Diseño de una matriz, Urley Guerrero, Nicolás Valbuena

Matriz de bombillos incandescentes con transistores

BJT y tiristores SCR
Urley Guerrero, Nicolás Navarro.
161003449,161003141
(Urley Guerrero, Nicolás Navarro) @unillanos.edu.co
Universidad De Los Llanos

 otros medios.
Resumen—La siguiente práctica tiene como fin mostrar el
laboratorio de 4 semáforos con transistores BJT de alta
potencia y la matriz abecedarios con tiristores SCR, ambas
elaboradas junto a un circuito de control, el cual se elaborará
con 12 bombillos. El circuito se realizó con la ayuda del
simulador Arduino y Protheus, herramientas que nos ayudaran
a codificar el semáforo y simular los circuitos de potencia
necesarios para montar el laboratorio.
Índice de Términos—Transistor de potencia, Semáforo,
opto acoplador.
Abstract: The following practice has as purpose to show the
laboratory of 4 traffic lights with transistors BJT of high
power and the alphabet matrix with SCR, both elaborated with
a control circuit, which will be elaborated with 12 bulbs. The
circuit was made with the help of the Arduino and Protheus
simulator, tools that help us to code the traffic light and
simulate the power circuits for the laboratory.
Keywords -Power transistor, Semaphore, optocoupler.
II. MARCO TEORICO
Transistores de potencia
El transistor es un dispositivo, electrónico utilizado para la
entrega de una señal de salida en respuesta a la señal de
entrada. Funcionando como amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador. Es utilizado en diferentes aparatos
electrónicos.
El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia
es idéntico al de los transistores normales, teniendo como
características especiales las altas tensiones e intensidades que
tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.
[2]
Existen tres tipos de transistores:
 Bipolar
 Unipolar
 IGBT

I. INTRODUCCIÓN

Los transistores de potencia poseen características de control

muy útiles de encendido y apagado, comportamiento de para
el interruptor normal, entre otros usos. Los transistores
empleados como elementos de conmutación operan en la Tabla 1. Parámetros de los transistores. [2]
región de corte y de saturación, es decir, permiten pasar o no
todo el flujo de corriente y estos tiempos de conmutación son
bastantes bajos. Transistores bipolares de unión

En el caso de los tiristores, son empleados en circuitos de
potencia, y a diferencia de los transistores, los tiristores
presentan menos perdidas por conducción en estado encendido
y mayor rango en manejos de potencia. Son los primeros
dispositivos con memoria, debido a que se diseñan sin la
función de apagado por medio la compuerta o GATE, lo que
implica que debe llevarse a cero la corriente por medio de
Un transistor bipolar se forma agregando una segunda región
pon a un diodo de unión pn. Con dos regiones n y una p, se
forman dos uniones, teniéndose así un transistor NPN, como
se muestra en la figura 1a. Con dos regiones p y una región n,
se forma lo que se llama transistor PNP, que se muestra en la
figura 1b. Las tres terminales son colector, emisor y base. Un
transistor bipolar tiene dos uniones: la unión colector-base
(CBJ) y la unión base-emisor (BEJ). [3]

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Fig.1. Transistor NPN YPNP. [3]

El transistor bipolar como se muestra en la figura 2, se ve que

entre la base y el emisor hay un diodo, lo mismo entre la base
y el colector hay otro diodo, el transistor bipolar tiene 3 zonas
diferentes en los cuales puede operar, los cuales se conoces
como región activa, región de corte y región de saturación. [3]
Para que opere en la región de saturación, el diodo base
emisor tiene que estar polarizado en forma directa y el diodo
base colector también tendrá que estar polarizado en forma
directa. Para que opere en la región de corte, el diodo base
emisor tiene que estar polarizado en forma inversa y el diodo
base colector también tendrá que estar polarizado
también forma inversa.

