FECHA DE

UNIVERSIDAD PEDAGÓGICA Y TECNOLÓGICA DE COLOMBIA EMISION

FACULTAD DE INGENIERÍA
ESCUELA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA
2016/03/10

FECHA DE
GUÍA DE LABORATORIO VERSION No. 1 EMISION
INGENIERÍA ELECTRÓNICA EXTENSIÓN TUNJA
2016/03/10

Asignatura: ELECTRONICA II Código: 8108684

Docentes: ORLANDO FERNANDEZ NARANJO E-mail: orlando.fernandeznaranjo@uptc.edu.co

PRACTICA No. 03
CARACTERISTICAS Y POLARIZACIONES DEL TRANSISTOR BJT

1.Objetivos:

A. Determinar prácticamente el punto de Operación dentro de la recta de carga en DC, de cada

polarización del transistor.
B. Observar el comportamiento de cada red de Polarización, su estabilidad Térmica y variación del
parametro β.
C. Obtener de forma práctica algunas características eléctricas del transistor de juntura bipolar.
2.Materiales y Equipos:
 Osciloscopio
 Generador de Señales
 Protoboard.
 Diodos y resistencias.
 Multímetros
 Transistores 2N3904 y 2N3906 ( baja Potencia)
 Fuente Dc
 Cautín
 Tres a Dos.

3.Planteamiento y Procedimiento:

El Transistor se usa principalmente con el propósito de amplificar o servir como interruptor. Para
conseguir el punto óptimo de operación de un equipo es necesario garantizar que todos sus componentes
actúen de manera que su funcionamiento no afecte el de los demás; es por esto que los transistores BJT
pueden ser polarizados de múltiples formas cada una dependiendo de su requerimiento especifico. En esta
práctica se conocerán las características de cada una de las polarizaciones del transitor PNP y NPN.

El transitor puede operar dentro de determinada región de trabajo si se adecua un circuito externo de tal
forma que se controlen sus corrientes y voltajes DC; llamado polarización.

Para la correcta Polarización del transistor, se polariza el diodo base emisor en directa y el diodo base
colector en inversa. Por la polarización del diodo base-emisor se espera una alta corriente, pero no es así,
la corriente del colector es una corriente grande, gracias a las características físicas del transistor.

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Para el análisis del transistor en un circuito eléctrico, se toma la ganancia de corriente como:

β = Ic / Ib. El valor de β es propio para cada transistor pero no es un valor constante, sino que sufre
variaciones con la temperatura del ambiente y según la potencia disipada por el transistor. El transistor de
juntura bipolar se puede trabajar en res regiones: activa, corte y saturación. Dependiendo de la ubicación
del punto QDC de la reta de carga en DC. Si el punto de Operación se encuentra entre 0.85 y 1, se
considera que esta en corte el transistor (VCE= 0); si el QDC está entre 0 y 0.25 se considera que esta en
saturación (VCE = Vcc), y si esta entre 0.25 y 0.85 se encuentra en la región activa.

Zona activa: La juntura base-emisor debe estar polarizada en directo (VBE≥0.7 V) y la juntura base-
colector debe estar polarizada en inverso. En esta zona la relación entre las corrientes IC y IB va a
depender de un parámetro intrínseco del transistor que es comúnmente llamado β.

Zona de corte: La juntura base-emisor se encuentra sin polarizar (VBE≤0.7), en cuyo caso no existen
corrientes en el transistor. La resistencia equivalente entre el colector y el emisor tiende a un valor muy
grande haciendo que prácticamente se presente un circuito abierto en la trayectoria de colector a emisor.

Zona de saturación: La juntura base-emisor se encuentra polarizada en directo (VBE≥0.7), lo que

permite que exista una corriente de base IB, que puede llegar a tomar un valor tan alto que el transistor
intentaría conducir también una corriente de colector muy grande, sin exceder la corriente máxima del
dispositivo gracias a RC. La resistencia equivalente entre el colector y el emisor aparece con un valor
pequeño haciendo que prácticamente se presente un corto circuito en la trayectoria de colector a emisor

4.Descripcion de la Practica y Requerimientos de Diseño:

Elija dos Transistores, tanto NPN, como PNP a utilizar y márquelos para que sea el mismo durante toda la
prueba. Utilice por lo menos tres multímetros diferentes y mida el beta de los transistores escogidos.
Repita las mediciones para otros dos transistores de la misma referencia y reporte las mediciones en la
siguiente tabla:
REF. TRANSISTOR:

MULTÍMETRO
BETA HOJA TÉCNICA:

Marca:
Ref:
Marca:
Ref:
Marca:
Ref:

Tabla 1. Valores de β medidos con diferentes multímetros.

