Introducción

¿Qué es un transistor?
El transistor es un dispositivo electrónico Semiconductor que cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la
contracción en inglés de transfer resistor ("Resistencia de transferencia").

Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseño
de circuitos electrónicos de reducido tamaño, gran versatilidad y facilidad de control.
Vienen a sustituir a las antiguas válvulas termoiónicas de hace unas décadas. Gracias a
ellos fue posible la construcción de receptores de radio Portátiles llamados comúnmente
“transistores", televisores que se encendían en un par de segundos, televisores en color...
Antes de aparecer los transistores, los aparatos a válvulas tenían que trabajar con
tensiones bastante altas, tardaban más de 30 segundos en empezar a funcionar, y en
ningún caso podían funcionar a pilas, debido al gran
consumo que tenían.

Historia de los transistores

El transistor se ha venido considerando desde hace tiempos como el mayor invento
realizado en el siglo XX. Este dispositivo electrónico básico, de tres terminales, originó
los circuitos integrados y
todos los elementos de la alta escala de integración. Son muchas las personas y los
científicos que aseguran que la era de la comunicación estableció una base perfecta
gracias al transistor.

Este dispositivo fue creado en los Laboratorios Bell de AT&T; los cuales buscaban un
conmutador que reemplazara a los relés y los sistemas de barras, y que se utilizara en la
telefonía. El transistor germina de la unión de tipo PNP o del NPN. Su nombre fue
dado por J.P Pierce. Según Quentin Kaiser sin no se hubiera originado los detectores de
cristal (que eran muy necesarios para el radar de UHF y los microondas) no se hubiera
creado estos transistores con las prestaciones que hoy en día le caracteriza. La patente
de invención estuvo en secreto por siete meses, hasta que se pudo detallar de
manera ordenada el funcionamiento de este dispositivo. La patente fue entregada a
Walter Brattain y a John Bardeen por su transistor de punta de contacto. En el año 1951
fue que surgió el transistor de juntura que fue concedida a William Shonckley.
Un idea del comportamiento que realiza el transistor se puede apreciar usando un
indicador de corriente, una fuente de tensión continua y dos resistencias con
interruptores. Las resistencias se deben de conectar entre la base y el colector, y la fuente
entre el emisor y el colector. Con estos dos interruptores totalmente abiertos no se
producirá corriente de base, y el indicador de corriente mostrará una corriente nula. Ahora
bien, para originar una corriente de colector o de base, solamente se debe de cerrar uno
de los interruptores. Y para crear un paso de corriente mucho mayor se deberá de cerrar
los dos interruptores. Es por ello que se llega a la conclusión, de que el interruptor se
comporta como si fuera una resistencia, donde la corriente de base controla su valor
completamente.

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 EL CK703, uno de los primeros transistores comercializados (1948, 1949)
Regiones Operativas del transistor
 Región de corte: Un transistor esta en corte cuando: corriente de colector=
corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0). En este caso el voltaje entre el
colector y el emisor del transistores el voltaje de alimentación del circuito.
(como no hay corriente circulando, no hay caída de voltaje, ver Ley de Ohm). Este
caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib=0)
 Región de saturación: Un transistor está saturado cuando: corriente de colector
= corriente de emisor = corriente máxima, (Ic = Ie = I máxima). En este caso la
magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y
de los resistores conectados en el colector o el emisor o en ambos, ver ley de
Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo
suficientemente grande como para inducir una corriente de colector β veces más
grande. (recordar que Ic = β * Ib)
 Región activa: Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en
la región de corte entonces está en una región intermedia, la región activa. En esta
región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de
base (Ib), de β (ganancia de corriente de un amplificador, es un dato del
fabricante) y de las resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor).
Esta región es la más importante si lo que se desea es utilizar el transistor como
un amplificador.
Tipos de transistores
Existen varios tipos que dependen de su proceso de construcción y de las aplicaciones a
las que se destinan. Los más comunes y conocidos son:
 Transistor Bipolar de Unión(BJT)
 Transistor de efecto campo, de unión (JFET)
 Transistor de efecto campo, de metal-oxido-semiconductor (MOSFET)
 Fototransistor.

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Los transistores y su simbología.

TRANSISTORES BJT
Tipos de transistores de unión bipolar
NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P"
se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del
transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido
a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los
semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación. Los
transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base")
entre dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la base en
configuración emisor-común es amplificada en la salida del colector. La flecha en el
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símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la dirección en la
que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo
PNP
El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose
a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores
usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la
mayoría de las circunstancias. Los transistores PNP consisten en una capa de material
semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son
comúnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo
de la fuente de alimentación a través de una carga eléctrica externa. Una pequeña corriente
circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor
hacia el colector. La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta
en la dirección en que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en
funcionamiento activo.
Transistor Bipolar Heterounión
El transistor bipolar de heterounión (TBH) es una mejora del BJT que puede
manejar señales de muy altas frecuencias, de hasta varios cientos de GHz. Es un
dispositivo muy común hoy en día en circuitos ultrarrápidos, generalmente en sistemas
de radiofrecuencia. Los transistores de heterojuntura tienen diferentes semiconductores
para los elementos del transistor. Usualmente el emisor está compuesto por una banda
de material más larga que la base. Esto ayuda a reducir la inyección de portadores
minoritarios desde la base cuando la unión emisor-base está polarizada en directa y esto
aumenta la eficiencia de la inyección del emisor. La inyección de portadores mejorada en
la base permite que esta pueda tener un mayor nivel de dopaje, lo que resulta en una
menor resistencia. Con un transistor de unión convencional, también conocido como
transistor bipolar de homojuntura, la eficiencia de la inyección de portadores desde el
emisor hacia la base está principalmente determinada por el nivel de dopaje entre el
emisor y la base. Debido a que la base debe estar ligeramente dopada para permitir
una alta eficiencia de inyección de portadores, su resistencia es relativamente alta.
Curva característica de los BJT
El transistor BJT dispone de dos curvas: la primera se utiliza para definir el
comportamiento de la unión base emisor y la segunda para definir el funcionamiento entre
colector emisor.

