“UNIVERSIDAD TÉCNICA DE COTOPAXI”

UNIDAD ACEDÉMICA DE CIENCIAS DE LA INGENIERÍA Y

APLICADAS

INGENIERÍA ELÈCTRICA

Integrantes:

Diego Vinicio Alajo

Fernando Chanatasig
Diego Cadena
Félix Chadan

Asignatura:
Electrónica II
Tema:
TALLER Nº 1
Curso:
Cuarto Eléctrica “A”

Latacunga-Ecuador
EXAMEN DE VERDADERO Y FALSO
 El JFET siempre opera con una unión pn de compuerta a fuente polarizada en inversa.
(V)
 La resistencia del canal de un JFET es una constante. (F)
 El voltaje de compuerta a fuente de un JFET de canal n debe ser negativo. (V)
 ID se vuelve cero al voltaje de estrangulamiento. (F)
 VGS no tiene ningún efecto en ID. (F)
 VGS(corte) y Vp siempre son iguales en magnitud pero de polaridad opuesta. (V)
 El JFET es un dispositivo de ley cuadrática debido a la expresión matemática de su
curva de característica de transferencia. (V)
 La transconductancia en directa es el cambio del voltaje en el drenaje para un cambio
dado del volta-je en la compuerta. (F)
 Los parámetros gm y yfs son los mismos. (V)
 El D-MOSFET puede ser operado en dos modos. (V)
 Un E-MOSFET opera en el modo de empobrecimiento. (F)
 Un D-MOSFET tiene un canal físico y un E-MOSFET tiene un canal inducido. (V)
 ESD significa dispositivo semiconductor electrónico. (F)
 Los MOSFET deben ser manejados con cuidado. (V)

EXAMEN DE ACCION DE CIRCUITO

1. Si se incrementa la corriente en el drenaje en la figura 8-17, VDS se
(a) Incrementa (b) reduce (c) no cambia

2. Si se incrementa la corriente en el drenaje en la figura 8-17, VGS se

(a) Incrementa (b) reduce (c) no cambia

3. Si se incrementa el valor de RD en la figura 8-24, ID se

(a) Incrementa (b) reduce (c) no cambia

4. El valor de R2 se reduce en la figura 8-24, VG se

(a) Incrementa (b) reduce (c) no cambia

5. Si VGS se incrementa en la figura 8-47, ID se

(a) Incrementa (b) reduce (c) no cambia

6. Si R2 se abre en la figura 8-47, VGS se

(a) Incrementa (b) reduce (c) no cambia

7. Si RG se incrementa en la figura 8-50, VG se

(a) Incrementa (b) reduce (c) no cambia

8. Si el valor de IDSS se incrementa en la figura 8-50, VDS se

(a) Incrementa (b) reduce (c) no cambia
AUTOEVALUACION
1. El JFET es
a) un dispositivo unipolar
b) un dispositivo controlado por voltaje
c) un dispositivo controlado por corriente
d) respuestas a) y c)
e) Respuestas a) y b)

2) El canal de un JFET se encuentra entre

a) la compuerta y el drenaje
b) el drenaje y la fuente
c) la compuerta y la fuente
d) la entrada y la salida

3) Un JFET siempre opera con

a) la unión pn de compuerta a fuente polarizada en inversa
b) la unión pn de compuerta a fuente polarizada en directa
c) el drenaje conectado a tierra
d) el drenaje conectado a la fuente
4) Con VGS 0 V, la corriente en el drenaje se vuelve constante cuando VDS sobrepasa:
a) el voltaje de corte
b) VDD
c) VP
d) 0 V

5) La región de corriente constante de un FET queda entre

a) el corte y la saturación
b) el corte y el estrangulamiento
c) 0 e IDSS
d) el estrangulamiento y la ruptura

6) IDSS es
a) la corriente en el drenaje con la fuente en cortocircuito
b) la corriente en el drenaje en corte
c) la corriente máxima posible en el drenaje
d) La corriente en drenaje del punto medio

7) La corriente en el drenaje en la región de corriente constante se incrementa cuando

a) el voltaje de polarización de compuerta a fuente se reduce
b) el voltaje de polarización de compuerta a fuente se incrementa
c) el voltaje de drenaje a fuente se incrementa
d) el voltaje de drenaje a fuente se reduce

8) En un cierto circuito FET, VGS 0 V, VDD 15 V, IDSS 15 mA y RD 470 Æ. Si RD se

reduce a 330 Æ, IDSS es
a) 19.5 mA
b) 10.5 mA
c) 15 mA
d) 1 mA

9) En corte, el canal de un JFET está

a) en su punto más ancho
b) completamente cerrado por la región de empobrecimiento
c) extremadamente angosto
d) polarizado en inversa

10) La hoja de datos de cierto JFET da vgs(corte)4 V. El voltaje de estrangulamiento, VP,

a) no puede ser determinado
b) es de 4 V
c) depende de VGS
d) es de 4 V

11) El JFET de la pregunta 10

a) es un canal n
b) es un canal p
c) puede ser uno u otro

12) Para un cierto JFET, IGSS 10 nA con VGS 10 V. La resistencia de entrada es

a) 100 MÆ
b) 1 MÆ
c) 1000 MÆ
d) 1000 Mæ

13) Para cierto JFET de canal p, VGS(corte)8 V. El valor de VGS para polarización de
punto medio aproximada es
a) 4 V
b) 0 V
c) 1.25 V
d) 2.34 V