Fig.3.Curva Características de entrada. [3]

Fig.2.Esquema interno de un transistor NPN y PNP. [3]

Para que opere en la región de activa, el diodo base emisor

tiene que estar polarizado en forma directa y el diodo base
colector tendrá que estar polarizado en forma inversa; cuando Fig.4. Curva Características de salida. [3]
el transistor bipolar se prepara para que opere en la región
activa, se cumple que la corriente que ingrese por la base I B va
a controlar la cantidad de corriente que circulará por el La corriente de base es de hecho la de entrada, y la corriente
colector IC, este control es en forma lineal, se cumple una de colector IC entre de la corriente de base IB se llama
relación matemática a la cual se le llama ganancia del ganancia de corriente en sentido directo, B F:
transistor y se le simboliza con β, esto es β=IC/IB, este valor en IC
la hoja de datos se le encuentra como hFE. [3] [4] β F  hFE  (1)
En un transistor bipolar siempre se va a cumplir, que si se IB
encuentra operando en la región de saturación o en la región
activa, la tensión que existirá entre la base y el
emisor VBE=0,7V ya que el diodo existente entre la base y el
emisor está polarizado en forma directa. [3] [4]

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 Minimiza la resistencia térmica.

TIRISTORES

Un tiristor es un dispositivo semiconductor con cuatro capas,

de estructura pnpn, con tres uniones pn. Tiene tres terminales:
ánodo, cátodo y compuerta. La figura 1 muestra el símbolo del
tiristor y el corte de las tres uniones pn. Los tiristores se
fabrican por dispersión difusión[4].

Fig.5: Interruptor de transistor. [4]

De acuerdo al circuito de la figura 3, se obtienen las siguientes

ecuaciones:

VB  VBE
IB   2 Fig.7: Símbolo del Tiristor y 3 uniones pn[4].
RB
VCE  VCB  VBE  3 Cuando el voltaje del ánodo se hace positivo con respecto al
del cátodo, las uniones J1 y J3 tienen polarización directa. La
unión J2 tiene polarización inversa, y sólo pasa una pequeña
corriente de fuga de ánodo a cátodo. En este caso, se dice que
Constitución del BJT el tiristor está en la condición de bloqueo directo o en estado
apagado, y la corriente de fuga se llama corriente en estado
apagado, ID. Si aumenta el voltaje de polarización inversa V AK
de ánodo a cátodo hasta un valor suficientemente grande, se
daña en forma permanente la unión J2. A esto se le llama
ruptura por avalancha, y el voltaje correspondiente se llama
VBO, voltaje de avalancha directo. Ya que las otras uniones J 1y
J3ya están polarizadas directamente, hay un flujo libre de
portadores a través de las tres uniones, dando como resultado
una gran corriente anódica directa. Entonces, el dispositivo
está en estado conductor, o estado encendido. La caída de
voltaje se debe a la caída óhmica en las cuatro capas, y es
pequeña, normalmente de 1V[4].

Una vez que un tiristor conduce, se comporta como diodo

Fig.6. Sección vertical de un transistor bipolar de potencia típico. [1]
Ventajas de la estructura vertical:
conductor y no hay control sobre el dispositivo y éste continúa
conduciendo porque no hay capa de transición en la unión J 2
debido a los movimientos libres de las portadoras. Sin
embargo, si la corriente en sentido directo del ánodo se reduce
por debajo de un nivel conocido como corriente de retención
IH, se desarrolla una región de transición alrededor de la unión
J2 debido al número reducido de portadoras y el tiristor está en
el estado de bloqueo[4].

