 mostra uma curva de delimitação de potência
em temperaturas mais altas do invólucro, a capacidade de potên-
típica para um transistor de silício. A curva mostra que o fabri-
cia suportada seja reduzida abaixo de O W na máxima tempera-
cante especifica um ponto superior de temperatura (não neces-
tura do invólucro do dispositivo.
sariamente 25ºC), após o qual ocorre uma relação linear. Para
Quanto maior a potência suportada pelo transistor, mais alta
o silício, a potência máxima que será suportada pelo dispositi-
a temperatura de seu invólucro. Na verdade, o fator limitante na
vo não se reduz a O W, até que a temperatura do invólucro seja
potência suportada é a temperatura da junção do coletor do dis-
200ºC.
positivo. Transistores de potência são montados em grandes cáp-
Não é necessário fornecer uma curva de delimitação, uma vez
sulas de metal para fornecerem uma grande área da qual o calor
que a mesma informação pode ser dada como um fator de deli-
gerado pelo dispositivo pode irradiar (ser transferido). Ainda
mitação apresentado na folha de especificações do dispositivo.
assim, operando o transistor diretamente em contato com o ar
Formulando matematicamente, temos
(montando-o numa placa, por exemplo), restringe severamente
a relação nominal de potência do dispositivo. Se, em vez disso PD(temp 1) = Pv (temp0) - (Temp, - Temp0)
(como é prática usual), o transistor é montado sobre alguma for- (fator de delimitação) (16.39)
ma de dissipador, a sua capacidade de dissipar potência pode
onde o valor de Temp0 é a temperatura na qual a redução deveria
chegar mais perto do valor nominal máximo. Alguns dissipadores
começar, o valor de Temp, é a temperatura particular de interes-
são mostrados na Fig. 16.22. Quando o dissipador é usado, o calor
se (acima do valor de Temp0), Pv (temp0) e Pv(temp,) são as
produzido pelo transistor dissipando potência tem uma grande
máximas dissipações de potência nas temperaturas especificadas,
área para irradiar (transferir) para o ar, portanto, mantendo a tem-
e o fator de delimitação é o valor dado pelo fabricante em unida-
peratura do invólucro em um valor mais baixo do que resultaria
des de watts (ou miliwatts) por grau de temperatura.
sem o uso de dissipador. Mesmo com um dissipador infinito (o
qual, certamente, não é disponível), com que a temperatura do
invólucro é mantida na temperatura ambiente (ar), a junção será
aquecida acima da temperatura do invólucro e a potência nomi- EXEMPLO 16.17
nal máxima deve ser considerada.
Uma vez que mesmo um bom dissipador de temperatura não Determine qual a máxima dissipação de potência permitida para
mantém a temperatura do invólucro do transistor na temperatura um transistor de silício de 80 W (avaliado em 25ºC), se é requerida
ambiente (a qual, a propósito, pode ser mais de 25ºC, se o circui- redução acima de 25ºC por um fator de delimitação de 0,5 Wl°C
to do transistor estiver numa área confinada onde outros dispo- na temperatura do invólucro de 125ºC.
sitivos estão também irradiando uma boa quantidade de calor), é
necessário diminuir a quantidade de potência máxima permitida Solução
para um transistor particular, em função do aumento da tempe-
ratura do invólucro. PD (125ºC) = PD (25ºC) - (125ºC - 25ºC)(0,5 Wl°C)
= 80 W - lOOºC (0,5 Wl°C) = 30 W

É interessante notar que os valores nominais de potência são

Fig. 16.22 Dissipadores de potência típicos.
obtidos quando utiliza-se um transistor de potência sem
dissipador. Por exemplo, um transistor de silício dissipando em
100 W em (ou abaixo de) lOOºC dissipa apenas 4 W em (ou
abaixo de) 25ºC. Portanto, operando sem um dissipador, o dis-
positivo pode suportar um máximo de apenas 4 W na tempe-
ratura ambiente de 25ºC. Usando-se um dissipador grande o
suficiente para manter a temperatura do invólucro em lOOºC
para 100 W, permite operar no valor nominal máximo de po-
tência.
498 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Analogia Térmica de Transistores
de Potência
A seleção de um dissipador adequado exige o conhecimento de
uma grande quantidade de detalhes, os quais estão além do es-
copo deste capítulo. No entanto, algumas informações a mais
sobre a relação entre dissipação de potência e características tér-
micas do transistor podem ajudar a compreender de forma clara
como a potência dissipada fica em função da temperatura.
Uma idéia de como a temperatura da junção (~), temperatura
do invólucro (Te), e temperatura do ambiente (ar) (TA) estão re-
lacionadas pela capacidade do dispositivo de suportar calor-o
coeficiente de temperatura, geralmente chamado resistência tér-
mica - é apresentada na analogia termoelétrica mostrada na Fig.
16.24.
Na apresentação da analogia termoelétrica, o termo resistên-
cia térmica é usado para descrever os efeitos de aquecimento
através de um termoelétrico. Os termos na Fig. 16.24 são defini-
dos como segue:
()1A =
resistência térmica total Gunção para o ambiente)
O,e =
resistência térmica do transistor Gunção para o
invólucro)
Oes = resistência térmica de isolação (invólucro para o
dissipador)
OsA = resistência térmica do dissipador (dissipador para
o ambiente)
Usando a analogia elétrica para resistências térmicas, podemos
escrever
(16.40)
A analogia também pode ser usada na aplicação da lei de
Kirchhoff para obter
(16.41)
A última relação mostra que a temperatura da junção "flutua"
sobre a temperatura ambiente e que, quanto mais alta a tempera-
tura ambiente, menor o valor permitido para a dissipação de po-
tência do dispositivo.
O fator térmico () fornece informação sobre que queda de tem-
peratura (ou subida) resulta para uma certa quantidade de
potência dissipada. Por exemplo, o valor de 01e é, geralmente,
cerca de 0,5ºC/W. Isto significa que, para uma potência dissipa-
da de 50 W, a diferença de temperatura entre o invólucro (medi-
da por um termoacoplador) e a temperatura interna de junção é
apenas
T1 - Te= 01ePv = (0,5ºC/W)(50 W) = 25ºC
Logo, se o dissipador pode manter o invólucro em, digamos,
50ºC, a junção está apenas em 75ºC. Esta é uma diferença de
temperatura relativamente pequena, sobretudo em níveis de dis-
sipação de potência mais baixos.
O valor da resistência térmica da junção ao ar livre (usando
dissipador) é, tipicamente,
(}JA = 40ºC/W (ao ar livre)
Para esta resistência térmica, apenas 1 W de potência dissipada
resulta numa temperatura de junção de 40ºC maior do que a
ambiente.
Um dissipador pode, agora, ser considerado um meio através
do qual se estabelece uma baixa resistência térmica entre o invó-
lucro e o ar - muito menor do que o valor de 40ºC/W associado
ao invólucro do transistor. Usando-se um dissipador com
()SA = 2ºC/W
e com uma resistência térmica de isolação (do invólucro para o
dissipador) de
Oes = 0,8ºC/W
e, finalmente, para o transistor,
Oe, = 0,5ºC/W
nós podemos obter
o,A = ()SA + Oes + ()CJ
= 2,0ºC/W + 0,8ºC/W + 0,5ºC/W = 3,3ºC/W
Então, com um dissipador, a resistência térmica entre o ar e a
junção é de apenas 3,3ºC/W, muito menor do que 40ºC/W para
o transistor operando diretamente ao ar livre. Usando-se o valor
de 01A acima para um transistor operando em, digamos, 2 W,
calculamos

ij
I
,~::::,,.-1-1-----------=---=----=----..:..._----~
~
Temp. de junção (T,)
Transistor
-~r\ Dissipação
1: i 1 de potência
1 Temp. de invólucro (Te)
1 \ 1
1
Isolador e contato

[U :b
Temp. do dissipador (THs)
Dissipador

Temp. de ambiente (T,)

1 0JA = 0Je + 0;s + 0sA

Fig. 16.24 Analogia ténnica elétrica.

Zero absoluto
 Amplificadores de Potência 499

+Vcc

Em outras palavras, o emprego de um dissipador de calor pro-

duz um aumento de apenas 6,6ºC na temperatura da junção. Este
valor é muito menor do que 80ºC, que seria o aumento corres-
pondente à utilização do transistor sem dissipador de calor.

EXEMPLO 16.18

Um transistor de potência de silício está operando com um

dissipador (OsA = l,5ºC/W). O transistor, operando em 150 W
(25ºC), tem 01c = 0,5ºC/W e a isolação de montagem tem Ocs =
0,6ºC/W. Qual a potência máxima que pode ser dissipada, se a
temperatura ambiente é 40ºC e T1m,, = 20ü°C?

Solução Fig. 16.25 Circuito amplificador classe C.

T1- TA
Pv=------ em amplificadores de áudio, encontram uso em circuitos sinto-
01c + Ocs + OsA nizados utilizados em comunicações.
200ºC - 40ºC
= 0,5ºCIW + 0,6ºCIW + 1,5ºC/W = 61 ' 5 W Amplificador Classe C
Um amplificador classe C, como mostrado na Fig. 16.25, é pola-
rizado para operar em menos de 1800 do ciclo do sinal de entrada.
16.8 AMPLIFICADORES CLASSE C O circuito sintonizado na saída, entretanto, fornecerá um ciclo
E CLASSE D completo do sinal de saída para a freqüência fundamental ou res-
sonante do circuito sintonizado (circuito tanque L e C) da saída.
Embora os amplificadores classe A, classe AB e classe B sejam Este tipo de operação é, contudo, limitado para uso em uma fre-
os mais usados como amplificadores de potência, amplificado- qüência fixa, como ocorre em circuitos de comunicações, por
res classe D são também populares por causa de sua eficiência exemplo. A operação de um circuito classe C não é voltada, em
muito alta. Amplificadores classe C, embora não sejam usados princípio, para amplificadores de grandes sinais ou de potência.

V;
/Forma de onda dente de serra
I
... .... '
~ ~ I n ... ~ (cortante)
,'
. ..i,. .
I ~
.. :: ..
oJ . .
.\ . ~
: \
',~
t

.. / Forma de onda de entrada

-, ~. .. 1,
1·.. ~
.....
u ~ u ~ ~ u u

Vº

+5V - .... ... .. - -/Forma de onda digital

o
t

Fig. 16.26 Corte de uma forma de onda senoidal para produzir forma de onda digital.
500 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Fig. 16.27 Diagrama em bloco do am-

plificador classe D.

+Vcc (+22 V)
Amplificador Classe D
Um amplificador classe D é projetado para operar com sinais di-
gitais ou pulsados. Uma eficiência além de 90% é conseguida usan-
do-se este tipo de circuito, fazendo-o bastante atraente para a am- Rs
plificação de potência É necessário, entretanto, converter qualquer 20Q
sinal de entrada em uma forma de onda pulsada antes de usá-lo
para fornecer uma grande potência à carga. O sinal, após amplifi-
Q, (J3 = 100)
cado, deve ser convertido para o sinal original. A Fig. 16.26 mos-
tra como um sinal senoidal pode ser convertido em um sinal pul- V;
sado, usando-se uma forma de onda de dente de serra (ou cortan- lOmV
te). Os dois sinais são aplicados a um comparador (amp-op), pro-
duzindo na saída o sinal pulsado desejado. Embora a letra "D" tenha
sido escolhida por descrever a operação seguinte à classe C, ela Fig. 16.28 Amplificador classe A com realimentação-série.
poderia também ser associada à palavra "Digital", que é a nature-
za dos sinais envolvidos na operação deste tipo de amplificador.
A Fig. 16.27 mostra um diagrama em bloco da unidade necessá- 16.9 ANÁLISE POR COMPUTADOR
ria para amplificar o sinal classe D e então convertê-lo de volta a um
sinal senoidal usando um filtro passa-baixa. Os transistores amplifi-
cadores só fornecem corrente quando estão ligados, com uma pequena Programa 16.1: Amplificador Classe A com
perda de potência devido à baixa tensão utilizada Como a maior parte Realimentação-Série
da potência aplicada ao amplificador é transferida para a carga, a
eficiência do circuito é, tipicamente, muito alta. Dispositivos de po- A polarização de e operação ac de um amplificador classe A com
tência MOSFET tornaram-se bastante populares como dispositivos realimentação-série é fornecida pelo circuito da Fig. 16.28 e o pro-
acionadores para amplificadores classe D. grama e resultados de saída na Fig. 16.29. Dados de fornecem que

Fig. 16.29 Saída PSpice para o circuito da Fig.

16.28.
 Amplificadores de Potência 501

P;(dc) = Vcclc = (22 V) (105,5 mA) = 2,3 W +Vcc (+22 V)

Dados ac fornecem
r--------~
P (ac)
0 = VJ = (3,88 V)(3,88
0 X 10- 2) = 150,5 mW
A eficiência do amplificador para o sinal de entrada dado é, então,
m.,o Tf = -P O
X 1
oom.,o = 150,5 mW
X 100% = 6,5%
P; 2,3W
Um grande sinal de entrada aumentará a potência ac liberada para
a carga e aumentará a eficiência (o máximo sendo 25%).

V;
Programa 16.2: Amplificador Push-Pull 12mV
Quase-Complementar
A Fig. 16.30 mostra um amplificador quase-complementar. O
circuito é descrito na listagem PSpice da Fig. 16.31, junto com
os resultados de polarização de e tensões ac. Os valores dos
resistores empregados permitem concluir que a classe de opera-
ção é AB. A tensão de no resistor de carga é cerca de 3,6 V. A
potência de entrada das fontes é de aproximadamente 31 W. A +Vn, (-22 V)
potência ac liberada para a carga de 8 O é
Fig. 16.30 Amplificador de potência classe B quase-complementar.
V~ (11,89)2 -- 17 7 W
Po(ac) = RL = 8 '

tal que o circuito opera com uma eficiência de Variando os valores dos resistores de R 1 a R3 pode alterar a polari-
zação de e, portanto, a potência de fornecida para o circuito. O sinal
Po(ac) 17,7 W ac de entrada pode ser ajustado para variar a quantidade de potên-
% r, = P;(dc) X 100% = 31 W X 100% = 57,1% cia ac liberada para a carga. A eficiência máxima será de 78,5%.

Fig. 16.31 Saída PSpice para o circuito da Fig. 16.30.

502 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

+Vcc (18V) +Vcc (+30 V)

Ra
1,2 kQ
Vo

Fig. 16.32 Problemas 1-4.

PROBLEMAS
-VEE (-30 V)
§ 16.2 Amplificador Classe A com Realimentação-Série

1. Calcule a potência de entrada e saída para o circuito da Fig. 16.32. Fig. 16.33 Problemas 16, 17.
O sinal de entrada resulta em uma corrente de base de 5 mA rms.
2. Calcule a potência de entrada dissipada pelo circuito da Fig. 16.32
se R 8 é mudado para 1,5 kü. (a) Potência de entrada.
3. Que potência máxima de saída pode ser liberada pelo circuito da (b) Potência de saída.
Fig. 16.32 se R 8 é mudado para 1,5 kO? (c) Eficiência do circuito.
4. Se o circuito da Fig. 16.32 é polarizado em sua tensão central e 13. Para um amplificador classe B com Vcc = 25 V acionando uma
ponto de operação do coletor também no centro, qual é a potência carga de 8 O, determine:
de entrada para uma potência máxima de saída de 1,5 W? (a) Potência máxima de entrada.
(b) Potência máxima de saída.
(c) Eficiência máxima do circuito.
§ 16.3 Amplificador Classe A com Acoplamento *14. Calcule a eficiência de um amplificador classe B para uma fonte
a Transformador de tensão de Vcc = 22 V, acionando uma carga de 4 n com ten-
sões de pico de saída de:
5. Um amplificador classe A acoplado a transformador usa um trans- (a) VL (p) = 20 V.
formador 25: 1 para acionar uma carga de 4 O. Calcule a carga ac (b) VL (p) = 4 V.
efetiva (vista pelo transistor conectado ao lado do transformador
com um número maior de espiras).
6. Que relação de espiras do transformador é necessária para acoplar +Vcc (+40 V)
uma carga de 8 n tal que ela apareça como uma carga efetiva de 8
kf!?
7. Calcule a relação de espiras do transformador requerida para
conectar quatro alto-falantes de 16 O em paralelo, tal que eles apa-
Ri
reçam como uma carga efetiva de 8 kf!. lOOQ
*8. Um amplificador classe A acoplado a transformador aciona um alto- C1
falante de 16 n através de um transformador 3,87:l. Usando uma
fonte de tensão de Vcc = 36 V, o circuito libera 2 W para a carga. IOOµF
Calcule:
(a) P(ac) através do primário do transformador.
(b) VJac). V;
(c) V(ac) no primário do transformador. = 18 V, rms
(d) Os valores rms da corrente de carga e do primário.
R3
9. Calcule a eficiência do circuito do Problema 8, se a corrente de IOOQ
polarização é IcQ = 150 mA. C2
1O. Desenhe o diagrama do circuito de um amplificador classe A aco-
plado a transformador usando um transistor npn. lOOµF

§ 16.4 Operação do Amplificador Classe B

11. Desenhe o diagrama do circuito de um amplificador de potência

push-pull npn classe B, usando entrada acoplada a transformador.
12. Para um amplificador classe B fornecendo um sinal de pico 22 V -VEE (-40 V)
para uma carga de 8 O e uma fonte de potência de Vcc = 25 V,
determine: Fig. 16.34 Problema 18.
 Amplificadores de Potência 503

§ 16.5 Circuitos Amplificadores Classe B 21. Calcule a distorção de segundo harmônico para uma forma de onda
de saída com valores medidos de VCEm,, = 2,4 V, VcEii = 10 V, e
15. Esboce o diagrama de circuito de um amplificador quase-comple- VcE...., = ZOV.
mentar, mostrando as formas de onda de tensão no circuito. 22. Para as leituras dedistorçãodeD2 = 0,15,D3 = 0,01, eD4 = 0,05,
16. Para o amplificador classe B da Fig. 16.33, calcule: com / 1 = 3,3 A e Rc = 4 fl, calcule a distorção harmônica total da
(a) Máxima P.(ac). componente fundamental de potência e a potência total.
(b) Máxima P;(dc).
(c) Máximo %71. § 16. 7 Dissipador de Transistor de Potência
(d) Máxima potência dissipada por ambos os transistores.
* 17. Se a tensão de entrada para o amplificador de potência da Fig. 16.33
23. Determine a dissipação máxima permitida para um transistor
é 8 V rms, calcule:
de silício de 100 W ( operando em 25ºC) para um fator de de-
(a) P;(dc).
limitação de 0,6 W/ºC em uma temperatura do invólucro de
(b) P.(ac).
150ºC.
(c) %71. *24. Um transistor de potência de silício de 160 W está operando com
(d) Potência dissipada por ambos os transistores.
um dissipador (OSA = l,5ºC/W) tem um O,c = 0,5ºC/W e uma
*18. Para o amplificador de potência da Fig. 16.34, calcule:
isolação de montagem de Ocs == 0,8ºC/W. Qual a máxima potên-
(a) P.(ac).
cia que pode ser suportada pelo transistor numa temperatura am-
(b) P;(dc).
biente de 80ºC? (A temperatura da junção não deverá exceder
(c) %71. 200ºC.)
(d) Potência dissipada por ambos os transistores.
25. Que potência máxima um transistor de silício pode dissipar ( T1• .,.
§ 16.6 Distorção do Amplificador = 200ºC) ao ar livre numa temperatura ambiente de 80ºC?

19. Calcule as componentes de distorção harmônica para um sinal de § 16.9 Análise por Computador
saída com amplitude da fundamental de 2,1 V, amplitude do se-
gundo harmônico de 0,3 V, amplitude do terceiro harmônico de O, 1 *26. Escreva um programa PSpice para calcular V0 para V;= 9,1 m.V
V, e amplitude do quarto harmônico de 0,05 V. no circuito da Fig. 16.32.
20. Calcule a distorção harmônica total para as amplitudes das com- *27. Escreva um programa PSpice para calcular a tensão através de RL
ponentes do Problema 19. no circuito da Fig. 16.33.

*Observação: Os asteriscos indicam problemas mais difíceis.


Cls Lineares-Digitais
17.1 INTRODUÇÃO
Embora haja uma grande quantidade de Cls que contêm somen-
te circuitos digitais, e muitos outros que contêm apenas circuitos
lineares, há uma variedade de unidades que contêm ambos os cir-
cuitos, lineares e digitais. Dentre os Cls lineares/digitais, pode-
mos destacar os circuitos comparadores, conversores digital/
malógicos, circuitos de interface, circuitos de temporização, cir-
cuitos osciladores controlados por tensão (VCO), e malhas amar-
radas por fase (phase-locked loops - PLLs).
Um circuito comparador é aquele no qual a tensão linear de
entrada é comparada a uma outra tensão de referência, e a saída
é um estado digital representando se a tensão de entrada exce-
deu ou não a referência de tensão.
Circuitos que convertem sinais digitais em uma tensão linear
ou analógica e os que convertem uma tensão linear num valor
digital são populares em equipamentos aeroespaciais, equipamen-
tos automotivos, e discos compactos (CDs), entre muitos outros.
Os circuitos de interface são usados para habilitar a conexão
de sinais de diferentes níveis de tensões digitais, provenientes de
diferentes tipos de dispositivos de saída, ou de impedâncias di-
ferentes tal que ambos os estágios transmissores e receptores ope-
rem apropriadamente.
Cls temporizadores fornecem circuitos lineares e digitais para
uso em várias operações de temporização, como um alarme de
carro, um temporizador de casa para ligar e desligar lâmpadas, e
em circuito de equipamentos eletromecânicos para fornecer tem-
porização adequada a fim de combinar suas operações com a pro-
Entrada -
--Saída
Entrada+
-V
(a)
Fig.17.1 Unidade comparadora: (a) unidade básica; (b) aplicação típica.
CAPÍTULO
1
_n__ j .. 1
jetada para aquela unidade. O temporizador 555 tem sido uma
unidade de CI popular há bastante tempo. Um oscilador contro-
lado por tensão fornece um sinal de clock de saída cuja freqüên-
cia pode ser variada ou ajustada por uma tensão de entrada. Uma
aplicação popular de VCO está numa unidade de malha amarra-
da por fase (PLL) que é usada em vários transmissores e recep-
tores de comunicações.
17.2 OPERAÇÃO DA UNIDADE
COMPARADORA
Um circuito comparador aceita coi:no entrada tensões lineares e
fornece na saída um digital que indica quando uma das entradas
é maior ou menor que a outra. Um circuito comparador básico
pode ser representado como na Fig. 17.la. A saída é um sinal
digital que fica em nível alto de tensão quando a entrada não-
inversora ( +) é maior que a tensão na entrada inversora ( - ), e
chaveia para um nível baixo de tensão quando a tensão da entrada
não-inversora cai abaixo da tensão de entrada inversora.
A Fig. 17.1 b mostra uma conexão típica, com uma entrada (en-
trada inversora, neste exemplo) conectada a uma tensão de referên-
cia, e a outra conectada a uma tensão de sinal de entrada. Enquanto
v;. é menor que o nível de +2 V da tensão de referência, a saída
permanece em um nível baixo de tensão (perto de -10 V). Quan-
do a entrada sobe pouco acima de +2 V, a saída, rapidamente,
chaveia para um nível alto de tensão (perto de + 1OV). Logo, asa-
ída alta indica que o sinal de entrada é maior que + 2 V.
VREF
(+2 V)
--Saída
-V(-IOV)
(b)
 Cls Lineares-Digitais 505

v•

© ,
- - Saúia, v;,

v-
(a)

(b)

Fig.17.2 Operação do amp-op 741 como comparador.

Como o circuito interno usado para construir um comparador Como uma conexão alternativa, o nível de referência poderia
contém, essencialmente, um circuito amp-op com ganho de ten- ser conectado à entrada não-inversora, como mostrado na Fig.
são muito alto, podemos examinar a operação de um comparador 17.3b. Com esta conexão, o sinal de entrada, caindo abaixo do
usando um amp-op 741, como mostrado na Fig. 17.2. Com a nível de referência, fará a saída acionar o LED, acendendo-o. O
entrada de referência (pino 2) fixada em O V, um sinal senoidal
aplicado à entrada não-inversora (pino 3) fará a saída chavear +12V
entre seus dois estados de tensão, como mostrado na Fig. 17 .2b.
A entrada V;, mesmo subindo apenas uma fração de um milivolt
acima do nível de referência de O V, será amplificada pelo ganho
de tensão muito alto (tipicamente acima de 100.000) tal que a saí- IOkQ
da sobe para seu nível de saturação positiva de saída e permane-
ce lá enquanto a entrada fica acima de Vref = O V. Quando a en-
V,,
trada cai pouco abaixo do nível de referência de O V, a saída é
forçada para seu nível de saturação inferior e fica lá enquanto a IOkQ
entrada permanecer abaixo de Vref = O V. A Fig. 17.2b mostra
claramente que o sinal de entrada é linear, enquanto a saída é
digital. -12V LED ligado quando
~ LED { V; ultrapassa
O nível de referência não precisa ser necessariamente igual a VREF (= +tíV)
OV, podendo assumir qualquer valor positivo ou negativo dese-
jado. Também a tensão de referência pode ser conectada à entra-
(a)
da mais ou menos, e o sinal de entrada aplicado, então, à outra
entrada. +12V

Uso de Amp-op como Comparador

A Fig. 17.3a mostra um circuito operando com uma tensão de IOkQ
referência positiva conectada à entrada menos, e a saída conec-
tada a um LED indicador. O nível da tensão de referência é fixa-
do em 470Q
10 kfi
JOkQ -12V
Yrer = 10 kfi + 10 kfi ( + 12 V)= +6 V ~
LED. ligado quando
LED { V, cai abaixo de
VRFF (= +6V)
Como a tensão de referência está conectada à entrada inversora,
a saída chaveará para seu nível de saturação positivo quando a
entrada, V;, é mais positiva que os +6 V do nível da tensão de (b)
referência. A saída, V0 , aciona então o LED, acendendo-o, indi-
cando que a entrada é mais positiva que o nível de referência. Fig. 17.3 Um amp-op 741 usado como um comparador.
 506 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

\'+(+IOV)
LED pode, portanto, ser ligado quando o sinal de entrada ultra-
passa o nível de referência para cima ou para baixo, dependendo ®
de como é feita a conexão no amp-op.
311
20kQ
Usando Unidades de CI Comparadoras
0
Entrada----
Embora amp-ops possam ser utilizados como circuitos
comparadores, algumas unidades especialmente projetadas para
este fim se mostram mais adequadas para alguns tipos de aplica-
ção. Dentre as possíveis melhorias que podem ser incluídas em
um CI comparador, destacam-se: chaveamento mais rápido en-
tre os dois níveis de saída, imunidade a ruído embutida para evi-
tar saída oscilar quando a entrada passa pelo nível de referência,
e saídas capazes de acionar diretamente uma variedade de car- ©
gas. Alguns Cls comparadores populares são apresentados em
seguida, descrevendo-se suas conexões de pinos e como podem
ser usados. Fig. 17.5 Detector de cruzamento zero usando um CI 311.

COMPARADOR 311
O comparador de tensão 311, mostrado na Fig. 17.4, contém
um circuito comparador que pode operar com duas fontes de po-
tência de ± 15 V ou com uma única fonte de + 5 V (como as usa-
das em circuitos lógicos digitais). A saída pode fornecer uma
tensão em qualquer um de dois níveis distintos ou pode ser usa-
da para acionar uma lâmpada ou relé. Note que a saída é tomada
de um transistor bipolar para permitir acionar uma variedade de
cargas. A unidade tem também entradas de balanço e habilita-
ção (strobe), sendo que esta última permite inibir a saída. Alguns
exemplos mostrarão como esta unidade comparadora pode ser
usada em aplicações comuns.
Um detector de cruzamento zero que sente (detecta) a tensão
de entrada passando por OV é mostrado usando o CI 311 na Fig.
17.5. A entrada inversora é conectada à terra (tensão de referên-
cia). O sinal de entrada sendo positivo liga a saída do transistor,
levando a saída para o nível baixo (-10 V, neste caso). O sinal
de entrada sendo negativo (abaixo de O V) cortará a saída do
transistor, levando a saída para o nível alto ( + 10 V). A saí-
da, portanto, indica se a entrada está acima ou abaixo de OV.
Quando a entrada assume qualquer valor positivo, a saída é
baixa, e quando a entrada é negativa, produz um nível alto
de tensão na saída.
A Fig. 17.6 mostra como um comparador 311 pode ser
usado com entrada de habilitação. Neste exemplo, a saída irá
para o nível alto quando a entrada ultrapassa a tensão de re-
ferência - mas somente se a entrada de habilitação TTL
estiver desligada (ou O V). Se a entrada de habilitação TTL
estiver no nível alto, a entrada de habilitação do 311, no pino
6, assume o nível baixo, fazendo a saída permanecer no esta-
do desligado (com saída alta) sem levar em consideração o
sinal de entrada. Na verdade, a saída permanece alta a não ser
que esteja habilitada. Se estiver, a saída atua então normalmen-
te, chaveando de alto para baixo, dependendo do nível do sinal
de entrada. Durante a operação, a saída do comparador respon-
derá ao sinal de entrada apenas durante o tempo em que o sinal
de habilitação permitir.
A Fig. 17.7 mostra a saída do comparador acionando um relé.
Quando a entrada cai abaixo de OV, levando a saída para o nível
baixo, o relé é ativado, fechando os contatos normalmente aber-
tos (N.A.) naquele instante. Estes contatos podem ser conecta~
+\1(5V)

Balanço
1kn
V+ Balanço/habilitação
(j)
®0® _ __..._ Saída

Entrada 0
não-inversora - - - - (j)
--Saída

i!::~:---®-3--,.,('l
tJmdadede
Cl311

© CD
v-
Fig.17.4 Um comparador 311 (unidade DIP de 8 pinos). Fig. 17.6 Operação de um comparador 311 com entrada de habilitação.
 Cls Lineares-Digitais 507

Entrada

Fig. 17.7 Operação de um comparador 311 com um relé de saída.

dos para operarem com uma grande variedade de dispositivos. Para ver como esses circuitos comparadores podem ser usa-
Por exemplo, uma buzina ou campainha conectadas aos conta- dos, a Fig. 17 .9 mostra um dos circuitos comparadores do 339
tos do relé podem ser acionadas quando a tensão de entrada cai conectado para atuar como um detector de cruzamento zero.
abaixo de OV. Enquanto a tensão estiver presente no terminal de Quando o sinal de entrada ultrapassa O V, a saída chaveia para
entrada, a buzina permanecerá desligada. v+. A entrada chaveia para v- apenas quando a entrada cai abai-
xo de OV.
COMPARADOR 339 Um nível de referência diferente de O V também pode ser
usado, e, se um terminal de entrada fosse usado como referên-
O CI 339 é um comparador quádruplo contendo quatro cir- cia, o outro terminal poderia então ser conectado ao sinal de en-
cuitos comparadores de tensão independentes, conectados a pi- trada. A operação de um dos circuitos comparadores é descrita a
nos externos como mostrado na Fig. 17.8. Cada comparador tem seguir.
entradas inversoras e não-inversoras e uma única saída. A fonte A tensão de entrada diferencial (diferença de tensão entre os
de tensão aplicada a um par de pinos alimenta todos os quatro terminais de entrada), sendo positiva, desliga a saída do transis-
comparadores. Se for necessário usar apenas um comparador, tor (circuito aberto), enquanto uma tensão de entrada diferencial
todos os quatro estarão alimentados. negativa liga a saída do transistor - a saída fica então no nível
abaixo da fonte.
Se a entrada negativa for fixada em um nível de referên-
v+ cia, V,0 r, e a entrada positiva assumir valores maiores que V, 0 r,
a tensão de entrada diferencial é positiva, resultando no es-
tado de circuito aberto para a saída do comparador. Quando a
0 entrada não-inversora atingir um nível de tensão menor que Vrer•
a tensão de entrada diferencial será negativa e a saída será de
Entrada l+
0-+--- v- volts.
illll"---t--®- Saída l Se a entrada positiva é fixada no nível de referência, a entra-
Entrada 1-
© --i----
da inversora caindo abaixo de Vrer resulta em circuito aberto na
saída, enquanto a entrada inversora subindo acima de Vrer resulta
(?) em v- na saída. Esta operação é resumida na Fig. 17 .10.
Entrada 2+ Como a saída de um desses circuitos comparadores é de
--i----
© Saída 2 coletor em circuito aberto, tornam-se possíveis aplicações nas
©
Entrada 2- -+----
quais as saídas de mais de um circuito podem ser ligadas por
uma operação OU. A Fig. 17 .11 mostra dois circuitos
comparadores conectados com saída comum e, também, entra-
®
Entrada 3+ -+---- da comum. O comparador 1 tem uma tensão de entrada de refe-
Saída 3 rência de + 5 V conectada à entrada não-inversora. A saída será
®
Entrada 3- -+---
forçada para baixo pelo comparador 1 quando o sinal de en-
trada ultrapassar +5 V. O comparador 2 tem uma tensão de
@ referência de + 1 V conectada à entrada inversora. A saída
Entrada 4+ -t--- @ do comparador 2 será forçada para baixo quando o sinal de
Saída 4
@) entrada cair abaixo de + 1 V. De maneira geral, a saída será
Entrada 4- -=-t---, baixa quando a entrada estiver abaixo de + 1 V ou acima de
+ 5 V, como mostrado na Fig. 17 .11. Esta operação é chamada
de detector de janela de tensão. A saída alta indica que a en-
@ trada está dentro de uma janela de tensão de+ 1 a +5 V (es-
TV-
tes valores sendo fixados pelos níveis de tensão de referên-
Fig. 17.8 CI comparador quádruplo (339). cia aplicados).
 V+(S V)
V;

Entrada.V;
0 5,lkn Tempo

0 Saída, V,,

©
Vº
v+
v-(-5 V)

(a)
Tempo

v- - "······
Fig, 17.9 Operação de um circuito
comparador 339 como detector de cru-
(b) zamento zero.

v+
v+

__ { Entrada < V REF -+ saída em c~rcuito aberto

__ { Entrada > V REF -> saída em circuito aberto
Entrada > V REF -+ saída =V
Entrada < V REF -> saída = v-
Entrada

v-
v-
(a) (b)

Fig. 17.10 Operação de um circuito comparador 339 com entrada de referência em (a) entrada menos; (b) entrada mais.

+9V

© 5,1 kn

7,5kn Saída

0
9,1 to \

V,,,r, =+SV

8,2kn

V..11 =+1 V © +5V

CD
+1 V

Fig. 17.11 Operação de dois circuitos compa-

Entrada radores 339 como um detector de janela.
 Cls Lineares-Digitais 509

Entradas digitais
17.3 CONVERSORES DIGITAIS-
ANALÓGICOS
Muitas tensões e correntes em eletrônica variam continuamente
ao longo de uma faixa de valores. Em circuitos digitais, os sinais
estão em um de dois níveis, representando os valores binários de
1 ou zero. Um conversor analógico-digital (CAD) produz uma
tensão digital a partir de uma tensão analógica de entrada, en-
quanto o conversor digital-analógico (COA) converte uma ten-
são digital para uma tensão analógica.

Conversão Digital-Analógica Fig.17.13 CI de conversor D/A usando circuito em escada R-2R.

CIRCUITO DE CONVERSÃO EM ESCADA

A conversão digital-analógica pode ser conseguida usando vá-
rios métodos diferentes. Um esquema popular usa um circuito
de resistores, chamado circuito em escada. Um circuito em es-
cada aceita como entrada de valores binários em, tipicamente, O
V ou Vref• e fornece uma tensão de saída proporcional ao valor
binário de entrada. A Fig. 17. l 2a mostra um circuito em escada
com quatro tensões de entrada, representando quatro bits de da-
dos digitais e uma tensão de saída de. A tensão de saída é pro-
porcional ao valor de entrada digital dada pela relação
A função do circuito em escada é converter os 16 valores bi-
nários possíveis de 0000 a 1111 para um nível de tensão
corrrespondente, múltiplos de Vre/16. Utilizando-se mais seções
no circuito, toma-se possível aceitar mais entradas binárias e
diminuir a diferença entre os níveis de tensão. Por exemplo, um
circuito em escada de 1Oestágios poderia estender o número de
passos de tensão ou resolução de tensão para Vre/2 10 ou Vre/1024.
Uma tensão de referência de V,.r = 10 V apresentaria uma saída
igual a 10 V/1024 ou aproximadamente 10 mV. Quanto maior o
número de estágios, maior a resolução de tensão. Em geral, a
resolução de tensão para n estágios em escada é

(17.2)
(17.1)
No exemplo mostrado na Fig. 17.12b, a tensão de saída resul- A Fig. 17.13 mostra um diagrama em bloco deum CDA típico
tante seria usando um circuito em escada. O circuito em escada, referenciado
no diagrama como uma escada R-2R, é intercalado entre a fonte de
ox1+1x2+1x4+0x8 corrente de referência e as chaves de corrente, conectadas a cada
Vo = 16 (16 V) =6 V entrada binária. A corrente de saída resultante é proporcional ao
valor binário de entrada. A entrada binária seleciona alguns ramos
Portanto, O1102, digital, é convertido para 6 V, analógico.
do circuito em escada. produzindo uma corrente de saída que é o
resultado de uma soma ponderada da corrente de referência.
k Conectando a corrente de saída através de um resistor, será produ-
~-------"1..AA---<.__~RY\.~---"~AR.A------Vº(~~a
analógica) zida uma tensão analógica, se desejado.
2R 2R 2R 2R 2R
Conversão Analógica-Digital
V;(O)
Do CONVERSÃO DE DUPLA-INCLINAÇÃO

Entrada digital O método de dupla inclinação é um método muito utilizado

para converter uma tensão analógica em uma tensão digital. A
(a)
Fig. 17.14a mostra um diagrama em bloco do conversor básico
de dupla-inclinação. A tensão analógica a ser convertida é apli-
lOkn lOkn lOkn cada através de uma chave eletrônica a um circuito integrador
ou gerador de rampa (essencialmente uma corrente constante car-
20kn 20kn 20kn 20kn
regando um capacitor para produzir uma tensão de rampa linear).
A saída digital é obtida a partir de um contador, que opera durante
ambos os intervalos de inclinação positiva e negativa do integrador.
+16 V +16V O método de conversão prossegue como se segue. Para um
D 0 =0 D 1= 1 D2 = 1 intervalo de tempo fixo (geralmente a faixa de contagem com-
pleta do contador), a tensão analógica conectada ao integrador
(b)
eleva a tensão na entrada do comparador para um nível positivo.
Fig, 17.12 Circuito em escada de quatro estágios usado como conversor D/A: A Fig. 17.14b mostra que no fim do intervalo fixo de tempo, a
(a) circuito básico; (b) exemplo de circuito com entrada 0110. tensão do integrador é tanto maior quanto maior a tensão de en-
510 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Entrada analógica

/
/
/
/
/
/
1
1
1
1 /

:, l
1
Entrada de
referência vREF /
,,,"'
/

Fim de contagem
1 ... /
1 1 ,,,"'
1 /

'-------- Linear--------!---- Linear~gital

Digital

(a)

contagem
digital

Intervalo de contagem

(b)
Fig.17.14 Conversor A/D usando o método de dupla-inclinação: (a) diagrama lógico; (b) forma de onda.

trada. No fim do intervalo fixo de contagem, a contagem é fixa-
da em zero e a chave eletrônica conecta o integrador a uma refe-
rência ou tensão fixa de entrada. A saída do integrador ( ou en-
trada do capacitor) decresce então numa taxa fixa. O contador
avança durante este tempo, enquanto a saída do integrador dimi-
nui numa taxa fixa até cair abaixo da tensão de referência do
comparador, em cujo tempo a lógica de controle recebe um sinal
(a saída do comparador) para parar de contar. O valor digital ar-
mazenado no contador é então a saída digital do conversor.
Usando o mesmo clock e integrador para realizar a conversão
durante os intervalos de inclinação positiva e negativa, tende a
compensar os desvios da freqüência de clock e limitações de
precisão do integrador. Selecionando o valor de entrada de refe-
rência e taxa de clock, pode-se graduar a saída do contador con-
forme desejado. O contador pode ser binário, BCD, ou outra for-
ma de contador binário, se desejado.
CONVERSÃO DE CIRCUITO EM ESCADA
Outro método popular de conversão analógica-digital usa um
circuito em escada junto com circuitos contadores e comparadores
(veja Fig. 17.15). Um contador digital avança zero enquanto um
circuito em escada fornece, através das saídas do contador, uma
tensão em escada, como mostrado na Fig. 17 .15b, a qual aumenta
por um incremento de tensão em cada passo de contagem. Um cir-
cuito comparador, recebendo as tensões em escada e a tensão de
entrada analógica, fornece um sinal para parar a contagem quan-
do a tensão da escada se eleva acima da tensão de entrada. O
valor do contador neste instante éa saída digital desejada.
O incremento de tensão do sinal em escada depende do nú-
mero de bits de contagem utilizado. Um contador de 12 estágios
operando um circuito em escada de 12 estágios, usando uma re-
ferência de 10 V, apresentaria um incremento de tensão igual a
V,ef = 10 V = 2 4 mV
2 12 4096 '
Isto resultaria numa resolução de conversão de 2,4 mV. A taxa
de clock do contador afetaria o tempo requerido para fazer a
conversão. Uma taxa de clock de 1 MHz operando um contador de
12 estágios necessitaria de um tempo máximo de conversão de
4096 x I µ,s = 4096 µ,s = 4, 1 ms

Entrada
analógica
Tensão analógica
~Intervalo de contagem
Início de
contagem
Fig. 17.15 Conversor ND usando um circuito em escada: (a) diagrama lógico; (b) forma de onda.
O número mínimo de conversões que poderia ser feito em cada
segundo seria então
número de conversões = 1/4, 1 ms = 244 conversões/segundo
O tempo de contagem necessário para realizar uma conversão
varia entre os extremos máximo e mínimo. Portanto, em média,
seria necessário um tempo de conversão de 4, 1 ms/2 = 2,05 ms,
e o número médio de conversões seria 2 X 244 = 488 conver-
sões/segundo. Uma taxa de clock mais lenta resultaria em pou-
cas conversões por segundo. Um contador, usando poucos está-
gios de contagem (menor resolução de conversão), faria mais
conversões por segundo. A precisão da conversão depende da
precisão do comparador.
17.4 OPERAÇÃO DO CI
'fEMPORIZADOR
Outro circuito integrado analógico-digital popular é o versátil
temporizador 555. O CI é feito de uma combinação de
comparadores lineares e flip-flops digitais conforme mostrado na
Fig. 17.16. O circuito inteiro é geralmente alojado num encap-
sulamento de oito pinos, como especificado na Fig. 17.16. Uma
conexão em série de três resistores determina os níveis da tensão
de referência para os dois comparadores em 2Vcd3 e Vcd3. A
saída desses comparadores habilita ou desabilita a unidade do flip-
flop. A saída do circuito flip-flop é, então, aplicada a um estágio
amplificador de saída. O circuito flip-flop também opera um tran-
Cls Lineares-Digitais 511
Saída digital
(a)
Tensão em escada
Término de
contagem
(b)
sistor dentro do CI, cujo coletor tem a função de descarregar o
capacitor de temporização.
Operação Astável
Uma aplicação popular do CI temporizador 555 é como um
multivibrador astável ou circuito de clock. A análise seguinte da
operação do 555 como um circuito astável inclui detalhes das
diferentes partes da unidade e como as várias entradas e saídas
são utilizadas. A Fig. 17 .17 mostra um circuito astável construí-
do usando um resistor externo e um capacitor para fixar o inter-
valo de temporização do sinal de saída.
O capacitor C carrega-se até Vcc através dos resistores exter-
nos RA e R8 • Referindo-se à Fig. 17.17, a tensão do capacitor
aumenta até ultrapassar 2Vcd3. Esta tensão é a tensão de limiar
no pino 6, na qual o comparador 1 altera o estado do flip-flop,
produzindo uma saída de nível baixo (pino 3). Por sua vez, o tran-
sistor de descarga é forçado a ligar, provocando o descarrega-
mento do capacitar no pino 7 através de R8 • A tensão do capaci-
tor diminui, então, até cair abaixo do nível de disparo (Vcd3). O
flip-flop é disparado, colocando a saída novamente no nível alto.
Ao mesmo tempo o transistor de descarga é cortado, de forma
que o capacitor pode novamente se carregar através dos resisto-
res RA e R8 até Vcc·
A Fig. 17. l 8a mostra as formas de onda no capacitor e de saída
resultantes de um circuito astável. Os cálculos dos intervalos de
tempo nos quais a saída é alta e baixa podem ser feitos usando as
relações
 Vcc