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La curva emisor, es similar a la de un diodo normal, con la diferencia de que
los niveles de corriente ahora son muy pequeños en el orden de los μA. Por otra parte,
la curva colector emisor o de salida, nos indica que para cada valor de corriente de base
existirá una corriente de colector que variara dependiendo del voltaje colector emisor. La
curva de salida es probablemente la más importante de todas, sin embargo, resulta a veces
demasiado confusa, es por esto que es común utilizar una fórmula matemática que recibe
el nombre de ganancia o factor de amplificación:
Este factor nos indica la cantidad de veces que se amplifica la corriente de base.
Aplicaciones del BJT, usos y ventajas principales
APLICACIÓN PRINCIPAL VENTAJA USOS
Aislador o separador Impedancia de entrada alta
Uso general, equipos de
(Buffer) y salida baja medida receptores
Amplificador de RF Bajo ruido Sintonizadores de FM,
equipo para
comunicaciones.
Mezclador Baja distorsión de Receptores de FM y TV
intermodulación equipos para
comunicaciones.
Amplificador con CAG Facilidad para controlar Receptores generadores de
ganancia señales
Amplificador Cascodo Baja capacidad de entrada Instrumentos de medición.
Equipos de prueba
Troceador Ausencia deriva Amplificadores de cc,
sistemas de control de
dirección
Resistor variable por Se controla por voltaje Amplificadores
voltaje operacionales, órganos
electrónicos, controlas de
tonos
Amplificador de baja Capacidad pequeña de Audífonos para sordera
frecuencia acoplamiento transductores inductivos
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 Oscilador Minima variación de Generadores de frecuencia
frecuencia patrón, receptores
Circuitos MOS Digital Pequeño tamaño Integración a gran escala,
computadoras, memorias.

Transistores FET
Con los transistores bipolares observábamos como una pequeña corriente en la base de
los mismos se controlaba una corriente de colector mayor. Los Transistores de Efecto
de Campo son dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensión.
Cuando funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es
proporcional a la tensión aplicada a la entrada. Características generales
 Por el terminal de control no se absorbe corriente.
 Una señal muy débil puede controlar el componente
 La tensión de control se emplea para crear un campo eléctrico
Se empezaron a construir en el década del 60. Existen dos tipos de transistores de efecto
de campo los JFET (transistor de efecto de campo de unión) y los MOSFET. Los
transistores MOS respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su aplicación
más frecuente la encontramos en los circuitos integrados.
Es un componente de tres terminales que se denominan; puerta(G, Gate), Fuente(S,
Source), y Drenaje(D, Drain). Según su construcción pueden ser de canal P o de canal N
Curva característica de los FET
La curva característica del FET define con precisión como funciona este dispositivo. En
ella distinguimos tres regiones o zonas importantes:
 Zona lineal: El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la
tensión VGS.
 Zona de saturación: A diferencia de los transistores bipolares en esta zona,
el FET, amplifica y se comporta como una fuente de corriente controlada por la
tensión que existe entre Puerta (G) y Fuente(S),VGS
 .Zona de corte: La intensidad de Drenador es nula.
Característica de salida

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Al variar la tensión entre drenador y surtidor varíala intensidad de drenador
permaneciendo constante la tensión entre puerta y surtidor.
En la zona óhmica o lineales observa como al aumentar la tensión drenador surtidor
aumenta la intensidad de drenador.
En la zona de saturación el aumento de la tensión entre drenador y surtidor produce una
saturación de la corriente de drenador que hace que esta sea constante. Cuando este
transistor trabaja como amplificador lo hace en esta zona.
La zona de cortese caracteriza por tener una intensidad de drenador nula.
La zona de ruptura indica la máxima tensión que soportará el transistor entre drenador y
surtidor.
Es de destacar que cuando la tensión entre puerta y surtidor es cero la intensidad de
drenador es máxima.

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Indican la variación entre la intensidad de drenador en función de la tensión de puerta.

Aplicaciones de JFET

Las aplicaciones genéricas para este tipo de transistores son:

ELECTRONICA ANALOGICA

Para estas aplicaciones de emplean transistores preparados para conducir grandes

corrientes y
soportar elevadas tensiones en estado de corte.
Resistencias variables de valor gobernable por tensión (variando la anchura del canal).
Amplificadores de tensión, especialmente en la amplificación inicial de señales de muy
baja
potencia.
Control de potencia eléctrica entregada a una carga.
En el caso de la amplificación los circuitos se diseñan para que el punto de operación DC
del MOS se encuentre en la región de saturación. De este modo se logra una
corriente de drenaje dependiente sólo de la tensión VGS.

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