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1° Circuito:
Proceso de carga:
−𝒕
𝑽𝑹(𝒕) = 𝟐. 𝟓 × 𝒆𝟎.𝟎𝟕𝟏𝟗𝟒 (𝟏)
−𝒕
𝑽𝑪(𝒕) = 𝟐. 𝟓 × (𝟏 − 𝒆𝟎.𝟎𝟕𝟏𝟗𝟒 ) (𝟐)
Proceso de descarga:
𝜏 = 𝑅 × 𝐶 = 0.07194 𝑠
−𝒕
𝑽𝑹(𝒕) = −𝟓 × 𝒆𝟎.𝟎𝟕𝟏𝟗𝟒 (𝟑)
−𝒕
𝑽𝑪(𝒕) = 𝟓 × 𝒆𝟎.𝟎𝟕𝟏𝟗𝟒 (𝟒)
2° Circuito:
Proceso de carga:
−𝒕
𝑽𝑹(𝒕) = 𝟐. 𝟓 × 𝒆𝟎.𝟏𝟗𝟕𝟒 (𝟏)
−𝒕
𝑽𝑪(𝒕) = 𝟐. 𝟓 × (𝟏 − 𝒆𝟎.𝟏𝟗𝟕𝟒 ) (𝟐)
Proceso de descarga:
−𝒕
𝑽𝑹(𝒕) = −𝟓 × 𝒆𝟎.𝟏𝟗𝟕𝟒 (𝟑)
−𝒕
𝑽𝑪(𝒕) = 𝟓 × 𝒆𝟎.𝟏𝟗𝟕𝟒 (𝟒)
𝑇 = 10 × 𝜏 = 10 × 0.1974 = 𝟏. 𝟗𝟕𝟒 𝒔
EXPERIMENTAL
1° Circuito:
Resistencia de 0.218 KΩ y Capacitancia de 33 𝒖𝑭
Frecuencia de la fuente: 59.78 𝐻𝑧
Voltaje pico-pico: 3.40 V
2° Circuito:
Resistencia de 9.87 KΩ y Capacitancia de 20 𝒖𝑭
Frecuencia de la fuente: 506.58 𝑚𝐻𝑧
Voltaje pico-pico: 5 V
Simulación Experimental
9.87 kΩ 20 uF 1s 𝟏. 𝟗𝟕𝟒 𝐬
Porcentaje de error al resultado simulación con el experimental
33 uF% = 45.4568123%
20 uF% = 49.3414387%