0 Saída
CD
~~~~~~Descarga

Entrada
de disparo ©
Reset Fig.17.16 Detalhes do CI temporizador 555.

Fig. 17.17 Multivibrador astável usando CI 555.

Vc
+Vcc (5 V)
5
4

3
2

RB o Tempo(ms)
7,5 kil 1,~5 1~575 2,6'?.5 ~,15
1
1
Vº 1
5
4
3 T,,w
Tbaiso

2
1
(a)
o 2,625 3,15
Tempo (ms)
1,05 1,575

T == 1,6 ms

(b)

Fig. 17.18 Multivibrador astável para o Exemplo 17.1: (a) circuito; (b) formas de onda
 Cls lineares-Digitais 513

(17.3)

(17.4)

O período total é
T = período= Talto + Ttiaixo (17.5)

A freqüência do circuito astável é calculada então usando* Saída

(17.6)

Entrada
de disparo _ ___, "li'

(a)
EXEMPLO 17.1
Determine a freqüência e desenhe a forma de onda de saída para
Saída----, ...- - - - - - - - - -
o circuito da Fig. 17 .18a. alta de +--...J...
L...J --.........._Disparos de entrada começam a
disparo temporizar na borda negativa
Solução

Usando as Eq. (17.3) a (17.6) temos Saída

___
B_a
1-
AI,....---,,,-----,
(=
Ta1,.
l,IRAC)
==i!..____
Talto = 0,7(RA + RB)C (b)
= 0,7(7,5 X 103+ 7,5 X 103)(0,1 X 10-6 )
Fig. 17.19 Operação do temporizador 555 como monoestável: (a) circuito; (b)
= 1,05 ms formas de onda.

Tbaixo = 0, 1RBC = 0, 7(7 ,5 X 103)(0, 1 X 10-6 ) = 0,525 ms

T= Talto + Tbaixo = 1,05 ms + 0,525 ms = 1,575 ms descarga também vai para baixo, fazendo o capacitor permane-
cer próximo de OV até ser novamente disparado.
1 A Fig. I 7. l 9b mostra o sinal de disparo da entrada e a forma
! =_!._=
T 1,575 X 10- 3
=635Hz
de onda resultante para o temporizador 555 operando como
monoestável. Períodos de tempo para este circuito podem variar
As formas de onda estão desenhadas na Fig. 17. l 8b. de microssegundos a muitos segundos, tomando este CI útil para
uma ampla faixa de aplicações.

Operação Monoestável
EXEMPLO 17.2
O temporizador 555 pode também ser usado como um circuito Determine o período da forma de onda de saída para o circuito
multivibrador monoestável ou de único disparo (one-shot), como da Fig. 17 .20, quando disparado por um pulso negativo.
mostrado na Fig. 17.19. Quando o sinal de entrada de disparo
toma-se negativo, a saída no pino 3 vai para o nível alto e aí per-
manece durante o período de tempo +S V

(17.7)
Referindo-se novamente à Fig. 17.16, a borda negativa da entra-
da de disparo faz o comparador 2 disparar o flip-flop, produzin-
do uma tensão de saída em nível alto. O capacitor C carrega-se
até Vcc através do resistor RA- Durante o intervalo de carga asa-
ída permanece alta. Quando a tensão através do capacitor atinge
o nível de limiar de 2Vcd3, o comparador 1 dispara o flip-flop Saída
produzindo uma tensão de saída em nível baixo. O transistor de
e
O,lµFI
*O período pode ser calculado diretamente de T
Entrada de
T = 0,693(RA + 2R8 )C "" O, 1(RA + 2R8 )C disparo _ _ _ _ ___,
e a freqüência de
f ----'l,_44_ _
""(RA + 2Rs)C Fig. 17.20 Circuito monoestável para o Exemplo 17.2.
514 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Solução A Fig. 17 .21 b identifica os pinos da unidade 566 e apresenta,

resumidamente, as fórmulas e faixa de valores válidas para o CI.
Usando a Eq. (17.7), obtemos O oscilador pode ser programado para operar em uma faixa de
Talto = 1,lRAC = 1,1(7,5 X 103)(0,1 X 10- 6) = 0,825 ms freqüência de razão 1O: 1, pela seleção adequada de um resistor e
capacitor externos, e sua saída modulada por um sinal cuja fre-
qüência pode variar de uma razão 1O: 1, ajustada por uma tensão
de controle, Ve·
17.5 OSCILADOR CONTROLADO POR A freqüência livre, ou freqüência central de operação,J;,, pode
TENSÃO ser calculada de

Um oscilador controlado por tensão (VCO) é um circuito que

fornece um sinal variante de saída (tipicamente uma forma de
onda quadrada ou triangular) cuja freqüência é controlada por
uma tensão de. Um exemplo de VCO é a unidade de CI 566, a
qual possui circuitos para gerar sinais de onda quadrada e trian-
gular. A freqüência é fixada por um resistor e capacitor externo
e variada então por uma tensão de aplicada. A Fig. 17 .21a mos-
tra que o 566 contém fontes de corrente para carregar e descarre-
gar o capacitor C 1 numa taxa determinada pelo resistor externo
R 1 e pela tensão modulante de de entrada. Um circuito Schmitt
trigger é usado para chavear a fonte de corrente entre a carga e
descarga do capacitor. A tensão triangular desenvolvida no ca-
pacitor e a onda quadrada do Schmitt trigger são fornecidas como
saídas através de amplificadores de isolamento (buffer).
(17.8)
com as seguintes restrições:
1. R 1 deve estar na faixa de 2 kil :5 R 1 :5 20 kil.
2. Vc deve estar na faixa de f y+ :5 Vc :5 v+.
3. !o deve estar abaixo de 1 MHz.
4. v+ deve estar entre 10 e 24 V.
A Fig. 17 .22 mostra um exemplo no qual o gerador de fun-
ções com 566 é usado para fornecer as formas de onda triangu-
lar e quadrada numa freqüência fixa determinada por R 1, C1 e Ve·

Entrada de 5 3
modulação, Vc _ _.....,
J1.IL

4
NV\

7
:i;C1

(a)

Entrada de
v+ R1 modulação, V e

Ío
= _2_
R1C1
(Y+ y+- Vc)

2k0 S R 1 S 20k0
o,75 v+ s Vc s v+
f 0 SlMHz
IOVSV+S24V

Terra /
Saída de
Saída de
onda triangular
onda quadrada

(b)

Fig.17.21 Um gerador de funções com 566: (a) diagrama em bloco; (b) configuração de pinos e resumo de dados de operação.
 Cls Lineares-Digitais 515

r----------o V+(+12 V)
Rz
l,5kQ
Cz
V1N~1-----e---

Fig.17.22 Conexão de uma unidade de VCO 566. Fig. 17.24 Operação de VCO com entrada de freqüência modulante.

Um divisor resistivo com R 2 e R 3 põe a tensão modulante de num Com o contato de R 3 embaixo, a tensão de controle é
valor fixo.
V - R4 (V+)
R3 lOkü e - R 2 + R 3 + R4
V
e
=
R2 + R3
v+ = 1, 5 kü + 1O kü
(12 V) = 10 4 V
' 18 kü
12
(a qual cai apropriadamente na faixa de tensão de 0,75 y+ = 9 V = 510 O + 5 kü + 18 k!l ( + V)
e v+ = 12 V). Usando a Eq. (17.8), temos
= 9,19 V
2 (12-10,4) resultando numa freqüência superior de
Ío = (10 X 103)(820 X 10-12) 12 = 32,5 kHz
2 ( 12 - 9,19)
O circuito da Fig. 17 .23 mostra como a freqüência da onda Ío = (IO X l03)( 2 20 X l0-12) = 212,9 kHz
12
quadrada de saída pode ser ajustada usando a tensão de entrada,
Ve· O potenciômetro R3 permite variar Ve de cerca de 9 V até A freqüência da onda quadrada de saída pode então ser variada
próximo de 12 V, sobre a faixa completa de freqüência de 10- usando o potenciômetro R 3 dentro de uma faixa de freqüência de
para-1. Na situação em que o contato do potenciômetro se en- pelo menos 1O para 1.
contra no alto, a tensão de controle resultante é de Em vez de variar um potenciômetro para mudar o valor de Ve,
uma tensão modulante de entrada, Vin• pode ser aplicada como
V _ R3 + R4 (V+) mostrado na Fig. 17.24. O divisor de tensão fixa Vc em cerca de
e - R,,- + R 3 + R4
10,4 V. Uma tensão ac de entrada de cerca de 1,4 V de pico pode
forçar Vc a variar em torno do ponto de polarização entre as ten-
5 kü + 18 kü ( + 12 V) = 11 74 V sões de 9 e 11,8 V, fazendo a freqüência de saída variar dentro
s10 n + s kn + 1s kn ' de uma faixa de cerca de 1O-para-1. O sinal de entrada Vin, por-
resultando numa freqüência de saída inferior de tanto, modula em freqüência a tensão de saída em torno da fre-
qüência central, determinada pelo valor de Vc = 10,4 V (f,, =
2 (12-11,74) 121,2 kHz).
Ío = (IO X l03)( 220 X l0-12) 12 = 19,7kHz

17.6 MALHA AMARRADA POR FASE

~----------o V+(+12 V)
Fig. 17.23 Conexão de um 566 como uma unidade VCO.
(PLL)
A malha amarrada por fase (phase-locked loop, PLL) é um cir-
cuito eletrônico que contém um detector de fase, um filtro pas-
sa-baixa, e um oscilador controlado por tensão conectados da
forma mostrada na Fig. 17.25. Aplicações do PLL incluem: (1)
sintetizadores de freqüência que fornecem mútliplos da freqüên-
cia de um sinal de referência [por exemplo, na geração da fre-
qüência de portadora para os múltiplos canais de um transmis-
sor operando na faixa do cidadão (BC) ou transmissores de rádi-
os marítimos; (2) circuitos de demodulação de FM para opera-
ção em FM com excelente linearidade entre a freqüência do si-
nal de entrada e a tensão de saída do PLL; (3) demodulação de
transmissões de dados digitais modulados em FSK; e (4) uma
ampla variedade de aplicações incluindo modems, receptores de
516 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
--~-~--q,
90º
Sinal de
entrada
V,,
Ío
/
J1JlS
Fig. 17.25 Diagrama em bloco de uma malha amarrada por fase básica (PLL).
telemetria e transmissores, decodificadores de tom, detetores AM,
e filtros de rastreio.
Um sinal de entrada, V;, e o de um VCO, V0 , são comparados
por um comparador de fase (refira-se a Fig. 17 .25) fornecendo
uma tensão de saída, v., que representa a diferença de fase entre
os dois sinais. Esta tensão é então aplicada a um filtro passa-bai-
xa que fornece uma tensão de saída (amplificada, se necessário),
que pode ser tomada como a tensão de saída de um PLL. Esta
tensão é realimentada para modular a freqüência do VCO. A
operação de malha fechada do circuito mantém a freqüência do
VCO amarrada à freqüência do sinal de entrada.
Operação PLL Básica
A operação básica de um circuito PLL pode ser explicada usan-
do o circuito da Fig. 17 .25 como referência. Consideraremos
primeiro a operação dos vários circuitos da malha quando a
mesma opera "amarrada" (a freqüência do sinal de entrada e a
freqüência do VCO são iguais). Quando a freqüência do sinal de
entrada é igual à do VCO, a tensão Vd (tomada como saída) man-
tém o VCO "amarrado" com o sinal de entrada. O VCO gera,
então, um sinal de onda quadrada com amplitude fixa. O desem-
penho do circuito é melhorado se a freqüência central do VCO,
/ 0 , corresponder a uma tensão de polarização no centro da faixa
de valores possíveis para esta tensão. O amplificador permite este
ajuste na tensão de, tomando como entrada a saída do filtro.
Quando a malha está amarrada, os dois sinais aplicados ao
comparador têm a mesma freqüência, embora não estejam ne-
cessariamente em fase. Uma diferença de fase fixa entre os dois
sinais, para o comparador, resulta numa tensão de fixa para o
VCO. Mudanças na freqüência de entrada do sinal resultam,
então, em mudanças na tensão de do VCO. Dentro da faixa de
captura e amarração de freqüência, a tensão de forçará a freqüên-
cia do VCO a casar com a da entrada.
Durante a fase de "amarração" da malha, o comparador de fase
produz um sinal de saída que contém componentes de freqüên-
cia relativas à soma e à diferença dos sinais comparados. O filtro
passa-baixa deixa passar somente as componentes de freqüência
1
: Na freqüência
1 central de VCO, f 0
1
1
inferiores do sinal, possibilitando a amarração entre o sinal de
entrada e do VCO.
Devido à faixa de operação limitada do VCO e à conexão de
realimentação do circuito PLL, há duas bandas de freqüência
importantes especificadas para um PLL. A faixa de captura de
um PLL é a faixa de freqüência centrada em torno da freqüência
livre do VCO,fo, sobre a qual a malha pode adquirir a amarração
com o sinal de entrada. Uma vez que o PLL conseguiu a captura,
ele pode manter-se amarrado com o sinal de entrada sobre uma
faixa de freqüência relativamente ampla, chamadafaixa de amar-
ração.
Aplicações
O PLL pode ser usado numa ampla variedade de aplicações, in-
cluindo (1) demodulação de freqüência, (2) síntese de freqüên-
cia, e (3) decodificadores FSK. Seguem-se exemplos de cada um
desses.
DEMODULAÇÃO DE FREQÜÊNCIA
A demodulação FM ou detecção pode ser conseguida direta-
mente usando um circuito PLL. Se a freqüência central do PLL
é selecionada ou projetada na freqüência da portadora de FM, a
tensão filtrada ou de saída do circuito da Fig. 17.25 é a tensão
demodulada desejada, variando em valor proporcional à varia-
ção da freqüência do sinal. O circuito PLL, portanto, opera como
um filtro de freqüência intermediária (FI), limitador, e
demodulador como os usados em receptores de FM.
Uma unidade PLL popular é o 565, mostrado na Fig. 17 .26a.
O 565 contém um detector de fase, amplificador, e oscilador
controlado por tensão, os quais estão parcialmente conectados
internamente. Um resistor externo e um capacitor, R 1 e C 1, são
usados para fixarem a freqüência livre ou central do VCO. Ou-
tro capacitor externo, C2, é usado para fixar a banda passante do
filtro passa-baixa, e a saída do VCO deve ser conectada de vol-
ta, como entrada para o detector de fase, para fechar a malha do
PLL. O 565 usa tipicamente duas fontes de tensão, v+ e v-.
 Cls Lineares-Digitais 517

v+
565 10
2

Entrada{ 3

5 ~----+-t-6_ _ Saída de
referência
.JUl.. 4
Saída

(a)
+6 \!
10
Sii.al de 2 C2
entrada FM - - - - - - + - 330pF
_,,IV~.....i,--7_.__~smda
de modulada

.JUl.. 4
Saída

0,3
lo"" R1C1
+6V -6V
+5,3V
(b)
+5V -- -~- ---L.-----
1 1
1 1
- - - - _ _.t_ __ - - __ .J__ - - - -
+4,7 V 1
1
~ - - ~ - - ~ - - - - ' - - - - - Freqüência
ÍL
lo - 2 ·
lo
(= 136,36 kHz)
\Íi
J, + ...!:..
(= 45,45 kHz) 0 2
±fL (= 227,27 kHz)
(± 181,82 kHz)

(e) Fig.17.26

A Fig. 17.26b mostra o PLL conectado para trabalhar como para fontes de tensão V =± 6 V. A faixa de captura é
um demodulador de FM. O resistor R 1 e o capacitor C 1 determi-
nam a freqüência livre,!0 •
!e= ±-1- 12:;J; (17.10)
21T '11'ê;
(17.9) 1 f 211(181,8 x 103)
=±21T "\J (3,6 X 1C>3)(330 X 10- 12) = 156•1 kHz
O sinal no pino 4 é uma onda quadrada de 136,36 kHz. Um sinal
= 0 •3 = 136 36 kHz de entrada dentro da faixa de amarração de 181,8 kHz produz um
(10 X 103)(220 X 10- 12) ' sinal de saída no pino 7 variando em torno de seu nível de tensão
com a limitação de 2 kil ::5 R 1 ::5 20 kil. A faixa de amarração é de acordo com a freqüência do sinal de entrada. A Fig. 17.26c
mostra a saída no pino 7 em função da freqüência do sinal de
8fo entrada. A tensão de no pino 7 está relacionada linearmente à
fL= ± - freqüência do sinal de entrada, dentro da faixa de freqüência ÍL
V
= 181,8 kHz, em torno da freqüência central 136,36 kHz. A ten-
8(136,36 X 1C>3) S são de saída é o sinal demodulado, cujo valor varia com a fre-
= + 6 = ±181, kHz
qüência dentro da faixa de operação especificada.
518 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

SÍNTESE DE FREQÜ:~NCIA DECODIFICADORES FSK

Um sintetizador de freqüência pode ser construído tomando
como base um PLL, como mostrado na Fig. 17.27. Um divisor
de freqüência é inserido entre a saída do VCO e o comparador
de fase tal que o sinal da malha para o comparador está na fre-
qüência !o, enquanto a saída do VCO está em Nfo. Esta saída é
um múltiplo da freqüência de entrada, enquanto a malha estiver
amarrada. O sinal de entrada pode ser estabilizado emf1 com a
saída resultante do VCO em Nf1 se a malha estiver calculada para
amarração na freqüência fundamental (quando f 0 = fi). A Fig.
17 .27b mostra um exemplo usando um PLL 565 como multiplica-
dor de freqüência e um 7490 como divisor. A entrada V; na fre-
qüênciaf1 é comparada a entrada (freqüênciafo) no pino 5. Uma
saídaemNJ (4f0 , neste exemplo) é conectada através de um cir-
0
cuito inversor à entrada do 7490, no pino 14, a qual varia entre O
e +5 V. Usando a saída no pino 9, a qual é dividida por 4 em
relação à entrada, o sinal do pino 4 do PLL tem uma freqüência
igual a quatro vezes a freqüência de entrada, enquanto a malha
permanecer amarrada. Como o VCO pode variar dentro de uma
faixa limitada de sua freqüência central, pode ser necessário
mudar a freqüência de VCO quando o valor do divisor for alte-
rado. Enquanto o circuito PLL estiver amarrado, a freqüência de
saída do VCO será exatamente N vezes a freqüência de entrada.
É necessário apenas reajustarfo para ficar dentro da faixa de cap-
tura e amarração. Neste caso, quando a malha estiver amarrada,
a saída do VCO terá uma freqüência igual a Nf1•
Um decodificador de sinal FSK (frequency-shift keyeá) pode
ser construído como mostrado na Fig. 17 .28. O decodificador re-
cebe um sinal em uma das duas freqüências de portadora, 1270
Hz ou 1070 Hz, representando os níveis lógicos RS-232C de mar-
cas (-5 V) ou de espaços ( + 14 V), respectivamente. Quando o
sinal é aplicado à entrada, a malha se "amarra" à freqüência de
entrada, rastreando-a entre dois possíveis valores. Na saída, ob-
tém-se um deslocamento correspondente do nível de.
O filtro em escada RC (três seções de C = 0,02 µ.F e R = 10
kO) é usado para remover a componente da soma de freqüênci-
as. A freqüência livre é ajustada com R 1 de forma que o nível de
tensão de na saída (pino 7) seja o mesmo que no pino 6. Então,
uma entrada com freqüência de 1070 Hz forçará a tensão de sa-
ída do decodificador para um nível de tensão mais positivo, le-
vando a saída digital para o nível alto (espaço ou+ 14 V). Uma
entrada em 1270 Hz forçará a saída de do 565 a ser menos posi-
tiva, produzindo uma saída digital (saída do comparador) em nível
baixo.
17. 7 CIRCUITOS DE
INTERFACEAMENTO
Conectar diferentes tipos de circuitos, sejam circuitos digitais ou
analógicos, pode requerer alguma espécie de circuito de

Entrada
!1 --
Saída
Nfo

(a)

+5V

V; ~
Ít i C1 ;b 1
---/
QD+ 16 /
220p;/~

I
/ -5V [ f ' 111,(2).,j;·''t' '>,,/
L-------------- {~--------------------------'
(b)

Fig. 17.27 Sintetizador de freqüência: (a) diagrama em bloco; (b) implementação usando uma unidade PLL 565.
 Cls lineares-Digitais 519

0,02µ.F

O,lµF
Entrada --}i--.---
9
1070~Hz} Saída
{ digital
1270Hz
6000

{ ESPAÇ0=+14 V}
MARCA=-SV

-sv
Fig. 17.21Í Conexão de um 565 como decodificador FSK.

interfaceamento. Um circuito de interface pode ser usado para
acionar uma carga ou para obter um sinal, como um circuito re-
ceptor. Um circuito acionador fornece um sinal de saída em ní-
veis de tensão ou corrente adequados para operar uma certa va-
riedade de cargas, ou dispositivos como relés, displays, ou uni-
dades de potência. Um circuito receptor, essencialmente, aceita
um sinal de entrada, proporcionando alta impedância de entrada
para minimizar o carregamento desse sinal. Além disso, os cir-
cuitos de interface podem sofrer algum tipo de controle, propor-
cionando a conexão dos sinais de interface durante intervalos de
tempo específicos.
A Fig. 17.29a mostra um driver em linha dupla, em que cada
um aceita entrada de sinais TIL, fornecendo saída capaz de aci-
onar circuitos de dispositivos TIL ou CMOS. Este tipo de cir-
cuito de interface é configurado de várias formas, com entradas
inversoras ou não-inversoras. O circuito da Fig. 17 .29b mostra

Habilitação (Y=A·S)
s
Saída
2Y

(a)

Habilitação 1

Entrada
nio-inversora 1

Entrada
nio-inversora 2

Habilitação2
(b)

Fig. 17.29 Unidades de interface: (a) acionadores em linha dupla (SN75150); (b) receptores em linha dupla (SN75152).
520 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Enlace de Corrente RS-232-C TIL

MARCA 20mA -12 V +5V

ESPAÇO OmA +12V ov

(a)
Interface RS-232-C
para TIL

(b)

+5 V

+12V

,-
1
--------~1
1 ---+--.----
1 ~
: 4N33

Opto-isolador

Enlace de corrente de 20 mA
para interface TIL

(c)

Fig. 17.30 Padrões de interfaceamento de sinais e circuitos conversores.

uma configuração em que são incluídos estes dois tipos de en-
tradas, permitindo várias alternativas de operação. Como exem-
plo, a conexão de um sinal de entrada a uma entrada inversora
resultaria numa saída invertida da unidade receptora. Conectan-
do a entrada a uma entrada não-inversora forneceria o mesmo
interfaceamento, exceto que a saída obtida teria a mesma polari-
dade do sinal recebido. A unidade transmissora-receptora da Fig.
17.29 fornece uma saída quando o sinal de habilitação está pre-
sente (alto neste caso).
Outro tipo de circuito de interface é utilizado para conectar
várias entradas digitais e unidades de saída, sinais de dispositi-
vos, tais como teclados, terminais de vídeo, e impressoras. Um
dos padrões da indústria eletrônica EIA é referenciado como RS-
232C. Este padrão afirma que um sinal digital pode representar
uma marca ( 1 lógico) ou um espaço (O lógico). As definições de
marca e espaço variam com o tipo de circuito usado (embora
existam padrões que estabeleçam os limites aceitáveis de sinais
de marca e espaço).

+5V

R
Linha de dados (barramento) +5V

QI Qz Saída

Off Off Circuito aberto

Off On ov
On Off +5V

(a) (b)

Fig.17.31 Conexões para linhas de dados: (a) saída em coletor aberto; (b) saída de alta impedância (tri-state).

Conversor RS-232C-para-TTL
Para circuitos TTL, + 5 V é um.a marca e O V é um espaço. Para
RS-232C uma marca poderia ser -12 V e um espaço+ 12 V. A
Fig. 17 .30a fornece uma tabela com algumas definições de mar-
ca e espaço. Para uma unidade, com saídas definidas em RS-
232C, acoplada a uma outra unidade operando com nível de si-
nal TTL, um circuito de interface, como mostrado na Fig. 17 .30b,
poderia ser usado. Uma marca gerada pelo driver (em -12 V)
seria cortada pelo diodo produzindo uma entrada para o circuito
inversor próxima de O V. A saída resultante seria de +5 V (mar-
ca TTL). Um espaço em+ 12 V forçaria a saída baixa do inver-
sor para uma saída de O-V (um espaço).
Outro exemplo de um circuito de interface converte os sinais
de uma malha de corrente TTY em níveis TTL como mostrado
na Fig. 17.30c. Obtém-se uma marca na entrada quando uma
corrente 20 mA é drenada da fonte através da linha de saída do
teletipo (TTY). Esta corrente então percorre o diodo de um opto-
isolador, forçando o transistor de saída a conduzir. A entrada para
o inversor sendo baixa, resulta num sinal de + 5 V da saída do
inversor 7 407, fazendo com que a marca do teletipo seja conver-
tida para uma marca TTL. Um espaço da malha de corrente do
teletipo não fornece corrente; sendo assim, o transistor opto-iso-
lador permanece cortado e a saída do inversor em O V, corres-
pondendo a um sinal de espaço TTL.
Outro meio de interfaceamento de sinais digitais utiliza saí-
das em coletor aberto ou saídas de alta impedância (tri-state).
Quando um sinal corresponde à saída de um coletor de um tran-
sistor (veja Fig. 17.31) a qual não é conectada a nenhum outro
componente eletrônico, a saída é de coletor aberto. Neste caso, é
possível conectar vários sinais ao mesmo fio ou barramento.
Qualquer transistor levado à condução fornece então uma ten-
são de saída baixa, enquanto os transistores cortados fornecem
uma tensão alta de saída.
17.8 ANÁLISE POR COMPUTADOR
Um comparador é essencialmente um amp-op de alto ganho com
alguma histerese embutida, o qual fornece uma saída digital com
um ou dois níveis de tensão de saturação, dependendo da entra-
da aplicada. Um bom comparador pode ser obtido no PSpice
usando um subcircuito amp-op prático. O subcircuito contém
todos os detalhes descrevendo os componentes do circuito dese-
jado, e pode ser usado então em qualquer conexão desejada. O
programa PSpice fornecido pela MicroSim Corp. fornece a des-
crição detalhada de um amp-op 741.
Programa 17.1: Circuito Comparador Usado
para Acionar um LED
Um circuito comparador com saída acionando um LED é mos-
trado na Fig. 17 .32. A listagem PSpice e a saída do circuito
comparador são fornecidas na Fig. 17 .33.
Subcircuito: O subcircuito do amp-op 741 é descrito nas li-
nhas de
.subckt ua741 1 2 3 4 5 6
a de quatro estágios converte quatro bits de entrada ( + 1O V ou O
. ends
Cls Lineares-Digitais 521
Vcc (+12 V)
VEE (-12 V)
Fig. 17.32 Circuito para o programa PSpice 17.1.
A partir destas linhas de programa, podemos desenvolver uma
rotina para empregar o amp-op como comparador.
Um divisor de tensão proporciona um valor de tensão à en-
trada "menos" igual a 6 V. Desta forma, qualquer entrada V;
menor do que este valor produzirá na saída uma tensão igual ao
nível de saturação negativo (cerca de -1 O V). Caso contrário,
teremos na saída o valor correspondente ao nível de saturação
positivo (cerca de + 10 V). Portanto, o LED será acionado so-
mente se a entrada estiver acima de 6 V. Como dado de saída do
programa, é fornecida uma tabela contendo os valores de corrente
no LED para entradas de 4 a 8 V. Esta tabela mostra que a cor-
rente no LED para entradas menores do que 6 V é aproximada-
mente O. Para entradas acima deste valor, a corrente é de aproxi-
madamente 19,9 A.
Programa 17.2: Operação do Comparador
A operação de um CI comparador pode ser demonstrada usando
uma unidade LMl 11 (veja Fig. 17.34). A descrição do circuito é
obtida da biblioteca MicroSim. A Fig. 17.35 fornece a descrição
do subcircuito do CI LM 111. O subcircuito é usado para mos-
trar como um comparador opera sobre um sinal de entrada se-
noidal. O sinal de entrada senoidal é uma forma de onda de 5 V
de pico
VI 1 O SIN(O 5)
Como ele está aplicado à entrada não-inversora, a saída está em
fase com a entrada. Quando a entrada está acima de O V, a saída
vai para o nível de saturação positiva, +5 V. Quando a entrada
cai abaixo de O V, a saída vai para o nível de saturação inferior,
OV. Para mostrar os sinais de entrada e saída, a Fig. 17.35 forne-
ce um gráfico da entrada, V(l), e saída, V(5).
O gráfico da saída pode ser visto usando a operação PROBE
do PSpice, mostrado na Fig. 17 .36.
Programa 17.3: Circuito em Escada
Um circuito em escada típico, utilizado em conversão D/A é
mostrado na Fig. 17.37. Este exemplo de um circuito em escada
V) numa tensão de analógica. A listagem na Fig. 17.38a mostra
522 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Fig. 17.33 Saída PSpice para o circuito da Fig. 17 .32.

+5V

V;
5Vrms

Fig.17.34 Circuito para programa PSpice 17.2.

 Cls Lineares-Digitais 523

***********************************************************

Fig. 17.35 Saída PSpice para o circuito da Fig. 17 .34.

524 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Fig. 17.36 Saída Probe para o circuito da Fig. 17.34.

V,, • R1
!OkQ
Ili R~
IOkQ
li R3
IOkQ
•
Rs R4 R2 R1 Rii
20kQ 20kQ 20kQ 20kQ 20kQ

Vs
• • • • V4 V2 V1 T
li
Fig. 17.37 Circuito para o programa PSpice 17.3.
 Cls Lineares-Digitais 525

(a)

(b)

Fig. 17.38 Saída PSpice para o circuito da Fig. 17.37.

que, para todas as entradas em+ 10 V, a saída é 9,375 V. Para 2. Esboce a forma de onda de saída para o circuito da Fig. 17.39.
entrada 1 1 1 1 = 15, a saída é 3. Desenhe o diagrama de circuito de um amp-op 311, mostrando uma
entrada de 1OV rms aplicada à entrada inversora, e da entrada mais
15 para a terra. Identifique todos os números dos pinos.
16(+10 V)= 9,375 V
A Fig. 17 .38b mostra que para entradas de 1 O O 1 = 9, a tensão +12 V
de saída é
9
16(+ 10 V) = 5,625 V

PROBLEMAS

§ 17 .2 Operação da Unidade Comparadora

1. Desenhe o diagrama de um amp-op 741 operando com uma fonte

de ±15 V com V;(-)= OVe V;(+)= +5 V. lncluaapinagemdo
CI. Fig.17.39 Problema 2.
526 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

+12V
4. Desenhe a forma de onda da saída resultante para o circuito da Fig.
17.40.

+5V 6,2kQ +12V

lkQ

0
- - - - + - - - - - Vº
lkQ

Fig. 17.40 Problema 4.

5. Desenhe o diagrama de circuito de um detector de cruzamento zero

usando um estágio comparador 339 com::!: 12 V.
6. Esboce a forma de onda de saída para o circuito da Fig. 17.41.

+12V 9,1 kQ

Fig.17.42 Problemas 7, 27.

15. Desenhe o circuito de um ''único-disparo", usando um tempori-

zador 555 para fornecer um período de tempo de 20 µ,s. Se RA =
7,5 k!l, que valor de C é necessário?
5Vnns 16. Esboce as formas de onda de entrada e saída para um circuito de
"único-disparo", usando um temporizador 555 disparado por um
clock de 10 kHz para RA = 5, I k!l e C = 5 nF.

Fig.17.41 Problema 6.
§ 17.5 Oscilador Controlado por Tensão

17. Calcule a freqüência central de um VCO, usando um CI 566, como

naFig.17.22,paraR 1 = 4,7k0,R2 = l,8k0,R3 = 11 kO,eC 1 =
*7. Descreva a operação do circuito da Fig. 17.42. 0,001 µF.
*18. Qual a faixa de freqüência resultante no circuito da Fig. 17 .23 para
§ 17 .3 Conversores Digitais-Analógicos C1 = 0,001 µ,F?
19. Determine o capacitor necessário no circuito da Fig. 17.22 para
8. Esboce um circuito em escada de cinco estágios usando resistores se obter uma saída de 200 kHz.
de 15k!le30k!l.
9. Para uma tensão de referência de 16 V, calcule a tensão de saída § 17.6 Malha Amarrada por Fase
para uma entrada igual a 11010 no circuito do Problema 8.
10. Que resolução de tensão é possível, usando-se um circuito em es- 20. Calcule a freqüência livre do VCO para o circuito da Fig. 17 .26b
cada de 12 estágios com uma tensão de referência de 10 V? com R1 = 4,7 kO, e C 1 = 0,001 µ,F.
11. Para um conversor de dupla-inclinação, descreva o que ocorre 21. Que valor de capacitor, C 1, é requerido no circuito da Fig. 17 .26b
durante o intervalo fixo de tempo e o intervalo de contagem. para obter uma freqüência central de 100 kHz?
12. Quantos passos de contagem ocorrem num contador digital de 12 22. Qual é a faixa de amarração do circuito PLL na Fig. 17.26b para
estágios na saída de um conversor A/D? R 1 = 4,7 k!l, e C 1 = 0,001 µ,F?
13. Qual é o máximo intervalo de contagem usando um contador de
12 estágios operando em uma taxa de clock de 20 MHz? § 17. 7 Circuitos de Interfaceamento

§ 17.4 Operação da Unidade de CI Temporizadora 23. Descreva as condições de sinal para as interfaces de malha de cor-
rente e RS-232C.
14. Esboce o circuito de um temporizador 555 conectado como um 24. O que é barramento de dados?
multivibrador astável para operação em 350 kHz. Determine o 25. Qual é a diferença entre saída em coletor aberto e saída de alta
valor do capacitor, C, necessário usando RA = R8 = 7,5 k!l. impedância?
 Cls lineares-Digitais 527

§ 17 .8 Análise por Computador *28. Escreva um programa no PSpice para listar a tensão de saída de
um circuito em escada de 2 estágios com todos os quatro valores
*26. Escreva um programa no PSpice para fornecer a forma de onda de de entradas possíveis (use 10 k!l, 20 k!l & 10 V, como na Fig.
saída em um circuito que usa um LMl 11, com V; = 5 V rms aplica- 17.37).
do à entrada menos ( - ), e +5 V rms aplicado à entrada mais ( +).
*27. Escreva um programa no PSpice para fornecer a listagem de saída
para entradas de V; = 1 V a 12 V (em passos de 0,5 V) no circuito
da Fig. 17.42. UseumCicomR; = 1 M!l, R0 = lOk!l, eA = 100
V/mV. *Observação: Os asteriscos indicam problemas mais difíceis.

Realimentação
e Circuitos Osciladores
18.1 CONCEITOS SOBRE
REALIMENTAÇÃO
A técnica de realimentação já foi abordada nos Caps. 14 e 15 deste
livro, onde foram analisados alguns circuitos que utilizam amp-
op. Dependendo da polaridade relativa do sinal que é realimen-
tado em um circuito, podemos ter realimentação positiva ou ne-
gativa. Realimentação negativa produz uma redução do ganho
de tensão, trazendo várias vantagens (resumidas abaixo) a alguns
circuitos. Realimentação positiva leva o circuito a oscilar, pro-
duzindo vários tipos de circuitos osciladores.
Uma conexão típica de realimentação está exposta na Fig.
18.1. O sinal de entrada, Vs, é aplicado a um circuito misturador,
onde é combinado com um sinal realimentado, VI' A diferença
entre estes sinais, V;, é então a tensão de entrada para o ampli-
ficador. Uma porção da saída do amplificador, V0 , é conectada
ao circuito de realimentação (/3), que apresenta uma parte re-
duzida da saída como sinal de realimentação ao circuito mistu-
rador.
Se o sinal de realimentação tiver polaridade oposta ao sinal
de entrada, conforme Fig. 18.1, a realimentação é negativa. Há a
redução do ganho de tensão total, mas várias melhorias são obti-
das, dentre as quais podemos citar
+
Sinal de V, - - 1 - - i 111-----J----V0 (sinal de
entrada saída)
Amplificador com realimentação
Fig. 18.1 Diagrama de blocos simplificado do amplificador realimentado.
CAPÍTULO
18
1. Impedância de entrada mais alta
2. Ganho de tensão mais estável
3. Resposta de freqüência melhorada
4. Impedância de saída mais baixa
5. Ruído reduzido
6. Operação mais linear
18.2 TIPOS DE CONEXÃO DE
REALIMENTAÇÃO
Há quatro maneiras básicas de se realizar a realimentação. Tan-
to a tensão como a corrente podem ser realimentadas para a en-
trada, em série ou em paralelo. Assim, podemos ter
1. Realimentação de tensão em série (Fig. 18.2a)
2. Realimentação de tensão em paralelo (Fig. 18.2b)
3. Realimentação de corrente em série (Fig. 18.2c)
4. Realimentação de corrente em paralelo (Fig. 18.2d)
Na lista acima, tensão refere-se a conectar a tensão de saída
como entrada para o circuito de realimentação; corrente diz res-
peito a drenar parte da corrente de saída através do circuito de
realimentação. Série significa conectar o sinal realimentado em
série com o sinal de entrada; paralelo quer dizer conectar o sinal
realimentado em paralelo a uma fonte de corrente na entrada.
A realimentação em série tende a aumentar a resistência de
entrada, enquanto que a realimentação em paralelo tende a di-
minuir a resistência de entrada. A realimentação de tensão ten-
de a diminuir a impedância de saída, enquanto que a realimen-
tação de corrente tende a aumentar a impedância de saída. Nor-
malmente, impedâncias de entrada mais elevadas e impedâncias
de saída mais baixas são desejadas para a maioria dos amplifi-
cadores em cascata. Estas características são proporcionadas pela
conexão de realimentação de tensão em série. Portanto, nos con-
centraremos primeiro neste tipo.
Ganho com Realimentação
Nesta seção examinaremos o ganho de cada um dos circuitos
de realimentação da Fig. 18.2. O ganho sem realimentação, A,
 Realimentação e Circuitos Osciladores 529

V, l,

+
I =/JV,,

(a) (b)

I;
-+-
+
V., l.,

(c) (d)

Fig. 18.2 Tipos de amplificadores com realimentação: (a) realimentação de tensão em série, Ai= VjV,; (b) realimentação de tensão em paralelo, Ar= V jl,; (c)
realimentação de corrente em série, Ai= ljV,; (d) realimentação de corrente em paralelo, Ai= ljl,.

corresponde ao estágio amplificador. Com realimentação, {3, o com o sinal de entrada, resultando em uma redução no ganho total.
ganho total do circuito é reduzido por um fator de ( 1 + {3A ), como Se não houver realimentação (V1 = O), o ganho de tensão do es-
detalhado abaixo. Como referência, um resumo do ganho, fator tágio amplificador é
de realimentação e ganho com realimentação dos circuitos da Fig.
18.2 é apresentado no Quadro 18.1. A= Vo = Vo (18.1)
Vs V;
REALIMENTAÇÃO DE TENSÃO EM SÉRIE Se um sinal de realimentação, Vft for conectado em série com a
saída, então
A Fig. 18.2a mostra a conexão de realimentação de tensão em
série, com uma parte da tensão de saída realimentada em série

QUADRO 18.1 Resumo do Ganho, Realimentação e Ganho com Realimentação da

Fig. 18.2

Tensão Tensão em Corrente Corrente em

em Série Paralelo em Série Paralelo

Ganho sem A
v. v. ~ ~
realimentação v; 1, v; 1,

vi !L Vi !L
Realimentação /3
v. v. I. I.

Ganho com A,
v. v. ~ ~
realimentação V, 1., V, I.,
530 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Amplificador

+
+
V,

Circuito de realimentação
A=- V A
/3 Vº} A-....!?.---
V;
= Vt 1- V, - l + BA

Vº
Fig. 18.3 Conexão para realimentação de tensão em série.

Uma vez que A impedância de entrada de um circuito com realimentação em

série é o resultado da impedância de entrada sem realimentação,
Vº= AVi = A(V. - V1) = AVs -AV1 = AVs -A(f3Vo) multiplicada pelo fator (1 + {3A). Este resultado é válido para as
então (1 + f3A)V = AVs
0 duas configurações de realimentação em série, tensão (Fig. 18.2a)
e corrente (Fig. 18.2c).
tal que o ganho de tensão total com realimentação é dado por
REALIMENTAÇÃO DE TENSÃO EM PARALELO
(18.2)
Na Fig. 18.4 é mostrado um diagrama mais detalhado da rea-
limentação de tensão em paralelo. A impedância de entrada pode
A equação (18.2) mostra que o ganho com realimentação é o ser determinada como sendo igual a
ganho do amplificador reduzido pelo fator (1 + {3A). Mais tarde
será visto que este fator afeta também a impedância de entrada e V; V; V;
Zif=-=--=---
saída, dentre outras características do circuito. ls I; + 11 I; + f3Vo
REALIMENTAÇÃO DE TENSÃO EM PARALELO V;ll;

O ganho com realimentação para o circuito da Fig. 18.2b é

_ V0 = ~ = Ali Ali 1 Z;
A1- 1 Z1r = -1_+_/3A_ (18.5)
1. I; + 11 li+ f3V0 l; + {3Al;

(18.3)

Impedância de Entrada com Realimentação

+
REALIMENTAÇÃO DE TENSÃO EM SÉRIE
JS
Na Fig. 18.3 é mostrado um diagrama mais detalhado da rea-
limentação de tensão em série. A impedância de entrada pode ser
determinada da seguinte forma:

J. = Vi = Vs - V1 = Vs - f3Vo
' zi Z; zi
/;Z; = Vs - f3AV;
Vs = I;Z,. + f3AV; = I;Z; + /3AI;Z;
Vs
Zif == /. = Z1 + (/3A)Z; = Z1(l + {3A) (18.4)
/
Fig. 18.4 Conexão para realimentação de tensão em paralelo.
 Realimentação e Circuitos Osciladores 531

Esta pequena impedância de entrada vale para a conexão de ten-

são em série da Fig. 18.2a e para a conexão e tensão em paralelo
da Fig. 18.2b.

Impedância de Saída com

Realimentação
As impedâncias de saída das configurações de realimentação de
tensão e de corrente da Fig. 18.2 são distintas. Na realimentação
de tensão, a impedância de saída é reduzida, enquanto que a re- +
alimentação de corrente aumenta a impedância de saída. Vr = {3!0

REALIMENTAÇÃO DE TENSÃO EM SÉRIE

Fig. 18.5 Realimentação de corrente em série.
O circuito de realimentação de tensão em série da Fig. 18.3
apresenta características suficientes do circuito para se determi-
nar a impedância de saída. Ela é determinada aplicando-se uma
tensão, V, que resulta em uma corrente, /, com V. em repouso (V,
EXEMPLO 18.1
= O). A tensão V é, portanto, Determine o ganho de tensão, as impedâncias de entrada e de
V= IZ0 + AV; saída de um circuito com realimentação de tensão em série, ten-
do A = -100, Ri = 10 kO, R0 = 20 kO para um f3 de realimen-
Para V,= O, V;= -V1
tação igual a (a) -0,1 e (b) -0,5.
portanto V = IZ0 - AVr = IZ0 - A(/3V)
Solução
Reescrevendo a equação como
V+ /3AV = IZ0 Utilizando as Eqs. (18.3), (18.5) e (18.7), obtemos
permite obter uma solução para a resistência de saída com reali- A -100 -100
mentação: (ª) A-
1 - 1 + {3A
- 909
1 + (-0,1)(-100) --11-=-'
Zif = Z;(l + {3A) = 10 kO(l 1) = 110 kfi
(18.6) z _ Z0 20x103 _
of- l + {3A l1 -1,82 kfi
A equação (18.6) mostra que, com realimentação de tensão em A -100 -100
série, a impedância de saída é reduzida pelo fator (1 + {3A) de (b) Af= 1 + f3A = 1 + (0,5)(100) = 5 1 = -l,%
seu valor sem realimentação.
Zif = Z;(l + {3A) = 10 k0(51) = 510 kfi
REALIMENTAÇÃO DE CORRENTE EM SÉRIE Z0 20 X 103
Zof= l + f3A - 51 = 392,16 O
A impedância de saída para um circuito com realimentação
de corrente em série pode ser determinada aplicando-se um si-
nal V à saída, com V, em repouso, e determinando a corrente I O Exemplo 18.1 demonstra um caso em que houve um sacri-
resultante. A razão entre V e I é a impedância de saída. A Fig. fício do ganho em prol da melhoria da resistência de entrada e
18.5 mostra a realimentação de corrente em série por meio de um de saída. Reduzindo-se o ganho por um fator igual a 11 (de 100
diagrama mais detalhado. Para a malha de saída do circuito mos- para 9,09), temos a recompensa da redução da resistência de sa-
trado na Fig. 18.5, a impedância de saída resultante é determina-
da da seguinte maneira. Com V, = O,
V;= V1 QUADRO 18.2 Efeito da Realimentação Sobre a
Impedância de Entrada e Saída
V V V
I = - - A V:. = - - AV1 = - - A{3/ Tensão Corrente Tensão em Corrente em
Zo • Zo Zo em Série em Série Paralelo Paralelo
Z0 (1 + {3A)/ = V
Z,(l + {3A) Z,(l + {3A) ~ ~
V 1 + ,BA 1 + ,BA
Z0 1 = [ =Z 0( 1 + {3A) (18.7) (aumento) (aumento) (redução) (redução)

No Quadro 18.2 apresenta-se um resumo do comportamento das Z01 ~ Zil + {3A) ~ z.o + {3A)
1 + ,BA 1 + ,BA
. impedâncias de entrada e de saída nos vários tipos de circuitos (redução) (aumento) (redução) (aumento)
com realimentação.
 532 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
ída e aumento da resistência de entrada pelo mesmo fator. Divi-
dindo-se o ganho por 51, resulta em um ganho igual a 2, mas com
uma resistência de entrada de valor superior a 500 kO e resistên-
cia de saída reduzida de 20 kO para menos de 400 O. A reali-
mentação oferece ao projetista a opção de ''trocar" parte do gan-
. ho disponível do amplificador por melhorias em algumas carac-
terísticas do circuito.
Redução da Distorção de Freqüência
Para um amplificador com realimentação negativa e f3A ~ 1, o
ganho com realimentação é A1 == 1/(3. Daí, pode-se concluir que,
se o circuito com realimentação for puramente resistivo, o ga-
nho para este circuito não é dependente da freqüência, apesar de
o ganho do amplificador básico o ser. Portanto, a distorção de
freqüência, que surge porque o ganho varia com a freqüência, é
reduzida consideravelmente em um circuito amplificador com
realimentação de tensão negativa.
Redução do Ruído e da Distorção Não-linear
A realimentação do sinal tende a controlar a quantidade de ruído
(originado de uma fonte de tensão, por exemplo) e a distorção
não-linear. O fator ( 1 + f3A) reduz o ruído de entrada e a distorção
não-linear resultante, melhorando consideravelmente o sinal.
Entretanto deve-se observar que há uma redução do ganho total
(o preço exigido para se melhorar a performance do circuito). Se
outros estágios forem utilizados para aumentar o ganho, é possí-
vel que os estágios adicionais empregados introduzam no siste-
ma um ruído maior do que o retirado com a realimentação. Este
problema pode ser de alguma forma aliviado, reajustando-se o
ganho do amplificador com realimentação a fim de se obter um
ganho mais alto, enquanto que, ao mesmo tempo, reduz-se de
forma suficiente o sinal de ruído.
Efeito da Realimentação Negativa no Ganho
e na Banda Passante
Na Eq. (18.2), mostrou-se que o ganho total com realimentação
negativa é igual a
A A
1- 1+[3A
1
A----==-=-
{3A /3 for {3A ~ 1
Ganho
0,101A 0
flt
Ili~------
-
B
Bf - - - - - - - -
Com {3A ~ 1, o ganho total é de aproximadamente 1/(3. Deve-
mos observar que para um amplificador na prática (com pontos
de quebra inferior e superior), o ganho de malha aberta cai nas
altas freqüências devido ao dispositivo ativo e às capacitâncias
do circuito. O ganho também pode diminuir nas baixas freqüên-
cias, agora devido aos estágios amplificadores com acoplamentos
capacitivos. Como o ganho de malha aberta A reduz-se suficien-
temente de tal maneira que não podemos considerar o fator f3A
muito maior do que 1, a conclusão da Eq. (18.2) de queA1 == 1/
f3 não vale mais.
A Fig. 18.6 mostra que o amplificador com realimentação
negativa apresenta uma banda passante maior (B1) do que o am-
plificador sem realimentação (B). O amplificador com realimen-
tação tem uma freqüência superior de 3 dB maior e uma freqüên-
cia inferior de 3 dB menor.
É interessante observar que, apesar da realimentação provo-
car uma redução do ganho de tensão, ela aumenta B e a freqüên-
cia de corte superior, particularmente. Na verdade, o produto
ganho X banda passante permanece o mesmo para o amplifica-
dor com realimentação. Mas como o amplificador com realimen-
tação tem um ganho inferior, a operação na prática é de troca de
ganho por banda passante (consideramos banda passante igual à
freqüência de corte superior, já que, em geral,J; ~ fi).
Estabilidade do Ganho
com a Realimentação
Além do fato de o fator f3 proporcionar um valor de ganho preci-
so, estamos interessados também no quão estável é o amplifica-
dor com realimentação, comparado ao amplificador sem reali-
mentação. Diferenciando a Eq. (18.2) nos leva a
,~, = 11 }/3AI ,~, (18.8)
,~, == 1 ;A li~ 1 para /3A ~1 (18.9)
Esta expressão mostra que a amplitude da variação relativa do ga-
nho 1: : 1 é reduzida pelo fator If3A I comparada à expressão para
o circuito sem realimentação (1 ~ 1).
Freqüência
Fig. 18.6 Efeito da realimentação negativa no ganho e na banda
passante.
 Realimentação e Circuitos Osciladores 533

O circuito de realimentação fornece um fator de realimentação de

EXEMPLO 18.2
Se um amplificador com ganho de -1000 e realimentação f3 =
-0,1 apresenta uma variação no ganho de 20% devido à tempe- /3 = ~ = R1-:~2 (18.12)
ratura, calcule a variação no ganho do amplificador com reali-
mentação. Usando os valores de A e f3 acima na Eq. (18.3), achamos o ga-
nho para o circuito
Solução A - - - - - "-gmRL
A - -"'------ (18.13)
1- 1 + /3A - 1 + [R2RJ(R1 + R2)1gm
Utilizando a Eq. (18.9), temos
Se {3A ~ 1, temos

1~ : , = 1 /3~ 11 ~ 1 = '-0,1(~1000) <20%)1 = 0, 2 %

(18.14)
A melhoria é de 100 vezes. Portanto, enquanto o ganho do am-
plificador varia de IAI = 1000 em 20%, o ganho com realimen-
tação varia de IA} = 100 em somente 0,2%.

EXEMPLO 18.3
18.3 CIRCUITOS COM Calcule o ganho sem e com realimentação para o amplificador a
REALIMENTAÇÃO NA PRÁTICA FET da Fig. 18.7 e com os seguintes componentes: R 1 = 80 kfi,
R2 = 20 kfi, R0 = 10 kfi, Rv = 10 kfi, e 8m = 4000 µ,S.
Alguns exemplos de circuitos com realimentação na prática forne-
cerão meios de se demonstrar o efeito da realimentação nos vá- Solução
rios tipos de montagens. Esta seção apresenta apenas uma intro-
dução a este tópico. RL = R0 Rv = 10 kfl (10 kfl) = S kíl
R0 + Rv 10 kfi + 1O kfi
Realimentação de Tensão em Série (desprezando a resistência de 100 kfi de R 1 e R2 em série)
A= -g111 Rl = -(4000 X 10-6 µ,S)(S kfi) = -20
A Fig. 18.7 mostra um estágio de amplificador a FET com reali-
mentação de tensão em série. Uma parte do sinal de saída (V0 ) é O fator de realimentação é
obtida usando-se um circuito de realimentação através dos -R, -20 kíl
resistores R 1 e R2• A tensão de realimentação V1 é conectada em /3 = R, + R2 = 80kfi + 20kfi = - 0,2
série com o sinal da fonte V,, sendo a diferença entre eles o sinal
de entrada V;. O ganho com realimentação é
Sem realimentação, o ganho do amplificador é
A _ A _ -20 = - 20 = _ 4
Vo 1 - 1 + f3A - 1 + (-0,2)(-20) 5
A= vi= -gmRL (18.10)

onde RL é a combinação em paralelo entre os resistores A Fig. 18.8 mostra uma conexão de realimentação de tensão em
RL = RvllR 0 ll(R1 + R2) (18.11) série utilizando um amp-op. O ganho do amp-op, A, sem reali-
mentação, é reduzido pelo fator de realimentação
R2
f3=-- (18.15)
R1 + R2

+ ----...--V.,
+ Amp-op
V:,
+
V,, R,,
V; +
+
V., VI

Fig. 18.7 Estágio de amplificador a FET com realimentação de tensão em série. Fig. 18.8 Realimentação de tensão em série com amp-op.
534 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

EXEMPLO 18.4
Calcule o ganho do amplificador da Fig. 18.8 para um ganho do amp- A.r= 1
op de A= 100.000eresistênciasR1 = l,8kf!eR2 = 200kf!.
Realimentação de Corrente em Série
Solução
R2 2000 Outra técnica de realimentação possível constitui-se em amostrar a
{3=---= =01 corrente de saída (10 ) e retomar uma tensão proporcional em série com
R 1 + R2 200 O + 1,8 kf! ' a entrada. Além de estabilizar o ganho do amplificador, a realimen-
A 100.000 tação de corrente em série aumenta a resistência de entrada.
Ai= l+f3A 1+(0,1)(100.000) A Fig. 18.10 mostra um estágio amplificador com transistor.
Como o emissor é não-desviado, então, efetivamente, o circuito
100.000 possui uma realimentação de corrente em série. A corrente através
10.001 = 9,999 do resistor Reproduz uma tensão de realimentação que se opõe ao
sinal da fonte aplicado, de forma que a tensão de saída é reduzida.
Observe que como f3A ~ 1, Para retirar a realimentação, o resistor do emissor deve ser removi-
1 1 do ou desviado por um capacitor (como normalmente se faz).
A i = - = - = 10
{3 O, 1
SEM REALIMENTAÇÃO

O circuito seguidor de emissor da Fig. 18.9 apresenta uma rea- Referindo-se ao formato básico da Fig. 18.2 e resumido no
limentação de tensão em série. O sinal Vs é a tensão de entrada, Quadro 18.1, temos
V;, A tensão de saída, Vm é também a tensão de realimentação,
em série com a tensão de entrada. O amplificador, como mostra
A = !E_= -lbflte -hJe (18.16)
a Fig. 18.9, realiza a operação com realimentação. A operação V; hhie + RE h;e + RE
do circuito sem realimentação produz l'J = O, tal que /3 = .Y.t = -loRE = -RE (18.17)
lo lo
A= Vo = hJehRE = h1eRE(Vsfh;e) = h1eRE
Vs Vs Vs h;e As impedâncias de entrada e saída são

f3=v1=1 Z; = RB li (h;e + RE)= h;e + RE (18.18)

e
Vº Zo=Rc (18.19)
Na operação com realimentação
V0 A
A1 = V, = 1 + {3A

(18.20)

+
+
v, V; +
Vº

Fig. 18.9 Circuito com realimentação de tensão em série (seguidor-de-emissor).

 Realimentaçào e Circuitos Osciladores 535

+Vcc

+
Vº V:,

--

(a) (b)

Fig, 18.10 Amplificador com resistor de emissor (RE) não-desviado para realimentação de corrente em série: (a) circuito amplificador; (b) circuito equivalente ac
sem realimentação.

A impedância de entrada e saída é calculada como especificado Solução

no Quadro 18.2.
Sem realimentação,
zif = Z;(l + {3A) ~ h;e( 1 + hfe~E) = h;e + h1eRE (18.21) -120
h,e -90_0_+_5_1_0 = - 0 •085

Z01 = Zo( 1 + {3A) = Rc( 1 + hfe~E) (18.22) /3 =

V
_i_ = -RE = -510
h,e lo
O ganho de tensão (A) com realimentação é
O fator (1 + {3A) é, portanto,

Avf = -
V0 l 0 Rc
= -- = -
( 10 ) _
Rc = A1Rc =
-hteRc
(18.23)
1 + {3A = 1 + ( -0,085)( - 510) = 44,35