 Maximiza el área atravesada por la corriente:

 Minimiza resistividad de las capas
 Minimiza pérdidas en conducción

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Fig.8: Características v-i.
ACTIVACION DEL TIRISTOR
Corriente de compuerta: Si un tiristor está polarizado en
sentido directo, la inyección de corriente de compuerta al
aplicar voltaje de compuerta positivo, entre las terminales de
la compuerta y el cátodo, enciende al tiristor. Al aumentar la
corriente de compuerta, disminuye el voltaje de bloqueo en
sentido directo, como se ve en la figura 3[4].
Se deben tener en cuenta los siguientes puntos para diseñar el
circuito de control de compuerta.
1. La señal de compuerta debe retirarse después que
haya encendido el tiristor. Una señal de control
continua aumentaría la pérdida de potencia en la
unión de la compuerta[4].
2. Aunque el tiristor está polarizado en sentido inverso,
no debe haber señal de compuerta, porque de lo
contrario puede fallar a causa de un aumento en la
corriente de fuga[4].
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Fig.9: Efectos de la corriente de compuerta sobre el voltaje de bloqueo
en sentido directo[4].
Los tiristores se fabrican por difusión, casi en forma exclusiva.
La corriente anódica requiere un tiempo finito para propagarse
hasta toda el área de la unión, desde el punto cercano a la
compuerta, cuando se inicia la señal de compuerta para
encender el tiristor. Los fabricantes usan diversas estructuras
de compuerta para controlar la di/dt, el tiempo de encendido y
el tiempo de apagado. Los tiristores pueden encenderse con
facilidad con un impulso corto. Para apagarlos, requieren
circuitos especiales de control, o estructuras internas
especiales para auxiliar en el proceso de apagado[4].
Tiristores controlados por fase (SCR)
Esta clase de tiristores suele funcionar a la frecuencia de línea,
y se apagan por conmutación natural. Un tiristor inicia la
conducción en sentido directo, cuando se aplica un pulso de
disparo de corriente de la compuerta al cátodo, y se llega y se
mantiene con rapidez a la conducción total, con una caída
pequeña de voltaje en sentido directo. No puede hacer que su
corriente regrese a cero mediante una señal en su compuerta;
en lugar de ello, se basa en el comportamiento natural del
circuito para que la corriente llegue a cero. Cuando la
corriente anódica baja a cero, el tiristor recupera su capacidad
en unas pocas decenas de microsegundos de voltaje de
bloqueo en sentido inverso, y puede bloquear la corriente en
sentido directo hasta que se aplique el siguiente pulso de
encendido[4].
III. MATERIALES Y METODOS
MATERIALES
 Arduino mega
 Resistencia de 100 ohm – ½ W
 Resistencia de 47 ohm – ½ W
 Resistencia de 4.7 ohm – 5 w
 Opto acoplador Tc817
 Transistor Tip31c
 Transistor Bu208
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 Fuente lineal de 175 V

 Matriz de bombillos 70 Watts cada uno
 Protoboard
 Fuente de Voltaje DC
 Relés

Mediante el diseño de una matriz 4x3 de bombillos

incandescentes, se deben mostrar las letras del abecedario y
visualizar un semáforo.

Semáforo: El uso de los transistores en esta práctica se

empleará en corte y saturación debida a que en la zona activa
se presenta un calentamiento del componente. Para esta
práctica de laboratorio se hizo uso del transistor BU208
debido a que soporta un voltaje colector-emisor de 700V y una
corriente de en el colector de 5 A (donde va ir la carga o
bombillo) y una corriente de base máximo de 2.5 A.
La figura 7, muestra la región de saturación del colector, esta
región nos permite operar el transistor sin que se caliente, para
garantizar eso se necesita que la corriente el colector se mayor
a 700 mA, así que la corriente de la base debe estar según la
gráfica entre los 500 mA a 1 A, para llevar a saturación el
transistor.
Fig.11: Región de saturación colector – Tip31C[3].
Abecedario: Se utiliza el SCR C106D[2], según la hoja de
especificaciones del componente soporta una tensión de 500
V, pero presenta una alta sensibilidad en el Gate, debido a que
la corriente minina de activación de la puerta a 25° es de
35µA, razón por la cual siempre quedaba activa la puerta. Se
decide colocar un capacitor electrolítico entre el Gate y el
Cátodo de 1µF a 250V

Inicialmente se envía un pulso por los pines digitales para

excitar el transistor y verificar que los SCR se desactiven
mediante el pin 22 y 24 del Arduino Mega, después se envían
los pulsos digitales que activan los bombillos de la matriz para
la representación de cada letra y número, ver figura 4a y 4b.
Para desactivar el SCR se hace uso del Transistor BU208[3],
el emisor va con el cátodo y el colector va con el Ánodo ver
Figura 5.

