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El Ú
Ú es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de

amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la contracción en
inglés de Ú
  Ú ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra
prácticamente en todos los aparatos domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras,
reproductores de audio y video, hornos de microondas, lavadoras, automóviles, equipos de
refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas
fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, teléfonos
móviles, etc.

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Fue el sustituto de la válvula termoiónica de tres electrodos o tríodo, el transistor bipolar fue
inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. en diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter
Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel
de Física en 1956.

Al principio se usaron transistores bipolares y luego se inventaron los denominados transistores

de efecto de campo (FET). En los últimos, la corriente entre la fuente y la pérdida (colector) se
controla usando un campo eléctrico (salida y pérdida (colector) menores). Por último, apareció
el semiconductor metal-óxido FET (MOSFET). Los MOSFET permitieron un diseño
extremadamente compacto, necesario para lo s circuitos altamente integrados (IC). Hoy la
mayoría de los circuitos se construyen con la denominada tecnología CMOS (semiconductor
metal-óxido complementario). La tecnología CMOS es un diseño con dos diferentes MOSFET
(MOSFET de canal n y p), que se complementan mutuamente y consumen muy poca corriente
en un funcionamiento sin carga.

El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente

(contaminadas con materiales específicos en cantidades específicas) que forman dos uniones
bipolares, el  que emite portadores, el Ú que los recibe o recolecta y la tercera,
que está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (
). A
diferencia de las válvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se
obtiene corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un
elemento activo, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son elementos
pasivos. Su funcionamiento sólo puede explicarse mediante mecánica cuántica.

De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es función amplificada de la

que se inyecta en el "emisor", pero el transistor sólo gradúa la corriente que circula a través de
sí mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la
carga por el "colector", según el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificación o
ganancia logrado entre corriente de base y corriente de colector, se denomina Beta del
transistor. Otros parámetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor
son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia
Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los
distintos parámetros tales como corriente de base, tensión Colector Emisor, tensión Base
Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas básicos para utilización analógica
de los transistores son emisor común, colector común y base común.


 
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El transistor es un dispositivo de tres terminales, a diferencia del diodo, que tiene dos

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c c

c
 terminales. Este consiste en un material de Ú  Ú  . Consta de dos materiales
de tipo n separados por un material de tipo p (transistor npn) o en dos materiales de tipo p
separados por un material de tipo n (transistor pnp). Las tres capas diferentes se identifican

como emisor, base y colector.

Las capas exteriores del transistor son materiales semiconductores con alto niveles de
dopado, y que tienen anchos mucho mayores que los correspondientes al material emparedado
de tipo p o n. El dopado de la capa emparedada es también considerablemente menor que el
da les capas exteriores, este menor nivel de dopado reduce la conductividad (incrementa la
resistencia) de este material al limitar el numero de portadores libres.

El emisor, capa de tamaño medio y delgada, diseñada para emitir o inyectar electrones.
La base, con una contaminación media, es una capa diseñada para pasar electrones. El
colector, esta poco contaminada, es una capa diseñada para colectar electrones.

El transistor se puede concebir como dos uniones pn colocadas espalda contra

espalda; estas se denominan transistores bipolares de unión (BJT), bipolar junction transistor.

à à
à
à


El transistor está formado por la unión de tres capas de material semiconductor, de tipo P y tipo
N, dispuestas de forma alternada (en forma de sándwich). Según la disposición de estas capas,
podemos tener dos tipos de transistores:

½ à
Ú 
½ à
Ú 

Los más utilizados son los transistores NPN, por lo que vamos a centrarnos en el estudio de
este tipo de dispositivos.

Cada una de las tres partes que constituyen el transistor se conecta a un terminal metálico que
permitirá conectarlo a un circuito. Todo el conjunto se recubre con un encapsulado protector,
que puede adoptar diversas formas y estar fabricado de materiales diversos (plástico, metal...).
Por tanto, el transistor es un dispositivo de tres terminales, que reciben los nombres de  ,

 y Ú .

Podemos considerar el transistor constituido por dos diodos:

½ Uno formado por la unión emisor-base.

½ Otro por la unión base-colector.

Esta peculiar estructura constituye la base del funcionamiento del transistor, pues el terminal de
base controla el paso de corriente eléctrica entre el colector y el emisor.

En el dibujo "Esquema de
dos transistores..." la flecha
indica la dirección de la
corriente que circula a
través del emisor: en un

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Ú
Ú 

meremos más adelante como un circuito con un transistor NPN se puede adaptar a PNP. El
nombre de estos hace referencia a su construcción como semiconductor.