V8 Vs V8 h;e + hfeRE O ganho com realimentação é, portanto,
10 A -0,085 _3
A=-= = =-192X10
1 Vs 1 + {3A 44,35 '
EXEMPLO 18.5
Calcule o ganho de tensão do circuito da Fig. 18.11. e o ganho de tensão com realimentação Avf é

Avt= -Vº = A1Rc = (-1,92 X 10-3 )(2,2 X 10)

3
= -4,2
Vs
+16V
Sem realimentação (R8 = 0), o ganho de tensão é

A = -Rc = -2,2 x 103 = -293 3

v re 7,5 '

Realimentação de Tensão em Paralelo

O circuito com amp-op de ganho constante da Fig. 18.12a pro-
porciona uma realimentação de tensão em paralelo. Referindo-
se à Fig. 18.2b e ao Quadro 18.1, e admitindo-se que as caracte-
rísticas do amp-op são ideais, com ganho de tensão infinito, te-
Vs mos
IOmVrms

l Vº
A =-=m
l;
. fi mto

1~ -1
.
(18.24)

Fig. 18.11 Amplificador a TBJ com realimentação de corrente em série para o {3=-'-=- (18.25)
Exemplo 18.5. v~ R0
536 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos A1
R"
R,,
ti1
_.
I; V,,
Vi
Is=-
Ri
[
T

(a) (b)

Fig. 18.12 Amplificador com realimentação negativa de tensão em paralelo: (a) circuito de ganho constante; (b) circuito equivalente.

+Vcc

RF
V,, V"

t 11
_.
I;
Ro
Is Rs
Vs

(a)
-=- r (b)
-=-

Fig. 18.13 Amplificador com realimentação de tensão em paralelo usando um FET: (a) circuito; (b) circuito equivalente.

O ganho com realimentação é, portanto, O ganho de tensão do circuito com realimentação é, portanto,

V0
Ai=-=-=
V0 A 1
= - = -Ro (18.26)
A _ Vo ~ _ - gmRDRsRF (-1-)
Is 11 1 + {3A (3 vf - I., V., - RF + gmRDRs Rs

Este é um ganho de transimpedância. O ganho mais usual é o = -gmRDRF

-_ (
-g
R ) RF
D (18.31)
ganho de tensão com realimentação, RF + gmRDRs m RF + gmRDRs
Vo I., 1 -Ro
Avf=--= (-Ro)-=- (18.27)
fs Vi Ri Ri
EXEMPLO 18.6
O circuito da Fig. 18.13 é um amplificador com realimentação Calcule o ganho de tensão com e sem realimentação para o circuito
de tensão em paralelo, usando um FET sem realimentação, l7t = O. daFig.18.13aegm = 5mS,RD = 5,lk0,R8 = lkO,eRF = 20k0.

A= -Vº
(
=-gmRnRs (18.28)
Solução

Sem realimentação, o ganho de tensão é

A realimentação é
Av = -gmRD = -(5 X 10- 3)(5,1 X 103) = -25,5
/3=
.!L =-1- (18.29) Com realimentação, o ganho é reduzido a
Vo RF
A - (- R )
Com realimentação, o ganho do circuito é vf- gm DR
F
+ RF R R
gm D S
V0 A
At = Is = 1 + /3A = (-25 5
' ) (20 X 103) + (5 X
20 X 103
10- 3)(5, 1 X 103)(1 X 103)
= -gmRDRsRF
= -25,5(0,44) = -11,2
(18.30)
RF + gmRDRs

18.4 AMPLIFICADOR COM
REALIMENTAÇÃO -
CONSIDERAÇÕES SOBRE
FASE E FREQÜÊNCIA
Até então, consideramos a operação de um amplificador com
realimentação aquela na qual o sinal realimentado faz oposição
ao sinal de entrada - realimentação negativa. Em qualquer cir-
cuito na prática, esta condição só ocorre para uma parte da faixa
central de freqüências de operação. Sabemos que o ganho do
amplificador varia com a freqüência, caindo nas altas freqüênci-
as em relação ao seu valor na faixa central do espectro. Além
disso, o deslocamento de fase de um amplificador também de-
pende da freqüência.
Se, quando a freqüência aumenta, o deslocamento de fase
varia, então parte do sinal realimentado será adicionada ao sinal
de entrada. Portanto, é possível que o amplificador comece a
oscilar devido à realimentação positiva. Se o amplificador osci-
la nas altas ou baixas freqüências, este circuito não pode ser
empregado. O projeto apropriado de um amplificador com reali-
mentação exige que o circuito seja estável em toda a faixa de
freqüências, e não apenas na faixa de interesse. Caso contrário,
uma perturbação transiente pode levar um amplificador aparen-
temente estávelà oscilação.
Critério de Nyquist
Para se julgar a estabilidade de um amplificador com realimen-
tação, como função da freqüência, o produto {3A e o desloca-
mento de fase entre a entrada e saída são fatores determinan-
tes. Uma das técnicas mais populares utilizadas para se anali-
sar a estabilidade é o método de Nyquist. O diagrama de Nyquist
é utilizado para se traçar o ganho e a fase como função da fre-
qüência em um plano complexo. O diagrama de Nyquist, na
verdade, combina os dois diagramas de Bode, de ganho e des-
locamento de fase versus freqüência, em um único. O diagra-
ma de N yquist é usado para se mostrar de forma clara se um
amplificador é estável para todas as freqüências e o quanto o
amplificador é estável em relação a algum critério ganho ou de
deslocamento de fase.
De início, considere o plano complexo mostrado na Fig.
18.14. Alguns pontos de vários valores de ganho (/3A) são
Eixo imaginário
{3A = 1 em 1/) = 180° " "
Eixo real
= 3 em 1/) = -135°
Fig. 18.14 Plano complexo mostrando pontos típicos de ganho-fase.
Realimentação e Circuitos Osciladores 537
f =0
fcrCKCntc
Fig. 18.15 Diagrama de Nyquist.
plotados em diferentes ângulos de deslocamento de fase. Con-
siderando o eixo real positivo como referência (Oº), uma am-
plitude de {3A = 2 é mostrada em um ângulo de fase de Oº no
ponto 1. O ponto 2 representa {3A = 3 com um deslocamento
de fase de -135º, e no ponto 3 uma amplitude/fase de {3A = 1
em 180º. Estes pontos no diagrama podem representar ampli-
tude e deslocamento de fase de {3A. Se os pontos representan-
do ganho e fase para um circuito amplificador forem plotados
para freqüências crescentes, obtém-se um diagrama de Nyquist
como mostra a Fig. 18.15. Na origem, o ganho e freqüência são
nulos (para acoplamento tipo RC). Nos pontos de freqüências
crescentesf1,J; eiJ, a fase e a amplitude de {3A crescem. Parti-
cularmente, na freqüênciafi. o valor de A é o comprimento do
vetor da origem até o ponto f 4 , e o deslocamento de fase é o
ângulo <f>. Na freqüênciafs o deslocamento de fase é 180º. Nas
freqüências mais altas, o ganho decresce até O.
O critério de Nyquist para estabilidade pode ser enunciado da
seguinte forma: O amplificador é instável se a curva de Nyquist
traçada envolve (circunda) o ponto -1, e estável, caso contrário.
Um exemplo do critério de Nyquist é demonstrado pelas cur-
vas da Fig. 18.16. O diagrama de Nyquist na Fig. 18.16a é es-
tável, já que não envolve o ponto -1, ao passo que o diagrama
mostrado na Fig. 18.16b é instável, pois circunda o ponto -1.
Lembre que envolver o ponto -1 significa que, para um deslo-
camento de fase de 180º, o ganho de malha (/3A) é maior do que
1; portanto, o sinal de realimentação está em fase com a entra-
da, e é grande o suficiente para resultar em um sinal de entrada
maior do que o aplicado - gerando a oscilação.
/crescente /crescente
(a) (b)
Fig. 18.16 Diagrama de Nyquist mostrando as condições de estabilidade; (a)
estável; (b) instável.
 538 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
Ganho
fjA
(dB)
Freqüência f.
Margem de ganho
-90º
Freqüência f
-270° Margem de fase
Fig.18.17 Diagrama de Bode mostrando as margens de ganho e fase.
Margens de Ganho e Fase
Do critério de Nyquist, sabemos que um amplificador com reali-
mentação é estável se o ganho de malha (IM) é menor do que a
unidade (O dB), quando seu ângulo de fase é 180º. Além disso,
podemos determinar algumas margens de estabilidade para indicar
o quanto o amplificador está próximo de sua condição instável. Ou
seja, se um amplificador possui o ganho (IM) menor do que 1, mas,
digamos, igual a 0,95, ele não seria tão estável quanto outro ampli-
ficador que tenha, p. ex. (IM) = 0,7 (ambos em 180"). Obviamen-
te, amplificadores com ganhos de malha de 0,95 e O, 7 são estáveis,
mas se o ganho de malha aumentar, um está mais próximo da ins-
tabilidade do que o outro. Podemos definir nos seguintes termos:
Margem de ganho (MG) é definida como sendo o valor negati-
vo de l,BAI, em decibéis, na freqüência em que o ângulo de fase é
180". Portanto, o dB, que corresponde a IM = 1, está no limiar de
estabilidade, e qualquer valor negativo em decibel representa um
amplificador estável. A MG pode ser obtida em decibéis da curva
daFig. 18.17.
Margem de fase (MF) é definida pela diferença entre 180º e o
ângulo no qual o valor de IIMI é igual a 1 (O dB). A MF também
pode ser diretamente obtida da curva da Fig. 18.17.
Fig. 18.18 Circuito de realimentação empregado como oscilador.
18.5 OSCILADORES
A realimentação positiva resulta em um amplificador com reali-
mentação apresentando um ganho de malha fechada IA11maior
do que 1, e satisfaz as condições de fase para que o circuito atue
como um oscilador. O circuito oscilador fornece, então, um si-
nal de saída variante no tempo. Se o sinal variar de forma senoidal,
o circuito é chamado de oscilador senoidal. Se a tensão de saída
se eleva abruptamente para um nível de tensão, e posteriormente
cai para outro nível de tensão, em geral o circuito é denominado
oscilador de onda quadrada ou de pulso.
Para entendermos como um circuito realimentado produz um
oscilador, considere o circuito da Fig. 18.18. Quando a chave na
entrada do amplificador está aberta, não há oscilação. Considere
agora que temos uma tensão fictícia na entrada do amplificador
(V;). A tensão de saída depois do estágio amplificador será V0 =
A V; e depois do estágio de realimentação Vr = /3(A V;). Portanto,
temos uma tensão de realimentação Vr = BA V;, onde IM é cha-
mado de ganho de malha. Se os circuitos do amplificador básico
e circuitos de realimentação fornecem IM com amplitude e fase
corretas, Vr pode ser feito igual a V;, Então, quando a chave é fe-
chada e a tensão fictícia V; é removida, o circuito continuará
operando, uma vez que a tensão de realimentação é suficiente para
ativar o amplificador e os circuitos de realimentação, resultando
em uma tensão de entrada apropriada para manter a operação de
malha. A forma de onda na saída permanecerá após o fechamen-
to da chave se a condição
IM= 1 (18.32)
for atendida. Este é o critério de Barkhausen para oscilação.
Na realidade, não é necessário um sinal de entrada para dar
início à oscilação. Uma vez satisfeita a condição /3A = 1, a osci-
lação se auto-sustenta. Na prática, IM é feito maior do que 1, e o
sistema começa a oscilar pela amplificação da tensão de ruído,
que está sempre presente. Fatores de saturação em um circuito
resultam em um valor "médio" de IM igual a 1. As formas de
onda resultantes nunca são exatamente senoidais. Entretanto,
quanto mais próximo ,BA estiver de 1, mais a forma de onda se
aproxima de uma senóide. A Fig. 18.19 mostra como o ruído
consegue proporcionar a condição de oscilação de estado perma-
nente.
Outra maneira de se compreender como o circuito com reali-
mentação atua como oscilador é observar o denominador na equa-
ção básica de realimentação (18.2), A1 = A/(1 + IM). Quando
,BA = -1, ou amplitude 1 e fase de 180º, o denominador se anu-
la e o ganho com realimentação, A.r, toma-se infinito. Portanto,
um sinal infinitesimal (ruído) pode produzir uma tensão de saí-
da mensurável, e o circuito age como um oscilador, apesar de não
existir sinal de entrada.
 Realimentação e Circuitos Osciladores 539

Envoltória em estado estacionário

/ limitada pela saturação do circuito
_ __,..e---..:..--

Oscilações não-senoidais porque {3A '\

não é exatamente igual a 1 Forma de onda não-senoidal
devido à saturação

Fig. 18.19 Estabelecimento da oscilação de estado permanente.

O assunto restante neste capítulo enfoca vários circuitos os- qüência, em que o deslocamento de fase é exatamente 180º. Uti-
ciladores utilizando uma grande variedade de componentes. Consi- lizando a análise clássica de circuitos, determinamos que

derações práticas são incluídas e os vários exemplos são discutidos.
18.6 OSCILADOR DE
DESLOCAMENTO DE FASE
O oscilador de deslocamento de fase é um exemplo de oscilador
que exibe as carcterísticas básicas de um circuito com realimen-
tação. A Fig. 18.20 apresenta uma versão idealizada deste cir-
cuito. Lembre-se de que os requisitos para a oscilação são o ga-
nho de malha, {3A, maior do que a unidade, e que o desvio de fase
no circuito de realimentação seja 180º (para que ocorra uma re-
alimentação positiva). Neste modelo estamos considerando que
o circuito de realimentação está sendo alimentado por uma fonte
perfeita (impedância de saída nula) e que sua saída é aplicada a
uma carga ideal (impedância infinita). Este modelo, idealizado,
permitirá o desenvolvimento da teoria que explica a operação do
oscilador de deslocamento de fase. Posteriormente, versões do
circuito empregadas na prática serão consideradas.
Concentrando nossa atenção no circuito de desvio de fase,
estamos interessados no valor de atenuação, em uma dada fre-
l_f=wEY6J
(18.33)
1
(18.34)
/3 = 29
e o deslocamento de fase é 180º.
Para que o ganho de malha {3A seja maior do que 1, o ganho
do estágio amplificador deve ser maior do que 1/(3, ou 29
A > 29 (18.35)
Quando se considera a operação do circuito de realimentação,
alguém pode ingenuamente escolher valores para R e C que pro-
duzam (em uma freqüência específica) um deslocamento de fase
por seção de 600, para as três seções, resultando no final um des-
locamento de fase de 180º, como desejado. Este, entretanto, não
é o caso, uma vez que cada seção RC no circuito de realimenta-
ção carrega a anterior. O que realmente interessa é que o deslo-
camento de fase total do circuito seja de 180º. Se medíssemos o
desvio de fase por seção, constataríamos que eles não são iguais,
mesmo para um circuito com desvio de 180º. Se se desejasse obter
um deslocamento de fase por seção de 60°, para cada um dos três
estágios, seriam necessários estágios de seguidor-de-emissor para
isolar duas seções RC adjacentes.

Oscilador a FET de Deslocamento de Fase

e e
R R R
Circuito de realimentação
Fig. 18.20 Oscilador de deslocamento de fase idealizado.
A Fig. 18.21a mostra uma versão do circuito oscilador de deslo-
camento de fase empregada na prática. O circuito mostra clara-
mente a malha de realimentação e o amplificador. O estágio
e amplificador é autopolarizado com um capacitor de desvio so-
bre o resistor de fonte R, e um resistor de polarização do dreno
R0 • Os parâmetros de interesse do FET são 8m e rd. Da teoria so-
bre o FET, o valor do ganho do amplificador é dado por
IAI = 8mRL (18.36)
onde RL neste caso é o equivalente do paralelo entre R0 e rd
Rvrd
RL = --=-.e;._ (18.37)
Rv + rd
540 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

(a)
(b)

Fig. 18.21 Circuitos osciladores de deslocamento de fase: (a) empregando FET; (b) empregando TBJ.

Uma boa aproximação seria assumir que a impedância de entra-

da do amplificador FET é infinita. Esta suposição é válida se a
IAI = 8mRL
freqüência de operação do oscilador for baixa o suficiente para
RL =~= 40 = 8 kO
que as impedâncias capacitivas do FET possam ser desprezadas. 8m 5000 X 10-6
A impedância de saída do estágio amplificador, dada por Ri, deve
também ser pequena quando comparada à impedância vista do
Da Eq. (18.37), achamos Rv = 10 kO.
amplificador para o circuito de realimentação, de modo que não
haja atenuação em virtude do carregamento. Na prática, estas
considerações nem sempre podem ser admitidas, e o ganho do Oscilador de Deslocamento de
amplificador é projetado ligeiramente maior do que o necessário
para assegurar a operação do oscilador.
Fase a Transistor
Se um transistor for utilizado como o elemento ativo do estágio am-
plificador, a saída do circuito de realimentação é carregada conside-
EXEMPLO 18.7 ravelmente pela baixa impedância de entrada (hie) do transistor. Ob-
Deseja-se projetar um oscilador de deslocamento de fase (como viamente, poderia ser usado um estágio de entrada seguidor-de-emis-
naFig.18.21a)comFETdegm = 5000 µ,S,Rd = 40k0ecircuito sor acompanhado por um estágio amplificador emissor-comum.
de realimentação com R = 1OkO. Calcule o valor do capacitor e Entretanto, se se deseja um único estágio com transistor, seria mais
de Rv para que haja oscilação em 1 kHz quando A> 29. adequado utilizarmos uma realimentação de tensão em paralelo (como
mostra a Fig. 18.21b). Nesta conexão, o sinal realimentado é acoplado
através do resistor de realimentação R' em série com a impedância
Solução de entrada (R;) do estágio amplificador.
A análise ac do circuito fornece a seguinte equação para o
A Eq. ( 18.33) é utilizada para se determinar o valor do capacitor. cálculo da freqüência do oscilador resultante:
Como f = l/27rRC ,/6, tem-se que:
1 1 " l l
(18.38)
C = 2'TrRjV6 = (6,28)(10 X 103)(1 X 103)(2,45) f = 21rRC V6 + 4(RclR)
= 6,5 nF Para que o ganho de malha seja maior do que 1, o ganho de cor-
rente do transistor deve atender à seguinte condição
Utilizando a Eq. (18.36), escolhemos RL para um ganho de,
digamos, A = 40 (esta margem prevê uma atenuação que possa R Rc
existir entre RL e a impedância do circuito de realimentação).
hfe > 23 + 29- + 4 - (18.39)
Rc R
 Realimentação e Circuitos Osciladores 541

Fig. 18.22 Oscilador de deslocamento de fase utilizando amp-op.

Oscilador de Deslocamento de Fase resistores R 1, R2 e os capacitores C 1, C2 formam os elementos de

ajuste da freqüência, enquanto que os resistores R 3 e R4 formam
Utilizando CI parte do caminho de realimentação. A saída do amp-op é
conectada à entrada da ponte, nos pontos a e e. À saída da ponte,
Quando os Cls tornaram-se mais populares, eles começaram a pontos b e d, é a entrada para o amp-op.
ser adaptados para operar em circuitos osciladores. Devemos Desprezando os efeitos de carregamento entre a impedância
dispor de apenas um amp-op para obtermos um circuito amplifi- de entrada do amp-op e impedância de saída da ponte, tem-se a
cador com ganho estabilizado, e, além disso, promover algum seguinte equação para a ponte:
meio de realimentar o sinal para produzirmos um circuito
oscilador. Por exemplo, um oscilador de deslocamento de fase é R3
mostrado na Fig. 18.22. A saída do amp-op alimenta um circuito - = R1
- +C2
- (18.40)
R4 R2 C1
RC de três estágios, que realiza o deslocamento de 180° necessá-
rio na fase do sinal (com um fator de atenuação de 1/29). Se o
amp-op produz um ganho (dado pelos resistores R; e R1) maior e (18.41)
do que 29, o ganho de malha resultante é maior do que 1, e o
circuito atua como um oscilador [a freqüência do oscilador é dada
pela Eq. (18.33)]. Se, em particular, os valores são R 1 = R2 = R e C 1 = C2 = C, a
freqüência do oscilador é

18.7 OSCILADOR COM PONTE (18.42)

DEWIEN
Há um tipo de configuração que utiliza um circuito RC em pon-
te, com a freqüência do oscilador determinada pelos componen-
tes R e C. A Fig. 18.23 mostra uma versão básica de circuito
oscilador com ponte de Wien. Observe a conexão em ponte. Os
e (18.43)
Portanto, uma razão entre R3 e R4 maior do que 2 proporcionará
um ganho de malha suficiente para que o circuito oscile na fre-
qüência calculada pela Eq. (18.42).

b
Saída
com sinal
senoidal

Fig. 18.23 Circuito oscilador com ponte de Wien utilizando amp-op.

542 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

cuito são sintonizadas. Dependendo dos elementos de reatância

EXEMPLO 18.8 designados para o diagrama da Fig. 18.25, obtemos diferentes
Calcule a freqüência de ressonância do oscilador com ponte de tipos de osciladores:
Wien da Fig. 18.24.

---+--Saída

R2 51k0 C2 O,OOlµF

300k0
R4 IOOkO

Fig. 18.24 Circuito oscilador com ponte de Wien para o Exemplo 18.8.
Fig. 18.25 Configuração básica do circuito oscilador ressonante.

Solução

Utilizando a Eq. (18.42), vem Osciladores Colpitts

1 1
J. = - - = =31207Hz OSCILADOR COLPITTS A FET
0
27TRC 271'(51 X 103)(0,001 X 10- 6) '
O oscilador Colpitts a FET utilizado na prática é mostrado na Fig.
18.26. O circuito tem basicamente a mesma forma mostrada na Fig.
18.25, com a inclusão dos componentes necessários para a polariza-
EXEMPLO 18.9 ção de do amplificador FET. A freqüência do oscilador é dada por
Determine os elementos RC de um oscilador com ponte de Wien
para a operação em/0 = 10 kHz.

Solução
J.
0
=--~ 1
27TYLCeq
(18.44)

Utilizando valores iguais de R e C, podemos selecionar R = 100 onde (18.45)

kO e calcular o valor de C, baseado na Eq. (18.42):

1 1 10-9
C = 27Tf0 R = 6,28(10 X 103)(100 X 103) 6,28
= 159 pF
Podemos utilizar R3 = 300 kO e R4 = 100 kO para que a razão
R/R4 seja maior do que 2 e o circuito possa oscilar.

18.8 CIRCUITO OSCILADOR

SINTONIZADO

Circuitos Osciladores com Entrada

Sintonizada, Saída Sintonizada
L
Vários circuitos podem ser montados a partir do esquema
mostrado na Fig. 18.25, onde tanto a entrada como a saída do cir- Fig. 18.26 Oscilador Colpitts a FET.
 Realimentação e Circuitos Osciladores 543

Elemento de Reatil.ncia Rr = IOOkQ

Tipo de Oscilador +Vcc

Oscilador Colpitts e e L
Oscilador Hartley L L e
Entrada sintonizada, saída sintonizada LC LC - - - + - - - Saída

OSCILADOR COLPITTS A TBJ

O oscilador Colpitts a TBJ pode ser implementado como

mostra a Fig. 18.27. A freqüência do circuito é determinada pela
Eq. (18.44).
Vcc
L

Fig. 18.28 Oscilador Colpitts com amp-op.

CRF

tenha a mesma forma apresentada pelo circuito ressonante bási-

co (Fig. 18.25). Observe, entretanto, que os indutores L 1 e Li têm
um acoplamento mútuo, M, que deve ser levado em conta na
determinação da indutância equivalente do circuito tanque
("tank") ressonante. A freqüência de oscilação do circuito é en-
tão dada aproximadamente por

f, = l (18.46)
o 21T~

com (18.47)

OSCILADOR HARTLEY A TBJ

A Fig. 18.30 mostra um circuito oscilador Hartley a TBJ. O

circuito opera na freqüência determinada pela Eq. (18.46).
Fig. 18.27 Oscilador Colpitts a TBJ.
+Voo

OSCILADOR COLPITTS COM CI

A Fig. 18.28 mostra um circuito oscilador Colpitts empregan-

do um amp-op como elemento ativo. Novamente, o amp-op for-
nece a amplificação necessária, e a freqüência do oscilador é de-
terminada pelo circuito de realimentação LC, de uma configura-
ção Colpitts. A freqüência do oscilador é dada pela Eq. (18.44).

Oscilador Hartley
Se os elementos do circuito ressonante da Fig. 18.25 são X 1 e
X2 (indutores), e X 3 (capacitar), o circuito é um oscilador
Hartley.

OSCILADOR HARTLEY A FET

e
A Fig. 18.29 mostra um circuito oscilador Hartley a FET. O
circuito é desenhado de modo que o circuito de realimentação Fig. 18.29 Oscilador Hartley a FET.
544 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Vcc
Características de um Cristal Quartzo
O cristal quartzo (um dos vários tipos de cristal existentes) exibe
a propriedade de desenvolver uma diferença de potencial atra-
CRF vés de suas faces opostas, quando submetido a esforços mecâni-
cos. Esta propriedade do cristal é chamada de efeito piezoelétrico.
arcuito tanque Similarmente, uma tensão aplicada através de um conjunto de
faces do cristal produz distorção mecânica na forma do mesmo.
Quando uma tensão alternada é aplicada a um cristal, surgem
vibrações mecânicas em sua estrutura, com uma freqüência resso-
e- nante natural dependente do cristal. Embora este apresente uma

.._~--+~~~--'
Er,
Fig. 18.30 Circuito oscilador Hartley a TBJ.
18.9 OSCILADOR A CRISTAL
Um oscilador a cristal é basicamente um oscilador sintonizado
utilizando um cristal piezoelétrico como circuito tanque resso-
nante. O cristal (normalmente quartzo) apresenta uma estabili-
dade maior e mantém constante a freqüência do circuito oscilador.
Esta freqüência depende do modo como o cristal foi cortado.
Osciladores a cristal são utilizados sempre que é necessária uma
grande estabilidade de freqüência, como, por exemplo, em trans-
missores e receptores de comunicações.
T
ressonância eletromecânica, podemos representá-lo por um circui-
to elétrico equivalente, ressonante, como mostra a Fig. 18.31. O
indutor L e o capacitar C são os equivalentes elétricos da massa e
ductilidade do cristal, enquanto que a resistência R é o equivalente
elétrico que representa o atrito interno da estrutura do cristal. O
capacitar em paralelo CM corresponde à capacitância que surge em
virtude do seu encapsulamento. Como as perdas no cristal, repre-
sentadas por R, são pequenas, o fator de qualidade Q é alto - tipi-
camente 20.000. Com cristais, podem-se obter valores de Q até 106 •
O cristal, representado pelo circuito elétrico equivalente da Fig.
18.31, pode apresentar duas freqüências de ressonância. Uma condi-
ção para a ressonância ocorre quando as reatâncias do ramo RLC são
iguais (e opostas). Para esta condição, a impedância ressonante-sé-
rie é muito baixa (igual a R). A outra condição ocorre em uma fre-
qüência mais alta, quando a reatância do ramo RLC é igual à do
capacitar CM. Esta é a ressonância em paralelo ou condição anti-res-
sonante do cristal. Nesta freqüência, o cristal oferece uma impedância
muito alta para o circuito externo. A relação entre impedância e fre-
qüência do cristal é apresentada na Fig. 18.32. Para se usar o cristal
adequadamente, ele deve ser conectado de forma que seja aproveita-
da sua baixa impedância no modo de operação ressonante-série, ou
sua alta impedância no modo de operação anti-ressonante.
Circuitos Ressonante-série
Para excitar um cristal no modo ressonante-série, ele pode ser
conectado como elemento em série de um circuito de realimen-
tação. Na freqüência ressonante-série do cristal, sua impedância

lzl

-~
l
T
L

o h h
(ressonância-série) (anti-ressonância)

Fig. 18.31 Circuito elétrico equivalente de um cristal. Fig. 18.32 Impedância do cristal versus freqüência.
 Realimentação e Circuitos Osciladores 545

Saída

Saída

(a) (b)

Fig. 18.33 Circuito oscilador controlado a cristal com o cristal no circuito de realimentação: (a) circuito com TBJ; (b) circuito com FET.

é a menor possível, contribuindo para que haja uma realimenta- Oscilador a Cristal
ção (positiva) efetiva do sinal. A Fig. 18.33 mostra um circuito
típico a transistor. Os resistores, R1, R2 e RE formam um circuito Um amp-op pode ser utilizado em um oscilador a cristal como
de polarização de estabilizada por divisor de tensão. O capacitor mostra a Fig. 18.36. O cristal é conectado no modo série-resso-
CE faz um desvio ac do resistor de emissor, e a bobina de CRF nante e opera na freqüência correspondente a este modo. O cir-
deixa passar a polarização e desacopla qualquer sinal ac da ali- cuito abaixo proporciona um alto ganho, tal que o sinal resultan-
mentação. A realimentação de tensão do coletor para a base é te na saída é uma onda quadrada, como mostrado na figura.
máxima quando a impedância do cristal é mínima (no modo res- Conecta-se um par de diodos Zener na saída, para que a amplitu-
sonante-série). O capacitor de acoplamento Cc apresenta uma de do sinal seja exatamente a tensão do Zener CVz).
impedância desprezível na freqüência de operação do circuito,
mas bloqueia qualquer tensão de entre o coletor e a base.
A freqüência resultante do circuito é determinada, portanto, 18.10 OSCILADOR COM TRANSISTOR
pela freqüência série-ressonante do cristal. Variações na fonte UNIJUNÇÃO
de tensão, parâmetros do transistor, e assim por diante, não in-
fluem na freqüência de operação do circuito, que é mantida es- Um dispositivo em particular, o transistor unijunção, pode ser
tável pelo cristal. A estabilidade na freqüência do circuito é empregado em um oscilador de único estágio com saída pulsada,
determinada pela estabilidade na freqüência do cristal, que é boa.
Vcc
Circuitos Paralelo-Ressonantes
Como no modo paralelo-ressonante a impedância do cristal é
máxima, a conexão deste é realizada em paralelo. Na freqüência
de operação correspondente à ressonância em paralelo (ou anti-
R1
ressonante), o cristal apresenta a máxima reatância indutiva pos- Saída
sível. A Fig. 18.34 mostra um cristal conectado em um circuito
modificado de Colpitts, substituindo o elemento indutor. O cir-
cuito de polarização de é evidente. A tensão máxima sobre o cris- C1
tal ocorre em sua freqüência paralelo-ressonante. A tensão é

r· r, I
acoplada ao emissor por meio de um divisor de tensão por • XTAL
capacitor - capacitores C1 e C2 • Rz
O oscilador de Miller controlado a cristal aparece na Fig.
18.35. O circuito sintonizado LC conectado ao dreno é ajustado
próximo à freqüência paralelo-ressonante do cristal. A tensão
máxima entre porta e fonte ocorre na freqüência anti-ressonante
do cristal, controlando, com isto, a freqüência de operação do Fig. 18.34 Oscilador controlado a cristal operando no modo paralelo-resso-
circuito. nante.
546 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

e
Saída Rr
Vs2

VE
E

Rc
Vsi
• XTAL Cr
CRF Cs

Fig. 18.35 Oscilador de Miller controlado a cristal.

Fig. 18.37 Circuito oscilador com transistor unijunção.

muito utilizado em aplicações digitais. O transistor unijunção pode
ser usado no circuito conhecido como oscilador de relaxação,
mostrado na Fig. 18.37. Oresistor Rre o capacitor Crsão os com-
ponentes que determinam o período da oscilação. A freqüência de
operação pode ser obtida baseando-se na Eq. (18.48), que inclui o
parâmetro do dispositivo razão de compensação intrínseca T/, como
fator determinante (além dos valores de Rr e Cr) para o cálculo.
1
fo = --------
RrCr ln[l/(1 - 17)]
Um transistor unijunção típico apresenta uma razão de compen-
sação que varia de 0,4 até 0,6. Adotando-se ri= 0,5, temos
1 1
Ío =RrCr ln[l/(1 - 0,5)]
1,5
O capacitor Cr é carregado através do resistor Rr pela fonte V88 •
No período em que a tensão do capacitor é menor do que a ten-
são de compensação (Vp), determinada pela tensão entre B 1 e
B 2 e pela razão de compensação do transistor ( r,)
(18.50)
o emissor do transistor apresenta uma impedância de entrada
altíssima, comportando-se como um circuito aberto. Quando a
(18.48) tensão no emissor, através do capacitor, supera este valor (Vp), o
circuito unijunção dispara, descarregando o capacitor, e depois
disto outro ciclo de carregamento se inicia. Quando o transistor
dispara, a tensão sobre R 1 se eleva e a tensão através de R2 é re-
duzida, conforme a Fig. 18.38. O sinal no emissor é a forma de
onda dente de serra, que na base 1 é um pulso positivo, e na base
1,44
2 um pulso negativo. Algumas variações deste tipo de oscilador
RrCr são apresentadas na Fig. 18.39.
(18.49)

IOOkQ

Vzn j
-U-ºv
Vz

--•-1--~ XTAL 0,1 µF

IOOkQ

Fig. 18.36 Oscilador a cristal utilizando amp-op.

 Realimentação e Circuitos Osciladores 547

Tempo

OV'---r-+----+---+------l---i------
VB2
Tempo

O V '---'---'------'-----'--------'---'----
Tempo

Fig. 18.38 Formas de onda encontradas no oscilador com transistor unijunção.

V
_/\_
Cr Cr

VBB

"="
(a) (b)
Rr

Vou,v
Cr

(c)

Fig. 18.39 Algumas configurações de osciladores com transistor unijunção.

 548 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
PROBLEMAS
§ 18.2 Tipos de Conexão de Realimentação
1. Calcule o ganho de um amplificador com realimentação negativa
apresentando A = - 2000, f3 = -1/10.
2. Se o ganho de um amplificador varia 10% do seu valor nominal,
-1000, calcule a variação do ganho, supondo que se utilize um
circuito de realimentação com f3 = -1/20.
3. Calcule o ganho, impedâncias de entrada e saída de um amplifica-
dor com realimentação de tensão em série, com A = - 300, R; =
1,5 kD., R0 = 50 kD., e /3 = -1/15.
§ 18.3 Circuitos com Realimentação na Prática
*4. Calcule o ganho para um amplificador FET (como o da Fig. 18. 7)
com e sem realimentação, considerando os seguintes elementos no
circuito: R1 = 800 kD., R2 = 200 D., Ro = 40 kD., RD = 8 kD., e 8m
= 5000 µ,S.
5. Para um circuito como o da Fig. 18.11, calcule o ganho e as
impedâncias de entrada e saída, com e sem realimentação, consi-
derando os seguintes elementos no circuito: R8 = 600 kD., RE =
1,2 kD., Rc = 4,7 kD., e f3 = 75. Use Vcc = 16 V.
§ 18.6 Oscilador de Deslocamento de Fase
6. Um oscilador de deslocamento de fase a FET, apresentando 8m =
6000 µS, rd = 36 kD., e resistor de realimentação R = 12 kD., deve
ser projetado para operar em 2,5 kHz. Determine C para que o cir-
cuito oscile na freqüência especificada.
7. Calcule a freqüência de operação de um oscilador de deslocamen-
to de fase, a TBJ, igual ao da Fig. 18.21b, para R = 6 kD., C =
1500 pF, e Rc = 18 kD..
* Observação: Os asteriscos indicam problemas mais difíceis.
§ 18.7 Oscilador com Ponte
deWien
8. Calcule a freqüência do circuito oscilador com ponte de Wien
(como na Fig. 18.23), quando R = 10 kD. e C = 2400 pF.
§ 18.8 Circuito Oscilador Sintonizado
9. Determine a freqüência de oscilação de um oscilador Colpitts a
FET, como o da Fig. 18.26, com os seguintes elementos: C 1 = 750
pF, C2 = 2500 pF, L = 40 µH.
10. Calcule a freqüência de oscilação para o oscilador Colpitts a TBJ
da Fig. 18.27, com os seguintes elementos: L = 100 µH, LcRF =
0,5 mH, C 1 = 0,005 µF, C2 = 0,01 µF, Cc = 10 µF.
11. Calcule a freqüência de oscilação do oscilador Hartley a FET da
Fig. 18.29, para os seguintes elementos: C = 250pF, L 1 = 1,5 mH,
Li= 1,5 mH, M = 0,5 mH.
12. Calcule a freqüência de oscilação para circuito Hartley a TBJ da
Fig. 18.30, com os seguintes elementos: LcRF = 0,5 mH, L 1 = 750
µH, Li = 750 µH, M = 150 µH, C = 150 pF.
§ 18.9 Oscilador a Cristal
13. Desenhe as conexões dos circuitos (a) oscilador a cristal operado
em série e (b) oscilador a cristal excitado em paralelo.
§ 18.10 Oscilador com Transistor
Unijunção
14. Projete um circuito oscilador com transistor unijunção para opera-
ção em (a) 1 kHz e (b) 150 kHz.

Fontes de Tensão
(Reguladores de
Tensão)
19.1 INTRODUÇÃO
Este capítulo faz uma introdução à operação de circuitos fontes
de tensão, que são compostos, principalmente, por filtros, retifi-
cadores e reguladores de tensão. (Consulte o Cap. 2 como refe-
rência para a descrição inicial dos circuitos retificadores com
diodo.) Iniciando com uma tensão ac, obtém-se uma tensão de
estacionária por meio da retificação deste sinal de entrada. De-
pois é realizada a filtragem para um nível de, e, finalmente, o sinal
é regulado para se obter na saída o nível desejado de tensão de.
Em geral, a regulação é feita por um CI regulador de tensão, que
recebe uma tensão de e fornece um nível ligeiramente menor, o
qual permanece constante, mesmo que a tensão de entrada varie,
ou a carga conectada mude de valor.
Na Fig. 19.1 há um diagrama de blocos mostrando os está-
gios de uma fonte de tensão típica, e a forma de onda nos vári-
os pontos do circuito. A tensão ac, normalmente 120 V rms, ali-
menta um transformador, cuja função é reduzi-la para o nível
de tensão de desejado. Diodos retificadores fornecem, então,
uma tensão retificada de onda completa, que é inicialmente fil-
trada por um capacitor simples para produzir uma tensão de.
Esta tensão de resultante ainda possui algum ripple ou varia-
ção ac. O circuito regulador pode aproveitar esta entrada de para
produzir uma tensão de que não só possui menos ripple, como
ainda mantém constante o nível na saída, mesmo para variações
na entrada ou na carga conectada. Esta regulação é, via de re-
gra, obtida utilizando-se um dos vários Cls reguladores exis-
tentes.
Fig. 19.1 Diagrama de blocos apresentando os estágios de uma fonte de tensão.
CAPÍTULO
19
19.2 CONSIDERAÇÕES GERAIS
SOBRE FILTROS
O circuito retificador converte um sinal com valor médio nulo
em um sinal com valor médio diferente de zero. A saída resul-
tante de um retificador é uma tensão de pulsante, que ainda não
seria adequada para alimentar uma carga. Esta tensão poderia ser
utilizada, por exemplo, em um carregador de baterias, onde a
tensão de média é suficientemente grande para proporcionar uma
corrente de carga para a bateria. Entretanto, como tensão de para
ser utilizada em rádios, aparelhos de som, computadores e assim
por diante, não seria de maneira alguma a indicada. É necessário
um filtro para que a tensão de de saída da fonte seja mais está-
vel.
Regulação de Tensão do Filtro e
Tensão de Ripple
Antes de entrarmos em detalhes sobre o circuito de filtragem,
seria mais apropriado considerar os métodos usuais de análise
de filtros, de forma que possamos comparar a eficiência de um
circuito atuando como filtro. A Fig. 19.2 mostra uma tensão de
saída típica de um filtro, e servirá como exemplo para definir-
mos alguns dos fatores considerados no sinal. A saída filtrada da
Fig. 19.2 apresenta um nível de e alguma variação ac (ripple).
Embora uma bateria forneça saída de essencialmente constante,
a tensão de derivada de uma fonte de sinal ac pela retificação e
550 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

1)

EXEMPLO 19.2
Uma fonte de tensão de fornece 60 V quando não há carga co-
nectada na saída. Quando conectada uma carga, a saída cai para
56 V. Calcule o valor da regulação de tensão.

Solução

Eq. (19.2): % V.R. = VNL - VFL X 100%

VFL
o
= 60 V - 56 V x 100% = 7 1%
Fig. 19.2 Forma de onda de saída do filtro, mostrando o nível de e a tensão de 56 V '
ripple.
Se o valor da tensão para carga total é o mesmo para a situa-
ção em que não há carga, a regulação de tensão calculada é 0%,
que é o melhor caso. Isto significa que a fonte é uma fonte de
filtragem conterá alguma variação ac (ripple). Quanto menor for
tensão perfeita, na qual a tensão de saída é independente da cor-
a variação ac comparada ao nível de, melhor é a operação de
rente drenada da fonte. Quanto menor a regulação de tensão,
filtragem.
melhor é a fonte.
Considere a medida da tensão de saída de um filtro realizada
por um voltímetro de e por um voltímetro ac (rms ). O voltímetro
FATOR DE RIPPLE DO SINAL RETIFICADO
de lerá apenas o nível médio ou de da tensão de saída. O medi-
dor ac (rms) só lerá o valor rms da componente ac da tensão de
Embora a tensão retificada não seja uma tensão filtrada, ela
saída (assumindo que o sinal ac é acoplado através de um
contém uma componente de e ripple. Veremos adiante que o si-
capacitor, que bloqueia o nível de).
nal retificado de onda-completa possui uma componente de maior
Definição: Ripple
e menos ripple do que a tensão retificada de meia-onda.
Para um sinal retificado de meia-onda, a tensão de de saída é
(19.1) Vdc = 0,318Vm (19.3)
O valor rms da componente ac pode ser calculado (veja Apêndi-
ce B) e resulta

EXEMPLO 19.1 Vr(rms) = 0,385Vm (19.4)

Utilizando um voltímetro de e ac para medir o sinal de saída de O ripple percentual de um sinal retificado de meia-onda pode,
um filtro, obtemos as leituras de 25 V de e 1,5 V rms. Calcule o então, ser calculado:
ripple da tensão de saída do filtro.
Vr(rms) 0,385Vm
r = X 100% = X 100% = 121% (19 5)
Solução Vdc 0,318Vm ·
Para uma tensão retificada de onda-completa, o valor de é
r = Vr(rms) X 100% = 1,5 V X 100% = 6% (19.6)
Vdc 25 V
O valor rms da componente ac do sinal de saída pode ser calcu-
lado (veja Apêndice B) e resulta
REGULAÇÃO DE TENSÃO Vr(rms) = 0,308Vm (19.7)
O ripple percentual de um sinal retificado de onda-completa pode
Outro fator importante em uma fonte de tensão é o quanto a então ser obtido:
tensão de de saída varia, ao longo de uma faixa de operação do
circuito. A tensão fornecida na saída, nas condições em que não V,(rms) lOO% 0,308Vm OO%
há carga (nenhuma corrente drenada da fonte), é reduzida quan- r = X = X 1 = 48 or.-10 (19 8)
Vdc 0,636Vm ·
do há corrente de carga drenada da fonte. O quanto a tensão de
varia entre as condições de carga e sem carga é descrito por um Em resumo, um sinal retificado de onda-completa possui
fator chamado regulação de tensão. menos ripple do que um sinal retificado de meia-onda e é,
Definição: Regulação de tensão portanto, mais adequado para se aplicar a um filtro.

Regulação tensão sem carga- tensão com carga plena

19.3 FILTRO A CAPACITOR
de tensão tensão com carga plena
O circuito de filtro mais popular é o que utiliza um simples
capacitor, como mostrado na Fig. 19.3. Um capacitor é conecta-
(19.2) do na saída do retificador, e uma tensão de é obtida nos termi-
nais deste. A Fig. 19.4a mostra a tensão de saída de um retifica-
 Fontes de Tensão (Reguladores de Tensão) SS1

Entrada ac

Fig. 19.3 Filtro com um único capacitor.

--ic UII
l

(a) (b)

Fig. 19.4 Operação de filtragem do capacitor: (a) retificador de tensão de onda-completa; (b) tensão de saída filtrada.

dor de onda-completa, antes do sinal ser filtrado, enquanto que a
Fig. 19.4b mostra a forma de onda resultante após o capacitor,
conectado na saída do retificador. Observe que a forma de onda
filtrada é, essencialmente, uma tensão de apresentando algum
ripple (ou variação ac).
A Fig. 19.5a mostra um retificador em ponte de onda-com-
pleta, e a forma de onda na saída, obtida do circuito para uma
carga conectada (RL). Se não houvesse carga conectada nos ter-
minais do capacitor, a forma de onda na saída seria, idealmente,
um nível de constante, igual em valor à tensão de pico (Vm) do
circuito retificador. Entretanto, normalmente a tensão de gerada
é utilizada por vários circuitos eletrônicos, que representam uma
carga para a fonte de tensão. Como sempre haverá uma carga na
saída do filtro, devemos considerar este caso prático na nossa dis-
cussão.
Instantes de Tempo da Forma de
Onda na Saída
A Fig. 19.5b mostra a forma de onda existente nos terminais de
um filtro a capacitor. O tempo T1 é o tempo durante o qual os
diodos retificadores de onda-completa conduzem, carregando o
capacitor até a tensão de pico do retificador, Vm. O tempo T2 é o
intervalo de tempo durante o qual a tensão do retificador cai abai-
xo da tensão de pico, e o capacitor descarrega através da carga.

UII e RL
T2
D2 T
2
(a) (b)

Fig. 19.5 Filtro a capacitor: (a) circuito com filtro a capacitor; (b) forma de onda na saída.
552 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

EXEMPLO 19.4
Se o valor de pico da tensão retificada no Exemplo 19.3 for igual
a 30 V, calcule a tensão de fornecida pelo filtro.

Solução
4,17Idc 4,17(50)
Eq.(19.10):Vdc=Vm- C =30- lOO 27,9V

Ripple de um Filtro a Capacitor

o T T
2 Utilizando a definição de ripple [Eq. (19.1)], Eq. (19.9), e Eq.
(19.10), com Vde = Vm, podemos obter a expressão para o ripple
Fig. 19.6 Tensão de saída aproximada do filtro a capacitar. da forma de onda na saída de um filtro a capacitor.

Como o ciclo de carga-descarga ocorre para cada meio ciclo (para

o retificador de onda-completa), o período da forma de onda re-
tificada é T/2, metade do período do sinal de entrada. A tensão (19.11)
filtrada, como mostra a Fig. 19.6, mostra uma forma de onda na onde Ide está em miliamperes, Cem microfarads, Vde em volts, e
saída com um nível de Vde e uma tensão de ripple V, (rms), resul- RL em kiloohms.
tado da carga e descarga do capacitor. Posteriormente, são con-
siderados alguns detalhes sobre estas formas de onda e elemen-
tos do circuito.
EXEMPLO 19.5
Calcule o ripple de um filtro a capacitor, para uma tensão retifi-
TENSÃO DE RIPPLE, V, (rms)
cada de 30 V. O valor do capacitor é C = 50 µF, e a corrente de
carga igual a 50 mA.
O apêndice B apresenta detalhes na determinação do valor da
tensão de ripple, em termos dos outros parâmetros do circuito. A
tensão de ripple pode ser calculada de
Solução

Eq. (19.11): r = 2 ,4Idc X 100%

Yr(rrns},:::: (19.9)
cvdc
= 2 , 4 ( 5 0) X 100% = 4 3%
100(27,9) '
onde Ide está em miliamperes, C em microfarads, e RL em
kiloohms. Poderíamos, também, calcular o ripple, utilizando a definição
básica
Yr(rms) 1,2 V
EXEMPLO 19.3 r= X 100% = X 100% = 4,3%
Vdc 27,9 V
Calcule a tensão de ripple de um retificador de onda-completa
com um capacitor de 100 µ,F, conectado a uma carga que drena
50mA.
Período de Condução do Diodo e
Solução Corrente de Pico do Diodo
Vr (rms ) = 2,4(50) = l 2V
Eq. (19.9): lOO , Da discussão anterior, deve ficar claro que quanto maior o valor
da capacitância, menor é o ripple, e maior é a tensão média na saí-
da, resultando em melhor filtragem. Daí se poderia concluir que,
para melhorar a performance de um filtro, é necessário somente
TENSÃO DC, Vdc aumentar o tamanho do capacitor. O capacitor, entretanto, também
afeta a corrente de pico drenada através dos diodos retificadores,
Do Apêndice B, podemos expressar o valor de da forma de e como será mostrado adiante, quanto maior o valor do capacitor,
onda na saída, através do filtro, como sendo igual a maior é a corrente drenada dos diodos retificadores.
Lembre-se de que os diodos conduzem durante o período T1
(ver Fig. 19.5), quando o diodo deve fornecer a corrente média
(19.10)
necessária para carregar o capacitor. Quanto menor este interva-
lo, maior é o fluxo de corrente de carregamento. A Fig. 19.7
onde Vm é a tensão de pico do retificador, Ide é a corrente em mostra esta relação para um sinal retificado de meia-onda (seria
miliamperes, e C é o valor do capacitor do filtro em microfarads. a mesma operação para a onda-completa). Observe que parava-
 Fontes de Tensão (Reguladores de Tensão) 553

'l>c

T1
14------T-----+t ----T----
(a) (b)

Fig. 19.7 Tensão de saída e formas de onda da corrente no diodo: (a) pequeno C; (b) alto C.

lores menores de capacitor, com T1 maior, a corrente de pico do 19.4 FILTRO RC

diodo é menor do que para valores mais elevados de capacitores.
Como a corrente média drenada da fonte é igual à corrente É possível reduzir ainda mais o ripple na saída de um filtro. Para
média do diodo, durante o período de carregamento, a seguinte isto, podemos acrescentar uma seção RC adicional ao filtro, como
relação pode ser empregada (assumindo corrente do diodo cons- mostrado na Fig. 19.8. Esta seção RC permite que passe quase
tante durante o tempo de carregamento):
T1
Ide= T/pico

do qual nós obtemos Salda

retificada
(19.12)

onde T, tempo de condução do diodo Filtro com Adicional Carga

T 1/flf = 2 X 60 para onda-completa) capacitar filtro RC
Ide corrente média drenada do filtro
/pico corrente de pico através dos diodos em condução Fig. 19.8 Estágio de filtro RC.

V, lrms) V,'. (rms)

j
l
v·,1c-~---1

120Vac tj \ R /
Retificador de onda completa
r '='
Filtro Carga
Fig. 19.9 Retificador de onda completa
e filtroRC.
554 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

(=:t:
Nível de tensão de Sinal ac de ripple
nos terminais do

~ - \ ~-->IR""-,.___ _.. _ _ ~
V~ ~ V,. (rms)
V',.
(rms)

(a) (b)

Fig. 19.10 Circuitos equivalentes (a) de e (b) ac do filtro RC.

toda a componente de, e atenua (reduz) consideravelmente a

componente ac. A Fig. 19 .9 mostra um retificador de onda com- EXEMPLO 19.7
pleta com um filtro composto por um capacitor e um circuito RC. Calcule as componentes de e ac do sinal de saída, através da car-
A operação do filtro pode ser analisada, utilizando-se superposi- ga RL no circuito da Fig. 19.11. Calcule o ripple na saída
ção para as componentes de e ac do sinal.
Vdc= 150 V
V'dc
V,. (rms) = 15 V \
Análise DC para a Seção RC do Filtro R
/ V',. (rms)
--------""-'"-~-...~-e,___,
A Fig. 19.lOa mostra o circuito equivalente de a ser utilizado na 500Q
análise do filtro RC da Fig. 19.9. Como ambos os capacitores são C1
circuitos abertos para operação de, a tensão de resultante na saída é I5µF

(19.13)

Fig. 19.11 Filtro RC para o Exemplo 19.7.

EXEMPLO 19.6 Solução

Calcule a tensão de em uma carga de 1 kO, para um filtro RC em
que R = 120 O e C = 10 µF. A tensão de no capacitor que ante- CálculoDC:
cede o circuito RC é Vdc = 60 V.

Solução
Eq. (19.13): Vdc =R :\L Vdc = 5005:~ kO (150 V)
, RL 1000 = 136,4 V
Eq. (19.13): Vdc = R + RL Vdc = 120 + lOOO (60 V) Cálculo AC: A impedância capacitiva do circuito RC é
= 53,6V 1,3 1,3 n
Eq. (19.15): Xc = C = 10 = 0,13 ku = 130 O

A componente ac da tensão de saída, calculada utilizando-se a

Análise AC para a Seção RC do Filtro Eq. (19.12) é

A Fig. 19.lOb mostra o circuito equivalente ac da seção RC. Xc 130

v;(nns) = RVr(rms) = 500 (15 V)= 3,9 V
Devido ao divisor de tensão entre a impedância ac do capacitor
e o resistor, a componente ac da tensão de saída na carga é O ripple na saída é portanto
V;(rms) 3,9 V
(19.14) r= X 100% = X 100% = 2,86%
V:1c 136,4 V

Para um retificador de onda completa, com um ripple ac em 120

Hz, a impedância de um capacitor pode ser calculada utilizando
19.5 REGULAÇÃO DE TENSÃO
(19.15)
POR TRANSISTOR
Há dois tipos de reguladores de tensão a transistor: o regulador
onde C é dado em microfarads e Xc em kiloohms. de tensão tipo série e o regulador de tensão tipo paralelo. Cada
 Fontes de Tensão (Reguladores de Tensão) 555

tipo de circuito pode fornecer uma tensão de de saída regulada,

ou fixa em um certo valor, mesmo para uma variação da tensão EXEMPLO 19.8
na entrada ou uma alteração do valor da carga conectada. Calcule a tensão de saída e a corrente no Zener do circuito regu-
lador da Fig. 19.14, para RL = 1 kO.

Regulação de Tensão em Série

A Fig. 19.12 mostra o diagrama de blocos de um circuito regula- V;---..---, ,----..--- Vº
dor tipo série. Os elementos em série controlam o quanto da ten- 20V (regulada)
(não-regulada)
são de entrada passa para a saída. A tensão de saída é amostrada
por um circuito, que provê uma tensão de realimentação para ser
comparada com uma tensão de referência.