14) En un JFET autopolarizado, la compuerta está a

a) un voltaje positivo
b) 0 V
c) un voltaje negativo
d) conectada a tierra

15) La resistencia de drenaje a fuente en la región óhmica depende de

a) VGS
b) los valores del punto Q
c) la pendiente de la curva en el punto Q
d) todos los anteriores

16) Para utilizarlo como resistor variable, un JFET debe

a) ser un dispositivo de canal n
b) ser un dispositivo de canal p
c) estar polarizado en la región óhmica
d) estar polarizado en saturación

17) Cuando se polariza un JFET en el origen, la resistencia de ca del canal está

determinada por
a) los valores del punto Q
b) VGS
c) la transconductancia
d) las respuestas (b) y (c)

18) Un MOSFET difiere de un JFET principalmente

a) debido a la capacidad de potencia
b) porque el MOSFET tiene dos compuertas
c) el JFET tiene una unión pn
d) porque los MOSFET no tienen un canal físico

19) Un D-MOSFET opera

a) sólo en el modo de empobrecimiento
b) sólo en el modo de enriquecimiento
c) sólo en la región óhmica
d) en los modos de empobrecimiento y de enriquecimiento

20) Un D-MOSFET de canal n con VGS positivo opera

a) en el modo de empobrecimiento
b) en el modo de enriquecimiento
c) en corte
d) en saturación

21) Cierto E-MOSFET de canal p tiene un VGS (umbral)2 V. Si VGS 0 V, la corriente

en el drenaje es
(a) 0A
(b) ID (encendido)
(c) máxima
(d) IDSS

22) En un E-MOSFET no hay corriente en el drenaje hasta que VGS

(a) alcanza VGS (umbral)
(b) es positivo
(c) es negativo
(d) es igual a 0 V

23) Todos los dispositivos MOS son propensos a sufrir daños a consecuencia de
a) Calor excesivo
b) Descarga electrostática
c) Voltaje excesivo
d) Todas las respuestas anteriores
24) Cierto D-MOSFET se polariza con VGS 0 V. Su hoja de datos especifica IDSS 20 mA
y VGS(corte) 5 V. El valor de la corriente en el drenaje
a) Es de 0 A
b) No puede ser determinada
c) Es de 20 mA

25) Un IGBT en general se utiliza en

a) Aplicaciones de baja potencia
b) Aplicaciones de radiofrecuencia
c) Aplicaciones de alto voltaje
d) Aplicación de baja corriente

PROBLEMAS BÁSICOS

1. El VGS de un JFET de canal p se incrementa desde 1 V hasta 3 V.

¿Se estrecha o ensancha la región de empobrecimiento?
Un gran VGS estrecha la región de agotamiento

2. ¿Se incrementa o reduce la resistencia del canal?

La resistencia del canal aumenta con el aumento VGS

3. ¿Por qué el voltaje de la compuerta a la fuente de un JFET de canal n siempre

debe ser cero 0 o negativo?
La compuerta de un JFET de canal n debe ser cero o negativo para mantener la condición de
polarización inversa requerida

4. Trace los diagramas esquemáticos de un JFET de canal p y uno de canal n.

Identifique las terminales. Muestre cómo se conectan los voltajes de polarización
entre la compuerta y la fuente de los JFET de la figura 8-64.
 5. Un JFET tiene un voltaje de estrangulamiento especificado de 5 V. Cuando VGS
0, ¿cuál es VDS en el punto donde la corriente en el drenaje se vuelve constante?

En el punto donde ID se convierte en constante

6. Un cierto JFET de canal n se polariza de tal forma que VGS 2 V. ¿Cuál es el valor
de VGS(corte) si Vp es de 6 V? ¿Está prendido del dispositivo?

El dispositivo esta encendido por que

7. La hoja de datos de cierto JFET da VGS(corte) 8 V e IDSS 10 mA. Cuando VGS

0, ¿cuál es ID con valores de VDS por encima del valor de estrangulamiento?
VDD 15 V.

Por definición, cuando para valores de

8. Cierto JFET de canal p tiene un VGS(corte) 6 V. ¿Cuál es ID cuando VGS 8

V?
Ya que, 𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓) esta apagado y 𝐼𝐷 = 0 𝐴

9. El JFET de la figura 8-65 tiene un VGS(corte) 4 V. Suponga que incrementa el

voltaje de alimenta-ción, VDD, desde cero hasta que el amperímetro alcanza un
valor constante. ¿Qué lee el voltímetro en este momento?
𝑉𝑃 = −𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓) = −(−4) = 4𝑉
El voltímetro lee 𝑣𝐷𝑠 . Como 𝑉𝐷𝐷 está incrementando, 𝑣𝐷𝑠 también aumenta. El punto en el que
𝐼𝐷 alcanza un valor constante es 𝑉𝐷𝑠 = 𝑉𝑂 = 4𝑉

10. Se obtienen los siguientes parámetros de cierta hoja de datos de un JFET:

VGS(corte) 8 V e IDSS 5 mA. Determine los valores de ID con cada uno de los
valores de VGS desde 0 V hasta 8 V en incrementos de 1 V. Trace la curva de la
característica de transferencia con estos datos.

𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐺𝑆𝑆 = (1 − )2
𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓)
0𝑉 2
𝐼𝐷 = 5𝑚𝐴(1 − ) = 5𝑚𝐴
−8𝑉
−1𝑉 2
𝐼𝐷 = 5𝑚𝐴(1 − ) = 3.83𝑚𝐴
−8𝑉
−2𝑉 2
𝐼𝐷 = 5𝑚𝐴(1 − ) = 2.81𝑚𝐴
−8𝑉
−3𝑉 2
𝐼𝐷 = 5𝑚𝐴(1 − ) = 1.95𝑚𝐴
−8𝑉
−4𝑉 2
𝐼𝐷 = 5𝑚𝐴(1 − ) = 1.25𝑚𝐴
−8𝑉
−5𝑉 2
𝐼𝐷 = 5𝑚𝐴(1 − ) = 50.703𝑚𝐴
−8𝑉
−6𝑉 2
𝐼𝐷 = 5𝑚𝐴(1 − ) = 0.313𝑚𝐴
−8𝑉
−7𝑉 2
𝐼𝐷 = 5𝑚𝐴(1 − ) = 0.078𝑚𝐴
−8𝑉
−8𝑉 2
𝐼𝐷 = 5𝑚𝐴(1 − ) = 0𝑚𝐴
−8𝑉
 11. Para el JFET del problema 10, ¿qué valor de VGS se requiere para establecer
una corriente en el drena-je de 2.25 mA?

𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐺𝑆𝑆 = (1 − )2
𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓)
𝑉𝐺𝑆 𝐼𝐷
1− =√
𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓) 𝐼𝐷𝑆𝑆

𝑉𝐺𝑆 𝐼𝐷
= 1−√
𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓) 𝐼𝐷𝑆𝑆

𝐼𝐷
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓) (1 − √𝐼 )
𝐷𝑆𝑆

2.25 𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆 = −8𝑉 (1 − √ 5𝑚𝐴
)=-8V (0.329)=-2.63V

12. Para un JFET particular, gm0 3200 mS. ¿Cuál es gm cuando VGS4 V, dado que
VGS(corte)8 V?

𝑉𝐺𝑆 −4𝑉
𝑔𝑚 = 𝐺𝑚𝑂 (1 − ) = 320𝑢𝑆 (1 − ) = 1600𝑢𝑆
𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓) −8𝑉

13. Determine la transconductancia en directa de un JFET polarizado con VGS 2 V.

En la hojas de datos, VGS(corte) 7 V y gm 2000 mS con VGS 0 V. Determine
también la conductancia de trans-ferencia en directa, gfs.

𝑉𝐺𝑆 −2𝑉
𝑔𝑚 = 𝐺𝑚𝑂 (1 − ) = 200𝑢𝑆 (1 − ) = 1429𝑢𝑆
𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓) −7𝑉

14. La hoja de datos de un JFET de canal p muestra que IGSS 5 nA con VGS 10 V.
Determine la resis-tencia de entrada.

𝑉𝐺𝑆 10𝑉
𝑅𝐼𝑁 = = = 200𝑀ῼ
𝐼𝐺𝑆𝑆 5𝑛𝐴

15. Con la ecuación 8-1, trace la curva de la característica de transferencia de un

JFET con IDSS 8 mA y VGS(corte) 5 V. Use por lo menos cuatro puntos.
 𝑉𝐺𝑆
𝑉𝐺𝑆 = 0𝑉; 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )2 = 8𝑚𝐴(1 − 0)2 = 8𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓)

−1 2
𝑉𝐺𝑆 = 0𝑉; 𝐼𝐷 = 8𝑚𝐴(1 − ) = 8𝑚𝐴(1 − 0. 2)2 = 5.12𝑚𝐴
−5
−2 2
𝑉𝐺𝑆 = 0𝑉; 𝐼𝐷 = 8𝑚𝐴(1 − ) = 8𝑚𝐴(1 − 0. 4)2 = 2.88𝑚𝐴
−5
−3 2
𝑉𝐺𝑆 = 0𝑉; 𝐼𝐷 = 8𝑚𝐴(1 − ) = 8𝑚𝐴(1 − 0. 6)2 = 1.28𝑚𝐴
−5
−4 2
𝑉𝐺𝑆 = 0𝑉; 𝐼𝐷 = 8𝑚𝐴(1 − ) = 8𝑚𝐴(1 − 0. 8)2 = 0.320𝑚𝐴
−5
−1 2
𝑉𝐺𝑆 = 0𝑉; 𝐼𝐷 = 8𝑚𝐴(1 − ) = 8𝑚𝐴(1 − 1)2 = 0𝑚𝐴
−5

16. Un JFET autopolarizado de canal n tiene una corriente en el drenaje de 12 mA y

una resistencia de fuente de 100 Æ. ¿Cuál es el valor de VGS?
𝑉𝐺𝑆 = 𝐼𝐷 𝑅𝑆 = −(12𝑚𝐴)(100ῼ) = −1.2𝑉

17. Determine el valor de RS requerido para que un JFET autopolarizado produzca

un VGS de 4 V cuan-do ID 5 mA.
𝑉𝐺𝑆 −4𝑉
𝑅𝑆 = ⃒ ⃒=⃒ ⃒ = 800 ῼ
𝐼𝐷 5𝑚𝐴

18. Determine el valor de RS requerido para que un JFET autopolarizado produzca

una ID 2.5 mA cuan-do VGS 3 V.

