UNIVERSIDAD SURCOLOMBIANA

INGENIERIA ELECTRONICA
ELECTRONICA ANALOGA I
TRANSISTORES BJT Y FET
Marylin Mosquera Vargas
20152142267

Luisa María Londoño Rivera

20152141646

Sergio Andrés Cortes Rodríguez

20152141646

TRANSISTORES BJT (TRANSISTORES DE UNIÓN PN)

Módulo 3.1
Transistores de unión bipolares
¿Qué son los BJT?

Fig.3.1.1 Transistores de unión bipolar

Los transistores bipolares están entre los dispositivos más ampliamente utilizados
para la amplificación de todos los tipos de señales eléctricas en circuitos discretos,
es decir, circuitos fabricados a partir de componentes individuales en lugar de
circuitos integrados (I / Cs). Los BJT también se usan en circuitos junto con I / Cs,
ya que a menudo es más práctico utilizar transistores de salida discretos donde se
necesita una salida de potencia mayor que la I / C. Por ejemplo, un circuito integrado
puede llevar a cabo todo el procesamiento de las señales en un sistema, pero luego
pasa la señal procesada a un solo transistor discreto o par de transistores adaptados
para la amplificación de potencia para accionar un altavoz u otro dispositivo de
salida. También es muy conveniente utilizar un transistor discreto para un circuito
individual dentro de un sistema más grande, para el cual I / Cs no están fácilmente
disponibles.
Los transistores vienen en muchas formas y tipos. En la figura 3.1.2 se muestra una
selección de transistores de unión bipolares típicos (BJTs)

Fig.3.1.2 Transistores de unión bipolares típicos

1. BUH515
Transistor de conmutación rápida de alta potencia (50W) de alto voltaje (1500V) de
alta potencia (50W) en un paquete ISOWATT218, diseñado originalmente para su
uso en bases de tiempo de TV analógicas, pero también utilizado en fuentes de
alimentación de modo conmutado.

2. 2N3055
Transistor de la energía del silicio de NPN (115W) diseñado para las aplicaciones
del interruptor y del amplificador. Se puede utilizar como la mitad de un par de salida
push-pull complementario con el transistor PNP MJ2955.

3. 2N2219
Transistor del silicio de NPN en un paquete embalado metal TO-39, diseñado para
el uso como interruptor de alta velocidad o para la amplificación en las frecuencias
de DC (0Hz) hasta UHF en cerca de 500MHz.

4. 2N6487
Transistor de salida NPN de propósito general con una potencia de hasta 75W en
un paquete TO-220.

5. BD135 / BD136
Complementario (NPN / PNP) de transistores de salida de audio de baja y media
potencia en un paquete SOT-32.

6. 7 y 8. 2N222
Los amplificadores de uso general de pequeña señal y los transistores de
conmutación como el 2N2222 y el 2N3904 están comúnmente disponibles en una
variedad de tipos de envases tales como el paquete de caja metálica TO-18 (6) y la
versión TO-92 de plástico más barata (7) para el orificio pasante Montaje en placas
de circuito impreso, así como en versiones de montaje en superficie SOT-23 (8).
Muchos tipos de paquetes de transistores también están disponibles con diseños
de conexión alternativos. El paquete TO-92, por ejemplo, tiene variantes TO-94, TO-
96, TO-97 y TO-98, todas con apariencia física similar, pero cada una con una
configuración de pin diferente. Cuando están disponibles diferentes variantes de
paquete, éstas se identifican usualmente en la hoja de datos para cada tipo
particular de transistor. Las variaciones típicas, tales como las de la serie TO-92 a
98 de envases utilizados para transistores, tales como el 2N2222, se ilustran en la
Fig. 3.1.3

Fig. 3.1.3 Variaciones del paquete TO-92

Módulo 3.2
Cómo se hacen los transistores
Transistores difusos de aleación
Los primeros transistores de unión bipolar usaron una variedad de métodos para
producir un amplificador de corriente. Normalmente se utilizó una fina oblea de
germanio para la base del transistor. El emisor y el colector se fabricaron
difundiendo dos gránulos de indio (un material trivalente, que tiene tres electrones
en su concha de valencia) en ambos lados de una oblea de la base tipo N, como se
muestra en la figura 3.2.1.

Fig. 3.2.1 Aleación de germanio Transistor difuso

El proceso de fusión hace que el indio difunda en el germanio. A medida que los
dos metales fusionan átomos de indio (con 3 electrones de valencia) se mezclan
con los átomos de germanio puro (con 4 electrones de valencia) creando material
de tipo P donde los átomos de indio parecen estar cortos de un electrón y así se
unirán con sólo tres En lugar de cuatro átomos vecinos. Esto crea un portador de
carga "agujero" en cada átomo de indio. La fusión se detiene justo antes de que las
dos regiones de tipo P se encuentren. El resultado es una capa extremadamente
fina de semiconductor de tipo N (la BASE) intercalada entre dos capas de tipo P
más gruesas, que forman los otros dos terminales, el emisor y el colector. Observe
que la región del tipo P utilizada para el colector es mayor que la región del emisor.
Esto se debe a que la mayor parte del calor generado dentro del transistor se genera
en la unión base / colector. Por lo tanto, este empalme necesita ser mayor para
disipar este calor adicional.
Los transistores difusos de aleación sufren varios inconvenientes:
1. Tienen una respuesta de frecuencia pobre debido principalmente a sus
grandes capacitancias de unión.
2. Su colector de corriente aumenta a medida que su temperatura aumenta,
haciéndolos susceptibles a la destrucción debido a la fuga térmica.
3. Tienen corrientes de fuga relativamente altas a través de las uniones.
4. No pueden soportar altos voltajes.
Transistores planares de silicio
Las desventajas de los transistores de aleación difundida se superaron en la década
de 1950 mediante el desarrollo de transistores que utilizan silicio como material
semiconductor y el tipo de construcción planar (en capas), ilustrado en las figuras
3.2.2 a 3.2.3 Estos transistores se construyen como una serie de transistores Capas
muy finas (o planos) de material semiconductor construido como un sándwich
multicapa). La construcción es más compleja que la técnica de difusión de la
aleación, requiriendo muchas etapas separadas, depositando capas de óxido en la
oblea de silicio y usando técnicas de foto-litografía para eliminar áreas de silicio no
deseadas. Estos pasos se repiten con variaciones para construir los patrones y
capas requeridos para formar transistores individuales o circuitos integrados
interconectados completos.
Aunque las numerosas etapas de fabricación individuales son complejas, de formar
un lingote de silicio muy puro, cortarlo en obleas y formar los componentes
necesarios en la oblea, pueden hacerse miles de transistores al mismo tiempo en
una única oblea de silicio, De construcción se vuelve entonces mucho más barato y
más fiable que el método de difusión de una sola aleación de transistor a la vez.
Una vez que los transistores se han formado en la oblea, cada uno se prueba
automáticamente y cualquier transistor defectuoso se marca con un punto del tinte.
La oblea se corta entonces en los transistores individuales y se descartan los
marcados como defectuosos.
Fig. 3.2.2 Construcción de capas múltiples De un transistor planar de silicio.
El proceso planar es aún más eficiente cuando se utiliza para fabricar circuitos
integrados en los que el número de transistores interconectados se fabrican en un
único chip de silicio al mismo tiempo. Los circuitos integrados producidos por este
método pueden contener sólo unos pocos transistores interconectados (Small Scale
Integration o SSI), cientos de transistores (Medium Scale Integration o MSI), miles
de transistores (Large Scale Integration o LSI) o dispositivos tales como
microprocesadores con Millones de transistores interconectados (Very Large Scale
Integration o VLSI). Las Figs. 3.2.2 a 3.2.4 ilustran los pasos básicos en el proceso
de fabricación, asumiendo una oblea poblada con transistores individuales.
Fig. 3.2.3 El proceso de construcción planar.
Los pasos en la Fig. 3.2.3
1. Capa 1 - Silicio de tipo N fuertemente dopado.
2. El silicio de tipo N ligeramente dopado se deposita encima de la capa 1 haciendo
un colector de dos capas. (Ver "Cómo funcionan los BJTs").
3. Parte de la capa de colector se graba al agua fuerte para formar una depresión
para la capa base de tipo P.
4. Se añade la capa base tipo P.
5. Parte de la capa base se graba, dejando una capa base muy delgada.
6. Se añade una capa emisora de tipo N fuertemente dopada.
7. Finalmente, se añaden conectores metálicos que permiten fijar los cables
después de la prueba y separarlos de la oblea.
Fig. 3.2.4 Transistor plano de silicio terminado.
Módulo 3.3
Cómo funciona un BJT (transistor de unión bipolar)
Está todo en el dopaje
La forma en que funciona un transistor se puede describir con referencia a la Fig.
3.3.1 que muestra el dopaje básico de un transistor de unión y la Fig. 3.3.2 mostrar
cómo funciona el BJT.

Fig. 3.3.1 Cómo está dopado un transistor.

El funcionamiento del transistor es muy dependiente del grado de dopado de las
diversas partes del cristal semiconductor. El emisor de tipo N está muy dopado para
proporcionar muchos electrones libres como portadores de carga mayoritarios. La
región de base del tipo P ligeramente dopada es extremadamente delgada y el
colector del tipo N está muy dopado para darle una baja resistividad aparte de una
capa de material menos dopado cerca de la región de base. Este cambio en la
resistividad del colector, asegura que un gran potencial esté presente dentro del
material del colector cerca de la base. La importancia de esto se pondrá de
manifiesto a partir de la siguiente descripción.
Fig. 3.3.2 Cómo un transistor amplifica la corriente.
Durante el funcionamiento normal, se aplica un potencial a través de la unión base
/ emisor de manera que la base es aproximadamente 0,6v más positiva que el
emisor, lo que hace que la unión base / emisor sea polarizada hacia delante.
Se aplica un potencial mucho mayor a través de la unión base / colector con un
voltaje positivo relativamente alto aplicado al colector, de manera que la unión base
/ colector es fuertemente polarizada inversamente. Esto hace que la capa de
agotamiento entre la base y el colector sea bastante ancha una vez que se aplica la
potencia.
Como se mencionó anteriormente, el colector está constituido principalmente por
material fuertemente dopado, de baja resistividad, con una fina capa de material
ligeramente dopado y de alta resistividad junto a la unión base / colector. Esto
significa que la mayor parte del voltaje entre el colector y la base se desarrolla a
través de esta fina capa de alta resistividad, creando un gradiente de alta tensión
cerca de la unión base del colector.
Cuando la unión del emisor base está polarizada hacia delante, una pequeña
corriente fluirá hacia la base. Por lo tanto, se inyectan agujeros en el material de tipo
P. Estos orificios atraen electrones a través de la unión de base / emisor polarizada
hacia delante para combinar con los orificios. Sin embargo, debido a que la región
emisora está muy dopada, muchos más electrones cruzan en la región base del tipo
P que son capaces de combinar con los orificios disponibles. Esto significa que hay
una gran concentración de electrones en la región de la base y la mayoría de estos
electrones son barridos directamente a través de la base muy delgada, y en la capa
de agotamiento base / colector. Una vez aquí, están bajo la influencia del campo
eléctrico fuerte a través de la unión base / colector. Este campo es tan fuerte debido
al gran gradiente de potencial en el material de colector mencionado anteriormente,
que los electrones son barridos a través de la capa de agotamiento y hacia el
material de colector, y así hacia el terminal de colector.
Variando la corriente que fluye en la base, afecta el número de electrones atraídos
desde el emisor. De esta manera, cambios muy pequeños en la corriente de base
causan cambios muy grandes en la corriente que fluye desde el emisor al colector,
de manera que la amplificación de corriente está teniendo lugar.
Módulo 3.5
Ganancia de corriente
Un BJT es un transistor accionado por corriente, lo que significa que la corriente que
fluye entre el emisor y el colector de un transistor es mucho mayor que la que fluye
entre la base y el emisor. Así que una pequeña corriente de base está controlando
la corriente de colector / emisor mucho mayor. La relación de las dos corrientes, ICE
/ IBE es constante, siempre que el voltaje de emisor del colector VCE sea constante.
Por lo tanto, si la corriente de base se eleva, también lo hace la corriente del
colector.
La característica de transferencia de BJT
Esta relación es el GANANCIA ACTUAL del transistor y se le da el símbolo hfe. Un
transistor de ganancia bastante baja podría tener una ganancia de corriente de 20
a 50, mientras que un tipo de alta ganancia podría tener una ganancia de 300 a 800
o más. La difusión de valores de hfe para cualquier transistor dado es bastante
grande, incluso en transistores del mismo tipo y lote. La gráfica de ICE / IBE
mostrada en la Fig. 3.5.1 se denomina CARACTERISTICA DE LA
TRANSFERENCIA y la pendiente de la gráfica muestra la hfe para ese transistor

Fig.3.5.1 Característica de transferencia.

Se pueden dibujar curvas características (gráficas) para mostrar otros parámetros
de un transistor, y se usan tanto para detallar el rendimiento de un dispositivo
particular como para ayudar al diseño de amplificadores. Los ejemplos que se
muestran aquí son típicos de los BJT, cuando se utilizan como amplificadores de
voltaje.
La característica de entrada BJT
La CARACTERÍSTICA DE ENTRADA (figura 3.5.2), una gráfica de la corriente de
emisor de base IBE contra la tensión de emisor de base VBE (IBE / VBE) muestra
la CONDUCTENCIA de entrada del transistor. Como conductancia I / V es el
recíproco de RESISTENCIA (V / I) esta curva puede usarse para determinar la
resistencia de entrada del transistor. La inclinación de esta curva en particular
cuando el VBE está por encima de 1 volt muestra que la conductancia de entrada
es muy alta, y hay un gran aumento en la corriente (en la práctica, por lo general
suficiente para destruir el transistor!) Para un aumento muy pequeño en VBE. Por
lo tanto, la RESISTENCIA de entrada debe ser baja. Alrededor de 0,6 a 0,7 voltios
las curvas gráficas, que muestran que la resistencia de entrada de un transistor
varía, según la cantidad de corriente de base que fluye, y por debajo de
aproximadamente 0,5 voltios de corriente de base cesa.

Fig.3.5.2 Característica de entrada.

La característica de salida BJT

Fig.3.5.3 Característica de salida.
La figura 3.5.3 muestra la CARACTERÍSTICA DE SALIDA cuya pendiente da el
valor de conductancia de salida (y por implicación resistencia de salida). Las partes
casi horizontales de las líneas gráficas muestran que un cambio en el voltaje de
emisor del colector VCE no tiene casi ningún efecto sobre la corriente del colector
en esta región, solo el efecto que se esperaría si la salida del transistor tuviera una
resistencia de gran valor en serie con ella. Por lo tanto, el gráfico muestra que la
resistencia de salida del transistor es alta.
Estos gráficos característicos muestran que, para un transistor de silicio con una
entrada aplicada entre la base y el emisor, y la salida tomada entre el colector y el
emisor (un método de conexión denominado modo emisor común) se esperaría;
• Baja resistencia de entrada (de la característica de entrada).
• Ganancia bastante alta (de la característica de transferencia).
• Alta resistencia de salida (a partir de la característica de salida).

La característica mutua de BJT

Fig.3.5.4 Características mutuas.

En la figura 3.5.4, la CARACTERÍSTICA MUTUAL muestra una gráfica de
CONDUCTENCIA MUTUA IC / VBE e ilustra el cambio en la corriente de colector
que tiene lugar para un cambio dado en la tensión del emisor base (es decir, la
tensión de la señal de entrada). Este gráfico es para un típico transistor de potencia
de silicio. Observe las corrientes de colector grandes posibles, y la relación casi
lineal entre la tensión de entrada y la corriente de salida.
Las características descritas en esta página son las relativas a un típico transistor
de potencia conectado en el modo "emisor común". Este es uno de los tres posibles
modos de conexión para un transistor descrito en el Módulo BJT 3.6. - Conexiones
de transistor.
Nota: En muchos transistores las corrientes serán mucho menores que las
mostradas en estos ejemplos. Para pequeños amplificadores de señal, las
corrientes de base serán unos pocos microamperios en lugar de miliamperios.

Módulo 3.6
Conexiones del transistor.
Cómo se conecta un transistor para hacer un amplificador.
Debido a que un amplificador debe tener dos terminales de entrada y dos de salida,
un transistor utilizado como amplificador debe tener uno de sus tres terminales
comunes a la entrada y salida, como se muestra en la Fig. 3.6.1. La elección del
terminal que se utiliza como conexión común tiene un efecto marcado en el
rendimiento del amplificador.

Fig.3.6.1 Conexiones del amplificador.

Un transistor conectado en los tres modos ilustrados en las Figs. 3.6.2 a 3.6.4
mostrarían curvas características bastante diferentes para cada modo. Estas
diferencias pueden ser explotadas por el diseñador de circuito para dar un
amplificador con características que sean más adecuadas para un propósito
particular. Obsérvese que los diagramas se muestran aquí reducidos a su forma
más básica y no se pretende que sean circuitos prácticos.
En un circuito amplificador de transistor, tal como los mostrados en las Figs. 3.6.2 a
3.6.4, la línea de alimentación + V y la línea 0V pueden considerarse como el mismo
punto, en lo que se refiere a cualquier señal de CA. Esto se debe a que, aunque hay
obviamente un voltaje (la tensión de alimentación) entre estos dos puntos, la
alimentación de CC es siempre desacoplada por un condensador grande (por
ejemplo, el condensador del depósito en la fuente de alimentación) de modo que no
puede haber diferencia de voltaje CA Entre + V y 0V.