1. Se a tensão de saída aumentar, o circuito comparador fornece

um sinal de controle que faz com que o elemento de controle
diminua o nível da tensão de saída - mantendo, com isto, a Fig.19.14 Circuito para o Exemplo 19.8.
tensão de saída constante.
2. Se a tensão de saída diminuir, o circuito comparador fornece
Solução
um sinal de controle para o elemento de controle aumentar o
nível de tensão na saída. V 0 = Vz - VnE = 12 V - O, 7 V = 11,3 V

CIRCUITO REGULADOR TIPO SÉRIE VcE = V; - V 0 = 20 V - 11,3 V= 8,7 V

20 V - 12 V 8V
Um regulador simples, série, está mostrado na Fig. 19.13. O IR = 220 0 = 220 0 = 36,4 mA
transistor Q I é o elemento de controle, e o diodo Zener D 2 forne-
ce a tensão de referência. A operação de regulação pode ser des- Para Rl = 1 kO,
crita como se segue:
V0 11,3 V
h = RL = 1 kO
11,3 mA
1. Se a tensão de saída diminuir, a tensão base-emissor aumen-
ta, fazendo com que o transistor conduza mais, e desta forma
Ic 11,3 mA
aumentando a tensão de saída - mantém a saída constante.
2. Se a tensão de saída aumentar, a tensão base-emissor dimi-
IB = /3 = 50 = 226 µA
nui, e o transistor conduz menos, reduzindo, assim, a tensão
na saída - mantém a saída constante.
Iz = IR - I8 = 36,4 mA - 226 µA = 36 mA

REGULADOR TIPO SÉRIE APERFEIÇOADO

vi ._______.,.. - - - - , - - - - v. A Fig. 19.15 mostra um circuito regulador tipo série de pe,for-

(entrada (saída mance melhor do que o anterior. Os resistores R 1 e R2 atuam
não-regulada) regulada)
como o circuito de amostragem, o diodo Zener proporciona a
tensão de referência, e o transistor Q2 controla a corrente de base
para o transistor QI a fim de variar a corrente que passa neste
transistor.
Se a tensão de saída tentar aumentar, a tensão V2 amostrada
por R 1 e R 2 aumenta, fazendo com que a tensão base-emissor do
transistor Q2 se eleve Gá que V2 permanece fixa). Se Q2 conduz
Fig. 19.12 Diagrama de blocos de um regulador de tensão tipo série. mais corrente, menos corrente passa pelo transistor Q 1, e em
conseqüência pela carga, reduzindo a tensão de saída - man-
tendo, assim, a tensão de saída constante. Agora, se a tensão de
saída tentar diminuir, o processo análogo ocorre, só que para este
caso mais corrente é fornecida para a carga, impedindo que a
tensão seja reduzida na saída.
V; --..---Vº A tensão V2 fornecida pelos resistores R I e R2 deve igualar a soma
(tensão (tensão da tensão base-emissor de Q2 com a tensão do diodo Zener, ou seja,
não-regulada) regulada)
R2
VnE
z
+ Vz = V2 = R1 + R2 Vo (19.16)

Solucionando a Eq. ( 19 .16) para a tensão de saída regulada, V 0

(19.17)
Fig. 19.13 Circuito regulador tipo série.
556 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

V; e------~-~...----.--- Vº
(tensão (tensão
não-regulada) regulada)

Fig. 19.15 Circuito regulador tipo série aperfeiçoado.

EXEMPLO 19.9 EXEMPLO 19.10

Qual o valor da tensão regulada fornecida pelo circuito da Fig. Calcule a tensão de saída regulada no circuito da Fig. 19.17.
19.15, com os seguintes elementos: R 1 = 20 kll, R2 = 30 kll e
V2 = 8,3 V? Q1
V; ,-------vº
Solução (36 V)

Da Eq. ( 19.17), a tensão de saída regulada é

20kll + 30kll 30k0

Vº = 30 kll (8,3 V + 0,7 V) = 15 V

6,2V

REGULADOR TIPO SÉRIE COM AMP-OP IOkO

A Fig. 19.16 mostra outra versão de um regulador tipo sé-

rie. O amp-op compara a tensão de referência do diodo Zener
com a tensão realimentada dos resistores R I e R2• Se a tensão Fig. 19.17 Circuito para o Exemplo 19.1 O.
de saída variar, a condução do transistor Q, é controlada para
manter a tensão de saída constante. A tensão de saída será man- Solução
tida em
30kll)
Eq. (19.18): V0 = ( 1 + 10 kll 6,2 V= 24,8 V
(19.18)

CIRCUITO LIMITADOR DE CORRENTE

Uma forma de proteção contra curto-circuito ou sobrecarga é

limitar a corrente, como mostra a Fig. 19.18. Quando a corrente
V; -------vo IL aumenta, a queda de tensão através do resistor de curto-circui-
(tensão (tensão
não-regulada) R 3 regulada) to Rsc aumenta. No momento em que a queda em Rsc atinge um
certo nível, o transistor Q2 passa a conduzir, desviando a corren-
te da base do transistor Q1, reduzindo com isto a corrente de car-
ga IL que passa no transistor Q 1• Concluímos, portanto, que a ação
de Rsc e Q2 limita a corrente que é fornecida para a carga.

V, LIMITADOR REALIMENTADO

O circuito limitador de corrente reduz a tensão fornecida para

a carga, quando a corrente atinge um valor. O circuito da Fig.
19 .19 apresenta um limitador realimentado, que reduz a tensão e
corrente de saída, protegendo a carga de um excesso de corren-
Fig. 19.16 Circuito regulador tipo série com amp-op. te, assim como o regulador.
 Fontes de Tensão (Reguladores de Tensão) 557

Fig. 19.18 Regulador de tensão com limitador de corrente.

Rsc
V;----+----------,ii ,.._---....----~"""'"-..------,-~ Vº
(= VL)

Rs

Fig. 19.19 Circuito regulador tipo série com limitador realimentado.

O limitador de corrente realimentado é implementado pelo
divisor de tensão adicional entre R4 e R 5, existente no circuito
da Fig. 19.19 (comparado ao da Fig. 19 .17). O circuito divisor
colhe a tensão na saída (emissor) de Q1• Quando /Latinge o valor
máximo permitido, a tensão através de Rsc liga Q 2 , limitando,
assim, a corrente. Se a resistência de carga diminuir, a tensão
que controla Q2 torna-se menor, de modo que IL também cai,
quando VL reduz de valor - isto graças ao limitador realimen-
tado. Quando a resistência de carga retorna ao seu valor nomi-
nal, o circuito prossegue com a sua regulação de tensão nor-
mal.
Regulação de Tensão em Paralelo
O regulador de tensão tipo paralelo realiza a regulação desvi-
ando corrente de carga, de modo que a tensão na saída fica con-
trolada pela quantidade de corrente fornecida à carga. A Fig.
19.20 mostra o diagrama de blocos deste tipo de regulador. A

fs11 + 11
--+--
V; --''\A . A , - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - . . - V,,(= \/L)

Sinal de
.. controle
R,
(carga)

_J Sinal de
realimentação

Fig. 19.20 Diagrama de blocos de um regulador de tensão tipo paralelo.

558 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

tensão de entrada não regulada fornece corrente à carga. Parte

da corrente é roubada pelo elemento de controle a fim de man- 1·I
ter a tensão regulada na saída. Se a tensão na carga tentar vari- (+12 V) 120Q
ar devido à própria variação da carga, o circuito de amostra- +
gem realimenta o sinal a um comparador, que então fornece um 8,2 V
sinal de controle para alterar a quantidade de corrente que está R,. =
sendo desviada da carga. Se a tensão de saída tentar aumentar, 100n
p. ex., o circuito de amostragem provê um sinal realimentado +
ao circuito comparador que daí fornece um sinal de controle para 1',w
drenar a corrente, em paralelo, proporcionando, assim, menos
corrente à carga.

REGULADOR TIPO PARALELO Fig. 19.22 Circuito para o Exemplo 19 .11.

COM TRANSISTOR

A Fig. 19. 21 mostra um circuito regulador tipo paralelo sim-

lc = Is - h = 109 mA - 89 mA = 20 mA
ples. Há uma queda de tensão não-regulada em R 5, que depen-
de da corrente fornecida à carga RL. A tensão através da carga (A corrente através do Zener e base do transistor pode ser des-
é determinada pelo diodo Zener, e pela tensão base-emissor do prezada em relação a lc, pois 18 = IJ/3).
transistor. Se a resistência da carga diminuir, menos corrente
entra na base de Q 1, resultando em menor corrente desviada pe-
lo coletor. Portanto, a corrente de carga aumenta, mantendo a
tensão regulada através da carga. A tensão de saída para a car- REGULADOR TIPO PARALELO
ga é APERFEIÇOADO
(19.19) O circuito da Fig. 19.23 mostra um regulador tipo parale-
lo de performance melhor do que o apresentado anteriormen-
te. O diodo zener fornece uma tensão de referência, de for-
o--- --o--, ma que o resistor R 1 tenha, em seus terminais, a variação da
+ + : tensão na saída. Quando a tensão de saída tenta variar, a cor-
1
rente desviada pelo transistor Q1 varia, mantendo aquela ten-
V;
(fonte
não-regulada) VL f1
RL
são constante. O transistor Q2 proporciona uma corrente de base
maior para o transistor Q1 do que o circuito da Fig. 19.21, fa-
zendo com que este regulador seja capaz de suprir a carga com
1
--o---
1 uma corrente de maior intensidade. A tensão de saída é de-
terminada pelo diodo zener e pelas duas tensões base-emis-
sor dos transistores.
Fig. 19.21 Regulador de tensão em paralelo com TBJ.
(19.20)

REGULADOR DE TENSÃO TIPO PARALELO

EXEMPLO 19.11 UTILIZANDO AMP-OP
Determine a tensão regulada e as correntes do circuito para o
regulador tipo paralelo da Fig. 19.22. A Fig. 19 .24 mostra um regulador tipo paralelo apresentando
um amp-op como elemento comparador de tensão. A tensão zener
Solução é comparada à tensão realimentada, obtida do divisor de tensão
de R 1 e R2, para produzir a corrente de controle para o elemento
A tensão na carga é em paralelo Q1• A corrente através do resistor Rs é, portanto, con-
trolada para produzir uma queda de tensão em Rs que mantenha
Eq. (19.19): VL = 8,2 V+ 0,7 V= 8,9 V a tensão de saída fixa.
Para a carga dada,
Regulador Chaveado
8,9 V
VL
h=-=--=89mA
RL 100 !1 O regulador chaveado é um circuito de muito uso, pois con-
segue transferir de modo eficiente a potência para a carga ali-
Com a tensão não regulada em 22 V, a corrente através de Rs é mentada. Basicamente, o regulador chaveado passa a tensão
para a carga em pulsos, que são filtrados para produzirem uma
V; - VL 22 V - 8,9 V tensão de uniforme. A Fig. 19.25 mostra os componentes bá-
Is= = = 109 mA
Rs 120 sicos deste tipo de regulador. A maior complexidade deste
circuito é compensada pela melhoria na performance de ope-
tal que a corrente de coletor é ração.
 Fontes de Tensão (Reguladores de Tensão) 559

\·'; _ _..,,.1"6----------+----+-----<,__- I',,

(tensão (tensão
não-regulada) regulada)

º'

Fig. 19.23 Circuito regulador tipo paralelo aperfeiçoado.

1·, - - . . - - - - - , v v , - , - - - - - - - - - - - - - - - - - - . - - - 1-',, (= \!,)

+
\'_

Fig. 19.24 Regulador de tensão tipo paralelo utilizando amp-op.

+--'---
Tensão de entrada
não-regulada
V; Tensão de
saída regulada

( Vº

Amplitude da
t~nsão de entrada
ÀV {Regulação para variação da carga
0 Regulação para variação na rede

Fig. 19.25 Representação em blocos do regulador de tensão de três terminais.

19.6 Cls REGULADORES DE TENSÃO
Há uma classe de Cls disponíveis que operam como reguladores
de tensão. Os Cls reguladores contêm os circuitos de fonte de re-
ferência, amplificador comparador, dispositivo de controle, e pro-
teção contra sobrecarga, tudo em um único encapsulamento. Em-
bora a estrutura interna dos Cls seja um pouco diferente da des-
crita para os circuitos reguladores discretos, a operação é exata-
mente a mesma. As unidades de CI proporcionam regulação para
uma tensão positiva fixa, tensão negativa fixa ou uma tensão ajus-
tável.
Uma fonte de tensão pode ser implementada, utilizando-se um
transformador conectado à rede ac, para que a tensão seja redu-
zida ao nível de amplitude desejado, retificando depois a tensão
que sai do transformador, filtrando, em seguida, com um capacitor
e um circuito RC, e finalmente, regulando a tensão de por meio
de um CI regulador. Os reguladores podem ser escolhidos para
560 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

uma operação com correntes de carga de centenas de miliamperes,
até dezenas de amperes, correspondendo a potências de saída que
variam desde miliwatts até dezenas de watts.
Reguladores de Tensão de
Três Terminais
A Fig. 19.25 mostra a conexão de um CI regulador de três termi-
nais a uma carga. O regulador com tensão de saída fixa é alimen-
tado por uma tensão de não regulada, V;, aplicada a um terminal,
e fornece uma tensão de regulada, V em um segundo terminal,
0
à terra (GND). Mesmo variando a tensão de entrada e a carga
dentro de uma faixa permitida, a tensão de saída permanece cons-
tante, ou com pequenas variações, dentro de limites especifica-
dos. Estes limites são fornecidos pelas folhas de especificações
do fabricante. O Quadro 19.1 apresenta uma lista de Cls regula-
dores de tensões positivas.
QUADRO 19.1 Reguladores de Tensão Positiva da Série 7800
Código CI Tensão de Saída (V) V; Mfnimo (V)

com o terceiro terminal conectado à terra. Para um dado regula- 7805 +5 7,3
dor, as especificações do dispositivo indicam a faixa na qual a 7806 +6 8,3
tensão de entrada pode variar sem que a saída seja alterada, con- 7808 +8 10,5
siderando, ainda, uma faixa de corrente de carga. As especifica- 7810 +10 12,5
ções listam também o quanto a tensão de saída varia para deter- 7812 +12 14,6
minada variação na corrente de carga (regulação na carga) ou na 7815 +15 17,7
tensão de entrada (regulação na rede). 7818 +18 21,0
7824 +24 27,1

Reguladores de Tensão Positiva Fixa

A série 78 de reguladores fornece tensões reguladas fixas de 5 A conexão de um 7812 em uma fonte de tensão completa é
até 24 V. A Fig. 19.26 mostracomoumCidesta série, um 7812, mostrada no esquema da Fig. 19.27. A tensão ac da rede (120V
rms) é reduzida para 18 V rms, em cada metade do transforma-
dor com derivação central (center tap). Um retificador de onda
0
~--....--+
completa e um filtro (capacitor) produzem uma tensão de não-
regulada, representada com uma amplitude de aproximadamen-
te 22 V, com um ripple ac de poucos volts como entrada para o
regulador de tensão. Esta tensão é apresentada ao CI 7812, que
fornece em sua saída + 12 V de regulada.

Fig. 19.26 Conexão de um regulador de tensão 7812.
é conectado para regular a tensão em + 12 V de. Uma tensão de
entrada não-regulada V; é filtrada pelo capacitor C 1 e alimenta o
CI no terminal IN. O terminal OUT do CI fornece + 12 V regu-
lada, que é filtrada pelo capacitor C2 (empregado para atenuar o
ruído de alta freqüência). O terceiro terminal do CI é conectado
ESPECIFICAÇÕES DE UM REGULADOR DE
TENSÃO POSITIVA
A folha de especificações de reguladores de tensão normal-
mente apresenta os dados mostrados na Fig. 19 .28, para o grupo
da série 7800. Devemos fazer algumas considerações para os pa-
râmetros mais importantes.
Tensão de saída: As especificações para o 7812 mostram que
a tensão de saída é, tipicamente, + 12 V, mas tem como limite
inferior 11,5 V, e limite superior 12,5 V.

+12Vb_
25,46 V pico

CD

~li C=

120 Vrms

I''°"'
T

Fig.19.27 Fonte de tensão de+ 12 V de.

 Fontes de Tensão (Reguladores de Tensão) 561

Saída Tensão de desexcitação: A tensão de desexcitação, tipica-

Comum mente 2 V, é o valor mínimo de tensão através dos terminais
Entrada entrada-saída para que o CI opere como um regulador. Se a ten-
são de entrada cai muito lentamente ou a saída se eleva de modo
que uma tensão de 2 V, no mínimo, não é mantida entre entrada
e saída do CI, a regulação não é mais garantida. Por isso, a ten-
são de entrada deve ser mantida em um nível elevado, garantin-
Valores:
do uma diferença de tensão entre entrada e saída superior à ten-
Tensão de entrada 40 V
são de desexcitação.
Dissipação contínua total 2 W
OperaçãÓ ao ar livre faixà
de temperatura -65 até 150°C Reguladores de Tensão
Negativa Fixa
Características elétricas do µ.A 7812C:
A série de Cls 7900 é formada por reguladores de tensão negati-
va, semelhantes aos da série 7800. O Quadro 19.2 apresenta a
lista de Cls reguladores de tensão negativa. Como mostrado, os
Tensão de saída 11,5 12 12,5 V Cls reguladores atendem a uma faixa de tensões negativas, for-
Regulação na entrada 3 120 mV necendo a tensão esperada na saída, se o valor na entrada está
Rejeição de ripple 55 71 dB abaixo de um valor mínimo especificado. Por exemplo, o 7912
Regulação na saída 4 120 mV fornece uma saída de -12 V, se a tensão na entrada do CI for
0,018 Q
mais negativa do que -14,6 V.
Resistência de saída
Tensão de desexcitação 2,0 V
Cor. de saída em curto-dn.·uito 350 mA
Corrente de pico na saída 2,2 A QUADRO 19.2 Reguladores de Tensão Negativa
da Série 7900

Fig. 19.28 Folha de especificações para Cls reguladores de tensão. CódigoCI Tensão de Saída (V) V, Mínimo (V)

7905 -5 -7,3
7906 -6 -8,4
Regulação na saída: A regulação de tensão na saída é nor- 7908 -8 -10,5
malmente de 4 mV, até um máximo de 100 mV (em correntes 7909 -9 -11,5
7912 -12 -14,6
de saída de 0,25 até 0,75 A). Esta informação especifica que a 7915 -15 -17,7
tensão de saída pode variar apenas 4 m V da tensão nominal 12 7918 -18 -20,8
Vdc. 7924 -24 -27,1
Corrente de saída em curto-circuito: A corrente de saída é
limitada em, tipicamente, 0,35 A, se a saída entrar em curto (pre-
sumivelmente por um acidente ou por uma falha de outro com-
ponente). EXEMPLO 19.12
Corrente de pico na saída: A corrente máxima nominal pa- Desenhe uma fonte de tensão, utilizando um retificador em pon-
ra Cls desta série é 1,5 A, entretanto a corrente típica de pico na te de onda completa, um filtro a capacitor, e um CI regulador para
saída que pode ser drenada por uma carga é 2,2 A. Isto mos- uma saída de +5 V.
tra que, embora o fabricante afirme que a capacidade do CI é
de fornecer 1,5 A, existe a possibilidade de se puxar um pouco Solução
mais de corrente (possivelmente por um breve período de tem-
po). O circuito resultante é mostrado na Fig. 19.29.

=0{]11
120 V rms
-----+

+ C= OplµF

I
V0 =5V
I250µF

'='

Fig. 19.29 Fonte positiva de 5 V.

562 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

EXEMPLO 19.13
Reguladores de Tensão Ajustáveis
Para um transformador com uma saída de 15 V, e um filtro com Há reguladores de tensão disponíveis comercialmente que per-
um capacitor de 250 µ.F, calcule a tensão mínima necessária na mitem ao usuário ajustar a tensão de saída para um valor deseja-
entrada, quando se conecta uma carga que drena 400 mA da fon- do. O LM317, p. ex., pode ser operado com a tensão de saída re-
te. gulada em um nível entre 1,2 V e 37 V. A Fig. 19.30 mostra como
a tensão de saída regulada de um LM317 pode ser ajustada.
Solução

As tensões através do capacitor são + -~----+

~ r,:; ~ r,:; 2.4/dc
V,(pico) = v 3 V,(nns) = v 3 c

= \1'32,4(400) = 6 65 V
250 '
~-/-A·l-)J------'--_.
Vdc = Vm - Vr(pico) = 15 V - 6,65 V= 8,35 V
Como o sinal na entrada excursiona em tomo deste nível de, a
tensão de entrada mínima pode cair até o valor de
V;(baixo) = Vdc -Vr(pico) = 15 V- 6,65 V= 8,35 V
Como este valor de tensão é maior do que o mínimo exigido para Fig. 19.30 Conexão de um regulador de tensão ajustável LM 317.
o CI regulador (do Quadro 19.1 V; = 7 ,3 V), o CI pode fornecer
uma tensão regulada para a carga dada. Os resistores R 1 e R2 determinam o valor da tensão em qual-
quer nível dentro da faixa especificada (1,2 V até 37 V). A ten-
são de saída é calculada da seguinte forma
EXEMPLO 19.14
V0 = Vrer( 1 + ;:) + lar1jR2 (19.21)
No circuito da Fig. 19.29, determine o valor máximo de corrente
de carga em que a regulação é mantida. onde, tipicamente
Yref = 1,25 V e Iar1j = 100 µ.A
Solução
Para manter V;(min) ~ 7,3 V,
EXEMPLO 19.15
Vr(pico) ::5 Vm - V;(min) = 15 V - 7,3 V= 7,7 V Determine a tensão regulada no circuito da Fig. 19.30, com R 1 =
tal que 2400eR2 = 2,4k0.
V ( ) = Vr(pico) = 7, 7 V = 4 4 V Solução
r rms V3 1,73 ,
O valor da corrente de carga é, portanto, Eq.(19.21): V0 = 1,25 v(l+ ~~k~ )+(100 µ.A)(2,4 kO)
_ Vr(rms)C _ (4,4 V)(250) _ 458 A = 13,75 V+ 0,24 V= 13,99 V
/d - - - m
e 2,4 2,4
Qualquer valor de corrente acima deste nível não garantiria a EXEMPLO 19.16
operação do regulador. Determine a tensão de saída regulada do circuito da Fig. 19.31.

IN4002

•~-.-----+------.--o~

4'{]11
120Vnns + C=
r70µF
Fig.19.31 Regulador de tensão ajustável para o Exemplo 19.16.
 Fontes de Tensão (Reguladores de Tensão) 563

Solução A Fig. 19.32 mostra o desenho do circuito neste programa. Em

Analysis Setup programa-se uma varredura na tensão de de 8 V
A tensão de saída calculada utilizando a Eq. (19.21) é a 15 V, com incremento de 0,5 V. O diodo D 1 fornece uma ten-
são Zener de 4,7 V (V2 = 4,7), e o transistor Q, é configurado
vº = 1,2s v(1 + i:/i)+ooo µA)(l,8 k!l)= 10,s v com beta= 100. Utilizando a Eq. (19.18),

Uma verificação da tensão no capacitor mostra que a diferença V0 = ( 1 + :~) Vz = (1 + 1/~ )4,7 V= 9,4 V
entre entrada e saída de 2 V pode ser mantida para uma corrente
de carga de no mínimo 200 mA. Observe na Fig. 19.32 que a tensão de saída regulada é 9,25 V,
quando a entrada é de 1OV. Observe também que a saída é man-
tida regulada em aproximadamente 9,3 V para valores de tensão
19.7 ANÁLISE POR COMPUTADOR na entrada acima de 9 V.

Programa 19 .1 Regulador Tipo Programa 19 .2 Regulador de Tensão em

Série com Amp-op Paralelo com Amp-op
O circuito regulador tipo série com amp-op mostrado na Fig. O circuito regulador de tensão em paralelo da Fig. 19.34 foi de-
19.16 pode ser analisado utilizando-se o PSpice para Windows. senhado no PSpice para Windows. Com a tensão Zener fixada

+ V1
-=-10V

1 Fig. 19.32 Regulador tipo série com amp-op desenha-

do no PSpice para Windows.
R2
1k

ICTID-c, IC3DI+,
~;k-;kv3
+2ov J
1-2ov

lSVT-------------------------------------------------------------- --------,

unregulated input voltage

'
lOV~
'
''

regulated output voltage

' '
sv+-----------------r-----------------T-----------------,-----------------~
8V lOV 12V 14V 16V
Fig.19.33 Gráfico de saída do programa mostrando a regulação de a V(Ql:e) • V(Vl :+)
tensão obtida no circuito da Fig. 19.32. v_v1
564 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

RS

10

,1. V1 R1
1k 1k
-=-DV
01

l D1
02N3904 RL
20k

D1N750
R2
1k

CTI::::}.-, ~
--;-;k:-;kv3
+20V ~ ~-20V

Fig. 19.34 Regulador de tensão tipo paralelo com amp-op (desenhado no PSpice para Windows versão 6.1).

lSVT-----------------------------------------------------------------------
1 •

Unregulated input voltage

10V

Regulated output·voltage

1
1
1
1
1

'
' '''
5V +- - -- -- - -- - -- - - -- - -- -,- -- -- -- -- -- - -- --- -- -,- - - - -- -- -- -- - - - - - - - - T - - - - - - - - - -'
BV lOV 12V 14V 15V
Q V(RL:1) o V Vl
V Vl

Fig. 19.35 Gráfico de saída do programa mostrando a regulação de tensão obtida no circuito da Fig. 19.34.
 Fontes de Tensão (Reguladores de Tensão) 565

em 4,7 V e o parâmetro beta do transistor fixado em 100, a saída
obtida do regulador é de 9,255 V para uma entrada de 1OV. Uma
varredura na tensão de entrada de 8 V a 15 V produz o gráfico de
saída mostrado na Fig. 19.35. O circuito proporciona uma boa
regulação de tensão para uma faixa de valores de tensão de en-
trada de aproximadamente 9,5 V a 14 V. A tensão de saída é
mantida regulada em cerca de 9,3 V.
PROBLEMAS
§ 19.2 Considerações Gerais Sobre Filtros
1. Qual é o fator de ripple de um sinal senoidal, que possui um ripple
com pico de 2 V, sobre um valor médio de 50 V?
2. Um filtro fornece uma saída de 28 V, sem carga, e 25 V para uma
operação com carga máxima. Calcule a regulação de tensão em
termos percentuais.
3. Um retificador de meia-onda fornece 20 V de. Qual é o valor da
tensão de ripple?
4. Qual é a tensão de ripple em rms de um retificador de onda-com-
pleta, com tensão de saída de 8 V de?
*16. Um filtro com um único capacitor possui na entrada 40 V de. Se
esta tensão for injetada em um estágio RC (R = 50 O., e = 40 f'F),
qual seria a corrente de saída, considerando uma carga de 500 O.?
17. Calcule o valor rms da tensão de ripple na saída de um filtro RC,
que alimenta uma carga de 1 kO.. A tensão de entrada para o filtro
é de 50 V de com um ripple de 2,5 V rms, retificada em onda-com-
pleta e filtrada por um capacitor. Os componentes do filtro RC são
R = 100 O. e C = 100 µ,F.
18. Se a tensão de saída do Problema 17 for de 50 V para o circuito
sem carga, calcule a regulação percentual de tensão considerando
para o cálculo uma carga de 1 k!l.
§ 19.5 Regulação de Tensão por Transistor
*19. Calcule a tensão de saída e a corrente no diodo Zener no circuito
regulador da Fig. 19.36.
( ~= 100)
V;--.....----, ,---~t-----V,,
15 V (regulado)
(não-regulado) R

§ 19.3 Filtro a Capacitor

5. Um filtro a capacitor simples é alimentado por um retificador de Fig.19.36
onda-completa, que fornece 14,5 V de com um fator de ripple de Problema 19.
8,5%. Qual é a tensão de ripple na saída (em rms)?
6. Um sinal retificado de onda-completa de 18 V de pico é injetado em 20. Qual é o vulor da tens."io regulada resultante no circuito da Fig. 19.37?
um filtro a capacitor. Qual é o valor da regulação de tensão do filtro,
se temos, na saída, uma tensão de 17 V de com carga máxima? Q,
7. Um filtro a capacitor de 400 µF tem como entrada uma tensão retifica-
da de onda-completa, com 18 V de pico. Determine o ripple e os valo-
res das tensões de no capacitor, para uma carga que drena 100 mA.
8. Um retificador de onda-completa operando na rede de 60 Hz pro-
duz uma tensão retificada com 20 V de pico. Se um capacitor de
200 µ,F for utilizado, calcule o ripple para uma corrente de carga
de 120mA.
9. Um retificador de onda-completa (operando em uma rede de 60 Hz)
alimenta um filtro (C = 100 µ,F), que fornece 12 V de, quando co-
nectado a uma carga de 2,5 kO.. Calcule a tensão de ripple na saída.
10. Determine o valor do capacitor necessário para se obter uma ten-
são filtrada com ripple de 15%, quando a corrente de carga é de
150 mA. A tensão retificada de onda-completa é de 24 V de e a
fonte de 60 Hz.
*11. Um capacitor de 500 µ,F fornece uma corrente de carga de 200 mA Fig. 19.37 Problema 20.
com ripple de 8%. Calcule a amplitude da tensão retificada obtida
da rede de 60 Hz e os valores das tensões no capacitor. 21. Calcule a tensão de saída do circuito da Fig. 19.38.
12. Calcule o valor do capacitor necessário para se obter uma tensão
filtrada com ripple de 7%, quando a corrente de carga é de 200 mA.
A tensão retificada de onda-completa é de 30 V de e a freqüência
da rede elétrica é de 60 Hz.
~------------,
40V
13. Calcule o ripple percentual da tensão sobre um capacitor de 120 820!1
µ,F, para uma corrente de carga de 80 mA. O retificador de onda-
completa, operando a partir de uma rede de 60 Hz, fornece uma 12k0
tensão retificada com valor de pico de 25 V.

§ 19.4 Filtro RC
+
14. Um estágio RC é incluído em uma fonte após o capacitor de filtragem, IOV
para que o ripple seja reduzido para 2%. Calcule a tensão de ripple
na saída do filtro RC, que fornece uma tensão de 80 V de.
*15. Um filtro RC (R = 33 O., C = 120 µ,F) é utilizado para filtrar um
sinal de 24 V de e 2 V rms, retificado em onda-completa. Calcule
o ripple percentual na saída do estágio RC para uma corrente de
carga de 100 mA. Calcule também o ripple do sinal filtrado apli-
cado ao circuito RC. Fig. 19.38 Problema 21.
566 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

22. Determine a tensão regulada e as correntes no circuito regulador

paralelo da Fig. 19.39.

V; ---1\.,r.,~------------+--- V,,
(+15 V) 3Hl ]li e
f IL =250mA

I500µF
Fig. 19.40 Problema 24.

Fig. 19.39 Problema 22.

:r{]II OUT
--<>--- V0 (+5 V)

Retificador
em ponte I... 200µF

Fig. 19.41 Problema 25.

1N OUT
------.-------Vº
2200

Fig.19.42 Problema 27.

§ 19.6 Cls Reguladores de Tensão § 19. 7 Análise por Computador

23. Desenhe o circuito de uma fonte de tensão de 12 V composta por
um retificador de onda-completa, um capacitar de filtragem e um
CI regulador.
*24. Calcule a tensão de entrada mínima do retificador de onda-com-
pleta e do capacitor na Fig. 19.40, quando conectados a uma carga
que drena 250 mA de corrente.
*25. Considerando a regulação realizada pelo circuito da Fig. 19.41,
determine o valor máximo permitido para a corrente de carga.
26. Determine a tensão regulada no circuito da Fig. 19.30 com R 1 =
240f!eR, = l,8kf!.
27. Determine"' o valor da tensão regulada na saída do circuito da Fig.
19.42.
*28. Modifique o circuito da Fig. 19.32 incluindo um resistor RL como
carga. Mantendo a tensão de entrada fixa em 10 V, faça uma var-
redura de 100 n a 20 kf! no valor do resistor, e obtenha a tensão
de saída no PSpice para Windows.
*29. Para o circuito da Fig. 19.34, faça uma varredura de 5 kO a 20 kO
no valor de RL e obtenha a tensão de saída.
*30. Faça uma análise do circuito da Fig. 19.19 com o PSpice, para V2
= 4,7 V, beta (Q 1) = beta(Q2) = 100, variando V; de 5 V a 20 V.

*Observação: Os asteriscos indicam problemas mais difíceis.


Outros Dispositivos de
Dois Terminais
20.1 INTRODUÇÃO
Há vários dispositivos de dois terminais que possuem uma única
junção p-n, tal como a pastilha semicondutora do diodo Zener,
mas com diferentes modos de operação, curvas características, e
áreas de aplicação. Alguns destes dispositivos, incluindo o diodo
Schottky, diodo túnel, varactor, fotodiodo e célula solar, serão
apresentados neste capítulo. Além destes componentes, serão
também analisados a célula fotocondutiva, o LCD (display de
cristal líquido) e o termistor.
20.2 DIODOS DE BARREIRAS CHOTTKY
(PORTADORES QUENTES)
Ultimamente, vem crescendo o interesse no dispositivo de dois
terminais denominado diodo de barreira Schottky, barreira de
superfície, ou de portadores quentes. Sua utilização ficou limi-
tada inicialmente à faixa de altas freqüências, devido ao seu tempo
de resposta rápido (particularmente importante nas altas freqüên-
cias), e à sua figura de ruído reduzida (um parâmetro considera-
do em aplicações de alta freqüência). Atualmente, entretanto, este
dispositivo está sendo empregado em fontes de potência de bai-
xa tensão/alta corrente, e em conversores ac-dc. Outras áreas de
aplicação incluem sistemas de radar, lógica TTL Schottky para
computadores, misturadores e detectores em equipamentos de
comunicações, instrumentação e conversores analógico-digitais.
Sua construção é bem diferente da junção p-n convencional.
A Fig. 20.1 mostra como a junção metal-semicondutor deste dis-
positivo é concebida. O semicondutor é normalmente de silício
tipo n (embora em algumas ocasiões se utilize silício tipo p), e
vários metais são utilizados, como molibdênio, platina, cromo
ou tungstênio. Diferentes técnicas de fabricação resultam em
diferentes conjuntos de características para o dispositivo, sobre-
tudo no que se refere à faixa de freqüência de emprego e níveis
de polarização direta. Como há outras prioridades neste livro, não
será possível examinar cada técnica, mas este tipo de informa-
ção é, em geral, fornecido pelo fabricante. Contudo, o tipo de
montagem do diodo Schottky costuma produzir uma região de
junção mais uniforme e com um nível elevado de robustez.
Em ambos os materiais, o elétron é o portador majoritário. No
metal, o nível de portadores minoritários (buracos) é insignifican-
CAPÍTULO
20
o ..i: ollllllllllllllllllllllllll
.----Tela de dióxido de silício
Junção de metal semicondutor
--..........._ Contato metálico
Fig. 20.1 Diodo de portadores quentes.
te. Quando os materiais são agrupados, os elétrons no material
semicondutor de silício tipo n fluem imediatamente para o metal
agregado, estabelecendo, assim, um fluxo intenso de portadores
majoritários. Como os portadores injetados têm um nível de ener-
gia cinética muito alto comparado aos elétrons do metal, eles são
chamados de "portadores quentes". Na junção p-n convencional,
havia a injeção de portadores minoritários na região de junção. Aqui,
os elétrons são injetados em uma região com a mesma pluralidade
de elétrons. Os diodos Schottky são, portanto, únicos, já que a con-
dução é totalmente realizada pelos portadores majoritários. O flu-
xo intenso de elétrons para o metal cria uma região próxima à su-
perfície de junção com depleção de portadores, no material de silí-
cio - semelhante à região de depleção no diodo de junção p-n. Os
portadores adicionais no metal estabelecem neste uma "parede
negativa", na fronteira entre os dois materiais. O resultado disto é a
criação de uma "barreira na superfície", impedindo qualquer fluxo
de corrente. Ou seja, os elétrons (cargas negativas) no material de
silício enfrentam uma região de portadores livres a uma "parede
negativa" na superfície do metal.
A aplicação de uma polarização direta, representada pelo pri-
meiro quadrante da Fig. 20.2, reduz a força da barreira negativa,
atraindo os elétrons desta região pelo potencial positivo aplica-
do. O resultado é a redução do fluxo intenso de elétrons através
da junção, controlado agora pelo nível de potencial aplicado. A
barreira na junção de um diodo Schottky é menor do que a en-
contrada em dispositivos de junção p-n, tanto na região direta-
568 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
1!)io~o de Diodo de
iunçao portadores
1p-n quentes
1
1
Fig. 20.2 Comparação das curvas dos diodos de portadores quentes e de junção p-n.
mente polarizada como na inversamente polarizada. Este efeito
é desejável na região diretamente polarizada, mas muito indese-
jável na região inversamente polarizada.
O crescimento exponencial da corrente para a situação de pola-
rização direta é descrito pela Eq. (1.4), mas, para este caso, 'T/ de-
pende da técnica de fabricação (1,05 para a fabricação tipo mono-
cristal, que se assemelha ao diodo de germânio). Na região de po-
larização reversa, a corrente /, é resultado principalmente do fluxo
dos elétrons do metal que passam para o material semicondutor. Um
dos objetivos da pesquisa desenvolvida na fabricação de diodos
Schottky é a redução das altas correntes de fuga que surgem em
temperaturas acima de 100°C. Com a melhoria do projeto, as uni-
dades disponíveis estão agora com uma faixa de temperatura de
operação de -65 até + 150°C. À temperatura ambiente, a amplitu-
de de /, é da ordem de microamperes para componentes de baixa
potência, e miliamperes para dispositivos de alta potência. Embora
sejam valores reduzidos, a corrente de fuga para este tipo de dispo-
sitivo é maior do que a verificada para dispositivos de junção p-n
convencional, com os mesmos limites de corrente. Além disso, a
TPI de diodos Schottky é normalmente menor do que a de um dis-
positivo de junção p-n. Tipicamente, para uma unidade de 50 A, a
TPI do diodo Schottky é aproximadamente de 50 V, enquanto que
para um dispositivo de junção p-n, a TPI verificada é de 150 V.
Avanços recentes, entretanto, produziram diodos Schottky com TPis
maiores do que 100 V para este nível de corrente. Das curvas da
Fig. 20.2, observa-se claramente que o diodo Schottky apresenta
um conjunto de características mais próximas do ideal do que o
diodo de contato de ponta, e níveis de Vr menores do que no caso
do semicondutor de silício com junção p-n. O nível de Vr para o
diodo de "portadores quentes" é determinado basicamente pelo tipo
de metal empregado. Existe uma solução de compromisso entre
faixa de temperatura e o valor de Vr- O aumento de um resulta no
aumento do outro. Além disso, quanto menor o nível de corrente
permitido, menor é o valor de Vr- Para alguns dispositivos de ní-
veis reduzidos, pode-se assumir que Vr é nulo. Entretanto, quando
o nível de corrente aumenta, o valor assumido para Vré de 0,2 V.
A máxima corrente nominal suportada por este tipo de dispo-
sitivo é de aproximadamente 75 A, embora se encontre alguns
componentes com correntes de 100 A. Uma das principais áreas
o Ili!. o
Diodo de I
I I
I
/ Diodo de
portadores j I junção
quentes I /J-11
I
I
1
I
I
I
/ /
I
de aplicação deste diodo é emfontes de chaveamento de potên-
cia, que operam em freqüências próximas a 20 kHz, ou mais. Um
dispositivo típico, para ser utilizado neste tipo de fonte, pode
suportar uma corrente de 50 A para uma tensão direta de 0,6 V,
em 25ºC, com um tempo de recuperação de 10 ns. Um dispositi-
vo de junção p-n com o mesmo limite de corrente de 50 A pode
ter uma queda de tensão de 1,1 V e um tempo de recuperação de
30 a 50 ns. A diferença na tensão direta pode não parecer signi-
ficativa, mas considere a diferença na dissipação de potência:
Pportfilloresguente, = (0,6 V)(50 A)= 30W comparado aPp-n = (1,1 V)
(50 A) = 55 W, que é uma diferença razoável quando se conside-
ra o critério de eficiência. Haverá, obviamente, uma dissipação
maior na região de polarização reversa no diodo Schottky, devi-
do a uma corrente de fuga mais elevada, porém a perda total de
potência nas regiões de polarização direta e reversa é menor do
que a verificada nos dispositivos de junção p-n.
Lembre da nossa discussão sobre tempo de recuperação reverso
do diodo semicondutor, que a injeção de portadores minoritários con-
tribuía para o alto valor de t" (o tempo de recuperação reverso). O
nível reduzido de portadores minoritários no diodo Schottky faz com
que o tempo de recuperação reverso deste dispositivo seja bastante
pequeno, como indicado acima. Este é o motivo principal da utili-
zação de diodos Schottky em freqüências próximas a 20 GHz, onde
o dispositivo deve chavear entre estados a uma taxa bem elevada.
Para freqüências mais altas o diodo de contato de ponta, com sua
área de junção muito pequena, é ainda empregado.
O circuito equivalente para o dispositivo (com valores típi-
cos) e o símbolo normalmente utilizado aparecem na Fig. 20.3.
Vários fabricantes preferem utilizar o símbolo-padrão do diodo
para o dispositivo, já que a função realizada pelos dois é pratica-
mente a mesma. A indutância Lp e a capacitância CP surgem de-
vido ao encapsulamento, e r8 é a resistência em série, que inclui
a resistência de contato e do material. A resistência rd e a capacitância
C1 são valores definidos pelas equações introduzidas nas seções
anteriores. Para a maioria das aplicações, o circuito equivalente
aproximado da Fig. 20.4, que inclui um diodo ideal em paralelo com
a capacitância da junção, mostra-se bastante adequado.
Alguns retificadores de portadores quentes fabricados pela
Motorola Semiconductor Products, Inc. são mostrados na Fig.
 Outros Dispositivos de Dois Terminais 569

20.5, com suas especificações e identificação dos terminais.

Observe que a queda de tensão direta máxima VF é inferior a 0,65
o- V, para qualquer dos dispositivos, enquanto sabemos que este
valor é típico para Vr, do diodo de silício.
Três conjuntos de curvas para a série 5082-2300 de diodos de
barreira Schottky da Hewlett-Packard são mostrados na Fig. 20.6.
Observe que em lOOºC, na Fig. 20.6a, VF é apenas 0,1 V com uma
corrente de 0,01 mA. Observe ainda na Fig. 20.6b que a corrente
reversa é limitada a nanoamperes e a capacitância, na Fig. 20.6c, a
1 pF, garantindo, assim, uma alta freqüência de chaveamento.

20.3 DIODOS VARACTOR (VARICAP)

(b)
Os diodos varactor [também chamados varicap, CVT (capa-
Fig. 20.3 Diodo Schottky (de portadores quentes): (a) circuito equivalente; (b) citância variável com a tensão), ou sintonizados] são semi-
símbolo. condutores, dependentes da tensão, capacitores variáveis. Seu
modo de operação depende da capacitância existente na junção
p-n, quando o elemento está reversamente polarizado. Sob condi-
ções de polarização reversa, é estabelecida uma região de cargas
não cobertas em cada lado da junção, e que, juntas, formam are-
gião de depleção de largura Wd. A capacitância de transição (Cr),
estabelecida pelas cargas isoladas não-cobertas, é determinada por

~ (20.1)

onde e é a permissividade dos materiais semicondutores, A a área

Fig. 20.4 Circuito equivalente aproximado para o diodo Schottky. da junção p-n e Wd a largura de depleção.

Encapsu- 51-02 59-04 267 60 257 257 430-2

lamento (D0-7) Plástico Plástico (D0-4) (D0-5) (D0-21)
Vidro Metal Metal Metal

VRRM
(Volts) Catodo

20
30
Ânodo

/
MBR020 IN5817
MBR030 IN5818
I I MBR120P IN5820 MBR320P MBR320M IN5823 IN5826 MBR1520
MBR130P IN5821 MBR330P MBR330M IN5824 IN5827 MBR1530
IN5829 MBR2520
IN5830 MBR2530
IN5832 MBR4020 MBR4020PF
IN5833 MBR4030 MBR4030PF '
35 MBR135P MBR335P .MBR335M MBR1535 MBR2535 MBR4035 MBR4035PF
40 IN5819 MBR140P IN5822 MBR340P MBR340M IN5825 IN5828 MBR1540 IN5831 MBR2540 IN5834 MBR4040
/FSM
5,0 100 50 250 200 500 500 500 500 800 800 800 800 800
(Amps)
Te @ Nominal 10 80 70 50
(ºC) 85 80 85 75

T1 Max 125ºC 125ºC 125ºC 125ºC 125ºC 125ºC 125ºC 125ºC 125ºC 125ºC 125ºC 125ºC 125ºC 125°C

MaxVF@
/FM=lo

... Dispositivos de barreira Schottky, ideais para o uso em fontes de potência de baixa te,nsão, alta freqüência,
e como diodos improvisados ..Estes componentes apresentam tensões diretas muito baixas.e tempos de chaveamento
estimados em menos de 10 ns. Estão disponíveis com correntes que vão desde 0,5 até 5 ampêres e tensões até
40V.

VRRM - tensão de pico reversa respectiva

VFSM - corrente direta de pico
IFM - corrente direta máxima

Fig. 20.S Dispositivos de barreira Schottky da Motorola. (Cortesia da Motorola Semiconductor Products, Inc.)*

(N.T.): Os termos originais em inglês contidos nesta figura não foram traduzidos porque o que se encontra na prática, no laboratório, são especificações escritas em inglês, com raras
exceções. Deseja-se, com isto, que o leitor se acostume aos termos técnicos que ele encontrará na sua vida profissional.
570 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Coeficiente de
temperatura

100 1000
500

< 10
<
.
_ê,
é
.
s
~
2900
c•h
'""-

'Õ' a! 100 23m,1

e -
!e .!l
50 cc
,,..,. ,~·-

... d

8 ~ ~

0.1 . ." 2301

8
2302
2305
10
100 200 300 400 500 600 700 o 5 10 15
Tensão direta (mV) Tensão reversa (V)

Curva /-V mostrando a variação de Corrente Reversa Típica da

Temperatura Típica dos Série 5082-2300 vs Tensão
Diodos Schottky da Série 5082-2300 reversa em TA= 25•C

(a) (b)

1,2 ~ - ~ - ~ - - - - ~ - ~

1,0 1 - - - - 1 - - - - 1 - - + - - - + - - - I

0'----'-~--'--........~--'-----'
o 4 8 12 16 20
VR - Tensão reversa (V)
Capacitância Típica da
Série 5082-2300 vs Tensão
reversa em TA = 25•C Fig. 20.6 Curvas caracteásticas para a série 5082-2300 de diodos de bar-
reira Schottky da Hewlett-Packard. (Cortesia de Hewlett-Packard
(e) Corporation.)

Quando o potencial de polarização reverso aumenta, a largu- C(pF)

ra da região de depleção aumenta, a qual, por sua vez, reduz a /C(O)
capacitância de transição. A Fig. 20.7 apresenta as característi- 80
cas de um diodo varicap típico, disponível comercialmente.
Observe que há um declínio acentuado de Cr com o aumento da
polarização reversa. A faixa esperada de VR para diodos CVT é 60
limitada em cerca de 20 V. Em termos da tensão reversa aplica-
da, a capacitância de transição é dada aproximadamente por 40

(20.2) 20

onde K = constante determinada pelo material semicondutor e

pela técnica de fabricação 0 -2 -4 -6 -8 -10-12-14 VR(V)
Vr = potencial de joelho, como definido na Seção 1.6 (VR = polarização reversa aplicada)
VR = valor do potencial de polarização reverso aplicado
n = 1/2 para junções de liga e 1/3 para junções difusas Fig. 20.7 Caracteásticas do varicap: C (pF) versus VR.
 Outros Dispositivos de Dois Terminais 571

A capacitância como função de VR pode ser dada em termos

de C(O) (capacitância quando não há polarização)

(a)

(20.3)

Os símbolos mais comumente utilizados para o diodo

varicap, e uma primeira aproximação para o seu circuito equi-
valente na região de polarização reversa aparecem na Fig. 20.8.
Como estamos na região de polarização reversa, a resistência
no circuito equivalente é muito alta - tipicamente 1 MO ou
(b)
mais-, enquanto R5, a resistência geométrica do diodo, é, como
indicado na Fig. 20.8, muito pequena. O valor de Cr varia de
Fig. 20.8 Diodo varicap: (a) circuito equivalente na região de polarização rever- mais ou menos 2 pF a 100 pF, dependendo do varicap conside-
sa; (b) símbolos. rado. Silício é normalmente utilizado em diodos varicap para

88139
DIODO VARACTOR VHF/FM
SILÍCIO DE DIFUSÃO PLANA

• C/C,5... 5 ,0-6,5 PERFIL DC-3S

• LOTES UNIFORMES (Observação 2)

VALORES MÁXIMOS ABSOLUTOS (Observação 1) t

1/J
Temperaturas (25,40) MIN
Faixa de Temperatura de Armazenamento
Temperatura Máxima na Junção da Operação
Temperatura nos terminais ("Leads")
-55ºC a +150ºC
+150ºC
+260ºC
-t
Tensão Máxima
TIT Tensão Inversa de Trabalho
30V

OBSERVAÇÕES:
Leads de aço com corpo de cobre, folheados
a estanho
Leads folheados .a ouro disponíveis
Invólucro hermeticamente fechado
Peso do invólucro é de 0,14 grama

CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (25°C Temperatura Ambiente ou a que estiver assinalada)

SfMBOLO CARACTERÍSTICA MÍN. TIPO MÁX. UNIDS. CONDIÇÕES DO TESTE
BV Tensão de Ruptura 30 V
IR Corrente reversa

Resistência Série 0,35 n

Indutância Série 2,5 nH 1,5 mm do comprimento
Freqüência de Ressonância Série 1,4 GHz
OBSERVAÇÕES:
1. Estas especificações são valores-limites acUDa dos quais a durabilidade do diodo pode ficar comprometida.
2. A diferença entre as capacitAocias de quaisquer dois diodos de um lote é menor do que 3% no intervalo de tensão reversa de O,S V até 28 V.

Fig. 20.9 Características elétricas para um diodo varactor VHF/FM da Fairchild. (Cortesia da Fairchild Camera and Instrument Corporation.)*

(N.T.): Os termos originais em inglês contidos nesta figura não foram traduzidos porque o que se encontra na prática, no laboratório, são especificações escritas em inglês, com raras
exceções. Deseja-se, com isto, que o leitor se acostume aos termos técnicos que ele encontrará na sua vida profissional.
572 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos o Ili!. o

que RR seja a maior possível, reduzindo assim a corrente de fuga.
Devido ao fato de o dispositivo ser empregado em altíssimas
freqüências, devemos incluir a indutância Ls, apesar do seu valor
situar-se na faixa de nanohenries. Lembre-se de que XL = 271jL,
e uma freqüência de 10 GHz com L, = 1 nH resulta em XL, =
271jL = (62,8)(10 1º Hz) (10- 9 F) = 62,8 O. Há obviamente,
portanto, um limite de freqüência associado com o uso de cada
diodo varicap.
Assumindo uma faixa apropriada de freqüência, e um va-
lor baixo de R, e XL, comparado aos outros elementos em sé-
rie, o circuito equivalente para o varicap da Fig. 20.8a pode
ser substituído por apenas um capacitor variável. A folha de
dados completa e suas curvas características aparecem nas
Figs. 20.9 e 20.10, respectivamente. A razão C3 /C 25 na Fig.
20.9 é a razão entre os valores de capacitância nos potenciais
de 3 e 25 V. Este parâmetro fornece uma idéia do quanto a
capacitância varia com o nível de potencial reverso aplicado.
A figura de mérito é considerada na utilização do dispositivo,
e constitui uma medida da razão de energia armazenada pelo
dispositivo capacitivo por ciclo em relação à energia dissipa-
da (ou perdida) por ciclo. Como raramente a perda de energia
é considerada um atributo positivo, quanto maior a figura de
mérito, melhor. A freqüência de ressonância do dispositivo é
determinada por / 0 = 1121T..f[c, e seleciona a faixa de apli-
cação do varactor.
Na Fig. 20.10, a maioria dos parâmetros é auto-explicativa.
Entretanto, devemos citar o coeficiente de temperatura da
capacitância, que é dado por
%/°C (20.4)
onde fiC é a variação na capacitância devida a uma variação na
temperatura T1 - T0 , e C0 é a capacitância em T0 para um particular
potencial de polarização reverso. Por exemplo, a Fig. 20.9 indica
que C0 = 29 pF com VR = 3 V e T0 = 25ºC. A variação fiC na
capacitância pode então ser determinada, utilizando-se a Eq. (20.4),
substituindo a nova temperatura T1 e TCc, como determinado do
gráfico ( = 0,013). Em um novo VR, o valor de TCc irá variar de
acordo. Retomando à Fig. 20.9, observe que a máxima freqüência
que aparece nas especificações é 600 MHz. Nesta freqüência,
XL = 2 'T1jL = (6,28)(600 X 106 Hz) (2,5 X 10-9 F) = 9,42 0
um valor pequeno, e por isto normalmente desprezado.
Algumas das áreas de aplicação em altas freqüências inclu-
em moduladores FM, dispositivos automáticos de controle de
freqüência, filtros passa-banda ajustáveis e amplificadores
paramétricos.
Na Fig. 20.11, o diodo varactor é empregado em um circuito
sintonizado. Ou seja, a freqüência de ressonância da combina-

Corrente reversa versw Coeficiente de temperatura da

tensão reversa capacitância versus tensão reversa
1,0 0,1

i J ~2'
s~
e
~
~
1

1 0,1
,,
1./''
'
1/
/ "
Ir t.J"
Bf..
,8 -e·
lj
0,05
0,04
0,03
" "'pi..

~~

' ~
8 ,;
~l o~
~
1 /
~ I! ['\."
L/
/
0,010 0,01
10 20 30 100 30 10 3,0 1,0
VR - Tensão reversa - volts VR - Tensão reversa - volts

Capacitância versus Figura de mérito versus

tensão reversa freqüência
100 1000

--, 500
"!',..
50
lt. 30
OI
1\,.,
1
'"' ô
20 'e '\
f"' 10
"'\ 1 100 ~

l I\,.
·-
,8
"' 50 ' r,..,
u"' 5,0
1 3,0 l .....

1.)
2,0
1,0 10
' ..
0,5 1,0 2,03,05 10 2030 10 50 100 500 1000
Vii - Tensão reversa - volts Freqüência.(MHz)

Fig. 20.10 Curvas características do varactor VHF/FM da Fairchild. (Cortesia da Fairchild Camera and Instniment Corporation.)
o Ili!. o
Outros Dispositivos de Dois Terminais 573

Transformador
~ ___1.. _______,.,~ Para o amplificador de
alta imped:incia