𝑉𝐺𝑆 −3𝑉
𝑅𝑆 = ⃒ ⃒=⃒ ⃒ = 1.2𝐾ῼ
𝐼𝐷 2.5𝑚𝐴

19. IDSS 20 mA y VGS(corte)6 V para un JFET particular.

¿Cuál es ID cuando VGS 0 V?
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 20𝑚𝐴

20. ¿Cuál es ID cuando VGS VGS(corte)?

𝐼𝐷 = 0𝐴

21. Si VGS se incrementa desde 4 V hasta 1 V, ¿se incrementa o reduce la ID?

𝐼𝐷 = 𝐴𝑈𝑀𝐸𝑁𝑇𝐴
 22. Para cada uno de los circuitos de la figura 8-66, determine VDS y VGS.

(a) 𝑉𝑆 = (1𝑚𝐴)(1.0𝐾ῼ) = 1𝑉 (b) 𝑉𝑆 = (5𝑚𝐴)(100ῼ) = 0.5𝑉

𝑉𝐷 = 12𝑉 − (1𝑚𝐴)(4.7𝐾ῼ) = 7.3𝑉 𝑉𝐷 = 9𝑉 − (5𝑚𝐴)(470ῼ) = 6.65𝑉
𝑉𝐺 = 0𝑉 𝑉𝐺 = 0𝑉
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆 = 0𝑉 − 1𝑉 = −1𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆 = 0𝑉 − 0.5𝑉 = −0.5𝑉
𝑉𝐷𝑆 = 7.3𝑉 − 1𝑉 = 6.3𝑉 𝑉𝐷𝑆 = 6.65𝑉 − 0.5𝑉 = 6.15𝑉

(c) 𝑉𝑆 = (−3𝑚𝐴)(470ῼ) = −1.41𝑉

𝑉𝐷 = −15𝑉 − (−3𝑚𝐴)(2.2𝐾ῼ) = −8.41𝑉
𝑉𝐺 = 0𝑉
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆 = 0𝑉 − (−1.41𝑉) = −1.41𝑉
𝑉𝐷𝑆 = −8.4𝑉 − (−1.41𝑉) = −6.99𝑉

23. Con la curva que aparece en la figura 8-67, determine el valor de RS requerido
para una corriente en el drenaje de 9.5 mA.

En el gráfico, 𝑉𝐺𝑆 ≅ −2𝑉 en 𝐼𝐷 = 9.5𝑚𝐴

𝑉𝐺𝑆 −2𝑉
𝑅𝑆 = ⃒ ⃒=⃒ ⃒ = 211ῼ
𝐼𝐷 2.5𝑚𝐴
 24. Establezca una polarización del punto medio para un JFET con IDSS 14 mA y
VGS(corte) 10 V. Use un fuente de cd de 24 V. Muestre los valores de circuito y
resistores. Indique los valores de ID, VGS y VDS.

𝐼𝐷𝑆𝑆 14𝑚𝐴
𝐼𝐷 = = = 7𝑚𝐴
2 2
𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓) −10𝑉
𝐼𝐷 = = = 2.93𝑉
3.414 3.414

Ya que 𝑉𝐺 = 0𝑉, 𝑉𝑆 = 𝑉𝐺

𝑉 2.93𝑉
𝑅𝑆 = ⃒ 𝐼𝐺𝑆 ⃒ = 7𝑚𝐴 = 419ῼ (El valor estándar más cercano es 430 ῼ)
𝐷
𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷 24𝑉 − 12𝑉
𝑅𝐷 = = = 1.7𝐾ῼ (𝐸𝑙 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑒𝑠𝑡𝑎𝑛𝑑𝑎𝑟 𝑚𝑎𝑠 𝑐𝑒𝑟𝑐𝑎𝑛𝑜 𝑒𝑠 1.8𝐾ῼ
𝐼𝐷 7𝑚𝐴

Seleccionamos 𝑅𝐺 = 1.0𝑀ῼ
 25. Determine la resistencia de entrada total en la figura 8-68. IGS 20 nA con VGS10
V.

𝑅𝐼𝑁𝑇(𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙) = 𝑅𝐷 ǁ 𝑅𝐷

𝑉𝐺𝑆 −10𝑉
𝑅𝐼𝑁𝑇(𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙) = ⃒ ⃒=⃒ ⃒ = 500𝑀ῼ
𝐼𝐺𝑆𝑆 20𝑛𝐴

𝑅𝐼𝑁𝑇(𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙) = 10𝑀ῼǁ500Mῼ=9.8Mῼ

26. Determine gráficamente el punto Q para el circuito de la figura 8-69(a) con la

curva de la característica de transferencia de la figura 8-69(b).