Fig.3.6.2 Modo Emisor Común.

Fig.3.6.3 Modo común del colector.
 Fig.3.6.4 Modo base común.

Modo emisor común

La función más común de un transistor se utiliza en el modo EMISOR COMÚN. En
este método de conexión, pequeños cambios en la corriente base / emisor causan
grandes cambios en la corriente del colector / emisor. Por lo tanto, el circuito es el
de un amplificador CURRENT. Para dar amplificación de VOLTAJE, debe
conectarse una resistencia de carga (o una impedancia tal como un circuito
sintonizado) en el circuito colector, de manera que un cambio en la corriente de
colector provoque un cambio en la tensión desarrollada a través de la resistencia de
carga. El valor de la resistencia de carga afectará al VOLTAGE GAIN del
amplificador. Esto se debe a que cuanto mayor sea la resistencia de carga, mayor
será el cambio de voltaje que será causado por un cambio dado en la corriente del
colector. Observe que debido a este método de conexión la forma de onda de salida
estará en anti-fase a la forma de onda de entrada. Esto es debido a que un aumento
en el voltaje base / emisor causará un aumento en la corriente de base. Esto a su
vez causará un aumento en la corriente de colector, pero a medida que aumenta la
corriente de colector, la caída de voltaje a través de la resistencia de carga aumenta
y como la tensión en el extremo superior de la resistencia de carga (la tensión de
alimentación) no cambiará, El extremo inferior debe disminuir. Por lo tanto, un
aumento en el voltaje base / emisor provoca una disminución en el voltaje colector
/ emisor.
Parámetros comunes del emisor
Voltaje de ganancia: Alta (alrededor de 100).
Ganancia actual: alta (alrededor de 50 a 800).
Impedancia de entrada: Medio (de 3kΩ a 5kΩ).
Impedancia de salida: Mediana (Aproximadamente el valor del resistor de carga).
Modo de recolección común
En la figura 3.6.3 ilustra el modo COLLECTOR COMÚN; También llamado modo de
emisor seguidor como en este circuito la forma de onda de salida en el emisor no
está invertida y por lo tanto "sigue" la forma de onda de entrada en la base. Este
método de conexión se utiliza a menudo como un AMPLIFICADOR BUFFER para
trabajos tales como impedancias de acoplamiento entre otros dos circuitos. Esto se
debe a que este modo da al amplificador una alta impedancia de entrada y una baja
impedancia de salida. La ganancia de voltaje en este modo es ligeramente inferior
a la unidad (x 1), pero se dispone de una ganancia de corriente alta (llamada hfc en
modo colector común). Otro uso para este modo de conexión es un
AMPLIFICADOR CORRIENTE, utilizado a menudo para circuitos de salida que
tienen que conducir dispositivos de CA de alta corriente tales como altavoces o
dispositivos de CC tales como motores, etc.
Parámetros comunes del colector
Voltaje Ganancia: Un poco menos que la unidad (1).
Ganancia actual: alta (alrededor de 50 a 800)
Impedancia de entrada: Alta (varios kΩ)
Impedancia de salida: baja (unos pocos ohmios)
Modo base común
El MODO COMÚN BASE se usa generalmente para amplificadores VHF y UHF
donde, aunque la ganancia de voltaje no es alta, hay pocas posibilidades de que la
señal de salida sea devuelta al circuito de entrada (lo cual puede ser un problema
en estas frecuencias). Debido a que la base del transistor está conectada a tierra
en este modo, forma una pantalla aterrizada (puesta a tierra) efectiva entre la salida
y la entrada. Como la corriente de colector en este modo será la corriente de emisor
menos la corriente de base, la ganancia de corriente (hfb en modo de base común)
es menor que la unidad (<1).
Parámetros de base comunes
Voltaje Ganancia: Medio (alrededor de 10 a 50).
Ganancia actual: Menos que la unidad (<1)
Impedancia de entrada: Baja (aproximadamente 50Ω)
Impedancia de salida: Alta (aproximadamente 1MΩ)

TRANSITOR FET (TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO)

Transistores de efecto de campo

JFET (Transistores de efecto de campo de unión)
Aunque hay muchos nombres confusos para los transistores de efecto de campo
(FET), hay básicamente dos tipos principales:
1. Los tipos de unión PN polarizados inversamente, el FET de JFET o de unión,
(también llamado FET JUGFET o Unipolar Gate de unión).
2. Los dispositivos FET de puerta aislada (IGFET).
Todos los FET pueden llamarse dispositivos UNIPOLAR porque los portadores de
carga que llevan la corriente a través del dispositivo son todos del mismo tipo, es
decir, agujeros o electrones, pero no ambos. Esto distingue los FET de los
dispositivos bipolares en los que tanto los orificios como los electrones son
responsables del flujo de corriente en cualquier dispositivo.
El JFET
Este fue el primer dispositivo FET disponible. Es un dispositivo controlado por voltaje
en el que la corriente fluye desde el terminal SOURCE (equivalente al emisor en un
transistor bipolar) hasta el DRAIN (equivalente al colector). Una tensión aplicada
entre el terminal de la fuente y un terminal GATE (equivalente a la base) se utiliza
para controlar la corriente de drenaje de la fuente. La diferencia principal entre un
JFET y un transistor bipolar es que en un JFET no circula corriente de puerta, la
corriente a través del dispositivo es controlada por un campo eléctrico, por lo tanto
"Transistor de efecto de campo". La construcción JFET y los símbolos de circuito se
muestran en las Figuras 1, 2 y 3.
JFET Construcción
La construcción de JFET puede ser teóricamente bastante simple, pero en realidad
difícil, requiriendo materiales muy puros y técnicas de sala limpia. Los JFET se
realizan en diferentes formas, algunas se realizan como componentes discretos
(únicos) y otros, utilizando la tecnología planar como circuitos integrados.
Fig.1.1 Difusión Construcción JFET
La Figura 1.1 muestra la forma de construcción (teóricamente) más simple para un
FET de unión (JFET) usando técnicas de difusión. Utiliza una pequeña losa de
semiconductor tipo N en la que se infunden dos áreas de tipo P para formar la
Puerta. La corriente en forma de electrones fluye a través del dispositivo desde la
fuente hasta el drenaje a lo largo del canal de silicio de tipo N. Como sólo un tipo de
portador de carga (electrones) transportan corriente en JFET de canal N, estos
transistores también se denominan dispositivos "Unipolares".

Fig.1.1 Construcción del JFET con técnicas de difusión.

Fig.1.2 Construcción Planar JFET

Sección transversal planar JFET
La figura 1.2 Muestra la sección transversal de un FET de unión plana de canal N
(JFET). La corriente de carga fluye a través del dispositivo desde la fuente al drenaje
a lo largo de un canal hecho de N tipo de silicio. En el dispositivo plano, la segunda
parte de la compuerta está formada por el sustrato de tipo P.
Los JFET de canal P también están disponibles y el principio de operación es el
mismo que el tipo de canal N descrito aquí, pero las polaridades de los voltajes
están por supuesto invertidas y los portadores de carga son agujeros.

Fig.1.2 Construcción Planar Del JFET.

Fig.1.3 JFET Símbolos de circuito

Cómo funciona un JFET.

El JFET es un transistor de voltaje operado.
Fig.2.1 Operación JFET Abajo "Pinch Off".

En el dispositivo de canal N, el canal N está intercalado entre dos regiones de tipo

P (la compuerta y el sustrato) que están conectadas entre sí eléctricamente para
formar la compuerta. El canal de tipo N se conecta a los terminales de fuente y de
drenaje a través de regiones de tipo N más dopadas. El drenaje se conecta a una
fuente positiva, y la fuente a cero voltios. El silicio tipo N + tiene una resistividad
menor que el tipo N. Esto le da una menor resistencia, aumentando la conducción
y reduciendo el efecto de colocar el silicio tipo N estándar junto al conector de
aluminio, que debido a que el aluminio es un material trivalente, que tiene tres
electrones de valencia mientras que el silicio tiene cuatro, tendería a crear un Unión,
similar en efecto a una unión PN en este punto.
La compuerta de tipo P está a 0 V y por lo tanto está polarizada negativamente en
comparación con el canal, que tiene un gradiente de potencial en él, ya que un
extremo está conectado a 0 voltios (la fuente) y el otro extremo a un voltaje positivo
(el drenaje) . Cualquier punto en el canal (aparte del extremo extremo cerca del
terminal de la fuente) debe por lo tanto ser más positivo que la puerta. Por lo tanto,
las dos uniones PN formadas entre el canal de tipo N y las áreas de tipo P de la
compuerta y el sustrato están ambas polarizadas inversamente, y por lo tanto tienen
una capa de agotamiento que se extiende dentro del canal como se muestra en la
Fig. 2.1.
La forma de la capa de agotamiento no es simétrica, como puede verse en la Fig.
2.1. Generalmente es más grueso hacia el extremo de drenaje del canal, debido a
que el voltaje en el drenaje es más positivo que el de la fuente debido al gradiente
de voltaje que existe a lo largo del canal. Esto provoca un mayor potencial a través
de las uniones más cerca del drenaje, y por lo tanto un engrosamiento de la capa
de agotamiento. El efecto se hace más marcado cuando la tensión entre el drenaje
y la fuente es mayor que aproximadamente 1 voltio o menos.
Fig. 2.2 Operación JFET por encima de "Pinch Off"

Cuando se aplica una tensión entre el drenaje y la fuente (VDS), la corriente fluye y
el canal de silicio actúa como una resistencia convencional. Ahora bien, si VDS se
incrementa (con VGS mantenido a cero voltios) hacia lo que se denomina el valor
de pellizco de desconexión VP, la identificación de corriente de drenaje también al
principio, aumenta. El transistor está trabajando en la "región óhmica" como se
muestra en la Fig. 2.1.
Sin embargo, a medida que aumenta el voltaje de fuente de drenaje VDS, las capas
de agotamiento en las uniones de compuerta se están volviendo también más
gruesas y estrechando el canal de tipo N disponible para la conducción. Llega un
punto conocido como "pinch off" donde el canal conductor se ha estrechado lo
suficiente como para anular el efecto de la corriente que aumenta con el voltaje
aplicado VDS como se muestra en la figura 2.2. Por encima de este punto hay poco
más aumento en la corriente de drenaje y se dice que el transitor funciona en "modo
de saturación". Con el JFET polarizado de esta manera, se puede usar un pequeño
cambio en VGS para controlar la corriente a través del canal de fuente-drenaje
desde su valor máximo (saturado) a cero corriente.
Este tipo de operación se muestra en la parte superior plana a las características de
salida mostradas en la figura 2.3. Observe que cada curva se dibuja para un valor
particular de tensión negativa entre puerta y fuente, y que cuando se aplica una
polarización inversa suficiente a la puerta (por ejemplo, más de -2,5 V, el valor más
bajo en el gráfico) la corriente de drenaje cesa completamente.
Fig.2.3 Característica de salida JFET

En las características de salida JFET mostradas en la Fig. 2.3, la ID de corriente de

drenaje muestra muy poco cambio y las curvas son casi horizontales a voltajes
mayores que la tensión de desconexión. Casi todo el incremento esperado en la
corriente, debido al aumento en voltaje entre Fuente y Drenaje (VDS), es
compensado por el estrechamiento del canal conductor debido a las capas de
agotamiento crecientes.
Fig.2.4 Característica de transferencia JFET

En la figura 2.4 se muestra la característica de transferencia para un JFET, que

muestra el cambio en la corriente de drenaje (ID) para un cambio dado en el voltaje
Gate-Source (VGS). Debido a que la entrada JFET (la puerta) es operada por
voltaje, la ganancia del transistor no se puede llamar ganancia de corriente, como
con los transistores bipolares. La corriente de drenaje es controlada por el voltaje
Gate-Source, por lo que el gráfico muestra miliamperios por volt (mA / V), y como I
/ V es CONDUCTANCE (inversa de la resistencia V / I) la pendiente de este gráfico
El dispositivo) se denomina TRANSCONDUCTANCE FORWARD o MUTUAL, que
tiene el símbolo gm. Por lo tanto, cuanto mayor sea el valor de gm mayor será la
amplificación.

Observe que VGS siempre se muestra como negativo; En realidad puede ser cero
o ligeramente por encima de cero, pero la puerta es siempre más negativa que el
canal de tipo N entre la fuente y el drenaje. Obsérvese también que la pendiente de
la curva en la característica de transferencia es menos pronunciada que la de la
característica de transferencia para un transistor bipolar típico (compare Fig. 2.4 y
Fig. 6.1 en la página Transistores bipolares> Ganancia actual). Esto significa que
un JFET tendrá una ganancia menor que la de un transistor bipolar.
Esta desventaja está compensada por la ventaja de tener una resistencia de entrada
extremadamente alta. Una resistencia de entrada típica para un JFET sería en la
región de 1 x 1010 ohmios (10.000 Megohms!) En comparación con 2K a 3K Ohmios
para un dispositivo bipolar.
Esto hace que el JFET sea ideal para aplicaciones en las que el circuito o dispositivo
que conduce el amplificador JFET no pueda suministrar ninguna corriente
apreciable, como el micrófono Electret, que utiliza un FET dentro del micrófono para
amplificar las diminutas variaciones de voltaje que aparecen a través del elemento
vibratorio del diafragma.
Otra característica del JFET que lo hace más adecuado para el uso de muy alta
frecuencia que los transistores bipolares, es la ausencia de uniones en el canal
conductor JFET. En un transistor bipolar dos conexiones PN que forman pequeñas
capacitancias, existen entre base y emisor, y base y colector, debido a las uniones
PN. Estas capacidades limitarán el rendimiento de alta frecuencia, ya que
proporcionan rutas de retroalimentación negativas a altas frecuencias. Debido a que
el JFET es en efecto sólo una losa de silicio entre la fuente y el drenaje, las
capacitancias parásitas que existen en los dispositivos bipolares están ausentes,
por lo que el rendimiento de alta frecuencia se mejora, haciendo JFETs utilizable
incluso a cientos de MHz.
MOSFET del modo del realce
El FET de puerta aislada (IGFET).
El FET de silicio de óxido metálico (MOSFET) o el transistor de silicio de óxido
metálico (M.O.S.T.) tiene una resistencia de entrada aún más alta (típicamente de
1012 a 1015 ohmios) que la del JFET. En el dispositivo MOSFET la compuerta está
completamente aislada del resto del transistor por una capa muy delgada de óxido
metálico (dióxido de silicio SiO2). Por lo tanto, el nombre general aplicado a
cualquier dispositivo de este tipo, es el IGFET o FET de puerta aislada.
Tecnología Planar.
Existen varias maneras de construir un transistor de compuerta aislado. Sin
embargo, todos los métodos utilizados hacen uso de una tecnología planar en la
que las diversas partes del dispositivo se colocan como planos o capas sobre la
superficie superior de un "SUBSTRATO" de una manera similar a la mostrada en la
página Planar Transistors en el BJT sección.
Las capas se disponen una por una, difundiendo varios materiales semiconductores
con niveles de dopado adecuados, así como capas de aislamiento en la superficie
del dispositivo, bajo condiciones cuidadosamente controladas a altas temperaturas.
Partes de una capa pueden ser eliminadas por ataque químico, usando máscaras
fotográficas para hacer el patrón requerido de los electrodos, etc. antes de añadir la
siguiente capa. Las capas aislantes se fabrican colocando capas muy finas de
dióxido de silicio y se crean conductores por evaporación de un metal, tal como
aluminio sobre la superficie. Los transistores producidos de esta manera tienen una
calidad mucho mayor que la que es posible utilizando otros métodos, y muchos
transistores se pueden producir de una sola vez en una sola rebanada de silicio,
antes de cortar la rebanada de silicio en transistores individuales o circuitos
integrados.
Fig. 4.1 Construcción de un modo de realce de canal N MOSFET