e
-Vvv

~
Circuito
tanque

Fig. 20.11 Circuito sintonizado empregando um diodo varactor.

ção em paralelo L-C é determinada por li, = 1/2'1T ~ Lz C~ (siste-
ma com Q alto) com o valor de C' r = Cr + Cc caracterizado pelo
potencial de polarização reverso Vvv· O capacitor de acoplamento
Cc está presente para isolar o potencial aplicado do indutor L2 •
As freqüências selecionadas pelo circuito-tanque são, então,
amplificadas pelo amplificador de alta impedância de entrada.
20.4 DIODOS DE POTÊNCIA
Há vários diodos projetados especificamente para atender às
demandas de alta potência e alta temperatura de algumas aplica-
ções. O emprego mais freqüente de diodos de potência ocorre no
processo de retificação, em que sinais ac (com valor médio nulo)
passam a apresentar níveis de ou médios. Como observado no
Cap. 2, quando utilizados para este fim, os diodos são normal-
mente denominados retificadores.
A maioria dos diodos de potência é à base de silício, devido
às altas correntes, temperaturas e TPis exigidas. Para que flua uma
corrente elevada, a área da junção deve ser maior, reduzindo,
assim, a resistência do diodo. Se esta resistência direta fosse muito
grande, as perdas PR seriam excessivas. O fluxo de corrente em
um circuito com diodos de potência pode ser maior, se colocar-
mos dois ou mais em paralelo, e a TPI nominal pode ser aumen-
tada posicionando os diodos em série.
A Fig. 20.12a apresenta vários tipos de diodos de potência e
suas correntes nominais. As altas temperaturas resultantes do
fluxo denso de corrente exigem, na maioria dos casos, que se-
jam utilizados dissipadores de calor para escoar o calor do ele-
mento. Alguns dos vários tipos de dissipadores disponíveis são
mostrados na Fig. 20.12b. Alguns diodos (diodos stud) foram
projetados para serem fixados diretamente ao chassi, para que este
atue como um dissipador de calor.

e
e

IR FAST RECOVERY RECTIFIERS

401 PDL (esquerda), 400 AMP.
251 UL (centro), 250 AMP.
101 KL & KLR (direita), 100 AMP

(a) (b)

Fig. 20.12 Diodos de potência e dissipadores de calor. (Cortesia da International Rectifier Corporation.)
574 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos o 9IÍj; o

IT (mA) Você se lembra da Seção 1.14, de que um aumento no nível

de dopagem reduz o potencial de Zener. Observe, agora, na Fig.
7 20.13, o efeito de um nível de dopagem muito alto nesta região.
Os materiais semicondutores mais freqüentemente utilizados na
6
lp-+- fabricação de diodos túnel são o germânio e o arsenieto de gálio.
5
f\ Região de // A razão lpllv é muito importante em projetos de circuitos digi-
i resistência
tais. Para o germânio, 1O: 1 é o valor típico, e para o arsenieto de

,'
\ / negativa (-R) /
4 gálio, próximo de 20: 1.
3 \\ A corrente de pico, lp, de um diodo túnel, pode variar desde

2 \\
'\,
'/,/

.// Característica do diodo

lv-+- semicondutor superposta
1 ' -h•'' / - - -
0,4 0,6 0,8
t na região de resistência negativa, com os componentes mais fre-
Fig. 20.13 Curva característica de um diodo túnel.
20.5 DIODOS TÚNEL
O diodo túnel foi apresentado pela primeira vez em 1958, por Leo
Esaki. Suas características, mostradas na Fig. 20.13, são diferen-
tes das de qualquer diodo apresentado até então; possuem uma
região de resistência negativa. Nesta região, o aumento da ten-
são nos terminais do dispositivo reduz a corrente.
O diodo túnel é fabricado dopando-se intensamente os mate-
riais semicondutores que irão formar a junção p-n, com um ní-
vel de 100 até 1000 vezes maior do que o empregado em um diodo
semicondutor típico. Isto produz uma região de depleção muito
reduzida, com uma largura da ordem de 10- 6 cm, ou cerca de 1/
100 da largura da região de um diodo semicondutor típico. Nes-
ta fina região de depleção, que muitos portadores podem atra-
vessar (criou-se um "túnel"), observa-se um pico de corrente para
potenciais de polarização reduzidos, como mostrado na curva da
Fig. 20.13. Para efeito de comparação, a curva característica do
diodo semicondutor foi superposta à curva do diodo túnel na Fig.
20.13.
Esta região de depleção reduzida produz portadores "perfu-
radores", com velocidades que superam as dos diodos convenci-
onais. O diodo túnel pode, portanto, ser utilizado em aplicações
de alta velocidade, como, por exemplo, em computadores, onde
se necessita de tempos de chaveamento da ordem de nano ou
picos-segundos.
alguns microamperes até centenas de amperes. A tensão de pico,
entretanto, é limitada em aproximadamente 600 mV. Por isso,
um simples voltímetro, com um potencial de interno de 1,5 V de
uma bateria, pode danificar o diodo túnel, se utilizado inadequa-
damente.
A Fig. 20.14 apresenta o circuito equivalente do diodo túnel
qüentemente utilizados. Os valores dos parâmetros no Quadro
20.1 são especificações do diodo túnel 1N2939. O indutor Ls
surge no modelo equivalente devido principalmente aos leads do
dispositivo. O resistor Rs surge devido aos leads, ao contato
ôhmico na junção lead-semicondutor, e à própria resistência in-
trínseca dos materiais semicondutores. A capacitância C é a
capacitância de difusão na junção, e R é a resistência negativa da
região. Esta característica, resistência negativa, é aproveitada em
osciladores, o que será explicado posteriormente.
Observe que o comprimento do lead citado nas especificações
é de 0,125 pol. Um aumento neste comprimento produz um au-
mento de Ls, Na verdade, foi dado que, para este dispositivo, Ls
varia de 1 a 12 nH, dependendo do tamanho do lead. Em altas
freqüências (XL = 2?Tjl5 ), este fator, L5 , deve ser considerado.
Como Vfi, = 500 m V (típ.) e /direta (máx.) = 5 mA, pode-se dizer
que o diodo túnel é um dispositivo de baixa potência [Pn = (0,5
V) (5 mA) = 2,5 mW], que ainda assim é perfeitamente aplicá-
vel em circuitos digitais (computadores). Uma representação do
dispositivo aparece na Fig. 20.15.
Devido a novas técnicas de fabricação, que sugerem novas
alternativas para o diodo túnel, a aplicação deste último em sis-
temas modernos de alta freqüência está sendo reduzida. Entre-
tanto, sua simplicidade, linearidade, baixo consumo de potência
e confiabilidade ainda fazem dele o dispositivo ideal, em algu-
mas aplicações. A Fig. 20.16 mostra a composição básica de um
diodo túnel, com uma fotografia da junção real.
Na Fig. 20.17, a fonte de tensão e resistência de carga esco-
lhidas definem uma reta de carga que intercepta a curva caracte-
rística do diodo túnel em três pontos. Lembre-se de que a reta de
carga é determinada somente pelo circuito e pelas característi-
cas do dispositivo. As interseções em a e b representam pontos
de operação estável, pois se situam em regiões de resistência

(a) (b)

Fig. 20.14 Diodo túnel: (a) circuito equivalente; (b) símbolos.

o IJil. o
Outros Dispositivos de Dois Terminais 575

tidade em a. Em outras palavras, o ponto e pode ser definido como

Fig. 20.15 Diodo túnel Ge In2939. (Cortesia da Powerex Inc.)
positiva. Ou seja, nos dois pontos de operação, uma leve pertur-
bação no circuito não leva à oscilação ou a uma mudança signi-
ficativa na posição do ponto Q. Por exemplo, se o ponto de ope-
ração definido está em b, uma redução da tensão E da fonte move
o ponto de operação para baixo na curva, já que a tensão no diodo
diminuirá. Quando esta perturbação passar, a tensão no diodo e
a corrente associada retomarão aos níveis definidos pelo ponto
Q em b. Por sua vez, o ponto de operação definido por e é instá-
vel, pois uma pequena variação na tensão ou corrente através do
diodo pode deslocar o ponto Q para a ou b. Por exemplo, uma
elevação muito pequena na tensão E fará com que a tensão no
diodo túnel aumente acima de seu nível em e. Nesta região, en-
tretanto, um aumento em Vr causa uma redução de Ir, que por
sua vez faz com que Vr aumente. O aumento constante de Vr
acarreta uma redução contínua de Ir, e assim por diante. O resul-
tado é o aumento de Vr e uma alteração em Ir até que o ponto de
operação em b seja estabelecido. Uma leve queda na tensão da
fonte resultaria na transição do ponto de operação para a estabi-
o ponto de operação, considerando a técnica de reta de carga, mas,
uma vez energizado o sistema, ele irá eventualmente se deslocar
para a posição a ou b.
A região de resistência negativa em diodos túnel pode ser bem
aproveitada em projetos de osciladores, circuitos de chaveamento,
geradores de pulso e amplificadores.
Na Fig. 20.18a, o oscilador de resistência negativa foi cons-
truído, utilizando-se um diodo túnel. Os elementos no circuito
foram escolhidos para estabelecerem uma reta de carga com a
forma mostrada na Fig. 20.18b. Observe que a única interseção
com a curva ocorre na região instável de resistência negativa -
não é definido um ponto de operação estável. Quando se fecha a
chave, a tensão na fonte vai de O V até o valor final de E volts.
Inicialmente, a corrente Ir cresce de OmA para Ip, e a energia é
armazenada no indutor na forma de campo magnético. Entretan-
to, uma vez atingido o valor Ip, a corrente Ir, segundo a curva
característica, deve agora diminuir com o aumento na tensão no
diodo. Isto é uma contradição se considerarmos que
E = IrR + Ir(-Rr)
e E= Ir (R - RT)
'-.-1
menor menor
Se ambos os elementos da equação acima diminuírem de va-
lor, a equação fica inconsistente (E é fixa). Portanto, para a cor-
rente Ir continuar crescendo, o ponto de operação deve deslocar

QUADRO 20.1 Especificações: Ge IN2939

Mínimo Típico Máximo

Valores máximos absolutos (25ºC)

Corrente direta ( - 55 a + lOO"C) 5mA
Corrente reversa ( - 55 a + 100°C) lOmA
Características elétricas (25°C) (leads 1/8 pol.)
lp 0,9 1,0 1,1 mA
lv 0,1 0,14 mA
Vp 50 60 65 mV
Vv 350 mV
Tensão reversa (IR = 1,0 mA) 30 mV
Ponto de pico de tensão direta, Vw 450 500 600 mV
1/1,, 10
-R -152 n
e 5 15 pF
Ls 6 nH
Rs 1,5 4,0 n

Vedação final
j(sol<lá)

Re,·esli<lo <le Sn _ Suporte de malha

Malha <lc Ni isoladora
Esfera de Sn dopada de As
Cerâmica
Pastilha gravada com Ge

Pedestal Kovar

(a) (bl

Fig. 20.16 Diodo túnel: (a) construção; (b) fotografia. (Cortesia de COM SAT Technical Review, P. F. Varadi e T. D. Kirkendall.)
576 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
o .i. o

E
/ Reta de carga
,.L __ ,_

O V!' Vv E

Fig. 20.17 Diodo túnel e reta de carga resultante.

---o
R L +
E~ Vr

4
3
---0
o E V7

(a) (b)

3 3

4 4

(c)

Fig. 20.18 Oscilador de resistência negativa.

do ponto 1 para o ponto 2. Entretanto, no ponto 2 a tensão V7
assume um valor maior do que a tensão aplicada (o ponto 2 está
à direita de qualquer ponto da reta de carga do circuito). Para
satisfazer a lei das tensões de Kirchhoff, a polaridade da tensão
transiente na bobina é invertida, e a corrente I 7 começa a dimi-
nuir (do ponto 2 para o ponto 3), como mostrado na curva. Quan-
do V 7 cai a V v, a curva característica sugere que a corrente I 7 deva
começar a crescer novamente. Isto é inaceitável, uma vez que V7
é ainda maior do que a tensão aplicada e a bobina está
descarrregando através do circuito. O ponto de operação deve
deslocar-se então para o ponto 4, para permitir que I 7 continue a
diminuir. O processo repetir-se-á mais e mais vezes, e o ponto
de operação para a região instável nunca será estabelecido. A
tensão resultante através do diodo túnel está mostrada na Fig.
20.18c, e continuará enquanto o circuito estiver sendo energiza-
do. O resultado é uma saída oscilatória, produzida por uma fonte
de tensão fixa e um dispositivo com resistência negativa. A for-
ma de onda da Fig. 20.18c possui extensa aplicação em circuitos
de temporização e em lógica computacional.
O diodo túnel, em conjunto com uma fonte de e alguns ele-
mentos passivos, também pode ser utilizado para gerar uma ten-
são senoidal. Na Fig. 20.19a, ao se fechar a chave, teremos na
e .i. o
E
I
R,
e
L
'lil"
---.--
(b)
(a)
D Circuito
·'tanque
..
Fig. 20.19 Oscilador senoidal.
saída uma tensão senoidal que diminui de amplitude com o tem-
po. Dependendo dos elementos empregados, pode-se variar a
freqüência do sinal gerado. Este amortecimento do sinal na saí-
da é devido às características dissipativas dos elementos
resistivos. Colocando-se um diodo túnel em série com o circui-
to-tanque, como mostra a Fig. 20.19c, a resistência negativa do
diodo compensa a característica resistiva do circuito-tanque, re-
sultando em uma resposta não-amortecida na saída, mostrada na
mesma figura. O projeto deve permitir que a reta de carga inter-
cepte a curva característica na região de resistência negativa.
Pode-se dizer que o gerador senoidal da Fig. 20.19 é simplesmen-
te uma extensão do oscilador de pulsos da Fig. 20.18, com a in-
clusão de um capacitor para permitir troca de energia entre o
indutor e o capacitor, durante as várias fases do ciclo descrito na
Fig. 20.18b.
20.6 FOTODIODOS
O interesse em dispositivos sensíveis à luz aumentou com uma
taxa quase que exponencial nos últimos anos. O campo de estu-
do resultante, a opto-eletrônica, será alvo de intensa pesquisa
quando forem feitos esforços no sentido de se incrementar os
níveis de eficiência. Após ampla divulgação na mídia, o público
leigo tomou conhecimento de que fontes de luz podem ser fon-
tes de energia incomparáveis. Esta energia, transmitida em pa-
cotes discretos chamadosfótons, tem seu nível diretamente rela-
cionado com a freqüência da onda de luz que se propaga. Este
nível é determinado, portanto, através da seguinte equação:
1.
!W
1
= Jrf J joules
onde é chamado de constante de Planck e é igual a 6,624 X 10-34
joule-segundo. Daí pode-se concluir que sendo uma constante, a
Outros Dispositivos de Dois Terminais 577
E
I
(e)
energia associada com as ondas de luz incidentes está diretamente
relacionada com a freqüência da onda que se propaga.
A freqüência está, por sua vez, diretamente relacionada ao
comprimento de onda (distância entre picos sucessivos) da onda
pela seguinte equação:
(20.6)
onde A = comprimento de onda, metros
v = velocidade da luz, 3 X 108 rn/s
f = freqüência da onda que se propaga, hertz
O comprimento de onda é normalmente medido em angstroms
(Â) ou micrômetros (µ.m), onde
1Â = 10- 10 m e 1 µm = 10-6 m
O comprimento de onda é um parâmetro importante a ser
considerado porque determina o material a ser utilizado no dis-
positivo opto-eletrônico. A resposta espectral relativa para o Ge,
Si, e selenium é fornecida na Fig. 20.20. O espectro de luz visí-
vel também foi incluído, com a indicação do comprimento de
onda associado a cada cor.
O número de elétrons livres gerados em cada material é pro-
porcional à intensidade de luz incidente. Intensidade de luz é uma
medida da quantidade de fluxo luminoso incidindo sobre deter-
minada área de uma superfície. Fluxo luminoso é, em geral,
medido em lumens (lm) ou watts. As duas unidades são relacio-
nadas por
(20.5) l lm = 1,496 X 10- 10 W
A intensidade de luz é normalmente medida em lrn/ft2, pé-candeia
(footcandles, fc), ou W/m2, onde
578 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

- ......
90 ' \

'
,,,.Germânio

[ 60 i - - - - r - - - - - " l - - -
\
..
.:! Selênio /' \ Silício
] 50
~

30 .f-- -
. ·-·---
/
20 ----~ ,, ____ --,-
/ \
\
OL-~-'-~--'.... a.__-=i.~~...J.._~___l~~....L..~~L-.~.....L~~l-~A
2000 3000 4l!_:OOO5000 • ~ ~ 7000 .18000 9000 10.000 jl.000 12.000 13.000 14.000
'9 " ~
E
·=~ õl Comprimento de onda
Ultravioleta ] ]
> < > <
]
..J >E Infravermelho

Espectro visível

Fig. 20.20 Resposta espectral relativa para o Si, Ge, e selenium comparada ao olho humano.

1 lm/ft2 = 1 fc = 1,609 X 10- 9 W/m2 Lembre do Cap. 1 que a corrente de saturação reversa é, por
via de regra, inferior a poucos microamperes. Ela surge devido
O fotodiodo é um dispositivo semicondutor de junção p-n, cuja
apenas aos portadores minoritários termicamente gerados nos
região de operação é limitada à condição reversa. A configura-
materiais n e p. A aplicação de luz na junção provoca uma trans-
ção básica de polarização, fabricação, e símbolos para o disposi-
ferência de energia das ondas de luz incidentes (na forma de fó-
tivo aparecem na Fig. 20.21.
tons) à estrutura atômica, aumentando, com isto, o número de
portadores minoritários e conseqüentemente o nível de corrente

/). (µA)

-40 -30 -20 -10 o VT

V).
R

-200
+
V
(a) -400

+ V).
-600

-800

(b)

Fig. 20.21 Fotodiodo: (a) configuração de polarização básica e fabricação; (b)

símbolo. Fig. 20.22 Curvas características para o fotodiodo.
 e lli1: e
Outros Dispositivos de Dois Terminais 579

Fig. 20.23 Fotodiodos. (Cortesia EG&G VACTEC Inc.)

reversa. Este efeito é claramente mostrado na Fig. 20.22 para
diferentes níveis de intensidade. A corrente escura é o nível de
corrente na situação em que não há iluminação. Observe que a
corrente somente vai a zero com um potencial de polarização
positivo igual a Vr. A Fig. 20.21 demonstra o uso de lentes para
concentrar a luz na região de junção . A Fig. 20.23 apresenta al-
guns fotodiodos disponíveis comercialmente.
O espaçamento quase idêntico entre as curvas, para um mes-
mo incremento no fluxo luminoso, revela que a corrente reversa
e o fluxo luminoso possuem uma relação quase linear. Em ou-
tras palavras, um aumento na intensidade da luz resulta em um
I,. (µA)
aumento proporcional na corrente reversa. A Fig. 20.24 mostra
um gráfico entre as duas grandezas para verificar esta relação
linear, em uma tensão fixa VÀ de 20 V. De maneira aproximada,
podemos assumir que a corrente reversa é essencialmente zero
na ausência de luz incidente. Como os tempos de subida e de
descida (parâmetros de mudança de estado) são muito pequenos
para este dispositivo (na faixa de nanossegundos), o dispositivo
pode ser utilizado em circuitos de chaveamento ou contadores
de alta velocidade. Retomando à Fig. 20:20, observamos que o
Ge abrange uma faixa maior de comprimentos de onda do que o
Si. Esta característica possibilita sua utilização para comprimen-
tos de onda na região infravermelha, região espectral em que se
situam as ondas geradas por lasers e fontes de luz IV (infra-
vermelha), a ser descrita em breve. Obviamente, o Ge apresenta
uma corrente escura mais alta do que o silício, mas também um

/'
800 r----------7,
// 1 1
1 1
·"'"'[ 1 1 1
600 1 1
f/'' 1 1
Fonte~ 1
/.,. de luz :· Detector com
1
400
r/ "' 1 1
-fotodiodo

f 1 Feixe
;!"' 1 de luz
,,,,.l 1
200 1
/_,.r' 1
1 1
,,c"r l .,,
Corrente escura
Entrada
o 1000 2000 3000 4000 5000 fc

Fig. 20.24 IA (µA) versus t~ (em li, = 20 V) para o fotodiodo da Fig. 20.22. Fig. 20.25 Aplicação de um fotodiodo em um sistema de alarme.
 580 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos o 111. o

Detector com fotodiodo

R (escala log)
/
Feixe ~e luz ,.e!:µ lOOkn
(Características médias)

Fonte de luz
'--
~
l;..:d'.? '
m-
~··
cY cY cY lOkn '
Fig. 20.26 Utilizando um fotodiodo em um sistema de contagem.
r-,,
1 kil
,__
,__
nível mais elevado de corrente reversa. O nível de corrente gera-
do pela luz incidente em um fotodiodo é tal que ainda não pode
ser aproveitado para um controle direto, mas pode ser amplifica-
0,1 kil
0,1 1,0 10
tf
100
,__

do para este fim.
Na Fig. 20.25, o fotodiodo é empregado em um sistema de alar-
me. A corrente reversa IA fluirá até o instante em que o feixe de luz
é interrompido. Se interrompido, IA cai, e a corrente que passa a
circular é a corrente escura, soando o alarme. Na Fig. 20.26 um
fotodiodo é utilizado para contar os itens em uma esteira de rola-
mento. Quando o item passa, o feixe de luz é interrompido, e IA cai
ao nível da corrente escura, incrementando o contador.
20.7 CÉLULAS FOTOCONDUTIVAS
A célula fotocondutiva é um dispositivo semicondutor de dois
terminais, cuja resistência entre os terminais varia (linearmente)
com a intensidade de luz incidente. Por motivos óbvios, é nor-
malmente denominada dispositivo fotorresistivo. A Fig. 20.27
mostra uma célula fotocondutiva típica e o símbolo gráfico mais
adotado para o dispositivo.
Os materiais fotocondutivos mais freqüentemente utilizados
são o sulfeto de cádmio (CdS) e o seleniureto de cádmio (CdSe).
O pico da resposta espectral para o CdS ocorre em cerca de 5100
Â, e para o CdSe em 6150 Á, como mostra a Fig. 20.20. O tem-
po de resposta dos dispositivos de CdS é de aproximadamente
100 ms e 10 ms para as células de CdSe. A célula fotocondutiva
1000 Iluminação
(pés-candeias)
Fig. 20.28 Curva característica para os terminais da célula fotocondutiva (GE
tipo B425).
não tem uma junção como a do fotodiodo. Uma camada fina do
material conectado entre os terminais é simplesmente exposta à
energia da luz incidente.
À medida que a iluminação sobre o dispositivo aumenta de
intensidade, o estado de energia de um grande número de elé-
trons na estrutura também aumenta, devido à maior disponibili-
dade de fótons de energia. O resultado é o aumento no número
de elétrons relativamente "livres" na estrutura e uma redução do
valor da resistência entre terminais. A curva de sensibilidade para
um dispositivo fotocondutivo típico aparece na Fig. 20.28. Ob-
serve a linearidade (quando traçada em um gráfico log-log) da
curva resultante e a grande variação na resistência (100 kfi -
100 fi) para a faixa indicada de iluminação.
Uma aplicação do dispositivo bem simples, mas interessante,
aparece na Fig. 20.29. O objetivo do sistema é manter V0 em um
nível fixo, mesmo que V; flutue em torno do seu valor nominal.
Como indicado na figura, a célula fotocondutiva, o bulbo e o resistoi:'
fazem parte deste sistema regulador de tensão. Se V; tivesse de cair
em amplitude por uma série de razões, o brilho do bulbo também
diminuiria. A redução na iluminação resultaria em um aumento na
resistência (R>.) da célula fotocondutiva mantendo V0 em seu nível
nominal, determinado pela regra do divisor de tensão; ou seja,

V - .· RAVi ..
() -:-.··ll{+R1 (20.7)

Tentando demonstrar a qualidade do material disponível para

cada dispositivo implementado pelos fabricantes, considere a
célula fotocondutiva de CdS (sulfeto de cádmio) descrita na Fig.

(a) R1

+ +
Luz
V; ~ Vº

(b)
Fig. 20.27 Célula fotocondutiva: (a) aspecto; (b) símbolo. [(a) Cortesia da Inter-
national Rectifier Corporation.] Fig, 20.29 Regulador de tensão empregando uma célula fotocondutiva.
 o llll. o
Outros Dispositivos de Dois Terminais 581

100
90

80
70
...
"g 60

~
·;1 50
=
...
<ll
40
~
30
20
10

o
4000 À 6000 À 8000 À 10.000. À
Comprimento de onda (Á)

Variação da Conduünda
Com a Temperatura e a Luz
Pés-Candeias 0,01 0,1 1,0 10 100
Temperatura % Condutdncia
-25'C 103 104 104 102 106
o 98 102 102 100 103

SO"C 98 102 103 104 99

75'C 90 106 108 109 104

Tempo de Resposta Versus Luz

Pés-Candeias 0,01 0,1 1,0 10 100

Subida (segundos) 0,5 0,095 0,022 0,005 0,002
Decaída (segundos) 0,125 0,021 0,005 0,002 0,001

Fig. 20.30 Características de uma célula fotocondutiva de CdS da Clairex. (Cortesia da Clairex Electronics.)

20.30. Observe novamente a preocupação com a temperatura e

tempo de resposta.

20.8 EMISSORES DE IV
Diodos emissores de infravermelho são dispositivos de estado
sólido, de arseneto de gálio, que emitem um feixe de fluxo radi-
ante quando diretamente polarizados. A fabricação básica do
dispositivo é mostrada na Fig. 20.31. Quando a junção está dire-
+
tamente polarizada, elétrons da região n recombinam-se com os
buracos excedentes do material p, em uma região de recombi- Fig. 20.31 Estrutura geral de um diodo semicondutor emissor de IV. (Cortesia
nação especialmente projetada, situada entre os materiais tipos da RCA Solid State Division.)

p e n. Durante este processo de recombinação, certa quantidade

de energia é irradiada para fora do dispositivo na forma de fó-
tons. Estes fótons gerados serão reabsorvidos na estrutura ou
deixarão a superfície do dispositivo como energia radiante, como
mostra a Fig. 20.31.
A Fig. 20.32 mostra o fluxo radiante em mW versus a corren-
te direta de de um dispositivo típico. Observe que há uma rela-
ção quase linear entre os dois parâmetros. A Fig. 20.33 apresen-
ta um diagrama interessante para estes dispositivos. Observe que
para dispositivos com um sistema de colimação interna, o dia-
grama é muito estreito. Tal dispositivo aparece na Fig. 20.34, com
sua construção interna e símbolo gráfico. Leitoras de cartões e
fitas de papel, codificadores, sistemas de transmissão de dados,
e alarmes contra invasão são algumas das áreas em que este dis-
positivo pode ser empregado.
20.9 DISPLAYS DE CRISTAL LÍQUIDO
O display de cristal líquido (LCD) possui uma vantagem impor-
tante em relação ao LED: exige menos potência para o seu fun-
582 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Temperatura do encapsulamento ( Te) = 27"C

10

,·
!.,.•
..,.·
b·· ,•..
<:fí.<5"
.,,~.&
,,,;,1.,,. .......... /
.. •

o
o 20 40 60 80 100 120
r,. - Corrente de direta - mA

Fig. 20.32 Fluxo radiante típico versus corrente direta de para um diodo emissor Ângulo de radiação (graus)
de N. (Cortesia RCA Solid State Division.)
Fig. 20.33 Diagramas de intensidade radiante de diodos emissores de IV da RCA.
(Cortesia RCA Solid State Division.)

cionamento. O nível necessário é da ordem de microwatts para o

display, enquanto que para o LED o nível de potência exigido lêmica, pois os LCDs podem quimicamente se degradar. Os ti-
está na faixa de miliwatts. Este dispositivo, entretanto, necessita pos alvo de maior interesse são os dispositivos de efeito de cam-
de uma fonte de luz externa ou interna, é limitado à faixa de tem- po e de espalhamento dinâmico. Estes dois tipos serão analisa-
peratura de cerca de Oº até 60ºC, e sua vida útil é motivo de po- dos com um certo nível de detalhes.

Resina epóxi .

Superfície
Direção 1 -"-- parabólica
refletora
do fluxo ,, - - • -
radiante
Emissor

(a)

(e)

Aprox. 2Xo
tamanho real

(b)

Fig. 20.34 Diodo emissor de IV da RCA: (a) fabricação; (b) foto; (e) símbolo. (Cortesia RCA Solid State Division.)
 e .,;i. o
Outros Dispositivos de Dois Terminais 583

/\s
Luz incidente

Espaçador-
e lacre

Fig. 20.35 Cristal líquido nemático sem tensão aplicada.

Luz incidente

s 2 0
Região transparente

Espaçador
e lacre

Fig. 20.36 Cristal líquido nemático com tensão aplicada.

O cristal líquido é um material (normalmente orgânico para líquido. Para mostrar o número 2, p. ex., os terminais 8, 7, 3, 4,
LCDs) que flui como um líquido, mas com uma estrutura mole- e 5 seriam energizados e apenas as regiões correspondentes fi-
cular com algumas propriedades normalmente associadas aos cariam opacas, enquanto as outras áreas permaneceriam trans-
sólidos. Para os dispositivos de espalhamento de luz, o maior parentes.
interesse está no cristal líquido nemático, com a estrutura do Como indicado anteriormente, o LCD não gera sua própria
cristal mostrada na Fig. 20.35. As moléculas individuais apre- luz, dependendo de uma fonte externa ou interna. Sem ilumina-
sentam o aspecto de um bastão, como mostrado na figura. A su- ção externa, será necessário para o dispositivo ter sua própria luz
perfície condutora de óxido de índio é transparente e, sob as con- interna, posicionada atrás ou ao lado do LCD. Durante o dia, ou
dições mostradas na figura, a luz incidente passa através da es- em áreas iluminadas, pode ser colocado um refletor atrás do LCD
trutura sem ser obstruída pelo cristal líquido. Se uma tensão (para para refletir a luz através do display, melhorando assim a ilumi-
os dispositivos comerciais, o nível de limiar situa-se normalmente nação. Para uma operação ainda melhor, alguns fabricantes de
entre 6 a 20 V) for aplicada aos terminais da superfície conduto- relógio estão utilizando uma combinação dos modos transmissivo
ra, como mostrado na Fig. 20.36, o arranjo molecular é pertur- (fonte própria de luz) e refletivo, chamada transfletivo.
bado, estabelecendo regiões com diferentes índices de refração.
A luz incidente é, portanto, refletida em diferentes direções na
interface entre regiões de diferentes índices de refração (fenôme-
no chamado - espalhamento dinâmico - inicialmente estuda-
do pela RCA em 1968). A conseqüência disto é que na região
em que a luz é espalhada o aspecto é o de um vidro fosco. Obser-
ve na Fig. 20.36, entretanto, que o vidro fosco aparece somente
onde as superfícies condutoras são opostas entre si, e que as de-
mais áreas permanecem translúcidas.
Um dígito em um display LCD pode ter o aspecto de segmen-
tos mostrado na Fig. 20.37. A área escura é na verdade uma su-
perfície condutora conectada aos terminais inferiores para o con- 12345678
trole externo. Duas máscaras semelhantes são colocadas em la-
dos opostos de uma camada espessa selada de material de cristal Fig. 20.37 LCD com dígitos de oito segmentos.

584 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
Polarização horizontal não
consegue passar através
do polarizador vertical
Fig. 20.38 LCD transmissivo de efeito de campo sem tensão aplicada.
O LCD de efeitos de campo ou nernático apresenta o mesmo
aspecto de segmentos e a mesma fina camada de cristal líquido
encapsulado, mas seu modo de operação é muito diferente. Se-
melhante ao LCD de espalhamento dinâmico, o efeito de campo
pode ser operado no modo refletivo ou transmissivo com uma
fonte interna. O display transmissivo aparece na Fig. 20.38. A
fonte de luz interna está à direita e o observador à esquerda. A
diferença mais perceptível nesta figura em relação à Fig. 20.35 é
a inclusão de um polarizador de luz. Só a componente vertical
da luz incidente na direita consegue passar através do polarizador
vertical de luz. No LCD de efeito de campo, ou a superfície con-
dutora transparente na direita é quimicamente gravada, ou um
filme orgânico é aplicado para orientar as moléculas no cristal
líquido no plano v~rtical, paralelo à parede da célula. Observe
os bastões na extremidade direita do cristal líquido. A superfície
condutora oposta é também tratada, para assegurar que as molé-
culas estejam 90º fora de fase na direção mostrada (horizontal),
mas ainda paralelas à parede da célula. Entre as duas paredes do
cristal líquido há uma mudança gradativa de uma polarização para
a outra, como mostra a figura. O polarizador de luz do lado es-
querdo também só permite a passagem de luz verticalmente po-
larizada. Se não houver tensão aplicada nas superfícies
condutoras, a luz verticalmente polarizada entra na região de
cristal líquido e segue a inclinação de 90º da estrutura molecu-
lar. Sua polarização horizontal, no polarizador vertical de luz do
lado esquerdo, não permite que o atravesse, e o observador vê
um diagrama uniformemente escuro em todo o display. Quando
uma tensão limiar é aplicada (2 a 8 V em dispositivos comerci-
ais), as próprias moléculas (com aspecto de bastão) alinham-se
com o campo (perpendicular à parede), e a luz passa sem obstá-
culos, sem o deslocamento de 90º. A luz incidente pode então
passar diretamente através da segunda tela verticalmente polari-
zada, e uma porção da luz é vista pelo observador. Por meio de
uma excitação apropriada dos segmentos de cada dígito, o visor
observado será o mostrado na Fig. 20.39. O efeito de campo tipo
refletivo é mostrado na Fig. 20.40. Neste caso, a luz horizontal-
mente polarizada no extremo esquerdo encontra um filtro hori-
Fig. 20.39 LCD tipo refletivo. (Cortesia RCA Solid State Division.)
o .,.
Polarizadores verticais da luz
Vidro
Luz incidente
Superfícies condutoras transparentes
onde são aplicadas as
tensões de polarização
Bastão vertical } do cristal tíq uido
Bastão horizontal
Lacre e espa~ador
Vidro
Luz incidente
Refletor ~
):> Olho
Superfícies condutoras transparentes
~__.__ _____.____ ~Polarizador de luz vertical
1
Polarizador de luz horizontal
Fig. 20.40 LCD refletivo de efeito de campo sem tensão aplicada.
zontalmente polarizado, conseguindo atravessá-lo. Depois é re-
fletida pelo refletor de volta para o cristal líquido, passa a ter
polarização vertical e retorna ao observador. Se não houver ten-
são aplicada, o display fica uniformemente aceso. Com a aplica-
ção de uma tensão, a luz incidente verticalmente polarizada en-
contra um filtro horizontalmente polarizado na esquerda e não
consegue atravessá-lo. O resultado é uma área escura no cristal,
e o visor fica com o aspecto da Fig. 20.41.
Os LCDs de efeito de campo são normalmente utilizados
quando a energia em um dispositivo é fator primordial (p. ex.,
em relógios, instrumentação portátil etc.), já que eles absorvem
uma potência consideravelmente menor (na faixa de microwatts)
do que os displays de espalhamento de luz (na faixa de miliwatts ).
O custo das unidades de efeito de campo é normalmente maior,
e sua altura é limitada em aproximadamente 2 pol., enquanto que
as unidades de espalhamento de luz estão disponíveis com altu-
ras de até 8 pol.
Outra característica a ser considerada em displays é o tempo
de ativação e de desativação. Os LCDs são tipicamente mais len-
Fig. 20.41 LCD tipo transmissivo. (Cortesia RCA Solid State Division.)
o .i. o
Outros Dispositivos de Dois Terminais 585

tos do que os LEDs. Os LCDs apresentam tempos de resposta I

que se situam na faixa de 100 a 300 ms, enquanto os LEDs pos-
suem tempos de resposta inferiores a 100 ns. Entretanto, há vá- Curva ºescura",
rias aplicações, relógio, p. ex., em que a diferença entre 100 ns e não há luz
100 ms (1/10 do segundo) não tem a menor importância. Em tais incidente
aplicações, a demanda de potência reduzida do LCD é uma ca-
racterística bastante atrativa. A. vida útil dos LCDs está constan-
temente aumentando, e já passa do limite de 10.000 horas. Como
a cor gerada pelos LCDs depende da fonte de iluminação, há uma
grande variedade de cores que podem ser escolhidas.

20.10 CÉLULAS SOLARES V

Nos últimos anos, vem crescendo o interesse em fontes alterna-

tivas de energia, como, p. ex., a célula solar. Quando considera-
mos que a densidade de potência recebida do sol ao nível do mar
é aproximadamente 100 mW/cm2 (1 kW/m2), verificamos que
esta fonte de energia não pode ser desprezada, e pesquisas e de-
senvolvimentos devem ser realizados no sentido de maximizar a
--------~-=-------e
Intensidade de luz.fc 1

eficiência da conversão entre energias solar e elétrica.

A Fig. 20.42 mostra a constituição básica de uma célula solar
de silício de junção p-n. Como mostrado na vista superior, todo
esforço é feito para assegurar que a área da superfície perpendi-
cular aos raios solares incidentes seja máxima. Observe também Fig. 20.43 Corrente de curto-circuito e tensão de circuito aberto versus intensi-
que o condutor metálico conectado ao material tipo p, e a espes- dade de luz para uma célula solar.
sura do material tipo p são tais que eles asseguram que um nú-
mero máximo de fótons alcance a junção. Um fóton de energia
luminosa nesta região pode colidir com o elétron de valência, e
conferir a este energia suficiente para deixar o átomo-pai. O re-
sultado é a geração de elétrons livres e buracos. Este fenômeno Voe Ou lsc
ocorrerá em cada lado da junção. No material tipo p, os elétrons
recentemente gerados são portadores minoritários e se moverão
livremente através da junção, como explicado para a junção p-n Voc2
básica sem tensão aplicada. Uma consideração semelhante para
os buracos gerados no material tipo n pode ser feita. O resultado Voei
é o aumento de fluxo de portadores minoritários, que se opõe em
direção à corrente direta convencional de uma junção p-n. Este
aumento na corrente reversa é mostrado na Fig. 20.43. Como V lsc2
= Oem qualquer ponto do eixo vertical, representando uma condi-
ção de curto-circuito, a corrente nesta interseção é chamada cor- lsc1
rente de curto-circuito e é representada pela notação lsc· Sob
condições de circuito aberto (id = 0), a tensão fotovoltaica V0 c
será a tensão resultante. A tensão é função logarítmica da ilumi- fc 1 fc2 Iluminação
nação, como mostra a Fig. 20.44. V00 é a tensão nos terminais de
uma bateria sem a presença de carga (condições de circuito aber- Fig. 20.44 Vem e /e,. versus iluminação para uma célula solar.

Luz solar incidente

Anel de
contato
externo Anel de
\o------Í~;::~;=::;=.~. Vidro contato
externo
+ --Junção
Voe

Contato metálico

(a) (b)

Fig. 20.42 Célula solar: (a) seção transversal; (b) vista superior.
586 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos a .-i. o

Selênio e silício são os materiais mais utilizados em células

% Resposta
solares, embora se empregue também arseneto de gálio, arseneto
100 de índio, sulfeto de cádmio, entre outros. O comprimento de onda
da luz incidente afeta a resposta da junção p-n quando excitada
pelos fótons incidentes. Observe na Fig. 20.45 o quão semelhan-
75 te é a curva de resposta da célula de selênio em relação à curva
Sell!nio Silício do olho humano. Esta característica é muito aproveitada em equi-
50 pamentos fotográficos, como, p. ex., em medidores de exposi-
-._Espectro ção e diafragmas automáticos de exposição. A célula de silício
visível também cobre o espectro visível, mas o pico de sua curva ocorre
25 no comprimento de onda de 0,8 µ,m (8000 Á), ou seja, na região
de infravermelho. Em geral, o silício apresenta níveis de efici-
ência de conversão e estabilidade maiores, e é menos suscetível
2000 4000 6000 8000 10.000 12.000 , À. (Á) à fadiga. Ambos os materiais possuem excelente comportamen-
to diante de variações de temperatura. Ou seja, eles conseguem su-
Fig. 20.45 Resposta espectral do Se, Si, e olho humano.
portar temperaturas extremas, baixas ou altas, sem apresentar uma
queda significativa da eficiência Células solares típicas, com suas
características elétricas, são mostradas na Fig. 20.46. ·
to). Observe na mesma figura, entretanto, que a corrente de cur- A Fig. 20.47 mostra uma inovação bem recente na utilização
to-circuito é função linear da iluminação. Ou seja, a corrente de células solares. A colocação em série de células solares pro-
dobra para o mesmo aumento na iluminação ifc1 e 2/c1 na Fig. duz uma tensão resultante acima do nível obtido com um elemen-
20.44), enquanto que para V0 e, nesta mesma região, a variação é to somente. A performance de um arranjo de quatro células típi-
menor. O aumento de Voc é maior em níveis menores de ilumina- co aparece na mesma figura. Para uma corrente de mais ou me-
ção. Eventualmente, um aumento adicional na iluminação pro- nos 2,6 mA, a tensão de saída é cerca de 1,6 V, resultando em
vocará uma alteração muito pequena em V0 e, embora/"' aumen- uma potência de saída de 4,16 mW. O diodo de barreira Schottky
te, elevando a disponibilidade de potência. foi utilizado para evitar o dreno de corrente da bateria pelo conversor

Características Elétricas

Cód.N.• Área Tensão de Corrente Mínima

Ativa Teste para Tensão de Teste
3013 0,032 pol2 (0,21 cm2) 0,4 V 4,2 mA
3014 0,065 pol' (0,42 cm2) 0,4 V 8,4mA
3024 0,29 pol2 (1,87 cm') 0,4 V 38mA
3064 0,325 pol' (2,1 cm 2) 2V 8,4mA

Fig. 20.46 Células solares típicas e suas características elétricas. (Cortesia EG&G V ACTEC Inc.)
a 9lil. a
Outros Dispositivos de Dois Terminais 587

Arranjo de quatro células típico, com diodo Schottky

(Performance de Tensão vs. Corrente)
3,4
3,2
3,0
2,8
2,6 4-células: 0,490 x 0,255 pol (12,44 x 6,48 mm)
Medido em 1 Sun
2,4
100 mW/cm2 , AM 1 radiaçãc:, solar

< 2,2 ---1 1 1--···+-····--t----

_§, 2,0 Diodo prcuito 1para enfrgia so~r
Schottky
i"' 1,8
.
<ll

"O
1,6 Bateria
recarregável
E 1,4
ê 1,2
8
1,0
0,8
0,6 - Converso,'l-"'.---t---+·1-...........J
de energi
0,4 -- solar
0,2

o 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0
Tensão de saída (V)

(a) (b)

Fig. 20.47 Retificador lnternational com arranjo de quatro células: (a) aspecto; (b) características. (Cortesia da International Rectifier Corporation.)

Seria de interesse observar que aLockheedMissiles e a Space Com-

pany foram incumbidas pelaNational Aeronautics and Space Adminis-
tration (NASA) de desenvolver uma asa maciça para umaespaçonave,
composta de arranjos de células solares. A asa medirá 4 m por 32 m
e conterá 41 painéis, cada um carregando 3060 células solares de
silício. A asa pode gerar um total de 12,5 kW de potência elétrica.
A eficiência de operação de uma célula solar é determinada
pela potência elétrica obtida na saída. dividida pela potência for-
necida pela fonte de luz. Ou seja.

(20.8)

Tipicamente, os níveis de eficiência variam entre 10 e 40%

- nível que deve melhorar sensivelmente se o atual interesse no
dispositivo persistir. A Fig. 20.48 mostra um conjunto de carac-
terísticas de saída para células solares de silício de 10% de efici-
ência, com uma área ativa de 1 cm2 • Observe o locus da potência
ótima e o aumento quase linear da corrente de saída com a vari-
ação do fluxo luminoso para uma determinada tensão.

Fig. 20.48 Características de saída típicas para a célula solar de silício de 10%
de eficiência possuindo uma área ativa de 1 cm2• A temperatura da célula é 30"C.
de potência. Ou seja, a resistência do diodo Schottky é tão alta para
a carga que flui através ( + para o - ) do conversor de potência, que
o diodo se comporta como se fosse um circuito aberto para a bate-
ria recarregável, não drenando, portanto, corrente desta.
20.11 TERMISTORES
O termistor é, como o nome sugere, um resistor sensível à tem-
peratura; ou seja, a resistência apresentada entre seus terminais
está relacionada com a temperatura de sua estrutura. Não é um
dispositivo de junção, e é composto de Ge, Si, ou uma mistura
de óxidos de cobalto, níquel, estrôncio ou manganês. O compos-
to utilizado determinará se o coeficiente de temperatura do dis-
positivo é positivo ou negativo.
A curva característica de um termistor representativo, com
coeficiente de temperatura negativo, é fornecida na Fig. 20.49,
 588 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos o ~ o

Resistência específica (ohm-cm, a resistência

entre faces de 1 cm 3 do material)
(escala log)

108
1 1 1 1 1
1()6 Terrnistor N~ 1 da - ..__
Fenwal eletronics
104
........ , •• w

1()0

10-2 (b)
t0-4

I0-6
-100 o 100 200 300 400 Temperatura ("C)
20º

(a)

Fig. 20.49 Termistor: (a) curva característica típica; (b) símbolo.
com o símbolo normalmente empregado para o dispositivo. Ob-
serve, em particular, que na temperatura ambiente (20ºC) are-
sistência do termístor é aproximadamente 5.000 !1, e a lOOºC
(212°F), a resistência diminui para 100 !1. Uma variação na tem-
peratura de 8ü°C resultou, portanto, em uma alteração de 50: 1
no valor da resistência. A variação é de 3 a 5% por grau Celsius.
Há, fundamentalmente, duas formas de variar a temperatura do
dispositivo: internamente e externamente. Uma simples variação
da corrente através do dispositivo produz uma alteração no va-
lor da temperatura interna. Uma tensão aplicada de pequena
amplitude resulta em uma corrente muito pequena para elevar a
temperatura da estrutura acima da temperatura externa. Nesta
região, como mostra a Fig. 20.50, o termístor comporta-se como
um resistor e tem um coeficiente de temperatura positivo. Entre-
tanto, quando a corrente aumenta, a temperatura se eleva até o
ponto em que o coeficiente de temperatura se toma negativo,
como mostrado na Fig. 20.50. Esta característica de variação da
resistência com a variação do fluxo de corrente tem uma grande
aplicação na área de controle, técnicas de medidas, e assim por
Fig. 20.51 Vários tipos de termistores: ( 1) filetes; (2) pontas de vidro; (3) pontas
e filetes intercambiáveis de isocurvas; (4) discos; (5) arruelas; (6) bastões; (7)
filetes especialmente montados; (8) pontas de vácuo e preenchidas de gás; (9)
pontas de armação especial. (Cortesia da Fenwall Electronics, Incorporated.)
V Indicador de temperatura
Fig. 20.52 Circuito indicador de temperatura.
diante. Uma variação da temperatura do dispositivo realizada
externamente seria feita com a variação da temperatura do meio
que o circunda, mergulhando, p. ex.: o dispositivo em uma solu-
ção quente ou fria.
A Fig. 20.51 mostra uma fotografia em que aparecem vários
terrnistores disponíveis comercialmente. A Fig. 20.52 apresenta
um circuito indicador de temperatura simples. Qualquer aumen-
to de temperatura no meio circundante provoca uma redução da
resistência do termístor, e um conseqüente aumento na corrente
Ir- A elevação da corrente Ir produz um movimento de deflexão
crescente, que, quando calibrado apropriadamente, é capaz de
indicar de forma precisa o aumento da temperatura. A resistên-
cia variável foi incluída no circuito para efeitos de calibração.

€ 10

] PROBLEMAS
j
e. 1,0 § 20.2 Diodos de Barreira Schottky (Portadores
Quentes)

1. (a) Descreva com suas palavras sob que ponto de vista a fabri-
cação do diodo de portadores quentes é significativamente
10-5 10-3
diferente do diodo semicondutor convencional.
Corrente (A) (b) Além disso, descreva seu modo de operação.
2. (a) Consulte a Fig. 20.2 e compare as resistências dinâmicas dos
Fig. 20.50 Características de tensão-corrente em estado estacionário do termistor diodos na região de polarização direta.
BK65VI da Fenwal Electronics. (Cortesia da Fenwal Electronics, Incorporated.) (b) Compare os níveis de /, e V,.

3. Referindo-se à Fig. 20.5, qual é a relação entre a sobrecorrente
máxima IFsM e a corrente direta retificada? A relação é normal-
mente maior do que 20: 1? Por que é possível obter-se estes ní-
veis elevados de corrente? Qual é a diferença notável existente
na fabricação de dispositivos de correntes nominais maiores?
4. Referindo-se à Fig. 20.6a, em qual temperatura a queda de tensão
direta é de 300 mV, para uma corrente de 1 mA? Quais níveis de
corrente apresentam os coeficientes de temperatura mais altos?
Assuma uma progressão linear entre os níveis de temperatura.
*5. Para a curva da Fig. 20.6b indicada por 2900/2303, determine a
variação percentual de IR, quando se varia a tensão reversa de 5 para
1OV. Para qual valor de tensão reversa espera-se obter uma corrente
reversa de 1 µA? Lembre-se de que a escala de IR é logarítmica.
*6. Determine a variação percentual na capacitância entre Oe 2 V para
a curva 2900/2303 da Fig. 20.6c. Compare com a variação exis-
tente entre 8 e 10 V.
§ 20.3 Diodos Varactor (Varicap)
7. (a) Determine a capacitância de transição de um diodo varicap
de junção difusa em um potencial reverso de 4,2 V, se C(O)
= 80pFe VT= 0,7V.
(b) Do resultado da letra (a), determine a constante K na Eq.
(20.2).
8. (a) Para um diodo varicap com as características apresentadas
na Fig. 20.7, determine a diferença no valor da capacitância
entre os potenciais de polarização reversa de - 3 V e - 12 V.
(b) Determine a taxa de variação (LiC/Li V) em V= -8 V. Com-
pare este valor com a taxa de variação obtida em V= -2 V.
*9. (a) A freqüência de ressonância de um circuito RLC série é
determinada por.fo = 1 (27r..fic). Utilizando o valor de.fo e
L, fornecido na Fig. 20.9, determine o valor de C.
(b) Compare o valor calculado na letra (a) com o determinado
pela curva na Fig. 20.10 em VR = 25 V.
10. Referindo-se à Fig. 20.10, determine a razão entre as capacitâncias
dos potenciais VR = 3 V e VR = 25 V e compare com o valor de
C/C25 dado na Fig. 20.9 (máximo = 6,5).
11. Determine T1 para um diodo varactor se C0 = 22 pF, TCc = 0,02%/
ºC, e LiC = 0,11 pF devido a um aumento na temperatura acima
de T0 = 25ºC.
12. Baseando-se nas Figs. 20.9 e 20.10, do diodo varactor BB139,
estime para que faixa de valores de VR a variação da capacitância
com a tensão reversa é maior. Observe que as escalas utilizadas
não são lineares.
* 13. Se Q = XJR = 27ifl}R, determine a figura de mérito (Q) em 600 MHz,
considerando que Rs = 0,35 !1 e Ls = 2,5 nH. Comente a variação
de Q com a freqüência e a confirmação ou não da curva na Fig. 20.1 O.
§ 20.4 Diodos de Potência
14. Consulte as especificações dadas pelo fabricante, e compare as
características de um dispositivo de alta potência (> 1OA) com as
de um componente de baixa potência (< 100 mA). Os dados e ca-
racterísticas fornecidos são significativamente diferentes? Porquê?
§ 20.5 Diodos Túnel
15. Quais são as diferenças principais entre um diodo semicondutor
de junção e um diodo túnel?
* 16. Observe no circuito equivalente da Fig. 20.14 que o capacitar
aparece em paralelo com a resistência negativa. Determine a
reatância do capacitor em 1 MHz e 100 MHz se C = 5 pF, e de-
termine a impedância total da combinação paralela (com R =
-152 !1) em cada freqüência. O valor da reatância indutiva é
relevante em algumas dessas freqüências se Ls = 6 nH?
*17. Por que você acredita que a máxima corrente reversa nominal do
diodo túnel pode ser maior do que a corrente nominal direta? (Su-
gestão: Veja as características e considere a potência nominal.)
Outros Dispositivos de Dois Terminais 589