Para 𝐼𝐷 = 0
𝑉𝐺𝑆 = −𝐼𝐷𝑠𝑠 = (0)(330ῼ) = 0𝑉
Para 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑠𝑠 = 5𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆 = −𝐼𝐷 𝑅𝑆 = (5𝑚𝐴)(330ῼ) = −1.65𝑉
Con respecto al grafico decimos que el punto Q es
𝑉𝐺𝑆 ≅ −0.95𝑉 𝑌 𝐼𝐷 ≅ 2.9𝑚𝐴

27. Localice el punto Q para el circuito de JFET de canal p mostrado en la figura 8-

70.
Para 𝐼𝐷 = 0
𝑉𝐺𝑆 = 0𝑉
Para 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑠𝑠 = 10𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆 = −𝐼𝐷 𝑅𝑆 = (10𝑚𝐴)(390ῼ) = 3.9𝑉
Con respecto al grafico decimos que el punto Q es
𝑉𝐺𝑆 ≅ 2.1𝑉 𝑌 𝐼𝐷 ≅ 5.3𝑚𝐴

28. Dado que el voltaje de drenaje a tierra en la figura 8-71 es de 5 V, determine el

punto Q del circuito.

Ya que 𝑉𝑅𝐷 = 9𝑉 − 5𝑉 = 4𝑉

𝑉𝑅𝐷 4𝑉
𝐼𝐷 = = = 0.85𝑚𝐴
𝑉𝐷 4.7𝐾ῼ

𝑉𝑅𝐷 = 𝐼𝐷 𝑅𝑆 = (𝑂. 85𝑚𝐴)(3.3𝐾ῼ) = 2.81𝑉

𝑅2 2𝑀ῼ
𝑉𝐺 = ( ) 𝑉𝐷𝐷 = ( ) 9𝑉 = 1.62𝑉
𝑅1 + 𝑅2 12.2𝑀ῼ

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆 = 1.62𝑉 − 2.81 = −1.19𝑉

El punto de Q es 𝐼𝐷 = 0.85𝑚𝐴, 𝑉𝐺𝑆 = −1.19𝑉

 29. Determine los valores del punto Q para el JFET con polarización mediante
divisor de voltaje en la fi-gura 8-72.

Para 𝐼𝐷 = 0
𝑅2 2.2𝑀ῼ
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 = ( )𝑉 =( ) 9𝑉 = 4.8𝑉
𝑅1 + 𝑅2 𝐷𝐷 5.5𝑀ῼ
Para 𝑉𝐺𝑆 = 0𝑉. 𝑉𝑆 = 4.8𝑉

𝑉𝑆 ⃒𝑉𝐺 − 𝑉𝐺𝑆 ⃒ 4.8𝑉

𝑉𝐺𝑆 = = = = 1.45𝑚𝐴
𝑅𝑆 𝑅𝑆 3.3𝐾ῼ
El punto Q tomado del grafico en la figura es
𝐼𝐷 ≅ 1.9𝑚𝐴 𝑌 𝑉𝐺𝑆 ≅ 1.5𝑉

30. ¿En qué modo opera un D-MOSFET de canal n con un VGS positivo?
Un D-MOSFET de canal n con un 𝑉𝐺𝑆 positivo está funcionando en el modo de realce

31. Describa la diferencia básica entre un E-MOSFET y un D-MOSFET.

Un E-MOSFET no tiene canal físico o modo de agotamiento. Un D-MOSFET tiene un canal
físico y puede ser operado en cualquiera de los modos de agotamiento o mejora

32. Explique por qué ambos tipos de MOSFET tienen una resistencia de entrada
extremadamente alta en la compuerta.
Los MOSFETs tienen una resistencia de entrada muy alta por que la compuerta está aislada
por una capa de SiO2

33. La hoja de datos de un E-MOSFET revela que ID(encendido) 10 mA con VGS 12

V y VGS(umbral) 3 V. Determine ID cuando VGS 6 V.

𝐼𝐷(𝑜𝑛) 10𝑚𝐴
K= 2
= = 0.12𝑚𝐴/𝑉 2
(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝐺𝑆(𝑡ℎ) ) (−12𝑉 + 3𝑉)2

𝐼𝐷 = 𝐾(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓) )2 = (0.12𝑚𝐴/𝑉 2 )(−6𝑉 + 3𝑉)2 = 1.08𝑚𝐴

 34. Determine IDSS dada ID 3 mA, VGS2 V y VGS(corte)10 V.
2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓)

𝐼𝐷 3𝑚𝐴
𝐼𝐷𝑆𝑆 = 2 = = 4.69𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆 −2𝑉 2
(1 − 𝑉 ) (1 − −10𝑉)
𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓)

La hoja de datos de un cierto D-MOSFET da VGS(corte)5 V e IDSS 8 mA.

35. ¿Es este dispositivo de canal p o de canal n?

Canal n

36. ¿Es este dispositivo de canal p o de canal n?