La construcción básica de un MOSFET se muestra en la Fig. 4.1. Se utiliza un

cuerpo o sustrato de silicio de tipo P, después se difunden dos regiones de tipo N
fuertemente dopadas en la superficie superior, para formar un par de tiras
estrechamente separadas.
Una capa de dióxido de silicio muy delgada (aproximadamente 10-4 mm) se evapora
entonces sobre la superficie superior formando una capa aislante. Las partes de
esta capa se filtran entonces por encima de las regiones de tipo N usando una
máscara fotográfica para dejar estas regiones descubiertas. Sobre la capa aislante,
entre las dos regiones de tipo N, se deposita una capa de aluminio. Esto actúa como
el electrodo GATE. También se depositan contactos metálicos sobre las regiones
de tipo N, que actúan como conectores SOURCE y DRAIN
Fig 4.2 Operación del modo de realce.
La compuerta tiene un voltaje aplicado que la hace positiva con respecto a la fuente.
Esto hace que los agujeros en la capa del tipo P cerca de la capa de dióxido de
silicio debajo de la compuerta sean repelidos hacia abajo en el sustrato de tipo P y
al mismo tiempo este potencial positivo en la compuerta atrae electrones libres del
material del substrato circundante. Estos electrones libres forman una capa delgada
de soportes de carga debajo del electrodo de compuerta (no pueden alcanzar la
compuerta debido a la capa de dióxido de silicio aislante) que puentea la separación
entre las áreas de fuente y drenaje fuertemente dopadas. Esta capa se denomina a
veces "capa de inversión" porque la aplicación del voltaje de la compuerta ha hecho
que el material del tipo P inmediatamente debajo de la compuerta se convierta en
"intrínseco" (con casi ningún soporte de carga) y luego en una capa de tipo N dentro
del sustrato de tipo P.
Cualquier aumento adicional en la tensión de puerta atrae más portadores de carga
a la capa de inversión, reduciendo así su resistencia y aumentando el flujo de
corriente entre la fuente y el drenaje. Reducir el voltaje de la fuente de puerta reduce
el flujo de corriente. Cuando la alimentación está desconectada, el área debajo de
la puerta vuelve al tipo P una vez más.
Además del tipo descrito anteriormente, también están disponibles dispositivos que
tienen sustratos de tipo N y canales de tipo P (capa de inversión). El funcionamiento
es idéntico, pero por supuesto la polaridad de la tensión de puerta es invertida.
Este método de operación se denomina "MODO DE MEJORA" ya que la aplicación
del voltaje de la fuente de la puerta hace que un canal conductor "crezca", por lo
tanto mejora el canal. Existen otros dispositivos en los que la aplicación de una
tensión de polarización reduce o "agota" el canal conductor. Estos se describen en
la página MOSFET del modo de agotamiento.
Fig.4.3 Símbolos de circuito para MOSFET de modo de realce (IGFET)
Tomando precauciones.
En funcionamiento, aunque la compuerta tiene una tensión aplicada a ella, ninguna
corriente de puerta fluye debido a la capa de dióxido de silicio debajo de la terminal
de compuerta. Sin embargo, existe un problema bien conocido sobre esta capa.
Aunque el dióxido de silicio es un excelente aislante, la capa utilizada en un
MOSFET es extremadamente delgada, y por lo tanto puede ser dañada
permanentemente si se aplica un voltaje alto a través de él. Se romperá como
cualquier otro aislador. Debido a que es muy delgada, no necesita voltajes muy altos
para causar una avería total, y como la puerta tiene una resistencia tan alta,
cualquier voltaje presente no será reducido por el flujo de corriente.
Por lo tanto, las tensiones debidas a la electricidad estática, que están presentes
todo el tiempo en casi cualquier entorno, y pueden llegar a varios miles de voltios si
no se extrae corriente para descargarlos, representan una amenaza para la capa
aislante. Por esta razón es prudente transportar FETs en envases especiales
conductores de manera que no se pueda generar tensión entre cualquiera de los
terminales del dispositivo. Una vez que el transistor está conectado en un circuito,
los componentes del circuito deben proporcionar suficiente protección formando
trayectorias conductoras alrededor del dispositivo, evitando así la acumulación de
altas tensiones estáticas. En la mayoría de los dispositivos modernos, los diodos de
protección especiales se incorporan en el dispositivo para brindar cierta protección
contra daños estáticos. Sin embargo, esta protección es limitada y se deben estudiar
las instrucciones de manejo del fabricante antes de manejar cualquier dispositivo
MOS.
MOSFET del modo de agotamiento
Fig. 5.1 Modo de agotamiento N Canal MOSFET
El MOSFET del modo de agotamiento mostrado como un dispositivo de canal N
(canal P está también disponible) en la figura 5.1 se hace más habitualmente como
un componente discreto, es decir, un solo transistor en lugar de la forma de IC. En
este dispositivo se deposita una fina capa de silicio de tipo N justo por debajo de la
capa de aislamiento de puerta, y forma un canal conductor entre la fuente y el
drenaje.
Por lo tanto, cuando el voltaje de la fuente de puerta VGS es cero, la corriente (en
forma de electrones libres) puede fluir entre la fuente y el drenaje. Obsérvese que
la compuerta está totalmente aislada del canal por la capa de dióxido de silicio.
Ahora que un canal conductor está presente, la compuerta no necesita cubrir toda
la anchura entre la fuente y el drenaje. Debido a que la puerta está totalmente
aislada del resto del transistor, este dispositivo, al igual que otros IGFET, tiene una
resistencia de entrada muy alta.
Fig.5.2 Funcionamiento de un MOSFET de modo de agotamiento

En el dispositivo de canal N, mostrado en la Fig. 5.2 la puerta se hace negativa con

respecto a la fuente, lo cual tiene el efecto de crear un área de agotamiento, libre
de portadores de carga, por debajo de la compuerta. Esto restringe la profundidad
del canal conductor, aumentando así la resistencia del canal y reduciendo el flujo
de corriente a través del dispositivo.
También se dispone de MOSFETS de modo de agotamiento en los que la
compuerta se extiende a todo el ancho del canal (desde la fuente hasta el drenaje).
En este caso también es posible operar el transistor en modo de realce. Esto se
hace haciendo la puerta positiva en lugar de negativa. El voltaje positivo en la puerta
atrae más electrones libres en el canal de conducción, mientras que al mismo
tiempo rechaza los agujeros hacia abajo en el sustrato de tipo P. Cuanto más
positivo sea el potencial de la puerta, más profunda y más baja es la resistencia del
canal. Aumentar el sesgo positivo aumenta el flujo de corriente. Esta versión de
agotamiento / mejora útil tiene la desventaja de que, a medida que aumenta el área
de puerta, la capacitancia de puerta es también mayor que los tipos de agotamiento
verdadero. Esto puede presentar dificultades en frecuencias más altas.
Fig.5.3 Símbolos de circuito para MOSFET en modo de agotamiento (IGFET)

Observe la barra sólida entre la fuente y el drenaje, indicando la presencia de un

canal conductor.
Nota: Hacer la puerta más negativa reduce la conducción entre la fuente y el drenaje
En los dispositivos de canal N, pero aumenta la conducción entre la fuente y el
drenaje En los dispositivos de canal P.
Aplicaciones de FETs
Aunque los FET tienen una ganancia más baja que los transistores bipolares, su
impedancia de entrada muy alta los hace adecuados para aplicaciones en las que
las señales de entrada pueden ser severamente reducidas si se aplican a una base
de transistor bipolar que necesita una corriente de base para funcionar. La
tecnología planar utilizada para fabricar FET es la misma que se utiliza para fabricar
circuitos integrados, por lo que la mayoría de los transistores encontrados en I / Cs
son de este tipo. Una característica útil de los FET es que tienden a producir menos
ruido de fondo que los tipos bipolares y por lo tanto son útiles en las etapas iniciales
de sistemas tales como amplificadores; Radios, etc., donde los niveles de señal son
muy pequeños y podrían ser inundados por ruido de fondo excesivo.
FET de alta potencia
Los FET utilizados en las etapas de alta potencia de salida se conocen a menudo
como VMOS, DMOS o TMOS. Estos transistores son básicamente los mismos que
otros IGFET pero tienen construcciones especializadas que les permiten pasar
corrientes tan grandes como 10A. También son capaces de encender y apagar muy
rápidamente (en segundos nano). Esto les permite ser utilizados en circuitos tales
como fuentes de alimentación de modo conmutado, donde es muy importante la
conmutación muy rápida.

Dispositivos opto-acoplados
Módulo 5.0
Dispositivos opto acoplados

Opto-Dispositivos y fototransistores
Opto acopladores u opto-aisladores que consisten en una combinación de un LED
infrarrojo (también IRED o ILED) y un dispositivo sensible a infrarrojos como un
fotodiodo o un fototransistor son ampliamente utilizados para pasar información
entre dos partes de un circuito que operan a niveles de tensión muy diferentes . Su
objetivo principal es proporcionar aislamiento eléctrico entre dos partes de un
circuito, aumentando la seguridad para los usuarios reduciendo el riesgo de
descargas eléctricas y evitando daños en el equipo por posibles cortocircuitos entre
la salida de alta energía y los circuitos de entrada de baja energía.

También se utilizan en una serie de aplicaciones de sensores para detectar la

presencia de objetos físicos.

Opto acopladores de transistor

Fig. 5.0.1 Opto acopladores de transistor & Opto Sensores

Los dispositivos mostrados en la Fig. 5.0.1 utilizar fototransistores como sus
elementos sensores, ya que son muchas veces más sensibles que los fotodiodos y
por lo tanto pueden producir valores más altos de corriente en sus salidas.
Ejemplo 1 en la Fig. 5.0.1 ilustra la forma más simple de acoplamiento opto que
consiste en un LED infrarrojo (con una caja de plástico transparente) y un
fototransistor infrarrojo con una caja de plástico negro que protege al fototransistor
de la luz en el espectro visible mientras permite que pase la luz infrarroja. Observe
que el fototransistor tiene solamente dos conexiones, colector y emisor, la entrada
a la base que es luz infrarroja.
Los ejemplos 2 y 3 de la figura 5.0.1 son dispositivos optoacoplados típicos
ampliamente utilizados como sensores de posición y proximidad, que se utilizan
como conmutadores ópticamente activados y se describen con más detalle en el
Módulo 5.4.

Fig.5.0.2 El Optoacoplador 4N25

Ejemplo 4 en la Fig. 5.0.2 es un optoacoplador 4N25 en un circuito integrado DIL de
6 pines de Vishay. Utiliza un fototransistor de salida con una conexión de base que
también está conectada a un pin externo para aplicar un circuito externo si es
necesario. Esto permite que el optoacoplador tenga una polarización de CC aplicada
para evitar que el transistor produzca corriente a niveles de luz muy bajos. La
polarización del fototransistor también puede permitir su uso con señales como el
audio analógico, como se describe en el Módulo 5.3. En este caso, la conexión del
emisor puede dejarse sin conexión y la conexión de base utilizada como salida,
entonces la unión de colector / base de fototransistor de salida funciona como un
fotodiodo, aumentando en gran medida la gama de frecuencias del optoacoplador,
pero a costa de reducir considerablemente la disponibilidad Amplitud de señal en la
salida. El 4N25 también puede funcionar como un optoacoplador digital con
entradas lógica 1 y lógica 0. El aislamiento entre entrada y salida en el 4N25 es un
mínimo de 5,3 kV.
Ejemplo 5 en la Fig. 5.0.1 es un chip opto aislador de un solo canal PC817 de Sharp,
que utiliza un LED infrarrojo integral y un fototransistor para producir una salida de
hasta 50mA y proporciona aislamiento eléctrico hasta 5kV. También está disponible
en versiones de 2, 3 y 4 canales.

Fototransistores
Fig.5.0.3 Estructura básica del fototransistor
La Fig.5.0.3 muestra la estructura básica de un fototransistor. Su funcionamiento es
similar a los fotodiodos descritos en el módulo de diodos 2.7. Sin embargo debido a
la conversión de la luz a la corriente tiene lugar en un transistor, la pequeña corriente
producida por un nivel particular de entrada de fotones a la base puede ser
amplificada para producir un colector de corriente de 200 veces mayor o más,
dependiendo de la HFE del transistor, Haciendo que el fototransistor sea mucho
más eficiente que un fotodiodo. Sin embargo, debido a la gran área de unión (y por
lo tanto mucho mayor capacidad de la unión) de un fototransistor, su respuesta a
altas frecuencias es pobre, y el tiempo de conmutación es mucho más lenta, en
comparación con un fotodiodo. Además, la relación entre los cambios en la entrada
de luz y los cambios en la tensión de salida no es tan lineal como en los fotodiodos.
Por consiguiente, los fototransistores, aunque menos útil que fotodiodos para la
transmisión de datos de alta frecuencia, son ampliamente utilizados en aplicaciones
de control tales como los opto-acopladores / aisladores, y sensores de posición.

Funcionamiento del fototransistor

En un fototransistor, la luz, en forma de fotones, se recoge en la capa de base, que
ocupa la mayor parte de la ventana visible en la superficie superior del dispositivo,
como se ilustra en la Fig. 5.0.3. Por lo tanto, el área del emisor se reduce en tamaño
para maximizar la absorción de luz en la base.
La conversión entre los fotones y la corriente tiene lugar en gran medida en la región
de agotamiento alrededor de la unión PN base / colector donde los fotones
absorbidos a través de la capa antirreflectora en la capa base desalojan electrones
para crear pares de electrones / agujeros de manera similar a los fotodiodos, Pero
ahora los electrones libres creados por este proceso son la fuente de la corriente de
base en el transistor, y ahora se amplifican por una cantidad igual al hfe del
transistor.
El colector de tipo N inmediatamente debajo de la capa de agotamiento tiene una
resistencia mayor que la capa de N + junto al terminal de colector. Debido a esta
mayor resistencia cerca de la unión PN, hay un gran gradiente de voltaje en el
colector cerca de la unión base / colector. Esto proporciona un voltaje positivo más
alto cerca de la capa de agotamiento para atraer y acelerar los electrones cargados
negativamente en la capa de agotamiento hacia el terminal del colector.
Sin embargo, en comparación con fotodiodos, los fototransistores tienen algunos
inconvenientes; Su respuesta a niveles variables de luz no es tan lineal, haciendo
que los fototransistores sean menos adecuados que los fotodiodos para una
medición precisa de la luz.
Aunque los fototransistores pueden usarse para detectar fuentes de luz a través del
espectro de luz visible, son más sensibles a longitudes de onda en el rango cercano
al infrarrojo de 800 a 900 nm, y son más utilizados con fuentes emisoras de
infrarrojos tales como LEDs emisores de infrarrojos ILED) como su fuente de luz.
Los fototransistores generalmente no son tan rápidos como los fotodiodos al
reaccionar ante cambios abruptos en los niveles de luz. Por ejemplo, el tiempo
necesario para que la salida del fototransistor cambie entre 10% y 90% en respuesta
a un cambio repentino en el nivel de luz en la entrada puede estar entre 30 y 250
μs mientras que los fotodiodos de alta velocidad pueden tener tiempos de subida y
bajada tan bajos como 20ps (Pico segundos) o menos. Los fabricantes normalmente
citan estas cifras para el tiempo de subida (tr) y el tiempo de caída (tf) bajo
condiciones particulares de temperatura y corriente de colector.
La razón principal de la respuesta mucho más lenta en fototransistores es debido al
área mucho más grande de la unión base / colector, y el hecho de que la
capacitancia que existe a través de esta unión se magnifica adicionalmente por el
"Efecto Miller", lo que hace que la capacidad de unión Para ser magnificado por la
ganancia de corriente (hfe) del transistor. En la práctica, esto significa que cuanto
más sensible sea el transistor (es decir, cuanto mayor sea el área de base) y / o
mayor será la ganancia de corriente del transistor, más largos serán los tiempos de
subida y de caída. Por estas razones, los fototransistores se utilizan principalmente
para conmutar CC o aplicaciones de CA de baja frecuencia.

Conexiones Fototransistor
Fig.5.0.4 Conexiones de fototransistor
Los fototransistores están disponibles en varias formas tales como NPN (Fig. 5.0.4a)
o PNP (Fig. 5.0.4b). Muchos fototransistores sólo tienen conexiones para el emisor
y el colector, ya que la entrada de la base es proporcionada por la luz; Sin embargo,
se proporciona una conexión de base en algunos tipos (Fig. 5.0.4c).
Los fototransistores de Darlington (figura 5.0.4d) también están disponibles; Usando
una configuración de transistor de par Darlington da una ganancia de corriente aún
mayor.
A niveles de luz bajos o incluso no, los fototransistores pueden producir una
pequeña cantidad de corriente debido a colisiones aleatorias en la capa de
agotamiento. Aplicando el sesgo de base como se muestra en la Fig. 5.0.4e puede
tener el efecto de prevenir esta 'Corriente Oscura', reduciendo así el efecto del ruido
aleatorio y dando un nivel mejorado de encendido / apagado a la corriente de salida.
Los optoacopladores tienen muchos usos y están disponibles en muchos tipos
variados, algunos ejemplos se ilustran en la Fig. 5.0.5. Utilice los números de tipo
para buscar hojas de datos y utilícelas para identificar el propósito de cada diseño.
Fig.5.0.5 Ejemplos de Optoacoplador

Módulo 5.1
Operación del Optoacoplador

Optoacopladores / Optosoladores

Los optoacopladores u opto-aisladores se utilizan para pasar señales entre dos

circuitos aislados utilizando diferentes métodos, dependiendo principalmente de los
tipos de señales que se enlazan. Un sistema informático y sus dispositivos
periféricos pueden necesitar una señal digital, tal como señal de modulación de
anchura de impulso que acciona un motor. En este caso, el optoacoplador se
utilizará en modo de saturación.
Una fuente de alimentación de modo conmutado puede necesitar una tensión de
muestra CC de valor variable que se devuelva desde la salida a un sistema de
control de voltaje en el circuito de entrada de la fuente de alimentación mientras se
mantiene un aislamiento eléctrico completo entre los circuitos de entrada y salida.
En este caso se utilizará el modo lineal, ya que el circuito de control necesitará
detectar pequeños cambios en la tensión de CC.
Para conectar circuitos tales como amplificadores de audio donde las tensiones de
la señal están cambiando rápidamente, pero la saturación y la distorsión necesitan
ser evitadas, los optoacopladores pueden transferir señales usando el modo
analógico para que el audio pueda transmitirse con seguridad, por ejemplo desde
un dispositivo de entrada de audio a un amplificador de alta potencia.
Modo de saturación
En el modo de saturación, el transistor de salida del optoacoplador está
completamente encendido (condiciones de saturación) o completamente apagado
(no conductor). Los optoacopladores que trabajan en modo de saturación son
ampliamente utilizados para proteger los pines de salida de microcontroladores, por
ejemplo, donde pueden usarse para impulsar dispositivos de salida tales como
motores que pueden necesitar más corriente y / o voltajes más altos que los que
pueden suministrarse directamente desde el microcontrolador Puerto.
El microcontrolador está entonces efectivamente conduciendo solamente un LED
de infrarrojos, ya sea con señales tales como modulación de ancho de pulso, datos
de motor paso a paso o señales de encendido y apagadas simples. El aislamiento
proporcionado por el optoacoplador significa que el microcontrolador está también
protegido de cualquier voltaje elevado producido externamente, tal como la emf
posterior que puede producirse cuando se desconecta una carga inductiva tal como
un motor. Los optoacopladores también encuentran usos en los módems que
proporcionan aislamiento entre los ordenadores y las líneas telefónicas externas.
Fig.5.1.1 Modo de saturación
Modo lineal
Los optoacopladores pueden utilizarse para la realimentación de la tensión en
circuitos tales como fuentes de alimentación de modo conmutado, donde el LED se
ilumina mediante una muestra de la tensión de salida de modo que cualquier
variación de voltaje provoca una variación en la iluminación del LED optoacoplador
y por lo tanto una variación en la conducción Del transistor de salida del
optoacoplador, que puede utilizarse para indicar un error en el circuito de control de
la fuente de alimentación, permitiéndole compensar la variación de la salida. Un
ejemplo práctico de esta realimentación y el aislamiento eléctrico que proporciona
mediante el uso de un optoacoplador en modo lineal se puede ver en nuestro
módulo de fuentes de alimentación 3.4 donde IC3 (a 4N25) proporciona una muestra
de la tensión de salida que se devuelve a un controlador de amplificador de error El
circuito del regulador de voltaje dentro de IC1, proporcionando un control automático
de voltaje, mientras que proporciona un aislamiento eléctrico completo entre el
circuito de salida de 5 V CC y el circuito de entrada de mayor tensión.