18. Determine a resistência negativa para o diodo túnel da Fig. 20.13
entre VT = 0,1 V e VT = 0,3 V.
19. Determine os pontos de operação estável para o circuito da Fig.
20.17 se E= 2 V, R = 0,39 kil, e o diodo túnel da Fig. 20.13 for
empregado. Use valores típicos do Quadro 20.1.
*20. Para E= 0,5 VeR = 51 !1, esboce vT para o circuito da Fig. 20.18
e o diodo túnel da Fig. 20.13.
21. Determine a freqüência de oscilação para o circuito da Fig. 20.19
se L = 5 mH, RI = 10 n, e C = 1 µF.
§ 20.6 Fotodiodos
22. Determine a energia associada com os fótons da luz verde, de
comprimento de onda igual a 5000 Á. Dê sua resposta em joules
e em elétron-volts.
23. (a) Baseado na Fig. 20.20, estime quais valores de freqüência
estão associados com os limites inferior e superior do espec-
tro visível.
(b) Qual é o comprimento de onda em mícrons associado ao pico
da resposta relativa do silício?
(e) Se definirmos a banda passante da resposta espectral de cada
material como sendo a faixa de freqüência em que a respos-
ta está acima de 70% do valor de pico, qual é a banda pas-
sante do silício?
24. Referindo-se à Fig. 20.22, determine IA para VA = 30 V e intensi-
dade da luz igual a 4 X 10- 9 W/m2 •
25. (a) Qual material da Fig. 20.20 parece apresentar a melhor res-
posta às fontes de luz amarela, vermelha, verde e infraver-
melha (menor do que 11.000 Á)?
(b) Na freqüência de 0,5 X 10 15 Hz, que cor apresenta a máxi-
ma resposta espectral?
*26. Determine a queda de tensão através do resistor da Fig. 20.21 para
um fluxo incidente de 3000 fc, V,,= 25 V, e R = 100 kil. Utilize
as curvas características da Fig. 20.22.
§ 20. 7 Células Fotocondutivas
*27. Qual é a taxa de variação aproximada da resistência com a
iluminação, para uma célula fotocondutiva com as caracte-
rísticas da Fig. 20.28 para os intervalos (a) 0,1-,. 1 kil, (b) 1
-,. 10 kil, e (c) 10-,. 100 kil? (Observe que a escala é log.)
Que região apresenta a maior taxa de variação da resistência
com a iluminação?
28. O que é "corrente escura" de um fotodiodo?
29. Se a iluminação sobre um diodo fotocondutivo, na Fig. 20.29,
é de 10 fc, e R 1 igual 5 kil, determine o valor de V; para que
apareça 6 V através da célula. Utilize as características da Fig.
20.28.
*30. Utilizando os dados fornecidos na Fig. 20.30, esboce a curva de
condutância percentual versus temperatura para 0,01, 1,0 e 100
fc. A que conclusões pode-se chegar?
*31. (a) Esboce a curva de tempo de subida versus iluminação, con-
siderando os dados da Fig. 20.30.
(b) Repita a letra (a) para o tempo de decaimento.
(e) Discuta os resultados nas letras (a) e (b).
32. O dispositivo de CdS da Fig. 20.30 é mais sensível a que cores?
§ 20.8 Emissores de IV
33. (a) Determine o fluxo irradiado pelo dispositivo da Fig. 20.32,
para uma corrente de direta de 70 mA.
(b) Determine o fluxo irradiado em lumens, para uma corrente
de direta de 45 mA.
*34. (a) Considerando a Fig. 20.33, determine a intensidade radiante
relativa no ângulo de 25º, para um dispositivo de lente plana.
(b) Trace a curva de intensidade radiante relativa versus ângu-
lo de irradiação para o dispositivo de superfície plana.
*35. Se 60 mA de corrente de direta forem aplicados ao emissor de IV
SGlOlOA, qual será o fluxo irradiado, em lumens, a 5º do cen-
590 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
tro, considerando que o dispositivo tem um sistema de colimação
interno? Tome como referência as Figs. 20.32 e 20.33.
§ 20.9 Displays de Cristal Liquido
36. Referindo-se à Fig. 20.37, que terminais devem ser energizados
para que seja apresentado no display o número 7?
37. Com suas palavras, descreva a operação básica de um LCD.
38. Discuta as diferenças relativas existentes entre o modo de opera-.
ção do LED e do LCD.
39. Quais são as vantagens e desvantagens relativas de um LCD com-
parado a um display de LED?
§ 20.10 Células Solares
40. Uma célula solar de 1 cm por 2 cm tem uma eficiência de conver-
são de 9%. Determine a potência máxima nominal do dispositivo.
*41. Considerando a grosso modo que a potência nominal de uma célu-
la solar é determinada pelo produto V0 /,c, a taxa de aumento deste
parâmetro é maior com níveis maiores ou menores de iluminação?
42. (a) Baseado na Fig. 20.48, determine a densidade de potência
necessária para estabelecer uma corrente de 24 mA com uma
tensão de saída de 0,25 V.
(b) Por que, na Fig. 20.48, a densidade de potência máxima é
100mW/cm2?
(c) Determine a corrente de saída para uma potência de 40 m W/
cm2 e tensão de saída de 0,3 V.
*43. (a) Esboce uma curva de corrente de saída versus densidade de
potência para uma tensão de saída de 0,15 V, utilizando as
características apresentadas na Fig. 20.48.
(b) Esboce uma curva de tensão de saída versus densidade de
potência, para uma corrente de 19 mA.
(c) As duas curvas traçadas nas letras (a) e (b) são lineares den-
tro do limite de máxima potência?
§ 20.11 Termistores
*44. Para o termistor da Fig. 20.49, determine a taxa dinâmica de
variação da resistência específica com a temperatura, em T
= 20ºC. Compare com o valor obtido em T = 300ºC. Dos
resultados, determine se variação da resistência por variação
unitária da temperatura é mais acentuada para níveis meno-
res ou maiores de temperatura. Lembre-se de que a escala
vertical é logarítmica.
45. Utilizando a informação fornecida na Fig. 20.49, determine a
resistência total de um material com 2 cm de comprimento e su-
perfície perpendicular de 1 cm2, na temperatura de OºC. Lembre-
se de que a escala vertical é logarítmica.
46. (a) Baseado na Fig. 20.50, determine a corrente na qual o coe-
ficiente de temperatura do material muda de positivo para
negativo, a 25ºC. (As escalas são logarítmicas.)
(b) Determine a potência e níveis de resistência do dispositivo
(Fig. 20.,50) no pico da curva de OºC.
(c) Na temperatura de 25ºC, determine a potência nominal,
considerando que o valor da resistência é de 1 MO.
47. Na Fig. 20.52, V= 0,2 V e Rvariávei = 10 O. Se a corrente através
do dispositivo indicador é 2 mA e a queda de tensão através des- ··
te é O V, quanto ·vale a resistência do termistor?
*Observação: Os asteriscos indicam problemas mais difíceis.

pnpn e Outros
Dispositivos
21.1 INTRODUÇÃO
Neste capítulo vários dispositivos importantes não discutidos nos
capítulos anteriores são introduzidos. O diodo semicondutor de
duas camadas foi o precursor de dispositivos de três, quatro e até
cinco camadas. Uma família de dispositivos pnpn de quatro ca-
madas será considerada primeiro: SCR (retificador controlado de
silício), SCS (chave controlada de silício), GTO (chave com
desligamento na porta), LASCR (SCR ativado a luz), seguido por
um dispositivo de importância crescente - o UJT (transistor de
unijunção). Os dispositivos de quatro camadas com um meca-
nismo de controle são, em geral, referenciados como tiristores,
embora esse termo seja mais freqüentemente aplicado ao SCR
(retificador controlado de silício). O capítulo termina com uma
introdução ao fototransistor, opto-isoladores, e ao PUT (transis-
tor de unijunção programável).
DISPOSITIVOS pnpn
21.2 RETIFICADOR CONTROLADO
DE SILÍCIO
Dentro da família de dispositivos pnpn, o retificador controlado
de silício é, sem dúvida, o de maior interesse atualmente. Foi
introduzido pela primeira vez em 1956 pela companhia Bell
Telephone. Algumas das áreas mais comuns de aplicação para
SCRs incluem controles de relés, circuitos de retardo de tempo,
fontes de potência reguladas, chaves estáticas, controles de mo-
+
Fig. 21.1 (a) Símbolo do SCR; (b) construção básica.
CAPÍTULO
21
o IIE
tor, choppers, inversores, ciclo-conversores, carregadores de
bateria, circuitos de proteção, controles de aquecedores e con-
troles de fase.
Em anos mais recentes, SCRs foram projetados para contro-
larem potências tão altas quanto 10 MW, com valores nominais
individuais de até 2000 A em 1800 V. Sua faixa de freqüência
de aplicação também foi estendida até 50 kHz, permitindo al-
gumas aplicações de alta freqüência, como o aquecimento por
indução e a limpeza ultra-sônica.
21.3 OPERAÇÃO BÁSICA DO
RETIFICADOR CONTROLADO
DE SILÍCIO
Como a terminologia indica, o SCR é um retificador construído
de material de silício com um terceiro terminal para finalidades
de controle. O silício foi escolhido por causa de suas proprieda-
des relacionadas à temperatura e potência. A operação básica
do SCR é diferente do diodo semicondutor de duas camadas, pelo
fato de um terceiro terminal, chamado porta, determinar quan-
do o retificador chaveia do estado de circuito aberto para esta-
do de curto-circuito. Não basta apenas polarizar diretamente a
região ânodo-catodo do dispositivo. Na região de condução, a
resistência dinâmica do SCR é tipicamente de 0,01 a 0,1 n. A
resistência reversa é tipicamente de 100 kO ou mais.
O símbolo gráfico para o SCR é mostrado na Fig. 21.1 com
as conexões correspondentes para a estrutura semicondutora de
quatro camadas. Como indicado na Fig. 21.la, se a condução
direta deve ser estabelecida, o ânodo deve ser positivo em rela-
lc;-r f Porta
Catodo
(a) (h)
592 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos o

Ânodo Um exame mais detalhado da operação básica de um SCR

+ Ânodo
(a)
Fig. 21.2 Circuito equivalente do SCR com dois transistores.
ção ao catodo. Esta não é, entretanto, uma condição suficiente
para ligar o dispositivo. Um pulso com uma dada amplitude tam-
bém deve ser aplicado à porta para estabelecer uma corrente de
porta, representada simbolicamente por / 07•
pode ser realizado dividindo-se a estrutura pnpn de quatro cama-
das da Fig. 21.lb em duas estruturas de transistor de três cama-
das, como na Fig. 21.la e, depois, considerando-se o circuito
resultante da Fig. 21.2b.
Note que um transistor, na Fig. 21.2, é um dispositivo npn
enquanto o outro é um transistor pnp. Para efeito de análise, o
sinal mostrado na Fig. 21.3a será aplicado à porta do circuito da
Fig. 21.2b. Durante o intervalo o- t 1, Vporta = OV, o circuito da
Fig. 21.2b aparecerá como mostrado na Fig. 21.3b (VPº"ª = OV
é equivalente ao terminal da porta aterrado como mostrado na
figura). Para V8 Ei = Vporta= O V, a corrente de base /B, = O e
I e, será aproximadamente Ico· A corrente de base de Q 1, I 8 , =
Ic, = Ico é muito pequena para fazer Q 1 conduzir. Ambos os
(b)
transistores estão, portanto, cortados, resultando numa alta im-
pedância entre o coletor e o emissor de cada transistor e na re-
presentação de circuito aberto para o retificador controlado de
silício da Fig. 21.3c.
Em t = t1 um pulso de V0 volts aparecerá na porta do SCR.
As condições do circuito estabelecidas com esta entrada são
mostradas na Fig. 21.4a. O potencial V0 foi escolhido suficien-
temente grande para fazer Q2 conduzir ( V8Ei = VG). A corrente
de coletor de Q2 se elevará então para um valor grande o bastan-
te para fazer Q1 conduzir ( /Bi = Ic, ). Como Q1 conduz, Ic, au-

vpo,ta

Altá impedância
(aproximação de
circuito aberto)

(a) (b) (c) Fig. 21.3 Estado "cortado" do SCR.

Baixa impedância
(aproximação de
curto-circuito)

+ +
Q2

Vo VBEi
I K(cato~o) = JA

-J. E2
T

Fig. 21.4 SCR no estado de "condução". (a) (b)

o pnpn e Outros Dispositivos
Fig. 21.5 Interrupção da corrente do ânodo.
mentará, resultando num aumento correspondente em I B, • O au-
mento na corrente de base para Q2 resultará num aumento adici-
onal em Ic,. O resultado final é um aumento regenerativo na
corrente de coletor de cada transistor. A resistência ânodo-cato-
do resultante (RscR = V/IA ) é, então, muito pequena, resultando
numa representação de curto-circuito para o SCR, como indica-
do na Fig. 21.4b. A ação regenerativa descrita acima resulta num
SCR com tempos de ativação de 0,1 a 1 µ,s. Entretanto, disposi-
tivos de alta potência na faixa de 100 a 400 A podem ter tempos
de ativação de 10 a 25 µ,s.
Além do gatilhamento da porta, SCRs também podem ser li-
gados por um aumento significativo na temperatura do disposi-
tivo, ou elevando a tensão ânodo-catodo para o valor de ruptura
mostrado nas características da Fig. 21.7.
A próxima questão de interesse é: quanto dura o tempo de
desligamento e como ele é conseguido? Um SCR não pode ser
desligado simplesmente removendo o sinal da porta, e só uma
minoria pode ser desligada aplicando-se um pulso negativo ao
terminal da porta, como mostrado na Fig. 21.3a em t = t3 •
Os dois métodos para desligar um SCR são classificados como
interrupção da corrente do ânodo e técnica de comutação
forçada.
As duas possibilidades para interrupção de corrente são mostra-
das na Fig. 21.5.
Na Fig. 21.5a, IA é zero quando a chave é aberta (interrupção-
série), enquanto na Fig. 21.5b, a mesma condição é conseguida
quando a chave é fechada (interrupção paralela). Comutação
forçada é o "forçamento" da corrente através do SCR na direção
(a)
Fig. 21.6 Técnica de comutação forçada.
593
oposta à condução direta. Há uma ampla variedade de circuitos
para realizar esta função, muitos dos quais podem ser encontra-
dos nos manuais dos maiores fabricantes nessa área. Um dos ti-
pos mais básicos é mostrado na Fig. 21.6. Como indicado na fi-
gura, o circuito de desligamento consiste em um transistor npn,
uma fonte de V8 , e um gerador de pulsos. Durante a condução do
SCR, o transistor está cortado; isto é, I 8 = O e a impedância
coletor-emissor é muito alta (para todas as finalidades práticas,
um circuito aberto). Esta alta impedância isolará o circuito de
desligamento, de forma a não afetar a operação do SCR. Para o
desligamento, um pulso positivo é aplicado à base do transistor,
fazendo-o conduzir fortemente, resultando numa impedância
.muito baixa do coletor para o emissor (representação de curto-
circuito). O potencial da fonte aparecerá, então, diretamente atra-
vés do SCR, como mostrado na Fig. 21.6b, forçando corrente
através dele na direção reversa para cortá-lo. Tempos de desli-
gamento de SCRs são tipicamente de 5 a 30 µ,s.
21.4 CARACTERÍSTICAS DO SCR E
VALORES NOMINAIS
As características de um SCR são fornecidas na Fig. 21.7 para
vários valores de corrente de porta. As correntes e tensões de
interesse usual são indicadas na curva característica. Segue-se
uma descrição breve de cada uma.
1. Tensão direta de ruptura ~BR!F* é aquela tensão acima da qual
o SCR entra na região de condução. O asterisco (*) é uma letra
a ser adicionada que depende da condição do terminal da porta,
como segue:
O = circuito aberto de G para K
S = curto-circuito de G para K
R= resistor de G para K
V= polarização fixa (tensão) de G para K
2. Corrente de retenção (IH) é aquele valor de corrente abaixo
do qual o SCR passa do estado de condução para a região de
bloqueio sob condições fixas.
3. Regiões direta e reversa de bloqueio são as que correspondem
à condição de circuito aberto para o retificador controlado, a qual
bloqueia o fluxo de carga (corrente) do ânodo para o catodo.
4. Tensão reversa de ruptura é equivalente à região de Zener ou
avalanche do diodo semicondutor de duas camadas.
(b)
594 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
Tensão de ruptura Corrente de IH 1-----'"'"'"''l"+-,-u,--,~--,-·,'>l
reversa retenção
Região reversa
de bloqueio
Fig. 21.7 Características do SCR.
Seria imediatamente óbvio que as características do SCR apre-
sentadas na Fig. 21.7 são muito similares àquelas do diodo se-
micondutor de duas camadas básico, exceto pelo ramo horizon-
tal antes de entrar na região de condução. É esta região de
protuberância horizontal que dá à porta o controle sobre a res-
posta do SCR. Para a curva de linha sólida na Fig. 21.7 (/0 = O),
VF deve atingir a maior tensão de ruptura (V(BRJF*) antes que o
efeito de "colapso" resulte e o SCR possa entrar na região de
condução, correspondendo ao estado ligado. Se a corrente de
porta é elevada para I 01 , como mostrado na mesma figura, pela
aplicação de uma tensão de polarização ao terminal da porta, o
valor de VF requerido para a condução (Vr;) é consideravelmen-
te menor. Note também que / 8 cai com o aumento em 10 • Se au-
mentado para I o,, o SCR disparará em valores de tensão muito
baixos (V,,,), e as características começam a aproximar-se da-
quelas do diodo de junção p-n. Observando as curvas num senti-
do completamente diferente, para uma tensão VF particular, di-
gamos VF, (Fig. 21. 7), se a corrente da porta for aumentada de
/ 0 = O até 101 ou mais, o SCR disparará.
As características da porta são fornecidas na Fig. 21.8. As
características da Fig. 21.8b constituem uma versão expandida
da região sombreada da Fig. 21.8a. Na Fig. 21.8a os três valo-
res nominais de porta de maior interesse, PoFM• IaFM• e VaFMestão
indicados. Cada um é incluído nas curvas da mesma forma que
é empregado pelo transistor. Exceto para porções da região som-
breada, qualquer combinação de corrente de porta e tensão que
cair dentro desta região disparará qualquer SCR na série de com-
ponentes para os quais estas características são fornecidas. A
temperatura determinará quais seções da região sombreada
devem ser evitadas. Em -65ºC, a corrente mínima que dispa-
rará a série de SCRs é 100 mA, enquanto em + 150ºC apenas
20 mA são requeridos. O efeito da temperatura sobre a tensão
mínima de porta não é geralmente indicado nas curvas deste
tipo, uma vez que potenciais de 3 V ou mais são, via de regra,
obtidos facilmente. Como indicado na Fig. 21.8b, um mínimo
o
Tensão
Região direta de ruptura
de bloqueio direta
de 3 V é indicado para todas as unidades para a faixa de tempe-
ratura de interesse.
Outros parâmetros quase sempre incluídos na folha de
especificações de um SCR são o tempo de ativação (t n) e tempo
0
de desligamento (t0 ff), temperatura da junção (TJ, e a temperatu-
ra do invólucro (Te), todos estes podem ser, até certo ponto, auto-
explanatórios.
21.5 CONSTRUÇÃO DO SCR E
IDENTIFICAÇÃO DOS
TERMINAIS
A construção básica do bolo de quatro camadas de um SCR é
mostrada na Fig. 21.9a. A construção completa de um SCR, li-
vre de fadiga térmica e de alta corrente, é mostrada na Fig. 21.9b.
Note a posição dos terminais da porta, catodo e ânodo. O pedes-
tal atua como um dissipador de temperatura, transferindo o calor
desenvolvido para o chassi no qual o SCR é montado. A cons-
trução do invólucro e a identificação dos terminais dos SCRs
variam com a aplicação. Outras técnicas de construção de invó-
lucro e identificação de terminais de cada um são indicadas na
Fig. 21.10.
21.6 APLICAÇÕES DE SCR
Algumas das aplicações possíveis para o SCR foram listadas na
introdução para o SCR (Seção 21.2). Nesta seção, considerare-
mos cinco: chave estática, sistema de controle de fase, carrega-
dor de bateria, controlador de temperatura e sistema de ilumina-
ção de emergência com fonte única.
Uma chave estática em série de meia-onda é mostrada na Fig.
21. lla. Se a chave estiver fechada como mostrado na Fig. 21.11 b,
uma corrente de porta fluirá durante a porção positiva do sinal
a pnpn e Outros Dispositivos 595

Mín. corrente de porta

requerida para disparo
todas as unidades em
+ISOºC +25ºC -65ºC

3 Mín. tensão
Máxima potência de porta requerida
~ de porta instantânea para disparo de
permissível - 12,0 W todas as unidades
8
Área de disparo
preferível ______ ....,.
6
."'
.1
o
4
');! Notas (1) Temperatura da junção -65°C a + 15Q<>C
= 3
~ (2) Áreas sombreadas representam local Máx. tensão
2 de possíveis pontos de disparo de porta que não disparará
de -65'C a + 15Cl"C qualquer unidade em
15Q<>C = 0,15 V
PGFM = 12 W, {G!M 1= 20 A, VGFM = I0 V
o o
0,1 0,4 0,8 1,2 1,6 2,0 la(A) 50 100 la(mA)
(O,IA)
Corrente de porta instantânea

(a) (b)

Fig. 21.8 Características da porta do SCR (GE série C38).

de entrada, ligando o SCR. O resistor R 1 limita a amplitude da rente de porta muito reduzida e numa perda muito pequena no
corrente de porta. Quando o SCR conduzir, a tensão ânodo-ca- circuito da porta. Para a região negativa do sinal de entrada, o
todo (VF) cairá para o valor de condução, resultando numa cor- SCR corta, uma vez que o ânodo é negativo em relação ao cato-

(a) (b)

Fig, 21.9 (a) Bolo pelo processo de difusão de metais; (b} construção de SCR livre de fadiga térmica. (Cortesia General Electric Company.)
S96 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
Porta
Catodo
(a)
Catodo
Ânodo
Porta
(b)
Fig. 21.10 Construção do invólucro do SCR e identificação dos terminais. [(a) Cortesia General Electric Company; (b) cortesia lnternational Rectifier Corporation.]
do. O diodo D 1 é incluído para prevenir uma corrente reserva de
porta.
As formas de onda para a corrente e tensão de carga resultan-
tes são mostradas na Fig. 21.11 b. O resultado é um sinal de meia-
onda retificado através da carga. Se se desejar menos de 180º de
condução, a chave pode ser fechada em qualquer valor de fase du-
rante a porção positiva do sinal de entrada. A chave pode ser ele-
trônica, eletromagnética ou mecânica, dependendo da aplicação.
O circuito capaz de estabelecer um ângulo de condução entre
90° e 1800 é mostrado na Fig. 21.12a. O circuito é muito seme-
lhante àquele da Fig. 21.1 la, exceto pela adição de um resistor
variável e a eliminação da chave. A combinação dos resitores R
e R 1 limitará a corrente de porta durante a porção positiva do si-
nal de entrada. Se R 1 é fixado em seu valor máximo, a corrente
de portajamais poderá atingir a amplitude de condução (ligado).
Quando o valor de R 1 é reduzido, a corrente de porta aumenta da
mesma tensão de entrada. Desta forma, a corrente de porta de
condução requerida pode ser estabelecida em qualquer ponto
entre O e 90º, como mostrado na Fig. 21.12b. Se R 1 é baixo, o
SCR irá disparar quase imediatamente, resultando na mesma ação
que a obtida do circuito da Fig. 21.lla (180º de condução). En-
tretanto, como indicado acima, se o valor de R 1 for aumentado,
uma grande tensão de entrada (positiva) será requerida para dis-
parar o SCR. Como mostrado na Fig. 21.12b, o controle não pode
ser estendido além de um deslocamento de 90º de fase, uma vez
que a entrada tem seu máximo neste ponto. Se o disparo falha
neste e em valores menores de tensão de entrada durante a incli-
nação positiva da entrada, pode-se esperar a mesma resposta da
Chave mecânica,
elétrica ou
eletromecânica
K G
(a)
o ~o
cr-- ' ('
Catodo
Porta_..
,j
Catodo , , Porta
:;g;,,,,
YAnodo
(e)
~'.f Ânodo
porção de inclinação negativa da forma de onda do sinal. A ope-
ração aqui é normalmente denominada, em termos técnicos, como
controle de meia-onda de resistência variável de fase. É um
método eficaz de controle da corrente rms e, portanto, de potên-
cia para a carga.
Uma terceira aplicação popular do SCR está num carregador
de bateria regulado. Os componentes fundamentais do circuito
são mostrados na Fig. 21.13. Você notará que o circuito de con-
trole foi ressaltado para fins de análise.
Como indicado na figura, D 1 e D2 estabelecem um sinal reti-
ficado de onda-completa através do SCR1 e da bateria de 12 V a
ser carregada. Quando a tensão na bateria for baixa, o SCR2 es-
tará cortado por motivos que serão explicados brevemente. Com
SCR2 aberto, o circuito de controle de SCR 1 é exatamente o
mesmo da chave de controle estática em série já discutida nesta
seção. Quando a entrada do retificador de onda-completa é sufi-
cientemente grande para produzir a corrente de porta de condu-
ção requerida (controlada por R 1), SCR1 conduzirá e o carrega-
mento da bateria começará. No início do carregamento, a baixa
tensão da bateria resultará numa baixa tensão VR, determinada
pelo circuito divisor de tensão simples, impedindo que o diodo
Zener (11 V) conduza. No estado "desligado", o diodo Zener é,
efetivamente, um circuito aberto, mantendo SCR2 cortado, uma
vez que a corrente de porta é zero. O capacitor C 1 é incluído para
prevenir que qualquer transiente de tensão no circuito venha a
ligar SCR2 • Lembre-se da teoria de análise de circuitos que a ten-
são não pode variar instantaneamente num capacitor. Deste modo,
C 1 evita que efeitos transientes afetem o SCR.
I porta
Fig. 21.11 Chave estática em série de
(b) meia-onda.
o pnpn e Outros Dispositivos
-4:r~ A
K
G.._
R
Ia
(a)
Fig. 21.12 Controle de meia-onda de resistência variável de fase.
Na seqüência do carregamento, a tensão da bateria sobe até
um ponto onde VR é suficientemente alto para o Zener de 11,0 V
conduzir e disparar o SCR2 • Uma vez que SCR2 foi disparado, a
representação de curto-circuito para o SCR2 resultará num cir-
cuito divisor de tensão determinado por R 1 e R2 que manterá V2
num nível muito pequeno para ligar o SCR1• Quando isto ocor-
re, a bateria está completamente carregada, e o estado de circui-
to aberto de SCR 1 corta a corrente de carga. Logo, o regulador
recarrega a bateria quando a tensão cai e previne a sobrecarga
quando a carga está completa.
O diagrama esquemático de um controle de aquecedor de 100
W usando SCR aparece na Fig. 21.14. É projetado tal que o
aquecedor de 100 W liga e desliga de acordo com os
termostatos. Termostatos de mercúrio são muito sensíveis à
variação de temperatura. De fato, eles podem sentir mudanças
tão pequenas quanto 0, 1ºC. É limitado em aplicação, entretan-
to, pelo fato de não poder operar com níveis de corrente muito
baixos - abaixo de 1 mA. Nesta aplicação, o SCR serve como
um amplificador de corrente num elemento de chaveamento de
carga. Não é um amplificador no sentido de amplificar o nível
de corrente do termostato. Em vez disso, é um dispositivo cujo
nível alto de corrente é controlado pelo funcionamento do
termostato.
NV\
llj D1
SCR1
GE
C20F
D2
12- V
bateria
Fig. 21.13 Carregador de bateria regulado.
597
Ri
(b)
O circuito ponte é conectado à fonte ac através do aquecedor
de 100 W. Isto resultará numa tensão de onda-completa retificada
por meio do SCR. Quando o termostato abre, a tensão através do
capacitor será carregada para um potencial de disparo da porta, por
cada pulso do sinal retificado. A constante de tempo de carga é
determinada pelo produto RC. Isto disparará o SCR durante cada
meio ciclo do sinal de entrada, permitindo um fluxo de carga (cor-
rente) para o aquecedor. Quando a temperatura sobe, o termostato
condutivo curto-circuitará o capacitor, eliminando a possibilida-
de de carregamento do capacitor para o potencial de disparo do
SCR. O resistor de 510 kfl contribuirá, então, para manter uma
corrente muito baixa (menos de 250 µA) através do termostato.
A última aplicação para o SCR a ser descrita é mostrada na Fig.
21.15. É um sistema de iluminação de emergência de fonte única
que carrega continuamente uma bateria de 6 V. Além disso, é ca-
paz de fornecer energia a uma lâmpada, se houver falta de energia.
Um sinal retificado de onda-completa aparece através da lâmpada
de 6 V devido aos diodos D 1 e D 2 • O capacitor C1 se carrega até um
valor de tensão um pouco no menor do que a diferença entre o va-
lor de pico do sinal retificado de onda-completa e a tensão de atra-
vés de R2 estabelecida pela bateria de 6 V. Em qualquer instante, a
tensão no catodo de SCR1 é mais alta do que a do ânodo, e a tensão
porta catodo é negativa, assegurando que o SCR não está condu-
598 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
o

Carga_do aquecedor de 100 W
120Vac
60Hz
GEA14B
CR1-CR4
.. HG em termostato de vidro
(tal como vap. de·ar div.
série 206-44; princo #Tl41,
ou equivalente)
Fig. 21.14 Controlador de temperatura (Cortesia General Electric Semiconductor
Products Division.)
zindo. A bateria está sendo carregada através de R I e D I numa taxa
determinada por R 1• A carga somente será efetuada quando o ânodo
de D 1 tiver uma tensão maior do que seu catodo. O nível de do si-
nal retificado de onda-completa garantirá que o bulbo estará aceso
quando a potência for ligada. Se a potência cair, o capacitor C 1 se
descarregará por meio de D 1, R 1 e R3 até o catodo de SeR1 ser me-
nos positivo do que o ânodo. Ao mesmo tempo, a junção de R2 e R3
tomar-se-á positiva e estabelecerá uma tensão suficiente de porta
catodo a fim de disparar o SeR. Uma vez disparado, a bateria de 6
V se descarregará pelo SeR1 e energizará a lâmpada, mantendo sua
iluminação. Quando a tensão da rede for restaurada, o capacitor C 1
se recarregará e restabelecerá o estado de não-condução de seR 1
como descrito acima.
21.7 CHAVE CONTROLADA DE
SILÍCIO
A chave controlada de silício (SeS), assim como o retificador
controlado de silício, é um dispositivo pnpn de quatro camadas.
Todas as quatro camadas de semicondutores do ses são dispo-
níveis devido à adição de uma porta ânodo, conforme Fig. 21.16a.
O símbolo gráfico e o circuito equivalente a transistor são mos-
trados na mesma figura. As características do dispositivo são
essencialmente as mesmas do SeR. O efeito de uma corrente de
porta ânodo é muito semelhante ao demonstrado para a corrente
de porta na Fig. 21.7. Quanto mais alta a corrente de ânodo, menor
a tensão ânodo-catodo requerida para ligar o dispositivo.
A conexão de porta ânodo pode ser usada para ligar e desligar o
dispositivo. Para ligar o dispositivo, um pulso negativo deve ser
aplicado ao terminal de porta ânodo, enquanto um pulso positivo é
requerido para desligar o dispositivo. A necessidade de pulsos di-
ferentes, indicada acima, pode ser demonstrada usando o circuito
da Fig. 21.16c. Um pulso negativo na porta ânodo polarizará dire-
tamente a junção base-emissor de Qi, ligando-o. A forte corrente
de coletor resultante Ic 1 ligará Q2, resultando numa ação regenerativa
e ligará o dispositivo SCS. Um pulso positivo na porta ânodo pola-
rizará reversamente a junção base-emissor de Q 1, cortando-o, re-
sultando no circuito aberto, desligando o dispositivo. Em geral, a
corrente de disparo de porta ânodo é maior em amplitude do que a
corrente de porta catodo requerida. Para um dispositivo ses repre-
sentativo, a corrente de disparo de porta ânodo é de 1,5 mA, en-
quanto a corrente de porta catodo requerida é 1 µA. A corrente de
porta requerida para ligar o dispositivo em qualquer terminal é afe-
tada por muitos fatores. Alguns incluem a temperatura de opera-
ção, tensão ânodo-catodo, posição da carga, e tipo de catodo, cone-
xão porta ânodo e porta ânodo-ânodo (curto-circuito, circuito aberto,
polarização, carga etc.). Tabelas, gráficos e curvas são normalmente
disponíveis para cada dispositivo a fim de fornecer o tipo de infor-
mação indicado acima.
Os três tipos de circuitos mais utilizados de desligamento (cor-
te) para o ses são mostrados na Fig. 21.17. Quando um pulso é
aplicado para o circuito da Fig. 21.17a, o transistor conduz forte-
mente, resultando numa característica de baixa impedância ( 9" cur-
to-circuito) entre coletor e emissor. Este braço de baixa impedân-
cia desvia a corrente de ânodo do ses, caindo abaixo do valor de
retenção e, conseqüentemente, cortando-o. De modo semelhante,
o pulso positivo na porta ânodo da Fig. 21.17b corta o ses pelo
mecanismo descrito anteriormente nesta seção. O circuito da Fig.
21.17c pode ser ligado ou desligado por um pulso de amplitude
apropriada na porta catodo. O desligamento só é possível se o va-
lor correto de RA for empregado. Ele controlará a quantidade de
realimentação regenerativa, cuja amplitude é crítica para este tipo
de operação. Note a variedade de posições nas quais o resistor de
carga RL pode ser colocado. Diversos manuais e livros sobre
semicondutores apresentam outras formas de conexões possíveis.

Seleção para dar a taxa de carga

D1 R1 / desejada (valor e potência)

SCR 1
D2 Cl06Yl

+
entrada C1 lOOµF
ac 1w··-.
lOV
S0:.60Hz
R3 +
6-V 6-V
bateria
lâmpada

Fig. 21.15 Sistema de iluminação de emergência de fonte única. (Cortesia General Electric Semiconductor Products Division.)
a pnpn e Outros Dispositivos 599

Ânodo

Porta de Porta de
ânodo ânodo
Porta de
Porta de ânodo
catodo
Porta de Porta de
catodo catodo

Catodo

(a) (b) (c)

Fig. 21.16 Chave controlada de silício (SCS); (a) construção básica; (b) símbolo gráfico; (c) circuito equivalente a transistor.

V
V

n
ligado

I'Lu
T
11fn
•
desligado

-V
(a) (b) (c)

Fig. 21.17 Técnicas de desligamento do SCR.

Uma vantagem do SCS sobre um SCR correspondente é a
redução do tempo de desligamento, tipicamente dentro da faixa
de 1 a 10 µs para o SCS e 5 a 30 µs para o SCR. Outras vanta-
gens que podem ser destacadas são: controle elevado e sensibili-
dade de disparo, e uma situação de disparo previsível. Atualmen-
te, entretanto, o ses é limitado para operação em baixa potên-
cia, corrente e tensão. Correntes máximas de ânodo típicas estão
na faixa de 100 a 300 mA com valores nominais de dissipação
(de potência) de 100 a 500 m W.
Algumas das áreas mais comuns de aplicação incluem uma
ampla variedade de circuitos de computador (contadores, regis-
tradores e circuitos de temporização), geradores de pulso,
sensores de tensão e osciladores. Uma aplicação simples para um
SCS como um dispositivo sensor de tensão é mostrada na Fig.
21.18. É um sistema de alarme com n entradas de várias esta-
ções. Qualquer entrada ligará este ses particular, resultando num
relé de alarme energizado, e luz no circuito de porta do ânodo
para indicar a localização da entrada (perturbação).
Uma outra aplicação do SCS está no circuito de alarme da Fig.
21.19. Rs representa a temperatura, luz, ou resistor sensível a
radiação, ou seja, um elemento cuja resistência diminuirá com a
aplicação de qualquer das três fontes de energia listadas acima.
O potencial de porta catodo é determinado pela relação divisora
estabelecida por Rs e o resistor variável. Note que o potencial de
porta está em aproximadamente Ovolt se Rs é igual ao valor in-
dicado pelo resistor variável, uma vez que ambos os resistores

GE GE GE
344 344 344

Entrada 1
!Okil IOkQ IOkQ
Fig. 21.18 Circuito de alarme SCS.
 600 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
100W
(para efeito
taxa)
3N84
Regulável de 1 kO a 1 MO
-12V
Fig. 21.19 Circuito de alarme. (Cortesia General Electric Semiconductor Products
Division.)
terão 12 V através deles. Entretanto, se Rs diminui, o potencial
de junção aumentará até que o SCS seja polarizado diretamente,
fazendo o ses ligar e energizar o relé de alarme.
O resistor de 100 k!l é incluído para reduzir a possibilidade
de disparo acidental do dispositivo, através de um fenômeno
conhecido como efeito taxa. É causado pelos níveis de
capacitância de desvio entre as portas. Um transiente de alta fre-
qüência pode estabelecer corrente de base suficiente para ligar o
SCS acidentalmente. O dispositivo é inicializado pressionando-
se o botão de reset, o qual, por sua vez, abre o caminho de con-
dução do ses e reduz a corrente de ânodo para zero.
A sensibilidade para resistores R5 que aumentam sua resis-
tência devido à aplicação de qualquer das três fontes de energia
descritas acima pode ser acomodada simplesmente intercambi-
ando-se a posição de Rs e o resistor variável. A identificação dos
terminais de um SCS é mostrada na Fig. 21.20 com uma cápsu-
la de ses.
21.8 CHAVE DE DESLIGAMENTO DE
PORTA
A chave de desligamento de porta (GTO) é o terceiro dispositi-
vo pnpn a ser introduzido nesse capítulo. Como o SCR, ele tem
apenas três terminais externos, como indicado na Fig. 21.21a. Seu
símbolo gráfico é mostrado na Fig. 21.21 b. Embora este símbo-
(a)
Fig. 21.20 Chave controlada de silício (SCS): (a) dispositivo; (b) identificação
dos terminais. (Cortesia General Electric Company.)
o ..; o
lo seja diferente dos correspondentes ao SCR e ao SCS, o tran-
sistor equivalente é exatamente o mesmo, e as características são
semelhantes.
A vantagem mais óbvia do GTO sobre SCR ou SCS é o fato
de ele poder ser ligado ou desligado, aplicando-se o pulso apro-
priado à porta catodo (sem a porta ânodo e circuitos associados
exigidos pelo SCS). Uma conseqüência desta capacidade de des-
ligamento é o aumento na amplitude da corrente de porta
requerida para disparo. Para um SCR e GTO de valores nomi-
nais de corrente máxima semelhante, a corrente de disparo de
porta de um SCR particular é 30 µA, enquanto a corrente de dis-
paro do GTO é 20 mA. A corrente de desligamento de um GTO
é um pouco maior do que a corrente de disparo. A máxima cor-
rente rms e valores nominais de dissipação, hoje, são limitados a
cerca de 3 A e 20 W, respectivamente.
Uma segunda característica muito importante do GTO está
associada ao seu tempo de chaveamento. O tempo de ativação é
semelhante ao do SCR (tipicamente 1 µs), mas o tempo de des-
ligamento de mesma duração ( 1 µs) é muito menor do que o tem-
po de desligamento típico de um SCR (5 a 30 µs). O fato de o
tempo de desligamento ser semelhante ao tempo de ativação, ao
invés de consideravelmente maior, permite o uso deste disposi-
tivo em aplicações de alta velocidade.
Um GTO típico e sua identificação de terminais são mostra-
dos -na Fig. 21.22. As características de entrada relativas à porta
do GTO e circuitos de desligamento podem ser encontradas em
Ânodo
Porta
(a) (b)
Fig. 21.21 Chave de desligamento de porta (GTO): (a) cons~ção gráfica; (b)
símbolo.
(b)
Fig. 21.22 GTO típico e a identificação de seus terminais. (Cortesia da General
Electric Company.)
o pnpn e Outros Dispositivos
200-V
Fonte
Fig. 21.23 Gerador dente de serra com GTO.
manuais ou folhas de especificação. A maioria dos circuitos de
desligamento de SCR pode ser usada para GTOs.
Algumas das áreas de aplicação para GTO incluem contado-
res, geradores de pulso, multivibradores e reguladores de tensão.
A Fig. 21.23 apresenta um gerador dente de serra empregando
um GTO e um diodo Zener.
Quando a fonte é energizada, o GTO liga, resultando num cur-
to-circuito equivalente entre ânodo e catodo. O capacitor C 1 come-
çará então a se carregar em direção ao nível da fonte de tensão, como
mostrado na Fig. 21.23. Quando a tensão através do capacitor C 1
ultrapassa o potencial do Zener, ocorre uma reversão na tensão porta
ânodo, estabelecendo uma reversão na corrente de porta. Eventu-
almente, a corrente de porta negativa será grande o suficiente para
desligar o GTO. Quando o GTO desliga, resultando em um circui-
to aberto, o capacitor C 1 se descarrega através do resistor R3• O tempo
de descarga será determinado pela constante de tempo do circuito
T = R 3C 1• A escolha adequada de R 3 e C 1 resultará na forma de onda
de dente de serra da Fig. 21.23. Quando o potencial de saída V0 cair
abaixo de V2 , o GTO liga, e o processo se repete.
21.9 SCRATIVADO A LUZ
O próximo na série de dispositivos pnpn é o SCR ativado a luz
(LASCR). Como indicado pela terminologia, é um SCR cujo esta-
do é controlado pela incidência de luz sobre uma camada de semi-
Luz
Topo de
vidro
Vedação
principal ·
soldada
(a}
Fig. 21.24 SCR ativado a luz (LASCR}: (a} construção básica; (b} símbolos.
601
V,,
+
Vz
condutor de silício do dispositivo. A composição básica de um
LASCR é mostrada na Fig. 21.24a. Como indicado na Fig. 21.24a,
um terminal de porta é incluído para permitir o disparo do disposi-
tivo, usando métodos típicos de SCR. Note, também, na figura, que
a superfície de montagem para o composto de silício é a conexão
ânodo do dispositivo. Os símbolos gráficos mais comumente em-
pregados para o LASCR são fornecidos na Fig. 21.24b. A identifi-
cação dos terminais e um LASCR típico aparecem na Fig. 21.25 a.
Algumas das áreas de aplicação para o LASCR incluem con-
troles ópticos de luz, relés, controle de fase, controle de motor e
uma variedade de aplicações em computadores. A máxima cor-
rente (rms) e os valores nominais de potência para LASCRs co-
mercialmente disponíveis são cerca de 3 A e 0,1 W. As caracte-
rísticas (disparo pela luz) de um LASCR representativo são for-
necidas na Fig. 21.25b. Note nesta figura que um aumento na
temperatura da junção faz com que o dispositivo seja ativado com
q1,1antidades menores de energia luminosa.
Uma aplicação interessante de um LASCR pode ser observa-
da nos circuitos AND e OR da Fig. 21.26. Na ausência de luz, o
LASCR 1 e o LASCR2 tomam-se curto-circuitos, fazendo com que
a tensão da fonte apareça sobre a carga. Para o circuito OR, a
energia luminosa incidindo sobre o LASCR 1 ou LASCR2 é sufi-
ciente para que a tensão da fonte apareça sobre a carga.
O LASCR é mais sensível à luz quando o terminal da porta
está aberto. Sua sensibilidade pode ser reduzida e controlada até
Ânodo
Porta
Porta
Catodo Catodo
(b)
602 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos ô ..; ô

40

20

10
8 Todas as unidades disparam nesta área
6
4
]
~ 2

J.
-~ 0,8
~ 0,6
Nenhuma unidade dispara nesta área
~ 0,4

0,2
Notas:
(1) Região sombreada representa os locais
0,1 de possíveis pontos de disparo de -65-C a + lOO'C
0,08 (2) Tensão de ânodo aplicada = 6 V de
0,06 (3) Resistência de porta para ânodo = 56.000 O
(4) Fonte de luz perpendicular ao plano da cabeça.
0,04

~'r-'---.________.__-----'--___.__.....________._____.______.
-60 -40 -20 O 20 40 60 80 100
Temperatura da junção ("C)

(a) (b)

Fig. 21.25 LASCR: (a) aspecto e identificação dos terminais; (b) características de disparo pela luz. (Cortesia General Electric Company.)

certo ponto pela inserção de um resistor na porta, como mostra-
do na Fig. 21.26.
Uma segunda aplicação para o LASCR aparece na Fig. 21.27.
O circuito tem as mesmas funções de um relé eletromecânico.
Note que ele oferece isolamento completo entre a entrada e os
elementos de chaveamento. A corrente energizante pode ser pas-
sada por um diodo emissor de luz ou uma lâmpada, como mos-
trado na figura. A luz incidente fará o LASCR ligar e permitir
um fluxo de carga (corrente) por meio da carga, conforme esta-
belecido pela fonte de. O LASCR pode ser desligado usando-se
a chave de reset S 1• O sistema oferece vantagens adicionais so-
bre uma chave eletromecânica, como longa vida, resposta em
microssegundos, tamanho pequeno e a eliminação de ruído nos
contatos.

Fonte Fonte

LASCR2

(a) (b)

Fig. 21.26 Circuito lógico opto-eletrônico com LASCR: (a) porta AND: entrada para LASCR 1 e LASCR2 necessária para energização da carga; (b) porta OR:
entrada para LASCR, ou LASCR, energizarão a carga.
o pnpn e Outros Dispositivos
Entrada de
Fig. 21.27 Relé de retenção. (Cortesia Powerex Inc.)
21.10 DIODO SHOCKLEY
O diodo Shockley é um diodo pnpn de quatro camadas com
apenas dois terminais externos, como mostrado na Fig. 21.28a
com seu símbolo gráfico. A curva característica (Fig. 21.28b)
do dispositivo é exatamente a mesma do SCR com / 0 = O.
Como indicado pela curva, o dispositivo está no estado desli-
gado (representação de circuito aberto) até que a tensão de
ruptura seja atingida, na qual as condições de avalanche se
desenvolvem e o dispositivo liga (representação de curto-cir-
cuito ).
Uma aplicação comum para o diodo Shockley é mostrada na
Fig. 21.29, onde é empregado como chave de disparo para um
SCR. Quando o circuito é energizado, a tensão através do capa-
citor começará a variar em direção à da fonte de tensão. Eventu-
almente, a tensão através do capacitor será suficientemente alta
para ligar primeiro o diodo Shockley, e depois o SCR.
I I Ânodo
+ At
Catodo
(a)
/(BR) '-----~
(b)
Fig. 21.28 Diodo Shockley: (a) construção básica e símbolo; (b) curva caracte-
rística.
603
R
Fig. 21.29 Aplicação de diodo Shockley - chave de disparo para um SCR.
21.11 DIAC
O diac é, basicamente, uma combinação paralela inversa de ca-
madas semicondutoras com dois terminais, que permite disparo
em qualquer direção. A curva característica do dispositivo, apre-
sentada na Fig. 21.30a, demonstra claramente que há uma ten-
são de ruptura em ambas as direções. Esta possibilidade de uma
condição ligado em qualquer direção pode ser usada, com gran-
des benefícios, em aplicações ac.
A configuração básica das camadas semicondutoras do diac
é mostrada na Fig. 21.30b, com seu símbolo gráfico. Note que
nenhum terminal é referenciado como catodo. Em vez disso, há
um ânodo 1 (ou eletrodo 1) e um ânodo 2 (ou eletrodo 2). Quan-
do o ânodo 1 é positivo em relação ao ânodo 2, as camadas
semicondutoras de interesse particular são p 1n'J!) 2 e n 3• Para o
ânodo 2 positivo em relação ao ânodo 1, as camadas aplicáveis
são p 2n'J!) 1 e n 1•
Para a unidade mostrada na Fig. 21.30, as tensões de ruptura
são muito próximas em amplitude, mas podem variar de um
mínimo de 28 V a um máximo de 42 V. Elas estão relacionadas
pela seguinte equação fornecida na folha de especificações:
l~::!::1 °!YBid •.:t (21.1)
Os níveis de corrente ( l 8 R, e l 8 R,) são também muito próxi-
mos em amplitude para cada dispositivo. Para a unidade da Fig.
21.30, os níveis de corrente são cerca de 200 µ,A = 0,2 mA.
O uso do diac, num detector de proximidade, aparece na Fig.
21.31. Note o uso de um SCR, em série com a carga, e o transis-
tor de unijunção programável (a ser descrito na Seção 21.13),
conectado diretamente para o eletrodo sensor.
Quando o corpo humano se aproxima do eletrodo sensor, a
capacitância entre o eletrodo e a terra aumenta. O UJT
programável (PUT) é um dispositivo que dispara (entra no esta-
do de curto-circuito) quando a tensão de ânodo (VJ é, pelo me-
nos, 0,7 V (para o silício) maior do que a tensão de porta (V0 ).
Antes do dispositivo programável ligar, o sistema está, essenci-
almente, como mostrado na Fig. 21.32. Quando a tensão de en-
trada sobe, a tensão do diac, V0 , a seguirá, como mostrado na
figura, até o potencial de disparo ser atingido. Ele então liga e a
tensão do diac cairá substancialmente, como mostrado. Note que
o diac é, essencialmente, um circuito aberto até o momento do
disparo. Antes do elemento capacitivo ser introduzido, a tensão
VO será a mesma da entrada. Como indicado na figura, uma vez
que ambas, VA e V0 , acompanham a entrada, VA nunca pode ser
maior do que V0 além dos 0,7 V, e ligar o dispositivo. Entretan-
to, quando o elemento capacitivo é introduzido, a tensão V0 co-
604 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
I
!0001
l:odo2
(a)
meçará a atrasar a tensão de entrada por um ângulo crescente,
como indicado na figura. Há, portanto, um ponto estabelecido,
onde VA pode exceder V0 por 0,7 V e fará o dispositivo
programável disparar. Uma forte corrente é estabelecida através
do PUT neste ponto, elevando a tensão VK, e ligando o SCR. Uma
corrente forte no SCR existirá, então, através da carga, reagindo
à presença da aproximação da pessoa.
Uma segunda aplicação do diac aparecerá na próxima seção
(Fig. 21.34), quando consideraremos um dispostivo de controle
de potência importante: o triac.
21.12 TRIAC
O triac é, fundamentalmente, um diac com terminal de porta para
controlar as condições de condução do dispositivo bilateral em
qualquer direção. Isto significa que, qualquer que seja a direção,
a corrente de porta pode controlar a ação do dispositivo numa
forma muito semelhante àquela demonstrada para um SCR. As
características, entretanto, do triac no primeiro e terceiro
quadrantes são um tanto diferentes daquelas do diac, como mos-
trado na Fig. 21.33c. Note que a corrente de retenção, em cada
direção, está ausente das características do diac.
O símbolo gráfico do dispositivo e a distribuição das cama-
das semicondutoras são fornecidos na Fig. 21.33, com fotografi-
115V (SCR)
60Hz IMQ
GE
Cl06B
~~~~-+-~~~+-~~~-4K
Todos resistores 1/4 W
Fig. 21.31 Detector de proximidade ou chave de toque. (Cortesia Powerex Inc.)
o
Fig. 21.30 Diac: (a) características; (b)
símbolos e construção básica. (Cortesia
(b) General Electric Company.)
as do dispositivo. Para cada direção possível de condução, há uma
combinação de camadas semicondutoras cujo estado será con-
trolado pelo sinal aplicado ao terminal da porta.
Uma aplicação fundamental do triac é apresentada na Fig.
21.34. Nesta situação, ele está controlando a potência ac para a
carga, ligando e desligando durante as regiões positivas e nega-
tivas do sinal de entrada senoidal. A ação deste circuito durante
a porção positiva do sinal de entrada é muito semelhante àquela
encontrada para o diodo Shockley na Fig. 21.29. A vantagem
desta configuração é que, durante a porção negativa do sinal de
entrada, obtém-se o mesmo tipo de resposta, uma vez que o diac
e o triac podem disparar numa direção reversa. A forma de onda
resultante para a corrente, através da carga, é fornecida na Fig.
21.34. Variando o resistor R, o ângulo de condução pode ser
controlado. Há unidades disponíveis hoje que podem suportar
cargas de mais de 10 kW.
OUTROS DISPOSITIVOS
21.13 TRANSISTOR DE UNIJUNÇÃO
O transistor de unijunção, assim como o SCR, tem despertado
interesse a uma taxa exponencial. Embora tenha sido introduzi-
IOMQ
G I MQ Para o
,----<,-...~"'---+- eletrodo
GE sensor
2N6027
(PUT)
o pnpn e Outros Dispositivos 605