2
𝑉𝐺𝑆 −5𝑉 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) 𝐼𝐷 = 8𝑚𝐴 (1 − ) = 0𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓) −5𝑉

−4𝑉 2 −3𝑉 2
𝐼𝐷 = 8𝑚𝐴 (1 − ) = 0.32𝑚𝐴 𝐼𝐷 = 8𝑚𝐴 (1 − ) = 1.28𝑚𝐴
−5𝑉 −5𝑉

−2𝑉 2 −1𝑉 2
𝐼𝐷 = 8𝑚𝐴 (1 − ) = 2.88𝑚𝐴 𝐼𝐷 = 8𝑚𝐴 (1 − ) = 5.12𝑚𝐴
−5𝑉 −5𝑉

𝑂𝑉 2 1𝑉 2
𝐼𝐷 = 8𝑚𝐴 (1 − ) = 8𝑚𝐴 𝐼𝐷 = 8𝑚𝐴 (1 − ) = 11.5𝑚𝐴
−5𝑉 −5𝑉

2𝑉 2 3𝑉 2
𝐼𝐷 = 8𝑚𝐴 (1 − ) = 15.7𝑚𝐴 𝐼𝐷 = 8𝑚𝐴 (1 − ) = 20.5𝑉
−5𝑉 −5𝑉

4𝑉 2 5𝑉 2
𝐼𝐷 = 8𝑚𝐴 (1 − ) = 25.9𝑚𝐴 𝐼𝐷 = 8𝑚𝐴 (1 − ) = 32𝑚𝐴
−5𝑉 −5𝑉

37. Trace la curva de la característica de transferencia con los datos de la parte b).
38. Determine en qué modo (empobrecimiento, de enriquecimiento o ninguno) se
polariza cada uno de los MOSFET mostrados en la figura 8-73.

(a) Agotamiento
(b) Mejoramiento
(c) Sesgo cero
(d) Agotamiento

39. Cada E-MOSFET que aparece en la figura 8-74 tiene un VGS(umbral) de 5 V o

5 V, dependiendo de si es un dispositivo de canal n ó uno de canal p. Determine
cada uno de los MOSFET está encendido o apagado.

10𝑀ῼ
(a) 𝑉𝐺𝑆 = (14.7𝑀ῼ) 10𝑉 = 6.8𝑉 𝐸𝑠𝑡𝑒 𝑀𝑂𝑆𝐹𝐸𝑇 𝑒𝑠𝑡𝑎 𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜

1.0𝑀ῼ
(b) 𝑉𝐺𝑆 = ( 11𝑀ῼ ) (−25𝑉) = −2.27𝑉 𝐸𝑠𝑡𝑒 𝑀𝑂𝑆𝐹𝐸𝑇 𝑒𝑠𝑡𝑎 𝑎𝑝𝑎𝑔𝑎𝑑𝑜
 40. Determine el VDS para cada uno de los circuitos de la figura 8-75. IDSS 8 mA.

Ya que 𝑉𝐺𝑆 = 0𝑉 para cada circuito, 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 8𝑚𝐴

(a) 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷 = 12𝑉 − (8𝑚𝐴)(1.0𝐾ῼ) = 4𝑉
(b) 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷 = 15𝑉 − (8𝑚𝐴)(1.2𝐾ῼ) = 5.4𝑉
(c) 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷 = −9𝑉 − (8𝑚𝐴)(560ῼ) = −4.52𝑉

41. Determine VGS y VDS para los E-MOSFET de la figura 8-76. La información
dada en la hoja de datos aparece con cada circuito.

(a) 𝐼𝐷 = 3𝑚𝐴, 4𝑉, 𝑉𝐺𝑆(𝑡ℎ) = 2𝑉

𝑅2 4.7𝑀ῼ
𝑉𝐺𝑆 = ( ) 𝑉𝐷𝐷 = ( ) 10𝑉 = 3.2𝑉
𝑅1 + 𝑅2 14.7𝑀ῼ

𝐼𝐷(𝑜𝑛) 3𝑚𝐴
K= 2
= = 0.75𝑚𝐴/𝑉 2
(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝐺𝑆(𝑡ℎ) ) (4𝑉 − 2𝑉)2

2
𝐼𝐷 = 𝐾(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝐺𝑆(𝑡ℎ) ) = (0.75𝑚𝐴/𝑉 2 )(−3.2𝑉 + 2𝑉)2 = 1.08𝑚𝐴

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷 = 10𝑉 − (1.08𝑚𝐴)(1.0𝐾ῼ) = 10𝑉 − 1.08𝑉 = 8.92V

(b) 𝐼𝐷 = 2𝑚𝐴, 4𝑉, 𝑉𝐺𝑆(𝑡ℎ) = 1.5𝑉

𝑅2 10𝑀ῼ
𝑉𝐺𝑆 = ( ) 𝑉𝐷𝐷 = ( ) 5𝑉 = 2.5𝑉
𝑅1 + 𝑅2 20𝑀ῼ

𝐼𝐷(𝑜𝑛) 2𝑚𝐴
K= 2
= = 0.89𝑚𝐴/𝑉 2
(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝐺𝑆(𝑡ℎ) ) (3𝑉 − 1.5𝑉)2

2
𝐼𝐷 = 𝐾(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝐺𝑆(𝑡ℎ) ) = (0.89𝑚𝐴/𝑉 2 )(2.5𝑉 + 1.5𝑉)2 = 0.89𝑚𝐴

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷 = 10𝑉 − (0.89𝑚𝐴)(1.5𝐾ῼ) = 5𝑉 − 1.34𝑉 = 3.66𝑉

42. Basado en las mediciones de VGS, determine la corriente en el drenaje y el voltaje

del drenaje a la fuen-te para cada uno de los circuitos de la figura 8-77.