Fig.5.1.2 Modo lineal

Modo analógico
Fig.5.1.3 Entrada de audio en modo analógico
Al igual que en el modo lineal, los fototransistores utilizados en modo analógico no
se pueden saturar, pero un voltaje de polarización continua constante de
aproximadamente la mitad de la tensión de alimentación es modulado por un audio,
como se muestra en la Fig. 5.1.3, o alguna otra señal de variación rápida. Esto
produce una corriente variable en el LED, que a su vez produce una corriente
variable en el componente de salida del optoacoplador. Esto puede ser un
fototransistor o muy a menudo un fotodiodo. Los fototransistores utilizados en los
optoacopladores para fines de audio también pueden hacer uso de una conexión de
base disponible en algunos optoacopladores para aplicar una polarización
adecuada al fototransistor para permitir que se obtenga una salida de señal de audio
no distorsionada. Los optoacopladores de audio especializados duch como el IL300
mostrado en la Fig. 5.1.4 puede utilizar uno o más fotodiodos para proporcionar una
respuesta más lineal que aquellos que utilizan sólo fototransistores.

Fig.5.1.4 El audio IL300 Optoacoplador

Optoacopladores Fototransistor vs. Fotodiodo
Los optoacopladores que utilizan salidas de fototransistor pueden transmitir señales
de audio analógicas hasta una frecuencia de unas pocas decenas de kHz. Variando
el haz de luz infrarroja desde el LED a estas frecuencias, entonces hace que la
cantidad de corriente generada en la base de un fototransistor de salida varíe, con
la salida del transistor siguiendo y amplificando las variaciones en la entrada.
Sin embargo, los optoacopladores que utilizan fototransistores no tienen una buena
relación lineal entre los cambios en la entrada de luz y la corriente de salida como
tipos de fotodiodos, como se ilustra en la Fig. 5.1.5 Por lo tanto, puede producirse
alguna distorsión de la señal. Los dispositivos de salida de fotodiodos se prefieren
para su uso en la mayoría de las aplicaciones de audio (y algunas digitales), aunque
sus amplitudes de señal de salida son mucho menores de lo que es posible con la
amplificación proporcionada por un fototransistor; La razón de esto es la distorsión
del fototransistor y el funcionamiento pobre en las frecuencias altas.
Esto se debe a que el fototransistor tiene un área de base muy ampliada, que al
aumentar la sensibilidad a la luz, también aumenta considerablemente la
capacitancia de la unión base / emisor. Esta capacidad aumentada también se hace
mucho peor debido al "Efecto Miller", que hace que la capacitancia base / emisor de
un transistor se multiplique por la ganancia de corriente (hfe) del transistor. Por lo
tanto, las frecuencias más altas se reducen progresivamente en amplitud, porque la
reactancia de la capacitancia base / emisor se reduce cuando la frecuencia aumenta
mucho por encima del rango de audio.
Las señales digitales también se ven afectadas por este efecto porque las formas
de onda cuadradas de las señales digitales contendrán muchos armónicos de alta
frecuencia que contribuyen a los rápidos tiempos de subida y de caída de la onda
cuadrada, de modo que los bordes ascendentes de la señal se redondean y el
tiempo de conmutación entre 0 y 1 se hace más largo.
Los optoacopladores digitales de alta velocidad, utilizables en frecuencias de los
cientos de kHz y los utilizados para la operación de audio usan generalmente
fotodiodos como su elemento sensor porque, aunque se debe proporcionar alguna
amplificación adicional, externamente o dentro del mismo chip optoacoplador,
Tiempos de subida y bajada para la operación digital y una respuesta más lineal,
produciendo menos distorsión cuando se utiliza con audio analógico.
La función principal de un optoacoplador, sea cual sea el tipo de señal utilizado, es
proporcionar un aislamiento eléctrico completo entre los circuitos de entrada y
salida. Una ventaja importante de los optoacopladores, en comparación con los
transformadores, también utilizados con frecuencia para fines de aislamiento, es
que los optoacopladores pueden utilizarse con señales AC o DC, mientras que los
transformadores sólo pueden funcionar con AC.
Fig.5.1.5 Entrada de audio en modo analógico
Módulo 5.2
Uso de Optoacopladores
Existen muchas aplicaciones diferentes para circuitos optoacopladores, por lo que
hay muchos requisitos de diseño diferentes, pero un diseño básico para un
optoacoplador que proporciona aislamiento, por ejemplo entre dos circuitos,
simplemente implica la elección de valores de resistencia apropiados para las dos
resistencias R1 y R2 mostradas en la Fig. 5.2.1.
En este ejemplo se muestra un optoacoplador PC817 que aísla un circuito que utiliza
la lógica HCT a través de una compuerta inversora Schmitt 7414. El inversor Schmitt
en la salida realiza varias funciones; Garantiza que la salida se ajusta a las
especificaciones de tensión y corriente de HCT, también proporciona tiempos de
subida y de caída muy rápidos para la salida y corrige la inversión de señal causada
por el fototransistor que funciona en modo emisor común. Cada familia lógica (por
ejemplo, tipos LSTTL o CMOS) puede tener diferentes niveles de voltaje lógico y
diferentes requerimientos de corriente de entrada y salida, y los optoacopladores
pueden proporcionar una manera conveniente de interconectar dos circuitos con
diferentes niveles lógicos. Lo que se necesita es asegurarse de que R1 crea un nivel
de corriente apropiado desde el circuito de entrada para conducir correctamente el
lado LED del optoacoplador y que R2 crea los niveles de tensión y corriente
apropiados para alimentar el circuito de salida a través del inversor.
Diseño de Interfaces de Optoacopladores
El objetivo principal de una interfaz optoacoplador es aislar completamente el
circuito de entrada del circuito de salida, lo que normalmente significa que habrá
dos fuentes de alimentación completamente separadas, una para el circuito de
entrada y otra para la salida. En este ejemplo simple, los suministros de entrada y
salida probablemente serán los mismos en capacidades de voltaje y corriente, por
lo que la interfaz sólo proporciona aislamiento sin ningún cambio importante en los
niveles de voltaje o corriente.
Al elegir los valores apropiados para R1, el valor de la resistencia limitadora de
corriente se ajusta para producir la corriente directa directa (IF) a través del LED de
infrarrojos en el optoacoplador. R2 es la resistencia de carga para el fototransistor
y los valores de ambas resistencias dependen de un número de factores.
Relación de transferencia de corriente
La corriente en cada mitad del circuito está unida por la relación de transferencia de
corriente o CTR, que es simplemente la relación entre la corriente de salida y la
corriente de entrada (IC / IF), expresada generalmente como un porcentaje. Cada
tipo de optoacoplador tendrá una gama de valores CTR establecidos en la hoja de
datos del fabricante. El valor de CTR también depende de varios factores, en primer
lugar es el tipo de optoacoplador, los tipos simples pueden tener un valor CTR entre
20% y 100%, mientras que los tipos especiales, como los que utilizan una
configuración de transistor Darlington para Su fototransistor de salida, puede tener
valores de CTR de varios cientos por ciento. También el CTR de cualquier
dispositivo particular puede variar considerablemente del valor típico de ese
dispositivo en cualquier cosa hasta +/- 30%. Los fabricantes normalmente citarán
una gama de valores CTR para diferentes voltajes de colector de fototransistor de
salida (VC) y diferentes temperaturas ambiente (TA). El CTR también variará con la
edad del optoacoplador, ya que la eficiencia de los LED disminuye con la edad (más
de 1000s de funcionamiento Horas). Debido a que se puede esperar que la CTR de
un optoacoplador se reduzca con el tiempo, es una práctica común elegir un valor
para IF algo más bajo que el máximo, de manera que el rendimiento deseado se
pueda lograr aún durante la vida prevista del circuito.
Aunque este ejemplo describe el diseño de una interfaz sencilla que enlaza dos
circuitos lógicos HCT, la diferencia entre los resultados obtenidos aquí y los
necesarios para cualquier otro optoacoplador es que se pueden hacer cálculos
similares usando datos apropiados para otros voltajes y corrientes y otros
optoacopladores.
Fig.5.2.1 Interfaz Optoacoplador Simple para HCT
Cálculo de los valores del resistor del optoacoplador
El inicio del proceso de diseño es para especificar las condiciones de entrada y
salida que el optoacoplador debe vincular. Los optoacopladores típicos pueden
manejar corrientes de entrada y salida de unos pocos microamperios a decenas de
miliamperios. Hay muchos optoacopladores en el mercado y para encontrar el más
apropiado para un propósito en particular, catálogos de proveedores y hojas de
datos de los fabricantes deben ser estudiados.
Sin embargo, en este caso, un popular optoacoplador PC817 de Sharp utilizará
voltajes y corrientes disponibles de la lógica HCT. Suponiendo que una única salida
de HCT sólo está alimentando este optoacoplador, se puede presumir una tensión
lógica 1 de aproximadamente 4.9V.
La corriente de salida disponible desde una puerta HCT para accionar la entrada
del optoacoplador está limitada a 4 mA, lo que es bastante bajo para accionar un
optoacoplador. El PC817 debe entonces ser capaz de producir la salida necesaria
de esta baja corriente de entrada.
El gráfico de la Fig. 5.2.2 muestra que el CTR para un PC817 con una corriente de
entrada (entrada) FI de 4mA estará alrededor de aproximadamente 80 a 150%, lo
que permite ± 30% para todas las variables mencionadas anteriormente.
Idealmente, el optoacoplador debería en este caso actuar como si fuera invisible,
es decir, la puerta HCT conectada a la salida del optoacoplador debería ver una
corriente disponible de hasta 4mA, como si estuviera conectada a la salida de otra
puerta HCT. Por lo tanto, la corriente de salida del PC817 también debe ser
idealmente de unos 4 mA, con la corriente directa (IF) impulsando el LED de entrada
a 4 mA (suponiendo un 100% CTR).
Después de haber encontrado una cifra aproximada para el CTR, lo que sugiere
que las condiciones de entrada y salida deben ser similares, a 4mA, la siguiente
tarea es calcular los valores de R1 y R2.

Fig.5.2.2 CTR frente a la corriente directa de un PC817

Utilizando los datos de la Tabla 5.2.1 y suponiendo una entrada mínima de 4.9V a
5V en la salida de la puerta HCT, es posible calcular un valor de resistencia
adecuado para R1 en la Fig. 5.2.3.
Fig.5.2.3 Optoacoplador HCT a HCT
El voltaje delantero a través del LED infrarrojo con una corriente delantera de
solamente 4mA debe ser cerca de 1.2V
5V - 1.2V = 3.8V para ser desarrollado a través de R1
Por lo tanto R1 = 3.8V ÷ 4mA = 950Ω
Utilizando el siguiente valor de resistencia preferido R1 = 1KΩ
La gráfica de CTR vs. IF en la Fig. 5.2.2 muestra que idealmente el CTR para el
PC817 será aproximadamente 115% con una corriente directa de 4mA, lo que
sugiere que la corriente de salida opto debe ser de aproximadamente 4mA x 115%
= 4.6mA
Para saturar el fototransistor y producir un 0 lógico (menos que 0.2V) en la salida,
R2 debe desarrollar una tensión de 4.9 a 5V al pasar una corriente de 4.6mA
(asumiendo 115% CTR valor).
R2 debe ser por lo menos 5V ÷ 4.6mA = 1087Ω o R2 = 1.2kΩ (valor preferido
siguiente).
Si se utiliza un valor superior a 1,2 KΩ, el aumento de este valor en unos pocos kΩ
podría asegurar que la salida tenga el voltaje máximo de voltaje, sin embargo el
aumento de este valor reduce la velocidad con la cual el optoacoplador puede
responder a cambios rápidos de voltaje debido a la Combinación de una carga de
alta resistencia y una capacitancia de alta unión del fototransistor, que da como
resultado un redondeo de la forma de onda de salida, como puede verse
comparando las formas de onda de la Fig. 5.2.4 a & b.
Ambas formas de onda mostradas se tomaron con la misma entrada, una onda
cuadrada con una frecuencia de 2kHz, pero con dos valores diferentes para R2,
1,2kΩ en la Fig. 5.2.4a y 10kΩ en la Fig. 5.2.4b.
El efecto de redondeo sobre el tiempo de subida de los impulsos puede verse
claramente en la Fig. 5.2.4b. También a frecuencias más altas la amplitud de la
señal de salida se reduce notablemente. Por lo tanto, para un mejor rendimiento, el
valor de R2 debe mantenerse lo más bajo posible, pero por encima de 1kΩ.

Fig.5.2.4a Salida con R2 = 1,2KΩ

Circuito de accionamiento del motor PC817

Fig. 5.2.6 ilustra un ejemplo típico en el que se requiere conducir un motor de 12 V

CC que requiera 40 mA de corriente desde un circuito lógico (o puerto de ordenador
típico) que sólo puede soportar unos pocos mA de corriente a 5 V o menos.
Como la corriente disponible de los puertos típicos de entrada / salida del ordenador
puede ser sólo unos pocos μA, ya que las líneas de los puertos del ordenador están
diseñadas para impulsar algún tipo de entrada lógica, la entrada a este circuito de
accionamiento del motor es a través de una puerta HCT Schmitt, Requiere una
corriente de entrada de 1μA, siendo el motor 12V 40mA accionado por un transistor
2N3904. El LED optoacoplador infrarrojo se acciona a aproximadamente 4 mA
mediante una resistencia de 1 kΩ desde la salida IC1. Como el CTR del PC817 es
alrededor del 115%, el fototransistor puede suministrar aproximadamente 9 mA ya
que el suministro a la salida del fototransistor se toma ahora del suministro de motor
de 12V. Esto es más que el mínimo de 5mA requerido para conducir el 2N3904 en
saturación. Es importante que el transistor esté completamente saturado con el fin
de reducir al mínimo la disipación de potencia en el 2N3904, por lo tanto, aunque la
corriente del transistor (ICE) sea de 40 mA, sólo habrá aproximadamente 0,3 V a
través del transistor saturado, de modo que la disipación de potencia en El transistor
será 0.3V x 40mA = 12mW y la disipación máxima para el 2N3904 es 1.5W. Aunque
esta interfaz básica sólo permite encender o apagar el motor, se podría adaptar
fácilmente cambiando IC1 para incluir un control de velocidad modulado en anchura
de impulso, ya sea desde un ordenador, o hardware generado como se describe en
el Módulo de osciladores 4.6.
Esta sencilla interfaz tiene una característica más de seguridad; El diodo D1
conectado a través del motor impedirá eficazmente que cualquier pico de EMF
desagradable generado por la carga inductiva (el motor) cause daño a la interfaz, o
peor aún a la computadora.

Fig.5.2.5 Circuito de accionamiento del motor PC817

Módulo 5.3
Audio Optoacopladores
Uso de los optoacopladores de audio
En los sistemas de audio el aislamiento entre las entradas y el equipo de mayor
voltaje / corriente es normalmente proporcionado por los transformadores de audio,
sin embargo también es posible utilizar optoacopladores de audio especializados
como el IL300, que utiliza un LED infrarrojo para iluminar un fotodiodo como un
dispositivo de salida y un Segundo fotodiodo para proporcionar realimentación,
garantizando una linealidad mejorada y un rango de frecuencia más amplio que las
alternativas de fototransistor o fotorresistor. Utilizar la retroalimentación de un
segundo fotodiodo con características muy parecidas a las del fotodiodo de salida
también supera un problema básico con los optoacopladores. Sin algún tipo de
retroalimentación, las variaciones en la relación de transferencia actual afectarán el
rendimiento del optoacoplador. Las variaciones pueden ocurrir debido a cambios en
la temperatura ambiente y al envejecimiento del LED infrarrojo. Optoacopladores
como el IL300 de Vishay ilustrado en la Fig. Por lo tanto, el 5.3.1 puede reivindicar
un mejor rendimiento y estabilidad durante la vida útil del circuito. En consecuencia,
estos dispositivos especializados son considerablemente más caros que los simples
optoacopladores de uso general.