+
1>;

C=OF

....
.J. •
1

Fig. 21.32 Efeito de elemento capacitivo no funcionamento do circuito

C;tOF da Fig. 21.31.

Ânodo 2 positivo

Ânodo 2

Ânodo 2 negativo

Porta
Ânodo 1

(a) (b) (c)

ÁNODO 1

ÂNODO 1

(d)

Fig. 21.33 Triac: (a) símbolo; (b) construção básica; (c) curva característica; (d) fotografia.
606 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos o

o-------+-------~h
+

Fig. 21.36 Símbolo e configuração de polarização básica para o transistor

unijunção.

Fig. 21.34 Aplicação do triac: controle de fase (potência).

O circuito equivalente do UJT é mostrado na Fig. 21.37. Note

a relativa simplicidade deste circuito equivalente: dois resistores
do inicialmente em 1948, o dispositivo não se tornou comercial- (um fixo, um variável) e um único diodo. A resistência R81 é
mente disponível até 1952. O baixo custo por unidade, combi- mostrada como um resistor variável, uma vez que sua amplitude
nado com as características excelentes do dispositivo, garantiu variará com a corrente I E· De fato, para um transistor de unijunção
seu uso para uma ampla variedade de aplicações. Algumas in-
representativo, RBi pode variar de 5 kO até 50 O, para uma va-
cluem osciladores, circuitos de disparo, geradores dente de ser-
riação correspondente de I E de Oa 50 µA. A resistência interbase
ra, controle de fase, circuitos de temporização, circuitos biestáveis
RBB é a resistência do dispositivo entre os terminais B 1 e B2 quan-
e fontes reguladas de tensão e corrente. Os fato de este dispositi-
do /E= O. Em forma de equação,
vo ser, em geral, um dispositivo de baixa absorção de potência,
sob condições normais de operação, torna-o muito importante em
projetos de sistemas relativamente eficientes.
O UJT é um dispositivo de três terminais com a construção
JR:·~~-~-~::-1 (21.2)

básica da Fig. 21.35. Uma fatia de material de silício do tipo-n (R88 está tipicamente dentro da faixa de 4 a 10 kO). A posição
levemente dopada (proporciona uma resistência elevada) tem dois da haste de alumínio da Fig. 21.35 determinará os valores relati-
contatos de base unidos a ambas as extremidades de uma super- vos de RBi e Rs, com/E= O. A amplitude de VRB1 (com/E= 0)
fície e uma haste de alumínio fundida à superfície oposta. A jun- é determinada pela regra do divisor de tensão da seguinte forma:
ção p-n do dispositivo é formada nos limites da haste de alumí-
nio e fatia de silício tipo-n. A única junção p-n contribui para a
terminologia unijunção. Foi originalmente chamado de um dio- (21.3)
do de base dupla, devido à presença de dois contatos de base. Note
na Fig. 21.35 que a haste de alumínio é fundida à placa de silício
num ponto mais próximo ao contato da base 2 que da base 1, e A letra grega T/ (eta) é chamada de relação de equil{brio intdn-
que o terminal de base 2 é feito positivo em relação ao terminal seca do dispositivo, e é definida por
de base 1 por VBB volts. O efeito de cada um tornar-se-á evidente
nos parágrafos seguintes.
O símbolo do transistor de unijunção é fornecido na Fig. 21.36. (21.4)
Note que o braço emissor é desenhado inclinado em relação à
linha vertical, representando a placa de material tipo-n. A ponta
da seta está apontando na direção do fluxo de corrente convenci- Para.potenciais de emissor aplicados (VE) maiores do que VRBi =
onal (buracos) quando o dispositivo está polarizado diretamen- T/VBB pela queda de tensão direta do diodo, V0 (0,35 - 0,70 V), o
te, ativo ou em estado de condução. diodo conduzirá, assumindo uma representação de curto-circuito

-o----,
1
1 +
1
1
1
Contato 1
ôhmico 1
da base ~VBB
Haste de alumínio 1
1
1
1
1
1
silício de alta / ---4

•
resistividade tipo-n B1 1

Fig. 21.35 Transistor de unijunção (UJT): construção básica. Fig. 21.37 Circuito equivalente do UJT.
o pnpn e Outros Dispositivos
Região Região de
de corte resistência _ _.....,..,___ saturação - - - - - -
negativa
~o!!:_.
IEo (µA)
Fig. 21.38 Curva de característica estática do emissor do UJT.
(numa base ideal), e /E começará a fluir através de RBi. Em forma
de equação, o potencial de disparo do emissor é dado por
[!,, = T/ VBs +\'oi (21.5)
A curva característica de um transistor de unijunção represen-
tativo é mostrada, para V88 = 10 V, na Fig. 21.28. Note que, para
potenciais de emissor à esquerda do ponto de pico, a amplitude
de /E jamais é maior do que IEo (medida em microamperes). A
corrente Ieo pode ser comparada à corrente de fuga reversa Ico
do transistor bipolar convencional. Esta região, como indicado
na figura, é chamada de região de corte. Quando a condução for
estabelecida em VE = Vp, o potencial de emissor VE cairá com o
aumento em /E. Isto está de acordo com o decréscimo da resis-
tência R81 pelo aumento da corrente /E, como discutido antes. Este
dispositivo, portanto, tem uma região de resistência negativa que
é estável o suficiente para ser usada com muita segurança nas
áreas de aplicação já listadas. Eventualmente, o ponto de vale será
atingido, e qualquer aumento posterior em /E colocará o disposi-
tivo na região de saturação. Nesta região, as características apro-
ximam-se de um diodo semicondutor, incluído no circuito equi-
valente da Fig. 21.37.
A diminuição da resistência na região ativa é devida aos bu-
racos injetados dentro da fatia tipo-n, provenientes da haste de
alumínio tipo-p, quando a condução é estabelecida. O elevado
conteúdo de buracos no material tipo-n resultará num aumento
no número de elétrons livres na fatia, produzindo um aumento
na condutividade (G) e uma correspondente queda na resistên-
cia (R t = 1/G j ). Três outros parâmetros importantes para o
transistor de unijunção são IP, Vv, e I v· Cada um é indicado na
Fig. 21.38. Eles são todos auto-explanatórios.
A Fig. 21.39 apresenta as curvas características típicas de
emissor. Note que I eo (µA) não aparece, pois a escala horizontal
está em miliamperes. A interseção de cada curva com o eixo
vertical é o valor correspondente de Vp, Para valores fixos de r, e
VD, a amplitude de VP variará de acordo com V88 , isto é,
Vp Í = T/ Vss Í + Vv
t 1
j V-Vv
fixo
607
Região de
Ponto de vale
50
/E (mA)
Um conjunto típico de especificações para o UJT é forneci-
do na Fig. 21.40b. A análise estabelecida nos últimos parágra-
fos deu uma noção prévia sobre cada parâmetro. A identifica-
ção dos terminais e a fotografia de um UJT típico são apresen-
tados na mesma figura. Note que os terminais da base estão
opostos um em relação ao outro, enquanto o terminal emissor
está entre os dois. Além disso, o terminal da base, que está unido
ao potencial mais alto, está mais próximo ao prolongamento da
borda do invólucro.
Uma aplicação bastante comum do UJT está no disparo de
outros dispositivos, como o SCR. Os elementos básicos deste
circuito de disparo estão mostrados na Fig. 21.41. O resistor Ri
deve ser escolhido para assegurar que a reta de carga do circui-
to intercepte a curva do dispositivo na região de resistência nega-
tiva, i.e., à direita do ponto de pico, porém à esquerda do ponto
de vale, como mostrado na Fig. 21.42. Se a reta de carga passar
à direita do ponto de pico, o dispositivo não poderá ligar. Uma
equação para R 1 que assegurará a condição de condução pode
ser estabelecida se considerarmos o ponto de pico em IR1 = lp e
Ve = Vp. (A igualdade /R1 =/pé válida, desde que a corrente de
carga do capacitor, neste instante, seja zero; isto é, o capacitor
está, neste instante particular, passando do estado de carrega-
mento para o de descarregamento.) Então V - IR1Ri = VE e Ri =
(V - VE)I IR1 = (V - Vp)l/p no ponto de pico. Para assegurar o
disparo,
(21.6)
No ponto de vale Ie = lv e Ve = Vv, tal que
V-IR,RI = VE
toma-se
e
R1=---
lv
608 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
o

VE(V)

18

16

14
(TA=+25ºC)
12

10

o 2 10 12 14 16 18 20 22 /E (mA)

Fig. 21.39 Curvas características estáticas típicas para o UJT.

Relações nominais máximas absolutas (25°C):

Dissipação de poté:ncia 300 mV
Corrente RMS de emissor 50 mA
Corrente de pico de emissor 2A
Tensão reversa de emissor 30 V
Tensão interbase 35 V
Faixa de temperatura de operação -65"C a + 125°C
Faixa de temperatura de armazenagem -65"C a + 150"C

Características elétrii;as (25°C):

Mín. TÍp. Máx.

Relação de equilíbrio intrínseca 0,56 0,65
(Vss = lOV) 'li 0,56 0,65 0,75
Resistência interbase (kn
(V88 = 3V,I,; = O5 Rss 4,7 7 9,1
Tensão de saturação do emissor
CVss = 10 V, IE = 50 mA) VE(sat} 2
Corrente reversa de emissor
CVss = 3 V, 18 , = O) IEO 0,05 12
Ponto de pico da corrente de emissor /p(µ.A) 0,04 5
(V88 = 25V)
Corrente de ponto de vale
(V88 = 20V) lv(mA) 4 6

(a) (b) (c)

Fig. 21.40 UJT: (a) aspecto; (b) tabela de especificação; (c) identificação dos tenninais. (Cortesia General Electric Company.)
o pnpn e Outros Dispositivos 609

V V

Fig. 21.41 UJT disparando um SCR.

Fig. 21.43 Circuito de disparo quando /E=' O A.

ou para assegurar o desligamento,

do Vc = vE = Vp, o UJT entrará em estado de condução, e o capa-

(21.7) citor se descarregará através de R8 , e R2 numa taxa determinada
pela constante de tempo T = ( R8, + R2) C.
A equação de descarga para a tensão vc = vE é a seguinte:
A faixa de R I é portanto limitada por

'LV- Vv
---<Ri<---'-
lv
V -Vp
/p
(21.8)
(21.11)

A equação (21.11) é um pouco complicada pelo fato de que

R8 , diminui com o aumento da corrente de emissor. Além disso,
A resistência R2 deve ser escolhida pequena o suficiente para outros elementos do circuito, tais como R I e V, diminuirão a taxa
garantir que o SCR não seja ligado pela tensão VR, da Fig. 21.43 de descarga e o nível final. Entretanto, o circuito equivalente
quando li;; ~ OA. A tensão é, portanto, dada por aparece mostrado na Fig. 21.44, e as amplitudes de R 1 e RBi são,
geralmente, de tal modo que o circuito equivalente de Thévenin
para o circuito em tomo do capacitor será, apenas, levemente
(21.9)
afetado por estes resistores. Mesmo V sendo uma tensão razoa-
velmente alta, a contribuição do divisor de tensão para a tensão
O capacitor C determinará, como veremos, o intervalo de tempo de Thévenin pode ser, na maior parte dos casos, ignorada.
entre os pulsos de disparo e o tempo de varredura de cada pulso. Usando o equivalente reduzido da Fig. 21.45, para a fase de
No instante em que a fonte de tensão de V for aplicada, a ten- descarga, resulta na seguinte aproximação para o valor de pico
são vE = v e aumentará de Vv para V volts como mostrado na Fig. de VR,:
21.44, com uma constante de tempo T = R 1C.
A equação geral para período de carregamento é
(21.12)
(21.10)
O período t 1 da Fig. 21.44 pode ser determinado da seguinte
Como observado na Fig. 21.44, a tensão através de R2 é determi- maneira:
nada pela Eq. (21.9) durante este período de carregamento. Quan-
Vc (carregando) = + (V -
Vv Vv)(l - e-tlR,c)
= Vv + V - Vv - (V - Vv)e-,iR,c
= V - (V - Vv)e-,1R,c
quando Vc = Vp, t = t 1 e Vp = V- (V- Vv) e-,,R,c, ou

Vp - V = -e-1,1R,c
V-Vv
e

Usando logaritmos, nós temos

Fig. 21.42 Reta de carga para uma aplicação de disparo.

610 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos a
'llc='\lE

V
Vp V
1
1 1
1 1
1 1
1 1
1 1
1 R1
1 't=(RB1 +R2) C :
Vv -----------L-- ---------·--L-· VT
o
+
0,7V

VR2 [Eq. (21.f2)] . - - - - - - - - - - - ·-------------- ----~--~ +

/1:=(Ra1 +R2)C Vc=Vp e VR2

VR2 [Eq. (21.9)]1-·- - - - - . . ,

o t1 :
'-,,-J
- - - - - T _ _ _r_2..i, I
00 ~
Fig. 21.44 (a) Fases de carga e descarga para o circuito de disparo da Fig. 21.41; (b) circuito equivalente quando o UJT liga.

e Se o SCR for retirado da configuração, o circuito tomar-se-á

um oscilador de relaxação, gerando a forma de onda da Fig.
21.44. A freqüência de oscilação é determinada por

com (21.16)

(21.13) Em muitos sistemas t1 ~ t 2 e

V-Vv
Para o período de descarga, o tempo entre t 1 e t 2 pode ser de- T = t1 = R1C loge - - - ' -
V - Vp
terminado da Eq. (21.11) como segue
Uma vez que V~ Vv em muitos casos,
Vc (descarregando)= Vpe-,t(R,, +R,>C
V
Estabelecendo t 1 = O, temos T= t1 = R1C lo~
V-Vp
vc = Vv emt = t2 1
e = R1C loge l _ Vp/V

mas 1J = V,JV se nós ignorarmos os efeitos de Vv na Eq. (21.5) e

ou

= Vv
T =R1C loge - 1
-
1 - 1J

-
e-r2'(RB 1 +R,)C
Vp

r
Usando logaritmos, temos
-t2
= l o gVv- 7V
(RB, + R2)C eVp
e
Vc =Vp e
(21.14)

O período de tempo para completar um ciclo é definido por T na

Fig. 21.44. Isto é,

(21.15)
Fig. 21.45 Circuito equivalente reduzido quando o UJT liga.
o pnpn e Outros Dispositivos 611

ou V-V V-V
(c) v <Ri< P
lv [p
(21.17) 12 V - 1 V 12 V - 8 V
-----<Ri<-----
10 mA 10 µA
1,1 kO<Ri <400k0

EXEMPLO 21.1 A resistência R 1 = 50 kO cai dentro desta faixa.

Dado o oscilador de relaxação da Fig. 21.46:
(a) Determine R8 , e R82 em IE = O A. V-Vv
(b) Calcule Vp, a tensão necessária para ligar o UJT. (d) ti = RiC loge - - -
(c) Determine se R 1 está dentro da faixa de valores permissí- V - Vp
veis determinada pela Eq. (21.8) para garantir o disparo do 12 V - 1 V
UJT. = (50 kO)(O, 1 pF) loge 12 V_ 8 V
(d) Determine a freqüência de oscilação se R8 , = 100 O durante
a fase de descarga. =5 X 10- 3 loge ~l =5 X 10-3(1,01)
(e) Esboce a forma de onda de Vc para um ciclo completo.
(f) Esboce a forma de onda de vR, para um ciclo completo. = 5,05 ms
Vp
t2 = (RB + R2)C locr · -
V= 12V
' oe Vv
8
= (0, 1 kO + O, 1 kO)(O, 1 pF) loge 1

= (0,02 X 10- 6)(2,08)

RBB = 5 kO, 11 = 0,6
Vv = 1 V, lv = 10 mA, lp = 10 µA
= 41,6 µs
(R 8 , = 100 O durante a fase de descarga) e
T = ti + t2 = 5,05 ms + 0,0416 ms
+ = 5,092 ms
com
1 1
Íosc =- =
T 5,092 ms
=196 Hz
Usando a Eq. (21.17), temos
Fig. 21.46 Exemplo 21.1.
f= 1
R1C loge [11(1 - 7])]
Solução
1
RB 5 X 10- 3 lo& 2,5
(a) '11 = '
RB, + RB, = 218 Hz
0,6 =
RB,
RBB,
RB, = 0,6RBB = 0,6(5 kO) = 3 kO
RB, = RBB - RB, = 5 kO - 3 kO = 2 kO

(b) No ponto onde Vc = Vp, se continuarmos com IE = O A,

obtém-se a partir do circuito da Fig. 21.47

Vp = O 7 V+ (R 8 , + R2 )12 V
' RB 1 + RB + R2
2

RBB
(3 kO + 0,1 k0)12 V
=0,7V+ kº 0 =0,7V+7,294V
5 u + 0,1 ku "li"

=8V Fig. 21.47 Circuito para determinar Vp, a tensão requetida para ligar o UJT.
612 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos o

Uc

i - - - - - - - - - - 5t = 5R 1C - - ~ ~ - - - - - - - , , - - 1

V= 12 V _..:------~
----
--- --- ------ --- ---:
Vp=8V

Vv=l V
o
1

:~
1 Intervalo =,41,6 µs
--- i--- ---------
5,05 ms 5,0916 ms

Fig. 21.48 A tensão vc para o oscilador de relaxação da Fig. 21.46.

Fig. 21.49 A tensão v R, para o oscilador de relaxação da Fig. 21.46.

(e) Veja Fig. 21.48. sistor. Se atribuirmos a notação IA para a corrente de base
(f) Durante a fase de carregamento, (Eq. 21.9) fotoinduzida, a corrente de coletor resultante, de forma aproxi-
mada, é dada por
VR = R 2V = 0,1 kfi(l2 V) = O 235 V (21.18)
2 Ri + RBB O, 1 kfi + 5 kfi '
Um conjunto representativo de curvas características para um
Quando v_c = Vp (Eq. 21.12) fototransistor é fornecido na Fig. 21.50, com a representação sim-
bólica do dispositivo. Note as semelhanças entre essas curvas e
R 2(Vp - 0,7 V) 0,1 kfi(8 V - 0,7 V) as de um transistor bipolar típico. Como esperado, um aumento
V=------
R, - R 2 + RB 0,1 kfi + 0,1 kfi na intensidade de luz corresponde a um aumento na corrente de
1
coletor. A Fig. 21.51a mostra uma curva de corrente de base
= 3,65 V versus densidade de fluxo, medida em miliwatts por centímetro
quadrado. Note o aumento exponencial na corrente de base com
O traçado de VR, é mostrado na Fig. 21.49. o aumento na densidade de fluxo. Na mesma figura, um esque-
ma do fototransistor é fornecido com a identificação dos termi-
nais e o alinhamento angular.
Dentre as áreas de aplicação do fototransistor, destacam-se:
21.14 FOTOTRANSISTORES leitoras de cartões perfurados, circuitos de lógica em computa-
dores, controle de iluminação (estradas etc.), indicação de nível,
As propriedades básicas dos dispositivos fotoelétricos foram relés e sistemas de contagem.
introduzidas anteriormente com a descrição do fotodiodo. Esta Uma porta ANO de alta isolação é mostrada na Fig. 21.52,
discussão será agora estendida para incluir o fototransistor, o usando três fototransistores e três LEDs (diodos emissores de luz).
qual tem uma junção p-n coletor-base fotossensível. A corren- Os LEDs são dispositivos semicondutores que emitem luz numa
te induzida por efeitos fotoelétricos é a corrente de base do tran- intensidade determinada pela corrente direta através do disposi-
o pnpn e Outros Dispositivos 613

20,0
Temp. fonte = 2870 K

""' 16,0
1.
...;" 12,0

l
·~
c:I
~
8,0

8 4,0

H = 1125 mW/cm2

o 20 40 60 80

Fig. 21.50 Fototransistor (a) características de Fonte de tensão· Vcc (V}

coletor (MRD300); (b) símbolo. (Cortesia
Motorola, lnc.) (a) (b)

75 Fig. 21.51 Fototransistor: (a) corrente de base versus densidade de

1
...... 50
fluxo; (b) dispositivo; (c) identificação dos terminais; (d) alinhamen-
to angular. (Cortesia Motorola, lnc.)

J
E 25
g (c)
u
o 2 4 6 8 10
Densidade de fluxo irradiado H (mW/cm 2)

(a)

e= lOºmax.

(d)

Ycc
(b)

Fig. 21.52 Porta AND de alta isolação empregando fototransistores e

diodos emissores de luz (LEDs).
614 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos o

tivo. Com a análise realizada no Cap. 1, o funcionamento do cir-
cuito fica relativamente fácil de entender. A terminologia "alta
isolação" refere-se simplesmente à ausência de uma conexão
elétrica entre os circuitos de entrada e saída.
21.15 OPTO-ISOLADORES
O opto-isolador é um dispositivo que incorpora muitas das ca-
racterísticas descritas na seção anterior. É simplesmente uma
cápsula que contém, um LED infravermelho e um fotodetector,
que pode ser um diodo de silício, par de transistor Darlington,
ou SCR. As características de cada dispositivo devem estar as-
sociadas a um mesmo comprimento de onda de luz para que o
acoplamento seja o melhor possível. Na Fig. 21.53, duas confi-
gurações de chip possíveis são fornecidas, com uma fotografia
de cada uma. Há uma capa de isolamento transparente entre cada
conjunto de elementos envolvidos na estrutura (não visível), para
permitir a passagem de luz. Eles são projetados com tempos de
resposta tão pequenos que podem ser usados para transmitirem
dados na faixa de megahertz.
Os valores nominais máximos e características elétricas para
o modelo IL-1 são fornecidos na Fig. 21.54. Note que ICEo é
medido em nanoamperes e que a dissipação de potência do LED
e do transistor são quase as mesmas.
As curvas características opto-eletrônicas típicas para cada
canal são fornecidas nas Figs. 21.55 até 21.59. Note o efeito pro-
nunciado da temperatura na corrente de saída em baixas tempe-
raturas. No entanto, o nível de resposta torna-se plano, em ou
acima da temperatura ambiente (25ºC). Como mencionado an-
tes, o nível de ICEo pode-se tornar mais adequado melhorando-se
o projeto e aperfeiçoando-se as técnicas de fabricação. Na Fig.
21.55, não atingimos 1 µA até a temperatura subir acima de 75ºC.
As características de transferência da Fig. 21.56 comparam a
corrente de entrada do LED (a qual estabelece o fluxo luminoso)
com a corrente de coletor resultante da saída do transistor (cuja
corrente de base é determinada pelo fluxo incidente). A Fig. 21.57
demonstra que a tensão VCE afeta a corrente de coletor resultante
apenas levemente. É interessante notar, na Fig. 21.58, que o tempo
de chaveamento de um opto-isolador decresce com o decrésci-
mo de corrente, enquanto para muitos dispositivos ocorre exata-
mente o contrário. Em geral, o tempo de chaveamento é de ape-
nas 2 µ.,s para uma corrente de coletor de 6 mA e uma carga de
100 n. A saída relativa versus temperatura aparece na Fig. 21.59.
A representação esquemática para um acoplador a transistor
é mostrada na Fig. 21.53. A representação esquemática para um
opto-isolador a fotodiodo, foto-Darlington, e foto-SCR aparece
na Fig. 21.60.
21.16 TRANSISTOR DE UNIJUNÇÃO
PROGRAMÁVEL
Embora haja uma semelhança no nome, a construção real e modo
de operação do transistor de unijunção programável (PUT) é
muito diferente do transistor de unijunção. O fato de as caracte-

ISO-LIT 1 ISO-LITQl

(Vista de topo) (Vista de topo)

Pino N: Função 16
ânodo PinoN'. Funçdo
2 catodo
15 ânodo
3 nc catodo
2
ff emíssor J4 3 catodo
5 coletor
4 ânodo
6 base ânodo
5
u 6 catodo
7 catodo
Chip do LED no pino 2 12 ânodo
Chip do PT no pino 5 8
9 emissor
!O coletor
li coletor
ll
12 emissor
lÚ
l3 emissor
14 coletor
!5 coletor
16 emissor

Fig. 21.53 Dois opto-isola-

dores Litronix. (Cortesia
Siemens Components, Inc.)
 o pnpn e Outros Dispositivos 615

(a) Q.elações Nominais Máximas

LED de arsenieto de Gálio (cada canal) IL-1
Dissipação de potência @ 25°C 200mW
Linearidade de degradação de 25'C 2,6mW/'C
Corrente direta contínua 150mA
Foto transistor detector de silício (cada canal) IL-1
Dissipação de potência @ 25·C 200mW
Linearidade de degradação de 25ºC 2,6mW/'C
Tensão de ruptura coletor-emissor 30V
Tensão de ruptura emissor-coletor 7V
Tensão de ruptura coletor-base 70V
Pastilha IL-1
Dissipação total de potência em 25'C (detector mais LED) 250mW
Linearidade de degradação de 25'C 3,3 mW/'C
Temperatura de armazenagem -55'C a + 150°C
Temperatura de operação -55'C a + lOO'C

(b) Características Elétricas por Canal (em 25°C, ambiente)

Parâmetro Mln. Tlp Máx. Unidades Condições de Teste

LED de arsenieto de Gálio

Tensão direta 1,3 1,5 V IF = 60 mA
Corrente reversa 0,1 10 µA VR = 3,0V
Capacitância 100 pF VR = ov
Detector fototransistor
BVCEo 30 V lc = 1 mA
lao 5,0 50 nA VCE = 10 V, IF = OA
Capacitância coletor-emissor 2,0 pF VCE = 0 V
BVECO 7 V IE = 100µ.A
Características de acoplamento
Relação de transferência de corrente de 0,2 0,35 IF = 10 mA, VCE = 10 V
Capacitância de entrada para a saída 0,5 pF
Tensão de ruptura 2500 V DC
Resistência de entrada para a saída 100 Gfi
V.,, 0,5 V lc = 1,6 mA, I, = 16 mA
Retardo de propagação
10 ativação 6,0 µs RL = 2,4 kfi, VcE = 5 V
t0 desligamento 25 µ.s I, = 16mA

Fig. 21.54 Opto-isolador Litronix IL-1.

10
10-s ··--··~---

lQ-6 / <
,! 8 ,_ -JF =20mA
I' ' '
~o / ..,u
10-1 / ... 1
·-
....tl
e! 10-s
:::1
&l 10-9 /
/
V
1
,8
6

4 ,,.
IF = 15mA
1
"
B ./ IF = lOmA
c:I 10-10 V t 1 1
~ /
~
2
·O
u 10-11 5- 7- "-"'""""~""'"'
!{ =5;mA
10-12 o ./
-50 -25 o 25 50 75 100 o 10 20 30 40 50 60 5 10 15 20 25 30
Temperatura do invólucro ('C) Corrente de entrada do LED IF (mA) Tensão de coletor V cE (V)

Fig. 21.55 Corrente escura (/cw) versus Fig. 21.57 Características de saída do detec-
temperatura. Fig. 21.56 Características de transferência. tor.
616 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos o

16 1,2
1 1
,_... 14 -VcE=lOV
3 . i"'
i
1
12
10
1\,
~-~·-· RL = l ldl - .
-8
·!
1,0

0,8
V --
l 8
~-·~~1-M_
"Ê 0,6
/
l
-8
i
6
4 \,
\
RL = 1000 0,4
/
~ 2 1 1

o I
0o 2 4 6 s 10 12 -50 -25 O 25 50 75 100
Corrente de coletor lc (mA) Temperatura do invólucro ("C)

Fig. 21.58 Tempo de chavearnento versus corrente de coletor. Fig. 21.59 Saída relativa versus temperatura.

(a) (b) (e)

Fig. 21.60 Opto-isoladores: (a) fotocliodo; (b) foto-Darlington; (e) foto-SCR.

rísticas I- V e aplicações de cada um serem semelhantes induziu

à escolha destes rótulos.
Como indicado na Fig. 21.61, o PUT é um dispositivo pnpn
de quatro camadas com uma porta conectada diretamente à ca-
mada intercalada tipo-n. O símbolo para o dispositivo e arranjo
de polarização básico aparece na Fig. 21.62. Como o símbolo
sugere, é essencialmente um SCR, com mecanismo de controle,
que permite uma duplicação das características do SCR típico.
O termo "programável" é aplicado porque RBB• T/ e Vp como de-
fmidos para o UJT podem ser controlados através dos resistores
RB,, RB, e a fonte de tensão VBB· Note na Fig. 21.62 que através
de uma aplicação da regra do divisor de tensão quando IG = O:
como definido para o UJT.
A curva característica de dispositivo é mostrada na Fig. 21.63.
Como notado no diagrama, o estado "desligado" (I baixo, V en-
tre O e Vp) e o estado "ligado" (I ~ lv, V~ Vv) estão separados
pela região instável, como ocorre para o UJT. Isto é, o dispositi-
vo não pode permanecer no estado instável - ele simplesmente
se desloca para os estados estáveis "desligado" ou "ligado".
O potencial de disparo (Vp), ou a tensão necessária para "dis-
parar" o dispositivo, é dado por

(21.20)
(21.19)
como definido para o UJT. Entretanto, Vp representa a queda de
tensão VAK na Fig. 21.61 (a queda de tensão direta através do diodo
onde conduzindo). Para o silício, Vv é tipicamente O, 7 V. Portanto
VAK = VAo + VoK
Ânodo
A
+ +
+
RB2
+ G
Porta VBB
+ VAK
+
VaK Va RB1

K
Catodo K

Fig. 21.61 UJT programável (PUT). Fig. 21.62 Arranjo de polarização básica para o PUT.
 o pnpn e Outros Dispositivos 617

vez que R = V(alto)//(baixo) representa um alto valor de resis-

tência. Quando Vp é atingido, o dispositivo chaveia da região
instável para o estado "ligado", onde a tensão é menor, mas a
corrente é maior, o que permite admitir, em termos aproxima-
Região dos, um curto-circuito equivalente. O dispositivo, portanto, mu-
\ instável ( - R) dou de um estado de circuito aberto para um curto-circuito em
Estado desligado \ um ponto determinado pela escolha de R8 , RB, e V88 • Como o

\ dispositivo está no estado "ligado", a remoção de VO não desliga

o circuito. O nível de tensão VAK deve cair o suficiente para redu-
zir a corrente abaixo de um nível de retenção.

_....,'""+'""1-------:.-..--......;;....~......._.....,.;;........_ EXEMPLO 21.2

lp 1A Determine R81 e V88 para um PUT de silício, em que rJ = 0,8, Vp =
lv
10,3 V e RBi = 5 kfi.
Fig. 21.63 Características do PUT.
Solução

Rn,
Vp = Vv + Vo Eq. (21.4): TJ = · = 0,8
VJ
Rn, + Rn2
+ 0,7
1 .
e LVp::::: 11Vsn silício (21.21) Rn, = 0,8(Rn, + Rn,)
Notamos acima, entretanto, que V0 =71V 88 , o que resulta em 0,2R0 , = 0,8R02

1 Vp == Vo + O, 7 vJ . . s11íc10
(21.22)
Rn, = 4Rn2
R8 , = 4(5 kfi) = 20 kfi
Recorde que, para o UJT, R81 e RBi representam a resistên-
cia dos terminais e os contatos de base do dispositivo - ambos Eq. (21.20): Vp = rJVnn + Vv
inacessíveis. No desenvolvimento acima, notamos que Ra. e RBi
são externos ao dispositivo, permitindo um ajuste de 11 e, por-
10,3 V= (0,8)(V88 ) + O, 7 V
tanto, de V0 acima. Ou seja, o PUT fornece um meio de controle 9,6 V= 0,8Vnn
no nível de Vp requerido para ligar o dispositivo.
Embora as características do PUT e UJT sejam semelhantes, Vnn = 12 V
as correntes de pico e de vale do PUT são tipicamente menores
do que as do UJT. Além disso, a tensão de operação mínima tam-
bém é menor para o PUT. O PUT pode ser utilizado no oscilador de relaxação da Fig.
Se tomarmos o equivalente de Thévenin do circuito à direita 21.65. No momento em que a fonte é conectada, o capacitor co-
do terminal da porta, na Fig. 21.62, obtém-se o circuito da Fig. meçará a se carregar até V88 volts, uma vez que não há corrente
21.64. A resistência resultante Rs é importante (em geral ela é de ânodo neste ponto. A curva de carga aparece na Fig. 21.66. O
incluída na folha de especificações), pois afeta o nível de lv.
A operação básica do dispositivo pode ser revista com base
na Fig. 21.63. Um dispositivo no estado "desligado" não pode
mudar de estado até que a tensão Vp, definida por V0 e Vv, seja
atingida. O nível de corrente, até que lp seja atingido, é muito
baixo, resultando num circuito equivalente de circuito aberto, uma
R

Equivalente de Thévenin

Fig. 21.64 E<,1uivalente de Thévenin para o circuito à direita do terminal da porta

na Fig. 21.62. Fig. 21.65 Oscilador de relaxação a PUT.
618 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos o ..; o

't=RC

Fig. 21.66 Curva de carregamento para o capacitor C da Fig. 21.65.

período Trequerido para atingir o potencial de disparo Vp é dado,

aproximadamente, por
,--------- -------------i
1 T == RCioge VBB jl (21.23)
1 VBI1 - Vp -

ou quando Vp == 11Vss

Fig. 21.67 Formas de onda para o oscilador a PUT da Fig. 21.65.

(21.24)

No instante em que a tensão através do capacitor se iguala a EXEMPLO 21.3

Vp, o dispositivo dispara, e uma corrente IA = lp é estabelecida Se VBB = 12 V, R = 20 kO, C = 1 µ,F, RK = 100 O, Rs, = 10
através do PUT. Se R for muito grande, a corrente lp não pode
kO, RBi = 5 kO, lp = 100 µ,A, Vv = 1 V e lv = 5,5 mA, deter-
ser estabelecida, e o dispositivo não dispara. No ponto de transi-
mine:
ção,
(a) V,,.
(b) Rmáx e Rm1n·
(c) Te a freqüência de oscilação.
e (d) As formas de onda de vA, v 0, e vK.

( 2 1. 25) Solução
(a) Eq.(21.20): Vp = 11VnB + VD
O subscrito é incluído para indicar que qualquer R maior que Rmáx RBI VBB + 0,7 V
resultará numa corrente menor do que lp. O valor de R deve, tam- RBI + RB2
bém, ser tal que assegure que a corrente resultante seja menor do
que lv, se oscilações são desejadas. Ou seja, queremos que o dis- 10 kO (1 ) O7 V
positivo entre na região instável e então retome ao estado "des- 10 kO + 5 kO 2 V + '
ligado". Analogamente: = (0,67)(12 V)+ 0,7 V= 8,7 V

VBB - Vp
(21.26) (b) Da Eq. (21.25): Rmáx =
lp

A discussão acima permite concluir que R deve ser limitado 12 V - 8, 7 V = 33 kO

da seguinte forma para um sistema oscilante: 100 µ,A

Rmin < R < Rmáx

VBB - Vv
As formas de onda vA, v0 e vK aparecem na Fig. 21.67. Note Da Eq. (21.26): Rmin =
lv
que T determina a tensão máxima que vA pode atingir. Quando o
dispositivo dispara, o capacitor rapidamente se descarrega atra- 12 V- 1 V= 2 kO
vés do PUT e de RK, produzindo a queda mostrada. Obviamente, 5,5mA .
v K atinge o pico ao mesmo tempo, devido à corrente rápida, po- R: 2 kO < 20 kO < 33 kO
rém, forte. A tensão v0 cai rapidamente de V0 para um nível pou-
co maior do que O V. Quando a tensão do capacitor cai para um
V.88
nível baixo, o PUT novamente desliga, e o ciclo de carregamen- (c) Eq. (21.23): T=RClog,
to se repete. O efeito sobre V0 e VK é mostrado na Fig. 21.67. VBB-VP
o pnpn e Outros Dispositivos 619

5. (a) Com base na Fig. 21.8, pode-se concluir que uma corrente de
porta de 50 mA dispara o dispositivo na temperatura ambien-
te (25°C)?
(b) Repita a letra (a) para uma corrente de porta de 10 mA.
(c) Uma tensão de porta de 2,6 V dispara o dispositivo na tempe-
ratura ambiente?
(d) VG = 6 V, IG = 800 mA é uma boa escolha para condições de
disparo? E VG = 4 V, IG = 1,6 A seria mais adequado? Expli-
que.
1(
V:,c =VA-Vv = 8,7V-l V=7,7V
§ 21.6 Aplicações do SCR

6. Na Fig. 21.llb, por que há muito pouca queda de tensão através

l l l do SCR durante a condução?
o t 7. Explique detalhadamente por que valores reduzidos de R 1 na Fig.
21.12 resultam num ângulo elevado de condução.
*8. Refira-se ao circuito de carga da Fig. 21.13.
(a) Determine o nível de do sinal retificado de onda completa se
um transformador de 1: 1 for empregado.
(b) Se uma bateria em estado descarregado está com 11 V, qual a
queda de tensão ânodo-catodo através do SCR1?
(c) Qual o valor máximo possível de VR (VGK == 0,7 V)?
(d) No valor encontrado para a letra (e), qual o potencial de porta
de SCR2 ?
Fig. 21.68 Formas de onda para o oscilador do Exemplo 21.3. (e) Quando o SCR2 entra em estado de curto-circuito, qual o ní-
vel de Y 2 ?

§ 21. 7 Chave Controlada de Silício

12V
,= (20 k!l)(l µF) loge 12 V _ 8 ,7 V 9. Descreva detalhadamente, com suas próprias palavras, o funcio-
namento dos circuitos da Fig. 21.17.
= 20 10- 3 loge (3,64)
X
= 20 X 10- 3(1,29) § 21.8 Chave de Desligamento de Porta
= 25,8 ms 10. (a) Na Fig. 21.23, se Vz = 50 V, determine o máximo valor pos-
1 1 sível que o capacitor C1 pode se carregar (VGK == 0,7 V).
f = - = = 38,8 Hz (b) Determine o tempo de descarga aproximado (5T) para R3 =
T 25,8 ms
20k!l.
(c) Determine a resistência interna do GTO se o tempo de su-
(d) Como indicado na Fig. 21.68. bida é metade do período de decaimento determinado na
letra (b).

§ 21.9 SCR Ativado a Luz

PROBLEMAS
§ 21.3 Operação Básica do Retificador Controlado de
Silício
1. Descreva com suas próprias palavras o funcionamento básico do
SCR usando o circuito equivalente de dois transistores.
2. Descreva duas técnicas para desligar um SCR.
3. Consulte um manual do fabricante ou folha de especificações e
obtenha um circuito de desligamento. Se possível, descreva a ação
de desligamento do projeto.
§ 21.4 Características do SCR e Valores Nominais
*4. (a) Em níveis altos de corrente de porta, as características de um
SCR são aproximadamente iguais às de um dispositivo de dois
terminais?
(b) Numa tensão fixa de ânodo-catodo menor que V(BRJF*'• qual é
o efeito no disparo do SCR, quando a corrente de porta é re-
duzida de seu valor máximo para o nível zero.
(e) Numa corrente fixa de porta maior que IG = O, qual é o efeito
no disparo do SCR quando a tensão de porta é reduzida de
V(BRJF*?
(d) Para níveis crescentes de /G, qual é o efeito sobre a corrente
de retenção?
11. (a) Com base na Fig. 21.25b, determine a irradiância mínima
requerida para disparar o dispositivo na temperatura ambien-
te (25ºC).
(b) Que redução percentual na irradiância é permissível, se a
temperatura da junção for elevada de OºC (32ºF) a lOOºC
(212ºF)?
§ 21.10 Diodo Shockley
12. Para o circuito da Fig. 21.29, se VrnRJ = 6 V, V= 40 V, R = 10
k!l, C = 0,2 µ;F e VGK (potencial de disparo) = 3 V, determine o
período de tempo entre a energização do circuito e a ativação do
SCR.
§ 21.11 Diac
13. Usando qualquer referência que você queira, ache uma aplicação
de um diac e explique seu funcionamento.
14. Se V811, é 6,4 V, determine a faixa para V8 R, usando a Eq. (21.1).
§ 21.12 Triac
15. Repita o Problema 13 para o triac.
622 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Placas
de deflexão
horizontal ( H)

Invólucro
de vidro
a vácuo

Fig. 22.1 Tubo de raios catódicos: construção básica.

são a ser medida. Enquanto o feixe de elétrons é movido através
da face do CRT por um sinal de varredura horizontal, o sinal de
entrada o deflete verticalmente, permitindo uma visualização da
forma de onda do sinal de entrada. Uma varredura do feixe atra-
vés da face do tubo, seguida por um período "inativo", durante o
qual o feixe é desligado enquanto retoma ao ponto de partida,
constitui uma varredura do feixe propriamente dita.
Uma exposição estacionária é obtida quando o feixe varre
repetidamente o tubo, com exatamente a mesma imagem a cada
varredura. Isto requer uma sincronização, começando a varredura
no mesmo ponto de um ciclo de forma de onda repetitivo. Se o
sinal é sincronizado adequadamente, a exposição será estacioná-
ria. Na ausência de sincronismo, a imagem parecerá deslocar-se
ou mover-se horizontalmente na tela.
Partes Básicas de um CRO
As partes básicas de um CRO são mostradas na Fig. 22.2. Con-
sideraremos primeiro a operação do CRO para esse diagrama
de blocos simplificado. Para obter uma deflexão do feixe, que
seja visível, de um centímetro a alguns centímetros, a tensão
usual aplicada às placas de deflexão deve ser da ordem de deze-
nas a centenas de volts. Uma vez que os sinais medidos usando
um CRO são tipicamente de apenas alguns volts, ou mesmo al-
guns milivolts, circuitos amplificadores são necessários para au-
mentar o sinal de entrada para os níveis de tensão requeridos para
operar o tubo. Há estágios de amplificação para ambas as defle-
xões vertical e horizontal do feixe. Para ajustar o nível de um
sinal, cada entrada passa através de um circuito atenuador regu-
lável.
22.4 OPERAÇÃO DE VARREDURA DE
TENSÃO
Quando a entrada vertical é O V, o feixe de elétrons pode ser
posicionado no centro vertical da tela. Se O V for também apli-
cado na entrada horizontal, o feixe está então no centro da face

Controle da
escala de
/ amplitude
Sinarde
entrada o - - - -
vertical

Sinal de
entrada o - - - - -
horizontal

Controle-
da base
de tempo

Sim:
externa
Sinc
interna

Fig. 22.2 Osciloscópio de raios catódicos: diagrama geral de blocos.

 Osciloscópios e Outros Instrumentos de Medida 623

(a) (b)

Fig. 22.3 Ponto na tela do CRT devido ao feixe de elétrons estacionário: (a) ponto centrado devido ao feixe eletrônico estacionário; (b) ponto estacionário deslocado
do centro.

do CRT e permanece como um ponto estacionário. Os controles é uma reta acima do centro vertical, correspondendo à tensão
de posição vertical e horizontal permitem mover o ponto para aplicada.
qualquer lugar na face do tubo. Qualquer tensão de aplicada a A tensão de varredura é obtida a partir de uma forma de onda
uma entrada resultará num deslocamento do ponto. A Fig. 22.3 contínua, ilimitada. Isto é necessário para a observação de um
mostra uma face do CRT com um ponto centrado, e com um ponto sinal de longa duração. Uma varredura limitada no tempo não
movido pela tensão horizontal positiva (para a direita) e uma permitiria a visualização do sinal de entrada na tela. Repetindo a
tensão de entrada vertical negativa (abaixo do centro). varredura, a exposição é gerada várias e várias vezes por segun-
do, produzindo uma exposição contínua da forma de onda a ser
analisada. Se a taxa de varredura é muito lenta (fixada pelos con-
Sinal de Varredura Horizontal troles de escala de tempo no osciloscópio), o percurso real do
feixe através da face do tubo pode ser observado.
Para visualizar um sinal na tela do osciloscópio, é necessário
Aplicando apenas um sinal senoidal às entradas verticais
defletir o feixe através do CRT com um sinal de varredura ho- (sem varredura horizontal), resulta numa linha reta vertical,
rizontal, de modo que qualquer variação do sinal vertical pos- como mostrado na Fig. 22.5. Se a velocidade de varredura (fre-
sa ser observada. A Fig. 22.4 mostra a linha reta resultante para qüência do sinal senoidal) for reduzida, é possível ver o feixe
uma tensão positiva aplicada à entrada vertical, usando um sinal de elétrons movendo-se para cima e para baixo, ao longo da
de varredura linear (dente de serra) aplicado ao canal horizon- linha reta.
tal. Com o feixe de elétrons mantido numa distância vertical
constante, a tensão horizontal, passando de negativa para zero
e, em seguida, positiva, faz o feixe mover-se do lado esquerdo Uso de Varredura Linear Dente de Serra para
do tubo, para o centro, e para a direita. A exposição resultante Mostrar Entrada Vertical
Para visualizar um sinal senoidal, é necessário usar um sinal de
varredura no canal horizontal, de maneira que o sinal aplicado
ao canal vertical possa ser visto na face do tubo. A Fig. 22.6
mostra a exposição no CRO resultante de uma varredura linear
horizontal e uma entrada senoidal no canal vertical. Para que um
ciclo do sinal seja exposto, como mostrado na Fig. 22.6a, é ne-
cessário que as freqüências do sinal e da varredura linear este-
jam sincronizadas. Se houver qualquer diferença, a exposição
parecerá mover-se (não estão sincronizadas), a menos que a fre-
qüência de varredura seja múltipla da freqüência senoidal. Re-
duzindo-se a freqüência de varredura, mais ciclos do sinal senoi-
dal podem ser observados. Por outro lado, um aumento da fre-
qüência de varredura reduz a faixa do sinal que pode ser visuali-
zada. Neste caso, dá-se um zaom em um trecho da forma de onda
do sinal.

EXEMPLO 22.1
Determine quantos ciclos de um sinal senoidal de 2 kHz são vis-
tos se a freqüência de varredura for de:
flg. 22.4 Visão no osciloscópio para um sinal vertical de eum sinal de varredura (a) 2 kHz.
horizontal linear. (b) 4 kHz.
624 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
li
Uv

Fig. 22.5 Visão no osciloscópio resultante para entrada ver-

t (ms) tical senoidal e nenhuma entrada horizontal.

(c) 1 kHz. cópio à variação do sinal de entrada e à tensão de varredura du-

Solução
(a) Quando os dois sinais têm a mesma freqüência, um ciclo
completo será visto.
(b) Quando a freqüência de varredura é elevada para 4 kHz, meio
ciclo será visto.
(c) Quando a freqüência de varredura é reduzida para 1 kHz, dois
ciclos serão vistos.
A Fig. 22. 7 mostra uma forma de onda tipo pulso aplicada à
entrada vertical, com uma varredura horizontal, podendo ser vi-
sualizada na tela do osciloscópio. Os números em cada forma de
onda permitem associar a forma de onda mostrada pelo oscilas-
rante um ciclo.
22.5 SINCRONIZAÇÃO E DISPARO
O display do CRO pode ser ajustado pela seleção da velocidade
de varredura (freqüência) para mostrar quer seja um ciclo, vári-
os ciclos ou parte de um ciclo do sinal. Este é um recurso impor-
tante do CRO. A Fig. 22.8 mostra o display resultante para al-
guns ciclos do sinal de varredura. Cada vez que a tensão dente
de serra executa um ciclo de varredura linear (de um máximo
negativo, para zero e para um máximo positivo), o feixe de elé-
trons é forçado a mover-se horizontalmente através da face do
tubo, da esquerda para o centro e para a direita. A tensão dente

t (ms)
t (ms)

5ms

t (ms)
t (ms)
(a) (b)

Fig. 22.6 Visão de uma entrada vertical senoidal e entrada de varredura horizontal: (a) Visão do sinal de entrada vertical usando sinal de varredura linear para
deflexão horizontal; (b) Visão no osciloscópio para uma entrada vertical senoidal e uma velocidade de varredura horizontal igual à metade daquela do sinal vertical.
 Osciloscópios e Outros Instrumentos de Medida 625

Sinal vertical

2 3 4 5

--:----1----1-~----- Sinal horizontal

Fig. 22.7 Uso de varredura linear para uma forma de onda tipo pulso.

de serra cai, então, rapidamente, para a tensão inicial negativa,
com o feixe retomando ao lado esquerdo. Durante o tempo em
que a tensão de varredura retorna (rapidamente) ao valor negati-
vo (retraço), o feixe é desativado (a tensão da grade impede que
os elétrons atinjam a face do tubo).
Para que o display mostre uma forma de onda estacionária
a cada varredura, é necessário iniciá-la no mesmo ponto do
ciclo do sinal de entrada. Na Fig. 22.9, a freqüência de varre-
dura é muito baixa, e o display do CRO terá um "desvio" apa-
rente para a esquerda. A Fig. 22.1 Omostra o resultado de uma

Sinal de entrada vertical

Sinal de entrada vertical

Sinal de varredura horizontal

Sinal de varredura horizontal

Fig. 22.8 Display estacionário do osciloscópio- sinais de entrada e de varredu- Fig. 22.9 Freqüência de varredura muito baixa - desvio aparente para a es-
ra sincronizados. querda.
626 DispositiYos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
li
Sinal de entrada ·vertical

Cada forma de onda 4! '/•

de uma onda seno (O....,. 2t1'),
Cada forma de
onda 4! determinada por
aquela seção de entrada
vertical entre linhas pontilhadas
determinadas pelo sinal
de varredura.

Fig. 22.10 Freqüência de varredura muito alta - desvio aparente para a direita.

freqüência de varredura muito alta, com um desvio aparente
para a direita.
Obviamente, é impraticável ajustar a freqüência da varredura
para o mesmo valor da freqüência do sinal, a fim de obter uma
varredura estacionária. Na prática, deve-se esperar até que o si-
nal atinja o mesmo ponto num ciclo para começar o início do
traço. São descritos a seguir os vários recursos existentes para se
realizar este disparo.
Disparo
O método usual de sincronização usa uma porção do sinal de en-
trada para disparar um gerador de varredura, tomando o sinal de
varredura amarrado ou sincronizado ao sinal de entrada. Usando
uma porção do mesmo sinal a ser visto, para fornecer o sinal de
sincronismo, a sincronização fica assegurada. A Fig. 22.11 mostra
um diagrama em bloco de como um sinal de disparo pode ser obti-
do de um display de canal único. A fonte do sinal de disparo pode
ser obtida da rede elétrica (60 Hz) para visualização de sinais rela-
cionados à rede de um sinal externo (diferente do sinal a ser visto),
ou, mais provavelmente, de um sinal extraído da entrada vertical.
A chave seletora no osciloscópio estando na posição INTERNAL
fornece uma parte do sinal de entrada para o circuito gerador de
disparo. A saída do gerador de disparo é um sinal de disparo usado
para iniciar a varredura principal do osciloscópio, cuja duração é
estabelecida pelo ajuste de tempo/cm. A Fig. 22.12 mostra o dispa-
ro sendo iniciado em vários pontos de um ciclo de sinal.

Acoplamento
do disparo
o
1
1 Inclinação
Fonte de 1 o
1 1
disparo 1 1 Nível
Entrada 1 1 o
EXT 1 1 1
1 1 1
1

Dos
circuitos
verticais do
osciloscópio
Ajuste
tempo/cm

Tensão
de linha
Varredura _Â
principal

Fig. 22.11 Diagrama em bloco, mostrando a operação de disparo do osciloscópio.

 Osciloscópios e Outros Instrumentos de Medida 62 7

Tensão de entrada

(a) (b)
Sinal de disparo

Sinal de varredura

(c) (d)

Fig. 22.12 Disparo em vários pontos do nível de sinal (Nota: sinal inicia no mesmo
ponto do ciclo a cada varredura, e está, portanto, sincronizado): (a) nível zero '----v---'
V
passando para positivo; (b) nível zero passando para negativo; (c) nível de dis- Duração do tempo de
paro por tensão positiva; (d) nível de disparo por tensão negativa. varre<Jura determinado pelos
controles de t/cm

Fig. 22.13 Varredura com disparo.

A operação de disparo de varredura também pode ser vista ob-

servando-se algumas das formas de onda resultantes. Dado um si-
nal de entrada, uma forma de onda de disparo é obtida para forne-
cer um sinal de varredura. Como visto na Fig. 22.13, a varredura é
iniciada em um instante de tempo do ciclo do sinal de entrada e
termina num período fixado pelos controles de duração da varre-
dura. Portanto, o osciloscópio espera até a entrada atingir um pon-
to idêntico em seu ciclo antes de iniciar uma outra varredura. A
duração da varredura determina quantos ciclos serão vistos, enquan-
to o disparo assegura que a sincronização é realizada.

Nota: A linha branca

mostra o chaveamento
do feixe de elétrons
no modo ALTERNATE.

(a)

Operação chopping, mosirando duplo

traço com feixe único de elétrons
(em baixas freqüências, linhas de
chopping são pouco visíveis)

(b)

Fig. 22.14 Modos de display ALTERNATE e CHOPPED para operação de duplo traço: (a) modo ALTERNATE para duplo traço, usando feixe único de elétrons;
(b) modo CHOPPED para duplo traço, usando feixe único de elétrons.
628 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

22.6 OPERAÇÃO MULTITRAÇO EXEMPLO 22.2

Calcule a amplitude pico a pico do sinal senoidal na Fig. 22.16,
Muitos osciloscópios modernos permitem a visualização de dois sabendo-se que a escala do osciloscópio foi ajustada em 5 mV/cm.
ou mais traços ao mesmo tempo. Este recurso permite que se
realizem comparações de amplitude, e outras características
importantes das formas de onda. Um traço múltiplo pode ser
obtido usando-se mais de um canhão de elétrons, com os feixes
separados criando displays distintos. O mais comum, entretan-
to, é um feixe único de elétrons, usado para criar as múltiplas
imagens.
Nos osciloscópios, existem duas formas básicas de se gerar
dois traços: CHOPPED e ALTERNATE. Com dois sinais de
entrada aplicados, uma chave eletrônica conecta primeiro uma
entrada, e depois a outra, ao circuito d,e deflexão. No modo
ALTERNATE de operação, o feixe de varredura mostra os ci-
clos do primeiro sinal de entrada. A entrada chaveia (alterna),
então, para a segunda entrada e mostra o mesmo número de ci-
clos do segundo sinal. A Fig. 22.14a mostra a operação com dis-
play alternado. No modo CHOPPED de operação (Fig. 22.14b),
o feixe chaveia repetidamente entre os dois sinais de entrada
durante uma varredura do feixe. Se o sinal for de baixa freqüên-
cia, a ação de chaveamento não é visível, e dois displays sepa-
rados são vistos.
flg. 22.16 Forma de onda para o Exemplo 22.2.

22. 7 MEDIDAS USANDO ESCALAS

CALIBRADAS DE CRO Solução

A face do tubo do osciloscópio tem uma escala calibrada para a
realização de medidas de amplitude ou tempo. A Fig. 22.15
mostra uma escala calibrada típica. Os quadrantes são divididos
em centímetros (cm), 4 cm em cada lado do centro. Cada centí-
metro é, por sua vez, dividido em intervalos de 0,2 cm.
Medidas de Amplitude
A amplitude pico a pico é
2 X 2,6cm X 5 mV/cm = 26mV
Note que um osciloscópio fornece um meio de medida deva-
lores pico a pico, enquanto um multímetro fornece medidas,
tipicamente, rms (para uma forma de onda senoidal).

A escala vertical é calibrada em volts por centímetro (V/cm) ou

rnilivolts por centímetro (mV/cm). Usando a escala determina-
da pelo osciloscópio, pode-se medir tensões pico a pico ou de pico EXEMPLO 22.3
típicas para um sinal ac. Calcule a amplitude do sinal de pulso na Fig. 22.17 (osciloscó-
pio com 100 mV/cm).

Fig. 22.15 Tela do osciloscópio calibrada. Fig. 22.17 Forma de onda para o Exemplo 22.3.
li Osciloscópios e Outros Instrumentos de Medida 629

Solução
EXEMPLO 22.5
A amplitude pico a pico é Determine a freqüência da forma de onda mostrada na Fig. 22.18
(osciloscópio com 5 µs/cm).
(2,8 cm+ 2,4 cm) X 100 mV/cm = 520 mV = 0,52 V
Solução

Medidas de Tempo Da forma de onda

PERÍODO período = T = 3,2 cm X 5 µs/cm = 16 µs

A escala horizontal do osciloscópio pode ser usada para me- 1 1

dir tempo, quer seja em segundos (s), milissegundos (ms), mi- f=-=-
T 16µs
crossegundos (µs) ou nanossegundos (ns). O intervalo de um
= 62,SkHz
pulso do início ao fim é o período do pulso. Quando o sinal é
periódico, o período é um ciclo da forma de onda.