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Una vez registrados los diferentes datos solicitados en la tabla 1, responder a los siguientes interrogantes:

¿Qué puede observar de los datos obtenidos?

¿El beta es el mismo para los diferentes transistores?
¿Qué valor típico da el fabricante en las hojas de datos?

4.1 Polarización Fija

RC

VCC
RB Q1

VBB

Figura 1. Transistor Q1, con Polarización Fija.

Para la Polarización de la figura 1, diseñe el circuito de tal forma que el punto de Operación en DC, sea de
0.5. Simule el circuito de la figura 1 y verifique los valores de voltaje y de corriente estimados. Luego
realice la implementación física del circuito y mida las variables. Posteriormente acérquele un cautín
caliente y concluya acerca de las mediciones obtenidas con el multímetro con y sin cautín.

Si el ultimo digito del código del primer integrante de cada grupo es 6, 7 ,8 o 9, trabajar con un transistor
tipo PNP, en caso contrario realizar el diseño con un transistor NPN.

4.2 Polarización Fija con resistencia en el Emisor

Para la polarización de la figura 2, diseñe el circuito de tal forma que el punto de operación en DC, sea de
0,85. Repita los pasos anteriores de la polarización fija. Si el último digito del código del primer
integrante de cada grupo es 0, 1, 2, 3,4 o 5 trabajan con un transistor tipo PNP, en caso contrario trabajar
con un transitor NPN.

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Rc
Rc

VCC
RB Q1 VCC
RB
Q1

VBB

Re

Re

0
0

Figura 2. Transistor Q1, con Polarización Fija Figura 3. Transistor Q1 con polarización por
y resistencia en el emisor. realimentación de colector

4.3.Polarizacion con realimentación de colector

Para la polarización de la figura 3, diseñe el circuito de tal forma que el punto en operación en DC sea de
0.5. Haga las respectivas pruebas de estabilidad con la temperatura.

4.4 Polarización por Divisor de Voltaje.

Establezca un Qdc de 0.4 en el circuito de la figura 4. Si el ultimo digito del código del segundo integrante
de cada grupo es 0, 1,2,3,4 o 5, trabajan con un transitor tipo PNP y Qdc = 0.5.

Rc
R2

VCC
Q1

R1
Re

Figura 4. Transistor Q1 con polarización por Figura 5. Polarización dual de Q1.

divisor de Tensión.

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4.5 Polarización Dual

Escoja un valor adecuado para Vcc y Vee. (Recuerde que las fuentes se van a sumar al aplicarse entre Rc
y Re). Establezca un punto de trabajo en DC de 0.5. Recuerde Verificar que la tierra de las fuentes no sea
la misma. Si el ultimo digito del código del primer integrante de cada grupo es 6, 7,8 o 9, trabajan con un
Qdc = 0,65.
Del anterior trabajo realizado, y las mediciones una vez registradas, responda:
¿Qué diferencias y similitudes se encontraron en las mediciones de todos los circuitos trabajados?
¿Qué tipo de Polarización es más estable con la temperatura y Por qué?

4.6 Curva Característica del BJT.

D1

D1N4007

Q1
RB V1

100k
Q2N3904 VOFF = 0
VAMPL = 10v
V2 FREQ = 300Hz
1Vdc

Re
1k

Figura 6. Circuito de Pruebas para un BJT.

Simule e implemente el circuito de la figura 6. Haga el respectivo barrido de voltaje a la fuente V2 (Desde
0V hasta 10V máximo); apuntando los voltajes de VCE, IB e IC en una tabla. Para posteriormente
graficar IC VS VCE. Según la gráfica, determine el Beta (β). Recuerde que:

Β ≈ ΔIc / ΔIB ≈ hfe

Con el Osciloscopio, mida en formato XY, el voltaje entre emisor-colector y entre emisor-otro terminal de
Re; Recuerde que Ic ≈ (VRe /Re ) [mA]. Asegurándose de aislar la tierra del osciloscopio con el tres a
dos. Concluya acerca de la curva mostrada. ¿Para cada delta de corriente dentro de la región activa el β
sigue igual?