Fig.5.3.1 Optoacoplador IL300

Uso del 4N25 para audio
Sin embargo, también es posible utilizar algunos de los optoacopladores de
fototransistor de uso general mucho más baratos para aplicaciones de audio, tales
como el 4N25 popular ilustrado en la Fig. 5.3.2 también de Vishay, que se utiliza
normalmente para señales digitales de baja frecuencia (en modo de saturación) o
aplicaciones de CC (en modo lineal) para aplicaciones de audio limitadas.
Esto se debe a que el 4N25 tiene una conexión para la base del fototransistor
disponible, así como el colector y el emisor. Esto permite los tres diferentes métodos
de conexión mostrados en la Fig. 5.3.3, donde el fototransistor puede ser operado
en el modo de emisor común (a), en el modo de colector común (emisor seguidor)
(b) o como fotodiodo (c).

Fig.5.3.2 Optoacoplador 4N25

Fig.5.3.3 Opciones de Conexión 4N25
Cuando la salida del fototransistor se toma de la conexión de base (con el emisor
no conectado) como se muestra en la Fig. 5.3.3 c) la unión base / colector se utiliza
como fotodiodo. Como el fototransistor no funciona ahora como amplificador, no se
aplica el "efecto Miller" (donde el valor de la capacitancia de unión se multiplica por
la ganancia de corriente del transistor), por lo que la capacitancia efectivamente
grande de la unión base / colector es grandemente Reducido, permitiendo que el
optoacoplador trabaje a velocidades más altas, lo que significa que en el caso de
aplicaciones de audio, se dispone de un ancho de banda más amplio, aunque este
modo de operación reduce en gran medida la amplitud de la señal de salida.
En cualquiera de las configuraciones mostradas en la figura 5.3.3, la elección de la
resistencia de carga tiene un efecto significativo sobre la señal de salida; Cuanto
mayor sea el valor de RL mayor será la amplitud de la señal de salida, pero más
estrecha será la anchura de banda, por lo que el valor de RL elegido es un
compromiso que depende del propósito del circuito.
Para que el 4N25 proporcione aislamiento para señales de audio, la entrada al LED
de infrarrojos debe estar polarizada apropiadamente con una tensión de CC, de
modo que cuando se aplica una señal de AC (audio) de modulación, la corriente a
través del LED puede variar sin que la salida del optoacoplador alcance Ya sea
saturado o cortado. Esta es realmente una extensión del modo lineal de operación,
y puede aplicarse usando cualquiera de dos configuraciones básicas, fototransistor
o fotodiodo.
Método 1. Optoacoplador de audio básico.
El circuito mostrado en la Fig. 5.3.4, adaptado de un diseño en Newnes Electronic
Circuits Pocket Book de Ray Marston (ISBN 10: 1-4832-9192-8) utiliza el 4N25
conectado como fototransistor para transmitir señales de audio mientras se aislan
los circuitos de entrada y salida.
Aquí se utiliza un amplificador operacional LM324 para accionar la entrada LED del
4N25. R1 y R2 forman un divisor de potencial para fijar la patilla 3 (la entrada no
inversora del amplificador operacional) a la mitad de la tensión de alimentación y la
señal de entrada de audio se superpone a esta tensión de polarización continua
mediante C1 para modular la corriente a través del LED.
Debido a que el LM324 está conectado en modo de seguidor de tensión con el LED
que forma parte del circuito de retroalimentación negativa, el pin 1 sigue
exactamente las variaciones de tensión en el pin 3, variando así la corriente a través
del LED. Con ninguna señal aplicada la corriente de pie aunque el LED es de
aproximadamente 0,5 a 1 mA dependiendo del valor de R3 y la tensión de
alimentación utilizada para el circuito de entrada.

Fig.5.3.4 Aislador de audio mediante el modo fototransistor

Con fuentes de entrada y salida separadas ajustadas a 12V y una señal de entrada
CA de 3Vpp, se obtiene una señal de salida de alrededor de 6Vpp cuando se ajusta
RV1 para ajustar el pin 4 del 4N25 a la mitad de la alimentación (6V). Dependiendo
de las tensiones de alimentación y la amplitud de las señales utilizadas, el ajuste
fino de RV1 también proporciona un medio para lograr una distorsión mínima.
Sin embargo, debido a que la Fig. 5.3.4 utiliza un 4N25 en modo fototransistor, la
anchura de banda útil del circuito es bastante limitada, como se muestra en la Fig.
5.3.5 haciendo que sea útil para el habla, pero que carece de ganancia a frecuencias
superiores a 8 kHz, un efecto típico debido a la gran capacidad de unión base /
emisor del fototransistor.
Fig.5.3.5 Ancho de banda de audio usando el modo Fototransistor
Método 2 Ancho de banda ancho de audio
Fig. 5.3.6 muestra un circuito mejorado con un ancho de banda de audio completo,
que se consigue utilizando el 4N25 en modo de fotodiodo en el que sólo se usa la
unión de base colectora, formando un fotodiodo con mucha menos capacidad que
con el fototransistor completo. La desventaja de este método es que la salida 4N25
ahora se reduce a milivoltios en lugar de voltios. Por esta razón es necesario añadir
un amplificador tampón (IC3a) con alta impedancia de entrada, inmediatamente
después del optoacoplador.

Fig.5.3.6 Aislador de audio con un modo 4N25 en fotodiodo

No se produce amplificación de voltaje en la etapa de amortiguación, pero esto es
seguido por un amplificador de voltaje x100 para producir una salida de
aproximadamente 7,5 Vpp desde una entrada original de 1,5 Vpp. El ancho de
banda de audio del circuito ahora se incrementa para cubrir un rango útil de
aproximadamente 400 Hz a 18 kHz, como se muestra en la Fig. 5.3.7; Todavía no
de alta fidelidad, pero muy útil como parte de un amplificador de audio para muchos
fines de aislamiento.
En la versión experimental de este circuito, se usaron diferentes tensiones de
alimentación entre + 5V y + 24V para las secciones de entrada y salida del circuito
sin ningún problema, aparte de las tensiones de alimentación inferiores que
requieren señales de amplitud reducida para evitar la distorsión.
El ruido generado alrededor del optoacoplador en la placa de pruebas puede ser un
problema, pero puede ser reducido o eliminado mediante un diseño cuidadoso de
PCB y un desacoplamiento adicional de las líneas de suministro cerca de los
circuitos integrados.

Fig.5.3.7 Ancho de banda de audio utilizando el modo fotodiodo

Fig.5.3.8 Pruebas de aislamiento de audio 4N25
Módulo 5.4
Interruptores Opto Activados
Dos interruptores opto activados típicos se ilustran en la Fig. 5.4.1. El ejemplo (a)
es un conmutador ranurado en el que un haz de luz infrarroja procedente del LED
ilumina un fototransistor, provocando su conducción. Cuando un objeto se mueve
en la ranura entre el LED y el fototransistor, la luz se interrumpe y el fototransistor
se apaga. Los interruptores opto activados normalmente funcionan en modo de
saturación para proporcionar señales de encendido y apagado definidas.
Otra aplicación común para conmutadores ranurados es tener un disco giratorio,
con ranuras u orificios alrededor de su borde para girar dentro del trayecto de la luz
del conmutador, creando de este modo una serie de impulsos de encendido /
apagado que se pueden usar para indicar (y controlar electrónicamente) La
velocidad del disco giratorio.
Fig.5.4.1 Interruptor óptico ranurado (a) Y sensor de objetos reflectantes (b)
En el sensor de objetos reflectantes ilustrado en la Fig. 5.4.1 (b) el LED infrarrojo y
el fototransistor están montados uno al lado del otro en el extremo estrecho del
interruptor. Aquí, un haz de luz infrarroja es emitido en un ángulo por el LED y si un
material reflectante se coloca alrededor de 3 a 4 mm del sensor, el haz de luz del
LED se refleja de nuevo sobre el fototransistor causando que conduzca y produzca
una salida corriente. Esta disposición se utiliza a menudo como un sensor de
proximidad.
El fototransistor en sensores de proximidad también funciona en 'modo de
saturación' en el que el fototransistor se hace estar apagado (sin corriente) o
encendido (totalmente saturado, pasando su máxima corriente) por la acción de la
luz infrarroja reflejada.
Ejemplo de conmutador óptico ranurado
Un ejemplo simple de un interruptor óptico ranurado se muestra en la Fig. 5.4.2, con
su diagrama esquemático en la Fig. 5.4.3. Cuando un objeto como un ticket o una
pequeña pestaña que forma parte de algún sistema mecánico se coloca en la ranura
del sensor, el haz de luz infrarroja del LED al fototransistor se bloquea, apagando el
fototransistor. Su terminal emisor, que ha estado a una alta tensión de
aproximadamente 4,8V debido a que el fototransistor ha estado en saturación y por
lo tanto conduce fuertemente, se apaga y el voltaje del emisor cae a un valor bajo
de alrededor de 0,8V.
Fig.5.4.3 Interruptor óptico ranurado Circuito
Esto apaga el 2N3904, que hace que su emisor caiga a alrededor de 0.3V. Esto se
ve como un 0 lógico en el pin 1 de IC2 (la entrada de uno de los 6 inversores Schmitt
en el IC) y su salida en el pin 2 cambia a la lógica 1, encendiendo el LED verde de
5V. Quitar el objeto del interruptor ranurado permite que la luz infrarroja llegue a la
base del fototransistor haciéndola conducir y saturar otra vez, que ahora tiene un
voltaje de casi 5V en su emisor. Esto enciende el 2N3904 causando una lógica 1
(un voltaje mayor que 2V) para aparecer en su emisor y la entrada del inversor de
Schmitt. Esto enciende el LED rojo y apaga el LED verde.
La Interfaz Interruptor Opto-Ranurado
El LED de entrada del conmutador OPB370 ranurado elegido para esta
demostración tiene una corriente nominal máxima de 50mA y la hoja de datos para
el OPB370 muestra que a 20mA el voltaje directo del LED será de aproximadamente
1.3V. Para proporcionar una iluminación razonablemente brillante del LED, se
conduce vía R1 con IF en aproximadamente 37mA.
El objetivo de este diseño es conducir una sola entrada de una puerta del inversor
de HCT Schmitt, que será responsable de proporcionar finalmente una salida que
tenga tiempos muy rápidos de la subida y de la caída y los parámetros estándar del
voltaje y de la corriente de HCT.
Como se puede ver en la Tabla 5.4.1, la puerta HCT Schmitt reconocerá una tensión
por encima de 2.0V (VIH) como lógica 1 y baja tensión (VIL) por debajo de 0.8Vas
lógica 0. La corriente de salida del 2N3904 también debe ser suficiente Para
impulsar la entrada del inversor HCT, y cualquier cosa entre 1μA y 4mA será
suficiente.
R1 en el circuito es la resistencia de limitación de corriente para el LED de entrada
y se elige aquí para proporcionar una corriente de aproximadamente 37mA a través
del LED de entrada de infrarrojos. Tenga en cuenta también que los LEDs de 5 V
(D1 y D2) utilizados aquí tienen una resistencia de limitación de corriente interna,
pero también se puede usar un LED 'normal' con resistencia limitadora de corriente
externa apropiada.
Aunque los optoacopladores de fototransistor producen muchas veces la corriente
producida por los tipos de fotodiodos, la salida del fototransistor es todavía muy
pequeña y por lo tanto es amplificada por el 2N3904. Además, el inversor 7414
Schmitt proporciona un acondicionamiento adicional para hacer los tiempos de
subida y bajada de salida muy rápidos y los niveles de voltaje y corriente ideales
para conducir circuitos digitales HCT. Las tensiones mostradas en la Fig. 5.4.4 se
tomaron del ejemplo de tablero de trabajo de trabajo mostrado en la Fig. 5.4.2.
Sensor de Objeto Reflectivo (Proximidad)
Estos sensores ópticos funcionan de manera similar al sensor óptico ranurado, pero
se basan en la luz infrarroja reflejada desde un objeto (por ejemplo, una hoja de
papel en una impresora) colocada alrededor de 2 mm a 8 mm del sensor para
producir una salida. La corriente producida por el sensor es incluso más pequeña
que las corrientes de salida del conmutador ranurado y por lo tanto también necesita
ser amplificada por una etapa intermedia de transistor para ser útil, como se muestra
en la Fig. 5.4.4.
Un inversor Schmitt también se agrega a la salida para asegurar cambios rápidos
en el nivel lógico a medida que se detecta un objeto reflectante dentro del rango de
detección. Para evitar errores de detección, estos sensores funcionan mejor en
niveles de luz ambiente bajos, donde la única luz detectada por el fototransistor es
la luz reflejada desde el LED infrarrojo.
Fig.5.4.4 Circuito del sensor de proximidad óptica
Observe también en ambos circuitos de conmutación que sólo se utiliza una fuente
de alimentación, ya que el aislamiento eléctrico entre la entrada y la salida es
normalmente menos importante. La entrada a estos sensores es más ligera que
alguna propiedad eléctrica. La salida es lógica HCT, haciéndola adecuadamente
acondicionada para la entrada a muchas aplicaciones de circuitos lógicos o
informáticos. Los voltajes típicos se muestran en la Fig.5.4.4 y los valores actuales
en la Tabla 5.4.2

Operación del circuito del detector de proximidad

R1 es la resistencia limitadora de corriente para el LED infrarrojo y fija la corriente
del LED (IF) en aproximadamente 20mA. La luz infrarroja producida se refleja a
partir de un objeto (se usó papel de impresora blanco liso en pruebas) y cuando en
el rango de detección de aproximadamente 2 mm a 8 mm se produce una corriente
de hasta aproximadamente 64 μA, descendiendo a casi cero sin ningún objeto
presente (Y bajos niveles de luz ambiente).
Esta corriente es suficiente para activar el transistor del amplificador de buffer
2N3904 y su voltaje de colector cae desde casi Vcc a casi 0V.
Estos cambios dependen de la cantidad de luz reflejada en el sensor, por lo que
puede no ser rápido de cambiar y puede ser de amplitud variable, sin embargo, el
inversor Schmitt proporcionará una transición muy rápida de baja a alta o alta a baja
en cualquier momento el voltaje de colector Del transistor 2N3904 pasa los valores
de umbral del inversor.
Cuando sólo se necesita un solo sensor, el uso de sólo 1 de 6 inversores en el 7414
IC puede parecer un desperdicio. El circuito funcionará sin el inversor 7414, pero la
conmutación es mucho menos definida y la salida es alta sin un objeto reflectante
presente y bajo cuando se produce la reflexión.
Para fines de prueba, se utilizó un LED rojo de 5V (con resistencia de limitación de
corriente interna) para dar una indicación clara del funcionamiento del circuito. Sin
embargo, esto puede quedar fuera cuando el circuito se utiliza como entrada a otro
circuito, ya que esto reducirá considerablemente la corriente de suministro
requerida, como se muestra en la Tabla 5.4.2.
El circuito de prueba original se muestra en la Fig. 5.4.5. Observe que el LED
infrarrojo normalmente invisible aparece como luz visible (púrpura) en una cámara
digital. Obsérvese también que, como sólo se utilizan el inversor conectado entre
los pines 5 y 6 del IC, las otras cinco entradas no utilizadas en el 7414 IC están
todas conectadas a 0V para evitar que se inyecte ruido excesivo en el circuito.

Fig.5.4.5 Sensor de Proximidad Optoelectrónica Disposición del tablero de

Breadboard
Módulo 5.5
Dispositivos opto acoplados
Opto Triacs y relés de estado sólido.
Los dispositivos que se utilizan en el control de equipos de alto voltaje / alta potencia
necesitan tener un buen aislamiento eléctrico entre su salida de alto voltaje y
entrada de baja tensión. Basándose en una capa de óxido de silicio, unos pocos
átomos de espesor para proporcionar el aislamiento requerido no es realmente una
opción en tales condiciones. Cuando ocurren fallas (y es más probable que lo hagan
en circuitos de alta potencia), los resultados pueden ser catastróficos, no sólo para
los componentes del circuito, sino también para los usuarios de dichos equipos. El
aislamiento físico (lo que significa que no hay ninguna conexión eléctrica entre la
entrada y la salida) es lo que se necesita. Afortunadamente hay soluciones
disponibles para este problema. Muchos circuitos de alta potencia hoy en día son
controlados por circuitos de bajo voltaje y baja corriente, tales como
microprocesadores, utilizando dispositivos optoelectrónicos como Opto-Triacs,
Opto-Thyristors y relés de estado sólido para aislar los circuitos de baja y alta
potencia.
El dispositivo de control debe ser capaz de manejar los altos voltajes, incluyendo
los picos de muy alta tensión que pueden ocurrir en cualquiera de los circuitos de
salida de CA o CC debido a emf trasera de cargas inductivas y picos de voltaje que
pueden estar presentes aleatoriamente en la red. Además, los valores altos de
corriente de sobretensión (mucho más altos que la corriente corriente normal) que
se producen, por ejemplo, cuando se activan cargas tales como motores, pueden
requerir que el dispositivo de control tenga un valor superior al esperado
normalmente para manejar estos picos de corriente. El dispositivo de control elegido
también debe garantizar el aislamiento eléctrico entre los circuitos de entrada y de
salida. Además de estos criterios, el circuito alrededor del dispositivo de control
también debe proporcionar salvaguardias contra situaciones peligrosas. Por
ejemplo, disipadores de calor adecuados para los dispositivos de estado sólido
utilizados. También se necesitan fusibles especiales de acción muy rápida o
interruptores automáticos para evitar daños a los semiconductores debido a
sobrecargas de corriente.