(a) 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐺𝑆 = 5𝑉

𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷𝑆 12𝑉 − 5𝑉

𝐼𝐷 = = = 3.18𝑚𝐴
𝑅𝐷 2.2𝐾ῼ

(b) 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐺𝑆 = 3.2𝑉

𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷𝑆 8𝑉 − 3.2𝑉

𝐼𝐷 = = = 1.02𝑚𝐴
𝑅𝐷 4.7𝐾ῼ
 43. Determine el voltaje real de la compuerta a la fuente en la figura 8-78 teniendo
en cuenta la corriente de fuga en la compuerta, IGSS. Asuma que IGSS es de 50
pA e ID es de 1 mA en las condiciones de po-larización existentes.

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷 = 15𝑉 − (−1𝑚𝐴)(8.2𝑘ῼ) = 6.8𝑉

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝑆 − 𝐼𝐺 𝑅𝐺 = 6.8𝑉 − (−50𝑝𝐴)(22𝑀ῼ) = 6.799𝑉

Explique por qué el IGBT tiene una resistencia de entrada muy alta.
Explique cómo puede producir una corriente excesiva en el colector una condición de
enganche en un IGBT.

44. La lectura de corriente en la figura 8-66(a) repentinamente se reduce a cero.

¿Cuáles son las posibles fallas?

Cuando la ID pasa a cero, las posibles fallas son: RD O RS abierto, JFET drenaje o fuente o
VDD ha aumentado
 45. La lectura de corriente en la figura 8-66(b) repentinamente salta
aproximadamente a 16 mA. ¿Cuáles son las posibles fallas?

El JFET se cortocircuita de drenaje a fuente o VDD ha aumentado

46. Si el voltaje de la fuente en la figura 8-66(c) se cambia a 20 V, ¿cuál sería la

lectura en el amperímetro?

Si la VDD cambia a 20V, la ID cambiara muy poco o nada, porque el dispositivo está
operando en la región de corriente constante de la curva característica

47. Usted obtiene una medición de 10 V en el drenaje del MOSFET de la figura 8-

74(a). El transistor está en buen estado y las conexiones a tierra están bien
hechas. ¿Cuál puede ser el problema?

El dispositivo está apagado. La polarización de puerta debe ser menor que VGS(th). La
compuerta podría cortocircuitarse o parcialmente en cortocircuito a tierra.

48. Usted obtiene una medición de aproximadamente 0 V en el drenaje del

MOSFET de la figura 8-74(b). No hay cortos y el transistor está en buen estado.
¿Cuál es el problema más probable?
El dispositivo está saturado, por lo que hay muy poca tensión de drenaje a fuente. Esto indica
que VGS es demasiado alta. La resistencia de polarización de 1.0Mῼ esta probablemente
abierta

49. Consulte la figura 8-58 y determine el voltaje en el sensor con cada uno de los
siguientes valores.
Con el condensador de 100Uf abierto, el ruido de la fuente de alimentación o la ondulación
podrían afectar a las salidas del sensor, producir falsas lecturas y alarmas.

50. Consultando las curvas de transconductancia del BF998 mostrado en la figura

8-79, determine el cam-bio de ID cuando la polarización en la segunda
compuerta cambia de 6 V a 1 V y VG1S es de 0.0 V. Ca-da curva representa un
valor de VG2S diferente.

Para 𝑝𝐻 = 5𝑉. 𝑉𝑂𝑈𝑇 = 300𝑚𝑉

Para 𝑝𝐻 = 9𝑉. 𝑉𝑂𝑈𝑇 = −400𝑚𝑉

51. Consulte la figura 8-61 y trace la curva de transconductancia (ID vs. VGS1

52. Consulte la figura 8-79. Determine el voltaje de salida del circuito de la figura 8-
61 si VG1S V sensor 0 V y R2 se cambia a 50 kÆ.

𝑉𝑂𝑈𝑇 ≅ 15𝑉 − (2.9𝑚𝐴)(1𝐾ῼ)15𝑉 − 2.9𝑉 = 12.1𝑉

53. ¿Qué tipo de FET es el 2N5457?

El 2N5457 es un JFET canal n

 54. Consulte la hoja de datos de la figura 8-14 para determinar lo siguiente:
El V GS(corte) mínimo para el 2N5457.

Para el 2N5457, 𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓) = −0.5 𝑚𝑖𝑛𝑖𝑚𝑜

55. El voltaje máximo del drenaje a la fuente para el 2N5457.

Para el 2N5457, 𝑉𝐷𝑆(𝑚𝑎𝑥) = 25𝑉

56. Disipación de potencia máxima para el 2N5458 a una temperatura ambiente de

25°C.

Para el 2N5457 @ 25°C, 𝑃𝐷(𝑚𝑎𝑥) = 310𝑚𝑊

57. El voltaje en inversa de la compuerta a la fuente máxima para el 2N5459.

Para el 2N5457, 𝑉𝐺𝑆(𝑟𝑒𝑣) = −25𝑉 𝑚𝑎𝑥𝑖𝑚𝑜

58. Consulte la figura 8-14 para determinar la disipación de potencia máxima para
un 2N5457 a una temperatura ambiente de 65°C.