LARGURA DO PULSO
EXEMPLO 22.4
Calcule o período da forma de onda mostrada na Fig. 22.18 (os-
O intervalo de tempo em que uma forma de onda está alta
ciloscópio com 20 µs/cm).
(ou baixa) é a largura de pulso do sinal. Quando as bordas da
forma de onda sobem e caem instantaneamente, a largura é
medida do início (borda ascendente) ao fim (borda descenden-
te) (veja a Fig. 22.19a). Para uma forma de onda com bordas que
sobem e descem de maneira inclinada, a largura do pulso é
medida entre os pontos de 50% de amplitude, como mostra a Fig.
22.19b.

Fig. 22.18 Forma de onda para o Exemplo 22.4.

Solução

Para a forma de onda da Fig. 22.18,

período = T = 3,2 cm X 20 µs/cm = 64 µs Fig. 22.19 Medição da largura do pulso.

FREQú:eNCIA

A medida de um sinal periódico pode ser usada para calcular

EXEMPLO 22.6
a freqüência do sinal. Uma vez que a freqüência é o recíproco do
Determine a largura do pulso da forma de onda na Fig. 22.20.
período,
Solução

(22.1) Para uma leitura de 4,6 cm no ponto médio da forma de onda, a

largura do pulso é
630 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

Seleção do osciloscópio:
50 µ.s/cm

Fig. 22.20 Forma de onda para o Exemplo 22.6. Fig. 22.21 Forma de onda para o Exemplo 22.7.

Tpw = 4,6 cm X 2 µ,s/cm = 9,2 µs 22.8 RECURSOS ESPECIAIS DO CRO

RETARDO DE PULSO
O intervalo de tempo entre pulsos é chamado retardo de pul-
sos. Para as formas de onda mostradas na Fig. 22.21, o retardo
de pulso é medido entre o ponto médio (ponto de 50%) no início
de cada pulso.
EXEMPLO 22. 7
Determine o retardo de pulso para a forma de onda da Fig. 22.21.
Solução
Das formas de onda na Fig. 22.21,
retardo de pulso = Tp0 = 2 cm X 50 µ,s/cm = 100 µs
O CRO tomou-se mais sofisticado e especializado no seu uso. A
faixa de medidas de amplitude, as escalas de medidas de tempo,
o número de traços mostrados, os métodos de fornecer disparo
de varreduras e os tipos de medidas são diferentes, dependendo
do tipo de emprego do osciloscópio.
Varredura Retardada
Um importante recurso do CRO advém da utilização de duas
bases de tempo, as quais permitem selecionar uma pequena par-
te do sinal para visualização. Uma base de tempo seleciona o sinal
global visto no osciloscópio, enquanto uma segunda permite vi-
sualizar o sinal de forma expandida. A base de tempo principal é
referida como a base de tempo A, enquanto a segunda base de
tempo, referida como B, mostra o sinal após um retardo de tem-
po previamente ajustado.
A Fig. 22.22 fornece um diagrama em blocos, mostrando a
operação de duas bases de tempo. Com os controles do painel

Sinal de
disparo --.....---+- Varredura principal
A

Sinal de
disparo -n -~---i,,-

A
Varredura retardadã,

Fig, 22.22 Operação de varredura retardada - diagrama em bloco.

• Osciloscópios e Outros Instrumentos de Medida

Parte selecionada do sinal de varredura

principal mostrado em vista expandida
631

Fig. 22.23 Varreduras principal e retardada.

frontal selecionados para operarem na varredura A, a varredura

principal é selecionada para mostrar um certo número de ciclos (22.2)
do sinal de entrada. Os controles permitem, então, selecionar a
varredura B, cuja duração pode ser ajustada. Além disso, esta
varredura pode ser deslocada na tela do osciloscópio. Quando um
determinado trecho do sinal é selecionado, a segunda base de Ajuste V-
tempo fica associada a este trecho, que pode ser mostrado de de seno (teITa) C
forma amplificada. A Fig. 22.23 mostra um sinal tipo pulso vis-
to primeiro usando a varredura A e, depois, a porção seleciona-
da de forma amplificada.

22.9 GERADORES DE SINAIS

Um gerador de sinais fornece um sinal ac de amplitude e fre-
qüência ajustáveis para uso em amplificadores ou outro circui-
to linear. A freqüência pode ser ajustada, tipicamente, de alguns Ajuste
hertz a alguns megahertz. A amplitude do sinal pode ser ajus- de freq. v+
tada de alguns milivolts a alguns volts de amplitude. Embora a
forma de onda mais empregada seja a senoidal, pode-se obter Fig. 22.24 CI gerador de forma:-. J.: onda 8038.
formas de onda triangulares ou pulsos de geradores de sinais
típicos.

CI Gerador de Forma de Onda (8038)

A Fig. 22.24 mostra o CI 8038, cuja função é gerar formas de
onda. Este CI de 14 pinos é capaz de produzir senóides, formas
de onda quadradas ou triangulares para uso na operação ou teste
de outros equipamentos. Uma breve apresentação da operação
deste CI auxiliará a compreender, de maneira geral, como se
comporta um gerador de sinais disponível comercialmente. Este
CI particular pode gerar sinais com freqüências que vão desde 1
Hz até cerca de 300 kHz. A faixa de unidades comerciais pode
ser consideravelmente maior. Como indicado na Fig. 22.24, a
freqüência é selecionada pelo usuário.
A Fig. 22.25 mostra a conexão do CI, quando usado para gerar um
sinal com freqüência ajustável. A freqüência neste caso é dada por Fig. 22.25 Conexão do 8038 como gerador de freqüências variável.
632 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
li
-------<> v+ (+9 V)

+9V

Ramp
lOOkQ
©
llill'----.--<>
Saída de on~
senoidal

./\IV

Fig. 22.26 Gerador de formas de onda senoidal com freqüência e amplitude ajustável.

P--.---
© Saída TIL
+5 v,-, r
ov-' LJ

Fig. 22.27 Gerador de sinal TIL.

vés de um amplificador de isolamento. O amp-op 31 Oé um am-

EXEMPLO 22.8 plificador de isolamento de ganho unitário, que fornece a saída
Detennine as freqüências inferior e superior correspondentes aos senoidal com uma baixa impedância de saída. [O 310 tem um
valores de resistência mínimo e máximo do potenciômetro de 10 kfi. ganho de tensão próximo à unidade ( 1), com uma impedância de
saída de 1 O.] A freqüência de saída é ajustável sobre uma faixa
Solução de cerca de 30 Hz até 30 kHz, com amplitude ajustável até mais
ou menos 9 V de pico.
Usando a Eq. (22.2), para o potenciômetro fixado em O, R = 10 O:
GERADOR DE PULSOS TTL DE 5-V
f= 0,15 = 30 kHz
(10 ü)(0,5 µF) A Fig. 22.27 mostra um circuito que gera pulsos de 5 V para
emprego em circuitos digitais TIL. O CI 8038 fornece uma for-
Para o potenciômetro fixado em seu valor máximo, ma de onda retangular ou de pulso com uma saída fixa entre Oe
+5 V. A freqüência da saída pode ser variada de cerca de 30 Hz
até 30 kHz, ajustando-se o valor do potenciômetro de 10 kil.
f 0,15 30
= (10 W)(o, 5 µF) = Hz Alguns geradores de sinais incluem capacitares de chaveamento
para aumentar a faixa de freqüência disponível. Quando o CI 8038
é alimentado por uma fonte de tensão regulada, a amplitude do
sinal de saída tem um valor bem definido ( +5 V), o que é exigi-
AMPLITUDE DE SAÍDA AJUSTÁVEL do em circuitos TIL. O seguidor unitário 31 Ofornece uma saída
de baixa impedância, tomando possível conectar o sinal a várias
A conexão da Fig. 22.26 mostra como é possível ajustar a cargas, sem afetar a amplitude ou freqüência da forma de onda
amplitude da forma de onda senoidal, tomada disponível atra- do mesmo.
 APÊNDICE
Parâmetros Híbridos
Equações de Conversão
(Exatas e Aproximadas) A
A.l EXATAS

Configuração Emissor-Comum
h. = h;b = h.
A.2 APROXIMADAS
,e (1 + hjb)(l - h,b) + hobh/b IC

Configuração Emissor-Comum
h = h;bhob- h,b(l + hjb) = 1- h
re (1 + hjb)(l - hrb) + h0 bhu, rc h.
,e
== ~
1 + hjb
==f3r
e
h = -hjb(l - h,b} - h0 bhib = -(l +h ) h == h;bhob == -h
fe (l+hjb)(l-hrb}+h0 bhib fc re l+hjb rb

h= hob =h h = -hjb = (J

oe (l+hjb)(l-hrb}+h0 bhib oc fe- l+h -,-,

jb

h ==~
Configuração Base-Comum oe 1 + hjb

h - h;, h;c
Configuração Base-Comum
ib - {1 + hfe )(1 - h,,} + h;,h 0, h;choc -hfchrc
z..
hrb = h;,hoe - h,.{1 + h1e} = hfc(l - h,c} + h1choc h. == == _-h., e == r
_'"ie_
ib l+h h e
fe fc
{1 + h1,)(l - h,,} + lziehoe lzichoc-hfchrc
h == h1ehoe - h == h - 1 - h;choc
rb l+h re rc h
h _ -hfie (1 - hre } - h.,e hoe _ h,c(l + hfc}· - h;choc fe fc
_ -hf, _ -{1 + hfc) _
Jb- (l+h1,)(l-hre}+h;ehoe - h;choc-hfchrc hfb= - - = = -a
1 + hfe hfc
h - hoe hoc h _ hoe _ -hoc
ob - {1 + hfe )(1 - hre} + h;,hoe h;choc -hfchrc ob = 1 + hfe = hfc

Configuração Coletor-Comum Configuração Coletor-Comum

h. = h.b = h. h.b
IC (1 + hjb )(1 -
I

hrb) + hobhib Je
h;c == 1 +' hjb == {3r.
1+ hjb
h,c == 1
-1
hfc == 1+h == - {3
jb
h ==~
oc 1 + hjb
 APÊNDICE

Fator de Ripple e
Cálculos de Tensão B
B.l FATOR DE RIPPLE DO Para o sinal retificado de onda-completa,
RETIFICADOR
O fator de ripple de uma tensão é definido por
valor rms da componente ac do sinal
~~----=----~-~
= [ (*2)2 - (2:m rr2
r=
valor médio do sinal = V (_!_ _ __i_) 112
m 2 7T2
que pode ser expressa por

vr(rms) (B.2)
r=
vdc
Como a componente ac de um sinal contendo um nível de é B.2 TENSÃO DE RIPPLE DO
vac=v-Vdc CAPACITOR DE FILTRAGEM
o valor rms da componente ac é
Assumindo uma tensão de ripple triangular, como mostrado na
1 (21T Jl/2 Fig. B.l, podemos escrever (ver Fig. B.2)
V,(rms) = [ 2 7TJo ~ d()
V = V - Vr(p-p) (B.3)
de m 2
Durante a descarga do capacitar, a variação da tensão através

= [2 ~f1r (v2 - 2vVdc + V~c) d() J1 12

deste é

I T
Vlp-p) = d~ 2 (B.4)
= [V2(rms) - 2Vàc + Vàc] 112
= [V2(rms) - Vi,]112 Da forma da onda triangular na Fig. B.l

onde V(rms) é o valor rms da tensão total. Para o sinal retificado V(rms) = V,.(p- p)
de meia-onda, (B.5)
r 2,!J

=[(;r-(:rr2
(obtido de cálculos, não mostrados).

Analisando a forma de onda da Fig. B. l, podemos escrever

= vm[ GY- (:rr 2 ~ - =Vm-

-V,(p-p)
T1 T/4
Ti = V,(p-p)(T/4)
(B.1) Vm
 Apêndice B- Fator de Ripple e Cálculos de Tensão 635

Combinando as Eqs. (B.5) e (B.7), solucionamos para V,(rms):

v, (rms) = _V,_(p_-_P_)
2-ff Forma de onda (B.8)
triangular
aproximada

V,(p-p)
B.3 RELAÇÃO DE Vdc E Ym COM o
RIPPLE, r
A tensão sobre um capacitor de filtragem originada de um trans-
formador com uma tensão de pico igual a Vm, relaciona-se com o
ripple da seguinte forma:

Tz V,(rms) V,(p-p)
L r=
2 Vdc 2V3Vdc

Fig. B.1 Tensão de ripple triangular aproximada para o capacitor de filtragem. V,(p-p) V,(p-p)/2 V,(p) Vm - Vdc
Vdc = 2V3r = \/3r = \/3r = \/3r

Vm - Vdc = \/3rVdc
Vm = (1 + V3r)Vdc

(B.19)

A relação da Eq. (B.9) aplica-se aos circuitos de filtro e retifica-

dor de meia-onda e onda-completa. Por exemplo, em um ripple
Fig. B.2 Tensão de ripple. de 5% a tensão de é de Vdc = 0,92 Vm, ou mais de 90% da tensão

T T V,(p-p)(T/4)
Também, T2 =2 - T1 =2 - Vm

2TVm - V,(p-p)T
T2=----~~-
4Vm
2Vm - V,(p-p) T
T2= - (B.6)
Vm 4
Escrevendo a Eq. (B.3) da forma

V = 2Vm-V,(p-p)
de 2

podemos combinar a última equação com a Eq. (B.6):

T. = Vdc T
2 Vm 2
que, substituída na Eq. (B.4), resulta

V,(p-p) =
Ide (Vdc
C T)
Vm 2

1
T=-
f Carga leve __J
(<6,5%) 1
(B.7) Fig. B.3 Traçado tle VcJV,,, 1:omo função de 'lo r.
636 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

de pico; e para um ripple de 20%, a tensão de é apenas 0,74 Vm, B.5 RELAÇÃO ENTRE ÂNGULO DE
inferior a 75% da tensão do pico. Observe que Vctc é mais de 90%
da tensão de pico para um ripple menor do que 6,5%. Esta quan- CONDUÇÃO, % RIPPLE,
tidade de ripple representa o limite para a condição de carga leve. E Ipicjldc PARA OS CIRCUITOS DE
FILTRAGEM E RETIFICADOR DE
B.4 RELAÇÃO DE Vr (RMS) E Vm COM MEIA-ONDA E ONDA-COMPLETA
O RIPPLE, r
Na Fig. B.1, podemos determinar o ângulo () no qual o diodo
Podemos também obter uma relação entre V,(rms ), Vm, e a quan- começa a conduzir da seguinte forma: Como
tidade de ripple para os circuitos de filtragem com retificador de
meia-onda e onda-completa: V = Vm sen () = vm - V,(p-p) para () = ()l

Vr(p-p) = V - V () 1 -- sen-1 [1 - Vr(p-p)]

2
m de Vm

V,(p-p)/2 = Vm - Yctc = l _ Yctc Usando a Eq. (B.10) e V/rms) = V/p-p)/2 ,J3 resulta
Vm Vm Vm
Vr(p-p) 2V'3Vr(rms)
V3Vr(rms) = _ Vctc Vm Vm
1
Vm Vm
Utilizando a Eq. (B.9), ficamos com tal que 1 - Vr(p-p) = 1 - 2V3Vr(rms)
Vm Vm
V3Vr(rms) 1
----= 1 - ---=-
vm 1+ V3r =1-2V3( rV3)
1+ 3r
Vr(rms) __l_(l- 1 )--1-(1 + V3r-1)
Vm - V3 1 + V3r - V3 1 + V3r 1- V3r
1 + V3r
(B.10)
e (B.11)
A Equação (B.10) é traçada na Fig. B.4.
Como Vctc é maior do que 90% de Vm para um ripple :5 6,5%, onde () 1 é o ângulo no qual a condução se inicia.
Vr(rms) Vr(rms) Quando a corrente cai a zero após o carregamento das impe-
--- = = r (carga leve) dâncias em paralelo de RL e C, podemos determinar que
Vm Vdc
e podemos usar V,(rms)/Vm = r para ripple :5 6,5.%. ()2 = 7T - tan- 1 wRLC

o 5 10 15 20 25 %r
Carga leve __J
(<6,5%) - l Fig. B.4 Traçado de V,(rms)/Vm como função de% r.
 Apêndice B - Fator de Ripple e Cálculos de Tensão 63 7

Onda-completa 20

15

10

O 5 10 15 20 25 %r

e1 = sen- (!.::.l!.!_)
1
1+..[3, 02=:n:-tan
-1 [ 0,907 ]
r(l+,f3r) Fig. B.5 Gráfico de I/I<Jc versus % r para operação de meia-onda e
onda-completa.

A expressão para wRLC pode ser obtida da forma abaixo:

(B.12)
V,(rms) (/dJ4V3/C)(VdcfVm) VdJRL 1
r=
Vdc = 4V3/C Vm Da Eq. (16.lOb); podemos escrever

271'( 1 + 1V3r) /pico = .!.e_ = .I_ = 180º (onda-completa)

Ide Ide Ti fJ
4V3wCRL
360º (B.13)
271' 0,907 = ()
(meia-onda)
tal que wRLC = 4V3 (1 + V3r)r = r(l + V3r)
A Fig. B.5 apresenta o gráfico IJ!dc como função do ripple, para
Portanto, a condução é interrompida no ângulo a operação de meia-onda e onda-completa.
 APÊNDICE

Tabelas e Quadros

QUADRO C.1 Alfabeto Grego e Designações mais Comuns

Nome Maiúscula Minúscula Utilizada para Designar:

alfa A a Ângulos, área, coeficientes

beta B /3 Ângulos, densidade de fluxo, coeficientes
gama r 'Y Condutividade, gravidade específica
delta d 8 Variação, densidade
épsilon E E Base do logaritmo natural
zeta z Impedância, coeficiente, coordenadas
eta
teta
iota
H
e
I
'
T/
(J
L
Coeficiente de histerese, eficiência
Temperatura, ângulo de fase

capa K K Constante dielétrica, suscetibilidade

lambda A À Comprimento de onda
mi M µ. Micro, fator de amplificação, permeabilidade
ni N V Relutância
csi g g
ômicron o o
pi II 7T Razão entre circunferência e diâmetro= 3,1416
rô p p Resistividade
sigma :t (T Símbolo de soma
tau T 'T Constante de tempo, deslocamento de fase
ípsilon y V
fi <I> cf, Fluxo magnético, ângulos
qui X X
psi '11' Fluxo dielétrico, diferença de fase
ômega .n "'
(JJ Maiúscula: ohms; minúscula: velocidade angular
 Apêndice e-Tabelas e Quadros 639

QUADRO C.2 Valores-padrão de Resistores Comerciais Disponíveis

Ohms Kiloohms Megaohms
(fi) (kn) (Mil)

0,10 1,0 10 100 1000 10 100 1,0 10,0

0,11 1,1 11 110 1100 11 110 1,1 11,0
0,12 1,2 12 120 1200 12 120 1,2 12,0
0,13 1,3 13 130 1300 13 130 1,3 13,0
0,15 1,5 15 150 1500 15 150 1,5 15,0
0,16 1,6 16 160 1600 16 160 1,6 16,0
0,18 1,8 18 180 1800 18 180 1,8 18,0
0,20 2,0 20 200 2000 20 200 2,0 20,0
0,22 2,2 22 220 2200 22 220 2,2 22,0
0,24 2,4 24 240 2400 24 240 2,4
0,27 2,7 27 270 2700 27 270 2,7
0,30 3,0 30 300 3000 30 300 3,0
0,33 3,3 33 330 3300 33 330 3,3
0,36 3,6 36 360 3600 36 360 3,6
0,39 3,9 39 390 3900 39 390 3,9
0,43 4,3 43 430 4300 43 430 4,3
0,47 4,7 47 470 4700 47 470 4,7
0,51 5,1 51 510 5100 51 510 5,1
0,56 5,6 56 560 5600 56 560 5,6
0,62 6,2 62 620 6200 62 620 6,2
0,68 6,8 68 680 6800 68 680 6,8
0,75 7,5 75 750 7500 75 750 7,5
0,82 8,2 82 820 8200 82 820 8,2
0,91 9,1 91 910 9100 91 910 9,1

QUADRO C.3 Valores Típicos dos Capacitores

pF µF

10 100 1000 10000 0,10 1,0 10 100 1000

12 120 1200
15 150 1500 15000 0,15 1,5 18 180 1800
22 220 2200 22000 0,22 2,2 22 220 2200
27 270 2700
33 330 3300 33000 0,33 3,3 33 330 3300
39 390 3900
47 470 4700 47000 0,47 4,7 47 470 4700
56 560 5600
68 680 6800 68000 0,68 6,8
82 820 8200

O PSpice é um programa de análise de circuitos elétricos popular,
que permite ao usuário analisar qualquer tipo de circuito. A versão
DOS exige que a entrada de dados seja feita no modo texto, enquanto
a versão para Windows possibilita que se desenhe o circuito com
todos os seus componentes. O programa fornece respostas, em ter-
mos de tensão e corrente, para vários pontos do circuito, apresen-
tando inclusive gráficos de saída. Sabendo-se utilizar este progra-
ma, o projeto, a análise e até a simulação de circuitos ficam muito
mais fáceis. O software PSpice, utilizado para analisar alguns pro-
blemas ao longo do livro, é produto da MicroSim Corporation.
Os programas apresentados neste livro rodam em computa-
dores IBM-compatíveis. No entanto, o PSpice pode ainda ser
executado nos sistemas V AX, SUN, MAC e outros. Este apên-
dice serve como auxílio para a utilização do PSpice em sistemas
IBM. Para uma informação mais detalhada, existem disponíveis
muitas publicações acadêmicas, manuais de fabricantes e publi-
cações comerciais sobre o assunto.
Configuração Básica Necessária
O PSpice pode ser executado em um sistema IBM-compatível
configurado adequadamente. As versões acima da 6.0 rodam com
processadores 486 de qualquer velocidade e com memória RAM
de, no mínimo, 4MB. A maioria das impressoras é capaz de tra-
balhar com o PSpice, fornecendo textos e gráficos impressos. A
versão mais recente de desenvolvimento (Versão 6.2) está dis-
ponível em disquetes de 3.5" ou em CD-ROM.
Procedimentos Gerais para a Utilização
do PSpice
Para a utilização do PSpice na análise de circuitos, devemos se-
guir as seguintes etapas:
APÊNDICE
PSpice D
1. Selecione Files do menu principal. Escolha New para criar um
novo circuito, ou Open para trabalhar com um circuito previ-
amente criado.
2. Selecione e coloque os componentes do circuito na área
de trabalho utilizando Draw-Get New Part da barra de me-
nu.
3. Faça as conexões do circuito utilizando Draw-Wire da barra
de menu.
4. Concluída a montagem do circuito, inclua os valores das fon-
tes (de e ac).
5. A análise é executada selecionando-seAnalysis-Setup. Se for
desejado, pode-se incluir o recurso PROBE para se obterem
as formas de onda de entrada e de saída.
Nomes dos Arquivos
Os arquivos utilizados pelo PSpice adotam extensões com três
letras.
.ALS arquivo contendo os nomes e as informações dos com-
ponentes do circuito
.CIR arquivo-texto que descreve o circuito
.DAT arquivo contendo os dados de PROBE
.LIB arquivo contendo a biblioteca de componentes espe-
ciais de circuito
.NET arquivos contendo o diagrama do circuito
.OUT arquivos contendo listagens de saída
.SCH arquivo gráfico que descreve o circuito
 APÊNDICE

Soluções para Problemas

Ímpares Selecionados E
CAPÍTULO 1 5 V:Tc = -0,025%/°C 33. (a) Pulso pos. de 3,28 V
55. 0,2 mA: = 400 O (b) Pulso pos. de 14,3 V
3. Condução somente em uma direção 1 mA = 95 O, 10 mA = 13 O 35. (a) Ceifado em 4,7 V (b) Corte pos. em
5. (a) 150 kO (b) 12,5 kO Relação não linear entre / 2 e impedância 0,7 V, pico neg = -12 V
(e) 800 kO (d) 3 µ.O dinâmica 37. (a) O V a 40 V de excursão (b) -5 V a
Rs;:Rcu = 50 X 109 : l 57.VF=2,3V 35 V de excursão
9. 18 J 59. (a) /pico(mb) = 37 mA 39. (a) 28 ms (b) 56: 1 (c) -1,3 V a
21. 56,35 mA (b) /pieo(mix) = 56 mA -21,3 V de excursão
23. (b) 1 (e) Para V = O V. e" = 1 e 41. Circuito da Fig. 2.161 com bateria inver-
10 = O mA tida
27. 325 O CAPÍTULO 2 43. (a) Rs = 20 O, Vz = 12 V
29. -10 V: 100 MO, -30 V:300 MO (b) Pzmá, = 2,4 W
31. Roe= 76 O 1. (a) / 00 = 21,5 mA, Voa:"' 45. Rs = 0,5 kO, /zM = 40 mA
rd = 3 O 0,92 V, VR = 7,08 V 47. V0 = 339,36 V
Roe ;iJ>, rd
_(b) 10 ª = 22,2 mA, Voa= 0,7 V,
33. / 0 = l mA, rd = 52 O vs. VR = 7,3 V
(e) / 0 ª = 24,24 mA, Voa= O V,
CAPÍTULO 3
55 0(#32)
10 = 15 mA, rd = 1,73 O vs. VR=8 V
3. R = 0,62 kO 3. Direta e reversamente polarizado
2 0(#32) 9. lc = 7,921 mA, / 8 = 79,21 µ.A
35. 22,5 O vs. 24,4 0(#34) 5. (a) l = O mA (b) l = 0,965 A
(e) l = l A li. Vc8 = 1 V:V8 E = 800 mV
37. Considerando a melhor aproximação para Vc8 = 10 V:V8 E = 770 mV
a curva de V 0 = 0,7 V, r•• = 40 7. (a) V0 = 9,5 V (b) V0 = 7 V
39. Decresce rapidamente com o aumento da 9. (a) V0 , = 11,3 V, V02 = 0,3 V Vc8 = 20 V:V8 E = 750 mV
tensão da polarização reversa (b) V0 , = -9 V, Voi = -6,6 V Influencia pouco
41. Escala log, T = 25ºC:1R = 0,5 nA li. (a) V0 = 9,7 V, 1 = 9,7 mA 13. (a) lc = 4,5 mA (b) lc = 4,5 mA
T = lOOºC:/R = 60 nA (b) V0 = 14,6 V, 1 = 0,553 mA (c) Desprezível (d) lc = lE
Sim, a 95°C IR aumentou para 64 nA 13, V0 = 6,2 V, lo= 1,55 mA 15. (a) lc = 3,992 mA (b) a= 0,993
43. T = 25ºC:Pmáx = 500 mW, lF,... = 15. V0 = 9,3 V (e) lE = 2 mA
714,29 mA 17. V0 = 10 V 17. Av = 50
T = lOOºC:Pmáx = 260 mW, lFmo,. = 19. V0 = -0,7 V 21. (a) f3dc = 117,65 (b) ade= 0,992
371,43 mA 21.V0 =4,7V (e) lCEo = 0,3 mA (d) leso = 2,4 µA
45. (a) VR = -25 V:C7 = 0,75 pF 23. v;:Vm = 6,98 V, vd: máx. pos= 23. (a) f3dc = 83, 75 (b) f3dc = 170
VR= -lOV:C7 = 1,25pF 0,7 V, pico neg. = -6,98 V (e) f3dc = 113,33
A.C7 !AVR = 0,033 pF/V id: pulso pos. de 2,85 mA 25. {3dc = 116, ade= 0,991,
(b) VR = -10 V:C7 = 1,25 pF 25. Pulso pos., pico = 155,56 V, /E= 2,93 mA
VR = -1 V:C7 = 3 pF Vdc = 49,47 V 31. lc = lc . , VcB = 5 V
A.C7 !A.VR = 0,194 pF/V 27. (a) lo.,,,= 20 mA (b) /máx = Vcs = Vc8 om: lc = 2 mA
(e) 0,194 pF/V:0,033 pF/V = 5,88: 1 36.71 mA (e) / 0 = 18,36 mA (d) Sim lc=4mA, Vc8 =7,5V
Sensibilidade elevada próximo de VO = O V (e) 10 = 36, 71 mA > 10 ,.., = 20 mA Vc8 = 10 V, lc = 3 mA
49. lF = 1 mA, IR = 0,5 mA 29. Forma de onda retificada completamente, 33. lc=lc ., VCE= 3,125 V
t, = 3 ns, t, = 6 ns pico= -100 V: TPI = 100 V VcE = vCE.:: lc = 20,83 mA
51. T 1 = 129,17° 31. Forma de onda retificada completamente, lc = 100 mA, VCE = 6,25 V
53. 20 V:Tc = 0,06%/°C pico = 56,67 V; Vdc = 36,04 V VCE = 20 V, lc = 31,25 mA
64 2 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos
35. hFE:Ic = O, l mA, hFE =43
1c = 10 mA, hFE 98 =
h1e:Ic = O., 1 mA, h1e =72
lc = 10 mA, hfe =160
37. lc = 1 mA, hfe = 120
lc = 10 mA, hfe = 160
39. (a) f3ac = 190 (b) f3dc = 201, 7
(e) f3ac = 200 (d) f3dc = 230) 77 (e) Sim
CAPÍTULO 4
1. (a) / 8 = 32 1 55 µ,A (b) lc0 =
2)93 mA (e) VcEo = 8 1 09 V (d) Vc =
8,09 V (e) V8 = O, 7 V (f) VE = O V
3. (a) Ic = 3,98 mA (b) Vcc =
1\96 V (e) f3 = 199 (d) R 8 = 763 kll
5. (b) R8 = 812 kll (e) lc0 =
3)4 mA, VCEo = 10) 75 V (d) f3dc =
136 (e) a= 0.,992 (f) /e = 7 mA
(h) P0 = 36.,55 mW (i) P~ =
71)92 mW (j) PR= 35J37 mW
7. (a) Rc = 2)2 kll (b) RE = 1..,2 kll
(e) R8 = 356 kll (d) VcE = 5,2 V
(e) V8 = 3, 1 V
9. Ic .., = 5) 13 mA
11. (a) Ic = 2,93 mA, VcE = 8,09 V
(b) fc = 4)39 mA, VCE = 4,15 V
(e) %Me= 49..,83%, %LiVCE =
48,70%
(d) Ic = 2,92 mA, VCE = 8..,61 V
(e) fc = 3 1 93 mA, VcE = 4,67 V
(f) %Me = 34,59%, %Li VCE =
46.,76%
13. (a) Ic = 1,28 mA (b) VE = 1,54 V
(e) V8 = 2.,24 V (d) R 1 = 39.,4 kll
15. Ic. = 3.,49 mA
17. (a>"1Ic = 2)28 mA (b) VCE = 8,2 V
(e) / 8 = 19,02 µ,A (d) VE = 2.,28 V
(e) V8 = 2,98 V É válida a análise
aproximada
19. (a) Rc = 21 4 kll, RE = 0,8 kll
(b) VE = 4 V (e) V8 = 4, 7 V (d) R 2
5.,84 kll (e) f3dc = 129,8
(f) 103.,84 kll 2:: 58,4 kll (confirma)
21. I. (a) Ic = 2.,43 mA,
VCE = 7.,55 V
(b) lc = 2.,33 mA, VCE = 7,98 V;
(e) Método aprox.: %Li/e= 0%,
%LiVcE = 0%
Método exato: %Li/e= 2, 19%,
%Li VCE = 2.,68%
(d) %Me = 2) 9% vs. 49.,83% para
Prob. 11, %LiVCE = 2,68% vs.
49,70% para Prob. 11
(e) Configuração divisor de tensão é a menos
sensível
II. %Me e %âVCEsãomuitopequenos
23. (a) Ic = 2.,01 mA (b) Vc =
17,54 V (e) VE = 3,02 V (d) VcE =
14,52 V
25. Vc de 5,98 V a 8,31 V
27. (a) / 8 = 13,04 µ,A (b) Ic =
2,56 mA (e) f3 = 196.,32
(d)VCE=8V
29. (a) / 8 = 13,95 µ,A (b) Ic =
1.,81 mA (e) VE = -4,42 V (d) VCE =
5,95 V
31. (a) /E= 3.,32 mA (b) Vc = 4,02 V
(e) VcE = 4,72 V
33. R8 = 430 kll, Rc = 1,6 kll,
RE = 390 n
35. RE = 1,1 kfi, Rc = 1,6 kfi,
R 1 = 51 kfi, R 2 = 15 kfi
37. R8 = 43 kll, Rc = 0,62 kll
39. (a) Circuito aberto, transistor danificado
(b) Aberto no terminal de coletor, junção base-
emissor em curto
(c) Circuito aberto, transistor aberto
41. (a) RB ! , IB ! , Ic ! , Vc j
(b) f3 ! , Ic ! (e) Inalterado
(d) Vcc ! , IB ! , Ic !
(e) f3 ! , lc ! , VRc ! , VRE ! , VCE Í
43. (a) R 8 aberto, 18 = O µ,A, lc =
= =
ICEo O mA, Vc Vcc = 18 V
(b) f3 Í , lc Í , VRc Í , VRE Í , VCE!
(e) Rc !,
IB j , I e Í , VEÍ
(d) Cai para uma tensão relativamente baixa
=0,06 V
(e) Terminal de base aberto
45. Vc = -13,53 V, 18 = 17,5 µ,A
47. (a) SUco) = 91 (b) S(VBE) =
-1,92 X 10- 4 S (e) S(/3) = 32J56 X
10- 6 A (d) Ale= 1,66 mA
49. (a) SUco) = 11,08 (b) S(VBE) =
-1.,27 X 10- 3 S (e) S(/3) = 2,41 X
10- 6 A (d) Me= 0,411 mA
51. S(lc 0 ) - Divisor de tensão menor do que
os outros três
S(VBE) - Divisor de tensão mais sensível do
que os outros três(que apresentam níveis pró-
ximos)
S(/3) - Divisor de tensão é o menos sensível.
com a configuração de polarização fixa mais
sensível
= Em geral a configuração com divisor de tensão
é a menos sensível, e a configuração com polari-
zação fixa é a mais sensível.
CAPÍTULO 5
3. (a) Vos = 1,4 V (b) rd = 233.,33 O
(e) Vos = 1,6 V (d) rd = 533,33 O
(e) Vos = 1,4 V (f) rd = 933,33 O
(g) rd = 414,81 O (h) rd = 933.,2 O
(i) Em geral, sim
11. (a) / 0 = 9 mA (b) / 0 = 1,653 mA
(e) 10 = O mA (d) / 0 = O mA
15. loss = 12 mA
17. Vvs = 25 V, lv = 4,8 mA
IO = 10 mA, Vos = 12 V
10 = 7 mA, Vos = 17) 4 V
19. Sim
21. lv = 4 mA (exatamente de acordo)
29. loss = 11, 11 mA
31. Vvs = 25 V
35. Vr = 2 V, k = 5,31 X 10- 4
lo= 5,31 X 10- 4 <Vos - 2 V) 2
37. Vos= 27,36 V
CAPÍTULO 6
1. (e) / 00 = 4., 7 mA, V0 sQ = 6,36 V
(d) lv 0 = 4,69 mA, V0 sQ = 6,37 V
3. (a) / 0 = 3,125 mA (b) Vos= 9 V
(e) V 00 = 1,5 V
S. V0 = 18 V
7. / 00 = 2J6 mA, Vos= -1.,95 V
9. (a) / 0 Q= 3,33 mA (b) VasQ =
-1., 7 V (e) loss = 10;06 mA (d) V0 =
11.,34 V (e) Vos= 9.,64 V
11. Vs = 1,4 V
13. (a) / 0 Q = 5.,8 mA, VasQ =
-0,85 V, lv 0 j, Vas 0 ! (b) 216 O
15. (a) / 0 Q= 2,7 mA~ Vcs 0 = -2 V
(b) Vos = 8) 2 V, Vs = 2 V
17. (a) / 00 = 21 9 mA, VasQ = -1,2 V
(b) Vos= 9.,27 V, V0 = 10.,52 V
19. (a) lv 0 = 8,25 mA (b) V0 s0 =
Vosº= 7,9 V (e) Vv = 12.,1 V, Vs =
4,21 V (d) Vos= 7.,89 V
21. (a) V0 = 3)3 V (b) Vcs 0 =
-1,25 V, / 00 = 3,75 mA (e) /E=
3., 75 mA (d) / 8 = 23.,44 µ,A (e) V0 =
11.,56 V (f) Vc = 15.,88 V
23. Rs = 0..,43 kfi, R0 = 1,3 kll
25. R0 = 0.,75 kll, R 0 = 10 MO
27. D-S em curto-circuito;/Dss ou V P ou combi-
nação com valores mais altos na prática do que
o especificado.
29. (a) / 00 = 3 mA, Vas0 = 1.,55 V
(b) Vos= -9,87 V (e) V0 = -11,4 V
31. / 0 Q = 4.,68 mA vs. 4,69 mA de
#1, V0 s0 = 6.,38 V vs. 6,37 V de #1
33. lv 0 = 3,3 mA (igual), VcsQ =
-1)47 V vs. -1,5 V de #12
CAPÍTULO 7
1. (a) O (b) Clipping (e) 80,4%
3. 1 kHz:Xc = 15,92 O
100 kHz:Xc = 0,1592 O
Sim; melhor em 100 kHz
7. (a) Z0 = 50 kll (b) h = 5,747 mA
9. (a) I; = 8 µ,A (b) Z; = 500 O
(e) V0 = -720 mV (d)(,= 1.,41 mA
(e) A; = 176.,25 (f) A; = 176,47
11. (a) re = 15 O (b) Z; = 15 O
(e) (. = 3., 168 mA (d) V0 = 6, 97 V
(e) Av = 145..,21 (f) Ih= 32 µ,A
13. (a) re = 8>571 O (b) Ih= 25 µ,A
(e)(.= 3,5 mA (d) A;= 132..,84
(e) Av = -298.,89
 Soluções para Problemas Ímpares Selecionados 64 3

19. (a) V0 = -160 V; (b) lb = 9,68 X
10- 4 V; (e) lb = l X 10- 3 V; (d) 3,2%
(e) Primeira aproximação válida
21. (a) V0 = -180 V; (b) /1, = 2)2 X
10- 4 V; (e) h = 2,5 X 10- 4 V;
(d) 7,2% (e) Sim, menor do que 10%
23. (a) hfe = 100 (b) h;e = 120
25. (a) h;e = 1,5 kO (b) h;,, = 6,5 kO
27. hfe = 100, h;e = 2 kO
29. r,, = 15 O, ~ = 100, r0 = 30,3 kO
31. (a) 75% (b) 70%
33. (a) hoe = 200 µ,S (b) 5 kO, não é
uma boa aproximação
35. (a) hfe (b) hoe
(c) Máximo: h,,, == 30 (normalizado)
Mínimo: h., == 0,1 (normalizado)
Para lc pequeno
(d) Região média
CAPÍTULO 8
(e) a= 0,992, ~ = 124, r,, = 9,45 n. (f) A,.,= -118,67, Como R, !, A., i
r,,= 1 MO (g) Inalterado
25. (a) Z; = 816,21 O 7. (b) A,.= -160 vs. -162,4(#6)
(b) A,.= -357,68 9. (a) A,,NL = -3,61, Z; = 81,17 kO,
(e) A; =132,43 Z0 = 3 kO
(d) Z 0 = 2,14 kO (e) Av = -2,2, A,.,= -2, 18
27. (a) Não! (b) R1 desconectado na base (d) Nenhuma
(e) A,. = nenhuma, A,., = -2,17, quando R,
t, A,., ! (muito pouco alterado para variações
CAPÍTULO 9 moderadas de R,, uma vez que Z; é normal.
mente muito grande)
li. (a) Z; = 10) 74 O, Z 0 = 4, 7 kO,
1. g,.~1 = 6 mS A,.NL = 435,59
3. loss = 8, 75 mA (e) A,. = 236,83, Av_, = 22,97
5. loss = 12,5 mA (d) O mesmo
7. g'"" = 2,4 mS (e) Av = 138,88 A.,= 2,92, A., bastante sensí-
9. Zo = 40 kO, Av= -180 vel a um aumento em R, devido ao pequeno
li. (a) gmo = 4 mS, (b) gm = 2,8 mS, Z;, RL ! . A, ! A., !
(e) gm = 2 mS (d) 2 mS (e) 2 mS 13. (a) AvNL = o., 737, Z; = 2 MO,
13. gm = O, 75 mS, rd = 100 kO Z = 0;867 kO
15. gm =5,6 mS, rd =66,7 kO
0

(e) A,. =A.= 0.,529

17 Z-=lMO Z =l,72k0,Av=-5,375
(d) A,~ = Av = 01 622,
1. (a) Z; = 497,47 O, Z,, = 2,2 kO
Z; Z
19: =10 Mfi, 0 =2,83 kO,Av=
RL j, Av, = Av j
-849
(b) A,.= -264, 74, A;= _60 21.'Z;= 1 MO,Z0 =730!l,A.=-2,19 (e) Pouco efeito já que R; >> R"'
(e) Z; = 497,47 O, Z,, = 1,98 kO 23. Z; =9,7MO,Z0 =1,96k0, Vo= (f) Não altera Z; ou Z 0
(d) A,. = -238,27, A;= 53,88 O -214,4mV 15. (a) Av = -97,67, Av, = -189
- 1 3 -
3. (a) 18 = 23,85 µ,A, lc = 2,38 mA, 25. Z; =Y,7MO,Zo =1,82k0,Av= (b) AvT - 18,46 X 10 ,
r,.= 10,790 198,8mV Av_,,r, = 11,54 X 10 3

(b) Z; = l,08 k!l, Z = 4,3 kO

0 27. Z; =10 MO,Zo = 512,90,Av= (e) A;,= 97,67, A;,= 70
(e) A.= -398,52, A;= 100 0,754 (d) A;T = 6,84 X IÕ3
(d) A,= -348,47, A;= 87,52 29. Z; = 10 MO, Z/= 1 kO, Av = 0,66 (e) Sem efeito
5. Vcc = 30,68 V 31. Z; =386,10, Z 0 = 2,92 kO, Vo= (f) Sem efeito
7. (a) r,. = 5,34 !l 0,636mV (g)Em fase
(b) Z; = 118,37 kO, Z,, = 2,2 kO 33.11,73 mV
(e) A,= -1,81, A;= 97,39 35. Z; =10 MO,Zo = l,68k0,Av=
(d) 2;=105,95 kO. Z,, =2,2k0 ,A,.= CAPÍTULO 11
-9,07
-1,81,A; =87,17 37. Z; = 9 MO, Z 0 = 242,1 O
9. (a) r,, = 5,34 !l A,.= 0,816 1. (a) 3, 1;699, -0,151 (b) 61 908,
(b) Z; = 746, 17 O, Z,, = 2,2 kO 3,912, -01347 (e) Os resultados diferem
(e) A,.= -411J99, A;= 139,73 39. Z; = 1,73MO,Zo = 2,15 kO,Av=
4,77 por um fator de 2,3
(d) Z; = 746, 17 O, Z,, = 1,98 kO 3. (a) Igual: 13,98 (b) Igual: -13,01; (c)
A,.= -370,79, A; = 125,76 41. 203 mV
Igual: 0,699
11. (a) r,, = 8, 72 n, (3r,, = 959,2 !l 43. -3,51 mV
5. Gdem = 43,98 dBm
(b) Z; = 142J25 kO, Z 0 = 8,69 !l 45. R8 =1800, Rv =2 kO 7. GdB = 67,96 dB
(e) A,.= 0,997, A;= -52,53 9. (a) GdB = 69.,83 dB (b) Gv =
13. (a) / 8 = 4;61 µ,A, lc = 0,922 mA 82,83 dB (e) R; = 2 kO (d) V0 =
(b) r,. = 28,05 O CAPÍTULO 10 1385.,64 V
(e) Z; = 7,03 kO, Z = 27,66 o
0
11. (a) IAvl = 1/'Vl + (1950,43 Hz//) 2
(d) A,.= 01986, A;= -3:,47 1. (a) A,.NL = -326,22, Z; = (b) 100 Hz:IAvl = 0,051
15. A,.= 163,2, A; = 0,9868 l,01 kO, Z0 = 3,3 kO 1 kHz: IAvl = 0,456
17. Rc = 1,6 kO, R,. = 33,59 k!l, (e) A,.= -191,65 2 kHz:IAvl = 0,716
Vcc = 5,28 V (d) A;= 41,18 5 kHz:IAJ = 0,932
19. (a) Z; = 0,62 kO, Z 0 = l,66 kO (e) O mesmo 10 kHz: !Avl = o,982
(b) A,. = -209,82. A;= 72,27 3. RL = 4,7 kO:A,, = -191,65 (e) / 1 = 1950,43 Hz
21. (a) r,, = 8,31 O RL = 2,2 kO :Av = -130,49 13. (a) 10 kHz (b) 1 kHz (e) 5 kHz
<b> h," = 60. hit. = 498,6 n RL = 0,5 kfi :Av = .-42,42 (d) 100 kHz
(e) i; = 497,47 O, Z,, = 2,2 kO Como RL !, Av ! 15. (a) re = 28,48 O
(d) A, = -264,74. A;= 56,73 5. (a) AvNL = -557,36, Z; = (b) Av.... = -72,91
(e) Z; = 497,47 O, Z,, = 1,98 kO 616,52 O, Z 0 = 4,3 kO (e) Z; = 2,455 kO
(f) A,.= -238,27, A;= 53,88 (e) A,.= -214,98, Av, = -81,91 (d) Av, = -54168
23. (a) Z; = 9,38 O, Z0 = 2, 7 kO (d) A;= 49,04 (e) ÍLs = l03J4 Hz, ÍLc = 38,05 Hz,
(b) A,. = 283,43, A; = -1 (e) A,..~ = -120, 12, .Como RL .f, Av, .f f,., = 235?9 Hz
644 Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos

(f) !1 = ÍLE 17. V81 = 4,88 V, Vez= 5,58 V, 17. J0 = 60 kHz

17. (a) re = 30,23 O Ic = 104.,2 mA 19. C = 133 pF
(b) Avmid = O, 983 19. (a) Q1 on, Q2 on, Q3 off, Q4 off 21. C 1 = 300 pF
(e) Z; = 21,13 kO (b) Q1 off, Q2 off, Q3 on, Q4 on
(d) Av, mid = 0)955 (e) Q1 on, Q2 off, Q3 on, Q4 off CAPÍTULO 18
(e) ÍL, = 71.,92 Hz, ÍLc = 193,16 Hz 21. lv = 6 mA
(f) !1 = ÍLc; !1 = 210 Hz (PSpice) 23. I = 3,67 mA
1. A1 = -9,95
19. (a) V0 sQ = -2J45 V, lvQ = 25. I = 2 mA
3. A1= -14,3, Rif= 31.,5 kO, R 01 =
21 1 mA 27. lc = 1 mA, Vc = O V
2)4 kO
(b) gmo = 2 mS, gm = 1;18 mS 29. V0 = 1,89 V
5. Sem realimentação: Av = -303,2,
(e) Av d= -2
(d) Z;m~ 1 MO Z,. = 1.,18 kO, Z0 = 4.,7 kO
Com realimentação: Avf = -3 82 z. =
(e) A = A = -2 CAPÍTULO 14 45 J 8 kO ' ' if
(f) ÍL~ = 1;59 Hz, ÍLc = 4,91 Hz,
7. f 0 = 4,2 kHz
ÍLs = 32J04 Hz 1. CMRR = 75,56 dB
(g) f 1 = 32 Hz
9. Ío = 1.,05 MHz
3. V 0 = -18,75 V 11. Ío = 159.,2 kHz
21. (a) VGsQ = -2,55 V, lv = 5. V;= -40 mV
3) 3 mA Q
7. V 0 = -9,3 V
(b) gmo = 3)33 mS, gm = 1191 mS CAPÍTULO 19
9. V 0 varia de 5,5 V a 10,5 V
(e) Avmid = -4.,39 11. V0 = -3,39 V
(d) Z; = 51,94 kO
13. V0 = 0,5 V 1. Fator de ripple = 0,028
(e) Av, mid = -4J27 15. Vz = -2 V, V3 = 4,2 V 3. Tensão de ripple = 24,2 V
(f) ÍLG = 2J98 Hz, ÍLc = 2,46 Hz, 5. Vr = 1.,2 V
17. V 0 = 6,4 V
ÍLs = 41 Hz 19. /rt3 = 22 nA, Iíã = 18 nA 7. Vr = 0,6 V rms, Vdc = 17 V
(g) !1 = ÍLs = 41 Hz 9. Vr = 0,12 V rms
Z; consideravelmente menor, mas ainda sufi- 21. AcL = 80
23. V0 (deslocamento)= 105 mV
11. Vm = 13,7 V
cientemente maior do que Rsig para produzir
quase nenhum efeito sobre A · z. pequeno· 13. %r = 7,2%
entretanto, pode aumentar o vil~r de f LG ' 15. %r = 8,3%, %r' = 3., l %
CAPÍTULO 15 17. Vr = 0,325 V rms
23. '(a) ÍH; = 293 kHz, ÍHo =
19. V0 = 7;6 V, / 2 = 3,66 mA
3.,22 MHz
1. Vº= -175 mV, rms 21. V0 = 24,6 V
(b) f13 = 8,03 MHz, ÍT = 883,3 MHz
3. V0 = 412 mV 25. Ide = 225 mA
25. (a) f H; = 584 MHz, f Ho =
7. V 0 = -2~5 V 27. V 0 = 9,9 V
2;93 MHz
(b) f13 = 5)01 MHz, ÍT = 400;8 MHz 11. h = 6 mA
27. (a) gmo = 3;33 mS, gm = 1,91 mS 13. / 0 = 0~5 mA CAPÍTULO 20
(b) Avmid = -4)9, Av 'd= -4,27 15. f OH = 1,45 kHz
(e) ÍH; = 1,84 MHz, JH:' = \68 MHz 17. ÍoL = 318,3 Hz, foH = 397,9 Hz
3. 30:1 ou melhor é típico, curto período de
29. fí = 1,09 MHz tempo, tipo de encapsulamento
'31. (a) v= 12,73 X 10- 3 [sen CAPÍTULO 16 5. 124% de aumento VR = 25 V
271"(100 X 103 )1 + } sen 271"(300 X 7. (a) CT = 4185 pF (b) k = 71 x
103 )1 + ! sen 271"(500 ·x 103 )1 + l sen 10-12
271"(700 X 103 )1 + t sen 271"(900 X 1. P; = 10,4 W, P0 = 640 mW
3. P 0 = 2,1 W 9. (a) C = 5, 17 pF (b) Gráfico
103 )1] (b) BW = 500 kHz (e) ÍL = C = 5 pF
3,53 kHz º 5. R(eff) = 2,5 kO
7. a= 441 7 11. T1 = 50ºC
9. %r, = 37% 13. Q = 26,93, Q cai significativamente com
aumento da freqüência
13. (a) Máximo P; = 49,7 W
CAPÍTULO 12 19. IT= 5 mA, VT = 60 mV
(b) Máximo P 0 = 39,06 W
(c) Máximo %11 = 78,5% IT = 2,8 mA, VT = 900 mV
17. (a)P;=27W(b)P0 =8W 21. Jp = 2228 Hz
1. V 0 = O V, V 5 = 1)4 V, Vv = 23. (a) 3750 A ~ 7500 A
91 86 V (e) %r, = 29,6% (d) P 2 Q = 19 W
19. %D2 = 14.,3%, %D 3 = 4.,8%, (b) = 8400 A (e) BW = 4200 A
3. V0 =0V, V5 = 1.,4V, Vv= 25. (a) Silício (b) Laranja
101 3 V %D4 = 2,4%
21. %D 2 = 6,8% 27. (a) = 0.,9 0/fc (b) = 380 0/fc
S. Z; = 10 MO, Z 0 = 2,1 kO (c) = 78 kO/fc Região de iluminação redu-
7. Av1 = -75,8, Avz = -311,9, 23. Pv = 25 W
zida
Av = 23,642 25. Pv = 3 W
29. V;= 21 V
9. VB = 2_,55 V, VE = 1)85 V, 31. Quando fc aumenta, t, e td diminuem expo-
Ve = 2) V, lc = OJ 84 mA CAPÍTULO 17 nencialmente
11. Z; = 10 MO, Z 0 = 2,7 kO 33. (a) <I> = 5 mW (b) 2,27 lm
13. Av = -214, V0 = -2.,14 V 9. V0 = 13 V 35. <I> = 3,44 mW
15. VEz = 81 06 V, IEz = 15,8 mA 13. Período = 204,8 µs 41. Níveis menores
 Soluções para Problemas Ímpares Selecionados 645

45. R = 20 kO 17. (a) R82 = 1,08 kO (b) R88 = 25. (a) lc ~ 3 mA (b) âR:Ât = 2,3: 1
47. R (termístor) = 90 n. 3;08 kO (e) VR» 1 = 13 V (d) Vp = 27. Zp = 87 kO, Zv = 181,8 O,
13,7 V Até um certo nível
CAPÍTULO 21 19. 18 = 25 µA, lc = 1 mA 29. (a) Sim, 8., 18 V (b) R < 2 kO
21. (a) Para temperaturas decrescentes, (e) R = 1.,82 kO
-0,53 %/C (b) Sim
0

5. (a) Sim (b) Não (c) Não (d) Sim, não

23. lc!IF = 0,44 Relativamente eficiente
11. (a) = 0, 7 mW/cm2 (b) 82,35%