Fig.5.5.1 Opto Triac y Opto SCR

En este grupo de optoacopladores, foto-triacs, foto-SCRs o fotodiodo / MOSFET
combinan los fotodiodos y fototransistores descritos en las secciones 5.1 a 5.4 de
este módulo, y también están fácilmente disponibles en forma de circuito integrado
(IC) para conmutar relativamente Cargas de CA o DC de baja potencia. Los relés
de estado sólido de alta potencia (SSR) ilustrados en la Fig. 5.5.2 utilizar circuitos
integrados como los mostrados en la Fig. 5.5.1 con circuitos extra construidos para
manejar alta tensión, cargas de alta corriente de forma segura y confiable.
Algunos de estos dispositivos funcionan sólo en circuitos de CA y algunos con AC
o DC. En cualquier caso, sólo se necesita un pequeño impulso o un suministro de
corriente continua baja al LED de infrarrojos; La luz producida activa entonces el
circuito de salida y la alimentación se conecta. El aislamiento entre los circuitos de
baja y alta potencia en estos dispositivos ópticamente conectados es típicamente
de varios miles de voltios.

Fig.5.5.2 SSR de alta potencia típica

Relés de estado sólido

Opto triacs y Opto SCRs se utilizan para conmutar cargas de CA, pero relés de
estado sólido que utilizan transistores MOSFET de potencia que pueden cambiar
AC o DC también están disponibles. Relés de estado sólido de baja potencia, que
consisten básicamente en un circuito opto triac, tal como el tipo ilustrado en la Fig.
5.5.1 se pueden utilizar como circuitos integrados convencionales, montados en una
placa de circuito impreso. Alternativamente, estos optoacopladores de baja potencia
pueden encerrarse dentro de una caja aislada junto con triacs de alta potencia o
SCRs y componentes adicionales de seguridad, tales como disipadores de calor y
componentes de supresión de pulso, en relés de estado sólido (SSRs) montados en
rack más grandes con sólo cuatro o cinco tipos de tornillo Terminales resistentes
que pueden ser tratados como interruptores de red (línea) y pueden reemplazar
muchos tipos de relés electromecánicos.
Una de las características más importantes de los SSR es que el optoacoplamiento
proporcione un aislamiento eléctrico completo entre su circuito de entrada de baja
potencia y su circuito de salida de alta potencia. Cuando el interruptor de salida está
'abierto' (MOSFETs off), el SSR tiene una resistencia casi infinita a través de sus
terminales de salida, y una resistencia muy baja cuando 'cerrado' (MOSFETs que
conducen fuertemente). Aun así, el conmutador semiconductor disipará cierta
potencia cuando esté en estado 'encendido' o 'apagado' con corrientes de CA o CC.
Por esta razón se necesitan disipadores de calor adecuados para evitar el
sobrecalentamiento.
Un circuito típico de MOSFET básico SSR se muestra en la figura 5.5.3. Una
corriente de aproximadamente 20mA a través del LED es suficiente para activar el
relé. La luz (infrarroja) del LED cae sobre la unidad fotovoltaica que comprende una
serie de fotodiodos. Debido a que un solo fotodiodo sólo producirá una tensión muy
baja, los diodos de la unidad fotovoltaica están dispuestos en una serie / paralelo
para producir una tensión suficiente para activar los MOSFET.

Fig.5.5.3 Relé de estado sólido MOSFET

La figura 5.5.4 representa un ejemplo básico de un MOSFET SSR, que muestra

cómo se pueden disponer las salidas para permitir que el SSR cambie cargas AC o
DC. Una serie de SSRs similares están disponibles para satisfacer diferentes
voltajes de CA y CC y requerimientos de corriente, un ejemplo típico es el PVT412
SSR de International Rectifier (ahora parte de Infineon Technologies) fabricado en
varias versiones como un paquete DIL de 6 patillas y capaz de reemplazar Un relé
mecánico de un solo polo para conmutar tensiones de CA o CC de hasta 400V (pico)
con corrientes de hasta 140mA AC o 210mA DC. Existen otros chips que actúan
como relés de doble polo, normalmente cerrado (NC), normalmente abierto (NO) y
de cambio con una amplia variedad de instalaciones adicionales. Los SSR también
se fabrican en una gama de tensiones de salida y valores de corriente, con una
gama de tipos de paquetes que van desde pequeños componentes de montaje en
superficie hasta complejos chips de clavijas múltiples y grandes ejemplos de
corriente pesada, para montaje en bastidor en armarios eléctricos de control. Se
puede encontrar más información sobre los SSRs mediante la búsqueda de relés
de estado sólido en sitios web de fabricantes como Infineon Technologies o en
proveedores de semiconductores como RS Components.
Fig.5.5.4 Utilización de un chip de relé MOSFET para Conmutación de A.C. o
D.C.
Funciones de Seguridad SSR
Los SSR consisten básicamente en un optoacoplador que acciona algunos
dispositivos de conmutación de alta potencia, tales como un triac de potencia,
MOSFETS o un SCR, pero como su propósito es cambiar las cargas eléctricas de
alta potencia, a menudo en situaciones críticas de seguridad SSRs se fabrican con
una amplia variedad de características, Diseñado para permitir un funcionamiento
seguro y fiable. Algunos de ellos se ilustran en el circuito mostrado en la Fig. 5.5.5:
Protección de Polaridad Inversa. Si los terminales de entrada están conectados en
la polaridad incorrecta, el diodo D1 conduce y reduce la tensión en la parte inferior
de R1 a aproximadamente 0.7V, ahorrando así el LED optoacoplador de daño.
Obsérvese que el diodo y la potencia de resistencia de limitación de corriente deben
poder soportar la corriente de polaridad inversa a la tensión de entrada máxima sin
dañar, de lo contrario se puede insertar un fusible de entrada adecuadamente
clasificado entre el terminal positivo de entrada y la resistencia limitadora de
corriente.
Protección contra la sobretensión. Es común que los SSR puedan trabajar desde
una gama de tensiones de entrada de CC, por ejemplo, 5v a 24V. Estos voltajes
más altos pueden hacer que la corriente a través del LED del optoacoplador
aumente más que su máximo requerido, en este caso el circuito de protección de
sobrecorriente funciona para mantener un nivel de corriente adecuado a través del
LED. R2 es una resistencia de bajo valor para la detección de corriente; Su valor se
elige de modo que bajo condiciones de funcionamiento normales Tr1 esté sesgado
justo por debajo de su umbral de corte, pero si la corriente a través del diodo de
entrada del optoacoplador aumenta debido a una tensión de entrada excesiva, la
corriente extra a través de R2 hará que Tr1 conduzca, desviando Parte de la
corriente LED a través de Tr1 reduciendo el voltaje en la parte inferior de R1 y la
corriente aunque el LED a un nivel seguro.
Fig.5.5.5 Funciones de seguridad del relé de estado sólido
Diodo de supresión de voltaje transitorio (TVS). Los SSR utilizados en situaciones
de control pueden estar sujetos a daños causados por picos de tensión repentinos
y de corta duración (es decir, transitorios), que pueden ser causados por eventos
externos tales como impulsos de EMF trasera cuando cambian cargas inductivas;
También descargas de rayos remotos y otras descargas electromagnéticas o
electrostáticas son eventos de alto riesgo para dispositivos semiconductores.
Dichos picos de tensión pueden tener una duración muy corta, pero pueden ser de
cientos o miles de voltios de amplitud, y aunque la corriente que crean puede ser
muy pequeña, la tensión causada por tales voltajes puede causar una falla total en
los dispositivos semiconductores utilizados en los SSR. Una forma de reducir estos
eventos peligrosos es el uso de un diodo transitorio de supresor de voltaje (TVS)
conectado en paralelo con dispositivos sensibles tales como el optoacoplador como
se muestra en la Fig. 5.5.5.
La Fig.5.5.6 ilustra la acción del diodo TVS y muestra una salida de onda senoidal
superpuesta a las características del diodo TVS. El diodo bidireccional TVS funciona
como dos diodos Zener de espalda a espalda, donde por encima de un cierto voltaje
inverso, se produce la ruptura de corriente y el diodo conduce fuertemente. Como
el diodo TVS en este caso es bidireccional, la descomposición se produce tanto en
condiciones de avance como de retroceso.
En uso, un diodo TVS debe tener una tensión de ruptura superior a la tensión
máxima de la onda AC, que es 1.414 x VRMS, por lo que se utiliza normalmente un
diodo TVS con un voltaje de ruptura aproximadamente 1,5 veces mayor que el
voltaje RMS de la onda sinusoidal. Un pico de voltaje que excede este límite hace
que el diodo conduzca fuertemente, limitando su voltaje a la tensión de ruptura del
diodo. Una diferencia notable entre un Zener y un diodo de TVS es que el diodo de
TVS tiene un área de empalme más rugosa, para hacer frente a la corriente
repentina pesada corriente durante acontecimientos del punto. Sin embargo, una
vez que la espiga ha terminado, el diodo deja de conducir (aparte de una pequeña
corriente de fuga inversa) y no tiene ningún efecto adicional sobre la onda de salida
hasta que se produzcan picos adicionales. Los diodos TVS también están
disponibles en tipos de dirección única que también se pueden utilizar en el lado de
entrada del optoacoplador en SSR usando una entrada de CC si existe un alto
riesgo de que se produzcan picos. Sin embargo, debido a que la entrada de
corriente continua se alimenta normalmente de una fuente de alimentación de
corriente continua suavizada, normalmente se espera que minimice el riesgo, por lo
que el uso de diodos TVS a través de los componentes de entrada rara vez se
considera necesario.

Fig.5.5.6 Supresión de tensión transitoria

RC Snubber Circuits (circuitos de amortiguadores). Un método alternativo para
reducir el efecto perjudicial de los picos en la salida de CA de un SSR es usar un
circuito amortiguador. Esto consiste en una red RC conectada a través del triac de
salida o SCR. Su efecto es disminuir el rápido aumento o disminución del voltaje
durante el pico. Al elegir una constante de tiempo adecuada para R5 / C1, el
condensador no tendrá tiempo para cargarse a medida que el voltaje de pico
aumenta, antes de que el voltaje se reduzca una vez más y descargue el
condensador. De este modo se reduce la amplitud de cualquier pico de tensión
rápida. Los valores típicos para R serían de aproximadamente 39 a 100 Ω para R5
y de 22 a 47 nF para C1. El condensador también necesitaría ser un tipo de impulso
que tenga una tensión de trabajo máxima muy alta, mucho más alta que el valor
máximo de la onda de salida, para permitir la tensión adicional causada por
cualquier pico de voltaje. Un inconveniente importante del uso de amortiguadores
RC es que la corriente de fuga a través del circuito SSR a través de la salida en la
condición de 'apagado' se incrementa considerablemente, ya que la impedancia del
circuito RC es mucho menor que la del triac desactivado. Por lo tanto, los SSR están
disponibles con una opción de amortiguador o ningún amortiguador. Protegido, pero
snubberless salida SSR también están disponibles.
Cruce de Voltaje Cero. Algunos SSRs incluyen circuitos de "cruce cero" o
"conmutación síncrona", que reducen la posibilidad de introducir "clavos" rápidos en
el suministro de red asegurando que su salida sólo se encenderá cuando el ciclo de
voltaje de la red pase a través de cero voltios. Como se muestra en la Fig. 5.5.7 si
el voltaje de control solicita un encendido a la vez durante el ciclo de voltaje cuando
la tensión CA no pasa por 0V, la acción de conmutación se retrasa hasta que la
tensión siguiente cruce 0V al final del presente ciclo medio. Sin embargo, el circuito
de cruce de voltaje cero no desempeña ningún papel en la conmutación de la salida;
Esto es controlado por la acción del triac o SCR, que una vez encendido sólo se
apagará cuando la corriente de carga de salida caiga por debajo del triac o la
corriente de retención especificada del SCR, lo que hará cuando la forma de onda
de corriente pase a través de cero.
Las descripciones anteriores de las características de seguridad pretenden
introducir a los usuarios de SSR a algunas de las limitaciones de seguridad
necesarias al elegir el SSR adecuado para cualquier operación en particular. Sin
embargo, esta lista no se ofrece como una guía completa, la importancia o no
importancia de cualquiera de estos factores dependerá en gran medida del uso
previsto de la SSR. Por lo tanto, es aconsejable que muchos fabricantes o agencias
de seguridad nacionales e internacionales puedan dar asesoramiento calificado
sobre la idoneidad de los SSR para usos particulares, especialmente cuando se
considera el funcionamiento seguro de los circuitos. También se le anima a seguir
estudiando siguiendo algunos de los enlaces recomendados al final de esta página.
 Fig. 5.5.7 SSR Zero Crossing Action

Prueba de Dispositivos Acoplados Opto.

Los optoacopladores de baja potencia se pueden probar fuera de circuito. Es posible
probar el LED (fuera del circuito) utilizando la gama de diodos en la mayoría de los
multímetros digitales. Con el conductor rojo del medidor al ánodo y negro al cátodo,
una resistencia delantera típica sería alrededor de 1kΩ; Con los conductores del
metro invertidos la lectura debe ser infinito. Comprobar el transistor de salida / triac
/ SCR etc. es más difícil, especialmente cuando no hay conexión de base disponible.
Sin embargo, a veces es posible probar el fototransistor sin conexión de base,
conectando los conductores del ohmiómetro (rojo al colector, negro al emisor) a
través del colector y del emisor, debería leer infinito en cualquiera de las dos
polaridades. Para probar la función del transistor, el LED necesita ser activado con
un voltaje bajo, tal como del rango del diodo de otro metro. Cuando se aplica el
voltaje al LED (con el cable rojo al ánodo y el negro al cátodo), la lectura del infinito
a través del transistor (con el conductor rojo del medidor al colector y el negro al
emisor) se verá caer a un valor inferior, indicando Que el optoacoplador está
funcionando. Cuando opto triacs y SCRs fallan normalmente exhiben un
cortocircuito (cero ohmios).
CUALQUIER TRABAJO EN alimentación por red eléctrica circuitos deben ser
realizadas con la red de alimentación desconectado completamente y las cargas de
almacenamiento de componentes (por ejemplo, condensadores) de alta.
¡Si usted no ha sido entrenado en las prácticas de trabajo seguras que son
esenciales para el trabajo en estos tipos de circuito NO LO HAGA! ¡Los voltajes y
corrientes usados en estos circuitos pueden matar!
Estado sólido y cambio mecánico comparados
Relés de estado sólido (SSR) tienen un número de ventajas sobre los relés
electromecánicos, algunos de los cuales son evidentes ventajas y algunos que se
disputaría por adherentes a (y los fabricantes de relés) electromecánicos. ¿Qué tipo
de relé es mejor para una aplicación en particular, sin embargo, depende más de la
aplicación que el tipo de relé. Esto debe ser considerado cuidadosamente al leer las
siguientes listas.
Ventajas de SSRs contra relés electromecánicos.
1. Debido a que los SSR no tienen bobinas inductivas o contactos móviles, no
generan interferencia electromagnética.
2. Los SSR no causan arcos potencialmente peligrosos.
3. Los SSRs son silenciosos en funcionamiento.
4. Los SSR no están sujetos a desgaste mecánico, por lo que potencialmente
realizarán muchas más operaciones de conmutación que los relés
electromecánicos (sin embargo, cualquiera de los dos tipos puede diseñarse
para realizar más operaciones de las requeridas durante la vida útil del equipo
en el que se usan).
5. SSRs no sufren de rebote de contacto.
6. Los SSR tienen un tiempo de conmutación más rápido que los relés
electromecánicos.
7. Para la conmutación de CA, están disponibles SSR que sólo se encienden en, o
cerca del momento en que la forma de onda de CA pasa a través de cero voltios,
reduciendo así la aparición de picos de voltaje que se producen si un circuito se
enciende cuando la tensión de CA está a un máximo.
8. Los SSR pueden ser físicamente más pequeños que los tipos comparables de
relés electromecánicos.
Desventajas de SSRs contra relés electromecánicos.
1. Cuando los SSR están conectados hay una resistencia medible entre los
terminales de salida, por lo tanto, los SSR producen cierta cantidad de calor, así
como una caída de voltaje en su condición de 'encendido'.
2. Cuando los SSR están en su estado "apagado", todavía hay una pequeña
corriente de fuga inversa que fluye en la salida. A diferencia de los relés
electromecánicos, los SSR no están totalmente 'encendidos' o 'apagados'. Por
lo tanto, pueden no ser permitidos para el uso bajo algunas regulaciones de
seguridad.
3. Debido a que los SSR son capaces de encenderse muy rápidamente (en
milisegundos), los picos de interferencia aleatorios en sus circuitos de entrada
pueden causar conmutación no deseada.
4. El fallo de un SSR normalmente causará un cortocircuito (encendido) mientras
que el fallo en un relé electromecánico usualmente causará un circuito abierto
(apagado). Esto puede causar cierta preocupación en sistemas críticos de
seguridad.
Más información
Relés de Estado Sólido vs Relés Electromecánicos - Notas de Aplicación Solid State
Optronics USA
Cómo elegir el relé adecuado - National Instruments
Consejos técnicos sobre relés-Crydom Inc.