Por el transistor circulan un conjunto de corrientes eléctricas cuyas direcciones y sentidos, para
un transistor NPN, son:

½ ‘
Ú
 Ú

½ ‘
Ú
 ÚÚ
½ ‘
Ú
 Ú

Se observa que las corrientes de base y de colector entran en el transistor, mientras que la
corriente de emisor sale del dispositivo; en consecuencia, podemos establecer la siguiente
relación:

‘‘‘

Si conocemos dos de las corrientes del transistor, la expresión anterior nos permitirá calcular la
tercera.

Asimismo, entre los terminales del transistor se generan las siguientes caídas de tensión:

½ m
Ú 9Ú

½ m
Ú :



-


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Su consumo de corriente es mucho menor con lo que también es menor su producción de

calor.

Su tamaño es también mucho menor. Un transistor puede tener el tamaño de una lenteja
mientras que un tubo de vacío tiene un tamaño mayor que el de un cartucho de escopeta de
caza. Esto permite una drástica reducción de tamaño.

Mientras que las tensiones de alimentación de los tubos estaban alrededor de los 300 voltios
las de los transistores vienen a ser de 10 voltios con lo que los demás elementos de circuito
también pueden ser de menor tamaño al tener que disipar mucho menos calor y soportar
tensiones muchos menores.

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 ½ Es un componente semiconductor que tiene tres
terminales BASE (b), EMISOR (e), COLECTOR
(c).
½ Internamente está formado por un cristal que
contiene una región P entre dos N (transistor NPN)
½ O una región N entre dos regiones P, (transistor
PNP )

La diferencia que hay entre un transistor NPN y

otro PNP radica en la polaridad de sus electrodos

 -
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También llamado de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de efecto de
campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor
de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un
contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo
N de la forma más básica. Si se difunden dos regiones P en una
barra de material N y se conectan externamente entre sí, se
producirá una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos
surtidor y al otro drenador. Aplicando tensión positiva entre el
drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor,
estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de
drenador con polarización cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión
de estrangulamiento, cesa la conducción en el canal.

 
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El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en

inglés, que controla la corriente en función de una tensión;
tienen alta impedancia de entrada.

½ Transistor de efecto de campo de unión, JFET,

construido mediante una unión PN.
½ Transistor de efecto de campo de compuerta aislada,
IzFET, en el que la compuerta se aísla del canal
mediante un dieléctrico.
½ Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde
|
significa Metal-Óxido-Semiconductor, en este
caso la compuerta es metálica y está separada del canal semiconductor por una capa
de óxido.

 
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Se llama fototransistor a un transistor sensible a la

luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide
sobre la región de base, generando portadores en
ella. Esta carga de base lleva el transistor al
estado de conducción. El fototransistor es más
sensible que el fotodiodo por el efecto de
ganancia propio del transistor. Cuando no haya
luz incidente, existe una corriente pequeñísima de

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La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el

emisor. El colector se conecta a las masas tanto de la señal
de entrada como a la de salida. En esta configuración se
tiene ganancia de corriente, pero no de tensión que es
ligeramente inferior a la unidad. Esta configuración
multiplica la impedancia de salida por 1/ȕ.





 
 à
à 




El concepto de transistor bipolar permite una amplia
variedad de aplicaciones relacionadas con la electrónica de
señal y la electrónica de potencia.

La electrónica de señal, o mas bien conocida como pequeña señal, es aquel entorno
electrónico que trata señales de baja potencia, relacionado tanto con el espectro de baja
frecuencia como con el de frecuencias medias y altas. Estamos hablando de circuitos de
recepción de audio, de recepción de radio, de adaptadores de líneas de transmisión, etc., todas
ellas con un denominador común: los niveles de potencia empleados.

Los transistores se utilizan especialmente en tres campos:


 
 µ, ya sea de tension o corriente. En estos casos el transistor opera en la zona
lineal de trabajo. El concepto de amplificación viene impuesto por las condiciones eléctricas de
numerosos dispositivos electrónicos.

Ú
Ú
Ú

. Para este tipo de aplicaciones el transistor puede operar tanto
en la zona lineal como en la zona no lineal, todo depende del tipo de aplicación que se desee
implementar. Estamos hablando de dispositivos como los generadores de corriente, los
multiplicadores de dos señales etc.

Ú

Ú
 

 Ú Ú

ÚÚ
 Ú Ú .

Se puede emplear el transistor para aislar dos etapas de un determinado dispositivo y eliminar
problemas que pudieran aparecer.

Por último, podemos generalizar que los transistores son pequeños dispositivos empleados en
todo tipo de circuitos, ya sea relacionados con la electrónica digital o analógica, ya que forman
el alma mater de los actuales microprocesadores y demás elementos digitales.

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