Para visualizar que los pulsos del Gate son por un instante de
tiempo, se utilizan Diodos LED que demuestra el instante de
tiempo que dura el Pulso del Arduino, y además sistemas de
aislamiento para proteger el controlador mediante opto
acopladores CT817c

Fig.10: Región de saturación colector – BU208[2].

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IV. RESULTADOS
Se emplearon 4 Protoboard por los robustos que son los
SEMÁFORO componentes y para la alimentación de los transistores de
potencia y unión de las pistas de la Protoboard, se emplea un
cable grueso, a fin de no limitar el flujo de corriente que
entregan las fuentes de voltaje DC.

ABECEDARIO

Fig.12: Montaje en Protoboard del Circuito.

Fig.14: Montaje en Protoboard del Circuito.

Fig.15: Montaje en Protoboard del Circuito y funcionamiento.

Fig.13: Prueba semáforo con matriz 3x4.

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Fig.16: Letra “A” con matriz 3x4.
Fig.17: Letra “C” con matriz 3x4.
Fig.18: Letra “D” con matriz 3x4.
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Fig.19: Letra “C” con matriz 3x4.
V. CONCLUSIONES
 Presentan una conmutación rápida, lo que permite
llevar a corte y saturación en tiempos muy cortos,
para cambios de estado en la función que se le está
dando aplicabilidad al transistor.
 Ideales para trabajos de alto consumo de corriente y
voltajes altos, limitante de algunos componentes que
funcionan como interruptores normales.
 Se debe garantizar que el transistor esta
efectivamente en saturación, a fin de evitar que quede
en la región activa y se presenten calentamientos del
componente, llegando a dañarlos de forma
permanente.
 Tiristores presentan una menor conmutación frente a
los BJT, lo cual permite trabajar a ciertas frecuencias
de operación.
 Una vez que conduce el tiristor no se puede apagar
mediante otro pulso ya sea negativo o positivo en el
GATE, lo cual da una complejidad mayor para el
circuito, ya que se requiere de un circuito adicional
para lograr desactivarlo.
 La activación del Tiristor se pude realizar con una
corriente muy pequeña, y conducir grandes corrientes
entre el cátodo y el ánodo, brindando una gran
facilidad en su activación.
 El circuito debe tener un sistema de aislamiento con
el fin de evitar exponer el sistema de control con el
sistema de potencia y proteger el controlador.
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VI. REFERENCIAS

[1] ELECTRONICA DE POTENCIA, CIRCUITOS,

DISPOSITIVOS Y APLICACIONES,
Muhhamadh.rassid, TERCERA EDICION,
PEARSON EDUCATION, pag 122-160.

[2] Transistor bipolar o bjt, conocimientos básicos. -

MrElberni. (n.d.). Retrieved June 29, 2019, from
http://mrelbernitutoriales.com/transistor-
bjt/transistor-bipolar-conociendolo/

[3] INTRODUCCIÓN. Características Generales del

BJT. (n.d.). Retrieved from
http://www.gte.us.es/~leopoldo/Store/tsp_3.pdf

[4] “CT817C Datasheet(PDF) - CT Micro International

Corporation.” [Online]. Available:
http://www.alldatasheet.com/datasheet-
pdf/pdf/821212/CTMICRO/CT817C.html. [Accessed:
17-Mar-2019].

[5] M. H. RASHID, Electrónica de potencia, Tercera Ed.

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