Tiristores Triacs y Diacs

Tiristores
Figura 1. Paquetes de tiristores

En la figura 1 se muestran ejemplos de conjuntos de tiristores comunes. En la figura

2 se muestra la construcción de un tiristor de potencia media típico (también
denominado rectificador controlado por silicio o SCR). Consiste en cuatro capas de
silicio en ap-n-p-n estructura. Su símbolo de circuito en la figura 3 muestra que es
básicamente un diodo, pero con un terminal adicional, llamado GATE.
Figura 2. Construcción típica de tiristores
Figura 3. Símbolo del circuito del tiristor

El propósito de la compuerta es permitir que el dispositivo se conmute de un modo

no conductor (bloqueo directo) a un estado de conducción directa de baja
resistencia. Así, una pequeña corriente aplicada a la compuerta es capaz de
conmutar una corriente mucho mayor (a un voltaje mucho más alto) aplicada entre
ánodo y cátodo. Sin embargo, una vez que el tiristor está conduciendo, la corriente
de puerta puede ser removida y el dispositivo permanecerá en un estado conductor.
Para desactivar el tiristor, la corriente que circula entre el ánodo y el cátodo debe
reducirse por debajo de un cierto valor crítico de "corriente de retención" (cercano a
cero); Alternativamente, el ánodo y el cátodo pueden estar polarizados
inversamente.
El tiristor se hace normalmente para conducir aplicando un pulso de gating, mientras
que los terminales principales del ánodo y del cátodo son polarizados hacia
adelante. Cuando el dispositivo está polarizado inversamente, un impulso de gating
no tiene ningún efecto.
La aplicación principal de los tiristores es la conmutación de cargas de alta potencia.
Son el elemento de conmutación en muchos dimmers de luz domésticos y también
se utilizan como elementos de control en fuentes de alimentación variables o
reguladas.
La figura 4 muestra una curva característica típica para un tiristor. Se puede ver que
en la región polarizada inversa se comporta de manera similar a un diodo. Toda la
corriente, aparte de una pequeña corriente de fuga, se bloquea (región de bloqueo
inverso) hasta que se alcanza la región de descomposición inversa, momento en el
que se rompe el aislamiento debido a las capas de agotamiento en las uniones.
En el modo polarizado hacia delante, a diferencia de un diodo normal, no fluye
ninguna corriente aparte de una pequeña corriente de fuga. Esto se denomina modo
de bloqueo directo. Sin embargo, si se aplica un impulso de gating, el tiristor "se
dispara" y la resistencia directa del dispositivo cae a un valor muy bajo, permitiendo
que corrientes muy grandes (varios amperios) fluyan en el modo de conducción
directa. Los tiristores también se pueden hacer disparar aplicando un voltaje directo
muy grande entre el ánodo y el cátodo, pero esto no es deseable ya que el
dispositivo no se está utilizando entonces para controlar la conducción.
Figura 4. Características típicas de los tiristores

El funcionamiento real del tiristor se puede describir haciendo referencia a la figura

5, que muestra diagramas simplificados de la estructura del tiristor con las p n capas
y junciones etiquetadas. (Figuras 5a yb)
Para entender el funcionamiento de un tiristor, piense en él como un modelo de dos
transistores (pnp y npn) como se muestra en la Figura 5a byc. Si no se aplica
ninguna señal de puerta, sino que se aplica una tensión (inferior a la tensión de
ruptura directa) entre el terminal emisor superior (marcado con A) y el terminal
emisor inferior (marcado con K) de modo que A sea positivo con respecto a K,
ambos transistores Ser apagado. Ninguna corriente está fluyendo así que el voltaje
en la puerta y el cátodo serán iguales.
Figura 5. El tiristor "Modelo de dos transistores"
Cuando la puerta se hace positiva con respecto a K mediante la aplicación de un
impulso de gating, Tr2 se encenderá y su voltaje de colector caerá rápidamente.
Esto hará que la unión del emisor de la base Tr1 del transistor pnp se polarice hacia
delante, activando Tr1. Una corriente grande fluirá ahora entre A y K. La acción
descrita ocurre muy rápidamente ya que la conexión de Tr2 por Tr1 es una forma
de retroalimentación positiva con cada colector de transistor suministrando grandes
cambios de corriente a la base del otro.
A medida que el colector Tr1 se conecta a la base Tr2, la acción de la conexión Tr1
conecta prácticamente la base Tr2 a la alta tensión positiva en A. Esto asegura que
Tr2 (y por lo tanto Tr1) permanece en conducción, incluso cuando se elimina el
impulso de gating.
Para apagar los transistores, el voltaje a través de A y K debe ser invertido o la
corriente que fluye a través de los transistores debe reducirse a un nivel muy bajo,
de modo que las uniones de emisor base ya no tienen suficiente tensión hacia
adelante para mantener la conducción.
Debido a la capacidad del tiristor para conmutar corrientes muy grandes a tensiones
muy altas (cientos de voltios), el tiristor es un dispositivo útil en circuitos de control
de potencia. Es muy capaz de manejar la corriente alterna y se utiliza en circuitos
tales como atenuadores de luz, controles de velocidad del motor, etc. También son
ampliamente utilizados como dispositivos de protección de acción rápida en las
fuentes de alimentación de CC. La velocidad de conmutación de los tiristores es
muy rápida y son capaces de cambiar de completamente apagado a totalmente
encendido, típicamente en 1μs.
Triacs y Diacs
El Triac
Figura 1. Símbolo del circuito Triac
El triac es similar en funcionamiento a dos tiristores conectados en paralelo inverso,
pero utilizando una conexión de compuerta común. Esto da al triac la capacidad de
ser activado en la conducción mientras que tiene un voltaje de cualquiera de las
polaridades a través de él. De hecho, actúa como un tiristor de "onda completa".
Pueden usarse pulsos de puerta positivos o negativos. El símbolo del circuito para
el triac se muestra en la Figura 1.
Triacs se utilizan principalmente en el control de potencia para dar el control de onda
completa. Esto permite que el voltaje sea controlado entre cero y plena potencia.
Con circuitos de tiristores simples de "media onda", el voltaje controlado sólo puede
variar entre cero y media potencia como el tiristor sólo conduce durante un
semiciclo. El triac proporciona una gama más amplia de control en circuitos de
corriente alterna sin necesidad de componentes adicionales, p. Rectificadores en
puente o un segundo tiristor, necesarios para lograr el control de onda completa con
tiristores. La activación del triac es también más simple que la requerida por los
tiristores en los circuitos de corriente alterna, y normalmente se puede lograr
utilizando un simple circuito DIAC. Un circuito de control triac simplificado se
muestra en la Figura 2. La operación se explicará después de introducir el Diac.
Figura 2. Circuito de control de corriente alterna simplificado usando un Triac

El Diac
Se trata de un diodo de disparo bidireccional utilizado principalmente en disparo de
triacs y tiristores en circuitos de control de CA. Su símbolo de circuito (mostrado en
la figura 3a) es similar al de un Triac, pero sin el terminal de puerta, de hecho, es un
dispositivo más simple y consiste en una estructura PNP (como un transistor sin
base) y actúa básicamente como dos diodos Conectado al cátodo como se muestra
en la figura 3b.
Figura 3. El símbolo Diac Circuit y un diagrama equivalente usando diodos.

El DIAC está diseñado para tener una ruptura particular de voltaje, típicamente de
unos 30 voltios, y cuando se aplica una tensión menor que ésta en cualquier
polaridad, el dispositivo permanece en un estado de alta resistencia con sólo una
pequeña corriente de fuga fluyendo.
Sin embargo, una vez que el voltaje de ruptura se alcanza, en cualquier polaridad,
el dispositivo exhibe una resistencia negativa como puede verse en la curva
característica de la figura 4.
Figura 4. Características típicas del Diac.

Cuando el voltaje a través del diac excede aproximadamente 30 voltios (un voltaje
de ruptura típico) fluye y un aumento en la corriente es acompañado por una gota
en el voltaje a través del Diac. Normalmente, la ley de Ohm establece que un
aumento en la corriente a través de un componente provoca un aumento en el
voltaje a través de ese componente; Sin embargo, el efecto contrario está
ocurriendo aquí, por lo tanto el Diac exhibe la resistencia negativa en el
rompimiento.
En el circuito de control de potencia simple de la Figura 2, el Diac se utiliza para
activar un Triac mediante el método de "Control de Fase". La forma de onda de
corriente de CA está desplazada en fase por el circuito RC de modo que una
amplitud reducida, versión fase retardada de la red aparece de forma de onda a
través de C. Como esta onda llega a la ruptura sobre voltaje de la Diac, se lleva a
cabo y se descarga C en la puerta de la Triac, por lo que el Triac en la conducción.
El Triac conduce entonces durante el resto del semiciclo de red, y cuando la tensión
de red pasa a cero, se apaga. Algún tiempo en el siguiente medio ciclo (negativo),
el voltaje en C llega a romper sobre voltaje en la otra polaridad y el Diac de nuevo
lleva a cabo, proporcionando un impulso de disparo apropiado para encender el
Triac.
Haciendo R un valor variable, se puede variar la cantidad de retardo de fase de la
forma de onda a través de C, permitiendo que se controle el tiempo durante cada
medio ciclo en el que se dispara el Triac. De esta manera, se puede variar la
cantidad de potencia suministrada a la carga.
Tenga en cuenta que en los circuitos de control prácticos que utilizan Tiristores,
Triacs y Diacs, los voltajes grandes se conmutan muy rápidamente. Esto puede dar
lugar a graves interferencias de RF, y se deben tomar medidas en el diseño del
circuito para minimizar esto. También como red está presente en el circuito debe
haber alguna forma de aislamiento seguro entre los componentes de control de bajo
voltaje (por ejemplo, los circuitos Diac y de desplazamiento de fase) y los
componentes "vivos" de la red, p. El Triac y la carga. Esto puede lograrse fácilmente
mediante el "acoplamiento óptico" del circuito de control de bajo voltaje a la parte
de control de potencia de alta tensión (Triac o SCR) del circuito.
Figura 5. El Opto Triac

Los materiales utilizados en la fabricación de Triacs y SCRs, como cualquier

dispositivo semiconductor, son sensibles a la luz. Su conducción cambia por la
presencia de la luz; Por eso son normalmente envasados en trozos pequeños de
plástico negro. Sin embargo, si se incluye un LED dentro del paquete, puede activar
la salida del dispositivo de alta tensión en respuesta a una corriente de entrada muy
pequeña a través del LED. Este es el principio utilizado en Opto-Triacs y Opto-
SCRs, que están fácilmente disponibles en forma de circuito integrado (IC) y no
necesitan circuitos muy complejos para hacerlos funcionar. Simplemente
proporcione un pulso pequeño en el momento adecuado y la alimentación se
encienda. La principal ventaja de estos dispositivos ópticamente activados es el
excelente aislamiento entre los circuitos de baja y alta potencia (típicamente varios
miles de voltios). Esto proporciona un aislamiento seguro entre la entrada de baja
tensión y la salida de alto voltaje.
Prueba de Tiristores, Triacs y Diacs.
Las pruebas de resistencia a estos dispositivos son de uso limitado; SCRs y Triacs
a menudo operan a tensión de red y cuando fallan los resultados pueden ser
dramáticos. Por lo menos el violento soplado de un fusible será el resultado habitual
de un cortocircuito. Este fallo puede confirmarse midiendo la resistencia entre los
dos terminales principales de transporte de corriente de un SCR o Triac. Un
cortocircuito en ambas direcciones significa un componente defectuoso. Sin
embargo, es muy posible que estos dispositivos sean defectuosos y no muestren
ningún síntoma de falla en una prueba de ohmímetro. Pueden parecer aceptables
a los bajos voltajes usados en tales contadores, pero todavía fallan bajo condiciones
de voltaje de la red.
El método normal de prueba sería la comprobación de tensiones y formas de onda
si el circuito estuviera en funcionamiento, o la sustitución de una parte sospechosa
cuando se evidencian daños (por ejemplo, fusibles fundidos). En muchos casos,
estos componentes serán designados como "componentes críticos de seguridad" y
sólo se deben reemplazar utilizando los métodos y componentes recomendados por
el fabricante. Es común que los fabricantes suministren kits de servicio completos
de varios dispositivos semiconductores y posiblemente otros componentes
asociados, todos los cuales deben ser reemplazados, ya que el fallo de un
dispositivo de control de potencia puede dañar fácilmente otros componentes de
una manera que no siempre es obvia En el momento de la reparación.
CUALQUIER TRABAJO EN LOS CIRCUITOS ALIMENTADOS DE LA RED SE
DEBE HACER CON EL SUMINISTRO DE REDES TOTALMENTE
DESCONECTADO Y CUALQUIER CÁMARA DE CARGA (por ejemplo,
CONDENSADORES) DESCARGARON A MENOS QUE ESTA ABSOLUTAMENTE
INACABLES
¡Si usted no ha sido entrenado en las prácticas de trabajo seguras que son
esenciales para el trabajo en estos tipos de circuito NO LO HAGA! ¡Estos circuitos
pueden matar!
Fallas de transistor
¿Por qué fallan los transistores?
Todos los dispositivos semiconductores son confiables, siempre y cuando se operan
correctamente no hay razón para que fallen en absoluto. Por supuesto que fracasan
y esto puede ser por una variedad de razones.
Fallos en la fabricación
De vez en cuando ocurren fallas en la fabricación, generalmente en
equipos nuevos. Si hay un fallo en un nuevo transistor, a menudo
aparecerá en las primeras horas de uso. Si funciona correctamente para
este período, lo más probable es que siga haciéndolo. Una gran
proporción de los fallos de fabricación puede detectarse mediante "ensayos de
remojo" de nuevos equipos. Que se ejecuta en un banco de pruebas durante un
número de horas para asegurarse de que no se producen errores tempranos. Los
artículos que sobreviven a estas pruebas pueden ser puestos en uso con
regularidad.
Edad del componente
No hay razón real para que los transistores deban sufrir de
envejecimiento. Una rebanada de silicio de 10 años de edad debe ser el
mismo que una rebanada de 1 año de edad. Sin embargo, los sistemas
más antiguos que contienen transistores empiezan a dar más problemas.
La razón de esto es que otros componentes tales como resistencias pueden cambiar
sus valores con la edad, especialmente si están sujetos a efectos de calentamiento
causados por el flujo de corriente. Esto puede resultar eventualmente en un
transistor que opera fuera de sus parámetros normales, por ejemplo, corriendo a
una temperatura más alta que la permitida. Es entonces cuando los transistores
pueden fallar. En tales circunstancias, es aconsejable investigar las razones del
transistor fallido en lugar de simplemente reemplazarlo. Siempre revise los voltajes
en los terminales del transistor después de su reemplazo para asegurarse de que
no hay lecturas anormales.
Causas externas
A veces las causas externas pueden dañar o incluso destruir los
transistores. Una mala manipulación de los FET puede provocar daños
por descarga electrostática. A veces esto se traducirá en un transistor (o
una placa de circuito) no funciona cuando se instala dentro de un sistema.
Esto puede deberse a que las capas aislantes muy finas dentro del dispositivo se
han roto por completo debido a la electricidad estática de alto voltaje, aplicado
descuidadamente a los terminales. Lo que es más siniestro es que a veces tales
descargas no causan la destrucción inmediata del dispositivo, pero dañan el
aislamiento hasta tal punto que el dispositivo falla en algún momento (horas o años)
más tarde.
En equipos alimentados a red (línea), los pulsos de alta tensión que se producen de
vez en cuando pueden dañar los semiconductores. La mayoría de los circuitos
alimentados por la red tienen algún tipo de protección incorporada que evita daños
en la mayoría de los casos, pero rara vez es 100% efectiva.
Diseño de circuito
Se pueden encontrar muchas fallas, especialmente en equipos
producidos para el usuario doméstico, remitiéndose a bases de datos de
fallas recurrentes publicadas en revistas técnicas en Internet. La razón de
estas fallas recurrentes se produce básicamente en el diseño. Los
productos caseros están diseñados para ser producidos a un precio rentable, y para
dar funcionamiento libre de problemas durante un tiempo. Los fabricantes son
capaces de producir productos que cumplan con las estrategias cuidadosamente
elaboradas. Algunas fallas se producirán debido a que el producto excede su "vida
diseñada" mientras que otras ocurrirán prematuramente. Diseñar un producto
electrónico para una vida particular, en condiciones que serán muy variables y sobre
las cuales los diseñadores no tienen control (nuestros hogares) no es una ciencia
precisa. Sin embargo, tales fallas como ocurren generalmente siguen un patrón
distinto, y un registro cuidadoso de fallas anteriores puede ser una buena indicación
de las futuras. Estos fallos pueden afectar a los transistores tan fácilmente como
cualquier otro componente. Cuando los fallos ocurren prematuramente, los
fabricantes a menudo producen modificaciones para evitar fallas similares en el
futuro.
Potencia vs. Fiabilidad.
Al considerar un artículo de equipo defectuoso, recuerde siempre que la
confiabilidad de cualquier componente es proporcional a la energía que
disipa. En otras palabras, "si normalmente se calienta normalmente falla".
Esta regla sugiere que un transistor fallido es más probable que esté en
las etapas de salida de un circuito que las etapas de bajo voltaje y baja potencia
que la preceden. Cualquier circuito que utilice altas tensiones, corriente alta o
ambas, pone mucho más énfasis en los semiconductores que los circuitos de
corriente baja y baja. Aunque los dispositivos utilizados en estos circuitos están
diseñados para soportar tal uso, lo hacen menos bien que aquellos dispositivos que
tienen una vida relativamente fácil en situaciones de baja potencia. Las principales
áreas problemáticas son las fuentes de alimentación y las etapas de salida. Cuando
se enfrentan a un circuito defectuoso y muy poca información de circuito, una
comprobación rápida de los semiconductores en estas etapas puede ahorrar mucho
trabajo.
Fallas de semiconductor
Cuando un diodo o un transistor falla, normalmente sucede una de dos
cosas:

• Una unión (o uniones) ir cortocircuito (su resistencia se vuelve muy baja o cero).
• Una unión (o uniones) van a circuito abierto (su resistencia se hace muy alta o
infinita).
Por supuesto, esta lista podría ampliarse para incluir que las uniones pueden
volverse fugas (resistencia ligeramente baja), aunque esto es raro. En la práctica
esta condición se suele seguir bastante pronto por un cortocircuito completo.
Lo anterior sugiere que los diodos y transistores pueden ser probados por simples
mediciones de resistencia, en la mayoría de los casos esto es cierto. Un conjunto
de pruebas de resistencia puede mostrar con un gran grado de certeza si un
semiconductor es útil o defectuoso. Es cierto que pueden ocurrir otras fallas y otras
pruebas, pero éstas serán discutidas después de las pruebas de resistencia más
importantes.
Contadores para pruebas de transistores
Cómo realizar pruebas de resistencia en dispositivos semiconductores. Cosas que
usted debe saber PRIMERO. Para empezar, es importante decir que los siguientes
métodos se refieren a las pruebas de transistor para la detección de fallos o la
solución de problemas, en lugar de con el diseño y la construcción de electrónica,
que puede requerir algunas pruebas y técnicas diferentes. Sin embargo, es
improbable que alguien haya construido un circuito electrónico sin estar involucrado
en al menos algún fallo.
¿Qué tipo de metro?
La mayoría de los multímetros son adecuados para probar transistores; Algunos
tienen rangos de prueba de transistor especiales (pero eso no significa que sean los
mejores modelos para usar en todas las situaciones). También es posible comprar
probadores de transistor dedicados. Estos generalmente le dicen más acerca de un
transistor que un multímetro ordinario, pero en la mayoría de las situaciones de
localización de fallas, un transistor que antes estaba funcionando bien, ahora es
sospechoso. Normalmente no es necesario conocer las características del
transistor, ¡necesita saber si está muerto! Algunas comprobaciones sencillas de
resistencia o voltaje confirmarán esto. Los probadores de transistores son más
útiles, principalmente en el diseño de circuitos y la construcción, donde puede ser
necesario conocer más sobre el rendimiento de un transistor.
Cosas que debe verificar en su medidor.
Primero mira los rangos de resistencia del medidor. Si está usando un medidor
digital debe encontrar que uno de los rangos está marcado con un símbolo de diodo.
Este es el rango que DEBE usar para probar transistores y diodos, no use ningún
otro rango, ya que no probará el dispositivo correctamente, ¡y los resultados solo le
confundirán!
El problema es que en los rangos de resistencia el medidor pone un voltaje pequeño
a través de las puntas de las sondas, de modo que cuando se conecta al
componente que se está midiendo, una corriente fluye a través del componente. Es
esta corriente que el medidor está midiendo, simplemente muestra su resultado
como resistencia (en ohmios) para ahorrarle la molestia de trabajar fuera de voltaje
y corriente. El punto aquí es que el medidor utiliza un voltaje PEQUEÑO, y un valor
diferente de voltaje en rangos diferentes. En muchos casos el voltaje del medidor
no será suficiente para superar la unión p.d. Del componente que se está probando,
de modo que la unión medirá el circuito abierto incluso si no hay nada malo en él.
El rango de diodos (o cualquier rango que el manual de instrucciones del medidor
sugiera para probar la resistencia de las uniones) está diseñado para suministrar el
voltaje suficiente para activar la unión y pasar una corriente muy pequeña a través
de ella. Esto usualmente da una indicación fiable del estado de la unión, sin
resultados confusos, o dañando una buena unión.
Fig.2.1 Multímetro digital
Normalmente, los medidores digitales muestran la
resistencia de la unión cuando se utiliza el rango de diodos,
que para una unión PN típicamente sería alrededor de 500
a 1K ohmios, dependiendo del dispositivo que se esté
midiendo. Sin embargo, algunos medidores muestran la
TENSIÓN DE JUNCIÓN en este rango (normalmente de 0,5
a 0,7 voltios). Asegúrese de saber lo que el medidor le está
diciendo, a veces hay un "V" en la pantalla si se refiere a la
tensión de unión, pero a veces no. Compruebe el libro de
instrucciones para estar seguro.
Visualización de los medidores digitales 1. (Seguido de un
punto decimal) para indicar que la resistencia es demasiado
alta para medir el rango que está utilizando. Recuerde que,
dado que el medidor está generalmente limitado a un rango
al probar uniones de semiconductor, esto significa "infinito" o circuito abierto para
propósitos de prueba.
Debido a que el rango de resistencias medibles en el rango de diodos de un medidor
digital es bastante pequeño (usualmente de 0 a 2 K), puede ser preferible usar un
medidor de bobina móvil tal como un "Avo 8" para probar los transistores.
Fig.2.2 Multímetro analógico profesional.
Cuando utilice los rangos de resistencia en los medidores
analógicos como el "Avo" (izquierda), es importante saber
que la batería interna del medidor está conectada de tal
manera que el cable de prueba rojo es negativo y el cable
de prueba negro positivo. Por lo tanto, al probar la
resistencia directa de una unión, el conductor del medidor
positivo (negro) debe ir al lado P de la unión y el cable
negativo (rojo) al lado N). Esto es opuesto a conectar los
medidores digitales, donde el rojo es positivo y va a P para
la prueba de resistencia directa, y el negro es negativo y va al lado N de la unión.
La razón de esto es que la batería en un medidor analógico también se utiliza para
alimentar la aguja en movimiento que indica el valor medido. Para que la aguja se
mueva en la dirección correcta (para aumentar la resistencia) la alimentación de la
batería debe estar en la polaridad descrita anteriormente).
El Avo tiene tres rangos de resistencia y ninguna marca de diodo. Sin embargo, es
importante que sólo utilice el medio de los tres rangos (usualmente marcados con
x100 en los medidores modernos). La razón de esto es que el rango x1 no produce
suficiente corriente para ensayar uniones y, lo que es más importante, el rango x10K
utiliza una batería de 15V para suministrar voltajes de prueba a las sondas.
Poniendo 15V a través de una unión de semiconductores cuya tensión directa es de
sólo 0.6V más que probablemente destruirlo!
Prueba de transistores
Fig. 4.1. Modelo De Dos Transistores De Unión.

Un transistor bipolar tiene dos uniones, que se pueden considerar simplemente

como dos diodos para nuestros propósitos de la prueba. Los "diodos" están
conectados atrás con su punto central siendo la conexión base. Para probar un
transistor sólo necesita comprobar la resistencia hacia adelante y hacia atrás de
ambas uniones, que deben medir alrededor de 500 a 1K ohmios en la dirección
hacia adelante y el infinito cuando están polarizados inversamente. Para hacer esto
es necesario averiguar primero qué pin es cuál.
Use la Información del Fabricante
La mejor manera de comprobar las funciones de los pines del transistor individuales
es utilizar la información del fabricante. Si hay un diagrama de circuito disponible
para el circuito que contiene el transistor, lo más probable es que incluya un
"diagrama de disposición" que muestre cómo es la placa de circuito. Los pasadores
de conexión de los transistores se identifican a menudo en este dibujo. Otra manera
que los fabricantes usan para ilustrar pin-outs es un diagrama separado que
muestra las conexiones de pasador para cada semiconductor usado en el equipo.
Consulte el catálogo de un proveedor
¿Qué sucede si no tiene información del fabricante? Lo siguiente es referirse al
catálogo de un proveedor y, usando el número estampado en el propio dispositivo,
busque los datos de ese dispositivo, que normalmente incluirá el "tipo de paquete".
Esto se da como un número que se refiere a un paquete estándar con una
disposición estándar de pines. La sección de semiconductores del catálogo
normalmente tendrá al menos una página dedicada a dibujos de diagramas de pin-
out de transistores. Hay muchos catálogos de proveedores ahora en línea, la
mayoría de los cuales contienen enlaces a hojas de datos de semiconductores.
Cuando se buscan transistores o diodos, éstos se enumeran generalmente en la
sección de "semiconductores". Vea nuestra página de enlaces.
Fig.4.2. Determinación de las
funciones del pin por medición.
Si el transistor que está probando tiene
una caja de metal, como en los TO18,
TO3, TO126, TO202, TO72 etc., eso es
útil. Una caja de metal o área de
disipador de calor está casi siempre
conectada al colector para que el calor
se disipe más fácil. Esto significa que, si
mide la resistencia de la caja a cada
pasador a su vez, el pin que mide cero
ohmios es el colector. El primer pin a
encontrar sin embargo debe ser la base.
En paquetes de transistores como el
TO18 o TO39, que tienen latas de metal
con una pequeña lengüeta en el lateral,
eso es fácil. El emisor (o la fuente en
FETs) es casi siempre la conexión junto
a la lengüeta de metal y el colector está
conectado a la lata.
Observe que a menudo esto hace que la
base sea el centro de las tres
conexiones, pero esto no siempre es el
caso, como se puede ver en los
paquetes TO92, TO237 y SOT23, no
confíe en que la base esté en el centro.
Estudiar los tipos de envases comunes
ilustrados en la Fig. 4.2. Hay variaciones
incluso dentro del mismo tipo de
paquete. La mejor fuente para los pin-
outs del transistor es normalmente un
catálogo del surtidor o una hoja de datos
del fabricante.
Si no se dispone de datos de pin-out,
todavía es posible identificar los pines
midiendo la resistencia entre los
diferentes pines como se muestra en la
página siguiente. Para empezar,
presumir que un transistor desconocido
puede ser un tipo NPN, ya que son
mucho más comunes que PNP en los
circuitos modernos.
Identificar los Pin-outs del transistor
¿Qué pin es que en un BJT?
Utilice esta tabla para encontrar qué pin es la base de un transistor bipolar y al
mismo tiempo obtener una buena idea de si el transistor es defectuoso o bueno.
(¡No pruebe FETs de esta manera, aunque - el manejo de los pasadores FET puede
destruir el transistor!).
Seguir las pruebas 1 - 3 luego decidir a partir del resultado cuál de las cuatro flechas
a seguir. Puede que tenga que pasar por la secuencia de la prueba más de una vez
para hacer su diagnóstico.

Detección de fallos en los transistores

Fig. 6.1 Prueba de BJTs y JFETs.
Una vez que los pines del transistor han sido identificados, o al menos la base, si el
fallo no es ya obvio, puede utilizar el método de la Fig. 6.1 para identificar un fallo
en cualquier transistor bipolar que no esté conectado en un circuito.
Utilice un multímetro conmutado a un rango adecuado para probar uniones de
transistores, como se discute en la página de Medidores para pruebas de
transistores. Siga la secuencia numerada de pruebas en la Fig. 6.1 para averiguar
si el transistor es bueno o defectuoso.
Antes de comenzar estas pruebas, asegúrese de saber cuál de los conductores del
medidor es positivo y cuál es negativo. Recuerde que los medidores analógicos
pueden tener la polaridad de sus conductores de medidores rojos y negros
invertidos al medir la resistencia.
Probar el cortocircuito entre el colector y el emisor.
1. Comprobar la resistencia entre el colector y el emisor.
2.Then invertir las conexiones del medidor positivo y negativo y probar de nuevo.
Si el medidor lee cero o unos pocos ohmios en las pruebas 1 y 2, hay un cortocircuito
entre el colector y el emisor y el transistor está defectuoso. Si ambas lecturas son
infinitas, continúe con la prueba 3.
Pruebe la resistencia delantera de las uniones base-emisor y base-colector.
3. Ahora conecte el conductor positivo del medidor a la base y pruebe la resistencia
de ambas uniones conectando la sonda del medidor negativo a uno de los otros dos
pines. Realmente no importa si este es el colector o el emisor, esta prueba es la
misma para cualquier unión.
4. Ahora deje el cable positivo en la base, y mueva el cable negativo al otro pin no
probado (colector o emisor), y mida la resistencia de esta unión.
Para las pruebas 3 y 4, debe obtener una lectura típica de resistencia directa de
alrededor de 500 a 1K ohmios en ambos casos. Una lectura de cero ohmios indica
un cortocircuito y un transistor defectuoso. En este caso, como doble comprobación,
continúe con las pruebas 5 y 6.
Pruebe la resistencia inversa de las uniones base-emisor y base-colector.
5. Ahora conecte el cable negativo de su medidor a la base y el cable positivo a otro
pin como se muestra en 5 en la Fig. 6.1 anterior.
6. Finalmente, conecte la sonda positiva a la otra clavija no probada como se
muestra en 6 en la Fig. 6.1 anterior.
En las pruebas 5 y 6, ambas uniones deben ser infinitas. Si todas estas seis pruebas
están bien, tienes un buen transistor. ¡Si una o más de las pruebas ha fallado,
también lo ha hecho el transistor!
Identificación de fallas en FETs
Los resultados de las pruebas de resistencia en FETs generalmente no son tan
fáciles de interpretar como en los transistores bipolares. Debido a las altas
impedancias implicadas, los resultados serán más variables y la práctica es
necesaria para ganar confianza en los resultados obtenidos. ¡Además, los requisitos
de manipulación para IGFETS con respecto a voltajes electrostáticos, significa que
probar estos dispositivos fuera del circuito es muy probable que cause más daño
que bien! La única prueba efectiva para IGFETs (donde las pruebas de voltaje en el
transistor en un circuito "vivo" sugieren un transistor defectuoso), es mediante la
sustitución de un buen dispositivo conocido, asegurándose de que se observan las
precauciones de manipulación mencionadas anteriormente. JFETs sin embargo
puede, con cuidado, ser probado con un multímetro en la misma forma que los
transistores bipolares.

Fig. 6.2 Modelo de unión JFET (una sola unión PN y un canal resistivo)
La figura 6.2 muestra un modelo de unión para probar un JFET. Para propósitos de
prueba, el JFET puede considerarse como una sola unión PN, conectada a un canal
que es básicamente una resistencia. La resistencia del canal entre la fuente y el
drenaje será muy alta (varios Megohms), pero puede variar considerablemente si el
cable del medidor positivo está conectado al drenaje y el conductor negativo a la
fuente, entonces la puerta de impedancia muy alta se toca con un dedo. ¡Esto puede
crear suficiente tensión estática en la puerta para operar el transistor! Los resultados
reales que obtendrá varían, dependiendo de cosas como el tipo de metro utilizado,
la resistencia de la piel e incluso la humedad de la habitación.
La unión PN se puede probar conectando el medidor entre la puerta y la fuente,
primero de una manera y luego invirtiendo la polaridad. El resultado debe ser una
lectura baja de aproximadamente 1k ohmios en la dirección de polarización directa
(positiva a puerta en el caso de un dispositivo de canal N), y infinito (circuito abierto)
en la dirección de polarización inversa (negativa a puerta).
Prueba de los transistores en el circuito.
Aunque los métodos anteriores pueden a veces usarse para probar transistores
todavía conectados en un circuito SWITCHED OFF, esto sólo es posible cuando
otros componentes del circuito alrededor del transistor tienen altos valores de
resistencia y, por tanto, tienen poco efecto sobre las resistencias reales del
transistor medidas.
La mayoría de las pruebas de resistencia en semiconductores suponen que el
transistor, el diodo, etc., han sido primero sin soldar y retirados del circuito. Sin
embargo, esto es sólo una manera de probar un transistor, y se utiliza generalmente
para confirmar pruebas anteriores realizadas con el circuito en "funcionamiento"
(aunque defectuoso) condición. Estas pruebas implican medir las tensiones en el
transistor sospechoso con el circuito conectado y son parte de un proceso de
búsqueda de fallas completo. Hay sin embargo algunas indicaciones simples del
voltaje que pueden indicar con un buen grado de certeza, si un transistor
sospechoso es defectuoso.
1. La diferencia de más de 0,7V entre los voltajes de base y de emisor indica una
unión b-e de circuito abierto.
2. El mismo voltaje en dos o más terminales PUEDE indicar una o más uniones de
cortocircuito.
3. Un voltaje de colector INFERIOR al esperado generalmente significa que el
transistor está conduciendo fuertemente (encendido).
4. Un voltaje de colector MAYOR que el esperado generalmente significa que el
transistor no está conduciendo (apagado).
Nota: Aunque las condiciones 2,3 y 4 pueden indicar un transistor defectuoso,
también pueden ser causadas por otras condiciones del circuito. Por esta razón se
deben realizar pruebas de tensión adicionales en otros transistores (principalmente
transistores o líneas de alimentación que alimentan al transistor sospechoso) antes
de decidir la ubicación del fallo.
Advertencia: Nunca debe trabajar en circuitos "vivos" a menos que conozca Y USE
prácticas de trabajo seguras. Muchos circuitos que derivan energía de la red (línea)
de suministro (y algunos que no) contienen voltajes LETHAL, así como otros
peligros. Los circuitos en vivo sólo deben ser trabajados por personal totalmente
capacitado. Antes de intentar cualquier trabajo en los circuitos en vivo utilizando
cualquier información proporcionada en este sitio web, lea el AVISO DE
RESPONSABILIDAD importante.