2.82𝑚𝑊
𝑃𝐷(𝑚𝑎𝑥) = 310𝑚𝑊 − ( ) (65°𝐶 − 25°𝐶) = 310𝑚𝑊 − 113𝑚𝑊 = 197𝑚𝑊
°𝐶

59. Consultando la figura 8-14, determine la gm0 mínima para el 2N5459 a una
frecuencia de 1 kHz

𝑔𝑚(𝑚𝑖𝑛) = 𝑦𝑓𝑠 = 200𝑢𝑆

60. Consultando la figura 8-14, ¿cuál es la corriente típica en el drenaje en un

2N5459 con VGS 0 V?

𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝐷 = 9𝑚𝐴

61. Consultando la hoja de datos del 2N3796 en la figura 8-80, determine la

corriente en el drenaje con VGS 0 V.

Mínimo 𝑉𝐺𝑆(𝑡ℎ) = 1𝑉

62. Consultando la figura 8-80, ¿cuál es la corriente en el drenaje para un 2N3796

cuando VGS 6 V?

Para el 2N5457, 𝑉𝐺𝑆 = 6𝑉, 𝐼𝐷 = 500𝑚𝐴

 63. Consultando la hoja de datos de la figura 8-80, determine ID en un 2N3797
cuando VGS 3 V. De-termine ID cuando VGS 2 V.

𝑉𝐺𝑆 = 3𝑉, 𝐼𝐷 = 13𝑚𝐴

𝑉𝐺𝑆 = 2𝑉, 𝐼𝐷 = 0.4𝑚𝐴

64. Consultando la figura 8-80, ¿cuánto cambio la transconductancia en directa

máxima de un 2N3796 dentro de un intervalo de frecuencias de señal desde 1
kHz hasta 1 MHz?

𝑦𝑓𝑠 = 150𝑢𝑆 𝑎 𝑓 = 1𝑘𝐻𝑧 𝑦 𝑎 𝑓 = 1𝑀𝐻𝑧 𝑡𝑎𝑛𝑡𝑜 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑒𝑙 2𝑁3796 𝑌 2𝑁3797

No hay cambios en yfs sobre el rango de frecuencias.

65. Consultando la figura 8-80, determine el valor típico del voltaje de la compuerta
a la fuente la cual el 2N3796 se irá a corte.

Para el 2N3796, 𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓) = −3𝑉

66. Determine VDS y VGS en la figura 8-81 utilizando valores mínimos tomados de
la hoja de datos.

2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) 𝑑𝑜𝑛𝑑𝑒 𝑉𝐺𝑆 = 𝐼𝐷 𝑅𝑆
𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓)
𝐼𝐷𝑆𝑆(min) = 1.0𝑚𝐴 𝑦 𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓) = −0.5𝑉 𝑚𝑖𝑛𝑖𝑚𝑜
𝐼𝐷 = 66.3𝑢𝐴
𝑉𝐺𝑆 = −(66.33𝑢𝐴)(10𝐾ῼ) = −0.371𝑉
𝑉𝐺𝑆 = 12𝑉 − (66.3𝑢𝐴)(10𝐾ῼ + 5.6𝐾ῼ) = 11.0𝑉
 67. Determine la ID y el VGS máximos para el circuito de la figura 8-82.

3.3𝐾ῼ
𝑉𝐶 = ( ) 9𝑉 = 2.23𝑉
13.3𝐾ῼ
De la ecuación
2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) 𝑑𝑜𝑛𝑑𝑒 𝑉𝐺𝑆 = 𝐼𝐷 𝑅𝑆
𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓)
𝐼𝐷 Está en máximo para 𝐼𝐷𝑆𝑆(max) y 𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓)
𝐼𝐷𝑆𝑆 = 16𝑚𝐴 Y 𝑉𝐺𝑆 = −8.0𝑉
𝐼𝐷 = 3.58𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆 = 2.23𝑉 − (3.58𝑚𝐴)(1.8𝐾ῼ) = 2.23𝑉 − 6.45𝑉 = −4.1𝑉

68. Determine el intervalo de posibles valores del punto Q desde el mínimo hasta el
máximo para el circuito de la figura 8-81.
𝐼𝐷𝑆𝑆(min) = 1.0𝑚𝐴 Y 𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓) = −0.5 minimo
𝐼𝐷(min) = 66.3𝑢𝐴
𝑉𝐷𝑆(𝑚𝑎𝑥) = 12𝑉 − (66.3)(15.6𝐾ῼ) = 11.0𝑉 Y
𝐼𝐷𝑆𝑆(max) = 5.0𝑚𝐴 𝑌 𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓) = −6.0 𝑚𝑎𝑥𝑖𝑚𝑜
𝐼𝐷(max) = 677𝑢𝐴
𝑉𝐷𝑆(𝑚𝑖𝑛) = 12𝑉 − (677𝑢𝐴)(15.6𝐾ῼ) = 1.4𝑉
69. Determine el voltaje del drenaje a la fuente para el circuito sensor de pH de la
figura 8-59 cuando se mide un pH de 5. Suponga que el reóstato está ajustado
para producir 4 V en el drenaje cuando se mide un pH de 7.

𝑉𝑝𝐻 = 300𝑚𝑉
𝐼𝐷 = (2.9𝑚𝐴)(1 + 0.3𝑉/ 5.0𝑉)2 = 3.26𝑚𝐴
𝑉𝐷𝑆 = 15𝑉 − (3.26𝑚𝐴)(2.76𝐾ῼ) = 6.01𝑉