Ahora la fuente senoidal (V1) de la figura 6, cámbiela por una fuente DC de 10.7V; haga el barrido de la
fuente V2 hasta el valor de V1. Apuntando los valores de VCE y de Ic y haciendo una interpolación se

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obtendrá la recta de carga en DC del circuito de la figura 6. En el Osciloscopio se toma el voltaje entre
emisor-colector y entre emisor-otro terminal de Re.

Según los datos obtenidos, cual es el valor de ICsat, VCEcorte, Dibuje la recta de carga en DC del circuito
de la figura 6, con datos experimentales.

Repita el procedimiento para un transistor PNP. Analice los cambios necesarios para hacer funcionar
correctamente el circuito.

Responda los siguientes interrogantes:

¿Qué ocurre si no se utiliza el diodo D1 en el circuito de la figura 6? Con fuente senoidal y con fuente DC.
Halle una curva de Potencia para el transistor utilizado, con los valores obtenidos.
Halle la ganancia de corriente del transistor NPN y PNP para cada valor de la fuente V2, Concluya.

4.7 Diseño Propuesto:

Diseñe la red de polarización del circuito de la figura 7 para que el transistor Q3 tenga un QDC =0,7 y
disipe una potencia de 180mW, seleccione los elementos de acuerdo a los cálculos y demás elementos que
crea convenientes. Realice el mismo diseño alimentando con 2 fuentes. Asegure además que en Q1 el
QDC = 0.5; realice el diseño más conveniente, asumiendo los valores que considere, justificando su
elección propuesta. Realice la Recta de carga en DC para el transistor Q3. Implemente su Diseño y
compare los resultados obtenidos.
VCC

RE1

RC1
R1
Q2

Q1
Q3

R2 RC2
RE1

RE3

Figura 7. Esquema de la red de polarización a diseñar.

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5. PREGUNTAS DE INVESTIGACIÓN:

Incluya en el informe de laboratorio los siguientes aspectos:

1. ¿La resistencia en un dispositivo semiconductor aumenta o disminuye con el aumento de la

temperatura? Explique a que se debe y de un ejemplo.
2. Tipos de encapsulados para transistores en BJT’S y sus principales características.
3. Tipos de polarizaciones más usados en amplificadores.
4. ¿Qué criterios de diseño tanto térmicos, como eléctricos tuvo en cuenta en el momento de
implementar los diferentes circuitos?

Nota: Para el informe se deberá entregar este documento con los datos solicitados y como anexo las
simulaciones (pre informe), el análisis teórico, el taller, conclusiones y demás requerimientos establecidos
por la guía.

EL INFORME DEBE CONTENER:

RESUMEN
DESCRIPCIÓN DEL DISEÑO
ANÁLISIS DE RESULTADOS
CONCLUSIONES
BIBLIOGRAFÍA (USAR NORMAS APA)

PARA EL REGISTRO DEL INFORME SE DEBE UTILIZAR EL FORMATO DISPUESTO POR EL DOCENTE. LA
EXTENSIÓN DEL INFORME NO DEBE SUPERAR 10 PÁGINAS (SUGERIDO).

6. RECOMENDACIONES:

6.1. DE SEGURIDAD:

•Asegúrese de aislar la tierra del osciloscopio con el conector tres a dos para evitar daños a los equipos.

•Cuando realice la medición del beta con el multímetro tenga cuidado de insertar correctamente las
terminales del transistor.

6.2. GENERALES:

Se recomienda leer en su totalidad la presente guía de laboratorio antes de iniciar la práctica, con el fin de
garantizar la finalización de la práctica y la correcta presentación de los resultados en el informe.

Ante cualquier inquietud consulte al monitor o al docente encargado de la asignatura.

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7. BIBLIOGRAFÍA

BOYLESTAD, ROBERT L. ELECTRÓNICA: TEORÍA DE CIRCUITOS. EDITORIAL PRENTICE HALL,

1995.
COMPENDIO DE GUÍAS DE LABORATORIO INGENIERÍA ELECTRÓNICA SEDE SOGAMOSO
GUTIÉRREZ, HUMBERTO. ELECTRÓNICA ANÁLOGA: TEORÍA Y LABORATORIO. ED. HUMBERTO
GUTIÉRREZ. 1996
MALVINO, ALBERT PAUL. PRINCIPIOS DE ELECTRÓNICA. EDITORIAL MCGRAW-HILL, 1991.
MILLMAN, JACOB. ELECTRÓNICA INTEGRADA. EDITORIAL HISPANO AMERICANO, 1986.

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